特許 7508693 基板支持体内のリフトピンインターフェース

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-21

(45)【発行日】2024-07-01

(54)【発明の名称】基板支持体内のリフトピンインターフェース

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240624BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20240624BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALN20240624BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

C23C16/44 B

H01L21/302 101G

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2023504456

(86)(22)【出願日】2021-07-20

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-08-16

(86)【国際出願番号】 US2021042344

(87)【国際公開番号】W WO2022020334

(87)【国際公開日】2022-01-27

【審査請求日】2023-03-16

(31)【優先権主張番号】63/055,148

(32)【優先日】2020-07-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】スリマン， アレクサンダー

【審査官】境 周一

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－０５６３７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／００９０３６１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】登録実用新案第３１５４６２９（ＪＰ，Ｕ）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／００８０９５５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１８／２１６７９７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０１３１１６３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１６－０６３０００（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１８７０５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１０１７１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－２３３２９１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｃ２３Ｃ １６／４４

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

静電チャック内のリフトピンインターフェースであって、
基板のための支持面を有する誘電体プレートと、
前記誘電体プレートの下に配置され、貫通して形成された開口部を有する導電性プレートであって、前記誘電体プレートは、前記導電性プレートの前記開口部内に延在する突出部を含む、導電性プレートと、
前記開口部に配置されたリフトピンガイドであって、前記リフトピンガイドは、前記リフトピンガイドの上面から延在し前記誘電体プレートの前記突出部と重なる、一又は複数の特徴部を含み、前記リフトピンガイドは、リフトピンを収容する通路を含む、リフトピンガイドと
を備える、リフトピンインターフェース。

【請求項2】

前記一又は複数の特徴部が、ショルダを含む、請求項１に記載のリフトピンインターフェース。

【請求項3】

前記誘電体プレートの前記突出部が、前記ショルダと篏合する皿穴を含む、請求項２に記載のリフトピンインターフェース。

【請求項4】

前記一又は複数の特徴部が、前記通路の周りに配置された単一の内側ショルダを含む、請求項２に記載のリフトピンインターフェース。

【請求項5】

前記一又は複数の特徴部が、前記突出部を囲む単一の外側ショルダを含む、請求項２に記載のリフトピンインターフェース。

【請求項6】

前記リフトピンガイドと前記突出部との間の前記リフトピンガイドの前記上面に配置されたＯリングを更に備える、請求項１に記載のリフトピンインターフェース。

【請求項7】

前記一又は複数の特徴部が、２つのショルダを含み、前記突出部が前記２つのショルダの間に延在する、請求項１に記載のリフトピンインターフェース。

【請求項8】

前記２つのショルダの間の前記リフトピンガイドの前記上面に配置されたＯリングを更に備える、請求項７に記載のリフトピンインターフェース。

【請求項9】

前記２つのショルダが、前記通路の周りに配置された内側ショルダ及び外側ショルダを含み、前記突出部が、前記内側ショルダと篏合する皿穴を含み、前記外側ショルダが、前記突出部を囲む、請求項７に記載のリフトピンインターフェース。

【請求項10】

前記２つのショルダが、同じ長さを有する、請求項７に記載のリフトピンインターフェース。

【請求項11】

前記２つのショルダが、異なる長さを有する、請求項７に記載のリフトピンインターフェース。

【請求項12】

前記導電性プレートの上面の上に配置された絶縁コーティングを更に含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載のリフトピンインターフェース。

【請求項13】

前記絶縁コーティングの上に配置されたエラストマ接合層を更に備える、請求項１２に記載のリフトピンインターフェース。

【請求項14】

前記突出部の外周と前記開口部の周囲部分との間に配置された柔軟間隙充填材料を更に含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載のリフトピンインターフェース。

【請求項15】

静電チャックであって、
基板のための支持面を有する誘電体プレートと、
前記誘電体プレート内に配置された一又は複数の電極と、
前記誘電体プレートの下に配置され、貫通して形成された開口部を有する導電性プレートであって、前記誘電体プレートは、前記導電性プレートの前記開口部内に延在する突出部を含む、導電性プレートと、
前記開口部に配置されたリフトピンガイドとを備え、前記リフトピンガイドは、前記リフトピンガイドの上面から延在し前記誘電体プレートの前記突出部と重なる、一又は複数の特徴部を含み、前記リフトピンガイドは、リフトピンを収容する通路を含み、前記誘電体プレート及び前記突出部は、前記リフトピンガイドの前記通路と整列してリフトピン開口部を形成する、開口部を含むことにより、リフトピンが前記誘電体プレートの表面を越えて延在し、前記支持面の下に引き込まれるよう十分移動できる、静電チャック。

