特許 7498856 位置ずれの散乱計測による単一波長測定およびその改良のためのシステムおよび方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-04

(45)【発行日】2024-06-12

(54)【発明の名称】位置ずれの散乱計測による単一波長測定およびその改良のためのシステムおよび方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20240605BHJP

【ＦＩ】

H01L21/66 P

H01L21/66 Z

【請求項の数】 21

(21)【出願番号】P 2023516164

(86)(22)【出願日】2021-02-04

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-10-02

(86)【国際出願番号】 US2021016493

(87)【国際公開番号】W WO2022055543

(87)【国際公開日】2022-03-17

【審査請求日】2023-12-06

(31)【優先権主張番号】63/077,722

(32)【優先日】2020-09-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】17/161,604

(32)【優先日】2021-01-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】500049141

【氏名又は名称】ケーエルエー コーポレイション

(74)【代理人】

【識別番号】110001210

【氏名又は名称】弁理士法人ＹＫＩ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ヤギル アロン

(72)【発明者】

【氏名】ラムホット ユヴァル

(72)【発明者】

【氏名】バチャール オハド

(72)【発明者】

【氏名】マヨ マーティン

(72)【発明者】

【氏名】ヤジブ タル

(72)【発明者】

【氏名】ヴォルコヴィッチ ロイエ

【審査官】小池 英敏

(56)【参考文献】

【文献】特表２０１７－５３７３１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／１８２６３７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１５／０３１６４９０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２００９／０２９６０７５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０１５５１７３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１５－０３８４７４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６６

Ｇ０１Ｂ １１／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体デバイスの異なる層間の位置ずれを測定する方法であって、前記方法は、
複数のパターン化半導体デバイスウェハ（ＰＳＤＷ）に関する瞳不正確性スケーラブル基底要素（ＰＩＳＢＥ）のセットを提供することと、
ＰＳＤＷ上の部位の単一の瞳画像を、前記部位の単一の測定を行うことによって生成することであって、前記ＰＳＤＷは、前記複数のＰＳＤＷのうちの１つであり、前記単一の瞳画像は、複数の部位固有のピクセルを含む、生成することと、
前記ＰＩＳＢＥのセットおよび前記複数の部位固有のピクセルを用いて、前記単一の瞳画像の部位固有の瞳不正確性スケーラブル基底要素スケーリングファクタ（ＰＩＳＢＥＳＦ）のセットを計算することと、
前記ＰＩＳＢＥのセットおよび前記部位固有のＰＩＳＢＥＳＦのセットを用いて、部位固有の位置ずれ値（ＳＳＭＶ）を計算することと
を含むことを特徴とする、方法。

【請求項2】

請求項１に記載の方法であって、前記ＰＳＤＷにおける前記部位の前記測定は、散乱計測ベース位置ずれ測定ツールからの入射放射線の単一の波長を用いて前記部位を測定することを含むことを特徴とする方法。

【請求項3】

請求項１に記載の方法であって、前記ＰＩＳＢＥのセットを前記提供することは、
対応する複数の基準測定から、複数の基準瞳画像を生成することであって、前記基準瞳画像はそれぞれ、複数の基準ピクセルを含み、前記複数の基準測定は、少なくとも、入射放射線の第１の波長を用いて行われた第１の基準測定と、入射放射線の第２の波長を用いて行われた第２の基準測定とを含む、生成することと、
前記基準瞳画像の対応する前記基準ピクセルに関連付けられた複数の基準ピクセル不正確性を特定することと、
前記基準ピクセル不正確性を用いて、前記ＰＩＳＢＥのセットを計算することと
を含むことを特徴とする方法。

【請求項4】

請求項３に記載の方法であって、前記ＰＩＳＢＥのセットを前記計算することは、
前記基準ピクセル不正確性を用いて、代表的なピクセル不正確性のセットを計算することと、
前記基準ピクセル不正確性のセットと、対応する前記代表的なピクセル不正確性のセットとの間の変動のセットを計算することと、
前記変動のセットの主成分のセットに基づいて、前記ＰＩＳＢＥのセットを計算することと
を含むことを特徴とする方法。

【請求項5】

請求項３に記載の方法であって、前記部位固有のＰＩＳＢＥＳＦのセットを前記計算することは、
ＰＩＳＢＥＳＦのセットの系統的部分（ＳＰＳＰ）のセットを提供することと、
前記ＳＰＳＰに対応する部位固有の残余部分（ＳＳＲＰ）のセットを近似することと、
前記ＳＰＳＰのセットと、対応する前記ＳＳＲＰのセットとを合算することによって、前記部位固有のＰＩＳＢＥＳＦのセットを計算することと
を含むことを特徴とする方法。

【請求項6】

請求項１に記載の方法であって、前記ＳＳＭＶは、
前記複数の部位固有のピクセルと、
前記ＰＩＳＢＥのセットと、
基準ＰＩＳＢＥＳＦのセットと
の関数であることを特徴とする方法。

【請求項7】

請求項６に記載の方法であって、前記ＳＳＭＶを前記計算することは、
第１の式を評価することであって、前記第１の式は、可変の位置ずれ値と、前記ＳＳＲＰのセットとの関数である、評価することと、
第２の式を評価することであって、前記第２の式は、前記ＳＳＲＰのセットの関数である、評価することと、
前記第１の式および前記第２の式を用いて、前記部位で用いるための、前記ＳＳＭＶと、前記ＳＳＲＰのセットの特定の値とを特定することと
を含むことを特徴とする方法。

【請求項8】

請求項１に記載の方法であって、キープロセスインジケータ（ＫＰＩ）を生成することを更に含み、前記ＫＰＩは、前記ＳＳＭＶの信頼性のインジケーションを提供し、前記ＫＰＩを生成することは、
前記単一の瞳画像の前記対応する複数の部位固有のピクセルの複数のピクセル位置ずれ値を計算することと、
前記ピクセル位置ずれ値の各々について重み係数を計算することと、
前記ＳＳＭＶからの前記ピクセル位置ずれ値の重み付き標準偏差として前記ＫＰＩを計算することと
を含むことを特徴とする方法。

【請求項9】

請求項８に記載の方法であって、前記複数のピクセル位置ずれ値は、前記ＰＩＳＢＥのセットおよび前記部位固有のＰＩＳＢＥＳＦのセットの関数であることを特徴とする方法。

【請求項10】

請求項３に記載の方法であって、前記基準測定は、基準パターン化半導体デバイスウェハ（ＲＰＳＤＷ）を測定し、前記基準パターン化半導体デバイスウェハ（ＲＰＳＤＷ）および前記ＰＳＤＷは、異なるウェハであることを特徴とする方法。

【請求項11】

請求項３に記載の方法であって、前記基準測定は、基準パターン化半導体デバイスウェハ（ＲＰＳＤＷ）を測定し、前記ＲＰＳＤＷおよび前記ＰＳＤＷは、同じウェハであることを特徴とする方法。

【請求項12】

請求項１に記載の方法であって、半導体デバイスウェハの製造プロセスにおいて、前記ＳＳＭＶを用いることを更に含むことを特徴とする方法。

【請求項13】

半導体デバイスの異なる層間の位置ずれを測定するためのシステムであって、前記システムは、
少なくとも１つの基準パターン化半導体デバイスウェハ（ＲＰＳＤＷ）上の少なくとも１つの基準部位の少なくとも２つの測定を行い、それによって、前記少なくとも１つの基準部位の各々について少なくとも２つの基準出力信号を生成するように動作可能な基準散乱計測ベース位置ずれ測定ツール（ＳＭＭＴ）と、
前記基準出力信号を分析し、それによって、複数のパターン化半導体デバイスウェハ（ＰＳＤＷ）に関する瞳不正確性スケーラブル基底要素（ＰＩＳＢＥ）のセットを提供するように動作可能なＲＰＳＤＷ分析器と、
少なくとも１つのＰＳＤＷ上の少なくとも１つの測定部位を測定し、それによって前記測定部位の単一の瞳画像を生成するように動作可能な部位固有のＳＭＭＴであって、前記ＰＳＤＷは、前記複数のＰＳＤＷのうちの１つである、部位固有のＳＭＭＴと、
前記ＰＩＳＢＥのセットを用いて前記単一の瞳画像を分析し、それによって、
部位固有の瞳不正確性スケーラブル基底要素スケーリングファクタ（ＰＩＳＢＥＳＦ）のセットと、
部位固有の位置ずれ値（ＳＳＭＶ）と、
を生成するように動作可能なＰＳＤＷ分析器と
を備えることを特徴とするシステム。

【請求項14】

請求項１３に記載のシステムであって、前記部位固有のＳＭＭＴは、入射放射線の単一の波長を用いて、前記少なくとも１つのＰＳＤＷ上の前記少なくとも１つの測定部位を測定することを特徴とするシステム。

【請求項15】

請求項１３に記載のシステムであって、前記基準ＳＭＭＴは、
少なくとも、入射放射線の第１の波長と、入射放射線の第２の波長とを用いて、前記少なくとも１つの基準パターン化半導体デバイスウェハ（ＲＰＳＤＷ）上の前記少なくとも１つの測定部位の各々を測定し、
前記入射放射線の第１の波長および前記入射放射線の第２の波長の各々から、単一の基準出力信号を生成する
ように動作可能であることを特徴とするシステム。

