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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-05-29
(45)【発行日】2024-06-06
(54)【発明の名称】紫外線半導体基板処理のためのインシトゥ光検出方法および装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/26 20060101AFI20240530BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20240530BHJP
H01L 21/316 20060101ALI20240530BHJP
C23C 16/56 20060101ALI20240530BHJP
【ＦＩ】
H01L21/26 G
H01L21/31 B
H01L21/31 C
H01L21/316 X
C23C16/56
【請求項の数】
20
(21)【出願番号】P 2022538981
(86)(22)【出願日】2020-11-03
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2023-03-02
(86)【国際出願番号】 US2020058646
(87)【国際公開番号】W WO2021150289
(87)【国際公開日】2021-07-29
【審査請求日】2022-06-23
(31)【優先権主張番号】62/963,593
(32)【優先日】2020-01-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】16/934,597
(32)【優先日】2020-07-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】100094569
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 伸一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100103610
【弁理士】
【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦
(74)【代理人】
【識別番号】100109070
【弁理士】
【氏名又は名称】須田 洋之
(74)【代理人】
【識別番号】100067013
【弁理士】
【氏名又は名称】大塚 文昭
(74)【代理人】
【識別番号】100086771
【弁理士】
【氏名又は名称】西島 孝喜
(74)【代理人】
【氏名又は名称】上杉 浩
(74)【代理人】
【識別番号】100120525
【弁理士】
【氏名又は名称】近藤 直樹
(74)【代理人】
【識別番号】100139712
【弁理士】
【氏名又は名称】那須 威夫
(74)【代理人】
【識別番号】100141553
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 信彦
(72)【発明者】
【氏名】アントニオ ラルフ ピーター
(72)【発明者】
【氏名】シェン シュラン
(72)【発明者】
【氏名】チャン リン
(72)【発明者】
【氏名】ワーナー ジョセフ シー
【審査官】桑原 清
(56)【参考文献】
【文献】特開２００７－２４７０６８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１４－５０５９９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１１－５１５０２１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／２６
Ｈ０１Ｌ ２１／３１
Ｈ０１Ｌ ２１／３１６
Ｃ２３Ｃ １６／５６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
紫外線（ＵＶ）プロセスチャンバであって、真空窓または透明シャワーヘッドと、
前記真空窓または前記透明シャワーヘッドの一方の上方に配置され、ＵＶ光を生成して前記ＵＶプロセスチャンバの処理容積内に透過させるように構成されたＵＶ光源と、
動作中に移動可能な第１のＵＶセンサであって、前記ＵＶ光源からの放射率または前記処理容積内に透過された前記ＵＶ光の放射照度のうちの少なくとも１つを測定し、動作中に、測定された前記ＵＶ光源からの放射率または前記ＵＶ光の放射照度のうちの少なくとも１つに対応する信号を前記ＵＶプロセスチャンバに結合されたコントローラに送信するように構成された第１のＵＶセンサと、
を備える、ＵＶプロセスチャンバ。
【請求項2】
前記第１のＵＶセンサが前記ＵＶプロセスチャンバのチャンバ壁に結合され、前記透明シャワーヘッドに向かう方向に配向されている、請求項１に記載のＵＶプロセスチャンバ。
【請求項3】
前記第１のＵＶセンサが前記チャンバ壁に結合されたスリーブ内に収納されている、請求項２に記載のＵＶプロセスチャンバ。
【請求項4】
前記スリーブがフッ化アルミニウム（ＡｌＦ3）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）、三フッ化ランタン（ＬａＦ3）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化イットリウム（ＹＦ3）のうちの少なくとも１つでコーティングされている、請求項３に記載のＵＶプロセスチャンバ。
【請求項5】
前記第１のＵＶセンサが前記ＵＶプロセスチャンバの二次リフレクタに結合され、前記透明シャワーヘッドに向かう方向に配向されている、請求項１に記載のＵＶプロセスチャンバ。
【請求項6】
前記ＵＶ光源からの放射率を測定するように構成された少なくとも１つの第２のＵＶセンサをさらに備える、請求項５に記載のＵＶプロセスチャンバ。
【請求項7】
前記二次リフレクタが前記第１のＵＶセンサおよび前記少なくとも１つの第２のＵＶセンサのうちの少なくとも１つを使用して前記ＵＶ光源からの放射率または前記ＵＶ光の放射照度のうちの前記少なくとも１つを検出するための第１の位置から、前記第１のＵＶセンサを使用して前記ＵＶ光の前記放射照度を検出するための第２の位置に移動可能である、請求項６に記載のＵＶプロセスチャンバ。