【請求項16】

前記一又は複数の特徴部が、前記通路の周りに配置された単一の内側ショルダ、又は前記突出部を囲む単一の外側ショルダのいずれかを含み、前記誘電体プレートの前記突出部は、前記ショルダと篏合する皿穴を含む、請求項１５に記載の静電チャック。

【請求項17】

前記一又は複数の特徴部が、２つのショルダを含み、前記２つのショルダは、前記通路の周りに配置された内側ショルダ及び前記突出部を囲む外側ショルダを含み、前記突出部は、前記内側ショルダと篏合する皿穴を含む、請求項１５に記載の静電チャック。

【請求項18】

前記導電性プレートの上面の上に配置された絶縁コーティングと、
前記絶縁コーティングの上に配置されたエラストマ接合層と
を更に含む、請求項１５から１７のいずれか一項に記載の静電チャック。

【請求項19】

静電チャックを含む基板支持体であって、
貫通して形成された開口部を有する導電性プレートと、
前記導電性プレートに連結された基板のための支持面を有する誘電体プレートであって、前記誘電体プレートは、前記導電性プレートの前記開口部内に延在する突出部を含む、誘電体プレートと、
前記導電性プレートと前記誘電体プレートとの間に配置されたエラストマ接合層と、
前記誘電体プレート内に配置され、チャッキング電源に連結されるように構成された一又は複数の電極と、
前記導電性プレートの前記開口部に配置されたリフトピンガイドとを備え、前記リフトピンガイドは、前記リフトピンガイドの上面から延在し前記誘電体プレートの前記突出部と重なる、一又は複数の特徴部を含み、前記リフトピンガイドは、リフトピンを収容する通路を含み、前記誘電体プレート及び前記突出部は、前記リフトピンガイドの前記通路と整列してリフトピン開口部を形成する、開口部を含むことにより、リフトピンが前記誘電体プレートの表面を越えて延在し、前記支持面の下に引き込まれるよう十分移動できる、基板支持体。

【請求項20】

前記一又は複数の電極に連結されたチャッキング電源と、
前記導電性プレートに連結されたＲＦ電源と、
前記導電性プレートの下に配置されて、前記導電性プレートを接地から絶縁する絶縁プレートと
を更に備える、請求項１９に記載の基板支持体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［０００１］本開示の実施形態は、概して、基板処理システムに関し、より具体的には、基板処理システムにおいて使用するための静電チャックに関する。

【背景技術】

【0002】

［０００２］静電チャックは、プラズマ処理チャンバなどの基板処理システム内で基板を支持するために使用される。例えば、静電チャックは、基板処理チャンバの処理空間内に保持された支持プレートに接合され得る。静電チャックを貫通して形成されたリフトピン孔は、静電チャックの支持面上に基板を上昇及び／又は下降させるリフトピンを収容する。

【0003】

［０００３］プラズマ処理チャンバ内では、静電チャックは、基板付近で高電力高周波（ＲＦ）フィールド及び高密度プラズマにさらされる。発明者は、かかるプラズマ処理チャンバでは、リフトピン孔内での高電界の発生による気体絶縁破壊（ｇａｓ ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）が望ましくなく起こり、これは望ましくなくアーク放電につながる可能性があることを観察した。本発明者は更に、プロセスガスの化学物質がリフトピン孔にも浸透し、静電チャックを支持プレートに固定する接合層の劣化につながる可能性があることを観察した。

【0004】

［０００４］したがって、発明者らは、改善された静電チャックの実施形態を提供した。

【発明の概要】

【0005】

［０００５］静電チャック用のリフトピンインターフェースのための方法及び装置が本明細書に提供される。幾つかの実施形態では、静電チャック内のリフトピンインターフェースは、基板のための支持面を有する誘電体プレートと、誘電体プレートの下に配置され、貫通して形成された開口部を有する導電性プレートであって、誘電体プレートは、当該導電性プレートの開口部内に延在する突出部を含む、導電性プレートと、開口部に配置されたリフトピンガイドであって、当該リフトピンガイドは、リフトピンガイドの上面から延在し、誘電体プレートの突出部と重なる、一又は複数の特徴部を含む、リフトピンガイドとを含む。

