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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-05-23
(45)【発行日】2024-05-31
(54)【発明の名称】六方晶フェライト磁性粉末およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01F 1/11 20060101AFI20240524BHJP
C01G 51/00 20060101ALI20240524BHJP
C01G 49/00 20060101ALI20240524BHJP
G11B 5/706 20060101ALI20240524BHJP
G11B 5/714 20060101ALI20240524BHJP
G11B 5/842 20060101ALI20240524BHJP
【ＦＩ】
H01F1/11
C01G51/00 B
C01G49/00 E
G11B5/706
G11B5/714
G11B5/842 Z
【請求項の数】
14
(21)【出願番号】P 2020056824
(22)【出願日】2020-03-26
(65)【公開番号】P2021158216
(43)【公開日】2021-10-07
【審査請求日】2023-01-25
(73)【特許権者】
【識別番号】506334182
【氏名又は名称】ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100129470
【弁理士】
【氏名又は名称】小松 高
(72)【発明者】
【氏名】越湖 将貴
(72)【発明者】
【氏名】小野寺 暁史
(72)【発明者】
【氏名】大元 寛久
【審査官】秋山 直人
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１１／１２５６３３（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１１－１７８６５４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１８１１３０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－１３９４５１（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１１／０４８８２３（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｆ １／１１
Ｃ０１Ｇ ５１／００
Ｃ０１Ｇ ４９／００
Ｇ１１Ｂ ５／７０６
Ｇ１１Ｂ ５／７１４
Ｇ１１Ｂ ５／８４２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ｂｉ／Ｆｅモル比０.０３５以下の範囲でＢｉを含有し、飽和磁化σｓが４２.０Ａｍ２／ｋｇ以上、下記（１）式で表されるＤｘ体積が１８００ｎｍ３以下である六方晶フェライト磁性粉。Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２ …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。
【請求項2】
Ｂｉ／Ｆｅモル比０.００５～０.０３５の範囲でＢｉを含有する請求項１に記載の六方晶フェライト磁性粉。
【請求項3】
六方晶フェライト結晶のＦｅサイトの一部が２価、４価または５価の金属元素の１種以上で置換されている請求項１または２に記載の六方晶フェライト磁性粉。
【請求項4】
前記六方晶フェライト磁性粉は六方晶Ｂａフェライト磁性粉である、請求項１～３のいずれか１項に記載の六方晶フェライト磁性粉。
【請求項5】
ＢＥＴ比表面積が９３.４ｍ
２
／ｇ以下であるものを除く、請求項１～４のいずれか１項に記載の六方晶フェライト磁性粉。
【請求項6】
ＢＥＴ比表面積が１０４.１ｍ
２
／ｇ以上である、請求項１～４のいずれか１項に記載の六方晶フェライト磁性粉。
【請求項7】
Ｂｉを含有する六方晶フェライト磁性粉を、Ｂｉと錯体を形成する化合物Ｘが溶解している溶液に浸漬させることにより、前記六方晶フェライト磁性粉中に存在するＢｉの一部を前記溶液中に溶出させる処理（以下「Ｂｉ溶出処理」という。）を行う工程を含む、六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
【請求項8】
前記化合物Ｘはキレート剤である、請求項７に記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
【請求項9】
前記キレート剤は下記（２）式を満たすものである、請求項８に記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。ｌｏｇＫＢｉ－ｌｏｇＫＦｅ≧０.５ …（２）
ここで、ＫＢｉはＢｉ３＋に対するキレート安定度定数、ＫＦｅはＦｅ３＋に対するキレート安定度定数である。
【請求項10】
前記Ｂｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉を「元粉」、Ｂｉ溶出工程により得られる六方晶フェライト磁性粉を「処理済み粉」と呼ぶとき、下記（１）式で表されるＤｘ体積が１８００ｎｍ３以下、Ｂｉ／Ｆｅモル比が０.０２０～０.１００である元粉を適用し、下記（３）式で定義されるＢｉ残留割合を０.２～０.８とする、請求項７～９のいずれか１項に記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２ …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。
Ｂｉ残留割合＝［処理済み粉のＢｉ／Ｆｅモル比］／［元粉のＢｉ／Ｆｅモル比］ …（３）
【請求項11】
前記Ｂｉ溶出処理中の溶液のｐＨを２.０～１０.０とする請求項７～１０のいずれか１項に記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
【請求項12】
前記Ｂｉ溶出処理に使用する化合物Ｘの総量ＡＫ（モル）と、前記Ｂｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉中に含まれるＢｉ量ＡＢｉ（モル）の関係が下記（４）式を満たす条件でＢｉ溶出処理を行う、請求項７～１１のいずれか１項に記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。Ｎ×Ａｋ／ＡＢｉ≧１.０ …（４）
ここで、Ｎは化合物Ｘ１分子が配位できるＢｉの最大原子数である。
【請求項13】
前記Ｂｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉は、六方晶フェライト結晶のＦｅサイトの一部が２価、４価または５価の金属元素の１種以上で置換されているものである、請求項７～１２のいずれか１項に記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
【請求項14】
前記Ｂｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉は六方晶Ｂａフェライト磁性粉である、請求項７～１３のいずれか１項に記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気記録媒体の高密度記録に適したマグネトプランバイト型（Ｍ型）六方晶フェライト磁性粉およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
磁気記録媒体に用いる高密度記録に適した磁性粉として、Ｍ型六方晶フェライト磁性粉が知られている。記録密度向上の観点からは、磁性粒子の微細化（後述Ｄｘ体積の微小化）が有利となる。一方、記録媒体のＳＮＲ（Ｓ／Ｎ比）向上の観点からは、磁性層を薄くすることが有利である。磁性相を薄くしても高い記録密度を確保するためには磁性粉の飽和磁化σｓを高める必要がある。しかしながら、磁性粒子の顕著な微細化を図りながら飽和磁化σｓを高く維持することは容易でない。
【0003】
特許文献１には、小粒子体積を持ちながらも高い磁気特性を達成しうるフェライト磁性粉末として、鉄、２価の金属、４価の金属、Ｂａ、Ｂｉ、および希土類元素を含み、前記Ｂｉの含有量を前記希土類元素の含有量より多くした六方晶フェライト磁性粉末が開示されている。Ｂｉを添加することで、六方晶フェライトの粒子同士の焼結を減らすことができ、小粒子化できることが開示されている。
特許文献２には、磁気記録媒体のＳＮＲを含めた磁気特性の向上と、耐久性の向上とを同時に実現し得る磁性粉末として、Ｂａ／Ｆｅモル比が８.０％以上（０.０８０以上）、Ｂｉ／Ｆｅモル比が２.５％以上（０.０２５以上）、Ａｌ／Ｆｅモル比が３.０～６.０％（０.０３０～０.０６０）である六方晶フェライト磁性粉が開示されている。
