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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-07-05
(45)【発行日】2024-07-16
(54)【発明の名称】皮膜除去方法および皮膜除去装置
(51)【国際特許分類】
B23K 26/351 20140101AFI20240708BHJP
B23K 26/073 20060101ALI20240708BHJP
B23K 26/00 20140101ALI20240708BHJP
B23K 26/082 20140101ALI20240708BHJP
H02G 1/12 20060101ALI20240708BHJP
【ＦＩ】
B23K26/351
B23K26/073
B23K26/00 N
B23K26/082
H02G1/12 080
【請求項の数】
26
(21)【出願番号】P 2023503958
(86)(22)【出願日】2022-03-03
(86)【国際出願番号】 JP2022009237
(87)【国際公開番号】W WO2022186356
(87)【国際公開日】2022-09-09
【審査請求日】2023-08-25
(31)【優先権主張番号】P 2021033102
(32)【優先日】2021-03-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000005290
【氏名又は名称】古河電気工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】菅 紗世
(72)【発明者】
【氏名】金子 昌充
(72)【発明者】
【氏名】梅野 和行
(72)【発明者】
【氏名】佐武 真有
(72)【発明者】
【氏名】西野 史香
(72)【発明者】
【氏名】安岡 知道
【審査官】石田 宏之
(56)【参考文献】
【文献】特開平０７－００７８２５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－０５４１５５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－１０９７５３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１５５３７５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特許第６３４６８２７（ＪＰ，Ｂ２）
【文献】特許第５８６１８６４（ＪＰ，Ｂ２）
【文献】特許第５８５９８８０（ＪＰ，Ｂ２）
【文献】特開平０２－２０６３１３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特許第２８３７９３６（ＪＰ，Ｂ２）
【文献】特開平０１－２３２３０３（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｂ２３Ｋ ２６／３５１
Ｂ２３Ｋ ２６／０７３
Ｂ２３Ｋ ２６／００
Ｂ２３Ｋ ２６／０８２
Ｈ０２Ｇ １／１２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
レーザ光の照射により芯線と有機高分子材料で作られた絶縁皮膜とを有した電線の当該絶縁皮膜を除去する皮膜除去方法であって、酸素を供給しながら前記レーザ光を照射することにより前記絶縁皮膜を除去し、
前記レーザ光のビームを前記電線の表面に沿って走査し、
前記ビームの走査方向が経時的に変化し、
前記走査方向の経時的な変化に応じて、前記酸素の供給方向を切り替える、皮膜除去方法。
【請求項2】
レーザ光の照射により芯線と有機高分子材料で作られた絶縁皮膜とを有した電線の当該絶縁皮膜を除去する皮膜除去方法であって、
酸素を供給しながら前記レーザ光を照射することにより前記絶縁皮膜を除去し、
前記レーザ光のビームを前記電線の表面に沿って走査し、
前記ビームの走査方向が経時的に変化し、
前記走査方向が経時的に変化する場合において、前記ビームが特定の方向に走査される場合にのみ前記酸素を供給する、皮膜除去方法。
【請求項3】
レーザ光の照射により芯線と有機高分子材料で作られた絶縁皮膜とを有した電線の当該絶縁皮膜を除去する皮膜除去方法であって、
酸素を供給しながら前記レーザ光を照射することにより前記絶縁皮膜を除去し、
前記絶縁皮膜の材料の燃焼性が高いほど供給する前記酸素の濃度を低く設定する、皮膜除去方法。
【請求項4】
第一濃度で前記酸素を供給しながら前記絶縁皮膜としての第一絶縁皮膜に前記レーザ光を照射することにより当該第一絶縁皮膜を除去する第一工程と、前記第一濃度より高い第二濃度で前記酸素を供給しながら燃焼性が前記第一絶縁皮膜より低い前記絶縁皮膜としての第二絶縁皮膜に前記レーザ光を照射することにより当該第二絶縁皮膜を除去する第二工程と、
を備えた、請求項３に記載の皮膜除去方法。
【請求項5】
前記第一絶縁皮膜は、前記第二絶縁皮膜の周囲を取り囲むように設けられ、前記第一濃度で前記酸素を供給しながら前記第一絶縁皮膜に前記レーザ光を照射することにより当該第一絶縁皮膜を除去して前記第二絶縁皮膜を露出させる第一工程と、
前記第二濃度で前記酸素を供給しながら前記第二絶縁皮膜に前記レーザ光を照射することにより当該第二絶縁皮膜を除去する第二工程と、
を備えた、請求項４に記載の皮膜除去方法。
【請求項6】
前記第二工程では、前記第一絶縁皮膜から離れた位置において前記第二絶縁皮膜を除去する、請求項５に記載の皮膜除去方法。
【請求項7】
前記酸素を、前記絶縁皮膜の残存部位の除去領域との境界に対して前記残存部位とは反対側から供給する、請求項１～６のうちいずれか一つに記載の皮膜除去方法。
【請求項8】
前記酸素を、前記境界に向けて、または前記除去領域の前記芯線上に向けて、供給する、請求項７に記載の皮膜除去方法。
【請求項9】
前記除去領域が第一方向に拡大し、前記酸素を、前記第一方向の成分を含む方向に、供給する、請求項７または８に記載の皮膜除去方法。
【請求項10】
前記レーザ光は連続波である、請求項１～９のうちいずれか一つに記載の皮膜除去方法。
【請求項11】
前記レーザ光のビームを前記電線の表面に沿って走査し、
前記酸素を、前記ビームの走査方向の成分を含む方向に、供給する、請求項１～１０のうちいずれか一つに記載の皮膜除去方法。
【請求項12】
前記レーザ光のビームを前記電線の表面に沿って走査し、
前記ビームの照射方向と交差した断面において、前記ビームの照射領域の走査方向と交差した方向の長さは、前記照射領域の前記走査方向の長さよりも長い、請求項１～１１のうちいずれか一つに記載の皮膜除去方法。
【請求項13】
前記表面の所定範囲において前記ビームを走査して前記絶縁皮膜を除去する場合に、前記照射領域は前記所定範囲の前記走査方向と交差した方向の両端に渡って延びている、請求項１２に記載の皮膜除去方法。
【請求項14】
前記ビームはビームシェイパにより成形された、請求項１２または１３に記載の皮膜除去方法。
【請求項15】
前記レーザ光のビームを前記電線の表面に沿って走査し、
前記ビームの走査の少なくとも一部の区間において、前記絶縁皮膜の除去領域が徐々に拡大するように、前記ビームが前記表面上で折り返しながらまたは渦巻き状に移動する、請求項１～１４のうちいずれか一つに記載の皮膜除去方法。
【請求項16】
前記レーザ光のビームを前記電線の表面に沿って走査し、
前記表面の所定範囲において前記ビームを走査して前記絶縁皮膜を除去する途中で前記表面の単位面積あたりの前記レーザ光の照射パワーを変更する、請求項１～１５のうちいずれか一つに記載の皮膜除去方法。
【請求項17】
前記表面の所定範囲において前記ビームを走査して前記絶縁皮膜を除去する間において、前記表面の単位面積あたりの前記レーザ光の照射パワーを直前よりも低くした工程を含む、請求項１６に記載の皮膜除去方法。
【請求項18】
前記レーザ光の走査速度および前記レーザ光の光源の出力のうち少なくとも一方を変更することにより前記表面の単位面積あたりの前記レーザ光の照射パワーを変更する、請求項１６または１７に記載の皮膜除去方法。
【請求項19】
前記レーザ光のビームを前記電線の表面に沿って走査し、
前記ビームの走査の少なくとも一部の区間において、前記電線と前記ビームとが相対的に前記電線の軸方向に移動する、請求項１～１８のうちいずれか一つに記載の皮膜除去方法。
【請求項20】
前記レーザ光のビームを前記電線の表面に沿って走査し、
前記ビームの走査の少なくとも一部の区間において、前記電線と前記ビームとが相対的に前記電線の軸方向と交差した方向に移動する、請求項１～１８のうちいずれか一つに記載の皮膜除去方法。
【請求項21】
前記レーザ光のビームを前記電線の表面に沿って走査し、
前記ビームの走査の少なくとも一部の区間において、前記電線と前記ビームとが相対的に前記電線の中心軸周りの周方向に移動する、請求項１～２０のうちいずれか一つに記載の皮膜除去方法。
【請求項22】
