特許 7512429 真空処理装置および真空処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-28

(45)【発行日】2024-07-08

(54)【発明の名称】真空処理装置および真空処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20240701BHJP

   H01J 37/18 20060101ALI20240701BHJP

   C23C 14/56 20060101ALI20240701BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20240701BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 A

H01J37/18

C23C14/56 G

C23C16/44 F

【請求項の数】 18

(21)【出願番号】P 2022569395

(86)(22)【出願日】2020-12-16

(86)【国際出願番号】 JP2020046967

(87)【国際公開番号】W WO2022130535

(87)【国際公開日】2022-06-23

【審査請求日】2023-04-05

(73)【特許権者】

【識別番号】501387839

【氏名又は名称】株式会社日立ハイテク

(74)【代理人】

【識別番号】110002066

【氏名又は名称】弁理士法人筒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】田ノ口 亮斗

(72)【発明者】

【氏名】坪内 宏樹

(72)【発明者】

【氏名】生方 孝男

【審査官】鈴木 孝章

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１５－６５１３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－９２６３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１８２７９２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６７７

Ｈ０１Ｊ ３７／１８

Ｃ２３Ｃ １４／５６

Ｃ２３Ｃ １６／４４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

装置内外への試料の搬出入に伴って開閉する第１のゲートバルブを有する第１の真空チャンバーと、
前記第１の真空チャンバーに第２のゲートバルブを介して連接される第２の真空チャンバーと、
前記第１の真空チャンバーを真空排気する真空ポンプと、
前記第１の真空チャンバーの内圧を測定する圧力計と、
前記第１の真空チャンバーから前記第２の真空チャンバーへの前記第２のゲートバルブを介した前記試料の搬送を制御するコンピュータシステムと、
を有し、
前記コンピュータシステムは、前記第２のゲートバルブを閉状態に制御した上で第１の時間行われている前記真空ポンプによる前記真空排気を停止し、前記真空排気を停止した状態で前記圧力計を用いて前記第１の真空チャンバーの内圧を測定し、当該測定した内圧が第１の基準値に到達している場合に前記第２のゲートバルブを開状態に制御し、
前記コンピュータシステムは、前記測定した内圧が前記第１の基準値に未達の場合には、前記真空ポンプによる前記真空排気を第２の時間行ったのち停止し、前記真空排気を停止した状態で前記第１の真空チャンバーの内圧を測定するというループ処理を、前記測定した内圧が前記第１の基準値に到達するまで繰り返す、
真空処理装置。

【請求項2】

請求項１記載の真空処理装置において、
前記第１の真空チャンバーは、ロードロックチャンバーである、
真空処理装置。

【請求項3】

請求項２記載の真空処理装置において、
前記コンピュータシステムは、前記ループ処理が生じた第１の試料を対象に、前記測定した内圧が前記第１の基準値に到達するまでに要した前記真空排気のトータル時間を計測し、前記第１の試料と同種の試料を対象とする際に、前記第１の時間に前記トータル時間を反映させる、
真空処理装置。

【請求項4】

請求項３記載の真空処理装置において、
前記コンピュータシステムは、所定の開始時点から、前記第１の真空チャンバーの内圧が前記第１の基準値よりも高い第２の基準値に到達するまでに要する第３の時間を計測し、前記第１の試料と同種の試料である否かを前記第３の時間に基づいて判定する、
真空処理装置。

【請求項5】

請求項４記載の真空処理装置において、
前記コンピュータシステムは、
第２の試料を対象に、前記真空ポンプによる前記真空排気を、前記トータル時間が反映された前記第１の時間行ったのち停止し、前記真空排気を停止した状態で前記測定した内圧が前記第１の基準値に到達しているか否かを判定し、
前記第２の試料において前記測定した内圧が前記第１の基準値に到達しており、かつ、前記第２の試料と前記第２の試料に続いて処理される第３の試料とで前記第３の時間が同等である場合に、前記第３の試料を前記第２の試料と同種であると判定する、
真空処理装置。

【請求項6】

請求項２記載の真空処理装置において、
前記コンピュータシステムは、ユーザの設定に基づいて前記ループ処理の繰り返し回数の上限を定める、
真空処理装置。

【請求項7】

請求項１記載の真空処理装置において、
前記真空ポンプは、ＴＭＰ（turbomolecular pump）である、
真空処理装置。

【請求項8】

請求項１記載の真空処理装置において、
記コンピュータシステムは、前記試料の種類に応じて、前記第１の真空チャンバーの内圧を、前記真空排気を停止した状態で測定するか、または、前記真空排気が行われている状態で測定するかを切り替え可能となっている、
真空処理装置。

【請求項9】

請求項１記載の真空処理装置において、
前記真空処理装置は、前記第２の真空チャンバーに搬送された前記試料に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム装置である、
真空処理装置。

【請求項10】

請求項１記載の真空処理装置において、
前記コンピュータシステムは、前記ループ処理内の前記測定した内圧の変化量又は応答特性に基づいて、前記試料を前記第１の真空チャンバーから前記第２の真空チャンバーへ搬送するように制御する、
真空処理装置。

【請求項11】

装置内外への試料の搬出入に伴って開閉する第１のゲートバルブを有する第１の真空チャンバーと、
前記第１の真空チャンバーに第２のゲートバルブを介して連接される第２の真空チャンバーと、
前記第１の真空チャンバーを真空排気する真空ポンプと、
前記第１の真空チャンバーの内圧を測定する圧力計と、
を有する真空処理装置の真空処理方法であって、
前記第１の真空チャンバーから前記第２の真空チャンバーへの前記第２のゲートバルブを介した前記試料の搬送を制御する際に、前記第２のゲートバルブを閉状態に制御した上で第１の時間行われている前記真空ポンプによる前記真空排気を停止し、前記真空排気を停止した状態で前記圧力計を用いて前記第１の真空チャンバーの内圧を測定し、当該測定した内圧が第１の基準値に到達している場合に前記第２のゲートバルブを開状態に制御し、
前記測定した内圧が前記第１の基準値に未達の場合には、前記真空ポンプによる前記真空排気を第２の時間行ったのち停止し、前記真空排気を停止した状態で前記第１の真空チャンバーの内圧を測定するというループ処理を、前記測定した内圧が前記第１の基準値に到達するまで繰り返す、
真空処理方法。

【請求項12】

請求項１１記載の真空処理方法において、
前記第１の真空チャンバーは、ロードロックチャンバーである、
真空処理方法。

【請求項13】

請求項１２記載の真空処理方法において、
前記ループ処理が生じた第１の試料を対象に、前記測定した内圧が前記第１の基準値に到達するまでに要した前記真空排気のトータル時間を計測し、前記第１の試料と同種の試料を対象とする際に、前記第１の時間に前記トータル時間を反映させる、
真空処理方法。

【請求項14】

請求項１３記載の真空処理方法において、
所定の開始時点から、前記第１の真空チャンバーの内圧が前記第１の基準値よりも高い第２の基準値に到達するまでに要する第３の時間を計測し、前記第１の試料と同種の試料である否かを前記第３の時間に基づいて判定する、
真空処理方法。

【請求項15】

請求項１４記載の真空処理方法において、
第２の試料を対象に、前記真空ポンプによる前記真空排気を、前記トータル時間が反映された前記第１の時間行ったのち停止し、前記真空排気を停止した状態で前記測定した内圧が前記第１の基準値に到達しているか否かを判定し、
前記第２の試料において前記測定した内圧が前記第１の基準値に到達しており、かつ、前記第２の試料と前記第２の試料に続いて処理される第３の試料とで前記第３の時間が同等である場合に、前記第３の試料を前記第２の試料と同種であると判定する、
真空処理方法。

