特許 7498802 チャンバ排気洗浄用洗浄ユニット

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-04

(45)【発行日】2024-06-12

(54)【発明の名称】チャンバ排気洗浄用洗浄ユニット

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20240605BHJP

   H01L 21/205 20060101ALI20240605BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240605BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20240605BHJP

   B08B 9/00 20060101ALI20240605BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101G

H01L21/205

H01L21/31 C

H01L21/302 101B

C23C16/44 J

B08B9/00

【請求項の数】 19

(21)【出願番号】P 2022575335

(86)(22)【出願日】2021-05-14

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-07-11

(86)【国際出願番号】 US2021032446

(87)【国際公開番号】W WO2021252136

(87)【国際公開日】2021-12-16

【審査請求日】2023-02-01

(31)【優先権主張番号】16/898,244

(32)【優先日】2020-06-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】チャン， ケルヴィン

(72)【発明者】

【氏名】クラウス， フィリップ アレン

(72)【発明者】

【氏名】チョア， タイ チョン

(72)【発明者】

【氏名】グエン， ハン

(72)【発明者】

【氏名】サブラマニ， アナンタ

【審査官】長谷川 直也

(56)【参考文献】

【文献】特表２０１７－５２６１７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－２０６６６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００７／００１２４０２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０２０－００９７４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－２１６０８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１０／０８６９５０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特表２００９－５１０２６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－３４５７７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１３－５０４６９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１５／０７５７６２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００５－１８４１２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－１７０６６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】韓国登録特許第１０－１９４９３０６（ＫＲ，Ｂ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｈ０１Ｌ ２１／２０５

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

Ｃ２３Ｃ １６／４４

Ｂ０８Ｂ ９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

可動洗浄モジュールであって、
第１の開口部と第２の開口部とを含むチャンバと、
前記第１の開口部を密閉するリッドであって、
誘電体プレートと、
前記誘電体プレートに結合された誘電体共振器と、
前記誘電体共振器上の孔に位置決めされたモノポールアンテナと、
前記誘電体共振器を囲む導電層と
を含むリッドと
を備える、可動洗浄モジュール。

【請求項2】

前記第２の開口部はフランジを含む、請求項１に記載の可動洗浄モジュール。

【請求項3】

前記フランジはＫＦ４０フランジ又はＫＦ５０フランジである、請求項２に記載の可動洗浄モジュール。

【請求項4】

前記チャンバ内にガスを導入するためのポート
を更に備える、請求項１に記載の可動洗浄モジュール。

【請求項5】

前記リッドは更に、冷却剤を流すためのチャネルを含む、請求項１に記載の可動洗浄モジュール。

【請求項6】

前記モノポールアンテナは、固体マイクロ波源に電気的に結合される、請求項１に記載の可動洗浄モジュール。

【請求項7】

前記リッドは更に、
前記誘電体プレートに結合された第２の誘電体共振器と、
前記第２の誘電体共振器の孔に位置決めされた第２のモノポールアンテナと
を含む、請求項１に記載の可動洗浄モジュール。

【請求項8】

前記誘電体共振器は、前記誘電体プレートとは別体である、請求項１に記載の可動洗浄モジュール。

【請求項9】

前記誘電体共振器及び前記誘電体プレートはモノリシック構造である、請求項１に記載の可動洗浄モジュール。

【請求項10】

前記導電層は、前記誘電体プレートに隣接する第１の導電層と、前記第１の導電層の上の第２の導電層とを含み、前記第１の導電層の熱膨張係数は、前記第２の導電層の熱膨張係数より小さい、請求項１に記載の可動洗浄モジュール。

【請求項11】

可動洗浄アセンブリであって、
カートと、
前記カート上にあり、マイクロ波電磁放射線を生成するように構成された固体電子機器モジュールと、
前記カート上にあり、前記固体電子機器モジュールに電気的に結合されたプロセッサと、
前記固体電子機器モジュールに電気的に結合されたプラズマ洗浄モジュールと
を備える、可動洗浄アセンブリ。

【請求項12】

前記カート上にあり、前記プロセッサに電気的に結合された温度制御容器
を更に備え、前記温度制御容器は熱伝達流体を保持するように構成され、前記プラズマ洗浄モジュールは前記温度制御容器に流体的に結合される、請求項１１に記載の可動洗浄アセンブリ。

【請求項13】

前記カート上にあり、前記プロセッサに電気的に結合されたガスパネル
を更に備え、前記プラズマ洗浄モジュールは前記ガスパネルに流体的に結合される、請求項１１に記載の可動洗浄アセンブリ。

【請求項14】

１２０Ｖ又は２４０Ｖのコンセントから前記カートに電力が供給される、請求項１１に記載の可動洗浄アセンブリ。

【請求項15】

前記プラズマ洗浄モジュールは、
第１の開口部と第２の開口部とを含むチャンバと、
前記第１の開口部を密閉するリッドであって、
誘電体プレートと、
前記誘電体プレートに結合された誘電体共振器と、
前記誘電体共振器上の孔に位置決めされたモノポールアンテナと、
前記誘電体共振器を囲む導電層と
を含むリッドと
を備える、請求項１１に記載の可動洗浄アセンブリ。

【請求項16】

前記第２の開口部はフランジを含む、請求項１５に記載の可動洗浄アセンブリ。

【請求項17】

プラズマ処理ツールであって、
基板を支持するためのペデスタルを有する第１のチャンバと、
前記第１のチャンバに流体的に結合された排気ラインであって、
ポンプと、
前記第１のチャンバと前記ポンプとの間の主排気ラインと、
前記主排気ラインに位置決めされたスロットルバルブと、
前記主排気ラインに流体的に結合された洗浄ラインと、
前記洗浄ラインに流体的に、かつ取り外し可能に結合された第２のチャンバと、
前記第２のチャンバにプラズマを生成するためのプラズマ源と
を含む排気ラインと
を備える、プラズマ処理ツール。

【請求項18】

前記スロットルバルブと前記ポンプとの間の第１のバルブと、
前記第２のチャンバと前記洗浄ラインとの間の第２のバルブと
を更に備える、請求項１７に記載のプラズマ処理ツール。

