特許 7506883 精製方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-19

(45)【発行日】2024-06-27

(54)【発明の名称】精製方法

(51)【国際特許分類】

   B01D 9/02 20060101AFI20240620BHJP

   C07C 231/24 20060101ALI20240620BHJP

   C07C 233/25 20060101ALI20240620BHJP

   C07D 277/32 20060101ALI20240620BHJP

【ＦＩ】

B01D9/02 602Z

B01D9/02 601K

B01D9/02 601J

B01D9/02 603A

B01D9/02 604

B01D9/02 605

B01D9/02 609Z

C07C231/24

C07C233/25

C07D277/32

【請求項の数】 4

(21)【出願番号】P 2022535999

(86)(22)【出願日】2020-07-13

(86)【国際出願番号】 JP2020027256

(87)【国際公開番号】W WO2022013919

(87)【国際公開日】2022-01-20

【審査請求日】2023-03-07

(73)【特許権者】

【識別番号】000004064

【氏名又は名称】日本碍子株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】504176911

【氏名又は名称】国立大学法人大阪大学

(74)【代理人】

【識別番号】110000017

【氏名又は名称】弁理士法人アイテック国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】藤内 謙光

(72)【発明者】

【氏名】加藤 大貴

(72)【発明者】

【氏名】近藤 良夫

(72)【発明者】

【氏名】山田 和成

【審査官】小久保 勝伊

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１８／０３４３０５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特表２０１２－５２９５３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－１８９４６２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ０１Ｄ ９／０２

Ｃ０７Ｃ ２３１／２４

Ｃ０７Ｃ ２３３／２５

Ｃ０７Ｄ ２７７／３２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の結晶形を持つ化合物の特定の結晶形を選択的に得る精製方法であって、
前記化合物は、フェブキソスタット又はアセトアミノフェンであり、
前記複数の結晶形の赤外線吸収スペクトルにおいて前記特定の結晶形の吸収率に対する前記特定の結晶形以外の結晶形の吸収率の比が１．３以上である赤外線波長を目標波長に設定し、前記目標波長を含む赤外線を放出可能な赤外線放出装置を用いて、前記溶液に前記目標波長を含む赤外線を照射させながら前記溶媒を蒸発させて前記特定の結晶形を選択的に析出させる、
精製方法。

【請求項2】

前記赤外線放出装置は、板状の放射体と、熱源としての面状ヒーターとを有する、
請求項１に記載の精製方法

【請求項3】

前記赤外線放出装置は、前記目標波長にピークを有する赤外線を放出可能である、
請求項１又は２に記載の精製方法。

【請求項4】

前記赤外線放出装置は、外から内に向かって金属パターンと誘電体層と金属基板とがこの順に積層された構造体から前記目標波長にピークを有する赤外線を放出するものであり、前記金属パターンは、前記誘電体層上に同じ形状で同じサイズの金属電極が互いに等間隔に配列されたものであり、前記金属電極の幅に応じて放射する赤外線のピーク波長が変化する、
請求項３に記載の精製方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、精製方法に関する。

【背景技術】

【0002】

目的とする有機化合物を精製する方法として、蒸留、再結晶、クロマトグラフィ、抽出などが一般的に知られている。また、レーザ光を利用した有機化合物の精製方法が特許文献１に開示されている。特許文献１では、結晶形として安定形及び準安定形を含む物質の溶液から準安定形の物質を選択的に製造するにあたり、溶液中へレーザ光を照射することにより気泡を発生させて準安定形結晶核を発生させ、準安定形結晶を選択的に製造している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１４－１８９４６２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１では、レーザ光照射は溶液中に気泡を発生させるために行っており、物質に特有の赤外吸収波長光については着目されていない。

【0005】

本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、特定の結晶形を選択的に得ることを主目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の精製方法は、
複数の結晶形を持つ化合物の特定の結晶形を選択的に得る精製方法であって、
前記複数の結晶形の赤外線吸収スペクトルにおいて前記特定の結晶形の吸収率に対する前記特定の結晶形以外の結晶形の吸収率の比が１．３以上である赤外線波長を目標波長に設定し、前記目標波長を含む赤外線を放出可能な赤外線放出装置を用いて、前記溶液に前記目標波長を含む赤外線を照射させながら前記溶媒を蒸発させて前記特定の結晶形を選択的に析出させる、
ものである。