【請求項16】

請求項１１記載の真空処理方法において、
前記ループ処理内の前記測定した内圧の変化量又は応答特性に基づいて、前記試料を前記第１の真空チャンバーから前記第２の真空チャンバーへ搬送する、
真空処理方法。

【請求項17】

装置内外への試料の搬出入に伴って開閉する第１のゲートバルブを有する第１の真空チャンバーと、
前記第１の真空チャンバーに第２のゲートバルブを介して連接される第２の真空チャンバーと、
前記第１の真空チャンバーを真空バルブを介して真空排気する真空ポンプと、
前記第１の真空チャンバーから前記第２の真空チャンバーへの前記第２のゲートバルブを介した前記試料の搬送を制御するコンピュータシステムと、
を有し、
前記コンピュータシステムは、前記試料が前記第１の真空チャンバー内に滞在している間、前記真空バルブの開閉動作、又は開度の大小調整を繰り返すように制御し、当該制御の期間内の前記第１の真空チャンバーの真空度又は内圧と、所定の閾値との比較結果、或いは、前記制御の期間内の前記第１の真空チャンバーの真空度又は内圧の変化量又は応答特性に基づいて、前記試料を前記第１の真空チャンバーから前記第２の真空チャンバーへ搬送する、
真空処理装置。

【請求項18】

請求項１７記載の真空処理装置において、
前記第１の真空チャンバーは、ロードロックチャンバーである、
真空処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、真空処理装置および真空処理方法に関し、特にガスを放出する半導体ウェハの処理を行う装置に関する。

【背景技術】

【0002】

デバイス製造ラインでは、半導体ウェハ（以後、ウェハ）に形成された微細パターンの寸法計測やデバイス上の欠陥を検査するために、走査型電子顕微鏡を応用した装置が使われている。たとえば、半導体デバイスのゲートやコンタクトホールの寸法測定にはＣＤ－ＳＥＭ（Critical Dimension-Scanning Electron Microscope）が、欠陥検査には欠陥検査ＳＥＭ等が用いられる。

【0003】

特許文献１には、ガス放出量が異なる各試料に対して、装置のスループットを適切に維持することが可能な荷電粒子ビーム装置が示される。当該荷電粒子ビーム装置は、試料を交換室から試料室へ搬送する際に、交換室での真空排気を完了させるための判定値を、ガス放出量が多い試料と少ない試料とで切り替える。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１３－１８２７９２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

真空処理装置の概要を、真空処理装置の一つであるＣＤ－ＳＥＭを例に説明する。ＣＤ－ＳＥＭは、検査対象であるウェハを装置外から装置内に取り込むロードロックチャンバー（以後、ＬＣと呼ぶ）と、電子ビームをウェハに照射して検査を行うメインチャンバー（以後、ＳＣと呼ぶ）とを連接した構成となっている。電子光学系は、ＳＣに備え付けられており、電子ビームをＳＣ内のウェハに照射する。

【0006】

装置の通常使用状態において、ＳＣの圧力は、電子ビームの照射による測定を行えるようにするため高真空状態に保たれる必要がある。一方でＬＣの圧力は、ウェハを装置外とＳＣとの間で搬送する際の前室の役割を担っているため、ウェハの取り込みや、検査を終えたウェハの取り出しの度に大気圧から高真空まで急速に変動する。このため、ＬＣとＳＣは、それぞれターボ分子ポンプ（ＴＭＰ（turbomolecular pump））を備えている。

【0007】

加えて、ＬＣは、ＴＭＰによる排気とは別に、大気から低真空の範囲の真空引きを担う粗びき用のポンプ（ドライポンプなど）と、ＬＣ内を窒素（Ｎ_２）等を用いて大気圧に戻すためのベントデバイスとを備えている。ＬＣとＳＣのチャンバー容積については、ＬＣが小、ＳＣが大の関係となる。これは、圧力変動の必要性から、ＬＣの容積は小さいことが望ましいためである。

【0008】

次に、ＣＤ－ＳＥＭでのウェハ搬送と、それに伴う真空排気シーケンスについて説明する。ＣＤ－ＳＥＭは、ＬＣ内部を大気圧にした状態で、ＬＣと装置外との開口部の開閉を司るゲートバルブを開いてウェハをＬＣ内に取り込んだ後に、このゲートバルブを閉める。引き続き、ＣＤ－ＳＥＭは、ＬＣ内にウェハがある状態で、ＬＣをドライポンプで真空排気した後、ＴＭＰで高真空になるまで真空排気を行う。

【0009】

そして、ＣＤ－ＳＥＭは、ＬＣ内圧が所定の値に到達した際に、ＬＣとＳＣとの間のゲートバルブを開いて、あらかじめ高真空状態となっているＳＣにウェハを搬送する。ウェハは、ＳＣにおいて、電子ビームが照射されることで検査される。その後、ウェハは、装置外に搬出される。この際のシーケンスは、概ね前述した搬入時のシーケンスの逆の手順となる。すなわち、ＣＤ－ＳＥＭは、ＳＣからＬＣにウェハを搬送後、ＬＣにウェハがある状態で、ベントデバイスによってＬＣ内を大気圧にする。その後、ＣＤ－ＳＥＭは、ＬＣと装置外との開口部の開閉を司るゲートバルブを開いてウェハを装置外に取り出す。

【0010】

近年、製造プロセスの影響などにより、ガスを放出するウェハが増加している。これらは、アウトガスウェハと呼ばれる。特に、ＤＲＡＭ等のメモリ用ウェハではガスの放出量が増大する傾向にある。このため、ガスの放出量が増大傾向にある次世代アウトガスウェハに対しても対応可能なＣＤ－ＳＥＭが求められている。

【0011】

そこで、特許文献１の荷電粒子ビーム装置を用いることが考えられる。特許文献１のシーケンスでは、前述したＣＤ－ＳＥＭのシーケンスにおいて、ＬＣからＳＣへの搬送タイミングを定めるＬＣ内の真空度を、通常ウェハとアウトガスウェハとで切り替えている。具体的には、アウトガスウェハの際には、通常ウェハと比較して、当該ＬＣ内の真空度が高真空（低圧）に設定される。

【0012】

特許文献１の方式を用いると、アウトガスウェハからのガス放出がＬＣ内で枯渇した場合には、ＳＣに搬送された後のガス放出を抑制できる。しかし、特許文献１の方式では、アウトガスウェハからのガス放出がＬＣ内で継続している場合であっても、ＴＭＰの真空排気能力によって、アウトガスウェハに対して設定された高真空（低圧）のＬＣ内圧に到達することがある。この場合、アウトガスウェハは、ＳＣに搬送された後もガス放出を続けることになる。その結果、ＳＣの真空度が悪化し、装置の性能が低下する恐れがある。

【0013】

そこで、本開示の目的の一つは、２個の真空チャンバー間で試料を搬送する際に、搬送先の真空チャンバーにおける真空度の悪化を抑制することが可能な真空処理装置および真空処理方法を提供することにある。

