(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-07-03
(45)【発行日】2024-07-11
(54)【発明の名称】エッジリングポケットを洗浄するためのシステムおよび方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20240704BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20240704BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20240704BHJP
H05H 1/46 20060101ALN20240704BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101H
H01L21/31 C
H01L21/304 645C
H01L21/304 645Z
H05H1/46 A
【請求項の数】
20
(21)【出願番号】P 2022505202
(86)(22)【出願日】2020-07-22
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2022-10-13
(86)【国際出願番号】 US2020043138
(87)【国際公開番号】W WO2021021531
(87)【国際公開日】2021-02-04
【審査請求日】2023-07-19
(31)【優先権主張番号】62/881,893
(32)【優先日】2019-08-01
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】592010081
【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
(74)【代理人】
【識別番号】110000028
【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ハドソン・エリック
(72)【発明者】
【氏名】ブリッグス・スコット
(72)【発明者】
【氏名】ホランド・ジョン
(72)【発明者】
【氏名】マラクタノフ・アレクセイ
(72)【発明者】
【氏名】コザケヴィッチ・フェリックス・レイブ
(72)【発明者】
【氏名】ルケーシー・ケネス
【審査官】加藤 芳健
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１１－３４９９４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１３－５１２５６４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－８１２２１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－２４５５１０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５
Ｈ０１Ｌ ２１／３１
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
Ｈ０５Ｈ １／４６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
エッジリングポケットを洗浄するための方法であって、１つまたは複数のプロセスガスをプラズマチャンバに提供することと、
低周波（ＬＦ）無線周波数（ＲＦ）電力を前記プラズマチャンバのチャックに隣接して位置するエッジリングに供給することであって、前記エッジリングポケットの一部は、前記エッジリングの上面によって画定されることと
を含み、
前記ＬＦ ＲＦ電力を前記供給することは、前記１つまたは複数のプロセスガスが前記プラズマチャンバに供給されて前記プラズマチャンバ内にプラズマを維持している間に実施され、前記ＬＦ ＲＦ電力を前記供給することは、ＲＦ電力が前記チャックに供給されていない期間中に実施され、
前記ＬＦ ＲＦ電力を前記供給することは、前記プラズマ中のプラズマイオンを励起して前記エッジリングポケット内の残留物を除去し、
前記ＬＦ ＲＦ電力を前記供給することは、基板が前記プラズマチャンバ内で処理されていない前記期間中に実施される、
方法。
【請求項2】
請求項１に記載の方法であって、前記１つまたは複数のプロセスガスは、酸素、または窒素、またはアルゴン、または二酸化炭素、または水素、またはフッ素系ガス、またはそれらの２つ以上の組み合わせを含む、方法。
【請求項3】
請求項２に記載の方法であって、前記１つまたは複数のプロセスガスは、２つ以上のプロセスガスを含み、前記フッ素系ガスの量は、前記２つ以上のプロセスガスの総量の０．５％～前記総量の１５％の範囲である、方法。
【請求項4】
請求項１に記載の方法であって、前記低周波は、４００キロヘルツまたは２メガヘルツ（ＭＨｚ）または１３．５６ＭＨｚまたは２７ＭＨｚである、方法。
【請求項5】
請求項１に記載の方法であって、前記エッジリングの前記上面は、内側上面部分と、傾斜上面部分と、外側上面部分とを含み、前記エッジリングは、内側側面と、外側側面と、底面とを有し、前記エッジリングの前記内側上面部分は、前記内側側面に隣接し、前記傾斜上面部分は、前記内側上面部分に隣接し、前記外側上面部分は、前記傾斜上面部分に隣接し、前記外側側面は、前記外側上面部分に隣接し、前記底面は、前記外側側面部分に隣接し、前記内側側面は、前記底面に隣接している、方法。
【請求項6】
請求項５に記載の方法であって、前記チャックは、上面と、傾斜面と、側面とを有し、前記エッジリングポケットは、前記チャックの前記上面と前記エッジリングの前記外側上面部分との間に延びる、方法。
【請求項7】
請求項６に記載の方法であって、前記チャックの前記側面および前記エッジリングの前記内側側面は、それらの間にギャップを形成し、前記エッジリングポケットは、前記チャックの前記上面から、前記チャックの前記傾斜面の上部の領域、前記ギャップの上部の領域、前記エッジリングの前記内側上面部分の上部の領域、および前記エッジリングの前記傾斜面部分の上部の領域を介して前記エッジリングの前記外側上面部分に延びる、方法。
【請求項8】
請求項１に記載の方法であって、前記チャックに隣接して位置する前記エッジリングのために、前記エッジリングと前記チャックとの間には１つまたは複数のリングが存在しない、方法。
【請求項9】
請求項１に記載の方法であって、前記１つまたは複数のプロセスガスを前記提供することは、前記ＬＦ ＲＦ電力を前記エッジリングに前記供給することの前に開始され、前記１つまたは複数のプロセスガスを前記提供することは、前記ＬＦ ＲＦ電力を前記エッジリングに前記供給することの間継続する、方法。
【請求項10】
請求項１に記載の方法であって、前記１つまたは複数のプロセスガスを前記提供することは、前記プラズマチャンバ内の圧力の定常状態を達成するために実施される、方法。
【請求項11】
請求項１に記載の方法であって、前記エッジリングに供給される前記ＬＦ ＲＦ電力をランプダウンすることと、
前記ＬＦ ＲＦ電力の前記ランプダウンの後に前記１つまたは複数のガスを前記提供することを停止することと
をさらに含む、方法。
【請求項12】
請求項１に記載の方法であって、前記１つまたは複数のプロセスガスを前記提供することおよび前記ＬＦ ＲＦ電力を前記エッジリングに前記供給することは、パワードエッジリングウエハレス自動洗浄（ＰＥＲ ＷＡＣ）プロセスの一部であり、前記方法は、前記ＰＥＲ ＷＡＣプロセスを実行する前にカバードウエハ自動洗浄動作を実行することをさらに含む、方法。
【請求項13】
請求項１に記載の方法であって、前記１つまたは複数のプロセスガスを前記提供することおよび前記ＬＦ ＲＦ電力を前記エッジリングに前記供給することの前にカバードウエハ自動洗浄動作を実行することであって、前記カバードウエハ自動洗浄動作は、前記チャックの上部にダミー基板を載置することによって実施されることと、
前記ダミー基板を持ち上げることであって、前記１つまたは複数のガスを前記提供することおよび前記ＬＦ ＲＦ電力を前記供給することは、前記ダミー基板を持ち上げた後に実施されることと
をさらに含む、方法。
【請求項14】
請求項１に記載の方法であって、前記１つまたは複数のプロセスガスを前記提供することおよび前記ＬＦ ＲＦ電力を前記供給することは、前記プラズマチャンバの上縁電極の底面における残留物を低減するために実施される、方法。
【請求項15】
エッジリングポケットを洗浄するための方法であって、１つまたは複数のプロセスガスをプラズマチャンバに提供することと、
低周波（ＬＦ）無線周波数（ＲＦ）電力を前記プラズマチャンバのチャックに隣接して位置するエッジリングに供給することであって、前記エッジリングポケットの一部は、前記エッジリングの上面によって画定されることと、
高周波（ＨＦ）ＲＦ電力を前記チャックに供給することと
を含み、
前記ＬＦ ＲＦ電力を前記供給することおよび前記ＨＦ ＲＦ電力を前記供給することは、前記１つまたは複数のプロセスガスが前記プラズマチャンバに供給されて前記プラズマチャンバ内にプラズマを維持している間に実施され、
前記ＬＦ ＲＦ電力を前記供給することは、前記プラズマ中のプラズマイオンを励起して前記エッジリングポケット内の残留物を除去し、
前記ＬＦ ＲＦ電力を前記供給することおよび前記ＨＦ ＲＦ電力を前記供給することは、基板が前記プラズマチャンバ内で処理されていない時間間隔中に実施される、
方法。
【請求項16】
請求項１５に記載の方法であって、前記１つまたは複数のプロセスガスを前記提供すること、前記ＬＦ ＲＦ電力を前記エッジリングに前記供給すること、および前記ＨＦ ＲＦ電力を前記チャックに前記供給することの前にカバードウエハ自動洗浄動作を実行することをさらに含む、方法。
【請求項17】
請求項１５に記載の方法であって、前記１つまたは複数のプロセスガスを前記提供することは、前記ＬＦ ＲＦ電力を前記エッジリングに前記供給することおよび前記ＨＦ ＲＦ電力を前記チャックに前記供給することの前に開始され、前記１つまたは複数のプロセスガスを前記提供することは、前記ＬＦ ＲＦ電力を前記エッジリングに前記供給することおよび前記ＨＦ ＲＦ電力を前記チャックに前記供給することの間継続する、方法。
【請求項18】
請求項１５に記載の方法であって、前記エッジリングに供給される前記ＬＦ ＲＦ電力をランプダウンすることと、
前記チャックに供給される前記ＨＦ ＲＦ電力をランプダウンすることと、
前記ＬＦ ＲＦ電力の前記ランプダウンおよび前記チャックへの前記ＨＦ ＲＦ電力の前記ランプダウンの後に前記１つまたは複数のガスを前記提供することを停止することと
をさらに含む、方法。
【請求項19】
エッジリングポケットを洗浄するための方法であって、１つまたは複数のプロセスガスをプラズマチャンバに提供することと、
低周波（ＬＦ）無線周波数（ＲＦ）電力を前記プラズマチャンバのチャックに隣接して位置するエッジリングに供給することであって、前記エッジリングポケットの一部は、前記エッジリングの上面によって画定されることと、
前記ＬＦ ＲＦ電力が前記エッジリングに供給される期間の所定の部分の間、高周波（ＨＦ）ＲＦ電力を前記チャックに供給することと
を含み、
前記ＬＦ ＲＦ電力を前記供給することは、前記１つまたは複数のプロセスガスが前記プラズマチャンバに供給されて前記プラズマチャンバ内にプラズマを維持している間に実施され、
前記ＬＦ ＲＦ電力を前記供給することは、前記プラズマ中のプラズマイオンを励起して前記エッジリングポケット内の残留物を除去し、
前記ＬＦ ＲＦ電力を前記供給することは、基板が前記プラズマチャンバ内で処理されていない前記期間中に実施される、
方法。
【請求項20】
請求項１９に記載の方法であって、前記期間の前記所定の部分の後に前記ＨＦ ＲＦ電力を前記チャックに前記供給することを停止することをさらに含み、前記ＬＦ ＲＦ電力を前記エッジリングに前記供給することは、前記ＨＦ ＲＦ電力の前記供給が停止された後も継続する、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示に記載される実施形態は、エッジリングポケットを洗浄するためのシステムおよび方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ここで提供される背景の説明は、本開示の内容を概ね提示することを目的とする。この背景技術のセクションで説明される範囲内における、現時点で名前を挙げられている発明者らによる研究、ならびに出願の時点で先行技術として別途みなされ得ない説明の態様は、明示または暗示を問わず、本開示に対抗する先行技術として認められない。
【0003】
プラズマツールでは、１つまたは複数の無線周波数（ＲＦ）発生器がインピーダンス整合ネットワークに結合される。インピーダンス整合ネットワークは、プラズマチャンバに結合される。ＲＦ信号は、ＲＦ発生器からインピーダンス整合ネットワークに供給される。インピーダンス整合ネットワークは、ＲＦ信号を受信するとＲＦ信号を出力する。ＲＦ信号は、プラズマチャンバ内でウエハを処理するために、インピーダンス整合回路からプラズマチャンバに供給される。
【0004】
１つまたは複数のウエハがプラズマチャンバ内で処理される一定時間の後、不要な材料がプラズマチャンバの様々な部品の表面上に堆積する。部品を洗浄しない場合、材料が部品上にさらに蓄積し、その蓄積物がウエハの処理効率に悪影響を及ぼす。また、蓄積物を除去するためのいくつかの洗浄プロセスは、時間がかかりすぎるか、または材料を除去するのに効果的ではない。
【0005】
本開示に記載される実施形態は、このような状況で生じるものである。
【発明の概要】
【0006】
本開示の実施形態は、エッジリングポケットを洗浄するための装置、方法、およびコンピュータプログラムを提供する。本実施形態は、多くの方法、例えば、プロセス、装置、システム、ハードウェアの一部、またはコンピュータ可読媒体上の方法で実施することができることを理解されたい。いくつかの実施形態を、以下に説明する。
【0007】
一実施形態では、エッジリングポケットを洗浄するための方法が説明される。方法は、１つまたは複数のプロセスガスをプラズマチャンバに提供することと、低周波（ＬＦ）無線周波数（ＲＦ）電力をプラズマチャンバのチャックに隣接して位置するエッジリングに供給することとを含む。エッジリングポケットの一部は、エッジリングの上面によって画定される。ＬＦ ＲＦ電力を供給する動作は、１つまたは複数のプロセスガスがプラズマチャンバに供給されてプラズマチャンバ内にプラズマを維持している間に実施される。
さらに、ＬＦ ＲＦ電力を供給する動作は、ＲＦ電力がチャックに供給されていない期間中に実施される。また、ＬＦ ＲＦ電力を供給する動作は、プラズマ中のプラズマイオンを励起してエッジリングポケット内の残留物を除去する。ＬＦ ＲＦ電力を供給する動作は、基板がプラズマチャンバ内で処理されていない期間中に実施される。
