特許 7512072 ウエーハの加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-28

(45)【発行日】2024-07-08

(54)【発明の名称】ウエーハの加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240701BHJP

   H01L 21/301 20060101ALI20240701BHJP

   B23K 26/53 20140101ALI20240701BHJP

   B24B 7/04 20060101ALI20240701BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 631

H01L21/304 601Z

H01L21/78 Q

B23K26/53

B24B7/04 A

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2020075204

(22)【出願日】2020-04-21

(65)【公開番号】P2021174810

(43)【公開日】2021-11-01

【審査請求日】2023-02-28

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110003524

【氏名又は名称】弁理士法人愛宕綜合特許事務所

(74)【代理人】

【識別番号】100113217

【弁理士】

【氏名又は名称】奥貫 佐知子

(74)【代理人】

【識別番号】100202496

【弁理士】

【氏名又は名称】鹿角 剛二

(74)【代理人】

【識別番号】100202692

【弁理士】

【氏名又は名称】金子 吉文

(72)【発明者】

【氏名】中村 勝

【審査官】湯川 洋介

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１９／１７６５８９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１６－０８１９９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－２３５９１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－００９８６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－０１９４６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１３８９５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１１７０３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－１２９４０４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｂ２３Ｋ ２６／５３

Ｂ２４Ｂ ７／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハの加工方法であって、
ウエーハの裏面からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を外周余剰領域に対応する内部に位置付けて照射しウエーハの仕上がり厚みに達しない改質層をリング状に形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程の前又は後に、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、
該保護部材側をチャックテーブルに保持しウエーハの裏面を研削してリング状に形成された改質層を除去し該改質層を起端とする劈開面を表面に到達させると共に、仕上がり厚みまで研削し、リング状の補強部を外周余剰領域に対応して形成する補強部形成工程と、
ウエーハの裏面に所定の加工を施す裏面加工工程と、
を含み、
該保護部材は、ウエーハの表面側における該デバイス領域と、該リング状の補強部が形成される外周余剰領域とを含む領域に配設され、該補強部形成工程及び該裏面加工工程は、該保護部材が配設された状態で実施されるウエーハの加工方法。

【請求項2】

該裏面加工工程の後、該補強部形成工程において形成された該劈開面に基づいて該リング状の補強部を除去することに加え、ウエーハの表面から保護部材を除去しウエーハの裏面をダイシングテープに貼着すると共にウエーハを収容する開口部を有するフレームでダイシングテープの外周を支持する移し替え工程と、
ウエーハの分割予定ラインに加工を施してウエーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
を含み構成される請求項１に記載のウエーハの加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、デバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハの加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに形成された後、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割されて、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。

【0003】

また、ウエーハに形成されたデバイス領域に対応する裏面を研削し外周余剰領域に対応する裏面に環状の補強部を形成した後、ウエーハに加工を施し、外周余剰領域に形成された環状の補強部を除去して、ウエーハを個々のデバイスチップに分割する技術が、本出願人によって提案されている（特許文献１を参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２００７－０１９４６１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上記した特許文献１の技術によれば、外周余剰領域に対応する裏面に環状の補強部が形成されていることにより、デバイス領域に対応する裏面側が研削されることで薄化されたウエーハが安定的に支持されて、加工時の取り扱いが良好になる。しかし、補強部が形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するためには、該補強部を切削ブレードで除去する必要があり、該補強部を切削ブレードで除去する際に、該補強部の近傍に位置するデバイスが破損するおそれがあるため、該補強部が形成される領域からデバイス領域の外縁を十分に内側に離して設定する必要があり、そのためにデバイス領域が設定される領域が制限されて生産性が悪い、という問題がある。

【0006】

また、レーザー加工によってウエーハの外周に形成された環状の補強部を除去する場合、ウエーハの外周に改質層、又はデブリが残存して、その改質層、又はデブリが残存した箇所からウエーハが破損する、という問題が生じる。