特許文献３には、Ｆｅサイト価数ＸＦｅが３.００５～３.０３０、Ｒ／Ｍモル比（ＭはＦｅおよびその置換元素）が０.００１～０.０２０、かつＤｘ体積が１１５０～１４５０ｎｍ3である六方晶Ｂａフェライト磁性粉が開示されている。この磁性粉は、微細な磁性粒子からなる磁性粉において保磁力Ｈｃの分布をシャープにする手法により、磁気記録媒体の磁気特性（特にＳ／Ｎ比）の改善を意図したものである。Ｂｉに関しては、小粒子化および磁気特性の向上に有効であることが記載されている（特許文献３、段落００２３）。
特許文献２には、磁気記録媒体のＳＮＲを含めた磁気特性の向上と、耐久性の向上とを同時に実現し得る磁性粉末として、Ｂａ／Ｆｅモル比が８.０％以上（０.０８０以上）、Ｂｉ／Ｆｅモル比が２.５％以上（０.０２５以上）、Ａｌ／Ｆｅモル比が３.０～６.０％（０.０３０～０.０６０）である六方晶フェライト磁性粉が開示されている。
特許文献３には、Ｆｅサイト価数ＸＦｅが３.００５～３.０３０、Ｒ／Ｍモル比（ＭはＦｅおよびその置換元素）が０.００１～０.０２０、かつＤｘ体積が１１５０～１４５０ｎｍ3である六方晶Ｂａフェライト磁性粉が開示されている。この磁性粉は、微細な磁性粒子からなる磁性粉において保磁力Ｈｃの分布をシャープにする手法により、磁気記録媒体の磁気特性（特にＳ／Ｎ比）の改善を意図したものである。Ｂｉに関しては、小粒子化および磁気特性の向上に有効であることが記載されている（特許文献３、段落００２３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１１－１７８６５４号公報
【文献】特開２０１５－１１１４８４号公報
【文献】特開２０１６－１７１２６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
六方晶フェライト粉末において、磁性粒子の微細化（後述Ｄｘ体積の微小化）を実現するためには、結晶化させる際の焼成温度を低くすることが有効である。しかし、焼成温度を低くしてＤｘ体積が例えば２０００ｎｍ3程度以下のレベルにまで微細化させると、飽和磁化σｓが大幅に低下するという問題があった。Ｂｉの添加はこの問題の軽減に有効である。すなわち、六方晶フェライトを製造するための原料混合物中にＢｉを適量（例えばＢｉ／Ｆｅ比で０.００５以上）添加しておくと、その原料混合物の非晶質体を焼成して結晶化させる際の焼成温度を低くすることによりＤｘ体積を例えば２０００ｎｍ3以下にコントロールしても、焼成温度の低下に伴うσｓの低下の程度を小さくすることができる。ただしその場合でも、焼成温度を十分に高くして合成される六方晶フェライト結晶が呈する、本来の高いσｓは得られない。昨今では磁気記録媒体の更なる性能向上の要求が高まっている。上記のＢｉ添加手法を利用しても、その要求に十分応えることは難しい。
【0006】
本発明は、磁気記録媒体の更なる性能向上のニーズに鑑み、記録密度の向上およびＳＮＲの向上を同時に達成するうえで極めて有用な六方晶フェライト磁性粉を提供することを目的とする。また、そのような六方晶フェライト磁性粉を得るための効果的な製造技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するために、本明細書では以下の発明を開示する。
［１］Ｂｉ／Ｆｅモル比０.０３５以下の範囲でＢｉを含有し、飽和磁化σｓが４２.０Ａｍ2／ｋｇ以上、下記（１）式で表されるＤｘ体積が１８００ｎｍ3以下である六方晶フェライト磁性粉。
Ｄｘ体積（ｎｍ3）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）2 …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。
［２］Ｂｉ／Ｆｅモル比０.００５～０.０３５の範囲でＢｉを含有する上記［１］に記載の六方晶フェライト磁性粉。
［３］六方晶フェライト結晶のＦｅサイトの一部が２価、４価または５価の金属元素の１種以上で置換されている上記［１］または［２］に記載の六方晶フェライト磁性粉。
［４］前記六方晶フェライト磁性粉は六方晶Ｂａフェライト磁性粉である、上記［１］～［３］のいずれかに記載の六方晶フェライト磁性粉。
［５］Ｂｉを含有する六方晶フェライト磁性粉を、Ｂｉと錯体を形成する化合物Ｘが溶解している溶液に浸漬させることにより、前記六方晶フェライト磁性粉中に存在するＢｉの一部を前記溶液中に溶出させる処理（以下「Ｂｉ溶出処理」という。）を行う工程を含む、六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
［６］前記化合物Ｘはキレート剤である、上記［５］に記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
［７］前記キレート剤は下記（２）式を満たすものである、上記［６］に記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
ｌｏｇＫBi－ｌｏｇＫFe≧０.５ …（２）
ここで、ＫBiはＢｉ3+に対するキレート安定度定数、ＫFeはＦｅ3+に対するキレート安定度定数である。
［８］前記Ｂｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉を「元粉」、Ｂｉ溶出工程により得られる六方晶フェライト磁性粉を「処理済み粉」と呼ぶとき、前記（１）式で表されるＤｘ体積が１８００ｎｍ3以下、Ｂｉ／Ｆｅモル比が０.０２０～０.１００である元粉を適用し、下記（３）式で定義されるＢｉ残留割合を０.２～０.８とする、上記［５］～［７］のいずれかに記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
Ｂｉ残留割合＝［処理済み粉のＢｉ／Ｆｅモル比］／［元粉のＢｉ／Ｆｅモル比］ …（３）
［９］前記Ｂｉ溶出処理中の溶液のｐＨを２.０～１０.０とする上記［５］～［８］のいずれかに記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
［１０］前記Ｂｉ溶出処理に使用する化合物Ｘの総量ＡK（モル）と、前記Ｂｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉中に含まれるＢｉ量ＡBi（モル）の関係が下記（４）式を満たす条件でＢｉ溶出処理を行う、上記［５］～［９］のいずれかに記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
Ｎ×Ａk／ＡBi≧１.０ …（４）
ここで、Ｎは化合物Ｘ１分子が配位できるＢｉの最大原子数である。
［１１］前記Ｂｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉は、六方晶フェライト結晶のＦｅサイトの一部が２価、４価または５価の金属元素の１種以上で置換されているものである、上記［５］～［１０］のいずれかに記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
［１２］前記Ｂｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉は六方晶Ｂａフェライト磁性粉である、上記［５］～［１１］のいずれかに記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
［１］Ｂｉ／Ｆｅモル比０.０３５以下の範囲でＢｉを含有し、飽和磁化σｓが４２.０Ａｍ2／ｋｇ以上、下記（１）式で表されるＤｘ体積が１８００ｎｍ3以下である六方晶フェライト磁性粉。
Ｄｘ体積（ｎｍ3）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）2 …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。
［２］Ｂｉ／Ｆｅモル比０.００５～０.０３５の範囲でＢｉを含有する上記［１］に記載の六方晶フェライト磁性粉。
［３］六方晶フェライト結晶のＦｅサイトの一部が２価、４価または５価の金属元素の１種以上で置換されている上記［１］または［２］に記載の六方晶フェライト磁性粉。
［４］前記六方晶フェライト磁性粉は六方晶Ｂａフェライト磁性粉である、上記［１］～［３］のいずれかに記載の六方晶フェライト磁性粉。
［５］Ｂｉを含有する六方晶フェライト磁性粉を、Ｂｉと錯体を形成する化合物Ｘが溶解している溶液に浸漬させることにより、前記六方晶フェライト磁性粉中に存在するＢｉの一部を前記溶液中に溶出させる処理（以下「Ｂｉ溶出処理」という。）を行う工程を含む、六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
［６］前記化合物Ｘはキレート剤である、上記［５］に記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
［７］前記キレート剤は下記（２）式を満たすものである、上記［６］に記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
ｌｏｇＫBi－ｌｏｇＫFe≧０.５ …（２）
ここで、ＫBiはＢｉ3+に対するキレート安定度定数、ＫFeはＦｅ3+に対するキレート安定度定数である。