【0014】

本開示の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。

【課題を解決するための手段】

【0015】

本開示の真空処理装置は、第１の真空チャンバーと、第１の真空チャンバーにバルブを介して連接される第２の真空チャンバーと、第１の真空チャンバーを真空排気する真空ポンプと、第１の真空チャンバーの内圧を測定する圧力計と、コンピュータシステムと、を有する。コンピュータシステムは、第１の真空チャンバーから第２の真空チャンバーへのバルブを介した試料の搬送を制御する。この際に、コンピュータシステムは、バルブを閉状態に制御した上で第１の時間行われている真空ポンプによる真空排気を停止し、真空排気を停止した状態で圧力計を用いて第１の真空チャンバーの内圧を測定し、当該測定した内圧が第１の基準値に到達している場合にバルブを開状態に制御する。

【発明の効果】

【0016】

本開示によれば、２個の真空チャンバー間で試料を搬送する際に、搬送先の真空チャンバーにおける真空度の悪化を抑制することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】実施の形態１による真空処理装置の構成例を示す概略図である。

【図2】図１の真空処理装置において、比較例となる制御装置が実行する制御シーケンスの一例を示すフローチャートである。

【図3】図２の制御シーケンスの詳細を説明するための補足図である。

【図4】図２の制御シーケンスの詳細を説明するための補足図である。

【図5】図２の制御シーケンスの詳細を説明するための補足図である。

【図6】図２の制御シーケンスの詳細を説明するための補足図である。

【図7】図２の制御シーケンスの詳細を説明するための補足図である。

【図8】図１の真空処理装置において、比較例となる制御装置が実行する図２とは異なる制御シーケンスの一例を示すフローチャートである。

【図9】図１の真空処理装置において、実施の形態１の制御装置が実行する制御シーケンスの一例を示すフローチャートである。

【図10】図１の真空処理装置において、ＴＭＰによる真空排気を停止した後のＬＣの真空度遷移の一例を示す図である。

【図11A】図１の真空処理装置において、実施の形態２の制御装置が実行する制御シーケンスの一例を示すフローチャートである。

【図11B】図１１Ａに続くフローチャートである。

【図11C】図１１Ｂに続くフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、添付図面を参照して実施の形態について説明する。添付図面では、機能的に同じ要素は同じ番号又は対応する番号で表示される場合もある。なお、添付図面は本開示の原理に則った実施の形態を示しているが、これらは本開示の理解のためのものであり、決して本開示を限定的に解釈するために用いられるものではない。本明細書の記述は典型的な例示に過ぎず、本開示の特許請求の範囲又は適用例を如何なる意味においても限定するものではない。

【0019】

実施の形態では、当業者が本開示を実施するのに十分詳細にその説明がなされているが、他の実装・形態も可能で、本開示の技術的思想の範囲と精神を逸脱することなく構成・構造の変更や多様な要素の置き換えが可能であることを理解する必要がある。従って、以降の記述をこれに限定して解釈してはならない。

【0020】

（実施の形態１）
《真空処理装置の構成》
図１は、実施の形態１による真空処理装置の構成例を示す概略図である。明細書では、真空処理装置が半導体検査装置の一つである荷電粒子ビーム装置である場合を例とし、特に、ＣＤ－ＳＥＭである場合を例とする。ただし、真空処理装置は、半導体検査装置に限らず、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、スパッタ装置等の半導体製造装置であってもよい。また、半導体検査装置は、例えば、明視野顕微鏡、分光分析装置、光学測定装置、光学検査装置等であってもよい。

【0021】

図１に示す真空処理装置１０は、装置本体２０と、制御装置３０とを備える。まず、装置本体２０に関して説明する。装置本体２０は、真空チャンバーであるＬＣ１０２およびＳＣ１０１を備える。ＳＣ１０１は、ＬＣ１０２にＬＣ－ＳＣ間ゲートバルブ５１０を介して連接される。ＬＣ１０２は、検査対象であるウェハ（すなわち試料）６００を装置外から装置内に出し入れする際の前室としての役割を担う。ＳＣ１０１は、ウェハ６００の検査が行われる検査室としての役割を担う。なお、ＳＣ１０１内における破線１０５は、ＳＣ１０１の内部を示すために便宜的に設けた切り欠きである。

【0022】

ＳＣ１０１は、ウェハ６００を静電気力等によって保持する保持機構２０１と、ＳＣ１０１内で保持機構２０１を複数の方向に駆動する機能をもつ多軸ステージ２００と、荷電粒子ビーム（代表的には電子ビーム）を発する電子光学系（荷電粒子光学系）３００とを備える。ＳＣ１０１内でウェハ６００を検査する際、多軸ステージ２００は、保持機構２０１で保持されたウェハ６００を電子光学系３００に対して位置決めする。そして、この位置決めされた状態で、電子光学系３００は、電子ビームをウェハ６００に照射する。

【0023】

このように電子ビームを用いた検査を行うため、ＳＣ１０１の内圧は高真空状態に保たれる必要がある。一方、ＬＣ１０２は、ウェハ６００を装置外からＳＣ１０１へ搬送する際の前室の役割を担っている。このため、ＬＣ１０２の内圧は、ウェハ６００の取り込みや、検査を終えたウェハ６００の取り出しの度に大気圧から高真空の範囲で変動する。そこで、ＬＣ１０２とＳＣ１０１は、内部を高真空状態にするための真空ポンプであるＴＭＰ４０１Ａ，４０１Ｂをそれぞれ備える。

【0024】

加えて、ＬＣ１０２は、ＴＭＰ４０１Ａによる排気とは別に、大気から低真空の範囲の真空排気を担う真空ポンプであるドライポンプ４００Ａと、ＬＣ内を大気圧に戻すための窒素（Ｎ_２）等を噴出するベントデバイス１０４とを備える。なお、ドライポンプ４００Ｂは、ＴＭＰ４０１Ａ，４０１Ｂの補助ポンプとして機能する。配管４０２Ｂは、ドライポンプ４００ＢとＴＭＰ４０１Ｂとの間、および、ドライポンプ４００ＢとＴＭＰ４０１Ａと間を接続するように配置される。

【0025】

配管４０２Ａは、ドライポンプ４００ＡとＬＣ１０２との間を配管バルブ５３０を介して接続する。圧力計１０３は、ＬＣ１０２の内圧を測定する。なお、明細書では、ＬＣ１０２の真空度を取得する方式の一つとして、ＬＣ１０２の内圧を測定するが、ＬＣ１０２の真空度を取得できるものであれば、他の方式を用いてもよい。装置内外間ゲートバルブ５００は、ＬＣ１０２と装置外と間の開口部に設けられる。ＬＣ－ＳＣ間ゲートバルブ５１０は、ＬＣ１０２とＳＣ１０１と間の開口部に設けられる。ＴＭＰバルブ５２０は、真空バルブであり、ＬＣ１０２とＴＭＰ４０１Ａと間の開口部に設けられる。

【0026】

ここで、ＬＣ１０２は、圧力を早く変動させるために容積を可能な限り小さくしている。このため、前述したＬＣ１０２とＳＣ１０１の二つの真空チャンバーについて比較をすると、ＬＣ１０２の容積はＳＣ１０１と比較して非常に小さい。このように、ＬＣ１０２の容積を小さくして圧力を早く変動させることで、ウェハ検査のタクトタイムを短くすることが可能になる。