【0007】

本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの外周に改質層やデブリを残存させず、リング状の補強部が形成される領域に近接させてデバイス領域を設定することを可能として生産性を向上させることができるウエーハの加工方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を外周余剰領域に対応する内部に位置付けて照射しウエーハの仕上がり厚みに達しない改質層をリング状に形成する改質層形成工程と、該改質層形成工程の前又は後に、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、該保護部材側をチャックテーブルに保持しウエーハの裏面を研削してリング状に形成された改質層を除去し該改質層を起端とする劈開面を表面に到達させると共に、仕上がり厚みまで研削し、リング状の補強部を外周余剰領域に対応して形成する補強部形成工程と、ウエーハの裏面に所定の加工を施す裏面加工工程と、を含み、該保護部材は、ウエーハの表面側における該デバイス領域と、該リング状の補強部が形成される外周余剰領域とを含む領域に配設され、該補強部形成工程及び該裏面加工工程は、該保護部材が配設された状態で実施されるウエーハの加工方法が提供される。

【0009】

該裏面加工工程の後、該補強部形成工程において形成された該劈開面に基づいて該リング状の補強部を除去することに加え、ウエーハの表面から保護部材を除去しウエーハの裏面をダイシングテープに貼着すると共にウエーハを収容する開口部を有するフレームでダイシングテープの外周を支持する移し替え工程と、ウエーハの分割予定ラインに加工を施してウエーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、を含み構成されることが好ましい。

【発明の効果】

【0010】

本発明のウエーハの加工方法は、ウエーハの裏面からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を外周余剰領域に対応する内部に位置付けて照射しウエーハの仕上がり厚みに達しない改質層をリング状に形成する改質層形成工程と、該改質層形成工程の前又は後に、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、該保護部材側をチャックテーブルに保持しウエーハの裏面を研削してリング状に形成された改質層を除去し該改質層を起端とする劈開面を表面に到達させると共に、仕上がり厚みまで研削し、リング状の補強部を外周余剰領域に対応して形成する補強部形成工程と、ウエーハの裏面に所定の加工を施す裏面加工工程と、を含み、該保護部材は、ウエーハの表面側における該デバイス領域と、該リング状の補強部が形成される外周余剰領域とを含む領域に配設され、該補強部形成工程及び該裏面加工工程は、該保護部材が配設された状態で実施されることにより、ウエーハの外周は劈開面によって囲繞されて分割され、改質層やデブリが残存することがなく、該改質層やデブリからウエーハが破損するという問題が解消する。また、ウエーハの外周が劈開面によって分割されるため、リング状の補強部を形成する領域ギリギリまでデバイス領域を設定することが可能になり、生産性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本実施形態の保護部材配設工程を実施する態様を示す斜視図である。

【図2】レーザー加工装置のチャックテーブルにウエーハを保持する態様を示す斜視図である。

【図3】（ａ）改質層形成工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）に示す改質層形成工程を実施する際の一部拡大断面図である。

【図4】（ａ）補強部形成工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）に示す改質層形成工程を実施する際の一部拡大断面図である。

【図5】移し替え工程を実施すべく、ウエーハを、ダイシングテープを介してフレームに支持させる態様を示す斜視図である。

【図6】移し替え工程にて、補強部と保護部材とを除去する態様を示す斜視図である。

【図7】分割工程の実施態様を示す斜視図である。

【図8】ピックアップ工程の実施態様を示すべく一部を断面で示した側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本発明に基づいて構成されるウエーハの加工方法の実施形態について、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。

【0013】

図１には、本実施形態のウエーハの加工方法により加工されるウエーハ１０が示されている。ウエーハ１０は、７００μｍの厚みで形成された円板状の部材であり、表面１０ａと、裏面１０ｂとを備え、例えば、シリコンから形成されている。ウエーハ１０の表面１０ａには、複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画されたデバイス領域１６ａと、デバイス領域１６ａを囲繞する外周余剰領域１６ｂとが形成されている。なお、図１では、デバイス領域１６ａと、外周余剰領域１６ｂとを区分する境界１７が２点鎖線で示されているが、境界１７は説明の便宜上記載した仮想の線であり、実際のウエーハ１０の表面１０ａに記載されているものではない。

【0014】

本実施形態のウエーハの加工方法を実施するに際し、図１に示すような保護部材２０を用意する。保護部材２０は、例えば、ウエーハ１０と同一の直径を備える円形の粘着テープである。このような保護部材２０を用意したならば、ウエーハ１０の表面１０ａに貼着する（保護部材配設工程）。

