特許 7498217 基板処理装置、装置起動方法、半導体装置の製造方法およびプログラム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-03

(45)【発行日】2024-06-11

(54)【発明の名称】基板処理装置、装置起動方法、半導体装置の製造方法およびプログラム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/02 20060101AFI20240604BHJP

   G06Q 50/10 20120101ALI20240604BHJP

   H01L 21/677 20060101ALN20240604BHJP

【ＦＩ】

H01L21/02 Z

G06Q50/10

H01L21/68 A

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2022063994

(22)【出願日】2022-04-07

(65)【公開番号】P2023154577

(43)【公開日】2023-10-20

【審査請求日】2023-03-23

(73)【特許権者】

【識別番号】318009126

【氏名又は名称】株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ

(72)【発明者】

【氏名】水口 靖裕

(72)【発明者】

【氏名】松田 恭平

(72)【発明者】

【氏名】布村 一朗

(72)【発明者】

【氏名】猪島 かおり

【審査官】庄司 一隆

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１６／０９８８８７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１１－１００９６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１１／００８２５８１（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０６Ｑ １０／００－１０／１０

Ｇ０６Ｑ ３０／００－３０／０８

Ｇ０６Ｑ ５０／００－５０／２０

Ｇ０６Ｑ ５０／２６－９９／００

Ｇ１６Ｚ ９９／００

Ｈ０１Ｌ ２１／００－２１／０２

Ｈ０１Ｌ ２１／０４－２１／１６

Ｈ０１Ｌ ２１／６７－２１／６８３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理可能な処理室と、
前記基板の処理を制御可能な主制御部と、
前記主制御部を起動する際の起動条件の実施有無判定に用いられる起動条件実施有無情報と、前記起動条件を管理する起動条件管理情報と、前記起動条件管理情報の状態を記憶することが可能な記憶部と、
前記起動条件管理情報が所定の条件を満たしたら、前記起動条件実施有無情報を有効にすることが可能な起動条件制御部と、
を備えた基板処理装置。

【請求項2】

前記起動条件実施有無情報は、前記主制御部が稼働停止しても、前記記憶部に維持される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記基板処理装置は電気的に接続された管理装置に接続され、
前記起動条件管理情報は、前記主制御部が前記管理装置を認識した情報であり、
前記所定の条件は、前記認識した情報を初めて取得した場合である、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

更に、前記主制御部の稼働停止回数をカウントするカウント部を備え、
前記起動条件管理情報は、前記カウント部がカウントした稼働停止回数情報であり、
前記所定の条件は、あらかじめ定義された前記主制御部の稼働停止回数を超えた場合である
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記記憶部は、前記主制御部の指示に従い前記起動条件実施有無情報を更新して記憶することが可能な、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記起動条件制御部は前記管理装置との接続状態から起動条件の判定を行うことが可能な、請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記記憶部は、前記主制御部の稼働停止情報を記憶することが可能であり、
前記起動条件制御部は前記起動条件実施有無情報が有効である場合に、前記稼働停止情報と前記主制御部の起動情報から、前記主制御部の稼働停止からの経過時間を算出し、予め定義された経過時間の閾値である第１の閾値との比較を行った結果を前記主制御部に通知することが可能な、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記起動条件制御部は前記起動条件実施有無情報が無効である場合は前記主制御部の稼働継続を前記主制御部に通知することが可能な、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記主制御部は前記起動条件制御部からの通知から、パスワード認証が必要と判断した場合は、前記主制御部の操作を行う入力部にパスワード入力要求の指示を行うことが可能な、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記主制御部は装置の状態を表示可能な表示部を有し、前記表示部にパスワード要求の表示指示を行うことが可能な、請求項９に記載の基板処理装置。

【請求項11】

更に、前記主制御部は、パスワードの算出と、算出したパスワードである算出パスワードを出力することが可能なパスワード算出部を有し、前記パスワード算出部に前記算出パスワードの出力指示を行うことが可能な請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記記憶部は、前記主制御部が可動中の場合にのみ前記算出パスワードを記憶することが可能な、請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記起動条件制御部は前記入力部で入力された入力パスワードを受け付け、前記算出パスワードとの整合性を確認し、前記主制御部にパスワード認証結果を通知することが可能な、請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項14】

前記起動条件制御部は前記入力パスワードと、前記算出パスワードの整合性が取れない場合の不整合回数をカウントし、前記不整合回数が予め定められた第２の閾値を超えた場合は前記主制御部に稼働不可を通知することが可能な、請求項１３に記載の基板処理装置。

【請求項15】

前記主制御部は、前記パスワード認証結果を受け付け、稼働不可であった場合は、前記主制御部の稼働を停止する、請求項１３に記載の基板処理装置。

【請求項16】

前記主制御部は、前記パスワード認証結果を受け付け、稼働不可であった場合は、前記表示部に稼働不可であるメッセージの表示を指示することが可能な、請求項１３に記載の基板処理装置。

【請求項17】

装置を起動する際の認証情報として用いられる起動条件実施有無情報と、前記起動条件実施有無情報を有効にする条件を管理する起動条件管理情報とを記憶する工程と、
前記装置の稼働状態を監視する工程と、
前記起動条件管理情報を参照し、前記起動条件管理情報に管理されている条件を満たした場合に、前記起動条件実施有無情報を有効にする工程と、
を有する装置起動方法。