【0027】

続いて、制御装置３０に関して説明する。制御装置３０は、例えば、プロセッサおよびメモリを備えたコンピュータシステムによって実現される。具体的には、制御装置３０は、例えば、プロセッサおよびメモリ等を含む各種部品が実装された配線基板（言い換えれば制御基板）等であってよい。制御装置３０は、メモリに格納された制御プログラムをプロセッサが実行することで装置本体２０を制御する。その制御の一つとして、制御装置３０は、ＬＣ１０２からＳＣ１０１へのＬＣ－ＳＣ間ゲートバルブ５１０を介したウェハ６００の搬送を制御する。

【0028】

《真空処理装置の動作（比較例）》
ここで、本開示の理解を容易にするため、図２～図７を用いて、通常のウェハを対象とした装置外からＳＣ１０１までの搬送と、それに伴う真空排気の一般的な制御シーケンスについて、順を追って説明する。図２は、図１の真空処理装置において、比較例となる制御装置が実行する制御シーケンスの一例を示すフローチャートである。図３～図７は、図２の制御シーケンスの詳細を説明するための補足図である。

【0029】

図３には、図１のステップＳ１００の処理手順が示され、ウェハ６００を外部から取り込む前の準備段階が示される。まず、ステップＳ１００の前段階で、ＬＣ１０２に面する４つのバルブである、装置内外間ゲートバルブ５００、ＬＣ－ＳＣ間ゲートバルブ５１０、ＴＭＰバルブ５２０および配管バルブ５３０の弁体５４０は、全て閉状態ＣＬに制御されている。

【0030】

このようにしてＬＣ１０２を密閉した状態で、比較例の制御装置は、ベントデバイス１０４を制御することで、ＬＣ１０２内を窒素（Ｎ_２）によって大気圧にする（ステップＳ１００）。なお、ＬＣ１０２の内圧は、圧力計１０３で測定されている。また、２つの配管４０２Ａ，４０２Ｂは、図１に示したドライポンプ４００Ａ，４００Ｂにそれぞれ接続されている。

【0031】

図４には、図１のステップＳ１０１，Ｓ１０２の処理手順が示され、ウェハ６００をＬＣ１０２に取り込んだ状態が示される。比較例の制御装置は、図３の状態に続いて、閉状態ＣＬの装置内外間ゲートバルブ５００を開状態ＯＰに制御する（ステップＳ１０１）。そして、比較例の制御装置は、図示しない装置内外搬送デバイスを用いて、開状態ＯＰの装置内外間ゲートバルブ５００からウェハ６００を搬入し、ＬＣ１０２内の図示しないウェハ保持部に置く（ステップＳ１０２）。

【0032】

図５には、図１のステップＳ１０３，Ｓ１０４の処理手順が示され、ＬＣ１０２を大気状態から真空引きする手順が示される。ＴＭＰ４０１Ａは大気状態からの真空排気ができないため、大気状態から低真空状態に至るまではＴＭＰ４０１Ａでの排気を開始する前に、あらかじめ図１のドライポンプ４００Ａなどで真空排気を行う必要がある。そこで、図５に示されるように、比較例の制御装置は、図４の状態に続いて、開状態ＯＰの装置内外間ゲートバルブ５００を閉状態ＣＬに制御する（ステップＳ１０３）。その後、比較例の制御装置は、閉状態ＣＬの配管バルブ５３０を開状態ＯＰに制御することで、ＬＣ１０２の真空排気を行う（ステップＳ１０４）。

【0033】

図６には、図１のステップＳ１０５～Ｓ１０７の処理手順が示され、ＬＣ１０２を低真空から高真空の範囲に真空排気する手順が示される。図５の状態を継続すると、ＬＣ１０２の内圧は、ＴＭＰ排気開始圧力である第一ＬＣ内真空度（基準値）ＲＶ１に到達する。比較例の制御装置は、圧力計１０３を用いて当該第一ＬＣ内真空度ＲＶ１に到達したことを検知した場合（ステップＳ１０５）、開状態ＯＰの配管バルブ５３０を閉状態ＣＬに制御する（ステップＳ１０６）。その後、比較例の制御装置は、閉状態ＣＬのＴＭＰバルブ５２０を開状態ＯＰに制御する（ステップＳ１０７）。これにより、ＴＭＰ４０１ＡによるＬＣ１０２の真空排気が開始される。

【0034】

図７には、図１のステップＳ１０８～Ｓ１１０の処理手順が示され、ウェハ６００をＬＣ１０２からＳＣ１０１へ搬送する手順が示される。図６の状態の後、ＬＣ１０２の内圧は、第一ＬＣ内真空度（基準値）ＲＶ１よりも低圧である（すなわち高真空である）第二ＬＣ内真空度（基準値）ＲＶ２に到達する。

【0035】

比較例の制御装置は、圧力計１０３を用いて第二ＬＣ内真空度ＲＶ２への到達を検知した場合（ステップＳ１０８）、閉状態ＣＬのＬＣ－ＳＣ間ゲートバルブ５１０を開状態ＯＰに制御する（ステップＳ１０９）。その後、比較例の制御装置は、図示しないＬＣ－ＳＣ間搬送デバイスを用いて、ウェハ６００を、開状態ＯＰのＬＣ－ＳＣ間ゲートバルブ５１０を介してＳＣ１０１に搬送する（ステップＳ１１０）。この際に、ＳＣ１０１は、あらかじめ高真空状態になっている。なお、ウェハ６００の搬送後、比較例の制御装置は、開状態ＯＰのＬＣ－ＳＣ間ゲートバルブ５１０を閉状態ＣＬに制御する。

【0036】

以上のような制御シーケンスは、通常のウェハ６００を対象とする場合には適用可能である。ただし、ウェハ種は多様であり、例えば、製造プロセスの影響などでウェハ自身がガスを放出するものがある。これらはアウトガスウェハと呼ばれる。アウトガスウェハを対象とする場合、特許文献１の場合と同様に、例えば、図８に示されるような制御シーケンスを用いることが考えられる。

【0037】

図８は、図１の真空処理装置において、比較例となる制御装置が実行する図２とは異なる制御シーケンスの一例を示すフローチャートである。図８では、図２と比較して、ステップＳ１０２がステップＳ２０２に、ステップＳ１０８がステップＳ２０８にそれぞれ置き換えられている。ステップＳ２０２では、通常のウェハではなくアウトガスウェハ（試料）がＬＣ１０２に搬入される。ステップＳ２０８では、高真空な第二ＬＣ内真空度（基準値）ＲＶ２ａに到達したことが検知される。

【0038】

このように、図８の特徴は、ＬＣ１０２からＳＣ１０１への搬送タイミングを定めるための第二ＬＣ内真空度に到達したことの検知を、図２の第二ＬＣ内真空度ＲＶ２よりも高真空（低圧）である第二ＬＣ内真空度ＲＶ２ａで行う点にある。これは、アウトガスウェハがＬＣ１０２内にあるときにガスを枯渇させることで、ＳＣ１０１に搬送された後のガス放出を抑制する一つの方法である。なお、第二ＬＣ内真空度ＲＶ２，ＲＶ２ａは、ＴＭＰの真空排気能力に基づく圧力レンジ内の値となる。

【0039】

ここで、図２のステップＳ１０８における検知と、図８のステップＳ２０８における検知は、共に、ステップＳ１０７でＴＭＰバルブ５２０が開状態ＯＰに制御されたままで行われる。このため、ＴＭＰ４０１Ａによる真空排気と並行して、ＬＣ内真空度の検知が行われることになる。なお、後の説明の都合上、図２と図８で共通する、ステップＳ１００，Ｓ１０１を共通フローＡ（ステップＳ１０００）と呼び、ステップＳ１０３～Ｓ１０７を共通フローＢ（ステップＳ１００１）と呼ぶ。

