特許 7502317 コントローラ、機器および方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-10

(45)【発行日】2024-06-18

(54)【発明の名称】コントローラ、機器および方法

(51)【国際特許分類】

   G06F 12/00 20060101AFI20240611BHJP

   G11C 16/08 20060101ALI20240611BHJP

   G11C 16/26 20060101ALI20240611BHJP

【ＦＩ】

G06F12/00 560A

G06F12/00 597U

G11C16/08 120

G11C16/26 100

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2021549868

(86)(22)【出願日】2019-04-30

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-04-19

(86)【国際出願番号】 CN2019085141

(87)【国際公開番号】W WO2020220246

(87)【国際公開日】2020-11-05

【審査請求日】2021-08-25

【審判番号】

【審判請求日】2023-03-15

(73)【特許権者】

【識別番号】519237948

【氏名又は名称】長江存儲科技有限責任公司

【氏名又は名称原語表記】Ｙａｎｇｔｚｅ Ｍｅｍｏｒｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．８８ Ｗｅｉｌａｉ ３ｒｄ Ｒｏａｄ，Ｅａｓｔ Ｌａｋｅ Ｈｉｇｈ－ｔｅｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｗｕｈａｎ，Ｈｕｂｅｉ，Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】100109210

【弁理士】

【氏名又は名称】新居 広守

(72)【発明者】

【氏名】チャン・フアンペン

(72)【発明者】

【氏名】フ・シャン

(72)【発明者】

【氏名】ワン・チ

【合議体】

【審判長】林 毅

【審判官】脇岡 剛

【審判官】山崎 慎一

(56)【参考文献】

【文献】特表２０１６－５２２９４２号公報（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－２３０４２５号公報（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１５／０１５３９５５号明細書（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００９－１５１６８１号公報（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０６Ｆ１２／００－１２／０６

Ｇ０６Ｆ ３／０６

Ｇ１１Ｃ１１／５６；１６／００－１７／１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

コントローラであって、
前記コントローラに結合され、プログラム後の経過時間が初期保持期間内である最近プログラムされた、データの読み出しに用いる電圧レベルである読み出しレベルおよびデフォルト読み出しレベルを記憶したフラッシュメモリ内のデータのエントリのリストを記憶するように構成されたメモリと、
前記メモリに結合されたマイクロコントローラと、
前記マイクロコントローラに結合され、クロック割り込みを生成するように構成されたタイマと、を備え、
前記マイクロコントローラは、
前記クロック割り込みの各々を受信する際に、前記フラッシュメモリにプログラムされたデータに基づいて前記エントリのリストを定期的に更新し、
前記フラッシュメモリからデータを読み出す前に、前記メモリからエントリのリストを読み出し、データがエントリのリストのエントリに一致する場合、プログラム後の経過時間が初期保持期間内である最近プログラムされた読み出しコマンドを、読み出しコマンドの前に前記フラッシュメモリに送信するように構成され、
前記読み出しコマンドは、中のデータをフェッチするように前記フラッシュメモリに命令するために使用される
コントローラ。

【請求項2】

前記マイクロコントローラは、読み出し中のデータが前記エントリのリストのエントリと一致する場合に、前記最近プログラムされた読み出しコマンドを送信することで、前記読み出し中のデータの読み出しにおいて、前記最近プログラムされた読み出しレベルの使用を、前記フラッシュメモリに命令するようにさらに構成され、
前記最近プログラムされた読み出しレベルは、デフォルト読み出しレベルとは異なる
請求項１に記載のコントローラ。

【請求項3】

前記最近プログラムされた読み出しレベルは、前記デフォルト読み出しレベルを超える
請求項２に記載のコントローラ。

【請求項4】

前記最近プログラムされた読み出しレベルの使用を命令するために、前記マイクロコントローラは、前記フラッシュメモリに予め設定されて記憶されている前記最近プログラムされた読み出しレベルを読み出すように、前記フラッシュメモリに命令するように構成される
請求項２に記載のコントローラ。