さらに、ＬＦ ＲＦ電力を供給する動作は、ＲＦ電力がチャックに供給されていない期間中に実施される。また、ＬＦ ＲＦ電力を供給する動作は、プラズマ中のプラズマイオンを励起してエッジリングポケット内の残留物を除去する。ＬＦ ＲＦ電力を供給する動作は、基板がプラズマチャンバ内で処理されていない期間中に実施される。
【0008】
一実施形態では、エッジリングポケットを洗浄するための方法が説明される。方法は、１つまたは複数のプロセスガスをプラズマチャンバに提供することを含む。方法は、ＬＦ ＲＦ電力をプラズマチャンバのチャックに隣接して位置するエッジリングに供給することをさらに含む。エッジリングポケットの一部は、エッジリングの上面によって画定される。方法は、高周波（ＨＦ）ＲＦ電力をチャックに供給することをさらに含む。ＬＦ ＲＦ電力を供給する動作およびＨＦ ＲＦ電力を供給する動作は、１つまたは複数のプロセスガスがプラズマチャンバに供給されてプラズマチャンバ内にプラズマを維持している間に実施される。また、ＬＦ ＲＦ電力を供給する供給する動作は、プラズマ中のプラズマイオンを励起してエッジリングポケット内の残留物を除去する。ＬＦ ＲＦ電力を供給する動作およびＨＦ ＲＦ電力を供給する動作は、基板がプラズマチャンバ内で処理されていない時間間隔中に実施される。
【0009】
一実施形態では、エッジリングポケットを洗浄するための方法が説明される。方法は、１つまたは複数のプロセスガスをプラズマチャンバに提供することと、ＬＦ ＲＦ電力をプラズマチャンバのチャックに隣接して位置するエッジリングに供給することとを含む。エッジリングポケットの一部は、エッジリングの上面によって画定される。方法は、ＬＦ ＲＦ電力がエッジリングに供給される期間の所定の部分の間、ＨＦ ＲＦ電力をチャックに供給することをさらに含む。ＬＦ ＲＦ電力を供給する動作は、１つまたは複数のプロセスガスがプラズマチャンバに供給されてプラズマチャンバ内にプラズマを維持している間に実施される。また、ＬＦ ＲＦ電力を供給する動作は、プラズマ中のプラズマイオンを励起してエッジリングポケット内の残留物を除去する。ＬＦ ＲＦ電力を供給する動作は、基板がプラズマチャンバ内で処理されていない期間中に実施される。
【0010】
エッジリングポケットを洗浄するための本明細書に記載のシステムおよび方法のいくつかの利点は、エッジリングポケット内に堆積された残留物を低減または除去する効率を増加させることを含む。他の従来の方法と比較して、除去率が増加する。例えば、本明細書に記載の方法を適用すると、除去率は２倍以上増加する。例示すると、エッジリングポケット内の残留物は、毎分１．５マイクロメートルの速度で除去される。別の例示として、エッジリングポケット内の残留物は、毎分１．６マイクロメートルの速度で除去される。さらに別の例示として、エッジリングポケット内の残留物は、毎分１．４マイクロメートル～毎分２マイクロメートルの速度で除去される。
【0011】
また、残留物は、他の従来の方法と比較してより効果的に除去される。本明細書に記載のエッジリングポケットを洗浄するための方法を適用することによって、エッジリングポケット内に堆積された残留物は完全に除去されるか、またはかなりの量の残留物が除去される。一例として、残留物は、約３ＲＦ時間にわたってエッジリングポケットを洗浄するために、本明細書に記載の方法を適用することによって完全にまたは実質的に除去される。例示すると、残留物は、２時間４５分～３時間１５分の範囲の期間にわたって方法を適用することによって完全にまたは実質的に除去される。別の例示として、電力をエッジリングに適用せずに電力をチャックに適用することによってエッジリングポケットから除去される量と比較して、より多くの量の残留物がエッジリングポケットから除去される。残留物の完全なまたは実質的な除去量および効率の向上は、チャックに適用される電力と比較して、大量の電力をエッジリングに適用することによって達成される。場合によっては、残留物の完全なまたは実質的に完全な除去は、エッジリングポケットのユーザによる目視検査によって決定される。
【0012】
加えて、エッジリングポケットを洗浄するために、適用される１つまたは複数のプロセスガスは、従来の方法の間に適用されるものと比較してチャックおよびエッジリングへの害が少なくなる。例えば、エッジリングポケットを洗浄するために適用されるフッ素の量は、ウエハレス自動洗浄動作中に適用される量よりも少なくなる。ウエハレス自動洗浄動作中、電力は、エッジリングに適用されずにチャックに適用され、より多くの量のフッ素がプラズマチャンバ内に供給される。フッ素の量が少なくなることで、プラズマチャンバの構成要素は摩耗されないか、または摩耗が最小限になる。
【0013】
他の態様は、添付の図面と併せて、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0014】
実施形態は、添付の図面と併せて以下の説明を参照することによって理解される。
【0015】
【0016】
【0017】
【0018】
【0019】
【0020】
【0021】
【0022】
【0023】
【0024】
【0025】
【0026】
【0027】
【0028】
【0029】
【0030】
【0031】
【0032】
【0033】
【0034】
【0035】
【発明を実施するための形態】
【0036】
以下の実施形態は、エッジリングポケットを洗浄するためのシステムおよび方法を説明する。本実施形態は、これらの具体的な詳細の一部またはすべてがなくても実践することができることは明らかであろう。他の例では、本実施形態を不必要に曖昧にしないように、周知のプロセス動作は詳細には説明されていない。
【0037】
図１Ａは、無線周波数（ＲＦ）電力をチャック１０６に適用することなく、ＲＦ電力をエッジリング１０２に適用してエッジリングポケット１３０およびギャップ１３８を洗浄することを例示するためのシステム１００の一実施形態の図である。システム１５０は、電力をチャック１０６に提供しない場合のパワードエッジリング（ＰＥＲ）ウエハ自動洗浄（ＷＡＣ）動作を説明するために使用される。システム１００は、エッジリング１０２と、チャック１０６と、インピーダンス整合回路１０８と、ＲＦ発生器１２２と、ホストコンピューティングデバイス１１２とを含む。ＲＦ発生器１２２は、ＲＦ電源１１０を含む。ホストコンピューティングデバイス１１２は、プロセッサ１１４と、メモリデバイス１１６とを含む。
【0038】
ホストコンピューティングデバイス１１２の例には、コンピュータ、サーバ、タブレット、スマートフォン、デスクトップコンピュータ、およびラップトップコンピュータが挙げられる。また、メモリデバイス１１６の例には、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）および読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）が挙げられる。例示すると、メモリデバイス１１６は、フラッシュメモリ、不揮発性メモリ、スタティックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリ、またはプログラム可能な読み取り専用メモリである。本明細書で説明されるプロセッサの例には、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、１つまたは複数のコントローラ、プロセッサと１つまたは複数のコントローラの組み合わせ、中央処理装置、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、およびプログラム可能な論理デバイス（ＰＬＤ）が挙げられる。
【0039】
本明細書で説明されるＲＦ電源の一例には、正弦波または方形波などの周期的に振動する電子信号を発生する電子発振器が挙げられる。例示すると、ＲＦ電源１１０は、４００キロヘルツ（ｋＨｚ）～２７ＭＨｚ（ＭＨｚ）の低周波（ＬＦ）ＲＦ範囲の信号を発生する。別の例示として、ＲＦ電源１１０は、６０ＭＨｚの周波数を有するＲＦ信号を生成しない。さらに例示すると、ＲＦ電源１１０は、４００ｋＨｚの周波数を有するＲＦ信号を発生する。ＲＦ信号は、ＲＦ信号が４００ｋＨｚから所定の範囲内、例えば３９５ｋＨｚ～４０５ｋＨｚの範囲の周波数で振動するとき、４００ｋＨｚの周波数を有する。同様に、別の例示として、ＲＦ電源１１０は、２ＭＨｚまたは１３．５６ＭＨｚまたは２７ＭＨｚの周波数を有するＲＦ信号を発生する。例えば、ＲＦ信号は、ＲＦ信号が２ＭＨｚから所定の範囲内、例えば１．９８ＭＨｚ～２．２ＭＨｚの範囲の周波数で振動するとき、２ＭＨｚの周波数を有する。電子発振器の一例には、トランジスタおよびオペアンプが挙げられる。
【0040】
本明細書で説明されるインピーダンス整合回路は、互いに結合された１つまたは複数の回路構成要素、例えば、１つまたは複数のインダクタ、または１つまたは複数のコンデンサ、または１つまたは複数のレジスタ、またはそれらの組み合わせもしくは２つ以上などを含む。例えば、インピーダンス整合回路１０８は、インダクタの端部に直列に結合された直列コンデンサを含み、インピーダンス整合回路１０８の入力１１８と直列コンデンサとの間に結合された端部を有するシャントコンデンサをさらに含む。シャントコンデンサのもう一方の端部は、アース接続に結合される。インダクタのもう一方の端部は、インピーダンス整合回路１０８の出力１２０に結合される。
【0041】
エッジリング１０２は、１つまたは複数の材料から製作され、その例には、結晶ケイ素、多結晶ケイ素、炭化ケイ素、石英、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、および窒化ケイ素が挙げられる。エッジリング１０２は、チャック１０６上への処理のための基板の位置決め、およびプラズマチャンバ内に形成されたプラズマのイオンによる損傷から基板によって保護されていないプラズマチャンバの基礎となる構成要素の遮蔽を含む、多くの機能を実施する。以下でさらに説明するプラズマチャンバは、チャック１０６と、エッジリング１０２とを含む。
【0042】
チャック１０２の一例には、静電チャック（ＥＳＣ）が挙げられる。チャック１０２は、下部電極を含む。チャック１０２は、台座ベースおよびファシリティプレートを含むベースプレート上で支持され得る。ファシリティプレートは、台座ベースの上部に装着され、チャック１０２は、ファシリティプレートの上部に装着される。チャック１０２は、陽極酸化アルミニウムまたはアルミニウム合金などの金属から製作される。
【0043】
プロセッサ１１４は、メモリデバイス１１６に結合され、接続ケーブル１２４を介してＲＦ発生器１２２に結合される。一例として、プロセッサ１１４は、ＲＦ発生器１２２のデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）に結合され、ＲＦ発生器１２２のデジタル信号プロセッサは、ＲＦ電源１１０に結合される。本明細書で説明される接続ケーブルの一例には、ＲＦ発生器１２２とプロセッサ１１４との間でデータのパラレル転送を達成するためのパラレル転送ケーブル、またはＲＦ発生器１２２とプロセッサ１１４との間でデータのシリアル転送を達成するためのシリアル転送ケーブル、またはユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）ケーブルが挙げられる。
【0044】
さらに、ＲＦ電源１１０の出力は、ＲＦケーブル１２６を介してインピーダンス整合回路１０８の入力１１８に結合される。インピーダンス整合回路１０８の出力１２０は、ピンまたはＲＦケーブルなどのＲＦコネクタ１２８を介してエッジリング１０２に結合される。ＲＦコネクタ１２８の一例には、スリーブによって囲まれる同軸ケーブルが挙げられる。スリーブは、同軸ケーブルの周囲の電界から同軸ケーブルを絶縁する。ＲＦコネクタ１２８の別の例は、スリーブによって囲まれるピンである。
【0045】
以下に説明する１つまたは複数のプロセスガスがプラズマチャンバに供給されると、プロセッサ１１４は、周波数および電力などのパラメータの値を有する電力供給開始命令を生成し、接続ケーブル１２４を介して電力供給開始命令をＲＦ発生器１２２に提供する。電力供給開始命令を受信すると、ＲＦ発生器１２２は、周波数および電力を有するＲＦ信号１３２を生成し、ＲＦ信号１３２をインピーダンス整合回路１０８の入力１１８に供給する。ＲＦ信号１３２の一例は、連続波信号である。インピーダンス整合回路１０８は、インピーダンス整合回路１０８の出力１２０に結合された負荷のインピーダンスを、インピーダンス整合回路１０８の入力１１８に結合されたソースのインピーダンスと整合させ、修正されたＲＦ信号１３４を出力する。出力１２０に結合された負荷の一例には、エッジリング１０２およびＲＦコネクタ１２８が挙げられる。ソースの一例には、ＲＦケーブル１２６およびＲＦ発生器１２２が挙げられる。
【0046】
エッジリング１０２は、ＲＦ接続１２８を介して修正されたＲＦ信号１３４を受信し、修正されたＲＦ信号１３４によって電力を供給されてエッジリングポケット１３０およびギャップ１３８を洗浄する。エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８は、プラズマチャンバ内の基板の処理中に生成される、プラズマおよび他の材料の残留物などの残留物を含む。他の材料の例には、基板上に１つまたは複数の層を堆積するために使用される液体もしくはガス材料の残骸、またはエッチングされる基板の部分の残骸、またはそれらの組み合わせが挙げられる。
【0047】
エッジリング１０２が修正されたＲＦ信号１３４によって電力を供給されると、プラズマがプラズマチャンバ内で打たれるか、かつ／またはプラズマチャンバ内で維持される。プラズマチャンバ内のプラズマは、プラズマシース境界１３６を有する。プラズマシース境界１３６は、プラズマチャンバの構成要素の表面とバルクプラズマとの間の領域であるプラズマシースのものである。また、エッジリング１０２が修正されたＲＦ信号１３４によって電力を供給されると、プラズマのイオンのエネルギーが増加するか、またはイオンが励起され、エッジリングポケット１３０に向かう矢印によって示されるように、より多くのイオンがエッジリングポケット１３０に向けて導かれる。イオンのエネルギーは、カバードウエハ自動洗浄（ＣＷＡＣ）動作と比較して増加し、ＣＷＡＣ動作と比較してイオン数が増加する。一例として、プラズマイオンの束とイオンの平均エネルギーの積である電力束の量は、ＣＷＡＣ動作中に生成される電力束の量と比較して約２倍である。さらに例示すると、電力束の量は、ＣＷＡＣ動作中に生成される電力束の量と比較して２倍である。ＣＷＡＣ動作中の電力束と比較して電力束が増加すると、エッジリングポケット１３０内の残留物を洗浄する効率が、ＣＷＡＣ動作と比較して約２倍増加する。例えば、電力束の増加は、ＣＷＡＣ動作中に達成される除去率と比較して２倍の除去率を達成する。プラズマは、エッジリングポケット１３０上に堆積された残留物を除去または低減し、エッジリングポケット１３０を洗浄するために使用される。プラズマはまた、ギャップ１３８内の残留物を除去または低減し、ギャップ１３８を洗浄するために使用される。
【0048】