［８］前記Ｂｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉を「元粉」、Ｂｉ溶出工程により得られる六方晶フェライト磁性粉を「処理済み粉」と呼ぶとき、前記（１）式で表されるＤｘ体積が１８００ｎｍ3以下、Ｂｉ／Ｆｅモル比が０.０２０～０.１００である元粉を適用し、下記（３）式で定義されるＢｉ残留割合を０.２～０.８とする、上記［５］～［７］のいずれかに記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
Ｂｉ残留割合＝［処理済み粉のＢｉ／Ｆｅモル比］／［元粉のＢｉ／Ｆｅモル比］ …（３）
［９］前記Ｂｉ溶出処理中の溶液のｐＨを２.０～１０.０とする上記［５］～［８］のいずれかに記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
［１０］前記Ｂｉ溶出処理に使用する化合物Ｘの総量ＡK（モル）と、前記Ｂｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉中に含まれるＢｉ量ＡBi（モル）の関係が下記（４）式を満たす条件でＢｉ溶出処理を行う、上記［５］～［９］のいずれかに記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
Ｎ×Ａk／ＡBi≧１.０ …（４）
ここで、Ｎは化合物Ｘ１分子が配位できるＢｉの最大原子数である。
［１１］前記Ｂｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉は、六方晶フェライト結晶のＦｅサイトの一部が２価、４価または５価の金属元素の１種以上で置換されているものである、上記［５］～［１０］のいずれかに記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
［１２］前記Ｂｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉は六方晶Ｂａフェライト磁性粉である、上記［５］～［１１］のいずれかに記載の六方晶フェライト磁性粉の製造方法。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、磁性粒子のサイズが小さい六方晶フェライト磁性粉において、飽和磁化σｓを顕著に向上させることが可能になった。この磁性粉を磁気記録媒体に使用すると、磁性粒子のサイズが小さいことにより記録密度の向上に有利となり、かつ飽和磁化σｓが高いことにより磁性層を薄くすることができるのでＳＮＲの向上にも有利となる。すなわち本発明は、磁気記録媒体の性能向上に資するものである。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
本発明で対象とする六方晶フェライトは、化学式ＡＯ・６Ｆｅ2Ｏ3を基本構造とするマグネトプランバイト型（Ｍ型）のものである。上記化学式中のＡ元素はＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、Ｃａの１種以上の元素であり、その一部をＬａなどで置換したタイプもある。Ｆｅサイトの一部は２価、４価または５価の金属元素の１種以上で置換されていてもよい。上記２価の金属元素としてはＣｏ、Ｚｎ等が挙げられ、上記４価の金属元素としてはＴｉ、Ｓｎ等が挙げられ、上記５価の金属元素としてはＮｂ、Ｖ等が挙げられる。このようなＦｅサイトの一部を置換する金属元素を「Ｆｅサイト置換元素」と呼ぶ。これらの金属元素で置換することにより保磁力Ｈｃを調整することができる。
【0011】
本発明で対象とする六方晶フェライト粉はＢｉを含有する。Ｂｉは六方晶フェライトの結晶構造を構成する元素（化学式ＡＯ・６Ｆｅ2Ｏ3のいずれかの原子サイトに入る元素）ではないが、六方晶フェライト結晶粒子の微細化や、当該磁性粉を使用した磁気記録媒体の電磁変換特性の向上に有効な添加元素である。特に、焼成温度を低くして結晶粒子の微細化を狙った場合でも磁気特性の低下を小さくする効果を有する。このようなＢｉの有用な効果が得られるメカニズムは十分に解明されていないが、Ｂｉ含有により、六方晶フェライト磁性粉を構成する結晶粒子の粒子形状やその粒子形状のばらつきが変化すること、六方晶フェライトの結晶性が向上すること、などの要因が考えられる。本発明においては上記のようなＢｉ添加の利点を享受すべく、Ｂｉを含有する六方晶フェライト粉を対象とする。後述のＢｉ溶出処理によって得られる改質された六方晶フェライト粉においても所定量のＢｉが残存している。
【0012】
また、本発明で対象とする六方晶フェライト粉は、Ｎｄ、Ｙ、Ｓｍ、Ｙ、Ｅｒ、Ｈｏ等の希土類元素の１種以上や、Ａｌを含有していても構わない。これらの元素は六方晶フェライトの結晶構造を構成するものではない。
【0013】
［Ｂｉ含有六方晶フェライト磁性粉の改質方法］
本発明の製造方法は、Ｂｉを含有する原料混合物を使用して合成されたＢｉ含有六方晶フェライト磁性粉に対して、その粉末中に含有されるＢｉの一部を溶出させる処理を施すことによって、改質された六方晶フェライト磁性粉を製造するものである。本明細書において、Ｂｉの一部を溶出させる上記の処理を「Ｂｉ溶出処理」と呼ぶ。また、前記Ｂｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉を「元粉」、Ｂｉ溶出処理により得られる六方晶フェライト磁性粉を「処理済み粉」と呼ぶ。以下に、元粉、Ｂｉ溶出処理、処理済み粉について説明する。
本発明の製造方法は、Ｂｉを含有する原料混合物を使用して合成されたＢｉ含有六方晶フェライト磁性粉に対して、その粉末中に含有されるＢｉの一部を溶出させる処理を施すことによって、改質された六方晶フェライト磁性粉を製造するものである。本明細書において、Ｂｉの一部を溶出させる上記の処理を「Ｂｉ溶出処理」と呼ぶ。また、前記Ｂｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉を「元粉」、Ｂｉ溶出処理により得られる六方晶フェライト磁性粉を「処理済み粉」と呼ぶ。以下に、元粉、Ｂｉ溶出処理、処理済み粉について説明する。
【0014】
［元粉］
本発明に適用する元粉の製造プロセスとしては、小さい結晶粒子サイズを有する粒度分布の揃った六方晶フェライト磁性粉を得る観点から、ガラス結晶化法を利用することが好ましい。ガラス結晶化法は、原料混合物の非晶質体を焼成することによって結晶化させる手法である。ガラス結晶化法を適用する場合は、特許文献１～３に示されるような公知の方法で得られるＢｉ含有六方晶フェライト粉を元粉として利用することができる。ガラス結晶化法でのＢｉ源としては、酸化Ｂｉ粉、金属Ｂｉ粉などが使用できる。Ｂｉを含有する六方晶フェライト磁性粉を合成することができる合成法であれば、ガラス結晶化法以外の手法を適用してもよい。なお、ガラス結晶化法を利用して六方晶フェライト磁性粉を製造するプロセスでは、結晶化工程（熱処理によりフェライトを析出させる工程）で得られた粉体から六方晶フェライトの結晶粒子を抽出するために、通常、ホウ酸バリウムを主体とする残余物質を酸によって溶解除去する「酸洗処理」が行われる。ガラス結晶化法により結晶化させた六方晶フェライトを本発明に使用する場合、酸洗処理を含む洗浄工程を経て、不要な残余物質が十分に除去されている六方晶フェライト磁性粉を元粉として適用する必要がある。磁気記録媒体の磁性素材として使用可能な従来公知のＢｉ含有六方晶フェライト磁性粉の製品は、本発明に適用するための元粉として使用できる。
本発明に適用する元粉の製造プロセスとしては、小さい結晶粒子サイズを有する粒度分布の揃った六方晶フェライト磁性粉を得る観点から、ガラス結晶化法を利用することが好ましい。ガラス結晶化法は、原料混合物の非晶質体を焼成することによって結晶化させる手法である。ガラス結晶化法を適用する場合は、特許文献１～３に示されるような公知の方法で得られるＢｉ含有六方晶フェライト粉を元粉として利用することができる。ガラス結晶化法でのＢｉ源としては、酸化Ｂｉ粉、金属Ｂｉ粉などが使用できる。Ｂｉを含有する六方晶フェライト磁性粉を合成することができる合成法であれば、ガラス結晶化法以外の手法を適用してもよい。なお、ガラス結晶化法を利用して六方晶フェライト磁性粉を製造するプロセスでは、結晶化工程（熱処理によりフェライトを析出させる工程）で得られた粉体から六方晶フェライトの結晶粒子を抽出するために、通常、ホウ酸バリウムを主体とする残余物質を酸によって溶解除去する「酸洗処理」が行われる。ガラス結晶化法により結晶化させた六方晶フェライトを本発明に使用する場合、酸洗処理を含む洗浄工程を経て、不要な残余物質が十分に除去されている六方晶フェライト磁性粉を元粉として適用する必要がある。磁気記録媒体の磁性素材として使用可能な従来公知のＢｉ含有六方晶フェライト磁性粉の製品は、本発明に適用するための元粉として使用できる。
【0015】