【請求項5】

前記フラッシュメモリに命令するために、前記マイクロコントローラは、読み出しコマンドとは異なり、かつ、プログラム後の経過時間が初期保持期間内である最近プログラムされた読み出しコマンドを、前記フラッシュメモリに送信するように構成される
請求項４に記載のコントローラ。

【請求項6】

前記メモリは、所定の期間にわたって前記エントリのリストを記憶するように構成される
請求項１に記載のコントローラ。

【請求項7】

フラッシュメモリと、
前記フラッシュメモリに結合され、前記フラッシュメモリのデータアクセスを管理するように構成されたコントローラと、を備え、
前記コントローラは、
前記フラッシュメモリ内のデータのエントリのリストを記憶するように構成されたメモリと、
前記メモリに結合されたマイクロコントローラと、
前記マイクロコントローラに結合されたタイマであって、クロック割り込みを生成するように構成されたタイマと、を備え、
前記マイクロコントローラは、前記クロック割り込みの各々を受信する際に、前記フラッシュメモリにプログラムされたデータに基づいて前記エントリのリストを定期的に更新し、前記フラッシュメモリからデータを読み出す前に、前記メモリからエントリのリストを読み出し、データがエントリのリストのエントリに一致する場合、プログラム後の経過時間が初期保持期間内である最近プログラムされた読み出しコマンドを、読み出しコマンドの前に前記フラッシュメモリに送信するように構成され、
前記読み出しコマンドは、中のデータをフェッチするように前記フラッシュメモリに命令するために使用され、
前記フラッシュメモリは、
前記マイクロコントローラに結合されたマルチプレクサを備え、
プログラム後の経過時間が初期保持期間内である最近プログラムされた、データの読み出しに用いる電圧レベルである読み出しレベルおよびデフォルト読み出しレベルを記憶し、
前記マルチプレクサは、
前記フラッシュメモリが前記最近プログラムされた読み出しコマンドと前記読み出しコマンドとを受信したときに前記最近プログラムされた読み出しレベルを選択し、
前記フラッシュメモリが前記読み出しコマンドを受信し、前記最近プログラムされた読み出しコマンドを受信していないときに前記デフォルト読み出しレベルを選択し、
前記フラッシュメモリは、前記マルチプレクサによって選択された前記最近プログラムされた読み出しレベル又は前記デフォルト読み出しレベルを使用してデータを読み出すように構成されている
機器。

【請求項8】

前記マイクロコントローラは、読み出し中のデータが前記エントリのリストのエントリと一致する場合に、前記最近プログラムされた読み出しコマンドを送信することで、前記読み出し中のデータの読み出しにおいて、前記最近プログラムされた読み出しレベルの使用を、前記フラッシュメモリに命令するようにさらに構成され、
前記最近プログラムされた読み出しレベルは、デフォルト読み出しレベルとは異なる
請求項７に記載の機器。

【請求項9】

前記最近プログラムされた読み出しレベルは、前記デフォルト読み出しレベルを超える
請求項８に記載の機器。

【請求項10】

前記最近プログラムされた読み出しレベルの使用を命令するために、前記マイクロコントローラは、前記フラッシュメモリに予め設定されて記憶されている前記最近プログラムされた読み出しレベルを読み出すように、前記フラッシュメモリに命令するように構成される
請求項８に記載の機器。

【請求項11】

前記フラッシュメモリに命令するために、前記マイクロコントローラは、読み出しコマンドとは異なり、かつ、プログラム後の経過時間が初期保持期間内である最近プログラムされた読み出しコマンドを、前記フラッシュメモリに送信するように構成される
請求項１０に記載の機器。