前記酸素を含むガスを、３．０［ｍ／ｓ］以上３５［ｍ／ｓ］以下の流速で供給する、請求項１～２１のうちいずれか一つに記載の皮膜除去方法。
【請求項23】
レーザ光を出力するレーザ装置と、前記レーザ装置から出力されたレーザ光を、芯線と有機高分子材料で作られた絶縁皮膜とを有した電線の表面に向けて照射する光学ヘッドと、
前記電線の前記レーザ光の照射位置に向けて酸素を供給する酸素供給機構と、
を備え、
前記レーザ光のビームを前記電線の表面に沿って走査し、
前記ビームの走査方向が経時的に変化し、
前記走査方向の経時的な変化に応じて、前記酸素の供給方向を切り替え、
酸素を供給しながら前記レーザ光を照射することにより前記絶縁皮膜を除去する、皮膜除去装置。
【請求項24】
レーザ光を出力するレーザ装置と、
前記レーザ装置から出力されたレーザ光を、芯線と有機高分子材料で作られた絶縁皮膜とを有した電線の表面に向けて照射する光学ヘッドと、
前記電線の前記レーザ光の照射位置に向けて酸素を供給する酸素供給機構と、
を備え、
前記レーザ光のビームを前記電線の表面に沿って走査し、
前記ビームの走査方向が経時的に変化し、
前記走査方向が経時的に変化する場合において、前記ビームが特定の方向に走査される場合にのみ前記酸素を供給し、
酸素を供給しながら前記レーザ光を照射することにより前記絶縁皮膜を除去する、皮膜除去装置。
【請求項25】
レーザ光を出力するレーザ装置と、
前記レーザ装置から出力されたレーザ光を、芯線と有機高分子材料で作られた絶縁皮膜とを有した電線の表面に向けて照射する光学ヘッドと、
前記電線の前記レーザ光の照射位置に向けて酸素を供給する酸素供給機構と、
を備え、
前記絶縁皮膜の材料の燃焼性が高いほど供給する前記酸素の濃度を低く設定し、
酸素を供給しながら前記レーザ光を照射することにより前記絶縁皮膜を除去する、皮膜除去装置。
【請求項26】
前記酸素供給機構は、異なる方向に酸素を供給する複数のノズルと、
前記複数のノズルによる酸素の供給および停止を切り替える切替機構と、
を有した、請求項２３～２５のうちいずれか一つに記載の皮膜除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、皮膜除去方法および皮膜除去装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、レーザ光を照射することにより電線の皮膜を除去して当該皮膜が覆う導体を露出させる皮膜除去方法および皮膜除去装置が知られている。（特許文献１）
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１７－２２０６３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
この種の皮膜除去方法にあっては、例えば、より確実に皮膜を除去することができたり、あるいはより効率良く皮膜を除去することができたりするような、改善された新規な皮膜除去方法が得られれば、有益である。
【0005】
そこで、本発明の課題の一つは、例えば、改善された新規な皮膜除去方法および皮膜除去装置を得ること、である。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の皮膜除去方法は、例えば、レーザ光の照射により芯線と有機高分子材料で作られた絶縁皮膜とを有した電線の当該絶縁皮膜を除去する皮膜除去方法であって、酸素を供給しながら前記レーザ光を照射することにより前記絶縁皮膜を除去する。
【0007】
前記皮膜除去方法では、前記酸素を、前記絶縁皮膜の残存部位の除去領域との境界に対して前記残存部位とは反対側から供給してもよい。
【0008】
前記皮膜除去方法では、前記酸素を、前記境界に向けて、または前記除去領域の前記芯線上に向けて、供給してもよい。
【0009】
前記皮膜除去方法では、前記除去領域が第一方向に拡大し、前記酸素を、前記第一方向の成分を含む方向に、供給してもよい。
【0010】
前記皮膜除去方法では、前記レーザ光は連続波であってもよい。
【0011】
前記皮膜除去方法では、前記レーザ光のビームを前記電線の表面に沿って走査してもよい。
【0012】
前記皮膜除去方法では、前記酸素を、前記ビームの走査方向の成分を含む方向に、供給してもよい。
【0013】
前記皮膜除去方法では、前記ビームの照射方向と交差した断面において、前記ビームの照射領域の走査方向と交差した方向の長さは、前記照射領域の前記走査方向の長さより長くてもよい。
【0014】
前記皮膜除去方法では、前記表面の所定範囲において前記ビームを走査して前記絶縁皮膜を除去する場合に、前記照射領域は前記所定範囲の前記走査方向と交差した方向の両端に渡って延びていてもよい。
【0015】
前記皮膜除去方法では、前記ビームはビームシェイパにより成形されてもよい。
【0016】
前記皮膜除去方法では、前記ビームの走査方向が経時的に変化してもよい。
【0017】
前記皮膜除去方法では、前記走査方向の経時的な変化に応じて、前記酸素の供給方向を切り替えてもよい。
【0018】
前記皮膜除去方法では、前記走査方向が経時的に変化する場合において、前記ビームが特定の方向に走査される場合にのみ前記酸素を供給してもよい。
【0019】
前記皮膜除去方法では、前記ビームの走査の少なくとも一部の区間において、前記絶縁皮膜の除去領域が徐々に拡大するように、前記ビームが前記表面上で折り返しながらまたは渦巻き状に移動してもよい。
【0020】
前記皮膜除去方法では、前記表面の所定範囲において前記ビームを走査して前記絶縁皮膜を除去する途中で前記表面の単位面積あたりの前記レーザ光の照射パワーを変更してもよい。
【0021】
前記皮膜除去方法では、前記表面の所定範囲において前記ビームを走査して前記絶縁皮膜を除去する間において、前記表面の単位面積あたりの前記レーザ光の照射パワーを直前より低くした工程を含んでもよい。
【0022】
前記皮膜除去方法では、前記レーザ光の走査速度および前記レーザ光の光源の出力のうち少なくとも一方を変更することにより前記表面の単位面積あたりの前記レーザ光の照射パワーを変更してもよい。
【0023】
前記皮膜除去方法では、前記ビームの走査の少なくとも一部の区間において、前記電線と前記ビームとが相対的に前記電線の軸方向に移動してもよい。
【0024】
前記皮膜除去方法では、前記ビームの走査の少なくとも一部の区間において、前記電線と前記ビームとが相対的に前記電線の軸方向と交差した方向に移動してもよい。
【0025】
前記皮膜除去方法では、前記ビームの走査の少なくとも一部の区間において、前記電線と前記ビームとが相対的に前記電線の中心軸周りの周方向に移動してもよい。
【0026】
前記皮膜除去方法では、前記絶縁皮膜の材料の燃焼性が高いほど供給する前記酸素の濃度を低く設定してもよい。
【0027】
前記皮膜除去方法は、第一濃度で前記酸素を供給しながら前記絶縁皮膜としての第一絶縁皮膜に前記レーザ光を照射することにより当該第一絶縁皮膜を除去する第一工程と、前記第一濃度より高い第二濃度で前記酸素を供給しながら燃焼性が前記第一絶縁皮膜より低い前記絶縁皮膜としての第二絶縁皮膜に前記レーザ光を照射することにより当該第二絶縁皮膜を除去する第二工程と、を備えてもよい。
【0028】
前記皮膜除去方法では、前記第一絶縁皮膜は、前記第二絶縁皮膜の周囲を取り囲むように設けられ、前記皮膜除去方法は、前記第一濃度で前記酸素を供給しながら前記第一絶縁皮膜に前記レーザ光を照射することにより当該第一絶縁皮膜を除去して前記第二絶縁皮膜を露出させる第一工程と、前記第二濃度で前記酸素を供給しながら前記第二絶縁皮膜に前記レーザ光を照射することにより当該第二絶縁皮膜を除去する第二工程と、を備えてもよい。
【0029】
前記皮膜除去方法では、前記第二工程では、前記第一絶縁皮膜から離れた位置において前記第二絶縁皮膜を除去してもよい。
【0030】
前記皮膜除去方法では、前記酸素を含むガスを、３．０［ｍ／ｓ］以上３５［ｍ／ｓ］以下の流速で供給してもよい。
【0031】
また、本発明の皮膜除去装置は、例えば、レーザ光を出力するレーザ装置と、前記レーザ装置から出力されたレーザ光を、芯線と有機高分子材料で作られた絶縁皮膜とを有した電線の表面に向けて照射する光学ヘッドと、前記電線の前記レーザ光の照射位置に向けて酸素を供給する酸素供給機構と、を備える。
【0032】
前記皮膜除去装置では、前記酸素供給機構は、異なる方向に酸素を供給する複数のノズルと、前記複数のノズルによる酸素の供給および停止を切り替える切替機構と、を有してもよい。
【発明の効果】
【0033】
本発明によれば、例えば、より不都合の少ない新規な皮膜除去方法および皮膜除去装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0034】
【発明を実施するための形態】
【0035】
以下、本発明の例示的な実施形態および変形例が開示される。以下に示される実施形態および変形例の構成、ならびに当該構成によってもたらされる作用および結果（効果）は、一例である。本発明は、以下の実施形態および変形例に開示される構成以外によっても実現可能である。また、本発明によれば、構成によって得られる種々の効果（派生的な効果も含む）のうち少なくとも一つを得ることが可能である。
