特許 7507589 検査装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-20

(45)【発行日】2024-06-28

(54)【発明の名称】検査装置

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/86 20120101AFI20240621BHJP

   H01J 37/28 20060101ALI20240621BHJP

   H01J 37/20 20060101ALI20240621BHJP

   G01N 23/2251 20180101ALN20240621BHJP

【ＦＩ】

G03F1/86

H01J37/28 B

H01J37/20 A

G01N23/2251

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2020063490

(22)【出願日】2020-03-31

(65)【公開番号】P2021162690

(43)【公開日】2021-10-11

【審査請求日】2023-02-02

(73)【特許権者】

【識別番号】504162958

【氏名又は名称】株式会社ニューフレアテクノロジー

(74)【代理人】

【識別番号】100119035

【弁理士】

【氏名又は名称】池上 徹真

(74)【代理人】

【識別番号】100141036

【弁理士】

【氏名又は名称】須藤 章

(74)【代理人】

【識別番号】100178984

【弁理士】

【氏名又は名称】高下 雅弘

(72)【発明者】

【氏名】小川 力

【審査官】山口 敦司

(56)【参考文献】

【文献】特開２００９－０９９５４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－０５３０３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０６４５６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２００７／０８６４００（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０３Ｆ １／８６

Ｈ０１Ｊ ３７／２８

Ｈ０１Ｊ ３７／２０

Ｇ０１Ｎ ２３／２２５１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の面と、
第２の導電膜と、前記第２の導電膜の上に設けられパターンが形成された吸収体と、を有する第１の領域と、
前記第１の領域の周囲に設けられ第３の導電膜を有する第２の領域と、
を有する第２の面と、を有する被検査試料の前記パターンに、電子ビームの照射を行う照射源と、
前記第１の面に第１の電圧を印加する第１の電圧印加回路と、
前記照射により前記パターンから生じる検査画像を取得する検出器と、
前記第３の導電膜を介して前記第２の面に第２の電圧を印加する第２の電圧印加回路と、
を備え、
前記電子ビームに含まれる電子の加速電圧をＶ_ａｃｃ、前記第２の面に到達する前記電子の入射電圧をＶ_Ｌ、前記第１の電圧をＶ_１ 、前記第２の電圧をＶ _２ としたときに、
｜Ｖ_ａｃｃ―Ｖ_Ｌ｜＝｜Ｖ _２ ｜＜｜Ｖ_１｜
である検査装置。

【請求項2】

第１の面と、パターンが形成された第２の面と、を有する被検査試料の前記パターンに、電子ビームの照射を行う照射源と、
前記第１の面に、第１の電圧と、前記第１の電圧より小さい第１の微小電圧と、の和を印加する第１の電圧印加回路と、
前記照射により前記パターンから生じる検査画像を取得する検出器と、
を備え、
前記電子ビームに含まれる電子の加速電圧をＶ _ａｃｃ 、前記第２の面に到達する前記電子の入射電圧をＶ _Ｌ 、前記第１の電圧をＶ _１ としたときに、
｜Ｖ _ａｃｃ ―Ｖ _Ｌ ｜＜｜Ｖ _１ ｜
であり、
前記第１の微小電圧をΔＶ _１ としたときに、
｜Ｖ _ａｃｃ ―Ｖ _Ｌ ｜＜｜Ｖ _１ ＋ΔＶ _１ ｜
である検査装置。

【請求項3】

前記被検査試料は、前記第１の面に設けられた第１の導電膜をさらに有し、
前記第１の電圧印加回路は前記第１の導電膜を介して前記第１の面に前記第１の電圧を印加する請求項１又は請求項２記載の検査装置。

【請求項4】

第１の面と、パターンが形成された第２の面と、を有する被検査試料の前記パターンに、電子ビームの照射を行う照射源と、
前記第１の面に第１の電圧を印加する第１の電圧印加回路と、
前記第２の面に第２の電圧を印加する第２の電圧印加回路と、
前記照射により前記パターンから生じる検査画像を取得する検出器と、
を備え、
前記電子ビームに含まれる電子の加速電圧をＶ_ａｃｃ、前記第２の面に到達する前記電子の入射電圧をＶ_Ｌ、前記第１の電圧をＶ_１、前記第２の電圧をＶ_２としたときに、
｜Ｖ_ａｃｃ―Ｖ_Ｌ｜＝｜Ｖ_２｜＜｜Ｖ_１｜
である検査装置。

【請求項5】

前記第１の電圧印加回路は、前記第１の面に、前記第１の電圧と、前記第１の電圧より小さい第１の微小電圧と、の和を印加し、
前記第２の電圧印加回路は、前記第２の面に、前記第２の電圧と、前記第２の電圧より小さい第２の微小電圧と、の和を印加し、
前記第１の微小電圧をΔＶ_１、前記第２の微小電圧をΔＶ_２としたときに、
｜Ｖ_ａｃｃ―Ｖ_Ｌ｜＝｜Ｖ_２＋ΔＶ_２｜＜｜Ｖ_１＋ΔＶ_１｜
である請求項４記載の検査装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、検査装置に関する。例えば、電子ビームをＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｉｏｌｅｔ）マスクに照射して、放出されるパターンの２次電子画像を取得してパターンを検査する検査装置に関する。

【0002】

近年、大規模集積回路（ＬＳＩ）の高集積化及び大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅はますます狭くなってきている。これらの半導体素子は、回路パターンが形成された原画パターン（マスク或いはレチクルともいう。以下、マスクと総称する）を用いて、いわゆるステッパと呼ばれる縮小投影露光装置でウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造される。

【0003】

そして、多大な製造コストのかかるＬＳＩの製造にとって、歩留まりの向上は欠かせない。しかし、液浸露光とマルチパターニング技術によって既に２０ｎｍを切る加工寸法が実現され、さらにはＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）露光の実用化により１０ｎｍを切る微細加工が実現されようとしている。また、ＮＩＬ（ＮａｎｏＩｍｐｒｉｎｔｉｎｇＬｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）やＤＳＡ（Ｄｉｒｅｃｔｅｄ Ｓｅｌｆ―Ａｓｓｅｍｂｌｙ，自己組織化リソグラフィ）など、露光機を使う以外の微細加工技術の実用化も進んでいる。近年、半導体ウェハ上に形成されるＬＳＩパターン寸法の微細化に伴って、パターン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さいものとなっており、同じ面積であっても検査しなければならないパターン数も膨大なものとなっている。よって、半導体ウェハ上に転写された超微細パターンの欠陥を検査する検査装置の高精度化と高速化が必要とされている。その他、歩留まりを低下させる大きな要因の一つとして、半導体ウェハ上に超微細パターンをフォトリソグラフィ技術で露光、転写する際に使用されるマスクのパターン欠陥があげられる。このため、ＬＳＩ製造に使用される転写用マスクの欠陥を検査する検査装置の高精度化が必要とされている。

