(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-06-06
(45)【発行日】2024-06-14
(54)【発明の名称】めっき装置の気泡除去方法及びめっき装置
(51)【国際特許分類】
C25D 21/04 20060101AFI20240607BHJP
C25D 17/00 20060101ALI20240607BHJP
C25D 17/06 20060101ALI20240607BHJP
C25D 7/12 20060101ALI20240607BHJP
【ＦＩ】
C25D21/04
C25D17/00 H
C25D17/06 C
C25D17/00 C
C25D7/12
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2020166868
(22)【出願日】2020-10-01
(65)【公開番号】P2022059250
(43)【公開日】2022-04-13
【審査請求日】2023-03-14
(73)【特許権者】
【識別番号】000000239
【氏名又は名称】株式会社荏原製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100106208
【弁理士】
【氏名又は名称】宮前 徹
(74)【代理人】
【識別番号】100146710
【弁理士】
【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男
(74)【代理人】
【識別番号】100186613
【弁理士】
【氏名又は名称】渡邊 誠
(72)【発明者】
【氏名】辻 一仁
(72)【発明者】
【氏名】張 紹華
(72)【発明者】
【氏名】下山 正
【審査官】瀧口 博史
(56)【参考文献】
【文献】特表２００７－５３４８３５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－０８７２９０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－２４８９２３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－１６８６４３（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２５Ｄ ２１／００
Ｃ２５Ｄ ７／１２
Ｃ２５Ｄ １７／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
隔膜が配置されるとともに、前記隔膜よりも下方側に区画されたアノード室にアノードが配置されためっき槽と、前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を、前記基板の被めっき面が前記アノードに対向するように保持する基板ホルダと、を備えるめっき装置における前記アノード室の気泡を除去する気泡除去方法であって、前記アノード室の外周部に設けられた少なくとも一つの供給口から前記アノード室にめっき液を供給し、この供給されためっき液を、前記供給口に対向するように前記アノード室の前記外周部に設けられた少なくとも一つの排出口に吸い込ませることで、前記アノード室における前記隔膜の下面に、前記下面に沿っためっき液の剪断流を形成させることを含み、
前記めっき装置は、前記隔膜の前記下面に配置されて、前記隔膜の前記下面に沿って流動するめっき液の剪断流の流れをガイドするガイド部材をさらに備える、めっき装置の気泡除去方法。
【請求項2】
前記アノード室から排出されためっき液に含まれる気泡を除去した後に、当該めっき液を前記アノード室に戻すことをさらに含む、請求項１に記載のめっき装置の気泡除去方法。
【請求項3】
めっき装置であって、前記めっき装置は、
隔膜が配置されるとともに、前記隔膜よりも下方側に区画されたアノード室にアノードが配置されためっき槽と、
前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を、前記基板の被めっき面が前記アノードに対向するように保持する基板ホルダと、
前記アノード室の外周部に設けられて、めっき液を前記アノード室に供給する少なくとも一つの供給口と、
前記供給口に対向するように前記アノード室の前記外周部に設けられて、前記アノード室のめっき液を吸い込んで前記アノード室から排出させる少なくとも一つの排出口と、を備え、
前記供給口及び前記排出口は、前記供給口から供給されためっき液を前記排出口が吸い込むことで、前記アノード室における前記隔膜の下面に、前記下面に沿っためっき液の剪断流を形成させるように構成され、
前記めっき装置は、前記隔膜の前記下面に配置されて、前記隔膜の前記下面に沿って流動するめっき液の剪断流の流れをガイドするガイド部材をさらに備える、めっき装置。
【請求項4】
前記供給口は、前記アノード室を下方側から視認した下面視で、前記アノード室の前記外周部における前記アノード室の中心線よりも一方の側に配置され、前記排出口は、前記下面視で、前記アノード室の前記外周部における前記中心線よりも他方の側に配置され、
前記隔膜の前記下面から前記排出口までの距離は、前記下面から前記供給口までの距離と等しい、請求項３に記載のめっき装置。
【請求項5】
前記供給口は、前記アノード室の前記外周部における前記中心線よりも前記一方の側の全周に亘って配置されており、前記排出口は、前記アノード室の前記外周部における前記中心線よりも前記他方の側の全周に亘って配置されている、請求項４に記載のめっき装置。
【請求項6】
前記排出口から排出されためっき液を前記供給口に戻すように構成されためっき液循環装置をさらに備え、
前記めっき液循環装置は、前記排出口から排出されためっき液を一時的に貯留するリザーバータンクを備え、
前記リザーバータンクは、前記リザーバータンクに供給されためっき液に含まれる気泡を除去する気泡除去機構を有する、請求項３～５のいずれか１項に記載のめっき装置。
【請求項7】
前記リザーバータンクには、前記排出口に連通するとともに、前記排出口から排出されためっき液を前記リザーバータンクに供給する第２供給口と、前記供給口に連通するとともに、前記リザーバータンクのめっき液を前記リザーバータンクから排出する第２排出口と、が設けられ、
前記第２供給口は前記第２排出口よりも上方に位置し、
前記気泡除去機構は前記第２供給口及び前記第２排出口を有する、請求項６に記載のめっき装置。
【請求項8】
前記リザーバータンクには、前記排出口に連通するとともに、前記排出口から排出されためっき液を前記リザーバータンクに供給する第２供給口と、前記供給口に連通するとともに、前記リザーバータンクのめっき液を前記リザーバータンクから排出する第２排出口と、前記リザーバータンクのめっき液の液面よりも上方側に突出するとともに、前記リザーバータンクの底部に接触しない範囲で前記リザーバータンクのめっき液の液面よりも下方側に向かって延在する仕切り部材と、が設けられ、
前記リザーバータンクの断面視で、前記第２供給口は、前記仕切り部材よりも一方の側に設けられ、前記第２排出口は、前記仕切り部材よりも他方の側に設けられ、
前記気泡除去機構は前記仕切り部材を有する、請求項６に記載のめっき装置。
【請求項9】
前記めっき液循環装置は、めっき液の流動方向で前記排出口から前記リザーバータンクに至るまでの間の箇所に、当該箇所を流動するめっき液に含まれるガスを大気中に放出するガス抜き配管をさらに備える、請求項６～８のいずれか１項に記載のめっき装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、めっき装置の気泡除去方法及びめっき装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、基板にめっき処理を施すめっき装置として、いわゆるカップ式のめっき装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなめっき装置は、アノードが配置されためっき槽と、アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を、基板のめっき面がアノードに対向するように保持する基板ホルダと、を備えている。
【0003】