【0006】

［０００６］幾つかの実施形態では、静電チャック内のリフトピンインターフェースは、基板のための支持面を有する誘電体プレートと、誘電体プレートの下に配置され、貫通して形成された開口部を有する導電性プレートであって、誘電体プレートは、当該導電性プレートの開口部内に延在する突出部を含む、導電性プレートと、開口部に配置されたリフトピンガイドであって、当該リフトピンガイドは、リフトピンガイドの上面から延在し誘電体プレートの突出部と重なる、一又は複数の特徴部を含み、当該リフトピンガイドは、リフトピンを収容する通路を含む、リフトピンガイドとを含む。

【0007】

［０００７］幾つかの実施形態では、静電チャックは、基板のための支持面を有する誘電体プレートと、誘電体プレート内に配置された一又は複数の電極と、誘電体プレートの下に配置され、貫通して形成された開口部を有する導電性プレートであって、誘電体プレートは、当該導電性プレートの開口部内に延在する突出部を含む、導電性プレートと、開口部に配置されたリフトピンガイドとを含み、当該リフトピンガイドは、リフトピンガイドの上面から延在し誘電体プレートの突出部と重なる、一又は複数の特徴部を含み、当該リフトピンガイドは、リフトピンを収容する通路を含み、誘電体プレート及び突出部は、リフトピンガイドの通路と整列してリフトピン開口部を形成する、開口部を含むことにより、リフトピンが誘電体プレートの表面を越えて延在し、支持面の下に引き込まれるよう十分移動できる。

【0008】

［０００８］幾つかの実施形態では、静電チャックを含む基板支持体は、貫通して形成された開口部を有する導電性プレートと、導電性プレートに連結された基板のための支持面を有する誘電体プレートであって、当該誘電体プレートは、導電性プレートの開口部内に延在する突出部を含む、誘電体プレートと、導電性プレートと誘電体プレートとの間に配置されたエラストマ接合層と、誘電体プレート内に配置され、チャッキング電源に連結されるように構成された一又は複数の電極と、導電性プレートの開口部に配置されたリフトピンガイドとを含み、当該リフトピンガイドは、リフトピンガイドの上面から延在し誘電体プレートの突出部と重なる、一又は複数の特徴部を含み、当該リフトピンガイドは、リフトピンを収容する通路を含み、誘電体プレート及び突出部は、リフトピンガイドの通路と整列してリフトピン開口部を形成する、開口部を含むことにより、リフトピンが誘電体プレートの表面を越えて延在し、支持面の下に引き込まれるよう十分移動できる。

【0009】

［０００９］本開示のその他の実施形態及び更なる実施形態については、以下に記載する。

【0010】

［００１０］上記で簡潔に要約されており、以下でより詳しく述べる本開示の実施形態は、添付の図面に示している本開示の例示的な実施形態を参照することにより、理解され得る。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態を許容し得ることから、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、範囲を限定するものと見なすべきではない。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】［００１１］本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る、静電チャックを有する処理チャンバの概略側面図である。

【図2】［００１２］本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る、静電チャックの一部の概略側面図である。

【図3】［００１３］本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る、静電チャックの一部の概略側面図である。

【図4】［００１４］本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る、静電チャックの一部の概略側面図である。

【図5】［００１５］本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る、静電チャックの一部の概略側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

［００１６］理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。図は縮尺どおりには描かれておらず、分かりやすくするために簡略化されることがある。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれ得る。

【0013】

［００１７］静電チャックで使用するためのリフトピンインターフェースの実施形態が本明細書に提供される。リフトピンインターフェースの実施形態は、有利には、基板から基板支持体の導電性部分（例えば冷却プレート）までの距離（例えば、沿面距離／アーク経路）を増加させる。リフトピンインターフェースの実施形態は、電圧スタンドオフのためのＯリング又はポッティング材料などの他の構成要素に依存することなく、前述の利益を有利に提供する。

【0014】

［００１８］図１は、本開示の少なくとも幾つかの実施形態による、リフトピンインターフェースを備える静電チャックを有する処理チャンバ（例えばプラズマ処理チャンバ）の概略側面図を示す。幾つかの実施形態では、プラズマ処理チャンバはエッチング処理チャンバである。しかし、異なるプロセスのために構成された他の種類の処理チャンバも、本明細書に記載の静電チャックの実施形態と共に使用するか、又は使用するために修正することができる。