【0004】

検査手法としては、拡大光学系を用いて半導体ウェハ等のウェハやリソグラフィマスク等のマスクといった被検査試料の上に形成されているパターンを所定の倍率で撮像した光学画像と、設計データ、あるいは被検査試料上の同一パターンを撮像した光学画像と比較することにより検査を行う方法が知られている。例えば、検査方法として、同一マスク上の異なる場所の同一パターンを撮像した光学画像データ同士を比較する「ｄｉｅ ｔｏ ｄｉｅ（ダイ－ダイ）検査」や、パターン設計されたＣＡＤデータをマスクにパターン描画する時に描画装置が入力するための装置入力フォーマットに変換した描画データ（設計パターンデータ）を検査装置に入力して、これをベースに設計画像データ（参照画像）を生成して、この設計画像データと、パターンを撮像した測定データとなる光学画像とを比較する「ｄｉｅ ｔｏ ｄａｔａｂａｓｅ（ダイ－データベース）検査」がある。かかる検査装置における検査方法では、検査対象基板はステージ（試料台）上に載置され、ステージが動くことによって光束が被検査試料上を走査し、検査が行われる。検査対象基板には、光源及び照明光学系によって光束が照射される。検査対象基板を透過あるいは反射した光は光学系を介して、センサ上に結像される。センサで撮像された画像は測定データとして比較回路へ送られる。比較回路では、画像同士の位置合わせの後、測定データと参照データとを適切なアルゴリズムに従って比較し、一致しない場合には、パターン欠陥有りと判定する。

【0005】

上述した検査装置では、レーザ光を検査対象基板に照射して、この透過像或いは反射像を撮像することにより、光学画像を取得する。一方、近年、露光波長が１３．５ｎｍであるＥＵＶ光源を用いたリソグラフィ（ＥＵＶリソグラフィ）が注目されている。露光波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを用いたＡｒＦ液浸リソグラフィと比較すると、露光波長／（ＮＡ）で１／４～１／５程度となるため、ＥＵＶリソグラフィでは大幅な解像力の向上が期待できる。そのため、ＥＵＶマスクの欠陥検査を行う装置の開発が求められている。

【0006】

ＥＵＶマスクは、例えばマスク基板として用いられる極低熱膨張ガラスの表面に、ＥＵＶ光の反射膜となるＳｉ（シリコン）／Ｍｏ（モリブデン）多層膜、Ｒｕ（ルテニウム）などからなるバッファー層、及び所定のパターンを有する吸収体を形成することで得られる。吸収体としては、例えばＴａ（タンタル）を含む合金が提案されている。ここで、ＥＵＶ光の波長領域は容易に材料に吸収されてしまい、光の屈折を利用したレンズを利用することが出来ない。このため、投影光学系はすべて反射光学系で構成されている。よって、ＥＵＶマスクも上述のような反射型のマスクとなる。

【0007】

ＥＵＶマスクの検査を行う際には、ＥＵＶマスクの帯電を抑制して高分解能の検査画像を取得するために、ＥＵＶマスクのパターンが設けられている面における、電子ビームの入射電圧（Ｌａｎｄｉｎｇ Ｖｏｌｔａｇｅ）又はランディングエネルギー（Ｌａｎｄｉｎｇ Ｅｎｅｒｇｙ）を適切に制御することが好ましい。入射電圧の制御のためには、電子ビームに含まれる電子の加速電圧を変化させる方法と、電子ビームに含まれる電子を減速させるリターディング電圧をＥＵＶマスクに印加する方法と、が考えられる。しかし、パターンが設けられている面における電子のエネルギーを精密に制御して、検査画像の分解能を向上させるためには、リターディング電圧をＥＵＶマスクに印加することが好ましい。

【0008】

ここで、マスク基板は、上述のように低熱膨張ガラスであるため、絶縁体である。そのため、マスク基板にリターディング電圧を印加して、電子のエネルギーを制御することは出来ない。一方、上述のＳｉ／Ｍｏ多層膜は、電気伝導性を有する。このため、Ｓｉ／Ｍｏ多層膜にリターディング電圧を印加することにより、ＥＵＶマスクのパターンが設けられている面に対して均一にリターディング電圧を印加することが可能である。しかし、パターンが設けられている面にリターディング電圧を印加する領域を別途設けると、１枚のマスクで製造可能な半導体素子の数が、リターディング電圧を印加する領域の分だけ少なくなってしまう、という問題があった。

【0009】

特許文献１には、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の端部に電極を形成してリターディング電圧をかけ、Ｓｉ集束イオンビームで異物及びＭｏ／Ｓｉ多層膜を除去する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0010】

【文献】特開２００６－０５９８３５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0011】

本発明が解決しようとする課題は、素子歩留まりの向上と高分解能を有する検査画像の取得を両立可能な検査装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明の一態様のマルチ電子ビーム検査装置は、第１の面と、第２の導電膜と、第２の導電膜の上に設けられパターンが形成された吸収体と、を有する第１の領域と、第１の領域の周囲に設けられ第３の導電膜を有する第２の領域と、を有する第２の面と、を有する被検査試料のパターンに、電子ビームの照射を行う照射源と、第１の面に第１の電圧を印加する第１の電圧印加回路と、照射によりパターンから生じる検査画像を取得する検出器と、第３の導電膜を介して第２の面に第２の電圧を印加する第２の電圧印加回路と、を備え、電子ビームに含まれる電子の加速電圧をＶ_ａｃｃ、第２の面に到達する電子の入射電圧をＶ_Ｌ、第１の電圧をＶ_１ 、第２の電圧をＶ _２ としたときに、｜Ｖ_ａｃｃ―Ｖ_Ｌ｜＝｜Ｖ _２ ｜＜｜Ｖ_１｜である。また、本発明の一態様のマルチ電子ビーム検査装置は、第１の面と、パターンが形成された第２の面と、を有する被検査試料のパターンに、電子ビームの照射を行う照射源と、第１の面に、第１の電圧と、第１の電圧より小さい第１の微小電圧と、の和を印加する第１の電圧印加回路と、照射によりパターンから生じる検査画像を取得する検出器と、を備え、電子ビームに含まれる電子の加速電圧をＶ _ａｃｃ 、第２の面に到達する電子の入射電圧をＶ _Ｌ 、第１の電圧をＶ _１ としたときに、｜Ｖ _ａｃｃ ―Ｖ _Ｌ ｜＜｜Ｖ _１ ｜であり、第１の微小電圧をΔＶ _１ としたときに、｜Ｖ _ａｃｃ ―Ｖ _Ｌ ｜＜｜Ｖ _１ ＋ΔＶ _１ ｜である。