【請求項18】

前記装置起動時、前記起動条件実施有無情報と装置稼働停止からの経過時間によりパスワード要求有無の判定を行う工程を有する、請求項１７に記載の装置起動方法。

【請求項19】

請求項１７に記載の工程と、
基板の処理を行う工程と、
を有する半導体装置の製造方法。

【請求項20】

請求項１７に記載の工程をコンピュータにより実行させるプログラム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置、装置起動方法、半導体装置の製造方法およびプログラムに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造工程で用いられる基板処理装置として、例えば、ＳＥＭＩ規格に基づいて複数の基板処理装置を接続管理する管理装置と基板処理装置で通信の開始を行う時、基板処理装置で認識していない管理装置と接続する場合は、パスワードによる認証を行う方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。管理装置との接続時にパスワードによる認証を行うことで、基板処理装置の管理が可能となる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】国際公開WO2016/098887号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、基板処理装置を新たな管理装置に接続する場合は、基板処理装置の設定が、新たな管理装置に対応していないことが懸念され、また、不慣れで経験の少ない作業員が誤った操作を行うことにより基板処理装置を効率よくセットアップできないことが考えられる。

【0005】

本開示は、基板処理装置と新たな管理装置との接続を行う場合の、不慣れな作業員が誤った操作を行うことを防止し、基板処理装置のセットアップを効率よく実施可能な技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

（請求項1に合わせて修正）
本開示の一態様によれば、
基板を処理可能な処理室と、
前記基板の処理を制御可能な主制御部と、
前記主制御部を起動する際の起動条件の実施有無判定に用いられる起動条件実施有無情報と、前記起動条件を管理する起動条件管理情報と、前記起動条件管理情報の状態を記憶することが可能な記憶部と、
前記起動条件管理情報が所定の条件を満たしたら、前記起動条件実施有無情報を有効にすることが可能な起動条件制御部と、
を備える技術が提供される。

【発明の効果】

【0007】

（目的と同内容に修正）
本開示に係る技術によれば、基板処理装置のセットアップ時の誤操作を防止することにより、効率の良いセットアップを行うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本開示の一実施形態に係る基板処理装置を含む概略構成図である。

【図2】本開示の一実施形態に係る基板処理装置の斜透視図である。

【図3】本開示の一実施形態に係る基板処理装置の側面透視図である。

【図4】本開示の一実施形態に係る基板処理装置の処理炉の縦断面図である。

【図5】本開示の一実施形態に係る基板処理装置が備える主制御部のブロック構成図である。

【図6】本開示の一実施形態に係る起動条件実施確認フローの各工程を説明した説明図である。

【図7】本開示の一実施形態に係る起動条件実施確認工程のフロー図である。

【図8】本開示の一実施形態に係る経過時間確認工程のフロー図である。

【図9】本開示の一実施形態に係るパスワード確認工程のフロー図である。

【図10】本開示の一実施形態に係る主制御部稼働停止工程のフロー図である。

【図11】本開示の一実施形態に係る起動条件実施確認情報設定フローの各工程を説明した説明図である。

【図12】本開示の一実施形態に係る稼働停止回数確認工程のフロー図である。

【図13】本開示の一実施形態に係る管理装置接続確認工程のフロー図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に本開示の実施の形態について説明する。

【0010】

＜第一実施形態＞
まず、本開示の第一実施形態を図面に即して説明する。

【0011】

基板処理装置を含むシステムの構成
図１を用いて、本開示の一実施形態に係る基板処理装置を含むシステムの構成について説明する。図１は、本開示の一実施形態に係る基板処理装置を含むシステムの概略構成図である。

【0012】

図１に示すように、少なくとも一台の基板処理装置１００と、この基板処理装置１００の基板の制御が可能なように接続される管理装置６００と、を備えている。基板処理装置１００は、処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく処理プロセスを実行するように構成されている。基板処理装置１００と管理装置６００との間は、例えば構内回線（ＬＡＮ）や広域回線（ＷＡＮ）等のネットワーク４００により接続されている。

【0013】

（２）基板処理装置の構成
続いて、本実施形態に係る基板処理装置１００の構成について、図２，図３を参照しながら説明する。図２は、本開示の一実施形態に係る基板処理装置の斜透視図である。図３は、本開示の一実施形態に係る基板処理装置の側面透視図である。なお、本実施形態にかかる基板処理装置１００は、例えばウエハ等の基板に酸化、拡散処理、ＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置として構成されている。

【0014】

図２、図３に示すように、本実施形態に係る基板処理装置１００は、耐圧容器として構成された筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設されている。正面メンテナンス口１０３には、正面メンテナンス口１０３を開閉する立ち入り機構として一対の正面メンテナンス扉１０４が設けられている。シリコン等のウエハ（基板）２００を収納したポッド（基板収容器）１１０が、筐体１１１内外へウエハ２００を搬送するキャリアとして使用される。

【0015】

筐体１１１の正面壁１１１ａには、ポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が、筐体１１１内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口１１２は、フロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側には、載置部としてロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されている。ロードポート１１４上には、ポッド１１０を載置されると共に位置合わせされるように構成されている。ポッド１１０は、ＯＨＴ（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｈｏｉｓｔ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ）等の工程内搬送装置（図示せず）によってロードポート１１４上に搬送されるように構成されている。