このようなめっき装置において、アノード側での反応によってめっき液に含まれる添加剤の成分が分解又は反応することで、めっきに悪影響を及ぼすような成分が生成するおそれがある（これを、「添加剤成分に起因する悪影響」と称する）。そこで、金属イオンの通過を許容しつつ添加剤の通過を抑制する隔膜を、アノードと基板との間に配置し、この隔膜よりも下方側に区画された領域（アノード室と称する）に、アノードを配置することで、添加剤成分に起因する悪影響を抑制する技術が開発されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２００８－１９４９６号公報
【文献】米国特許第６８２１４０７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上述したような、隔膜を有するカップ式のめっき装置において、何らかの原因により、アノード室に気泡が発生することがある。このようにアノード室に気泡が発生して、この気泡が隔膜の下面に滞留した場合、この気泡に起因して基板のめっき品質が悪化するおそれがある。
【0006】
本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、隔膜の下面に滞留した気泡に起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる技術を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
（態様１）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置の気泡除去方法は、隔膜が配置されるとともに、前記隔膜よりも下方側に区画されたアノード室にアノードが配置されためっき槽と、前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を、前記基板の被めっき面が前記アノードに対向するように保持する基板ホルダと、を備えるめっき装置における前記アノード室の気泡を除去する気泡除去方法であって、前記アノード室の外周部に設けられた少なくとも一つの供給口から前記アノード室にめっき液を供給し、この供給されためっき液を、前記供給口に対向するように前記アノード室の前記外周部に設けられた少なくとも一つの排出口に吸い込ませることで、前記アノード室における前記隔膜の下面に、前記下面に沿っためっき液の剪断流を形成させることを含んでいる。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置の気泡除去方法は、隔膜が配置されるとともに、前記隔膜よりも下方側に区画されたアノード室にアノードが配置されためっき槽と、前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を、前記基板の被めっき面が前記アノードに対向するように保持する基板ホルダと、を備えるめっき装置における前記アノード室の気泡を除去する気泡除去方法であって、前記アノード室の外周部に設けられた少なくとも一つの供給口から前記アノード室にめっき液を供給し、この供給されためっき液を、前記供給口に対向するように前記アノード室の前記外周部に設けられた少なくとも一つの排出口に吸い込ませることで、前記アノード室における前記隔膜の下面に、前記下面に沿っためっき液の剪断流を形成させることを含んでいる。
【0008】
この態様によれば、アノード室の気泡を剪断流に乗せて、排出口から効果的に排出することができる。これにより、隔膜の下面に気泡が滞留することを抑制することができるの
で、この気泡に起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる。
で、この気泡に起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる。
【0009】
（態様２）
上記態様１は、前記アノード室から排出されためっき液に含まれる気泡を除去した後に、当該めっき液を前記アノード室に戻すことをさらに含んでいてもよい。この態様によれば、アノード室に、気泡を含まないめっき液を供給することができる。
上記態様１は、前記アノード室から排出されためっき液に含まれる気泡を除去した後に、当該めっき液を前記アノード室に戻すことをさらに含んでいてもよい。この態様によれば、アノード室に、気泡を含まないめっき液を供給することができる。
【0010】
（態様３）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、隔膜が配置されるとともに、前記隔膜よりも下方側に区画されたアノード室にアノードが配置されためっき槽と、前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を、前記基板の被めっき面が前記アノードに対向するように保持する基板ホルダと、前記アノード室の外周部に設けられて、めっき液を前記アノード室に供給する少なくとも一つの供給口と、前記供給口に対向するように前記アノード室の前記外周部に設けられて、前記アノード室のめっき液を吸い込んで前記アノード室から排出させる少なくとも一つの排出口と、を備え、前記供給口及び前記排出口は、前記供給口から供給されためっき液を前記排出口が吸い込むことで、前記アノード室における前記隔膜の下面に、前記下面に沿っためっき液の剪断流を形成させるように構成されている。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、隔膜が配置されるとともに、前記隔膜よりも下方側に区画されたアノード室にアノードが配置されためっき槽と、前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を、前記基板の被めっき面が前記アノードに対向するように保持する基板ホルダと、前記アノード室の外周部に設けられて、めっき液を前記アノード室に供給する少なくとも一つの供給口と、前記供給口に対向するように前記アノード室の前記外周部に設けられて、前記アノード室のめっき液を吸い込んで前記アノード室から排出させる少なくとも一つの排出口と、を備え、前記供給口及び前記排出口は、前記供給口から供給されためっき液を前記排出口が吸い込むことで、前記アノード室における前記隔膜の下面に、前記下面に沿っためっき液の剪断流を形成させるように構成されている。
【0011】
この態様によれば、アノード室の気泡を剪断流に乗せて、排出口から効果的に排出することができる。これにより、隔膜の下面に気泡が滞留することを抑制することができるので、この気泡に起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる。
【0012】
（態様４）
上記態様３において、前記供給口は、前記アノード室を下方側から視認した下面視で、前記アノード室の前記外周部における前記アノード室の中心線よりも一方の側に配置され、前記排出口は、前記下面視で、前記アノード室の前記外周部における前記中心線よりも他方の側に配置され、前記隔膜の前記下面から前記排出口までの距離は、前記下面から前記供給口までの距離と等しくてもよい。この態様によれば、隔膜の下面に沿うとともに、アノード室の中心線を挟んで一方の側から他方の側に向かう剪断流を容易に形成することができる。
上記態様３において、前記供給口は、前記アノード室を下方側から視認した下面視で、前記アノード室の前記外周部における前記アノード室の中心線よりも一方の側に配置され、前記排出口は、前記下面視で、前記アノード室の前記外周部における前記中心線よりも他方の側に配置され、前記隔膜の前記下面から前記排出口までの距離は、前記下面から前記供給口までの距離と等しくてもよい。この態様によれば、隔膜の下面に沿うとともに、アノード室の中心線を挟んで一方の側から他方の側に向かう剪断流を容易に形成することができる。
【0013】
（態様５）
上記態様４において、前記供給口は、前記アノード室の前記外周部における前記中心線よりも前記一方の側の全周に亘って配置されており、前記排出口は、前記アノード室の前記外周部における前記中心線よりも前記他方の側の全周に亘って配置されていてもよい。この態様によれば、隔膜の下面に、全体的に、隔膜の下面に沿うとともにアノード室の中心線を挟んで一方の側から他方の側に向かう剪断流を容易に形成することができる。これにより、アノード室の気泡を排出口から効果的に排出することができる。
