特許 7519573 発光装置及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-11

(45)【発行日】2024-07-22

(54)【発明の名称】発光装置及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/08 20100101AFI20240712BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20240712BHJP

【ＦＩ】

H01L33/08

H01L33/62

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2020110567

(22)【出願日】2020-06-26

(65)【公開番号】P2022007535

(43)【公開日】2022-01-13

【審査請求日】2023-05-26

(73)【特許権者】

【識別番号】000226057

【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100108062

【弁理士】

【氏名又は名称】日向寺 雅彦

(74)【代理人】

【識別番号】100168332

【弁理士】

【氏名又は名称】小崎 純一

(74)【代理人】

【氏名又は名称】内田 敬人

(72)【発明者】

【氏名】米澤 政樹

【審査官】百瀬 正之

(56)【参考文献】

【文献】中国特許出願公開第１１０２４６９５３（ＣＮ，Ａ）

【文献】特開２０１１－１８７６１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０９２９０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１２／１４１０３１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１６－０１５４６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１８－５３６２９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１２／００５６２１９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１３－１４９８９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－２１６８８６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３３／００－３３／６４

ＩＥＥＥ Ｘｐｌｏｒｅ

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

実装基板と、
第１導電形の第１半導体層、第２導電形の第２半導体層、及び、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた第１発光層を含む第１半導体積層体と、
前記第１導電形の第３半導体層、前記第２導電形の第４半導体層、及び、前記第３半導体層と前記第４半導体層との間に設けられた第２発光層を含む第２半導体積層体と、
前記第２半導体層と前記第４半導体層との間に設けられ、前記第２半導体層及び前記第４半導体層と接する光透過性の導電層と、
前記第１半導体積層体に設けられ底面が前記導電層の一部にある第１穴部と、
前記第１半導体積層体、前記導電層、及び、前記第２半導体積層体に設けられ底面が前記第３半導体層の一部にある第２穴部と、
前記第１穴部の側面に設けられた第１絶縁部材と、
前記第２穴部の側面に設けられた第２絶縁部材と、
前記第１絶縁部材を介して前記第１穴部に設けられ、前記導電層と接続された第１導電部材と、
前記第２絶縁部材を介して前記第２穴部に設けられ、前記第３半導体層と接続された第２導電部材と、
前記第１半導体層の表面に設けられ前記第１半導体層と接続された第３導電部材と、
を備え、
前記第１導電部材、前記第２導電部材、及び、前記第３導電部材は、前記実装基板に接合されており、
前記第２導電部材は、
前記第１半導体積層体に囲まれた第１部分と、
前記導電層に囲まれた第２部分と、
を含み、
前記第１半導体層から前記第３半導体層への第１方向に対して垂直な第２方向に沿う前記第２部分の長さは、前記第２方向に沿う前記第１部分の長さよりも長く、
前記第２半導体層と前記第４半導体層の間には、前記導電層、前記第１絶縁部材の一部、前記第２絶縁部材の一部、前記第１導電部材の一部及び前記第２導電部材の一部のみが配置される、発光装置。

【請求項2】

前記第１発光層から出射される光のピーク波長は、前記第２発光層から出射される光のピーク波長と異なる、請求項１に記載の発光装置。

【請求項3】

前記実装基板は、第１配線と、前記第１配線と電気的に独立した第２配線と、を含み、
前記第１導電部材と前記第１配線とが接合され、前記第２導電部材と前記第２配線とが接合された、請求項２に記載の発光装置。

【請求項4】

構造体を準備する工程であって、
第１導電形の第１半導体層、第２導電形の第２半導体層、及び、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた第１発光層を含む第１半導体積層体を準備する工程と、
前記第２半導体層の上に光透過性の第１導電膜を形成する工程と、
前記第１導電形の第３半導体層、前記第２導電形の第４半導体層、及び、前記第３半導体層と前記第４半導体層との間に設けられた第２発光層を含む第２半導体積層体を準備する工程と、
前記第４半導体層の上に光透過性の第２導電膜を形成する工程と、
前記第１導電膜と前記第２導電膜を接触させて接合し、導電層を形成する工程と、を含む前記構造体を準備する工程と、
前記第１半導体積層体に、底面が前記導電層の一部にある第１穴部を形成する工程と、
前記第１半導体積層体、前記導電層、及び、前記第２半導体積層体に、底面が前記第３半導体層の一部にある第２穴部を形成する工程と、
前記第１穴部の側面、及び、前記第２穴部の側面に絶縁部材を形成する工程と、
前記第１穴部に前記導電層と接続する第１導電部材と、前記第２穴部に前記第３半導体層と接続する第２導電部材と、前記第１半導体層と接続し前記第１半導体層の表面に設けられた第３導電部材と、を形成する工程と、
前記第１導電部材、前記第２導電部材、及び、前記第３導電部材を実装基板に接合する工程と、
を備え、
前記第１穴部を形成する前記工程は、前記第１半導体積層体の第１領域を除去することを含み、
前記第２穴部を形成する前記工程は、
前記第１半導体積層体の第２領域を除去して第１穴を形成する工程であって、前記第１穴の底面は前記導電層の一部にある、前記第１穴を形成する前記工程と、
前記導電層の第３領域を除去して前記第１穴と連続する第２穴を形成する工程であって、前記第２穴の底面は前記第４半導体層の一部にある、前記第２穴を形成する前記工程と、
前記第４半導体層の前記一部、及び、前記第２発光層の一部を除去して前記第２穴と連続する第３穴を形成する工程であって、前記第３穴の底面は前記第３半導体層の一部にある、前記第３穴を形成する工程と、
を含み、
前記第２穴部を形成する工程において、前記第２穴の、前記第１半導体層から前記第２半導体層への第１方向に対して垂直な第２方向に沿う長さが、前記第１穴の前記第２方向に沿う長さよりも長くなるように、前記第２穴が形成され、
前記第１穴をドライエッチングにより形成し、前記第２穴をウエットエッチングにより形成し、前記第３穴をドライエッチングにより形成する、発光装置の製造方法。