プラズマシース境界１３６は、エッジリング１０２が修正されたＲＦ信号１３４からＲＦ電力を供給されない場合、およびチャック１０６がＲＦ電力を供給される場合と比較して、エッジリング１０２から離れて移動することに留意されたい。また、プラズマシース境界１３６はまた、チャック１０６と比較してエッジリング１０２からさらに離れている。例えば、プラズマシース境界１３６とエッジリング１０２との間の垂直距離は、プラズマシース境界１３６とチャック１０６との間の垂直距離よりも大きい。プラズマシース境界１３６は、チャック１０６の電圧バイアスと比較して、エッジリング１０２でのより大きな電圧バイアスの結果としてエッジリング１０２から離れて移動する。エッジリング１０２へのＲＦ電力の供給は、チャック１０６での電圧バイアスと比較してエッジリング１０２での電圧バイアスを増加させる。エッジリング１０２での電圧バイアスの一例には、２０ボルト（Ｖ）～１キロボルト（ｋＶ）のバイアスが挙げられる。また、エッジリング１０２での電圧バイアスは、ＲＦ発生器１２２によって供給されるＲＦ信号１３２の周波数の減少と共に増加する。
【0049】
修正されたＲＦ信号１３４がエッジリング１０２に供給されている期間中、ＲＦ電力はチャック１０６に供給されていないことに留意されたい。例えば、プロセッサ１１４は、ＲＦ信号を生成するために、以下に説明する電力供給開始命令をＲＦ発生器に送信しない。ＲＦ発生器は、以下に説明するインピーダンス整合回路を介してチャック１０６に結合される。
【0050】
修正されたＲＦ信号１３４がエッジリング１０２に供給されているとき、基板はプラズマチャンバ内で処理されていないことにさらに留意されたい。例えば、修正されたＲＦ信号１３４がエッジリング１０２に供給される期間中、プラズマチャンバ内での基板の処理は行われない。基板の処理の例には、基板のエッチング、基板の洗浄、基板上への材料の堆積、および基板のスパッタリングなどが挙げられる。
【0051】
一実施形態では、インピーダンス整合回路、インピーダンスマッチ、マッチ、インピーダンス整合ネットワーク、およびマッチ回路という用語は、本明細書では互換的に使用される。
【0052】
一実施形態では、連続波ＲＦ信号１３２の代わりに、パルスＲＦ信号がＲＦ電源１１０によって生成される。パルスＲＦ信号は、２つ以上の状態など、複数の状態を有する。各状態についての論理レベルなどの状態情報は、プロセッサ１１４によってＲＦ発生器１２２に提供される。加えて、各状態についての周波数レベルおよび電力レベルは、プロセッサ１１４によってＲＦ発生器１２２に提供される。ＲＦ発生器１２２のＤＳＰは、複数の状態についての状態情報、電力レベル、および周波数レベルを受信する。ＤＳＰは、状態情報に基づいて複数の状態から第１の状態を決定し、第１の状態についての電力レベルおよび第１の状態についての周波数レベルをＲＦ発生器１２２のＲＦ電源１１０に提供する。同様に、ＤＳＰは、状態情報に基づいて複数の状態から第２の状態を決定し、第２の状態についての電力レベルおよび第２の状態についての周波数レベルをＲＦ発生器１２２のＲＦ電源１１０に提供する。ＲＦ電源１１０は、複数の状態を有するパルスＲＦ信号を生成し、ＲＦ信号の各状態は、対応する電力レベルおよび対応する周波数レベルを有する。例えば、ＲＦ電源１１０によって生成されたパルスＲＦ信号は、第１の遷移時間中に第１の状態についての電力レベルから第２の状態についての電力レベルに遷移し、第２の遷移時間中に第２の状態についての電力レベルから第１の状態についての電力レベルに遷移する。一例として、遷移時間は、周波数レベルまたは電力レベルなどのパラメータレベルが、別のパラメータレベルに変化または遷移またはランプする時間の持続時間である。例示すると、時間の持続時間は、周波数および電力の設定値の定義されたランプに関連付けられている。設定値は、時間の持続時間中に達成される。
【0053】
図１Ｂは、ＲＦ電力がチャック１０６およびエッジリング１０２に同時に供給されてエッジリングポケット１３０およびギャップ１３８を洗浄することを例示するシステム１５０の一実施形態の図である。システム１５０は、電力をチャック１０６に提供することに加えて、ＰＥＲ ＷＡＣ動作を説明するために使用される。システム１５０は、システム１００と同じである。さらに、システム１５０は、ＲＦ発生器１５２と、インピーダンス整合回路１５４とを含む。
【0054】
プロセッサ１１４は、接続ケーブル１５８を介してＲＦ発生器１５２に結合される。一例として、プロセッサ１１４は、ＲＦ発生器１５２のＤＳＰに結合され、ＲＦ発生器１５２のＤＳＰは、ＲＦ発生器１５２のＲＦ電源１５６に結合される。ＲＦ発生器１５２のＲＦ電源１５６は、ＲＦケーブル１６０を介してインピーダンス整合回路１５４の入力１６２に結合される。インピーダンス整合回路１５４の出力１６４は、ＲＦ伝送ライン１６８を介してチャック１０６の下部電極に結合される。ＲＦ伝送ライン１６８の一例には、シースによって囲まれるケーブルが挙げられる。シースとケーブルとの間には、絶縁体が存在する。
【0055】
以下に説明する１つまたは複数のプロセスガスがプラズマチャンバに供給されると、プロセッサ１１４は、周波数および電力などのパラメータの値を有する電力供給開始命令を生成し、電力供給開始命令を接続ケーブル１５８を介してＲＦ発生器１５２に提供する。電力供給開始命令を受信すると、ＲＦ発生器１５２は、周波数および電力を有するＲＦ信号１７０を生成し、ＲＦ信号１７０をインピーダンス整合回路１５４の入力１６２に供給する。ＲＦ信号１７０の一例は、連続波信号である。
【0056】
ＲＦ電源１５６は、ＲＦ電源１１０（図１Ａ）の低周波数よりも高い周波数を有するＲＦ信号１７０を発生する。例えば、ＲＦ電源１５６は、６０ＭＨｚの周波数を有するＲＦ信号１７０を生成する。さらに例示すると、ＲＦ信号１７０は、ＲＦ信号１７０が６０ＭＨｚから所定の範囲内、例えば５８ＭＨｚ～６２ＭＨｚの範囲の周波数で振動するとき、６０ＭＨｚの周波数を有する。また、別の例として、ＲＦ電源１５６は、４００ｋＨｚである周波数を有するＲＦ信号を生成しない。さらに別の例として、ＲＦ電源１５６は、２７ＭＨｚの周波数を有するＲＦ信号１７０を生成し、ＲＦ電源１１０は、４００ｋＨｚの周波数を有するＲＦ信号１３４を生成する。さらなる別の例として、ＲＦ電源１５６は、２７ＭＨｚの周波数を有するＲＦ信号１７０を生成し、ＲＦ電源１１０は、２ＭＨｚの周波数を有するＲＦ信号１３４を生成する。
【0057】
ＲＦ信号１７０を受信すると、インピーダンス整合回路１５４は、インピーダンス整合回路１５４の出力１６４に結合された負荷のインピーダンスを、インピーダンス整合回路１５４の入力１６２に結合されたソースのインピーダンスと整合させ、修正されたＲＦ信号１７２を出力する。出力１６４に結合された負荷の一例には、チャック１０６およびＲＦ伝送ライン１６８が挙げられる。ソースの一例には、ＲＦケーブル１２６およびＲＦ発生器１２２が挙げられる。
【0058】
チャック１０６の下部電極は、ＲＦ伝送ライン１６８を介して修正されたＲＦ信号１７２を受信し、修正されたＲＦ信号１７２によって電力を供給されてエッジリングポケット１３０およびギャップ１３８内の残留物を洗浄する。チャック１０６の下部電極が修正されたＲＦ信号１７２によって電力を供給されると、プラズマがプラズマチャンバ内で打たれる。
【0059】
さらに、エッジリング１０２は、修正されたＲＦ信号１３４によって電力を供給され、エッジリングポケット１３０に向かう矢印によって示されるように、プラズマのイオンをエッジリングポケット１３０に向けて導く。例えば、エッジリングポケット１３０を洗浄するための１つまたは複数のプロセスガスがプラズマチャンバに供給される間、ＲＦ信号１３２が生成されて修正されたＲＦ信号１３４がエッジリング１０２に供給され、プラズマチャンバ内にプラズマを維持する。修正されたＲＦ信号１３２および１７０の両方は、互いに連動して動作してＲＦ電力をエッジリング１０２およびチャック１０６に提供し、エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８内の残留物を除去または低減する。
【0060】
修正されたＲＦ信号１３４がエッジリング１０２に供給され、修正されたＲＦ信号１７２がチャック１０６の下部電極に供給されているとき、基板はプラズマチャンバ内で処理されていないことにさらに留意されたい。例えば、修正されたＲＦ信号１３４がエッジリング１０２に供給され、修正されたＲＦ信号１７２がチャック１０６の下部電極に供給されている期間中、プラズマチャンバ内での基板の処理は行われない。
【0061】
一実施形態では、ＲＦ電源１５６は、２ＭＨｚまたは１３．５６ＭＨｚまたは２７ＭＨｚである周波数を有するＲＦ信号を生成しない。
【0062】
一実施形態では、ＲＦ信号１７０は、ＲＦ信号１３２がＲＦ電源１１０によって供給される期間の一部の間にＲＦ電源１５６によって供給される。例えば、プロセッサ１１４は、電力供給開始命令をＲＦ発生器１５２に提供してＲＦ信号１７０を生成する前に、電力供給開始命令をＲＦ発生器１２２に提供してＲＦ信号１３２を生成する。また、プロセッサ１１４は、電力供給終了命令をＲＦ発生器１５２に提供してＲＦ信号１７０の生成を停止した後、電力供給終了命令をＲＦ発生器１２２に提供してＲＦ信号１３２の生成を停止する。
【0063】
一実施形態では、ＲＦ信号１３２は、ＲＦ信号１７０がＲＦ電源１５６によって供給される期間の一部の間にＲＦ電源１１０によって供給される。一例として、プロセッサ１１４は、電力供給開始命令をＲＦ発生器１５２に提供してＲＦ信号１７０を生成した後、電力供給開始命令をＲＦ発生器１２２に提供してＲＦ信号１３２を生成する。また、プロセッサ１１４は、電力供給終了命令をＲＦ発生器１５２に提供してＲＦ信号１７０の生成を停止する前に、電力供給終了命令をＲＦ発生器１２２に提供してＲＦ信号１３２の生成を停止する。
【0064】
一実施形態では、ＲＦ信号１３２および１７０の両方が、同じ時間または実質的に同じ時間にわたって同時に供給される。一例として、プロセッサ１１４は、電力供給開始命令をＲＦ発生器１５２に提供してＲＦ信号１７０を生成するのと同時にまたは実質的に同時に、電力供給開始命令をＲＦ発生器１２２に提供してＲＦ信号１３２を生成する。例示すると、プロセッサ１１４は、電力供給開始命令をＲＦ発生器１５２に提供してからの所定の期間の前または後に電力供給開始命令をＲＦ発生器１２２に提供することで、実質的に同時に電力供給開始命令をＲＦ発生器１２２および１５２に提供する。また、プロセッサ１１４は、電力供給終了命令をＲＦ発生器１５２に提供してＲＦ信号１７０の生成を停止するのと同時にまたは実質的に同時に、電力供給終了命令をＲＦ発生器１２２に提供してＲＦ信号１３２の生成を停止する。例示すると、プロセッサ１１４は、電力供給終了命令をＲＦ発生器１５２に提供してからの所定の期間の前または後に電力供給終了命令をＲＦ発生器１２２に提供することで、実質的に同時に電力供給終了命令をＲＦ発電機１２２および１５２に提供する。
【0065】
一実施形態では、連続波ＲＦ信号１７０の代わりに、パルスＲＦ信号がＲＦ電源１５６によって生成される。ＲＦ電源１５６によって生成されたパルスＲＦ信号は、２つ以上の状態など、複数の状態を有する。各状態についての論理レベルなどの状態情報は、プロセッサ１１４によってＲＦ発生器１５２に提供される。加えて、各状態についての周波数レベルおよび電力レベルは、プロセッサ１１４によってＲＦ発生器１５２に提供される。ＲＦ発生器１５２のＤＳＰは、複数の状態についての状態情報、電力レベル、および周波数レベルを受信する。ＲＦ発生器１５２のＤＳＰは、状態情報に基づいて複数の状態から第１の状態を決定し、第１の状態についての電力レベルおよび第１の状態についての周波数レベルをＲＦ発生器１５２のＲＦ電源１５６に提供する。同様に、ＤＳＰは、状態情報に基づいて複数の状態から第２の状態を決定し、第２の状態についての電力レベルおよび第２の状態についての周波数レベルをＲＦ発生器１５２のＲＦ電源１５６に提供する。ＲＦ電源１５６は、複数の状態を有するパルスＲＦ信号を生成し、ＲＦ信号の各状態は、対応する電力レベルおよび周波数レベルを有する。例えば、ＲＦ電源１５６によって生成されたパルスＲＦ信号は、第１の遷移時間中に第１の状態についての電力レベルから第２の状態についての電力レベルに遷移し、第２の遷移時間中に第２の状態についての電力レベルから第１の状態についての電力レベルに遷移する。
【0066】
図１Ｃは、エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８を例示するシステム１８０の一実施形態の図である。さらに、図１Ｄは、チャック１０６およびエッジリング１０２の異なる部分を例示するシステム１９０の一実施形態の図である。図１Ｄを参照すると、チャック１０６は、上面１２１と、傾斜面１２３と、側面１２５と、底面１２７とを有する。傾斜面１２３は、上面１２１に隣接している。一例として、傾斜面１２３は、上面１２１の隣にあり、上面１２１に対して鋭角を形成する。側面１２５は、上面１２１に隣接し、その下の高さにある。例えば、側面１２５は、上面１２１の隣にあり、上面１２１に対して直角または約９０°の角度を形成する。約９０°の角度の例示は、８５°～９５°の角度である。底面１２７は、側面１２５に隣接している。例示すると、底面１２７は、側面１２５の隣にあり、側面１２５に対して直角または約９０°の角度を形成する。
【0067】
また、エッジリング１０２は、チャック１０６に隣接しており、チャック１０６の少なくとも一部を囲む。例えば、エッジリング１０２は、チャック１０６の傾斜面１２３および側面１２５の一部を囲む。別の例として、エッジリング１０２の内側側面１１５とチャック１０６の側面１２５との間には、絶縁リングまたは誘電体リングなどのリングが存在しない。エッジリング１０６は、内側上面部分１０９と、傾斜上面部分１１１と、外側上面部分１１３とを有する。内側上面部分１０９、傾斜上面部分１１１、および外側上面部分１１３は、エッジリング１０２の上面１０７を共に形成する。エッジリング１０２はまた、内側側面１１５と、外側側面１１７と、底面１１９とを有する。
【0068】
傾斜上面部分１１１は、外側上面部分１１３に隣接している。例えば、傾斜上面部分１１１は、外側上面部分１１３の隣にあり、外側上面部分１１３に対して鋭角を形成する。また、内側上面部分１０９は、傾斜上面部分１１１に隣接し、外側上面部分１１３の高さよりも下の高さにある。一例として、傾斜上面部分１１１は、内側上面部分１０９の隣にあり、内側上面部分１０９に対して鈍角を形成する。
【0069】
内側側面１１５は、内側上面部分１０９に隣接している。例えば、内側側面１１５は、内側上面部分１０９の隣にあり、内側上面部分１０９に対して直角または約９０°の角度を形成する。
【0070】
さらに、底面１１９は、内側側面１１５に隣接している。例えば、底面１１９は、内側側面１１５の隣にあり、内側側面１１５に対して直角または約９０°の角度を形成する。外側側面１１７は、外側上面部分１１３と底面１１９の両方に隣接している。一例として、外側側面１１７は、外側上面部分１１３の隣にあり、外側上面部分１１３に対して直角または約９０°の角度を形成する。また、この例では、外側側面１１７は、底面１１９の隣にあり、底面１１９に対して直角または約９０°の角度を形成する。
