特許 7497989 半導体チップの製造方法、及び、半導体チップ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-03

(45)【発行日】2024-06-11

(54)【発明の名称】半導体チップの製造方法、及び、半導体チップ

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20240604BHJP

   H01L 21/52 20060101ALI20240604BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 R

H01L21/78 F

H01L21/52 A

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2020023124

(22)【出願日】2020-02-14

(65)【公開番号】P2021129035

(43)【公開日】2021-09-02

【審査請求日】2022-12-16

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】100142804

【弁理士】

【氏名又は名称】大上 寛

(72)【発明者】

【氏名】横山 淳機

【審査官】境 周一

(56)【参考文献】

【文献】特開２００４－３４２８９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１８６４９１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－２３０９５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－００４０５３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－１７２０２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－２１６１９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００７／０１５５０５５（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｈ０１Ｌ ２１／５２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

裏面にダイアタッチ材層が積層された半導体チップの製造方法であって、
ウェーハと該ウェーハの裏面に積層されたダイアタッチ材層とを有した積層ウェーハを、該ダイアタッチ材層を上側に露出させて保持テーブルで保持する保持ステップと、
該保持テーブルで保持された該積層ウェーハを該ウェーハの分割予定ラインに沿って切削して半導体チップを形成する分割ステップと、を備え、
該分割ステップは、第一切削ブレードを該積層ウェーハの該ウェーハに至る所定の深さに切り込ませ該分割予定ラインに沿って切削し、第一の幅の刃厚を有する第一切削溝を形成するとともに該第一切削溝の下に切り残し部を形成する第一切削ステップと、
該第一の幅よりも狭い第二の幅の刃厚を有する第二切削ブレードで該切り残し部を切削する第二切削ステップと、を含み、
該分割ステップで形成される該半導体チップの裏面側の外周部には切り欠き部が形成され、
該半導体チップの該裏面において該切り欠き部で囲まれた領域よりも内側に該ダイアタッチ材層が積層され、
該切り欠き部の幅と深さは、該半導体チップのダイボンディング時に半導体チップの側方にはみ出そうとするダイアタッチ材を該切り欠き部で収容しうる値に設定される、
半導体チップの製造方法。

【請求項2】

該保持テーブルは該積層ウェーハを保持する保持部材であって、少なくとも一部に透明領域が形成される保持部材を有し、
該保持ステップを実施した後、該分割ステップを実施する前に、該透明領域を介して該積層ウェーハの表面を撮像した撮像画像をもとに該分割予定ラインを検出する分割予定ライン検出ステップを更に備える、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの製造方法。

【請求項3】

裏面側にダイアタッチ材層を有した半導体チップであって、
表面と、裏面と、を備えた基材と、
該基材の該裏面側に積層されたダイアタッチ材層と、を備え、
該半導体チップの表面よりも裏面の面積が小さくなるように該基材の裏面側の外周部には切り欠き部が形成され、
該半導体チップの該裏面において該切り欠き部で囲まれた領域よりも内側に該ダイアタッチ材層が積層され、
該切り欠き部の幅と深さは、該半導体チップのダイボンディング時に半導体チップの側方にはみ出そうとするダイアタッチ材を該切り欠き部で収容しうる値に設定される、
半導体チップ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、裏面にダイアタッチ材層が積層された半導体チップの製造方法、及び、半導体チップに関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体ウェーハの裏面にダイアタッチ材層が積層された積層ウェーハをダイシングにより分割し、ダイアタッチ材層が裏面に積層された半導体チップを製造する方法が知られている。ダイアタッチ材層は、金属や樹脂からなるものであり、ダイボンディング時には、半導体チップがダイアタッチ材層を介して支持体上に固着される。

【0003】

特許文献１では、ダイアタッチ材層として、１００乃至２００μｍ程度の厚さを有し、ビニル系接着剤やアクリル系接着剤などの熱可塑性樹脂から構成される接着用樹脂層が開示されている。

【0004】

特許文献２では、ダイアタッチ材層として、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）と称される接着フィルムに金属粒子が分散されシート状に成形されてなる金属層が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２００２－３５９２１２号公報

【文献】特開２０１９－０９６７６２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

近年の電子機器の小型化に伴って半導体チップの薄化が進んでおり、今後もさらなる薄化の要望が存在するものである。

【0007】

現段階において、例えば厚さが１００μｍ以下の薄い半導体チップも存在するが、厚さが薄いため、ダイボンディング時において溶けて側方にはみ出したダイアタッチ材、あるいは、ダイシングの際にはみ出したダイアタッチ材が、表面側まで容易に回り込んでしまい、短絡等の不具合が生じる可能性が高いものとなる。