【0016】

筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されている。回転式ポッド棚１０５上には、複数個のポッド１１０が保管されるように構成されている。回転式ポッド棚１０５は、垂直に立設されて水平面内で間欠的に回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７と、を備えている。複数枚の棚板１１７は、ポッド１１０を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。

【0017】

筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を相互に搬送するように構成されている。

【0018】

筐体１１１内の下部には、サブ筐体１１９が筐体１１１内の前後方向の略中央部から後端にわたって設けられている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａには、ウエハ２００をサブ筐体１１９内外に搬送する一対のウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が、垂直方向に上下二段に並べられて設けられている。上下段のウエハ搬入搬出口１２０には、ポッドオープナ１２１がそれぞれ設置されている。

【0019】

各ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する一対の載置台１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は、載置台１２２上に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。

【0020】

サブ筐体１１９内には、ポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室１２４が構成されている。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。図２に示すように、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、サブ筐体１１９の移載室１２４の前方領域右端部と筐体１１１右側の端部との間に設置されている。ウエハ移載装置１２５ａは、ウエハ２００の載置部としてのツイーザ（基板保持体）１２５ｃを備えている。これらウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ２００をボート（基板保持具）２１７に対して装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）することが可能に構成されている。

【0021】

移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。

【0022】

図２に示すように、サブ筐体１１９の待機部１２６右端部と筐体１１１右側端部との間には、ボート２１７を昇降させるボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台には、連結具としてのアーム１２８が連結されている。アーム１２８には、蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられている。シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。

【0023】

主に、回転式ポッド棚１０５，ボートエレベータ１１５，ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８，ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５，ボート２１７及び後述の回転機構２５４により、本実施形態に係る基板搬送系が構成されている。これら回転式ポッド棚１０５，ボートエレベータ１１５，ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８，ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５，ボート２１７及び回転機構２５４は、後述のサブコントローラとしての搬送コントローラ１１に電気的に接続されている。

【0024】

ボート２１７は複数本の保持部材を備えている。ボート２１７は、複数枚（例えば、５０枚～１２５枚程度）のウエハ２００を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持するように構成されている。

【0025】

図２に示すように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、クリーンユニット１３４が設置されている。クリーンユニット１３４は、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置（図示せず）が設置されている。

【0026】

クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、図示しないノッチ合わせ装置、ウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体１１１の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環されてクリーンユニット１３４によって移載室１２４内に再び吹き出されるように構成されている。

【0027】

なお、筐体１１１，サブ筐体１１９の外周には基板処理装置１００内への立ち入り機構として図示しない複数の装置カバーが取り付けられている。これら装置カバーは、メンテナンス作業時に取り外して保守員が基板処理装置１００内に立ち入り可能となっている。これら装置カバーと相対する筐体１１１，サブ筐体１１９の端部には、立ち入りセンサとしてのドアスイッチ１３０が設けられている。また、正面メンテナンス扉１０４と相対する筐体１１１の端部にも立ち入りセンサとしてドアスイッチ１３０が設けられている。また、ロードポート１１４上には、ポッド１１０の載置を検知する基板検知センサ１４０が設けられている。これらドアスイッチ１３０及び基板検知センサ１４０等のスイッチ，センサ類１５は、後述の基板処理装置用コントローラ２４０に電気的に接続されている。

【0028】

（３）基板処理装置の動作
次に、本実施形態にかかる基板処理装置１００の動作について、図２，図３を参照しながら説明する。

【0029】

図２、図３に示すように、ポッド１１０が工程内搬送装置（図示せず）によってロードポート１１４に供給されると、基板検知センサ１４０によりポッド１１０が検知され、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。そして、ロードポート１１４の上のポッド１１０が、ポッド搬送装置１１８によってポッド搬入搬出口１１２から筐体１１１内部へと搬入される。

【0030】

筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって回転式ポッド棚１０５の棚板１１７上へ自動的に搬送されて一時的に保管される。その後、ポッド１１０は、棚板１１７上から一方のポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載される。なお、筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって直接ポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載されてもよい。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４内にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４内にクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、移載室１２４内の酸素濃度が例えば２０ｐｐｍ以下となり、大気雰囲気である筐体１１１内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように設定されている。

【0031】

載置台１２２上に載置されたポッド１１０は、その開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。その後、ウエハ２００は、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてポッド１１０内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて方位が整合された後、移載室１２４の後方にある待機部１２６内へ搬入され、ボート２１７内に装填（チャージング）される。ボート２１７内にウエハ２００を装填したウエハ移載装置１２５ａは、ポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７内に装填する。

【0032】

この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハ２００のボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１の載置台１２２上には、別のポッド１１０が回転式ポッド棚１０５上からポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。

【0033】

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７内に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７は、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されていく。

【0034】

ローディング後は、処理炉２０２内にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、上述の手順とほぼ逆の手順で、処理後のウエハ２００を格納したボート２１７が処理室２０１内より搬出され、処理後のウエハ２００を格納したポッド１１０が筐体１１１外へと搬出される。

【0035】

（４）処理炉の構成
続いて、本実施形態にかかる処理炉２０２の構成について、図４を用いて説明する。図４は、本開示の一実施形態にかかる基板処理装置１００の処理炉２０２の縦断面図である。