【0036】
本明細書において、序数は、装置や、部位、光、ビーム等を区別するために便宜上付与されており、優先順位や順番を示すものではない。
【0037】
また、各図において、Ｘ方向を矢印Ｘで表し、Ｙ方向を矢印Ｙで表し、Ｚ方向を矢印Ｚで表す。Ｘ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、互いに交差するとともに互いに直交している。なお、Ｘ方向は、長手方向あるいは延び方向とも称され、Ｙ方向は、短手方向あるいは幅方向とも称され、Ｚ方向は、厚さ方向とも称されうる。
【0038】
［第１実施形態］
［電線］
図１は、第１実施形態の皮膜除去方法によって絶縁皮膜１２が除去される電線１０の斜視図である。図１に示されるように、電線１０は、例えば、扁平な長方形状の断面を有した平角線である。電線１０は、帯状かつ板状の形状を有した導体１１と、当該導体１１の周囲を取り囲む絶縁皮膜１２と、を有している。導体１１は、芯線の一例である。
［電線］
図１は、第１実施形態の皮膜除去方法によって絶縁皮膜１２が除去される電線１０の斜視図である。図１に示されるように、電線１０は、例えば、扁平な長方形状の断面を有した平角線である。電線１０は、帯状かつ板状の形状を有した導体１１と、当該導体１１の周囲を取り囲む絶縁皮膜１２と、を有している。導体１１は、芯線の一例である。
【0039】
導体１１は、例えば、無酸素銅や銅合金のような銅系材料で作られる。また、絶縁皮膜１２は、例えば、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリエステルイミド、のような有機高分子材料で作られる。
【0040】
図１に示されるように、導体１１を他の導体と電気的に接続するため、例えば、導体１１の端部からの所定範囲Ａにおいて、絶縁皮膜１２が除去される。なお、絶縁皮膜１２が除去される位置は、電線１０の端部には限定されず、例えば、電線１０の長手方向の途中位置であってもよい。
【0041】
絶縁皮膜１２は、レーザ光が照射される位置にセットされた電線１０の表面１０ａにレーザ光を照射することによって除去される。絶縁皮膜１２の除去に際しては、例えば、図１中に破線の矢印で示されるように、表面１０ａ上、すなわち絶縁皮膜１２上で、レーザ光の点状のスポット（ビーム）が走査される。スポットが照射された位置において、絶縁皮膜１２が燃焼し、除去される。スポットの走査方向は、経時的に変化してもよい。本実施形態では、スポットは表面１０ａ上で折り返されながら反復的に移動する。スポットと電線１０とは、電線１０の軸方向（長手方向、Ｘ方向）と交差した方向（幅方向、短手方向、Ｙ方向および当該Ｙ方向の反対方向Ｙｏ）に相対的に移動する。スポットの走査には、走査方向ＳＤ１（Ｙ方向）への走査と、走査方向ＳＤ２（Ｙ方向の反対方向Ｙｏ）への走査と、が含まれる。図１の例では、スポットは、電線１０の表面１０ａ上から当該表面１０ａを外れた位置まで走査され、Ｙ方向について、当該表面１０ａを外れた位置で折り返されている。この場合、表面１０ａを外れた位置においては、レーザ光の出力が低下されたり停止されたりしてもよい。ただし、これには限定されず、走査方向ＳＤ１への走査と走査方向ＳＤ２への走査との間において、スポットと電線１０とは、表面１０ａ上で電線１０の軸方向に移動し、これにより、スポットが表面１０ａ上で軸方向に走査されてもよい。このようなスポットの折り返しながらの移動に伴って、絶縁皮膜１２の除去領域は徐々に拡大する。本実施形態では、除去領域は、経時的に、巨視的には除去方向ＲＤに拡大するとともに、微視的にはスポット（ビーム）の走査に伴って走査方向ＳＤ１および走査方向ＳＤ２に拡大する。
【0042】
走査の範囲や、折り返し位置、走査方向、回数などは、図１に示されるものには限定されない。例えば、走査の軌跡は、折り返し状には限定されず、渦巻き状であってもよい。この場合も、スポットの渦巻き状の移動に伴って、絶縁皮膜１２の除去領域が徐々に拡大することになる。また、絶縁皮膜１２は、図１とは異なる面も、同様に除去されうる。
【0043】
電線１０は、例えば、円形断面の導体１１を有した丸線のような、平角線とは異なる電線であってもよい。また、電線１０の断面形状は、長方形状や円形状には限定されない。
【0044】
［レーザ加工装置］
図２は、レーザ加工装置１００Ａ（１００）の概略構成図である。図２に示されるように、レーザ加工装置１００Ａ（１００）は、レーザ装置１１１と、レーザ装置１１２と、光学ヘッド１２０と、光ファイバ１３０と、を有している。
図２は、レーザ加工装置１００Ａ（１００）の概略構成図である。図２に示されるように、レーザ加工装置１００Ａ（１００）は、レーザ装置１１１と、レーザ装置１１２と、光学ヘッド１２０と、光ファイバ１３０と、を有している。
【0045】
レーザ装置１１１，１１２は、それぞれ、レーザ発振器を有しており、一例としては、数ｋＷのパワーのレーザ光を出力できるよう構成されている。また、レーザ装置１１１，１１２は、例えば、内部に複数の半導体レーザ素子を有し、当該複数の半導体レーザ素子の合計の出力として数ｋＷのパワーのマルチモードのレーザ光を出力できるよう構成されてもよい。また、レーザ装置１１１，１１２は、ファイバレーザ、ＹＡＧレーザ、ディスクレーザ等様々なレーザ光源を有してもよい。
【0046】
レーザ装置１１１は、８００［ｎｍ］以上かつ１２００［ｎｍ］以下の波長の第一レーザ光を出力する。レーザ装置１１１は、第一レーザ装置とも称され。レーザ装置１１１が有するレーザ発振器は、光源であり、第一レーザ発振器とも称されうる。
【0047】
他方、レーザ装置１１２は、３００［ｎｍ］以上かつ６００［ｎｍ］以下の波長の第二レーザ光を出力する。レーザ装置１１２は、第二レーザ装置とも称され、レーザ装置１１２が有するレーザ発振器は、光源であり、第二レーザ発振器とも称されうる。
【0048】
レーザ装置１１１，１１２は、それぞれ、レーザ光の連続波を出力してもよいし、レーザ光のパルスを出力してもよい。
【0049】
光ファイバ１３０は、それぞれ、レーザ装置１１１，１１２から出力されたレーザ光を光学ヘッド１２０に導く。
【0050】
光学ヘッド１２０は、レーザ装置１１１，１１２から入力されたレーザ光を、電線１０に向かって照射するための光学装置である。光学ヘッド１２０は、コリメートレンズ１２１と、集光レンズ１２２と、ミラー１２３と、フィルタ１２４と、を有している。コリメートレンズ１２１、集光レンズ１２２、ミラー１２３、およびフィルタ１２４は、光学部品とも称されうる。
【0051】
光学ヘッド１２０は、電線１０の表面１０ａ上でレーザ光の照射を行いながらレーザ光を走査するために、電線１０との相対位置を変更可能に構成されている。なお、スポットの表面１０ａ上での走査は、光学ヘッド１２０の移動、電線１０の移動、および光学ヘッド１２０からのレーザ光のビームの出射方向の変化、のうち少なくとも一つによって実現されればよい。
【0052】
なお、光学ヘッド１２０は、図示しないガルバノスキャナ等を有することにより、表面１０ａ上でレーザ光を走査可能に構成されてもよい。
【0053】
コリメートレンズ１２１（１２１－１，１２１－２）は、それぞれ、光ファイバ１３０を介して入力されたレーザ光をコリメートする。コリメートされたレーザ光は、平行光になる。
【0054】
ミラー１２３は、コリメートレンズ１２１－１で平行光となった第一レーザ光を反射する。ミラー１２３で反射した第一レーザ光は、Ｚ方向の反対方向に進み、フィルタ１２４へ向かう。なお、第一レーザ光が光学ヘッド１２０においてＺ方向の反対方向へ進むように入力される構成にあっては、ミラー１２３は不要である。
【0055】
フィルタ１２４は、第一レーザ光を透過し、かつ第二レーザ光を透過せずに反射するハイパスフィルタである。第一レーザ光は、フィルタ１２４を透過してＺ方向の反対方向へ進み、集光レンズ１２２へ向かう。他方、フィルタ１２４は、コリメートレンズ１２１－２で平行光となった第二レーザ光を反射する。フィルタ１２４で反射した第二レーザ光は、Ｚ方向の反対方向に進み、集光レンズ１２２へ向かう。
【0056】
集光レンズ１２２は、平行光としての第一レーザ光および第二レーザ光を集光し、レーザ光（出力光）として、電線１０の表面１０ａ上の照射点Ｐへ照射する。照射点Ｐは、照射位置の一例である。
【0057】
光学ヘッド１２０は、コリメートレンズ１２１－１とミラー１２３との間に、ＤＯＥ１２５（diffractive optical element、回折光学素子）を有している。ＤＯＥ１２５は、第一レーザ光のビームの形状を適宜に成形することができる。ＤＯＥ１２５は、ビームシェイパの一例である。
【0058】
また、レーザ加工装置１００は、駆動機構１５０、および酸素供給機構１６０を備えている。
【0059】