【請求項12】

前記メモリは、所定の期間にわたって前記エントリのリストを記憶するように構成される
請求項７に記載の機器。

【請求項13】

フラッシュコントローラによって実行されるフラッシュメモリの、データの読み出しに用いる電圧レベルである読み出しレベルを管理するための方法であって、
前記フラッシュメモリ内のデータのエントリのリストを記憶することと、
クロック割り込みを生成することと、
前記クロック割り込みの各々を受信する際に、前記フラッシュメモリにプログラムされたデータに基づいて前記エントリのリストを定期的に更新することと、
前記フラッシュメモリからデータを読み出す前に、記憶されたエントリのリストを読み出し、データがエントリのリストのエントリに一致する場合、プログラム後の経過時間が初期保持期間内である最近プログラムされた読み出しコマンドを、読み出しコマンドの前に前記フラッシュメモリに送信することと、を含み、
前記読み出しコマンドは、中のデータをフェッチするように前記フラッシュメモリに命令するために使用され、
前記フラッシュメモリには、
前記フラッシュコントローラに含まれるマイクロコントローラに結合されたマルチプレクサが含まれ、
プログラム後の経過時間が初期保持期間内である最近プログラムされた読み出しレベルおよびデフォルト読み出しレベルが記憶され、
前記マルチプレクサが、
前記フラッシュメモリが前記最近プログラムされた読み出しコマンドと前記読み出しコマンドとを受信したときに前記最近プログラムされた読み出しレベルを選択し、
前記フラッシュメモリが前記読み出しコマンドを受信し、前記最近プログラムされた読み出しコマンドを受信していないときに前記デフォルト読み出しレベルを選択し、
前記フラッシュメモリは、前記マルチプレクサによって選択された前記最近プログラムされた読み出しレベル又は前記デフォルト読み出しレベルを使用してデータを読み出すように構成されている
方法。

【請求項14】

読み出し中のデータが前記エントリのリストのエントリと一致する場合に、前記最近プログラムされた読み出しコマンドを送信することで、前記読み出し中のデータの読み出しにおいて、前記最近プログラムされた読み出しレベルの使用を、前記フラッシュメモリに命令することであって、前記最近プログラムされた読み出しレベルは、デフォルト読み出しレベルとは異なる、前記フラッシュメモリに命令することをさらに含む
請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記最近プログラムされた読み出しレベルは、前記デフォルト読み出しレベルを超える
請求項１４に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体メモリに関し、詳細には、フラッシュメモリの読み出しレベルを管理する電子機器および方法に関する。

【背景技術】

【0002】

フラッシュメモリは、モバイルデバイスおよび家電機器における不揮発性データ記憶装置に広く採用されている。フラッシュメモリは、メモリセルを異なる閾値電圧レベルにプログラムすることによって、メモリセルのアレイにデータを記憶する。シングル・レベル・セル（ＳＬＣ）フラッシュメモリでは、メモリセルは２つの可能な公称閾値電圧レベルを有し、２ビットのマルチレベルセル（ＭＬＣ）フラッシュメモリでは、メモリセルは４つの可能な公称閾値電圧レベルを有する。フラッシュメモリは、メモリセルからデータを読み出すために、異なる閾値電圧レベルに対応するいくつかの読み出しレベルを使用することができる。

【0003】

フラッシュメモリは、フローティングゲート技術または電荷トラップ技術によって実装され得る。フローティング・ゲート・フラッシュ・メモリは、絶縁されたポリシリコン導電層に電荷を蓄積することができ、電荷トラップ型フラッシュメモリは、非導電性窒化ケイ素絶縁層に閉じ込められた電荷を保持することができる。過去数年にわたって、電荷トラップ型フラッシュメモリは、製造コストの低減および書き込みの耐久性の向上のために、フローティング・ゲート・フラッシュ・メモリよりも人気が高まっている。しかし、電荷トラップ型フラッシュメモリは、高速での初期の電荷損失という問題を抱えている。これは、浅くトラップされた電荷がプログラム後数秒以内にフラッシュ・メモリ・セルから出て、経時的な電荷漏れをもたらすものである。その結果、フラッシュ・メモリ・セルのデータが、デフォルトの読み出しレベルを使用して正確に読み出されなくなる可能性があり、漸進的な保持の損失および読み出し能力の漸進的な低下をもたらす。