【請求項5】

前記第２半導体層の表面に凹凸を形成した後、前記第２半導体層の上に前記第１導電膜を形成し、前記第４半導体層の表面に凹凸を形成した後、前記第４半導体層の上に前記第２導電膜を形成し、前記第１導電膜及び前記第２導電膜の表面を平坦化し、前記第１導電膜と前記第２導電膜とを直接接合する、請求項４に記載の発光装置の製造方法。

【請求項6】

前記第１穴部の形成の少なくとも一部と、前記第１穴の形成の少なくとも一部と、は、同時に行われる、請求項４または５に記載の発光装置の製造方法。

【請求項7】

前記絶縁部材を形成する前記工程において、前記絶縁部材を原子層堆積法で形成する、請求項４～６のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。

【請求項8】

前記第１半導体層に設けられた第１基板を除去する工程をさらに含み、
前記第１基板を除去する工程は、前記構造体を準備する前記工程の後であって、前記第１穴部を形成する前記工程及び前記第２穴部を形成する前記工程の前に実施される、請求項４～７のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。

【請求項9】

前記第３半導体層に設けられた第２基板を除去する工程をさらに含み、
前記第２基板を除去する工程は、前記実装基板に接合する前記工程の後に実施される、請求項４～８のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１において、第１発光層と第２発光層を含む半導体発光素子が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１３－４６２４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１の半導体発光素子において、実装面積を小さくすることには改善の余地がある。本発明は、実装面積を小さくすることが可能な発光装置及びその製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一態様によれば、発光装置は、実装基板と、第１導電形の第１半導体層、第２導電形の第２半導体層、及び、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた第１発光層を含む第１半導体積層体と、前記第１導電形の第３半導体層、前記第２導電形の第４半導体層、及び、前記第３半導体層と前記第４半導体層との間に設けられた第２発光層を含む第２半導体積層体と、前記第２半導体層と前記第４半導体層との間に設けられ、前記第２半導体層及び前記第４半導体層と接する光透過性の導電層と、前記第１半導体積層体に設けられ底面が前記導電層の一部にある第１穴部と、前記第１半導体積層体、前記導電層、及び、前記第２半導体積層体に設けられ底面が前記第３半導体層の一部にある第２穴部と、前記第１穴部の側面に設けられた第１絶縁部材と、前記第２穴部の側面に設けられた第２絶縁部材と、前記第１絶縁部材を介して前記第１穴部に設けられ、前記導電層と接続された第１導電部材と、前記第２絶縁部材を介して前記第２穴部に設けられ、前記第３半導体層と接続された第２導電部材と、前記第１半導体層の表面に設けられ前記第１半導体層と接続された第３導電部材と、を含む。前記第１導電部材、前記第２導電部材、及び、前記第３導電部材は、前記実装基板に接合されている。
本発明の一態様によれば、発光装置の製造方法は、第１導電形の第１半導体層、第２導電形の第２半導体層、及び、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた第１発光層を含む第１半導体積層体と、前記第１導電形の第３半導体層、前記第２導電形の第４半導体層、及び、前記第３半導体層と前記第４半導体層との間に設けられた第２発光層を含む第２半導体積層体と、前記第２半導体層と前記４半導体層との間に設けられ、前記第２半導体層及び前記第４半導体層と接する光透過性の導電層と、を含む構造体を準備する工程と、前記第１半導体積層体に底面が前記導電層の一部にある第１穴部を形成する工程と、前記第１半導体積層体、前記導電層、及び、前記第２半導体積層体に底面が前記第３半導体層の一部にある第２穴部を形成する工程と、前記第１穴部の側面、及び、前記第２穴部の側面に絶縁部材を形成する工程と、前記第１穴部に前記導電層と接続する第１導電部材と、前記第２穴部に前記第３半導体層と接続する第２導電部材と、前記第１半導体層と接続し前記第１半導体層の表面に設けられた第３導電部材と、を形成する工程と、前記第１導電部材、前記第２導電部材、及び、前記第３導電部材を実装基板に接合する工程と、を含む。

【発明の効果】

【0006】

本発明の一態様によれば、実装面積を小さくすることが可能な発光装置及びその製造方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1A】図１Ａは、第１実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。

【図1B】図１Ｂは、第１実施形態に係る発光装置を例示する模式的上面図である。

【図1C】図１Ｃは、第１実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。

【図2A】図２Ａは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図2B】図２Ｂは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的上面図である。

【図2C】図２Ｃは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図3A】図３Ａは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図3B】図３Ｂは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的上面図である。