【請求項19】

第１のチャンバと前記スロットルバルブとの間の第３のバルブ
を更に備える、請求項１８に記載のプラズマ処理ツール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
本出願は、２０２０年６月１０日出願の米国非仮出願第１６／８９８，２４４号の優先権を主張するものであり、その内容を全て、参照により本明細書に援用する。

【0002】

本実施形態は、真空チャンバに関し、より具体的には、チャンバ排気用洗浄ユニットに関する。

【背景技術】

【0003】

半導体製造では、チャンバプロセスにより、排気ラインに不要な堆積物が発生することがある。この不要な堆積物は、時間の経過とともに蓄積し、ツールの性能に悪影響を及ぼす可能性がある。例えば、この蓄積により、排気ラインのコンダクタンスの低下及び／又は排気ラインに沿った部品の故障が引き起こされ得る。排気ラインのスロットルバルブは、特にこのような蓄積の影響を受けやすい。

【0004】

現在のところ、スロットルバルブ又は排気ラインの他の部品の堆積物を洗浄するための解決策はない。現在利用可能な唯一の改善策は、スロットルバルブの交換である。スロットルバルブの交換には、処理ツールの大幅なダウンタイムが必要なため、メンテナンスコストがかかる。

【発明の概要】

【0005】

本明細書に開示される実施形態は、チャンバの排気ライン用の洗浄モジュールを含む。実施形態では、可動洗浄モジュールは、第１の開口部と第２の開口部とを含むチャンバを備える。実施形態では、洗浄モジュールは更に、第１の開口部を密閉するリッドを備える。実施形態では、リッドは、誘電体プレートと、誘電体プレートに結合された誘電体共振器と、誘電体共振器上の孔に位置決めされたモノポールアンテナと、誘電体共振器を囲む導電層とを含む。

【0006】

本明細書に開示される追加の実施形態は、チャンバの排気ライン用の可動洗浄アセンブリを含む。実施形態では、可動洗浄アセンブリは、カートと、カート上にあり、マイクロ波電磁放射線を生成するように構成された固体電子機器モジュールとを備える。実施形態では、アセンブリは更に、カート上にあり、固体電子機器モジュールに電気的に結合されたプロセッサと、プラズマ洗浄モジュールとを備える。実施形態では、プラズマ洗浄モジュールは、固体電子機器モジュールに電気的に結合される。

【0007】

本明細書に開示される追加の実施形態は、排気ライン上に洗浄モジュールを有する処理ツールを含む。実施形態では、処理ツールは、基板を支持するためのペデスタルを有する第１のチャンバと、第１のチャンバに流体的に結合された排気ラインとを備える。実施形態では、排気ラインは、ポンプと、第１のチャンバとポンプとの間の主排気ラインと、主排気ラインに位置決めされたスロットルバルブと、主排気ラインに流体的に結合された洗浄ラインとを含む。実施形態では、第２のチャンバは、洗浄ラインに流体的に結合され、プラズマ源は、第２のチャンバにプラズマを生成するために提供される。

【0008】

上記の概要は、すべての実施形態の網羅的なリストを含むものではない。上記に要約された様々な実施形態のすべての好適な組み合わせから実践され得るすべてのシステム及び方法、ならびに以下の詳細な説明に開示され、本願とともに提出される特許請求の範囲に特に指摘されているものが含まれることが企図される。そのような組み合わせは、上記の概要に具体的に記載されていない特定の利点を有する。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1A】実施形態に係る、排気に結合されたプラズマ洗浄モジュールを含む処理ツールの断面図である。

【図1B】実施形態に係る、モジュール式マイクロ波プラズマ源と、排気に結合されたプラズマ洗浄モジュールとを含む処理ツールの断面図である。

【図2】実施形態に係る、マイクロ波電磁放射線を生成するための固体電子機器のブロック図である。

【図3A】実施形態に係る、プラズマ洗浄モジュールの断面図である。

【図3B】実施形態に係る、モノリシック構造である誘電体プレート及び誘電体共振器を有するプラズマ洗浄モジュールの断面図である。

【図3C】実施形態に係る、複数の層を含む誘電体共振器を囲む導電層を有するプラズマ洗浄モジュールの断面図である。

【図3D】実施形態に係る、複数の誘電体共振器を有するプラズマ洗浄モジュールの断面図である。

【図4A】実施形態に係る、一体型プラズマ洗浄モジュールの排気の断面図である。

【図4B】実施形態に係る、ポータブルプラズマ洗浄モジュールを有する排気の断面図である。

【図5A】実施形態に係る、可動洗浄アセンブリのブロック図である。

【図5B】追加の実施形態に係る、可動洗浄アセンブリのブロック図である。

【図6】実施形態に係る、洗浄モジュールを使用して排気ラインを洗浄するプロセスのプロセスフロー図である。

【図7】実施形態に係る、プラズマ洗浄モジュールと併せて使用され得る例示的なコンピュータシステムのブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

本明細書に記載の実施形態に係るデバイスは、チャンバ排気ラインのための洗浄ユニットを含む。以下の説明には、実施形態の徹底的な理解が得られるように、多数の具体的な詳細が記載される。実施形態がこれらの具体的な詳細なしに実施され得ることは、当業者には明らかであろう。他の例では、周知の態様は、実施形態を不必要に不明瞭にしないように、詳細には説明していない。更に、添付の図面に示す様々な実施形態は、例示的な表現であり、必ずしも縮尺通りに描かれていないことを理解されたい。

【0011】

上述したように、排気ラインにおける堆積物の蓄積により、コストのかかる処理ツールのダウンタイムが必要となる。したがって、本明細書に開示される実施形態は、排気ラインに取り付けられたプラズマ洗浄モジュールを含む。プラズマ洗浄モジュールは、排気ラインを洗浄するプラズマ種を提供し得る。このように、プラズマ洗浄モジュールは、処理ツールのオフライン時間を大幅にとる必要なく、堆積物を除去することができる。特に、処理ツールが、洗浄中に真空下に留まることができるため、メンテナンス後に処理ツールを再排気し、基板処理のための安定した条件を再確立する必要がない。これは大きなコスト削減となる。