【請求項16】

請求項１３に記載のシステムであって、前記ＲＰＳＤＷおよび前記ＰＳＤＷは、異なるウェハであることを特徴とするシステム。

【請求項17】

請求項１３に記載のシステムであって、前記ＲＰＳＤＷおよび前記ＰＳＤＷは、同じウェハであることを特徴とするシステム。

【請求項18】

少なくとも１つの散乱計測ベース位置ずれ測定ツール（ＳＭＭＴ）と共に用いるためのシステムであって、前記少なくとも１つのＳＭＭＴは、少なくとも１つの基準パターン化半導体デバイスウェハ（ＲＰＳＤＷ）上の少なくとも１つの部位および少なくとも１つのパターン化半導体デバイスウェハ（ＰＳＤＷ）上の少なくとも１つの部位を測定するように動作可能であり、前記システムは、
前記少なくとも１つのＲＰＳＤＷの前記測定によって生成される複数の基準出力信号を分析し、それによって、前記少なくとも１つのＰＳＤＷに関する瞳不正確性スケーラブル基底要素（ＰＩＳＢＥ）のセットを提供するように動作可能なＲＰＳＤＷ分析器と、
前記ＰＩＳＢＥのセットを用いて、前記ＰＳＤＷの前記測定によって生成された単一の瞳画像を分析し、それによって、
部位固有の瞳不正確性スケーラブル基底要素スケーリングファクタ（ＰＩＳＢＥＳＦ）のセットと、
部位固有の位置ずれ値（ＳＳＭＶ）と
を生成するように動作可能なＰＳＤＷ分析器と
を備えることを特徴とする、システム。

【請求項19】

請求項１８に記載のシステムであって、前記単一の瞳画像は、前記ＰＳＤＷの入射放射線の単一の波長を用いた測定によって生成されることを特徴とするシステム。

【請求項20】

請求項１８に記載のシステムであって、前記ＲＰＳＤＷおよび前記ＰＳＤＷは、異なるウェハであることを特徴とするシステム。

【請求項21】

請求項１８に記載のシステムであって、前記ＲＰＳＤＷおよび前記ＰＳＤＷは、同じウェハであることを特徴とするシステム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、一般に、半導体デバイスの製造における位置ずれの測定に関する。

【背景技術】

【0002】

関連出願の参照
２０２０年９月１４日に出願された、「ＣＡＬＩＢＲＡＴＥＤ ＭＵＬＴＩ ＳＩＧＮＡＬ ＳＥＬＦ－ＡＣＣＵＲＡＣＹ ＭＥＴＲＯＬＯＧＹ」と題された米国仮特許出願第６３／０７７，７２２号が参照され、この米国仮特許出願の開示は、本願に引用して援用され、その優先権が主張される。
本出願人の以下の特許および特許出願も参照され、これらは、本出願の主題に関連し、これらの開示は、本願に引用して援用される。
「ＲＥＤＵＣＩＮＧ ＡＬＧＯＲＩＴＨＭＩＣ ＩＮＡＣＣＵＲＡＣＹ ＩＮ ＳＣＡＴＴＥＲＯＭＥＴＲＹ ＯＶＥＲＬＡＹ ＭＥＴＲＯＬＯＧＹ」と題された米国特許第９，８６９，５４３号、
「ＡＮＡＬＹＺＩＮＧ ＲＯＯＴ ＣＡＵＳＥＳ ＯＦ ＰＲＯＣＥＳＳ ＶＡＲＩＡＴＩＯＮ ＩＮ ＳＣＡＴＴＥＲＯＭＥＴＲＹ ＭＥＴＲＯＬＯＧＹ」と題された米国特許第１０，２０３，２００号、
「ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＦＯＲ ＤＥＴＥＣＴＩＮＧ ＯＶＥＲＬＡＹ ＥＲＲＯＲＳ ＵＳＩＮＧ ＳＣＡＴＴＥＲＯＭＥＴＲＹ」と題された欧州特許第１，５７０，２３２号、
「ＯＶＥＲＬＡＹ ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴ ＵＳＩＮＧ ＭＵＬＴＩＰＬＥ ＷＡＶＥＬＥＮＧＴＨ」と題されたＰＣＴ特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１８／０４９２９５号、および、
「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＭＥＡＳＵＲＩＮＧ ＡＮＤ ＣＯＲＲＥＣＴＩＮＧ ＭＩＳＲＥＧＩＳＴＲＡＴＩＯＮ ＢＥＴＷＥＥＮ ＬＡＹＥＲＳ ＩＮ Ａ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＤＥＶＩＣＥ， ＡＮＤ ＭＩＳＲＥＧＩＳＴＲＡＴＩＯＮ ＴＡＲＧＥＴＳ ＵＳＥＦＵＬ ＴＨＥＲＥＩＮ」と題されたＰＣＴ出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１９／０３０７７６号。

【0003】

半導体デバイスの製造における位置ずれの測定について、様々な方法およびシステムが知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】米国特許出願公開第２０１６／０３１３６５８号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、半導体デバイスの製造における位置ずれの測定のための改善された方法およびシステムを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

このため、本発明の好ましい実施形態によれば、半導体デバイスの異なる層間の位置ずれを測定する方法が提供され、この方法は、複数のパターン化半導体デバイスウェハ（ＰＳＤＷ）に関する瞳不正確性スケーラブル基底要素（ＰＩＳＢＥ）のセットを提供することと、ＰＳＤＷ上の部位の単一の瞳画像を、部位の単一の測定を行うことによって生成することであって、ＰＳＤＷは、複数のＰＳＤＷのうちの１つであり、単一の瞳画像は、複数の部位固有のピクセルを含む、生成することと、ＰＩＳＢＥのセットおよび複数の部位固有のピクセルを用いて、単一の瞳画像の部位固有の瞳不正確性スケーラブル基底要素スケーリングファクタ（ＰＩＳＢＥＳＦ）のセットを計算することと、ＰＩＳＢＥのセットおよび部位固有のＰＩＳＢＥＳＦのセットを用いて、部位固有の位置ずれ値（ＳＳＭＶ）を計算することとを含む。

【0007】

本発明の好ましい実施形態によれば、ＰＳＤＷにおける部位の測定は、入射放射線の単一の波長を用いて部位を測定することを含む。

【0008】

好ましくは、ＰＩＳＢＥのセットを提供することは、対応する複数の基準測定から、複数の基準瞳画像を生成することであって、基準瞳画像はそれぞれ、複数の基準ピクセルを含み、複数の基準測定は、少なくとも、入射放射線の第１の波長を用いて行われた第１の基準測定と、入射放射線の第２の波長を用いて行われた第２の基準測定とを含むことと、基準瞳画像の対応する基準ピクセルに関連付けられた複数の基準ピクセル不正確性を特定することと、基準ピクセル不正確性を用いて、ＰＩＳＢＥのセットを計算することとを含む。

【0009】

本発明の好ましい実施形態によれば、ＰＩＳＢＥのセットを計算することは、基準ピクセル不正確性を用いて、代表的なピクセル不正確性のセットを計算することと、基準ピクセル不正確性のセットと、対応する代表的なピクセル不正確性のセットとの間の変動のセットを計算することと、変動のセットの主成分のセットに基づいて、ＰＩＳＢＥのセットを計算することとを含む。

【0010】

好ましくは、部位固有のＰＩＳＢＥＳＦのセットを計算することは、ＰＩＳＢＥＳＦのセットの系統的部分（ＳＰＳＰ）のセットを提供することと、ＳＰＳＰに対応する部位固有の残余部分（ＳＳＲＰ）のセットを近似することと、ＳＰＳＰのセットと、対応するＳＳＲＰのセットとを合算することによって、部位固有のＰＩＳＢＥＳＦのセットを計算することとを含む。

【0011】

本発明の好ましい実施形態によれば、ＳＳＭＶは、複数の部位固有のピクセルと、ＰＩＳＢＥのセットと、基準ＰＩＳＢＥＳＦのセットとの関数である。

【0012】

好ましくは、ＳＳＭＶを計算することは、第１の式を評価することであって、第１の式は、可変の位置ずれ値と、ＳＳＲＰのセットとの関数であることと、第２の式を評価することであって、第２の式はＳＳＲＰのセットの関数であることと、第１の式および第２の式を用いて、部位での使用に特に適した、ＳＳＭＶと、ＳＳＲＰのセットの特定の値とを特定することとを含む。

【0013】

本発明の好ましい実施形態において、方法は、キープロセスインジケータ（ＫＰＩ）を生成することも含み、ＫＰＩはＳＳＭＶの信頼性のインジケーションを提供する。

【0014】

好ましくは、ＫＰＩを生成することは、単一の瞳画像の対応する複数の部位固有のピクセルの複数のピクセル位置ずれ値を計算することと、ピクセル位置ずれ値の各々について重み係数を計算することと、ＳＳＭＶからのピクセル位置ずれ値の重み付き標準偏差としてＫＰＩを計算することとを含む。