【0036】

図４に示すように、処理炉２０２は、反応管としてのプロセスチューブ２０３を備えている。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５と、を備えている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料により構成されている。インナーチューブ２０４は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４内の筒中空部には、基板としてのウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１内は、後述するボート２１７を収容可能なように構成されている。アウターチューブ２０５は、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。アウターチューブ２０５は、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料により構成されている。

【0037】

プロセスチューブ２０３の外側には、プロセスチューブ２０３の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ２０６が設けられている。ヒータ２０６は円筒形状に構成されている。ヒータ２０６は、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。

【0038】

アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状になるように、マニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等により構成されている。マニホールド２０９は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とにそれぞれ係合している。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９とにより反応容器が形成される。

【0039】

後述するシールキャップ２１９には、ガス導入部としての処理ガスノズル２３０ａ及びパージガスノズル２３０ｂが処理室２０１内に連通するように接続されている。処理ガスノズル２３０ａには、処理ガス供給管２３２ａが接続されている。処理ガス供給管２３２の上流側（処理ガスノズル２３０ａとの接続側と反対側）には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１ａを介して、図示しない処理ガス供給源等が接続されている。また、パージガスノズル２３０ｂには、パージガス供給管２３２ｂが接続されている。パージガス供給管２３２ｂの上流側（パージガスノズル２３０ｂとの接続側と反対側）には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１ｂを介して、図示しないパージガス供給源等が接続されている。

【0040】

主に、処理ガス供給源（図示しない）、ＭＦＣ２４１ａ、処理ガス供給管２３２ａ及び処理ガスノズル２３０ａにより、本実施形態に係る処理ガス供給系が構成されている。主に、パージガス供給源（図示しない）、ＭＦＣ２４１ｂ、パージガス供給管２３２ｂ及びパージガスノズル２３０ｂにより、本実施形態に係るパージガス供給系が構成されている。主に、処理ガス供給系及びパージガス供給系により、本実施形態に係るガス供給系が構成されている。ＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂには、後述のサブコントローラとしてのガス供給コントローラ１４が電気的に接続されている。

【0041】

マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されている。排気管２３１は、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１の下流側（マニホールド２０９との接続側と反対側）には、圧力検知器としての圧力センサ２４５、例えばＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｏｒｏｌｌｅｒ）として構成された圧力調整装置２４２、真空ポンプ等の真空排気装置２４６が上流側から順に接続されている。主に、排気管２３１、圧力センサ２４５、圧力調整装置２４２により、本実施形態に係るガス排気系が構成されている。圧力調整装置２４２及び圧力センサ２４５には、後述のサブコントローラとしての圧力コントローラ１３が電気的に接続されている。なお、真空排気装置２４６をガス排気系に含めてもよい。

【0042】

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属により構成されている。シールキャップ２１９は、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。

【0043】

シールキャップ２１９の中心部付近であって処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持している。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させることが可能に構成されている。

【0044】

シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された基板保持具昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ２１９を昇降させることにより、ボート２１７を処理室２０１内外へ搬送することが可能に構成されている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、後述のサブコントローラとしての搬送コントローラ１１が電気的に接続されている。

【0045】

上述したように、基板保持具としてのボート２１７は、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料により構成されている。ボート２１７の下部には、断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板２１６は、円板形状に形成されている。断熱板２１６は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料により構成されている。断熱板２１６は、ヒータ２０６からの熱をマニホールド２０９側に伝えにくくするように構成されている。

【0046】

プロセスチューブ２０３内には、温度検知器としての温度センサ２６３が設置されている。主に、ヒータ２０６及び温度センサ２６３により、本実施形態に係る加熱機構が構成されている。これらヒータ２０６と温度センサ２６３とには、後述のサブコントローラとしての温度コントローラ１２が電気的に接続されている。

【0047】

主に、ガス排気系、ガス供給系、加熱機構により、本実施形態に係る基板処理系が構成されている。

【0048】

（５）処理炉の動作
続いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、上記構成に係る処理炉２０２を用いてＣＶＤ法によりウエハ２００上に薄膜を形成する方法について、図４を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は基板処理装置用コントローラ２４０により制御される。

【0049】

複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図４に示すように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。

【0050】

処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、圧力センサ２４５が測定した圧力値に基づき、圧力調整装置２４２（の弁の開度）がフィードバック制御される。また、処理室２０１内が所望の温度となるように、ヒータ２０６によって加熱される。この際、温度センサ２６３が検知した温度値に基づき、ヒータ２０６への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７及びウエハ２００が回転させられる。

【0051】

次いで、処理ガス供給源から供給されてＭＦＣ２４１ａにて所望の流量となるように制御された処理ガスは、ガス供給管２３２ａ内を流通してノズル２３０ａから処理室２０１内に導入される。導入された処理ガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０内に流出して排気管２３１から排気される。ガスは、処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。

【0052】

予め設定された処理時間が経過すると、パージガス供給源から供給されてＭＦＣ２４１ｂにて所望の流量となるように制御されたパージガスが処理室２０１内に供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。

【0053】

その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されてマニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ２００を保持するボート２１７がマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部へと搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済のウエハ２００はボート２１７より取り出され、ポッド１１０内へ格納される（ウエハディスチャージ）。

【0054】

（６）基板処理装置用コントローラの構成（主制御部）
以下、図５を参照して、基板処理装置用コントローラとしての制御装置(以後、主制御部ともいう)２４０について説明する。