【0040】

《真空処理装置の動作（実施の形態１）》
一方、近年では、アウトガスウェハについて、ガスが枯渇しにくいものが増えてきている。そのような次世代アウトガスウェハを図８に示した方法で処理すると、ＴＭＰ４０１Ａによる真空排気と並行して真空度の確認が行われるため、ステップＳ２０８において、ガス放出と真空排気とが平衡した状態で高真空な第二ＬＣ内真空度ＲＶ２ａに到達することがある。この場合、ガスが枯渇していないため、次世代アウトガスウェハはＳＣ１０１に搬送された後もガス放出を続け、高真空を保つべきＳＣ１０１の真空度が悪化することになる。

【0041】

ＳＣ１０１の真空度の悪化は、例えば、検査対象である次世代アウトガスウェハに有機物質を電子ビームで焼き付けてしまう、コンタミネーションと呼ばれる不具合を招き、場合によっては電子ビームの照射ができない事態を招き得る。また、ＳＣ１０１は、ＬＣ１０２より非常に容積が大きいため、真空度が悪化すると回復に長い時間がかかる。そこで、以下に示す実施の形態１の方式を用いることが有益となる。

【0042】

図９は、図１の真空処理装置において、実施の形態１の制御装置が実行する制御シーケンスの一例を示すフローチャートである。図９において、実施の形態１の制御装置３０は、まず、ステップＳ１０００で共通フローＡを実行した後、次世代アウトガスウェハ（試料）をＬＣ１０２に搬入する（ステップＳ３０２）。続いて、制御装置３０は、ステップＳ１００１で共通フローＢを実行する。

【0043】

続いて、制御装置３０は、圧力計１０３を用いて高真空な第二ＬＣ内真空度ＲＶ２ａへの到達を検知した場合、すなわち、ＬＣ１０２の内圧が第二ＬＣ内真空度ＲＶ２ａ以下の場合（ステップＳ２０８）、開状態ＯＰのＴＭＰバルブ５２０を閉状態ＣＬに制御する（ステップＳ３０３）。これにより、制御装置３０は、ＴＭＰ４０１ＡによるＬＣ１０２の真空排気を停止する。この真空排気を停止した状態で、制御装置３０は、ウエイト時間ＴＡだけウエイトする（ステップＳ３０４）。

【0044】

その後、制御装置３０は、圧力計１０３を用いてＬＣ１０２の内圧を測定し、当該測定した内圧が第三ＬＣ内真空度（基準値）ＲＶ３に到達しているか否か、すなわち第三ＬＣ内真空度ＲＶ３以下か否かを判定する（ステップＳ３０５）。ここで、制御装置３０は、測定した内圧が第三ＬＣ内真空度ＲＶ３に到達している場合、ガスが枯渇しているとみなし、ステップＳ１０９へ移行する。そして、ステップＳ１０９において、制御装置３０は、閉状態ＣＬのＬＣ－ＳＣ間ゲートバルブ５１０を開状態ＯＰに制御し、ステップＳ３１０において、次世代アウトガスウェハをＬＣ－ＳＣ間ゲートバルブ５１０を介してＳＣ１０１に搬送する。

【0045】

一方、制御装置３０は、ステップＳ３０５で、測定した内圧が第三ＬＣ内真空度ＲＶ３に未達の場合、すなわち第三ＬＣ内真空度ＲＶ３よりも高い場合、ガスが枯渇していないとみなし、閉状態ＣＬのＴＭＰバルブ５２０を開状態ＯＰに制御することで真空排気を再開する（ステップＳ３０６）。その後、制御装置３０は、当該真空排気をウエイト時間ＴＢ行ったのち（ステップＳ３０７）、ステップＳ３０３に戻る。

【0046】

以上のように、制御装置３０は、ＬＣ－ＳＣ間ゲートバルブ５１０を閉状態ＣＬに制御した上で、第二ＬＣ内真空度ＲＶ２ａに到達するまでの時間行われているＴＭＰ４０１Ａによる真空排気をステップＳ３０３で停止し、この停止状態でＬＣ１０２の内圧をステップＳ３０５で測定する。そして、制御装置３０は、当該測定した内圧が第三ＬＣ内真空度ＲＶ３に到達している場合に、閉状態ＣＬのＬＣ－ＳＣ間ゲートバルブ５１０を開状態ＯＰに制御する（ステップＳ１０９）。

【0047】

一方、制御装置３０は、ステップＳ３０５で測定した内圧が第三ＬＣ内真空度ＲＶ３に未達の場合には、ＴＭＰ４０１Ａによる真空排気をウエイト時間ＴＢ行ったのち停止する（ステップＳ３０７，Ｓ３０３）。そして、制御装置３０は、同様にして、真空排気を停止した状態でＬＣ１０２の内圧を測定するというループ処理（ステップＳ３０３～Ｓ３０７）を、測定した内圧が第三ＬＣ内真空度ＲＶ３に到達するまで繰り返す。

【0048】

ここで、ユーザは、ステップＳ３０４でのウエイト時間ＴＡとステップＳ３０７でのウエイト時間ＴＢを任意の値に設定することができる。さらに、ユーザは、第三ＬＣ内真空度ＲＶ３を任意の値に設定することができる。ただし、これらの値は、ステップＳ３０５での判定が正確に行えるように適切に定められる必要がある。この点について、以下に説明を行う。

【0049】

図１０は、図１の真空処理装置において、ＴＭＰによる真空排気を停止した後のＬＣの真空度遷移の一例を示す図である。次世代アウトガスウェハのガスが枯渇している場合には、枯渇した場合のプロットＧ１００に示されるように、ＬＣ１０２の内圧は、第二ＬＣ内真空度ＲＶ２ａからゆっくりと悪化する。一方、ガスが枯渇していない場合には、枯渇していない場合のプロットＧ１０１に示されるように、ＬＣ１０２の内圧は、第二ＬＣ内真空度ＲＶ２ａから急激に悪化する。このように、ＴＭＰ４０１Ａによる真空排気を停止することで、ガスの枯渇有無で、真空度遷移の特性に明確な差が生じる。

【0050】

図９のステップＳ３０４でのウエイト時間ＴＡは、例えば、ＴＭＰバルブ５２０の実際の開閉動作に要する時間に定められる。具体例として、ウエイト時間ＴＡは、例えば数秒等に設定される。図１０には、このようなウエイト時間ＴＡが示される。ウエイト時間ＴＡを経過した時点では、枯渇した場合のプロットＧ１００と枯渇していない場合のプロットＧ１０１には、明確な圧力差が生じている。このため、図９のステップＳ３０５での第三ＬＣ内真空度ＲＶ３を、例えば、図１０に示されるように、第二ＬＣ内真空度ＲＶ２ａを基準として所定の量だけ高い値に設定することで、図９のステップＳ３０５での判定を正確に行うことが可能になる。

【0051】

また、図９のステップＳ３０７での再度の真空排気時間となるウエイト時間ＴＢは、例えば、次世代アウトガスウェハの種類等に応じて適宜定められる。通常、ウエイト時間ＴＢは、ウエイト時間ＴＡよりも十分に長い時間となり、例えば、数十秒以上等となり得る。このように、ウエイト時間ＴＡ，ＴＢおよび第三ＬＣ内真空度ＲＶ３を適切に設定することで、様々な種類の次世代アウトガスウェハに対して、ガスの枯渇有無を正確に判定することが可能になる。なお、第三ＬＣ内真空度ＲＶ３は、装置の機差を考慮して装置毎に設定されることが望ましく、また、経時変化を考慮して定期的に更新されることが望ましい。