【図3C】図３Ｃは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図4A】図４Ａは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図4B】図４Ｂは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的上面図である。

【図4C】図４Ｃは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図5A】図５Ａは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図5B】図５Ｂは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的上面図である。

【図5C】図５Ｃは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図6A】図６Ａは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図6B】図６Ｂは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的上面図である。

【図6C】図６Ｃは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図7A】図７Ａは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図7B】図７Ｂは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的上面図である。

【図7C】図７Ｃは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図8A】図８Ａは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図8B】図８Ｂは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的上面図である。

【図8C】図８Ｃは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図9A】図９Ａは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図9B】図９Ｂは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的上面図である。

【図9C】図９Ｃは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図10A】図１０Ａは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図10B】図１０Ｂは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的上面図である。

【図10C】図１０Ｃは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図11A】図１１Ａは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図11B】図１１Ｂは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的上面図である。

【図11C】図１１Ｃは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式的断面図である。

【図12】図１２は、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の工程を例示するフローチャートである。

【図13】図１３は、第１実施形態に係る発光装置の変形例を例示する模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

【0009】

（第１実施形態）
図１Ａ～図１Ｃは、第１実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。
図１Ａは、図１ＢのIA－IA線断面図である。図１Ｂは上面図である。図１Ｃは、図１ＢのIC－IC線断面図である。

【0010】

図１Ａ～図１Ｃに示すように、第１実施形態に係る発光装置１１０は、実装基板６０、第１半導体積層体１０Ａ、第２半導体積層体１０Ｂ、導電層３０、第１絶縁部材８１、第２絶縁部材８２、第１導電部材５１、第２導電部材５２、及び、第３導電部材５３を含む。第１半導体積層体１０Ａ、第２半導体積層体１０Ｂ、及び、導電層３０は、構造体１８に含まれる。構造体１８は、第１穴部１８ｈａ及び第２穴部１８ｈｂを含む。

【0011】

第１半導体積層体１０Ａは、第１半導体層１１、第２半導体層１２及び第１発光層１１Ｅを含む。第１発光層１１Ｅは、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に設けられる。第１半導体層１１は、第１導電形を有する。第２半導体層１２は、第２導電形を有する。第１導電形は、ｎ形及びｐ形の一方である。第２導電形は、ｎ形及びｐ形の他方である。以下では、第１導電形がｎ形であり、第２導電形がｐ形とする。

【0012】

第２半導体積層体１０Ｂは、第３半導体層１３、第４半導体層１４及び第２発光層１２Ｅを含む。第２発光層１２Ｅは、第３半導体層１３と第４半導体層１４との間に設けられる。第３半導体層１３は、第１導電形である。第４半導体層１４は、第２導電形である。

【0013】

導電層３０は、第２半導体層１２と第４半導体層１４との間に設けられる。導電層３０は、第２半導体層１２及び第４半導体層１４と接する。導電層３０は、光透過性である。導電層３０は、第２半導体層１２及び第４半導体層１４と電気的に接続される。

【0014】

例えば、実装基板６０の上に、第１半導体層１１が設けられる。第１半導体層１１の上に第１発光層１１Ｅが設けられる。第１発光層１１Ｅの上に第２半導体層１２が設けられる。第２半導体層１２の上に導電層３０が設けられる。導電層３０の上に第４半導体層１４が設けられる。第４半導体層１４の上に第２発光層１２Ｅが設けられる。第２発光層１２Ｅの上に第３半導体層１３が設けられる。

【0015】

第１半導体層１１から第３半導体層１３への方向を第１方向とする。第１方向は、第１半導体積層体１０Ａ、導電層３０、及び、第２半導体積層体１０Ｂの積層方向に対応する。

【0016】

第１方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

【0017】

第１半導体層１１、第２半導体層１２、第１発光層１１Ｅ、第３半導体層１３、第４半導体層１４、及び、第２発光層１２Ｅは、Ｘ－Ｙ平面に対して実質的に平行である。

【0018】

図１Ａに示すように、第１穴部１８ｈａは、第１半導体積層体１０Ａに設けられる。第１穴部１８ｈａの底面１８ｈａＢは、導電層３０の一部にある。例えば、第１穴部１８ｈａは、第１半導体積層体１０Ａ、及び、導電層３０の一部に設けられる。

【0019】

図１Ｃに示すように、第２穴部１８ｈｂは、第１半導体積層体１０Ａ、導電層３０、及び、第２半導体積層体１０Ｂに設けられる。第２穴部１８ｈｂの底面１８ｈｂＢは、第３半導体層１３の一部にある。例えば、第２穴部１８ｈｂは、第１半導体積層体１０Ａ、導電層３０、及び、第２半導体積層体１０Ｂの一部に設けられる。

【0020】

図１Ａ及び図１Ｃに示すように、第１絶縁部材８１は、第１穴部１８ｈａの側面１８ｈａｓに設けられる。図１Ｃに示すように、第２絶縁部材８２は、第２穴部１８ｈｂの側面１８ｈｂｓに設けられる。