【0071】
ここで図１Ｃおよび図１Ｄを同時に参照すると、領域１３１またはエッジリングポケット１３０の一部が、チャック１０６の傾斜面１２３の上部に形成され、傾斜面１２３に隣接している。さらに、領域１３３またはエッジリングポケット１３０の一部が、同じく領域であるギャップ１３８の上部に形成され、ギャップ１３８に隣接している。領域１３３はまた、チャックの側面１２５に平行で側面１２５を包含する垂直平面と、エッジリング１０２の内側側面１１５に平行で内側側面１１５を包含する垂直平面との間に位置する。ギャップ１３８は、側面１２５と１１５との間に形成される。例えば、ギャップ１３８は、チャック１０６の側面１２５からエッジリング１０２の内側側面１１５に延びる。エッジリングポケット１３０の領域１３３は、ギャップ１３８の上部にある。
【0072】
エッジリングポケット１３０の領域１０５および１３５などの部分は、エッジリング１０２の内側上面１０９および傾斜上面部分１１１によって画定される。例えば、エッジリングポケット１３０の領域１０５または一部は、エッジリング１０２の内側上面部分１０９の上部に形成され、内側上面部分１０９に隣接している。また、エッジリングポケット１３０の領域１３５または一部は、エッジリング１０２の傾斜上面部分１１１の上部に形成され、傾斜上面部分１１１に隣接している。領域１３３は、領域１３１に隣接しており、領域１０５は、領域１３３に隣接している。また、領域１３５は、領域１０５に隣接している。領域１３３は、領域１３１と１０５との間にあり、領域１０５は、領域１３３と１３５との間にある。
【0073】
エッジリングポケット１３０は、チャック１０６の上面１２１からエッジリング１０２の外側上面部分１１３に延びる。例えば、エッジリングポケット１３０は、チャック１０６の上面１２１の縁部から、チャック１０６の傾斜面１２３、エッジリング１０２の内側上面部分１０９、およびエッジリング１０２の傾斜上面部分１１１を越えて、エッジリング１１２の外側上面部分１１３まで延びる。エッジリングポケット１３０の部分１３３は、ギャップ１３８を越えて延びる。
【0074】
一実施形態では、エッジリング１０２またはチャック１０６などの構成要素の第１の表面は、第１および第２の表面の間に構成要素の第３の表面が存在しない場合、構成要素の第２の表面に隣接している。
【0075】
一実施形態では、第１の領域、例えば、 領域１３１は、第１および第２の領域の間に第３の領域が存在しない場合、第２の領域、例えば、領域１３３に隣接している。
【0076】
一実施形態では、ギャップ１３８は、エッジリング１０２の内側上面部分１０９の水平高さと、エッジリング１０２の底面１１９の水平高さとの間に延びる。
【0077】
図２Ａは、プラズマチャンバ２０２内の所望の圧力設定値で圧力の定常状態を達成するサブ動作を例示するシステム２００の一実施形態の図である。所望の圧力設定値は、プロセッサ１１４によるアクセスのためにメモリデバイス１１６に記憶される。定常状態を達成するサブ動作は、ＰＥＲ ＷＡＣ動作の第１の部分である。システム２００は、ガス供給部２０４、弁システム２０６、プラズマチャンバ２０２、ホストコンピューティングデバイス１１２、圧力センサ２０８、ドライバシステム２２２、およびモータ２２４を含む。
【0078】
ガス供給部２０４の一例は、１つまたは複数のプロセスガスを貯蔵するガスマニホールドまたはガス源またはガス貯蔵デバイスまたは１つまたは複数のガス容器である。１つまたは複数のプロセスガスの例を、以下に示す。ガス供給部２０４の各容器は、プロセスガスまたは２つ以上のプロセスガスの混合物を貯蔵する。弁システム２０６は、ガス供給部２０４からプラズマチャンバ２０２への１つまたは複数のプロセスガスの通過を可能にするかまたは制限する１つまたは複数の弁を含む。
【0079】
プラズマチャンバ２０２は、シャワーヘッド２１０、上縁電極２１２、Ｃシュラウド２１４、圧力リング２１６、チャック１０６、およびエッジリング１０２などの様々な構成要素を含む。シャワーヘッド２１０は、上部電極を含み、１つまたは複数のプロセスガスをギャップ２１９に供給するための１つまたは複数のゾーンをさらに含む。一例として、各ゾーンは、シャワーヘッド２１０の構成要素（上部電極など）からギャップ２１９に延びる開口部または開口部のセットである。また、各ゾーンは、シャワーヘッド２１０の構成要素の一部によって隣接するゾーンから分離されている。別の例として、各ゾーンは、シャワーヘッド２１０の上部電極とシャワーヘッドプレートとの間の空間に延びる開口部または開口部のセットである。さらに別の例として、いくつかのゾーンは、１つまたは複数のプロセスガスをギャップ２１９の中央または内側領域に向けて導くためにシャワーヘッド２１０内に位置し、残りのゾーンは、１つまたは複数のプロセスガスをギャップ２１９の周辺または外側領域に向けて導くためにシャワーヘッド２１０内に位置する。シャワーヘッドプレートは、シャワーヘッド２１０の例示的な別の構成要素であり、ギャップ２１９の上に隣接して位置する。シャワーヘッド２１０の上部電極は、シャワーヘッドプレートの上の空間の上に位置する。
【0080】
ギャップ２１９の外側領域は、ギャップ２１９の内側領域を囲むか、またはその周りに配置される。ギャップ２１９は、Ｃシュラウド２１４、上縁電極２１２、シャワーヘッド２１０、エッジリング１０２、およびチャック１０６によって囲まれる。
【0081】
上縁電極２１２は、シャワーヘッド２１０を囲み、Ｃシュラウド２１４の上側部分は、上縁電極２１２を囲む。上縁電極２１２は、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの金属から作製される。上縁電極２１２は、シャワーヘッド２１０の周辺にあり、Ｃシュラウド２１４は、上縁電極２１２の周辺にある。同様に、エッジリング１０２は、チャック１０６の一部を囲み、Ｃシュラウド２１４の下側部分は、エッジリング１０２を囲む。
【0082】
エッジリング１０２は、チャック１０６に隣接している。例えば、エッジリング１０２とチャック１０６との間には、他のリングが存在しない。別の例として、エッジリング１０２とチャック１０６との間には、ギャップ１３８（図１Ｃ）または空間が存在する。
【0083】
Ｃシュラウド２１４は、プラズマチャンバ２０２内の圧力を制御し、ギャップ２１９からギャップ２１９の下のプラズマチャンバ２０２の領域への、さらには１つまたは複数の真空ポンプへのプラズマおよび／または残留物の排出を容易にするための複数の開口部Ｏ１、Ｏ２、およびＯ２を含む。１つまたは複数の真空ポンプは、プラズマチャンバ２０２の底壁ＢＷに隣接してその下に位置する。
【0084】
圧力リング２１６は、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの金属から作製される。圧力リング２１６は、Ｃシュラウド２１４の開口部Ｏ１～Ｏ３に隣接してその下に位置する。圧力センサ２０８の例には、圧力トランスデューサおよび圧力マノメータが挙げられる。圧力センサ２０８は、プラズマチャンバ２０２の上壁ＴＷ上に載置されるか、またはそれに固定される。プラズマチャンバ２０２の側壁ＳＷは、上壁ＴＷと底壁ＢＷとの間に位置する。側壁ＳＷは、正方形などの多角形、または円形であってもよい。
【0085】
本明細書で説明されるドライバシステムの例には、１つまたは複数のトランジスタが挙げられる。例示すると、ドライバシステム２２２は、１つまたは複数のトランジスタを含む。ドライバシステムの各トランジスタまたはトランジスタのセットは、本明細書ではドライバと呼ばれることがある。
【0086】
プロセッサ１１４は、弁システム２０６に結合される。ガス供給部２０４は、ガスラインシステムの部分２１８Ａを介して弁システム２０６に結合され、弁システム２０６は、ガスラインシステムの残りの部分２１８Ｂを介してシャワーヘッド２１０に結合される。ガスラインシステムの一部の一例には、１つまたは複数のガスパイプなどの１つまたは複数のガスラインが挙げられる。弁システム２０６は、ガスラインシステムの部分２１８Ａおよび２１８Ｂに結合され、ガス供給部２０４からプラズマチャンバ２０２のシャワーヘッド２１０への１つまたは複数のプロセスガスの供給を制御する。プロセッサ１１４は、圧力センサ２０８に結合され、ドライバシステム２２２にも結合される。ドライバシステム２２２は、モータ２２４に結合され、モータ２２４は、圧力リング２１６に結合される。
【0087】
ＰＥＲ ＷＡＣ動作では、プロセスは、プラズマチャンバ２０２内の設定値で圧力の定常状態を達成するサブ動作から始まる。１つまたは複数のプロセスガスがプラズマチャンバ２０２に供給される前に、プロセッサ１１４は、圧力リング２１６が事前設定された位置に位置するように、圧力リング２１６の移動を制御する。例えば、プロセッサ１１４は、ドライバシステム２２２を介してモータ２２４を制御する。モータ２２４が制御されると、モータ２２４は、圧力リング２１６を垂直方向に上下に移動させ、開口部Ｏ１～Ｏ３と圧力リング２１６との間の空間または距離の量を変化させるように動作する。このようにして、プロセッサ１１４は、圧力リング２１６が開口部Ｏ１～Ｏ３に対して事前設定された位置になるまで、圧力リング２１６と開口部Ｏ１～Ｏ３との間の空間の量を増減させるように圧力リング２１６の移動を制御する。例示すると、圧力リング２１６が事前設定された位置になると、圧力リング２１６の上面とＣシュラウド２１４の開口部Ｏ１～Ｏ３との間にギャップは残っていないか、または最小量のギャップしか残っていない。圧力リング２１６の事前設定された位置は、プロセッサ１１４によるアクセスのためにメモリデバイス１１６に記憶される。
【0088】
さらに、ＰＥＲ ＷＡＣ動作において、圧力リング２１６が事前設定された位置に載置されると、ガス供給部２０４は、ガスラインシステムの部分２１８Ａ、弁システム２０６、およびガスラインシステムの部分２１８Ｂを介して、１つまたは複数のプロセスガスをシャワーヘッド２１０の１つまたは複数のゾーンに供給する。例えば、プロセッサ１１４は、プロセスガス供給信号を弁システム２０６に送信する。プロセスガス供給信号を受信すると、弁システム２０６の１つまたは複数の弁が開くか、または部分的に開く。
【0089】
弁システム２０６の１つまたは複数の弁が開くかまたは部分的に開くと、１つまたは複数のプロセスガスは、ガス供給部２０４からガスラインシステムの部分２１８Ｂを介してシャワーヘッド２１０の１つまたは複数のゾーンに流れる。１つまたは複数のプロセスガスは、シャワーヘッド２１０の１つまたは複数のゾーンを介してギャップ２１９に流れ、ギャップ２１９内の圧力を増加させる。１つまたは複数のプロセスガスがギャップ２１９に供給された後、プラズマチャンバ２０２内の圧力は、所望の圧力設定値で定常状態を達成する。
【0090】
１つまたは複数のプロセスガスがギャップ２１９に供給されると、圧力センサ２０８は、プラズマチャンバ２０２内の圧力を測定し、圧力の測定値をプロセッサ１１４に提供する。また、１つまたは複数のプロセスガスをギャップ２１９に供給すると、またはその後のある時点で、圧力制御システムが作動する。例えば、プロセッサ１１４は、圧力リング２１６の位置を制御し、ギャップ２１９内の圧力を変化させる。プロセッサ１１４は、プラズマチャンバ２０２内の圧力がある許容範囲内の所望の圧力設定値に達するまで、圧力リング２１６の位置を制御し続ける。例示すると、プラズマチャンバ２０２内の圧力が所望の圧力設定値と一致しないと決定することに応じて、プロセッサ１１４は、ドライバシステム２２２を介してモータ２２４を制御する。モータ２２４が制御されると、モータ２２４は、圧力リング２１６を垂直方向に上下に移動させ、開口部Ｏ１～Ｏ３と圧力リング２１６との間の空間または距離の量を変化させるように動作する。このようにして、プロセッサ１１４は、プラズマチャンバ２０２内の圧力が所望の圧力設定値に達するまで、圧力リング２１６と開口部Ｏ１～Ｏ３との間の空間の量を増減させるように圧力リング２１６の移動を制御する。
【0091】
プロセッサ１１４は、プラズマチャンバ２０２内の圧力が定常状態に達したかどうかを、プラズマチャンバ２０２に関連する圧力対時間の測定値から決定する。例えば、プロセッサ１１４は、圧力の第１の測定値が圧力の第２の測定値から所定の範囲内にあるかどうかを決定する。第１の測定値はプロセッサ１１４によって圧力センサ２０８から受信され、次に第２の測定値がプロセッサ１１４によって圧力センサ２０８から受信される。第１および第２の測定値は、所定の期間内に圧力センサ２０８からプロセッサ１１４によって取得され、メモリデバイス１１６に記憶される。第１の測定値が第２の測定値から所定の範囲内にあると決定すると、プロセッサ１１４は、プラズマチャンバ２０２内の圧力が定常状態に達したと決定する。一方、第１の測定値が第２の測定値から所定の範囲内にないと決定すると、プロセッサ１１４は、プラズマチャンバ２０２内の圧力が定常状態に達していないとを決定する。ある時点において、圧力測定値に基づいて、プロセッサ１１４は、圧力が所望の圧力設定値に達し、定常状態にあると決定する。これに基づいて、プロセッサ１１４は、プラズマチャンバ２０２内の所望の圧力設定値で圧力の定常状態を達成するサブ動作が完了し、システム２００が、図２Ｂを参照して以下に説明される、プラズマを打つサブ動作を開始する準備ができていると決定する。
【0092】
一実施形態では、Ｃシュラウド２１４は、Ｃシュラウド２１４の下側部分にある３つとは異なる数の開口部を有する。例えば、Ｃシュラウド２１４は、４つまたは５つの開口部を有する。
【0093】
一実施形態では、ガス供給部２０４は、複数のプロセスガスが共に混合されるガス容器を含み、弁システム２０６は、複数の弁を含む。複数のプロセスガスの混合物は、ガスラインシステムの部分２１８Ａ、弁システム２０６の弁、およびガスラインシステムの部分２１８Ｂを介してシャワーヘッド２１０に供給される。
【0094】
一実施形態では、圧力リング２１６を制御することに加えて、真空ポンプとプラズマチャンバ２０２との間の１つまたは複数の弁が制御され、メモリデバイス１１６に記憶された対応する１つまたは複数の事前設定された位置を達成する。例えば、プロセッサ１１４は、モータシステムに結合されたドライバシステムに結合される。モータシステムは、真空ポンプとプラズマチャンバ２０２との間の１つまたは複数の弁に結合される。プロセッサ１１４は、クローズ命令をドライバシステムに送信する。クローズ命令を受信すると、ドライバシステムは１つまたは複数の電流信号をモータシステムに出力する。モータシステムの１つまたは複数のモータが回転して真空ポンプとプラズマチャンバ２０２との間の対応する１つまたは複数の弁を閉じ、１つまたは複数の事前設定された位置を達成する。
【0095】
一実施形態では、シャワーヘッド２１０は、３つ、４つ、または５つなどの任意の数のゾーンを含む。
【0096】
一実施形態では、３つの開口部Ｏ１～Ｏ３の代わりに、１つ、２つ、または４つなどの他の数の開口部が、Ｃシュラウド２１４の底部内に位置する。
【0097】