【0015】

好ましくは、複数のピクセル位置ずれ値は、ＰＩＳＢＥのセットおよび部位固有のＰＩＳＢＥＳＦのセットの関数である。

【0016】

本発明の好ましい実施形態によれば、基準測定は、基準パターン化半導体デバイスウェハ（ＲＰＳＤＷ）を測定し、ＲＰＳＤＷおよびＰＳＤＷは異なるウェハである。

【0017】

代替的に、本発明の好ましい実施形態によれば、基準測定は、基準パターン化半導体デバイスウェハ（ＲＰＳＤＷ）を測定し、ＲＰＳＤＷおよびＰＳＤＷは同じウェハである。

【0018】

本発明の好ましい実施形態によれば、方法は、半導体デバイスウェハの製造プロセスにおいてＳＳＭＶを用いることも含む。

【0019】

本発明の別の好ましい実施形態によれば、半導体デバイスの異なる層間の位置ずれを測定するためのシステムも提供され、このシステムは、少なくとも１つの基準パターン化半導体デバイスウェハ（ＲＰＳＤＷ）上の少なくとも１つの基準部位の少なくとも２つの測定を行い、それによって、少なくとも１つの基準部位の各々について少なくとも２つの基準出力信号を生成するように動作可能な基準散乱計測ベース位置ずれ測定ツール（ＳＭＭＴ）と、基準出力信号を分析し、それによって、複数のパターン化半導体デバイスウェハ（ＰＳＤＷ）に関する瞳不正確性スケーラブル基底要素（ＰＩＳＢＥ）のセットを提供するように動作可能なＲＰＳＤＷ分析器と、少なくとも１つのＰＳＤＷ上の少なくとも１つの測定部位を測定し、それによって測定部位の単一の瞳画像を生成するように動作可能な部位固有のＳＭＭＴであって、ＰＳＤＷは、複数のＰＳＤＷのうちの１つである、部位固有のＳＭＭＴと、ＰＩＳＢＥのセットを用いて単一の瞳画像を分析し、それによって、部位固有の瞳不正確性スケーラブル基底要素スケーリングファクタ（ＰＩＳＢＥＳＦ）のセットと、部位固有の位置ずれ値（ＳＳＭＶ）とを生成するように動作可能なＰＳＤＷ分析器とを備える。

【0020】

本発明のまた別の好ましい実施形態によれば、少なくとも１つの散乱計測ベース位置ずれ測定ツール（ＳＭＭＴ）と共に用いるためのシステムが更に提供され、少なくとも１つのＳＭＭＴは、少なくとも１つの基準パターン化半導体デバイスウェハ（ＲＰＳＤＷ）上の少なくとも１つの部位および少なくとも１つのパターン化半導体デバイスウェハ（ＰＳＤＷ）上の少なくとも１つの部位を測定するように動作可能であり、このシステムは、少なくとも１つのＲＰＳＤＷの測定によって生成される複数の基準出力信号を分析し、それによって、少なくとも１つのＰＳＤＷに関する瞳不正確性スケーラブル基底要素（ＰＩＳＢＥ）のセットを提供するように動作可能なＲＰＳＤＷ分析器と、ＰＩＳＢＥのセットを用いて、ＰＳＤＷの測定によって生成された単一の瞳画像を分析し、それによって、部位固有の瞳不正確性スケーラブル基底要素スケーリングファクタ（ＰＩＳＢＥＳＦ）のセットと、部位固有の位置ずれ値（ＳＳＭＶ）とを生成するように動作可能なＰＳＤＷ分析器とを備える。

【0021】

本発明は、図面と併せて読むと、以下の詳細な説明からより完全に理解および認識されるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】本発明の好ましい実施形態を示す簡略化されたフローチャートである。

【図2】図１の実施形態の一部分を示す簡略化されたフローチャートである。

【図3】図１および図２の実施形態の一部分を示す簡略化されたフローチャートである。

【図4】図１～図３の実施形態の一部分を示す簡略化されたフローチャートである。

【図5A】図１～図４の実施形態で用いるためのシステムの好ましい実施形態の簡略化された概略図である。

【図5B】図１～図４の実施形態で用いるためのシステムの別の好ましい実施形態の簡略化された概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

図１～図５Ｂを参照して以下で説明されるシステムおよび方法は、好ましくは、半導体デバイスの異なる層間の位置ずれを測定するのに用いられ、半導体デバイスの製造プロセスの一部であることが理解される。図１～図５Ｂを参照して以下で説明されるシステムおよび方法によって計算される位置ずれ値は、好ましくは、半導体デバイスの製造中にリソグラフィ等の製造プロセスを調整し、製造されている半導体デバイスの様々な層間の位置ずれを改善させるのに用いられる。

【0024】

通常、複数のパターン化層を有する半導体デバイスの製造において、様々な層が、好ましくは１０ｎｍ未満の許容範囲内、より好ましくは３ｎｍ未満の許容範囲内の厳密な空間的位置合わせ状態に維持されることが必要とされる。

【0025】

パターン化半導体デバイスウェハ（ＰＳＤＷ）上で形成される半導体デバイスの様々な層の空間的位置合わせを維持するために、通常、半導体デバイスの製造プロセス全体にわたって複数回、位置ずれが測定される。通常、位置ずれ測定ツールによって生成される位置ずれ測定からの出力信号は、ＰＳＤＷ上に形成される少なくとも２つの層間の位置ずれに起因した第１の部分と、測定不正確性等のノイズに起因した第２の部分とを含む。半導体デバイスの物理的位置ずれの良好な表現である位置ずれ値を計算するために、出力信号のいずれの部分が測定不正確性に起因するかを特定することが有利であり、それによって、その部分を、そこから位置ずれ値を計算する前に出力信号から除去することができる。

【0026】

以下で図１～図５Ｂを参照して説明される方法およびシステムは、散乱計測ベース位置ずれ測定ツール（ＳＭＭＴ）と共に用いるのに特に適している。ＳＭＭＴとして適した一般的ツールは、米国カリフォルニア州ミルピタスのＫＬＡ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから市販されているＡＴＬ（商標）１００である。ＳＭＭＴによって行われる各測定が入射放射線の単一の波長を用いて行われることが特に本発明の特徴である。

【0027】

本明細書において用いられるとき、用語「放射線の単一の波長」または「入射放射線の単一の波長」は、厳密に単一の波長を有する放射線を指す必要がないことが理解される。むしろ、用語「放射線の単一の波長」または「入射放射線の単一の波長」は各々、挟帯域幅の波長によって特徴付けられる放射線、例えば、２５ｎｍ未満、より好ましくは１５ｎｍ未満、最も好ましくは１０ｎｍ未満の帯域幅を有する放射線を指す。そのような放射線は、好ましくは、５μｍ～１００μｍのコヒーレンス長によって特徴付けられる。加えて、そのような放射線は、好ましくは、比較的少数の、好ましくは１０個未満の空間モードを含む。

【0028】

図１～図５Ｂを参照して以下で説明される方法およびシステムは、好ましくは、複数の、最も一般的には一対の周期的構造を測定するのに用いられ、この周期的構造は、互いに少なくとも部分的に重なり合い、ＰＳＤＷ上に形成される。そのような周期的構造は、通常、欧州特許第１，５７０，２３２号に記載の標的のうちの１つ等の標的の一部として形成される。本発明の１つの実施形態において、周期的構造は、ＰＳＤＷ上に形成される機能的半導体デバイスと別個であり、本発明の別の実施形態では、周期的構造は、ＰＳＤＷ上に形成された機能的半導体デバイスまたはその一部分に含まれる。欧州特許第１，５７０，２３２号により詳細に記載されているように、周期的構造は、完全な位置合わせ状態にあるとき、所定のオフセットｆ_０だけ互いからオフセットされている。

【0029】

米国特許第１０，２０３，２００号により詳細に記載されているように、ＳＭＭＴによる周期的構造の各位置ずれ測定は、出力信号を生成し、これは通常、複数の、通常数千個のピクセルを含む瞳画像として表される。各ピクセルは、反射された放射線の特定の角度によって生成され、反射される放射線は、周期的構造のうちの少なくとも１つによる入射放射線の反射である。

【0030】

瞳画像は、好ましくは、周期的構造の瞳位置ずれ値を計算するのに用いられることが理解される。瞳の位置ずれは、複数のピクセル位置ずれ値を含み、ここで、各ピクセル位置ずれ値は、通常、ナノメートル単位の位置ずれ値を表す。

【0031】

通常、瞳画像内の各ピクセルは、ピクセル非対称性Ｋおよびピクセル感度Ｇによって特徴付けられる。或る波長λを有する入射放射線を用いて測定された任意の特定のピクセルについて、

【数1】

【0032】

および

【数2】

であることが理解される。

【0033】

ＰＣＴ特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１８／０４９２９５号において、より詳細に記載されているように、Ｄ_１は、標的における周期的構造の第１のセットによって反射された放射線によって生成された瞳画像からの第１のピクセルと対応する第２のピクセルとの間のグレイレベル強度の差である。第１のピクセルおよび第２のピクセルは、それぞれ、周期的構造の第１のセットによって反射された放射線の^＋１回折次数および^－１回折次数を表す。同様に、Ｄ_２は、標的における周期的構造の第２のセットによって反射された放射線によって生成された瞳画像からの第３のピクセルと対応する第４のピクセルとの間のグレイレベル強度の差である。第３のピクセルおよび第４のピクセルは、それぞれ、周期的構造の第２のセットによって反射された放射線の^＋１回折次数および^－１回折次数を表す。