【0008】

本発明は、以上の問題に鑑み、ダイボンディング時にダイアタッチ材がはみ出して、半導体チップの表面側まで回り込んでしまう不具合を防止するための新規な技術を提案するものである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の一態様によれば、
裏面にダイアタッチ材層が積層された半導体チップの製造方法であって、
ウェーハと該ウェーハの裏面に積層されたダイアタッチ材層とを有した積層ウェーハを、該ダイアタッチ材層を上側に露出させて保持テーブルで保持する保持ステップと、
該保持テーブルで保持された該積層ウェーハを該ウェーハの分割予定ラインに沿って切削して半導体チップを形成する分割ステップと、を備え、
該分割ステップは、第一切削ブレードを該積層ウェーハの該ウェーハに至る所定の深さに切り込ませ該分割予定ラインに沿って切削し、第一の幅の刃厚を有する第一切削溝を形成するとともに該第一切削溝の下に切り残し部を形成する第一切削ステップと、
該第一の幅よりも狭い第二の幅の刃厚を有する第二切削ブレードで該切り残し部を切削する第二切削ステップと、を含み、
該分割ステップで形成される該半導体チップの裏面側の外周部には切り欠き部が形成され、
該切り欠き部の幅と深さとは、該半導体チップのダイボンディング時に半導体チップの側方にはみ出そうとするダイアタッチ材を該切り欠き部で収容しうる値に設定される、
半導体チップの製造方法とする。

【0010】

また、本発明の一態様によれば、該保持テーブルは該積層ウェーハを保持する保持部材であって、少なくとも一部に透明領域が形成される保持部材を有し、該保持ステップを実施した後、該分割ステップを実施する前に、該透明領域を介して該積層ウェーハの表面を撮像した撮像画像をもとに該分割予定ラインを検出する分割予定ライン検出ステップを更に備える、こととする。

【0011】

また、本発明の一態様によれば、
裏面側にダイアタッチ材層を有した半導体チップであって、
表面と、裏面と、を備えた基材と、
該基材の該裏面側に積層されたダイアタッチ材層と、を備え、
該半導体チップの表面よりも裏面の面積が小さくなるように該基材の裏面側の外周部には切り欠き部が形成され、
該切り欠き部の幅と深さとは、該半導体チップのダイボンディング時に半導体チップの側方にはみ出そうとするダイアタッチ材を該切り欠き部で収容しうる値に設定される、半導体チップとする。

【発明の効果】

【0012】

本発明によれば、ダイボンディング時において、半導体チップの側方にはみ出ようとするダイアタッチ材を切り欠き部で収容することが可能となり、ダイアタッチ材が半導体チップの表面まで回り込んでデバイスが損傷してしまうことを防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明の実施に使用される切削装置の一実施形態の斜視図である。

【図2】支持ボックス及び保持テーブル部分の分解斜視図である。

【図3】（Ａ）は支持ボックス上に搭載された保持テーブルの斜視図である。（Ｂ）は下方撮像カメラ及びその支持構造の斜視図である。

【図4】保持テーブルの断面形状等について示す図である。

【図5】（Ａ）は被加工物の一例である積層ウェーハの表面を表す図である。（Ｂ）は被加工物の一例である積層ウェーハの裏面を表す図である。

【図6】保持テーブルと下方撮像カメラの位置関係について説明する図である。

【図7】第一切削ブレード、第二切削ブレードによる切削加工について説明する図である。

【図8】第一切削ステップについて説明する図である。

【図9】第二切削ステップについて説明する図である。

【図10】（Ａ）は半導体チップの実装について説明する図である。（Ｂ）は切り欠き部の体積について説明する図である。（Ｃ）はダイアタッチ材が切り欠き部に収容されることについて説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の実施に使用される切削装置２の一実施形態について示す斜視図である。切削装置２は２つの切削ブレードが対向して配設されたフェイシングデュアルスピンドルタイプの切削装置として構成される。

【0015】

図１に示すように、切削装置２の基台４には、保持テーブル２７が移動機構２３（図３（Ａ））によりＸ軸方向に往復動可能に配設されている。保持テーブル２７の周囲にはウォーターカバー１４が配設されており、このウォーターカバー１４と基台４にわたり蛇腹１６が連結されている。