上記態様４において、前記供給口は、前記アノード室の前記外周部における前記中心線よりも前記一方の側の全周に亘って配置されており、前記排出口は、前記アノード室の前記外周部における前記中心線よりも前記他方の側の全周に亘って配置されていてもよい。この態様によれば、隔膜の下面に、全体的に、隔膜の下面に沿うとともにアノード室の中心線を挟んで一方の側から他方の側に向かう剪断流を容易に形成することができる。これにより、アノード室の気泡を排出口から効果的に排出することができる。
【0014】
（態様６）
上記態様５は、前記隔膜の前記下面に配置されて、前記隔膜の前記下面に沿って流動する剪断流の流れをガイドするガイド部材をさらに備えていてもよい。この態様によれば、隔膜６１の下面に沿って流動する剪断流をガイド部材によってガイドして、各々の排出口に効果的に吸い込ませることができる。
上記態様５は、前記隔膜の前記下面に配置されて、前記隔膜の前記下面に沿って流動する剪断流の流れをガイドするガイド部材をさらに備えていてもよい。この態様によれば、隔膜６１の下面に沿って流動する剪断流をガイド部材によってガイドして、各々の排出口に効果的に吸い込ませることができる。
【0015】
（態様７）
上記態様３～６のいずれか１態様は、前記排出口から排出されためっき液を前記供給口に戻すように構成されためっき液循環装置をさらに備え、前記めっき液循環装置は、前記排出口から排出されためっき液を一時的に貯留するリザーバータンクを備え、前記リザー
バータンクは、前記リザーバータンクに供給されためっき液に含まれる気泡を除去する気泡除去機構を有していてもよい。この態様によれば、アノード室の排出口から排出されためっき液に含まれる気泡を気泡除去機構で除去してから、アノード室の供給口に戻すことができる。
上記態様３～６のいずれか１態様は、前記排出口から排出されためっき液を前記供給口に戻すように構成されためっき液循環装置をさらに備え、前記めっき液循環装置は、前記排出口から排出されためっき液を一時的に貯留するリザーバータンクを備え、前記リザー
バータンクは、前記リザーバータンクに供給されためっき液に含まれる気泡を除去する気泡除去機構を有していてもよい。この態様によれば、アノード室の排出口から排出されためっき液に含まれる気泡を気泡除去機構で除去してから、アノード室の供給口に戻すことができる。
【0016】
（態様８）
上記態様７において、前記リザーバータンクには、前記排出口に連通するとともに、前記排出口から排出されためっき液を前記リザーバータンクに供給する第２供給口と、前記供給口に連通するとともに、前記リザーバータンクのめっき液を前記リザーバータンクから排出する第２排出口と、が設けられ、前記第２供給口は前記第２排出口よりも上方に位置し、前記気泡除去機構は前記第２供給口及び前記第２排出口を有していてもよい。この態様によれば、第２供給口からリザーバータンクに供給されためっき液に含まれる気泡が第２排出口に流入することを抑制しつつ、この気泡を、浮力を利用して液面に浮き上がらせることができる。これにより、第２排出口に、気泡を含まないめっき液を流入させることができるので、気泡を含まないめっき液を第２排出口から排出させて、アノード室の供給口に戻すことができる。
上記態様７において、前記リザーバータンクには、前記排出口に連通するとともに、前記排出口から排出されためっき液を前記リザーバータンクに供給する第２供給口と、前記供給口に連通するとともに、前記リザーバータンクのめっき液を前記リザーバータンクから排出する第２排出口と、が設けられ、前記第２供給口は前記第２排出口よりも上方に位置し、前記気泡除去機構は前記第２供給口及び前記第２排出口を有していてもよい。この態様によれば、第２供給口からリザーバータンクに供給されためっき液に含まれる気泡が第２排出口に流入することを抑制しつつ、この気泡を、浮力を利用して液面に浮き上がらせることができる。これにより、第２排出口に、気泡を含まないめっき液を流入させることができるので、気泡を含まないめっき液を第２排出口から排出させて、アノード室の供給口に戻すことができる。
【0017】
（態様９）
上記態様７において、前記リザーバータンクには、前記排出口に連通するとともに、前記排出口から排出されためっき液を前記リザーバータンクに供給する第２供給口と、前記供給口に連通するとともに、前記リザーバータンクのめっき液を前記リザーバータンクから排出する第２排出口と、前記リザーバータンクのめっき液の液面よりも上方側に突出するとともに、前記リザーバータンクの底部に接触しない範囲で前記リザーバータンクの液面よりも下方側に向かって延在する仕切り部材と、が設けられ、前記リザーバータンクの断面視で、前記第２供給口は、前記仕切り部材よりも一方の側に設けられ、前記第２排出口は、前記仕切り部材よりも他方の側に設けられ、前記気泡除去機構は前記仕切り部材を有していてもよい。この態様によれば、リザーバータンクの第２供給口からリザーバータンクに供給されためっき液に含まれる気泡が仕切り部材よりも他方の側（第２排出口の側）に流入することを抑制することができる。これにより、第２供給口からリザーバータンクに供給されためっき液に含まれる気泡を除去した上で、第２排出口から排出させて、アノード室の供給口に戻すことができる。
上記態様７において、前記リザーバータンクには、前記排出口に連通するとともに、前記排出口から排出されためっき液を前記リザーバータンクに供給する第２供給口と、前記供給口に連通するとともに、前記リザーバータンクのめっき液を前記リザーバータンクから排出する第２排出口と、前記リザーバータンクのめっき液の液面よりも上方側に突出するとともに、前記リザーバータンクの底部に接触しない範囲で前記リザーバータンクの液面よりも下方側に向かって延在する仕切り部材と、が設けられ、前記リザーバータンクの断面視で、前記第２供給口は、前記仕切り部材よりも一方の側に設けられ、前記第２排出口は、前記仕切り部材よりも他方の側に設けられ、前記気泡除去機構は前記仕切り部材を有していてもよい。この態様によれば、リザーバータンクの第２供給口からリザーバータンクに供給されためっき液に含まれる気泡が仕切り部材よりも他方の側（第２排出口の側）に流入することを抑制することができる。これにより、第２供給口からリザーバータンクに供給されためっき液に含まれる気泡を除去した上で、第２排出口から排出させて、アノード室の供給口に戻すことができる。
【0018】
（態様１０）
上記態様７～９のいずれか１態様において、前記めっき液循環装置は、めっき液の流動方向で前記排出口から前記リザーバータンクに至るまでの間の箇所に、当該箇所を流動するめっき液に含まれるガスを大気中に放出するガス抜き配管をさらに備えていてもよい。この態様によれば、排出口から排出されてリザーバータンクに向けて流動するめっき液中の気泡に含まれるガスをガス抜き配管を介して大気中に放出することができる。これにより、この気泡を消滅させることができる。
上記態様７～９のいずれか１態様において、前記めっき液循環装置は、めっき液の流動方向で前記排出口から前記リザーバータンクに至るまでの間の箇所に、当該箇所を流動するめっき液に含まれるガスを大気中に放出するガス抜き配管をさらに備えていてもよい。この態様によれば、排出口から排出されてリザーバータンクに向けて流動するめっき液中の気泡に含まれるガスをガス抜き配管を介して大気中に放出することができる。これにより、この気泡を消滅させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す斜視図である。
【図2】実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す平面図である。
【図3】実施形態に係るめっきモジュールの構成を模式的に示す図である。
【図4】実施形態に係るめっき槽の近傍領域を拡大して示す模式的断面図である。
【図5】実施形態に係るアノード室の内部を下方側から視認した様子を模式的に示す下面図である。
【図6】実施形態に係るリザーバータンクの模式的断面図である。
【図7】実施形態の変形例１に係るめっき装置の供給口の近傍箇所を拡大して示す模式的断面図である。
【図8】実施形態の変形例２に係るめっき装置のリザーバータンクの模式的断面図である。
【図9】実施形態の変形例３に係るめっき装置のアノード室の近傍領域を拡大して示す模式的断面図である。
【図10】実施形態の変形例３に係るガイド部材を下方側から視認した様子を模式的に示す下面図である。