【0034】

標的内の周期的構造の第２のセットからの^＋１回折次数および^－１回折次数の対応するピクセル間のグレイレベル強度の差である。

【0035】

以下で単一波長法（ＳＷＭ）と呼ばれる、米国特許第９，８６９，５４３号において開示されている方法等の、ＳＭＭＴを用いて周期的構造の位置ずれを測定するいくつかの方法は、通常、入射放射線の単一の波長を用いて周期的構造の１つの測定を行うことによって、周期的構造の位置ずれを生成する。そのような方法において、周期的構造の瞳位置ずれは、式３によって与えられる。

【数3】

【0036】

ここで、ε_ＳＷＬは、ＳＷＭによって計算される瞳位置ずれであり、ｆ_０は、周期的構造間の所定のオフセットであり、Ｋは瞳非対称性であり、Ｇは瞳感度である。

【0037】

以下で多波長法（ＭＷＭ）と呼ばれる、ＰＣＴ特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１８／０４９２９５号において開示されている方法等の、ＳＭＭＴを用いて周期的構造の位置ずれを測定する他の方法は、通常、周期的構造の複数の測定を行うことによって、周期的構造の位置ずれを生成し、各測定は、入射放射線の異なる単一の波長を用いる。そのような方法において、周期的構造の瞳位置ずれは、式４によって与えられる。

【数4】

【0038】

ここで、ε_ＭＷＬは瞳位置ずれであり、ｆ_０は周期的構造間の所定のオフセットであり、ｐおよびｐ’は、瞳画像内のピクセルのインデックスであり、角括弧〈〉は、ＭＷＭ内で用いられる波長にわたって取られた平均を示す。ＰＣＴ特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１８／０４９２９５号により完全に説明されているように、式４は、式５によって与えられるピクセル補正δＡ_ＭＷＬを適用することによって得られる。

【数5】

【0039】

ここで、Ｋ_ｐは、評価されているピクセルのピクセル非対称性であり、Ｇ_ｐは、評価されているピクセルのピクセル感度であり、ε_ＭＷＬ（ｐｉｘ）は式４からの瞳位置ずれであり、ｆ_０は、周期的構造間の所定のオフセットであり、角括弧〈〉は、ＭＷＭ内で用いられる波長にわたって取られた平均を示す。

【0040】

当該技術分野において既知であるように、ＳＷＭによって生成される瞳位置ずれは、ＭＷＭによって生成される瞳位置ずれのピクセル位置ずれ値の異なる値間の変動と比較して、そのピクセル位置ずれ値の異なる値間の変動が比較的大きい。しかしながら、ピクセルは反射角と相関し、周期的構造は、放射線の反射角に本質的に依拠しない単一の物理的位置ずれを有する。このため、ＳＷＭによって生成されるピクセル位置ずれ値間の変動は、望ましくないピクセル不正確性を含むノイズを示す。

【0041】

対照的に、ＭＷＭによって生成される瞳位置ずれは、瞳画像から少なくともいくらかのピクセル不正確性を除去することによって生成される。したがって、そのピクセル位置ずれ値の異なる値間の変動は、ＳＷＭによるピクセル位置ずれ値の異なる値間の変動と比較して、相対的に小さい。ＭＷＭによって生成されるピクセル位置ずれ値間の相対的に小さな変動は、それによって生成される瞳位置ずれが、通常、ＳＷＭによって生成される瞳位置ずれよりも、周期的構造間の位置ずれのより信頼性の高いインジケーションであることを示す。しかしながら、上記で論じたように、ＭＷＭは、入射放射線の複数の波長を用いて周期的構造の位置ずれを測定する。したがって、ＭＷＭは、周期的構造の複数の測定を行うことを必要とし、これは、製造スループットに影響を及ぼす時間のかかるプロセスであり、所与の時間量において製造することができる半導体デバイスの数が低減される。

【0042】

本発明は、ピクセル不正確性、瞳不正確性、ピクセル位置ずれ値および瞳位置ずれの特定のための改善した、相対的に高速のシステムおよび方法を提供しようとする。より詳細には、本発明は、好ましくは、通常、入射放射線の単一の波長を用いて周期的構造を１回測定する。本発明において、周期的構造のピクセル位置ずれ値は、各々式６によって与えられる。

【数6】

【0043】

ここで、ε（ｐｉｘ）は、評価されているピクセルのピクセル位置ずれ値であり、ｆ_０は、周期的構造間の所定のオフセットであり、Ｋ（ｐｉｘ）は、評価されているピクセルのピクセル非対称性であり、Ｇ（ｐｉｘ）は、評価されているピクセルのピクセル感度であり、δＡ（ｐｉｘ）は、評価されているピクセルのピクセル不正確性である。図１～図４を参照して以下でより詳細に説明されるように、本発明は、以下の式７を用いてピクセル不正確性δＡ（ｐｉｘ）を測る（ｓｐａｎ）。

【数7】

【0044】

ここで、

【数8】

は代表的なピクセル不正確性であり、α_μは瞳不正確性スケーラブル基底要素スケーリングファクタ（ＰＩＳＢＥＳＦ）であり、Ｖ_μ（ｐｉｘ）は、瞳不正確性スケーラブル基底要素（ＰＩＳＢＥ）Ｖ_μの、特定のピクセルに対応する要素である。μは、評価されているそれぞれのＰＩＳＢＥおよびＰＩＳＢＥＳＦのインデックスであることが理解される。

【0045】

ＰＩＳＢＥは、複数のパターン化半導体デバイスウェハ（ＰＳＤＷ）に関係する固有ベクトルであることが理解される。より詳細には、ＰＩＳＢＥは、周期的構造の測定によって生成された瞳画像の瞳不正確性を再構成するための有用な基礎を形成する。

【0046】

ＰＩＳＢＥは、瞳不正確性を測る固有ベクトルであるため、ＰＩＳＢＥは、式７において行われるように、瞳不正確性を再構成するための有用な基礎を形成する。式７におけるように、好ましくは、ＰＩＳＢＥの各々は、それに対応するＰＩＳＢＥＳＦを乗算され、結果として得られる積が合算され、瞳不正確性の部位固有の部分が生成される。その後、瞳不正確性の部位固有の部分が代表的な瞳不正確性に加えられ、全体的な瞳不正確性が生成される。

【0047】

瞳画像がピクセルから形成され、瞳位置ずれがピクセル位置ずれ値から形成されるのと同じように、ＰＩＳＢＥ、代表的な瞳不正確性および瞳不正確性も各々ピクセルレベルデータから形成されることが理解される。したがって、ＰＩＳＢＥ、代表的な瞳不正確性および瞳不正確性の各々は、多くの場合、有利には行列として表され、ここで、各行列はピクセルごとに１つの要素を含む。

【0048】

当該技術分野において周知であるように、通常のＰＳＤＷは、同一であるように意図される多くの構造を有するように製造される。更に、特定の設計を有するＰＳＤＷは、通常、そのような設計を有する複数のＰＳＤＷを含むバッチの一部として製造され、特定の設計は、多くの場合、ＰＳＤＷの複数のバッチを製造するのに用いられる。本発明によって生成されるＰＩＳＢＥは、式７によって評価される周期的構造、およびそれに類似した周期的構造の双方に有用であることが理解される。そのような類似の周期的構造は、式７によって評価されるのと同じＰＳＤＷの他の場所、単一のバッチの他のＰＳＤＷ上、または更には、ＰＳＤＷが式７によって評価されるＰＳＤＷと同じ特定の設計を用いて製造される限り、異なるバッチの他のＰＳＤＷ上に形成することができる。

【0049】

ここで図１を参照する。図１は、方法３００の好ましい実施形態を示す簡略化されたフローチャートである。上記で説明したように、方法３００は、好ましくは、半導体デバイスの製造プロセスの一部である。方法３００の示される部分は、通常、ＰＳＤＷ上の少なくとも２つの層の形成後に開始することが理解される。

【0050】

図１から分かるように、第１のステップ３０２において、瞳不正確性スケーラブル基底要素（ＰＩＳＢＥ）のセットが提供される。上記で説明したように、ＰＩＳＢＥは、複数のＰＳＤＷに関係する固有ベクトルである。より詳細には、ＰＩＳＢＥは、周期的構造の測定によって生成された瞳画像の瞳不正確性を再構成するための有用な基礎を形成する。図２を参照して以下で更に説明されるように、ステップ４０２において、複数の基準瞳が生成され、分析される。

【0051】

本発明の好ましい実施形態において、ステップ３０２は、１つ以上の基準パターン化半導体デバイスウェハ（ＲＰＳＤＷ）について１回実行され、結果の単一のセットを生成し、ステップ３０２において生成された結果の単一のセットが、方法３００を用いて処理される複数のＰＳＤＷについて用いられる。このため、本発明の好ましい実施形態において、ステップ３０２は１回実行されるのに対し、方法３００の残りのステップは複数のＰＳＤＷについて実行される。

【0052】

次のステップ３０４において、ＰＳＤＷ上の部位の単一の瞳画像が生成される。本明細書において用いられるとき、用語「部位」は、周期的構造の位置ずれ測定に適したＰＳＤＷの一部分を指す。好ましくは、単一の瞳画像は、入射放射線の単一の波長を用いて、ＳＭＭＴにより部位の単一の測定を行うことによって生成される。部位を測定することによって生成される瞳画像は、好ましくは、複数の、通常数千個の部位固有のピクセルを含む。