一実施形態では、１つまたは複数の誘電体リングが、シャワーヘッド２１０と上縁電極２１２との間に載置される。同様に、一実施形態では、１つまたは複数の誘電体リングが、上縁電極２１２とＣシュラウド２１４との間に載置される。
【0098】
図２Ｂは、プラズマチャンバ２０２（図２Ａ）のギャップ２１９（図２Ａ）内でプラズマを打つサブ動作を例示するシステム２３０の一実施形態の図である。プラズマを打つサブ動作は、図２Ａを参照して上記で開始されたＰＥＲ ＷＡＣ動作の第２の部分である。例えば、プラズマを打つサブ動作は、プラズマチャンバ２０２（図２Ａ）内の所望の圧力設定値で圧力の定常状態を達成するサブ動作を実施した後に実施される。システム２３０は、ＲＦ発生器１２２および１５２と、インピーダンス整合回路１０８および１５４と、エッジリング１０２と、チャック１０６とを含む。
【0099】
プラズマチャンバ２０２内のプラズマを打つサブ動作中、ＲＦ電源１１０および１５６の両方が、それぞれのＲＦ信号１３２および１７０を供給する。例示すると、プロセッサ１１４は、接続ケーブル１２４を介して電力供給開始命令をＲＦ発生器１２２に提供し、同時に、接続ケーブル１５８を介して電力供給開始命令をＲＦ発生器１５２に送信する。接続ケーブル１２４を介して電力供給開始命令を受信すると、ＲＦ発生器１２２のＲＦ電源１１０は、ＲＦ信号１３２を生成する。同様に、接続ケーブル１５８を介して電力供給開始命令を受信すると、ＲＦ発生器１５２のＲＦ電源１５６は、ＲＦ信号１７０を生成する。別の例示として、プロセッサ１１４は、電力供給開始命令をＲＦ発生器１５２に送信してから所定の期間の後、電力供給開始命令をＲＦ発生器１２２に送信する。所定の期間は、メモリデバイス１１６に記憶される。この例では、ＲＦ信号１３２は、ＲＦ信号１７０が生成された後に生成される。さらに別の例示として、プロセッサ１１４は、電力供給開始命令をＲＦ発生器１２２に送信してから事前設定された期間の後、電力供給開始命令をＲＦ発生器１５２に送信する。この例では、ＲＦ信号１７０は、ＲＦ信号１３２が生成された後に生成される。事前設定された期間は、メモリデバイス１１６に記憶される。ＲＦ信号１７０が生成されると、修正されたＲＦ信号１７２がチャック１０６の下部電極に供給され、プラズマがプラズマチャンバ２０２（図２Ａ）内で打たれる。
【0100】
修正されたＲＦ信号１７２がプラズマチャンバ２０２に供給され、一方、定常状態において、エッジリングポケット１３０を洗浄するための１つまたは複数のプロセスガスがプラズマチャンバ２０２内のギャップ２１９に供給されている。エッジリングポケット１３０を洗浄するための１つまたは複数のプロセスガスの供給は、修正されたＲＦ信号１７２の供給の間継続する。例えば、修正されたＲＦ信号１７２は、定常状態において、プラズマチャンバ２０２内でプラズマを打ってエッジリングポケット１３０を洗浄するためのギャップ２１９への１つまたは複数のプロセスガスの供給と同時にプラズマチャンバ２０２に供給される。
【0101】
同様に、修正されたＲＦ信号１３４がプラズマチャンバ２０２に供給され、一方、定常状態において、エッジリングポケット１３０を洗浄するための１つまたは複数のプロセスガスがプラズマチャンバ２０２内のギャップ２１９に供給されている。エッジリングポケット１３０を洗浄するための１つまたは複数のプロセスガスの供給は、修正されたＲＦ信号１３４の供給の間継続する。例えば、修正されたＲＦ信号１３４は、定常状態において、プラズマチャンバ２０２内でプラズマを維持または持続してエッジリングポケット１３０を洗浄するためのギャップ２１９への１つまたは複数のプロセスガスの供給と同時にプラズマチャンバ２０２に供給される。
【0102】
図２Ｃは、ＲＦ信号１７０（図２Ｂ）の供給を停止し、ＲＦ信号１３２の供給を継続するサブ動作を例示するシステム２３０の一実施形態の図である。ＲＦ信号１７０の供給を停止し、ＲＦ信号１３２の供給を継続するサブ動作は、図２Ａを参照して上記で開始されたＰＥＲ ＷＡＣ動作の第３の部分である。例えば、ＲＦ信号１７０の供給を停止し、ＲＦ信号１３２の供給を継続するサブ動作は、プラズマチャンバ２０２（図２Ａ）内でプラズマを打つサブ動作を実施した後に実施される。プラズマチャンバ２０２内でプラズマを打つサブ動作は、図２Ｂを参照して示されている。
【0103】
ＲＦ信号１７０を供給してから所定の時間が経過すると、ＲＦ発生器１５２は、ＲＦ信号１７０の供給を停止する。例えば、プロセッサ１１４が電力供給開始命令を提供する時間から所定の時間が経過した後、プロセッサ１１４は、電力供給停止命令をＲＦ発生器１５２に送信する。所定の時間は、メモリデバイス１１６に記憶される。ＲＦ信号１７０を供給してからの所定の時間の一例は、５秒以下の期間である。例示すると、事前に決定された時間は、１～５秒の範囲である。プロセッサ１１４から電力供給停止命令を受信すると、ＲＦ発生器１５２のＲＦ電源１５６は、ＲＦ信号１７０の供給を停止する。例えば、ＲＦ電源１５６は、ＲＦ信号１７０をランプダウンする。例示すると、ＲＦ信号１７０のＲＦ電力レベルは減少し、ゼロに低減されてＲＦ信号１７０をランプダウンする。ＲＦ信号１７０がＲＦ電源１５６によって生成されないと、インピーダンス整合回路１５４は、修正されたＲＦ信号１７２（図２Ｂ）をチャック１０６に出力せず、チャック１０６は、ＲＦ電力を受け取らない。
【0104】
ＲＦ発生器１２２は、ＲＦ発生器１５２がＲＦ信号１７０の供給を停止した後もＲＦ信号１３２を供給し続ける。例えば、プロセッサ１１４は、ＲＦ信号１７０がＲＦ発生器１５２によって供給されるので、所定の時間の後に電力供給停止命令をＲＦ発生器１２２に提供しない。ＲＦ発生器１２２は、修正されたＲＦ信号１７２をチャック１０６の下部電極に供給することによって打たれるプラズマを維持するために、ＲＦ信号１３２を供給し続ける。
【0105】
図２Ｄは、ＲＦ発生器１２２についての電力ランプダウンサブ動作を例示するシステム２３０の一実施形態の図である。ＲＦ発生器１２２についての電力ランプダウンサブ動作は、図２Ａを参照して上記で開始されたＰＥＲ ＷＡＣ動作の第４の部分である。例えば、ＲＦ発生器１２２の電力ランプダウンサブ動作は、ＲＦ信号１７０（図２Ｂ）の供給を停止し、ＲＦ信号１３２（図２Ｃ）の供給を継続する第３のサブ動作を実施した後に実施される。第３のサブ動作は、図２Ｃを参照して上述されている。
【0106】
ＲＦ発生器１２２の電力ランプダウンサブ動作中、プロセッサ１１４は、電力ランプダウン命令を生成し、ＲＦ発生器１２２に供給する。電力ランプダウン命令を受信すると、ＲＦ発生器１２２は、ＲＦ信号１３２の供給を減少するなどしてランプダウンし、最終的に供給を停止する。さらに、ＲＦ発生器１２２の電力ランプダウンサブ動作中、ＲＦ発生器１５２は、ＲＦ信号１７０（図２Ｂ）を供給しない。ＲＦ信号１３２がＲＦ電源１１０によって生成されないと、インピーダンス整合回路１０８は、修正されたＲＦ信号１３４をエッジリング１０２に出力せず、エッジリング１０２は、ＲＦ電力を受け取らない。
【0107】
図２Ｅは、エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８を洗浄するための１つまたは複数のプロセスガスの供給をオフにするサブ動作を例示するシステム２４０の一実施形態の図である。エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８を洗浄するための１つまたは複数のプロセスガスは、図２Ｂ～図２Ｄを参照して上述のサブ動作中にプラズマチャンバ２０２内の定常状態を維持するために供給され続ける。１つまたは複数のプロセスガスの供給をオフにするサブ動作は、図２Ａを参照して上記で開始されたＰＥＲ ＷＡＣ動作の第５の部分である。例えば、プラズマチャンバ２０２への１つまたは複数のプロセスガスの供給をオフにするサブ動作は、図２Ｄを参照して上述された、ＲＦ信号１３２の電力ランプダウンサブ動作を実施した後に実施される。
【0108】
プラズマチャンバ２０２への１つまたは複数のプロセスガスの供給をオフにするサブ動作中、弁システム２０６は、ガス供給部２０４からガスラインシステムの部分２１８Ｂを介したシャワーヘッド２１０への１つまたは複数のプロセスガスの供給を停止する。例えば、プロセッサ１１４は、ガス遮断信号を弁システム２０６に送信する。ガス遮断信号を受信すると、弁システム２０６の弁が閉じる。弁システム２０６の弁が閉じると、１つまたは複数のプロセスガスは、弁システム２０６を介してシャワーヘッド２１０に通過しない。図２Ａを参照して開始されたと説明されているＰＥＲ ＷＡＣ動作は、１つまたは複数のプロセスガスの供給を停止するサブ動作の後に終了する。
【0109】
一実施形態では、図２Ｅを参照して上述のサブ動作中にシャワーヘッド２１０への１つまたは複数のプロセスガスの供給がオフにされた後、１つまたは複数の不活性ガスがガス供給部２０４から供給される。不活性ガスの例には、アルゴンおよび窒素が挙げられる。不活性ガスは、同じ方式でシャワーヘッド２１０に供給され、ここで１つまたは複数のプロセスガスがシャワーヘッド２１０に供給される。例えば、プロセッサ１１４は、不活性ガス供給信号を弁システム２０６に送信する。不活性ガス供給信号を受信すると、弁システム２０６の１つまたは複数の弁が開くか、または部分的に開く。
【0110】
弁システム２０６の１つまたは複数の弁が開くかまたは部分的に開くと、１つまたは複数の不活性ガスは、ガス供給部２０４からガスラインシステムの部分２１８Ａ、弁システム２０６、ガスラインシステムの部分２１８Ｂ、およびシャワーヘッド２１０の１つまたは複数のゾーンを介してギャップ２１９に流れる。図２Ａを参照して開始されたと説明されているＰＥＲ ＷＡＣ動作は、１つまたは複数の不活性ガスを供給するサブ動作の後に終了する。
【0111】
図３Ａは、図１Ａ、または図１Ｂ、または図２Ａ～図２Ｅを参照して、上述のＰＥＲ ＷＡＣ動作の前に実施されるカバードウエハ自動洗浄（ＣＷＡＣ）動作を例示するシステム３００の一実施形態の図である。システム３００は、エッジリング１０２と、チャック１０６と、ＲＦ発生器１５２と、マッチ１５４とを含む。
【0112】
ＣＷＡＣ動作中、基板Ｓ１が、チャック１０６の上面１２１上に載置される。基板Ｓ１の一例は、ダミー基板であり、これはエッチング、堆積、スパッタリング、または洗浄などの処理がされない。ダミー基板は、ケイ素などの１つまたは複数の半導体から製作することができる。基板Ｓ１は、チャック１０６の上部に載置され、チャック１０６の一部、ギャップ１３８、およびエッジリング１０２の一部の上に垂れ下がるかまたは延びるオーバーハング部分３０４を有する。例えば、オーバーハング部分３０４は、チャック１０６の傾斜面１２３、ギャップ１３８、およびエッジリング１０２の内側上面部分１０９にわたって延びる。オーバーハング部分３０４は、チャック１０６の上面１２１から、エッジリング１０２の傾斜上面部分１１１まで延びる。
【0113】
ＣＷＡＣ動作中、プロセッサ１１４（図１Ａ）は、弁システム２０６（図２Ａ）を制御し、図１Ａまたは図１Ｂまたは図２Ａ～図２Ｅを参照して上述のＰＥＲ ＷＡＣ動作中に供給される１つまたは複数のプロセスガスとは異なる１つまたは複数のプロセスガスを供給する。例えば、ＣＷＡＣ動作中、１つまたは複数のプロセスガス内の洗浄剤は、ＰＥＲ ＷＡＣ動作中に供給される１つまたは複数のプロセスガス内の洗浄剤の量よりも多い。例示すると、ＣＷＡＣ動作中、供給される１つまたは複数のプロセスガスは、フッ素系ガスを含み、これはＰＥＲ ＷＡＣ動作中に供給される１つまたは複数のプロセスガス内のフッ素の量と比較して、より多い量のフッ素を有する。フッ素は、洗浄剤の一例である。１つまたは複数のプロセスガスは、１つまたは複数のプロセスガスがＰＥＲ ＷＡＣ動作中に供給されるのと同じ方式で、ＣＷＡＣ動作中に供給される。
【0114】
さらに、ＣＷＡＣ動作中、ＲＦ電源１５６は、ＲＦ信号３０６を生成し、修正されたＲＦ信号３０８は、インピーダンス整合回路１５４からチャック１０６の下部電極に出力され、プラズマチャンバ２０２（図２Ａ）内にプラズマを生成する。例えば、プロセッサ１１４（図１Ａ）は、周波数および電力などのパラメータの値を有する電力供給開始命令を生成し、接続ケーブル１５８（図１Ｂ）を介して電力供給開始命令をＲＦ発生器１５２に提供する。電力供給開始命令を受信すると、ＲＦ発生器１５２は、周波数および電力を有するＲＦ信号３０６を生成し、ＲＦ信号３０６をインピーダンス整合回路１５４の入力１６２に供給する。ＲＦ信号３０６の一例は、連続波信号である。インピーダンス整合回路１５４は、インピーダンス整合回路１５４の出力１６４に結合された負荷のインピーダンスを、インピーダンス整合回路１５４の入力１６２に結合されたソースのインピーダンスと整合させ、修正されたＲＦ信号３０８を出力する。チャック１０６の下部電極は、ＲＦ伝送ライン１６８を介して修正されたＲＦ信号３０８を受信し、修正されたＲＦ信号３０８によって電力を供給されてプラズマチャンバ２０２（図２Ａ）内にプラズマを打つ。ＣＷＡＣ動作中に生成されたプラズマは、領域１３５内の残留物を洗浄する（例えば、残留物を低減するかまたは最小限に低減する）。また、ＣＷＡＣ動作中に生成されたプラズマは、プラズマチャンバ２０２の側壁ＳＷ（図２Ａ）、上壁ＴＷ（図２Ａ）、および底壁ＢＷ（図２Ａ）の内面、ならびにプラズマチャンバ２０２のシャワーヘッド２１０（図２Ａ）、上縁電極２１２（図２Ａ）、およびＣシュラウド２１４（図２Ａ）などの構成要素を洗浄する。
【0115】
さらに、ＣＷＡＣ動作中、エッジリング１０２へのＲＦ電力の供給は行われない。例えば、ＣＷＡＣ動作中、プロセッサ１１４（図１Ａ）は、電力供給開始命令を生成せず、インピーダンス整合回路１０８（図１Ａ）を介してエッジリング１０２に結合されたＲＦ発生器１２２（図１Ａ）に送信しない。したがって、ＣＷＡＣ動作中、修正されたＲＦ信号１３４（図１Ａ）は、インピーダンス整合回路１０８からエッジリング１０２に出力されない。
【0116】
ＣＷＡＣ動作中、エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８内の残留物の少なくとも一部は除去されないことに留意されたい。例えば、ＣＷＡＣ動作中、エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８内の残留物のほとんどは、通常、ＣＷＡＣ動作によって除去されない。別の例として、ＣＷＡＣ動作後、かなりの量の残留物がエッジリングポケット１３０およびギャップ１３８内に残る。オーバーハング部分３０４は、ＣＷＡＣ動作中に生成されるプラズマによって残留物が除去されるのを防止する。ＣＷＡＣ動作中に生成されたプラズマは、基板Ｓ１のオーバーハング部分３０４の下にない領域１３５内の残留物を洗浄し、したがって低減する。
【0117】