【図11】実施形態の変形例４に係るめっき装置の排出口の近傍領域を拡大して示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の実施形態や実施形態の変形例では、同一又は対応する構成について、同一の符号を付して説明を適宜省略する場合がある。また、図面は、実施形態の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。また、いくつかの図面には、参考用として、Ｘ－Ｙ－Ｚの直交座標が図示されている。この直交座標のうち、Ｚ方向は上方に相当し、－Ｚ方向は下方（重力が作用する方向）に相当する。
【0021】
図１は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す平面図（上面図）である。図１及び図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、及び、制御モジュール８００を備える。
【0022】
ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収容された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数及び配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、及び搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０及び搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、仮置き台（図示せず）を介して基板の受け渡しを行うことができる。
【0023】
アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数及び配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数及び配置は任意である。
【0024】
プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数及び配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配
置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。
置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。
【0025】
洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数及び配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤ６００が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ６００の数及び配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。
【0026】
めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。
【0027】
搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。
【0028】
搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収容したカセットが搬出される。
【0029】
【0030】
続いて、めっきモジュール４００について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置１０００が有する複数のめっきモジュール４００は同様の構成を有しているので、１つのめっきモジュール４００について説明する。
【0031】
図３は、本実施形態に係るめっき装置１０００における一つのめっきモジュール４００の構成を模式的に示す図である。図４は、めっきモジュール４００のめっき槽１０の近傍領域を拡大して示す模式的断面図である。図３及び図４に示すように、本実施形態に係るめっき装置１０００は、カップ式のめっき装置である。本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００は、めっき槽１０と、オーバーフロー槽２０と、基板ホルダ３０と、回転機構４０と、昇降機構４５と、めっき液循環装置５０とを備えている。
【0032】
図４に示すように、本実施形態に係るめっき槽１０は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。具体的には、めっき槽１０は、底部１１と、この底部１１の外周縁から上方に延在する外周部１２（換言すると、外周側壁部）とを有しており、この外周部１２の上部が開口している。なお、めっき槽１０の外周部１２の形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る外周部１２は、一例として円筒形状を有している。めっき槽１０の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。
【0033】
めっき液Ｐｓとしては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液Ｐｓの一例として、硫酸銅溶液を用いている。また、本実施形態において、めっき液Ｐｓには所定の添加剤が含まれている。但し、この構成に限定されるものではなく、めっき液Ｐｓは添加剤を含んでいない構成とすることもできる。
【0034】
めっき槽１０の内部には、アノード６０が配置されている。具体的には、本実施形態に係るアノード６０は、めっき槽１０の底部１１に配置されている。また、本実施形態に係るアノード６０は、水平方向に延在するように配置されている。
【0035】
アノード６０の具体的な種類は特に限定されるものではなく、不溶解アノードであってもよく、溶解アノードであってもよい。本実施形態では、アノード６０の一例として、不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。
【0036】
めっき槽１０の内部において、アノード６０よりも上方には、隔膜６１が配置されている。具体的には、隔膜６１は、アノード６０と基板Ｗｆ（カソード）との間の箇所に配置されている。隔膜６１の外周部は、保持部材６２（図４のＡ１部分やＡ２部分の拡大図を参照）を介して、めっき槽１０の外周部１２に接続されている。また、本実施形態に係る隔膜６１は、隔膜６１の面方向が水平方向になるように配置されている。
【0037】
めっき槽１０の内部は、隔膜６１によって上下方向に２分割されている。隔膜６１よりも下方側に区画された領域であって、アノード６０が配置された領域をアノード室１３と称する。隔膜６１よりも上方側の領域を、カソード室１４と称する。
【0038】
隔膜６１は、金属イオンの通過を許容しつつ、めっき液Ｐｓに含まれる添加剤の通過を抑制する膜によって構成されている。すなわち、本実施形態において、カソード室１４のめっき液は添加剤を含んでいるが、アノード室１３のめっき液Ｐｓは添加剤を含んでいない。但し、この構成に限定されるものではなく、例えば、アノード室１３のめっき液Ｐｓも添加剤を含んでいてもよい。しかしながら、この場合においても、アノード室１３の添加剤の濃度は、カソード室１４の添加剤の濃度よりも低くなっている。隔膜６１の具体的な種類は、特に限定されるものではなく、公知の隔膜を用いることができる。この隔膜６１の具体例を挙げると、例えば、電解隔膜を用いることができ、この電解隔膜の具体例として、例えば、株式会社ユアサメンブレンシステム製のめっき用電解隔膜を用いたり、あるいは、イオン交換膜等を用いたりすることができる。
【0039】
本実施形態のように、めっき装置１０００が隔膜６１を備えることによって、アノード側での反応によってめっき液Ｐｓに含まれる添加剤の成分が分解又は反応することで、めっきに悪影響を及ぼすような成分が生成する現象（すなわち、「添加剤成分に起因する悪影響」）が生じることを抑制することができる。
【0040】
本実施形態において、めっき槽１０の内部には、抵抗体６３が配置されている。抵抗体
６３は、カソード室１４における隔膜６１と基板Ｗｆとの間の箇所に設けられている。抵抗体６３は、複数の孔（細孔）を有する多孔性の板部材によって構成されている。抵抗体６３は、アノード６０と基板Ｗｆとの間に形成される電場の均一化を図るために設けられている部材である。このように、めっき装置１０００が抵抗体６３を有することで、基板Ｗｆに形成されるめっき皮膜（めっき層）の膜厚の均一化を容易に図ることができる。なお、この抵抗体６３は、本実施形態に必須の部材ではなく、めっき装置１０００は、抵抗体６３を備えていない構成とすることもできる。