【0012】

幾つかの実施形態では、プラズマ洗浄モジュールはポータブルである。すなわち、プラズマ洗浄モジュールは、複数のチャンバ間で共有され得る可動洗浄アセンブリの一部であってよい。これにより、洗浄機能を得るために必要な資本コストが削減される。更に、処理ツールは、プラズマ洗浄モジュールを収容するのに十分な再設計を必要としない場合がある。プラズマ洗浄モジュールは、排気ラインに沿ったポートに接続し得る。

【0013】

プラズマ源の設計により、ポータブルプラズマ洗浄モジュールが可能である。特に、本明細書に開示される実施形態は、固体電子機器を有するマイクロ波プラズマ源を含む。このようなマイクロ波源の使用により、かさばる導波管を必要とするマグネトロンマイクロ波電源と比較して、コンパクトな設計が可能となる。本明細書に開示される実施形態では、固体電子機器モジュールは、カート上に格納され、同軸ケーブルによってポータブル洗浄モジュールの誘電体共振器に取り付けられ得る。実施形態では、カートは、ポータブル洗浄モジュールに取り付けられたガスパネル及び冷却源も収容し得る。しかしながら、ガス及び冷却流体の一方又は両方は、幾つかの実施形態では、処理ツールから供給される場合もある。

【0014】

更に、プラズマ洗浄モジュールのコンパクトな設計により、プラズマ洗浄モジュールは、処理ツールと一体化することができる。すなわち、プラズマ洗浄モジュールは、処理ツールの一部と見なされ得る。このような実施形態では、ガス及び冷却流体は、処理ツールから供給され得る。

【0015】

ここで、実施形態に係る、プラズマ洗浄モジュール１５０を含む処理ツール１００を示す断面図である図１を参照する。プラズマ処理ツール１００は、プラズマエッチングチャンバ、化学気相堆積チャンバ、プラズマ化学気相堆積チャンバ、原子層堆積チャンバ、プラズマ原子層堆積チャンバ、物理的気相堆積チャンバ、プラズマ処理チャンバ、イオン注入チャンバ、又は他の適切な真空又は制御環境処理チャンバであってよい。

【0016】

処理ツール１００は、接地されたチャンバ１４２を含む。チャンバ１４２は、処理領域１０２及び排出領域１０４を含み得る。チャンバ１４２は、リッドアセンブリ１１０で密閉され得る。プロセスガスは、１又は複数のガス源１０６（例えば、ガスパネル）からマスフローコントローラ１４９を通ってリッドアセンブリ１１０に、そして処理領域１０２内に供給される。

【0017】

排気領域１９６のポンプは、チャンバ１４２内の所望の圧力を維持し、チャンバ１４２での処理から副生成物を除去し得る。実施形態では、排気領域は、チャンバ１４２とポンプとの間にある排気ライン１５５を含み得る。洗浄ライン１５６は、排気ライン１５５と交差していてよい。実施形態では、洗浄ライン１５６は、排気ライン１５５とプラズマ洗浄モジュール１５０との間にある。実施形態では、プラズマ洗浄モジュールは、排気領域１９６を洗浄するための遠隔プラズマを提供するように構成される。

【0018】

実施形態では、プラズマ洗浄モジュール１５０は、洗浄チャンバ１５４を含む。洗浄チャンバ１５４は、プラズマが生成される場所である。実施形態では、洗浄チャンバ１５４は、誘電体プレート１５３によって密閉される第１の開口部と、洗浄ライン１５６に接続する第２の開口部と含む。プラズマ洗浄モジュール１５０のプラズマは、モジュール式マイクロ波源を用いて生成され得る。例えば、誘電体共振器１５１は、誘電体プレート１５３に結合される。誘電体共振器１５１の軸心内に、モノポールアンテナ１５２が挿入される。モノポールアンテナ１５２は、固体マイクロ波生成電子機器（以下により詳細に説明する）に接続される。固体設計のため、マグネトロン式マイクロ波プラズマに必要なかさばる導波管及び他の部品は不要であり、コンパクトな設計が提供される。コンパクトな設計により、プラズマ洗浄モジュール１５０を、大幅な再設計なしで処理ツールと一体化することができる。

【0019】

実施形態では、プラズマ洗浄モジュール１５０は、ガスライン１５８によってガス源１０６に接続される。マスフローコントローラ１５９は、洗浄チャンバ１５４内へのガスの流れを制御し得る。図示した実施形態では、洗浄チャンバ１５４の壁を通過しているガスライン１５８が示されている。しかしながら、ガスはまた、誘電体プレート１５３を通して（例えば、シャワーヘッド設計又は他のマニホールド型構造を用いて）供給され得ることが理解されよう。実施形態では、プラズマ洗浄モジュール１５０はまた、温度制御され得る。例えば、プラズマ洗浄モジュール１５０は、冷却流体の供給源に接続され得る。

【0020】

実施形態では、リッドアセンブリ１１０は、概して、シャワーヘッドプレート１１６と熱伝達プレート１１８とを含む上部電極を含む。リッドアセンブリ１１０は、絶縁層１１３によってチャンバ１４２から隔離される。上部電極は、マッチ（図示せず）を通してソースＲＦ生成器１０３に結合される。ソースＲＦ生成器１０３は、例えば、３００ｋＨｚから６０ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚから１８０ＭＨｚの周波数を有していてよく、特定の実施形態では、１３．５６ＭＨｚ帯である。

【0021】

したがって、処理ツール１００は、一対のプラズマ源を含み得る。例えば、ＲＦ生成器１０３は、処理領域１０２に第１のプラズマを生成し得、マイクロ波電子機器は、洗浄チャンバ１５４に第２のプラズマを生成し得る。図１Ａに示す特定の実施形態では、第１のプラズマ及び第２のプラズマは、異なる波長の電磁放射線で生成される。

【0022】

ガス源１０６からのガスは、シャワーヘッドプレート１１６内のマニホールド１２０に入り、シャワーヘッドプレート１１６内への開口部を通してチャンバ１４２の処理領域１０２に出る。実施形態では、熱伝達プレート１１８は、熱伝達流体が流れるチャネル１１９を含む。シャワーヘッドプレート１１６及び熱伝達プレート１１８は、アルミニウム又はステンレス鋼等のＲＦ導電性材料から作製される。特定の実施形態では、シャワーヘッドプレート１１６の代わりに（又はそれに加えて）、チャンバ１４２内にプロセスガスを分配するために、ガスノズル又は他の適切なガス分配アセンブリが提供される。