【0021】

図１Ａ及び図１Ｃに示すように、第１導電部材５１は、第１絶縁部材８１を介して第１穴部１８ｈａに設けられる。第１導電部材５１は、導電層３０と接続される。第１絶縁部材８１は、第１導電部材５１と、第１半導体積層体１０Ａと、の間、及び、第１導電部材５１と、導電層３０の一部と、の間に、設けられる。第１絶縁部材８１は、第１導電部材５１と第１半導体層１１との間、及び、第１導電部材５１と第１発光層１１Ｅとの間を電気的に絶縁する。第１導電部材５１は、第２半導体層１２または導電層３０に接続される。この例では、第１導電部材５１の底部５１Ｔは、導電層３０と接する。

【0022】

図１Ｃに示すように、第２導電部材５２は、第２絶縁部材８２を介して第２穴部１８ｈｂに設けられる。第２導電部材５２は、第３半導体層１３と接続される。第２絶縁部材８２は、第２導電部材５２と、第１半導体積層体１０Ａと、の間、第２導電部材５２と、導電層３０と、の間、及び、第２導電部材５２と、第２半導体積層体１０Ｂの一部と、の間に、設けられる。第２絶縁部材８２は、第２導電部材５２と第１半導体積層体１０Ａとの間、及び、第２導電部材５２と導電層３０との間を電気的に絶縁する。第２導電部材５２は、第３半導体層１３と接続される。この例では、第２導電部材５２の底部５２Ｔは、第３半導体層１３と接する。

【0023】

図１Ａに示すように、第３導電部材５３は、第１半導体層１１の表面１１ｆに設けられ、第１半導体層１１と接続される。

【0024】

第１導電部材５１、第２導電部材５２、及び、第３導電部材５３は、実装基板６０に接合されている。

【0025】

例えば、図１Ａ～図１Ｃに示すように、実装基板６０は、基板部６０ｓ、第１配線６１、第２配線６２及び第３配線６３を含む。第１配線６１、第２配線６２及び第３配線６３は、基板部６０ｓの第１面６０ｆに設けられる。基板部６０ｓの第１面６０ｆは絶縁性を有する。

【0026】

図１Ａ及び図１Ｃに示すように、例えば、Ｚ軸方向において、第１配線６１と導電層３０との間に第１導電部材５１が設けられる。図１Ｃに示すように、例えば、Ｚ軸方向において、第２配線６２と第３半導体層１３との間に第２導電部材５２が設けられる。図１Ａに示すように、例えば、Ｚ軸方向において、第３配線６３と第１半導体層１１との間に第３導電部材５３が設けられる。第１導電部材５１は、第１配線６１と電気的に接続される。第２導電部材５２は、第２配線６２と電気的に接続される。第３導電部材５３は、第３配線６３と電気的に接続される。第１導電部材５１と第１配線６１、第２導電部材５２と第２配線６２、及び、第３導電部材５３と第３配線６３は、例えば、金属からなる導電性ペーストなどの接合部材を介して接合されていてもよい。このように、導電層３０と接続された第１導電部材５１、第３半導体層１３と接続された第２導電部材５２、及び、第１半導体層１１と接続された第３導電部材５３が、実装基板６０に接合されていることにより、実装面積を小さくすることができる。

【0027】

第３配線６３と第１配線６１との間に流れる電流（第１電流）が第１半導体積層体１０Ａを流れ、第１発光層１１Ｅから光が出射する。第２配線６２と第１配線６１との間に流れる電流（第２電流）が第２半導体積層体１０Ｂを流れ、第２発光層１２Ｅから光が出射する。このように、Ｚ軸方向で重なる領域に複数の発光層があることで、発光層が１層の半導体積層体をＸ－Ｙ平面に沿って並べて複数配置したときと比較して、小さい面積であり、且つ、単位面積当たりの発光強度を強い発光強度にすることができる。

【0028】

第１実施形態において、第１発光層１１Ｅから出射される光（第１光）のピーク波長は、第２発光層１２Ｅから出射される光（第２光）のピーク波長と異なる。例えば、第１光の色は、第２光の色と異なる。第１光の色は、例えば、緑色である。第２光の色は、例えば、青色である。第１光のピーク波長は、例えば、４９０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下である。第２光のピーク波長は、例えば、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下である。なお、第１光のピーク波長は、第２光のピーク波長と実質的に同じでもよく、実質的に同じとは、例えば５ｎｍ以内の波長の差を意味する。

【0029】

第１実施形態においては、互いに異なる色を出射する第１半導体積層体１０Ａ及び第２半導体積層体１０Ｂが積層される。例えば、第１半導体積層体１０Ａの第１発光層１１Ｅから出射した第１光は、導電層３０及び第２半導体積層体１０Ｂを通過して、外部に出射する。第１光は、第２半導体積層体１０Ｂの第２発光層１２Ｅから出射した第２光と混合して出射される。第１実施形態に係る発光装置１１０によれば、互いに異なる色を出射する複数の半導体積層体がＺ軸方向に積層されていることで、半導体積層体をＸ－Ｙ平面に沿って並べて複数配置したときと比較して、小さい実装面積であり、且つ、高い混色性が得られる。