【0053】

その後、次のステップ３０６において、ステップ３０４において生成された単一の瞳画像について、部位固有の瞳不正確性スケーラブル基底要素スケーリングファクタ（ＰＩＳＢＥＳＦ）および部位固有の位置ずれ値（ＳＳＭＶ）のセットが計算される。

【0054】

ステップ３０２において提供されたＰＩＳＢＥのセットと、ステップ３０４において生成された単一の瞳画像の部位固有のピクセルからのデータとを用いて、部位固有のＰＩＳＢＥＳＦが計算される。ＳＳＭＶは、好ましくは、ステップ３０２において提供されたＰＩＳＢＥのセットと、ステップ３０６においてＳＳＭＶと共に計算される部位固有のＰＩＳＢＥＳＦのセットとを用いて計算される。ステップ３０６は、図３を参照して以下で更に説明される。

【0055】

好ましくは、次のステップ３０８において、キープロセスインジケータ（ＫＰＩ）が生成される。通常、瞳３σ（Ｐ３Ｓ）値として具現化されるＫＰＩは、ステップ３０６において計算されるＳＳＭＶの信頼性のインジケーション、好ましくは量的インジケーションを提供する。ステップ３０８は、図４を参照して以下で更に説明される。

【0056】

次のステップ３２２において、３０８において生成されたＫＰＩが評価される。本発明の１つの実施形態において、ＫＰＩが所定の許容範囲内にない場合、方法３００はステップ３０４に戻り、部位の別の単一の瞳画像が生成される。本発明の他の実施形態において、ＫＰＩが所定の許容範囲内にない場合、方法３００はステップ３０４に戻り、ＰＳＤＷ上の異なる部位の単一の瞳画像が生成される。本発明の更に別の実施形態において、ＫＰＩが所定の許容範囲内にない場合、方法３００が終了する。

【0057】

ＫＰＩが所定の許容範囲内にある場合、次のステップ３２４において、ステップ３０６において生成されたＳＳＭＶが、半導体デバイスウェハの製造プロセスにおける使用について評価される。ステップ３０６において生成されたＳＳＭＶが所定の許容範囲内にない場合、次のステップ３２６において、ステップ３０６において生成されたＳＳＭＶを用いて、調整された製造パラメータのセットを生成する。好ましくは、調整された製造パラメータのセットを用いて、ＰＳＤＷの少なくとも１つの層を製造し、それによって、その層間の位置ずれを改善し、次のステップ３２８において、ＰＳＤＷの製造プロセスが継続する。

【0058】

しかしながら、ステップ３２４において、ステップ３０６において生成されたＳＳＭＶが所定の許容範囲内にあることが分かった場合、ステップ３２８において、ＰＳＤＷの製造プロセスは、方法３００に起因した製造パラメータに対する調節なしで継続する。

【0059】

ここで図２を参照する。図２は、方法３００のステップ３０２を示す簡略化されたフローチャートである。図２から分かるように、第１のステップ４０２において、複数の基準出力信号が対応する複数の基準測定から生成される。好ましくは、基準出力信号は、ＳＭＭＴによって生成され、基準瞳画像として表される。基準瞳画像の各々が、好ましくは複数の基準ピクセルを含む。

【0060】

好ましくは、ステップ３０２において行われる基準測定は、１つ以上のＲＰＳＤＷを測定する。本発明の１つの実施形態において、ステップ３０２において測定される少なくとも１つのＲＰＳＤＷおよびステップ３０４において測定されるＰＳＤＷは異なるウェハである。本発明の別の実施形態において、ステップ３０２において測定される少なくとも１つのＲＰＳＤＷおよびステップ３０４において測定されるＰＳＤＷは同じウェハである。しかしながら、ステップ３０２において測定される少なくとも１つのＲＰＳＤＷおよびステップ３０４において測定されるＰＳＤＷは、好ましくは単一の設計を共有する。本発明の１つの実施形態において、ステップ３０２において測定される少なくとも１つのＲＰＳＤＷおよびステップ３０４において測定されるＰＳＤＷは、ＰＳＤＷの単一のバッチで製造される。

【0061】

本発明の１つの実施形態において、ステップ３０４において用いられるＳＭＭＴは、ステップ４０２において用いられるのと同じＳＭＭＴである。本発明の別の実施形態において、ステップ３０４およびステップ４０２において異なるＳＭＭＴが用いられる。

【0062】

本発明の１つの実施形態において、複数の基準測定は、少なくとも、入射放射線の第１の単一の波長を用いて行われた単一の基準部位の第１の基準測定と、入射放射線の第２の単一の波長を用いて行われた単一の基準部位の第２の基準測定とを含む。本発明のいくつかの実施形態において、単一の基準部位の追加の基準測定が行われ、各追加の測定は、入射放射線の追加の単一の波長を用いて行われる。

【0063】

本発明の代替的な実施形態において、複数の基準測定は複数の基準部位の複数の基準測定を含む。好ましくは、複数の基準部位の各々が少なくとも２つの基準測定を用いて測定される。少なくとも２つの基準測定は、それぞれ、入射放射線の単一の波長を用いて行われ、単一の基準部位の各基準測定において用いられる入射放射線の単一の波長は互いに異なる。基準瞳画像が生成される基準部位の総数は、本明細書においてＮ_{ｓｉｔｅｓ}と呼ばれる。

【0064】

本発明の好ましい実施形態において、基準測定は、基準部位の各々において入射放射線の２～７個の波長を用いて５０～４００個の基準部位について行われる。

【0065】

次のステップ４０４において、複数の基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）が特定される。複数の基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）が、ピクセルの非対称性に寄与するが、部位の位置ずれ以外の測定ノイズを示す部分である。当該技術分野において既知であるように、中でも、瞳画像データを電子ビーム顕微鏡によって生成されたデータと比較することと、瞳データをＰＣＴ出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１９／０３０７７６号に記載されているプロセス等の校正プロセスによって生成されるデータと比較することとを含む、複数の基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）に属する瞳画像の部分を特定する多くの方法が存在する。基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）は、ステップ４０２において生成された基準瞳画像の対応する基準ピクセルに関連付けられていることが理解される。その後、次のステップ４０６において、基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）を用いてＰＩＳＢＥのセットが計算される。

【0066】

図２に示すように、ステップ４０６は複数のサブステップを含む。第１のサブステップ４２２において、代表的なピクセル不正確性

【数9】

のセットが、ステップ４０４において特定された基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）を用いて計算される。ステップ４０６において用いられる計算は式８によって与えられ、式８は、瞳画像内の各ピクセルについて代表的なピクセル不正確性

【数10】

のセットを計算する。

【数11】

【0067】

ここで、Ｎ_{ｓｉｔｅｓ}は、ステップ４０２において基準瞳画像が生成された基準部位の総数であり、δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ，ｓｉｔｅ）は、評価されているピクセルの基準部位の基準ピクセル不正確性である。

【0068】

式８は、ステップ４０４において特定された基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）の数学的平均を計算し、各代表的なピクセル正確性

【数12】

の値としてこの数学的平均を用いることが理解される。しかしながら、基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）の他の適切な操作を用いて各代表的なピクセル不正確性

【数13】

の値を生成することもできることが理解される。例えば、ステップ４０４において特定された基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）の中央値または最頻値を、各代表的なピクセル不正確性

【数14】

の値として用いることができる。更なる例として、ステップ４０４において特定された基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）の加重平均、加重中央値または加重最頻値を、各代表的なピクセル不正確性

【数15】

の値として用いることができる。

【0069】

代表的なピクセル不正確性

【数16】

のセットが複数のＰＳＤＷ上の複数の部位に関係することが本発明の特定の特徴である。より詳細には、代表的なピクセル不正確性

【数17】

のセットは、周期的構造の測定によって生成された瞳画像の瞳不正確性の再構成に有用である。

【0070】

次のサブステップ４２４において、基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）のセットと、対応する代表的なピクセル不正確性

【数18】

のセットとの間の変動δＡ_ｖａｒ（ｐｉｘ）のセットが式９を用いて計算される。

【数19】

【0071】

その後、次のサブステップ４２６において、変動δＡ_ｖａｒ（ｐｉｘ）の主成分のセットが、主成分分析を用いて計算される。

【0072】

次のサブステップ４２８において、変動のセットの主成分のセットに基づいてＰＩＳＢＥのセットが計算される。式１０におけるように、変動δＡ_ｖａｒ（ｐｉｘ）を、ＰＩＳＢＥすなわちＶ_μのセットと、対応する基準ＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_{μ＿ｒｅｆ}のセットとの関数として表すことができることが本発明の特定の特徴である。

【数20】

【0073】

ここで、μは、評価されている基準ＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_{μ＿ｒｅｆ}およびＰＩＳＢＥすなわちＶ_μのインデックスである。以下で式１１を参照して論じられるように、本発明は、基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）の計算的に有利な表現を提供しようとする。したがって、計算されなくてはならない項目数を低減するために、ＰＩＳＢＥすなわちＶ_μの全てではないがいくつかの要素Ｖ_μ（ｐｉｘ）が式１０において用いられる。