【0023】

処理領域１０２は、基板１０５が固定される下部電極１６１を含み得る。基板１０５を囲むプロセスリング１９７の一部も、下部電極１６１によって支持され得る。基板１０５は、チャンバ１４２を貫通するスリットバルブトンネル１４１を通してチャンバ１４２に挿入され得る（又はチャンバ１４２から取り出され得る）。スリットバルブトンネル１４１のドアは、簡略化のために省略する。下部電極１６１は、静電チャックであってよい。下部電極１６１は、支持部材１５７によって支持され得る。実施形態では、下部電極１６１は、複数の加熱ゾーンを含んでいてよく、各ゾーンは、独立して温度設定値に制御可能である。例えば、下部電極１６１は、基板１０５の中心に近接する第１の熱ゾーンと、基板１０５の周囲に近接する第２の熱ゾーンとを含み得る。バイアス電力ＲＦ生成器１２５は、マッチ１２７を通して下部電極１６１に結合される。バイアス電力ＲＦ生成器１２５は、所望により、プラズマに電圧を加えるためのバイアス電力を提供する。バイアス電力ＲＦ生成器１２５は、例えば約３００ｋＨｚから６０ＭＨｚの低周波数を有していてよく、特定の実施形態では、１３．５６ＭＨｚ帯である。

【0024】

図１Ａにおいて、処理ツール１００は、処理領域１０２にプラズマを形成することができるプラズマリアクタとして示されている。しかしながら、処理ツール１００は、プラズマ源を用いない処理領域１０２を含み得ることが理解されよう。例えば、処理ツール１００は、炉を含み得る。幾つかの実施形態では、処理領域１０２はまた、バッチリアクタであってもよい。すなわち、処理領域１０２は、複数の基板を同時に処理することができる。

【0025】

ここで、追加の実施形態に係る、処理ツール１００を示す断面図である図１Ｂを参照する。図１Ｂの処理ツールは、処理領域１０２におけるプラズマを生成するためのプラズマ源１３０以外は、図１Ａの処理ツール１００と実質的に同様であってよい。ＲＦプラズマ源を使用する代わりに、図１Ｂの処理ツール１００は、マイクロ波プラズマ源１３０を用い得る。特定の実施形態では、マイクロ波プラズマ源１３０は、モジュール式マイクロ波プラズマ源である。例えば、マイクロ波プラズマ源１３０は、誘電体プレート１３３を含み、誘電体プレート１３３の上に複数の誘電体共振器１３１が配置されていてよい。各誘電体共振器１３１の軸心には、モノポールアンテナ１３１が配置され得る。モノポールアンテナ１３１は各々、固体マイクロ波生成電子機器に接続され得る。

【0026】

一実施形態では、マイクロ波プラズマ源１３０の固体マイクロ波電子機器は、プラズマ洗浄モジュール１５０におけるプラズマ生成のために使用される同じマイクロ波電子機器であってよい。他の実施形態では、マイクロ波プラズマ源１３０及びプラズマ洗浄モジュール１５０のために、別個のマイクロ波電子機器が使用され得る。

【0027】

ここで、実施形態に係る、固体電源２１５を示す概略図である図２を参照する。実施形態では、固体電源２１５は、発振器モジュール２０６を含む。発振器モジュール２０６は、所望の周波数のマイクロ波電磁放射線を生成するために、電圧制御発振器２２０に入力電圧を供給するための電圧制御回路２１１を含み得る。実施形態は、およそ１ボルトから１０ボルトＤＣの入力電圧を含み得る。電圧制御発振器２２０は、その発振周波数が入力電圧によって制御される電子発振器である。実施形態によれば、電圧制御回路２１１からの入力電圧により、電圧制御発振器２２０が所望の周波数で発振する。実施形態では、マイクロ波電磁放射線は、約０．１ＭＨｚから３０ＭＨｚの周波数を有し得る。実施形態では、マイクロ波電磁放射線は、約３０ＭＨｚから３００ＭＨｚの周波数を有し得る。実施形態では、マイクロ波電磁放射線は、約３００ＭＨｚから１ＧＨｚの周波数を有し得る。実施形態では、マイクロ波電磁放射線は、約１ＧＨｚから３００ＧＨｚの周波数を有し得る。

【0028】

実施形態によれば、電磁放射線は、電圧制御発振器２２０から増幅モジュール２１２に伝送される。増幅モジュール２１２は、各々が電源２１６に結合されるドライバ／前置増幅器２１３、及び主電力増幅器２１４を含み得る。実施形態によれば、増幅モジュール２１２は、パルスモードで動作し得る。例えば、増幅モジュール２１２は、１％から９９％のデューティサイクルを有し得る。より特定の実施形態では、増幅モジュール２１２は、約１５％から５０％のデューティサイクルを有し得る。

【0029】

実施形態では、電磁放射線は、増幅モジュール２１２によって処理された後、サーマルブレーク２１９及びアプリケータ２３１に伝送され得る。しかしながら、サーマルブレーク２１９に伝送された電力の一部は、出力インピーダンスのミスマッチのために反射して戻ってくる可能性がある。したがって、幾つかの実施形態は、反射電力が反射電力を接地するサーキュレータ２１７に到達する前に、順方向電力２０４及び反射電力２０３のレベルを感知して制御回路モジュール２０８にフィードバックすることを可能にする検出器モジュール２１８を含む。検出器モジュール２１８は、システムの１又は複数の異なる場所に位置し得ることを理解されたい。実施形態では、制御回路モジュール２０８は、順方向電力２０４及び反射電力２０３を解釈し、発振器モジュール２０６に通信可能に結合される制御信号２０９のレベル及び増幅モジュール２１２に通信可能に結合される制御信号２０７のレベルを決定する。実施形態では、制御信号２０９は、発振器モジュール２０６を調整して、増幅モジュール２１２に結合された高周波放射線を最適化する。実施形態では、制御信号２０７は、増幅モジュール２１２を調整して、サーマルブレーク２１９を通してアプリケータ２３１に結合された出力電力を最適化する。実施形態では、発振器モジュール２０６及び増幅モジュール２１２のフィードバック制御により、サーマルブレーク２１９におけるインピーダンスマッチングの調整に加えて、反射電力のレベルが順方向電力の約５％未満であることが可能になり得る。幾つかの実施形態では、発振器モジュール２０６及び増幅モジュール２１２のフィードバック制御により、反射電力のレベルが順方向電力の約２％未満であることが可能になり得る。