【0015】

次いで、図２に示すように、ウエーハ１０をレーザー加工装置３０（一部のみ示している）に搬送し、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側を上方に、保護部材２０側を下方に向けて、ウエーハ１０の中心をチャックテーブル３２の中心に位置付けてチャックテーブル３２の保持面３２ａ上に載置する。チェックテーブル３２は、図示しない回転駆動手段を備えており、チャックテーブル３２を回転させることができる。保持面３２ａは、平坦面であり、通気性を備えた素材で形成され、チャックテーブル３２の内部を介して図示しない吸引源に接続されている。該吸引源を作動して、保持面３２ａ上に載置されたウエーハ１０を吸引保持する。

【0016】

次いで、チャックテーブル３２を図示しないアライメント手段の直下に位置付けてアライメント工程を実施してウエーハ１０を検出し、ウエーハ１０のレーザー加工位置を検出し、その位置情報を、レーザー加工装置３０の図示しない制御手段に記憶する。次いで、該位置情報に基づいて、図３（ａ）に示すように、レーザー光線照射手段３４の集光器３６の直下に、ウエーハ１０を位置付ける。レーザー光線照射手段３４は、レーザー光線ＬＢを照射する手段であり、レーザー光線ＬＢを照射する位置は、外周余剰領域１６ｂに対応する位置であって、デバイス領域１６ａと外周余剰領域１６ｂとを区分する境界１７よりも外側の位置である。

【0017】

レーザー光線ＬＢの集光点の深さ位置は、上記した外周余剰領域１６ｂに対応する位置の内部であって、裏面１０ｂ側からみてウエーハ１０の仕上がり厚みに達しない改質層１００をリング状に形成する位置である（図３（ｂ）を参照）。なお、本実施形態におけるウエーハ１０の仕上がり厚みは３０μｍ程度で設定されていることから、改質層１００は、デバイス１２が形成された表面１０ａから３０μｍ以上上方に形成される。このようにして、ウエーハ１０の外周余剰領域１６ｂに対応する位置を、レーザー光線照射手段３４の集光器３６の直下に位置付け、レーザー光線照射手段３４を作動してレーザー光線ＬＢを照射し、チャックテーブル３２を矢印Ｒ１で示す方向に回転させて、外周余剰領域１６ｂに対応する位置の内部の全周にわたり、図３（ｂ）に示す改質層１００を形成する。以上により、改質層形成工程が完了する。

【0018】

なお、上記した改質層形成工程において実施されるレーザー加工条件は、例えば、以下に示すように設定される。
波長 ：１３４２ｎｍ
繰り返し周波数 ：６０ｋＨｚ
平均出力 ：１．６Ｗ
チャックテーブル回転数 ：０．５回転／秒

【0019】

上記したように改質層形成工程を実施したならば、図４（ａ）に示す研削装置４０（一部のみ示している）に搬送し、ウエーハ１０の裏面１０ｂを研削してリング状に形成された改質層１００を除去し改質層１００を起端として形成される劈開面をウエーハ１０の表面１０ａに到達させて仕上がり厚みまで研削すると共に、リング状の補強部を外周余剰領域１６ｂに対応して形成する補強部形成工程を実施する。なお、上記した実施形態では、保護部材配設工程を、改質層形成工程を実施する前に実施したが、本発明はこれに限定されず、改質層形成工程を実施した後、以下に説明する補強部形成工程を実施するまでの間に実施するようにしてもよい。補強部形成工程について、図４を参照しながら、以下に、より具体的に説明する。

【0020】

図４（ａ）に示すように、研削装置４０は、ウエーハ１０を吸引保持するチャックテーブル４１と、チャックテーブル４１に保持されたウエーハ１０を研削する研削手段４２とを備える。チャックテーブル４１は、チャックテーブル４１を矢印Ｒ２で示す方向に所定の回転数で回転させる回転駆動手段（図示は省略する）を備えている。また、チャックテーブル４１は、通気性を有する素材により形成された保持面（図示は省略する）を備え、該保持面は、図示しない吸引源に接続されている。

【0021】

研削手段４２は、スピンドルハウジング４３と、回転自在にスピンドルハウジング４３に保持されたスピンドル４４と、スピンドル４４を所定の回転数で回転させるスピンドル用モータ（図示は省略する）と、スピンドル４４の下端に固定された円板状の研削ホイール４６と、研削ホイール４６の下面の外周縁部に環状に均等間隔で複数配設された研削砥石４８と、を備えている。該スピンドル用モータを作動させることにより、矢印Ｒ３で示す方向にスピンドル４４を回転させて研削ホイール４６を回転させることができる。なお、研削ホイール４６の直径は、ウエーハ１０の半径と略一致するように設定されている。