【0004】

したがって、読み出し能力の信頼性が高く、かつ、回路の構造が単純なフラッシュ・メモリ・デバイスが、必要とされている。

【発明の概要】

【0005】

本発明の一実施形態では、フラッシュメモリおよびフラッシュコントローラを含む電子機器が提供される。フラッシュコントローラは、フラッシュメモリに結合され、フラッシュメモリへのデータアクセスを管理するために使用される。フラッシュコントローラは、タイマと、メモリと、タイマおよびメモリに結合されたマイクロコントローラとを含む。タイマは、クロック割り込みを生成するために使用される。メモリは、フラッシュメモリにプログラムされたデータのエントリのリストを所定の期間保持するために、使用される。各クロック割り込み時に、マイクロコントローラは、プログラムされているデータのエントリをフラッシュメモリに書き込み、エントリのリストを更新するために使用される。

【0006】

本発明の別の実施形態では、フラッシュメモリの読み出しレベルを管理する方法が開示される。この方法は、フラッシュメモリと、それに結合されたフラッシュコントローラとを含む電子機器によって採用される。フラッシュコントローラは、タイマと、メモリと、マイクロコントローラとを含む。方法は、タイマがクロック割り込みを生成することと、メモリが、フラッシュメモリにプログラムされたデータのエントリのリストを所定の期間保持することと、各クロック割り込みの際に、マイクロコントローラが、フラッシュメモリにプログラムされているデータのエントリを書き込み、エントリのリストを更新することとを含む。

【0007】

本発明のこれらおよび他の目的は、様々な図および図面に示されている好ましい実施形態の以下の詳細な説明を読めば、当業者に明らかになる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付の図面は、本開示の実施形態を示し、説明と共に、本開示の原理を説明し、当業者が本開示を作成および使用することを有効にするようにさらに機能する。

【図1】初期保持期間におけるメモリセルのグループの閾値電圧分布を示す。

【図2】初期保持期間後のメモリセルのグループの閾値電圧分布を示す。

【図3】本発明の実施形態による、電子機器のブロック図である。

【図4】図３の電子機器によって採用される通常の読み出し動作のタイミング図を示す。

【図5】図３の電子機器によって採用される最近プログラムされた読み出し動作のタイミング図を示す。

【図6】図３のフラッシュメモリに組み込まれたマルチプレクサの概略図である。

【図7】図３の最近プログラムされたページプールの例示的なデータ構造を示す。

【図8】図３の電子機器に組み込まれたプログラム順序タグ管理プロセスのフローチャートである。

【図9】図３の電子機器によって採用される読み出しレベル管理方法のフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本発明では、メモリセルがプログラムされた後の異なる期間にメモリセルからデータを読み出すために異なる読み出しレベルが使用され、それによって高速の初期電荷損失という問題が解決され、信頼性の高い読み出し動作が提供される。

【0010】

図１および図２は、本発明の実施形態による、フラッシュ・メモリ・デバイスにおけるメモリセルのグループに対する読み出しレベルを管理する原理を示す。具体的には、図１は、プログラム後の初期保持期間において使用するための閾値電圧分布１０ｎおよび１０（ｎ＋１）、ならびに最近プログラムされた読み出しレベルＶｒｄｎおよびＶｒｄ（ｎ＋１）を示し、閾値電圧分布１０ｎおよび１０（ｎ＋１）はそれぞれ、状態ｎおよび（ｎ＋１）におけるメモリセルのグループの閾値電圧Ｖｔの分布を表し、最近プログラムされた読み出しレベルＶｒｄｎおよびＶｒｄ（ｎ＋１）はそれぞれ、メモリセルのグループの状態ｎおよび（ｎ＋１）を読み出すために使用される読み出しレベルを表す。同様に、図２は、初期保持期間後に使用するための閾値電圧分布１２ｎおよび１２（ｎ＋１）、ならびにデフォルト読み出しレベルＶｒｄｎ’およびＶｒｄ（ｎ＋１）’を示し、閾値電圧分布１２ｎおよび１２（ｎ＋１）はそれぞれ、状態ｎおよび（ｎ＋１）におけるメモリセルのグループの閾値電圧Ｖｔの分布を表し、デフォルト読み出しレベルＶｒｄｎ’およびＶｒｄ（ｎ＋１）’はそれぞれ、メモリセルのグループの状態ｎおよび（ｎ＋１）を読み出すために使用される読み出しレベルを表す。