【0030】

したがって、実施形態は、処理チャンバ２４２又は洗浄チャンバ２５４内に結合される順方向電力の割合を増加させて、プラズマに結合される利用可能な電力を増加させ得る。更に、フィードバック制御を用いたインピーダンス同調は、典型的なスロットプレートアンテナにおけるインピーダンス同調よりも優れている。スロットプレートアンテナでは、インピーダンス同調は、アプリケータに形成された２つの誘電体スラグを移動させることを伴う。これには、アプリケータの２つの別個の部品を機械的に動かす必要があり、アプリケータの複雑性が増すことになる。更に、機械的な動きは、電圧制御発振器２２０によって提供され得る周波数の変化ほど正確でない可能性がある。

【0031】

ここで、様々な実施形態に係る様々なプラズマ洗浄モジュール３５０を示す断面図である図３Ａ～図３Ｄを参照する。図３Ａ～図３Ｄのプラズマ洗浄モジュール３５０は、処理ツールと一体化され得る。他の実施形態では、プラズマ洗浄モジュール３５０は、ポータブルプラズマ洗浄モジュールであってよい。すなわち、プラズマ洗浄モジュール３５０は、処理ツールから容易に着脱可能であってよい。ポータブルプラズマ洗浄モジュールを、以下により詳細に説明する。

【0032】

ここで、実施形態に係るプラズマ洗浄モジュール３５０を示す断面図である図３Ａを参照する。プラズマ洗浄モジュール３５０は、プラズマが生成される洗浄チャンバ３５４を含み得る。洗浄チャンバ３５４は、第１の開口部及び第２の開口部を有し得る。第１の開口部は、誘電体プレート３５３によって閉じられ得る。実施形態では、シール３５８（例えば、Ｏリング等）が誘電体プレート３５３と洗浄チャンバ３５４との間に位置決めされ得る。第２の開口部は、洗浄ライン３５６に流体的に結合され得る。洗浄ラインは、処理ツールの排気ライン（図示せず）に結合される。

【0033】

実施形態では、誘電体共振器３５１が誘電体プレート３５３に結合される。誘電体共振器３５１の軸心には、孔が配置され得る。実施形態では、モノポールアンテナ３５２が孔の中に挿入される。モノポールアンテナ３５２は、マイクロ波電磁放射線を供給する電源に接続される。例えば、電源は、図２に関して上述した固体電源２１５のような固体マイクロ波電子機器モジュールであってよい。図示した実施形態では、誘電体共振器３５１は、誘電体プレート３５３の外面に当接している。しかしながら、他の実施形態では、誘電体共振器３５１は、誘電体プレートを貫通して延在し、洗浄チャンバ３５４内の自由空間内に延在し得る。

【0034】

実施形態では、導電層３５９は、誘電体共振器３５１を囲み得る。導電層３５９は、幾つかの実施形態では、接地電位に保持され得る。導電層３５９は、誘電体共振器３５１を保護し、洗浄チャンバ３５４へのマイクロ波電磁放射線の結合を改善する。実施形態では、導電層３５９は、温度制御された部品であってよい。例えば、導電層は、冷却剤源に流体的に結合され得る。導電層３５９は、冷却剤源からの冷却剤が流れる冷却チャネル（図示せず）を含み得る。他の実施形態では、プラズマ洗浄モジュールは、加熱要素も含み得る、又は高温熱流体の供給源にも結合され得る。

【0035】

実施形態では、ガスは、洗浄チャンバ３５４に供給され得る。ガスは、洗浄チャンバ３５４の壁のポートを通して注入され得る。他の実施形態では、ガスは、誘電体プレート３５３を通して洗浄チャンバ３５４に供給され得る。

【0036】

ここで、追加の実施形態に係るプラズマ洗浄モジュール３５０を示す断面図である図３Ｂを参照する。図３Ｂのプラズマ洗浄モジュール３５０は、誘電体プレート３５３と誘電体共振器３５１との間の接合部以外は、図３Ａのプラズマ洗浄モジュール３５０と実質的に同様であってよい。例えば、図３Ｂに示す実施形態では、誘電体プレート３５３と誘電体共振器３５１との間に識別可能な接合部が存在しない場合がある。すなわち、誘電体プレート３５３及び誘電体共振器３５１は、単一のモノリシック構造として形成され得る。

【0037】

ここで、追加の実施形態に係るプラズマ洗浄モジュール３５０を示す断面図である図３Ｃを参照する。図３Ｃのプラズマ洗浄モジュール３５０は、導電層３５９の構成以外は、図３Ｂのプラズマ洗浄モジュール３５０と実質的に同様であってよい。図示のように、導電層３５９は、複数の導電層を含み得る。例えば、誘電体プレート３５３の上に第１の導電層３５９_Ａがあり、第１の導電層の上に第２の導電層３５９_Ｂがある。同様の多層導電層３５９は、図３Ａに示す構成と同様の構成で実装され得る。すなわち、誘電体プレート３５３と誘電体共振器３５１とが個別の部品である場合に、第１の導電層３５９_Ａ及び第２の導電層３５９_Ｂが実装され得る。