【請求項8】
前記第１のＵＶセンサが、それぞれが前記ＵＶプロセスチャンバの対応する二次リフレクタに結合され、前記透明シャワーヘッドに向かう方向に配向された２つの第１のＵＶセンサを備える、請求項１に記載のＵＶプロセスチャンバ。
【請求項9】
それぞれが前記対応する二次リフレクタおよび前記コントローラに結合され、前記ＵＶ光源からの放射率を検出するように構成された少なくとも２つの第２のＵＶセンサをさらに備える、請求項８に記載のＵＶプロセスチャンバ。
【請求項10】
前記対応する二次リフレクタのそれぞれが、前記少なくとも２つの第２のＵＶセンサおよび前記２つの第１のＵＶセンサを使用して前記ＵＶ光の放射率または放射照度のうちの前記少なくとも１つを検出するための第１の位置から、前記２つの第１のＵＶセンサを使用して前記ＵＶ光の前記放射照度を検出するための第２の位置に移動可能である、請求項１～３、５、６、８、または９のいずれか１項に記載のＵＶプロセスチャンバ。
【請求項11】
前記コントローラが前記測定された放射率または放射照度のうちの少なくとも１つをしきい値と比較するように構成され、前記測定された放射率または放射照度のうちの少なくとも１つが前記しきい値よりも小さい、大きい、または等しいのいずれかの場合、前記コントローラが基板の処理を停止すること、ユーザに警告すること、または前記透明シャワーヘッドの洗浄を開始することのうちの少なくとも１つを行うようにさらに構成されている、請求項１に記載のＵＶプロセスチャンバ。
【請求項12】
前記ＵＶ光源が水銀マイクロ波アークランプ、パルスキセノンフラッシュランプ、または高効率ＵＶ発光ダイオードアレイのうちの１つである、請求項１に記載のＵＶプロセスチャンバ。
【請求項13】
前記真空窓または透明シャワーヘッドがサファイアまたは石英のうちの少なくとも１つから作られている、請求項１１または１２に記載のＵＶプロセスチャンバ。
【請求項14】
紫外線（ＵＶ）プロセスチャンバ内で基板を処理する方法であって、ＵＶ光源からのＵＶ光を前記ＵＶプロセスチャンバの処理容積内に透過させるステップと、
動作中に移動可能である第１のＵＶセンサを使用して、前記ＵＶ光源からの放射率または前記ＵＶ光の放射照度のうちの少なくとも１つを測定するステップと、
動作中に、測定された前記ＵＶ光源からの放射率または前記ＵＶ光の放射照度のうちの少なくとも１つに対応する信号を前記ＵＶプロセスチャンバに結合されたコントローラに送信するステップと、
を含む、方法。
【請求項15】
二次リフレクタおよび前記コントローラに結合された少なくとも１つの第２のＵＶセンサを用いて、前記ＵＶ光源からの前記放射率を測定するステップと、前記ＵＶ光源からの測定された放射率に対応する信号を送信するステップと、をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項16】
前記二次リフレクタを、前記第１のＵＶセンサおよび前記少なくとも１つの第２のＵＶセンサのうちの少なくとも１つを使用して前記ＵＶ光源からの放射率または前記ＵＶ光の放射照度のうちの前記少なくとも１つを検出するための第１の位置から、前記第１のＵＶセンサを使用して前記ＵＶ光の前記放射照度を検出するための第２の位置に移動させるステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項17】
前記測定された放射率または放射照度のうちの少なくとも１つをしきい値と比較するステップ、および前記測定された放射率または放射照度のうちの少なくとも１つが前記しきい値よりも小さい、大きい、または等しい場合、前記基板の処理を停止するステップ、ユーザに警告するステップ、または透明シャワーヘッドの洗浄を開始するステップのうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項18】
プロセッサによって実行されると、紫外線（ＵＶ）プロセスチャンバ内で基板を処理する方法を実行する命令が記憶された非一過性コンピュータ可読ストレージ媒体であって、ＵＶ光源からのＵＶ光を前記ＵＶプロセスチャンバの処理容積内に透過させるステップと、
動作中に移動可能である第１のＵＶセンサを使用して、前記ＵＶ光源からの放射率または前記ＵＶ光の放射照度のうちの少なくとも１つを測定するステップと、
動作中に、測定された前記ＵＶ光の放射率または放射照度のうちの少なくとも１つに対応する信号を前記ＵＶプロセスチャンバに結合されたコントローラに送信するステップと、
を含む、
非一過性コンピュータ可読ストレージ媒体。
【請求項19】
前記方法が、二次リフレクタおよび前記コントローラに結合された少なくとも１つの第２のＵＶセンサを用いて、前記ＵＶ光源からの前記放射率を測定するステップと、前記ＵＶ光源からの測定された放射率に対応する信号を送信するステップと、をさらに含む、請求項１８に記載の非一過性コンピュータ可読ストレージ媒体。
【請求項20】
前記方法が、前記二次リフレクタを、前記第１のＵＶセンサおよび前記少なくとも１つの第２のＵＶセンサのうちの少なくとも１つを使用して前記ＵＶ光源からの放射率または前記ＵＶ光の放射照度のうちの前記少なくとも１つを検出するための第１の位置から、前記第１のＵＶセンサを使用して前記ＵＶ光の前記放射照度を検出するための第２の位置に移動させるステップをさらに含む、請求項１９に記載の非一過性コンピュータ可読ストレージ媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施形態は、一般に、基板を処理するための方法および装置に関し、より詳細には、半導体基板を処理するための方法および装置に関する。
【背景技術】
【0002】
基板上の１つまたは複数の膜を硬化させるように構成された紫外線（ＵＶ）プロセスチャンバが知られている。このようなプロセスチャンバは、硬化プロセス中に、１つまたは複数の電球を含む１つまたは複数のＵＶランプからのパルスＵＶ光を使用する。様々なランプアレイを使用して、入射光の波長分布、基板および／またはランプの相対運動、ならびにランプリフレクタの形状および／または位置のリアルタイム修正を変化させることができる。ＵＶランプは、１つまたは複数の透明シャワーヘッドを通して、広いスペクトル範囲の波長のＵＶ放射（例えば、可視光を含む１００ｎｍ～約６００ｎｍ）を透過させることができる。