【0011】

不純物濃度のばらつきやシリコン構造の欠陥などのメモリセルの特性の違いにより、メモリセルのグループは、閾値電圧分布１０ｎ、１０（ｎ＋１）、１２ｎ、１２（ｎ＋１）を示す。最近プログラムされた読み出しレベルＶｒｄｎおよびＶｒｄ（ｎ＋１）は、閾値電圧分布１０ｎと１０（ｎ＋１）を区別するように設定され、同様に、デフォルトの読み出しレベルＶｒｄｎ’とＶｒｄ（ｎ＋１）’は、閾値電圧分布１２ｎと１２（ｎ＋１）を区別するように設定される。データ検索は、読み出しレベルＶｒｄｎ、Ｖｒｄ（ｎ＋１）、Ｖｒｄｎ’またはＶｒｄ（ｎ＋１）’をメモリセルのグループに適用することによって達成される。例えば、最近プログラムされた読み出しレベルＶｒｄ（ｎ＋１）がメモリセルのグループに適用されると、状態ｎのメモリセルは、最近プログラムされた読み出しレベルＶｒｄ（ｎ＋１）が閾値電圧分布１０ｎの閾値電圧Ｖｔを超えるため、ソース電流を生成し、状態（ｎ＋１）のメモリセルは、最近プログラムされた読み出しレベルＶｒｄ（ｎ＋１）が、閾値電圧分布１０（ｎ＋１）の閾値電圧Ｖｔより低次であるため、ソース電流を生成しない。結果として、ソース電流を感知することによって、メモリセルに保持されたデータは、状態ｎまたは状態（ｎ＋１）にあると識別することができる。

【0012】

図１および図２は、閾値電圧分布の経時的なシフトを示す。初期保持期間が経過した後、閾値電圧分布１０および１０（ｎ＋１）を左にシフトさせて閾値電圧分布１２ｎおよび１２（ｎ＋１）を作出する。これに対応して、読み出しレベルが、閾値電圧分布のシフトを補償するように適合される。具体的には、デフォルトの読み出しレベルＶｒｄｎ’およびＶｒｄ（ｎ＋１）’が、それぞれ、最近プログラムされた読み出しレベルＶｒｄｎおよびＶｒｄ（ｎ＋１）よりも低く設定される。したがって、初期保持期間において、より高い最近プログラムされた読み出しレベルＶｒｄｎおよびＶｒｄ（ｎ＋１）をデータの読み出しに採用することができ、初期保持期間が経過した後、より低いデフォルト読み出しレベルＶｒｄｎ’およびＶｒｄ（ｎ＋１）’をデータの読み出しに採用することができ、それによってメモリセルのフルタイムでのデータの保持が保証される。

【0013】

図１および図２に概説されているような経時的な読み出しレベルの適合は、図３の電子機器３によって実施することができる。電子機器３は、フラッシュコントローラ３０と、物理層トランシーバ３２と、フラッシュメモリ３４とを備える。フラッシュコントローラ３０は、物理層トランシーバ３２を介してフラッシュメモリ３４に結合される。フラッシュメモリ３４は、複数のページ３４０から３４ｎを備え、ページ３４０から３４ｎの各々は、データ記憶のためにアレイ状に配置された複数のメモリセルを含む。メモリセルは、シングル・レベル・セル（ＳＬＣ）またはマルチレベルセル（ＭＬＣ）であってもよい。フラッシュコントローラ３０は、フラッシュメモリ３４へのデータのアクセスを制御し、フラッシュメモリ３４からデータを読み出すための読み出しレベルを管理することができる。物理層トランシーバ３２は、フラッシュコントローラ３０とフラッシュメモリ３４との間のデータ転送をインタフェースすることができる。フラッシュコントローラ３０は、タイマ３００と、マイクロコントローラ３０２と、ダイレクト・メモリ・アクセス（ＤＭＡ）３０４と、メモリ３０６とを備える。タイマ３００は、マイクロコントローラ３０２、ＤＭＡ３０４、次いでメモリ３０６に順次結合される。