【0013】

上記態様の検査装置において、被検査試料は、第１の面に設けられた第１の導電膜をさらに有し、第１の電圧印加回路は第１の導電膜を介して第１の面に第１の電圧を印加することが好ましい。

【0016】

また、本発明の他の態様の検査装置は、第１の面と、パターンが形成された第２の面と、を有する被検査試料のパターンに、電子ビームの照射を行う照射源と、第１の面に第１の電圧を印加する第１の電圧印加回路と、第２の面に第２の電圧を印加する第２の電圧印加回路と、照射によりパターンから生じる検査画像を取得する検出器と、を備え、電子ビームに含まれる電子の加速電圧をＶ_ａｃｃ、第２の面に到達する電子の入射電圧をＶ_Ｌ、第１の電圧をＶ_１、第２の電圧をＶ_２としたときに、｜Ｖ_ａｃｃ―Ｖ_Ｌ｜＝｜Ｖ_２｜＜｜Ｖ_１｜である。

【0017】

上記態様の検査装置において、第１の電圧印加回路は、第１の面に、第１の電圧と、第１の電圧より小さい第１の微小電圧と、の和を印加し、第２の電圧印加回路は、第２の面に、第２の電圧と、第２の電圧より小さい第２の微小電圧と、の和を印加し、第１の微小電圧をΔＶ_１、第２の微小電圧をΔＶ_２としたときに、｜Ｖ_ａｃｃ―Ｖ_Ｌ｜＝｜Ｖ_２＋ΔＶ_２｜＜｜Ｖ_１＋ΔＶ_１｜であることが好ましい。

【発明の効果】

【0018】

本発明の一態様によれば、素子歩留まりの向上と高分解能を有する検査画像の取得を両立可能な検査装置の提供が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】実施形態における検査装置の模式構成図である。

【図2】実施形態における成形アパーチャアレイ部材の構成を示す概念図である。

【図3】実施形態における基板に形成される複数のチップ領域の一例を示す図である。

【図4】実施形態におけるマルチビームの照射領域と測定用画素との一例を示す図である。

【図5】実施形態において用いられるＥＵＶマスクの模式断面図である。

【図6】実施形態における検査方法のフローチャートである。

【図7】実施形態の検査装置の作用効果を説明するための模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。

【0021】

（実施形態）
実施形態の検査装置は、第１の面と、パターンが形成された第２の面と、を有する被検査試料のパターンに、電子ビームの照射を行う照射源と、第１の面に第１の電圧を印加する第１の電圧印加回路と、照射によりパターンから生じる検査画像を取得する検出器と、を備え、電子ビームに含まれる電子の加速電圧をＶ_ａｃｃ、第２の面に到達する電子の入射電圧をＶ_Ｌ、第１の電圧をＶ_１としたときに、｜Ｖ_ａｃｃ―Ｖ_Ｌ｜＜｜Ｖ_１｜である。

【0022】

図１は、本実施形態における検査装置の構成を示す構成図である。図１において、基板に形成されたパターンを検査する検査装置１００は、荷電粒子ビーム検査装置の一例である。電子ビームは、荷電粒子ビームの一例である。検査装置１００は、電子光学画像取得機構（画像取得機構）１５５、及び制御系回路１６０（制御部）を備えている。電子光学画像取得機構（画像取得機構）１５５は、電子ビームカラム１０２（電子鏡筒）、検査室１０３、検出回路１０６、ストライプパターンメモリ１２３、駆動機構１２７、及びレーザ測長システム１２２を備えている。電子ビームカラム１０２内には、電子銃（照射源）２０１、電磁レンズ２０２、成形アパーチャアレイ基板２０３、縮小レンズ２０５、電磁レンズ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８、副偏向器２０９、一括ブランキング偏向器２１２、制限アパーチャ基板２１３、ビームセパレーター２１４、電磁レンズ２２４，２２６、及びマルチ検出器２２２が配置されている。なお、マルチ検出器２２２は、検出器の一例である。

【0023】

検査室１０３内には、少なくともＸＹ平面上を移動可能なＸＹステージ（試料台）１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、被検査試料（ＥＵＶマスク）４００が配置される。被検査試料（ＥＵＶマスク）４００は、例えば、パターン形成面を上側に向けて、ＸＹステージ１０５上に設けられた支持部１０４の上に配置される。また、ＸＹステージ１０５上には、検査室１０３の外部に配置されたレーザ測長システム１２２から照射されるレーザ測長用のレーザ光を反射するミラー２１６が配置されている。マルチ検出器２２２は、電子ビームカラム１０２の外部で検出回路１０６に接続される。検出回路１０６は、ストライプパターンメモリ１２３に接続される。

【0024】

制御系回路１６０では、コンピュータである制御計算機１１０が、バス１２０を介して、位置回路１０７、展開回路１１１、ステージ制御回路１１４、レンズ制御回路１２４、ブランキング制御回路１２６、偏向制御回路１２８、画像保存部１３２、フィルタ回路１３９、分割回路１４０、第１の電圧印加回路１４２、第２の電圧印加回路１４４、第１の電圧制御回路１４６、第２の電圧制御回路１４８、磁気ディスク装置等の設計データ保存部１０９、モニタ１１７、メモリ１１８、プリンタ１１９、に接続されている。また、ＸＹステージ１０５は、ステージ制御回路１１４の制御の下に駆動機構１２７により駆動される。駆動機構１２７では、例えば、Ｘ方向、Ｙ方向、θ方向に駆動する３軸（Ｘ－Ｙ－θ）モータの様な駆動系が構成され、ＸＹステージ１０５が移動可能となっている。これらの、図示しないＸモータ、Ｙモータ、θモータは、例えばステップモータを用いることが出来る。ＸＹステージ１０５は、ＸＹθ各軸のモータによって水平方向及び回転方向に移動可能である。そして、ＸＹステージ１０５の移動位置はレーザ測長システム１２２により測定され、位置回路１０７に供給される。レーザ測長システム１２２は、ミラー２１６からの反射光を受光することによって、レーザ干渉法の原理でＸＹステージ１０５の位置を測長する。

【0025】

電子銃２０１には、図示しない高圧電源回路が接続され、電子銃２０１内の図示しないフィラメントと引出電極間への高圧電源回路からの加速電圧の印加と共に、所定の引出電極の電圧の印加と所定の温度のカソード（フィラメント）の加熱によって、カソードから放出された電子群が加速させられ、電子ビームとなって放出される。縮小レンズ２０５、及び対物レンズ２０７は、例えば電磁レンズが用いられ、共にレンズ制御回路１２４によって制御される。また、ビームセパレーター２１４もレンズ制御回路１２４によって制御される。一括ブランキング偏向器２１２は、少なくとも２極の電極群により構成され、ブランキング制御回路１２６によって制御される。主偏向器２０８、及び副偏向器２０９は、それぞれ少なくとも４極の電極群により構成され、偏向制御回路１２８によって制御される。