【0030】

第１実施形態において、導電層３０が例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる場合、第１発光層１１Ｅから出射される光（第１光）のピーク波長は、第２発光層１２Ｅから出射される光（第２光）のピーク波長よりも長くすることができる。ＩＴＯは、緑色光よりも、青色光を吸収しにくい。従って、第１光が緑色光である場合、導電層３０を通過する際に、第１光が導電層３０で吸収されることが抑制され、主な光取り出し方向が第１半導体層１１から第３半導体層１３に向かう方向である場合、光の損失が抑制され、高い効率（例えば高い光取り出し効率）が得られ易い。

【0031】

図１Ｃに示すように、第２配線６２は、第３配線６３と離れており、電気的に独立している。例えば、第２導電部材５２と第２配線６２とが接合される。第３導電部材５３と第３配線６３とが接合される。例えば、第３配線６３と第１配線６１との間に流れる電流（第１電流）は、第２配線６２と第１配線６１との間に流れる電流（第２電流）と独立して制御できる。これにより、第１光の強度を、第２光の強度から独立して、制御できる。第１光の強度を、第２光の強度から独立して制御できるため、第１光のピーク波長と第２光のピーク波長が異なる場合、容易に調光することができる。従って、光の色を多様に制御できる。

【0032】

図１Ｃに示すように、第２導電部材５２は、第１部分５２ａと、第２部分５２ｂと、を含む。第１部分５２ａは、Ｘ－Ｙ平面において、第１半導体積層体１０Ａに囲まれる。第２部分５２ｂは、Ｘ－Ｙ平面において、導電層３０に囲まれる。例えば、第１部分５２ａから第１発光層１１Ｅへの方向は、Ｚ軸方向と交差する。例えば、第２部分５２ｂから導電層３０への方向は、Ｚ軸方向と交差する。

【0033】

図１Ｃに示すように、第１半導体層１１から第３半導体層１３への第１方向（Ｚ軸方向）に対して垂直な第２方向に沿う第１部分５２ａの長さを長さＬ１とする。第２方向に沿う第２部分５２ｂの長さを長さＬ２とする。長さＬ１は、第１部分５２ａの太さ（例えば幅）に対応する。長さＬ２は、第２部分５２ｂの太さ（例えば幅）に対応する。第２方向は、例えば、Ｘ－Ｙ平面に沿う任意の方向である。例えば、第１部分５２ａの太さは、第１部分５２ａのＸ－Ｙ平面における断面形状が四角形の場合その四角形の一辺の長さであり、第１部分５２ａのＸ－Ｙ平面における断面形状が円形の場合はその円形の直径の長さである。また、例えば、第２部分５２ｂの太さは、第２部分５２ｂのＸ－Ｙ平面における断面形状が四角形の場合その四角形の一辺の長さであり、第２部分５２ｂのＸ－Ｙ平面における断面形状が円形の場合はその円形の直径の長さである。図１Ｃに示すように、第１部分５２ａ及び第２部分５２ｂのＸ－Ｙ平面における断面形状が、角が丸まった四角形の場合、第１部分５２ａ及び第２部分５２ｂの太さは、四角形の各辺の延長線が交差することで形成される仮想的な四角形の一辺の長さである。

【0034】

例えば、第２導電部材５２のすべての部分を太くすると、低い電気抵抗が得られるが、第１発光層１１Ｅの面積が小さくなり発光面積が減少する。従って、長さＬ２は長さＬ１よりも長くすることで、長さＬ１と長さＬ２とが同じ場合と比べて、電気抵抗の増加を抑えつつ、第１発光層１１Ｅの面積の減少を抑えることができる従って、第１実施形態において、長さＬ２は、長さＬ１よりも長いことが好ましい。

【0035】

図１Ｃに示すように、第２導電部材５２は第３部分５２ｃをさらに含んでも良い。第３部分５２ｃは、Ｘ－Ｙ平面において、第２半導体積層体１０Ｂに囲まれる。例えば、第３部分５２ｃから第２発光層１２Ｅへの方向は、Ｚ軸方向と交差する。例えば、第１方向（Ｚ軸方向）に対して垂直な第２方向に沿う第３部分５２ｃの長さを長さＬ３とする。長さＬ３は、第３部分５２ｃの太さ（例えば幅）に対応する。第１実施形態において、長さＬ２は、長さＬ３と実質的に同じでも良い。

【0036】

長さＬ２と長さＬ１との差は、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。長さＬ２と長さＬ３との差は、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。

【0037】

絶縁部材８０Ｆは、第１絶縁部材８１及び第２絶縁部材８２を有し、例えば、酸化金属（酸化シリコンを含む）を含む。１つの例において、絶縁部材８０Ｆは、誘電体多層膜を含んでも良い。誘電体多層膜においては、互いに異なる屈折率を有する複数の種類の誘電体膜が積層される。絶縁部材８０Ｆを誘電体多層膜とすることで、高い絶縁性と、高い光反射率と、が得ることができる。

【0038】

第１実施形態において、図１Ｃに示すように、第１絶縁部材８１は、第２絶縁部材８２と連続しても良い。例えば、第１絶縁部材８１及び第２絶縁部材８２となる絶縁部材８０Ｆの一部が、第１半導体層１１の表面１１ｆに連続して設けられることで、絶縁部材８０Ｆは、第１半導体層１１を保護できる。その結果、信頼性が高い発光装置１１０が得られる。