ＣＷＡＣ動作の終了部分の間、プロセッサ１１４は、弁システム２０６（図２Ａ）を制御してＣＷＡＣ動作中に供給される１つまたは複数のプロセスガスをオフにし、ＲＦ発生器１５２を制御してＲＦ信号３０６の生成を停止する。例えば、プロセッサ１１４は、上述の方式で弁システム２０６を制御し、プラズマチャンバ２０２へのＣＷＡＣ動作の１つまたは複数のプロセスガスの供給をオフにする。プロセッサ１１４は、弁システム２０６の弁を閉じ、ガスラインシステムの部分２１８Ｂを介したシャワーヘッド２１０へのガス供給部２０４からのＣＷＡＣ動作の１つまたは複数のプロセスガスの供給を停止する。また、プロセッサ１１４は、電力停止命令を生成し、ＲＦ発生器１５２に供給する。電力停止命令を受信すると、ＲＦ発生器１５２は、ＲＦ信号３０６の供給を減少するなどしてランプダウンし、最終的に供給を停止する。ＲＦ信号３０６がＲＦ電源１５６によって生成されないと、インピーダンス整合回路１５４は、修正されたＲＦ信号３０８をチャック１０６の下部電極に出力せず、チャック１０６は、ＲＦ電力を受け取らない。
【0118】
ＣＷＡＣ動作が終了すると、プロセッサ１１４は、弁システム２０６、ならびにＲＦ発生器１２２および１５２の一方または両方を制御してＰＥＲ ＷＡＣ動作を実施する。例えば、プロセッサ１１４は、ＣＷＡＣ動作を実施した後、図１Ａまたは図１Ｂまたは図２Ａ～図２Ｅを参照して上述のＰＥＲ ＷＡＣ動作を実施するように弁システム２０６およびＲＦ発生器１２２を制御する。図１Ａまたは図１Ｂまたは図２Ａ～図２Ｅを参照して上述のＰＥＲ ＷＡＣ動作中、ＰＥＲ ＷＡＣ動作のための１つまたは複数のプロセスガスは、ガス供給部２０４から、ガスラインシステムの部分２１８Ａ、弁システム２０６（図２Ａ）、およびガスラインシステムの部分２１８Ｂを介してプラズマチャンバ２０２（図２Ａ）に供給される。ＰＥＲ ＷＡＣ動作のための１つまたは複数のプロセスガスの例には、酸素、窒素、アルゴン、二酸化炭素、水素、およびフッ素系ガス、ならびにそれらの２つ以上の組み合わせが挙げられる。例示すると、フッ素系ガスは、エッジリングポケット１３０を洗浄するために使用される２つ以上のプロセスガスの０．５％～１５％の範囲の量である。さらに例示すると、フッ素系ガスは、フッ素系ガスと水素の混合物の総量の０．５％である。別の例示として、フッ素系ガスは、フッ素系ガス、酸素、および二酸化炭素の混合物の総量の１２％である。ＰＥＲ ＷＡＣ動作中に使用されるフッ素系ガスの一例には、ＣＷＡＣ動作を実施するために使用される１つまたは複数のプロセスガス内のフッ素の量と比較して少量のフッ素を含むガスが挙げられる。ＰＥＲ ＷＡＣ動作中の少量のフッ素は、ＣＷＡＣ動作中に供給される１つまたは複数のプロセスガスのフッ素の量と比較して、チャック１０６を損傷しないか、または最小限にしかチャック１０６を損傷しない。１つまたは複数のプロセスガスは、図２Ａを参照して上述したのと同じ方式で、ＰＥＲ ＷＡＣ動作中に供給される。また、場合によっては、エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８内の残留物は、ケイ素である。ＰＥＲ ＷＡＣ動作中にフッ素系ガスを使用する場合と比較して、ＰＥＲ ＷＡＣ動作中にプロセスガスとして酸素を使用してケイ素を低減または除去することは、困難である。フッ素系ガスの他の例には、三フッ化窒素（ＮＦ3）およびテトラフルオロメタン（ＣＦ4）が挙げられる。
【0119】
一実施形態では、
オーバーハング部分３０４は、上面１２１から、チャック１０６の上面１２１とエッジリング１０２の外側上面部分１１３との間の任意の点まで延びる。例えば、オーバーハング部分３０４は、チャック１０６の傾斜面１２３、ギャップ１３８、およびエッジリング１０２の内側上面部分１０９の一部にわたって延びる。
オーバーハング部分３０４は、上面１２１から、チャック１０６の上面１２１とエッジリング１０２の外側上面部分１１３との間の任意の点まで延びる。例えば、オーバーハング部分３０４は、チャック１０６の傾斜面１２３、ギャップ１３８、およびエッジリング１０２の内側上面部分１０９の一部にわたって延びる。
【0120】
図３Ｂは、ピンアップ自動洗浄動作が続くＣＷＡＣ動作の性能を例示するシステム３２０の一実施形態の図である。例えば、ピンアップ自動洗浄動作は、ＣＷＡＣ動作の次に実行される。システム３２０は、チャック１０６、エッジリング１０２、ＲＦ発生器１５２、インピーダンス整合回路１５４、プロセッサ１１４、ドライバシステム３２２、およびモータシステム３２４を含む。
【0121】
モータシステム３２４の一例には、１つまたは複数の電気モータが挙げられる。ドライバシステム３２２の一例には、１つまたは複数のドライバが挙げられ、その例は上に提供されている。
【0122】
プロセッサ１１４は、ドライバシステム３２２に結合され、ドライバシステム３２２は、モータシステム３２４に結合される。モータシステム３２４の各モータは、１つまたは複数の接続機構を介して、リフトピン３２６Ａおよび３２６Ｂのそれぞれの１つに結合される。接続機構の例には、１つまたは複数のシャフト、および１つまたは複数のシャフトと１つまたは複数のギアの組み合わせが挙げられる。シャフトは、１つまたは複数のギアを介して互いに結合される。各リフトピン３２６Ａおよび３２６Ｂは、チャック１０６の本体を貫通して、または本体を介して延びる。例えば、各リフトピン３２６Ａおよび３２６Ｂは、チャック１０６の底面１２７からチャック１０６の上面１２１に延びる。各リフトピン３２６Ａおよび３２６Ｂは、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの金属から製作される。
【0123】
ＣＷＡＣ動作は、図３Ａを参照して上述のＣＷＡＣ動作と同じ方式で実施され、ＲＦ伝送ライン１６８を介して修正されたＲＦ信号３０８をチャック１０６の下部電極に提供する。さらに、図３Ｂを参照して説明されたＣＷＡＣ動作中、プロセッサ１１４は、リフト命令をドライバシステム３２２に送信しない。ドライバシステム３２２は、リフト命令が受信されないとき、１つまたは複数の電流信号を生成しない。モータシステム３２４のモータは、１つまたは複数の電流信号がドライバシステム３２２から受信されないときは回転しない。また、モータシステム３２４のモータが回転しないとき、リフトピン３２６Ａおよび３２６Ｂは垂直方向に持ち上げられず、チャック１０６の上面１２１よりも上に延びてダミー基板Ｓ１を上面１２１よりも上に持ち上げない。ダミー基板Ｓ１は、持ち上げられていないとき、チャック１０６の上面１２１上に載っている。
【0124】
ＣＷＡＣ動作が終了すると、ピンアップ自動洗浄動作が実施される。ピンアップ自動洗浄動作は、図１Ａに関して上述のＰＥＲ ＷＡＣ動作を含む。ピンアップ自動洗浄動作中、ＰＥＲ ＷＡＣ動作を実施するための１つまたは複数のプロセスガスがプラズマチャンバ２０２（図２Ａ）に供給される前に、基板Ｓ１が持ち上げられてチャック１０６の上面１２１よりも上になる。例えば、ピンアップ自動洗浄動作中、プロセッサ１１４は、リフト命令を生成してドライバシステム３２２に送信する。ドライバシステム３２２は、リフト命令が受信されると、１つまたは複数の電流信号を生成する。モータシステム３２４のモータは、１つまたは複数の電流信号がドライバシステム３２２から受信されると回転する。また、モータシステム３２４のモータが回転すると、リフトピン３２６Ａおよび３２６Ｂが垂直方向に持ち上げられてチャック１０６の上面１２１よりも上の高さに延び、ダミー基板Ｓ１を上面１２１よりも上に持ち上げる。ダミー基板Ｓ１は、持ち上げられると、チャック１０６の上面１２１上に載っていないが上面１２１の上にある。例えば、ダミー基板Ｓ１が上面１２１よりも上に持ち上げられると、ダミー基板Ｓ１と上面１２１との間にギャップ３２６または空間が存在する。
【0125】
ＣＷＡＣ動作とピンアップ自動洗浄動作との間には、プラズマチャンバ２０２（図２Ａ）から基板Ｓ１を取り外す必要はない。むしろ、基板Ｓ１は、ＣＷＡＣ動作の後、かつピンアップ自動洗浄動作の前に、チャック１０６の上面１２１よりも上に持ち上げられる。基板Ｓ１は、ＰＥＲ ＷＡＣ動作中は持ち上げられたままで、ピンアップ自動洗浄動作を実施する。ＣＷＡＣ動作とピンアップ動作の両方は、プラズマチャンバ２０２内の基板Ｓ１を用いて実施することができる。例えば、ＣＷＡＣ動作が、プラズマチャンバ２０２をプレコートしてプラズマチャンバ２０２を準備し、プラズマチャンバ２０２内の基板を処理するように使用された後、エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８からの残留物は、ダミー基板Ｓ１を除去することなくＰＥＲ ＷＡＣ動作を使用して洗浄される。プレコート動作中、プラズマチャンバ２０２の壁ＳＷ、ＢＷ、およびＴＷは、ＣＷＡＣ動作中に生成されるプラズマの残留物でコーティングされる。
【0126】
さらに、チャック１０６は、基板Ｓ１がチャック１０６の上面１２１上に載置されていない状態でのＰＥＲ ＷＡＣ動作中に発生するチャック１０６の摩耗量と比較して、ピンアップ自動洗浄動作中の摩耗が少ない。基板Ｓ１は、ピンアップ自動洗浄動作中にチャック１０６の上部に生成されるプラズマからチャック１０６を保護する。
【0127】
図３Ｃは、図３Ｂを参照して上述された、ＣＷＡＣ動作に続くピンアップ自動洗浄動作を例示するシステム３２０の一実施形態の図である。例えば、ピンアップ自動洗浄動作は、ＣＷＡＣ動作の次に実施される。ピンアップ自動洗浄動作は、図１Ｂまたは図２Ａ～図２Ｅを参照して上述のＰＥＲ ＷＡＣ動作を含む。例えば、図１Ｂまたは図２Ａ～図２Ｅを参照して上述のＰＥＲ ＷＡＣ動作中、ＲＦ信号１３２に加えてＲＦ信号１７０が生成される。ＲＦ信号１７０に基づいて出力された修正されたＲＦ信号１７２は、ＲＦ伝送ライン１６８を介してチャック１０６に供給され、ＲＦ信号１３２に基づいて生成された修正されたＲＦ信号１３４は、ＲＦコネクタ１２８を介してエッジリング１０２に供給される。さらに、ピンアップ自動洗浄動作中、ＰＥＲ ＷＡＣ動作を実施するための１つまたは複数のプロセスガスがプラズマチャンバ２０２（図２Ａ）に供給される前に、基板Ｓ１は、チャック１０６の上面１２１よりも上になるように持ち上げられ、基板Ｓ１の底面とチャック１０６の上面１２１との間にギャップ３２６を形成する。基板Ｓ１は、ＰＥＲ ＷＡＣ動作中は持ち上げられたままで、ピンアップ自動洗浄動作を実施する。
【0128】
図４は、ＰＥＲ ＷＡＣ動作中、上部電極延長部２１２の底面４０４の下に堆積された残留物４０２が除去されることを例示するシステム４００の一実施形態の図である。システム４００のプラズマチャンバ２０２は、シャワーヘッド２１０（図２Ａ）の上部電極４０８を含む。プラズマチャンバ２０２は、シャワーヘッド２１０の上部電極４０８などの部分の周りに配置されるかまたはそれを囲む上部電極延長部２１２をさらに含む。上部電極４０８は、ケイ素または炭化ケイ素から作製される。システム４００は、上部電極延長部２１２の周りに配置されるかまたはそれを囲むＣシュラウド２１４を含む。
【0129】
プラズマチャンバ２０２は、チャック１０６を含む。チャック１０６の上面１２１は、シャワーヘッド２１０からギャップ２１９を横切って、シャワーヘッド２１０の底面に面するように位置する。エッジリング１０２は、チャック１０６の上部４１６の周りに配置されるかまたはそれを囲む。
【0130】
また、プラズマチャンバ２０２は、エッジリング１０２の下に位置し、チャック１０６の底部４１８の周りに配置されるかまたはそれを囲む結合リング４１０を含む。例えば、結合リング４１０は、エッジリング１０２に隣接して位置する。底部４１８は、上部４１６の隣および下の部分である。結合リング４１０は、電気絶縁材料、例えば、誘電体材料、セラミック、ガラス、複合ポリマー、酸化アルミニウムなどから作製される。
【0131】
プラズマチャンバ２０２は、１つまたは複数の絶縁体リング４１２を含み、これらは、エッジリング１０２および結合リング４１０の周りに配置されるかまたはそれらを囲む。１つまたは複数の絶縁体リング４１２の各々は、石英または別の誘電体などの電気絶縁材料から作製される。また、プラズマチャンバ２０２は、１つまたは複数の絶縁体リング４１２の底部を囲む複数の接地リング４１４を含む。複数の接地リング４１４の各々は、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの金属から作製される。
【0132】
さらに、プラズマチャンバ２０２は、ギャップ２１９内で生成されたプラズマのＲＦ電力から接地リング４１４を保護するために、接地リング４１４の上部に重ねられるカバーリング４２０、例えば、石英カバーリング、誘電体カバーリングなどを含む。カバーリング４２０は、１つまたは複数の絶縁体リング４１２の上部を囲む。１つまたは複数の絶縁体リング４１２の上部は、１つまたは複数の絶縁体リング４１２の底部の上にある。Ｃシュラウド２１４は、カバーリング４２０、上部電極延長部２１２、およびギャップ２１９の周りに配置されるかまたはそれらを囲む。
【0133】
図１Ａまたは図１Ｂまたは図２Ａ～図２Ｅを参照して上述のＰＥＲ ＷＡＣ動作中、上部電極延長部２１２の底面４０４の下におよび隣接して堆積された残留物４０２は、ギャップ２１９内のプラズマによって洗浄される（例えば、除去または低減される）。プラズマは、修正されたＲＦ信号１３４のＲＦ電力がエッジリング１０２に供給され、ＰＥＲ ＷＡＣ動作のための１つまたは複数のプロセスガスがプラズマチャンバ２０２に供給されると、ギャップ２１９内で生成される。
【0134】
一実施形態では、上部電極延長部２１２は、シャワーヘッド２１０の一部であり、シャワーヘッド２１０内に位置する。
【0135】
一実施形態では、Ｃシュラウドの代わりに、閉じ込めリングがプラズマチャンバ２０２内で使用される。例えば、閉じ込めリングは、上部電極延長部２１２、ギャップ２１９、およびカバーリング４２０の周りに配置されるかまたはそれらを囲み、ギャップ２１９を取り囲む。
【0136】
一実施形態では、１つまたは複数の絶縁体リングが、上部電極４０８と上部電極延長部２１２との間に位置する。同様に、一実施形態では、１つまたは複数の絶縁体リングが、上部電極延長部２１２とＣシュラウド２１４との間に配置される。
【0137】
図５Ａは、エッジリング１０２が、２つの別々の場所５０２および５０４または領域もしくは点で修正されたＲＦ信号１３４からＲＦ電力を提供されることを例示するシステム５００の一実施形態の図である。場所５０２は、場所５０４の向かい側にあり、エッジリング１０２の底面１１９全体に対称的に分布している。例えば、場所５０２および５０４は、エッジリング１０２の重心５１０から測定して、１８０度または約１８０度、例えば１７５度～１８５度互いに離れている。
【0138】
ＲＦコネクタ１２８は、点５０８または領域または場所で２つのＲＦコネクタ５０６Ａおよび５０６Ｂに結合される。ＲＦコネクタの一例には、スリーブによって囲まれた同軸ケーブルまたはスリーブによって囲まれたピンが挙げられる。ＲＦコネクタ５０６Ａは、エッジリング１０２の底面１１９で場所５０２に結合され、ＲＦコネクタ５０６Ｂは、底面１１９で場所５０４に結合される。
【0139】
修正されたＲＦ信号１３４は、点５０８で２つの修正されたＲＦ信号５０８Ａおよび５０８Ｂに分割される。修正されたＲＦ信号５０８ＡからのＲＦ電力は、ＲＦコネクタ５０６Ａを介して場所５０２に転送され、修正されたＲＦ信号５０８ＢからのＲＦ電力は、ＲＦコネクタ５０６Ｂを介して場所５０４に転送される。このようにして、修正されたＲＦ信号１３４のＲＦ電力は、エッジリング１０２全体に対称的または均等に分配される。