【0016】

図１に示すように、基台４の前側角部には、後述する被加工物を収容するカセット２０を載置するためのカセット載置台２１が設けられる。

【0017】

図１に示すように、基台４上には門型形状のコラム２４が立設されており、コラム２４にはＹ軸方向に伸長する一対のガイドレール２６が固定されている。コラム２４には第一Ｙ軸移動ブロック２８が、ボールねじ３０とパルスモータ（不図示）とからなる第一Ｙ軸移動機構３４によりガイドレール２６に案内されてＹ軸方向に移動可能に搭載されている。

【0018】

図１に示すように、第一Ｙ軸移動ブロック２８にはＺ軸方向に伸長する一対のガイドレール３６が固定されている。第一Ｙ軸移動ブロック２８上には、第一Ｚ軸移動ブロック３８がボールねじ４０とパルスモータ４２とからなる第一Ｚ軸移動機構４４によりガイドレール３６に案内されてＺ軸方向に移動可能に搭載されている。

【0019】

図１に示すように、第一Ｚ軸移動ブロック３８には第一切削ユニット４６及び上方撮像カメラ５２が取り付けられている。第一切削ユニット４６は、図７に示すように、モータ（不図示）により回転駆動されるスピンドル４８の先端部に第一切削ブレードＢ１を着脱可能に装着して構成されている。

【0020】

図１に示すように、門型形状のコラム２４には更に、第二Ｙ軸移動ブロック２８ａがボールねじ３０ａとパルスモータ３２ａとからなる第二Ｙ軸移動機構３４ａによりガイドレール２６に案内されてＹ軸方向に移動可能に搭載されている。

【0021】

図１に示すように、第二Ｙ軸移動ブロック２８ａにはＺ軸方向に伸長する一対のガイドレール３６ａが固定されている。第二Ｙ軸移動ブロック２８ａ上には、第二Ｚ軸移動ブロック３８ａがボールねじ４０ａ及びパルスモータ４２ａからなる第二Ｚ軸移動機構４４ａによりガイドレール３６ａに案内されてＺ軸方向に移動可能に搭載されている。

【0022】

図１に示すように、第二Ｚ軸移動ブロック３８ａには第二切削ユニット４６ａが取り付けられている。第二切削ユニット４６ａは、図７に示すように、モータ（不図示）により回転駆動されるスピンドル４８ａの先端部に第二切削ブレードＢ２が着脱可能に装着されて構成されている。

【0023】

図１に示すように、基台４上には、スピンナーテーブル５６を有するスピンナー洗浄ユニット５４が設けられており、切削加工後の被加工物をスピンナーテーブル５６で吸引保持してスピンナー洗浄するとともに、スピン乾燥できるようになっている。

【0024】

図２は、保持テーブル２７の構成について説明する図である。
保持テーブル２７は環状ベース６２と、円盤状の保持部材７４とを有する。環状ベース６２は、嵌合部６４と、嵌合部６４より大径のベルト巻回部６６と、嵌合部６４軸方向に貫通する貫通部６５と、貫通部６５を塞ぐ透明部材６８と、を有する。

【0025】

図２に示すように、環状ベース６２の上面には、円盤状の保持部材７４の枠部７４ｂを載置して固定するための被装着領域７０が設けられる。

【0026】

図２に示すように、保持部材７４は、円盤状の保持部７４ａと、その周囲を取り囲む枠部７４ｂを有して構成される。保持部７４ａは、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、サファイア、フッ化カルシウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム等の透明部材にて構成されている。なお、透明部材の「透明」とは、「可視光の少なくとも一部の波長の光を透過し、吸収、散乱しない」ことをいうものであり、後述する外周凸部検出ステップや、分割予定ライン検出ステップの実行を可能とするものであればよく、着色されたものであってもよい。また、保持部材７４の一部の必要な範囲にのみ透明領域を構成することとしてもよい。以上のようにして、保持部材７４の保持部７４ａにて、保持テーブル２７に透明領域が構成される。

【0027】

図４に示すように、保持部７４ａの上面は、積層ウェーハＷを保持する保持面７４ｃを形成する。保持面７４ｃにおいて、保持部７４ａの外周縁に近い箇所には、環状の吸引溝７６が同心状に複数設けられており（本実施例では３列）、この吸引溝７６にテープＴが吸着保持される。吸引溝７６は、保持部材７４が環状ベース６２に取付けられた状態で吸引源８９に接続される。