【0014】

タイマ３００は、定期的に処理される必要があるタスクを実行するために、クロック割り込みを生成し、それをマイクロコントローラ３０２に送信することができる。例えば、タイマ３００は、毎秒クロック割り込みを生成し得る。メモリ３０６は、所定の期間、フラッシュメモリ３４にプログラムされたデータのエントリのリスト３０６０を保持することができ、エントリのリスト３０６０は、いくつかの実施形態では最近プログラムされたページ（ＲＰＰ）プールと呼ばれる。各クロック割り込み時に、マイクロコントローラ３０２は、プログラムされているデータのエントリをフラッシュメモリ３４に書き込み、エントリのリスト３０６０を更新することができる。ＤＭＡ３０４は、マイクロコントローラ３０２とメモリ３０６との間でデータのエントリを渡すことができる。

【0015】

マイクロコントローラ３０２は、読み出し対象のデータが初期保持期間であるかどうかを判定するためにエントリのリスト３０６０をチェックし、それに応じて対応する読み出しレベルを設定することができる。いくつかの実施形態では、マイクロコントローラ３０２は、ＳＥＴ機能を使用して、フラッシュメモリ３４における読み出しレベルをオンザフライで設定し、設定された読み出しレベルを使用してデータを読み出すように、フラッシュメモリ３４に命令することができる。他の実施形態では、最近プログラムされた読み出しレベル３４００およびデフォルト読み出しレベル３４０２は、フラッシュメモリ３４のページ３４０などの所定のページに予め設定されて記憶させてもよく、マイクロコントローラ３０２は、データを読み出すために最近プログラムされた読み出しレベル３４００およびデフォルト読み出しレベル３４０２のうちの一方を使用するようにメモリ３４に命令することができる。一般に、プリセットの読み出しレベル方法は、オンザフライ方法における設定よりも時間上効率的であり、以下のセクションでより詳細に述べていく。具体的には、フラッシュメモリ３４からデータを読み出す前に、マイクロコントローラ３０２は、メモリ３０６からエントリのリスト３０６０を読み出してもよい。データがエントリのリスト３０６０のエントリと一致する場合、マイクロコントローラ３０２は、読み出されているデータが最近プログラムされたデータであることを示す最近プログラムされた読み出しコマンドをフラッシュメモリ３４に送信し、最近プログラムされた読み出し動作を実行するようにフラッシュメモリ３４に命令することができ、データがエントリのリスト３０６０のエントリと一致しない場合、マイクロコントローラ３０２は、通常の読み出し動作を実行するようにフラッシュメモリ３４に命令することができる。最近プログラムされたデータは、プログラム後の初期保持期間のデータとして定義される。最近プログラムされた読み出し動作は、最近プログラムされた読み出しレベル３４００を採用した読み出し動作であり、通常の読み出し動作は、デフォルトの読み出しレベル３４０２を採用した読み出し動作である。最近プログラムされた読み出しレベル３４００が、デフォルト読み出しレベル３４０２を超える場合がある。

【0016】

フラッシュメモリ３４は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリまたはＮＯＲ型フラッシュメモリであり得、フラッシュコントローラ３０は、ＮＡＮＤ型フラッシュコントローラまたはＮＯＲ型フラッシュ・メモリ・コントローラであり得る。さらに、電子機器３では２つの読み出しレベルのみが使用されているが、経時的な閾値電圧シフトを担うために３つ以上の読み出しレベルが電子機器３によって採用され得ることは、当業者にとって明らかである。