【0003】
ＵＶプロセスチャンバを長期間使用すると、透明シャワーヘッド上に残留物が蓄積する（例えば、曇る）ことがある。透明シャワーヘッド上の残留物は、基板へのＵＶ透過に影響を与える可能性があり、ひいては、基板上の膜の硬化を経時的に劣化させる可能性がある。
【0004】
したがって、本発明者らは、紫外線半導体基板処理のためのインシトゥ光検出方法および装置を提供した。
【発明の概要】
【0005】
本明細書では、紫外線半導体基板処理のためのインシトゥ光検出方法および装置が提供される。一部の実施形態では、装置は、真空窓または透明シャワーヘッドと、真空窓または透明シャワーヘッドのうちの一方の上方に配置された、ＵＶ光を生成してＵＶプロセスチャンバの処理容積内に透過させるように構成されたＵＶ光源と、ＵＶ光源からの放射率または処理容積内に透過されたＵＶ光の放射照度のうちの少なくとも１つを測定し、動作中に、測定されたＵＶ光源からの放射率またはＵＶ光の放射照度のうちの少なくとも１つに対応する信号をＵＶプロセスチャンバに結合されたコントローラに送信するように構成された第１のＵＶセンサと、を備える紫外線（ＵＶ）プロセスチャンバを含む。
【0006】
本開示の少なくとも一部の実施形態によると、紫外線（ＵＶ）プロセスチャンバ内で基板を処理する方法は、ＵＶ光源からＵＶプロセスチャンバの処理容積内にＵＶ光を透過させるステップと、第１のＵＶセンサを使用してＵＶ光源からの放射率またはＵＶ光の放射照度のうちの少なくとも１つを測定するステップと、動作中に、測定されたＵＶ光源からの放射率またはＵＶ光の放射照度のうちの少なくとも１つに対応する信号をＵＶプロセスチャンバに結合されたコントローラに送信するステップ、とを含む。
【0007】
本開示の少なくとも一部の実施形態によると、プロセッサによって実行されると、紫外線（ＵＶ）プロセスチャンバ内で基板を処理する方法を実行する命令が記憶された非一過性コンピュータ可読ストレージ媒体は、ＵＶ光源からＵＶプロセスチャンバの処理容積内にＵＶ光を透過させるステップと、第１のＵＶセンサを使用してＵＶ光源からの放射率またはＵＶ光の放射照度のうちの少なくとも１つを測定するステップと、動作中に、測定されたＵＶ光源からの放射率またはＵＶ光の放射照度のうちの少なくとも１つに対応する信号をＵＶプロセスチャンバに結合されたコントローラに送信するステップと、を含む。
【0008】
本開示の他のおよびさらなる実施形態を以下に説明する。
【0009】
上で簡単に要約され、以下でより詳細に論じる本開示の実施形態は、添付の図面に表される本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかしながら、添付図面は、本開示の典型的な実施形態のみ例示しており、したがって、本開示が他の等しく効果的な実施形態を受け入れることができるため、範囲を限定していると考えられるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本開示の少なくとも一部の実施形態による、基板を処理するように構成された装置の平面図である。
【図5】本開示の少なくとも一部の実施形態による、透明真空窓および透明シャワーヘッドの分解図である。
【図6】本開示の少なくとも一部の実施形態による、内側一次リフレクタ、外側一次リフレクタ、および二次リフレクタの図である。
【図7】本開示の少なくとも一部の実施形態による、結合された１つまたは複数のマニホールドを含む二次リフレクタの斜視図である。
【図8】本開示の少なくとも一部の実施形態による、ＵＶセンサ構成の図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
理解を容易にするために、各図に共通の同一の要素を指定するために、可能な場合は、同一の参照数字が使用された。図は、縮尺通りには描かれておらず、明瞭にするために簡略化されることがある。一実施形態の要素および特徴は、さらに詳説することなく他の実施形態に有益に組み込まれることがある。
【0012】
本明細書では、紫外線半導体基板処理のためのインシトゥ光検出方法および装置の実施形態が提供される。より詳細には、本開示の用途の一例では、本明細書に記載されるインシトゥＵＶ劣化システムは、低密度二酸化ケイ素（例えば、浅いトレンチ隔離（ＳＴＩ）、プリメタル誘電体（ＰＭＤ）、ブラックダイアモンド（ＢＤ））または窒化ケイ素）を形成するために、誘電体膜における屈折率（ＲＩ）および／または収縮損失の発生を（例えば、流動性化学気相堆積（ＦＣＶＤ）またはプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）を用いて）監視および予測するように構成される。ＵＶ劣化システムは、インシトゥ監視を可能にすることができ、基板（ウエハ）上へのＵＶ光の透過率不足に起因して、いつ透明シャワーヘッドが劣化するかを予測することができる低コストで高価値のソリューションである。ＵＶ劣化システムは、予防保守（ＰＭ）および是正保守（ＣＭ）のダウンタイムを改善し（例えば、低減し）、トラブルシューティングを容易にし、ＲＩおよび膜収縮ドリフトに起因する基板スクラップを低減または排除する。ＵＶ劣化システムは、基板の処理（例えば、基板上の膜の硬化）中に透明シャワーヘッド（例えば、石英、サファイアなどから作られた２４×７インライン透明シャワーヘッド）に向けられたＵＶ光の透過率、反射率、および／または吸収を含む放射照度を測定するように構成された、例えば分光放射計センサなどの１つまたは複数の適切なＵＶセンサを含む。
【0013】
図１は、本開示の少なくとも一部の実施形態による、基板を処理するように構成されたＵＶ劣化システムを含む装置の平面図である。装置１００は、例えば、全てカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアル社から市販されているＰＲＯＤＵＣＥＲ（登録商標）ＮＡＮＯＣＵＲＥ（登録商標）３ ＵＶ ＣＵＲＥ、ＤＳＳ（登録商標）、ＡＰＯＬＬＯ（登録商標）、ＣＯＲＯＮＡ（登録商標）またはＰＲＯＤＵＣＥＲ（登録商標） ＥＴＥＲＮＡ（登録商標） ＦＣＶＤ（登録商標）とすることができる。他の処理システムも、本明細書で提供される教示に従って変更することができる。
【0014】