【0038】

実施形態では、第１の導電層３５９_Ａは、第１の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有していてよく、第２の導電層３５９_Ｂは、第１のＣＴＥよりも大きい第２のＣＴＥを有していてよい。具体的には、第１の導電層３５９_Ａの第１のＣＴＥを誘電体プレート３５３のＣＴＥに密接に一致させて、そうでなければ誘電体プレート３５３を損傷し得る熱応力を最小限に抑えることができる。特定の実施形態では、第１の導電層３５９_Ａはチタンを含んでいてよく、第２の導電層３５９_Ｂはアルミニウムを含んでいてよい。第１の導電層３５９_Ａは、幾つかの実施形態では、第２の導電層３５９_Ｂに固定され得る。例えば、第１の導電層３５９_Ａは、第２の導電層３５９_Ｂにボルトで固定され得る、又はその他の方法で結合され得る。

【0039】

ここで、追加の実施形態に係るプラズマ洗浄モジュール３５０を示す断面図である図３Ｄを参照する。図３Ｄのプラズマ洗浄モジュール３５０は、複数の誘電体共振器３５１が誘電体プレート３５３の上に配置されること以外は、図３Ａのプラズマ洗浄モジュール３５０と実質的に同様であってよい。２つの誘電体共振器３５１_Ａ及び３５１_Ｂを示したが、任意の数の誘電体共振器３５１がプラズマ洗浄モジュール３５０に含まれ得ることが理解されよう。誘電体共振器３５１の数を増やせば、排気領域の洗浄を改善することができる。

【0040】

ここで、実施形態に係る排気領域４９６を示す断面図である図４Ａを参照する。図４Ａの排気領域４９６は、一体型プラズマ洗浄モジュール４５０を例示する。すなわち、プラズマ洗浄モジュール４５０は、処理ツールの一部として一体化されている。実施形態では、排気領域４９６は、主処理チャンバ４４２をポンプに流体的に結合させる排気ライン４５５を含む。実施形態では、スロットルバルブ４８４は、排気ライン４５５内に配置され得る。洗浄ライン４５６は、プラズマ洗浄モジュール４５０の洗浄チャンバ４５４を排気ライン４５５に流体的に結合させる。

【0041】

実施形態では、プラズマ洗浄モジュール４５０は、上述したプラズマ洗浄モジュール３５０のいずれかと実質的に同様であってよい。例えば、プラズマ洗浄モジュール４５０は、洗浄チャンバ４５４、誘電体プレート４５３、誘電体共振器４５１、モノポールアンテナ４５２、及び導電層４５９を含み得る。

【0042】

実施形態では、排気領域４９６は、複数のバルブを含み得る。第１のバルブ４８１は、排気ライン４５５に沿って主チャンバ４４２とスロットルバルブ４８４との間に位置決めされ得る。第１のバルブ４８１は、洗浄中にチャンバ４４３を隔離するために閉じられ得る。こうすることで、主チャンバ４４２の条件が、メンテナンス中又はメンテナンス後に変化しない。第２のバルブ４８２は、排気ライン４５５に沿ってスロットルバルブ４８２とポンプとの間に位置決めされ得る。第３のバルブ４８３は、洗浄ライン４５６に沿って洗浄チャンバ４５４と排気ライン４５５との間に位置決めされ得る。バルブ４８１、４８２、及び４８３は、処理ツールコンピュータ（図示せず）によって制御され得る。

【0043】

実施形態では、バルブ４８１、４８２、及び４８３は、所望の処理工程に応じて開閉され得る。例えば、主チャンバ４４２における基板の処理中、第１のバルブ４８１及び第２のバルブ４８２は開いていてよく、第３のバルブ４８３は閉じていてよい。洗浄工程中、第３のバルブ４８３は開いていてよく、第１のバルブ４８１は閉じていてよい。プラズマ洗浄モジュール４５０を用いて洗浄工程を実施するためのプロセスを、図６に関して以下により詳細に説明する。

【0044】

ここで、追加の実施形態に係る処理ツールの排気領域４９６を示す断面図である図４Ｂを参照する。実施形態では、図４Ｂの排気領域４９６は、プラズマ洗浄モジュール４５０がポータブルプラズマ洗浄モジュール４５０であること以外は、図４Ａの排気領域４９６と実質的に同様であってよい。すなわち、プラズマ洗浄モジュール４５０は、処理ツールから容易に着脱されるように構成される。実施形態では、ポータブルプラズマ洗浄モジュールは、使用されていないときは、カート（以下により詳細に説明する）上に格納され得る。

【0045】

実施形態では、プラズマ洗浄モジュール４５０は、洗浄チャンバ４５４に取り付けられたフランジ４８５を含み得る。洗浄ライン４５６はまた、プラズマ洗浄モジュール４５０のフランジ４８５と接合するフランジ４８６も含み得る。洗浄ライン４５６とプラズマ洗浄モジュール４５０との間に真空気密シールを提供するのに適した任意の適切なフランジ又は他の接続スキームが使用され得る。例えば、フランジ４８５及び４８６は、ＫＦ４０又はＫＦ５０フランジを含み得る。

【0046】

ここで、実施形態に係る可動洗浄アセンブリ５６０を示す概略図である図５Ａ及び図５Ｂを参照する。可動洗浄アセンブリ５６０は、複数の処理ツールに洗浄を提供するために、施設全体にわたってポータブルプラズマ洗浄モジュール５５０を容易に移動させることを可能にする。幾つかの実施形態では、可動洗浄アセンブリ５６０はまた、ポータブルプラズマ洗浄モジュール５５０用の１又は複数の周辺機器（例えば、ガス、冷却流体等）も含み得る。

【0047】

ここで、実施形態に係る可動洗浄アセンブリ５６０を示す概略図である図５Ａを参照する。実施形態では、可動洗浄アセンブリ５６０は、カート５６１と、カート５６１に取り付けられたプラズマ洗浄モジュール５５０とを備える。実施形態では、プラズマ洗浄モジュール５５０は、本明細書に開示されるプラズマ洗浄モジュールのいずれかと同様であってよい。例えば、プラズマ洗浄モジュール５５０は、洗浄チャンバ５５４と、誘電体プレート５５３と、誘電体共振器５５１とを備え得る。プラズマ洗浄モジュールを処理ツールに取り付けるために、フランジ５８５又は他の相互接続部品が、洗浄チャンバ５５４に接続され得る。カート５６１は、施設内で容易に移送される。例えば、カート５６１は、一組の車輪５６２を有し得る。