【0028】

図２及び図４に示すように、環状ベース６２の上面には、保持部材７４の周囲を取り囲むように、ウェーハユニット８の環状フレームＦを下側から支持するフレーム支持部７２が４箇所に設けられる。

【0029】

図２及び図４に示すように、フレーム支持部７２は、環状フレームＦを支持する支持面を構成する支持ブロック７２ａと、環状フレームＦの下側から吸着保持する吸着部７２ｂと、を有し、吸着部７２ｂは、吸引源８９に接続される。

【0030】

図２及び図４に示すように、保持テーブル２７の環状ベース６２には、保持部材７４の保持部７４ａとほぼ同径の貫通部６５が形成されており、貫通部６５の下部が透明部材６８（例えば、ガラス）にて閉鎖される。これにより、下側から順に、透明部材６８、貫通部６５、保持部材７４の保持部７４ａが配置され、これらの部位において光が透過することで、詳しくは後述するように、保持テーブル２７の下方からの撮像が可能となる。なお、透明部材６８は省略することとしてもよい。

【0031】

図２に示すように、保持部材７４を環状ベース６２の被装着領域７０上に搭載し、環状ベース６２から下方に突設される環状の嵌合部６４を支持ボックス１５の円形開口１５ａに嵌合させることで、図３（Ａ）に示すように保持テーブル２７が支持ボックス１５に回転可能に搭載された状態となる。

【0032】

図３（Ａ）に示すように、支持ボックス１５の連結板１５ｂにはモータ１７が取り付けられており、モータ１７の出力軸に連結されたプーリー１７ａと環状ベース６２のベルト巻回部６６に渡りベルト２９が巻回される。モータ１７を駆動すると、ベルト２９を介して保持テーブル２７が回転される。

【0033】

図３（Ａ）に示すモータ１７は、例えばパルスモータから構成され、アライメント遂行時にモータ１７を所定パルスで駆動すると、保持テーブル２７が所定量回転（θ回転）されて、図５（Ａ）に示す積層ウェーハＷの分割予定ライン（ストリート）１３のアライメントを行うことができる。

【0034】

図３（Ａ）に示すように、支持ボックス１５は、Ｘ軸方向に固定的に延在する一対のガイドレール３１にスライド可能に載置されており、移動機構２３によりＸ軸方向に移動される。移動機構２３は、ガイドレール３１の間に平行に配置されるボールネジ２３ａと、パルスモータ２３ｂを有して構成される。

【0035】

図３（Ａ）に示すように、ボールネジ２３ａは支持ボックス１５の下板１５ｅの下面に設けた雌ネジ部に螺合され、パルスモータ２３ｂを駆動してボールネジ２３ａを回転させることで、支持ボックス１５がＸ軸方向に移動する。

【0036】

図３（Ａ）に示すように、支持ボックス１５の近傍には、保持テーブル２７に保持された半導体ウェーハ等の被加工物を保持部材７４の下側から撮像する下方撮像カメラ８２が設けられている。

【0037】

図３（Ａ）（B）に示すように、下方撮像カメラ８２は、Ｙ軸移動ブロック８３に立設されるコラム９６に設けられる。Ｙ軸移動ブロック８３は、Ｙ軸方向に固定的に延在する一対のガイドレール８１にスライド可能に載置されており、駆動手段８５によりＹ軸方向に移動される。駆動手段８５は、ガイドレール８１の間に平行に配置されるボールネジ８５ａと、パルスモータ８５ｂを有して構成される。

【0038】

図３（Ａ）に示すように、ボールネジ８５ａはＹ軸移動ブロック８３の下面に設けた雌ネジ部に螺合され、パルスモータ８５ｂを駆動してボールネジ８５ａを回転させることで、Ｙ軸移動ブロック８３がＹ軸方向に移動する。

【0039】

図３（Ｂ）に示すように、下方撮像カメラ８２は、低倍率カメラ８６及び高倍率カメラ８８を有するカメラユニット８４を有する。カメラユニット８４の側面にはカメラユニット８４での撮像時に撮像箇所を照明するための２個の照明装置９０，９２が取り付けられる。

