特許 7516370 メンブレンクリーニング装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-05

(45)【発行日】2024-07-16

(54)【発明の名称】メンブレンクリーニング装置

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/62 20120101AFI20240708BHJP

   G03F 1/82 20120101ALI20240708BHJP

   G03F 7/20 20060101ALI20240708BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20240708BHJP

【ＦＩ】

G03F1/62

G03F1/82

G03F7/20 521

H01L21/304 645C

H01L21/304 645Z

H01L21/304 646

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2021525612

(86)(22)【出願日】2019-11-22

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-01-18

(86)【国際出願番号】 EP2019082184

(87)【国際公開番号】W WO2020109152

(87)【国際公開日】2020-06-04

【審査請求日】2022-11-15

(31)【優先権主張番号】18208555.5

(32)【優先日】2018-11-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】19173742.8

(32)【優先日】2019-05-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】19180219.8

(32)【優先日】2019-06-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(73)【特許権者】

【識別番号】504151804

【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(72)【発明者】

【氏名】ニキペロフ，アンドレイ

(72)【発明者】

【氏名】クルロビッチ，ドミトリー

(72)【発明者】

【氏名】スブリッツァイ，ファビオ

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン デ ケルクホフ，マーカス，アドリアヌス

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン デル ワード，ティース，ウーター

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン デル ザンデ，ウィレム，ヨアン

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン ダイヴェンボード，ジェロエン

(72)【発明者】

【氏名】ヴレス，デイビッド，フェルディナンド

【審査官】今井 彰

(56)【参考文献】

【文献】特開平０９－２６０２４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭６０－０５７８４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１７／１８６４８６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００１－３００４５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－０８２６６６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０３Ｆ １／００－１／８６、７／２０－７／２４、９／００－９／０２

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７、２１／３０、２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

メンブレンからパーティクルを除去するためのメンブレンクリーニング装置であって、
前記メンブレンを支持するためのメンブレンサポートと、
前記メンブレンが前記メンブレンサポートによって支持されているとき、前記メンブレンの近くに電界を生成するための電界生成機構と、
を備え、
前記電界は、前記メンブレンサポートによって支持されているとき、前記メンブレンに機械的振動又は変形を誘発するように構成される、
メンブレンクリーニング装置。

【請求項2】

前記電界生成機構が、
１つ以上の電極と、
前記メンブレンサポートによって支持されるメンブレン、及び、前記１つ以上の電極又は前記１つ以上の電極の各々にわたって、電圧を印加するための機構と、を備える、請求項１に記載の装置。

【請求項3】

前記電界生成機構は、
励起電極と、
前記励起電極及び前記メンブレンサポートによって支持される前記メンブレンにわたって時変電圧を印加するための機構と、
を、備える、請求項１に記載の装置。

【請求項4】

前記時変電圧が、複数の時間的に離間したパルスを含む、請求書３に記載の装置。

【請求項5】

前記時変電圧が、一般的形状を有し、所望の励起スペクトルを達成するために選択（及び変更）可能な１つ以上のパラメータを有する、電圧波形を含む、請求項３又は請求項４に記載の装置。

【請求項6】

前記時変電圧が、時間的に離間したパルスの２つの順次列を含み、前記パルスの２つの列の極性は逆である、請求項３から５のいずれか一項に記載の装置。

【請求項7】

前記メンブレンサポートによって支持されている前記メンブレンの少なくとも一部に入射するパルス放射ビームを生成するように動作可能な、放射源、
をさらに備える、請求項１に記載の装置。

【請求項8】

前記電界生成機構が、前記メンブレンの局所部分にのみ振動を誘起するように動作可能である、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。

【請求項9】

前記電界生成機構が、前記メンブレンが前記メンブレンサポートによって支持されているとき、前記メンブレンの２つの反対表面の近くに電界を生成するように動作可能であり、前記メンブレンの前記２つの反対表面の近くの前記電界が、反対方向である、請求項１又は２に記載の装置。

【請求項10】

プラズマ生成機構を更に備える、請求項１、２、又は９に記載の装置。

【請求項11】

チャンバと、前記チャンバ内部の圧力を制御するように動作可能なポンプ装置とを、更に備え、前記メンブレンサポートが前記チャンバ内部に配設される、請求項１から１０のいずれかに記載の装置。

【請求項12】

メンブレンからパーティクルを除去するためのメンブレンクリーニング装置を動作させることを含み、
前記動作させることは、
前記メンブレンクリーニング装置のメンブレンサポートを用いてメンブレンを支持することと、
前記メンブレンクリーニング装置の電界生成機構を用いて、前記メンブレンサポートによって支持されているときに前記メンブレンの近傍に電界を生成することと、
を含み、
前記電界は、前記メンブレンサポートによって支持されているときに前記メンブレンに機械的振動または変形を誘発するように構成される、方法。

【請求項13】

メンブレンからパーティクルを除去するための方法であって、
前記パーティクルに荷電するために前記メンブレンの少なくとも１つの表面の近隣にプラズマを提供すること、及び、
これらの荷電されたパーティクルを前記メンブレンから離すために、前記メンブレンの少なくとも１つの表面の近くに電界を生成すること、
を含む、方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
[0001] 本願は、２０１８年１１月２７日出願の欧州特許出願第１８２０８５５５．５号、及び２０１９年５月１０日出願の欧州特許出願第１９１７３７４２．８号、及び２０１９年６月１４日出願の欧州特許出願第１９１８０２１９．８号の、優先権を主張し、これらはすべて、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

[0002] 本発明はメンブレンクリーニング装置及び関連付けられた方法に関する。装置及び方法は、リソグラフィ装置内で使用されるペリクルをクリーニングするための特定の適用例を有する。

【背景技術】

【0003】

[0003] リソグラフィ装置は、基板上に所望のパターンを適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えばマスク）上に提供されるパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上に提供される放射線感受性材料の層上に投影することができる。リソグラフィ装置は、集積回路の製造に使用することができる。

【0004】

[0004] 基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用することができる。この放射の波長は、基板上に形成可能なフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍの波長を有する、極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置を使用して、例えば、１９３ｎｍの波長を伴う放射を使用するリソグラフィ装置より基板上に小さなフィーチャを形成することができる。

【0005】

[0005] パターニングデバイス上に存在する望ましくないパーティクルは、放射ビームに付与されるパターンに寄与する可能性がある。リソグラフィ装置において、これは基板に付与されるパターン内のエラーにつながる可能性がある。したがって、パーティクルがパターニングデバイスに到達し、それによってパターニングデバイスを汚染することを防ぐことが重要である。パーティクルがパターニングデバイスに到達するのを防ぐために、リソグラフィ装置内のパターニングデバイスとパーティクル源との間にメンブレンを提供することが知られている。こうした目的で使用されるメンブレンは、当分野ではペリクルと呼ばれる。

【0006】

[0006] ペリクルはパターニングデバイスとは離間しているため、フィールド面内にはなく、したがってペリクル上に配設されるいずれのパーティクルも結像されない（したがって、基板に付与されるパターン内のエラーにも寄与しない）。しかしながら、ペリクル上のパーティクルは結果として基板の露光中に放射の吸収を増加させ、したがって、ペリクル上に局所的なホットスポットを生じさせることになり、これがペリクル不良につながる可能性がある。加えて、パターニングデバイスと向き合うペリクルの表面上のパーティクルがパターニングデバイスに転移し、それによって基板に付与されるパターンにエラーを生じさせる可能性がある。

【0007】

[0007] メンブレン（例えば、ペリクル）をクリーニングするための装置及び関連付けられた方法を提供することが望ましい可能性がある。

【発明の概要】

【0008】

[0008] 本発明の第１の態様によれば、メンブレンからパーティクルを除去するためのメンブレンクリーニング装置が提供され、装置は、メンブレンを支持するためのメンブレンサポートと、メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレンの近くに電界を生成するための電界生成機構とを備える。

【0009】

[0009] 本発明の第１の態様に従った装置は、電界を使用してメンブレンからパーティクルを除去することが可能な配置を提供する。使用中、メンブレンはメンブレンサポートによって支持することが可能である。メンブレンの表面からパーティクルを取り除くために、メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、電界生成機構を使用して、メンブレンの近くに電界を生成することができる。追加又は代替として、メンブレンの表面から離れてパーティクルを移送するために、メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、電界生成機構を使用して、メンブレンの近くに電界を生成することができる。

【0010】

[00010] 本明細書で使用される場合、電界生成機構は、電界の生成が可能な任意の装置を意味するものと意図されることを理解されよう。特に、電界生成機構という用語は、任意の可動部分を示唆するものとは意図されない。

【0011】

[00011] 電界生成機構は、１つ以上のコレクタ電極と、メンブレンサポートによって支持されるメンブレン、及び、１つ以上のコレクタ電極又は１つ以上のコレクタ電極の各々にわたって、電圧を印加するための機構とを、備え得る。

【0012】

[00012] これにより、メンブレンの近くに電界を生成するのに都合の良い機構が提供される。

【0013】

[00013] 装置は、メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレン内に機械的振動を誘起するための機構を備えることができる。

【0014】

[00014] 有利なことに、こうした配置は、次に論じるように、相対的に薄く柔軟であり得るメンブレンのクリーニングに特に適切である。

【0015】

[00015] メンブレン内に機械的振動を誘起するための機構は、メンブレン上にあるパーティクル内に機械的振動を誘起することにもなる。メンブレン上にあるこうしたパーティクルの振動は、メンブレンからパーティクルを除去するのに十分な大きさであり得る。機械的振動を誘起するための機構によって除去されるいかなるこうしたパーティクルも、電界生成機構によって生成される電界によってメンブレンから離れて移送され得る。

【0016】

[00016] 機械的振動を誘起するための機構は、パルス静電気圧を介して機械的振動を誘起し得る。

【0017】

[00017] メンブレン内に機械的振動を誘起するための機構は、メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、励起電極と、励起電極及びメンブレンサポートによって支持されるメンブレンにわたって時変電圧を印加するための機構とを、備え得る。

【0018】

[00018] 励起電極及びメンブレンサポートによって支持されるメンブレンにわたって時変電圧が印加されるとき、励起電極とメンブレンとの間に時変静電力が及ぼされることになる。メンブレンは柔軟性があるため、これによってメンブレンが時変的に歪曲され、機械的振動を受けることになる。

【0019】

[00019] いくつかの実施形態において、メンブレン内に機械的振動を誘起するための機構の励起電極は、電界生成機構の収集電極としても機能し得る。

【0020】

[00020] メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレン内に機械的振動を誘起するための機構は、メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているときにメンブレンの表面に近接して位置決め可能な２つの電極と、２つの電極にわたって時変電圧を印加するための機構とを、備え得る。

【0021】

[00021] 時変電圧が２つの電極にわたって印加されるとき、時変表面電荷はメンブレン内に誘起される。結果として、（誘起された表面電荷の結果として）メンブレンに作用する時変静電力が生じることになる。したがってこうした配置は、誘起された表面電荷を介して機械的振動をメンブレン内に誘起させることができる。

【0022】

[00022] ２つの電極は互いに近隣であり得る。２つの電極は、メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレンの表面全体にわたってスキャンできるように、メンブレンサポートに対して移動可能であり得る。

【0023】

[00023] 機構が２つの電極にわたって時変電圧を印加するとき、メンブレンの電位は流動的であり得る（すなわち、固定されない）か、又は代替として、（接地、又はＤＣバイアス電圧で）固定され得る。

【0024】

[00024] メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレン内に機械的振動を誘起するための機構は、２つの電極であって、メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、各電極がメンブレンの２つの対向表面のうちの異なる１つに近接して位置決め可能な２つの電極と、２つの電極の各々に時変電圧を印加するための機構とを、備え得る。

【0025】

[00025] こうした実施形態の場合、電界生成機構は、メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレンの２つの対向表面の近くに電界を生成するように、（メンブレンの両側の２つの電極を介して）動作可能である。メンブレンの２つの対向表面近くの電界は、反対方向であり得る。メンブレン内に機械的振動を誘起するために、メンブレンの２つの対向表面のうちの一方の近くに生成される電界は、メンブレンの２つの対向表面のうちの他方の近くに生成される電界とは異なり得ることを理解されよう。

【0026】

[00026] ２つの電極、及び２つの電極の各々に時変電圧を印加するための機構は、２つの電極によって２つの対向表面のうちの一方に及ぼされる時平均圧力が、２つの電極によって２つの対向表面のうちの他方に及ぼされる時平均圧力と、大きさはほぼ等しく、方向は反対であるように、配置され得る。

【0027】

[00027] 例えば、２つの電極によって２つの対向表面に及ぼされる時平均圧力の大きさは、５０％内、例えば１０％内に等しいものとすることができる。例えば、メンブレンに印加される時平均静電圧力は、実質的にゼロであり得る。時平均静電圧力は、１０ｕｓから１０ｍｓの間の時間期間にわたって平均され得る。

【0028】

[00028] ２つの電極の各々に時変電圧を印加するための機構は、２つの電極のうちの一方に印加される電圧の波形が、２つの電極のうちの他方に印加される時変電圧の波形と実質的に等しいように、及び、２つの電極のうちの一方に印加される電圧の大きさが、２つの電極の他方に印加される時変電圧の大きさと実質的に等しいように、配置され得る。

【0029】

[00029] こうした配置の場合、メンブレンのキャパシティブカップリング及び２つの電極の各々は、実質的に同じであり得る。例えば、２つの電極は実質的に同じエリアを有し得、メンブレンから実質的に同じ距離に配設され得る。２つの電極のうちの一方に印加される電圧の極性は、２つの電極のうちの他方に印加される時変電圧の極性と同じであるか、又は反対であってよい。

【0030】

[00030] メンブレンにわたる時平均静電圧力がゼロである実施形態、及び／又は、２つの電極に印加される電圧の波形及び大きさが実質的に同じである実施形態であっても、メンブレン内に機械的振動を誘起するために、メンブレンの２つの対向表面の近くに生成される電界は異なり得ることを理解されよう。したがって、２つの電極、及び／又は、２つの電極の各々に時変電圧を印加するための機構は、メンブレンの対向表面の近くに生成される電界が異なることを保証するように配置され得る。

【0031】

[00031] いくつかの実施形態において、メンブレンの面に平行な面内で、電極のうちの一方の位置が他方の電極の位置と一致しないことがあり得る。

【0032】

[00032] すなわち、メンブレンの両側であっても、２つのコレクタ電極は互いに横方向にオフセットされているように記載され得る。こうした配置の場合、メンブレンの両側に生成される電界もオフセットされる。したがって、各電極はメンブレンの異なる部分に引力を及ぼすことになり、（２つの電極に同一の電圧が印加されるときであっても）メンブレン内の機械的振動が誘起される。

【0033】

[00033] こうした実施形態では、２つの電極のうちの一方に印加される時変電圧は、２つの電極のうちの他方に印加される時変電圧と実質的に同相であり得る。

【0034】

[00034] ２つの電極は、メンブレンの面に平行な面内で２つのコレクタ電極間の最大距離が１ｃｍであるように位置決めされ得る。この距離は横方向オフセットと呼ぶことができる。２つの電極は、メンブレンの面に平行な面内で２つの電極間の最大距離が１ｍｍであるように位置決めされ得る。

【0035】

[00035] ２つの電極に時変電圧を印加するための機構は、２つの電極が、実質的に大きさは等しく極性は反対の電圧で保持されるように構成され得る。

【0036】

[00036] いくつかの実施形態において、２つの電極のうちの一方に印加される時変電圧と、２つの電極のうちの他方に印加される時変電圧との間に、非ゼロの位相差が存在し得る。

【0037】

[00037] こうした実施形態では、メンブレンの面に平行な面内で、電極のうちの一方の位置は、概して他方の電極の位置と一致し得る。

【0038】

[00038] メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレンの近くに電界を生成するための電界生成機構は、メンブレンの２つの反対表面の近くに、少なくとも１００ｋＶ／ｍの大きさを有する電界を生成するように動作可能であり得る。

【0039】

[00039] 例えば、いくつかの実施形態において、メンブレンの２つの反対表面の近くの電界は、少なくとも１ＭＶ／ｍの大きさを有し得る。

【0040】

[00040] 装置は、メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレンに電圧を印加するための機構を更に備え得る。

【0041】

[00041] メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレンに電圧を印加するための機構は、メンブレンに印加される電圧の極性が、２つの電極に印加される電圧の極性とは反対であるように構成され得る。

【0042】

[00042] 装置は、接地に近いか又は接地に等しい電圧でメンブレンを保持するように動作可能な機構を、更に備え得る。

【0043】

[00043] 例えば装置は、メンブレンの電圧を－１００Ｖから＋１００Ｖの間で維持するように構成され得る。例えば装置は、メンブレンの電圧を－１０Ｖから＋１０Ｖの間で維持するように構成され得る。

【0044】

[00044] 接地に近いか又は接地に等しい電圧でメンブレンを保持するように動作可能な機構は、メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレンの２つの反対表面に近接して位置決め可能な１つ以上の補助電極と、接地に近いか又は接地に等しい電圧で１つ以上の補助電極を維持するように配置された機構とを、備え得る。

【0045】

[00045] 装置は、メンブレンと電極との間の電界の大きさが、メンブレンと補助電極との間の電界の大きさの少なくとも１０倍以上であるように構成され得る。

【0046】

[00046] 例えば装置は、メンブレンと電極との間の電界の大きさが、メンブレンと補助電極との間の電界の大きさの少なくとも１００倍であるように構成され得る。

【0047】

[00047] メンブレンに最も近い電極の各々の表面の面積は、メンブレンの面積よりも小さいものとすることができる。

【0048】

[00048] メンブレンに最も近い電極の各々の表面積は、１ｃｍ^２より小さいか又は１ｃｍ^２に等しくてよい。例えば、メンブレンに最も近い２つの電極の各々の表面積は、１０ｍｍ^２より小さいか又は１０ｍｍ^２に等しくてよい。

【0049】

[00049] 電極の各々の最大寸法は、メンブレンの面に垂直に位置合わせされ得る。

【0050】

[00050] 電極又は各電極は、使用中、電極とメンブレンサポートによって支持されているメンブレンとの間の最大距離が５ｍｍであるように位置決めされ得る。例えば、電極又は各電極は、使用中、電極とメンブレンサポートによって支持されているメンブレンとの間の最大距離が０．５ｍｍであるように位置決めされ得る。

【0051】

[00051] 時変電圧は、複数の時間的に離間したパルスを含み得る。

【0052】

[00052] 有利なことに、本配置は異なる周波数レンジの振動を励起することになる。パルスの繰り返し数及び／又はパルスの形状を制御することによって、励起される振動の異なる周波数レンジが制御され得る。

【0053】

[00053] 励起電極及びメンブレンにわたるパルス電圧の印加が、励起電極とメンブレンとの間にパルス電界を生み出すことができる。パルス電界は、電極及びメンブレンを互いに向かって引き寄せるように作用する力を及ぼすことができる。電極及びメンブレンサポートは一般に、装置内に全体として固定されるように配設され得る。使用中、メンブレンは一般に、メンブレンの周縁部でのみメンブレンサポートによって支持されるように配設され得る。したがって、印加される力が、メンブレンサポートによって支持されていないメンブレンの部分を電極の方向に加速させることができる。電界が生成されない電圧パルスの部分の間、メンブレンは、（例えば、メンブレン内の張力に起因して）電界によって生じる加速とは反対の方向に加速する。電界のオンオフ特性が繰り返されるため、メンブレンの機械的振動が生じる。

【0054】

[00054] 複数の時間的に離間したパルスの各々の持続時間は、１０ｕｓ未満であり得る。例えば、複数の時間的に離間したパルスの各々の持続時間は、１ｕｓ未満であり得る。

【0055】

[00055] 時変電圧又は各時変電圧は、時間的に離間したパルスの複数の順次列を含み得る。パルスの各列の持続時間は、１０ｍｓ未満であり得る。例えば、パルスの各列の持続時間は、１ｍｓ未満であり得る。こうしたパルス列（パルスバーストとも呼ばれる）内にパルスを提供することによって、メンブレンの望ましくない加熱を制限又は防止することができる。有利なことに、これはメンブレンの破断を防止し得る。

【0056】

[00056] 時間的に離間したパルスの複数の順次列の各々のデューティサイクルは、５０％未満であり得る。例えば、時間的に離間したパルスの複数の順次列の各々のデューティサイクルは、１０％未満であり得る。

【0057】

[00057] 時間的に離間したパルスの複数の順次列の各々のデューティサイクルは、メンブレン内の電力損失が０．１から１０ｍｓ程度の時間尺度で３０Ｗ／ｃｍ^２であるように十分に低い。例えば、時間的に離間したパルスの複数の順次列の各々のデューティサイクルは、メンブレン内の電力損失が０．１から１０ｍｓ程度の時間尺度で０．３から３０Ｗ／ｃｍ^２であるように十分に低い。

【0058】

[00058] 時変電圧又は各時変電圧は、一般的形状を有し、所望の励起スペクトルを達成するために選択（及び変更）可能な１つ以上のパラメータを有する、電圧波形を含み得る。

【0059】

[00059] 時変電圧又は各時変電圧は、時間的に離間したパルスの２つの順次列を含み得、パルスの２つの列の極性は逆である。

【0060】

[00060] これは、メンブレンから、負電荷パーティクル及び正電荷パーティクルの両方を除去するために有用であり得る。

【0061】

[00061] 時変電圧を（励起電極及びメンブレンサポートによって支持されているメンブレン、又は２つの電極の、いずれかにわたって）印加するための機構は、少なくとも１０ｋＶ／ｍの大きさを有するメンブレンの近くに時変電界を生成するように動作可能であり得る。

【0062】

[00062] 例えば、メンブレンの近くの時変電界は、少なくとも１００ｋＶ／ｍの大きさを有し得る。例えば、励起電極及びメンブレンにわたって印加されるパルス電圧は、最大１００Ｖから１００００Ｖの間を有し得、励起電極及びメンブレンアセンブリは、励起電極とメンブレンとの間の分離が１ｍｍから１０ｍｍの間であるように配設され得る。

【0063】

[00063] 時変電圧又は各時変電圧は、５０％未満のデューティサイクルを有し得る。

【0064】

[00064] （励起電極及びメンブレンサポートによって支持されているメンブレン、又は２つの電極の、いずれかにわたって印加される）時変電圧は、１０％未満のデューティサイクルを有し得る。

【0065】

[00065] 有利なことに、これによって、薄膜及び集電極によって形成されるキャパシタを電流荷電及び放電することによって、メンブレンの加熱量を制限する。

【0066】

[00066] メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレン内に機械的振動を誘起するための機構は、メンブレンサポートによって支持されているメンブレンの少なくとも一部に入射するパルス放射ビームを生成するように動作可能な、放射源を備え得る。

【0067】

[00067] 機械的振動を誘起するための機構は、メンブレンの局所部分にのみ振動を誘起するように動作可能であり得る。

【0068】

[00068] 有利なことに、機械的振動をメンブレンの局所部分に制約することによって、より精密、迅速、また更にエネルギー効率の良い、クリーニングプロセスが達成され得る。

【0069】

[00069] 機械的振動を誘起するための機構が励起電極を備える実施形態では、これは、それらのメンブレンよりも寸法の小さい電極を使用することによって達成され得る。

【0070】

[00070] 機械的振動を誘起するための機構がパルス放射ビームを生成するように動作可能な放射源を備える実施形態では、これは、パルス放射ビームをメンブレンの一部にのみ合焦させることによって達成され得る。

【0071】

[00071] 機械的振動を誘起するための機構は、ある周波数レンジで振動を誘起するように動作可能であり得る。

【0072】

[00072] 機械的振動を誘起するための機構は、３０ｋＨｚから３０ＭＨｚの間で振動を誘起するように動作可能であり得る。

【0073】

[00073] 例えば、機械的振動を誘起するための機構は、１００ｋＨｚから１０ＭＨｚの間で誘起するように動作可能であり得る。

【0074】

[00074] 有利なことに、これは、様々なサイズのレンジ、典型的には０．５ｕｍから５ｕｍのレンジを伴うパーティクルについて、共振振動を誘起することが可能である。周波数レンジの下限（例えば、１００ｋＨｚ）は、周波数レンジがメンブレンの共振周波数に近づかないことを保証するために選択可能であり、典型的なＥＵＶフルサイズペリクルの基本モードは１～１０ｋＨｚのレンジ内である。

【0075】

[00075] 機械的振動を誘起するための機構は、０．５から５ｕｍの間の寸法のパーティクルをメンブレンから除去するように動作可能であり得る。

【0076】

[00076] 装置は更に、メンブレンの少なくとも一部の温度を制御するための機構を備え得る。

【0077】

[00077] メンブレンの一部の温度を制御することによって、その部分の張力を制御することができる。特に、メンブレンの少なくとも一部の温度を、メンブレンに張力をかけるフレームとは独立に制御できる場合、メンブレン内の張力を制御することができる。