【0007】

この精製方法によれば、特定の結晶形を選択的に得ることができる。特定の結晶形が選択的に得られる理由は明らかではないが、以下のように考えられる。すなわち、特定の結晶形の吸収率に対する特定の結晶形以外の結晶形の吸収率の比が１．３以上である目標波長を含む赤外線が溶液に照射されると、溶液中の特定の結晶形以外の結晶形は特定の結晶形に比べて熱振動が活発になり結晶核が生成されにくくなり、その結果特定の結晶形が選択的に析出すると考えられる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】精製装置１の斜視図（一部を断面で示した）。

【図2】赤外線ヒーター１０の部分底面図。

【図3】フェブキソスタットの赤外線吸収スペクトルを示すグラフ。

【図4】アセトアミノフェンの赤外線吸収スペクトルを示すグラフ。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に本発明の好適な実施形態について説明する。

【0010】

本実施形態の精製方法は、複数の結晶形を持つ化合物の特定の結晶形を選択的に得る精製方法であって、複数の結晶形の赤外線吸収スペクトルにおいて特定の結晶形の吸収率に対する特定の結晶形以外の結晶形の吸収率の比が１．３以上である赤外線波長を目標波長に設定し、目標波長を含む赤外線を放出可能な赤外線放出装置を用いて、溶液に目標波長を含む赤外線を照射させながら溶媒を蒸発させて特定の結晶形を選択的に析出させるものである。

【0011】

例えば、２つの結晶形ａ，ｂを持つ有機化合物Ｘが溶媒に溶解した溶液から、溶媒を蒸発させて特定の結晶形ａを選択的に析出させる場合について説明する。ここでは、結晶形ａ，ｂの赤外線吸収スペクトルの所定の波長λ［μｍ］における吸収率をＡａ，Ａｂとしたとき、Ａｂ／Ａａ≧１．３の関係を満たすものとする。この場合、所定の波長λ［μｍ］を目標波長に設定し、その波長λ［μｍ］を含む赤外線を放出可能な赤外線放出装置を用いて、溶液にその赤外線を照射させながら溶媒を蒸発させる。これにより、結晶形ａが選択的に析出する。結晶形ａが選択的に析出する理由は明らかではないが、以下のように考えられる。すなわち、波長λ［μｍ］における結晶形ａの吸収率に対する結晶形ｂの吸収率の比（Ａｂ／Ａａ）が１．３以上であるため、その波長λ［μｍ］を含む赤外線が溶液に照射されると、溶液中の結晶形ｂは結晶形ａに比べて熱振動が活発になり結晶核が生成されにくくなり、その結果結晶形ａが選択的に析出すると考えられる。なお、Ａｂ／Ａａが１．３未満になると、結晶形ａが選択的に析出しにくくなるため、好ましくない。例えば、波長λ［μｍ］を含む赤外線として波長λ［μｍ］にピークを有する赤外線を用いてもよい。

【0012】

本実施形態の精製方法で精製可能な化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、フェブキソスタットやアセトアミノフェンなどが挙げられる。化合物を溶解させる溶媒としては、特に限定するものではないが、例えば２－プロパノールなどが挙げられる。