【0040】

図３（Ｂ）に示すように、カメラユニット８４は支持プレート９４により支持され、支持プレート９４の基端部はＺ軸移動ブロック９８に固定されている。Ｙ軸移動ブロック８３（図３（Ａ））に立設されるコラム９６には、ボールねじ１００及びパルスモータ１０２から構成されるＺ軸移動手段１０４が設けられ、Ｚ軸移動ブロック９８が一対のガイドレール１０６に沿ってＺ軸方向（上下方向）に移動され、これに伴って、カメラユニット８４もＺ軸方向（上下方向）に移動される。

【0041】

図６に示すように、支持ボックス１５は、上板１５ｃ、下板１５ｅ、及び、連結板１５ｂにて側面視において略コ字をなしており、連結板１５ｂの反対側には、上板１５ｃと下板１５ｅの間の空間に下方撮像カメラ８２の進入を可能とする開口部１５ｇが形成される。

【0042】

次に、以上の装置構成を用いた本発明に係る加工方法の例について説明する。
＜積層ウェーハ準備ステップ＞
図５（Ａ）（Ｂ）に示すような積層ウェーハＷを準備するステップである。積層ウェーハＷは、半導体にて構成されるウェーハ１０の裏面１０ｂに、ダイアタッチ材層１２が積層されてなるものである。

【0043】

図５（Ａ）に示すように、積層ウェーハＷを構成するウェーハ１０の表面１０ａには、デバイス１１が格子状に配列され、分割予定ライン１３（ストリート）に沿って切削加工が施されることにより、チップに分割されるものである。ウェーハ１０は、例えば、厚さが１００μｍのＳｉＣウェーハであるが、これに限定されるものではない。

【0044】

図５（Ｂ）は、積層ウェーハＷの裏面側を示すものであり、積層ウェーハＷを構成するウェーハ１０の裏面１０ｂに、ダイアタッチ材層１２が形成されている。ダイアタッチ材層１２は、例えば、銀粒子を主成分とするペースト素材を焼結結合させてウェーハ１０の裏面１０ｂに積層されるものであり、厚みは例えば１～１０μｍである。

【0045】

なお、ダイアタッチ材層１２は、有機分子でコーティングされた銀粒子を有機溶剤に分散させたペースト素材、Ａｇナノ粒子を有機溶剤に分散させたペースト素材、あるいは、銀粒子、Ａｇナノ粒子などの金属粒子を含むシート、などにより形成することとしてもよく、特にここに記載されるものに限定されるものではない。

【0046】

また、図５（Ｂ）に示すように、積層ウェーハＷの裏面Ｗｂ側のダイアタッチ材層１２を上側にして露出させるとともに、積層ウェーハＷの表面ＷａをテープＴに貼着し、テープＴを介して環状フレームＦと積層ウェーハＷを一体とするウェーハユニット８が構成される。このように、ウェーハユニット８を構成することで、表面Ｗａのデバイス１１をテープＴにて保護しつつ、積層ウェーハＷがハンドリング可能な状態とされる。なお、環状フレームＦを用いずに、積層ウェーハＷの表面Ｗａにテープを貼着して保護することとしてもよい。

【0047】

また、図５（Ｂ）において、テープＴは透明、即ち、「可視光の少なくとも一部の波長の光を透過し、吸収、散乱しない」特性を有することとし、後述する分割予定ライン検出ステップの実行を可能とするものである。また、テープＴは着色されたもであってもよく、伸縮性のある樹脂製のテープにて構成することができる。また、テープＴを用いる代わりに、ガラスや樹脂等からなる板状のハードプレートにて積層ウェーハＷの表面Ｗａを保護してハンドリングすることとしてもよい。

【0048】

＜保持ステップ＞
図６に示すように、積層ウェーハＷの裏面１０ｂ側のダイアタッチ材層１２を上側にし、保持テーブル２７にて積層ウェーハＷを保持するステップである。

【0049】

積層ウェーハＷは、テープＴを介して保持テーブル２７の保持部材７４に吸引保持される。テープＴと保持部材７４の保持部７４ａは、上述したように透明にて構成されるものである。

【0050】

＜分割予定ライン検出ステップ＞
図６に示すように、Ｙ軸移動ブロック８３を移動させることで、下方撮像カメラ８２を積層ウェーハＷの下方に位置付け、保持テーブル２７の保持部材７４、テープＴを介して、積層ウェーハＷの表面Ｗａを撮像するとともに、撮像画像をもとに積層ウェーハＷの分割予定ライン１３（図５（Ａ））が検出される。