【0078】

[00078] これは特に、メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレン内に機械的振動を誘起するための機構を備える実施形態の場合に有利である。上述のように、メンブレン内に機械的振動を誘起するための機構は、メンブレン上にあるパーティクル内にも機械的振動を誘起することになる。メンブレン上にあるこうしたパーティクルのこの振動の大きさは、メンブレンからパーティクルを除去するのに十分であり得る。機械的振動を誘起するための機構によって除去されるいずれのこうしたパーティクルも、電界生成機構によって生成される電界によって、メンブレンから離れて移送され得る。特に、機械的振動を誘起するための機構が、メンブレン上のパーティクルについて共振振動を誘起することが可能な場合、パーティクルはメンブレンから除去され得る。実質的に無質量のメンブレン上のパーティクルの振動についての共振周波数は、メンブレンの張力及びパーティクルの質量に依存する。特に、実質的に無質量のメンブレン上のパーティクルの振動についての共振周波数は、メンブレンの張力の平方根に比例し、パーティクルの質量の平方根の逆数に比例する。張力が増加すると、所与のサイズのパーティクルを除去するために提供することが望ましい共振周波数も同様に増加する。

【0079】

[00079] メンブレンの一部の温度を制御することによって、メンブレンの張力を制御することが可能であり、特定レンジの振動周波数についてメンブレンを除去することが可能なパーティクルサイズのレンジも同様に制御可能である。

【0080】

[00080] メンブレンの少なくとも一部の温度を制御するための機構は、放射をメンブレンに与えるように動作可能な放射源を備え得る。放射源は、合焦光源を備え得る。

【0081】

[00081] 代替として、メンブレンの少なくとも一部の温度を制御するための機構は、メンブレンを加熱するように動作可能な誘導加熱器を備え得る。

【0082】

[00082] メンブレンは、導電性及び熱伝導性の材料を含み得る。

【0083】

[00083] 電界生成機構は、メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレンの２つの反対表面の近くに電界を生成するように動作可能であり、メンブレンの２つの反対表面の近くの電界は、反対方向である。

【0084】

[00084] 有利なことに、こうした配置は、十分な横方向の（メンブレンの面から外への）負荷の下で破断する傾向があり得るほど十分に薄い可能性のある、メンブレンのクリーニングに、特に適切である。メンブレンの２つの反対表面の近くに電界を印加することによって、メンブレンの２つの反対表面の近くの電界は反対方向となり、メンブレンの両側の圧力は少なくとも部分的に等しくなり得る。これによって、より大きな電界が使用可能となり、より高レベルのクリーニングを提供することができる。

【0085】

[00085] 電界は、メンブレンの面の両側に配設された２つのコレクタ電極によって生み出され得る。

【0086】

[00086] メンブレンに最も近いコレクタ電極の各々の表面積は、メンブレンの面積よりも小さくてよい。

【0087】

[00087] メンブレンに最も近いコレクタ電極の各々の表面積は、１ｃｍ^２より小さいか又は１ｃｍ^２に等しくてよい。例えば、メンブレンに最も近いコレクタ電極の各々の表面積は、１０ｍｍ^２より小さいか又は１０ｍｍ^２に等しくてよい。

【0088】

[00088] いくつかの実施形態において、メンブレンの面に平行な面内のコレクタ電極のうちの一方の位置は、他方のコレクタ電極の位置と一致しなくて良い。

【0089】

[00089] すなわち、メンブレンの両側の２つのコレクタ電極は、互いに横方向にオフセットされていると説明することができる。２つのコレクタ電極は、メンブレンの面に平行な面内の２つのコレクタ電極間の最大距離が１ｃｍであるように、位置決めされ得る。この距離は、横方向オフセットと呼ぶことができる。２つのコレクタ電極は、メンブレンの面に平行な面内の２つのコレクタ電極間の最大距離が１ｍｍであるように、位置決めされ得る。

【0090】

[00090] コレクタ電極の各々は、実質的に等しい電圧で保持され得、装置は、コレクタ電極が保持される電圧の極性の反対の極性の電圧で、メンブレンを保持するように構成され得る。

【0091】

[00091] ２つのコレクタ電極は、共に接続され得る（すなわち、同じ電位であり得る）。

【0092】

[00092] 電界の大きさは、メンブレンの両側で実質的に等しくてよい。

【0093】

[00093] メンブレンの２つの反対表面の近くの電界は、少なくとも１００ｋＶ／ｍの大きさを有し得る。

【0094】

[00094] 例えば、メンブレンの２つの反対表面の近くの電界は、少なくとも１ＭＶ／ｍの大きさを有し得る。

【0095】

[00095] メンブレンの２つの反対表面の近くの電界は、ＤＣ（すなわち、時不変）電界であり得る。

【0096】

[00096] １つ以上のコレクタ電極の少なくとも一部に、絶縁コーティングが提供され得る。

【0097】

[00097] 絶縁コーティングは、コレクタ電極と、メンブレンからコレクタ電極に引き付けられた任意のパーティクルとの間での、電荷の転移を防止する。これにより、パーティクルがコレクタ電極からメンブレンに移送されるのを防止することができる。絶縁コーティングは、メンブレンクリーニング装置の使用中に電圧供給によって生成される電界を超える、破壊強度を有し得る。パーティクルが静電的にコレクタ電極に転移すると、絶縁コーティングは電荷漏れを防止し、コレクタ電極からメンブレンへのパーティクルの逆転移のリスクを低減させる。

【0098】

[00098] 装置は、プラズマ生成機構を更に備え得る。

【0099】

[00099] プラズマ生成機構は、メンブレンサポートによって支持されているメンブレンと、１つ以上のコレクタ電極又は１つ以上のコレクタ電極の各々との間に、プラズマを生成するように動作可能であり得る。

【0100】

[000100] メンブレンサポートによって支持されているメンブレンと、１つ以上のコレクタ電極又は１つ以上のコレクタ電極の各々との間のプラズマは、メンブレン上のパーティクルに荷電可能な機構を提供する。加えて、電圧を印加するための機構によって印加されるバイアス電圧の存在下で、プラズマ内の反対に電荷されたキャリアは反対の静電力を受けることになる。こうしたバイアス電圧が印加されるとき、プラズマは、メンブレンの一方又は両方の表面に近隣の仮想電極を形成するものと見なされ得る。この仮想電極は、メンブレンの表面に近隣のプラズマシースによって提供され、メンブレンのその表面に対向するコレクタ電極と同じ極性を有する。（プラズマ及び印加される電圧の）こうした状況下で、この仮想電極は、所与のバイアス電圧について、コレクタ電極よりもメンブレンに実質的に近い（例えば、約３０～３００ｍｍではなく約１００ｕｍ）ため、プラズマは、メンブレンの表面の近くに実質的により大きな電界を生じさせる。この結果として、実質的により良好なメンブレンのクリーニングとなり得る。

【0101】

[000101] プラズマ及び印加電圧が存在する条件下では、メンブレンを介して流れる電流が存在する。電流の大きさは、印加電圧及びプラズマ密度の両方に依存する。この電流が結果としてジュール加熱を生じさせる。メンブレンは、約１０ｃｍ×１０ｃｍの寸法を有し得、約１００ｎｍの厚みを有し得る。メンブレンは約１００Ωの抵抗を有し得る。これらの（プラズマ及び印加電圧を有する）条件の時間範囲は、メンブレンを介して流れる電流によって発生する熱が、メンブレンが機能しなくなる温度までメンブレンを加熱することなく消散できるように制限され得る。これは、印加電圧の時間範囲を制御すること、及び／又はプラズマがオンに切り替えられるタイミングを制御することによって、制御可能である。メンブレンの温度が５００℃を超えないことを保証することが望ましい。

【0102】

[000102] メンブレンサポートによって支持されているメンブレン、及び１つ以上のコレクタ電極又は１つ以上のコレクタ電極の各々にわたって、電圧を印加するための機構は、メンブレンサポートによって支持されているメンブレン、及び１つ以上のコレクタ電極又は１つ以上のコレクタ電極の各々にわたって、パルス電圧を印加するように配置され得る。

【0103】

[000103] メンブレンサポートによって支持されているメンブレン、及び１つ以上のコレクタ電極又は１つ以上のコレクタ電極の各々にわたって、パルス電圧を印加することで、電流がメンブレンを介して流れる時間を制限する。デューティサイクルは、メンブレンを介して流れる電流によって発生する熱が、メンブレンが機能しなくなる温度までメンブレンを加熱することなく消散できることを保証するように、制限され得ることを理解されよう。例えば、デューティサイクルは１０％以下、例えば１％以下であり得る。

【0104】

[000104] パルス電圧は、１％以下のデューティサイクルを有し得る。

【0105】

[000105] パルス電圧は、１Ｈｚから１０ｋＨｚの間の周波数を有し得る。

【0106】

[000106] パルス電圧のパルス持続時間は、１ｍｓ未満であり得る。

【0107】

[000107] 例えば、パルス電圧のパルス持続時間は、１０ｕｓ未満であり得る。

【0108】

[000108] いくつかの実施形態において、十分なクリーニングを提供するために、メンブレンの近くの電界強度は少なくとも１０ｋＶ／ｍ、より好ましくは１００ｋＶ／ｍである。電界強度は、印加されるバイアス電圧、及びメンブレンとコレクタ電極との間の距離に依存することを理解されよう。しかしながら、電界強度はプラズマ（例えば、プラズマのタイプ、プラズマの密度など）にも依存し、プラズマは一般に、望ましいターゲット電界強度を達成するために印加されるべき電圧を低減させる。

【0109】

[000109] パルス電圧の大きさは、少なくとも１００Ｖであり得る。

【0110】

[000110] 例えば、パルス電圧の大きさは、少なくとも１０００Ｖであり得る。

【0111】

[000111] パルス電圧の各パルスは、第１の極性を有する第１の部分と、第２の反対の極性を有する第２の部分とを備え得る。

【0112】

[000112] 有利なことに、こうした配置では、第１の部分の間、プラズマはパーティクルを、そのパーティクルに対向する電極の電位の極性に対応する電荷で荷電することになる。第２の部分において、バイアス電圧の極性は逆である。これが十分迅速に行われる場合、プラズマを介して電荷を得るメンブレン上に配設されたいずれのパーティクルにも、メンブレンから離れて、及びパーティクルが対向している電極に向かって誘導される、静電力が作用することになる。十分大きなバイアス電圧の場合、これらの力は、パーティクルとメンブレンとの間の結合力（例えば、ファンデルワールス力）を超え、パーティクルは、メンブレンから離れて、及び、パーティクルが配設されているメンブレンの表面に対向するコレクタ電極に向かって、加速する。バイアス電圧極性は、（第１の部分と第２の部分との間で）迅速に、例えば＜０．１ｍｓの時間尺度で、切り替わるべきであることを理解されよう。

【0113】

[000113] プラズマ生成機構は、プラズマが、パルス電圧の後続のパルス間でオンに切り替えられ、パルス電圧のパルス中にオフに切り替えられるように配置され得る。

【0114】

[000114] プラズマ生成機構をこのように、特にパルス電圧のパルス中にプラズマをオフに切り替えるように、パルス電圧と同期させることによって、メンブレンを介して流れる電流の量を制限することができる。こうした配置によって、大きさ及び電圧パルスの時間範囲に対するいずれの制限も、緩和することができる。この配置によって、（例えば、メンブレンの両側の静電圧力のバランスを実質的に取ることを保証するように、電圧が印加される場合）、大きさ及び電圧パルスの時間範囲に対する制限がない場合もあり得る。

【0115】

[000115] 装置は、チャンバと、チャンバ内部の圧力を制御するように動作可能なポンプ装置とを、更に備え得る。メンブレンサポートは、チャンバ内部に配設され得る。

【0116】

[000116] チャンバは真空チャンバであってよい。電界生成機構が１つ以上のコレクタ電極を備える実施形態の場合、１つ以上のコレクタ電極はチャンバ内にも配設され得る。ポンプ装置は、チャンバの圧力を真空状態近くまで低下させるように動作可能である。メンブレンクリーニング装置の動作中、チャンバ内部の圧力は１０ｍＢａｒ未満、例えば０．０１ｍＢａｒに維持され得る。

【0117】

[000117] ポンプ装置は、チャンバ内部の圧力を１０^－３ｍＢａｒより下に維持するように動作可能であり得る。例えば、チャンバ内部の圧力は、１０^－５ｍＢａｒより下であり得る。

【0118】

[000118] 本発明の第２の態様によれば、パーティクルをメンブレンから除去するための方法が提供され、方法は、メンブレン内に機械的振動を誘起すること、及び、メンブレン上のパーティクルとコレクタ電極との間に静電力を及ぼすように、コレクタ電極を使用してメンブレンの近くに電界を生成することを含む。

【0119】

[000119] 有利なことに、こうした方法は、次に考察するように、相対的に薄く柔軟であり得るメンブレンのクリーニングに特に適切である。

【0120】

[000120] メンブレン内に機械的振動を誘起することで、メンブレン上にあるパーティクル内にも機械的振動を誘起する。メンブレン内にあるこうしたパーティクルの振動は、メンブレンからパーティクルを除去するのに十分な大きさであり得る。機械的振動を誘起するための機構によって除去されるいずれのこうしたパーティクルも、電界によってメンブレンから離れて移送され得る。

【0121】

[000121] メンブレン内に機械的振動を誘起することは、支持されるメンブレン及び励起電極にわたって時変電圧を印加することを含み得る。

【0122】

[000122] メンブレン内に機械的振動を誘起することは、メンブレンの表面に近接して位置決めされる２つの電極にわたって時変電圧を印加することを含み得る。

【0123】

[000123] メンブレン内に機械的振動を誘起することは、メンブレンの反対表面に近接して位置決めされる２つの電極の各々に時変電圧を印加することを含み得る。

【0124】

[000124] ２つの電極によって２つの反対表面のうちの一方に及ぼされる時平均圧力は、実質的に大きさが等しく、２つの電極によって２つの反対表面のうちの他方に及ぼされる時平均圧力とは反対方向であり得る。

【0125】

[000125] いくつかの実施形態において、メンブレンの面に平行な面内で、電極のうちの一方の位置が他方の電極の位置と一致しない。

【0126】

[000126] いくつかの実施形態において、２つの電極のうちの一方に印加される時変電圧と、２つの電極のうちの他方に印加される時変電圧との間に、非ゼロの位相差が存在し得る。

【0127】

[000127] （励起電極及びメンブレンサポートによって支持されているメンブレンメンブレンにわたって、メンブレンの表面に近接して位置決めされる２つの電極にわたって、又は、メンブレンの反対表面に近接して位置決めされる２つの電極の各々の、いずれかに印加される）時変電圧又は各時変電圧は、１０％未満のデューティサイクルを有し得る。

【0128】

[000128] メンブレン内に機械的振動を誘起することは、メンブレンの少なくとも一部をパルス放射ビームで照射することを含み得る。

【0129】

[000129] 誘起される機械的振動は、ある周波数レンジでの振動を含み得る。

【0130】

[000130] 誘起される機械的振動は、３０ｋＨｚから３０ＭＨｚの間の振動を含み得る。

【0131】

[000131] 例えば、誘起される機械的振動は、１００ｋＨｚから１０ＭＨｚの間の振動を含み得る。

【0132】

[000132] 誘起される機械的振動は、０．５ｕｍから５ｕｍの間の寸法のパーティクルをメンブレンから除去するのに適切であり得る。

【0133】

[000133] 方法は、メンブレンの少なくとも一部の温度を制御することを更に含み得る。

【0134】

[000134] メンブレンの一部の温度を制御することによって、その部分の張力を制御することができる。これにより、メンブレン上のパーティクルの振動についての共振周波数にわたって制御が提供される。特に、（例えば、時変電圧によって定義されるような）特定レンジの振動周波数について、メンブレンから除去可能なパーティクルサイズのレンジにわたって、制御が提供される。

【0135】

[000135] 方法は、メンブレンの少なくとも一部の温度を経時的に変化させることを、更に含み得る。

【0136】

[000136] メンブレンの少なくとも一部の温度を経時的に変化させることによって、メンブレンから除去することが可能なパーティクルサイズのレンジを（例えば、振動周波数のレンジが固定されたままである間に）変化させることができる。

【0137】

[000137] メンブレンの少なくとも一部の温度を制御することは、放射を使用して少なくとも一部を照射することによって達成され得る。

【0138】

[000138] 本発明の第２の態様に従った方法は、本発明の第１の態様に従った装置を使用することができる。

【0139】

[000139] 本発明の第３の態様によれば、メンブレンからパーティクルを除去するための方法が提供され、方法は、メンブレンの２つの反対表面の近くに電界を生成することを含み、メンブレンの２つの反対表面の近くの電界は反対方向である。

【0140】

[000140] 有利なことに、こうした方法は、十分な横方向の（メンブレンの面から外への）負荷の下で破断する傾向があり得るほど十分に薄い可能性のある、メンブレンのクリーニングに、特に適切である。メンブレンの２つの反対表面の近くに電界を印加することによって、メンブレンの２つの反対表面の近くの電界は反対方向となり、メンブレンの両側の圧力は少なくとも部分的に等しくなり得る。これによって、より大きな電界が使用可能となり、より高レベルのクリーニングを提供することができる。

【0141】

[000141] 本発明の第３の態様に従った方法は、本発明の第１の態様に従った装置を使用することができる。

【0142】

[000142] 本発明の第４の態様によれば、メンブレンからパーティクルを除去するための方法が提供され、方法は、パーティクルに荷電するためにメンブレンの少なくとも１つの表面の近隣にプラズマを提供すること、及び、これらの荷電されたパーティクルをメンブレンから離すために、メンブレンの少なくとも１つの表面の近くに電界を生成することを含む。

【0143】

[000143] プラズマは、メンブレン上のパーティクルが荷電される際に使用可能な機構を提供する。

【0144】

[000144] 電界は、１つ以上の電極、及び１つ以上の電極にバイアス電圧を印加することを使用して、生成され得る。

【0145】

[000145] プラズマ及び印加電圧が存在する状況下では、メンブレンを介して流れる電流が存在することになる。電流の大きさは、印加電圧及びプラズマの密度の両方に依存する。この電流は結果として、メンブレンのジュール加熱を生じさせる。メンブレンは、約１０ｃｍ×１０ｃｍの寸法を有し得、約１００ｎｍの厚みを有し得る。メンブレンは、約１００Ωの抵抗を有し得る。これらの（プラズマ及び印加電圧を有する）状況の時間範囲は、メンブレンを介して流れる電流によって発生する熱が、メンブレンが機能しなくなる温度までメンブレンを加熱することなく消散できるように制限され得る。これは、印加電圧の時間範囲を制御すること及び／又はプラズマがオンに切り替えられるタイミングを制御することによって、制御可能である。

【0146】

[000146] バイアス電圧はパルスバイアス電圧であり得る。

【0147】

[000147] パルス電圧の各パルスは、第１の極性を有する第１の部分と、第２の反対の極性を有する第２の部分とを備え得る。

【0148】

[000148] 有利なことに、こうした配置では、第１の部分の間、プラズマはパーティクルを、そのパーティクルに対向する電極の電位の極性に対応する電荷で荷電することになる。第２の部分において、バイアス電圧の極性は逆である。これが十分迅速に行われる場合、プラズマを介して電荷を得るメンブレン上に配設されたいずれのパーティクルにも、メンブレンから離れて、及びパーティクルが対向している電極に向かって誘導される、静電力が作用することになる。十分大きなバイアス電圧の場合、これらの力は、パーティクルとメンブレンとの間の結合力（例えば、ファンデルワールス力）を超え、パーティクルは、メンブレンから離れて、及び、パーティクルが配設されているメンブレンの表面に対向するコレクタ電極に向かって、加速する。バイアス電圧極性は、（第１の部分と第２の部分との間で）迅速に、例えば＜０．１ｍｓの時間尺度で、切り替わるべきであることを理解されよう。

【0149】

[000149] メンブレンの少なくとも１つの表面の近隣にプラズマを提供することは、プラズマが、パルス電圧の後続のパルス間でオンに切り替えられ、パルス電圧のパルス中にオフに切り替えられるようであり得る。

【0150】

[000150] プラズマ生成機構をこのように、特にパルス電圧のパルス中にプラズマをオフに切り替えるように、パルス電圧と同期させることによって、メンブレンを介して流れる電流の量を制限することができる。こうした配置によって、電圧パルスの大きさ及び時間範囲に対するいずれの制限も、緩和することができる。この配置によって、（例えば、メンブレンの両側の静電圧力のバランスを実質的に取ることを保証するように、電圧が印加される場合）、大きさ及び電圧パルスの時間範囲に対する制限がない場合もあり得る。

【0151】

[000151] 本発明の第４の態様に従った方法は、本発明の第１の態様に従った装置を使用することができる。

【0152】

[000152] 本発明の実施形態を、添付の図面を参照して、単なる例示として以下に説明する。

【図面の簡単な説明】

【0153】

【図1】使用中のペリクルを示すリソグラフィシステムを示す図である。

【図2】本発明に従ったメンブレンクリーニング装置及びメンブレンの実施形態を示す図である。

【図3】図２に示されるメンブレンクリーニング装置を使用してパーティクルをメンブレンから除去し得る機構を示す、図２に示されるメンブレンの一部の概略図である。

【図4a】図２に示されるメンブレンクリーニング装置を使用して、メンブレン及び電極にわたって印加され得る例示の電圧のプロットを時間の関数として示す図である。

【図4b】励起力の周波数の関数としてメンブレンに印加される励起力を示し、パルス電圧の周波数組成、及び、これがパルス繰り返し周波数の変調を介してどのように変化し得るかを概略的に示す、図４ａに示される形の印加電圧に対応する励起スペクトルの第１の概略図である。

【図4c】図４ａに示されるパルス電圧の周波数組成、並びに、これがパルス繰り返し周波数の変調及びパルス形状の変調を介してどのように変化し得るかを概略的に示す、励起スペクトルの第２の概略図である。

【図5】本発明に従ったメンブレンクリーニング装置及びメンブレンの、更なる実施形態を示す図である。

【図6】本発明に従ったメンブレンクリーニング装置及びメンブレンの、更なる実施形態を示す図である。

【図7a】図６に示されたメンブレンクリーニング装置を使用して、メンブレンからパーティクルを除去し得る機構を概略的に示す図である。

【図7b】図６に示されたメンブレンクリーニング装置を使用して、メンブレンからパーティクルを除去し得る機構を概略的に示す図である。

【図8a】本発明に従ったメンブレンクリーニング装置及びメンブレンの、更なる実施形態の一部を示す図である。

【図8b】本発明に従ったメンブレンクリーニング装置及びメンブレンの、更なる実施形態の一部を示す図である。

【図8c】本発明に従ったメンブレンクリーニング装置及びメンブレンの、更なる実施形態の一部を示す図である。

【図9】本発明に従ったメンブレンクリーニング装置及びメンブレンの、更なる実施形態の一部を示す図である。

【図10a】本発明に従ったメンブレンクリーニング装置及びメンブレンの、更なる実施形態の一部を示す図である。

【図10b】本発明に従ったメンブレンクリーニング装置及びメンブレンの、更なる実施形態の一部を示す図である。

【図10c】本発明に従ったメンブレンクリーニング装置及びメンブレンの、更なる実施形態の一部を示す図である。

【図10d】本発明に従ったメンブレンクリーニング装置及びメンブレンの、更なる実施形態の一部を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0154】

[000153] 図１は、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備えるリソグラフィシステムを示す。放射源ＳＯは、ＥＵＶ放射ビームＢを発生させるように、及び、ＥＵＶ放射ビームＢをリソグラフィ装置ＬＡに供給するように、構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬ、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）を支持するように構成された支持構造ＭＴ、投影システムＰＳ、及び基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴを備える。

【0155】

[000154] 照明システムＩＬは、ＥＵＶ放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡ上に入射する前にＥＵＶ放射ビームＢを調節するように構成される。それに加えて、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を含むことができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、所望の断面形状及び所望の強度分布を伴うＥＵＶ放射ビームＢを提供する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて、又はそれらの代わりに、他のミラー又はデバイスを含むことができる。

【0156】

[000155] このように条件付けられた後、ＥＵＶ放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡと相互作用する。この相互作用の結果として、パターン付与されたＥＵＶ放射ビームＢ’が生成される。投影システムＰＳは、パターン付与されたＥＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗ上に投影するように構成される。その目的で、投影システムＰＳは、パターン付与されたＥＵＶ放射ビームＢ’を、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に投影するように構成された、複数のミラー１３、１４を備え得る。投影システムＰＳは、パターン付与されたＥＵＶ放射ビームＢ’に縮小係数を適用し得、したがって、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さいフィーチャを伴うイメージを形成する。例えば、４又は８の縮小係数が適用され得る。投影システムＰＳは、図１において２つのミラー１３、１４のみを有するように示されるが、投影システムＰＳは、異なる数のミラー（例えば、６又は８個のミラー）を含み得る。

【0157】

[000156] 基板Ｗは、以前に形成されたパターンを含むことができる。このような場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’によって形成されたイメージを、基板Ｗ上に以前に形成されたパターンと位置合わせする。

【0158】

[000157] 相対的真空、すなわち、大気圧をはるかに下回る圧力での少量のガス（例えば、水素）を、放射源ＳＯ内、照明システムＩＬ内、及び／又は投影システムＰＳ内に提供することが可能である。