駆動機構１５０は、電線１０に対する光学ヘッド１２０の相対的な位置を変更する。駆動機構１５０は、例えば、モータのような回転機構や、当該回転機構の回転出力を減速する減速機構、減速機構によって減速された回転を直動に変換する運動変換機構等を、有する。制御装置１４０は、電線１０に対する光学ヘッド１２０のＸ方向、Ｙ方向、およびＺ方向における相対位置が変化するよう、駆動機構１５０を制御することができる。
【0060】
酸素供給機構１６０は、配管１６１を通じて、照射点Ｐに向けて酸素ガスＧｏ（酸素を含むガス）を供給する。酸素ガスＧｏは、配管１６１の先端に設けられ照射点Ｐを向くノズルの吐出口１６１ａから所定の流量で吐出される。レーザ加工装置１００は、酸素ガスＧｏを供給しながらレーザ光を照射することにより、電線１０から絶縁皮膜１２を除去する。酸素ガスＧｏの供給により、絶縁皮膜１２の燃焼が促進され、酸素ガスＧｏが供給されない場合に比べて、絶縁皮膜１２の除去性能を高めることができる。
【0061】
発明者らの鋭意研究により、吐出口１６１ａと照射点Ｐとの距離Ｌは、１０［ｍｍ］以上かつ２５［ｍｍ］以下であるのが好ましく、１２［ｍｍ］以上かつ２０［ｍｍ］以下であるのがより好ましいことが判明した。また、酸素ガスＧｏの流速は、吐出口１６１ａにおいて、３．０［ｍ／ｓ］以上３５［ｍ／ｓ］以下であるのが好ましいことが判明した。さらに、電線１０の幅方向の全体に渡って酸素の供給量のばらつきが生じ難くなるよう、吐出口１６１ａ（ノズル）の内径は、電線１０の幅以上であるのが好ましい。一例として、当該内径が８［ｍｍ］である場合、上述した３．０［ｍ／ｓ］以上３５［ｍ／ｓ］以下の流速を得るのに必要な酸素ガスＧｏの流量は、１０［Ｌ／ｍｉｎ］以上１００［Ｌ／ｍｉｎ］以下となる。また、種々の場合において、酸素ガスＧｏの流量は、３０［Ｌ／ｍｉｎ］以上であるのが好ましく、５０［Ｌ／ｍｉｎ］以上であるのがより好ましく、７０［Ｌ／ｍｉｎ］以上であるのがより一層好ましいことが判明した。距離Ｌは、短すぎるとノズルに対する熱影響が大きくなり、他方長すぎると酸素ガスＧｏが照射点Ｐへ供給され難くなる。また、当該距離Ｌの範囲において、酸素ガスＧｏの流量が５０［Ｌ／ｍｉｎ］未満になると、絶縁皮膜１２の除去性能が低下することが判明した。
【0062】
発明者らは、このような距離Ｌおよび酸素ガスＧｏの設定によって、レーザ加工装置１００が、絶縁皮膜１２の厚さが３０［μｍ］以上や、５０［μｍ］以上、さらには７０［μｍ］以上である電線１０に対して、当該絶縁皮膜１２を、迅速に除去することができ、残渣等の少ない高品質な導体１１の表面が得られることを確認した。レーザ加工装置１００は、皮膜除去装置の一例である。
【0063】
また、レーザ加工装置１００は、レーザ装置１１１，１１２、駆動機構１５０、および酸素供給機構１６０の作動を制御する制御装置１４０を備えている。
【0064】
図３は、レーザ加工装置１００のブロック図である。制御装置１４０は、コンピュータであって、コントローラ１４１と、主記憶部１４２と、補助記憶装置１４３と、を有している。コントローラ１４１は、例えば、ＣＰＵ（central processing unit）のようなプロセッサ（回路）である。主記憶部１４２は、例えば、ＲＡＭ（random access memory）やＲＯＭ（read only memory）である。また、補助記憶装置１４３は、例えば、例えばＳＳＤ（solid state drive）やＨＤＤ（hard disk drive）のような不揮発性の記憶装置である。
【0065】
コントローラ１４１は、主記憶部１４２のＲＯＭや補助記憶装置１４３に記憶されたプログラムを読み出して各処理を実行することにより、出力制御部１４１ａ、駆動制御部１４１ｂ、および酸素供給制御部１４１ｃとして作動する。プログラムは、それぞれインストール可能な形式または実行可能な形式のファイルで、コンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録されて提供されうる。記録媒体は、プログラムプロダクトとも称されうる。プログラムおよびプロセッサによる演算処理で用いられる値や、テーブル、マップ等の情報は、ＲＯＭや補助記憶装置１４３に予め記憶されてもよいし、通信ネットワークに接続されたコンピュータの記憶部に記憶され、当該通信ネットワーク経由でダウンロードされることによって補助記憶装置１４３に記憶されてもよい。補助記憶装置１４３は、プロセッサによって書き込まれたデータを記憶する。また、コントローラ１４１による演算処理は、少なくとも部分的に、ハードウエアによって実行されてもよい。この場合、コントローラ１４１には、例えば、ＦＰＧＡ（field programmable gate array）や、ＡＳＩＣ（application specific integrated circuit）等が含まれてもよい。なお、コントローラ１４１は、出力制御部１４１ａ、駆動制御部１４１ｂ、および酸素供給制御部１４１ｃ以外の制御部を含んでもよい。
【0066】
出力制御部１４１ａは、例えば、レーザ光を出力したり、レーザ光の出力を停止したりするよう、レーザ光の出力強度を変更したりするよう、レーザ装置１１１，１１２の作動を制御することができる。
【0067】
駆動制御部１４１ｂは、例えば、電線１０におけるレーザ光の照射点Ｐが移動し、照射点Ｐが走査されるよう、すなわち、光学ヘッド１２０と電線１０との相対的な位置が変わるよう、駆動機構１５０の作動を制御することができる。
【0068】
また、酸素供給制御部１４１ｃは、例えば、酸素ガスＧｏを供給したり、酸素ガスＧｏの供給を停止したり、酸素ガスＧｏの供給流量を変更したりするよう、酸素供給機構１６０の作動を制御することができる。
【0069】
また、酸素ガスＧｏにおける酸素の濃度は、絶縁皮膜１２の材料の燃焼性に応じて設定される。具体的には、絶縁皮膜１２の材料の燃焼性が高いほど供給する酸素の濃度は低く設定され、絶縁皮膜１２の材料の燃焼性が低いほど供給する酸素の濃度は高く設定される。酸素の濃度は、例えば、酸素タンクからの吐出流量を変更可能な電磁弁のような切替機構によって調整される。また、酸素の濃度は、例えば、配管１６１のノズルの先端のような、固定位置での濃度とする。このような構成および設定により、例えば、絶縁皮膜１２の所期範囲を超えた燃焼を抑制できたり、より効率の良いより迅速な燃焼を実現できたり、といった効果が得られる。なお、酸素ガスＧｏ中の酸素の濃度は、空気中の酸素濃度以上かつ純酸素における酸素濃度以下の範囲内で適宜に設定される。
【0070】
［酸素の供給］
図４は、電線１０の一部の側面図であって、絶縁皮膜１２の除去領域Ａｒと残存部位ＰｒとのＸ方向における境界Ｂｏの近傍を示す図である。図４においては、図１に例示したようなスポット（ビーム）の走査により、境界Ｂｏにおいては、絶縁皮膜１２の端面１２ａが出現する。端面１２ａは、絶縁皮膜１２のＸ方向の反対方向の端部に位置し、除去方向ＲＤの反対方向を向いている。なお、図４では、模式的に、端面１２ａはＺ方向に略沿って延びているように描かれているが、実際には、端面１２ａは、Ｚ方向に対して傾斜して延びる場合もあるし、凹凸形状を有する場合もある。
図４は、電線１０の一部の側面図であって、絶縁皮膜１２の除去領域Ａｒと残存部位ＰｒとのＸ方向における境界Ｂｏの近傍を示す図である。図４においては、図１に例示したようなスポット（ビーム）の走査により、境界Ｂｏにおいては、絶縁皮膜１２の端面１２ａが出現する。端面１２ａは、絶縁皮膜１２のＸ方向の反対方向の端部に位置し、除去方向ＲＤの反対方向を向いている。なお、図４では、模式的に、端面１２ａはＺ方向に略沿って延びているように描かれているが、実際には、端面１２ａは、Ｚ方向に対して傾斜して延びる場合もあるし、凹凸形状を有する場合もある。
【0071】
酸素ガスＧｏは、図４に示されるように、境界Ｂｏに対して残存部位Ｐｒとは反対側から供給されるとともに、当該境界Ｂｏに向けて供給されている。ここで、仮に、酸素ガスＧｏが境界Ｂｏに対して除去領域Ａｒとは反対側から供給された場合、すなわち、図４において酸素ガスが境界Ｂｏに対して右側あるいは右上側から供給された場合、当該酸素ガスは、絶縁皮膜１２の残存部位Ｐｒが障害となり、表面１１ａの特に境界Ｂｏの近傍、例えば、表面１１ａと残存部位Ｐｒの端面１２ａとの間の隅部Ｃに対しては、十分に供給されなくなる虞がある。この点、本実施形態では、酸素ガスＧｏは、境界Ｂｏに対して残存部位Ｐｒとは反対側から供給されるため、隅部Ｃに対しても残存部位Ｐｒに妨げられることなく供給されるため、レーザ光の照射による絶縁皮膜１２の燃焼が促進されやすくなり、表面１１ａにおける残渣をより少なくすることができる。また、酸素ガスＧｏの流量をより大きくし、酸素ガスＧｏによって残渣を吹き飛ばす場合にあっても、残存部位Ｐｒとの干渉を避けた隅部Ｃに至るまでの表面１１ａへの酸素ガスＧｏの吹きつけという観点から、酸素ガスＧｏは、境界Ｂｏに対して残存部位Ｐｒとは反対側から供給されるとともに、当該境界Ｂｏに向けて供給されるのが好ましい。
【0072】