６３は、カソード室１４における隔膜６１と基板Ｗｆとの間の箇所に設けられている。抵抗体６３は、複数の孔（細孔）を有する多孔性の板部材によって構成されている。抵抗体６３は、アノード６０と基板Ｗｆとの間に形成される電場の均一化を図るために設けられている部材である。このように、めっき装置１０００が抵抗体６３を有することで、基板Ｗｆに形成されるめっき皮膜（めっき層）の膜厚の均一化を容易に図ることができる。なお、この抵抗体６３は、本実施形態に必須の部材ではなく、めっき装置１０００は、抵抗体６３を備えていない構成とすることもできる。
【0041】
オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外側に配置された、有底の容器によって構成されている。オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外周部１２の上端を超えためっき液Ｐｓ（すなわち、めっき槽１０からオーバーフローしためっき液Ｐｓ）を一時的に貯留するために設けられた槽である。オーバーフロー槽２０に一時的に貯留されためっき液Ｐｓは、オーバーフロー槽２０用の排出口７２から排出された後に、オーバーフロー槽２０用のリザーバータンク（図示せず）に一時的に貯留される。このリザーバータンクに貯留されためっき液Ｐｓは、その後、オーバーフロー用のポンプ（図示せず）によって再びカソード室１４に循環される。
【0042】
基板ホルダ３０は、カソードとしての基板Ｗｆを、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがアノード６０に対向するように保持している。換言すると、基板ホルダ３０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａが下方を向くように、基板Ｗｆを保持している。図３に示すように、基板ホルダ３０は、回転機構４０に接続されている。回転機構４０は、基板ホルダ３０を回転させるための機構である。回転機構４０は、昇降機構４５に接続されている。昇降機構４５は、上下方向に延在する支柱４６によって支持されている。昇降機構４５は、基板ホルダ３０及び回転機構４０を昇降させるための機構である。なお、基板Ｗｆ及びアノード６０は、通電装置（図示せず）と電気的に接続されている。通電装置は、めっき処理の実行時に、基板Ｗｆとアノード６０との間に電流を流すための装置である。
【0043】
図３に示すように、めっき液循環装置５０は、めっき槽１０から排出されためっき液Ｐｓをめっき槽１０に戻すための装置である。本実施形態に係るめっき液循環装置５０は、リザーバータンク５１と、ポンプ５２と、フィルタ５３と、複数の配管（配管５４ａ、配管５４ｂ）とを備えている。
【0044】
配管５４ａは、アノード室１３のめっき液Ｐｓをリザーバータンク５１に供給するように構成された配管である。配管５４ｂは、リザーバータンク５１のめっき液Ｐｓをアノード室１３に供給するように構成された配管である。
【0045】
ポンプ５２及びフィルタ５３は、配管５４ｂに配置されている。ポンプ５２は、リザーバータンク５１のめっき液Ｐｓをめっき槽１０に向けて圧送する流体圧送装置である。フィルタ５３は、めっき液Ｐｓに含まれる異物を除去する装置である。なお、リザーバータンク５１の詳細は後述する。
【0046】
めっき処理を実行する際には、まず、めっき液循環装置５０によってめっき液Ｐｓが循環される。次いで、回転機構４０が基板ホルダ３０を回転させるとともに、昇降機構４５が基板ホルダ３０を下方に移動させて、基板Ｗｆをめっき槽１０のめっき液Ｐｓに浸漬させる。次いで、通電装置によって、アノード６０と基板Ｗｆとの間に電流が流れる。これにより、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに、めっき皮膜が形成される。
【0047】
ところで、図４を参照して、本実施形態のようなカップ式のめっき装置１０００において、何らかの原因により、アノード室１３に気泡Ｂｕが発生することがある。具体的には、本実施形態のように、アノード６０として不溶解アノードを用いる場合、めっき処理の
実行時（通電時）に、アノード室１３には以下の反応式に基づいて酸素（Ｏ２）が発生する。この場合、この発生した酸素が気泡Ｂｕとなる。
実行時（通電時）に、アノード室１３には以下の反応式に基づいて酸素（Ｏ２）が発生する。この場合、この発生した酸素が気泡Ｂｕとなる。
【0048】
２Ｈ２Ｏ→Ｏ２+４Ｈ++４ｅ-
【0049】
また、仮に、アノード６０として溶解アノードを用いる場合には、上記のような反応式は生じないが、例えば、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを最初に導入する際に、配管５４ｂの内部に存在する空気がめっき液Ｐｓとともにアノード室１３に流入するおそれがある。したがって、アノード６０として溶解アノードを用いる場合においても、アノード室１３に気泡Ｂｕが発生する可能性がある。
【0050】
上述したように、アノード室１３に気泡Ｂｕが発生した場合において、仮に、この気泡Ｂｕが隔膜６１の下面６１ａに滞留した場合、この気泡Ｂｕが電場を遮断するおそれがある。この場合、基板Ｗｆのめっき品質が悪化するおそれがある。そこで、本実施形態では、隔膜６１の下面に気泡Ｂｕが滞留することを抑制して、この気泡Ｂｕに起因して基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを抑制するために、以下に説明する技術を用いている。
【0051】
図５は、アノード室１３の内部を下方側から視認した様子を模式的に示す下面図（底面図）である。図５において、後述する供給口７０及び排出口７１は、図４のＢ１－Ｂ１線で切断した断面が模式的に図示されている。図５に図示されている中心線１３Ｘは、下面視でアノード室１３の中心を示す線であるとともに、本実施形態では、隔膜６１の中心を示す線でもある。
【0052】
図４及び図５を参照して、めっき装置１０００は、めっき液Ｐｓをアノード室１３に供給する少なくとも一つの供給口７０を、アノード室１３の外周部１２に備えている。具体的には、本実施形態に係るめっき装置１０００は、複数の供給口７０を備えている。また、めっき装置１０００は、アノード室１３のめっき液Ｐｓを吸い込んでアノード室１３から排出させる少なくとも一つの排出口７１を、アノード室１３の外周部１２に備えるとともに、供給口７０に対向するように備えている。具体的には、本実施形態に係るめっき装置１０００は、複数の排出口７１を備えており、この複数の排出口７１は、各々の排出口７１が各々の供給口７０に対向するように設けられている。
【0053】
供給口７０及び排出口７１は、供給口７０から供給されためっき液Ｐｓを排出口７１が吸い込むことで、アノード室１３における隔膜６１の下面６１ａに、この下面６１ａに沿っためっき液Ｐｓの剪断流Ｓｆを形成させるように構成されている。すなわち、本実施形態に係る剪断流Ｓｆは、隔膜６１の下面６１ａに平行な方向の流れであり、これは、水平方向の流れでもある。
【0054】
この構成によれば、アノード室１３の気泡Ｂｕを剪断流Ｓｆに乗せて、排出口７１から効果的に排出することができる。これにより、隔膜６１の下面６１ａに気泡Ｂｕが滞留することを抑制することができるので、この気泡Ｂｕに起因して基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを抑制することができる。
【0055】
具体的には、図５に示すように、本実施形態に係る供給口７０は、アノード室１３を下方側から視認した下面視で、アノード室１３の外周部１２における中心線１３Ｘよりも一方の側（Ｘ方向の側）に配置されている。また、排出口７１は、下面視で、アノード室１３の外周部１２における中心線１３Ｘよりも他方の側（－Ｘ方向の側）に配置されている。また、図４に示すように、隔膜６１の下面６１ａから排出口７１までの距離は、隔膜６１の下面６１ａから供給口７０までの距離と等しくなるように設定されている。
【0056】
この構成によれば、隔膜６１の下面６１ａに沿うとともに中心線１３Ｘを挟んで一方の側から他方の側に向かう剪断流Ｓｆを、容易に形成することができる。
【0057】