【0055】

主制御部２４０は、主に演算制御部としてのＣＰＵ（Central Processing Unit)２５と、処理コントローラの制御を行うプロセス制御部２０と、搬送コントローラ１１の制御を行う搬送制御部２７と、管理装置６００との通信を行う送受信モジュール４２と、ＲＡＭやＲＯＭなどのメモリやＨＤＤ等からなる記憶部２８と、マウスやキーボード等の入力部２９及びモニタ等の表示部３１と、主制御部２４０を起動時する際の起動条件の実施有無判定に用いられる起動条件実施有無情報７２の制御を行う起動条件制御部４０と、起動条件制御部４０でパスワード認証が必要と判断された場合のパスワードを算出するパスワード算出部４１と、主制御部２４０の稼働停止回数のカウントやパスワード入力時の不整合回数をカウントするカウント部４３から構成されている。尚、ＣＰＵ２５と、記憶部２８と、入力部２９と、表示部３１と、起動条件制御部４０と、パスワード算出部４１と、カウント部４３と、時計機能（図示せず）とで各データを設定可能な操作部が構成される。

【0056】

ＣＰＵ２５は、主制御部２４０の中枢を構成し、図示しないＲＯＭに記憶された制御プログラムを実行し、表示部３１からの指示に従って、レシピ記憶部５０も構成する記憶部２８に記憶されているレシピ（例えば、基板処理レシピとしてのプロセス用レシピ等）を実行する。ＲＯＭは、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵ２５の動作プログラム等を記憶する記録媒体である。
メモリ(ＲＡＭ)は、ＣＰＵ２５のワークエリア(一時記憶部)などとして機能する。

【0057】

ここで、基板処理レシピは、ウエハ２００を処理する処理条件や処理手順等が定義されたレシピである。また、レシピファイルには、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４等に送信する設定値（制御値）や送信タイミング等が、基板処理のステップ毎に設定されている。

【0058】

また、本開示の実施の形態にかかる主制御部２４０は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するための制御プログラムを含む各種プログラムを格納した外部記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、ＵＳＢ、外付けＨＤＤ等）からこれら各種プログラ
ムをインストールすることにより、例えば、上述の処理を実行する主制御部２４０を構成することができる。

【0059】

そして、これらの各種プログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板に当該プログラムを掲示し、ネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。

【0060】

前記処理制御部２０は、前記処理炉２０１内にローディングされたウエハ２００に対し、所定の処理がなされる様、前記処理炉２０１内の温度や圧力、該処理炉２０１内に導入される処理ガスの流量等を制御する機能を有している。

【0061】

前記搬送制御部２７は、図示しない駆動モータを介して前記ポッド搬送装置１０５、前記ウエハ移載機構１２５、前記ボートエレベータ１１５等の搬送機構の駆動を制御する機能を有している。

【0062】

前記記憶部２８には、各種データ等が格納されるデータ格納領域３２と、各種プログラムが格納されるプログラム格納領域３３が形成されている。

【0063】

データ格納領域３２は、前記レシピファイルに関連する各種パラメータが格納される。また、前記ポッド１１０を前記筐体１１１内に搬入する際、又前記ポッド１１０を前記筐体１１１外に搬出する際の、Ｉ／Ｏステージとしての載置台１１４上の受渡し位置の情報や、受渡し位置にキャリアローダとしての前記ポッド搬送装置１１８を移動させる際の動作順序、受渡し位置からキャリアローダ１１８を移動させる際の動作順序等の情報が格納されている。また、ポッド１１０毎に識別する情報であるキャリアＩＤやポッド１１０内のウエハ２００の種別情報を少なくとも含むキャリア情報が前記データ格納領域３２に格納される様になっている。

【0064】

また、本実施の形態において、データ格納領域３２には、後述する経過時間の閾値情報（第１の閾値情報ともいう）６０と、パスワード不整合回数の閾値情報（第２の閾値情報ともいう）６１と、起動条件実施有無情報７２の設定条件の一つである、主制御部２４０の稼働停止回数の閾値情報（第３の閾値情報ともいう）６２とが格納されるようになっている。

【0065】

さらに、本実施の形態において、データ格納領域３２には、主制御部２４０の起動に係る情報として、起動条件管理情報５２が格納されており、起動条件管理情報５２には管理装置６００との接続状態を記憶する管理装置接続状態７０と、主制御部２４０の稼働停止回数を記録した稼働停止回数７１、主制御部２４０の起動を行う際の認証情報として用いられる起動条件実施有無情報７２と、前回の主制御部２４０が稼働停止を行った日時を有する稼働停止情報７３が記憶される。

【0066】

さらに、本実施の形態において、記憶部２８は、パスワード算出部が算出した算出パスワードと、主制御部２４０の起動時にパスワード認証が必要となった場合に入力パスワードの不整合だった回数をカウントするパスワード不整合回数を一時的に記憶することができる。なお、入力パスワードの不整合だった回数のカウントはカウント部が行う。

【0067】

プログラム格納領域３３には、上述の基板処理レシピ等の他、前記カセット３の搬入、搬出を行う為に必要な各種プログラムや基板が無い状態の炉内を洗浄するためのレシピ等が格納されている。また、例えば、後述する主制御部起動時の認証判定を行うソフトウェアプログラムが格納可能に構成されている。また、後述する、主制御部起動時にパスワードの認証が必要となった場合のパスワードを算出するソフトウェアプログラムが格納可能に構成されている。