装置１００は、必要な処理ユーティリティがメインフレーム構造１０１上に支持された自己完結型システムである。装置１００は、概して、基板カセット１０９が支持され、基板がロードロックチャンバ１１２にロードおよびアンロードされる前端ステージング領域１０２と、基板ハンドラ１１３（例えば、ロボットまたは基板をハンドリングするための他の適切な装置）を収納する移送チャンバ１１１と、移送チャンバ１１１上に取り付けられた一連のタンデム処理チャンバ１０６と、ガスパネル１０３および配電パネル１０５などの装置１００の動作に必要な支持ユーティリティを収納するバックエンド１３８と、を含む。
【0015】
タンデム処理チャンバ１０６のそれぞれは、基板を処理するための２つの処理領域３００を含む（図３）。２つの処理領域は、共通のガス供給源、共通の圧力制御装置、および共通のプロセスガス排気／ポンピングシステムを共有することができる。チャンバの配置および組合せは、特定のプロセスステップを実行する目的で変更することができる。タンデム処理チャンバ１０６のいずれも、基板上の１つまたは複数の材料、例えば低誘電率材料の硬化プロセスおよび／またはチャンバ洗浄プロセスで使用するための１つまたは複数のＵＶランプを含む、以下で説明する実施形態の態様によるリッドを含むことができる。少なくとも一部の実施形態では、タンデム処理チャンバ１０６の３つ全てがＵＶランプを有し、最大スループットのために並行して動作するＵＶ硬化チャンバとして構成されている。
【0016】
タンデム処理チャンバ１０６の全てがＵＶ硬化チャンバとして構成されるわけではない代替の実施形態では、装置１００は、化学気相堆積（ＣＶＤ）、ＦＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、エッチングなどの様々な他の既知のプロセスに対応することが知られている支持チャンバハードウェアを有するタンデム処理チャンバのうちの１つまたは複数と適合させることができる。例えば、装置１００は、基板上に低誘電率（ｌｏｗ ｋ）膜などの材料を堆積させるためのＣＶＤチャンバとしてのタンデム処理チャンバ１０６のうちの１つと共に構成することができる。このような構成は、研究開発用の製造で最大限利用することができ、必要に応じて、堆積させたままの膜の大気への曝露をなくすことができる。
【0017】
中央処理装置（ＣＰＵ）１４４、メモリ１４２、およびサポート回路１４６を含むコントローラ１４０は、装置１００の様々な構成要素に結合されて、本明細書に記載されるプロセスの制御を容易にする。メモリ１４２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、または装置１００もしくはＣＰＵ１４４に対してローカルもしくはリモートの任意の他の形態のデジタルストレージなどの、非一過性コンピュータ可読媒体とすることができる。サポート回路１４６は、従来のやり方でＣＰＵをサポートするためにＣＰＵ１４４に結合されている。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路、およびサブシステムなどを含む。メモリ１４２に記憶されたソフトウェアルーチンまたは一連のプログラム命令は、ＣＰＵ１４４によって実行されると、タンデム処理チャンバ１０６に本明細書に記載されるプロセスを実行させる。
【0018】
代替的または追加的に、別のコントローラ１４０ａ（またはフィールドサービスサーバなどのサーバ）を、コントローラ１４０と併せて、またはそれとは別に使用することができる。例えば、少なくとも一部の実施形態では、コントローラ１４０および／またはコントローラ１４０ａは、タンデム処理チャンバ１０６内に配置された１つまたは複数のＵＶセンサに結合され、以下でより詳細に説明するように、ＵＶ光源から伝達されたＵＶ光の測定放射照度および／または放射率を示す１つまたは複数の信号を受信するように構成することができる。本明細書で使用されるように、光源からの放射率（または放射発散度）は、１つまたは複数の光源（または単位面積当たりの任意の物体）から放出される放射束またはパワーであり、相対放射率比（放射係数）と混同されるべきではない。同様に、放射照度は、単位面積当たりの表面が受け取る（または表面に入射する）放射束である。
【0019】
図２は、装置１００のＵＶ硬化用に構成されたタンデム処理チャンバ１０６のうちの１つを示す。タンデム処理チャンバ１０６は、本体２００（例えば、チャンバ壁によって画定される）と、本体２００にヒンジ取り付けすることができるリッド２０２とを含む。本体２００は、アルミニウムから作られてもよい。リッド２０２には、ハウジング２０４の内部に冷却空気を通過させるために出口２０８と共に入口２０６にそれぞれが結合されている２つのハウジング２０４が結合されている。中央加圧空気源２１０は、タンデム処理チャンバ１０６に関連付けられた任意のＵＶランプおよび／または電球用の電源２１４の適切な動作を確実にするのに十分な流量の空気を入口２０６に提供する。出口２０８は、共通の排気システム２１２によって収集される、ハウジング２０４からの排気を受け取る。
【0020】
図３は、リッド２０２、ハウジング２０４、および電源２１４を有するタンデム処理チャンバ１０６の部分断面図を示す。ハウジング２０４のそれぞれは、本体２００内に画定された２つの処理領域３００の上方にそれぞれ配置された、ＵＶランプ３０２などの２つのＵＶ光源のそれぞれのＵＶ光源を覆う。処理領域３００のそれぞれは、処理領域３００内で基板３０８を支持するための、基板支持体３０６などの加熱基板支持体を含む。基板支持体３０６は、セラミックまたはアルミニウムなどの金属から作ることができる。基板支持体３０６は、本体２００の底部を貫いて延在するステム３１０に結合し、駆動システム３１２によって操作されて、処理領域３００内の基板支持体３０６をＵＶランプ３０２に向かって、およびそれから離れるように移動させる。
【0021】
一般に、水銀マイクロ波アークランプ、パルスキセノンフラッシュランプ、または高効率ＵＶ発光ダイオードアレイのうちの１つなど、任意のＵＶ光源を使用することができる。ＵＶランプ３０２は、電源２１４による励起のために、キセノンまたは水銀などの１つもしくは複数のガスで充填された１つもしくは複数の密封プラズマ電球を含む。電源２１４は、１つまたは複数のマグネトロン（図示せず）と、マグネトロンのフィラメントに通電するための１つまたは複数の変圧器（図示せず）とを含むことができるマイクロ波発生器とすることができる。キロワットマイクロ波（ＭＷ）電源を有する一実施形態では、ハウジング２０４のそれぞれは、電源２１４から最大約６０００Ｗのマイクロ波電力を受け取り、その後、ＵＶランプ３０２の電球のそれぞれから最大約１００ＷのＵＶ光を生成するために、電源２１４に隣接する開孔２１５を含む。