また、発明者らの実験的な研究から、酸素ガスＧｏの供給方向（吐出口１６１ａの中心軸の向き）と、表面１１ａの延びる方向（Ｘ方向、除去方向ＲＤ）とのなす角度θの大きさは、光学ヘッド１２０における配管１６１とレーザ光の出射端部との干渉を避けるという観点と、表面１１ａの境界Ｂｏの近傍への十分な酸素の供給という観点とから、１０°以上７０°以下であるのが好ましく、２０°以上５０°以下であるのがより好ましいことが判明した。
【0073】
図５は、酸素ガスＧｏの供給方向のベクトルの成分を示す模式図である。酸素ガスＧｏの供給方向（図５中の矢印Ｇｏ）は、Ｘ方向（除去方向ＲＤ）の成分Ｇｏ＿ｒｄと、Ｚ方向の反対方向の成分Ｇｏ＿ｚとに分解できる。すなわち、酸素ガスＧｏは、Ｚ方向の反対方向、すなわち表面１１ａの法線方向とは反対方向の成分と、除去方向ＲＤの成分と、を含む方向に、供給される。除去方向ＲＤは、第一方向の一例である。
【0074】
図６は、図４と同位置を示す側面図であって、図４の場合とは酸素ガスＧｏの供給位置が異なる場合を示す図である。図６の例では、酸素ガスＧｏは、境界Ｂｏ（隅部Ｃ）から除去方向ＲＤとは反対方向（除去方向ＲＤの後方）に離れた位置に向けて供給されている。この例でも、酸素ガスＧｏは、境界Ｂｏに対して残存部位Ｐｒとは反対側から供給されるとともに、酸素ガスＧｏの供給方向は、図４，５の場合と同様である。このような場合も、酸素ガスＧｏは、隅部Ｃに対しても、残存部位Ｐｒに妨げられることなく供給されるため、レーザ光の照射による絶縁皮膜１２の燃焼が促進されやすくなり、表面１１ａにおける残渣をより少なくすることができる。また、酸素ガスＧｏの流量をより大きくし、酸素ガスＧｏによって残渣を吹き飛ばす場合にあっても、図４の場合と同様の効果が得られる。
【0075】
［第２実施形態］
図７は、第２実施形態のレーザ加工装置１００Ｂ（１００）の一部を示す正面図である。レーザ加工装置１００Ｂは、図７に図示される部分を除き、上記第１実施形態と同様の構成を備えている。また、本実施形態では、スポット（ビーム）は、表面１０ａ上で、上記第１実施形態と同様に走査される。すなわち、本実施形態でも、図１に示されるように、スポットの走査には、走査方向ＳＤ１（Ｙ方向）への走査と、走査方向ＳＤ２（Ｙ方向の反対方向Ｙｏ）への走査と、が含まれる。したがって、本実施形態でも、除去領域Ａｒは、経時的に、巨視的には除去方向ＲＤに拡大するとともに、微視的にはスポットの走査に伴って走査方向ＳＤ１および走査方向ＳＤ２に拡大する。
図７は、第２実施形態のレーザ加工装置１００Ｂ（１００）の一部を示す正面図である。レーザ加工装置１００Ｂは、図７に図示される部分を除き、上記第１実施形態と同様の構成を備えている。また、本実施形態では、スポット（ビーム）は、表面１０ａ上で、上記第１実施形態と同様に走査される。すなわち、本実施形態でも、図１に示されるように、スポットの走査には、走査方向ＳＤ１（Ｙ方向）への走査と、走査方向ＳＤ２（Ｙ方向の反対方向Ｙｏ）への走査と、が含まれる。したがって、本実施形態でも、除去領域Ａｒは、経時的に、巨視的には除去方向ＲＤに拡大するとともに、微視的にはスポットの走査に伴って走査方向ＳＤ１および走査方向ＳＤ２に拡大する。
【0076】
光学ヘッド１２０は、酸素ガスＧｏをＹ方向とＺ方向の反対方向との間の方向に向けて供給する配管１６１－１（１６１）を備えている。
【0077】
また、本実施形態では、制御装置１４０は、走査方向ＳＤ１への走査時にのみ酸素ガスＧｏを供給し、走査方向ＳＤ２への走査時には酸素ガスＧｏを供給しないよう、酸素供給機構１６０を制御する。
【0078】
図８は、電線１０の一部のＸ方向に見た場合の背面図（一部断面図）であって、スポットを走査方向ＳＤ１へ走査している状態での、絶縁皮膜１２の除去領域Ａｒと残存部位ＰｒとのＹ方向における境界Ｂｏ１の近傍を示す図である。なお、図８では、模式的に、端面１２ａ１はＺ方向に略沿って延びているように描かれているが、実際には、端面１２ａ１は、Ｚ方向に対して傾斜して延びる場合もあるし、凹凸形状を有する場合もある。
【0079】
図８に示されるように、境界Ｂｏ１においては、絶縁皮膜１２の端面１２ａ１が出現する。端面１２ａ１は、絶縁皮膜１２の走査方向ＳＤ１の反対方向の端部に位置し、当該走査方向ＳＤ１の反対方向を向いている。スポットの走査方向ＳＤ１への走査により、端面１２ａ１（境界Ｂｏ１）は、走査方向ＳＤ１へ移動し、除去領域Ａｒは、走査方向ＳＤ１に経時的に拡大する。このような場合において、本実施形態では、図８に示されるように、酸素ガスＧｏは、境界Ｂｏ１に対して残存部位Ｐｒとは反対側から供給されるとともに、当該境界Ｂｏ１に向けて供給される。この場合も、上記第１実施形態と同様に、酸素ガスＧｏは、表面１１ａと端面１２ａ１との間の隅部Ｃ１に対しても残存部位Ｐｒに妨げられることなく供給されるため、レーザ光の照射による絶縁皮膜１２の燃焼が促進されやすくなり、表面１１ａにおける残渣をより少なくすることができる。また、酸素ガスＧｏの流量をより大きくし、酸素ガスＧｏによって残渣を吹き飛ばす場合にあっても、残存部位Ｐｒとの干渉を避けた隅部Ｃ１に至るまでの表面１１ａへの酸素ガスＧｏの吹きつけという観点から、酸素ガスＧｏは、境界Ｂｏ１に対して残存部位Ｐｒとは反対側から供給されるとともに、当該境界Ｂｏ１に向けて、または境界Ｂｏ１（隅部Ｃ１）から走査方向ＳＤ１とは反対方向（走査方向ＳＤ１の後方）に離れた位置に向けて供給されるのが好ましい。
【0080】
図９は、図８の状態における酸素ガスＧｏの供給方向のベクトルの成分を示す模式図である。酸素ガスＧｏの供給方向（図９中の矢印Ｇｏ）は、Ｙ方向（走査方向ＳＤ）の成分Ｇｏ＿ｓｄと、Ｚ方向の反対方向の成分Ｇｏ＿ｚとに分解できる。すなわち、酸素ガスＧｏは、Ｚ方向の反対方向、すなわち表面１１ａの法線方向とは反対方向の成分と、走査方向ＳＤの成分と、を含む方向に、供給される。
【0081】
以上の本実施形態でも、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、酸素ガスＧｏの供給方向は、さらに除去方向ＲＤの成分を有してもよい。
【0082】
［第３実施形態］
図１０は、第３実施形態のレーザ加工装置１００Ｃ（１００）の一部を示す正面図である。レーザ加工装置１００Ｃは、図１０に図示される部分を除き、上記第１実施形態と同様の構成を備えている。また、本実施形態でも、スポット（ビーム）は、表面１０ａ上で、上記第１実施形態と同様に走査される。すなわち、本実施形態でも、図１に示されるように、スポットの走査には、走査方向ＳＤ１（Ｙ方向）への走査と、走査方向ＳＤ２（Ｙ方向の反対方向Ｙｏ）への走査と、が含まれる。したがって、本実施形態でも、除去領域Ａｒは、経時的に、巨視的には除去方向ＲＤに拡大するとともに、微視的にはスポットの走査に伴って走査方向ＳＤ１および走査方向ＳＤ２に拡大する。
図１０は、第３実施形態のレーザ加工装置１００Ｃ（１００）の一部を示す正面図である。レーザ加工装置１００Ｃは、図１０に図示される部分を除き、上記第１実施形態と同様の構成を備えている。また、本実施形態でも、スポット（ビーム）は、表面１０ａ上で、上記第１実施形態と同様に走査される。すなわち、本実施形態でも、図１に示されるように、スポットの走査には、走査方向ＳＤ１（Ｙ方向）への走査と、走査方向ＳＤ２（Ｙ方向の反対方向Ｙｏ）への走査と、が含まれる。したがって、本実施形態でも、除去領域Ａｒは、経時的に、巨視的には除去方向ＲＤに拡大するとともに、微視的にはスポットの走査に伴って走査方向ＳＤ１および走査方向ＳＤ２に拡大する。
【0083】
ただし、本実施形態では、光学ヘッド１２０は、酸素ガスＧｏをＹ方向とＺ方向の反対方向との間の方向に向けて供給する配管１６１－１（１６１）と、酸素ガスＧｏをＹ方向の反対方向ＹｏとＺ方向の反対方向との間の方向に向けて供給する配管１６１－２（１６１）と、を備えている。すなわち、光学ヘッド１２０は、異なる方向に酸素ガスＧｏを供給可能な、複数の配管１６１（ノズル）を有している。
【0084】
さらに、本実施形態では、制御装置１４０は、スポットの走査方向の経時的な変化に応じて、酸素ガスＧｏの供給方向を切り替える。具体的に、制御装置１４０は、走査方向ＳＤ１への走査時には配管１６１－１から酸素ガスＧｏを供給し、走査方向ＳＤ２への走査時には配管１６１－２から酸素ガスＧｏを供給するよう、酸素供給機構１６０を制御する。この場合、酸素供給機構１６０は、例えば、電磁弁（不図示）のような、各配管１６１による酸素ガスＧｏの供給および停止を切り替える切替機構を有している。
【0085】
配管１６１－１からの酸素ガスＧｏの供給方向は、上記第２実施形態と同様に、Ｚ方向の反対方向、すなわち表面１１ａの法線方向とは反対方向の成分と、走査方向ＳＤ１の成分と、を含む方向である。また、配管１６１－２からの酸素ガスＧｏの供給方向は、Ｚ方向の反対方向の成分と、走査方向ＳＤ２の成分と、を含む方向である。また、この場合も、配管１６１－１および配管１６１－２からの酸素ガスＧｏの供給方向は、それぞれ、除去方向ＲＤの成分を有してもよい。
【0086】
以上の本実施形態でも、上記第１実施形態および上記第２実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態では、走査方向ＳＤ１，ＳＤ２の双方において、酸素ガスＧｏを供給することができるため、残渣をより一層確実に除去することが可能となる。