【0068】

主制御部２４０の表示部３１には、タッチパネルが設けられている。タッチパネルは、上述の基板搬送系、基板処理系への操作コマンドの入力を受け付ける操作画面を表示するように構成されている。かかる操作画面は、基板搬送系や基板処理系の状態を確認したり、基板搬送系や基板処理系への動作指示を入力したりするための各種表示欄及び操作ボタ
ンを備えている。なお、操作部は、パソコンやモバイル等の操作端末(端末装置)のように、少なくとも表示部３１と入力部２９を含む構成であればよい。

【0069】

搬送コントローラ１１は、基板搬送系を構成する回転式ポッド棚１０５，ボートエレベータ１１５、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８、ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５、ボート２１７及び回転機構２５４の搬送動作をそれぞれ制御するように構成されている。また、図示しないが基板搬送系を構成する回転式ポッド棚１０５，ボートエレベータ１１５，ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８，ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５，ボート２１７及び回転機構２５４には、それぞれセンサが内蔵されている。搬送コントローラ１１は、これらのセンサがそれぞれ所定の値や異常な値等を示した際に、主制御部２４０にその旨の通知を行うように構成されている。

【0070】

圧力コントローラ１３は、圧力センサ２４５により検知された圧力値に基づいて、処理室２０１内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力調整装置２４２を制御すると共に、圧力センサ２４５が所定の値や異常な値等を示した際に、主制御部２４０にその旨の通知を行うように構成されている。

【0071】

ガス供給コントローラ１４は、処理ガス供給管２３２ａ，パージガス供給管２３２ｂからのガスの供給や停止を、ガスバルブ（図示せず）を開閉させることにより制御するように構成されている。また、ガス供給コントローラ１４は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂを制御するように構成されている。ガス供給コントローラ１４は、ガスバルブ（図示せず）やＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂの備えるセンサ（図示せず）が所定の値や異常な値等を示した際に、主制御部２４０にその旨の通知を行うように構成されている。

【0072】

（本発明の好ましい実施形態）次に、主制御部の起動条件の判定に係る実施形態を図６、図７、図８及び図９等を用いて、また、主制御部２４０の稼働停止に係る実施形態を図１０等を用いて、また、起動条件実施有無情報７２の設定に係る実施形態を図１１、図１２及び図１３等を用いて説明する。

【0073】

図６は主制御部を起動する際の起動条件の実施を行う動作を示し、例えば、起動条件の実施が必要であるか否かを判定する起動条件実施確認工程（Ｓ１００）と、起動条件実施確認工程（Ｓ１００）で起動条件の実施が必要であると判断した場合に制御部２４０の直近の稼働停止時間からの経過時間を確認する経過時間確認工程（Ｓ１１０）と、さらにパスワード入力による認証が必要となった場合に実施するパスワード確認工程（Ｓ１２０）より構成される。

【0074】

起動条件確認工程（Ｓ１００）
次に、起動条件確認工程Ｓ１００を説明する。起動条件情報確認工程Ｓ１００では、主制御部２４０が起動されると、ＣＰＵ２５は起動条件制御部４０に起動条件実施確認の指示を行う。起動条件制御部４０はＣＰＵ２５からの起動条件実施確認の指示に従い、図７に示す起動条件確認動作を行う。起動条件制御部４０は記憶部２８のデータ格納領域３２に記憶されている起動条件実施有無情報７２の設定状態を取得（Ｓ１０００）し、取得した起動条件実施有無情報７２を確認する（Ｓ１０１０）。起動条件実施有無情報７２が有効に設定されている場合は認証が必要であると確認（Ｓ１０１１）し、また、起動条件実施有無情報７２が無効に設定されている場合は起動条件の実施が不要であると確認（Ｓ１０１２）し、起動条件確認結果として確認した結果をＣＰＵ２５に返す。

【0075】

ＣＰＵ２５は起動条件制御部４０からの確認結果に基づき、起動条件の実施が必要であると判断した場合は起動条件制御部４０に対し経過時間確認の指示を行う。

【0076】

また、ＣＰＵ２５は起動条件制御部４０からの起動条件確認結果に基づき、起動条件の実施が必要でないと判断した場合は、次に続く経過時間確認工程（Ｓ１１０）及びパスワード確認工程（Ｓ１２０）を行わず、主制御部２４０の起動を継続してもよい。

【0077】

経過時間確認工程（Ｓ１１０）
次に、経過時間確認工程Ｓ１１０を説明する。起動条件制御部４０はＣＰＵ２５の経過時間確認の指示に従い、図８に示す経過時間確認動作を行う。起動条件制御部４０は記憶部２５のデータ格納領域３２に記憶している稼働停止情報７２を取得（Ｓ１１００）し、さらに主制御部が有する時計機能より主制御部２４０の起動情報を取得（Ｓ１１１０）し、稼働停止情報７２と起動情報から前回稼働停止からの経過時間を算出（Ｓ１１２０）する。