【0048】

使用していないときは、プラズマ洗浄モジュール５５０は、カート５６０に格納される。使用時には、プラズマ洗浄モジュール５５０は、カート５６０に格納された周辺機器への様々な相互接続によってカート５６０に繋ぎ止められていてよい。例えば、カート５６０は、固体マイクロ波電子機器５６３、熱伝達流体の温度制御された容器（例えば、冷却ユニット５６４）、及びガスパネル５６５を収容し得る。プラズマ洗浄モジュール５５０とマイクロ波電子機器５６３との間のライン５６８は、同軸ケーブルであってよい。ガスライン５７１及び流体ライン５６９は、それぞれガス及び流体を輸送するための任意の適切なラインであってよい。

【0049】

更に別の実施形態では、プラズマ洗浄モジュール５５０は、図４Ａに示す実施形態と同様に、カート５６０に収納される代わりに、処理ツールと一体化され得る。このような実施形態では、カート５６０に格納された周辺機器は、プラズマ洗浄モジュール５５０が使用されていないときにプラズマ洗浄モジュール５５０から取り外し可能なライン５６８、５６９、及び５７１によってプラズマ洗浄モジュール５５０に取り付けられていてよい。

【0050】

実施形態では、プロセッサ（例えば、ＣＰＵ）５６６もカート５６１に設けられる。プロセッサ５６６は、カート５６１の周辺機器に通信可能に結合され得る。このように、プロセッサ５６６は、マイクロ波電子機器５６３の制御を通じたプラズマ洗浄モジュール５５０の制御、並びに冷却ユニット５６４の制御を通じたプラズマ洗浄モジュール５５０の温度及びガスパネル５６５の制御を通じたプラズマ洗浄モジュール５５０へのガス流の制御のために使用され得る。幾つかの実施形態では、プロセッサ５６６はまた、処理ツールのＣＰＵ５７０に通信可能に結合され得る。このように、処理ツールの部品（図示せず）も、プラズマ洗浄モジュール５５０と一体となって動作するように制御され得る。例えば、洗浄プロセスを開始するために、処理ツールの排気領域の１又は複数のバルブが開閉され得る。

【0051】

実施形態では、可動洗浄アセンブリ５６０の電力は、プラグ５６７によって供給され得る。プラグ５６７は、１２０Ｖ又は２４０Ｖのコンセントに接続する標準的なプラグであってよい。したがって、より高い電圧を供給するための専用の電源は、このような実施形態では必要ない。より低い電力要件は、マイクロ波電磁放射線を洗浄チャンバ５５４内に入射するために使用される１つの（又は幾つかの）アプリケータを駆動するコンパクト設計及び固体電子機器に起因する。

【0052】

ここで、追加の実施形態に係る可動洗浄アセンブリ５６０を示す概略図である図５Ｂを参照する。可動洗浄アセンブリ５６０は、プラズマ洗浄モジュール５５０に対する１又は複数の周辺機器がカート５６１から取り除かれること以外は、図５Ａの可動洗浄アセンブリ５６０と実質的に同様であってよい。特に、図５Ｂに示す実施形態は、カート５６１からガスパネルが取り除かれている。その代わりに、プラズマ洗浄モジュール５５０へのガスは、処理ツールのガスパネル５０６から供給される。

【0053】

図５Ｂでは、冷却ユニット５６４は、カート５６１上に残っている。しかしながら、冷却ユニット５６４も、カート５６１から取り除くことが可能であることが理解されよう。このような実施形態では、プラズマ洗浄モジュール５５０の冷却流体は、処理ツールの冷却ユニットから供給され得る。幾つかの実施形態では、ガスパネル５６５及び冷却ユニット５６４の両方を、カート５６１から取り除くことが可能である。

【0054】

他の実施形態では、可動洗浄アセンブリ５６０は、プラズマ洗浄モジュール５５０及び処理ツールに接続するための対応する相互接続部（例えば、ライン５６８、５６９、及び５７１）のみを含み得る。このような実施形態では、プラズマ洗浄モジュール５５０は、処理ツールから電力、冷却流体、及びガスを供給し得る。処理ツールのプロセッサは、プラズマ洗浄モジュール５５０の動作も制御し得る。

【0055】

ここで、実施形態に係る、処理ツールの排気領域を洗浄するプロセス６４０を示すプロセスフロー図である図６を参照する。プロセス６４０は、一体型プラズマ洗浄モジュール又はポータブルプラズマ洗浄モジュールのいずれかを用いて実施され得る。ポータブルプラズマ洗浄モジュールの場合、プロセス６４０は、ポータブルプラズマ洗浄モジュールを排気ラインに取り付けることも含み得る。

【0056】

実施形態では、プロセス６４０は、排気ラインのチャンババルブを閉じることを含む工程６４１を含み得る。閉じられるチャンババルブは、チャンバ隔離バルブであってよい。チャンバ隔離バルブは、主チャンバと洗浄ラインとの間にあるバルブであってよい。例えば、閉じられるバルブは、図４Ａ及び図４Ｂに示す第１のバルブ４８１であってよい。チャンバ隔離バルブを閉じることにより、主チャンバの圧力を変化させることなく、洗浄プロセスを進めることができる。そのため、メンテナンス後の追加のポンプダウンが不要となり、処理ツールのダウンタイムが短縮される。

【0057】

実施形態では、プロセス６４０は、プラズマ洗浄モジュールをポンプに流体的に結合するためにバルブを開くことを含む工程４６２を含み得る。例えば、開かれるバルブは、図４Ａ及び図４Ｂの第３のバルブ４８３であってよい。

【0058】

実施形態では、プロセス６４０は、ポンプでプラズマ洗浄モジュールをポンプダウンすることを含む工程４６３を含み得る。例えば、ポンプは、プラズマ洗浄モジュールの洗浄チャンバでプラズマ生成に適した圧力を生成するために起動され得る。

【0059】

洗浄チャンバの真空が供給された後、プロセス６４０は、プラズマ洗浄モジュールでプラズマを励起することを含む工程６４６を含み得る。実施形態では、プラズマは、遠隔プラズマと称され得る。すなわち、プラズマは、洗浄が所望される場所に遠隔的に供給され得る。例えば、洗浄は、洗浄ライン及びプラズマ洗浄モジュールに取り付けられた排気ラインにおいて行われ得る。実施形態では、洗浄は、排気ラインに含まれるスロットルバルブの洗浄を含み得る。