【0159】

[000158] 放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源、自由電子レーザ（ＦＥＬ）、又は、ＥＵＶ放射を生成することが可能な任意の他の放射源とすることができる。

【0160】

[000159] いくつかのリソグラフィ装置（例えば、ＥＵＶ及びＤＵＶリソグラフィ装置）は、ペリクル１５を備える。ペリクル１５は支持構造ＭＴに取り付けるか、又は代替として、ペリクル１５はパターニングデバイスＭＡに直接取り付けることができる。ペリクル１５は、フレーム１７上に載置された透過膜の薄メンブレン１６（典型的には約７０ｎｍ未満）を備える。ペリクルメンブレン１６は、パターニングデバイスＭＡから数ｍｍ（典型的には１０ｍｍ、例えば２ｍｍ未満）離れて離間される。ペリクルメンブレン１６上で受け取られるパーティクルは、パターニングデバイスＭＡのパターンに関して遠視野にあり、したがって、リソグラフィ装置ＬＡによって基板Ｗ上に投影されるイメージの質に著しい影響を与えることはない。ペリクル１５が存在しない場合、こうしたパーティクルはパターニングデバイスＭＡ上に位置し得、パターニングデバイスＭＡ上のパターンの一部を不明瞭にするため、これによってパターンが基板Ｗ上に正確に投影されるのが妨げられる。したがってペリクル１５は、パーティクルがリソグラフィ装置ＬＡによって基板Ｗ上に形成されるイメージに悪影響を与えるのを防ぐ、重要な役割を果たす。

【0161】

[000160] ペリクル１５が、リソグラフィ装置ＬＡ内での使用のために支持構造ＭＴ又はパターニングデバイスＭＡに取り付けられる前に、ペリクルメンブレン１６が汚れる可能性がある。すなわちパーティクルは、前述のようにペリクル１５がリソグラフィ装置ＬＡ内で使用される前に、ペリクルメンブレン１６上に入射し得る。ペリクル１５を移送すること、ペリクル１５をパッケージングすること、及びペリクルメンブレン１６をフレーム１７に載置することなどの動きは、結果としてペリクルメンブレン１６上にパーティクルを入射させることになり得る。

【0162】

[000161] リソグラフィ露光中に、ペリクルメンブレン１６上に存在するいくつかのパーティクルが分離して、ペリクルメンブレン１６からパターニングデバイスＭＡに移動し、それによって基板Ｗ上に投影されるパターンに悪影響を与えることがわかっている。０．５ｕｍから５ｕｍの間の寸法のパーティクルが移動することが報告されている。他の設定では、このレンジ外の１つ以上の寸法のパーティクルが移動し得ることを理解されよう。

【0163】

[000162] ペリクル１５が、支持基板上に形成され得る１つ以上の層から形成され得る。支持基板は、メンブレン１６が破断するリスクなしに、ペリクル１５の薄メンブレン１６を形成させることができる。メンブレン１６の層が形成されると、メンブレン１６の最終厚みを形成するために、（例えば、エッチングによって）支持基板を除去することができる。使用するには汚れ過ぎていることがわかったメンブレン１６を伴うペリクル１５は、廃棄することができる。ペリクル１５をクリーニングするための何らかの方法が存在する一方で、これらは典型的には、メンブレン１６の最終厚みを達成する前に、すなわち、メンブレン１６が依然として支持基板上に配設されているときに使用される。ペリクルクリーニングのためのこれらの既知の方法は、湿式クリーニング又は加熱を含む。しかしながら、既知の方法は、メンブレン１６の最終厚みが達成されると、薄いペリクルメンブレン１６を破断するリスクがあるため、適切ではない。更に、加熱を含むクリーニング方法は、ペリクルメンブレン１６の弱体化にも寄与し得、それにより、大部分は、異なる熱膨張係数を備える材料の境界面における応力に起因して、及び／又は、温度不均一性の機械的応力への変換に起因して、ペリクル１５の動作寿命が短縮される。

【0164】

[000163] 本発明の実施形態は、電界を使用してメンブレンからパーティクルを除去するための装置及び関連する方法に関する。特に、本発明のいくつかの実施形態は、脆弱な相対的に薄いメンブレン（例えば、ペリクルメンブレンなど）をクリーニングすることに、特に適しており適合される。

【0165】

[000164] 本発明のいくつかの実施形態は、メンブレン内に機械的振動を誘起することによって、相対的に薄いメンブレン（例えば、ペリクルメンブレンなど）が比較的柔軟であるという事実を活用する。これは、メンブレン上にあるパーティクル内にも機械的振動を誘起することになる。メンブレン上にあるこうしたパーティクルの振動は、メンブレンからパーティクルを除去するのに十分な大きさであり得る。機械的振動を誘起するための機構によって除去されるいずれのこうしたパーティクルも、電界を使用してメンブレンから離れて移送され得る。次に、こうした実施形態の例を図２から図５を参照しながら説明する。

【0166】

[000165] 次に、本発明の第１の実施形態に従ったメンブレンクリーニング装置２００を、図２、図３、及び図４を参照しながら説明する。

【0167】

[000166] 図２は、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２、電圧源２０５、及び導電性サポート２０４を備える、メンブレンクリーニング装置２００を介した断面を示す。導電性サポート２０４は導電体である。組み合わされた励起／コレクタ電極２０２は概して矩形のプレート形であり、概して立方体形状を有し、１つの寸法の長さは他の２つの寸法よりも大幅に短い。導電性サポート２０４は概して矩形のプレート形であり、導電性サポート２０４の形状を矩形フレームとして記述できるように中央矩形アパーチャを有する。組み合わされた励起／コレクタ電極２０２によって形成される概して矩形の形状、及び、導電性サポート２０４によって形成される概して矩形の形状は、実質的にサイズが等しい。組み合わされた励起／コレクタ電極２０２及び導電性サポート２０４は、組み合わされた励起／コレクタ電極の面と導電性サポートの面とが実質的に平行であるように配設される。

【0168】

[000167] 図２に示される実施形態において、メンブレンクリーニング装置２００は更にスペーサセクション２０３を備える。スペーサセクション２０３は電気絶縁体である。スペーサセクション２０３は、実質的に導電性サポート２０４と同じ形状（すなわち、概して矩形のフレーム）である。スペーサセクション２０３は、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２と導電性サポート２０４との間に配設される。

【0169】

[000168] 図２に示される実施形態において、メンブレンクリーニング装置２００は更に真空チャンバ２０１を備える。組み合わされた励起／コレクタ電極２０２、スペーサセクション２０３、及び導電性サポート２０４は、真空チャンバ２０１の内部に配設される。

【0170】

[000169] 図２には、メンブレンアセンブリ２０８も示されている。メンブレンアセンブリ２０８は、概して矩形のフレーム２１２によって支持されるメンブレン２１１を備える。使用中、メンブレンアセンブリ２０８は導電性サポート２０４上に配設される。導電性サポート２０４は、メンブレンアセンブリ２０８のフレーム２１２を支持するように構成される。フレーム２１２とメンブレン２１１の１つ以上の表面とは、導電性（例えば、金属）コーティング２０９でコーティングされるため、この導電性コーティング２０９は導電性サポート２０４と電気的に接触していることになる。

【0171】

[000170] 電圧源２０５は、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２及び導電性サポート２０４にわたって電圧を印加するように動作可能である。図２に示される実施形態において、これは、ワイヤ２０６ａ、２０６ｂ及び真空フィードスルー２０７ａ、２０７ｂを介して達成される。真空フィードスルー２０７ａ、２０７ｂは、真空チャンバ２０１の壁内部に配設される。電圧源２０５は、真空チャンバ２０１の外部に配設される。電圧源２０５の一方の電気端子は、ワイヤ２０６ａ及び真空フィードスルー２０７ａを介して導電性サポート２０４に電気的に接続される。電圧源２０５の反対側の電気端子は、ワイヤ２０６ｂ及び真空フィードスルー２０７ｂを介して組み合わされた励起／コレクタ電極２０２に電気的に接続される。

【0172】

[000171] メンブレン２１１は典型的には、ドープされた多結晶シリコンなどの非ゼロの導電率を伴う材料から形成される、及び／又は、メンブレン２１１の少なくとも一方の側に導電性コーティング２０９が提供されるため、使用中、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２及び導電性サポート２０４にわたって印加される電圧は、結果として、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２及びメンブレン２１１にわたって電圧を生じさせる。組み合わされた励起／コレクタ電極２０２及びメンブレン２１１は、閉回路の一部ではない。したがって、電荷は、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２上、及びメンブレン２１１上に蓄積可能である。この効果は、キャパシタ内の相対プレートの荷電と同様である。

【0173】

[000172] 組み合わされた励起／コレクタ電極２０２及びメンブレン２１１上に蓄積された電荷は、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２とメンブレン２１１との間に静電引力を生み出す。メンブレン２１１は相対的に薄く、したがって柔軟であるため、メンブレン２１１はこの引力によって歪曲される。

【0174】

[000173] 電荷の蓄積は、メンブレンアセンブリ２０８の近くに静電力を生じさせ、現行の発明のいくつかの実施形態で活用される。具体的に言えば、静電力の時間特性を構成することによって、メンブレン２１１内に機械的振動が誘起される。これは、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２及びメンブレン２１１にわたって時変電圧を印加することにより、本発明の現行実施形態に従って達成される。この目的で使用される時変電圧は、複数の時間的に離間したパルスを含む。この機構を下記で詳細に説明する。

【0175】

[000174] 真空ポンプ装置（簡略化のため図２では図示せず）は、真空チャンバ２０１の内部圧力を制御するように動作可能である。例えば、真空ポンプは、真空チャンバ２０１の圧力を真空状態近くまで低下させるように動作可能であり得る。メンブレンクリーニング装置２００の動作中、真空チャンバ２０１内部の圧力は１０ｍＢａｒ未満で維持され得る。代替として、真空チャンバ２０１の圧力は０．０１ｍＢａｒ未満で維持され得る。有利なことに、真空チャンバ２０１の内部を低圧で維持することで、メンブレン２１１がメンブレンクリーニング装置２００を使用してクリーニングされているときに、振動するメンブレン２１１によって体験する空気抵抗を低減させる。

【0176】

[000175] 図３は、電圧源２０５によって提供される電圧が、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２及び導電性サポート２０４にわたって印加されるとき、メンブレンクリーニング装置２００によってクリーニングされるメンブレン２１１を介した断面を示す。メンブレン２１１上に配設されたパーティクル２１０も示される。メンブレン２１１は一般的に柔軟であり、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２は一般的に剛性であるため、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２とメンブレン２１１との間の静電引力は、メンブレン２１１内に機械的変形３０１を生み出す。

【0177】

[000176] 本発明の一実施形態において、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２及び導電性サポート２０４にわたって印加される電圧は、時間ｔの関数として電圧Ｖのプロットを示す、図４ａに示される波形４００をたどることができる。電圧は時変である。具体的に言えば、電圧の波形４００は周期的であるため、電圧はパルス電圧４０１として記述され得る。パルス電圧４０１は、交互のオン部分４０２及びオフ部分４０３を含む。図４ａに示される電圧波形４００は、電圧源２０５によって生成され得るパルス電圧４０１の単なる一例であることを理解されよう。他の実施形態において、代替パルス形状及びパルス繰り返し周波数、及び／又は、バースト、トレインなどのパルスパターンを使用することが可能である。

【0178】

[000177] 図４ａに示されるパルス電圧４０１は、ＤＣ成分を含む（オフ部分４０３は、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２と導電性サポート２０４との間の非ゼロ電位差に対応する）。代替実施形態において、同様であるがＤＣ成分を含まない波形４００（オフ部分４０３は、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２と導電性サポート２０４との間のゼロ電位差に対応する）が使用され得る。ＤＣ成分を伴うパルス電圧４０１を使用することで、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２とメンブレンアセンブリ２０８との間に、より強い時平均電界を生成し、これによって、下記で説明するように、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２に向かうパーティクル２１０の移送を向上させることができる。

【0179】

[000178] パルス電圧４０１は、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２とメンブレン２１１との間にパルス静電引力を生み出す。パルス電圧４０１のオン部分４０２の間、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２とメンブレン２１１との間に静電引力が存在し、結果として前述のように、メンブレン２１１の機械的変形３０１が生じる。こうした電気力（電荷）を生じさせるパルス圧は、典型的には０．０１Ｐａから１００Ｐａの間であり得る。印加された圧力に続き、メンブレンのすべての部分又は少なくともいくつかの部分は、電極２０２に向けて加速される。

【0180】

[000179] ＤＣ成分を伴うパルス電圧４０１のオフ部分４０３の間、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２とメンブレン２１１との間に、オン部分４０２の間と比べて低減された静電引力が存在する。パルス電圧４０１に対するＤＣ成分のない実施形態の場合、パルス電圧４０１のオフ部分４０３の間、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２とメンブレン２１１との間に、静電引力は存在しない。したがって、パルス電圧４０１のオフ部分４０３の間（ＤＣ成分を含むか否かに関わらず）、メンブレン２１１の張力は、結果として、パルス電圧４０１のオン部分４０２の間に発生する機械的変形３０１の反対方向に、メンブレン２１１の加速を生じさせることができる。パルス電圧４０１のオン部分４０２及びオフ部分４０３が繰り返されるため、メンブレン２１１内に機械的振動が誘起される。

【0181】

[000180] 本発明の一実施形態において、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２及び導電性サポート２０４にわたって印加される電圧は、１０％未満のデューティサイクルを有する。有利なことに、これは、メンブレン２１１及び組み合わされた励起／コレクタ電極２０２によって形成されるキャパシタに電流を荷電及び放電することによって、メンブレン２１１の加熱量を制限する。

【0182】

[000181] パーティクル２１０は、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２に対向するメンブレン２１１の表面上に存在し得る。

【0183】

[000182] 経時的に平均化され、パルス電圧４００に起因して、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２とメンブレンアセンブリ２０８との間に正味電界が存在する。

【0184】

[000183] 組み合わされた励起／コレクタ電極２０２に対向するメンブレン２１１の表面上に配設された、非ゼロの表面導電率を伴うパーティクル２１０は、パルス電圧４０１に起因してメンブレン２１１から電荷を獲得し得る。パーティクル２１０の電荷は、パーティクル２１０を組み合わされた励起／コレクタ電極２０２に向けて引き付ける静電力が存在するようなものである。

【0185】

[000184] 追加又は代替として、パーティクル２１０は、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２に対向するメンブレン２１１の表面との摩擦電気相互作用を介して、電荷を獲得し得る。パーティクル２１０の電荷は、正又は負であり得る。使用中、摩擦荷電パーティクルと電極２０２との間に引力を提供するように、電圧パルス４００の極性を選択し得、異なる材料の状況（異なる符号の摩擦電荷）をカバーするために、電圧パルスの極性（ＤＣ成分及び／又はパルス成分）は変化し得る。

【0186】

[000185] メンブレン２１１の表面上に存在する各パーティクル２１０は、メンブレンが振動するにつれて、パーティクル２１０と、表面にパーティクル２１０があるメンブレン２１１の表面との間の、ファンデルワールス引力に起因して、メンブレン２１１の表面と共に全体として移動する。

【0187】

[000186] プレテンションの下で、メンブレン２１１上の各パーティクル２１０は独立発振器として扱うことができる。こうした発振器の共振周波数は、パーティクル２１０及びメンブレン２１１の特性と共に変化し得る。

【0188】

[000187] 例えば、こうしたパーティクル２１０の共振周波数は、パーティクル２１０の質量Ｍと共に変化し得る。共振周波数は、メンブレン２１１上のパーティクル２１０の接触スポットのサイズ３０４（典型的な短距離ファンデルワールス相互作用によって定義される）に対する、メンブレン２１１内に誘起される振動の半径３０３（振動の振幅及び励起周波数によって定義される）の比率、ｄと共に変化し得る。典型的には、メンブレンクリーニング装置２００を使用してクリーニングされるメンブレン２１１の場合、ｄは１００から１０００，０００の間であり得る。こうしたパーティクルの共振周波数は、メンブレン２１１の厚み３０５、ｈと共にも変化し得る。典型的には、メンブレンクリーニング装置２００を使用してクリーニングされるメンブレン２１１の場合、ｈは１０ｎｍから１００ｎｍの間であり得る。共振周波数は、メンブレン２１１のプレテンションσと共にも変化し得る。典型的には、メンブレンクリーニング装置２００を使用してクリーニングされるメンブレン２１１の場合、σは５０ＭＰａから５００ＭＰａの間であり得る。

【0189】

[000188] 発振器の基本周波数ｖ_０は、下記の数式によって記述され得る。

【0190】

【数1】

【0191】

典型的なパーティクル密度の場合、及び０．５ｕｍから５ｕｍの間のパーティクル半径の場合、ｖ_０は、およそ１０ＭＨｚから０．３ＭＨｚの間であり得る。メンブレン２１１に印加される励起周波数がパーティクル２１０の共振周波数に近づく場合、パーティクル２１０の振動の振幅３０１は増加可能である。パーティクル２１０の振動の振幅が増加するにつれて、パーティクル加速に起因する慣性がファンデルワールス力を超える可能性があるため、メンブレンとパーティクルとの分離３０２は同様に増加し得る。

【0192】

[000189] ファンデルワールス力の大きさは、力が作用する原子又は分子間の分離３０２の二乗に反比例する。メンブレンとパーティクルとの分離３０２のある閾値において、パーティクル２１０とメンブレン２１１の表面との間のファンデルワールス引力は、パーティクル２１０を組み合わされた励起／コレクタ電極２０２に向かって引き付ける静電力が、パーティクル２１０とメンブレン２１１との間のファンデルワールス力を上回る範囲まで減衰される。したがって、メンブレンとパーティクルとの分離３０２の閾値より上で、パーティクル２１０をメンブレン２１１から除去し得る。上にあるパーティクル２１０は、メンブレン２１１と組み合わされた励起／コレクタ電極２０２との間の空間内に配設され、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２に向かって加速する。

【0193】

[000190] パーティクル２１０の共振周波数は、質量依存性に起因して、パーティクル２１０のサイズと共に変化する。サイズの範囲を有するパーティクル２１０を除去するために、パルス電圧４０１は、ある周波数レンジのメンブレン２１１の振動を誘起するように構成され得る。メンブレン２１１の誘起される振動の周波数レンジは、「励起スペクトル」と呼ぶことができる。励起スペクトルは、電圧源２０５によって印加されるパルス電圧４０１の波形４００のフーリエ変換によって与えられる。励起スペクトルの成分は、パルス電圧４０１の時間的特徴から生じる。相対的に長い時間間隔で繰り返す特徴は、相対的に低い周波数で励起の成分を生じさせ、その逆も同じである。

【0194】

[000191] 図４ｂ及び図４ｃは、図４ａに示される形のパルス電圧４０１に対応する励起スペクトル４０４の概略プロットを示す。励起スペクトル４０４は、メンブレン上に及ぼされる相対静電引力Ｆを、この力が及ぼされる発振周波数ｆの関数として概略的に示す。励起スペクトル４０４は、第１の部分４０５及び第２の部分４０６を含む。

【0195】

[000192] 励起スペクトル４０４の第１の部分４０５は、最長の持続時間を伴うパルス電圧４０１の時間的特徴、パルス電圧４０１のパルスの時間期間４０７から生じる。第１の部分４０５の中心周波数４０８は、時間期間４０７の逆数によって定義される（この中心周波数４０８は、パルス周波数又は繰り返し数と呼ばれる）。いくつかの実施形態において、パルス電圧４０１の繰り返し数は、３０ｋＨｚから３０ＭＨｚのレンジ内であり得る。図４ｃの影付き領域４０９は、第１の部分４０５の中心周波数４０８を時間期間４０７の変調を介してシフトすることに対応する。時間期間４０７における増加は、第１の部分４０５の中心周波数４０８における減少につながる（その逆も同じである）。

【0196】

[000193] 励起スペクトル４０４の第２の部分４０６は、持続時間が時間期間４０７よりも短いパルス電圧４０１の時間的特徴から生じる。第２の部分４０６は、パルス電圧４０１のパルスのオン部分４０２の半値全幅（ＦＷＨＭ）４１０、並びに、パルス電圧４０１のパルスの立ち上がり時間４１１及び立下り時間４１２によって定義される。第２の部分４０６の下位周波数４１３は、ＦＷＨＭ４１０の逆数によって定義される。第２の部分４０６の上位周波数４１４は、立ち上がり時間４１１及び立下り時間４１２のうちのいずれかの最短持続時間の逆数によって定義される。図４ｃの影付き領域４１５は、ＦＷＨＭ４１０並びに立ち上がり時間４１１及び立下り時間４１２を変調することを介して、第２の部分４０６の下位周波数４１３及び上位周波数４１４をシフトすることに対応する。ＦＷＨＭ４１０における増加は、第２の部分４０６の下位周波数４１３における減少につながる（その逆も同じである）。立ち上がり時間４１１及び立下り時間４１２のうちのいずれかの最短持続時間における増加は、第２の部分４０６の上位周波数４１４における減少につながる（その逆も同じである）。

【0197】

[000194] 図４ａに示される形のパルス電圧４０１は、相対的にシンプルである。したがって、これは当業者であれば容易に実装可能である。有利なことに、パルス電圧４０１の波形４００はシンプルであるが、所望の励起スペクトルを達成するために選択（及び変更）可能な、いくつかの構成可能パラメータ（時間期間４０７、ＦＷＨＭ４１０、立ち上がり時間４１１、及び立下り時間４１２を含む）を提示する。

【0198】

[000195] 図４ａに示される形のパルス電圧４０１を使用することの代替として、電圧増幅器に接続された任意波形発生器を使用して、望ましい励起スペクトルを誘起するように構成可能な、任意の望ましいパルス形状を生成することができる。

【0199】

[000196] 本実施形態において、図４ａに示される電圧波形４００は、一般的な形状であり、所望の励起スペクトルを達成するために選択（及び変更）可能な、１つ以上のパラメータ（例えば、時間期間４０７、ＦＷＨＭ４１０、立ち上がり時間４１１、及び立下り時間４１２のいずれか）を有すると見なし得る。他の実施形態において、様々な電圧波形が使用できるが、一般的な形状を有し、所望の励起スペクトルを達成するために選択（及び変更）可能な、１つ以上のパラメータを有するとも見なし得ることを理解されよう。

【0200】

[000197] 現行実施形態の配置において、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２及びメンブレンアセンブリ２０８は、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２とメンブレン２１１との間の分離が１ｍｍから１０ｍｍの間であるように配設される。

【0201】

[000198] 現行実施形態の配置において、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２及び導電性サポート２０４にわたって印加されるパルス電圧４０１は、１００Ｖから１００００Ｖの間の最大電位差を有する。

【0202】

[000199] 現行実施形態の配置において、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２とメンブレンアセンブリ２０８との間の正味（時平均）電界は、（パルス電圧４０１に起因して）１０Ｖｍ^－１より大きいか又は－１０Ｖｍ^－１未満の電界強度を有する。

【0203】

[000200] 現行実施形態の配置において、パルス電圧４０１は、３０ｋＨｚから３０ＭＨｚの間の周波数レンジ内で、メンブレン２１１（及びそれによって、メンブレン２１１上に配設されるパーティクル２１０）の振動を励起するように構成される。例えば、パルス電圧４０１は、１００ｋＨｚから１０ＭＨｚの間の周波数レンジ内で、メンブレン２１１の振動を励起するように構成され得る。

【0204】

[000201] 現行実施形態の配置において、パルス電圧４０１は、（フレームの幅及び長さ、並びに膜のプレテンション、厚み、及び密度によってのみ定義される）クリーンなメンブレン２１１の基本周波数に近いメンブレンの振動の周波数を誘起しない。例えば、現行実施形態の配置において、パルス電圧４０１は、３０ｋＨｚより下のメンブレン２１１の振動を誘起しない。これは、メンブレン２１１の破断を回避することを助けるため、有用である。

【0205】

[000202] 現行実施形態の配置において、パルス電圧４０１は、正弦波的に変動する電圧ではない。適切なオフセクション４０３がパルスの形状に組み込まれることを保証することによって、メンブレンアセンブリ２０８上の導電性コーティング２０９内への消散電力を低く維持し得る。これは、放射冷却がメンブレン２１１の温度を安全限界内に維持できるようにするため、有用である。

【0206】

[000203] 前述の配置を使用すると、メンブレンクリーニング装置２００を使用して０．５ｕｍから５ｕｍの間の寸法を伴うパーティクル２１０をメンブレン２１１から除去することができる。

【0207】

[000204] パルス電圧４０１は、別々のパルス列として印加され得る。１つのパルス列は、別のパルス列の直後に続く。別々のパルス列には、連続パルス列において反転されたパルス電圧の極性が印加され得る。これは、負の荷電パーティクル及び正の摩擦荷電パーティクルの両方をリリースし、それらを集電極に引き付けるために有用であり得る。各パルス列の持続時間は、パーティクル２１０が、（反転された電圧極性を伴う）次のパルス列が印加される前に、組み合わされた励起／コレクタ電極２０２に移送されるのに十分な時間を有するように、構成され得る。荷電パーティクルは、一般に、励起／コレクタ電極２０２と接触すると放電し得ることを理解されよう。したがって、これらのパーティクルは、電圧の極性が反転されたとき、メンブレン２１１に逆移送されることはない。