【0078】

次に、起動条件制御部４０は、記憶部２５のパラメータ記憶部５１に記憶している第１の閾値を取得し、（Ｓ１１２０）で算出した経過時間との比較を行う（Ｓ１１３０）。（Ｓ１１３０）で比較を行った結果、（Ｓ１１２０）で算出した経過時間が第１の閾値６０を超えている場合は、パスワード認証が必要であると確認し（Ｓ１１４０）、また、（Ｓ１１２０）で算出した経過時間が第１の閾値６０に等しい、あるいは第１の引数６０より小さいと判断した場合は、パスワード認証は不要であると確認し（Ｓ１１５０）、その経過時間確認結果として確認した結果をＣＰＵ２５に返す。

【0079】

ＣＰＵ２５は起動条件制御部４０からの経過時間確認結果に基づき、パスワード認証が必要であると判断した場合は起動条件制御部４０に対しパスワード確認の指示を行う。

【0080】

また、ＣＰＵ２５は起動条件制御部４０からの確認結果に基づき、パスワード認証が必要でないと判断した場合は、次に続くパスワード確認工程（Ｓ１２０）を行わず、主制御部２４０の起動を継続してもよい。

【0081】

ＣＰＵ２５は起動条件制御部４０からの経過時間確認結果に基づき、パスワード認証が必要であると判断した場合はパスワード算出部４１に対しパスワード算出の指示を行う。パスワード算出部４１はＣＰＵ２５のパスワード算出の指示を受け付けると、当日のみ有効なパスワードを算出し、算出パスワード８２として、記憶部２８のデータ格納領域に記憶する。

【0082】

算出パスワード８２はパスワード確認工程（Ｓ１２０）の間のみ有効であればよく、
パスワード確認工程（Ｓ１２０）を終了した場合に、記憶部２８のデータ格納領域３２から削除しても良い。

【0083】

ＣＰＵ２５は起動条件制御部４０からの経過時間確認結果に基づき、パスワード認証が必要であると判断した場合は入力部２９に対しパスワード入力要求の指示を行う。また表示部３１に対してパスワード要求表示の指示を行う。入力部２９はパスワードの入力を受け付けると、ＣＰＵ２５にパスワード入力要求の指示応答として入力パスワード返す。ＣＰＵ２５は入力部２９から受け取った入力パスワードを起動条件制御部４０に渡す。

【0084】

パスワード確認工程（Ｓ１２０）
次に、パスワード確認工程Ｓ１２０を説明する。起動条件制御部４０はＣＰＵ２５のパスワード確認の指示に従い、図９に示すパスワード確認動作を行う。起動条件制御部４０はＣＰＵ２５より入力パスワードを取得（Ｓ１２００）すると、記憶部２５のデータ格納領域３２に記憶している算出パスワード８２を取得（Ｓ１２１０）し、入力パスワードと算出パスワード８２の比較を行う（Ｓ１２２０）。

【0085】

次に、起動条件制御部４０は（Ｓ１２２０）の結果、整合性ありと判断した場合は、パスワード認証結果をＯＫと設定（Ｓ１２５０）し、ＣＰＵ２５に判定結果を返す。

【0086】

起動条件制御部４０は（Ｓ１２２０）の結果、整合性なしと判断した場合は、カウント部４３により、記憶部２８のデータ格納領域３２に記憶しているパスワード不整合回数８３を１つ加算する（Ｓ１２３０）。

【0087】

次に、起動条件制御部４０はパスワード不整合回数８３と、記憶部２８のパラメータ格納領域に記憶されている第２の閾値６１）と比較（Ｓ１２４０）し、第２の閾値６１を超えたと判断した場合はパスワード認証結果をＮＧと設定（Ｓ１２６０）し、ＣＰＵ２５に判定結果を返す。

【0088】

起動条件制御部４０はパスワード不整合回数８３と、記憶部２８のパラメータ格納領域に記憶されている第２の閾値６１）と比較（Ｓ１２４０）し、第２の閾値６１に等しいあるいは第２の閾値６１より少ないと判断した場合はパスワード認証結果をリトライと設定（Ｓ１２７０）し、ＣＰＵ２５に判定結果を返す。

【0089】

ＣＰＵ２５は起動条件管理４０からのパスワード認証結果を判定し、ＯＫであれば主制御部の起動を継続する。

【0090】

ＣＰＵ２５は起動条件管理４０からのパスワード認証結果を判定し、ＮＧであれば表示部３１に起動できないメッセージを表示するよう、指示を行い、その後、図１０に示す主制御部２４０の稼働停止動作を行う。

【0091】

ＣＰＵ２５は起動条件管理４０からのパスワード認証結果を判定し、リトライであれば再度入力部２９にパスワード入力要求と表示部３１にパスワード表示要求の指示を行い、パスワード確認工程（Ｓ１２０）を繰り返す。

【0092】

次に主制御部２４０の稼働停止を行う場合の稼働停止情報更新工程について説明する。稼働停止更新工程では、ＣＰＵ２５が主制御部２４０の稼働停止を検知した場合に、起動条件制御部４０に稼働停止通知を行い、起動条件制御部４０が図１０に示す動作を行う。

【0093】

（Ｓ１３００）
起動条件制御部４０は、例えば、稼働停止状態が正常状態または異常状態であるか否かを判定する稼働停止状態（Ｓ１３００）判定を行う。ここで正常状態とは例えば正規の手順により主制御部２４０の稼働停止を行う場合であり、異常状態とは例えば突然の電源断や強制電源オフや起動条件実施時の失敗による強制終了等を示す場合である。