【0140】
図５Ｂは、エッジリング１０２が、３つの別々の場所５０２、５３２、および５３４または領域もしくは点で修正されたＲＦ信号１３４からＲＦ電力を提供されることを例示するシステム５３０の一実施形態の図である。場所５０２、５３２、および５３４は、エッジリング１０２の底面１１９全体に対称的に分布している。例えば、場所５０２、５３２、および５３４のうちの任意の２つの隣接する場所は、エッジリング１０２の重心５１０から測定して、６０度または約６０度、例えば５５度～６５度互いに離れている。例示すると、場所５３２は、場所５０２から６０度または約６０度離れており、場所５３４は、場所５３２から６０度または約６０度離れている。
【0141】
ＲＦコネクタ１２８は、点５０８または領域または場所で３つのＲＦコネクタ５４０Ａ、５４０Ｂ、および５４０Ｃに結合される。ＲＦコネクタ５４０Ａは、底面１１９で場所５０２に結合され、ＲＦコネクタ５４０Ｂは、底面１１９で場所５０４に結合され、ＲＦコネクタ５４０Ｃは、底面１１９で場所５３２に結合される。
【0142】
修正されたＲＦ信号１３４は、点５０８で３つの修正されたＲＦ信号５３６Ａ、５３６Ｂ、および５３６Ｃに分割される。修正されたＲＦ信号５３６ＡからのＲＦ電力は、ＲＦコネクタ５４０Ａを介して場所５０２に転送され、修正されたＲＦ信号５３６ＢからのＲＦ電力は、ＲＦコネクタ５４０Ｂを介して場所５０４に転送され、修正されたＲＦ信号５３６ＣからのＲＦ電力は、ＲＦコネクタ５４０Ｃを介して場所５３２に転送される。このようにして、修正されたＲＦ信号１３４のＲＦ電力は、エッジリング１０２全体に対称的または均等に分配される。
【0143】
一実施形態では、エッジリング１０２は、２つまたは３つではなく、４つまたは５つまたは６つなど、任意の他の数の場所でＲＦ電力を受け取る。
【0144】
図６Ａは、ＲＦコネクタ１２８（図１Ａ）、またはＲＦコネクタ５０６Ａ（図５Ａ）、またはＲＦコネクタ５０６Ｂ（図５Ａ）、またはＲＦコネクタ５４０Ａ（図５Ｂ）、またはＲＦコネクタ５４０Ｂ（図５Ｂ）、またはＲＦコネクタ５４０Ｃ（図５Ｂ）の例であるＲＦコネクタ６０を例示するシステム６００の一実施形態の図である。ＲＦコネクタ６０２は、スリーブ６０６によって囲まれた電源ピン６０４を含む。電源ピン６０４は、金属から作製される。絶縁体６０８が、電源ピン６０４とスリーブ６０６との間にある。電源ピン６０４は、スリーブ６０６によって囲まれた絶縁体６０８によって囲まれる。スリーブ６０６は、電源ピン６０４を覆い、電源ピン６０４の周囲の電界から電源ピン６０４を絶縁する。スリーブ６０６は、電気絶縁材料、例えば、プラスチック、ガラス、プラスチックとガラスの組み合わせなどから作製される。
【0145】
電源ピン６０４の先端６１０は、スリーブ６０６から延び、エッジリング１１９の底面１１９に接触する。先端６１０は、スリーブ６０６から延びる。修正されたＲＦ信号（例えば、修正されたＲＦ信号１３４（図１Ａ）または修正されたＲＦ信号５０８Ａ（図５Ａ）または修正されたＲＦ信号５０８Ｂ（図５Ａ）または修正されたＲＦ信号５３６Ａ（図５Ｂ）または修正されたＲＦ信号５３６Ｂ（図５Ｂ）または修正されたＲＦ信号５３６Ｃ（図５Ｂ））は、電力ピン６０４を介してエッジリング１０２の底面１１９に供給され、ＲＦ電力をエッジリング１１９に提供する。
【0146】
一実施形態では、電源ピン６０４の代わりに、同軸ケーブルが使用される。
【0147】
図６Ｂは、先端６１０がエッジリング１０２の底面１１９（図６Ａ）内に形成されたスロット６２２または溝またはノッチ内に延びることを例示するシステム６２０の一実施形態の図である。スロット６２２は、底面１１９内に形成され、エッジリング１０２の内側底面６２４、エッジリング１０２の垂直面６２６、エッジリング１０２の水平面６２８、エッジリング１０２の垂直面６３０、およびエッジリング１０２の外側底面６３２を形成する。
【0148】
垂直面６２６は、内側底面６２４に対して垂直または実質的に垂直である。さらに、水平面６２８は、垂直面６２６に対して垂直または実質的に垂直である。また、垂直面６３０は、水平面６２８に対して垂直または実質的に垂直である。外側底面６３２は、垂直面６３０に対して垂直または実質的に垂直である。一例として、別の表面に対して８５～９５度の角度を形成する表面は、他の表面に対して実質的に垂直である。水平面６２８は、内側底面６２４および外側底面６３２の高さよりも上であるが、内側上面部分１０９の高さよりも下の高さにある。
【0149】
垂直面６２６は、内側底面６２４に隣接し、水平面６２８は、垂直面６２６に隣接している。また、垂直面６３０は、水平面６２８に隣接し、外側底面６３２は、垂直面６３０に隣接している。スロット６２２は、垂直面６２６、水平面６２８、および垂直面６３０によって３つの側面が囲まれる。
【0150】
先端６１０は、スロット６２２内に延びて水平面６２８に接触する。例えば、先端６１０の高さは、水平面６２８に接続してＲＦ電力をエッジリング１０２に提供するために、内側底面６２４および外側底面６３２の高さよりも上にある。
【0151】
一実施形態では、スロット６２２は、半円形であるか、多角形であるか、三角形であるか、またはドーム形である。例えば、垂直面６２６および６３０ならびに水平面６２８の代わりに、ドーム形の溝がエッジリング１０２の底壁１１９内に形成される。
【0152】
図７Ａは、基板Ｓ２の処理を例示するシステム７００の一実施形態の図である。基板Ｓ１（図３Ａ）とは異なり、基板Ｓ２は、エッチングなどの処理がされるか、または材料が堆積されるか、またはスパッタリングもしくは洗浄されるケイ素ウエハである。例えば、１つまたは複数の集積回路が基板Ｓ２上に製作され、基板Ｓ１上での集積回路の製作は行われない。
【0153】
システム７００は、ＲＦ発生器システム７０２、インピーダンス整合回路７０８、ホストコンピューティングデバイス１１２、ガス供給部２０４、弁システム２０６、およびプラズマチャンバ２０２を含む。ＲＦ発生器システム７０２は、ＲＦ発生器１５２（図２Ｄ）などの１つまたは複数のＲＦ発生器を含む。例えば、ＲＦ発生器システム７０２は、２ＭＨｚの動作周波数を有するＲＦ発生器と、２７ＭＨｚの動作周波数を有する別のＲＦ発生器と、ＲＦ発生器１５２とを含む。別の例として、ＲＦ発生器システム７０２は、２ＭＨｚの動作周波数を有するＲＦ発生器と、２７ＭＨｚの動作周波数を有する別のＲＦ発生器とを含む。さらに別の例として、ＲＦ発生器システム７０２は、４００ｋＨｚの動作周波数を有するＲＦ発生器と、２ＭＨｚの動作周波数を有する別のＲＦ発生器と、ＲＦ発生器１５２とを含む。
【0154】
ＲＦ発生器システム７０２の各ＲＦ発生器は、ＲＦ電源を含む。したがって、ＲＦ発生器システム７０２は、１つまたは複数のＲＦ電源７０４を含む。ＲＦ発生器システム７０２の１つまたは複数の電源７０４は、ＲＦケーブルシステム７０６を介してインピーダンス整合回路７０８に結合される。例えば、１つまたは複数のＲＦ電源７０４の各電源は、それぞれのＲＦケーブルを介してインピーダンス整合回路７０８のそれぞれの入力に結合される。例示すると、１つまたは複数のＲＦ電源７０４の第１のＲＦ電源は、第１のＲＦケーブルを介してインピーダンス整合回路７０８の第１の入力に結合され、１つまたは複数のＲＦ電源７０４の第２のＲＦ電源は、第２のＲＦケーブルを介してインピーダンス整合回路７０８の第２の入力に結合され、１つまたは複数のＲＦ電源７０４の第３のＲＦ電源は、第３のＲＦケーブルを介してインピーダンス整合回路７０８の第３の入力に結合される。
【0155】
インピーダンス整合回路７０８の出力は、ＲＦ伝送ライン１６８を介してチャック１０６の下部電極に結合される。また、プロセッサ１１４は、１つまたは複数の接続ケーブルを介してＲＦ発生器システム７０２の１つまたは複数のＲＦ発生器に結合される。例えば、プロセッサ１１４は、第１の接続ケーブルを介してＲＦ発生器システム７０２の第１のＲＦ発生器に結合され、第２の接続ケーブルを介してＲＦ発生器システム７０２の第２のＲＦ発生器に結合され、第３の接続ケーブルを介してＲＦ発生器システム７０２の第３のＲＦ発生器に結合される。
【0156】
基板Ｓ２を処理するために、プロセッサ１１４は、基板Ｓ２を処理するための１つまたは複数のプロセスガスがガスラインシステムの部分２１８Ａ、弁システム２０６、および部分２１８Ｂを介してシャワーヘッド２１０に供給されるように、弁システム２０６を制御する。以下に説明される、基板Ｓ２または別の基板（例えばＳ３）を処理するための１つまたは複数のプロセスガスの例には、Ｏ2などの酸素含有ガスが挙げられる。基板Ｓ２およびＳ３を処理するための１つまたは複数のプロセスガスの他の例には、テトラフルオロメタン（ＣＦ4）、六フッ化硫黄（ＳＦ6）、およびヘキサフルオロエタン（Ｃ2Ｆ6）などのフッ素含有ガスが挙げられる。
【0157】
また、基板Ｓ２を処理するために、プロセッサ１１４は、１つまたは複数の接続ケーブルを介して、ＲＦ発生器システム７０４の１つまたは複数のＲＦ発生器の各々についての周波数および電力などのパラメータの値を提供する。パラメータを受信すると、ＲＦ発生器システム７０２の１つまたは複数のＲＦ発生器は、１つまたは複数のＲＦ信号７１０を生成する。例えば、１つまたは複数のＲＦ電源７０４は、１つまたは複数のＲＦ信号７１０を生成して供給する。例示すると、第１のＲＦ電源は、第１のＲＦ信号を生成して供給し、第２のＲＦ電源は、第２のＲＦ信号を生成して供給し、第３のＲＦ電源は、第３のＲＦ信号を生成して供給する。
【0158】
１つまたは複数のＲＦ信号７１０は、１つまたは複数のＲＦケーブル７０６を介してインピーダンス整合回路７０８の１つまたは複数の入力に転送される。例えば、第１のＲＦ信号は、第１のＲＦケーブルを介してインピーダンス整合回路７０８の第１の入力に転送され、第２のＲＦ信号は、第２のＲＦケーブルを介してインピーダンス整合回路７０８の第２の入力に転送され、第３のＲＦ信号は、第３のＲＦケーブルを介してインピーダンス整合回路７０８の第３の入力に転送される。
【0159】
インピーダンス整合回路７０８は、１つまたは複数のＲＦ信号７１０を受信し、インピーダンス整合回路７０８の出力に結合された負荷のインピーダンスを、インピーダンス整合回路７０８の１つまたは複数の入力に結合されたソースのインピーダンスと整合させ、修正されたＲＦ信号７１２を出力する。例えば、インピーダンス整合回路７０８は、第１のＲＦケーブルおよびインピーダンス整合回路７０８を介して第１のＲＦ信号を受信し、第２のＲＦケーブルおよびインピーダンス整合回路７０８を介して第２のＲＦ信号を受信し、第３のＲＦケーブルおよびインピーダンス整合回路７０８を介して第３のＲＦ信号を受信し、第１、第２、および第３のＲＦ信号を組み合わせ、第１のＲＦ信号のインピーダンス、第２のＲＦ信号のインピーダンス、および第３のＲＦ信号のインピーダンスを修正し、インピーダンス整合回路７０８の出力で第１、第２、および第３のＲＦ信号を組み合わせる。第１のＲＦ信号は、インピーダンス整合回路７０８の第１の分岐回路を通過し、第２のＲＦ信号は、インピーダンス整合回路７０８の第２の分岐回路を通過し、第３のＲＦ信号は、インピーダンス整合回路７０８の第３の分岐回路を通過する。インピーダンス整合回路７０８の出力に結合された負荷の一例には、プラズマチャンバ２０２およびＲＦ伝送ライン１６８が挙げられ、インピーダンス整合回路７０８の入力に結合されたソースの一例には、ＲＦ発生器システム７０２および１つまたは複数のＲＦケーブル７０６が挙げられる。
【0160】
修正されたＲＦ信号７１２は、ＲＦ伝送ライン１６８を介してチャック１０６の下部電極に転送される。修正されたＲＦ信号７１２および基板Ｓ２を処理するための１つまたは複数のプロセスガスがプラズマチャンバ２０２に供給されると、プラズマはギャップ２１９内で打たれて基板Ｓ２を処理する。基板Ｓ２の処理中、上部電極４０８は、接地電位に結合されることに留意されたい。基板Ｓ２の処理の終了中、プロセッサ１１４は、弁システム２０６を制御して基板Ｓ２を処理するための１つまたは複数のプロセスガスの供給または流れをオフにし、ＲＦＧシステム７０２を制御して１つまたは複数のＲＦ信号７１０の供給を停止する。また、基板Ｓ２が処理されると、基板Ｓ２は、プラズマチャンバ２０２の側壁ＳＷを通って延びるスロットなどの開口部を介してプラズマチャンバ２０２から除去される。
【0161】
一実施形態では、接地電位に結合される代わりに、上部電極４０８は、インピーダンス整合回路の出力から修正されたＲＦ信号を受信する。インピーダンス整合回路は、１つまたは複数のＲＦケーブルを介して結合され、１つまたは複数のＲＦ発生器から１つまたは複数のＲＦ信号を受信する。
【0162】
一実施形態では、上部電極延長部２１２とエッジリング１０２の両方は、基板Ｓ２の処理中に接地電位に結合される。
【0163】
一実施形態では、基板の処理中にプロセッサ１１４からＲＦ発生器システム７０２に提供されるパラメータの値は、エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８内の残留物を除去または低減するための洗浄動作中にプロセッサ１１４からＲＦ発生器１２２（図２Ａ）に提供されるパラメータの値、およびプロセッサ１１４からＲＦ発生器１５２（図２Ｂ）に提供されるパラメータの値とは異なる。例えば、より大きな電力レベルを有するＲＦ信号を生成するために、より大きな電力レベルがプロセッサ１１４からＲＦ発生器システム７０２に提供される。電力レベルは、プロセッサ１１４からＲＦ発生器１５２（図２Ａ）に提供される電力レベルおよび／またはプロセッサ１１４からＲＦ発生器１２２に提供される電力レベルよりも大きい。別の例として、より低い電力レベルを有するＲＦ信号を生成するために、より低い電力レベルがプロセッサ１１４からＲＦ発生器システム７０２に提供される。電力レベルは、プロセッサ１１４からＲＦ発生器１５２（図２Ａ）に提供される電力レベルおよび／またはプロセッサ１１４からＲＦ発生器１２２に提供される電力レベルよりも小さい。
【0164】
図７Ｂは、図７Ａを参照して上述の方法を使用して基板Ｓ２を処理した後のエッジリング１０２の洗浄を例示するシステム７２０の一実施形態の図である。エッジリング１０２は、エッジリングポケット１３０内の残留物および／またはギャップ１３８（図１Ｃ）内の残留物が除去または低減されたときに洗浄される。システム７２０は、ホストコンピューティングデバイス１１２、ＲＦ発生器１２２、インピーダンス整合回路１０８、プラズマチャンバ１２２、ガス供給部２０４、および弁システム２０６を含む。
【0165】