【0015】

［００１９］チャンバ１００は、基板処理中にチャンバ内部空間１２０内を大気圧未満の圧力に維持するように適切に適合された真空チャンバである。チャンバ１００は、チャンバ内部空間１２０の上半分に位置する処理空間１１９を囲むリッド１０４によって覆われたチャンバ本体１０６を含む。チャンバ１００はまた、様々なチャンバ構成要素とイオン化されたプロセス材料との間の望ましくない反応を防止するために、様々なチャンバ構成要素を取り囲む一又は複数のシールド１０５を含み得る。チャンバ本体１０６及びリッド１０４は、アルミニウムなどの金属で作製され得る。チャンバ本体１０６は、接地１１５への連結を介して接地され得る。

【0016】

［００２０］基板支持体１２４は、チャンバ内部空間１２０内に配置されて、例えば半導体ウエハなどの基板１２２、又は静電的に保持され得る他の基板を支持及び保持する。基板支持体１２４は、概して、静電チャック１５０と、静電チャック１５０を支持するための中空支持シャフト１１２とを備え得る。静電チャック１５０は、その中に配置された一又は複数の電極１５４を有する誘電体プレート１５２と、導電性プレート１３６とを備える。中空支持シャフト１１２は、例えば、背面ガス、プロセスガス、流体、冷却剤、電力などを静電チャック１５０に提供するための導管を提供する。

【0017】

［００２１］幾つかの実施形態では、中空支持シャフト１１２は、アクチュエータ又はモータなどのリフト機構１１３に連結され、これは、上部の処理位置（図１に図示）と下部の搬送位置（図示せず）との間の静電チャック１５０の鉛直の動きを提供する。ベローズアセンブリ１１０は、中空支持シャフト１１２の周りに配置され、静電チャック１５０とチャンバ１００の底面１２６との間に連結されて、静電チャック１５０の鉛直運動を可能にする一方で、チャンバ１００内からの真空の損失を防止する可撓性シールを提供する。ベローズアセンブリ１１０はまた、Ｏリング１６５、又は底面１２６と接触する他の適切なシール要素と接触する、下部ベローズフランジ１６４を含み、チャンバ真空の損失を防止するのに役立つ。

【0018】

［００２２］中空支持シャフト１１２は、背面ガス供給１４１、チャッキング電源１４０、及びＲＦ源（例えば、ＲＦプラズマ電源１７０及びＲＦバイアス電源１１７）を静電チャック１５０に連結するための導管を提供する。背面ガス供給１４１は、チャンバ本体１０６の外側に配置され、熱伝達ガスを静電チャック１５０に供給する。幾つかの実施形態では、ＲＦプラズマ電源１７０及びＲＦバイアス電源１１７は、それぞれのＲＦ整合ネットワーク（ＲＦ整合ネットワーク１１６のみを示す）を介して静電チャック１５０に連結される。幾つかの実施形態では、基板支持体１２４は、あるいは、ＡＣ、ＤＣ、又はＲＦバイアス電力を含んでもよい。

【0019】

［００２３］基板リフト１３０は、基板リフト１３０を上昇及び下降させるための第２のリフト機構１３２に連結されたシャフト１１１に接続されたプラットフォーム１０８上に取り付けられたリフトピン１０９を含み得、その結果、静電チャック１５０に基板１２２を載置又は静電チャック１５０から基板１２２を除去することができる。静電チャック１５０は、リフトピン１０９を受け取るための貫通孔を含み得る。リフトピン１０９の構成及びインターフェースの詳細は、図２～５に関して以下でより詳細に記載される。

【0020】

［００２４］ベローズアセンブリ１３１は、基板リフト１３０と底面１２６との間に連結されて、基板リフト１３０の鉛直運動中にチャンバ真空を維持する可撓性シールを提供する。

【0021】

［００２５］静電チャック１５０は、静電チャック１５０の下面から静電チャック１５０の上面の様々な開口部まで延在するガス分配チャネル１３８を含む。ガス分配チャネル１３８は、使用中に静電チャック１５０の温度及び／又は温度プロファイルを制御するために、ガス導管１４２を介して背面ガス供給１４１と流体連通している。