【0022】
電源２１４は、ＵＶランプ３０２の電球内のガスを励起することができる高周波（ＲＦ）エネルギー源を含むことができる。電球内のＲＦ励起の構成は、容量性または誘導性にすることができる。例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）電球を用いて、容量結合放電よりも高密度のプラズマを発生させることによって、電球の輝きを効率的に増大させることができる。
【0023】
ＵＶランプ３０２は、１７０ｎｍ～６００ｎｍの広い波長帯域にわたって光を放出する。一実施形態では、ＵＶランプ３０２は、１８５ｎｍ～３００ｎｍの波長の光を放出する。ＵＶランプ３０２の電球内で使用するために選択されるガスは、放出される波長を決定することができる。ＵＶランプ３０２から放出されたＵＶ光は、リッド２０２の開孔に配置された窓３１４を通過することによって処理領域３００に入る。窓３１４は、石英ガラスで作ることができ、ひび割れすることなく真空を維持するのに十分な厚さを有することができる。さらに、窓３１４は、約１５０ｎｍまでのＵＶ光を透過する溶融シリカ、石英、サファイア、または金属フッ化物、例えばフッ化アルミニウム（ＡｌＦ3）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）、三フッ化ランタン（ＬａＦ3）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化イットリウム（ＹＦ3）のうちの少なくとも１つとすることができる。リッド２０２は本体２００を密封し、窓３１４はリッド２０２に対して密封されているため、処理領域３００は、約１Ｔｏｒｒ～約６５０Ｔｏｒｒの圧力を維持し、例えば、約１０Ｔｏｒｒ～約１００Ｔｏｒｒの処理および約１Ｔｏｒｒ～約５Ｔｏｒｒの洗浄を行うことができる容積を提供する。処理ガスまたは洗浄ガスは、２つの入口通路３１６のそれぞれの入口通路を介して処理領域３００に入る。次いで、処理ガスまたは洗浄ガスは、共通の出口ポート３１８を介して処理領域３００を出る。さらに、ハウジング２０４の内部に供給される冷却空気は、ＵＶランプ３０２を通過して循環するが、窓３１４によって処理領域３００から隔離される。
【0024】
ハウジング２０４は、ダイクロイック膜でコーティングされた鋳造石英ライニング３０４によって画定される内部放物面（内側一次リフレクタ）を含むことができる。鋳造石英ライニング３０４は、ＵＶランプ３０２から放出されたＵＶ光を反射し、鋳造石英ライニング３０４によって処理領域３００に向けられるＵＶ光のパターンに基づいて、硬化プロセスならびにチャンバ洗浄プロセスに適するように成形されている。鋳造石英ライニング３０４は、内部放物面の形状を移動および変化させることによって、各プロセスまたは作業によりよく適合するように調整することができる。さらに、鋳造石英ライニング３０４は、ダイクロイック膜のため、赤外光を透過し、ＵＶランプ３０２の電球によって放出された紫外光を反射することができる。ダイクロイック膜は、通常、交互に高い屈折率と低い屈折率を有する様々な誘電体材料からなる周期的な多層膜を構成する。コーティングは非金属であるため、鋳造石英ライニング３０４の裏側に下向きに入射する電源２１４からのマイクロ波放射は、変調層と大きく相互作用せず、または変調層によって吸収されず、ＵＶランプ３０２の電球内のガスをイオン化するために容易に透過される。
【0025】
基板を処理領域３００に搬入して、基板３０８上に堆積させた誘電体膜の後処理硬化を実行する。膜は、例えば、膜内にシリコン骨格構造および炭素を含むポロゲンを有する低誘電率誘電体膜であってもよい。膜内のシリコン骨格構造および炭素は、ポロゲンと呼ばれることもある。ＵＶ曝露後、炭素結合が壊れ、炭素が膜からガス放出され、シリコン骨格が残され、多孔性が増加し、これにより誘電率の値が減少し、膜の電流搬送能力が低下する。
【0026】
図４は、本開示の少なくとも一部の実施形態による、タンデムプロセスチャンバのプロセスチャンバの部分切欠図である。ＵＶ真空窓４１２を保持するために窓アセンブリが処理チャンバ４００内に位置付けられている。窓アセンブリは、本体２００の一部に載置され、本体２００の上方のリッドアセンブリの一部であるＵＶランプ３０２からのＵＶ光が通過することができるＵＶ真空窓４１２を支持する真空窓クランプ４１０を含む。ＵＶ真空窓４１２は、ＵＶランプ３０２などのＵＶ放射源と基板支持体３０６との間に位置付けられている。ＵＶランプ３０２は、基板支持体３０６から離間され、紫外線放射を生成し、基板支持体３０６上に位置付けられた基板３０８に透過させるように構成されている。
【0027】
１つまたは複数の透明シャワーヘッド４１４は、処理領域３００内で、ＵＶ真空窓４１２と基板支持体３０６などの基板支持体との間に位置付けることができる。例えば、図４では、透明シャワーヘッド４１４、例えば単一の透明シャワーヘッドが、処理領域３００内で、ＵＶ真空窓４１２と基板支持体３０６などの基板支持体との間に位置付けられて示されている。
【0028】
あるいは、少なくとも一部の実施形態では、透明シャワーヘッド４１４は、処理領域３００内で、ＵＶ真空窓４１２と基板支持体３０６などの基板支持体との間に位置付けることができる一対の透明シャワーヘッド５１４ａ、５１４ｂと置き換えることができる（例えば、図５および図８参照）。このような実施形態では、一対の透明シャワーヘッド５１４ａ、５１４ｂは、上部シャワーヘッドクランプ５１０ａおよび下部シャワーヘッドクランプ５１０ｂによってそれぞれ支持することができる。透明シャワーヘッド５１４ａ、５１４ｂは、約１０ミル～約５００ミルの距離だけ互いに離間することができる。さらに、透明シャワーヘッド５１４ｂ（例えば、下部シャワーヘッド）と基板３０８および／または基板支持体３０６との間の距離または間隔は、約１００ミル～約２０００ミルとすることができる。例えば、少なくとも一部の実施形態では、この距離は、約５００ミル～約１０００ミルとすることができる。さらに、ＵＶ真空窓４１２と同様とすることができる真空窓５１２は、真空窓クランプ５１０ｃによって支持することができる。上部シャワーヘッドクランプ５１０ａ、下部シャワーヘッドクランプ５１０ｂ、および真空窓クランプ５１０ｃは、真空窓クランプ４１０に関して上述したように、本体２００の一部に載置することができる。