より具体的には、図５に示すように、本実施形態に係る供給口７０は、アノード室１３の外周部１２における中心線１３Ｘよりも一方の側の全周に亘って配置されている。また、排出口７１は、アノード室１３の外周部１２における中心線１３Ｘよりも他方の側の全周に亘って配置されている。換言すると、供給口７０は、アノード室１３の外周部１２における半周部分に亘って配置されており、排出口７１は、アノード室１３の外周部１２における他の半周部分に亘って配置されている。
【0058】
この構成によれば、隔膜６１の下面６１ａに、全体的に、隔膜６１の下面６１ａに沿うとともに中心線１３Ｘを挟んで一方の側から他方の側に向かう剪断流Ｓｆを容易に形成することができる。これにより、アノード室１３の気泡Ｂｕを排出口７１から効果的に排出することができる。また、この構成によれば、剪断流Ｓｆを、中心線１３Ｘを挟んで一方の側から他方の側に向かう一様な流れにすることが容易にできるため、渦の発生を抑制することができる。この点においても、アノード室１３の気泡Ｂｕを排出口７１から効果的に排出することができる。
【0059】
なお、本実施形態に係る供給口７０は、めっき液Ｐｓを隔膜６１の下面６１ａに平行な方向（すなわち、水平方向）に向けて吐出している。換言すると、本実施形態に係る複数の供給口７０の軸線は、隔膜６１の下面６１ａに平行になっている。同様に、本実施形態に係る排出口７１の軸線も隔膜６１の下面６１ａに平行になっている。但し、供給口７０の軸線は、隔膜６１の下面６１ａに平行なものに限定されるものではない。なお、供給口７０の他の一例は、後述する変形例１（図７）で説明する。排出口７１の軸線も、隔膜６１の下面６１ａに平行なものに限定されるものではない。
【0060】
また、本実施形態において、隣接する供給口７０の間には隔壁７３ａが設けられており、隣接する排出口７１の間にも隔壁７３ｂが設けられている。また、複数の供給口７０の上流側の部分は合流しており、この合流した部分の上流側端部を合流口７４ａと称する。この合流口７４ａには、前述した配管５４ｂの下流側端部が接続している。また、複数の排出口７１の下流側の部分は合流しており、この合流した部分の下流側端部を合流口７４ｂと称する。この合流口７４ｂには、前述した配管５４ａの上流側端部が接続している。
【0061】
但し、供給口７０及び排出口７１の構成は、これに限定されるものではない。例えば、複数の供給口７０の上流側が合流していない構成、すなわち、各々の供給口７０の上流側が配管５４ｂを介してリザーバータンク５１に接続した構成とすることもできる。同様に、複数の排出口７１の下流側が合流していない構成、すなわち、各々の排出口７１の下流側が配管５４ａを介してリザーバータンク５１に接続した構成とすることもできる。
【0062】
また、供給口７０及び排出口７１の個数も、剪断流Ｓｆを形成できるものであれば、複数に限定されるものではない。例えば、めっき装置１０００は、供給口７０及び排出口７１をそれぞれ１個のみ備える構成とすることもできる。
【0063】
また、めっき装置１０００が供給口７０及び排出口７１をそれぞれ１個備える場合において、供給口７０をアノード室１３の外周部１２における中心線１３Ｘよりも一方の側の全周に亘って配置し、排出口７１を中心線１３Ｘよりも他方の側の全周に亘って配置する場合には、例えば、図５に示す隔壁７３ａ及び隔壁７３ｂを備えないようにすればよい。すなわち、この場合、図５において、隔壁７３ａが無くなることで、隣接する供給口７０が接続されて一つの大きな供給口となる。同様に、隔壁７３ｂが無くなることで、隣接する排出口７１が接続されて一つの大きな排出口となる。この場合、中心線１３Ｘよりも一
方の側に一つの供給口７０が全周に亘って配置され、且つ、中心線１３Ｘよりも他方の側に一つの排出口７１が全周に亘って配置された構成を得ることができる。
方の側に一つの供給口７０が全周に亘って配置され、且つ、中心線１３Ｘよりも他方の側に一つの排出口７１が全周に亘って配置された構成を得ることができる。
【0064】
また、隔膜６１の下面６１ａから供給口７０及び排出口７１までの距離の具体的な値は、特に限定されるものではないが、できるだけ小さい値である方が、隔膜６１の下面６１ａに剪断流Ｓｆを効果的に形成できる点で好ましい。好適な例を挙げると、隔膜６１の下面６１ａから供給口７０及び排出口７１までの距離は、隔膜６１の下面６１ａからアノード６０の上面６０ａまでの距離（これを「隔膜・アノード間距離」と称する）の１／２以下であることが好ましく、この隔膜・アノード間距離の１／４以下であることがより好ましく、この隔膜・アノード間距離の１／８以下であることがさらに好ましい。
【0065】
なお、「供給口７０までの距離」は、具体的には、「供給口７０の下流側端面における任意の箇所までの距離」であればよく、例えば、供給口７０の下流側端面の上端までの距離でもよく、供給口７０の下流側端面の中心までの距離でもよく、供給口７０の下流側端面の下端までの距離でもよい。同様に、「排出口７１までの距離」は、具体的には、「排出口７１の上流側端面における任意の箇所までの距離」であればよく、例えば、排出口７１の上流側端面の上端までの距離でもよく、排出口７１の上流側端面の中心までの距離でもよく、排出口７１の上流側端面の下端までの距離でもよい。
【0066】
続いて、リザーバータンク５１の詳細について説明する。図６は、本実施形態に係るリザーバータンク５１の模式的断面図である。図３及び図６を参照して、リザーバータンク５１は、アノード室１３の排出口７１から排出されためっき液を一時的に貯留するためのタンクである。本実施形態に係るリザーバータンク５１は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。すなわち、本実施形態に係るリザーバータンク５１は、底部５５と、この底部５５の外周縁から上方に延在する外周部５６とを有しており、この外周部５６の上部が開口している。なお、リザーバータンク５１の上部は、本実施形態のように開口している構成に限定されず、例えば、閉塞していてもよい。リザーバータンク５１の外周部５６の具体的な形状は、特に限定されるものではないが、本実施形態に係る外周部５６は、一例として円筒形状を有している。
【0067】
また、リザーバータンク５１には、供給口５７（すなわち、「第２供給口」）、及び、排出口５８（すなわち、「第２排出口」）が設けられている。供給口５７は、配管５４ａを介してアノード室１３の排出口７１に連通するとともに、この排出口７１から排出されためっき液Ｐｓをリザーバータンク５１に供給するように構成された供給口である。すなわち、アノード室１３の排出口７１から排出されためっき液Ｐｓは、配管５４ａを介してこの供給口５７に流入して、この供給口５７からリザーバータンク５１に供給される。
【0068】
排出口５８は、配管５４ｂを介してアノード室１３の供給口７０に連通するとともに、リザーバータンク５１のめっき液Ｐｓをリザーバータンク５１から排出するように構成された排出口である。すなわち、リザーバータンク５１のめっき液Ｐｓは、この排出口５８から排出された後に、配管５４ｂを介して、アノード室１３の供給口７０に流入する。
【0069】
本実施形態において、供給口５７及び排出口５８は、リザーバータンク５１の外周部５６に設けられている。また、供給口５７は、排出口５８よりも上方に位置している。すなわち、リザーバータンク５１のめっき液Ｐｓの液面Ｐｓａから供給口５７までの距離は、この液面Ｐｓａから排出口５８までの距離よりも小さくなっている。
【0070】
本実施形態によれば、供給口５７からリザーバータンク５１に供給されためっき液Ｐｓに含まれる気泡Ｂｕが排出口５８に流入することを抑制しつつ、この気泡Ｂｕを、浮力を利用して液面Ｐｓａに浮き上がらせることができる。これにより、排出口５８に、気泡Ｂ
ｕを含まないめっき液Ｐｓを流入させることができるので、気泡Ｂｕを含まないめっき液Ｐｓを排出口５８から排出させて、アノード室１３の供給口７０に戻すことができる。
ｕを含まないめっき液Ｐｓを流入させることができるので、気泡Ｂｕを含まないめっき液Ｐｓを排出口５８から排出させて、アノード室１３の供給口７０に戻すことができる。
【0071】
すなわち、本実施形態に係る供給口５７及び排出口５８は、リザーバータンク５１に供給されためっき液Ｐｓに含まれる気泡Ｂｕを除去する「気泡除去機構８０」としての機能を有している。
【0072】