【0026】

被検査試料（ＥＵＶマスク）４００にマスクパターンを形成する基になる設計パターンデータは、検査装置１００の外部から入力され、設計データ保存部１０９に格納される。

【0027】

ここで、図１では、本実施形態を説明する上で必要な構成を記載している。検査装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。

【0028】

図２は、本実施形態における成形アパーチャアレイ基板２０３の構成を示す概念図である。図２において、成形アパーチャアレイ基板２０３には、２次元状の横（ｘ方向）ｍ_１列×縦（ｙ方向）ｎ_１段（ｍ_１，ｎ_１は２以上の整数）の穴（開口部）２２がｘ，ｙ方向に所定の配列ピッチで形成されている。図２の例では、５１２×５１２の穴（開口部）２２が形成されている場合を示している。各穴２２は、共に同じ寸法形状の矩形で形成される。或いは、同じ外径の円形であっても構わない。これらの複数の穴２２を電子ビーム２００の一部がそれぞれ通過することで、マルチ１次電子ビーム２０が形成されることになる。ここでは、横縦（ｘ，ｙ方向）が共に２列以上の穴２２が配置された例を示したが、これに限るものではない。例えば、横縦（ｘ，ｙ方向）どちらか一方が複数列で他方は１列だけであっても構わない。また、穴２２の配列の仕方は、図２のように、横縦が格子状に配置される場合に限るものではない。例えば、縦方向（ｙ方向）ｋ段目の列と、ｋ＋１段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ａだけずれて配置されてもよい。同様に、縦方向（ｙ方向）ｋ＋１段目の列と、ｋ＋２段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ｂだけずれて配置されてもよい。次に検査装置１００における電子光学画像取得機構１５５の動作について説明する。

【0029】

電子銃２０１（放出源）から放出された電子ビーム２００は、電磁レンズ２０２によって屈折させられ、成形アパーチャアレイ基板２０３全体を照明する。成形アパーチャアレイ基板２０３には、図２に示すように、複数の穴２２（開口部）が形成され、電子ビーム２００は、すべての複数の穴２２が含まれる領域を照明する。複数の穴２２の位置に照射された電子ビーム２００の各一部が、かかる成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２をそれぞれ通過することによって、マルチ１次電子ビーム（マルチビーム）２０が形成される。

【0030】

形成されたマルチ１次電子ビーム２０は、電磁レンズ（縮小レンズ）２０５、及び電磁レンズ２０６によってそれぞれ屈折させられ、中間像及びクロスオーバーを繰り返しながら、マルチ１次電子ビーム２０の各ビームのクロスオーバー位置に配置されたビームセパレーター２１４を通過して電磁レンズ２０７（対物レンズ）に進む。そして、電磁レンズ２０７は、マルチ１次電子ビーム２０を被検査試料４００にフォーカス（合焦）する。電磁レンズ２０７により被検査試料４００上に焦点が合わされた（合焦された）マルチ１次電子ビーム２０は、主偏向器２０８及び副偏向器２０９によって一括して偏向され、各ビームの被検査試料４００上のそれぞれの照射位置に照射される。なお、一括ブランキング偏向器２１２によって、マルチ１次電子ビーム２０全体が一括して偏向された場合には、制限アパーチャ基板２１３の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ基板２１３によって遮蔽される。一方、一括ブランキング偏向器２１２によって偏向されなかったマルチ１次電子ビーム２０は、図１に示すように制限アパーチャ基板２１３の中心の穴を通過する。かかる一括ブランキング偏向器２１２のＯＮ／ＯＦＦによって、ブランキング制御が行われ、ビームのＯＮ／ＯＦＦが一括制御される。このように、制限アパーチャ基板２１３は、一括ブランキング偏向器２１２によってビームＯＦＦの状態になるように偏向されたマルチ１次電子ビーム２０を遮蔽する。そして、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに形成された、制限アパーチャ基板２１３を通過したビーム群により、検査用（画像取得用）のマルチ１次電子ビーム２０が形成される。

【0031】

被検査試料４００の所望する位置にマルチ１次電子ビーム２０が照射されると、かかるマルチ１次電子ビーム２０が照射されたことに起因して被検査試料４００からマルチ１次電子ビーム２０の各ビームに対応する、反射電子を含む２次電子の束（マルチ２次電子ビーム３００）が放出される。

【0032】

被検査試料４００から放出されたマルチ２次電子ビーム３００は、電磁レンズ２０７を通って、ビームセパレーター２１４に進む。

【0033】

ここで、ビームセパレーター２１４はマルチ１次電子ビーム２０の中心ビームが進む方向（電子軌道中心軸）に直交する面上において電界と磁界を直交する方向に発生させる。電界は電子の進行方向に関わりなく同じ方向に力を及ぼす。これに対して、磁界はフレミング左手の法則に従って力を及ぼす。このため電子の侵入方向によって電子に作用する力の向きを変化させることができる。ビームセパレーター２１４に上側から侵入してくるマルチ１次電子ビーム２０には、電界による力と磁界による力が打ち消し合い、マルチ１次電子ビーム２０は下方に直進する。これに対して、ビームセパレーター２１４に下側から侵入してくるマルチ２次電子ビーム３００には、電界による力と磁界による力がどちらも同じ方向に働き、マルチ２次電子ビーム３００は斜め上方に曲げられ、マルチ１次電子ビーム２０から分離する。

【0034】

斜め上方に曲げられ、マルチ１次電子ビーム２０から分離したマルチ２次電子ビーム３００は、偏向器２１８によって、さらに曲げられ、電磁レンズ２２４，２２６によって、屈折させられながらマルチ検出器２２２に投影される。マルチ検出器２２２は、投影されたマルチ２次電子ビーム３００を検出する。マルチ検出器２２２には、反射電子及び２次電子が投影されても良いし、反射電子は途中で発散してしまい残った２次電子が投影されても良い。マルチ検出器２２２は、例えば図示しない２次元センサを有する。そして、マルチ２次電子ビーム３００の各２次電子が２次元センサのそれぞれ対応する領域に衝突して、電子を発生し、２次電子画像データを画素毎に生成する。マルチ検出器２２２にて検出された強度信号は、検出回路１０６に出力される。