【0208】

[000205] 次に、本発明の第２の実施形態に従ったメンブレンクリーニング装置５００を、メンブレンクリーニング装置５００を介した断面を示す、図５を参照しながら説明する。

【0209】

[000206] 図５に示されるメンブレンクリーニング装置５００は、図２に示されるメンブレンクリーニング装置２００と共通のいくつかの特徴を共有している。図２に示されるメンブレンクリーニング装置２００の特徴に概して対応し、この特徴と概して同じであり得る、図５に示されるメンブレンクリーニング装置５００の任意の特徴は、共通の参照番号を共有する。

【0210】

[000207] 図５に示されるメンブレンクリーニング装置５００と図２に示されるメンブレンクリーニング装置２００との間の相違点のみを、下記で詳細に考察する。

【0211】

[000208] 特に、メンブレンクリーニング装置５００は、導電性サポート２０４、スペーサセクション２０３、ワイヤ２０６ａ、２０６ｂ、及び真空フィードスルー２０７ａ、２０７ｂを備える。更に、使用中、（メンブレン２１１及び概して矩形のフレーム２１２を備える）メンブレンアセンブリ２０８は、導電性サポート２０４上に配設される。

【0212】

[000209] メンブレンクリーニング装置５００は、電極５０２及び電圧供給５０５も備える。電極５０２は概して、図２に示される組み合わされた励起／コレクタ電極２０２と同じ形であり得るが、下記で詳細に考察するように、本実施形態の電極５０２は、コレクタ電極としてのみ作用する。同様に、電圧供給５０５は概して、図２に示される電圧供給２０５と同じ形であり得るが、下記で詳細に考察するように、電圧供給５０５は、（複数のパルスを含む時変電圧とは対照的に）定電圧又はＤＣ電圧を印加するように配置され得る。

【0213】

[000210] 図５に示されるメンブレンクリーニング装置５００と、図２に示されるメンブレンクリーニング装置２００との間の１つの主な相違点は、次に考察するように、図５に示されるメンブレンクリーニング装置５００はメンブレン２１１内に機械的振動を誘起するための異なる機構を備えるという点である。

【0214】

[000211] メンブレンクリーニング装置５００は、メンブレン２１１内に機械的振動を誘起するための機構を備え、機械的振動を誘起するための機構は、導電性サポート２０４によって支持されているとき、メンブレン２１１の少なくとも一部に入射するパルス放射ビームを生成するように動作可能な放射源（例えば、レーザ）を備える。

【0215】

[000212] 特に、メンブレンクリーニング装置５００は、このためにレーザ５１４を備える。レーザ５１４は、パルスレーザビーム５１６を生成するように動作可能である。

【0216】

[000213] 図５に示されるメンブレンクリーニング装置５００は、図２に示される真空チャンバ２０１と同様であるが、更にウィンドウ５１２を備える、修正真空チャンバ５０１を備える。レーザ源５１５は、真空チャンバ５０１の外側に配設される。ウィンドウ５１２は光透過性材料から形成され、この材料を介してパルスレーザビーム５１６はメンブレン２１１上に入射するように伝搬可能である。

【0217】

[000214] メンブレンクリーニング装置５００は、パルスレーザビーム５１６をレーザ５１４による出力として案内及び／又は形状化するための光学系５２０、５２２を備えるビームデリバリシステム５１８を、更に備える。

【0218】

[000215] 本実施形態において、ビームデリバリシステム５１８は、パルスレーザビーム５１６を、ウィンドウ５１２を介してメンブレン２１１上の局所ビームスポット部分に合焦させるように動作可能である。メンブレン２１１のこの部分は、入射レーザビーム５１６から放射圧力を受け取る。メンブレン２１１は通常柔軟であるため、放射圧力はメンブレン２０８内に機械的変形３０１を生み出し得る。レーザビーム５１６によって及ぼされる局所圧力は、メンブレン２１１上でレーザビームパルスによって及ぼされる力によってビームスポット領域のエリアに与えられる。メンブレン２１１上でレーザビームパルスによって及ぼされる力は、メンブレン２１１によって吸収される光子の運動量の変化率によって与えられる。各光子の運動量は、その光子のエネルギーと光の速度との比によって与えられ、したがって、メンブレン２１１上でレーザビームパルスによって及ぼされる圧力は、吸収される放射の電力密度（Ｗ／ｍ^２）と光の速度との比によって与えられ、ここでは簡潔さのために、メンブレン上の反射光の効果は省略されることを理解されよう。

【0219】

[000216] レーザ放射源５１５によって生成されるレーザビーム５１６は、パルスレーザビーム５１６である。レーザパルスの間に（レーザ放射がメンブレン２１１上に入射しないとき）、メンブレン２１１の内部構造力は結果として、放射圧によって発生する機械的変形の反対方向にメンブレン２１１の加速を生じさせることが可能である。したがってパルスレーザビーム５１６のメンブレン２１１への印加は、メンブレン２１１内に機械的振動を誘起させ得る。

【0220】

[000217] 本実施形態において、レーザビーム５１６は、（すなわち、ビームスポット部分に近接する）メンブレン２１１の局所部分内にのみ振動を誘起するように動作可能である。有利なことに、機械的振動をメンブレン２１１の局所部分に制約することによって、より精密な、より迅速な、及びよりエネルギー効率の良い、クリーニングプロセスが達成され得る。

【0221】

[000218] メンブレン２１１のすべての部分をクリーニングできるようにするために、レーザ５１４及び／又はビームデリバリシステム５１８の少なくとも一部はウィンドウ５１２に対して移動可能である。メンブレンクリーニング装置５００を使用して、合焦されたパルスレーザビーム５１６を、メンブレン２１１上の（除去することが望ましい）あらゆるクリティカルパーティクル２１０にウィンドウ５１２を介して送達し得る。代替として、メンブレンクリーニング装置５００を使用して、メンブレン２１１全体をクリーニングするために、メンブレン２１１の表面全体にわたってパルスレーザビーム５１６をスキャン又はステップし得る。

【0222】

[000219] 電圧源５０５は、電圧源５０５の電気端子にわたって電圧を印加し得、その結果、電極５０２及びメンブレン２０８にわたって電圧を生じさせる。図２に示されるメンブレンクリーニング装置２００に関して上記で考察したように、これが、メンブレン２１１上の少なくともいくつかのパーティクル２１０に静電引力を及ぼす。機械的振動がパルスレーザビーム５１６によって誘起される際、パーティクル２１０（独立発振器として扱うことができる）はメンブレン２１１から離れて移動し得、パーティクル２１０とメンブレン２１１との間の結合力を低減させる。メンブレン２１１が振動する周波数がパーティクル２１０の共振周波数に近づくと、パーティクル２１０の振動の振幅が増加し得る。パーティクル２１０の振動の振幅が増加するにつれて、メンブレンとパーティクルとの分離３０２も同様に増加し得る。メンブレンとパーティクルとの分離３０２のある閾値において、パーティクル２１０とメンブレン２１１の表面との間のファンデルワールス引力はもはや、（例えば、メンブレン２１１がパルス間にコレクタ電極５０２から離れて加速するとき）パーティクル２１０をメンブレン２１１の表面に付着したままにしておくことはできない。したがって、パーティクル２１０はメンブレン２１１から除去され、電極５０２に向かって加速する。

【0223】

[000220] メンブレンクリーニング装置２００、５００の第１及び第２の実施形態における導電性サポート２０４の使用は、電圧源２０５、５０５とメンブレン２１１との間の電気的カップリングを向上させ得る。しかしながら代替実施形態において、メンブレンクリーニング装置２００、５００は導電性サポート２０４なしで構築可能であり、電圧源２０５、５０５はメンブレン２１１に直接結合可能であることを理解されよう。

【0224】

[000221] 同様に、メンブレンクリーニング装置２００、５００の第１及び第２の実施形態における（電気絶縁体から形成される）スペーサセクション２０３の使用は、メンブレン２１１と電極２０２、５０２との間に特定の離間を提供するために都合の良い配置を提供し得る。更に、電気絶縁スペーサセクション２０３を介して、電極２０２、５０２によってメンブレンアセンブリ２０８を支持するために都合のよい配置を提供し得る。しかしながら、代替実施形態において、メンブレンクリーニング装置２００、５００は、スペーサセクション２０３なしで構築され得ることを理解されよう。例えば、代替実施形態において、電圧源２０５、メンブレン２１１、及び電極２０２、５０２のそれぞれの間に接続を提供するワイヤ２０６ａ、２０６ｂは、メンブレン２１１及び電極２０２、５０５を支持できるように十分な強度である。

【0225】

[000222] 本発明のいくつかの実施形態は、クリーニングするべきメンブレンの２つの反対表面の近くに電界を生成するように動作可能な電界生成機構を利用し、メンブレンの２つの反対表面の近くの電界は反対方向である。いくつかの実施形態において、電界強度は、（反対方向に配置されているが）メンブレンの両側で実質的に等しい大きさであり得る。有利なことに、こうした配置は、十分な横方向の（メンブレンの面から外への）負荷の下で破断する傾向があり得るほど十分に薄い可能性のある、メンブレンのクリーニングに、特に適切である。メンブレンの２つの反対表面の近くに電界を印加することによって、メンブレンの２つの反対表面の近くの電界は反対方向となり、メンブレンの両側の静電圧力は少なくとも部分的に等しくなり得る。これによって、より大きな電界が使用可能となり、より高レベルのクリーニングを提供することができる。次にこうした実施形態の一例を、図６から図７を参照しながら説明する。

【0226】

[000223] 次に、本発明に従ったメンブレンクリーニング装置６００の第３の実施形態を、図６、図７ａ、及び図７ｂを参照しながら説明する。

【0227】

[000224] 図６は、導電性サポート６０２、２つのコレクタ電極６０４、６０６、及び電圧源６０８を備える、クリーニング装置６００を介した断面を示す。

【0228】

[000225] 導電性サポート６０２は導電性材料から形成され、装置６００を用いてクリーニングするべきメンブレン（例えば、ペリクル）を支持するためのものである。図６には、メンブレンアセンブリ２０８も示されている。メンブレンアセンブリ２０８は、概して矩形のフレーム２１２によって支持されるメンブレン２１１を備える。導電性サポート６０２は、メンブレンアセンブリ２０８のフレーム２１２を支持するように配置される。

【0229】

[000226] ２つのコレクタ電極６０４、６０６は、導電性サポート６０２によって支持されるメンブレン２１１の面の両側に配設される。２つのコレクタ電極６０４、６０６はまとめて接続される（すなわち、同じ電位にある）。図６に示される実施形態において、２つのコレクタ電極６０４、６０６の各々は、クリーニングのためにメンブレン２１１が配設され得る内部チャンバ６１４を画定する、２部アセンブリのうちの１つの部分を形成する。第１のコレクタ電極６０４は、通常、２部アセンブリのふた部分を形成し得、第２のコレクタ電極６０６は、通常、２部アセンブリの本体部分を形成し得る。２つのコレクタ電極６０４、６０６の各々は、基部６０４ａ、６０６ａ及び突出部６０４ｂ、６０６ｂを備える。２つのコレクタ電極６０４、６０６の基部６０４ａ、６０６ａは、クリーニングのためにメンブレン２１１が配設され得る内部チャンバ６１４を画定するように協働する。２つのコレクタ電極６０４、６０６は、内部チャンバ６１４へのアクセスを提供するために分離され得ることを理解されよう。特にこれは、クリーニングのためにメンブレンアセンブリ２０８を内部チャンバ６１４内にロードすること、及び、クリーニングされると、メンブレンアセンブリ２０８を内部チャンバ６１４からアンロードすることができる。

【0230】

[000227] ２つのコレクタ電極６０４、６０６が接触している嵌め合わせ面で、内部チャンバ６１４を内部チャンバ６１４の外側から封止するように、２つのコレクタ電極６０４、６０６の間にシール６１６が配設される。シール６１６は内部チャンバ６１４を密閉するように配置され得るため、２つのコレクタ電極６０４、６０６の間に気密シールが作成される。こうした構成において、内部チャンバ６１４は真空チャンバとして機能することができる。内部チャンバ６１４内の圧力を制御するために、１つ以上の真空ポンプ（図示せず）が提供され得る。

【0231】

[000228] ２つのコレクタ電極６０４、６０６の突出部６０４ｂ、６０６ｂは各々、基部６０４ａ、６０６ａそれぞれからの、概して立方体状の突起の形である。２つのコレクタ電極６０４、６０６の突出部６０４ｂ、６０６ｂは、内部チャンバ６１４内へと突出し、２つのコレクタ電極６０４、６０６が相互に係合されるとき、通常、突出部６０４ｂ、６０６ｂは、相互に平行となる。

【0232】

[000229] 導電性サポート６０２は、絶縁サポート６１８を介して第２のコレクタ電極６０６の基部６０６ａに接続される。絶縁サポート６１８は非導電性材料から形成され、１つ以上のスペーサアパーチャ６２０を備える。導電性サポート６０２及び絶縁サポート６１８は、どちらも矩形フレームの形、すなわち、中央矩形アパーチャを有する概して矩形のプレートである。

【0233】

[000230] 電圧源６０８は、導電性サポート６０２によって支持されるメンブレン２１１及び２つのコレクタ電極６０４、６０６の各々にわたって電圧を印加するように配置される。電圧源６０８は、２つのコレクタ電極６０４、６０６によって形成される内部チャンバ６１４の外部に配設される。電圧源６０８の第１の電気端子は、第１のワイヤ６２２を介して（第１のコレクタ電極６０４と電気的に接触している）第２のコレクタ電極６０６に電気的に接続される。電圧源６０８の第２の電気端子は、第２のワイヤ６２４を介して導電性サポート６０２に電気的に接続される。第２のコレクタ電極６０６には、真空フィードスルー６２６が提供される。第２のワイヤ６２４は真空フィードスルー６２６を通過する。

【0234】

[000231] 導電性サポート６０２は、メンブレン２１１又はメンブレンアセンブリ２０８を支持するためのメンブレンサポートであると見なされ得る。電圧源６０８及び２つのコレクタ電極６０４、６０６は、導電性サポート６０２によって支持されているとき、メンブレン２１１の近くに電界を生成するための電界生成機構であると見なされ得る。

【0235】

[000232] メンブレンクリーニング装置は、次に考察するように、メンブレン２１１をクリーニングするために使用され得る。メンブレン２１１はペリクルメンブレン１６であってよく、ドープされた多結晶シリコンなどの、非ゼロの導電率を伴う材料から形成され得る。メンブレンアセンブリ２０８は、メンブレン２１１の面の一方又は両方の側に導電性（例えば、金属又は導電性セラミック）コーティング２０９も備え得る。

【0236】

[000233] 使用中、メンブレンアセンブリ２０８は、メンブレンアセンブリ２０８の導電性表面２０９が導電性サポート６０２と電気的に接触するように、フレーム２１２が導電性サポート６０２によって支持されるように配設される。

【0237】

[000234] 前述のように、内部チャンバ６１４内の圧力を制御するために、１つ以上の真空ポンプ（図示せず）が提供され得る。特に、真空ポンプ装置（図示せず）を使用して、内部チャンバ６１４内の圧力を真空状態近くまで低下させることができる。例えば、１つ以上の真空ポンプは、内部チャンバ６１４内の圧力を＜１０^－３ｍＢａｒまで、好ましくは＜１０^－６ｍＢａｒまで低減させるように動作可能であり得る。絶縁サポート６１８内のスペーサ装置６２０は、内部チャンバ６１４の圧力をメンブレン２１１の面の両側で等しくすることができる。

【0238】

[000235] 電圧源６０８は、電圧源６０８の電気端子にわたって電圧を印加するように動作可能であり、結果として、メンブレンアセンブリ２０８の導電性表面２０９及びコレクタ電極６０４、６０６（２つのコレクタ電極６０４、６０６は互いに電気的に接続されている）にわたる電圧が生じることになる。コレクタ電極６０４、６０６及びメンブレンアセンブリ２０８の導電性表面２０９は、閉回路の一部ではない。したがって、コレクタ電極６０４、６０６及びメンブレン２１１上に電荷の蓄積を生じさせることができる。この電荷の蓄積がメンブレン２１１の近くに電界を生み出し、電界はメンブレン２１１の面の両側で反対の方向を有する。

【0239】

[000236] 図６には、メンブレン２１１の反対表面上に配設された２つのパーティクル６３０、６３２も示されている。図７ａ及び図７ｂは、メンブレンクリーニング装置６００を使用するクリーニングプロセスの間の２つの異なる時点での、メンブレン２１１と、２つのコレクタ電極６０４、６０６の突出部６０４ｂ、６０６ｂとの、拡大部分を示す。

【0240】

[000237] メンブレン２１１のいずれかの表面に配設される非ゼロの表面導電率を伴うパーティクル６３０、６３２は、電圧源６０８によって印加される電圧の結果として、メンブレン２１１から電荷を獲得し得る。パーティクル６３０、６３２の電荷は、パーティクル６３０、６３２が配設されたメンブレン２１１の表面に対向するコレクタ電極６０４、６０６に向かって、パーティクル６３０、６３２を引き付ける静電力が存在するものである。メンブレン２１１のいずれかの側の導電性及び誘電性パーティクル６３０、６３２は、どちらもこうした誘起電荷を受ける（誘電パーティクルでさえ、有限非ゼロの表面導電率を有する）。

【0241】

[000238] 追加又は代替として、パーティクル６３０、６３２は、メンブレン２１１の表面との摩擦電気相互作用を介して、電荷を獲得し得る。パーティクル６３０、６３２の電荷は、正又は負のいずれかであり得る。パーティクル６３０、６３２の電荷は、（パーティクル２１０の電荷の符号に依存して）、メンブレン２１１、又は、パーティクル６３０、６３２が配設されたメンブレン２１１の表面に対向するコレクタ電極６０４、６０６の、いずれかに向かって、パーティクル６３０、６３２を引き付ける静電力が存在するものである。メンブレン２１１及び２つのコレクタ電極６０４、６０６の各々にわたって、（電圧源６０８によって）十分に大きな電圧が印加されるとき、誘起電荷は、いずれの摩擦電気誘起電荷よりも大きいことを理解されよう。更に、下記で詳細に説明するように、メンブレン２１１の面の両側に提供される２つのコレクタ電極６０４、６０６を使用することによって、図６に示されるメンブレンクリーニング装置６００の実施形態は、メンブレン２１１が破断することなしに、相対的に大きな電界（及び、したがって誘起電荷）を生成することが可能である。したがって、図６に示されるメンブレンクリーニング装置６００の実施形態の場合、摩擦電気誘起電荷は無関係であり得る。

【0242】

[000239] したがって、電圧源６０８の電気端子にわたる電圧の印加は、結果として、パーティクル６３０、６３２が配設されたメンブレン２１１の表面に対向するコレクタ電極６０４、６０６に向かってパーティクル６３０、６３２を引き付ける力Ｆ_１、Ｆ_２が、メンブレン２１１上の少なくともいくつかのパーティクル６３０、６３２に印加されることになる。静電引力Ｆ_１、Ｆ_２の大きさは、パーティクル６３０、６３２が経験する電界の強度の二乗に比例する。十分に大きな電圧の場合、これらの力Ｆ_１、Ｆ_２は、パーティクル６３０、６３２とメンブレン２１１との間の結合力（例えば、ファンデルワールス力）を超えることになり、またパーティクル６３０、６３２は、メンブレン２１１から離れて、及び、パーティクル６３０、６３２が配設されたメンブレン２１１の表面に対向するコレクタ電極６０４、６０６に向かって、加速することになる。

【0243】

[000240] ２つのコレクタ電極６０４、６０６の各々の突出部６０４ｂ、６０６ｂには絶縁コーティング６３４、６３６が提供される。絶縁コーティング６３４、６３６は、コレクタ電極６０４、６０６と、前述の電界を介してコレクタ電極６０４、６０６に引き付けられている任意のパーティクル６３０、６３２との間での、電荷転移を防止する。これによって、パーティクル６３０、６３２がコレクタ電極６０４、６０６からメンブレン２１１に移送されるのを防止することができる。絶縁コーティング６３４、６３６は、メンブレンクリーニング装置６００の使用中、電圧供給６０８によって生成される電界を超える破壊強度を有し得る。

【0244】

[000241] パーティクル６３０、６３２が体験する電界の強度は、メンブレン２１１及びコレクタ電極６０４、６０６にわたって印加される電圧を制御することによって、制御され得る。加えて、パーティクル６３０、６３２が体験する電界の強度は、メンブレン２１１とコレクタ電極６０４、６０６の各々との間の分離距離６３８、６４０を制御すること、及び／又は、絶縁コーティング６３４、６３６の電磁特性及び／又は厚み６４２、６４４を制御することによって、制御され得る。

【0245】

[000242] メンブレンクリーニング装置６００は、使用中、メンブレン２１１の２つの反対表面上の電界強度のバランスを全体として取るために、メンブレン２１１とコレクタ電極６０４、６０６の各々との間の距離６３８、６４０、及び、絶縁コーティング６３４、６３６の各々の厚み６４２、６４４が選択されるように、構成される。メンブレン２１１の２つの反対表面上の電界強度のバランスを取ることによって、メンブレン２１１の両側に印加される静電圧力（矢印６４６、６４８によって概略的に表される）もバランスを取られる。

【0246】

[000243] 図７ｂに示されるように、パーティクル６３０、６３２がコレクタ電極６０４、６０６に静電的に転移すると、絶縁コーティング６３４、６３６は電荷漏れを防止し、コレクタ電極６０４、６０６からメンブレン２１１へのパーティクルの逆転移のリスクを低減させる。したがって、次に静電引力Ｆ_１、Ｆ_２は、パーティクル６３０、６３２を絶縁コーティング６３４、６３６に押し付け、電圧供給６０８によって印加されるバイアスが除去されない限り、パーティクル６３０、６３２を定位置に保持する。このバイアス電圧が除去されると、パーティクル６３０、６３２はファンデルワールス相互作用を介して絶縁コーティング６３４、６３６に結合される。

【0247】

[000244] 図６に示されるメンブレンクリーニング装置６００は、電界を使用してパーティクル６３０、６３２をメンブレン２１１から除去可能な配置を提供する。使用中、メンブレンアセンブリ２０８は、導電性サポート６０２によって支持可能である。メンブレン２１１が導電性サポート６０２によって支持されているとき、パーティクル６３０、６３２をメンブレン２１１の表面から取り除き、こうしたパーティクル６３０、６３２をメンブレン２１１の表面から離れて移送するために、電圧源６０８及び２つのコレクタ電極６０４、６０６を使用して、メンブレン２１１の近くに電界を生成することができる。

【0248】

[000245] 図６に示されるメンブレンクリーニング装置６００の実施形態は、十分な横方向の（メンブレンの面から外への）負荷の下で破断する傾向があり得るほど十分に薄い可能性のある、メンブレン２１１のクリーニングに、特に適切である。例えば、ペリクル１５の場合、約１００Ｐａ又はそれ以上の横方向圧力の印加は、結果としてメンブレンの破断を生じさせ得る。２つのコレクタ電極６０４、６０６がメンブレン２１１の面の両側に提供されるため、（導電性サポート６０２によって支持されているとき）メンブレン２１１の２つの反対表面の近くに同時に電界を生成することが可能であり、メンブレン２１１の２つの反対表面の近くの電界は反対方向になる。有利なことに、これによってメンブレン２１１の両側の圧力を少なくとも部分的に等しくすることができる。これによって、より大きな電界が使用可能になり、よりレベルの高いクリーニングが提供できる。

【0249】

[000246] いくつかの実施形態において、メンブレンクリーニング装置６００は、電界の大きさがメンブレン２１１の両側で実質的に等しいように配置され得る（電界の方向はメンブレン２１１の両側で異なる）。

【0250】

[000247] いくつかの実施形態において、メンブレンクリーニング装置６００は、ＥＵＶリソグラフィ装置ＬＡ内でペリクル１５が経験し得る典型的な電界を超える電界を、メンブレン２１１の近くに生成するように配置され得る。例えば、ＥＵＶリソグラフィ装置（図１を参照）において、パターニングデバイスＭＡは静電クランプを介して支持構造ＭＴに取り付けることができる。パターニングデバイスＭＡをカバーするように、ペリクル１５を支持構造ＭＴに取り付けることもできる。こうした配置では、静電クランプはおよそ１～１０ｋＶ（例えば、４ｋＶ）のクランプ電圧を生成することができ、ペリクル１５は、パターニングデバイスＭＡから約１～５ｍｍ（例えば、２ｍｍ）の距離に配設され得る。こうした配置では、約２から２０ＭＶ／ｍの電界がペリクル１５の近くに生成され得る。これにより、ペリクル１５上の任意のパーティクルに、パーティクルをペリクル１５に結合する結合力（例えば、ファンデルワールス力）を超える力を及ぼすことができ、これがパーティクルをペリクル１５から離れて、及びパターニングデバイスＭＡに向かって加速させる。加えて、ＥＵＶリソグラフィ装置内に、ＥＵＶ放射への露光時にＥＵＶプラズマを形成し得るガス（例えば、水素）の低圧供給が存在し得る。こうしたＥＵＶ誘起プラズマは、有限（非ゼロ）の導電率を有し得、ペリクル１５と、（ペリクル１５に対して）数ｋＶまでバイアスされ、薄い絶縁コーティングが提供され得る、静電クランプの１つ以上の部分との間に、電気的接触を提供し得る。図６に示されるメンブレンクリーニング装置６００を使用してペリクル１５をクリーニングすること、及び、ＥＵＶリソグラフィ装置ＬＡ内でペリクルが経験し得る典型的な電界を超える電界をペリクルの近くに生成することによって、ＥＵＶリソグラフィ装置内のパターニングデバイスＭＡに転移可能なペリクルのほぼすべてが、ペリクル１５が使用される前に除去され得る。