【0022】

補強部形成工程を実施するに際し、ウエーハ１０の保護部材２０側を下方に向け、チャックテーブル４１の中心にウエーハ１０の中心を位置付けて載置して吸引保持させる。次いで、環状に配設された研削砥石４８がウエーハ１０の中心を通過するように、且つウエーハ１０の外周よりも径方向内側に研削砥石４８の外側の端部が位置するように、研削砥石４８に対するウエーハ１０の位置を設定する。このとき、研削砥石４８の外側の端部の位置は、外周余剰領域１６ｂに対応する位置であって、改質層１００が形成された位置よりも僅かに外側に位置付けられる。

【0023】

次いで、チャックテーブル４１を所定の回転数（例えば３００ｒｐｍ）で、矢印Ｒ２で示す方向に回転させると共に、研削手段４２のスピンドル４４を、所定の回転数（例えば６０００ｒｐｍ）で、矢印Ｒ３で示す方向に回転させる。次いで、図示していない研削手段４２の昇降手段を作動して研削ホイール４６を下降させ、ウエーハ１０の裏面１０ｂに研削砥石４８を接触させる。その後、所定の研削送り速度（例えば１μｍ／秒）で研削ホイール４６を研削送りする。

【0024】

上記したように、研削砥石４８の外側の端部は改質層１００が形成された位置よりも外側に位置付けられており、上記した研削加工を進めることにより改質層１００が研削され、これと同時に、改質層１００が形成された位置を起点として、デバイス１２が形成された表面１０ａ側に、劈開面１０ｄが伸長する。このようにしてウエーハ１０の裏面１０ｂを仕上がり厚み（３０μｍ）まで研削を進める結果、図４（ｂ）に示すように、改質層１００は完全に除去され、且つ改質層１００が形成されていた位置から伸長した劈開面１０ｄが表面１０ａ側に到達し、連続する劈開面１０ｄによって環状の分割線が形成される。そして、デバイス領域１６ａに対応する領域を含む裏面１０ｂが薄化されると共に、外周余剰領域１６ｂに対応する位置に環状の凸形状をなす補強部１０ｃが形成される。なお、補強部１０ｃの幅は、仕上がり厚みまで薄化されたウエーハ１０を安定的に扱うことができる幅（例えば２～３ｍｍ程度）に設定される。以上により補強部形成工程が完了する。

【0025】

次いで、補強部１０ｃが形成されたウエーハ１０を裏面加工装置（図示は省略する）に搬送し、ウエーハ１０の裏面１０ｂの薄化された領域に対し、所定の加工を施す裏面加工工程を実施する。該裏面加工装置は、例えば、補強部形成工程で加工が施されてウエーハ１０の裏面１０ｂの薄化された領域に対して、電極等を形成する金属膜１１（図５を参照）を被覆する装置である。該裏面加工装置にウエーハ１０を搬送する際には、デバイス領域１６ａに対応する領域が３０μｍまで薄化されているにも関わらず、リング状の補強部１０ｃが形成されていることにより、ウエーハ１０を撓ませることなく安定的に取り扱うことができ、ウエーハ１０に対して裏面加工工程を施すのが容易になる。そして、上記したような改質層形成工程、保護部材配設工程、補強部形成工程、裏面加工工程を含むウエーハの加工方法が実施される結果、ウエーハ１０のデバイス領域１６ａと外周余剰領域１６ｂとが劈開面１０ｄによってリング状に分割されることになるから、デバイス領域１６ａを、リング状の劈開面１０ｄが形成される領域ギリギリまで設定することが可能になり、デバイス領域１６ａにより多くのデバイス１２を設定することができることから生産性が向上する。

【0026】

上記したウエーハの加工方法を実施した後、すなわち、裏面加工工程を実施した後、必要に応じて、該補強部形成工程において形成された劈開面１０ｄに基づいてリング状の補強部１０ｃを除去してウエーハ１０を個々のデバイスチップに分割する分割工程を実施するようにしてもよい。以下に、図５に加え、図６－８を参照しながら、分割工程について説明する。