【0039】

図１Ａ及び図１Ｃに示すように、第２半導体層１２の導電層３０と接する面に、凹凸１２ｄｐが設けられても良い。さらに、第４半導体層１４の導電層３０と接する面に、凹凸１４ｄｐが設けられても良い。凹凸１２ｄｐ及び凹凸１４ｄｐの算術平均粗さＲａは、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下であり、好ましくは０．２μｍ以上１μｍ以下である。凹凸１２ｄｐ及び凹凸１４ｄｐが設けられることにより、例えば、全反射による損失が抑制され、光の取り出し効率が向上する。

【0040】

第１実施形態において、第１半導体層１１、第２半導体層１２、第３半導体層１３、及び、第４半導体層１４は、例えば、Ａｌ_ｘ１Ｉｎ_ｙ１Ｇａ_{１－ｘ１－ｙ１}Ｎ（０≦ｘ１≦１，０≦ｙ１≦１，ｘ１＋ｙ１≦１）なる化学式において組成比ｘ１及びｙ１をそれぞれの範囲内で変化させたいずれの組成の半導体を含んでもよい。第１発光層１１Ｅ及び第２発光層１２Ｅは、例えば、Ａｌ_ｘ２Ｉｎ_ｙ２Ｇａ_{１－ｘ２－ｙ２}Ｎ（０≦ｘ２≦１，０≦ｙ２≦１，ｘ２＋ｙ２≦１）なる化学式において組成比ｘ２及びｙ２をそれぞれの範囲内で変化させたいずれの組成の半導体を含んでもよい。導電層３０は、導電性酸化物が好適である。導電性酸化物としては、例えば、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＩＴＯ、ＳｎＯ_２、ＭｇＯが挙げられる。特にＩＴＯは、可視光（可視領域）において高い光透過性を有し、導電率の高い材料であることから好ましい。第１導電部材５１、第２導電部材５２及び第３導電部材５３は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ａｌなどを含む。第１配線６１、第２配線６２及び第３配線６３は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ａｌなどを含む。実装基板６０の基板部６０ｓは、例えば、サファイア、シリコン、ガラス、などが挙げられる。これらの材料は例であり、第１実施形態において、発光装置１１０に含まれる材料は、種々の変形が可能である。

【0041】

（第２実施形態）
図２Ａ～図２Ｃ、図３Ａ～図３Ｃ、図４Ａ～図４Ｃ、図５Ａ～図５Ｃ、図６Ａ～図６Ｃ、図７Ａ～図７Ｃ、図８Ａ～図８Ｃ、図９Ａ～図９Ｃ、図１０Ａ～図１０Ｃ、及び、図１１Ａ～図１１Ｃは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を例示する模式図である。
図２Ｂ、図３Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂ、図６Ｂ、図７Ｂ、図８Ｂ、図９Ｂ、図１０Ｂ、及び、図１１Ｂは、上面図である。図２Ａ、図３Ａ、図４Ａ、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａ、図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａ、及び、図１１Ａは、図２Ｂ、図３Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂ、図６Ｂ、図７Ｂ、図８Ｂ、図９Ｂ、図１０Ｂ、及び、図１１Ｂにそれぞれ示されるIIA-IIA線、IIIA-IIIA線、IVA-IVA線、VA-VA線、VIA-VIA線、VIIA-VIIA線、VIIIA-VIIIA線、IXA-IXA線、XA-XA線、XIA-XIA線断面図である。図２Ｃ、図３Ｃ、図４Ｃ、図５Ｃ、図６Ｃ、図７Ｃ、図８Ｃ、図９Ｃ、図１０Ｃ、及び、図１１Ｃは、図２Ｂ、図３Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂ、図６Ｂ、図７Ｂ、図８Ｂ、図９Ｂ、図１０Ｂ、及び、図１１Ｂにそれぞれ示されるIIC-IIC線、IIIC-IIIC線、IVC-IVC線、VC-VC線、VIC-VIC線、VIIC-VIIC線、VIIIC-VIIIC線、IXC-IXC線、XC-XC線、XIC-XIC線断面図である。
図１２は、第２実施形態に係る発光装置の製造方法を例示するフローチャートである。

【0042】

図１２に示すように、第２実施形態に係る発光装置の製造方法は、構造体１８を準備する工程（ステップＳ１１０)と、第１穴部１８ｈａを形成する工程（ステップＳ１２０）と、第２穴部１８ｈｂを形成する工程（ステップＳ１３０）と、絶縁部材を形成する工程（ステップＳ１４０）と、導電部材を形成する工程（ステップＳ１５０）と、接合工程（ステップＳ１６０）と、を含む。

【0043】

構造体１８を準備する工程（ステップＳ１１０)では、例えば、第１半導体積層体１０Ａ、第２半導体積層体１０Ｂ、及び、導電層３０を含む構造体１８を準備する。図４Ａ～図４Ｃに例示するように、第１半導体積層体１０Ａは、第１導電形の第１半導体層１１、第２導電形の第２半導体層１２、及び、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に設けられた第１発光層１１Ｅを含む。第２半導体積層体１０Ｂは、第１導電形の第３半導体層１３、第２導電形の第４半導体層１４、及び、第３半導体層１３と第４半導体層１４との間に設けられた第２発光層１２Ｅを含む。導電層３０は、第２半導体層１２と第４半導体層１４との間に設けられ、第２半導体層１２及び第４半導体層１４と接する。導電層３０は、光透過性である。