【0094】

起動条件制御部４０は、稼働停止状態（Ｓ１３００）判定で異常状態と判定された場合は何もしないでＣＰＵ２５に主制御部２４０の稼働停止継続の通知を行う。

【0095】

（Ｓ１３１０）
稼働停止状態（Ｓ１３００）判定で正常と判断された場合、 起動条件制御部４０は、主制御部２４０が有する時計機能により主制御部２４０の稼働停止日時情報を取得し、記憶部２８の稼働停止情報７３に格納する。

【0096】

（Ｓ１３２０）
次に起動条件制御部４０は、記憶部２８に記憶されている起動条件実施有無情報７２を取得し、起動条件実施有無情報７２の有効あるいは無効を確認し、有効であれば、何もしないでＣＰＵ２５に主制御部２４０の可動継続の通知を行う。

【0097】

（Ｓ１３３０）
起動条件実施有無情報７２が無効あった場合は、カウンタ部４３により、記憶部２８の稼働停止回数を示す稼働停止回数７１を１つ加算し、ＣＰＵ２５に主制御部２４０の稼働停止継続の通知を行う。

【0098】

図１１は主制御部２４０を起動した場合の認証判定を行う起動条件実施有無情報７２の設定動作を示し、例えば、起動条件実施有無情報７２の設定が必要であるか否かを判定する起動条件実施有無情報確認工程（Ｓ２００）と、記憶部２８に記憶している稼働停止回数７１より起動条件実施有無情報７２の設定判定を行う稼働停止回数確認工程（Ｓ２１０）と、記憶部に記憶された管理装置接続状態７０から起動条件実施有無情報７２の設定判定を行う管理情報接続確認工程（Ｓ２２０）より構成される。

【0099】

起動条件実施有無情報確認工程（Ｓ２００）
次に、起動条件実施有無情報確認工程Ｓ２００を説明する。起動条件実施有無情報確認工程Ｓ２００では、ＣＰＵ２５の指示に従い、起動条件制御部４０が記憶部２８に記憶された起動条件実施有無情報７２の設定状態を取得し、取得した起動条件実施有無情報７２を確認する。起動条件実施有無情報７２が有効に設定されている場合は何もしないで、ＣＰＵ２５に応答を返す。起動条件実施有無情報７２が無効に設定されている場合は稼働停止回数確認工程（Ｓ２１０）を実施する。

【0100】

稼働停止回数確認工程（Ｓ２１０）
次に、稼働停止回数確認工程Ｓ２１０を説明する。稼働停止回数確認工程Ｓ２１０は図１２に示す稼働停止確認動作を行う。記憶部２８に記憶された稼働停止回数７１を取得（Ｓ２０００）し、記憶部２８のパラメータ記憶部５１に記憶された第３の閾値情報６２を取得して、稼働停止回数７１と比較を行う(Ｓ２１０)。

【0101】

稼働停止回数７１が第３の閾値情報６２に等しい、あるいは満たない場合は何もしないで本動作を終了する。

【0102】

稼働停止回数７１が第３の閾値情報６２を超えた場合は、起動条件実施有無情報７２の設定状態を有効に設定（Ｓ２０２０）し、記憶部２８に記憶させ、処理を抜ける。

【0103】

管理装置接続確認工程（Ｓ２２０）
次に、管理装置接続確認工程Ｓ２２０を説明する。稼働停止回数確認工程Ｓ２１０で、起動条件実施有無情報７２を有効に設定していない場合に本工程を行う。管理装置接続確認工程Ｓ２２０は図１３に示す管理装置接続確認動作を行う。記憶部２８に記憶された管理装置接続状態７０を取得（Ｓ２１００）し、管理装置６００の接続状態を確認する（Ｓ２１００）。

【0104】

管理装置６００が未接続状態であれば、何もしないで管理装置接続確認工程Ｓ２２０を終了し、管理装置６００が接続状態であれば、起動条件実施有無情報７２の設定状態を有効に設定（Ｓ２１３０）し、記憶部２８に記憶させ、処理を抜ける。

【0105】

本実施の形態において、起動条件実施有無情報７２の設定を行うことにより、例えば新規装置の管理装置６００との接続前でのセットアップ時期にて不要なパスワード認証の対応を行うことがないため、セットアップ工程に係る作業効率の低下を防止することができる。

【0106】

また、さらに、本実施の形態において、起動条件実施有無情報７２の設定を行うことにより、不慣れな作業員による誤操作によるセットアップ工程での作業ロスを防止し、セットアップ工程に係る作業効率の低下を防止することができる。

【0107】

＜他の実施形態＞
以上、本開示の第一実施形態、第二実施形態を説明したが、本開示は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

【0108】

上述の態様では、一度に複数枚の基板を処理するバッチ式の基板処理装置１を用いて膜を形成する例について説明した。本開示は上述の態様に限定されず、例えば、一度に１枚または数枚の基板を処理する枚葉式の基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用することができる。枚葉式の基板処理装置を用いた場合でも装置コントローラ起動時のパスワード認証により、起動を制限し、装置セットアップ不完全な状態での起動を防止することができる。。また、上述の態様では、ホットウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する例について説明した。本開示は上述の態様に限定されず、コールドウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用することができる。

【符号の説明】

【0109】

１００・・・基板処理装置
２００・・・基板
２４０・・・基板処理装置用コントローラ(主制御部)
６００・・・管理装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】