本実施形態によれば、上記の気泡除去機構８０を備えているので、アノード室１３の排出口７１から排出されためっき液Ｐｓに含まれる気泡Ｂｕを気泡除去機構８０で除去してから、アノード室１３の供給口７０に戻すことができる。これにより、隔膜６１の下面６１ａに気泡Ｂｕが滞留することを効果的に抑制することができるので、この気泡Ｂｕに起因して基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを効果的に抑制することができる。
【0073】
なお、本実施形態に係るめっき装置１０００の気泡除去方法は、上述しためっき装置１０００によって実現されている。すなわち、本実施形態に係るめっき装置１０００の気泡除去方法は、供給口７０からアノード室１３にめっき液Ｐｓを供給し、この供給されためっき液Ｐｓを排出口７１に吸い込ませることで、アノード室１３における隔膜６１の下面６１ａに、この下面６１ａに沿っためっき液Ｐｓの剪断流Ｓｆを形成させることを含んでいる。さらに、本実施形態に係るめっき装置１０００の気泡除去方法は、アノード室１３から排出されためっき液Ｐｓに含まれる気泡Ｂｕを除去した後に、このめっき液Ｐｓをアノード室１３に戻すことを含んでいる。この気泡除去方法の具体的な内容は、上述しためっき装置１０００の説明において実質的に説明されているので、気泡除去方法のこれ以上詳細な説明は省略する。
【0074】
（変形例１）
続いて、実施形態の変形例１について説明する。図７は、本変形例に係るめっき装置１０００Ａについて、後述する供給口７０Ａの近傍箇所（Ａ１部分）を拡大して示す模式的断面図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ａは、供給口７０に代えて、供給口７０Ａを備えている点において、前述しためっき装置１０００と異なっている。供給口７０Ａは、めっき液Ｐｓを斜め上方に向けて吐出している点において、図４に示す供給口７０と異なっている。具体的には、本変形例に係る供給口７０Ａは、排出口７１に対向しつつ、供給口７０Ａの軸線７０Ｘが隔膜６１の下面６１ａに交差するように、配置されている。
続いて、実施形態の変形例１について説明する。図７は、本変形例に係るめっき装置１０００Ａについて、後述する供給口７０Ａの近傍箇所（Ａ１部分）を拡大して示す模式的断面図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ａは、供給口７０に代えて、供給口７０Ａを備えている点において、前述しためっき装置１０００と異なっている。供給口７０Ａは、めっき液Ｐｓを斜め上方に向けて吐出している点において、図４に示す供給口７０と異なっている。具体的には、本変形例に係る供給口７０Ａは、排出口７１に対向しつつ、供給口７０Ａの軸線７０Ｘが隔膜６１の下面６１ａに交差するように、配置されている。
【0075】
本変形例においても、供給口７０Ａから供給されためっき液Ｐｓを排出口７１が吸い込むことで、アノード室１３における隔膜６１の下面６１ａに、この下面６１ａに沿っためっき液Ｐｓの剪断流Ｓｆを形成させることができる。これにより、隔膜６１の下面６１ａに気泡Ｂｕが滞留することを抑制することができるので、この気泡Ｂｕに起因して基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを抑制することができる。
【0076】
（変形例２）
続いて、実施形態の変形例２について説明する。図８は、本変形例に係るめっき装置１０００Ｂのリザーバータンク５１Ｂの模式的断面図である。本変形例に係るリザーバータンク５１Ｂは、供給口５７が排出口５８と同じ高さに配置されている点と、気泡除去機構８０に代えて気泡除去機構８０Ｂを備えている点とにおいて、図６に示すリザーバータンク５１と異なっている。本変形例に係る気泡除去機構８０Ｂは、供給口５７及び排出口５８を有するのではなく、後述する仕切り部材５９を有している点において、図６に示す気泡除去機構８０と異なっている。
続いて、実施形態の変形例２について説明する。図８は、本変形例に係るめっき装置１０００Ｂのリザーバータンク５１Ｂの模式的断面図である。本変形例に係るリザーバータンク５１Ｂは、供給口５７が排出口５８と同じ高さに配置されている点と、気泡除去機構８０に代えて気泡除去機構８０Ｂを備えている点とにおいて、図６に示すリザーバータンク５１と異なっている。本変形例に係る気泡除去機構８０Ｂは、供給口５７及び排出口５８を有するのではなく、後述する仕切り部材５９を有している点において、図６に示す気泡除去機構８０と異なっている。
【0077】
仕切り部材５９は、リザーバータンク５１Ｂのめっき液Ｐｓの液面Ｐｓａよりも上方側
に突出するとともに、リザーバータンク５１Ｂの底部５５に接触しない範囲でリザーバータンク５１Ｂの液面Ｐｓａよりも下方に向かって延在している。すなわち、仕切り部材５９の上端５９ａは、液面Ｐｓａよりも上方側に突出しており、仕切り部材５９の下端５９ｂは、液面Ｐｓａよりも下方に位置しており、且つ、底部５５との間に隙間を有している。なお、本変形例に係る仕切り部材５９は、図８のＹ方向及び－Ｙ方向に延在しており、このＹ方向側の端部及び－Ｙ方向側の端部がリザーバータンク５１Ｂの外周部５６に接続されることで、その位置が固定されている。但し、仕切り部材５９のリザーバータンク５１Ｂへの固定手法は、これに限定されるものではない。
に突出するとともに、リザーバータンク５１Ｂの底部５５に接触しない範囲でリザーバータンク５１Ｂの液面Ｐｓａよりも下方に向かって延在している。すなわち、仕切り部材５９の上端５９ａは、液面Ｐｓａよりも上方側に突出しており、仕切り部材５９の下端５９ｂは、液面Ｐｓａよりも下方に位置しており、且つ、底部５５との間に隙間を有している。なお、本変形例に係る仕切り部材５９は、図８のＹ方向及び－Ｙ方向に延在しており、このＹ方向側の端部及び－Ｙ方向側の端部がリザーバータンク５１Ｂの外周部５６に接続されることで、その位置が固定されている。但し、仕切り部材５９のリザーバータンク５１Ｂへの固定手法は、これに限定されるものではない。
【0078】
リザーバータンク５１Ｂの断面視で、供給口５７（「第２供給口」）は、仕切り部材５９よりも一方の側（Ｘ方向の側）に設けられている。排出口５８（「第２排出口」）は、仕切り部材５９よりも他方の側（－Ｘ方向の側）に設けられている。また、仕切り部材５９の下端５９ｂは、供給口５７よりも下方に位置している。
【0079】
本変形例によれば、供給口５７からリザーバータンク５１Ｂに供給されためっき液Ｐｓに含まれる気泡Ｂｕが仕切り部材５９よりも他方の側（排出口５８の側）に流入することを抑制することができる。具体的には、供給口５７から供給されためっき液Ｐｓに含まれる気泡Ｂｕは、浮力を利用して液面Ｐｓａに浮き上がる。そして、この液面Ｐｓａに浮き上がる途中の気泡Ｂｕや液面Ｐｓａに浮き上がった気泡Ｂｕが、仕切り部材５９よりも排出口５８の側に流入することを抑制することができる。なお、仕切り部材５９の下端５９ｂがリザーバータンク５１Ｂの底部５５に接触していないので、リザーバータンク５１Ｂの仕切り部材５９よりも供給口５７の側に貯留されためっき液Ｐｓは、この下端５９ｂと底部５５との間の隙間を通過して、仕切り部材５９よりも排出口５８の側に流入することができる。これにより、仕切り部材５９よりも供給口５７の側のめっき液Ｐｓが仕切り部材５９の上端５９ａを超えて排出口５８の側に流入することが抑制されている。
【0080】
以上のように、本変形例によれば、供給口５７からリザーバータンク５１Ｂに供給されためっき液Ｐｓに含まれる気泡Ｂｕを除去した上で、排出口５８から排出させて、アノード室１３の供給口７０に戻すことができる。これにより、隔膜６１の下面６１ａに気泡Ｂｕが滞留することを効果的に抑制することができるので、この気泡Ｂｕに起因して基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを効果的に抑制することができる。
【0081】
なお、図８において、供給口５７は排出口５８と同じ高さに配置されているが、この構成に限定されるものではない。供給口５７は排出口５８とは異なる高さに配置されていてもよい。
【0082】
また、本変形例において、仕切り部材５９の下端５９ｂは、供給口５７よりも下方に位置しているが、この構成に限定されるものではない。仕切り部材５９の下端５９ｂは、供給口５７よりも上方に位置していてもよい。しかしながら、仕切り部材５９の下端５９ｂが供給口５７よりも下方に位置する場合の方が、この下端５９ｂが供給口５７よりも上方に位置する場合に比較して、供給口５７から供給されためっき液Ｐｓに含まれる気泡Ｂｕが仕切り部材５９の下端５９ｂとリザーバータンク５１Ｂの底部５５との間の隙間を通過して、仕切り部材５９よりも排出口５８の側に流入することを効果的に抑制することができる点で、好ましい。