【0052】

《各種変形例》
図９のステップＳ３０３～Ｓ３０７において、制御装置３０は、ＴＭＰバルブ５２０の開閉動作を繰り返し行った。ただし、制御装置３０は、ＴＭＰバルブ５２０の開閉動作の代わりに、開度の大小調整を繰り返し行ってもよい。また、ステップＳ３０３～Ｓ３０７において、制御装置３０は、ＬＣ１０２の真空度が第三ＬＣ内真空度ＲＶ３に到達するまでループ処理を行った。言い換えれば、制御装置３０は、ＬＣ１０２の真空度と所定の閾値との比較結果に基づいて、ステップＳ１０９への移行可否を判定した。ただし、制御装置３０は、当該ループ処理の期間内のＬＣ１０２の真空度の変化量又は応答特性に基づいて、ステップＳ１０９への移行可否を判定してもよい。

【0053】

すなわち、図９のフローは、ステップＳ１０９へ移行するまでの期間で、ＴＭＰバルブ５２０の開状態を保つものではなく、ＴＭＰバルブ５２０の開閉動作または開度の大小調整を繰り返すようなものであればよい。これにより、制御装置３０は、特に、ＴＭＰバルブ５２０を閉状態にした際、または、開度を小調整にした際のＬＣ１０２の真空度を反映させた上で、ステップＳ１０９への移行可否を判定することができる。

【0054】

《実施の形態１の主要な効果》
以上、実施の形態１の方式を用いることで、２個の真空チャンバー間で試料を搬送する際に、搬送先の真空チャンバーにおける真空度の悪化を抑制することが可能になる。その結果、装置の性能を高めることができる。具体的には、例えば、搬送先の真空チャンバーにおけるコンタミネーションの発生を抑制でき、ＳＣ１０１内で試料を高精度に検査することが可能なる。また、容量が大きい搬送先の真空チャンバーにおいて、真空度を回復させるためのウエイト時間が不要となり、装置のスループットを向上させることが可能になる。

【0055】

（実施の形態２）
《真空処理装置の動作（実施の形態２）》
実施の形態１において、図９のステップＳ３０７におけるウエイト時間ＴＢを過剰に短くすると、ガスが枯渇するまでにＴＭＰバルブ５２０の開閉を数多く繰り返すことになる。この場合、ＴＭＰバルブ５２０は、動作回数が増えることで寿命を迎えるまでの期間が短くなり得る。さらに、ガスの枯渇判定の度に、ＴＭＰ４０１ＡによるＬＣ１０２の真空排気が止まるために、ガス枯渇までに要する時間が増大し、結果として、装置のスループットが低下し得る。一方で、ウエイト時間ＴＢを過剰に長くすると、再度の真空排気時間が過剰となり、この場合も、装置のスループットが低下し得る。そこで、以下の方式を用いることが有益となる。

【0056】

図１１Ａは、図１の真空処理装置において、実施の形態２の制御装置が実行する制御シーケンスの一例を示すフローチャートである。図１１Ｂは、図１１Ａに続くフローチャートであり、図１１Ｃは、図１１Ｂに続くフローチャートである。例えば、同じ製造プロセスで製造されたアウトガスウェハは、同様の特徴を持つことが多く、ガス枯渇に要する真空排気時間も同様の傾向（所要時間）となることが多い。実施の形態２の方式は、ある種類のウェハに対してガス枯渇に要した真空排気時間を計測しておき、それと同種のウェハを処理する際に、例えば、図９のステップＳ２０８とステップＳ３０３との間に、当該計測した真空排気時間を反映したウエイトを挿入するような方式である。

【0057】

まず、図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃの概要について説明する。制御装置３０は、真空排気のループ処理が生じた次世代アウトガスウェハ（試料）を対象に、図１１ＢのステップＳ３０５で内圧を測定しながら、当該内圧が第三ＬＣ内真空度（基準値）ＲＶ３に到達するまでに要した真空排気のトータル時間を、図１１ＢのステップＳ４１２を参照して計測する。そして、制御装置３０は、当該計測した次世代アウトガスウェハと同種のウェハを対象とする際に（図１１ＢのステップＳ４１１）、図１１ＢのステップＳ４１６でウエイトを挿入することで、ループ処理が生じる前の１回目の真空排気時間に当該計測したトータル時間を反映させる。

【0058】

また、制御装置３０は、ステップＳ４１１において同種のウェハか否かを判定する際の条件の一つとして、図１１ＡのステップＳ４０１で到達所要時間Ｔ２を計測する。到達所要時間Ｔ２は、例えば、所定の開始時点から、ＬＣ１０２の内圧が第二ＬＣ内真空度（基準値）ＲＶ２ａに到達するまでに要する時間である。所定の開始時点は、代表的には、図８のステップＳ１０７におけるＴＭＰバルブ５２０を開いた時点であるが、これに限らず、ステップＳ１０７よりも前のいずれかのステップの時点であってもよい。制御装置３０は、図１１ＢのステップＳ４１１において、到達所要時間Ｔ２が同等であるウェハを同種のウェハと判定する。

【0059】

さらに、制御装置３０は、図１１ＢのステップＳ４１６におけるウエイトを経由したウェハを対象とする際も、真空排気を停止した状態で測定した内圧が第三ＬＣ内真空度ＲＶ３に到達しているか否かを図１１ＢのステップＳ３０５で判定する。そして、制御装置３０は、当該ウェハにおいて測定した内圧が第三ＬＣ内真空度ＲＶ３に到達しており、かつ、当該ウェハを前回ウェハとした場合に、前回ウェハとそれに続いて処理される今回ウェハとで図１１ＡのステップＳ４０１における到達所要時間Ｔ２が同等であるか否か判定する。制御装置３０は、到達所要時間Ｔ２が同等である場合には、図１１ＡのステップＳ４１１において、今回ウェハを前回ウェハと同種であると判定する。

【0060】

次に、図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃの詳細について説明する。図１１Ａにおいては、図９の場合と同様に、ステップＳ１０００、ステップＳ３０２およびステップＳ１００１を経て、ＬＣ１０２の内圧が第二ＬＣ内真空度ＲＶ２ａに到達する（ステップＳ２０８）。この際に、制御装置３０は、所定の開始時点から第二ＬＣ内真空度ＲＶ２ａに到達するまでに要した到達所要時間Ｔ２を計測する（ステップＳ４０１）。一般的に、次世代アウトガスウェハから放出されるガス量が多いほど、到達所要時間Ｔ２は長くなり、ウェハが同種であれば、到達所要時間Ｔ２も同等となる。

【0061】

続くステップＳ４０２では、制御装置３０は、前回ウェハと今回ウェハとで到達所要時間Ｔ２が同等か否かを判定する。到達所要時間Ｔ２が同等の場合、制御装置３０は、同等Ｔ２の連続発生回数ＳＮｔ２を更新する（ステップＳ４０３）。例えば、連続発生回数ＳＮｔ２は、連続するｎ枚のウェハで到達所要時間Ｔ２が同等の場合にはｎとなる。