【0074】

式７と同じ形式を有する以下の式１１は、式９および式１０の組み合わせと代数的に等価である。

【数21】

【0075】

ここで、δＡ_{ｒｅｆ＿ｃａｌｃ}（ｐｉｘ）は、評価されているピクセルについて計算される基準ピクセル不正確性であり、同じＶ_μ（ｐｉｘ）が式１０および式１１の双方において用いられる。式１１における基準ピクセル不正確性δＡ_{ｒｅｆ＿ｃａｌｃ}（ｐｉｘ）のセットの表現は、ＰＩＳＢＥすなわちＶ_μを用いた基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）のセットを表すことが理解される。

【0076】

換言すれば、式１１において、基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）のセットにおける各ピクセルについて独立して計上するのではなく、基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）のセットは、ＰＩＳＢＥすなわちＶ_μの基底を用いて表される、計算された基準ピクセル不正確性δＡ_{ｒｅｆ＿ｃａｌｃ}（ｐｉｘ）のセットと置き換えられる。通常、数千個のピクセルと、１００個未満、より一般的には５０個未満のＰＩＳＢＥすなわちＶ_μとが存在するため、式１１における計算された基準ピクセル不正確性δＡ_{ｒｅｆ＿ｃａｌｃ}（ｐｉｘ）のセットの表現は、基準ピクセル不正確性、δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）のセットにおける各ピクセルについて独立して計上することと比較して、計算的に有利である。

【0077】

このため、サブステップ４２８において、方法３００は、計算された基準ピクセル不正確性δＡ_{ｒｅｆ＿ｃａｌｃ}（ｐｉｘ）のセットを生成するために、ＰＩＳＢＥすなわちＶ_μのセットおよび代表的なピクセル不正確性

【数22】

のセットと共に用いるように動作可能な基準ＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_{μ＿ｒｅｆ}のセットを提供する。好ましくは、計算された基準ピクセル不正確性δＡ_{ｒｅｆ＿ｃａｌｃ}（ｐｉｘ）のセットと、基準ピクセル不正確性δＡ_ｒｅｆ（ｐｉｘ）のセットとの間の複数の対応する差は、所定の許容範囲内にある。

【0078】

式１２におけるように、基準ＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_{μ＿ｒｅｆ}のセットは、ＰＩＳＢＥＳＦのセットの対応する系統的部分（ＳＰＳＰ）

【数23】

のセットと、基準ＰＩＳＢＥＳＦのセットの対応する残余部分

【数24】

のセットとの和として表すことができる。

【数25】

【0079】

基準ＰＩＳＢＥＳＦのセットの残余部分

【数26】

のセットは、基準ＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_{μ＿ｒｅｆ}のセットの、ＳＰＳＰ

【数27】

のセットに含まれない部分を含むことが理解される。基準ＰＩＳＢＥＳＦの残余部分

【数28】

のセットは、基準ＰＩＳＢＥＳＦの残余部分

【数29】

のセットが特定される基準ＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_{μ＿ｒｅｆ}のセットに対応する基準部位に固有である。しかしながら、ＳＰＳＰ

【数30】

のセットが、複数のＰＳＤＷ上の複数の部位に関係することが本発明の特定の特徴である。より詳細には、ＳＰＳＰ

【数31】

のセットは、周期的構造の測定によって生成される瞳画像についての瞳不正確性の再構成に有用である。

【0080】

本発明の好ましい実施形態において、基準ＰＩＳＢＥＳＦの残余部分

【数32】

のセットの分布は、多変量ガウス分布として近似される。これはゼロの平均を有し、式１３において定義される共分散行列Σ_βγによって特徴付けられる。

【数33】

【0081】

ここで、βおよびγはそれぞれ、基準ＰＩＳＢＥＳＦの残余部分

【数34】

のセットのインデックスであり、式１３における括弧は、式１３が、基準部位の各々について計算される、基準ＰＩＳＢＥＳＦの残余部分

【数35】

のセットの要素の平均を取ることを示す。

【0082】

当該技術分野において既知であるように、共分散行列Σ_βγは、基準ＰＩＳＢＥＳＦの残余部分

【数36】

のセットの要素

【数37】

および

【数38】

の各対間の共分散を定量化する正方行列である。このため、共分散行列Σ_βγは、

【数39】

および

【数40】

の共同変動性（ｊｏｉｎｔ ｖａｒｉａｂｉｌｉｔｙ）の尺度である。

【0083】

式１４に示すように、サブステップ４２８において、ＳＰＳＰ

【数41】

のセットが、基準ＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_{μ＿ｒｅｆ}のセットをモデル化し、このモデルを以下となるように関数ｇに当てはめることによって提供される。

【数42】

【0084】

ここで、ｃ２ｔｘおよびｃ２ｔｙは、ＰＳＤＷ内のピクセルのそれぞれのｘ座標およびｙ座標であり、ｆｉｅｌｄＸおよびｆｉｅｌｄＹは、フィールド内のピクセルのそれぞれのｘ座標およびｙ座標である。当該技術分野において既知であるように、通常のＰＳＤＷは、ダイ等のフィールドに分割され、ＰＳＤＷ上の各フィールドは、通常、ＰＳＤＷ上の他のフィールドの大部分または全てと概ね同一であるように意図される。

【0085】

関数ｇは、任意の適切な関数とすることができ、最も一般的には、形式Ｗ^ｎＦ^ｍの多項式であり、ここで、ｎは、ＰＳＤＷ上のロケーション、ｃ２ｔｘおよびｃ２ｔｙに関連付けられた多項式次数であり、ｍは、フィールド内のロケーションｆｉｅｌｄＸおよびｆｉｅｌｄＹに関連付けられた多項式次数である。関数ｇは、通常、線形回帰を用いて計算される多項式係数を含む。

【0086】

基準ＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_{μ＿ｒｅｆ}のセット内の要素は、互いに相関しておらず、このため、基準ＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_{μ＿ｒｅｆ}のセット内の各基準ＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_{ｉ＿ｒｅｆ}のためのモデルは、別個に当てはめることができることが理解される。

【0087】

ＳＰＳＰ

【数43】

のセットは、単一のＰＳＤＷ上の様々な部位間の相関を示す。例えば、特定のＰＳＤＷ上の第１の部位が比較的大きな値を有するピクセル不正確性δＡ（ｐｉｘ）によって特徴付けられる場合、そのＰＳＤＷ上の第２の部位も、比較的大きな値を有するピクセル不正確性δＡ（ｐｉｘ）によって特徴付けられる可能性が高い。別の例として、特定のＰＳＤＷ上の第１の部位が比較的小さな値を有するピクセル不正確性δＡ（ｐｉｘ）によって特徴付けられる場合、そのＰＳＤＷ上の第２の部位も、比較的小さな値を有するピクセル不正確性δＡ（ｐｉｘ）によって特徴付けられる可能性が高い。

【0088】

単一の瞳画像の個々のピクセル間の相関は、ピクセル不正確性δＡ（ｐｉｘ）の瞳表現における冗長性を示す。ＰＩＳＢＥすなわちＶ_μのセットは、この冗長性を利用して、ピクセル不正確性δＡ（ｐｉｘ）の計算的に有利な表現を提供する。

【0089】

次のステップ４３２において、瞳位置ずれの値ε_ＭＷＬを生成する式４と、各ピクセル位置ずれ値ε（ｐｉｘ）の値を生成する式６との双方を用いて基準部位ごとに位置ずれが計算される。

【0090】

次のステップ４３４において、式１５を最小にする正則化パラメータζが計算される。

【数44】

【0091】

ここで、Σ_{ｓｉｔｅｓ}は、式が各基準部位にわたって合算されることを示し、εは、ステップ４３２において生成されたピクセル位置ずれ値ε（ｐｉｘ）に基づく瞳位置ずれ値である。

【0092】

ここで、図３を参照する。図３は、ステップ３０４において生成された単一の瞳画像について、部位固有のＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_μのセット、およびＳＳＭＶすなわちεが計算される方法３００のステップ３０６を示すフローチャートである。第１のステップ４４２において、ステップ３０６において生成された部位固有のＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_μのセットが、式１２の部位固有の表現である式１６を満たすように設定される。

【数45】

【0093】

ここで、

【数46】

は、サブステップ４２８において生成されたＳＰＳＰのセットであり、

【数47】

は、部位固有のＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_μのセットの対応する部位固有の残余部分（ＳＳＲＰ）のセットである。このため、式１６を評価することによって、部位固有のＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_μのセットが、ＳＰＳＰ

【数48】

のセットおよび対応するＳＳＲＰ、

【数49】

のセットを合算することによって計算される。

【0094】

次のステップ４４４において、ＳＳＭＶすなわちε、および部位固有のＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_μのセットが、好ましくは、ベイズ理論の表現である式１７が、ＳＳＭＶすなわちε、およびＳＳＲＰ、