【0251】

[000248] したがって、いくつかの実施形態において、メンブレンクリーニング装置６００は、メンブレン２１１の近くに約１～２０ＭＶ／ｍの電界強度を生成するように動作可能であり得る。例えばこれは、メンブレン２１１とコレクタ電極６０４、６０６の各々との間に約０．１～２ｍｍの距離を提供すること、及び、電圧源６０８の電気端子にわたって、約０．１から４０ｋＶの電圧を生成するように動作可能な電圧供給６０８を提供すること（結果として、メンブレンアセンブリ２０８の導電性表面２０９及びコレクタ電極６０４、６０６にわたる電圧を生じさせる）によって達成され得る。

【0252】

[000249] 発明者等は、メンブレンの一方の側にのみ生成される場合、メンブレンを破断させる可能性がある電界を、メンブレン２１１の近くに生成することが望ましいものと理解した。図６に示されるメンブレンクリーニング装置６００は、印加される圧力のバランスを少なくとも部分的に取るように、実質的に等しく、反対の電界をメンブレンの両側に生成することによって、これを回避する。

【0253】

[000250] 一般に、いくつかの実施形態において、メンブレンクリーニング装置６００のいずれの導電性コンポーネントにも、電界の集中する（鋭利な）ポイント又は縁部において（特に、電圧供給６０８によって大きな電圧が印加されるときに）発生し得る、火花発生やアーチ作用のリスクを低減させるために、丸みを帯びた縁部が提供され得る。例えば、図６を見るとわかるように、コレクタ電極６０４、６０６、及び特にコレクタ電極６０４、６０６の突出部６０４ｂ、６０６ｂ、及び導電性サポート６０２には、この理由で丸みを帯びた縁部が与えられている。加えて、メンブレンアセンブリ２０８には、任意の鋭利な縁部（例えば、フレーム２１２上）及び／又は金属化縁部（簡潔さのために省略）を隠すために、更にカバー又は覆いを提供することができる。

【0254】

[000251] 本実施形態では、２つのコレクタ電極６０４、６０６は（すなわち、実質的に同じ電圧で）電気的に接触されているが、代替実施形態では、コレクタ電極は接続されていない可能性があるものの、依然として実質的に等しい電圧で維持され得ることを理解されよう。更なる代替実施形態では、コレクタ電極は接続されておらず、異なる電圧で維持され得、これは例えば、メンブレン２１１の両側での静電力が実質的にバランスを取ることを依然として保証するように、２つのコレクタ電極６０４、６０６がメンブレン２１１から等距離でないように位置決めされた場合、望ましい可能性がある。

【0255】

本実施形態は導電性サポート６０２を備えるが、代替実施形態では、第１及び第２のワイヤ６２２、６２４は、メンブレン２１１に直接接続するか、又は代替として、メンブレンアセンブリ２０８を支持していない（例えば、メンブレンフレーム２１２の上面に接続され得る）導電性部材が提供され得ることを理解されよう。

【0256】

[000252] 本発明のいくつかの実施形態は、クリーニングするべきメンブレンの少なくとも１つの表面の近くに電界を生成するように動作可能な電界生成機構を、メンブレンの少なくとも１つの表面の近隣にプラズマを生成するように動作可能なプラズマ生成機構と組み合わせて利用する。電界生成機構は、電界の方向を反転させるように動作可能である。次に、こうした実施形態の２つの例を図８ａ、図８ｂ、及び図８ｃを参照しながら説明する。

【0257】

[000253] 図８ａは、２つの電極８０２、８０４及び電圧源８０６を備える、クリーニング装置８００の一部の断面を示す。電圧源８０６は、ワイヤ８０８、８１０を介して２つの電極８０２、８０４に接続され、２つの電極８０２、８０４にわたって電圧を印加するように配置される。

【0258】

[000254] クリーニングすべきメンブレン２１１は、２つの電極２１１の間に配設される。図示されていないが、メンブレン２１１はメンブレンアセンブリの一部を形成し得、またメンブレンサポートによって支持され得ることを理解されよう。こうしたメンブレンアセンブリ及びメンブレンサポートは、概して、上記で本発明の他の実施形態について説明した、対応するメンブレンアセンブリ及びメンブレンサポートの形であり得る。

【0259】

[000255] メンブレンクリーニング装置８００は、メンブレン２１１の２つの表面の近隣にプラズマ８１２を生成するように動作可能な、プラズマ生成機構も備える。

【0260】

[000256] 図８ｂは、２つの電極８０２、８０４及び電圧源８０６も備えるクリーニング装置８２０の一部の断面を示す。図８ａに示されるクリーニング装置８００とは対照的に、図８ｂに示されるクリーニング装置８２０の電圧源８０６は、電圧源８０６の一方の端子がワイヤ８０８ａ、８０８ｂを介して２つの電極８０２、８０４に接続され、電圧源８０６の他方の端子はワイヤ８１０を介してメンブレン２１１の導電性部分２０９に接続されるように、接続される。したがって、電圧源８０６は、メンブレン２１１及び電極８０２、８０４の各々にわたって電圧を印加するように配置される。

【0261】

[000257] 再度、図には示されていないが、メンブレン２１１はメンブレンアセンブリの一部を形成し得、メンブレンサポートによって支持され得ること（及び、ワイヤ８０８ｂとメンブレン２１１との間の電気接続は、こうしたメンブレンサポートの導電性部分を介し得ること）を理解されよう。こうしたメンブレンアセンブリ及びメンブレンサポートは、概して、本発明の他の実施形態について上記で説明した、対応するメンブレンアセンブリ及びメンブレンサポートの形であり得る。

【0262】

[000258] メンブレンクリーニング装置８２０は、メンブレン２１１の２つの表面の近隣にプラズマ８１２を生成するように動作可能な、プラズマ生成機構も備える。

【0263】

[000259] 図８ｃは、１つの電極８０２及び電圧源８０６を備える、クリーニング装置８５０の一部の断面を示す。電圧源８０６は、ワイヤ８０８、８１０を介して電極８０２及びメンブレン２１１の導電性部分２０９に接続され、電極８０２及びメンブレン２１１にわたって電圧を印加するように配置される。

【0264】

[000260] 再度、図には示されていないが、メンブレン２１１はメンブレンアセンブリの一部を形成し得、メンブレンサポートによって支持され得ること（及び、ワイヤ８１０とメンブレン２１１との間の電気接続は、こうしたメンブレンサポートの導電性部分を介し得ること）を理解されよう。こうしたメンブレンアセンブリ及びメンブレンサポートは、概して、本発明の他の実施形態について上記で説明した、対応するメンブレンアセンブリ及びメンブレンサポートの形であり得る。

【0265】

[000261] クリーニング装置８５０は、電極８０２とメンブレン２１１との間に（すなわち、電極８０２に対向するメンブレン２１１の表面の近隣に）プラズマ８１２を生成するように動作可能な、プラズマ生成機構も備える。

【0266】

[000262] 図８ａから図８ｃに示されるクリーニング装置８００、８２０、８５０の各々において、プラズマ８１２は相対的に低い圧力を有し得る。本明細書で使用する場合、相対的に低い圧力のプラズマ８１２とは、プラズマの密度が、メンブレン２１１と電極８０２、８０４との間のいずれの印加バイアスも、結果として火花発生又は他の高電流放電を生じさせないようなものである（例えば、１００ｍＡを超える電流を伴う放電はない）ことを意味し得る。

【0267】

[000263] 図８ａに示されるようなクリーニング装置８００の配置の利点は、本配置が、クリーニングされているメンブレン２１１へのいかなる電気的接続も必要としないことである。

【0268】

[000264] 図８ｂに示されるようなクリーニング装置８２０の配置の利点は、本配置が、（図６に示されるクリーニング装置６００と同様の様式で）メンブレン２１１の両側に反対の電界を生成できることである。メンブレン２１１の両側の電界強度が実質的に等しい（が反対である）場合、メンブレンの２つの反対面に印加される静電圧力は実質的に等しく、これがメンブレンを破断するリスクを低減させ、電圧源８０６によって印加可能なバイアス電圧の量を増加させる。

【0269】

[000265] 図８ａから図８ｃに示されるクリーニング装置８００、８２０、８５０の各々において、プラズマ８１２内の電子及びイオンの移動性における差異に起因して、電圧源８０６によって印加されるバイアス電圧がない場合、プラズマに接触するすべての表面は負に荷電される。特に、メンブレン２１１の表面は負に荷電される。これは、導電性に乏しい（またしたがって、メンブレンクリーニング装置２００、５００、６００の前述の実施形態によって十分にクリーニングできない）パーティクル８１４、８１６を荷電する際に使用可能な機構である。

【0270】

[000266] 図８ａから図８ｃに示されるクリーニング装置８００、８２０、８５０のいくつかの実施形態において、電圧源８０６は、メンブレン２１１の少なくとも１つの表面の近くに電界を生成する、バイアス電圧を印加するように動作可能であり得る。したがって、メンブレン２１１と電極８０２、８０４との間にバイアス電圧が存在する。これによって有限導電率プラズマ８１２を介する電流が生じ、導電性に乏しいパーティクル８１４、８１６の表面に電荷を堆積させることになる。したがって、プラズマ８１２の有限（非ゼロ）導電率に起因して、メンブレン２１１及びメンブレン２１１上の任意のパーティクル８１４、８１６は、最も近いバイアス電極（８０２、８０４）の電位（及び対応する電荷）を取得する。これが、導電性に乏しく、またメンブレン２１１上の電界に十分適切に追従しないため、メンブレンクリーニング装置２００、５００、６００の前述の実施形態によって十分にクリーニングされないパーティクル８１４、８１６に、強化電荷を与えるやり方である。このバイアス電圧は、荷電電圧と呼ばれることがある。

【0271】

[000267] 図８ａから図８ｃに示されるクリーニング装置８００、８２０、８５０の各々において、電圧源８０６によってバイアス電圧が印加されるとき、プラズマは、メンブレン２１１の一方又は両方の表面の近隣に仮想電極を形成するものと見なされ得る。この仮想電極は、メンブレンの表面の近隣にプラズマシースによって提供され、メンブレン２１１のその表面に対向するコレクタ電極８０２、８０４と同じ極性を有する。

【0272】

[000268] 電圧源８０６は、プラズマから電荷を受け取ったパーティクル８１４、８１６をメンブレンから離す、バイアス電圧を提供するように動作可能である。このバイアス電圧は、リリース電圧と呼ばれることがある。電荷がプラズマからのみ獲得された（電圧源８０６からのバイアス電圧がない）実施形態の場合、これは、（負に荷電された）パーティクル８１４、８１６をメンブレン２１１から離すバイアス電圧を印加することによって、達成される。電荷がプラズマから獲得された、電圧源８０６からのバイアス電圧が存在する実施形態の場合、これは、バイアス電圧の極性を反転させることによって達成される。リリースバイアスが十分迅速にオンに切り替えられた場合、プラズマ８１２を介して電荷を獲得したメンブレン２１１上に配設された任意のパーティクル８１４、８１６は、メンブレン２１１から離れて、及びそのパーティクル８０２、８０４が対向する電極８０２、８０４に向かって誘導される、静電力の作用を受ける。十分大きなバイアス電圧の場合、これらの力は、パーティクル８１４、８１６とメンブレン２１１との間の結合力（例えば、ファンデルワールス力）を超え、パーティクル８１４、８１６は、メンブレン２１１から離れて、及び、パーティクル８１４、８１６が配設されたメンブレン２１１の表面に対向するコレクタ電極８０２、８０４に向けて、加速する。任意選択として、プラズマ生成機構は、リリース電圧をオンに切り替える前に、プラズマ８１２がオフに切り替えられるように配置され得る。これにより、パーティクル上の電荷減衰の効果を減少させ、続いてバイアル極性を反転させ得る。

【0273】

[000269] これらの実施形態について、メンブレン２１１と電極８０２、８０４との間でプラズマ８１２を支持するために、メンブレン２１１と電極８０２、８０４との間の距離は、典型的には、他の前述の実施形態のメンブレン２１１とコレクタ電極との間の距離よりも大きくなることに留意されたい。メンブレン２１１は、約１００ｃｍ^２の面積を有し得、メンブレン２１１と電極８０２、８０４との間にプラズマ８１２を生み出し、これを支持するために、メンブレン２１１と電極８０２、８０４との間の距離は約３０～３００ｍｍであり得る。パーティクルをリリースするために必要なバイアス電圧は、メンブレン２１１と電極８０２、８０４との間の距離の関数であるが、およそ３０～３００ｍｍのメンブレン２１１と電極８０２、８０４との間の距離の場合、およそ１００～１０００Ｖであり得る。

【0274】

[000270] ペリクルは典型的には導電層を有するため、本実施形態では、（図８ｂ及び図８ｃに示されるメンブレンクリーニング装置８２０、８５０におけるように）バイアス電圧をペリクルに直接印加することができる。代替として、メンブレン２１１は２つの電極８０２、８０４の間に載置され得、バイアス電圧は（例えば、図８ａに示されるメンブレンクリーニング装置８００におけるように）これらの電極８０２、８０４のうちの一方又は両方に印加され得る。前述のように、この後者の方式は、メンブレン２１１への直接接続が不要であるため、メンブレン２１１への機械的損傷のリスクを低減することができる。

【0275】

[000271] プラズマ８１２からメンブレン２１１へと流れるイオン電流を最小にする（結果としてパーティクル８１４、８１６の電荷中和を生じさせる）ために、リリースバイアス電圧は、例えば＜０．１ｍｓの時間尺度で、迅速にオンに切り替えるべきである。

【0276】

[000272] バイアス電圧が印加される間、プラズマ８１２がオンのままである実施形態の場合、バイアス電圧によってリリースされるパーティクルはプラズマ８１２内にトラップされ、他の場所に移送することができる。

【0277】

[000273] プラズマ８１２と電圧源８０６からの印加電圧とが存在する状況下では、メンブレン２１１を介して流れる電流が存在することになる。電流の大きさは、印加電圧とプラズマ８１２の密度の両方に依存する。この電流が、結果として、望ましくない可能性のあるメンブレン２１１のジュール加熱を生じさせる。メンブレン２１１は、約１０ｃｍ×１０ｃｍの寸法を有し得、約１００ｎｍの厚みを有し得る。メンブレン２１１は、約１００Ωの抵抗を有し得る。これらの（プラズマ８１２及び印加電圧を有する）状況の時間範囲は、メンブレン２１１を介して流れる電流によって発生する熱が、メンブレン２１１が機能しなくなる温度までメンブレン２１１を加熱することなく消散できるように制限され得る。これは、印加電圧の時間範囲を制御すること及び／又はプラズマ８１２がオンに切り替えられるタイミングを制御することによって、制御可能である。メンブレンの温度が５００℃を超えないことを保証することが望ましい場合がある。

【0278】

[000274] いくつかの実施形態において、メンブレン２１１のジュール加熱を制限するために、バイアス電圧をパルス電圧として印加し得る。パルス電圧を印加することは、電流がメンブレン２１１を介して流れる間の時間を制限する。こうした動作モードでは、パーティクル８１４、８１６は、最小加熱及びイオンによる最小電荷中和でリリース可能である。

【0279】

[000275] パルス電圧のデューティサイクルが、メンブレン２１１を介して流れる電流によって発生する熱が、メンブレン２１１が機能しなくなる温度までメンブレン２１１を加熱することなく消散できることを保証するように制限され得ることを理解されよう。例えば、デューティサイクルは１０％以下、例えば１％以下であり得る。パルス電圧の周波数は、１Ｈｚと１０ｋＨｚとの間であり得る。また、ジュール加熱を制限するために、パルス電圧のパルス持続時間は、１ｍｓ未満であり得る。例えば、パルス電圧のパルス持続時間は１０ｕｓ未満であり得る。

【0280】

[000276] いくつかの実施形態において、十分なクリーニングを提供するために、メンブレンの近くの電界強度は少なくとも１０ｋＶ／ｍであり、より好ましくは少なくとも１００ｋＶ／ｍである。電界強度は、電圧供給８０６によって印加されるバイアス電圧、及び、メンブレン２１１とコレクタ電極８０２、８０４との間の距離に、依存することを理解されよう。しかしながら、電界強度は、プラズマ８１２（例えば、プラズマのタイプ、プラズマの密度など）にも依存し、プラズマ８１２は、通常、望ましいターゲット電界強度を達成するために印加されるべき電圧を低減させる。いくつかの実施形態において、パルス電圧の大きさは少なくとも１００Ｖであり得る。例えば、パルス電圧の大きさは少なくとも１０００Ｖであり得る。

【0281】

[000277] いくつかの実施形態において、パルス電圧の各パルスは、第１の極性を有する（及び、荷電電圧と呼ばれることのある）第１の部分と、第２の反対の極性を有する（及び、リリース電圧と呼ばれることのある）第２の部分とを備え得る。有利なことに、こうした配置では、第１の部分の間、プラズマ８１２はパーティクル８１４、８１６を、そのパーティクル８１４、８１６に対向する電極８０２、８０４の電位の極性に対応する電荷で荷電することになる。第２の部分において、バイアス電圧の極性は逆である。これが十分迅速に行われる場合、プラズマ８１２を介して電荷を得るメンブレン２１１上に配設されたいずれのパーティクル８１４、８１６にも、メンブレン２１１から離れて、及びパーティクル８１４、８１６が対向している電極８０２、８０４に向かって誘導される、静電力が作用することになる。

【0282】

[000278] 追加又は代替として、プラズマ８１２は、極性の反転の前に１ｍｓ以下の、好ましくは１ｕｓ以下の遅延で、オフに切り替えられ得る。

【0283】

[000279] 例えばプラズマ生成機構は、プラズマ８１２が、パルス電圧の後続のパルス間でオンに切り替えられるように、及び、パルス電圧のパルス中にオフに切り替えられるように、配置され得る。

【0284】

[000280] プラズマ生成機構をこのように、特にパルス電圧のパルス中にプラズマ８１２をオフに切り替えるように、パルス電圧と同期させることによって、メンブレン２１１を介して流れる電流の量を制限することができる。こうした配置によって、大きさ及び電圧パルスの時間範囲に対するいずれの制限も、緩和することができる。この配置によって、（例えば、メンブレンの両側の静電圧力のバランスを実質的に取ることを保証するように、電圧が印加される場合）、電圧パルスの大きさ及び時間範囲に対する制限がない場合もあり得る。

【0285】

[000281] こうした配置では、プラズマ８１２は減衰するにつれて、メンブレン２１１を介して高電流を流すことなく、メンブレン２１１上の導電性に乏しいパーティクル８１４、８１６に依然として荷電することが可能である。

【0286】

[000282] パーティクル８１４、８１６を除去するためにバイアス電圧を導入するこの手順は、任意の都合の良い周波数で繰り返すことが可能である。例えば、パーティクル８１４、８１６を除去するためにバイアス電圧を反転させる手順は、およそ１Ｈｚから１０ｋＨｚの間の周波数で繰り返すことが可能である。こうした配置は、およそ３０ｎｍ及びそれより大きい寸法のほぼすべてのパーティクルを効率的且つ迅速に除去することが可能であることがわかっている。例えば、こうした配置は、およそ３０ｎｍ及びそれより大きい寸法のパーティクルの＞９９％を、１秒未満のクリーニング時間内で効率的且つ陣族に除去することが可能であることがわかっている。

【0287】

[000283] 次に、本発明の第５の実施形態に従ったメンブレンクリーニング装置９００を、メンブレンクリーニング装置９００を介した断面を示す図９を参照しながら説明する。

【0288】

[000284] 図９に示されるメンブレンクリーニング装置９００は、図５に示されるメンブレンクリーニング装置５００と共通のいくつかの特徴を共有している。図５に示されるメンブレンクリーニング装置５００の特徴に概して対応し、この特徴と概して同じであり得る、図９に示されるメンブレンクリーニング装置９００の任意の特徴は、共通の参照番号を共有する。

【0289】

[000285] 図９に示されるメンブレンクリーニング装置９００と図５に示されるメンブレンクリーニング装置５００との間の相違点のみを、下記で詳細に考察する。

【0290】

[000286] メンブレンクリーニング装置９００は、図５に示されるメンブレンクリーニング装置５００と同様に、真空チャンバ９０１、ウィンドウ９１２、ワイヤ２０６ａ、２０６ｂ、及び真空フィードスルー２０７ａ、２０７ｂを備える。

【0291】

[000287] メンブレンクリーニング装置９００は、サポート９０４、２つの電極９０２ａ、９０２ｂ、電圧源９０５、レーザ９１４、及びビームデリバリシステム９１８も備える。使用中、（メンブレン２１１及び概して矩形のフレーム２１２を備える）メンブレンアセンブリ２０８が、サポート９０４上に配設される。

【0292】

[000288] 電圧源９０５は、図２に示される電圧源２０５と概して同じ形であり得る。電圧源９０５は、時変電圧（例えば、複数のパルスを備える時変電圧）を印加するように配置され得る。

【0293】

[000289] 図９に示されるメンブレンクリーニング装置９００と図５に示されるメンブレンクリーニング装置５００との間の相違点は、図９に示されるメンブレンクリーニング装置９００がメンブレン２１１内に機械的振動を誘起するための異なる機構を備える点である。

【0294】

[000290] 図９に示されるメンブレンクリーニング装置９００と図５に示されるメンブレンクリーニング装置５００との間の別の相違点は、メンブレン２１１の少なくとも一部の温度を制御するために、メンブレンクリーニング装置９００のレーザ９１４及びビームデリバリシステム９１８が提供される点である。

【0295】

[000291] 図９に示されるメンブレンクリーニング装置９００と図５に示されるメンブレンクリーニング装置５００との間の別の相違点は、電極９０２ａ、９０２ｂの配置が電極５０２の配置とは異なる点である。

【0296】

[000292] 電圧源９０５の一方の端子は、真空フィードスルー２０７ａを介して進むワイヤ２０６ａを使用して、電極９０２ａに接続される。電圧源９０５の反対の端子は、真空フィードスルー２０７ｂを介して進むワイヤ２０６ｂを使用して、電極９０２ｂに接続される。２つの電極９０２ａ、９０２ｂは互いに近隣である。電極９０２ａ、９０２ｂは、メンブレンアセンブリ２０８のメンブレン２１１の同じ側に配設される。２つの電極９０２ａ、９０２ｂは、メンブレン２１１の近隣であり、これに対向する、より小さな断面積をその端部に有するテーパ部分を備え得る。

【0297】

[000293] 使用中、メンブレンアセンブリ２０８のメンブレン２１１の電位は、流動的であり得る（すなわち、固定されない）。代替として、メンブレンアセンブリ２０８のメンブレン２１１は、固定電位（固定ＤＣバイアス又は接地など）で保持され得る。メンブレン２１１を流動電位で有することが好ましい場合がある。

【0298】

[000294] メンブレン２１１の電位は、メンブレン２１１を電圧源（図示せず）に接続することによって制御され得る。代替として、メンブレン２１１の電位は、サポート９０４を電圧源（図示せず）に接続することによって制御され得る。メンブレンアセンブリ２０８の導電性コーティング２０９はサポート９０４と接触しており、それによってサポート９０４とメンブレン２１１との間の電気接触が保証される。電荷はメンブレン２１１上に蓄積され得る。

【0299】

[000295] ２つの電極９０２ａ、９０２ｂは、メンブレン２１１がサポート９０４によって支持されているとき、メンブレン２１１の表面に近接して位置決め可能である。使用中、電極９０２ａ、９０２ｂはメンブレン２１１に近接して配設される。電圧源９０５は、電極９０２ａ、９０２ｂにわたって電圧を印加する。したがって電荷は、電極９０２ａ、９０２ｂ上に蓄積可能である。メンブレン２１１の電位が固定されているか流動的であるかに関わらず、メンブレン２１１と電極９０２ａ、９０２ｂとの間に一般的な電位差（バイアス）が存在し得る。

【0300】

[000296] 電荷が電極９０２ａ、９０２ｂ上に蓄積すると、電極９０２ａ、９０２ｂ及びメンブレン２１１の近くに電界が存在する。メンブレン２１１内の電荷キャリアは、メンブレン２１１内に電荷が誘起されるようにシフトし得る。メンブレン２１１上にあるパーティクル２１０も誘起された電荷を獲得し得る。

【0301】

[000297] 電荷が電極９０２ａ、９０２ｂ上（及びメンブレン２１１上）に蓄積すると、電極９０２ａ、９０２ｂの各々とメンブレン２１１との間に静電引力が存在することになる。