【0062】

一方、ステップＳ４０２で到達所要時間Ｔ２が同等でない場合、制御装置３０は、全初期化を行う（ステップＳ４０４）。具体的には、制御装置３０は、ステップＳ４０３での連続発生回数ＳＮｔ２や、後述する図１１ＣのステップＳ４２５での連続発生回数ＳＮｌｐを０に戻し、後述する図１１ＢのステップＳ４１４でのウエイト時間ＴＣの設定を無しに変更する。また、制御装置３０は、後述するフラグＦＬＣ，ＦＬＬを共に０にする。

【0063】

図１１ＡのステップＳ４０３またはステップＳ４０４ののち、制御装置３０は、図１１Ｂに示されるように、フロー内の経路を判別するためのフラグＦＬＣ，ＦＬＬを共に０に定める（ステップＳ４１０）。続いて、制御装置３０は、今回ウェハが前回ウェハと同種であるか否かを判定する（ステップＳ４１１）。この判定条件に関しては後述する。前回ウェハと同種でない場合、制御装置３０は、図９の場合と同様に、ＴＭＰバルブ５２０を閉状態ＣＬに制御し（ステップＳ３０３ａ）、ウエイト時間ＴＡのウエイトを経て（ステップＳ３０４ａ）、第三ＬＣ内真空度ＲＶ３に到達したか否かを判定する（ステップＳ３０５）。

【0064】

ステップＳ３０５で第三ＬＣ内真空度ＲＶ３に未達の場合、制御装置３０は、図９の場合と同様に、ＴＭＰバルブ５２０を開状態ＯＰに制御することで（ステップＳ３０６）、ウエイト時間ＴＢで、再度、ＬＣ１０２の真空排気を行う（ステップＳ３０７）。その後、制御装置３０は、ステップＳ４１２，Ｓ４１３の処理を経てステップＳ３０３ａに戻り、図９の場合と同様に、第三ＬＣ内真空度ＲＶ３に到達するまでループ処理を繰り返したのち、図１１ＣのステップＳ４２０へ移行する。

【0065】

このループ処理の際に、制御装置３０は、ステップＳ４１２において、ループ回数Ｎｌｐを更新する（ステップＳ４１２）。ループ回数Ｎｌｐは、ループ処理に伴いステップＳ３０７でのウエイトがｍ回実行された場合にはｍとなる。また、制御装置３０は、ステップＳ４１３において、フラグＦＬＬを１に変更する（ステップＳ４１３）。フラグＦＬＬは、ループ処理が実行されたことを表す。

【0066】

一方、ステップＳ４１１で今回ウェハが前回ウェハと同種である場合、制御装置３０は、ウエイト時間ＴＣの設定が有るか否かを判定する（ステップＳ４１４）。制御装置３０は、ウエイト時間ＴＣの設定が有る場合には、当該ウエイト時間ＴＣの分だけ現在の真空排気をそのまま延長して行う（ステップＳ４１６）。ステップＳ４１４でウエイト時間ＴＣの設定が無い場合、制御装置３０は、例えば、ステップＳ３０７でのウエイト時間ＴＢにステップＳ４１２で得られたループ回数Ｎｌｐを乗算することでウエイト時間ＴＣを設定し（ステップＳ４１５）、ステップＳ４１６へ移行する。この際のループ回数Ｎｌｐは、前回ウェハに対して実行された回数を表す。

【0067】

その後、制御装置３０は、図９の場合と同様に、ＴＭＰバルブ５２０を閉状態ＣＬに制御し（ステップＳ３０３ｂ）、ウエイト時間ＴＡのウエイトを経て（ステップＳ３０４ｂ）、第三ＬＣ内真空度ＲＶ３に到達したか否かを判定する（ステップＳ３０５）。また、ステップＳ４１６において現在の真空排気を延長した際には、制御装置は、その旨を表すフラグＦＬＣを１に変更する（ステップＳ４１７）。

【0068】

続いて、図１１ＣのステップＳ４２０，Ｓ４２１，Ｓ４２２において、制御装置３０は、フラグＦＬＣ，ＦＬＬの状態を判定する。まず、ＦＬＣ＝０＆ＦＬＬ＝１の場合、すなわち、現在の真空排気が延長されずに、ループ処理に伴う真空排気の断続処理が行われた場合、制御装置３０は、図１１ＢのステップＳ４１２で更新された最終的なループ回数Ｎｌｐを記憶する（ステップＳ４２３）。

【0069】

そして、制御装置３０は、今回ウェハに対して記憶したループ回数Ｎｌｐと、前回ウェハに対して既に記憶されているループ回数Ｎｌｐとが一致するか否かを判定する（ステップＳ４２４）。ステップＳ４２４でループ回数Ｎｌｐが一致する場合には、同一Ｎｌｐの連続発生回数ＳＮｌｐを更新する（ステップＳ４２５）。例えば、連続発生回数ＳＮｌｐは、連続するｎ枚のウェハでループ回数Ｎｌｐが一致する場合にはｎとなる。一方、ステップＳ４２４でループ回数Ｎｌｐが不一致である場合、制御装置３０は、図１１ＡのステップＳ４０４の場合と同様に全初期化を行う（ステップＳ４２６）。

【0070】

すなわち、このフローチャートの例では、例えば、１枚目～ｊ枚目（ｊは２以上の整数）のウェハにおいて、図１１ＡのステップＳ４０１における到達所要時間Ｔ２が同等であり、かつ、図１１Ｂにおけるループ回数Ｎｌｐが一致する場合に、当該ｊ枚のウェハを同種とみなし、ｊ＋１枚目のウェハも同種の可能性が高いと判定される。そして、ｊ＋１枚目のウェハにおいても、当該ｊ枚のウェハと到達所要時間Ｔ２が同等である場合に、当該ｊ＋１枚目のウェハが同種と判定され、図１１ＢにおけるステップＳ４１６の経路が選択される。

【0071】

このため、制御装置３０は、図１１ＢのステップＳ４１１において、例えば、同等Ｔ２の連続発生回数ＳＮｔ２がｊ＋１（ｊは２以上の整数）であり、かつ、同一Ｎｌｐの連続発生回数ＳＮｌｐがｊのような場合に、今回ウェハを前回ウェハと同種であると判定する。この際に、ｊの最小値、すなわち、連続発生回数が何回以上の場合にその次のウェハを同種の可能性が高いと判定するかについては、ユーザによって任意に定められる。

【0072】

また、到達所要時間Ｔ２が連続的に同等である状態が途切れた際には、図１１ＡのステップＳ４０４で全初期化が行われる。同様に、ループ回数Ｎｌｐが連続的に一致している状態が途切れた際には、図１１ＣのステップＳ４２４を経てステップＳ４２６で全初期化が行われる。このいずれかで全初期化が行われると、前述した１枚目のウェハの状態に戻ることになる。

【0073】

図１１ＣのステップＳ４２０，Ｓ４２１，Ｓ４２２に戻り、ＦＬＣ＝１＆ＦＬＬ＝１の場合、すなわち、現在の真空排気が延長されたにも関わらず、ループ処理に伴う真空排気の断続処理が行われた場合、制御装置３０は、ステップＳ４２６で全初期化を行う。一方、ＦＬＣ＝１＆ＦＬＬ＝０の場合、すなわち、現在の真空排気が延長され、ループ処理に伴う真空排気の断続処理が行われなかった場合、制御装置３０は、ステップＳ４２４の条件を満たしたものとみなし、ステップＳ４２５で同一Ｎｌｐの連続発生回数ＳＮｌｐを更新する。これによって、制御装置３０は、現在の真空排気が延長された場合であっても、図１１ＢのステップＳ４１１において、連続発生回数ＳＮｔ２，ＳＮｌｐに基づく正しい判定を行うことが可能になる。