【0029】
引き続き図４を参照すると、透明シャワーヘッド４１４は、ＵＶ真空窓４１２と透明シャワーヘッド４１４との間に上部処理領域４２０を画定し、透明シャワーヘッド４１４と基板支持体３０６などの基板支持体との間に下部処理領域４２２をさらに画定する。透明シャワーヘッド４１４は、上部処理領域４２０と下部処理領域４２２との間に１つまたは複数の通路４１６も有する。通路４１６は、通路４１６が完全には透明とならないように、「つや消し」と呼ばれることもある粗面を有することができ、そうでない場合は、基板３０８上に影を生じ、フィルムの適切な硬化が損なわれる可能性がある。つや消しされていてもよい通路４１６は、ＵＶ光を拡散するため、処理中に基板３０８上には光パターンは存在しない。
【0030】
透明シャワーヘッド４１４は、ＵＶ光が基板３０８に到達するために通過することができる第２の窓を形成する。第２の窓として、透明シャワーヘッド４１４は、基板３０８上の膜を硬化させるために望まれる光の波長に対して透明である必要がある。したがって、透明シャワーヘッド４１４は、石英またはサファイアのうちの少なくとも１つなど、様々な透明材料で形成されることがある。例えば、少なくとも一部の実施形態では、透明シャワーヘッド４１４は、石英から形成することができる。通路４１６は、処理領域３００内に適合するように透明シャワーヘッド４１４を形成および成形するために、石英片に孔を開けることによって形成することができる。石英片の表面は火炎研磨されてもよく、穿孔された孔はエッチングされて粗面４１８を形成することができる。通路４１６のサイズおよび密度は、基板表面にわたって所望の流れ特性を達成するために均一または不均一であってもよい。
【0031】
透明シャワーヘッド４１４およびＵＶ真空窓４１２は、バンドパスフィルタを有し、所望の波長の透過を向上させるようにコーティングされてもよい。例えば、反射防止コーティング（ＡＲＣ）を透明シャワーヘッド４１４およびＵＶ真空窓４１２上に堆積させて、所望の波長の透過効率を向上させることができる。ＩＲを反射してＵＶを通過させる反射コーティング、またはＵＶを反射してＩＲを通過させるダイクロイックコーティングも、透明シャワーヘッド４１４およびＵＶ真空窓４１２の表面に施すことができる。コーティングは、ＰＶＤ、ＣＶＤ、または他の適切な堆積技術によって形成することができる。コーティングは、透明シャワーヘッド４１４およびＵＶ真空窓４１２を通って基板３０８に光が透過するのを支援することができる、所望の膜透過率および屈折率、ならびに腐食環境（例えば、フッ素環境）に対する耐性を有する無機膜層を含むことができる。一実施形態では、コーティングは、ＵＶ真空窓４１２および透明シャワーヘッド４１４の表面に形成される、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、二酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、ＡｌＦ3、ＣａＦ2、ＬＦ3、ＭｇＦ2、もしくはＹＦ3などのフッ化物、またはそれらの組合せを含むことができる。
【0032】
別の実施形態では、ＡＲＣコーティングは、ＵＶ真空窓４１２および透明シャワーヘッド４１４の表面に形成された１つまたは複数の層を有する複合層であってもよい。一実施形態では、ＡＲＣコーティングは、ＵＶ真空窓４１２および透明シャワーヘッド４１４の表面に形成された第２の層上に形成された第１の層を含む膜スタックであってもよい。一実施形態では、第１の層は、Ａｌ2Ｏ3、ＨｆＯ2、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＡｌＦ3、ＣａＦ2、ＬａＦ3、ＭｇＦ2、ＹＦ3などのフッ化物、または組合せのうちの１つであってよい。
【0033】
一対の透明シャワーヘッド５１４ａ、５１４ｂが使用される実施形態では、透明シャワーヘッド５１４ａ、５１４ｂは、透明シャワーヘッド４１４と同様に構成することができ、例えば、１つまたは複数の通路４１６を有し、粗面を有し、火炎研磨による石英またはサファイアで作られ、所望の波長の透過を向上させるためにバンドパスフィルタを有するようにコーティングされてもよい。
【0034】
図６は、本開示の少なくとも一部の実施形態による、内側一次リフレクタ、外側一次リフレクタ、および二次リフレクタの図である。
【0035】
例えば、ＵＶランプ３０２は、ＵＶランプ３０２内に画定された共振空洞６０２に配置された、１つまたは複数の電球６００によって生成されたＵＶ光を基板３０８に向かって反射するように構成された一対の内側一次リフレクタ６０６および一対の外側一次リフレクタ６０８を含む。少なくとも一部の実施形態では、ＵＶランプ３０２は、共振空洞６０２に配置された、上述の電球などの２つの電球６００を含む。二次リフレクタ６１０は、内側一次リフレクタ６０６および一対の外側一次リフレクタ６０８の下に配置され、電球６００によって生成された（および／または内側一次リフレクタ６０６によって反射された）ＵＶ光を反射し、ＵＶ光をＵＶ真空窓４１２および透明シャワーヘッド４１４（および／または一対の透明シャワーヘッド５１２ａ、５１２ｂ）を通して、基板、例えば基板３０８が配置されている処理容積、例えば処理領域４２２に向けることを容易にするように構成されている。少なくとも一部の実施形態では、二次リフレクタ６１０は、ＵＶ光源、例えば、ＵＶランプ３０２からの放射率を検出するための第１の位置から、ＵＶ光の透過率、反射、および／または吸収を含む放射照度を検出するための第２の位置に移動可能とすることができる。
【0036】
図７は、本開示の少なくとも一部の実施形態による、結合された１つまたは複数のマニホールドを含む二次リフレクタ６１０の斜視図である。例えば、少なくとも一部の実施形態では、二次リフレクタ６１０は、マニホールド７００ａおよびマニホールド７００ｂが結合されている。あるいは、マニホールド７００ａ、７００ｂの一方を二次リフレクタ６１０に結合することができる。マニホールド７００ａ、７００ｂは、プラスチック、金属、セラミックなどを含む１つまたは複数の適切な材料から作ることができる。