【0017】

図４および図５は、電子機器３が採用する通常の読み出し動作および最近プログラムされた読み出し動作のタイミング図をそれぞれ示しており、各タイミング図は、データ型信号Ｓｔｙｐ、データ信号ＤＱ［７：０］およびレディ／ビジー信号Ｒ／Ｂ＿ｎを含む。通常の読み出し動作の場合、レディ／ビジー信号Ｒ／Ｂ＿ｎがレディに設定され、一連のアドレスが続く読み出しコマンドが、マイクロコントローラ３０２からフラッシュメモリ３４に送られる。読み出しコマンドを受信し、最近プログラムされた読み出しコマンドを受信しないとき、フラッシュメモリ３４は、中のデータをフェッチするためにデフォルト読み出しレベル３４０２を使用することができる。読み出しコマンドは、データ型信号ＳｔｙｐにおけるコマンドＣＭＤおよびデータ信号ＤＱ［７：０］におけるデータ００ｈを送信することによって、送られる。最近プログラムされた読み出しコマンドは、データ型信号ＳｔｙｐにおけるコマンドＣＭＤ、およびデータ信号ＤＱ［７：０］におけるデータ２Ｂｈを送信することによって、送られる。アドレスのシーケンスは、フラッシュメモリ３４におけるデータの位置を指定する。レディ／ビジー信号Ｒ／Ｂ＿ｎは、論理ハイ状態のときにレディと設定される。最近プログラムされた読み出し動作の場合、レディ／ビジー信号Ｒ／Ｂ＿ｎはレディと設定され、読み出しコマンドに続く最近プログラムされた読み出しコマンドおよびアドレスのシーケンスは、マイクロコントローラ３０２からフラッシュメモリ３４に送信され、最近プログラムされた読み出しコマンドと読み出しコマンドとの両方を受信するとき、フラッシュメモリ３４は、最近プログラムされた読み出しレベル３４００を使用して、中にデータをフェッチすることができる。

【0018】

図６は、フラッシュメモリ３４に組み込まれたマルチプレクサ６の概略図である。マルチプレクサ６は、マイクロプロセッサ３０２からの最近プログラムされた読み出しコマンドに従って、最近プログラムされた読み出しレベル３４００とデフォルト読み出しレベル３４０２との間で選択するために、フラッシュメモリ３４のページ３４０に結合される。マルチプレクサ６は、最近プログラムされた読み出しコマンドを受信すると、指定されたアドレスからデータを読み出すための読み出しレベルｌｒｄとして、最近プログラムされた読み出しレベル３４００を選択し得る。マルチプレクサ６は、最近プログラムされた読み出しコマンドを受信していない場合、指定されたアドレスからデータを読み出すための読み出しレベルｌｒｄとして、デフォルト読み出しレベル３４０２を選択し得る。

【0019】

図７は、図３のエントリのリスト３０６０の例示的なデータ構造を示す。いくつかの実施形態では、エントリのリスト３０６０は、１０個のエントリといった所定の数のエントリを含むことができ、マイクロコントローラ３０２は、毎秒エントリのリスト３０６０を更新することができる。すなわち、エントリのリスト３０６０の各エントリは、所定の寿命、例えば１０秒を有する。さらに、各エントリは、プログラム順序タグ（ＰＯＴ）によってインデックス付けされ、クロック割り込みの間にフラッシュメモリ３４にプログラムされるデータの量に応じて、任意の数のサブエントリを含むことができる。図４は、ＰＯＴ（ｉ＋１）、ＰＯＴ（ｉ）、およびＰＯＴ（ｉ－１）によってインデックス付けされた３つのエントリを示しており、エントリＰＯＴ（ｉ＋１）が最新のエントリで、エントリＰＯＴ（ｉ－１）が最も古いエントリである。クロック割り込みの間にデータがプログラムされていない場合、マイクロプロセッサ３０４は、エントリのリスト３０６０の最下部にエントリを入力せずに、期限切れのエントリＰＯＴｘｐｒを除去することによって、エントリのリスト３０６０を更新することができ、クロック割り込みの間に２つのデータがプログラムされている場合、マイクロプロセッサ３０４は、エントリのリスト３０６０の最上部に２つのサブエントリを含む最新のエントリＰＯＴ（ｉ＋１）を追加し、エントリのリスト３０６０の最下部にて期限切れのエントリＰＯＴｘｐｒを除去することによってエントリのリスト３０６０を更新することができる。期限切れのエントリＰＯＴｘｐｒは、１０秒などの所定の有効期間にわたって、エントリのリスト３０６０に留まっているエントリである。各サブエントリは、フラッシュメモリ３４の１つのデータに対応するデータステータス７０、論理ユニット番号（ＬＵＮ）アドレスおよび／またはブロックアドレス７２、開始ページアドレス７４、ならびに終了ページアドレス７６を含むことができる。データステータスは、サブエントリのデータの有効性を示し、ＬＵＮアドレスおよび／またはブロックアドレス７２、開始ページアドレス７４、ならびに終了ページアドレス７６は、フラッシュメモリ３４の対応するデータをアドレス指定するために使用される。