【0013】

本実施形態の精製方法では、波長λ［μｍ］を含む赤外線を放出可能な赤外線放出装置であれば、どのようなものでも用いることができる。例えば、赤外線放出装置としては、板状の放射体と、熱源としての面状ヒーターとを有するものを用いることができる。また、赤外線放出装置としては、波長λ［μｍ］にピークを有する赤外線、特に波長λ［μｍ］にピークを有する半値幅の狭い赤外線を放出可能な赤外線放出装置を用いることが好ましい。そのような赤外線放出装置としては、例えば、メタマテリアルエミッターやフィルタ付きの赤外線放出装置などが挙げられる。メタマテリアルエミッターとしては、ＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）タイプ、マイクロキャビティタイプ、メタアトムタイプ、積層タイプなどが挙げられる。ＭＩＭタイプについては、例えば参考文献１（JSME TED Newsletter, No.74, pp.7-10, 2014）に記載されたものを用いることができる。このＭＩＭタイプについては、後で詳述する。マイクロキャビティタイプやメタアトムタイプとしては、例えば参考文献２（JSME TED Newsletter, No.74, pp.2-6, 2014）に記載されたものを用いることができる。積層タイプとしては、例えば参考文献３（ACS Cent. Sci., Vol.5, pp319-326, 2019）に記載されたものを用いることができる。フィルタ付きの赤外線放出装置としては、例えば特許第６４４２３５５号公報に記載された赤外線ヒーターを用いることができる。

【0014】

図１は、精製装置１の斜視図であり、一部を断面で示した。図２は、赤外線ヒーター１０の部分底面図である。なお、左右方向、前後方向及び上下方向は、図１に示した通りとする。

【0015】

精製装置１は、赤外線ヒーター１０を用いてフラットシャーレ２０内の溶液２２から特定の結晶形を析出させる装置である。溶液２２は、複数の結晶形を持つ化合物を溶媒に溶解させたものである。

【0016】

赤外線ヒーター１０は、ＭＩＭタイプのメタマテリアルエミッターの一例であり、ヒーター本体１１と、構造体３０と、ケーシング７０とを備えている。この赤外線ヒーター１０は、下方に配置されたフラットシャーレ２０内の溶液２２に向けて赤外線を放射する。

【0017】

ヒーター本体１１は、いわゆる面状ヒーターとして構成されており、線状の部材をジグザグに湾曲させた発熱体１２と、発熱体１２に接触して発熱体１２の周囲を覆う絶縁体である保護部材１３とを備えている。発熱体１２の材質としては、例えばＷ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金及びＮｉ－Ｃｒ合金などが挙げられる。保護部材１３の材質としては、例えばポリイミドなどの絶縁性の樹脂やセラミックス等が挙げられる。ヒーター本体１１は、ケーシング７０の内部に配置されている。発熱体１２の両端は、ケーシング７０に取り付けられた図示しない一対の入力端子にそれぞれ接続されている。この一対の入力端子を介して、発熱体１２に外部から電力を供給可能である。なお、ヒーター本体１１は、絶縁体にリボン状の発熱体を巻き付けた構成の面状ヒーターとしてもよい。

【0018】

構造体３０は、発熱体１２の下方に配設された板状の放射体である。構造体３０は、赤外線ヒーター１０の下方外側から内側に向かって、第１導体層３１（金属パターン）と、誘電体層３４と、第２導体層３５（金属基板）と、支持基板３７とがこの順に積層されている。構造体３０は、ケーシング７０の下方の開口を塞ぐように配置されている。

【0019】

第１導体層３１は、図２に示すように、誘電体層３４上に同じ形状で同じサイズの金属電極３２が互いに等間隔に配設された周期構造をもつ金属パターンとして構成されている。具体的には、第１導体層３１は、複数の四角形状の金属電極３２が誘電体層３４上で左右方向に間隔Ｄ１ずつ離れて互いに等間隔に配設されると共に前後方向に間隔Ｄ２ずつ離れて互いに等間隔に配設された金属パターンとして構成されている。金属電極３２は、厚さ（上下高さ）が横幅Ｗ１（左右方向の幅）及び縦幅Ｗ２（前後方向の幅）よりも小さい形状をしている。金属パターンの横方向の周期はΛ１＝Ｄ１＋Ｗ１、縦方向の周期はΛ２＝Ｄ２＋Ｗ２である。ここではＤ１とＤ２とは等しく、Ｗ１とＷ２とは等しいとする。金属電極３２の材料としては、例えば金、アルミニウム（Ａｌ）などが挙げられる。金属電極３２は、図示しない接着層を介して誘電体層３４に接合されている。接着層の材質としては、例えばクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）などが挙げられる。