【数50】

のセットの異なる値についてどのように変化するかを評価することによって共に計算される。

【数51】

【0095】

ここで、Ｇは、ステップ３０４において生成された瞳画像の瞳感度であり、Ｋは、ステップ３４０において生成された瞳画像の瞳非対称性である。加えて、

【数52】

は、瞳感度Ｇの特定の値および瞳非対称性Ｋの特定の値を有する瞳画像を所与として、特定のＳＳＭＶ、すなわちε、およびＳＳＲＰ、

【数53】

の特定のセットがその瞳画像に関連付けられる確率である。同様に、

【数54】

は、ＳＳＭＶの特定の値、すなわちε、およびＳＳＲＰ、

【数55】

のセットの値の特定のセットを所与として、瞳感度Ｇの特定の値および瞳非対称性Ｋの特定の値を有する特定の瞳画像が、ＳＳＭＶすなわちεおよびＳＳＲＰ、

【数56】

のセットの特定の所与のそれぞれの値に関連付けられる確率である。式１７における次の項

【数57】

は、ＳＳＲＰ、

【数58】

の特定のセットが任意の瞳画像に関連付けられる確率であり、Ｐ（Ｇ，Ｋ）は、瞳感度Ｇの特定の値、瞳非対称性Ｋの特定の値が任意の瞳画像に関連付けられる確率である。

【0096】

式１１の評価中、ＳＰＳＰ、

【数59】

に対応するＳＳＲＰ、

【数60】

が近似されることが理解される。

【0097】

式１２および式１３を参照して上記で説明したように、ＰＩＳＢＥＳＦの残余部分

【数61】

のセットの分布は、好ましくは、多変量ガウス分布として近似されるため、

【数62】

の値は、式１８において与えられる指数式に比例する。

【数63】

【0098】

ここで、σは、ステップ３０４において生成された瞳画像のノイズの標準偏差であり、Ｋ_ｉは、評価されているピクセルのピクセル非対称性であり、

【数64】

は、ＰＩＳＢＥすなわちＶ_μのｉ番目の要素であり、Ｇ_ｉは、評価されているピクセルのピクセル感度である。Ｋ_ｉおよびＧ_ｉの双方が、ステップ３０４において生成された瞳画像の値であることが理解される。

【0099】

同様に、図２を参照して上記で説明したように、

【数65】

の値は、サブステップ４２８において得られたＰＩＳＢＥＳＦの残余部分

【数66】

のセットの分布から推論される。より詳細には、

【数67】

の値は、式１９において与えられる指数式に比例する。

【数68】

【0100】

ここで、ｊおよびｋは、それぞれ、ＳＳＲＰ、

【数69】

のセットのインデックスであり、

【数70】

は、共分散行列Σ_βγの反転の要素である。

【0101】

Ｐ（Ｇ，Ｋ）の値はＳＳＭＶすなわちε、およびＳＳＲＰ、

【数71】

のセットのいずれにも依拠しないため、Ｐ（Ｇ，Ｋ）は、式１７がＳＳＭＶすなわちε、およびＳＳＲＰ、

【数72】

のセットの異なる値についてどのように変化するかに影響を及ぼさない未知の定数とみなされる。したがって、式１７がステップ３０６において評価されるとき、Ｐ（Ｇ，Ｋ）の実際の値は、通常、検討されない。

【0102】

以下の式２０は、式７および式１６の組み合わせと代数的に等価である。式２０は、ピクセル不正確性δＡ（ｐｉｘ）のセットと、ＳＳＲＰ、

【数73】

のセットとの間の関係を明示的に与える。

【数74】

【0103】

図２を参照して上記で論じたように、代表的なピクセル不正確性

【数75】

のセット、ＳＰＳＰ、

【数76】

のセット、およびＰＩＳＢＥすなわちＶ_μの各要素Ｖ_μ（ｐｉｘ）は、全て、ステップ３０２において基準部位について計算される。上記で説明したように、代表的なピクセル不正確性

【数77】

のセット、ＳＰＳＰ、

【数78】

のセット、およびＰＩＳＢＥすなわちＶ_μの各要素Ｖ_μ（ｐｉｘ）についてステップ３０２において計算された値は、全て、複数のＰＳＤＷに関係することが本発明の特定の特徴である。より詳細には、代表的なピクセル不正確性

【数79】

のセット、ＳＰＳＰ、

【数80】

のセット、およびＰＩＳＢＥすなわちＶ_μの各要素Ｖ_μ（ｐｉｘ）についてステップ３０２において計算された値は全て、式２０において用いるのに適している。このため、ステップ３０６において、ピクセル不正確性δＡ（ｐｉｘ）のセットを得るために方法３００が計算しなくてはならない唯一の値は、ＳＳＲＰ、

【数81】

のセットの値である。

【0104】

したがって、ステップ３０６の目標は、特にステップ３０４において生成された瞳画像と共に用いるのに適した、ＳＳＭＶすなわちε、およびピクセル不正確性δＡ（ｐｉｘ）のセットの値を計算することであるが、次のステップ４４６は、式２１の右辺においてピクセル不正確性δＡの代わりに用いられるＳＳＭＶすなわちε、およびＳＳＲＰ、

【数82】

のセットの値を計算する。

【数83】

【0105】

式２２は、式１７、式１８、式１９および式２１の重み付き組み合わせと代数的に等価である。

【数84】

【0106】

ここで、Ｃは、上記で説明したような未知の定数値Ｐ（Ｇ，Ｋ）の逆数であり、ζは、式１７の

【数85】

に対し、式１９の

【数86】

に与えられる重みを決定するために式２２において導入される、式１５からの正則化パラメータである。

【0107】

ＳＳＭＶすなわちεおよびＳＳＲＰ、

【数87】

のセットの同じ結果が、式２２および式２３の双方によって返される。

【0108】

【数88】

【0109】

第１の式

【数89】

は、ＳＳＭＶすなわちε、およびＳＳＲＰ、

【数90】

のセットの可変位置ずれ値の関数であることが理解される。同様に、第２の式、

【数91】

は、ＳＳＲＰ、

【数92】

のセットの関数である。

【0110】

式２３を満たすＳＳＭＶすなわちε、およびＳＳＲＰ、

【数93】

【数94】

【0111】

式２４ａおよび式２４ｂの評価は、式２３の第１の式および第２の式を用いて、ステップ３０４において測定された部位での使用に特に適した、特定の位置ずれ値と、ＳＳＲＰ、

【数95】

のセットの特定の値とを特定することが理解される。式２３は、

【数96】

およびεの双方の観点において二次多項式であるため、式２４ａおよび式２４ｂの各々が、ゼロに等しい一次方程式である。方法３００は、好ましくは、式２４ａおよび式２４ｂの連立方程式を解き、それによって式２５を生成する。

【数97】

【0112】

Ｉは単位行列である。ＰＩＳＢＥすなわちＶ_μのセットにおける下付き文字μは、ＰＩＳＢＥすなわちＶ_μのセットにおけるＰＩＳＢＥすなわちＶ_μの数に対応するインデックスであることが理解される。明確にするために、式２５において、インデックスβおよびγがインデックスμの代わりに用いられる。式２５によって返されたＳＳＭＶすなわちεの値は、評価式２４ａおよび式２４ｂによって特定された特定の位置ずれであり、好ましくは、ステップ３０４において測定された部位について、ＳＳＭＶすなわちεとして特定される。

【0113】

式２５によって返されたＳＳＭＶすなわちεの値は、ステップ３０４において生成された複数の部位固有のピクセルの、特に、その非対称性Ｋおよび感度Ｇの関数であることが更に理解される。式２５によって返されたＳＳＭＶすなわちεの値は、ＰＩＳＢＥすなわちＶ_μのセットおよび共分散行列Σ_βγの関数でもある。式１３に実証されるように、共分散行列Σ_βγは、基準ＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_{μ＿ｒｅｆ}のセット、より詳細には、基準ＰＩＳＢＥＳＦの残余部分

【数98】

のセットの関数である。このため、式２５によって返されたＳＳＭＶすなわちεの値も、基準ＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_{μ＿ｒｅｆ}のセット、より詳細には、基準ＰＩＳＢＥＳＦの残余部分

【数99】

のセットの関数である。

【0114】

ここで図４を参照する。図４は、ＫＰＩ、好ましくは３ＰＳ値が生成される、方法３００のステップ３０８を示すフローチャートである。図４から分かるように、第１のステップ４４８において、部位固有のＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_μのセットが提供される。部位固有のＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_μのセットが式２６において定義される。

【数100】

【0115】

ここで、代表的なピクセル不正確性

【数101】

のセットの値は、ステップ３０２において計算されたその値であり、式２６の右辺における全ての他の項の値は、式２５におけるものと同じそれぞれの値である。部位固有のＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_μのセットおよびＰＩＳＢＥすなわちＶ_μのセットにおける下付き文字μは、ＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_μおよびＰＩＳＢＥすなわちＶ_μのセットにおけるＰＩＳＢＥＳＦα_μの数およびＰＩＳＢＥすなわちＶ_μの数に対応するインデックスであることが理解される。明確にするために、式２６において、インデックスβおよびγがインデックスμの代わりに用いられる。

【0116】

次のステップ４５２において、ステップ３０４において生成された単一の瞳画像の対応する複数の部位固有のピクセルの複数のピクセル位置ずれ値ε（ｐｉｘ）が、式６および式７の組み合わせに代数的に等価な式２７を用いて生成される。

【数102】

【0117】

複数のピクセル位置ずれ値ε（ｐｉｘ）は、中でも、ＰＩＳＢＥすなわちＶ_μのセット、部位固有のＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_μのセットの関数であることが理解される。

【0118】

ＳＷＭおよびＭＷＭを参照して上記で論じたように、ピクセル位置ずれ値ε（ｐｉｘ）のうちの異なるもの間の変動は、ピクセル位置ずれ値ε（ｐｉｘ）を含むＳＳＭＶの不確実性のインジケーションである。したがって、次のステップ４５４において、ＫＰＩが生成される。好ましくは、ステップ４５４において生成されるＫＰＩは、式２８において定義されるＰ３Ｓである。