【0022】

［００２６］チャンバ１００は、チャンバ１００を排気するために使用されるスロットルバルブ（図示せず）及び真空ポンプ（図示せず）を含む真空システム１１４に連結され、これと流体連通している。チャンバ１００内の圧力は、スロットルバルブ及び／又は真空ポンプを調整することによって調節され得る。チャンバ１００はまた、その中に配置された基板を処理するためにチャンバ１００に一又は複数のプロセスガスを供給し得るプロセスガス供給１１８に連結され、これと流体連通している。

【0023】

［００２７］動作中、例えば、プラズマ１０２をチャンバ内部空間１２０内に生み出して、一又は複数のプロセスを実行することができる。プラズマ１０２は、プラズマ電源（例えばＲＦプラズマ電源１７０）からの電力を、チャンバ内部空間１２０の近く又は内部の一又は複数の電極を介して、プロセスガスに連結することによって生み出され、プロセスガスを点火し、プラズマ１０２を生み出し得る。バイアス電力はまた、バイアス電源（例えばＲＦバイアス電源１１７）から一又は複数の電極１５４、又は静電チャック１５０内の何らかの他の電極に提供されて、プラズマから基板１２２に向かってイオンを引きつけ得る。幾つかの実施形態では、バイアス電源は、冷却プレートに連結されて、処理されている基板に負のバイアスを提供する。ＲＦ電力が冷却プレートに印加されると、冷却プレートと基板との間に電圧差（図２～５でΔＶとして示される）が発生する。電圧差は、冷却プレートと基板との間に電界を生み出し、望ましくなく、プラズマの点灯及びアーク放電を引き起こし得る。

【0024】

［００２８］図２は、本開示の少なくとも幾つかの実施形態による、リフトピンインターフェースを有する静電チャック２００の一部の概略側面図を示す。幾つかの実施形態では、静電チャック２００は、図１に関して上述した静電チャック１５０である。静電チャック２００は、基板２０２（例えば、半導体ウエハなど）を支持するための上部支持面を有する誘電体プレート２０４を含む。誘電体プレート２０４は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの適切なプロセス適合セラミック材料で作製される。一又は複数の電極が誘電体プレート２０４に埋め込まれ、チャッキング電源（例えば、図１に示されるチャッキング電源１４０）に連結される。誘電体プレート２０４は、支持面とは反対側の下面を有する。

【0025】

［００２９］誘電体プレート２０４が導電性プレート２１０に連結される。導電性プレート２１０は、電気的及び熱的に導電性である。幾つかの実施形態では、導電性プレート２１０はアルミニウム（Ａｌ）で作製される。幾つかの実施形態では、導電性プレート２１０は、貫通して冷却剤を流すように構成された冷却チャネルを含む。幾つかの実施形態では、導電性プレート２１０は、上述のＲＦバイアス電源１１７などのＲＦ電源に連結される。導電性プレート２１０は、導電性プレート２１０を接地から絶縁する絶縁プレート２１２の上に位置する。

【0026】

［００３０］誘電体又は絶縁コーティング２０８は、導電性プレート２１０の上面の上に配置され得る。幾つかの実施形態では、絶縁コーティング２０８は、酸化アルミニウムである。幾つかの実施形態では、絶縁コーティング２０８は、酸化アルミニウムスプレーコーティングである。

【0027】

［００３１］エラストマ接合層２０６は、絶縁コーティング２０８の上に配置され得る。エラストマ接合層２０６は、誘電体プレート２０４と導電性プレート２１０との間の熱伝達を改善するために、より堅牢な熱界面を有利に提供する。エラストマ接合層２０６は、誘電体プレート２０４を導電性プレート２１０に更に有利に接合する。エラストマ接合層２０６は、シリコン又はシリコンベースの材料など、任意のプロセス適合柔軟熱導電性材料とすることができる。

【0028】

［００３２］開口部２１４は、導電性プレート２１０及び絶縁プレート２１２を貫通して形成されて、リフトピンガイド２１６を受け入れる。リフトピンガイド２１６は、開口部２１４内にフィットし、リフトピン２１８を収容するための通路を含む。リフトピンガイド２１６は、ポリテトラフルオロエチレン（例えばＴＥＦＬＯＮ（登録商標））、セラミック、又はそれらの組み合わせなどのプロセス適合絶縁材料で作製され得る。リフトピンガイドは、単一の材料片で作製することも、複数の部品を有する（例えば、それぞれが同じ材料又は別の材料で作られた複数の部品で作製する）こともできる。