【0020】

誘電体層３４は、上面が第２導体層３５に接合された平板状の部材である。誘電体層３４は、第１導体層３１と第２導体層３５との間に挟まれている。誘電体層３４の下面のうち金属電極３２が配設されていない部分は、対象物に赤外線を放射する放射面３８となっている。誘電体層３４の材質としては、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃），シリカ（ＳｉＯ₂）などが挙げられる。

【0021】

第２導体層３５は、上面が支持基板３７に図示しない接着層を介して接合された金属板である。第２導体層３５の材質は、第１導体層３１と同様の材質を用いることができる。接着層の材質としては、例えばクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）などが挙げられる。

【0022】

支持基板３７は、ケーシング７０の内部に図示しない固定具などにより固定された平板状の部材であり、第１導体層３１、誘電体層３４及び第２導体層３５を支持する。支持基板３７の材質としては、例えばＳｉウェハ、ガラスなどのように、平滑面が維持しやすく、耐熱性が高く、熱反りが低い素材が挙げられる。支持基板３７は、ヒーター本体１１の下面に接触していてもよいし、接触せず空間を介して上下に離間して配設されていてもよい。支持基板３７とヒーター本体１１とが接触している場合には両者は接合されていてもよい。

【0023】

こうした構造体３０は、特定の波長の赤外線を選択的に放射する特性を有するメタマテリアルエミッターとして機能する。この特性は、マグネティックポラリトン（Magneticpolariton）で説明される共鳴現象によるものと考えられている。なお、マグネティックポラリトンとは、上下２層の導体（第１導体層３１及び第２導体層３５）間の誘電体（誘電体層３４）内において強い電磁場の閉じ込め効果が得られる共鳴現象のことである。これにより、構造体３０では、誘電体層３４のうち第２導体層３５と金属電極３２とによって挟まれる部分が赤外線の放射源となる。そして、その放射源から放たれる赤外線は金属電極３２をまわり込んで、誘電体層３４のうち金属電極３２が配設されていない部分（すなわち放射面３８）から周囲環境に放射される。また、この構造体３０では、第１導体層３１、誘電体層３４及び第２導体層３５の材質や、第１導体層３１の形状及び周期構造を調整することで、共鳴波長を調整することができる。これにより、構造体３０の放射面３８から放射される赤外線は、特定の波長の赤外線の放射率が高くなる特性を示す。本実施形態では、構造体３０が、波長０．９μｍ以上２５μｍ以下（好ましくは２．５μｍ以上２５μｍ以下（４０００～４００ｃｍ^-1））の範囲内に半値幅が２．０μｍ以下（好ましくは１．５μｍ以下、より好ましくは１．０μｍ以下）で放射率が０．７以上（好ましくは０．８以上）の最大ピークを有する赤外線を放射面３８から放射する特性を有するように、上述した材質、形状及び周期構造などが調整される。すなわち、構造体３０は、半値幅が比較的小さく放射率が比較的高い急峻な最大ピークを有する赤外線を放射する特性を有する。半値幅は、特に限定するものではないが、例えば２．０μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下が更に好ましい。

【0024】

ケーシング７０は、内部に空間を有し且つ底面が開放された略直方体の形状をしている。このケーシング７０内部の空間に、ヒーター本体１１及び構造体３０が配置されている。ケーシング７０は、発熱体１２から放出される赤外線を反射するように金属（例えばＳＵＳやアルミニウム）で形成されている。

【0025】

こうした精製装置１の使用例を以下に説明する。先ほど述べたように、２つの結晶形ａ，ｂを持つ有機化合物Ｘが溶媒に溶解した溶液から、溶媒を蒸発させて特定の結晶形ａを選択的に析出させる場合を例にとって説明する。ここでも、結晶形ａ，ｂの赤外線吸収スペクトルの所定の波長λ［μｍ］における吸収率をＡａ，Ａｂとしたとき、Ａｂ／Ａａ≧１．３の関係を満たすものとする。