【0035】

図３は、本実施形態における被検査試料４００に形成される複数のチップ領域の一例を示す図である。図３において、被検査試料４００の第１の領域４２０には、複数のマスクパターン４３２が２次元のアレイ状に形成されている。第１の領域４２０は、例えば、検査領域である。各マスクパターン４３２には、１チップ分のマスクパターンが図示しない露光装置（ステッパ）によって例えば１／４に縮小されて転写されている。各マスクパターン４３２内は、例えば、２次元状の横（ｘ方向）ｍ_２列×縦（ｙ方向）ｎ_２段（ｍ_２，ｎ_２は２以上の整数）個の複数のマスクダイ３３に分割される。本実施形態では、かかるマスクダイ３３が単位検査領域となる。なお、図３においては、後述する第２の領域４２２及び第３の領域４２４は図示されていない。

【0036】

図４は、本実施形態におけるマルチビームの照射領域と測定用画素との一例を示す図である。図４において、各マスクダイ３３は、例えば、マルチビームのビーム径でメッシュ状の複数のメッシュ領域に分割される。かかる各メッシュ領域が、測定用画素３６（単位照射領域）となる。図４の例では、８×８列のマルチビームの場合を示している。１回のマルチ１次電子ビーム２０の照射で照射可能な照射領域３４は、（マルチ１次電子ビーム２０のｘ方向のビーム間ピッチにｘ方向のビーム数を乗じたｘ方向サイズ）×（マルチ１次電子ビーム２０のｙ方向のビーム間ピッチにｙ方向のビーム数を乗じたｙ方向サイズ）で定義される。図４の例では、照射領域３４がマスクダイ３３と同じサイズの場合を示している。但し、これに限るものではない。照射領域３４がマスクダイ３３よりも小さくても良い。或いは大きくても構わない。そして、照射領域３４内に、１回のマルチ１次電子ビーム２０の照射で照射可能な複数の測定用画素２８（１ショット時のビームの照射位置）が示されている。言い換えれば、隣り合う測定用画素２８間のピッチがマルチビームの各ビーム間のピッチとなる。図４の例では、隣り合う４つの測定用画素２８で囲まれると共に、４つの測定用画素２８のうちの１つの測定用画素２８を含む正方形の領域で１つのサブ照射領域２９を構成する。図４の例では、各サブ照射領域２９は、４×４画素３６で構成される場合を示している。

【0037】

本実施形態におけるスキャン動作では、マスクダイ３３毎にスキャン（走査）される。図４の例では、ある１つのマスクダイ３３を走査する場合の一例を示している。マルチ１次電子ビーム２０がすべて使用される場合には、１つの照射領域３４内には、ｘ，ｙ方向に（２次元状に）ｍ_１×ｎ_１個のサブ照射領域２９が配列されることになる。１つ目のマスクダイ３３にマルチ１次電子ビーム２０が照射可能な位置にＸＹステージ１０５を移動させ停止させる。この位置で主偏向器２０８によって、マルチ１次電子ビーム２０が走査するマスクダイ３３の基準位置にマルチ１次電子ビーム２０全体を一括偏向させ、当該マスクダイ３３を照射領域３４として当該マスクダイ３３内を走査（スキャン動作）する。ＸＹステージ１０５を連続移動させながらスキャンを行う場合には、主偏向器２０８によって、さらにＸＹステージ１０５の移動に追従するように、トラッキング偏向を行う。マルチ１次電子ビーム２０を構成する各ビームは、互いに異なるいずれかのサブ照射領域２９を担当することになる。そして、各ショット時に、各ビームは、担当サブ照射領域２９内の同じ位置に相当する１つの測定用画素２８を照射することになる。図４の例では、副偏向器２０９によって、各ビームは、１ショット目に担当サブ照射領域２９内の最下段の右から１番目の測定用画素３６を照射するように偏向される。そして、１ショット目の照射が行われる。続いて、副偏向器２０９によってマルチ１次電子ビーム２０全体を一括してｙ方向に１測定用画素３６分だけビーム偏向位置をシフトさせ、２ショット目に担当サブ照射領域２９内の下から２段目の右から１番目の測定用画素３６を照射する。同様に、３ショット目に担当サブ照射領域２９内の下から３段目の右から１番目の測定用画素３６を照射する。４ショット目に担当サブ照射領域２９内の下から４段目の右から１番目の測定用画素３６を照射する。次に、副偏向器２０９によってマルチ１次電子ビーム２０全体を一括して最下段の右から２番目の測定用画素３６の位置にビーム偏向位置をシフトさせ、同様に、ｙ方向に向かって、測定用画素３６を順に照射していく。かかる動作を繰り返し、１つのビームで１つのサブ照射領域２９内のすべての測定用画素３６を順に照射していく。１回のショットでは、成形アパーチャアレイ基板２０３の各穴２２を通過することによって形成されたマルチビームによって、最大で各穴２２と同数の複数のショットに応じたマルチ２次電子ビーム３００が一度に検出される。

【0038】

以上のように、マルチ１次電子ビーム２０全体では、マスクダイ３３を照射領域３４として走査（スキャン）することになるが、各ビームは、それぞれ対応する１つのサブ照射領域２９を走査することになる。そして、１つのマスクダイ３３の走査（スキャン）が終了すると、隣接する次のマスクダイ３３が照射領域３４になるように移動して、かかる隣接する次のマスクダイ３３の走査（スキャン）を行う。かかる動作を繰り返し、各チップ３３２の走査を進めていく。マルチ１次電子ビーム２０のショットにより、その都度、照射された測定用画素３６からマルチ２次電子ビーム３００が放出され、マルチ検出器２２２にて検出される。本実施形態では、マルチ検出器２２２の単位検出領域サイズは、各測定用画素３６から上方に放出されたマルチ２次電子ビーム３００を測定用画素３６毎（或いはサブ照射領域２９毎）に検出する。

【0039】

以上のようにマルチ１次電子ビーム２０を用いて走査することで、シングルビームで走査する場合よりも高速にスキャン動作（測定）ができる。なお、ステップアンドリピート動作で各マスクダイ３３のスキャンを行っても良いし、ＸＹステージ１０５を連続移動させながら各マスクダイ３３のスキャンを行う場合であってもよい。照射領域３４がマスクダイ３３よりも小さい場合には、当該マスクダイ３３中で照射領域３４を移動させながらスキャン動作を行えばよい。

【0040】

以上のように、電子光学画像取得機構１５５は、マルチ１次電子ビーム２０を用いて、パターンが形成された基板（ウェハ）１０１上を走査し、マルチ１次電子ビーム２０が照射されたことに起因して基板（ウェハ）１０１から放出される、マルチ２次電子ビーム３００を検出する。マルチ検出器２２２によって検出された各測定用画素３６からの２次電子の検出データ（２次電子画像）は、測定順に検出回路１０６に出力される。検出回路１０６内では、図示しないＡ／Ｄ変換器によって、アナログの検出データがデジタルデータに変換され、ストライプパターンメモリ１２３に格納される。そして、例えば、１つのチップ３３２分の検出データが蓄積された段階で、チップパターンデータとして、位置回路１０７からの各位置を示す情報と共に、比較回路１４１に転送される。