元粉のＢｉ含有量範囲については、Ｂｉ／Ｆｅモル比が例えば０.００１以上というような比較的少ない下限を設定してもよいが、Ｂｉ／Ｆｅモル比０.０２０以上の元粉を適用することがより好ましい。結晶化させた段階でＢｉ／Ｆｅモル比０.０２０以上のＢｉを含有している六方晶フェライト磁性粉は、結晶粒子の粒子形状や、その粒子形状のばらつきの程度が適度に変化していること、および結晶性が良好であることから、磁気記録媒体の電磁変換特性の向上にはより効果的である。Ｂｉ／Ｆｅモル比０.０３０以上の元粉を適用することが一層効果的である。ただし、元粉に多量のＢｉが含有されていると、後述のＢｉ溶出処理に供した後に得られる処理済み粉にも余分なＢｉが多く残留するようになる。Ｂｉは非磁性成分であるため、余分なＢｉの残留量が少ないほど磁気記録媒体の磁気特性の向上には有利となる。元粉のＢｉ含有量は、Ｂｉ／Ｆｅモル比０.１００以下の範囲とすることが効果的である。
【0016】
元粉を構成する成分元素のうちＦｅサイト置換元素については、Ｆｅに対するモル比（以下「対Ｆｅモル比」ということがある。）を処理済み粉の目標組成と同様にすればよい。Ｂｉ溶出処理の前後において、Ｆｅサイト置換元素についての対Ｆｅモル比は概ね維持される。元粉を構成する成分元素のうち希土類元素については、Ｂｉ溶出処理によって溶出する傾向が見られる。そのため、処理済み粉に所定量の希土類元素を含有させる必要がある場合は、Ｂｉ溶出処理での溶出分を見込んで、元粉中の希土類元素含有量を設定する。Ｂｉ溶出処理で希土類元素の損失量がどの程度になるかは、予め実際の製造条件を踏まえた予備実験を行うことによって把握しておくことができる。元粉を構成する成分元素のうちＡｌについては、Ｂｉ溶出処理の前後においてＡｌ／Ｆｅモル比が概ね維持される。ただし、Ａｌに関しては、Ｂｉ溶出処理の前または後に、Ａｌを粒子に被着させる処理を施すことよって粉体中に必要なＡｌの全部または一部を添加することもできる。その場合は、前記の被着によるＡｌ添加量を見込んで、元粉中のＡｌ含有量を設定する。なお、ガラス結晶化法で六方晶フェライト結晶を合成する場合、原料混合物の配合組成（以下「仕込み組成」ということがある。）は、合成される六方晶フェライト粉の成分組成にほぼ反映される。したがって、ガラス結晶化法を利用して元粉を得る場合、元粉中の各成分元素の含有量は、仕込み組成において調整しておけばよい。
【0017】
磁気記録媒体の高記録密度化のためには、六方晶フェライト結晶粒子が微細であることが有利となる。結晶粒子のサイズ的パラメータとして、結晶子径から求まるＤｘ体積を採用することができる。Ｄｘ体積は下記（１）式により算出される。
Ｄｘ体積（ｎｍ3）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）2 …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。
結晶子径はＣｕ－Ｋα線を用いたＸ線回折法（ＸＲＤ）により測定される回折ピークの半値幅から、下記（５）式に示すシェラーの式により求める。
結晶子径（ｎｍ）＝Ｋλ／（β・ｃｏｓθ） …（５）
ここで、Ｋ：シェラー定数０.９、λ：Ｃｕ－Ｋα線波長（ｎｍ）、β：Ｄｘｃの測定では六方晶（００６）面の回折ピークの半値幅（ラジアン）、Ｄｘａの測定では六方晶（２２０）面の回折ピークの半値幅（ラジアン）、θ：回折ピークのブラッグ角（回折角２θの１／２）（ラジアン）である。
発明者らの検討によれば、元粉としてＤｘ体積が１８００ｎｍ3以下の六方晶フェライト磁性粉を適用したとき、Ｂｉ溶出処理を施した後の処理済み粉を使用した磁気記録媒体において、Ｄｘ体積が小さいことによる記録密度の向上に加え、ＳＮＲの向上についても極めて高い効果が期待できる。Ｄｘ体積の下限については必ずしも制限する必要はないが、磁性粉の保磁力についても重視する場合は、元粉のＤｘ体積を１０００ｎｍ3以上とすることが好ましく、１３００ｎｍ3以上とすることがより好ましい。
Ｄｘ体積（ｎｍ3）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）2 …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。
結晶子径はＣｕ－Ｋα線を用いたＸ線回折法（ＸＲＤ）により測定される回折ピークの半値幅から、下記（５）式に示すシェラーの式により求める。
結晶子径（ｎｍ）＝Ｋλ／（β・ｃｏｓθ） …（５）
ここで、Ｋ：シェラー定数０.９、λ：Ｃｕ－Ｋα線波長（ｎｍ）、β：Ｄｘｃの測定では六方晶（００６）面の回折ピークの半値幅（ラジアン）、Ｄｘａの測定では六方晶（２２０）面の回折ピークの半値幅（ラジアン）、θ：回折ピークのブラッグ角（回折角２θの１／２）（ラジアン）である。
発明者らの検討によれば、元粉としてＤｘ体積が１８００ｎｍ3以下の六方晶フェライト磁性粉を適用したとき、Ｂｉ溶出処理を施した後の処理済み粉を使用した磁気記録媒体において、Ｄｘ体積が小さいことによる記録密度の向上に加え、ＳＮＲの向上についても極めて高い効果が期待できる。Ｄｘ体積の下限については必ずしも制限する必要はないが、磁性粉の保磁力についても重視する場合は、元粉のＤｘ体積を１０００ｎｍ3以上とすることが好ましく、１３００ｎｍ3以上とすることがより好ましい。
【0018】
［Ｂｉ溶出処理］
上述のように、Ｂｉは六方晶フェライト結晶粒子の微細化や、当該磁性粉を使用した磁気記録媒体の電磁変換特性の向上に有効であり、また、焼成温度を低くして結晶粒子の微細化を狙った場合でも磁気特性の低下を小さくする効果を有する。このようなＢｉの有用な作用は、六方晶フェライトの結晶が生成する際に、原料中に存在させておいたＢｉによって発揮される。そのＢｉは結晶合成時に上記のような作用を発揮させた後も、六方晶フェライト磁性粉中に存在する。Ｂｉは非磁性成分であるため、磁性粉中に存在する余分なＢｉの含有量を低減することができれば、磁気特性向上にとって有効であると考えられる。そこで発明者らは六方晶フェライト磁性粉中に存在する余分なＢｉの除去方法について研究を重ねた。その結果、Ｂｉと錯体を形成する化合物（本明細書ではＢｉと錯体を形成する化合物を「化合物Ｘ」と呼ぶ。）が溶解している溶液中にＢｉ含有六方晶フェライト磁性粉を浸漬させる「湿式処理」を行うと、Ｆｅやその置換金属元素の溶出を極力抑えながら、磁性粉中に存在するＢｉ含有量を大幅に減少させることができることを知見した。また、Ｂｉ含有量の大幅な減少に伴って磁性粉の飽和磁化σｓが上昇することも確認された。したがって、本発明の改質された六方晶フェライト磁性粉の製造方法においては、Ｂｉ溶出処理として、化合物Ｘが溶解している溶液中にＢｉ含有六方晶フェライト磁性粉を浸漬させる処理を適用する。なお、ガラス結晶化法を利用して六方晶フェライト磁性粉を製造する際に一般的に行われる上述の酸洗処理では、六方晶フェライト磁性粉中のＢｉを溶出させることはできない。また、塩酸や硫酸等の強酸と六方晶フェライト磁性粉とを混合した場合には、Ｂｉだけでなくフェライト結晶も溶解してしまうため、Ｂｉのみを選択的に溶出させることは難しい。
上述のように、Ｂｉは六方晶フェライト結晶粒子の微細化や、当該磁性粉を使用した磁気記録媒体の電磁変換特性の向上に有効であり、また、焼成温度を低くして結晶粒子の微細化を狙った場合でも磁気特性の低下を小さくする効果を有する。このようなＢｉの有用な作用は、六方晶フェライトの結晶が生成する際に、原料中に存在させておいたＢｉによって発揮される。そのＢｉは結晶合成時に上記のような作用を発揮させた後も、六方晶フェライト磁性粉中に存在する。Ｂｉは非磁性成分であるため、磁性粉中に存在する余分なＢｉの含有量を低減することができれば、磁気特性向上にとって有効であると考えられる。そこで発明者らは六方晶フェライト磁性粉中に存在する余分なＢｉの除去方法について研究を重ねた。その結果、Ｂｉと錯体を形成する化合物（本明細書ではＢｉと錯体を形成する化合物を「化合物Ｘ」と呼ぶ。）が溶解している溶液中にＢｉ含有六方晶フェライト磁性粉を浸漬させる「湿式処理」を行うと、Ｆｅやその置換金属元素の溶出を極力抑えながら、磁性粉中に存在するＢｉ含有量を大幅に減少させることができることを知見した。また、Ｂｉ含有量の大幅な減少に伴って磁性粉の飽和磁化σｓが上昇することも確認された。したがって、本発明の改質された六方晶フェライト磁性粉の製造方法においては、Ｂｉ溶出処理として、化合物Ｘが溶解している溶液中にＢｉ含有六方晶フェライト磁性粉を浸漬させる処理を適用する。なお、ガラス結晶化法を利用して六方晶フェライト磁性粉を製造する際に一般的に行われる上述の酸洗処理では、六方晶フェライト磁性粉中のＢｉを溶出させることはできない。また、塩酸や硫酸等の強酸と六方晶フェライト磁性粉とを混合した場合には、Ｂｉだけでなくフェライト結晶も溶解してしまうため、Ｂｉのみを選択的に溶出させることは難しい。
【0019】