【0026】

まず、赤外線ヒーター１０の第１導電層３１の下方位置に溶液２２の入ったフラットシャーレ２０を配置する。溶液２２は、有機化合物Ｘが溶媒に溶解したものである。次に、図示しない電源から入力端子を介して発熱体１２の両端に電力を供給する。電力の供給は、発熱体１２の温度が予め設定された温度（特に限定するものではないが、例えば数百℃）になるように行う。所定の温度に達した発熱体１２からは、伝導・対流・放射の伝熱３形態のうち１以上の形態によって周囲にエネルギーが伝達され、構造体３０が加熱される。その結果、構造体３０は所定温度に上昇し、二次放射体となって、赤外線を放射するようになる。

【0027】

この場合、所定の波長λ［μｍ］を目標波長に設定し、その波長λ［μｍ］にピークを有する赤外線が構造体３０から放射されるように設定する。具体的には、構造体３０から放射される赤外線が所定の波長λ［μｍ］にピークを有する赤外線となるように、構造体３０の金属電極３２の間隔Ｄ１，Ｄ２、金属電極３２の幅Ｗ１，Ｗ２及び金属パターンの周期Λ１，Λ２を設定する。フラットシャーレ２０内の溶液２２に波長λ［μｍ］にピークを有する赤外線を照射すると、時間の経過と共に溶液２２の溶媒が蒸発し、最終的に結晶形ａの有機化合物Ｘの結晶が選択的に析出する。

【0028】

上述した赤外線ヒーター１０は、目的波長の赤外線を主として放射するように設計されてはいるが、構造体３０の赤外線放射において、目的波長以外の放射をすべて除外することは困難であり、また大気下では、ヒーター各部からの周囲への対流放熱も予測される。したがって、実際のプロセスを構成する場合、こうした付随の熱流動が起因となって原料等が過度に温度上昇しないよう、装置形状等に各種考慮がなされるべきである。

【0029】

以上詳述した本実施形態の精製方法によれば、特定の結晶形を選択的に得ることができる。また、ＭＩＭタイプの赤外線ヒーター１０を用いるため、放射する赤外線のピーク波長を目的波長に精度よく合うように設計することができる。ここで、赤外線ヒーター１０の第１導体層３１は、同じ形状で同じサイズの金属電極３２が互いに等間隔に配設された周期構造をもつ金属パターンとして構成されている。赤外線ヒーター１０は、金属電極３２の横幅Ｗ１及び縦幅Ｗ２に応じて放射する赤外線のピーク波長が変化する。金属電極３２の横幅Ｗ１及び縦幅Ｗ２は、例えば周知の電子線描画装置による描画とリフトオフにより設計値通りに精度よく作ることができる。そのため、赤外線ヒーター１０から放射される赤外線のピーク波長を目的波長に合わせる作業を、比較的簡単に且つ精度よく行うことができる。

【0030】

なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。

【0031】

上述した実施形態では、金属電極３２を四角形状としたが、円形状としてもよい。この場合、円形状の金属電極３２の直径が横幅Ｗ１や縦幅Ｗ２に相当する。

【実施例】

【0032】

［実施例１］
フェブキソスタットは、複数の結晶形Ｆ１，Ｆ２，Ｈ１を有することが知られている。各結晶形の赤外線吸収スペクトルのグラフを図３に示す。各結晶形の赤外線吸収スペクトルの波長３．７μｍにおける吸収率を表１に示す。表１には、Ｈ１の吸収率に対するＦ１，Ｆ２の吸収率の比も併せて示す。