【0041】

図５は、実施形態において用いられる被検査試料（ＥＵＶマスク）４００の模式断面図である。

【0042】

被検査試料４００は、第１の面４５０と、第１の面４５０の反対側に設けられた第２の面４５２と、を有する。

【0043】

被検査試料４００には、基板４０４が用いられている。基板４０４としては、合成石英を用いた基板や、露光中の熱歪みを抑制するため、石英より熱膨張率の小さな極低熱膨張ガラスを用いた基板が、好ましく用いられる。

【0044】

基板４０４の一方の面でもある第１の面４５０には、第１の導電膜４０２が設けられている。第１の導電膜４０２は、例えばＣｒＮ（窒化クロム）で形成されている。被検査試料（ＥＵＶマスク）４００の面は、完全に平坦であることが望ましい。しかし現実には、基板４０４の初期形状や、Ｓｉ／Ｍｏ多層膜の形成や吸収体の形成に伴う応力により、被検査試料（ＥＵＶマスク）４００は、基板の形状や基板変形に起因するフラットネスの誤差を有している。そのため、ＥＵＶ光を反射する反射面の凹凸が、ウェハ上でのパターン歪となって形成されることとなる。これを抑制するために、Ｓｉ／Ｍｏ多層膜の蒸着装置や露光装置では被検査試料（ＥＵＶマスク）４００の固定に静電チャックが導入されている。第１の導電膜４０２を用いて、かかる静電チャックにマスクの固定を行う。これにより、被検査試料（ＥＵＶマスク）４００を静電気力で保持できるため、パターンのフラットネスが維持される。

【0045】

なお、第１の面４５０には、第１の導電膜４０２の周囲に第１の導電膜４０２が設けられていない領域が設けられていても良い。ＸＹステージ１０５の上に被検査試料４００を支持する際に、上述の第１の導電膜が設けられていない領域を支持部１０４によって支持することにより、第１の導電膜にダメージを与えないようにすることができる。

【0046】

基板４０４の他方の面でもある第２の面４５２には、第１の領域４２０と、第２の領域４２２と、第３の領域４２４と、が設けられている。ここで、第２の領域４２２は、第１の領域４２０の周囲に設けられている。第３の領域４２４は、第１の領域４２０と第２の領域４２２の間に設けられている。例えば、第２の領域４２２は第３の領域４２４を取り囲むように設けられている。また、例えば、第３の領域４２４は第１の領域４２０を取り囲むように設けられている。

【0047】

第１の領域４２０には、第２の導電膜４０６が設けられている。ここで、第２の導電膜４０６は、Ｓｉを含むＳｉ膜４０６ａ及びＭｏを含むＭｏ膜４０６ｂを、例えば４０周期以上６０周期以下の程度で積層した多層膜である。第２の導電膜４０６は、ＥＵＶ光の反射膜である。なお図５においては、Ｓｉ膜４０６ａ及びＭｏ膜４０６ｂの積層階数を省略して図示している。

【0048】

バッファー層４１０は、第２の導電膜４０６の上に設けられている。バッファー層４１０は、後述する吸収体４１２のエッチング時、及び吸収体４１２の欠陥修正時に、第２の導電膜４０６を保護するために設けられている。

【0049】

吸収体４１２は、バッファー層４１０の上に設けられている。バッファー層４１０及び吸収体４１２には、パターン４１４が形成されている。パターン４１４は、例えば、図３において示した、複数のマスクパターン４３２を含む。なお、吸収体４１２の上には、さらに図示しない酸化物層等が設けられていても良い。

【0050】

第２の領域４２２には、第３の導電膜４０８が設けられている。ここで、第３の導電膜４０８は、Ｓｉを含むＳｉ膜４０８ａ及びＭｏを含むＭｏ膜４０８ｂを、例えば４０周期以上６０周期以下の程度で積層した多層膜であり、ＥＵＶ光の反射膜である。なお図５においては、Ｓｉ膜４０８ａ及びＭｏ膜４０８ｂの積層階数を省略して図示している。なお、第３の導電膜４０８の上には、さらに図示しないバッファー層、吸収体又は酸化物層等が設けられていても良い。

【0051】

第３の領域４２４には、Ｓｉ膜、Ｍｏ膜、バッファー層、吸収体、酸化物層のいずれも設けられていない。言い換えると、第３の領域４２４においては、基板４０４の表面がむき出しになっている。第３の領域４２４は、ブラックボーダーと呼ばれる領域である。第３の領域４２４は、露光時にパターン４１４以外の部分で反射された露光光による、意図しない露光を抑制するために設けられた領域である。

【0052】

第１の電圧印加回路１４２（図１）は、第１の導電膜４０２を介して第１の面４５０に、例えば配線１４３を用いて、第１の電圧Ｖ_１と、第１の電圧Ｖ_１より小さい第１の微小電圧ΔＶ_１を印加する。ここで、第１の電圧Ｖ_１は、例えば負の電圧である。第１の電圧Ｖ_１の大きさは、例えば数十ｋＶの程度である。一方、第２の電圧印加回路１４４（図１）は、第３の導電膜４０８を介して第２の面４５２に、例えば配線１４５を用いて、第２の電圧Ｖ_２と、第２の電圧Ｖ_２より小さい第２の微小電圧ΔＶ_２を印加する。ここで、第１の微小電圧ΔＶ_１及び第２の微小電圧ΔＶ_２は、被検査試料４００の膜厚に応じて、変化されるものである。

【0053】

なお、第２の電圧Ｖ_２と第２の微小電圧ΔＶ_２を印加する際には、例えば配線１４５の先端を鋭利なものとしておいて、酸化物層等を破壊して第３の導電膜と配線１４５を直接接するものとしても良いし、又は酸化物層等を事前に除去しておいても良い。

【0054】

第１の微小電圧ΔＶ_１と第２の微小電圧ΔＶ_２については、例えば、オペレーター又は制御計算機１１０が、検査中に、適宜変化させることが出来る。又は、例えば、第１の電圧制御回路１４６及び第２の電圧制御回路１４８を用いて、焦点を合わせるために、又は基板４０４の膜厚に応じて、適宜第１の微小電圧ΔＶ_１及び第２の微小電圧ΔＶ_２を変化させても良い。