【0029】

［００３３］誘電体プレート２０４は、誘電体プレート２０４が導電性プレート２１０上に配置されたときに開口部２１４内に延在するように構成された突出部２２０を含む。幾つかの実施形態では、突出部２２０及び誘電体プレート２０４は単一的に形成される（例えばモノリシック）。幾つかの実施形態では、突出部２２０は、例えば、拡散接合（破線で示される）などの絶縁接合技法を使用する接合によって、誘電体プレート２０４に連結される。

【0030】

［００３４］誘電体プレート２０４及び突出部２２０は、リフトピンガイド２１６内の通路と整列した開口部を含み、開口部２１４に挿入されると、リフトピン２１８が誘電体プレート２０４の表面を越えて延在するのに（例えば、誘電体プレート２０４の支持面の上方に基板を保持するため）十分移動できるようにリフトピン開口部を形成し、（例えば、誘電体プレート２０４の支持面上に基板を載置するため）支持面の下に引き込む。リフトピン２１８は、基板２０２を損傷又は汚染しない任意のプロセス適合絶縁材料（例えば酸化アルミニウム）で製造され得る。

【0031】

［００３５］リフトピンガイド２１６の上部は、誘電体プレート２０４の突出部２２０とインターフェースする一又は複数の特徴部を含み、有利には、基板２０２の裏側から導電性プレート２１０への距離（例えば、沿面距離／アーク経路）が増加したリフトピンインターフェースを提供する。一又は複数の特徴部は、突出部２２０と重なり、リフトピンインターフェースの長さを増加させる。リフトピンインターフェースは更に、誘電体プレート２０４の上部（及び基板２０２の裏側）からエラストマ接合層２０６、及び幾つかの実施形態ではリフトピンガイド２１６と突出部２２０との間に配置されたＯリング２２８への見通し線を有利に防止し、ひいてはエラストマ接合層２０６へのプロセス化学物質の影響を有利に低減又は排除する。

【0032】

［００３６］例えば、幾つかの実施形態では、リフトピンインターフェースは、リフトピンガイドから上方に延在する一又は複数のショルダを含む。図２に示されるように、幾つかの実施形態では、リフトピンガイド２１６は、リフトピンガイド２１６の上面２２６から上方に延在する１つのショルダ２２４を含む。ショルダ２２４は、リフトピン通路の周りに配置された内側ショルダとすることができる。任意選択的に、Ｏリング２２８は、ショルダ２２４の側壁の周りの上面２２６に配置され得る。Ｏリングは、シリコン又はパーフルオロエラストマー材料など、任意の標準的なプロセス適合材料で作製され得る。誘電体プレート２０４の突出部２２０は、ショルダ２２４と嵌合する皿穴を含み得る。図２に示すように、基板２０２の裏側と導電性プレート２１０との間の長く曲がりくねった経路は、誘電体プレート２０４の開口部、ショルダ２２４の上面及び側壁に沿って、並びに突出部２２０に沿って（矢印２３０で示すように）リフトピンインターフェースによって形成される。

【0033】

［００３７］幾つかの実施形態では、図３に示すように、リフトピンガイド２１６は、リフトピンガイド２１６の上面２２６から上方に延在する２つのショルダ（ショルダ２２４及びショルダ３０４）を含む。ショルダ２２４は、リフトピン通路の周りに配置された内側ショルダとすることができる。ショルダ３０４は、例えば、リフトピンガイド２１６の外周に近接して配置された外側ショルダすることができる。２つのショルダ２２４、３０４は、同じ寸法を有してもよく、又は異なる寸法を有してもよい。例えば、ショルダは、同じ高さを有してもよく、又は異なる高さを有してもよい。あるいは、又は組み合わせて、ショルダは同じ幅を有してもよく、又は異なる幅を有してもよい。任意選択的に、Ｏリング２２８は、ショルダ２２４の側壁とショルダ３０４との間の上面２２６に配置され得る。誘電体プレート２０４の突出部２２０は、ショルダ２２４と嵌合する皿穴を含み得る。突出部２２０の外径は、突出部２２０の少なくとも一部がショルダ２２４、３０４の間にフィットできるように、ショルダ３０４の内径よりも小さい。図３に示すように、基板２０２の裏側と導電性プレート２１０との間の長く曲がりくねった経路は、誘電体プレート２０４の開口部、ショルダ２２４の上面及び側壁に沿って、突出部２２０、並びにショルダ３０４の内側の側壁及び上面に沿って（矢印３０２で示すように）リフトピンインターフェースによって形成される。