【0044】

構造体１８を準備する工程（ステップＳ１１０)は、図２Ａ～図２Ｃ、及び、図３Ａ～図３Ｃに例示する工程を含んでも良い。図２Ａ～図２Ｃに例示するように、構造体１８を準備する工程は、第１積層体１８Ａを準備する工程と、第２積層体１８Ｂを準備する工程と、を含む。第１積層体１８Ａは、第１半導体積層体１０Ａと、第２半導体層１２の表面に設けられた第１導電膜３１と、を含む。第２積層体１８Ｂは、第２半導体積層体１０Ａと、第４半導体層１４の表面に設けられた第２導電膜３２と、を含む。

【0045】

この例では、第１積層体１８Ａは、第１基板１０ＡＳ、第１半導体積層体１０Ａ及び第１導電膜３１を含む。第１基板１０ＡＳと第１導電膜３１との間に第１半導体積層体１０Ａが設けられる。この例では、第２積層体１８Ｂは、第２基板１０ＢＳ、第２半導体積層体１０Ｂ及び第２導電膜３２を含む。第２基板１０ＢＳと第２導電膜３２との間に第２半導体積層体１０Ｂが設けられる。例えば、第１導電膜３１と第２導電膜３２とが互いに対向するように配置される。

【0046】

第１基板１０ＡＳ及び第２基板１０ＢＳは、成長用基板である。第１基板１０ＡＳ及び第２基板１０ＢＳは、例えば、シリコン基板、または、サファイア基板などが挙げられる。

【0047】

例えば、第１基板１０ＡＳの上に、第１半導体層１１、第１発光層１１Ｅ及び第２半導体層１２をこの順で成長させる。例えば、第２半導体層１２の表面に凹凸１２ｄｐを形成する。この後、第２半導体層１２の上に、第１導電膜３１を形成する。

【0048】

例えば、第２基板１０ＢＳの上（図２Ａ及び図２Ｃでは下）に、第３半導体層１３、第２発光層１２Ｅ及び第４半導体層１４をこの順で成長させる。例えば、第４半導体層１４の表面に凹凸１４ｄｐを形成する。この後、第４半導体層１４の上（図２Ａ及び図２Ｃでは下）に、第２導電膜３２を形成する。

【0049】

第１導電膜３１及び第２導電膜３２は、例えば、光透過性である。第１導電膜３１及び第２導電膜３２は、例えば、ＩＴＯなどを含む。例えば、第１導電膜３１及び第２導電膜３２となるＩＴＯ膜を形成し、このＩＴＯ膜の表面をＣＭＰ（chemical mechanical polishing）などで処理して平坦化する。

【0050】

第１積層体１８Ａ及び第２積層体１８Ｂを、第１導電膜３１と第２導電膜３２とが互いに対向するように配置し、第１導電膜３１と第２導電膜３２とを接合する。このように、構造体１８を準備する工程（ステップＳ１１０)は、第１導電膜３１と第２導電膜３２とを互いに接合する工程をさらに含んでも良い。第１導電膜３１と第２導電膜３２とを互いに接合する方法としては、例えば、直接接合が挙げられる。接合された第１導電膜３１及び第２導電膜３２により、導電層３０が形成される（図３Ａ及び図３Ｃ参照）。第１導電膜３１は、導電層３０の一部であり、第２導電膜３２は、導電層３０の別の一部である。

【0051】

この後、第１基板１０ＡＳを除去する（図４Ａ～図４Ｃ参照）。第１基板１０ＡＳは、第１半導体層１１に設けられている。第１基板１０ＡＳを除去する方法としては、例えば、レーザリフトオフや、エッチング、研削などが挙げられる。第１基板１０ＡＳを除去する工程は、構造体１８を準備する工程（ステップＳ１１０）の後であって、第１穴部１８ｈａを形成する工程（ステップＳ１２０）、及び、第２穴部１８ｈｂを形成する工程（ステップＳ１３０）の前に実施される。

【0052】

図５Ａ～図５Ｃに示すように、第１穴部１８ｈａを形成する(ステップＳ１２０）。ステップＳ１２０では、第１半導体積層体１０Ａに第１穴部１８ｈａを形成する。例えば、第１穴部１８ｈａを形成する工程は、第１半導体積層体１０Ａの第１領域Ｒ１(図４Ａ、図４Ｃ、図５Ａ及び図５Ｃ参照）をＲＩＥ（Reactive Ion Etching）などで除去することを含む。例えば、第１穴部１８ｈａは、例えば、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより形成できる。第１穴部１８ｈａの底面１８ｈａＢは、導電層３０の一部にある。

【0053】

第１穴部１８ｈａの形成において、同時に第２穴部１８ｈｂの一部（例えば第１穴Ｈ１、図５Ｃ参照）が形成されても良い。第１穴Ｈ１の形成においては、第１半導体積層体１０Ａの第２領域Ｒ２(図４Ｃ及び図５Ｃ参照）を除去して、第１穴Ｈ１を形成する。図５Ｃに示すように、第１穴Ｈ１の底面ＨＢ１は、導電層３０の一部にある。このように、第１穴部１８ｈａの形成の少なくとも一部と、第１穴Ｈ１の形成の少なくとも一部と、は、同時に行われても良い。