【0087】
［第４実施形態］
図１１は、第４実施形態のレーザ加工装置１００Ｄ（１００）の一部を示す正面図である。本実施形態では、光学ヘッド１２０は、上記第３実施形態と同様の構成を有している。
図１１は、第４実施形態のレーザ加工装置１００Ｄ（１００）の一部を示す正面図である。本実施形態では、光学ヘッド１２０は、上記第３実施形態と同様の構成を有している。
【0088】
ただし、本実施形態では、光学ヘッド１２０に対して相対的に電線１０をその中心軸Ａｘ周りに周方向に回転させることにより、表面１０ａ上でスポット（ビーム）を走査する。すなわち、本実施形態では、電線１０とビームとが、中心軸Ａｘ周りの周方向に相対的に移動する。図１１の状態で、電線１０が反時計回りの回転方向Ｒ１に回転する場合、光学ヘッド１２０と面した表面１０ａにおいて、スポットは、相対的に電線１０の角部１０ｂ１から他方の角部１０ｂ２へ向かう方向へ移動する。この場合、制御装置１４０は、配管１６１－１からの酸素ガスＧｏを供給するよう、酸素供給機構１６０を制御する。他方、図１１の状態で、電線１０が時計回りの回転方向Ｒ２に回転する場合、光学ヘッド１２０と面した表面１０ａにおいて、スポットは、相対的に電線１０の角部１０ｂ２から他方の角部１０ｂ１へ向かう方向へ移動する。この場合、制御装置１４０は、配管１６１－２からの酸素ガスＧｏを供給するよう、酸素供給機構１６０を制御する。このような制御により、本実施形態でも、酸素ガスＧｏの供給方向は、表面１０ａにおけるスポットの掃引方向の成分を有することになる。よって、本実施形態によっても、上記第３実施形態と同様の効果が得られる。
【0089】
［第５実施形態］
図１２は、第５実施形態のレーザ加工装置１００Ｅ（１００）の一部を示す正面図である。レーザ加工装置１００Ｅは、図１２に図示される部分を除き、上記第１実施形態と同様の構成を備えている。すなわち、本実施形態では、光学ヘッド１２０は、集光レンズ１２２の前段に、ガルバノスキャナ１２６を有している。
図１２は、第５実施形態のレーザ加工装置１００Ｅ（１００）の一部を示す正面図である。レーザ加工装置１００Ｅは、図１２に図示される部分を除き、上記第１実施形態と同様の構成を備えている。すなわち、本実施形態では、光学ヘッド１２０は、集光レンズ１２２の前段に、ガルバノスキャナ１２６を有している。
【0090】
ガルバノスキャナ１２６は、複数のミラー１２６ａ，１２６ｂを有している。複数のミラー１２６ａ，１２６ｂの角度を変更することで、光学ヘッド１２０からのレーザ光の出射方向を切り替える。ミラー１２６ａ，１２６ｂの角度は、それぞれ、例えば制御装置１４０によって制御されたモータ（いずれも不図示）によって変更される。この場合、例えば、電線１０と光学ヘッド１２０とを相対的に移動させることなく、スポットを表面１０ａ上で走査方向ＳＤ１，ＳＤ２に走査することができる。なお、スポットのＸ方向への移動あるいは走査は、電線１０および光学ヘッド１２０のうち少なくとも一方の移動により実現してもよい。
【0091】
［第６実施形態］
図１３は、図１と同じ電線１０の斜視図であって、図１とは異なるビームおよび走査方法を示す図である。図１３に示されるように、この例では、レーザ光のビームの照射領域Ａｅは、細長い線状の形状を有し、Ｘ方向の反対方向に走査される。ビームの照射方向、すなわちＺ方向の反対方向と交差した断面において、照射領域ＡｅのＹ方向の長さは、照射領域ＡｅのＸ方向の長さよりも長い。このような設定により、レーザ光の点状のスポット（ビーム）が走査される場合に比べて、走査回数（折り返し回数）を減らすことができる。Ｘ方向は、走査方向ＳＤの一例であり、Ｙ方向は、走査方向ＳＤと交差した方向の一例である。
図１３は、図１と同じ電線１０の斜視図であって、図１とは異なるビームおよび走査方法を示す図である。図１３に示されるように、この例では、レーザ光のビームの照射領域Ａｅは、細長い線状の形状を有し、Ｘ方向の反対方向に走査される。ビームの照射方向、すなわちＺ方向の反対方向と交差した断面において、照射領域ＡｅのＹ方向の長さは、照射領域ＡｅのＸ方向の長さよりも長い。このような設定により、レーザ光の点状のスポット（ビーム）が走査される場合に比べて、走査回数（折り返し回数）を減らすことができる。Ｘ方向は、走査方向ＳＤの一例であり、Ｙ方向は、走査方向ＳＤと交差した方向の一例である。
【0092】
また、当該照射領域Ａｅは、導体１１の端部からの絶縁皮膜１２が除去される所定範囲Ａにおいて、表面１０ａのＹ方向の両側の端部１０ｂ間に渡って延びている。図１３の例では、照射領域ＡｅのＹ方向両側のそれぞれの端部Ａｅ１は、所定範囲Ａの端部１０ｂに対して、当該所定範囲ＡのＹ方向の中央とは反対側に位置し、照射領域Ａｅが表面１０ａを跨ぐように配置されている。このような設定により、レーザ光の線状の照射領域Ａｅは、Ｘ方向（掃引方向ＳＤ）に沿った一度の走査により、所定範囲Ａにおいて、より迅速に絶縁皮膜１２を除去することができる。この場合、Ｘ方向は、除去方向ＲＤでもある。
【0093】
図１４は、電線１０の一部の側面図であって、絶縁皮膜１２の除去領域Ａｒと残存部位ＰｒとのＸ方向における境界Ｂｏの近傍を示す図である。図１３に例示したようなスポット（ビーム）の照射により、境界Ｂｏにおいては、図１４に示されるような絶縁皮膜１２の端面１２ａが出現する。端面１２ａは、絶縁皮膜１２の走査方向ＳＤ（除去方向ＲＤ）の反対方向の端部に位置し、当該走査方向ＳＤの反対方向を向いている。スポットの走査方向ＳＤへの走査により、端面１２ａ（境界Ｂｏ）は、走査方向ＳＤへ移動し、除去領域Ａｒは、走査方向ＳＤ（除去方向ＲＤ）に経時的に拡大する。このような場合において、本実施形態でも、図１４に示されるように、酸素ガスＧｏは、境界Ｂｏに対して残存部位Ｐｒとは反対側から供給されるとともに、当該境界Ｂｏに向けて供給される。この場合も、上記第１実施形態と同様に、酸素ガスＧｏは、表面１１ａと端面１２ａとの間の隅部Ｃに対しても残存部位Ｐｒに妨げられることなく供給されるため、レーザ光の照射による絶縁皮膜１２の燃焼が促進されやすくなり、表面１１ａにおける残渣をより少なくすることができる。また、酸素ガスＧｏの流量をより大きくし、酸素ガスＧｏによって残渣を吹き飛ばす場合にあっても、残存部位Ｐｒとの干渉を避けた隅部Ｃに至るまでの表面１１ａへの酸素ガスＧｏの吹きつけという観点から、酸素ガスＧｏは、境界Ｂｏに対して残存部位Ｐｒとは反対側から供給されるとともに、当該境界Ｂｏに向けて、または境界Ｂｏ（隅部Ｃ）から走査方向ＳＤとは反対方向（走査方向ＳＤの後方）に離れた位置に向けて供給されるのが好ましい。なお、図１４では、模式的に、端面１２ａはＺ方向に略沿って延びているように描かれているが、実際には、端面１２ａは、Ｚ方向に対して傾斜して延びる場合もあるし、凹凸形状を有する場合もある。また、図示しないが、本実施形態でも、酸素ガスＧｏの供給方向（図１４中の矢印Ｇｏ）は、Ｘ方向（走査方向ＳＤ）の成分と、Ｚ方向の反対方向の成分とに分解できる。すなわち、酸素ガスＧｏは、Ｚ方向の反対方向、すなわち表面１１ａの法線方向とは反対方向の成分と、走査方向ＳＤの成分と、を含む方向に、供給される。
【0094】
【0095】
図１５の例では、照射領域Ａｅは、Ｙ方向に延びた細長い１本の線状の形状を有している。
【0096】
図１６の例では、照射領域Ａｅは、Ｘ方向に間隔をあけてＹ方向に平行に延びた２本の線状の形状を有している。
【0097】
図１７の例では、複数のスポットをＹ方向に沿ってジグザグに互い違いに配置することにより、照射領域Ａｅは、Ｙ方向に延びた三角波状の形状を有している。この例では、隣接するスポット同士が互いに接している。
【0098】
図１８の例でも、図１７と同様に、複数のスポットはＹ方向に沿ってジグザグに互い違いに配置されているが、この例では、隣接するスポット同士が互いに離間している。すなわち、照射領域Ａｅは、互いに離間した複数の点状のスポットを有している。
【0099】
図１９の例では、照射領域Ａｅは、Ｙ方向に延びた正弦波状の形状を有している。
【0100】