【0074】

ステップＳ４２５またはステップＳ４２６の処理ののち、制御装置３０は、図９の場合と同様に、ＬＣ－ＳＣ間ゲートバルブ５１０を開状態ＯＰに制御する（ステップＳ１０９）。そして、制御装置３０は、次世代アウトガスウェハを、当該ＬＣ－ＳＣ間ゲートバルブ５１０を介してＳＣ１０１に搬送する（ステップＳ３１０）。

【0075】

なお、図１１ＡのステップＳ４０２において、到達所要時間Ｔ２を同等とみなす範囲は、ユーザによって任意に設定可能である。また、図９の場合と同様に、図１１ＢのステップＳ３０７でのウエイト時間ＴＢもユーザによって任意に設定可能である。このようなユーザ設定によって、ユーザの意図を反映したフローチャートを構築することが可能になる。例えば、若干、過剰な真空排気時間が生じ得るが、可能の限りステップＳ４１６の経路を選択させたいような場合、ユーザは、到達所要時間Ｔ２を同等とみなす範囲をある程度広く設定し、ウエイト時間ＴＢを長めに設定すればよい。

【0076】

また、ここでは、図１１ＣのステップＳ４２４において、ループ回数Ｎｌｐの一致／不一致を判定したが、場合によっては、この判定条件に例えば±１程度の誤差許容範囲を設けてもよい。これは、ウエイト時間ＴＢの長さによっては、また、ウエイト時間ＴＢ内のどの時点でガスが枯渇するかによっては、同種のウェハであってもループ回数Ｎｌｐに誤差が生じる可能性があるためである。また、同様の理由で、図１１ＢのステップＳ４１１での判定条件である同一Ｎｌｐの連続発生回数ＳＮｌｐに±１程度の誤差許容範囲を設けてもよい。

【0077】

《各種変形例》
図示は省略するが、例えば、図１１ＣのステップＳ３１０の後に、ＳＣ１０１内の真空度の変化によってガスの枯渇有無を追加で判定するような分岐を設けてもよい。そして、当該分岐において、ガスの放出が続いていると判定される場合には、ステップＳ４０４，Ｓ４２６と同様に全初期化を行えばよい。

【0078】

また、例えば、ガスの放出が極端に長く継続するような場合、装置に何らかの異常が生じている可能性がある。そこで、制御装置３０は、ユーザの設定に基づいて前述したループ処理の繰り返し回数の上限を定めてもよい。具体的には、例えば、図１１ＢのステップＳ４１２のあとに、ループ回数Ｎｌｐがユーザによって定めれた上限値に到達したか否かを判定する分岐を追加すればよい。当該分岐において、ループ回数Ｎｌｐが上限値に到達した場合、その旨をユーザに通知するか、あるいは、装置動作を強制的に終了してもよい。この際に、制御装置３０は、ユーザからの命令に応じて、装置動作を強制的に終了してもよい。

【0079】

さらに、図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃでは、ウェハの種別が不明である場合を前提として、図１１ＢのステップＳ４１１で今回ウェハが前回ウェハと同種か否かを判定した。ただし、制御装置３０は、例えば、予めウェハ識別子が入力されること等でウェハの種別が予め判明している場合には、例えば、到達所要時間Ｔ２の同等性等を判定することなく、図１１ＢのステップＳ４１６側の経路を選択してもよい。この際のウエイト時間ＴＣは、過去に同種のウェハに対して計測された真空排気のトータル時間を反映して定められる。

【0080】

《実施の形態２の主要な効果》
以上、実施の形態２の方式を用いることで、実施の形態１で述べた各種効果と同様の効果が得られることに加えて、ＴＭＰバルブ５２０の開閉回数を減らすことが可能になる。その結果、例えば、装置寿命の延伸や、装置スループットの向上等が実現可能になる。

【0081】

（実施の形態３）
《真空処理装置の動作（実施の形態３）》
制御装置３０は、ウェハ（試料）の種類に応じて、図２、図８、図９（または図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃ）の制御シーケンスを使い分けてもよい。すなわち、制御装置３０は、ウェハの種類に応じて、ＬＣ１０２の内圧を、真空排気を停止した状態で測定するか、または、真空排気が行われている状態で測定するかを切り替えてもよい。

【0082】

具体的には、制御装置３０は、例えば、図１１ＡのステップＳ２０８，Ｓ４０１の場合と同様に、所定の開始時点から図２のステップＳ１０８で用いた第二ＬＣ内真空度ＲＶ２に到達するまでの時間（Ｔ３と呼ぶ）を計測する。そして、制御装置３０は、時間Ｔ３と、予め定めた比較時間Ｔｃ１，Ｔｃ２（Ｔｃ１＜Ｔｃ２）とを比較する。

【0083】

比較結果がＴ３≦Ｔｃ１の場合、制御装置３０は、図２のステップＳ１０９以降の処理を実行する。比較結果がＴｃ１＜Ｔ３≦Ｔｃ２の場合、制御装置３０は、図８のステップＳ２０８における高真空な第二ＬＣ内真空度ＲＶ２ａに到達するまで待ったあとに、図８のステップＳ１０９以降の処理を実行する。比較結果がＴｃ２＜Ｔ３の場合、制御装置３０は、図９のステップＳ２０８における高真空な第二ＬＣ内真空度ＲＶ２ａに到達するまで待ったあとに、図９のステップＳ３０３以降の処理を実行する。

【0084】

なお、このような方式を用いる場合、制御装置３０は、例えば、ユーザの要求に応じて、前述した３個の制御シーケンスのいずれか１個に固定してもよく、３個中のいずれか２個の範囲で自動切換えを行ってもよい。また、実施の形態２でも述べたように、予めウェハの種類が判明している場合、制御装置３０は、当該ウェハの種類に応じて、時間Ｔ３を計測することなく３個の制御シーケンスのいずれかを自動選択してもよい。

【0085】

《実施の形態３の主要な効果》
以上、実施の形態３の方式を用いることで、実施の形態１で述べた各種効果と同様の効果が得られることに加えて、例えば、装置スループットの向上や、装置寿命の延伸等が実現可能になる。具体的には、通常のウェハを対象とする場合、高真空な第二ＬＣ内真空度ＲＶ２ａに到達するまで待つ必要がない。また、ガスが枯渇し難いアウトガスウェハではなく、ガスが枯渇し易いアアウトガスウェハを対象とする場合、ＴＭＰバルブ５２０の開閉回数を減らすことができる。

【符号の説明】

【0086】

１０：真空処理装置、２０：装置本体、３０：制御装置、１０１：ＳＣ（真空チャンバー）、１０２：ＬＣ（真空チャンバー）、１０３：圧力計、３００：電子光学系、４０１Ａ，４０１Ｂ：ＴＭＰ、５１０：ＬＣ－ＳＣ間ゲートバルブ、５２０：ＴＭＰバルブ、６００：ウェハ、ＣＬ：閉状態、Ｎｌｐ：ループ回数、ＯＰ：開状態、ＲＶ１：第一ＬＣ内真空度（基準値）、ＲＶ２，ＲＶ２ａ：第二ＬＣ内真空度（基準値）、ＲＶ３：第三ＬＣ内真空度（基準値）、ＴＡ，ＴＢ，ＴＣ：ウエイト時間

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11A】

【図11B】

【図11C】