【0051】

＜分割ステップ：第一切削ステップ＞
図７に示すように、第一切削ユニット４６の第一切削ブレードＢ１の位置を、分割予定ライン検出ステップで検出された分割予定ライン１３（図５（Ａ））の位置に合わせるとともに、図８に示すように、積層ウェーハＷのウェーハ１０に至る所定の深さに切り込ませ分割予定ライン１３に沿って切削することで、第一の幅ｗ１の刃厚を有する第一切削溝Ｍ１を形成するとともに、第一切削溝Ｍ１の下に切り残し部Ｋを形成するステップである。

【0052】

図８に示すように、第一切削溝Ｍ１を形成するための第一切削ブレードＢ１の切込み深さＤ１は、ダイアタッチ材層１２の厚さ１２ｄと、ウェーハ１０の部分の深さ１０ｄの合計である。

【0053】

＜分割ステップ：第二切削ステップ＞
図７及び図９に示すように、第二切削ユニット４６ａの第二切削ブレードＢ２の位置を、既に形成された第一切削溝Ｍ１の位置に合わせるとともに、図９に示すように、第一の幅ｗ１よりも狭い第二の幅ｗ２の刃厚を有する第二切削ブレードＢ２で切り残し部Ｋを切削し、第二切削溝Ｍ２を形成するステップである。

【0054】

図９に示すように、第二切削ブレードＢ２の切込み深さ切込み深さＤ２は、切り残し部Ｋを除去しつつ、テープＴを残存させる深さに設定される。このようにして、第二切削ブレードＢ２で切り残し部Ｋが除去されることで、積層ウェーハＷが半導体チップＣに分割された状態とする。

【0055】

なお、半導体チップＣへの分割は、まず、図５（Ａ）において、第一の方向（例えば、Ｘ軸方向）について、第一・第二切削ステップを実施した後、保持テーブル２７を９０度回転させ、図５（Ａ）において第二の方向（例えば、Ｙ軸方向）について、第一・第二切削ステップを実施することで行われる。

【0056】

そして、図９に示すように、第二切削ステップを終えた状態では、ウェーハ１０において、深さ１０ｄ、幅１０ｗとする切り欠き部１０ｋが形成される。

【0057】

図１０（Ａ）は、分割された半導体チップＣを、ダイアタッチ材層１２を下にして支持体の実装面９９に載置する様子を示しており、デバイス１１が上側に露出するとともに、半導体チップＣの下部の外周部Ｃｇ（下部角部）には、切り欠き部１０ｋが形成されることが示されている。

【0058】

この切り欠き部１０ｋは、図１０（Ｂ）に示すように、高さ１０ｄ、幅１０ｗを有し、半導体チップの周方向（４辺）に連続して形成されるものであり、切り欠き部１０ｋの部分の体積Ｖは、たとえは半導体チップが一辺の長さＬを有する平面正方形をなす場合において、以下の式で算出することができる。
Ｖ＝｛（Ｌ×Ｌ―（Ｌ―（１０ｗ×２））×（Ｌ―（１０ｗ×２）｝×１０ｄ （式１）

【0059】

図１０（Ｃ）は、半導体チップＣを実装面９９にダイボンドした後の状態を示すものであり、半導体チップＣの側方にはみ出ようとするダイアタッチ材１２ｋを切り欠き部１０ｋで収容することが可能となる。これにより、ダイアタッチ材１２ｋがウェーハ１０の表面１０ａ（半導体チップＣの表面Ｃａ）まで回り込み、デバイス１１に付着してデバイス１１が損傷することを防ぐことができる。

【0060】

なお、半導体チップＣの側方にはみ出ようとするダイアタッチ材１２ｋの最大体積は、ダイアタッチ材１２ｋの厚みと、半導体チップＣの面積（表面、又は、裏面）の積にて求めることができる。即ち、半導体チップＣに貼着されているダイアタッチ材１２ｋの体積となる。したがって、切り欠き部１０ｋの合計の体積Ｖ（図１０Ｂ）は、このダイアタッチ材１２ｋの体積（はみ出ようとするダイアタッチ材１２ｋの最大体積）以下に設定されることが好ましい。