また、皮膜除去の際、互いに波長の異なるレーザ光を照射するようにしてもよい。図２０は、第一レーザ光によるビームＢ１と第二レーザ光によるビームＢ２とを含む円形状の照射領域Ａｅである。この場合、照射領域Ａｅ（ビームＢ）は、互いに波長が異なるレーザ光による複数のビームＢ１，Ｂ２を含んでいる。図２０の例では、青色レーザまたは緑色レーザである第二レーザ光によるビームＢ２が中央に配置され、その周囲を取り囲むように、赤外レーザである第一レーザ光によるビームＢ１が配置されている。銅系材料においては、赤外レーザよりも、青色レーザまたは緑色レーザの方が、吸収率が高く、かつ反射率が低い。したがって、導体１１が銅系材料で作られた電線１０について、赤外レーザを照射することで、当該照射された領域の皮膜に直接熱を与えるとともに、銅系材料まで到達し、反射されたレーザ光が皮膜に熱を与える事ができるので、絶縁皮膜１２と銅系材料とが当接する領域側からも熱を与え、効率よく皮膜を除去することができる。なお、このとき、第一レーザ光と第二レーザ光とは互いに異なる領域に照射されるようにしてもよい。例えば、図２０のような照射領域Ａｅとすることにより、ビームＢ１が照射されるより広い範囲において、適度な強度の第一レーザ光によって絶縁皮膜１２を効率良く除去することができる。また、絶縁皮膜１２が除去された導体１１にビームＢ２の照射によって効率良く熱を与え、除去されていない絶縁皮膜１２の温度を予備的に高めてより効率良く燃焼しやすくなる、という効果が得られる。なお、複数のビームＢ１，Ｂ２の配置や、大きさ、面積比等のスペックは、図２０の例には限定されないが、上述した観点から、互いに波長の異なるレーザ光を、互いに異なる領域に照射する場合、第二レーザ光のみ、または第一レーザ光および第二レーザ光の双方が照射されるスポットの面積（図２０の場合、Ｂ２の面積）に対する、第一レーザ光のみが照射される面積（図２０の場合、Ｂ１－Ｂ２の面積）の比、即ち（Ｂ１－Ｂ２の面積）／（Ｂ２の面積）が０．２以上３．０以下であると好ましく、０．５以上１．８以下であるとさらに好ましい。この時、Ｂ１－Ｂ２の面積が０．０３［ｍｍ２］以上０．４［ｍｍ２］以下であるのが好ましく、０．０５［ｍｍ２］以上０．２［ｍｍ２］以下であるのがさらに好ましい。
【0101】
［皮膜除去条件］
表１は、波長が１０７０［ｎｍ］の赤外レーザ光の図１５に示される線状の照射領域Ａｅの走査により絶縁皮膜１２を除去した場合の実験結果であって、酸素流量［Ｌ／ｍｉｎ］、スポットの走査速度［ｍｍ／ｓ］、レーザ光の出力［Ｗ］の複数の組み合わせについて、絶縁皮膜１２を実際に除去した実験結果を示している。
表１において、◎は、絶縁皮膜１２や燃え残りのような残渣が殆ど無く良好な外観を呈し、かつ露出した導体１１の表面における抵抗値が十分に低い（例えば、２［Ω］未満）「優良」の状態を示し、○は、絶縁皮膜１２や残渣の残存状態が少なく、かつ抵抗値が低い（例えば、２［Ω］以上かつ２０［Ω］未満）「良」の状態を示し、また、×は、残渣が多く、かつ抵抗値も高い「不良」の状態を示す。
表１は、波長が１０７０［ｎｍ］の赤外レーザ光の図１５に示される線状の照射領域Ａｅの走査により絶縁皮膜１２を除去した場合の実験結果であって、酸素流量［Ｌ／ｍｉｎ］、スポットの走査速度［ｍｍ／ｓ］、レーザ光の出力［Ｗ］の複数の組み合わせについて、絶縁皮膜１２を実際に除去した実験結果を示している。
【表1】
【0102】
表１のとおり、酸素流量が５０［Ｌ／ｍｉｎ］の場合に好ましい結果が得られた。また、レーザ光の出力については、５００［Ｗ］および１０００［Ｗ］の場合に、「優良」の結果が得られており、発明者らの実験により、約３００［Ｗ］以上が好適であることが判明した。また、走査速度については、１００［ｍｍ／ｓ］、２００［ｍｍ／ｓ］、および２５０［ｍｍ／ｓ］の場合に、「優良」の結果が得られており、発明者らの実験により、約５０［ｍｍ／ｓ］以上が好適であることが判明した。また、レーザ光の出力が５００［Ｗ］の場合であっても、走査速度が２５０［ｍｍ／ｓ］の場合には、「不良」の結果が得られた。走査速度が速くなるほど単位時間あたりの照射パワーが低下する。よって、走査速度が２５０［ｍｍ／ｓ］の場合には、レーザ光の出力を１０００［ｍｍ／ｓ］のように高くして照射パワーを高めることで、「優良」の結果が得られた。
【0103】
図２１は、酸素流量：０［Ｌ／ｍｉｎ］、走査速度：１００［ｍｍ／ｓ］、およびレーザ光の出力：２００［Ｗ］の場合において絶縁皮膜１２を除去した電線１０の画像Ｉ１であり、図２２は、酸素流量：５０［Ｌ／ｍｉｎ］、走査速度：１００［ｍｍ／ｓ］、およびレーザ光の出力：５００［Ｗ］の場合において絶縁皮膜１２を除去した電線１０の画像Ｉ２であり、図２３は、酸素流量：５０［Ｌ／ｍｉｎ］、走査速度：２５０［ｍｍ／ｓ］、およびレーザ光の出力：５００［Ｗ］の場合において絶縁皮膜１２を除去した電線１０の画像Ｉ３であり、図２４は、酸素流量：５０［Ｌ／ｍｉｎ］、走査速度：２５０［ｍｍ／ｓ］、およびレーザ光の出力：１０００［Ｗ］の場合において絶縁皮膜１２を除去した電線１０の画像Ｉ４である。所定範囲Ａ（除去領域）において、導体１１の表面１１ａが露出している。
【0104】
図２１は、酸素の供給が無い分、絶縁皮膜１２の燃焼が不完全であり、所定範囲Ａにおいて全体的に黒い燃え残りが残存した「不良」の状態である。図２２は、良好な燃焼によって所定範囲Ａにおいて絶縁皮膜１２がほぼ完全に除去された「優良」の状態である。図２３は、単位時間あたりの照射パワーが不足したことにより絶縁皮膜１２の燃焼が不完全となり、所定範囲Ａにおいて全体的に黒い燃え残りが残存した「不良」の状態である。図２４は、良好な燃焼によって所定範囲Ａにおいて絶縁皮膜１２がほぼ完全に除去された「優良」の状態である。
【0105】
また、発明者らの実験的な研究により、表面１０ａの所定範囲Ａにおいてビームを走査して絶縁皮膜１２を除去する途中で、表面１０ａの単位面積あたりのレーザ光の照射パワーを変更することにより、「良好」の状態が得られやすく、またエネルギ効率の良い皮膜除去を実行しやすいことが判明した。具体的には、一例として、絶縁皮膜１２を除去している工程の後段において、表面１０ａの単位面積あたりのレーザ光の照射パワーを、前段よりも低くするのが好ましい場合があった。さらに、その場合、表面１０ａの単位面積あたりのレーザ光の照射パワーを、段階的にあるいは徐々に低くすると、より良好な結果が得られた。これは、前段の絶縁皮膜１２の除去工程において導体１１が加熱されることにより、その後段においては前段よりも低い照射パワーで絶縁皮膜１２を除去することが可能となるからであると考えられる。単位面積あたりのレーザ光の照射パワーは、レーザ光の走査速度およびレーザ光の光源の出力のうち少なくとも一方を変更することにより、変更することができる。レーザ光の走査速度が高くなるほど、あるいはレーザ光の光源の出力が低くなるほど、単位面積あたりのレーザ光の照射パワーは低くなる。一例として、絶縁皮膜１２を除去する工程において、レーザ光を照射する照射時間の後半の半分における単位面積あたりのレーザ光の照射パワーが、レーザ光を照射する照射時間の前半の半分における単位面積あたりのレーザ光の照射パワーの０．８倍以下であると好ましく、０．５倍以下であるとより好ましい。
【0106】
また、電線１０のＹ方向の端部領域においては、Ｙ方向中央領域と比較して、レーザ光の照射パワーを低くする様にしてもよい。電線１０のＹ方向の端部近傍は、Ｙ方向中央領域より熱の逃げ場が少ないため、より小さなパワーでも効率よく絶縁皮膜１２を除去できるとともに、絶縁皮膜１２を除去する工程における、電線１０の不要な酸化を抑制することができる。より具体的には、例えば、電線１０のＹ方向の幅に対する、それぞれのＹ方向端部からの距離の比が０．２以下、より好ましくは０．１以下となる領域は、単位面積あたりのレーザ光の照射パワーが、電線１０のＹ方向中央でのレーザ光の照射パワーよりも低い方が好ましく、２０％以上低い方がより好ましい。
【0107】
［第７実施形態］
図２５は、本実施形態の皮膜除去方法の加工対象としての電線１０Ａ（１０）の斜視図である。図２５に示されるように、電線１０Ａは、導体１１と、当該導体１１を多重に取り囲む絶縁皮膜１２Ａ，１２Ｂ（１２）と、を有している。絶縁皮膜１２Ｂは、導体１１を取り囲み、絶縁皮膜１２Ａは、絶縁皮膜１２Ｂを取り囲んでいる。絶縁皮膜１２Ａは、第一絶縁皮膜の一例であり、絶縁皮膜１２Ｂは、第二絶縁皮膜の一例である。
図２５は、本実施形態の皮膜除去方法の加工対象としての電線１０Ａ（１０）の斜視図である。図２５に示されるように、電線１０Ａは、導体１１と、当該導体１１を多重に取り囲む絶縁皮膜１２Ａ，１２Ｂ（１２）と、を有している。絶縁皮膜１２Ｂは、導体１１を取り囲み、絶縁皮膜１２Ａは、絶縁皮膜１２Ｂを取り囲んでいる。絶縁皮膜１２Ａは、第一絶縁皮膜の一例であり、絶縁皮膜１２Ｂは、第二絶縁皮膜の一例である。
【0108】
また、本実施形態では、絶縁皮膜１２Ａ，１２Ｂは、互いに異なる材料で作られている。一例として、絶縁皮膜１２Ｂは、ポリウレタンで作られ、絶縁皮膜１２Ａは、ポリエーテルエーテルケトンで作られる。このように、電線１０Ａが、異なる材料で作られた複数の絶縁皮膜１２を有する場合にあっては、各絶縁皮膜１２の燃焼性（燃えやすさ）に留意すべきである。燃焼性が異なると、例えば、燃焼性が高い絶縁皮膜１２については残渣が生じないものの燃焼性が低い絶縁皮膜１２については残渣が生じ易くなったり、燃焼性が高い絶縁皮膜１２が所期の範囲を超えて燃焼したり、するからである。
【0109】
そこで、本実施形態では、絶縁皮膜１２をそれぞれ除去する工程を設定し、各工程において、絶縁皮膜１２の材料の燃焼性に応じて酸素濃度を設定する。具体的には、絶縁皮膜１２の材料の燃焼性が高いほど供給する酸素ガスＧｏにおける酸素の濃度を低く設定し、絶縁皮膜１２の材料の燃焼性が低いほど供給する酸素ガスＧｏにおける酸素の濃度を高く設定する。
【0110】
図２５は、本実施形態の皮膜除去方法を行う前の電線１０の斜視図である。また、図２６は、外側の絶縁皮膜１２Ａを除去した状態を示す斜視図であり、図２７は、内側の絶縁皮膜１２Ｂを除去した状態を示す斜視図である。