【0020】

図８は、マイクロコントローラ３０２によって採用されるプログラム順序タグ（ＰＯＴ）管理方法８のフローチャートである。ＰＯＴ管理方法８は、エントリのリスト３０６０を生成するために使用される。任意に適したステップに変更または調整することは、本開示の範囲内である。ＰＯＴ管理方法８は、以下のステップＳ８００～Ｓ８０６を備える。

【0021】

ステップＳ８００：フラッシュコントローラ３０の電源がオンになる
ステップＳ８０２：マイクロコントローラ３０２が、ＰＯＴをリセットする
ステップＳ８０４：マイクロコントローラ３０２が、ＰＯＴが目標保持回数Ｃｔより少ないか否かを判定する；そうであればステップＳ８０６に進み、そうでなければステップＳ８０２に進む
ステップＳ８０６：マイクロコントローラ３０２は、各クロック割り込み時にＰＯＴを増分する

【0022】

フラッシュコントローラ３０の電源がオンになると（Ｓ８００）、マイクロコントローラ３２０は、ＰＯＴを所定の値、例えば０にリセットし（Ｓ８０２）、ＰＯＴが目標保持回数Ｃｔ、例えば９より少ないかどうかを判定する（Ｓ８０４）。ＰＯＴが目標保持回数Ｃｔより少ない場合、マイクロコントローラ３０２は、ＰＯＴをプログラムされているデータのエントリに関連付け、エントリのリスト３０６０にエントリを保存し、各クロック割り込み時にＰＯＴを増分する（Ｓ８０６）。ＰＯＴが目標保持回数に等しい場合、マイクロコントローラ３０２は、ＰＯＴをプログラムされているデータのエントリに関連付け、エントリのリスト３０６０にエントリを保存し、クロック割り込み時にＰＯＴをリセットする（Ｓ８０２）。

【0023】

図９は、電子機器３によって採用される読み出しレベル管理方法９のフローチャートである。読み出しレベル管理方法９は、初期保持期間内および初期保持期間後にデータを読み出すための読み出しレベルを管理するために使用され、ステップＳ９００～Ｓ９０８を含み、ステップＳ９００～Ｓ９０４は、最近プログラムされたデータのエントリのリスト３０６０を作成するために使用され、ステップＳ９０６およびＳ９０８は、フラッシュメモリ３４からデータを読み出すための読み出しレベルを管理するために、最近プログラムされた読み出しコマンドを生成するために使用される。任意に適したステップに変更または調整することは、本開示の範囲内である。読み出しレベル管理方法９は、以下のように概説される。

【0024】

ステップＳ９００：タイマ３００がクロック割り込みを生成する
ステップＳ９０２：メモリ３０６が、フラッシュメモリ３４にプログラムされたデータのエントリのリスト３０６０を所定の期間保持する
ステップＳ９０４：各クロック割り込みにおいて、マイクロコントローラ３０２は、エントリのリスト３０６０を更新するために、プログラムされているデータのエントリを、フラッシュメモリ３４に書き込む
ステップＳ９０６：マイクロコントローラ３０２は、フラッシュメモリ３４からデータを読み出す前に、メモリ３０６からエントリのリスト３０６０を読み出す
ステップＳ９０８：データがエントリのリスト３０６０のエントリと一致する場合、マイクロコントローラ３０２は、最近プログラムされた読み出しコマンドを、フラッシュメモリ３４に送信する

【0025】

ステップＳ９００～Ｓ９０８の説明は、前の諸段落で提示されており、ここでは簡潔にするために省略する。

【0026】

前の諸段落で説明したように、電子機器３および読み出しレベル管理方法９は、単純な回路構造および制御機構を使用して、信頼できる読み出し能力を付与する。

【0027】

当業者は、本発明の教示を保持しながら、装置および方法の多数の修正および変更を行うことができる旨を容易に理解する。したがって、上記の開示は、添付の特許請求の範囲の境界によってのみ限定されると解釈されるべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】