【0055】

なお、第１の微小電圧ΔＶ_１及び第２の微小電圧ΔＶ_２は、勿論０ボルトであってもかまわない。その場合には、第１の電圧印加回路１４２を用いて第１の電圧Ｖ_１を第１の面４５０に印加し、第２の電圧印加回路１４４を用いて第２の電圧Ｖ_２を第２の面４５２に印加していることになる。

【0056】

電子ビームに含まれる電子の加速電圧をＶ_ａｃｃ、第２の面４５２に到達する、電子ビームに含まれる電子の入射電圧をＶ_Ｌとしたときに、｜Ｖ_ａｃｃ―Ｖ_Ｌ｜＝｜Ｖ_２＋ΔＶ_２｜＜｜Ｖ_１＋ΔＶ_１｜の関係が満たされることが好ましい。なお、第１の微小電圧ΔＶ_１及び第２の微小電圧ΔＶ_２が０ボルトである場合には、上述の関係は、｜Ｖ_ａｃｃ―Ｖ_Ｌ｜＝｜Ｖ_２｜＜｜Ｖ_１｜となる。ここで、電子の入射電圧Ｖ_Ｌとは、電子ビームに含まれる電子が第２の面４５２に到達したときのランディングエネルギーＥ_Ｌ（単位はｅＶ）を、電圧に換算したものである。例えばランディングエネルギーＥ_Ｌと入射電圧Ｖ_Ｌの関係は、Ｅ_Ｌ／（１．６×１０^－１９）＝Ｖ_Ｌの関係式により表記される。加速電圧Ｖ_ａｃｃの一例は１０ｋＶであり、入射電圧Ｖ_Ｌの一例は２ｋＶであり、第１の電圧Ｖ_１の一例は－１３ｋＶであり、第２の電圧Ｖ_２の一例は－８ｋＶである。なお、加速電圧Ｖ_ａｃｃ、入射電圧Ｖ_Ｌ、第１の電圧Ｖ_１及び第２の電圧Ｖ_２は、上述の電圧に限定されるものではない。

【0057】

第１の電圧Ｖ_１と第１の微小電圧ΔＶ_１は、｜Ｖ_１／１００｜≦｜ΔＶ_１｜≦｜Ｖ_１／１０｜の関係を満たすことが好ましい。また、第２の電圧Ｖ_２と第２の微小電圧ΔＶ_２は、｜Ｖ_２／１００｜≦｜ΔＶ_２｜≦｜Ｖ_２／１０｜の関係を満たすことが好ましい。

【0058】

なお、第１の電圧印加回路１４２及び第２の電圧印加回路１４４の構成は特に限定されるものではない。例えば第１の電圧印加回路１４２について、第１の電圧Ｖ_１を印加する第１の電圧主回路と、第１の微小電圧ΔＶ_１を印加する第１の電圧補助回路と、を有する構成としても構わないが、この限りではない。第２の電圧印加回路１４４についても同様である。

【0059】

図６は、実施形態における検査方法のフローチャートである。

【0060】

まず、被検査試料４００を、ＸＹステージ１０５の、例えば支持部１０４の上に載置する。次に、被検査試料４００のパターン４１４に、マルチ１次電子ビーム２０の照射を行う（Ｓ１０）。次に、第１の電圧印加回路１４２を用いて、第１の導電膜４０２を介して第１の面４５０に第１の電圧Ｖ_１と第１の微小電圧ΔＶ_１の和を印加する（Ｓ２０）。次に、第２の電圧印加回路１４４を用いて、第３の導電膜４０８を介して第２の面４５２に第２の電圧Ｖ_２と第２の微小電圧ΔＶ_２の和を印加する（Ｓ３０）。次に、マルチ検出器２２２を用いてパターン４１４から生じたマルチ２次電子ビーム３００を検出し、さらに検出回路１０６等を用いて検査画像を取得する（Ｓ４０）。なお、例えば、第１の電圧Ｖ_１と第１の微小電圧ΔＶ_１の和の印加と、第２の電圧Ｖ_２と第２の微小電圧ΔＶ_２の和を印加する順番は、特に上記のものに限定されるものではない。例えば、下記のような順番であってもかまわない。すなわち、第１の電圧印加回路１４２を用いて、第１の導電膜４０２を介して第１の面４５０に第１の電圧Ｖ _１ と第１の微小電圧ΔＶ _１ の和を印加する（Ｓ２０）のとほぼ同時に、第２の電圧印加回路１４４を用いて、第３の導電膜４０８を介して第２の面４５２に第２の電圧Ｖ _２ と第２の微小電圧ΔＶ _２ の和を印加する（Ｓ３０）。その後に、被検査試料４００のパターン４１４に、マルチ１次電子ビーム２０の照射を行う（Ｓ１０）。次に、マルチ検出器２２２を用いてパターン４１４から生じたマルチ２次電子ビーム３００を検出し、さらに検出回路１０６等を用いて検査画像を取得する（Ｓ４０）。

【0061】

次に、本実施形態の検査装置及び検査方法の作用効果を記載する。

【0062】

本実施形態の検査装置のように、第１の面４５０に第１の電圧Ｖ_１と第１の微小電圧ΔＶ_１の和を印加することにより、第２の面４５２のパターンが形成された領域に対してリターディング電圧を印加するための領域を、別途設ける必要がなくなる。そのため、上記のリターディング電圧を印加するための領域には、より多くの素子を形成することが出来る。従って、素子歩留まりの向上と高分解能を有する検査画像の取得を両立可能な検査装置の提供が可能となる。

【0063】

特に、ＥＵＶマスクには、上述の通り、パターンのフラットネスを維持するために、第１の面４５０に第１の導電膜４０２が設けられている。そのため、第１の導電膜を介して第１の面４５０に電圧を容易に印加することが可能である。

【0064】

図７は、本実施形態の作用効果を説明するための模式図である。電子ビームカラム１０２（電子鏡筒）の電位は、例えば０Ｖである。第１の領域４２０の中央の部分等と比較すると、第１の領域４２０の端の部分や、第１の領域４２０と第３の領域４２４における境界の部分等は、電位分布又は電気力線に歪が生じやすい。そこで、第３の導電膜４０８を介して第２の面４５２に第２の電圧Ｖ_２と第２の微小電圧ΔＶ_２の和を印加すると、上述の歪を補正することが可能である。なお、図７において示した電子ビームカラム１０２（電子鏡筒）の形状は、電位分布又は電気力線の説明のために示したものであり、実際の検査装置１００における形状と一致しているものではない。