【0061】

以上のようにして本発明を実施することができる、
図４、図５（Ａ）、図６、図９、図１０（Ａ）に示すように、裏面Ｃｂにダイアタッチ材層１２が積層された半導体チップＣの製造方法であって、
ウェーハ１０とウェーハ１０の裏面１０ｂに積層されたダイアタッチ材層１２とを有した積層ウェーハＷを、ダイアタッチ材層１２を上側に露出させて保持テーブル２７で保持する保持ステップと、
保持テーブル２７で保持された積層ウェーハＷをウェーハ１０の分割予定ライン１３に沿って切削して半導体チップＣを形成する分割ステップと、を備え、
分割ステップは、第一切削ブレードＢ１を積層ウェーハＷのウェーハ１０に至る所定の深さに切り込ませ分割予定ライン１３に沿って切削し、第一の幅ｗ１の刃厚を有する第一切削溝Ｍ１を形成するとともに第一切削溝Ｍ１の下に切り残し部Ｋを形成する第一切削ステップと、
第一の幅ｗ１よりも狭い第二の幅ｗ２の刃厚を有する第二切削ブレードＢ２で切り残し部Ｋを切削する第二切削ステップと、を含み、
分割ステップで形成される半導体チップＣの裏面Ｃｂ側の外周部Ｃｇには切り欠き部１０ｋが形成され、
切り欠き部１０ｋの幅１０ｗと深さ１０ｄとは、半導体チップＣのダイボンディング時に半導体チップＣの側方にはみ出そうとするダイアタッチ材１２ｋを切り欠き部１０ｋで収容しうる値に設定される、半導体チップＣの製造方法とするものである。

【0062】

これにより、ダイボンディング時において、半導体チップＣの側方にはみ出ようとするダイアタッチ材１２ｋを切り欠き部１０ｋで収容することが可能となり、ダイアタッチ材１２ｋが半導体チップＣの表面Ｃａまで回り込んでデバイス１１が損傷してしまうことを防ぐことができる。

【0063】

また、図４乃至図６に示すように、保持テーブル２７は積層ウェーハＷを保持する保持部材７４であって、少なくとも一部に透明領域（保持部７４ａ）が形成される保持部材７４を有し、保持ステップを実施した後、分割ステップを実施する前に、透明領域（保持部７４ａ）を介して積層ウェーハＷの表面Ｗａを撮像した撮像画像をもとに分割予定ライン１３を検出する分割予定ライン検出ステップを更に備える、こととするものである。

【0064】

これにより、ダイアタッチ材層１２を上側に露出させた状態で、分割ステップを実施することができる。

【0065】

また、図１０（Ａ）及び図１０（Ｃ）に示すように、
裏面Ｃｂ側にダイアタッチ材層１２を有した半導体チップＣであって、
表面１０ａと、裏面１０ｂと、を備えた基材１０ｎ（ウェーハ１０）と、
基材１０ｎの裏面１０ｂ側に積層されたダイアタッチ材層１２と、を備え、
半導体チップＣの表面Ｃａよりも裏面１０ｂの面積が小さくなるように基材１０ｎの裏面１０ｂ側の外周部Ｃｇには切り欠き部１０ｋが形成され、
切り欠き部１０ｋの幅１０ｗと深さ１０ｄとは、半導体チップＣのダイボンディング時に半導体チップＣの側方にはみ出そうとするダイアタッチ材１２ｋを切り欠き部１０ｋで収容しうる値に設定される、半導体チップＣとするものである。

【0066】

これにより、ダイボンディング時において、半導体チップＣの側方にはみ出ようとするダイアタッチ材１２ｋを切り欠き部１０ｋで収容することが可能となり、ダイアタッチ材１２ｋが半導体チップＣの表面Ｃａまで回り込んでデバイス１１が損傷してしまうことを防ぐことができる。

【符号の説明】

【0067】

２ 切削装置
８ ウェーハユニット
１０ ウェーハ
１０ａ 表面
１０ｂ 裏面
１０ｋ 切り欠き部
１０ｎ 基材
１１ デバイス
１２ ダイアタッチ材層
１２ｋ ダイアタッチ材
１３ 分割予定ライン
Ｂ１ 第一切削ブレード
Ｂ２ 第二切削ブレード
Ｃ 半導体チップ
Ｃａ 表面
Ｃｂ 裏面
Ｃｇ 外周部
Ｋ 切り残し部
Ｍ１ 第一切削溝
Ｍ２ 第二切削溝
Ｔ テープ
Ｗ 積層ウェーハ
ｗ１ 第一の幅
ｗ２ 第二の幅

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】