【数103】

【0119】

ここで、εは式２５からのＳＳＭＶであり、ｗ（ｐｉｘ）はピクセル位置ずれ値ε（ｐｉｘ）の重み係数である。重み係数ｗ（ｐｉｘ）は、部位固有のピクセルの各々におけるピクセル位置ずれ値ε（ｐｉｘ）の信頼度を示す。式２８において定義されたＰ３Ｓは、ＳＳＭＶすなわちεからのピクセル位置ずれ値ε（ｐｉｘ）の重み付き標準偏差であることが理解される。

【0120】

本発明の好ましい実施形態において、部位固有のピクセルの各々の重み係数ｗ（ｐｉｘ）は、式２９におけるように、評価されているピクセルのピクセル感度Ｇ（ｐｉｘ）の関数である。

【数104】

【0121】

ここで、それぞれ、図１～図４の方法３００と共に用いるためのそれぞれのシステム５００および５５０の好ましい実施形態の第１および第２の簡略化された概略図である図５Ａおよび図５Ｂを参照する。理解を容易にするために、図１Ａおよび図１Ｂは縮尺通りに描かれていないことが理解される。システム５００および５５０の各々は、ＲＰＳＤＷとすることができるＰＳＤＷ上に形成された半導体デバイスの様々な層間の位置ずれを測定するように動作可能であることが理解される。

【0122】

図５Ａおよび図５Ｂから分かるように、システム５００およびシステム５５０の各々は、好ましくは、少なくとも入射放射線の第１の波長および入射放射線の第２の波長を用いて１つ以上のＲＰＳＤＷ上の少なくとも１つの基準部位の少なくとも２つの測定を行う基準ＳＭＭＴ５６２を含み、測定される基準部位ごとに、入射放射線の第１の波長および入射放射線の第２の波長の各々から、単一の基準出力信号を生成する。上記で図２のステップ４０２を参照して説明したように、ＳＭＭＴ５６２によって生成される基準出力信号は、好ましくは複数の瞳画像として表され、その各々が、好ましくは複数の基準ピクセルを含む。

【0123】

本発明の好ましい実施形態において、ＳＭＭＴ５６２は、基準部位の各々において入射放射線の２～７個の波長を用いて５０～４００個の基準部位を測定する。

【0124】

加えて、システム５００およびシステム５５０は、好ましくはそれぞれ、ＲＰＳＤＷ分析器５６４を含む。ＲＰＳＤＷ分析器５６４は、基準ＳＭＭＴ５６２によって生成された基準出力信号を分析し、それによって基準出力データを生成する。ＲＰＳＤＷ分析器によって生成される基準出力データは、好ましくは、中でも、ＰＩＳＢＥすなわちＶ_μのセット、代表的な瞳不正確性

【数105】

、基準ＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_{μ＿ｒｅｆ}のセット、ＳＰＳＰすなわち

【数106】

のセット、共分散行列Σ_βγおよび正則化パラメータζを含む。図１を参照して上記で説明したように、ＰＩＳＢＥは、複数のＰＳＤＷに関係する固有ベクトルである。

【0125】

システム５００およびシステム５５０の各々は、好ましくは、部位固有のＳＭＭＴ５７２を更に含み、部位固有のＳＭＭＴ５７２は、ＰＳＤＷの各々における少なくとも１つの測定部位を測定し、測定部位の少なくとも１つの部位固有の出力信号を生成する。図１のステップ３０４を参照して上記で説明した部位固有の出力信号は、好ましくは、測定部位の単一の瞳画像である。

【0126】

好ましくは、システム５００およびシステム５５０はそれぞれ、ＰＳＤＷ分析器５７４も含む。ＰＳＤＷ分析器５７４は、部位固有のＳＭＭＴ５７２によって生成された単一の瞳画像を分析し、それによって、中でも、部位固有のＰＩＳＢＥＳＦすなわちα_μのセット、ＳＳＭＶすなわちε、ピクセル位置ずれ値ε（ｐｉｘ）、およびＫＰＩ、Ｐ３Ｓを生成する。上記で図１および図４のステップ３０８を参照して説明したように、ＫＰＩは、通常、Ｐ３Ｓ値として具現化され、ＳＳＭＶの信頼性のインジケーション、好ましくは量的インジケーションを提供する。ＰＳＤＷ分析器５７４は、好ましくは、ＲＰＳＤＷ分析器５６４によって生成され、それによって提供された、中でもＰＩＳＢＥのセットＶ_μを含む基準出力データを用いて単一の瞳画像を分析する。

【0127】

基準ＳＭＭＴ５６２および部位固有のＳＭＭＴ５７２の双方として適した一般的ツールは、米国カリフォルニア州ミルピタスのＫＬＡ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから市販されているＡＴＬ（商標）１００である。ＳＭＭＴによって行われる全ての測定が入射放射線の単一の波長を用いて行われることが特に本発明の特徴である。

【0128】

図５Ａに示すシステム５００は、システム５００が基準ＳＭＭＴ５６２および部位固有のＳＭＭＴ５７２を含むのに対し、システム５５０は基準ＳＭＭＴ５６２および部位固有のＳＭＭＴ５７２を含まないという点で、図５Ｂに示すシステム５５０と異なることが理解される。本発明の更なる実施形態（図示せず）において、基準ＳＭＭＴ５６２および部位固有のＳＭＭＴ５７２のうちの１つのみがシステムに含まれる。

【0129】

図２を参照して上記で説明したように、基準ＳＭＭＴによって測定される少なくとも１つのＲＰＳＤＷおよび部位固有のＳＭＭＴによって測定されるＰＳＤＷは異なるウェハとすることができることが更に理解される。代替的に、基準ＳＭＭＴによって測定される少なくとも１つのＲＰＳＤＷは、部位固有のＳＭＭＴによって測定されるＰＳＤＷのうちの１つとすることができる。好ましくは、本発明の全ての実施形態において、基準ＳＭＭＴによって測定される少なくとも１つのＲＰＳＤＷおよび部位固有のＳＭＭＴによって測定されるＰＳＤＷは、単一の設計を共有する。本発明の実施形態において、基準ＳＭＭＴによって測定される少なくとも１つのＲＰＳＤＷおよび部位固有のＳＭＭＴによって測定されるＰＳＤＷは、ＰＳＤＷの単一のバッチで製造される。

【0130】

好ましくは、基準ＳＭＭＴ５６２は図２のステップ４０２を実行する。同様に、ＲＰＳＤＷ分析器５６４は、好ましくは、図２のステップ４０４と、サブステップ４２２、４２４、４２６および４２８を含むステップ４０６と、ステップ４３２と、ステップ４３４とを実行する。部位固有のＳＭＭＴ５７２は、好ましくは図１のステップ３０４を実行する。ＰＳＤＷ分析器５７４は、好ましくは、ステップ４４２、４４４および４４６を含むステップ３０６と、ステップ４４８、４５２および４５４を含むステップ３０８とを実行する。加えて、本発明のいくつかの実施形態において、ＰＳＤＷ分析器５７４は、図１のステップ３２２および３２４のうちの少なくとも１つを実行する。

【0131】

システム５００および５５０ならびにその中のサブシステムは、パーソナルコンピュータシステム、イメージコンピュータ、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、ネットワーク機器、インターネット機器または他のデバイスを含むことができる。サブシステムまたはシステムは、パラレルプロセッサ等、当該技術分野において既知の任意の適切なプロセッサを含むこともできる。加えて、サブシステムまたはシステムは、スタンドアロンかネットワーク接続ツールかを問わず、高速処理プラットフォームおよびソフトウェアを含むことができる。

【0132】

いくつかの実施形態では、システム５００および５５０およびその中のサブシステム、ならびに本明細書に開示された方法の様々なステップ、機能、および／または動作は、以下の電子回路、論理ゲート、マルチプレクサ、プログラマブルロジックデバイス、ＡＳＩＣ、アナログもしくはデジタル制御／スイッチ、マイクロコントローラ、またはコンピューティングシステムのうちの１つ以上によって実行される。本明細書に記載されているような方法を実施するプログラム命令は、キャリア媒体上で送信されるか、またはキャリア媒体に記憶されてもよい。キャリア媒体は、リードオンリーメモリ、ランダムアクセスメモリ、磁気ディスクまたは光ディスク、不揮発性メモリ、ソリッドステートメモリ、磁気テープ等の記憶媒体を含むことができる。キャリア媒体は、配線、ケーブル、または無線伝送リンクなどの伝送媒体を含むことができる。例えば、本開示全体を通して説明される様々なステップは、単一のプロセッサ（またはコンピュータシステム）によって実行されてもよいし、代替的に、複数のプロセッサ（または複数のコンピュータシステム）によって実行されてもよい。更に、システム５００および５５０の異なるサブシステムは、１つ以上のコンピューティングシステムまたは論理システムを含むことができる。したがって、上記の説明は、本開示への限定ではなく単なる例として解釈されるべきである。

【0133】

当業者には、本発明が、上記で具体的に示され、説明されたものに限定されないことが理解されよう。本発明の範囲は、上記で説明した様々な特徴の組み合わせおよび部分的組み合わせの双方、ならびにそれらの変形を含み、それらの全てが先行技術には存在しない。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】