【0065】

電子ビームに含まれる電子の加速電圧をＶ_ａｃｃ、第２の面４５２に到達する、電子ビームに含まれる電子の入射電圧をＶ_Ｌとしたときに、｜Ｖ_ａｃｃ―Ｖ_Ｌ｜＝｜Ｖ_２＋ΔＶ_２｜＜｜Ｖ_１＋ΔＶ_１｜の関係が満たされることが好ましい。まず、検査のために望ましい入射電圧Ｖ_Ｌを任意に定めたとき、加速電圧Ｖ_ａｃｃと所定の入射電圧Ｖ_Ｌの差の絶対値｜Ｖ_ａｃｃ―Ｖ_Ｌ｜に等しい電圧を、｜Ｖ_２＋ΔＶ_２｜として、第２の面４５２に印加すれば良いと考えることが出来る。このことを数式に表現すると、｜Ｖ_ａｃｃ―Ｖ_Ｌ｜＝｜Ｖ_２＋ΔＶ_２｜である。なお、例えば上述のように電子ビームカラム１０２（電子鏡筒）の電位が０Ｖである場合、Ｖ_２＋ΔＶ_２は負の電圧である。

【0066】

次に、｜Ｖ_２＋ΔＶ_２｜と｜Ｖ_１＋ΔＶ_１｜の大小関係について考えると、第３の導電膜４０８と第１の導電膜４０２の間には、基板４０４が設けられている。そのため、第２の面４５２において電気力線を均一にするためには、基板４０４が設けられている分、｜Ｖ_１＋ΔＶ_１｜として、｜Ｖ_２＋ΔＶ_２｜より高い電圧を印加することが好ましい。そのため、｜Ｖ_２＋ΔＶ_２｜＜｜Ｖ_１＋ΔＶ_１｜であることが好ましい。

【0067】

以上より、｜Ｖ_ａｃｃ―Ｖ_Ｌ｜＝｜Ｖ_２＋ΔＶ_２｜＜｜Ｖ_１＋ΔＶ_１｜の関係が満たされることが好ましい。

【0068】

基板４０４の膜厚は均一ではなく、検査をするそれぞれの基板４０４上の場所によって異なっている。例えば、基板４０４の膜厚が数ｍｍ程度である場合、基板４０４の膜厚は場所によって１００μｍ程度異なることがある。このため、第１の電圧Ｖ_１及び第２の電圧Ｖ_２の大きさは、焦点を合わせるために、変化させることが好ましい。そこで、第１の電圧Ｖ_１については、被検査試料４００の膜厚に応じて、第１の微小電圧ΔＶ_１の分だけ変化させることが好ましい。また、第２の電圧Ｖ_２については、被検査試料４００の膜厚に応じて、第２の微小電圧ΔＶ_２の分だけ変化させることが好ましい。

【0069】

第１の電圧Ｖ_１と第１の微小電圧ΔＶ_１の大きさの関係は、基板４０４の平均膜厚と、基板４０４の場所による膜厚の変化分の関係によって定まる。例えば、基板４０４の平均膜厚に対して、基板４０４の場所による膜厚の変化分は、１％以上１０％以下の程度と考えられる。このことから、｜Ｖ_１／１００｜≦｜ΔＶ_１｜≦｜Ｖ_１／１０｜を満たすことが好ましい。なお第２の電圧Ｖ_２と第２の微小電圧ΔＶ_２についても同様に、｜Ｖ_２／１００｜≦｜ΔＶ_２｜≦｜Ｖ_２／１０｜を満たすことが好ましい。

【0070】

本実施形態の検査装置及び検査方法によれば、素子歩留まりの向上と高分解能を有する検査画像の取得を両立可能な、検査装置及び検査方法の提供が可能になる。

【0071】

以上の説明において、一連の「～回路」は、処理回路を含み、その処理回路には、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。また、各「～回路」は、共通する処理回路（同じ処理回路）を用いてもよい。或いは、異なる処理回路（別々の処理回路）を用いても良い。プロセッサ等を実行させるプログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、或いはＲＯＭ（リードオンリメモリ）等の記録媒体に記録されればよい。また、「～記憶部」、「～保存部」又は記憶装置は、たとえば磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）、ＳＳＤ（ソリッドステートドライブ）などの記録媒体を含む。

【0072】

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。上述の実施形態はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。例えば、実施形態では、ＥＵＶマスクを被検査試料として用いた例の説明をしてきた。しかし、被検査試料はＥＵＶマスクでなくてもかまわない。また、例えば、実施形態では、マルチビームを照射する検査装置を例にして説明をしてきた。しかし、マルチビームを照射する検査装置でなくても構わない。また、各実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもかまわない。

【0073】

実施形態では、検査方法及び検査装置の構成やその製造方法等、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる検査方法及び検査装置の構成を適宜選択して用いることが出来る。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての検査方法及び検査装置は、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその均等物の範囲によって定義されるものである。

【符号の説明】

【0074】

２０ マルチ１次電子ビーム
２２ 穴
２８，３６ 画素
２９ サブ照射領域
３３ マスクダイ
３４ 照射領域
３６ 画素
１００ 検査装置
１０２ 電子ビームカラム
１０３ 検査室
１０４ 支持部
１０６ 検出回路
１０７ 位置回路
１０９ 設計データ保存部
１１０ 制御計算機
１１１ 展開回路
１１４ ステージ制御回路
１１７ モニタ
１１８ メモリ
１１９ プリンタ
１２０ バス
１２２ レーザ測長システム
１２３ ストライプパターンメモリ
１２４ レンズ制御回路
１２６ ブランキング制御回路
１２７ 駆動機構
１２８ 偏向制御回路
１３２ 画像保存部
１３９ フィルタ回路
１４０ 分割回路
１４２ 第１の電圧印加回路
１４３ 配線
１４４ 第２の電圧印加回路
１４５ 配線
１５５ 電子光学画像取得機構（画像取得機構）
１６０ 制御系回路
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃（照射源）
２０２ 電磁レンズ
２０３ 成形アパーチャアレイ基板
２０５ 電磁レンズ（縮小レンズ）
２０６ 電磁レンズ
２０７ 電磁レンズ（対物レンズ）
２０８ 主偏向器
２０９ 副偏向器
２１２ 一括ブランキング偏向器
２１３ 制限アパーチャ基板
２１４ ビームセパレーター
２１６ ミラー
２２２ マルチ検出器
２２４，２２６ 電磁レンズ
２２８ 偏向器
３００ マルチ２次電子ビーム
４００ 被検査試料（ＥＵＶマスク）
４０２ 第１の導電膜
４０４ 基板
４０６ 第２の導電膜
４０６ａ Ｓｉ膜
４０６ｂ Ｍｏ膜
４０８ 第３の導電膜
４０８ａ Ｓｉ膜
４０８ｂ Ｍｏ膜
４１０ バッファー層
４１２ 吸収体
４１４ パターン
４２０ 第１の領域（検査領域）
４２２ 第２の領域
４２４ 第３の領域
４３２ マスクパターン
４５０ 第１の面
４５２ 第２の面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】