発明者らは、上記の酸洗処理を含む洗浄工程で十分に洗浄処理が施され、磁気記録媒体の磁性体素材として使用可能な状態とされた従来のＢｉ含有六方晶フェライト磁性粉の製品について、化学分析により求まる磁性粉中のトータルＢｉ含有量と、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）により求まる粉末粒子表層部のＢｉ濃度との対比検討を行ってきた。それによると、Ｂｉ含有六方晶フェライト磁性粉中に存在するＢｉは、磁性結晶粒子の表層部に偏在する傾向があることがわかった。すなわちＢｉ含有六方晶フェライト粉の個々の磁性結晶粒子は、Ｂｉ濃化層で被覆されていると言うことができる。Ｂｉ含有六方晶フェライト磁性粉を化合物Ｘが溶解している溶液に浸漬することによって磁性粉中のＢｉ含有量が大幅に低減する理由は、粒子表層部に多く存在するＢｉが化合物Ｘと金属錯体を形成することによって液中に溶出するためであると考えられる。化合物ＸはＢｉだけでなくＦｅなどの金属元素にも配位しうる。しかし、磁性結晶粒子の表層部にはＢｉが濃化しているので、磁性粉を化合物Ｘの溶液に浸漬すると、表層部のＢｉが優先的に化合物Ｘ分子と結合して溶出し、六方晶フェライト結晶の粒子形状、Ｄｘ体積、および六方晶フェライトの結晶構造を構成する元素（Ｂａ、ＦｅおよびＦｅサイト置換元素）の配合割合をほぼ維持したまま、Ｂｉ含有量を大幅に低減させることができる。このようなＢｉ溶出処理の効果は、化学式ＡＯ・６Ｆｅ2Ｏ3を基本構造とするＢｉ含有六方晶フェライト磁性粉を元粉として適用する限り、Ａ元素サイトを構成する元素の種類、Ｆｅサイトの置換元素の種類、希土類元素の種類、およびＡｌの含有有無にかかわらず、享受することができる。
【0020】
Ｂｉ溶出処理によって粒子表層部に濃化しているＢｉの含有量を低減させることは、磁気特性向上にとって有効である。そのため、Ｂｉ溶出処理は、結晶粒子のサイズにかかわらず一般的に磁気記録媒体の性能向上に効果的であると言える。一方で、結晶粒子が微細である六方晶フェライト磁性粉では上述のように飽和磁化σｓの低下が生じ易いが、Ｂｉを含有させることにより結晶粒子が微細な六方晶フェライト磁性粉で問題となるσｓの低下の程度が既に抑制されている。そのため、結晶粒子が微細であるＢｉ含有六方晶フェライト磁性粉を元粉としてＢｉ溶出処理に供すると、前記のσｓの低下抑制効果と、Ｂｉ溶出処理によるσｓの上昇効果との相乗効果により、結晶粒子が微細である六方晶フェライト磁性粉では従来困難であった高いレベルのσｓが実現できる。具体的にはＤｘ体積が１８００ｎｍ3以下の六方晶フェライト磁性粉において、飽和磁化σｓが４２.０Ａｍ2／ｋｇ以上であるものを安定して得ることが可能である。
【0021】
（Ｂｉと錯体を形成する化合物Ｘ）
Ｂｉと錯体を形成する性質を有する化合物Ｘとしては、各種キレート剤の他、乳酸やチオ尿素などを挙げることができる。
キレート剤は、アルカリ土類金属や遷移金属等の金属イオンに配位して、化学的に非常に安定なキレート錯体を形成する性質を持つ水溶性化合物である。本発明では、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ｔｒａｎｓ－１,２－シクロヘキサンジアミン四酢酸（ＣｙＤＴＡ）、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、ヒドロキシエチレンジアミン三酢酸（ＥＤＴＡ－ＯＨ）、グリコールエーテルジアミン四酢酸（ＧＥＤＴＡ）や、これらのアルカリ金属塩など、公知のキレート剤を用いることができ、その化学種は特に限定されない。入手の容易性やコスト面から、ＥＤＴＡ、ＥＤＴＡの１～４ナトリウム塩、およびＥＤＴＡの１～４カリウム塩が好適である。２種以上のキレート剤が溶解しているキレート剤溶液を用いてもよい。
Ｂｉと錯体を形成する性質を有する化合物Ｘとしては、各種キレート剤の他、乳酸やチオ尿素などを挙げることができる。
キレート剤は、アルカリ土類金属や遷移金属等の金属イオンに配位して、化学的に非常に安定なキレート錯体を形成する性質を持つ水溶性化合物である。本発明では、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ｔｒａｎｓ－１,２－シクロヘキサンジアミン四酢酸（ＣｙＤＴＡ）、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、ヒドロキシエチレンジアミン三酢酸（ＥＤＴＡ－ＯＨ）、グリコールエーテルジアミン四酢酸（ＧＥＤＴＡ）や、これらのアルカリ金属塩など、公知のキレート剤を用いることができ、その化学種は特に限定されない。入手の容易性やコスト面から、ＥＤＴＡ、ＥＤＴＡの１～４ナトリウム塩、およびＥＤＴＡの１～４カリウム塩が好適である。２種以上のキレート剤が溶解しているキレート剤溶液を用いてもよい。
【0022】
キレート錯体の液中での安定性を示すキレート安定度定数Ｋは下記（６）式で表される。
Ｋ＝[ＭNＬ]／([Ｍ]N[Ｌ]) …（６）
ここで、[Ｌ]はキレート剤分子Ｌのモル濃度、[Ｍ]は金属イオンＭのモル濃度、Ｎはキレート剤分子１モルが配位する金属イオンＭのモル数、[ＭNＬ]はキレート錯体ＭNＬ分子の液中モル濃度である。キレート安定度定数Ｋが大きいほど、そのキレート錯体の安定性は高いと評価される。本明細書では、Ｂｉ3+およびＦｅ3+に対する上記キレート安定度定数Ｋを、それぞれＫBiおよびＫFeと表記する。
Ｋ＝[ＭNＬ]／([Ｍ]N[Ｌ]) …（６）
ここで、[Ｌ]はキレート剤分子Ｌのモル濃度、[Ｍ]は金属イオンＭのモル濃度、Ｎはキレート剤分子１モルが配位する金属イオンＭのモル数、[ＭNＬ]はキレート錯体ＭNＬ分子の液中モル濃度である。キレート安定度定数Ｋが大きいほど、そのキレート錯体の安定性は高いと評価される。本明細書では、Ｂｉ3+およびＦｅ3+に対する上記キレート安定度定数Ｋを、それぞれＫBiおよびＫFeと表記する。
【0023】
キレート錯体の液中での安定性を比較する際には、上記のキレート安定度定数Ｋの常用対数を用いることが多い。代表的なキレート剤については種々の金属イオンに対するキレート安定度定数Ｋが調べられており、ｌｏｇＫBi、ｌｏｇＫFeの値を知ることができる。表１に、上に掲げたキレート剤について、ｌｏｇＫBi、ｌｏｇＫFeの値を例示する。
【0024】
【表1】
【0025】
本発明の製造方法において、化合物Ｘとしてキレート剤を使用する場合、Ｂｉ溶出処理での六方晶フェライト結晶の溶解を防ぐ観点から、Ｂｉイオンに対するキレート安定度がＦｅイオンに対するキレート安定度よりも大きいキレート剤を適用することが有利である。種々検討の結果、下記（２）式を満たすものを使用することが望ましい。
ｌｏｇＫBi－ｌｏｇＫFe≧０.５ …（２）
ここで、ＫBiはＢｉ3+に対するキレート安定度定数、ＫFeはＦｅ3+に対するキレート安定度定数である。
下記（２）’式を満たすキレート剤がより好ましく、下記（２）’’式を満たすキレート剤が更に好ましい。
ｌｏｇＫBi－ｌｏｇＫFe≧１.０ …（２）’
ｌｏｇＫBi－ｌｏｇＫFe≧２.０ …（２）’’
また、ｌｏｇＫBiが２０.０以上であるキレート剤を適用することが、より効果的である。
ｌｏｇＫBi－ｌｏｇＫFe≧０.５ …（２）
ここで、ＫBiはＢｉ3+に対するキレート安定度定数、ＫFeはＦｅ3+に対するキレート安定度定数である。
下記（２）’式を満たすキレート剤がより好ましく、下記（２）’’式を満たすキレート剤が更に好ましい。
ｌｏｇＫBi－ｌｏｇＫFe≧１.０ …（２）’
ｌｏｇＫBi－ｌｏｇＫFe≧２.０ …（２）’’
また、ｌｏｇＫBiが２０.０以上であるキレート剤を適用することが、より効果的である。
【0026】
（処理条件）
Ｂｉ溶出処理中の溶液のｐＨは２.０～１０.０の範囲に維持することが好ましく、３.０～９.０の範囲に維持することがより好ましい。液のｐＨが低過ぎると六方晶フェライト結晶の溶解度が上昇する。液のｐＨが高すぎると化合物ＸによるＢｉ溶出能力が低下する。このｐＨの調整は化合物Ｘ溶液に酢酸、硫酸等の酸、または水酸化ナトリウム等のアルカリを加えることにより行うことができる。なお、本明細書に記載のｐＨの値は、ＪＩＳ Ｚ８８０２に基づき、測定するｐＨ領域に応じた適切な緩衝液をｐＨ標準液として用いて校正したｐＨ計により測定した値をいう。また、本明細書に記載のｐＨ値は、温度補償電極により補償されたｐＨ計の示す測定値を、溶出温度条件下で直接読み取った値である。
Ｂｉ溶出処理中の溶液のｐＨは２.０～１０.０の範囲に維持することが好ましく、３.０～９.０の範囲に維持することがより好ましい。液のｐＨが低過ぎると六方晶フェライト結晶の溶解度が上昇する。液のｐＨが高すぎると化合物ＸによるＢｉ溶出能力が低下する。このｐＨの調整は化合物Ｘ溶液に酢酸、硫酸等の酸、または水酸化ナトリウム等のアルカリを加えることにより行うことができる。なお、本明細書に記載のｐＨの値は、ＪＩＳ Ｚ８８０２に基づき、測定するｐＨ領域に応じた適切な緩衝液をｐＨ標準液として用いて校正したｐＨ計により測定した値をいう。また、本明細書に記載のｐＨ値は、温度補償電極により補償されたｐＨ計の示す測定値を、溶出温度条件下で直接読み取った値である。
【0027】
Ｂｉ溶出処理を工業的に実施するためにはＢｉの溶出速度を十分に高めることが有利となることから、Ｂｉ溶出処理での化合物Ｘと元粉の量的関係については下記（４）を満たす条件とすることが好ましい。
Ｎ×Ａk／ＡBi≧１.０ …（４）
ここで、ＡKはＢｉ溶出処理に使用する化合物Ｘ（例えばキレート剤）の総量（モル）、ＡBiはＢｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉中に含まれるＢｉ量（モル）、Ｎは当該化合物Ｘ１分子が配位できるＢｉの最大原子数である。