【0302】

[000298] メンブレン２１１は相対的に薄く、したがって柔軟であるため、メンブレン２１１は、メンブレン２１１と電極９０２ａ、９０２ｂの各々との間の任意の引力によって歪曲される。

【0303】

[000299] 電荷の蓄積は、メンブレンアセンブリ２０８の近くに静電力を生じさせ、現行実施形態において活用される。具体的に言えば、機械的振動は、この静電力の時間的特徴を構成することによってメンブレン２１１内で誘起される。これは、本発明の現行実施形態に従い、電極９０２ａ、９０２ｂにわたって時変電圧を印加することによって、及び、メンブレン２１１の電位を流動的にすること、又はメンブレン２１１を固定された電位（すなわち、固定電圧）で保持することのいずれかによって、達成される。

【0304】

[000300] 図２、図３、及び図４を参照しながら上記で説明したように、パルス静電力はメンブレン２１１内に振動を誘起シエル。パーティクル２１０及びこれが配設されるメンブレン２１１は、合成振動システムとして作用し得、メンブレン２１１の振動の特定の（共振）周波数の場合、パーティクル２１０とメンブレン２１１との間の分離は、パーティクル２１０がもはやメンブレン２１１と結合しなくなるような程度まで増加し得る。パーティクル２１０の共振周波数でメンブレン内に振動を誘起することによる、メンブレン２１１からのパーティクル２１０の除去のこの原理は、メンブレンクリーニング装置９００において活用される。

【0305】

[000301] 電極９０２ａ、９０２ｂにわたる時変電圧の印加中、メンブレン２１１と電極９０２ａ、９０２ｂとの間に時平均正味電界が存在し得る。前述のように、メンブレン２１１から除去されるいずれのパーティクル２１０も、電荷を獲得し得る。パーティクル２１０のこの電荷、及び、メンブレン２１１と電極９０２ａ、９０２ｂとの間の正味電界は、メンブレンクリーニング装置９００を使用してメンブレン２１１から除去されたいずれのパーティクル２１０も電極９０２ａ、９０２ｂに向かって引き付けられ得るようなものであり得る。

【0306】

[000302] 電極９０２ａ、９０２ｂは、メンブレン２１１内に振動を誘起するために使用される。したがって電極９０２ａ、９０２ｂは、励起電極と呼ぶことができる。パーティクル２１０は、メンブレン２１１から除去された後、パーティクル２１０の電荷に、及び電極９０２ａ、９０２ｂの各々の極性に依存して、電極９０２ａ、９０２ｂのうちの１つ又は両方に引き付けられ得る。したがって、電極９０２ａ、９０２ｂは、コレクタ電極と呼ぶことができる。

【0307】

[000303] リソグラフィ装置（リソグラフィ装置ＬＡなど）内で使用されるとき、パターニングデバイス（パターニングデバイスＭＡなど）に対向するメンブレン２１１の側は、メンブレン２１１の「クリティカル側」と呼ぶことができ、これは、このクリティカル側から、メンブレン２１１上に配設されるパーティクル２１０がパターニングデバイスＭＡに移送され、リソグラフィ性能に影響を与えるためである。リソグラフィ装置内で使用されるとき、パターニングデバイスから離れた方を向くメンブレン２１１の反対側は、「非クリティカル側」と呼ぶことができる。

【0308】

[000304] 図９に示されるメンブレンクリーニング装置９００において、電極９０２ａ、９０２ｂは、電極９０２ａ、９０２ｂがメンブレン２１１のクリティカル側を向くように、メンブレン２１１に対して配置される。こうした配置では、メンブレン２１１と電極９０２ａ、９０２ｂとの間に時平均正味電界が存在するように、電極９０２ａ、９０２ｂにわたる時変電圧の印加を配置することが有益であり得る。この正味電界は、メンブレンクリーニング装置９００を使用してメンブレン２１１（のクリティカル側）から除去されるいずれのパーティクル２１０も、電極９０２ａ、９０２ｂに向けて引き付けられ得ることを保証し得る。

【0309】

[000305] メンブレン２１１に対する電極９０２ａ、９０２ｂの配置は、図９に示される配置とは異なる場合がある。代わりに電極９０２ａ、９０２ｂは、電極９０２ａ、９０２ｂがメンブレン２１１の非クリティカル側に向くように、配置され得る。例えばメンブレンアセンブリ２０８が図９に示される向きとは異なる向きでサポート９０４上に配置されること、及び／又は、電極９０２ａ、９０２ｂが図９に示されるエリアとは異なる真空チャンバ９０１のエリアに配設されることが、可能である。

【0310】

[000306] 電極９０２ａ、９０２ｂがメンブレン２１１の非クリティカル側を向く配置では、電界は電極９０２ａ、９０２ｂとメンブレン２１１との間に存在するが、この電界は通常、メンブレン２１１を越えて延在しない。通常、メンブレン２１１のクリティカル側に近接する電界は存在しない。こうした配置において、振動はメンブレン２１１内に誘起され得、メンブレン２１１上に配設されるパーティクル２１０は、図９を参照しながら上記で説明したように、メンブレン２１１から除去され得る。しかしながら、こうした配置において、メンブレン２１１のクリティカル側から除去されるパーティクル２１０は、メンブレン２１１から効果的に「発射」された後、このパーティクル２１０の運動量の結果として、メンブレン２１１から離れて移送され得る。すなわち、電界は、パーティクルがメンブレン２１１のクリティカル側から除去された後、メンブレン２１１のクリティカル側から離れてパーティクル２１０を移送することに影響を与えない。更に、電極９０２ａ、９０２ｂ及びメンブレン２１１は、パーティクルが（誘起された振動によって）メンブレン２１１のクリティカル側から除去された後、メンブレン２１１から離れてパーティクルを除去することを重力も助けるように、互いに対して配置され得る。

【0311】

[000307] メンブレンクリーニング装置９００の（電極９０２ａ、９０２ｂがメンブレン２１１の非クリティカル側を向く）この改変は、メンブレン２１１を支持するためのメンブレンサポート、及び、メンブレン２１１がメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレン２１１の近くに電界を生成するための電界生成機構を、備えるように記述され得ることを理解されよう。

【0312】

[000308] メンブレンクリーニング装置９００のこの改変は、メンブレン２１１がメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレン２１１内に機械的振動を誘起するための機構を備えるように記述され得ることを、更に理解されよう。

【0313】

[000309] 振動は、振動がメンブレンクリーニング装置２００を使用してメンブレン２１１内に誘起される様式と同様の様式で、メンブレンクリーニング装置９００を使用してメンブレン２１１内に誘起される。特に、メンブレンクリーニング装置９００及びメンブレンクリーニング装置２００の両方は、１つ以上の電極とメンブレン２１１との間の時変（例えば、パルス）静電力を使用して、メンブレン内に振動を誘起する。メンブレンクリーニング装置９００において、メンブレン２１１と電極９０２ａ、９０２ｂとの間の時変又はパルス静電力は、電圧源９０５からの時変又はパルス電圧の印加の結果として生じる。

【0314】

[000310] メンブレン２１１内に振動を誘起するために利用される時変電圧は、複数の時間的に離間したパルスを含み得る。図２に示されるメンブレンクリーニング装置２００の電圧源２０５によって提供されるパルス電圧と同様に、電圧源９０５によって供給される電圧の時間的特徴は、メンブレン２１１の望ましい周波数レンジ（すなわち、望ましい励起スペクトル）の振動を誘起するように構成され得る。図４を参照しながら上記で詳細に説明したように、パーティクル２１０の共振周波数は、基本（又は固有）周波数Ｖ_０の質量依存に起因して、パーティクル２１０のサイズと共に変動し得る。あるレンジのサイズを有するパーティクル２１０を除去するために、電圧源９０５によって提供されるパルス電圧は、所定のレンジ内のサイズを有するパーティクル２１０を除去するように調整された励起スペクトルを生み出すように構成され得る。

【0315】

[000311] ここまで説明したように、メンブレンクリーニング装置９００（図９）は、メンブレンクリーニング装置２００（図２）と実質的に同じ方法を使用して、パーティクル２１０をメンブレン２１１から除去することを理解されよう。図９における電極９０２ａ、９０２ｂの配置は、図２における電極２０２の配置とは異なる。図９における電極９０２ａ、９０２ｂの配置は、図２における電極２０２の配置に比べてより空間的に局所的なメンブレン２１１の励起を可能にし得る。有利なことに、図９における電極９０２ａ、９０２ｂのこの配置は、（図２における電極２０２などの）メンブレン２１１のより大きなエリアにわたって振動を誘起するのに十分な大きさの電極よりも、低いエネルギーで動作することが必要であり得る。これは、メンブレンクリーニング装置９００の効率を向上させるように説明され得る。更に、図９における電極９０２ａ、９０２ｂの配置は、（印加電圧の所与の振幅について）図２における電極２０２によって誘起されるよりも大きな、メンブレン２１１の一部の振動の振幅を誘起し得る。これは、メンブレンクリーニングの有効性を向上させるものと説明することができる。

【0316】

[000312] メンブレンクリーニング装置９００は、メンブレン２１１の少なくとも一部の温度を制御するように構成される。メンブレンクリーニング装置９００は、メンブレン２１１の機械的振動の誘起中、メンブレン２１１の少なくとも一部の温度を制御するように構成される。メンブレンクリーニング装置９００は、メンブレン２１１の少なくとも一部の温度を上昇させる（すなわち加熱する）ように構成される。特に、メンブレンクリーニング装置９００は、メンブレン２１１の一部を、メンブレン２１１のその部分が機械的振動を受けるのと同時に、加熱することができる。機械的振動を受けているメンブレン２１１の部分を加熱することで、結果として、メンブレン２１１のその部分を拡張させ得る。これが、メンブレン２１１のその部分における局部張力を低減させ得る。メンブレン２１１の張力は、代替として、メンブレン２１１のプレテンションと呼ぶことができる。次に、メンブレン２１１が加熱される際に使用され得る機構について説明する。

【0317】

[000313] レーザ９１４はレーザ源９１５を備える。ビームデリバリシステム９１８は光学系９２０を備える。使用中、レーザ源９１５はレーザビーム９１６を生成する。ビームデリバリシステム９１８の光学系９２０は、レーザビーム９１６が、ウィンドウ９１２を介して伝搬するように、及びメンブレン２１１の表面に入射するように、ビームデリバリシステム９１８によって整形されるように配置される。

【0318】

[000314] レーザビーム９１６が入射するメンブレン２１１の一部は、「レーザスポット領域」と記述することができる。ビームデリバリシステム９１８は、レーザスポット領域が、メンブレン２１１の表面の望ましい部分（図９に概略的に示される部分など）をカバーするように、レーザビーム９１６を整形し得る。代替として、ビームデリバリシステム９１８は、レーザスポット領域がフレーム２１２内のメンブレン２１１全体をカバーするように、レーザビーム９１６を整形し得る。ビームデリバリシステム９１８は、レーザビーム９１６の空間強度プロファイルを制御するように構成され得る。例えば、ビームデリバリシステム９１８は、レーザビーム９１６の空間強度プロファイルを、平坦（すなわち、「トップハット」）であるように整形し得る。

【0319】

[000315] レーザビーム９１６がメンブレン２１１の表面上に入射するとき、（放射）エネルギーの一部がメンブレン２１１の表面によって受け取られる。これが、メンブレン２１１のレーザスポット領域内のメンブレン２１１の温度を上昇させ得る。温度が上昇するメンブレン２１１のいずれの部分も、結果として熱膨張を受け得る。メンブレン２１１の一部の熱膨張は、メンブレン２１１の張力σを変更し得る。特に、熱膨張はメンブレン２１１の張力σを低減させ得る。

【0320】

[000316] メンブレンアセンブリ２０８のフレーム２１２は、通常、加熱されない。特に、フレーム２１２は通常、レーザビーム９１６によって加熱されない。したがって、メンブレン２１１は熱膨張を受けるが、フレーム２１２は受けないことができる。これは、メンブレン２１１が固定フレーム２１２内で熱膨張を受けるものと説明できる。これが、フレーム２１２内でのメンブレン２１１の「サギング」と説明できるものにつながり得る。

【0321】

[000317] 前述のように、発振器の基本周波数ｖ_０は、下記の数式によって記述され得る。

【0322】

【数2】

【0323】

基本周波数ｖ_０は、√σに比例する。したがって、固定質量Ｍのパーティクル２１０（固定サイズを有するパーティクル２１０に対応すると想定され得る）の場合、メンブレン２１１における張力の低減は、メンブレン２１１及びパーティクル２１０によって定義される発振システムの基本周波数を低下させる。

【0324】

[000318] 時変電圧が電圧源９０５によって電極９０２ａ、９０２ｂにわたって印加される結果として、メンブレン２１１内で励起スペクトルが生じる。電圧源９０５は、通常、市販のパルス電圧源に対応し得る。こうした電圧源は、電圧パルスが提供され得る周波数の上限を有し得る。前段落で与えられた数式でわかるように、これは、メンブレン２１１の機械的振動を誘起することによって除去し得るパーティクルの質量（及びしたがってサイズ）について下限が存在することに対応する。

【0325】

[000319] メンブレン２１１内に振動が誘起される周波数を増加させることで、メンブレン２１１からより小さなパーティクル２１０の除去が可能になり、これは、電圧源９０５の前述の周波数上限に起因して不可能となる場合がある。しかしながら、メンブレン２１１の張力を低減させること（例えば、前述のように、パーティクル２１０の近くのメンブレン２１１を局所的に加熱するためにレーザビーム９１６を使用すること）によって、張力が低減したメンブレンの部分でのパーティクル２１０の振動の基本周波数も低下する。したがって電圧源９０５の周波数上限は、メンブレン２１１の張力が低減されなかった場合よりも質量の低いパーティクル２１０の基本周波数に対応することになる。したがって有利なことに、メンブレン２１１のプレテンションを（例えば、前述のようにレーザビーム９１６を使用して）低減させることで、メンブレン２１１の張力が低減されなかった場合よりも小さなパーティクル２１０をメンブレン２１１からクリーニングできるようになる。

【0326】

[000320] メンブレンクリーニング装置９００は、本発明の、時変又はパルス静電引力を使用してメンブレン２１１からパーティクル２１０を除去する実施形態、及び、レーザビーム９１６を使用してメンブレン２１１の少なくとも一部を加熱する実施形態を例示しており、それによって有利には、メンブレン２１１から除去され得るパーティクル２１０のサイズレンジを増加させる。

【0327】

[000321] メンブレン２１１の一部のみを加熱することで、結果としてメンブレン２１１内に張力の再分散を生じさせ得る。これによって、レーザ９１４を使用することによるメンブレン２１１の照射部分における張力低減の有効性を制限し得る。レーザスポット領域がフレーム２１２内のメンブレン２１１全体をカバーするようにビームデリバリシステム９１８を構成することは、これによってメンブレン２１１内の張力の任意の再分散を制限し得るため、有利であり得る。レーザスポット領域は、フレーム２１２内のメンブレン２１１の表面の実質的にすべてをカバーし得る。レーザスポット領域は、フレーム２１２内のメンブレン２１１の表面のおよそ５０％をカバーし得る。レーザスポット領域は、フレーム２１２内のメンブレン２１１の表面の５０％未満をカバーし得る。レーザスポット領域は、フレーム２１２内のメンブレン２１１の表面のおよそ１０％をカバーし得る。レーザスポット領域は、フレーム２１２内のメンブレン２１１の表面の１０％未満をカバーし得る。

【0328】

[000322] いくつかの実施形態において、レーザ源９１５は、１Ｗから１００Ｗの間の電力を有するレーザビーム９１６を提供するように構成可能である。前述のように、レーザスポット領域は、メンブレン２１１の表面の一部（図９に概略的に示される部分など）をカバーし得る。いくつかの実施形態において、ビームデリバリシステム９１８の光学系９２０は、メンブレン２１１上のレーザビーム９１６の電力密度が１Ｗｃｍ^－２から１０Ｗｃｍ^－２の間であるように、レーザスポット領域を整形し得る。いくつかの実施形態において、メンブレン２１１の一部の温度は、１００℃から１０００℃の間で増加し得る。いくつかの実施形態において、メンブレン２１１の一部の温度は、２００℃から５００℃の間で増加し得る。いくつかの実施形態において、メンブレン２１１の照射部分の張力は、１０分の１から１００分の１の間で低減され得る。

【0329】

[000323] いくつかの実施形態において、パーティクル２１０と最も近い電極９０２ｂとの間の横方向離間９２２は１０ｍｍ未満であり得る。いくつかの実施形態において、パーティクル２１０と電極９０２ｂとの間の横方向離間９２２は１ｍｍ未満であり得る。いくつかの実施形態において、メンブレン２１１と電極９０２ｂとの間の離間９２４は１ｍｍ未満であり得る。いくつかの実施形態において、メンブレン２１１と電極９０２ｂとの間の離間９２４は０．１ｍｍ未満であり得る。

【0330】

[000324] メンブレン２１１の少なくとも一部を加熱し、それによってメンブレン２１１から除去し得るパーティクル２１０のサイズレンジを有利に増加させるために、どのようにレーザビーム９１６を使用するかを、上記で説明してきた。使用中、あるサイズレンジを有するパーティクル２１０をメンブレン２１１から除去することが望ましい場合がある。

【0331】

[000325] あるサイズレンジを有するパーティクル２１０をメンブレン２１１から除去することは、電圧源９０５及び電極９０２ａ、９０２ｂがメンブレン内の振動を誘起する間に、メンブレンクリーニング装置９００において、メンブレン２１１の照射部分の張力を変化させる（スイープする）ことによって（例えば、レーザビーム９１６の電力を変化させることによって）、達成され得る。メンブレン２１１内で振動が誘起される周波数は、張力のスイープの間、固定され得る。

【0332】

[000326] あるサイズレンジを有するパーティクル２１０をメンブレン２１１から除去することは、メンブレン２１１の照射部分の相対的に低い張力を提供するためにレーザビーム９１６が使用される間に、メンブレンクリーニング装置９００において、メンブレン２１１内で振動が誘起される周波数を変化させる（スイープする）ことによって（例えば、電圧源９０５によって生成されるパルス電圧の個々のパルスが提供される周波数を変化させることによって）、達成され得る。レーザビーム９１６の電力は、周波数のスイープの間、固定され得る。

【0333】

[000327] 使用中、メンブレンアセンブリ２０８は、メンブレン２１１の様々な部分を、メンブレンクリーニング装置９００を使用してクリーニングできるように、電極９０２ａ、９０２ｂに対して移動され得る。２つの電極９０２ａ、９０２ｂは、メンブレン２１１がサポート９０４によって支持されているとき、メンブレン２１１の表面にわたってスキャンできるように、サポート９０４に対して移動され得る。使用中、メンブレンアセンブリ２０８は、メンブレンクリーニング装置９００のレーザビーム９１６を使用して、メンブレン２１１の様々な部分を照射できるように、レーザスポット領域に対して移動され得る。使用中、ビームデリバリシステム９１８は、メンブレン２１１の表面上のレーザスポット領域の位置を制御するように構成され得る。

【0334】

[000328] 有利なことに、メンブレン２１１の少なくとも一部を加熱するように構成されたメンブレンクリーニング装置の任意の実施形態において、メンブレン２１１上に配設された固定質量のパーティクル２１０についての共振周波数が低減され、それによって、メンブレン２１１が加熱されなかった場合よりも小さなパーティクル２１０をメンブレン２１１から除去できるようになる。

【0335】

[000329] メンブレンクリーニング装置９００におけるいくつかの特徴を紹介してきたが、これらの特徴は、単一の実施形態でまとめて使用される必要はないことを理解されよう。メンブレンクリーニング装置９００の特徴は、他の実施形態の特徴（例えば、メンブレンクリーニング装置２００の特徴）と組み合わせて使用できることを更に理解されよう。

【0336】

[000330] メンブレン２１１内に機械的振動を誘起しながらメンブレン２１１を加熱する（図９を参照しながら上記で説明したような）方法は、図９に示されるものとは異なる装置の設定で使用可能である。例えば、メンブレンクリーニング装置は、（メンブレン２１１を加熱するための）図９のレーザ９１４及びビームデリバリシステム９１８を備え得、（パーティクル２１０をメンブレン２１１から除去するための）図２の組み合わされた励起／コレクタ電極２０２も備え得る。

【0337】

[000331] メンブレン２１１を加熱する代替手段が使用可能である。例えば、メンブレンクリーニング装置は、（メンブレン２１１を加熱するための）誘導加熱装置、及び組み合わされた励起／コレクタ電極２０２、電極９０２ａ、９０２ｂ、又は、メンブレン２１１内に機械的振動を誘起するように構成された電極の完全に異なる配置を備え得る。いくつかの実施形態において、誘導加熱装置のアンテナは、アンテナがフレーム２１２のサイズより小さいか、又はフレーム２１２のサイズにほぼ等しいような寸法とすることができる。いくつかの実施形態において、アンテナとメンブレン２１１は、１０ｃｍ未満離すことができる。いくつかの実施形態において、アンテナとメンブレン２１１は１ｃｍ未満離すことができる。

【0338】

[000332] 次に、本発明の第６の実施形態に従ったメンブレンクリーニング装置１０００を、メンブレンクリーニング装置１０００を介した断面を示す図１０ａを参照しながら説明する。

【0339】

[000333] 図１０ａに示されるメンブレンクリーニング装置１０００は、本明細書で説明する他のメンブレンクリーニング装置と共通のいくつかの特徴を共有している。本明細書で説明する他のメンブレンクリーニング装置の特徴に概して対応し、この特徴と概して同じであり得る、図１０に示されるメンブレンクリーニング装置１０００の任意の特徴は、共通の参照番号を共有している。

【0340】

[000334] 図１０ａに示されるメンブレンクリーニング装置１０００と、本明細書で説明する他のメンブレンクリーニング装置との相違点のみを、下記で詳細に説明する。

【0341】

[000335] メンブレンクリーニング装置１０００は、真空チャンバ１００１、ワイヤ１００６ａ、１００６ｂ、１００６ｃ、真空フィードスルー１００７ａ、１００７ｂ、１００７ｃ、導電性サポート１００４、２つの電極１００２ａ、１００２ｂ、及び電圧源１００５を備える。使用中、メンブレン２１１及び概して矩形のフレーム２１２を備えるメンブレンアセンブリ２０８が、導電性サポート１００４上に配設される。

【0342】

[000336] ２つの電極１００２ａ、１００２ｂはメンブレン２１１の面の反対側に配設される。電極１００２ａ、１００２ｂはメンブレン２１１の反対表面に近接して配設される。２つの電極１００２ａ、１００２ｂは、メンブレン２１１全体の近隣には延在しない。２つの電極１００２ａ、１００２ｂは、メンブレン２１１の近隣であり、これに対向する、より小さな断面積をその端部に有するテーパ部分を備え得る。２つの電極１００２ａ、１００２ｂの各々は、メンブレン２１１の一部に近接して配設される（この部分は、例えば、電極１００２ａ、１００２ｂのテーパ部分の断面と重なる部分に対応し得る）。各電極１００２ａ、１００２ｂが近隣にあるメンブレン２１１の部分は、メンブレン２１１の面に平行な面内の各電極１００２ａ、１００２ｂの部分に依存する。本実施形態において、メンブレン２１１の面に平行な面内の電極１００２ａの位置は、電極１００２ｂの位置と一致しない。すなわち、電極１００２ａ、１００２ｂはメンブレン２１１の反対側にあるが、互いに横方向にオフセットしていると説明できる。電極１００２ａ、１００２ｂは、メンブレン２１１の面に平行な面内の電極１００２ａ、１００２ｂの間の最大距離が１ｃｍであるように位置決めされ得る。この距離は、横方向オフセットと呼ぶことができる。電極１００２ａ、１００２ｂは、メンブレン２１１の面に平行な面内の電極１００２ａ、１００２ｂの間の最大距離が１ｍｍであるように位置決めされ得る。前述のように、メンブレン２１１の面に平行な断面内のメンブレン２１１に最も近い電極１００２ａ、１００２ｂの各々の面積（例えば、テーパ部分の面積）は、メンブレン２１１の面積よりも小さい。メンブレン２１１の面に平行な断面内のメンブレン２１１に最も近い電極１００２ａ、１００２ｂの各々の面積は、１ｃｍ^２未満又は１ｃｍ^２に等しい、あるいは１０ｍｍ^２未満又は１０ｍｍ^２に等しいものとすることができる。電極１００２ａ、１００２ｂの各々の最大寸法は、メンブレン２１１の面に概して垂直に一致する。

【0343】

[000337] 電極１００２ａ、１００２ｂは、ワイヤ１００６ａ、１００６ｂ及び真空フィードスルー１００７ａ、１００７ｂを介して、電圧源１００５の共通端子に接続される。導電性サポート１００４は、ワイヤ１００６ｃ及び真空フィードスルー１００７ｃを介して、電圧源１００５の反対端子に接続される。現行実施形態の変形において、電圧源１００５の反対端子は、その代わりにメンブレンアセンブリ２０８に直接接続され得る。こうした変形において、導電性サポート１００４を非導電性メンブレンサポートに置き換えることができる。