【0027】

分割工程を実施するに際し、まず、図５に示すように、ウエーハ１０を収容可能な大きさの開口部Ｆａを備えた環状のフレームＦと、ダイシングテープＴとを用意する。ダイシングテープＴは、円形でありその直径は開口部Ｆａよりも大きく、ダイシングテープＴの外周縁は、フレームＦの裏面に貼着されている。図５に示すように、ウエーハ１０を反転し、金属膜１１が形成された裏面１０ｂ側を下方に向けて、フレームＦの開口部Ｆａの中央に位置付け、ダイシングテープＴに貼着し、ダイシングテープＴを介してウエーハ１０をフレームＦに支持させる。

【0028】

図５に示すウエーハ１０から理解されるように、ウエーハ１０の表面１０ａ側には劈開面１０ｄが到達しており、裏面１０ｂ側が薄化されたデバイス領域１６ａと補強部１０ｃが形成された領域とはすでに分割されている。これを利用して、図６に示すように、デバイス領域１６ａを上方から押さえ付けてウエーハ１０の裏面１０ｂをダイシングテープＴの中央に貼着しつつ、保護部材２０と、リング状の補強部１０ｃとを劈開面１０ｄに基づいてウエーハ１０から除去する。以上により、補強部１０ｃが除去されたウエーハ１０がダイシングテープＴに貼着されると共に、フレームＦでダイシングテープＴの外周が支持されて、ウエーハ１０が、保護部材２０から、ダイシングテープＴに移し替えられる（移し替え工程）。

【0029】

次いで、ダイシングテープＴに移し替えられフレームＦで保持されたウエーハ１０に分割工程を施すべく、図７に示す切削装置５０に搬送する。切削装置５０は、ウエーハ１０を吸引保持するチャックテーブル（図示は省略する）と、該チャックテーブルに吸引保持されたウエーハ１０を切削する切削手段５２とを備える。該チャックテーブルは、回転自在に構成され、図中矢印Ｘで示す方向にチャックテーブルを加工送りする移動手段（図示は省略する）を備えている。また、切削手段５２は、図中矢印Ｙで示すＹ軸方向に配設され保持されたスピンドル５４と、スピンドル５４の先端に保持された環状の切削ブレード５６とを備え、切削ブレード５６をＹ軸方向で割り出し送りするＹ軸移動手段（図示は省略する）を備えている。スピンドル５４は、図示を省略するスピンドルモータにより回転駆動される。

【0030】

分割工程を実施するに際し、まず、ウエーハ１０の表面１０ａを上方に向けて切削装置５０のチャックテーブルに載置して吸引保持し、ウエーハ１０の所定の分割予定ラン１４をＸ軸方向に整合させると共に、切削ブレード５６との位置合わせを実施する。次いで、Ｘ軸方向に整合させた分割予定ライン１４に高速回転させた切削ブレード５６を位置付けて、表面１０ａ側から切り込ませると共に、チャックテーブルをＸ軸方向に加工送りして分割溝１１０を形成する。さらに、分割溝１１０を形成した分割予定ライン１４にＹ軸方向で隣接し、分割溝１１０が形成されていない分割予定ライン１４上に切削手段５２の切削ブレード５６を割り出し送りして、上記と同様にして分割溝１１０を形成する切削加工を実施する。これらを繰り返すことにより、Ｘ軸方向に沿うすべての分割予定ライン１４に沿って分割溝１１０を形成する。次いで、チャックテーブルを９０度回転し、先に分割溝１１０を形成した方向と直交する方向をＸ軸方向に整合させ、上記した切削加工を新たにＸ軸方向に整合させたすべての分割予定ライン１４に対して実施し、ウエーハ１０に形成されたすべての分割予定ライン１４に沿って分割溝１１０を形成する。このようにして分割工程を実施して分割予定ラン１４に沿ってウエーハ１０をデバイス１２ごとのデバイスチップに分割する（分割工程）。

【0031】

上記したように分割工程を実施した後、必要に応じて、図８に示すようにダイシングテープＴからデバイスチップ１２’をピンクアップするピックアップ工程を実施してもよい。ピックアップ工程は、たとえば、図８に示すピックアップ装置６０を用いて実施することができる。ピックアップ装置６０は、デバイスチップ１２’を吸着して搬送するピックアップコレット６２と、ダイシングテープＴを拡張して、隣接するデバイスチップ１２’同士の間隔を拡張する拡張手段６４と、を備える。