（４）式左辺の上限については、化合物Ｘの溶解度等により制限されるので特に定める必要はないが、例えば、下記（４）’式を満たす条件を例示することができる。
１００≧Ｎ×Ａk／ＡBi≧１.０ …（４）’
なお、表１に例示した各キレート剤に関しては、上記Ｎの値はいずれも１である。
Ｎ×Ａk／ＡBi≧１.０ …（４）
ここで、ＡKはＢｉ溶出処理に使用する化合物Ｘ（例えばキレート剤）の総量（モル）、ＡBiはＢｉ溶出処理に供する六方晶フェライト磁性粉中に含まれるＢｉ量（モル）、Ｎは当該化合物Ｘ１分子が配位できるＢｉの最大原子数である。
（４）式左辺の上限については、化合物Ｘの溶解度等により制限されるので特に定める必要はないが、例えば、下記（４）’式を満たす条件を例示することができる。
１００≧Ｎ×Ａk／ＡBi≧１.０ …（４）’
なお、表１に例示した各キレート剤に関しては、上記Ｎの値はいずれも１である。
【0028】
Ｂｉ含有量低減に伴う磁気特性の向上作用を十分に発揮させるためには、下記（３）式で定義されるＢｉ残留割合が０.２～０.８となるようにＢｉ溶出処理を行うことが効果的である。
Ｂｉ残留割合＝［処理済み粉のＢｉ／Ｆｅモル比］／［元粉のＢｉ／Ｆｅモル比］ …（３）
特に上述のＤｘ体積が１８００ｎｍ3以下、かつＢｉ／Ｆｅモル比が０.０２０～０.１００である元粉を適用し、上記Ｂｉ残留割合が０.２～０.８となるようにＢｉ溶出処理を行うと、Ｄｘ体積が小さい領域では従来困難であった高い飽和磁化σｓを実現することが可能になる。
Ｂｉ残留割合＝［処理済み粉のＢｉ／Ｆｅモル比］／［元粉のＢｉ／Ｆｅモル比］ …（３）
特に上述のＤｘ体積が１８００ｎｍ3以下、かつＢｉ／Ｆｅモル比が０.０２０～０.１００である元粉を適用し、上記Ｂｉ残留割合が０.２～０.８となるようにＢｉ溶出処理を行うと、Ｄｘ体積が小さい領域では従来困難であった高い飽和磁化σｓを実現することが可能になる。
【0029】
Ｂｉ溶出処理において、化合物Ｘが溶解している溶液（化合物Ｘ溶液）の液状媒体としては、通常は水を使用すればよい。必要に応じて、水と、水以外の溶媒物質（例えばエタノール等のアルコール）との混合液状媒体を使用することもできる。Ｂｉ溶出処理中の溶液中には、本発明の効果を妨げない限り、化合物Ｘ、ｐＨ調整用の酸またはアルカリ、および元粉以外の物質を含有させてもよい。
【0030】
Ｂｉ溶出処理中の溶液の温度は例えば１０～９０℃の範囲で設定すればよい。Ｂｉの溶出速度を高める観点から４０～９０℃の範囲とすることがより好ましい。化合物Ｘ溶液の化合物Ｘ濃度は、液状媒体（水、または水と他の溶媒物質との混合液）と化合物Ｘとの合計量に対する化合物Ｘの質量モル濃度で例えば０.００１～０.２ｍｏｌ／ｋｇの範囲で設定することができる。Ｂｉ溶出処理で溶液に浸漬させる元粉の量は、化合物Ｘ溶液と元粉の合計量に対する元粉の質量割合で例えば１.０～５０.０質量％の範囲で設定することができる。
【0031】
本発明の製造方法において、Ｂｉを含有する六方晶フェライト磁性粉（元粉）を、化合物Ｘ溶液に浸漬させる際の手順としては、元粉の粒子が化合物Ｘ溶液と接触できるような混合状態が確保される限り、特にこだわる必要はない。液中への各物質の添加順も特に限定されない。具体的な手順としては例えば、化合物Ｘ溶液に元粉を投入する方法、元粉が収容されている容器に化合物Ｘ溶液を加える方法、水等の液状媒体中に元粉を浸漬させた状態とした後、その液中に化合物Ｘを添加する方法などが考えられる。
【0032】
Ｂｉ溶出処理は複数回繰り返して実施してもよい。すなわち、Ｂｉ溶出処理を終えたスラリーから回収された固形分に対して、必要に応じて純水での洗浄や乾燥を施した後、再度、化合物Ｘが溶解している溶液に浸漬するＢｉ溶出処理を施すことができる。その際、各回でのＢｉ溶出処理で使用する化合物Ｘは、同種のものとしてもよいし、異種のものとしてもよい。
【0033】
［処理済み粉］
以上のＢｉ溶出処理によって、Ｂｉ含有量を減少させた六方晶フェライト磁性粉（処理済み粉）を得ることができる。特に、Ｂｉ／Ｆｅモル比０.０３５以下の範囲でＢｉを含有し、飽和磁化σｓが４２.０Ａｍ2／ｋｇ以上、上記Ｄｘ体積が１８００ｎｍ3以下である六方晶フェライト磁性粉を安定して製造することができる。このように結晶粒子サイズが小さいにもかかわらず高い飽和磁化σｓを呈する六方晶フェライト磁性粉は、磁気記録媒体において高記録密度と高ＳＮＲを高水準で両立させるためには極めて有用である。処理済み粉に含有されるＢｉは、結晶粒子表層部への濃化が回避されており、その多くは結晶粒子の内部に取り込まれて存在していると考えられる。そのようなＢｉの存在形態が六方晶フェライトの良好な結晶性を維持するうえで有効に機能し、磁気特性の向上に寄与しているのではないかと推察される。処理済み粉のＢｉ／Ｆｅモル比は０.０２５以下に抑えることも可能である。
以上のＢｉ溶出処理によって、Ｂｉ含有量を減少させた六方晶フェライト磁性粉（処理済み粉）を得ることができる。特に、Ｂｉ／Ｆｅモル比０.０３５以下の範囲でＢｉを含有し、飽和磁化σｓが４２.０Ａｍ2／ｋｇ以上、上記Ｄｘ体積が１８００ｎｍ3以下である六方晶フェライト磁性粉を安定して製造することができる。このように結晶粒子サイズが小さいにもかかわらず高い飽和磁化σｓを呈する六方晶フェライト磁性粉は、磁気記録媒体において高記録密度と高ＳＮＲを高水準で両立させるためには極めて有用である。処理済み粉に含有されるＢｉは、結晶粒子表層部への濃化が回避されており、その多くは結晶粒子の内部に取り込まれて存在していると考えられる。そのようなＢｉの存在形態が六方晶フェライトの良好な結晶性を維持するうえで有効に機能し、磁気特性の向上に寄与しているのではないかと推察される。処理済み粉のＢｉ／Ｆｅモル比は０.０２５以下に抑えることも可能である。
【0034】
処理済み粉におけるＢｉ以外の成分元素の好ましい目標含有量を例示すると、Ｆｅサイト置換元素については［Ｆｅサイト置換元素のトータル含有量（モル）］／［Ｆｅ含有量（モル）］を０.００１～０.０６０とすることが好ましい。希土類元素の１種以上を含有させる場合は、希土類元素をＲと表記するとき、Ｒ／Ｆｅモル比を０.００１～０.０１０とすることが好ましい。Ａｌを含有させる場合は、Ａｌ／Ｆｅモル比を０.００１～０.０５０とすることが好ましい。
【実施例】
【0035】
［対照例］
Ｂｉ溶出処理に供するための元粉を作製し、その特性を調べた。
原料として、ホウ酸Ｈ3ＢＯ3（工業用）６６１.５ｇ、炭酸バリウムＢａＣＯ3（工業用）１２８５.１ｇ、酸化鉄Ｆｅ2Ｏ3（工業用）７６５.９ｇ、酸化コバルトＣｏＯ（試薬９０％以上）１４.４ｇ、酸化チタンＴｉＯ2（試薬１級）１５.３ｇ、酸化ビスマスＢｉ2Ｏ3（工業用）８９.４ｇ、酸化ネオジムＮｄ2Ｏ3（工業用）１１６.２ｇ、水酸化アルミニウムＡｌ(ＯＨ)3（試薬１級）５２.１ｇを用意した。以上の原料を三井三池製ＦＭミキサーにより混合して、原料混合物を得た。Ｃｏは２価のＦｅサイト置換元素に該当し、Ｔｉは４価のＦｅサイト置換元素に該当する。
Ｂｉ溶出処理に供するための元粉を作製し、その特性を調べた。
原料として、ホウ酸Ｈ3ＢＯ3（工業用）６６１.５ｇ、炭酸バリウムＢａＣＯ3（工業用）１２８５.１ｇ、酸化鉄Ｆｅ2Ｏ3（工業用）７６５.９ｇ、酸化コバルトＣｏＯ（試薬９０％以上）１４.４ｇ、酸化チタンＴｉＯ2（試薬１級）１５.３ｇ、酸化ビスマスＢｉ2Ｏ3（工業用）８９.４ｇ、酸化ネオジムＮｄ2Ｏ3（工業用）１１６.２ｇ、水酸化アルミニウムＡｌ(ＯＨ)3（試薬１級）５２.１ｇを用意した。以上の原料を三井三池製ＦＭミキサーにより混合して、原料混合物を得た。Ｃｏは２価のＦｅサイト置換元素に該当し、Ｔｉは４価のＦｅサイト置換元素に該当する。
【0036】
上記原料混合物をペレタイザーに入れ、水を噴霧しながら球状に成形して造粒し、その後２７０℃で１４時間乾燥させ、粒径１～５０ｍｍの造粒品を得た。得られた造粒品を、白金るつぼを用いて溶融炉により溶融させた。１４００℃まで昇温したのち６０分撹拌しながら保持することにより、各原料物質を完全に溶融状態とした。その溶融物（溶湯）をノズルから出湯させて、ガスアトマイズ法にて急冷し、非晶質体を得た。得られた非晶質体を６３０℃で６０分加熱保持する条件で焼成することにより結晶化させ、六方晶フェライトを生成させた。
【0037】
上記の焼成によって得られた粉体中には、六方晶フェライトの他、ホウ酸バリウムを主体とする残余物質が含まれている。当該粉体を６０℃に加温した１０質量％酢酸水溶液に浸漬させ、撹拌しながら１時間保持することにより、上記残余物質を液中に溶解させ、その後、ろ過により固液分離を行い、固形分を回収した。この固形分を「酸洗浄済み固形分」と呼ぶ。
【0038】
上記の酸洗浄済み固形分を純水により洗浄し、結晶粒子表面に付着している酢酸等の成分を除去した。洗浄后液（ろ液）の導電率が１０μＳ／ｃｍ以下となるまで水洗した。水洗後は１１０℃の大気中で乾燥を行い、Ｂｉ含有六方晶フェライト磁性粉の試料を得た。この試料は後述の実施例１～６で使用する「元粉」に相当する。
【0039】
（磁性粉の成分分析）