【0111】
本実施形態でも、上記第６実施形態と同様に、Ｙ方向の長さがＸ方向の長さよりも長い細長い照射領域Ａｅ（図１３，１４等参照）を有したスポットを、走査方向ＳＤに走査し、絶縁皮膜１２を除去する。本実施形態でも、除去方向ＲＤは、走査方向ＳＤである。
【0112】
まずは、図２５，２６に示されるように、スポットを位置ｘ１から位置ｘｅを超える位置までＸ方向に移動し、これにより、絶縁皮膜１２Ａを除去する（第一工程）。
【0113】
次に、図２６，２７に示されるように、スポットを位置ｘ２から位置ｘｅを超える位置までＸ方向に移動し、これにより、絶縁皮膜１２Ｂを除去する（第二工程）。このとき、絶縁皮膜１２Ｂは、絶縁皮膜１２Ａよりも燃焼性が低いため、第二工程においては、第一工程よりも酸素濃度を高くする。言い換えると、絶縁皮膜１２Ａは、絶縁皮膜１２Ｂよりも燃焼性が高いため、第一工程においては、第二工程よりも酸素濃度を低くする。このような酸素濃度の設定により、残渣を少なくしながら、より効率良く絶縁皮膜１２Ａ，１２Ｂを除去することができる。第一工程における酸素の濃度は、第一酸素濃度であり、第二工程における酸素の濃度は、第二酸素濃度である。
【0114】
また、図２６，２７に示されるように、第二工程において、絶縁皮膜１２Ｂの除去を開始する位置ｘ２を、絶縁皮膜１２Ａの除去を開始した位置ｘ１からＸ方向に離している。すなわち、第二工程では、絶縁皮膜１２Ａから離れた位置において、絶縁皮膜１２Ｂを除去している。これにより、酸素濃度を高めた第二工程において、より燃焼性の高い絶縁皮膜１２Ａが不本意に燃焼するのをより確実に抑制することができる。
【0115】
図２６，２７のような位置ｘ１，ｘ２の設定により、第二工程を終えた電線１０Ａは、導体１１の表面１１ａの一部である露出部１１ａ１と、内側の絶縁皮膜１２Ｂの露出部１２ｂと、を有することになる。露出部１２ｂは、露出部１１ａ１と隣接する。露出部１１ａ１は、第一露出部の一例であり、露出部１２ｂは、第二露出部の一例である。
【0116】
なお、本実施形態のような、絶縁皮膜１２の材料の燃焼性に応じた酸素の濃度の設定は、例えば、より燃焼性の高い絶縁皮膜１２がより絶縁性の低い絶縁皮膜１２によって覆われている構成や、異なる材料の複数の絶縁皮膜１２が長手方向に並ぶ構成等に対しても、適用可能である。
【0117】
以上、説明したように、本実施形態のレーザ加工装置１００（皮膜除去装置）および皮膜除去方法によれば、酸素を供給しながらレーザ光を照射することにより電線１０の絶縁皮膜１２を除去するため、絶縁皮膜１２の燃焼が促進される。これにより、例えば、より残渣の少ない高品質な表面１１ａが露出した電線１０を得ることができたり、よりエネルギ効率の高い皮膜除去を実行することができたり、といった利点が得られる。また、本実施形態によれば、比較的厚さが厚い絶縁皮膜１２であっても、より残渣の少ない状態で、より容易にあるいはより迅速に、当該絶縁皮膜１２を除去することができる。
【0118】
以上、本発明の実施形態および変形例が例示されたが、上記実施形態および変形例は一例であって、発明の範囲を限定することは意図していない。上記実施形態および変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、組み合わせ、変更を行うことができる。また、各構成や、形状、等のスペック（構造や、種類、方向、型式、大きさ、長さ、幅、厚さ、高さ、数、配置、位置、材質等）は、適宜に変更して実施することができる。
【0119】
また、本発明は、以下の形態として実施してもよい。
（２８）
皮膜除去方法では、前記絶縁皮膜は５０［μｍ］以上の厚さを有してもよい。
（２９）
前記皮膜除去方法では、前記絶縁皮膜は７０［μｍ］以上の厚さを有してもよい。
（３０）
前記皮膜除去方法では、前記レーザ光の照射位置を向く前記酸素のノズルの吐出口と前記レーザ光の照射位置との距離は、１０［ｍｍ］以上かつ２５［ｍｍ］以下であり、前記酸素の供給流量は、３０［Ｌ／ｍｉｎ］以上であってもよい。
（３１）
前記皮膜除去方法では、前記芯線は銅系材料で作られてもよい。
（３２）
前記皮膜除去方法では、前記電線は平角線または丸線であってもよい。
（３３）
前記皮膜除去方法では、前記レーザ光の波長は３００［ｎｍ］以上でありかつ１２００［ｎｍ）以下であってもよい。
（３４）
前記皮膜除去方法では、前記レーザ光は波長が３００［ｎｍ］以上でありかつ６００［ｎｍ］以下のビームを含んでもよい。
（３５）
前記皮膜除去方法では、前記レーザ光は波長が８００［ｎｍ］以上でありかつ１２００［ｎｍ］以下のビームを含んでもよい。
（３６）
前記皮膜除去方法では、前記レーザ光は波長が異なる複数のビームを含んでもよい。
（２８）
皮膜除去方法では、前記絶縁皮膜は５０［μｍ］以上の厚さを有してもよい。
（２９）
前記皮膜除去方法では、前記絶縁皮膜は７０［μｍ］以上の厚さを有してもよい。
（３０）
前記皮膜除去方法では、前記レーザ光の照射位置を向く前記酸素のノズルの吐出口と前記レーザ光の照射位置との距離は、１０［ｍｍ］以上かつ２５［ｍｍ］以下であり、前記酸素の供給流量は、３０［Ｌ／ｍｉｎ］以上であってもよい。
（３１）
前記皮膜除去方法では、前記芯線は銅系材料で作られてもよい。
（３２）
前記皮膜除去方法では、前記電線は平角線または丸線であってもよい。
（３３）
前記皮膜除去方法では、前記レーザ光の波長は３００［ｎｍ］以上でありかつ１２００［ｎｍ）以下であってもよい。
（３４）
前記皮膜除去方法では、前記レーザ光は波長が３００［ｎｍ］以上でありかつ６００［ｎｍ］以下のビームを含んでもよい。
（３５）
前記皮膜除去方法では、前記レーザ光は波長が８００［ｎｍ］以上でありかつ１２００［ｎｍ］以下のビームを含んでもよい。
（３６）
前記皮膜除去方法では、前記レーザ光は波長が異なる複数のビームを含んでもよい。
【産業上の利用可能性】
【0120】
本発明は、皮膜除去方法および皮膜除去装置に利用することができる。
【符号の説明】
【0121】
１０，１０Ａ…電線
１０ａ…表面
１０ｂ…端部
１０ｂ１，１０ｂ２…角部
１１…導体（芯線）
１１ａ…表面
１１ａ１…露出部（第一露出部）
１２…絶縁皮膜
１２Ａ…絶縁皮膜（第一絶縁皮膜）
１２Ｂ…絶縁皮膜（第二絶縁皮膜）
１２ａ，１２ａ１…端面
１２ｂ…露出部（第二露出部）
１００，１００Ａ～１００Ｅ…レーザ加工装置（皮膜除去装置）
１１１…レーザ装置（光源）
１１２…レーザ装置（光源）
１２０…光学ヘッド
１２１，１２１－１，１２１－２…コリメートレンズ
１２２…集光レンズ
１２３…ミラー
１２４…フィルタ
１２５…ＤＯＥ
１２６…ガルバノスキャナ
１２６ａ，１２６ｂ…ミラー
１３０…光ファイバ
１４０…制御装置
１４１…コントローラ
１４１ａ…出力制御部
１４１ｂ…駆動制御部
１４１ｃ…酸素供給制御部
１４２…主記憶部
１４３…補助記憶装置
１５０…駆動機構
１６０…酸素供給機構
１６１，１６１－１，１６１－２…配管
１６１ａ…吐出口
Ａ…所定範囲
Ａｅ…照射領域
Ａｅ１…端部
Ａｒ…除去領域
Ａｘ…中心軸
Ｂ，Ｂ１，Ｂ２…ビーム
Ｂｏ，Ｂｏ１…境界
Ｃ，Ｃ１…隅部
Ｇｏ…酸素ガス
Ｇｏ＿ｒｄ…成分
Ｇｏ＿ｓｄ…成分
Ｇｏ＿ｚ…成分
Ｉ１～Ｉ４…画像
Ｌ…距離
Ｐ…照射点
Ｐｒ…残存部位
Ｒ１，Ｒ２…回転方向
ＲＤ…除去方向（第一方向）
ＳＤ，ＳＤ１，ＳＤ２…走査方向
Ｘ…方向
ｘ１，ｘ２，ｘｅ…位置
Ｙ…方向
Ｙｏ…反対方向
Ｚ…方向
θ…角度
１０ａ…表面
１０ｂ…端部
１０ｂ１，１０ｂ２…角部
１１…導体（芯線）
１１ａ…表面
１１ａ１…露出部（第一露出部）
１２…絶縁皮膜
１２Ａ…絶縁皮膜（第一絶縁皮膜）
１２Ｂ…絶縁皮膜（第二絶縁皮膜）
１２ａ，１２ａ１…端面
１２ｂ…露出部（第二露出部）
１００，１００Ａ～１００Ｅ…レーザ加工装置（皮膜除去装置）
１１１…レーザ装置（光源）
１１２…レーザ装置（光源）
１２０…光学ヘッド
１２１，１２１－１，１２１－２…コリメートレンズ
１２２…集光レンズ
１２３…ミラー
１２４…フィルタ
１２５…ＤＯＥ
１２６…ガルバノスキャナ
１２６ａ，１２６ｂ…ミラー
１３０…光ファイバ
１４０…制御装置
１４１…コントローラ
１４１ａ…出力制御部
１４１ｂ…駆動制御部
１４１ｃ…酸素供給制御部
１４２…主記憶部
１４３…補助記憶装置
１５０…駆動機構
１６０…酸素供給機構
１６１，１６１－１，１６１－２…配管
１６１ａ…吐出口
Ａ…所定範囲
Ａｅ…照射領域
Ａｅ１…端部
Ａｒ…除去領域
Ａｘ…中心軸
Ｂ，Ｂ１，Ｂ２…ビーム
Ｂｏ，Ｂｏ１…境界
Ｃ，Ｃ１…隅部
Ｇｏ…酸素ガス
Ｇｏ＿ｒｄ…成分
Ｇｏ＿ｓｄ…成分
Ｇｏ＿ｚ…成分
Ｉ１～Ｉ４…画像
Ｌ…距離
Ｐ…照射点
Ｐｒ…残存部位
Ｒ１，Ｒ２…回転方向
ＲＤ…除去方向（第一方向）
ＳＤ，ＳＤ１，ＳＤ２…走査方向
Ｘ…方向
ｘ１，ｘ２，ｘｅ…位置
Ｙ…方向
Ｙｏ…反対方向
Ｚ…方向
θ…角度
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】