【0060】

ここで、実施形態に従って使用され得る処理ツール又は可動プラズマ洗浄モジュールの例示的なコンピュータシステム７６０を示すブロック図である図７を参照する。実施形態では、コンピュータシステム７６０は、プラズマチャンバに結合され、プラズマチャンバにおける処理を制御する。コンピュータシステム７６０は、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、イントラネット、エクストラネット、又はインターネットにおいて他の機械に接続（例えば、ネットワーク化）され得る。コンピュータシステム７６０は、クライアントサーバネットワーク環境におけるサーバ又はクライアントマシンの能力で、又はピアツーピア（又は分散）ネットワーク環境におけるピアマシンとして動作し得る。コンピュータシステム７６０は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、タブレットＰＣ、セットトップボックス（ＳＴＢ）、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、携帯電話、ウェブアプライアンス、サーバ、ネットワークルータ、スイッチ又はブリッジ、もしくはその機械によって行われるべき動作を指定する命令のセット（シーケンシャル又はその他）を実行できる任意の機械であってよい。更に、コンピュータシステム７６０については単一の機械のみを図示したが、「機械」という用語は、本明細書に記載の方法論のいずれか１又は複数を実行するための命令のセット（又は複数のセット）を個別に又は共同で実行する機械（例えば、コンピュータ）の任意の集合体を含むとも解釈されるものとする。

【0061】

コンピュータシステム７６０は、実施形態に係るプロセス５５０等のプロセスを実行するためにコンピュータシステム７６０（又は他の電子デバイス）をプログラムするために使用され得る、その上に記憶された命令を有する非一過性機械可読媒体を有するコンピュータプログラム製品、又はソフトウェア７２２を含み得る。機械可読媒体は、機械（例えば、コンピュータ）によって読み取り可能な形態で情報を記憶又は送信するための任意の機構を含む。例えば、機械可読（例えば、コンピュータ可読）媒体は、機械（例えば、コンピュータ）可読記憶媒体（例えば、読み取り専用メモリ（「ＲＯＭ」）、ランダムアクセスメモリ（「ＲＡＭ」）、磁気ディスク記憶媒体、光学記憶媒体、フラッシュメモリデバイス等）、機械（例えば、コンピュータ）可読伝送媒体（電気、光学、音響又は他の形態の伝播信号（例えば、赤外線信号、デジタル信号等）等）等を含む。

【0062】

実施形態では、コンピュータシステム７６０は、システムプロセッサ７０２、バス７３０を介して互いに通信するメインメモリ７０４（例えば、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）又はラムバスＤＲＡＭ（ＲＤＲＡＭ）等のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、スタティックメモリ７０６（例えば、フラッシュメモリ、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）等）及び二次メモリ７１８（例えばデータストレージデバイス）を含む。

【0063】

システムプロセッサ７０２は、マイクロシステムプロセッサ、中央処理装置等の１又は複数の汎用処理装置を表す。より具体的には、システムプロセッサは、複雑な命令セットコンピューティング（ＣＩＳＣ）マイクロシステムプロセッサ、縮小命令セットコンピューティング（ＲＩＳＣ）マイクロシステムプロセッサ、超長命令語（ＶＬＩＷ）マイクロシステムプロセッサ、他の命令セットを実装するシステムプロセッサ、又は命令セットの組み合わせを実装するシステムプロセッサであってよい。システムプロセッサ７０２はまた、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号システムプロセッサ（ＤＳＰ）、ネットワークシステムプロセッサ等の１又は複数の特殊目的処理デバイスであってもよい。システムプロセッサ７０２は、本明細書に記載の工程を実行するための処理ロジック７２６を実行するように構成される。

【0064】

コンピュータシステム７６０は、他のデバイス又は機械と通信するためのシステムネットワークインターフェースデバイス７０８を更に含み得る。また、コンピュータシステム７６０は、ビデオディスプレイ装置７１０（例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤ）、又は陰極線管（ＣＲＴ））、英数入力デバイス７１２（例えば、キーボード）、カーソル制御デバイス７１４（例えば、マウス）、及び信号生成デバイス７１６（例えば、スピーカ）を含み得る。

【0065】

二次メモリ７１８は、本明細書に記載の方法論又は機能のいずれか１又は複数を具現化する１又は複数の命令セット（例えば、ソフトウェア７２２）を記憶する機械アクセス可能記憶媒体７３１（又はより具体的にはコンピュータ可読記憶媒体）を含み得る。ソフトウェア７２２はまた、コンピュータシステム７６０によるその実行中に、完全に又は少なくとも部分的に、メインメモリ７０４内及び／又はシステムプロセッサ７０２内に常駐していてもよく、メインメモリ７０４及びシステムプロセッサ７０２はまた、機械可読記憶媒体を構成する。ソフトウェア７２２は、更に、システムネットワークインターフェースデバイス７０８を介してネットワーク７２０上で送信又は受信され得る。

【0066】

例示的な実施形態では、機械アクセス可能記憶媒体７３１を単一の媒体として示したが、用語「機械可読記憶媒体」は、１又は複数の命令セットを記憶する単一の媒体又は複数の媒体（例えば、集中又は分散データベース、及び／又は関連キャッシュとサーバ）を含むと解釈されるべきである。また、用語「機械可読記憶媒体」は、機械による実行のための命令セットを記憶又は符号化することができ、機械に方法論のいずれか１又は複数を実行させる任意の媒体を含むと解釈されるべきである。用語「機械可読記憶媒体」は、それに応じて、固体メモリ、光学媒体及び磁気媒体を含むとみなされるが、これらに限定されない。

【0067】

前述の明細書において、特定の例示的な実施形態を説明してきた。以下の特許請求の範囲から逸脱することなく、それに対して様々な変更がなされ得ることは明らかであろう。したがって、本明細書及び図面は、限定的な意味ではなく、例示的な意味で捉えられるべきである。

【図1A】

【図1B】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図4A】

【図4B】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7】