【0037】
マニホールド７００ａ、７００ｂのそれぞれは、一次内側パイプ７０２ａ、７０２ｂ（またはチューブ）および一次外側パイプ７０４ａ、７０４ｂ（またはチューブ）をそれぞれ含む。一次内側パイプ７０２ａ、７０２ｂおよび一次外側パイプ７０４ａ、７０４ｂのそれぞれは、光収集のために、および／またはＵＶセンサ７０８ａ、７０８ｂ（例えば、１つまたは複数の第２のＵＶセンサ）を支持もしくは収納するようにそれぞれ構成されている。一次内側パイプ７０２ａ、７０２ｂのそれぞれと一次外側パイプ７０４ａ、７０４ｂとの間には、中間パイプ７０６ａ、７０６ｂがそれぞれ配置されている。中間パイプ７０６ａ、７０６ｂは、光収集のために、および／または１つもしくは複数のＵＶセンサ７１０ａ、７１０ｂ（例えば、第１のＵＶセンサ）を支持もしくは収納するように構成されている。以下、ＵＶセンサ７０８ａ、７０８ｂ、７１０ａ、７１０ｂを総称してＵＶセンサと呼ぶ。
【0038】
ＵＶセンサは、ＵＶランプ３０２、内側一次リフレクタ６０６、外側一次リフレクタ６０８、および／または電球６００によって生成される放射率および／または放射照度（透過率、反射、および／または吸収を含む）を測定および／または検出することができる任意の適切なセンサとすることができる。同様に、ＵＶセンサは、処理容積、例えば処理領域４２２に透過したＵＶ光の放射率および／または放射照度（透過率、反射率、または吸収を含む）を測定することができる任意の適切なセンサとすることができる。例えば、少なくとも一部の実施形態では、ＵＶセンサ７０８ａ、７０８ｂは、Ｓｅｋｉｄｅｎｋｏ ＯＲ４０００Ｔ ＵＶセンサなどの、１つまたは複数の光源（例えば、ＵＶランプ３０２）からの放射パワーを決定するための、放射率（または放射発散度）測定が可能な光ファイバＵＶセンサとすることができる。同様に、ＵＶセンサ７１０ａ、７１０ｂは、分光放射計または放射照度センサなどの、放射率および／または放射照度測定が可能な光ファイバＵＶセンサとすることができる。このような実施形態では、ＵＶセンサ７１０ａ、７１０ｂは、動作中に追加の発散度測定値を提供することができ、これにより、発散度測定値の全体的な精度を高めることができる。少なくとも一部の実施形態では、ＵＶセンサ７０８ａ、７０８ｂは、放射率および／または放射照度測定用に構成された分光放射計または放射照度センサとすることができる。このような実施形態では、ＵＶセンサ７０８ａ、７０８ｂは、動作中に追加の放射照度測定値を提供することができ、これにより、放射照度測定値の全体的な精度を高めることができる。少なくとも一部の実施形態では、動作中の放射率および／または放射照度の測定を容易にするために、１つまたは複数の追加の構成要素をＵＶセンサと併せて使用することができる。例えば、少なくとも一部の実施形態では、コサイン補正ディフューザーおよび直角コサインアダプタなどの１つもしくは複数のディフューザーおよび／またはアダプタをＵＶセンサに結合し、動作中の放射率および／または放射照度の測定／検出を向上させるように構成することができる。ＵＶセンサは、コントローラ１４０および／またはコントローラ１４０ａと動作可能に通信している。
【0039】
少なくとも一部の実施形態では、マニホールド７００ａ、７００ｂのそれぞれは、以下でより詳細に説明するように、ＵＶ光源、例えば、ＵＶランプ３０２の放射率を検出するための第１の位置から、ＵＶ光の放射照度（例えば、透過率、反射率、および／または吸収）を検出するための第２の位置に移動可能とすることができる。例えば、少なくとも一部の実施形態では、マニホールド７００ａ、７００ｂが第１の位置にある状態で、ＵＶセンサは、概して上向きの方向に（例えば、電球６００に向かって）配向される。逆に、マニホールド７００ａ、７００ｂが第２の位置にある状態では、ＵＶセンサは、概して下向きの方向に（例えば、ＵＶ真空窓４１２もしくは真空窓５１２および／または透明シャワーヘッド４１４もしくは一対の透明シャワーヘッド５１４ａ、５１４ｂに向かって）配向される。
【0040】
１つまたは複数のサーボ、モータなど（図示せず）を、コントローラ１４０またはコントローラ１４０ａの制御下で、マニホールド７００ａ、７００ｂのそれぞれを移動させるように構成することができる。例えば、少なくとも一部の実施形態では、動作中、マニホールド７００ａ、７００ｂは、マニホールド７００ａが第１の位置にあり、マニホールド７００ｂが第２の位置にあるように、またはその逆になるように、互いに対して独立して制御することができる。あるいは、動作中、マニホールド７００ａ、７００ｂは、マニホールド７００ａ、７００ｂが互いに同時に第１の位置および／または第２の位置にあるように構成することができる。
【0041】
代替的にまたは追加的に、一次内側パイプ７０２ａ、７０２ｂおよび一次外側パイプ７０４ａ、７０４ｂが、ＵＶ光源、例えば、ＵＶランプ３０２の放射率を検出するための第１の位置に固定され、中間パイプ７０６ａ、７０６ｂが、ＵＶ光の放射照度（例えば、透過率、反射率、および／または吸収）を検出するための第２の位置に固定されるように、一次内側パイプ７０２ａ、７０２ｂ、一次外側パイプ７０４ａ、７０４ｂ、中間パイプ７０６ａおよび７０６ｂをマニホールド７００ａ、７００ｂにそれぞれ結合することができる。
【0042】