【0083】
なお、本変形例に係るめっき装置１０００Ｂは、前述した変形例１に係るめっき装置１０００Ａの特徴をさらに備えていてもよい。
【0084】
（変形例３）
続いて、実施形態の変形例３について説明する。図９は、本変形例に係るめっき装置１
０００Ｃのアノード室１３の近傍領域を拡大して示す模式的断面図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ｃは、ガイド部材９０をさらに備えている点において、図４に示すめっき装置１０００と異なっている。図１０は、ガイド部材９０を下方側（図９のＣ１方向）から視認した様子を模式的に示す下面図である。なお、図１０では、参考用として、供給口７０や排出口７１も想像線（二点鎖線）で図示されている。また、図１０には、ガイド部材９０の一部（Ａ３部分）の模式的斜視図も図示されている。
続いて、実施形態の変形例３について説明する。図９は、本変形例に係るめっき装置１
０００Ｃのアノード室１３の近傍領域を拡大して示す模式的断面図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ｃは、ガイド部材９０をさらに備えている点において、図４に示すめっき装置１０００と異なっている。図１０は、ガイド部材９０を下方側（図９のＣ１方向）から視認した様子を模式的に示す下面図である。なお、図１０では、参考用として、供給口７０や排出口７１も想像線（二点鎖線）で図示されている。また、図１０には、ガイド部材９０の一部（Ａ３部分）の模式的斜視図も図示されている。
【0085】
【0086】
具体的には、図１０に示すように、本変形例に係るガイド部材９０は、複数のガイド板９１を備えている。複数のガイド板９１のＸ方向及び－Ｘ方向側の端部は、前述した保持部材６２によって保持されている。複数のガイド板９１は、互いに隣接するガイド板９１との間に隙間が形成されるように、アノード室１３の中心線１３Ｘに沿った方向（Ｙ軸の方向）に配列している。
【0087】
複数のガイド板９１のうち、中心線１３Ｘに沿った方向で端部に配置されたガイド板９１とアノード室１３の外周部１２との間に設けられた隙間、及び、互いに対向するガイド板９１の間に設けられた隙間は、隔膜６１の下面６１ａに沿って流動する剪断流Ｓｆを、供給口７０から排出口７１に向かう方向に導くためのガイド流路９２として機能する。このガイド流路９２は、下面視で、各々の供給口７０と各々の排出口７１とを連通するように配置されている。
【0088】
本変形例によれば、供給口７０から供給されて隔膜６１の下面６１ａに沿って流動する剪断流Ｓｆを、ガイド部材９０によってガイドして、排出口７１に効果的に吸い込ませることができる。これにより、強い剪断流Ｓｆを容易に形成することができる。この結果、隔膜６１の下面６１ａに気泡Ｂｕが滞留することを効果的に抑制することができるので、この気泡Ｂｕに起因して基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを効果的に抑制することができる。
【0089】
なお、本変形例に係るめっき装置１０００Ｃは、前述した変形例１に係るめっき装置１０００Ａの特徴、及び／又は、変形例２に係るめっき装置１０００Ｂの特徴をさらに備えていてもよい。
【0090】
（変形例４）
続いて、実施形態の変形例４について説明する。図１１は、本変形例に係るめっき装置１０００Ｄの排出口７１の近傍領域を拡大して示す模式的断面図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ｄは、ガス抜き配管９５をさらに備えている点において、図４に示すめっき装置１０００と異なっている。なお、図１１には、参考用として、ガス抜き配管９５の近傍領域（Ａ４部分）の模式的断面図も図示されている。
続いて、実施形態の変形例４について説明する。図１１は、本変形例に係るめっき装置１０００Ｄの排出口７１の近傍領域を拡大して示す模式的断面図である。本変形例に係るめっき装置１０００Ｄは、ガス抜き配管９５をさらに備えている点において、図４に示すめっき装置１０００と異なっている。なお、図１１には、参考用として、ガス抜き配管９５の近傍領域（Ａ４部分）の模式的断面図も図示されている。
【0091】
ガス抜き配管９５は、めっき液Ｐｓの流動方向で排出口７１からリザーバータンク５１に至るまでの間の箇所に配置されており、当該箇所を流動するめっき液Ｐｓに含まれるガスを大気中に放出するための配管部材である。具体的には、本変形例に係るガス抜き配管９５は、配管５４ａの途中箇所と大気とを連通するように、配管５４ａの途中箇所に接続されている。
【0092】
より具体的には、本変形例に係るガス抜き配管９５は、その一端９５ａが配管５４ａの途中箇所に連通している。また、ガス抜き配管９５は、ガス抜き配管９５を通過したガス
を大気に開放するための大気開放孔９５ｃを有している。本変形例に係る大気開放孔９５ｃは、一例として、ガス抜き配管９５の他端９５ｂに設けられている。また、ガス抜き配管９５の他端９５ｂは、一端９５ａよりも上方に位置している。配管５４ａを流動するめっき液Ｐｓ中の気泡Ｂｕに含まれるガスは、ガス抜き配管９５を通過して、大気開放孔９５ｃから大気中に放出される。これにより、この気泡Ｂｕは消滅する。
を大気に開放するための大気開放孔９５ｃを有している。本変形例に係る大気開放孔９５ｃは、一例として、ガス抜き配管９５の他端９５ｂに設けられている。また、ガス抜き配管９５の他端９５ｂは、一端９５ａよりも上方に位置している。配管５４ａを流動するめっき液Ｐｓ中の気泡Ｂｕに含まれるガスは、ガス抜き配管９５を通過して、大気開放孔９５ｃから大気中に放出される。これにより、この気泡Ｂｕは消滅する。
【0093】
本変形例によれば、上述したように、アノード室１３からリザーバータンク５１に向けて流動するめっき液Ｐｓの気泡Ｂｕを消滅させることができるので、リザーバータンク５１に供給されるめっき液Ｐｓに気泡Ｂｕが含まれることを抑制することができる。これにより、リザーバータンク５１からアノード室１３に戻されるめっき液Ｐｓに気泡Ｂｕが含まれることを抑制することができるので、隔膜６１の下面６１ａに気泡Ｂｕが滞留することを効果的に抑制することができる。この結果、この気泡Ｂｕに起因して基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを効果的に抑制することができる。
【0094】
なお、本変形例に係るめっき装置１０００Ｄは、前述した変形例１に係るめっき装置１０００Ａの特徴、及び／又は、変形例２に係るめっき装置１０００Ｂの特徴、及び／又は、変形例３に係るめっき装置１０００Ｃの特徴をさらに備えていてもよい。
【0095】
以上、本発明の実施形態や変形例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態や変形例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、さらなる種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【0096】
１０ めっき槽
１２ 外周部
１３ アノード室
１３Ｘ 中心線
３０ 基板ホルダ
５０ めっき液循環装置
５１ リザーバータンク
５５ 底部
５７ 供給口（第２供給口）
５８ 排出口（第２排出口）
５９ 仕切り部材
６０ アノード
６１ 隔膜
６１ａ 下面
７０ 供給口
７１ 排出口
８０ 気泡除去機構
９０ ガイド部材
９５ ガス抜き配管
１０００ めっき装置
Ｗｆ 基板
Ｗｆａ 被めっき面
Ｐｓ めっき液
Ｐｓａ 液面
Ｓｆ 剪断流
Ｂｕ 気泡
１２ 外周部
１３ アノード室
１３Ｘ 中心線
３０ 基板ホルダ
５０ めっき液循環装置
５１ リザーバータンク
５５ 底部
５７ 供給口（第２供給口）
５８ 排出口（第２排出口）
５９ 仕切り部材
６０ アノード
６１ 隔膜
６１ａ 下面
７０ 供給口
７１ 排出口
８０ 気泡除去機構
９０ ガイド部材
９５ ガス抜き配管
１０００ めっき装置
Ｗｆ 基板
Ｗｆａ 被めっき面
Ｐｓ めっき液
Ｐｓａ 液面
Ｓｆ 剪断流
Ｂｕ 気泡
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】