【0344】

[000338] 電圧源１００５は、概して、図６に示される電圧源６０８と同じ形であり得る。使用中、電極１００２ａ、１００２ｂの各々は、実質的に等しい電圧で保持され得、メンブレン２１１は、電極１００２ａ、１００２ｂが保持されている電圧の極性の反対の極性の電圧で保持され得る。電界の大きさは、メンブレン２１１の両側で実質的に等しいものであり得る。電圧源１００５の端子にわたって印加される電圧は、この結果を達成するように構成され得る。特に、電圧源１００５の端子にわたって印加される電圧は、メンブレン２１１の２つの反対表面の近くの電界が、少なくとも１００ｋＶ／ｍの大きさを有するように構成され得る。電圧源１００５の端子にわたって印加される電圧は、メンブレンの２つの反対表面の近くの電界が、少なくとも１ＭＶ／ｍの大きさを有するように構成され得る。電極１００２ａ、１００２ｂのうちの１つ以上の少なくとも一部には、絶縁コーティングが提供され得る。

【0345】

[000339] メンブレンクリーニング装置１０００（図１０ａ）は、上記で詳細に説明した、メンブレンクリーニング装置６００（図６）と実質的に同じ方法を使用して、メンブレン２１１からパーティクル２１０を除去し得る。すなわち、電極１００２ａ、１００２ｂは、メンブレン２１１から離れてパーティクル２１０を引き付ける電界を生成し得る。図１０ａにおける電極１００２ａ、１００２ｂの配置は、図６における電極６０４、６０６の配置とは異なる。図１０ａにおける電極１００２ａ、１００２ｂの配置は、メンブレン２１１の相対的に空間的に局部の変形を可能にし得る。有利なことに、図１０ａにおける電極１００２ａ、１００２ｂのこの配置を動作させるために必要なエネルギーは、（メンブレン２１１の２つの反対表面の近くに同じ大きさの電界を達成するために）図６の相対的に大きな電極６０４、６０６を動作させるために必要なエネルギーよりも低くてよい。これは、メンブレンクリーニング装置１０００の効率を向上させるものとして説明することができる。

【0346】

[000340] メンブレンクリーニング装置１０００は、電極１００２ａ、１００２ｂに対してメンブレンアセンブリ２０８の位置を制御するための機構を備え得る。使用中、メンブレンアセンブリ２０８は、メンブレン２１１の様々な部分をメンブレンクリーニング装置１０００を使用してクリーニングできるように、電極１００２ａ、１００２ｂに対して移動され得る。追加又は代替として、２つの電極１００２ａ、１００２ｂは、メンブレン２１１が導電性サポート１００４によって支持されているとき、メンブレン２１１の表面にわたってスキャン可能なように、導電性サポート１００４に対して移動可能であり得る。

【0347】

[000341] 電極１００２ａ、１００２ｂは、図１０ａを参照しながら上記で説明したように使用されるとき、コレクタ電極として説明することができることを理解されよう。

【0348】

[000342] 代替として、電圧源１００５は概して、図２に示される電圧源２０５と同じ形であり得る。電圧源１００５は、時変電圧（例えば、複数のパルスを含む時変電圧）を印加するように配置され得る。使用中、時変電圧は、電極１００２ａ、１００２ｂ及び導電性サポート１００４にわたって印加され得る。この時変電圧は、電極１００２ａ、１００２ｂが、大きさが実質的に等しく、同じ極性の電圧で保持されるように印加され得、メンブレン２１１は、電極１００２ａ、１００２ｂが保持される電圧の極性と反対の極性の電圧で保持され得る。

【0349】

[000343] メンブレンクリーニング装置１０００（図１０ａ）は、上記で詳細に説明した、メンブレンクリーニング装置２００（図２）と実質的に同じ方法を使用して、メンブレン２１１からパーティクル２１０を除去し得る。すなわち、メンブレンクリーニング装置２００を使用して振動がメンブレン２１１内に誘起される様式と同じ様式で、メンブレンクリーニング装置１０００を使用して振動がメンブレン２１１内に誘起され得る。特に、メンブレンクリーニング装置１０００及びメンブレンクリーニング装置２００の両方が、１つ以上の電極とメンブレン２１１との間の時変（例えば、パルス）静電力を使用して、メンブレン内に振動を誘起する。メンブレンクリーニング装置１０００において、メンブレン２１１と電極１００２ａ、１００２ｂとの間の時変又はパルス静電力は、電圧源１００５からの時変又はパルス電圧の印加の結果として生じる。メンブレンクリーニング装置２００とは対照的に、メンブレン２１１の近隣部分は、電極１００２ａ、１００２ｂの配置及びこれらに印加される電圧に起因して、電極１００２ａ、１００２ｂに反対方向に引き付けられる。すなわち、電極１００２ａに近接するメンブレン２１１の一部は電極１００２ａに引き付けられ、電極１００２ｂに近接するメンブレン２１１の一部は電極１００２ｂに引き付けられる。

【0350】

[000344] メンブレン２１１内に振動を誘起するために利用される時変電圧は、複数の時間的に離間したパルスを含み得る。電極１００２ａにわたる時変電圧のパルスは、電極１００２ｂにわたる時変電圧のパルスと同相で発生する。したがって、電極１００２ａに対するメンブレン２１１の一部の引力は、電極１００２ｂに対するメンブレン２１１の近隣部分の引力と同相で発生する。図２に示されるメンブレンクリーニング装置２００の電圧源２０５によって提供されるパルス電圧と同様に、電圧源１００５によって供給される電圧の時間的特徴は、メンブレン２１１の望ましい周波数レンジ（すなわち、望ましい励起スペクトル）の振動を誘起するように構成され得る。図２、図３、及び図４を参照しながら上記で詳細に説明したように、電圧源１００５によって提供されるパルス電圧は、所定のレンジ内のサイズを有するパーティクル２１０を除去するように調整された、励起スペクトルを生み出すように構成され得る。

【0351】

[000345] 次に、本発明の第７の実施形態に従ったメンブレンクリーニング装置１０２０を、メンブレンクリーニング装置１０２０を介した断面を示す図１０ｂを参照しながら説明する。

【0352】

[000346] 図１０ｂに示されるメンブレンクリーニング装置１０２０は、図１０ａに示されるメンブレンクリーニング装置１０００と共通のいくつかの特徴を共有している。図１０ｂに示されるメンブレンクリーニング装置１０２０と図１０ａに示されるメンブレンクリーニング装置１０００との間の相違点のみを、下記で詳細に考察する。

【0353】

[000347] メンブレンクリーニング装置１０２０は、真空チャンバ１０２１、ワイヤ１０２６ａ、１０２６ｂ、真空フィードスルー１０２７ａ、１０２７ｂ、サポート１０２３、２つの電極１０２２ａ、１０２２ｂ、及び電圧源１０２５を備える。使用中、（メンブレン２１１及び概して矩形のフレーム２１２を備える）メンブレンアセンブリ２０８が、導電性サポート１０２３上に配設される。電極１０２２ａ、１０２２ｂは、メンブレンクリーニング装置１０００（図１０ａ）の真空チャンバ１００１内の電極１００２ａ、１００２ｂと同様に、真空チャンバ１０２１内に配置される。

【0354】

[000348] メンブレンクリーニング装置１０００（図１０ａ）とメンブレンクリーニング装置１０２０（図１０ｂ）との間の主な相違点は、電圧源がどのように電極１０２２ａ、１０２２ｂ及びメンブレンアセンブリ２０８に接続されるかという点である。図１０ａのメンブレンクリーニング装置１０００において、電極１００２ａ、１００２ｂはどちらも電圧源１００５の同じ端子に接続され（及びしたがって同じ電圧で保持され）、メンブレン２１１は電圧源１００５の反対の端子に（直接又は間接的に）接続される。これに対して、図１０ｂのメンブレンクリーニング装置１０２０において、電極１０２２ａは、ワイヤ１０２６ａ及び真空フィードスルー１０２７ａを介して電圧源１０２５の第１の端子に接続され、電極１０２２ｂは、ワイヤ１０２６ｂ及び真空フィードスルー１０２７ｂを介して電圧源１０２５の反対の端子に接続される。メンブレンアセンブリ２０８は、定義された電圧を有するコンポーネントに電気的に接続されなくてよく、したがってメンブレンアセンブリ２０８（及びメンブレン２１１）は「流動的」と説明することができる。

【0355】

[000349] メンブレンクリーニング装置１０００（図１０ａ）及びメンブレンクリーニング装置１０２０（図１０ｂ）において電圧源が電極及びメンブレンアセンブリ２０８にどのように接続されるかは別として、２つのメンブレンクリーニング装置１０００、１０２０は他の点では同様であり、同様の様式で働くことができる。

【0356】

[000350] メンブレンクリーニング装置１０２０（図１０ｂ）は、図１０ａを参照しながら上記で詳細に説明したパルス静電クリーニング方法と実質的に同じ方法を使用して、メンブレン２１１からパーティクル２１０を除去し得る。メンブレンクリーニング装置１０００とは対照的に、メンブレン２１１は、電極１０２２ａ、１０２２ｂが保持される電圧とは反対の電圧で保持されない。むしろ、電極１０２２ａ、１０２２ｂは、実質的に大きさが等しく、極性が反対の電圧で保持され、メンブレンアセンブリ２０８（及びメンブレン２１１）は流動的である。しかしながらメンブレン２１１の近隣部分は、電極１０２２ａ、１０２２ｂの配置及びそこに印加される電圧に起因して（特に、２つの電極１０２２ａ、１０２２ｂの間の横方向オフセットに起因して）、以前として反対方向に電極１０２２ａ、１０２２ｂに引き付けられる。すなわち、電極１０２２ａに近接するメンブレン２１１の一部は電極１０２２ａに引き付けられ、電極１０２２ｂに近接するメンブレン２１１の一部は電極１００２ｂに引き付けられる。

【0357】

[000351] メンブレン２１１内に振動を誘起するために利用される時変電圧は、複数の時間的に離間したパルスを含む。電極１０２２ａにわたる時変電圧のパルスは、電極１０２２ｂにわたる時変電圧のパルスと同相で発生する。したがって、電極１０２２ａに対するメンブレン２１１の一部の引力は、電極１０２２ｂに対するメンブレン２１１の近隣部分の引力と同相で発生する。図２に示されるメンブレンクリーニング装置２００の電圧源２０５によって提供されるパルス電圧と同様に、電圧源１００５によって供給される電圧の時間的特徴は、メンブレン２１１の望ましい周波数レンジ（すなわち、望ましい励起スペクトル）の振動を誘起するように構成され得る。図２、図３、及び図４を参照しながら上記で詳細に説明したように、電圧源１０２５によって提供されるパルス電圧は、所定のレンジ内のサイズを有するパーティクル２１０を除去するように調整された、励起スペクトルを生み出すように構成され得る。

【0358】

[000352] メンブレンクリーニング装置１０２０は、電極１０２２ａ、１０２２ｂに対するメンブレンアセンブリ２０８の位置を制御するための機構を備え得る。使用中、メンブレンアセンブリ２０８は、メンブレン２１１の様々な部分がメンブレンクリーニング装置１０２０を使用してクリーニングできるように、電極１０２２ａ、１０２２ｂに対して移動可能である。追加又は代替として、２つの電極１０２２ａ、１０２２ｂは、メンブレン２１１がサポート１０２３によって支持されているとき、メンブレン２１１の表面にわたってスキャンできるように、サポート１０２３に対して移動可能であり得る。

【0359】

[000353] 次に、本発明の第８の実施形態に従ったメンブレンクリーニング装置１０４０を、メンブレンクリーニング装置１０４０を介した断面を示す図１０ｃを参照しながら説明する。

【0360】

[000354] 図１０ｃに示されるメンブレンクリーニング装置１０４０は、図１０ａに示されるメンブレンクリーニング装置１０００と共通のいくつかの特徴を共有している。図１０ｃに示されるメンブレンクリーニング装置１０４０と図１０ａに示されるメンブレンクリーニング装置１０００との間の相違点のみを、下記で詳細に考察する。

【0361】

[000355] メンブレンクリーニング装置１０４０は、真空チャンバ１０４１、ワイヤ１０４６ａ、１０４６ｂ、１０４６ｃ、真空フィードスルー１０４７ａ、１０４７ｂ、１０４７ｃ、導電性サポート１０４４、２つの電極１０４２ａ、１０４２ｂ、及び電圧源１０４５を備える。使用中、（メンブレン２１１及び概して矩形のフレーム２１２を備える）メンブレンアセンブリ２０８が、導電性サポート１０４４上に配設される。電極１０４２ａ、１０４２ｂは、メンブレン２１１の反対表面に近接して配設されるように、真空チャンバ１０４１内に配置される。メンブレン２１１の面に平行な面内の電極１０４２ａの位置は、概して、電極１０４２ｂの位置に一致する。すなわち、本実施形態において、メンブレン２１１の両面における２つの電極１０４２ａ、１０４２ｂの間には、実質的に横方向のオフセットは存在しない。

【0362】

[000356] メンブレンクリーニング装置１０００（図１０ａ）とメンブレンクリーニング装置１０４０（図１０ｃ）との間の主な相違点は、更に下記で論じるように、図１０ｃのメンブレンクリーニング装置１０４０は２つの横方向に位置合わせされた電極１０４２ａ、１０４２ｂに時間的にオフセットされた電圧を印加する点である。これは、実質的に同じ電圧（時変電圧であり得る）を（図１０ａの実施形態のように）２つの横方向にオフセットされた電極１００２ａ、１００２ｂに印加することとは対照的である。

【0363】

[000357] メンブレンクリーニング装置１０００（図１０ａ）とメンブレンクリーニング装置１０４０（図１０ｃ）との間の別の相違点は、電圧源がどのように電極及びメンブレンアセンブリ２０８に接続されるかである。メンブレンクリーニング装置１０００において、電極１００２ａ、１００２ｂはどちらも電圧源１００５の同じ端子に接続され、したがって同じ電圧で保持され、またメンブレン２１１は電圧源１００５の反対の端子に（直接又は間接的に）接続される。これに対して、メンブレンクリーニング装置１０４０において、電極１０４２ｂは、ワイヤ１０４６ｂ及び真空フィードスルー１０４７ｂを介して電圧源１０４５の一方の端子に接続され、電極１０４２ａは、ワイヤ１０４６ａ及び真空フィードスルー１０４７ａを介して、電圧源１０４５の同じ端子又は反対の端子のいずれかに接続される。電極１０４２ａ、１０４２ｂが、電圧源１０４５の同じ端子に接続され得る（及び、したがって同じ極性の電圧で保持され得る）か、又は電圧源１０４５の反対の端子に接続され得る（及び、したがって反対極性の電圧で保持され得る）という事実が、スイッチ１０４５ｓによって図１０ｃに概略的に例示される。スイッチ１０４５ｓは、この概念の例示のためのみに含まれ、本発明の物理的実施形態に含まれるか又は含まれなくてよいことを理解されよう。

【0364】

[000358] 導電性サポート１０４４は、ワイヤ１０４６ｃ及び真空フィードスルー１０４７ｃを介して、接地に接続される。現行実施形態の変形では、この代わりに接地をメンブレンアセンブリ２０８に直接接続することができる。こうした変形において、導電性サポート１０４４は使用されず、代わりに非導電性メンブレンサポートが使用され得る。現行実施形態の別の変形において、メンブレンアセンブリ２０８は、（例えば、ワイヤ１０４６ｃを介して）直接、又は（例えば、導電性サポート１０４４を介して）間接的に、接地に近い電圧に接続され得る。いずれの場合にも、メンブレンクリーニング装置１０４０は、接地に近いか又は接地に等しい電圧でメンブレン２１１を保持するための機構を備えると言える。

【0365】

[000359] メンブレンクリーニング装置１０００（図１０ａ）及びメンブレンクリーニング装置１０４０（図１０ｃ）において、電圧源が電極及びメンブレンアセンブリ２０８にどのように接続されるかは別として、２つのメンブレンクリーニング装置１０００、１０４０は、それ以外では同様であり、同様の様式で働くことができる。

【0366】

[000360] メンブレンクリーニング装置１０４０（図１０ｃ）は、図１０ａを参照しながら上記で詳細に説明したパルス静電クリーニング方法と同様の方法を使用して、メンブレン２１１からパーティクル２１０を除去し得る。すなわち、メンブレン２１１内に振動を誘起するために、電極１０４２ａ、１０４２ｂの各々に時変電圧が印加され得る。時変電圧は、複数の時間的に離間したパルスを含み得る。しかしながら、メンブレンクリーニング装置１０００とは対照的に、メンブレン２１１は、電極１０４２ａ、１０４２ｂが保持される電圧とは反対の電圧で保持されない。むしろ電極１０４２ａ、１０４２ｂは、大きさが実質的に等しい（及び、同じ極性又は反対極性の）電圧で保持され、メンブレンアセンブリ２０８（及びメンブレン２１１）は、（電気的）接地で保持される。更に、メンブレン２１１の面に平行な面内で、電極１０４２ａ、１０４２ｂは通常、位置合わせされる。すなわち、２つの電極１０４２ａ、１０４２ｂの間に横方向のオフセットは存在しない。

【0367】

[000361] 電圧が電極１０４２ａ又は電極１０４２ｂのいずれかに印加されるとき、その電極１０４２ａ、１０４２ｂに近接するメンブレン２１１の一部は、その電極に引き付けられる。電極１０４２ａ、１０４２ｂは通常、共位置合わせされるため、電極１０４２ａ、１０４２ｂの両方に同時に電圧が印加されると、電極１０４２ａ、１０４２ｂの各々によってメンブレン２１１に及ぼされる静電引力は通常、バランスを取り、メンブレン２１１は変形しない。したがって、メンブレン２１１内に振動は誘起されない。

【0368】

[000362] 有利なことに、電極１０４２ａに印加される時変電圧のパルスは、（電極１０４２ｂに印加される時変電圧のパルスに対して）時間遅延１０４９を受ける。すなわち、２つの電極１０４２ａ、１０４２ｂに印加される時変電圧の極性が等しいか又は反対であるかに関わらず、電極１０４２ａに印加される時変電圧のパルスは、電極１０４２ｂに印加される時変電圧のパルスとの実質的な位相外れを生じさせる。したがって、電極１０４２ａに近接するメンブレン２１１の一部の引力は、電極１０４２ｂへのメンブレン２１１の同じ部分の引力との実質的な位相外れを生じさせる。したがって、電圧源１０４５によって生成される単一の電圧「パルス」において、電極１０４２ｂに近接するメンブレン２１１の一部は電極１０４２ｂに引き付けられ、次いでその後（時間遅延１０４９の後）、メンブレン２１１の同じ部分が電極１０４２ａに引き付けられる。コンポーネント１０４９は、電極１０４２ａに印加される電圧と電極１０４２ｂに印加される電圧との間の時間遅延を概略的に例示するためのみに、図１０ｃに含められていることを理解されよう。特に、この時間遅延を制御するための機構は、電圧源１０４５の一部を形成し得る。

【0369】

[000363] 図２に示されるメンブレンクリーニング装置２００の電圧源２０５によって提供されるパルス電圧と同様に、電圧源１０４５によって供給される電圧の時間的特徴は、メンブレン２１１の望ましい周波数レンジの振動（すなわち、望ましい励起スペクトルを）を誘起するように構成され得る。図２、図３、及び図４を参照しながら上記で詳細に説明したように、電圧源１０４５によって提供されるパルス電圧は、所定のレンジ内のサイズを有するパーティクル２１０を除去するように調整された励起スペクトルを生み出すように構成され得る。

【0370】

[000364] メンブレンクリーニング装置１０４０は、電極１０４２ａ、１０４２ｂに対してメンブレンアセンブリ２０８の位置を制御するための機構を備え得る。使用中、メンブレンクリーニング装置１０４０を使用してメンブレン２１１の様々な部分をクリーニングできるように、メンブレンアセンブリ２０８は電極１０４２ａ、１０４２ｂに対して移動可能である。追加又は代替として、２つの電極１０４２ａ、１０４２ｂは、メンブレン２１１が導電性サポート１０４４によって支持されているとき、メンブレン２１１の表面にわたってスキャンできるように、導電性サポート１０４４に対して移動可能であり得る。

【0371】

[000365] 次に、本発明の第９の実施形態に従ったメンブレンクリーニング装置１０６０を、メンブレンクリーニング装置１０６０を介した断面を示す図１０ｄを参照しながら説明する。

【0372】

[000366] 図１０ｄに示されるメンブレンクリーニング装置１０６０は、図１０ｃに示されるメンブレンクリーニング装置１０４０と共通のいくつかの特徴を共有している。図１０ｄに示されるメンブレンクリーニング装置１０６０と図１０ｃに示されるメンブレンクリーニング装置１０４０との間の相違点のみを、下記で詳細に考察する。

【0373】

[000367] メンブレンクリーニング装置１０６０は、真空チャンバ１０６１、ワイヤ１０６６ａ、１０６６ｂ、１０６６ｃ、１０６６ｄ、真空フィードスルー１０６７ａ、１０６７ｂ、１０６７ｃ、１０６７ｄ、サポート１０６３、２つの電極１０６２ａ、１０６２ｂ、電圧源１０６５、及び、２つの補助電極１０７０ａ、１０７０ｂを備える。使用中、（メンブレン２１１及び概して矩形のフレーム２１２を備える）メンブレンアセンブリ２０８が、サポート１０６３上に配設される。電極１０６２ａ、１０６２ｂは、電極１０４２ａ、１０４２ｂが真空チャンバ１０４１内に配置されるのと同じ、共位置合わせ構成で、真空チャンバ１０６１内に配置される。

【0374】

[000368] メンブレンクリーニング装置１０４０（図１０ｃ）とメンブレンクリーニング装置１０６０（図１０ｄ）との間の主な相違点は、どちらのメンブレンクリーニング装置１０４０、１０６０も、接地に近いか又は接地に等しい電圧で、メンブレン２１１を保持するための機構を備えるが、それらの機構は異なるという点である。メンブレンクリーニング装置１０４０とは対照的に、メンブレン２１１はサポート１０６３上に配設されているとき、接地又は低電圧に（直接又は間接的のいずれでも）物理的に接続されていない。更にメンブレンクリーニング装置１０４０とは対照的に、メンブレンクリーニング装置１０６０は２つの補助電極１０７０ａ、１０７０ｂを備える。

【0375】

[000369] 補助電極１０７０ａ、１０７０ｂは、メンブレン２１１の反対表面に近接して配設される。補助電極１０７０ａ、１０７０ｂは、通常、平坦又は平面的であり得、メンブレン２１１の大部分のエリアの近隣に延在し得る。補助電極１０７０ａ、１０７０ｂは、メンブレン２１１の面に概して平行であるように配置され得る。補助電極１０７０ａ、１０７０ｂは、各々がアパーチャを備え得る。補助電極１０７０ａは、電極１０６２ａが補助電極１０７０ａのアパーチャを介して突出するように配置され得る。補助電極１０７０ｂは、電極１０６２ｂが補助電極１０７０ｂのアパーチャを介して突出するように配置され得る。図１０ｄに示されるメンブレンクリーニング装置１０６０の例示的実施形態において、補助電極１０７０ａ、１０７０ｂの各々は、１０６６ｃ、１０６６ｄ及び真空フィードスルー１０６７ｃ、１０６７ｄを介して、それぞれ設置に接続される。現行実施形態の変形において、補助電極１０７０ａ、１０７０ｂは、接地に近い電圧に接続され得る。現行実施形態の別の変形において、複数の補助電極をメンブレン２１１の２つの表面の各々に近接して提供することができる。したがって、接地に近いか又は接地に等しい電圧でメンブレン２１１を保持するための機構は、メンブレン２１１の面の各側に近接して１つ以上の補助電極を備えるとして記述され得、１つ以上の補助電極は接地に近いか又は接地に等しい電圧で維持される。

【0376】

[000370] メンブレン２１１は（メンブレンクリーニング装置１０６０内にメンブレンアセンブリ２０８が提供されているとき）、流動的である（すなわち、事前に定義された電圧を伴ういずれのコンポーネントにも物理的電気的に接続されていない）と説明することができる。補助電極１０７０ａ、１０７０ｂとメンブレン２１１との間にはキャパシティブカップリングが存在し得る。補助電極１０７０ａ、１０７０ｂは、このキャパシティブカップリングを介して、接地に近いか又は接地に等しい電圧でメンブレン２１１を保持するように作用し得る。特に補助電極１０７０ａ、１０７０ｂ、電極１０６２ａ、１０６２ｂ、及び電圧源１０６５は、メンブレン２１１と電極１０６２ａ、１０６２ｂとの間の電界の大きさが、メンブレン２１１と補助電極１０７０ａ、１０７０ｂとの間の電界の大きさの少なくとも１０倍以上であるように構成され得る。補助電極１０７０ａ、１０７０ｂ、電極１０６２ａ、１０６２ｂ、及び電圧源１０６５は、メンブレン２１１と電極１０６２ａ、１０６２ｂとの間の電界の大きさが、メンブレン２１１と補助電極１０７０ａ、１０７０ｂとの間の電界の大きさの少なくとも１００倍以上であるように構成され得る。