【0033】

【表1】

【0034】

フェブキソスタット（製品コードＦ０８４７，東京化成工業）２５ｍｇをフラットシャーレ（φ３２ｍｍ×１６ｍｍ）に量り取り、２－プロパノール（シグマアルドリッチ）１ｍＬを加え、８０℃に調温したホットプレート上で２分間加温し、軽く撹拌しながら溶解させることにより試験サンプルを作製した。試験サンプルに波長３．７μｍを含む赤外線（ここでは波長３．７μｍにピークを持つ赤外線）（放射源温度４００℃）を３０分間放射することで溶媒を蒸発させ結晶を析出させた。赤外線は、ＭＩＭタイプの赤外線ヒーター１０を用いて放射した。Ａｕ製の第１導体層３１（金属電極３２）の高さｈを１００ｎｍ、Ａｌ₂Ｏ₃製の誘電体層３４の厚みｄを１００ｎｍ、Ａｕ製の第２導体層３５の高さｆを２００ｎｍ、金属電極３２の横幅Ｗ１と縦幅Ｗ２を８４０ｎｍ、間隔Ｄ１，Ｄ２を１１６０ｎｍ、周期Λ１，Λ２を２０００ｎｍに設定し、波長３．７μｍにピークを持つ赤外線（半値幅０．５μｍ）を放射させた。析出した結晶について、ＸＲＤ分析によって結晶形を同定したところ、結晶形はＨ１であった。ＸＲＤ分析は、Ｘ線回折装置（製品名ＵｌｔｉｍａＩＶ，Ｒｉｇａｋｕ）を用いて行った。

【0035】

波長３．７μｍにおける結晶形Ｈ１の吸収率に対する結晶形Ｆ１，Ｆ２の吸収率の比はそれぞれ９．０，７．０であるため、波長３．７μｍにピークを有する赤外線が溶液に照射されると、溶液中の結晶形Ｆ１，Ｆ２は結晶形Ｈ１に比べて熱振動が活発になり結晶核が生成されにくくなり、その結果結晶形Ｈ１が選択的に析出したと考えられる。

【0036】

［実施例２］
アセトアミノフェンは、複数の結晶形Ｆ１，Ｆ２を有することが知られている。各結晶形の赤外線吸収スペクトルのグラフを図４に示す。各結晶形の赤外線吸収スペクトルの波長６．７μｍにおける吸収率を表１に示す。表１には、Ｆ２の吸収率に対するＦ１の吸収率の比も併せて示す。

【0037】

【表2】

【0038】

フェブキソスタット２５ｍｇの代わりにアセトアミノフェン（製品コードＨ０１９０，東京化成工業）２５ｍｇを用いたことと、波長３．７μｍを含む赤外線の代わりに波長６．７μｍを含む赤外線（ここでは波長６．７μｍにピークを持つ赤外線）を用いたことと、放射源温度を６００℃にしたこと以外は、実施例１と同様にして試験サンプルを作製し、ＸＲＤ分析によって結晶形を同定した。そうしたところ、結晶形はＦ２であった。実施例２では、赤外線ヒーター１０の第１導体層３１（ここでは円形の金属電極３２を有する層）の高さｈを５０ｎｍ、誘電体層３４の厚みｄを１９０ｎｍ、第２導体層３５の高さｆを１００ｎｍ、円形の金属電極３２の直径（Ｗ１，Ｗ２に相当）を２．１６μｍ、金属電極同士の間隔（Ｄ１、Ｄ２に相当）を１．８４μｍ、周期（Λ１，Λ２に相当）を４．０μｍに設定し、波長６．７μｍにピークを持つ赤外線（半値幅０．５μｍ）を放射させた。

【0039】

波長６．７μｍにおける結晶形Ｆ２の吸収率に対する結晶形Ｆ１の吸収率の比は１．３であるため、波長６．７μｍにピークを有する赤外線が溶液に照射されると、溶液中の結晶形Ｆ１は結晶形Ｆ２に比べて熱振動が活発になり結晶核が生成されにくくなり、その結果結晶形Ｆ２が選択的に析出したと考えられる。

【産業上の利用可能性】

【0040】

本発明は、複数の結晶形を有する化合物の特定の結晶形を選択的に得るのに利用可能である。

【符号の説明】

【0041】

１ 精製装置、１０ 赤外線ヒーター、１１ ヒーター本体、１２ 発熱体、１３ 保護部材、２０ フラットシャーレ、２２ 溶液、３０ 構造体、３１ 第１導体層、３２ 金属電極、３４ 誘電体層、３５ 第２導体層、３７ 支持基板、３８ 放射面、７０ ケーシング、Ｗ１ 横幅、Ｗ２ 縦幅、Ｄ１，Ｄ２ 間隔。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】