図７Ａを参照して上に示した方法を使用して基板Ｓ２が処理された後、エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８（図１Ｃ）内の残留物が除去または低減される。例えば、図１Ａまたは図１Ｂまたは図２Ａ～図２Ｅを参照して上に示したＰＥＲ ＷＡＣ動作が実施される。例示すると、プロセッサ１１４は、エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８（図１Ｃ）内の残留物を除去または低減するための１つまたは複数のプロセスガスが、ガスラインシステムの部分２１８Ａ、弁システム２０６、およびガスラインシステムの部分２１８Ｂを介してシャワーヘッド２１０に供給されるように弁システム２０６を制御する。さらに例示すると、プロセッサ１１４は、弁システム２０６の１つまたは複数の弁を制御して開き、エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８内の残留物を除去または低減するための１つまたは複数のプロセスガスを、ガスラインシステムの部分２１８Ａ、弁システム２０６、およびガスラインシステムの部分２１８Ｂを介してシャワーヘッド２１０（図２Ａ）の１つまたは複数のゾーンに供給する。別の例として、図３Ａを参照して上述のＣＷＡＣおよびＰＥＲ ＷＡＣ動作が実施される。さらに別の例として、図３Ｂまたは図３Ｃを参照して上述のＣＷＡＣ動作およびピンアップ自動洗浄動作が実施される。エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８（図１Ｃ）内の残留物を除去または低減するプロセス中、上部電極延長部２１２は接地電位に結合され、上部電極４０８も接地電位に結合される。
【0166】
一実施形態では、エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８（図１Ｃ）内の残留物を除去または低減するプロセス中、接地電位に結合される代わりに、上部電極延長部２１２は、インピーダンス整合回路の出力から修正されたＲＦ信号を受信する。インピーダンス整合回路は、１つまたは複数のＲＦケーブルを介して結合され、１つまたは複数のＲＦ発生器から１つまたは複数のＲＦ信号を受信する。
【0167】
一実施形態では、エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８（図１Ｃ）内の残留物を除去または低減するプロセス中、接地電位に結合される代わりに、上部電極４０８は、インピーダンス整合回路の出力から修正されたＲＦ信号を受信する。インピーダンス整合回路は、１つまたは複数のＲＦケーブルを介して結合され、１つまたは複数のＲＦ発生器から１つまたは複数のＲＦ信号を受信する。
【0168】
図７Ｃは、図７Ｂを参照して上述の洗浄動作を実施した後の基板Ｓ３の処理を例示するシステム７００の一実施形態の図である。基板Ｓ３は、基板Ｓ３がダミー基板ではなく、１つまたは複数の集積回路がその上に製作される基板であるという点で、基板Ｓ２と同様である。基板Ｓ３は、プラズマチャンバ２０２の側壁ＳＷの開口部を介してプラズマチャンバ２０２に挿入される。プロセッサ１１４は、プロセッサ１１４が弁システム２０６およびＲＦ発生器システム７０２を制御して基板Ｓ２（図７Ａ）を処理するのと同じ方式で、弁システム２０６およびＲＦ発生器システム７０２を制御して基板Ｓ３を処理する。例えば、１つまたは複数のプロセスガスがシャワーヘッド２１０に供給され、修正されたＲＦ信号７１２がチャック１０６の下部電極に供給されて基板Ｓ３を処理する。
【0169】
図７Ｄは、エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８からの残留物の洗浄を例示するシステム７２０の一実施形態の図である。エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８（図３Ａ）の残留物を洗浄する動作は、図７Ｃを参照して上述の方法を使用して基板Ｓ３を処理した後に実施される。洗浄の動作は、図７Ｂを参照して上述したのと同じ方式で実施される。
【0170】
エッジリングポケット１３０およびギャップ１３８（図３Ａ）から残留物を洗浄することによって、洗浄間の平均時間（ＭＴＢＣ）が増加する。例えば、プラズマチャンバ２０２の構成要素を洗浄するために、プラズマチャンバ２０２の上壁ＴＷまたは上部カバーを開く必要はない。例示すると、図７Ａおよび図７Ｃを参照して上述の約４００ＲＦ時間の処理動作は、プラズマチャンバ２０２を開いて構成要素を洗浄する前に実施することができる。
【0171】
本明細書に記載の実施形態は、ハンドヘルドハードウェアユニット、マイクロプロセッサシステム、マイクロプロセッサベースまたはプログラム可能な家庭用電化製品、ミニコンピュータ、メインフレームコンピュータなどを含む様々なコンピュータシステム構成で実践することができる。本明細書に記載の実施形態は、コンピュータネットワークを介してリンクされたリモート処理ハードウェアユニットによってタスクが実施される分散コンピューティング環境でも実践することができる。
【0172】
いくつかの実施態様では、コントローラは、上述の例の一部であり得るシステムの一部である。そのようなシステムは、１つまたは複数の処理ツール、１つまたは複数のチャンバ、１つまたは複数の処理用プラットフォーム、および／または特定の処理構成要素（ウエハ台座、ガス流システムなど）を含む半導体処理装置を含む。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および処理後の動作を制御するための電子機器と一体化される。そのような電子機器は「コントローラ」と呼ばれることがあり、システムの様々な構成要素または副部品を制御してもよい。コントローラは、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、本明細書に開示されるプロセスのいずれかを制御するようにプログラムされる。そのようなプロセスとしては、処理ガスの送給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、ＲＦ発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体送給設定、位置および動作設定、ツールに対するウエハの搬入と搬出、ならびに、システムに接続または連動する他の搬送ツールおよび／またはロードロックに対するウエハの搬入と搬出が含まれる。
【0173】
広義には、様々な実施形態において、コントローラは、命令を受信し、命令を発行し、動作を制御し、洗浄動作を可能にし、エンドポイント測定を可能にするなどの様々な集積回路、論理、メモリ、および／またはソフトウェアを有する電子機器として定義される。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェアの形式のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、ＡＳＩＣとして定義されたチップ、ＰＬＤ、１つまたは複数のマイクロプロセッサ、すなわちプログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行するマイクロコントローラを含む。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形式でコントローラに通信される命令であって、プロセスを半導体ウエハ上で、または半導体ウエハ用に実施するための動作パラメータを定義する。動作パラメータは、いくつかの実施形態では、１つまたは複数の層、材料、金属、酸化物、ケイ素、二酸化ケイ素、表面、回路、および／またはウエハダイの製作における１つまたは複数の処理ステップを実現するためプロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部である。
【0174】
コントローラは、いくつかの実施態様では、システムと統合または結合されるか、他の方法でシステムにネットワーク接続されるコンピュータの一部であり、またはそのようなコンピュータに結合され、またはそれらの組み合わせである。例えば、コントローラは、「クラウド」内にあり、ファブホストコンピュータシステムのすべてもしくは一部である。これにより、ウエハ処理のリモートアクセスが可能となる。コントローラは、システムへのリモートアクセスを可能にして、製作動作の現在の進捗状況を監視し、過去の製作動作の履歴を検討し、複数の製作動作から傾向または性能基準を検討し、現在の処理のパラメータを変更し、現在の処理に続く処理ステップを設定するか、または新しいプロセスを開始する。
【0175】
いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）は、コンピュータネットワークを通じてプロセスレシピをシステムに提供する。そのようなコンピュータネットワークは、ローカルネットワークまたはインターネットを含む。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定のエントリまたはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含み、そのようなパラメータおよび／または設定は、その後リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例では、コントローラは、ウエハを処理するための設定の形式で命令を受信する。設定は、ウエハ上で実施されるプロセスのタイプ、およびコントローラがインターフェースまたは制御するツールのタイプに固有であることを理解されたい。したがって、上述したように、コントローラは、例えば、互いにネットワーク接続され共通の目的（本明細書で説明される実行プロセスなど）に向けて協働する１つまたは複数の個別のコントローラを含むことによって分散される。このような目的のための分散型コントローラの例として、チャンバ上の１つまたは複数の集積回路であって、（例えば、プラットフォームレベルで、またはリモートコンピュータの一部として）遠隔配置されておりチャンバにおけるプロセスを制御するよう組み合わせられる１つまたは複数の集積回路と通信するものが挙げられる。
【0176】
様々な実施形態において、システムは、プラズマエッチングチャンバ、堆積チャンバ、スピンリンスチャンバ、金属めっきチャンバ、洗浄チャンバ、ベベルエッジエッチングチャンバ、物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバ、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバ、イオン注入チャンバ、追跡チャンバ、ならびに半導体ウエハの製作および／または製造に関連するか使用される任意の他の半導体処理チャンバを含むが、これらに限定されない。
【0177】
上述の動作は、平行プレートプラズマチャンバ、例えば、容量結合プラズマチャンバなどを参照して説明されているが、いくつかの実施形態では、上述の動作は、他のタイプのプラズマチャンバ、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）リアクタを含むプラズマチャンバ、トランス結合プラズマ（ＴＣＰ）リアクタ、導体ツール、誘電体ツール、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）リアクタを含むプラズマチャンバなどに適用されることにさらに留意されたい。例えば、Ｘ ＭＨｚ ＲＦ発生器、Ｙ ＭＨｚ ＲＦ発生器、およびＺ ＭＨｚ ＲＦ発生器は、ＩＣＰプラズマチャンバ内のインダクタに結合される。
【0178】
上述のように、ツールによって実施されるプロセス動作に応じて、コントローラは、１つまたは複数の他のツール回路もしくはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近接するツール、工場全体に位置するツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、または半導体製造工場内のツール場所および／もしくはロードポートに対してウエハの容器を搬入および搬出する材料搬送に使用されるツールと通信する。
【0179】
上記の実施形態を念頭に置いて、実施形態のいくつかは、コンピュータシステムに記憶されたデータを伴う様々なコンピュータ実装動作を用いることを理解されたい。これらのコンピュータ実装動作は、物理量を操作する動作である。
【0180】
実施形態のいくつかはまた、これらの動作を実施するためのハードウェアユニットまたは装置に関する。装置は、専用コンピュータ用に特別に構築されている。専用コンピュータとして定義されるとき、コンピュータは、その専用の目的のために動作可能でありつつ、専用の目的の一部ではない他の処理、プログラム実行、またはルーチンを実施する。
【0181】
いくつかの実施形態では、本明細書に記載の動作は、コンピュータメモリに記憶されるかコンピュータネットワークを介して取得される１つもしくは複数のコンピュータプログラムによって、選択的にアクティブ化または構成されるコンピュータによって実施される。コンピュータネットワークを介してデータが取得される場合、そのデータは、コンピュータネットワーク上の他のコンピュータ（例えば、計算資源のクラウド）によって処理されてもよい。
【0182】
本明細書に記載の１つまたは複数の実施形態は、非一時的コンピュータ可読媒体上のコンピュータ可読コードとして製作することもできる。非一時的コンピュータ可読媒体は、データを記憶する任意のデータストレージハードウェアユニット（例えば、メモリデバイスなど）であり、データはその後コンピュータシステムによって読み取られる。非一時的コンピュータ可読媒体の例は、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、ＲＯＭ、ＲＡＭ、コンパクトディスクＲＯＭ（ＣＤ－ＲＯＭ）、ＣＤレコーダブル（ＣＤ－Ｒ）、ＣＤリライタブル（ＣＤ－ＲＷ）、磁気テープ、ならびに他の光学および非光学データストレージハードウェアユニットを含む。いくつかの実施形態では、非一時的コンピュータ可読媒体は、コンピュータ可読コードが分散方式で記憶および実行されるように、ネットワーク結合コンピュータシステム上に分散されたコンピュータ可読有形媒体を含む。
【0183】
上述のいくつかの方法動作は特定の順序で説明されたが、様々な実施形態において、各方法動作の間に他のハウスキーピング動作が実施されるか、または各方法動作がわずかに異なる時間に発生するように調整されるか、または各方法動作を様々な間隔で発生可能にするシステムに分散されるか、または上述の順序とは異なる順序で実施されることを理解されたい。
【0184】
一実施形態では、本開示で説明される様々な実施形態で説明される範囲から逸脱することなく、上述の任意の実施形態の１つまたは複数の特徴が任意の他の実施形態の１つまたは複数の特徴と組み合わされることにさらに留意されたい。
【0185】
前述の実施形態は、明確な理解のために多少詳しく説明されているが、一定の変更および修正を添付の特許請求の範囲の範囲内で実践できることは明らかであろう。したがって、本実施形態は、限定ではなく例示と見なされるべきであり、実施形態は本明細書に述べられる詳細に限定されるべきではなく、添付の特許請求の範囲および均等物の範囲内で修正されてもよい。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】