【0032】

図８に示すとおり、拡張手段６４は、円筒状の拡張ドラム６４ａと、拡張ドラム６４ａに隣接し、周方向に間隔をおいて上方に延びる複数のエアシリンダ６４ｂと、エアシリンダ６４ｂのそれぞれの上端に連結された環状の保持部材６４ｃと、保持部材６４ｃの外周縁部に周方向に間隔をおいて配置された複数のクランプ６４ｄとを含む。拡張ドラム６４ａの内径はウエーハ１０の直径よりも大きく、拡張ドラム６４ａの外径はフレームＦの内径Ｆａよりも小さい。また、保持部材６４ｃは、フレームＦに対応しており、保持部材６４ｃの平坦な上面にフレームＦが載せられるようになっている。

【0033】

図８に示すように、複数のエアシリンダ６４ｂは、保持部材６４ｃの上面が拡張ドラム６４ａの上端とほぼ同じ高さの基準位置（実線で示す）と、保持部材６４ｃの上面が拡張ドラム６４ａの上端よりも下方に位置する拡張位置（二点鎖線で示す）との間で、拡張ドラム６４ａに対して相対的に保持部材６４ｃを昇降させるようになっている。

【0034】

図８に示すピックアップコレット６４は、水平方向および上下方向に移動自在に構成されている。また、ピックアップコレット６４には吸引手段（図示は省略する）が接続されており、ピックアップコレット６４の先端下面でデバイスチップ１２’を吸着するようになっている。

【0035】

図８を参照して説明を続けると、ピックアップ工程では、まず、個々のデバイスチップ１２’に分割されたウエーハ１０を上に向けて、基準位置に位置する保持部材６４ｃの上面にフレームＦを載せる。次いで、複数のクランプ７４ｄでリングフレーム１６を固定する。次いで、保持部材７４ｃを拡張位置に下降させることによって、ダイシングテープＴに放射状の張力が作用する。そうすると、図８に二点鎖線で示すとおり、ダイシングテープＴに貼着されているデバイスチップ１２’同士の間隔が拡張する。

【0036】

次いで、ピックアップ対象のデバイスチップ１２’の上方にピックアップコレット６４を位置付けて下降させ、ピックアップコレット７２の先端下面でデバイスチップ１２’の上面を吸着する。次いで、ピックアップコレット７２を上昇させ、デバイスチップ１２’をダイシングテープＴから剥離しピックアップする。次いで、ピックアップしたデバイスチップ１２’を図示しないトレー等に搬送するか、又は次工程の所定の搬送位置に搬送する。そして、このようなピックアップ作業をすべてのデバイスチップ１２’に対して順次行い、ピックアップ工程が完了する。

【0037】

上記した実施形態によれば、ウエーハ１０の外周は劈開面１０ｄによって囲繞されて分割されるため、改質層やデブリが残存することがなく、該改質層やデブリからウエーハ１０が破損するという問題が解消する。また、ウエーハ１０の外周が劈開面１０ｄによって分割されるため、リング状の補強部１０ｃを形成する領域ギリギリまでデバイス領域１６ａを設定することが可能になり、生産性が向上する。

【符号の説明】

【0038】

１０：ウエーハ
１０ａ：表面
１０ｂ：裏面
１０ｃ：補強部
１０ｄ：劈開面
１２：デバイス
１４：分割予定ライン
１６ａ：デバイス領域
１６ｂ：外周余剰領域
１７：境界
２０：保護部材（粘着テープ）
３０：レーザー加工装置
３２：チャックテーブル
３４：レーザー光線照射手段
３６：集光器
４０：研削装置
４１：チャックテーブル
４２：研削手段
４３：スピンドルハウジング
４４：スピンドル
４６：研削ホイール
４８：研削砥石
５０：切削装置
５２：切削手段
５４：スピンドル
５６：切削ブレード
６０：ピックアップ装置
６２：ピックアップコレット
６４：拡張手段
１００：改質層
１１０：分割溝
Ｆ：フレーム
Ｔ：ダイシングテープ
ＬＢ：レーザー光線

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】