六方晶フェライト磁性粉試料の成分分析は、アジレントテクノロジー株式会社製の高周波誘導プラズマ発光分析装置ＩＣＰ（７２０－ＥＳ）を使用して行った。得られた定量値から、金属元素の組成を、Ｆｅに対するモル比として算出した。本例で得られた磁性粉試料（後述実施例１～６で使用する「元粉」）は、Ｆｅ：５０.０質量％、Ｂｉ：７.１２質量％であり、Ｂｉ／Ｆｅモル比は０.０３８と算出された。
六方晶フェライト磁性粉試料の成分分析は、アジレントテクノロジー株式会社製の高周波誘導プラズマ発光分析装置ＩＣＰ（７２０－ＥＳ）を使用して行った。得られた定量値から、金属元素の組成を、Ｆｅに対するモル比として算出した。本例で得られた磁性粉試料（後述実施例１～６で使用する「元粉」）は、Ｆｅ：５０.０質量％、Ｂｉ：７.１２質量％であり、Ｂｉ／Ｆｅモル比は０.０３８と算出された。
【0040】
（磁気特性の測定）
六方晶フェライト磁性粉試料をφ６ｍｍのプラスチック製容器に詰め、東英工業株式会社製ＶＳＭ装置（ＶＳＭ－Ｐ７－１５）を使用して、外部磁場７９５.８ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）、磁場掃引速度７９５.８ｋＡ／ｍ／ｍｉｎ（１０ｋＯｅ／ｍｉｎ）で、保磁力Ｈｃ、飽和磁化σｓ、角形比ＳＱ、保磁力分布ＳＦＤを測定した。その結果、本例の磁性粉試料（後述実施例１～６で使用する「元粉」）の保磁力Ｈｃは１７４ｋＡ／ｍ、飽和磁化σｓは４１.１Ａｍ2／ｋｇ、角形比ＳＱは０.５１３、保磁力分布ＳＦＤは０.７６４であった。
六方晶フェライト磁性粉試料をφ６ｍｍのプラスチック製容器に詰め、東英工業株式会社製ＶＳＭ装置（ＶＳＭ－Ｐ７－１５）を使用して、外部磁場７９５.８ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）、磁場掃引速度７９５.８ｋＡ／ｍ／ｍｉｎ（１０ｋＯｅ／ｍｉｎ）で、保磁力Ｈｃ、飽和磁化σｓ、角形比ＳＱ、保磁力分布ＳＦＤを測定した。その結果、本例の磁性粉試料（後述実施例１～６で使用する「元粉」）の保磁力Ｈｃは１７４ｋＡ／ｍ、飽和磁化σｓは４１.１Ａｍ2／ｋｇ、角形比ＳＱは０.５１３、保磁力分布ＳＦＤは０.７６４であった。
【0041】
（ＢＥＴ比表面積の測定）
六方晶フェライト磁性粉試料について、ユアサアイオニクス株式会社製４ソーブＵＳを用いてＢＥＴ一点法による比表面積を求めた。その結果、本例の磁性粉試料（後述実施例１～６で使用する「元粉」）のＢＥＴ比表面積は１０１.１ｍ2／ｇであった。
六方晶フェライト磁性粉試料について、ユアサアイオニクス株式会社製４ソーブＵＳを用いてＢＥＴ一点法による比表面積を求めた。その結果、本例の磁性粉試料（後述実施例１～６で使用する「元粉」）のＢＥＴ比表面積は１０１.１ｍ2／ｇであった。
【0042】
（Ｄｘ体積の測定）
Ｘ線回折装置（リガク製、ＵｌｔｉｍａＩＶ）により、Ｃｕ管球を用いて、六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径Ｄｘｃ（ｎｍ）、およびａ軸方向の結晶子径Ｄｘａ（ｎｍ）を前述の（５）式に従って求めた。Ｄｘｃは２θ：２０.５～２５°、Ｄｘａは２θ：６０～６５°の範囲をそれぞれスキャンして測定した。測定方法は連続測定法で、サンプリング間隔Ｄｘｃ：０.０５°、Ｄｘａ：０.０２°、走査速度Ｄｘｃ：０.１°／ｍｉｎ、Ｄｘａ：０.４°／ｍｉｎ、積算回数１回とした。ＤｘｃおよびＤｘａの測定値を前述（１）式に代入することによってＤｘ体積を求めた。本例の磁性粉試料（後述実施例１～６で使用する「元粉」）のＤｘ体積は１６９０ｎｍ3であった。
以上の結果を表２に示してある。
Ｘ線回折装置（リガク製、ＵｌｔｉｍａＩＶ）により、Ｃｕ管球を用いて、六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径Ｄｘｃ（ｎｍ）、およびａ軸方向の結晶子径Ｄｘａ（ｎｍ）を前述の（５）式に従って求めた。Ｄｘｃは２θ：２０.５～２５°、Ｄｘａは２θ：６０～６５°の範囲をそれぞれスキャンして測定した。測定方法は連続測定法で、サンプリング間隔Ｄｘｃ：０.０５°、Ｄｘａ：０.０２°、走査速度Ｄｘｃ：０.１°／ｍｉｎ、Ｄｘａ：０.４°／ｍｉｎ、積算回数１回とした。ＤｘｃおよびＤｘａの測定値を前述（１）式に代入することによってＤｘ体積を求めた。本例の磁性粉試料（後述実施例１～６で使用する「元粉」）のＤｘ体積は１６９０ｎｍ3であった。
以上の結果を表２に示してある。
【0043】
［実施例１］
上述の対照例で得られた六方晶フェライト磁性粉を元粉として、以下のＢｉ溶出処理に供した。
上述の対照例で得られた六方晶フェライト磁性粉を元粉として、以下のＢｉ溶出処理に供した。
【0044】
（Ｂｉ溶出処理）
Ｂｉと錯体を形成する化合物Ｘとしてキレート剤であるエチレンジアミン四酢酸二ナトリウム二水和物（同仁化学研究所製、試薬）を用意した。このキレート剤についての前記ｌｏｇＫBi－ｌｏｇＫFe値は２.８である。
１Ｌビーカー中で、純水７９３.２ｇ、前記キレート剤１６.８ｇ、濃度９０質量％酢酸水溶液１６.０ｇを混合し、キレート剤が溶解している溶液（以下「キレート剤溶液」という。）を得た。このキレート剤溶液を６０℃に温調した後、上記対照例で得られた六方晶フェライト磁性粉（元粉）９０ｇをキレート剤溶液中に投入し、当該溶液に浸漬させた。液温を６０℃に維持して撹拌しながら６時間保持し、磁性粉を含むスラリーを得た。この浸漬条件において、前述（４）式の左辺であるＮ×Ａk／ＡBiの値は１.５である。浸漬開始時における液のｐＨは３.６であり、６時間撹拌保持後の浸漬終了時における液のｐＨは４.８であった。得られたスラリーをろ過し、固形分を回収した。以上の手順でＢｉ溶出処理を終えた。回収された固形分を純水で洗浄することにより粒子表面に付着しているキレート剤等の成分を除去した。この洗浄後の固形分を１１０℃の大気中で乾燥することにより、Ｂｉ溶出処理を施した六方晶フェライト磁性粉（処理済み粉）の試料を得た。
Ｂｉと錯体を形成する化合物Ｘとしてキレート剤であるエチレンジアミン四酢酸二ナトリウム二水和物（同仁化学研究所製、試薬）を用意した。このキレート剤についての前記ｌｏｇＫBi－ｌｏｇＫFe値は２.８である。
１Ｌビーカー中で、純水７９３.２ｇ、前記キレート剤１６.８ｇ、濃度９０質量％酢酸水溶液１６.０ｇを混合し、キレート剤が溶解している溶液（以下「キレート剤溶液」という。）を得た。このキレート剤溶液を６０℃に温調した後、上記対照例で得られた六方晶フェライト磁性粉（元粉）９０ｇをキレート剤溶液中に投入し、当該溶液に浸漬させた。液温を６０℃に維持して撹拌しながら６時間保持し、磁性粉を含むスラリーを得た。この浸漬条件において、前述（４）式の左辺であるＮ×Ａk／ＡBiの値は１.５である。浸漬開始時における液のｐＨは３.６であり、６時間撹拌保持後の浸漬終了時における液のｐＨは４.８であった。得られたスラリーをろ過し、固形分を回収した。以上の手順でＢｉ溶出処理を終えた。回収された固形分を純水で洗浄することにより粒子表面に付着しているキレート剤等の成分を除去した。この洗浄後の固形分を１１０℃の大気中で乾燥することにより、Ｂｉ溶出処理を施した六方晶フェライト磁性粉（処理済み粉）の試料を得た。
【0045】
得られた磁性粉試料（処理済み粉）について、上述の対照例と同様の測定を行った。その結果、本例で得られた磁性粉試料は、Ｆｅ：５１.２質量％、Ｂｉ：４.３７質量％であり、Ｂｉ／Ｆｅモル比は０.０２３と算出された。上記（３）式に従うＢｉ残留割合は０.０２３／０.０３８≒０.６１であり、Ｂｉ溶出処理によってＢｉ含有量が大幅に低減したことが確認された。本例で得られた磁性粉試料（処理済み粉）の保磁力Ｈｃは１８２ｋＡ／ｍ、飽和磁化σｓは４２.０Ａｍ2／ｋｇ、角形比ＳＱは０.５１７、保磁力分布ＳＦＤは０.６９２であった。また、ＢＥＴ比表面積は１０４.６ｍ2／ｇ、Ｄｘ体積は１７５０ｎｍ3であった。以上の結果を表２に示してある（以下の各例において同じ）。
【0046】
［実施例２］
上述の対照例で得られた六方晶フェライト磁性粉を元粉に用いてＢｉ溶出処理を施した。本例では前述（４）式の左辺であるＮ×Ａk／ＡBiの値が２.０となるようにキレート剤（エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム二水和物）の添加量を変更したこと以外、実施例１と同様の方法で実験を行った。浸漬開始時における液のｐＨは３.６であり、６時間撹拌保持後の浸漬終了時における液のｐＨは４.５であった。
上述の対照例で得られた六方晶フェライト磁性粉を元粉に用いてＢｉ溶出処理を施した。本例では前述（４）式の左辺であるＮ×Ａk／ＡBiの値が２.０となるようにキレート剤（エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム二水和物）の添加量を変更したこと以外、実施例１と同様の方法で実験を行った。浸漬開始時における液のｐＨは３.６であり、６時間撹拌保持後の浸漬終了時における液のｐＨは４.５であった。
【0047】