図８は、本開示の少なくとも一部の実施形態による、ＵＶセンサ構成の図である。図７に関して上述したように、二次リフレクタに結合された中間パイプ上にＵＶセンサ、例えばＵＶセンサ７１０ａ、７１０ｂを支持または収納するのとは異なり、ＵＶセンサ８１０（例えば、第１のＵＶセンサ）は、装置１００の１つまたは複数の他の領域内またはその上に設けることができる。例えば、少なくとも一部の実施形態では、１つまたは複数のパイプ８０６（またはチューブ）を装置１００の本体２００に結合することができる。図８に示す実施形態では、例えば、パイプ８０６（図８に示す１つのパイプ８０６）は、ＵＶセンサ８１０が透明シャワーヘッドを透過したＵＶ光の透過率、反射率、および／または吸収を含む放射率または放射照度を測定／検出することができるように、本体２００（例えば、チャンバ壁）に結合することができ、下部処理領域４２２（例えば、透明シャワーヘッドの下）に通じることができる。図示の目的のために、ＵＶセンサ８１０は、透明シャワーヘッド４１４の下に配置されて示されているが、ＵＶセンサ８１０は、図８にファントムで示されている一対の透明シャワーヘッド５１４ａ、５１４ｂの下に配置することもできる。スリーブ８１２は、パイプ８０６の内側に設けられ、ＵＶセンサ８１０を包み込むかまたは取り囲むように構成することができる。ＵＶセンサ８１０をスリーブ８１２で包み込むかまたは取り囲むことで、ＵＶセンサ８１０を下部処理領域４２２内に存在する腐食性環境から保護する。スリーブ８１２は、下部処理領域４２２内に存在する腐食性環境からＵＶセンサ８１０を保護するのに適切な１つまたは複数の材料から作ることができる。適切な材料は、石英、サファイア、セラミックなどとすることができる。例えば、少なくとも一部の実施形態では、スリーブ８１２は、石英から作ることができる。加えて、スリーブ８１２は、タンデム処理チャンバ１０６内の腐食性環境からＵＶセンサ８１０を保護するために、１つまたは複数の材料でコーティングすることができる。例えば、少なくとも一部の実施形態では、スリーブ８１２は、ＡｌＦ3、ＣａＦ2、ＬＦ3、ＭｇＦ2、もしくはＹＦ3、またはスリーブ８１２を保護することができる他の適切な材料でコーティングすることができる。
【0043】
【0044】
最初に、基板（例えば、基板３０８）を、上述したように、ＵＶ硬化プロセスを実行するための装置１００の処理容積（例えば、下部処理領域４２２）内に配置された基板支持体３０６上に位置決めすることができる。次に、９０２において、ＵＶ光源、例えばＵＶランプ３０２からのＵＶ光を処理容積内の基板に向かって透過させる。基板の硬化中、１つまたは複数のパラメータが測定／監視／検出されてもよい。より詳細には、９０４において、基板が硬化されている間、ＵＶランプ３０２の放射率および／または放射照度は、例えば、１つまたは複数のＵＶセンサ、例えば、ＵＶセンサ７０８ａ、７０８ｂおよび／またはＵＶセンサ７１０ａ、７１０ｂ、および／または８１０を使用して測定することができる。
【0045】
例えば、ＵＶランプ３０２の放射率および／または放射照度を測定するために（例えば、放射パワーを決定するために）、マニホールド７００ａ、７００ｂ（および／または二次リフレクタ６１０）が第１の位置（例えば、概ね上向きの方向）にある状態で、ＵＶセンサ７０８ａ、７０８ｂは、ＵＶランプ３０２に向かう方向に配向され、ＵＶランプ３０２の放射率を測定するように構成される。測定された放射率（または一部の実施形態では、測定された放射照度）は、コントローラ、例えばコントローラ１４０および／またはコントローラ１４０ａに送信することができる。
【0046】
同様に、ＵＶセンサ７１０ａ、７１０ｂが使用される実施形態において、放射率（および／または放射照度）が測定された後（またはその間）、マニホールド７００ａ、７００ｂ（および／または二次リフレクタ６１０）を第１の位置から第２の位置に回転させることができる。第２の位置では、ＵＶセンサ７１０ａ、７１０ｂは、真空窓（例えば、ＵＶ真空窓４１２または真空窓５１２）および／または透明シャワーヘッド（例えば、透明シャワーヘッド４１４または一対の透明シャワーヘッド５１４ａ、５１４ｂ）に向かう（例えば、上方から）方向に配向させることができ、真空窓および／または透明シャワーヘッドから反射されたＵＶ光の透過率、反射率、および／または吸収を含む放射照度を測定するように構成される。測定された放射照度は、ＵＶセンサ７１０ａ、７１０ｂからコントローラ、例えばコントローラ１４０および／またはコントローラ１４０ａに送信することができる。
【0047】
少なくとも一部の実施形態では、上述したように、マニホールド７００ａ、７００ｂは、コントローラ１４０および／またはコントローラ１４０ａを使用して独立して制御することができる。例えば、少なくとも一部の実施形態では、マニホールド７００ａを第１の位置に配向させることができ、マニホールド７００ｂを第２の位置に配向させることができ、またはその逆も可能である。このような実施形態では、マニホールド７００ａ上のＵＶセンサ７０８ａ、７１０ａは、放射率を測定するように構成することができ（例えば、電球６００の放射パワーを決定するために）、一方、ＵＶセンサ７０８ｂ、７１０ｂは、真空窓および／または透明シャワーヘッドから反射されたＵＶ光の放射照度（例えば、透過率、反射率、および／または吸収）を測定するように構成することができる。
【0048】
代替的にまたは追加的に、ＵＶセンサ８１０を使用して、（例えば、放射率が測定された後またはその間に）放射照度を測定することができる。例えば、ＵＶ真空窓４１２（または真空窓５１２）および／または透明シャワーヘッド４１４（または一対の透明シャワーヘッド５１４ａ、５１４ｂ）に向かう（例えば、下方から）方向に配向されたＵＶセンサ８１０は、ＵＶ真空窓４１２および／または透明シャワーヘッド４１４を透過したＵＶ光の透過率、反射率、および／または吸収を含む放射照度を測定することができる。測定された放射照度は、コントローラ、例えばコントローラ１４０および／またはコントローラ１４０ａに送信することができる。
【0049】
次に、９０６において、測定されたＵＶ光源からの放射率またはＵＶ光の放射照度に対応する信号がコントローラに送信される。例えば、コントローラは、測定された放射率および／または放射照度を受信し、測定された放射照度をしきい値と比較する。測定された放射率および／または放射照度がしきい値よりも小さい、大きい、または等しいのいずれかの場合、コントローラは、基板の処理を停止し、ユーザに警告し、および／または透明シャワーヘッドの洗浄を開始するようにさらに構成される。例えば、少なくとも一部の実施形態では、測定された放射率および／または放射照度がしきい値よりも大きい場合、コントローラは、基板の処理を停止するように構成される。
【0050】
前述の事項は、本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他のおよびさらなる実施形態が本開示の基本的な範囲から逸脱することなく考案することができる。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