【0034】

［００３８］幾つかの実施形態では、図４に示すように、リフトピンガイド２１６は、リフトピンガイド２１６の上面２２６から上方に延在する１つのショルダ３０４を含む。ショルダ３０４は、例えば、リフトピンガイド２１６の外周に近接して配置された外側ショルダとすることができる。任意選択的に、Ｏリング２２８は、ショルダ３０４の径方向側壁内の上面２２６に配置され得る。突出部２２０の外径は、突出部２２０の少なくとも一部がショルダ３０４によって画定された内部スペース内にフィットできるように、ショルダ３０４の内径よりも小さい。図４に示すように、基板２０２の裏側と導電性プレート２１０との間の長く曲がりくねった経路は、誘電体プレート２０４の開口部に沿って、突出部２２０、並びにショルダ３０４の内側の側壁及び上面に沿って（矢印４０２で示すように）リフトピンインターフェースによって形成される。

【0035】

［００３９］幾つかの実施形態では、図５に示すように、リフトピンガイド２１６は、リフトピンガイド２１６の上面２２６から上方に延在する２つのショルダ（ショルダ３０４及びショルダ５０４）を含む。ショルダ３０４は、例えば、リフトピンガイド２１６の外周に近接して配置された外側ショルダとすることができる。ショルダ５０４は、リフトピン通路の周りに配置された内側ショルダとすることができる。図５に示されるように、内側ショルダ５０４は、誘電体プレート２０４の突出部２２０がショルダ５０４と嵌合するために皿穴を必要としないような高さを有し得る。ショルダ３０４、５０４は、同じ幅を有してもよく、又は異なる幅を有してもよい。任意選択的に、Ｏリング２２８は、ショルダ３０４の側壁とショルダ５０４との間の上面２２６に配置され得る。突出部２２０の外径は、突出部２２０の少なくとも一部がショルダ３０４によって画定された内部スペース内にフィットできるように、ショルダ３０４の内径よりも小さい。図５に示すように、基板２０２の裏側と導電性プレート２１０との間の長く曲がりくねった経路は、誘電体プレート２０４の開口部に沿って、突出部２２０に沿って、並びにショルダ３０４の内側の側壁及び上面を上がって（矢印５０２で示すように）リフトピンインターフェースによって形成される。

【0036】

［００４０］図２～５には明確に示されていないが、製造公差、熱膨張の差などを容易にするために、矢印２３０、３０２、及び４０２によって示される曲がりくねった経路に沿って、隣接する構成要素間に小さな間隙が存在する。

【0037】

［００４１］本明細書に開示の実施形態のそれぞれにおいて、突出部２２０は、Ｏリングから基板２０２の裏側までの距離を増加させ、したがって、Ｏリングを、より低い電圧差を有し、リフトピンガイド２１６によってブロックされる見通し線を有する領域へと移動させ、Ｏリング２２８の浸食率を有利に低減する。更に、本明細書に開示の実施形態のそれぞれにおいて、Ｏリングは有利には容易に交換可能である。

【0038】

［００４２］幾つかの実施形態では、オプションの柔軟間隙充填材料２２２が、突出部２２０の外周と開口部２１４の周囲部分との間に配置され得る。柔軟間隙充填材料２２２は、例えばシリコン又はシリコンベースのポッティング材料などのポッティング材料など、基板処理に使用される任意のプロセス適合柔軟間隙充填材料とすることができる。幾つかの実施形態では、柔軟間隙充填材料２２２及びエラストマ接合層２０６は同じ材料であってもよい。あるいは、柔軟間隙充填材料２２２は省略され得、突出部２２０の外周と開口部２１４の周囲部分との間に空隙が存在し得る。

【0039】

［００４３］したがって、静電チャック用の改善されたリフトピンインターフェースの実施形態が本明細書に提供される。本開示の実施形態は、有利なことに、表面アーク放電を低減又は排除し、静電チャックの接合材料を保護する。改善されたリフトピンインターフェースの実施形態は、インターフェースを高電界領域から低電界領域に更に有利に移動させて、その領域におけるプラズマ点火を低減又は排除する。

【0040】

［００４４］上記の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱せずに、本開示のその他の実施形態及び更なる実施形態が考案され得る。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】