本例で得られた磁性粉試料（処理済み粉）のＢｉ／Ｆｅモル比は０.０１９であった。上記（３）式に従うＢｉ残留割合は０.０１９／０.０３８≒０.５０であり、Ｂｉ溶出処理によってＢｉ含有量が大幅に低減したことが確認された。また、保磁力Ｈｃは１８４ｋＡ／ｍ、飽和磁化σｓは４２.３Ａｍ2／ｋｇ、角形比ＳＱは０.５１９、保磁力分布ＳＦＤは０.６７９、ＢＥＴ比表面積は１０６.７ｍ2／ｇ、Ｄｘ体積は１６８０ｎｍ3であった。
【0048】
［実施例３］
上述の対照例で得られた六方晶フェライト磁性粉を元粉に用いてＢｉ溶出処理を行った。本例では前述（４）式の左辺であるＮ×Ａk／ＡBiの値が２.０となるようにキレート剤（エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム二水和物）の添加量を変更したこと、および濃度９０質量％酢酸水溶液の添加量を１６.０ｇから８.０ｇに変更したことを除き、実施例１と同様の方法で実験を行った。浸漬開始時における液のｐＨは４.１であり、６時間撹拌保持後の浸漬終了時における液のｐＨは８.２であった。
上述の対照例で得られた六方晶フェライト磁性粉を元粉に用いてＢｉ溶出処理を行った。本例では前述（４）式の左辺であるＮ×Ａk／ＡBiの値が２.０となるようにキレート剤（エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム二水和物）の添加量を変更したこと、および濃度９０質量％酢酸水溶液の添加量を１６.０ｇから８.０ｇに変更したことを除き、実施例１と同様の方法で実験を行った。浸漬開始時における液のｐＨは４.１であり、６時間撹拌保持後の浸漬終了時における液のｐＨは８.２であった。
【0049】
本例で得られた磁性粉試料（処理済み粉）のＢｉ／Ｆｅモル比は０.０２３であった。上記（３）式に従うＢｉ残留割合は０.０２３／０.０３８≒０.６１であり、Ｂｉ溶出処理によってＢｉ含有量が大幅に低減したことが確認された。また、保磁力Ｈｃは１８０ｋＡ／ｍ、飽和磁化σｓは４２.１Ａｍ2／ｋｇ、角形比ＳＱは０.５１６、保磁力分布ＳＦＤは０.６９９、ＢＥＴ比表面積は１０４.１ｍ2／ｇ、Ｄｘ体積は１６８０ｎｍ3であった。
【0050】
［実施例４］
上述の対照例で得られた六方晶フェライト磁性粉を元粉に用いてＢｉ溶出処理を行った。本例では前述（４）式の左辺であるＮ×Ａk／ＡBiの値が４.０となるようにキレート剤（エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム二水和物）の添加量を変更したこと、および濃度９０質量％酢酸水溶液の添加量を１６.０ｇから８.０ｇに変更したことを除き、実施例１と同様の方法で実験を行った。浸漬開始時における液のｐＨは４.２であり、６時間撹拌保持後の浸漬終了時における液のｐＨは７.４であった。
上述の対照例で得られた六方晶フェライト磁性粉を元粉に用いてＢｉ溶出処理を行った。本例では前述（４）式の左辺であるＮ×Ａk／ＡBiの値が４.０となるようにキレート剤（エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム二水和物）の添加量を変更したこと、および濃度９０質量％酢酸水溶液の添加量を１６.０ｇから８.０ｇに変更したことを除き、実施例１と同様の方法で実験を行った。浸漬開始時における液のｐＨは４.２であり、６時間撹拌保持後の浸漬終了時における液のｐＨは７.４であった。
【0051】
本例で得られた磁性粉試料（処理済み粉）のＢｉ／Ｆｅモル比は０.０１２であった。上記（３）式に従うＢｉ残留割合は０.０１２／０.０３８≒０.３２であり、Ｂｉ溶出処理によってＢｉ含有量が大幅に低減したことが確認された。また、保磁力Ｈｃは１８１ｋＡ／ｍ、飽和磁化σｓは４３.３Ａｍ2／ｋｇ、角形比ＳＱは０.５１９、保磁力分布ＳＦＤは０.６７６、ＢＥＴ比表面積は１０８.０ｍ2／ｇ、Ｄｘ体積は１７５０ｎｍ3であった。
【0052】
［実施例５］
上述の対照例で得られた六方晶フェライト磁性粉を元粉に用いてＢｉ溶出処理を行った。本例では前述（４）式の左辺であるＮ×Ａk／ＡBiの値が４.０となるようにキレート剤（エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム二水和物）の添加量を変更したこと、および浸漬中の液温を６０℃から４０℃に変更したことを除き、実施例１と同様の方法で実験を行った。浸漬開始時における液のｐＨは３.６であり、６時間撹拌保持後の浸漬終了時における液のｐＨは４.３であった。
上述の対照例で得られた六方晶フェライト磁性粉を元粉に用いてＢｉ溶出処理を行った。本例では前述（４）式の左辺であるＮ×Ａk／ＡBiの値が４.０となるようにキレート剤（エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム二水和物）の添加量を変更したこと、および浸漬中の液温を６０℃から４０℃に変更したことを除き、実施例１と同様の方法で実験を行った。浸漬開始時における液のｐＨは３.６であり、６時間撹拌保持後の浸漬終了時における液のｐＨは４.３であった。
【0053】
本例で得られた磁性粉試料（処理済み粉）のＢｉ／Ｆｅモル比は０.０１９であった。上記（３）式に従うＢｉ残留割合は０.０１９／０.０３８≒０.５０であり、Ｂｉ溶出処理によってＢｉ含有量が大幅に低減したことが確認された。また、保磁力Ｈｃは１８４ｋＡ／ｍ、飽和磁化σｓは４２.３Ａｍ2／ｋｇ、角形比ＳＱは０.５１９、保磁力分布ＳＦＤは０.６６８、ＢＥＴ比表面積は１０５.８ｍ2／ｇ、Ｄｘ体積は１６６０ｎｍ3であった。
【0054】
［実施例６］
上述の対照例で得られた六方晶フェライト磁性粉を元粉に用いてＢｉ溶出処理を行った。本例では前述（４）式の左辺であるＮ×Ａk／ＡBiの値が４.０となるようにキレート剤（エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム二水和物）の添加量を変更したこと、濃度９０質量％酢酸水溶液の添加量を１６.０ｇから８.０ｇに変更したこと、および浸漬中の液温を６０℃から４０℃に変更したことを除き、実施例１と同様の方法で実験を行った。浸漬開始時における液のｐＨは４.１であり、６時間撹拌保持後の浸漬終了時における液のｐＨは５.９であった。
上述の対照例で得られた六方晶フェライト磁性粉を元粉に用いてＢｉ溶出処理を行った。本例では前述（４）式の左辺であるＮ×Ａk／ＡBiの値が４.０となるようにキレート剤（エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム二水和物）の添加量を変更したこと、濃度９０質量％酢酸水溶液の添加量を１６.０ｇから８.０ｇに変更したこと、および浸漬中の液温を６０℃から４０℃に変更したことを除き、実施例１と同様の方法で実験を行った。浸漬開始時における液のｐＨは４.１であり、６時間撹拌保持後の浸漬終了時における液のｐＨは５.９であった。
【0055】
本例で得られた磁性粉試料（処理済み粉）のＢｉ／Ｆｅモル比は０.０１６であった。上記（３）式に従うＢｉ残留割合は０.０１６／０.０３８≒０.４２であり、Ｂｉ溶出処理によってＢｉ含有量が大幅に低減したことが確認された。また、保磁力Ｈｃは１８４ｋＡ／ｍ、飽和磁化σｓは４２.８Ａｍ2／ｋｇ、角形比ＳＱは０.５２１、保磁力分布ＳＦＤは０.６５０、ＢＥＴ比表面積は１０６.１ｍ2／ｇ、Ｄｘ体積は１６８０ｎｍ3であった。
【0056】
【表2】
【0057】
各実施例で得られた六方晶フェライト磁性粉は、Ｂｉ溶出処理を施すことにより対照例の元粉からＢｉ含有量が大幅に低減されている。六方晶フェライト結晶格子を構成するＢａおよびＦｅサイト置換元素（Ｃｏ、Ｔｉ）についてはＢｉ溶出処理の前後で対Ｆｅモル比がほとんど変化しておらず、Ｂｉの優先的な溶出を実現できたことが確認された。また、Ｂｉ溶出処理後も元粉のＤｘ体積がほぼ維持される。一方で、飽和磁化σｓはＢｉ溶出処理によって向上した。
【0058】
参考のため、仕込み組成においてＢｉ／Ｆｅモル比を０.００１、０.０１０、０.０４０の３通りに振った原料混合物を作製し、焼成温度を変えて六方晶フェライト磁性粉を合成した場合に、Ｄｘ体積および飽和磁化がどのように変化するかを調べた実験結果を簡単に紹介する。いずれも焼成温度を振っていること以外は上述の対照例とほぼ同様の条件で実験を行っており、Ｂｉ溶出処理は施していない。
【0059】
図１に、焼成温度とＤｘ体積の関係を示す。上記各実施例についてもプロットしてある。
焼成温度の低下に伴ってＤｘ体積は小さくなる傾向が見られる。
図２に、Ｄｘ体積と飽和磁化σｓの関係を示す。上記各実施例についてもプロットしてある。Ｂｉ／Ｆｅ＝０.０４０のライン上のＤｘ体積１７００近傍にあるプロットが上記の対照例で得られた元粉に相当する。Ｂｉ溶出処理を施した各実施例のものは、本来、飽和磁化の低下が顕著になる小さいＤｘ体積の領域でも、高いσｓを呈することがわかる。
焼成温度の低下に伴ってＤｘ体積は小さくなる傾向が見られる。
図２に、Ｄｘ体積と飽和磁化σｓの関係を示す。上記各実施例についてもプロットしてある。Ｂｉ／Ｆｅ＝０.０４０のライン上のＤｘ体積１７００近傍にあるプロットが上記の対照例で得られた元粉に相当する。Ｂｉ溶出処理を施した各実施例のものは、本来、飽和磁化の低下が顕著になる小さいＤｘ体積の領域でも、高いσｓを呈することがわかる。
【図1】
【図2】