【0377】

[000371] メンブレン２１１と電極１０６２ａ、１０６２ｂとの間の電界、及び、メンブレン２１１と補助電極１０７０ａ、１０７０ｂとの間の電界の大きさは、メンブレン２１１と、電極１０６２ａ、１０６２ｂ及び補助電極１０７０ａ、１０７０ｂのそれぞれとの間のキャパシティブカップリングに依存することを理解されよう。メンブレン２１１と電極１０６２ａ、１０６２ｂ、１０７０ａ、１０７０ｂとの間のキャパシティブカップリングは、通常、メンブレン２１１と電極１０６２ａ、１０６２ｂ、１０７０ａ、１０７０ｂとの間の重複エリア及び離間に依存することを、更に理解されよう。

【0378】

[000372] メンブレン２１１がメンブレンクリーニング装置内でクリーニングされるとき、メンブレン２１１の電圧を接地に近いか又は接地に等しく維持することが望ましい場合がある。しかしながら、例えば、メンブレン２１１の脆弱性、及び／又は、メンブレンアセンブリ２０８上に蓄積する相対的に非導電性の層に起因して、メンブレン２１１と別のコンポーネントとの間の良好な電気的接触を達成することは、困難であり得る。更に、メンブレンアセンブリ２０８を別のコンポーネントに電気的に接続するプロセスは、不利なことにそれ自体が汚染パーティクル２１０を生成する可能性がある。有利なことに、図１０ｄに記載の接地に近いか又は接地に等しい電圧でメンブレン２１１を保持するための機構（補助電極１０７０ａ、１０７０ｂ）は、メンブレンアセンブリと任意の他のアセンブリとの間にいかなる物理的接触も必要としないため、前述の問題を克服する。

【0379】

[000373] 補助電極１０７０ａ、１０７０ｂ及びメンブレン２１１は、キャパシティブディバイダを形成するものと見なされ得る。

【0380】

[000374] 補助電極１０７０ａ、１０７０ｂは、更なる利点を提供する。特に、補助電極１０７０ａ、１０７０ｂとメンブレン２１１との間のキャパシティブカップリングは、電極１０６２ａ、１０６２ｂによって生成される電界を、メンブレン２１１の特に局所的なエリアに集中させることができる。これは有利なことに、結果として、より精密、より効率的な、メンブレンクリーニング装置１０６０を使用するメンブレンクリーニングの空間局在化を生じさせ得る。

【0381】

[000375] 電圧源１０６５、スイッチ１０６５ｓ、時間遅延１０６９、ワイヤ１０６６ａ、１０６６ｂ、真空フィードスルー１０６７ａ、１０６７ｂ、及び電極１０６２ａ、１０６２ｂは、それぞれ、メンブレンクリーニング装置１０４０（図１０ｃ）の、電圧源１０４５、スイッチ１０４５ｓ、時間遅延１０４９、ワイヤ１０４６ａ、１０４６ｂ、真空フィードスルー１０４７ａ、１０４７ｂ、及び電極１０４２ａ、１０４２ｂと同じタイプであり得、同一の機能を実施し得る。

【0382】

[000376] メンブレンクリーニング装置１０６０（図１０ｄ）は、図１０ｃのメンブレンクリーニング装置１０４０を参照しながら上記で詳細に説明したパルス静電クリーニング方法と同様の方法を使用して、メンブレン２１１からパーティクル２１０を除去し得る。すなわち、メンブレン２１１内に振動を誘起するために、電極１０６２ａ、１０４６ｂにわたって時変電圧が印加され得る。

【0383】

[000377] 電圧が電極１０４２ａ又は電極１０４２ｂに印加されるとき、その電極１０４２ａ、１０４２ｂに近接したメンブレン２１１の一部は、その電極に引き付けられる。電極１０４２ａ、１０４２ｂは通常共位置合わせされるため、電極１０４２ａ、１０４２ｂの両方に同時に電圧が印加される場合、電極１０４２ａ、１０４２ｂの各々によってメンブレン２１１上に及ぼされる静電引力は通常、バランスを取り得、メンブレン２１１は変形しない可能性がある。したがって、振動はメンブレン２１１内に誘起されない可能性がある。

【0384】

[000378] ２つの電極１０６２ａ、１０６２ｂにわたる時変電圧の極性が等しいか又は反対であるかに関わらず、電極１０６２ａに印加される時変電圧のパルスは、電極１０６２ｂに印加される時変電圧のパルスとの実質的な位相外れを生じさせる。したがって、電極１０６２ａに近接するメンブレン２１１の一部の引力は、電極１０６２ｂへのメンブレン２１１の同じ部分の引力との実質的な位相外れを生じさせる。

【0385】

[000379] 図２に示されるメンブレンクリーニング装置２００の電圧源２０５によって提供されるパルス電圧と同様に、電圧源１０６５によって供給される電圧の時間的特徴は、メンブレン２１１の望ましい周波数レンジの振動（すなわち、望ましい励起スペクトル）を誘起するように構成され得る。図２、図３、及び図４を参照しながら上記で詳細に説明したように、電圧源１０６５によって提供されるパルス電圧は、所定のレンジ内のサイズを有するパーティクル２１０を除去するように調整された、励起スペクトルを生み出すように構成され得る。

【0386】

[000380] メンブレンクリーニング装置１０６０は、電極１０６２ａ、１０６２ｂに対してメンブレンアセンブリ２０８の位置を制御するための機構を備え得る。使用中、メンブレンアセンブリ２０８は、メンブレン２１１の様々な部分をメンブレンクリーニング装置１０６０を使用してクリーニングできるように、電極１０６２ａ、１０６２ｂに対して移動され得る。追加又は代替として、２つの電極１０６２ａ、１０６２ｂは、メンブレン２１１が導電性サポート１０６３によって支持されているとき、メンブレン２１１の表面にわたってスキャン可能なように、サポート１０６３に対して移動可能であり得る。

【0387】

[000381] 図１０ａから図１０ｄを参照しながら上記で説明した実施形態によれば、電圧源に接続された電極の配置は、メンブレン２１１がメンブレンサポートによって支持されているとき、２つの反対表面の近くに電界を生成するように動作可能な、電界生成機構として説明され得る。メンブレン２１１の２つの反対表面の近くの電界は、通常、反対方向である。

【0388】

[000382] 図１０ａから図１０ｄを参照しながら上記で説明した実施形態によれば、電界の大きさはメンブレン２１１の両側で実質的に等しいものであり得る。

【0389】

[000383] 図１０ａから図１０ｄを参照しながら上記で説明した実施形態によれば、電界は少なくとも１００ｋＶ／ｍの大きさを有し得る。大きさは少なくとも１ＭＶ／ｍであり得る。

【0390】

[000384] 図１０ａから図１０ｄを参照しながら上記で説明した実施形態によれば、メンブレン２１１の２つの反対表面に印加される静電圧力は、複数の時間的に離間したパルスにわたって平均化され、大きさは同様であり、方向は反対であり得る。特に、メンブレン２１１の２つの反対の表面に印加される静電圧力の時平均された大きさの間に、最大でも５０％の差が存在し得る。メンブレン２１１の２つの反対の表面に印加される静電圧力の時平均された大きさの間に、最大でも１０％の差が存在し得る。経時的に平均化されたメンブレン２１１の一部に印加される静電圧力は、実質的にゼロであり得る。１０ｕｓから１０ｍｓの間の時間期間にわたって平均化されたメンブレン２１１の一部に印加される静電圧力は、実質的にゼロであり得る。

【0391】

[000385] メンブレンのパルス静電クリーニングを使用する前述の実施形態によれば、個々の電圧パルスは、１０ｕｓより短くてよい。個々の電圧パルスは、１ｕｓより短くてよい。これが結果として、メンブレン２１１内に振動の効率的な誘起を生じさせ得る。これが結果として、有利なことに、効率的なパーティクル２１０の除去を生じさせ得る。

【0392】

[000386] メンブレンのパルス静電クリーニングを使用する前述の実施形態によれば、電圧パルス列は、１０ｍｓより短くてよい。電圧パルス列は、１ｍｓより短くてよい。電圧パルス列は、パルスの「バースト」と記述してもよい。電圧パルスのバーストのデューティサイクルは、５０％より下であってよい。電圧パルスのバーストのデューティサイクルは、１０％より下であってよい。こうしたバースト内にパルスを提供することによって、メンブレン２１１の望ましくない加熱が防止され得る。有利なことに、これがメンブレン２１１の破断を防止し得る。いくつかの実施形態において、電圧パルス列のデューティサイクルは、例えば、０．１から１０ｍｓ程度の時間尺度で、メンブレン２１１において０．３から３０Ｗ／ｃｍ^２より上の電力損失を回避するように制限され得る。相対的に高周波数での連続パルス印加は、メンブレン２１１を加熱し、損傷を（直接、又は熱膨張に起因する張力損を介するかの、いずれかで）生じさせる可能性がある。有利なことに、パルスの列（又はバースト）を使用することで、メンブレン２１１の過熱を生じさせることなく、メンブレン２１１内に機械的振動を励起させることができる。

【0393】

[000387] いくつかの実施形態において、時変電圧は、時間的に離間したパルスの複数の順次列を含み得、こうした列内でのパルスの繰り返し周波数はレンジ内で変化し得、例えばこのレンジを介してスイープされる。

【0394】

[000388] 図９、図１０ｂから図１０ｄを参照しながら上記で説明した、メンブレンクリーニング装置の実施形態は、メンブレン２１１の電圧を、接地に近いか又は接地に等しい電圧で維持するように構成され得る。例えば、図９、図１０ｂから図１０ｄを参照しながら上記で説明した、メンブレンクリーニング装置の実施形態は、メンブレン２１１の電圧を、－１００Ｖから＋１００Ｖの間で維持するように構成され得る。メンブレンクリーニング装置のこの実施形態は、メンブレン２１１の電圧を－１０Ｖから＋１０Ｖの間で維持するように構成され得る。

【0395】

[000389] 本明細書で説明する本発明の実施形態（例えば、図１０ａから図１０ｄを参照しながら上記で説明した実施形態）によれば、電極（図１０ｄの補助電極以外）は、電極とメンブレン２１１との間の最大距離が５ｍｍであるように位置決めされ得る。電極は、電極とメンブレン２１１との最大距離が０．５ｍｍであるように位置決めされ得る。

【0396】

[000390] 本明細書で説明するメンブレンクリーニング装置の実施形態によれば、真空チャンバ内の環境は、相対的に低い圧力で維持され得る。メンブレン２１１に近接した圧力は、相対的に低い圧力で維持され得る。メンブレン２１１に近接した圧力は、１０^－３ｍＢａｒより低く維持され得る。メンブレン２１１に近接した圧力は、１０^－５ｍＢａｒより低く維持され得る。

【0397】

[000391] 静電圧力は、メンブレンクリーニングの有効性を定義し得る。すなわち、メンブレン２１１により高い静電圧力が印加されることは、より高いメンブレンクリーニングの有効性に対応し得る。したがって、メンブレンクリーニング装置の場合、相対的に高い静電圧力をメンブレンに印加することが望ましい。しかしながら、メンブレン２１１に印加される力が大きいほど、メンブレン２１１を破断させるリスクも高くなる。したがって、メンブレン２１１に相対的に低い力のみを及ぼしている間に、メンブレン２１１に相対的に高い圧力を印加させる、メンブレンクリーニング装置を構築することが望ましい。発明者等は、これが、（図１０ａから図１０ｄを参照しながら上記で説明したような）メンブレンに近接した相対的に小さなサイズを有する電極を使用することによって、達成し得ることを了解した。こうした電極を使用することの更なる利点は、こうした電極を使用してメンブレン２１１内に振動を誘起することで、結果として（メンブレン２１１内に振動を誘起する際に大きな電極を使用することに比べて）相対的に少ない量のメンブレン２１１の加熱を生じさせられることである。これによって、有利なことに、クリーニングの間のメンブレン２１１内の張力の再分散を最大にすることができ、これによってメンブレンクリーニング装置のクリーニング有効性を最大にすることができる。（図１０ａから図１０ｄを参照しながら上記で説明したような）いくつかの実施形態において、メンブレン２１１に最も近い各電極（例えば、電極、１００２ａ、１００２ｂ、１０２２ａ、１０２２ｂ、１０４２ａ、１０４２ｂ、１０６２ａ、１０６２ｂ）の表面積は、メンブレン２１１の面積よりも小さくてよい。メンブレン２１１に最も近い各電極（例えば、電極、１００２ａ、１００２ｂ、１０２２ａ、１０２２ｂ、１０４２ａ、１０４２ｂ、１０６２ａ、１０６２ｂ）の表面積は、１ｃｍ^２より小さいか又は１ｃｍ^２に等しい、例えば、１０ｍｍ^２より小さいか又は１０ｍｍ^２に等しくてよい。

【0398】

[000392] 図１０ａから図１０ｄを参照しながら上記で説明した実施形態において、電極（例えば、電極、１００２ａ、１００２ｂ、１０２２ａ、１０２２ｂ、１０４２ａ、１０４２ｂ、１０６２ａ、１０６２ｂ）に印加されるパルス電圧の繰り返し率は、３０ｋＨｚから３０ＭＨｚのレンジ内であってよい。

【0399】

[000393] 図１０ａから図１０ｄを参照しながら上記で説明した実施形態において、電極１００２ａ、１００２ｂ、１０２２ａ、１０２２ｂ、１０４２ａ、１０４２ｂ、１０６２ａ、１０６２ｂは励起電極として作用する。いくつかの実施形態において、これらの電極１００２ａ、１００２ｂ、１０２２ａ、１０２２ｂ、１０４２ａ、１０４２ｂ、１０６２ａ、１０６２ｂは、コレクタ電極としても作用し得る。

【0400】

[000394] 図に示されるいずれの配線も、単に本発明の原理を例示するためのものであり、決して制限するものではないことを理解されよう。本発明に従ってメンブレンクリーニング装置を構築するとき、本発明の原理を順守し、特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲内にありながら、図示された配線に改変を行うことが可能である。

【0401】

[000395] 「パーティクルサイズ」及び「パーティクル質量」という用語は、上記では言い換え可能に使用できることを理解されよう。より大質量のパーティクルは、通常、より大きなパーティクルに対応し、通常、これらの用語間の区別は意図されていない。

【0402】

[000396] 前述のメンブレンクリーニング装置２００、５００、６００、８００、８２０、８５０、９００、１０００、１０２０、１０４０、１０６０のいずれにおいても、メンブレンアセンブリ２０８は、ＥＵＶリソグラフィ装置内で使用するためのペリクルであり得ることを理解されよう。特に、メンブレンアセンブリ２０８は、図１に示される（フレーム１７上に載置された薄いメンブレン１６を含む）ペリクル１５を備え得る。

【0403】

[000397] 前述のメンブレンクリーニング装置２００、５００、６００、８００、８２０、８５０、９００、１０００、１０２０、１０４０、１０６０のいずれにおいても、メンブレンアセンブリ２０８のメンブレン２１１には、任意選択として、高導電性コーティング２０９が提供され得る。高導電性コーティング２０９は、例えば、金属製又は導電性セラミックのコーティングを含み得る。高導電性コーティング２０９は、メンブレン２１１の少なくとも一方の側に塗布され得る。高導電性コーティング２０９は、メンブレン２１１のいずれかの側に塗布され得ることを理解されよう。いくつかの実施形態において、メンブレン２１１はこうした高導電性コーティング２０９を有さない可能性があることを更に理解されよう。例えば、メンブレン２１１自体が十分良好な導体であり得る（例えば、メンブレン２１１は、ドープされた多結晶シリコンなどの、非ゼロの導電性を伴う材料から形成され得る）。

【0404】

[000398] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。考えられる他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。

【0405】

[000399] 本明細書ではリソグラフィ装置に関連して本発明の実施形態について具体的な言及がなされているが、本発明の実施形態は他の装置に使用することもできる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（あるいはその他の基板）もしくはマスク（あるいはその他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定又は処理する任意の装置の一部を形成してよい。これらの装置は一般にリソグラフィツールと呼ばれることがある。このようなリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用することができる。

【0406】

以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

【0407】

１．メンブレンからパーティクルを除去するためのメンブレンクリーニング装置であって、
メンブレンを支持するためのメンブレンサポートと、
メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレンの近くに電界を生成するための電界生成機構と、
を備える、メンブレンクリーニング装置。
２．電界生成機構が、
１つ以上のコレクタ電極と、
メンブレンサポートによって支持されるメンブレン、及び、１つ以上のコレクタ電極又は１つ以上のコレクタ電極の各々にわたって、電圧を印加するための機構と、を備える、条項１に記載の装置。
３．メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレン内に機械的振動を誘起するための機構を備える、条項１又は２に記載の装置。
４．メンブレン内に機械的振動を誘起するための機構は、メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、
励起電極と、
励起電極及びメンブレンサポートによって支持されるメンブレンにわたって時変電圧を印加するための機構と、
を、備える、条項３に記載の装置。
５．メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレン内に機械的振動を誘起するための機構であって、
メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているときにメンブレンの表面に近接して位置決め可能な２つの電極と、
２つの電極にわたって時変電圧を印加するための機構と、
を備える、条項３に記載の装置。
６．時変電圧が、複数の時間的に離間したパルスを含む、条項４又は条項５に記載の装置。
７．時変電圧が、一般的形状を有し、所望の励起スペクトルを達成するために選択（及び変更）可能な１つ以上のパラメータを有する、電圧波形を含む、条項４から６に記載の装置。
８．時変電圧が、時間的に離間したパルスの２つの順次列を含み、パルスの２つの列の極性は逆である、条項４から７のいずれか一項に記載の装置。
９．時変電圧を印加するための機構が、少なくとも１０ｋＶ／ｍの大きさを有するメンブレンの近くに時変電界を生成するように動作可能である、条項４から８のいずれか一項に記載の装置。
１０．時変電圧が１０％未満のデューティサイクルを有する、条項４から９のいずれか一項に記載の装置。
１１．メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレン内に機械的振動を誘起するための機構が、
メンブレンサポートによって支持されているメンブレンの少なくとも一部に入射するパルス放射ビームを生成するように動作可能な、放射源、
を備える、条項３に記載の装置。
１２．機械的振動を誘起するための機構が、メンブレンの局所部分にのみ振動を誘起するように動作可能である、条項３から１１のいずれか一項に記載の装置。
１３．機械的振動を誘起するための機構が、ある周波数レンジで振動を誘起するように動作可能である、条項３から１２のいずれか一項に記載の装置。
１４．機械的振動を誘起するための機構が、３０ｋＨｚから３０ＭＨｚの間で振動を誘起するように動作可能である、条項３から１３のいずれか一項に記載の装置。
１５．機械的振動を誘起するための機構が、０．５から５ｕｍの間の寸法のパーティクルをメンブレンから除去するように動作可能である、条項３から１４のいずれか一項に記載の装置。
１６．メンブレンの少なくとも一部の温度を制御するための機構を更に備える、条項１から１５のいずれかに記載の装置。
１７．メンブレンの少なくとも一部の温度を制御するための機構が、メンブレンに放射を提供するように動作可能な放射源を備える、条項１６に記載の装置。
１８．メンブレンの少なくとも一部の温度を制御するための機構が、メンブレンを加熱するように動作可能な誘導加熱器を備える、条項１６に記載の装置。
１９．電界生成機構が、メンブレンがメンブレンサポートによって支持されているとき、メンブレンの２つの反対表面の近くに電界を生成するように動作可能であり、メンブレンの２つの反対表面の近くの電界が、反対方向である、条項１又は２に記載の装置。
２０．電界が、メンブレンの面の両側に配設された２つのコレクタ電極によって生み出される、条項１９に記載の装置。
２１．電界の大きさが、メンブレンの両側で実質的に等しい、条項１９又は条項２０に記載の装置。
２２．メンブレンの２つの反対表面の近くの電界が、少なくとも１００ｋＶ／ｍの大きさを有する、条項１９から２１のいずれか一項に記載の装置。
２３．１つ以上のコレクタ電極の少なくとも一部に絶縁コーティングが提供される、条項２に依存するとき、条項１９から２２のいずれか一項に記載の装置。
２４．プラズマ生成機構を更に備える、条項１、２、又は１９から２３に記載の装置。
２５．プラズマ生成機構が、メンブレンサポートによって支持されているメンブレンと、１つ以上のコレクタ電極又は１つ以上のコレクタ電極の各々との間に、プラズマを生成するように動作可能である、条項２に直接又は間接的に依存するとき、条項２４に記載の装置。
２６．メンブレンサポートによって支持されているメンブレン、及び１つ以上のコレクタ電極又は１つ以上のコレクタ電極の各々にわたって、電圧を印加するための機構が、メンブレンサポートによって支持されているメンブレン、及び１つ以上のコレクタ電極又は１つ以上のコレクタ電極の各々にわたって、パルス電圧を印加するように配置される、条項２５に記載の装置。
２７．パルス電圧が１％以下のデューティサイクルを有する、条項２６に記載の装置。
２８．パルス電圧が、１Ｈｚから１０ｋＨｚの間の周波数を有する、条項２６又は２７に記載の装置。
２９．パルス電圧のパルス持続時間が１ｍｓ未満である、条項２６から２８のいずれか一項に記載の装置。
３０．パルス電圧の大きさが少なくとも１００Ｖである、条項２６から２９のいずれか一項に記載の装置。
３１．パルス電圧の各パルスが、第１の極性を有する第１の部分と、第２の反対の極性を有する第２の部分とを備える、条項２６から３０のいずれか一項に記載の装置。
３２．プラズマ生成機構が、プラズマが、パルス電圧の後続のパルス間でオンに切り替えられ、パルス電圧のパルス中にオフに切り替えられるように配置される、条項２６から３１のいずれか一項に記載の装置。
３３．チャンバと、チャンバ内部の圧力を制御するように動作可能なポンプ装置とを、更に備え、メンブレンサポートがチャンバ内部に配設される、条項１から３２のいずれかに記載の装置。
３４．パーティクルをメンブレンから除去するための方法であって、
メンブレン内に機械的振動を誘起すること、及び、
メンブレン上のパーティクルとコレクタ電極との間に静電力を及ぼすように、コレクタ電極を使用してメンブレンの近くに電界を生成すること、
を含む、方法。
３５．メンブレン内に機械的振動を誘起することが、支持されるメンブレン及び励起電極にわたって時変電圧を印加することを含む、条項３４に記載の方法。
３６．メンブレン内に機械的振動を誘起することは、メンブレンの表面に近接して位置決めされる２つの電極にわたって時変電圧を印加することを含む、条項３４の方法。
３７．時変電圧が１０％未満のデューティサイクルを有する、条項３５又は３６の方法。
３８．メンブレン内に機械的振動を誘起することは、メンブレンの少なくとも一部をパルス放射ビームで照射することを含む、条項３４に記載の方法。
３９．誘起される機械的振動が、ある周波数レンジでの振動を含む、条項３４から３８のいずれか一項に記載の方法。
４０．誘起される機械的振動が、３０ｋＨｚから３０ＭＨｚの間の振動を含む、条項３４から３９のいずれか一項に記載の方法。
４１．誘起される機械的振動が、０．５ｕｍから５ｕｍの間の寸法のパーティクルをメンブレンから除去するのに適切である、条項３４から３９のいずれか一項に記載の方法。
４２．メンブレンの少なくとも一部の温度を制御することを更に含む、条項３４から４１のいずれか一項に記載の方法。
４３．メンブレンの少なくとも一部の温度を経時的に変化させることを更に含む、条項４２の方法。
４４．メンブレンの少なくとも一部の温度を制御することが、放射を使用して少なくとも一部を照射することによって達成される、条項４２又は条項４３の方法。
４５．方法が、条項１から１８のいずれか一項に記載の装置を使用する、条項３４から４４のいずれか一項に記載の方法。
４６．メンブレンからパーティクルを除去するための方法であって、
メンブレンの２つの反対表面の近くに電界を生成することを含み、メンブレンの２つの反対表面の近くの電界は反対方向である、
方法。
４７．方法が、条項１９から３３のいずれか一項に記載の装置を使用する、条項４６の方法。
４８．メンブレンからパーティクルを除去するための方法であって、
パーティクルに荷電するためにメンブレンの少なくとも１つの表面の近隣にプラズマを提供すること、及び、
これらの荷電されたパーティクルをメンブレンから離すために、メンブレンの少なくとも１つの表面の近くに電界を生成すること、
を含む、方法。
４９．電界が、１つ以上の電極、及び１つ以上の電極にバイアス電圧を印加することを使用して、生成される、条項４８に記載の方法。
５０．バイアス電圧がパルスバイアス電圧である、条項４９に記載の方法。
５１．パルス電圧の各パルスが、第１の極性を有する第１の部分と、第２の反対の極性を有する第２の部分とを備える、条項５０に記載の方法。
５２．メンブレンの少なくとも１つの表面の近隣にプラズマを提供することが、プラズマが、パルス電圧の後続のパルス間でオンに切り替えられ、パルス電圧のパルス中にオフに切り替えられるようなことである、条項５０又は条項５１に記載の装置。
５３．方法が、条項２４から３３のいずれか一項に記載の装置を使用する、条項４８から５２のいずれか一項に記載の方法。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図5】

【図6】

【図7a】

【図7b】

【図8a】

【図8b】

【図8c】

【図9】

【図10a】

【図10b】

【図10c】

【図10d】