【0054】

図６Ａ～図６Ｃに示すように、第２穴部１８ｈｂを形成する(ステップＳ１３０）。ステップＳ１３０では、例えば、第１半導体積層体１０Ａ、導電層３０、及び、第２半導体積層体１０Ａに、第２穴部１８ｈｂを形成する。上記のように、第１穴部１８ｈａの形成の際に第２穴部１８ｈｂの一部（第１穴Ｈ１）を形成する場合は、第２穴部１８ｈｂのその一部から第２穴部１８ｈｂの残りの部分を形成する。第２穴部１８ｈｂの底面１８ｈｂＢは、第３半導体層１３の一部にある。

【0055】

例えば、図６Ｃに示すように、第２穴部１８ｈｂを形成する工程は、第１穴Ｈ１を形成する工程（図５Ｃ参照）に加えて、第２穴Ｈ２を形成する工程と、第３穴Ｈ３を形成する工程と、を含む。第２穴Ｈ２は、図６Ｃにおいて破線で示される部分である。図６Ｃに示すように、第２穴Ｈ２を形成する工程においては、導電層３０の第３領域Ｒ３(図５Ｃ参照）を除去して、第１穴Ｈ１と連続する第２穴Ｈ２を形成する。導電層３０（例えばＩＴＯなど）の第３領域Ｒ３は、例えば、ウエットエッチングにより除去できる。導電層３０の第３領域Ｒ３を、ウエットエッチングにより除去することで、後述するように、第２穴Ｈ２の第２方向（例えば、Ｘ軸方向など）の長さＷ２が、第１穴Ｈ１の第２方向に沿う長さＷ１よりも長くなる。導電層３０の第３領域Ｒ３は、ＲＩＥなどのドライエッチングにより除去してもよい。図６Ｃに示すように、第２穴Ｈ２の底面ＨＢ２は第４半導体層１４の一部にある。

【0056】

図６Ｃに示すように、第３穴Ｈ３を形成する工程においては、第４半導体層１４の一部、及び、第２発光層１２Ｅの一部を除去して、第２穴Ｈ２と連続する第３穴Ｈ３を形成する。第４半導体層１４の一部、及び、第２発光層１２Ｅの一部は、例えば、ＲＩＥなどにより除去できる。第３穴Ｈ３の底面ＨＢ３は、第３半導体層１３の一部にある。

【0057】

図６Ｃに示すように、第２穴部１８ｈｂを形成する工程において、第２穴Ｈ２の第２方向（例えば、Ｘ軸方向など）の長さＷ２が、第１穴Ｈ１の第２方向に沿う長さＷ１よりも長くなるように、第２穴Ｈ２を形成しても良い。第２方向は、第１半導体層１１から第２半導体層１２への第１方向（例えば、Ｚ軸方向）に対して垂直な任意の方向である。これにより、後述するように、第２穴部１８ｈｂ（第１穴Ｈ１、第２穴Ｈ２及び第３穴Ｈ３）に導電部材を形成したときに、長さＬ２が長さＬ１よりも長くなる（図１Ｃ参照）。

【0058】

このように、第１穴Ｈ１をドライエッチングにより形成し、第２穴Ｈ２をウエットエッチングにより形成し、第３穴Ｈ３をドライエッチングにより形成しても良い。

【0059】

上記の第２穴部１８ｈｂの一部（第２穴Ｈ２及び第３穴Ｈ３）の形成の際に、例えば、第１穴部１８ｈａをマスク材などで保護した状態で、第２穴部１８ｈｂの一部（第２穴Ｈ２及び第３穴Ｈ３）を形成する。

【0060】

図７Ａ～図７Ｃに示すように、絶縁部材８０Ｆを形成する（ステップＳ１４０）。ステップＳ１４０では、第１穴部１８ｈａの側面１８ｈａｓ、及び、第２穴部１８ｈｂの側面１８ｈｂｓに絶縁部材８０Ｆを形成する。第１穴部１８ｈａの側面１８ｈａｓに形成された絶縁部材８０Ｆにより、第１絶縁部材８１が得られる。第２穴部１８ｈｂの側面１８ｈｂｓに形成された絶縁部材８０Ｆにより、第２絶縁部材８２が得られる。絶縁部材８０Ｆは、誘電体多層膜を含んでも良い。誘電体多層膜は、例えば、酸化チタン膜、酸化ケイ膜、酸化ニオブ膜、酸化アルミニウム膜、酸化ジルコニウム膜、窒化アルミニウム膜、窒化ケイ素膜、酸化亜鉛膜などを用いることができる。例えば、酸化チタン膜と、酸化ケイ素膜と、が交互に積層されることで、良好な光取り出し効率を得ることができる。

【0061】

例えば、絶縁部材８０Ｆは、原子層堆積法（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）などのＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により形成できる。絶縁部材８０Ｆを原子層堆積法などで形成することで、良好な被覆性が得られる。第２穴部１８ｈｂにおいて、幅が途中で変化するような段差が形成されている場合にも、絶縁部材８０Ｆにより、段差が良好に被覆される。

【0062】

図８Ａ～図８Ｃに示すように、導電部材（第１導電部材５１、第２導電部材５２及び第３導電部材５３）を形成する（ステップＳ１５０）。この工程では、第１穴部１８ｈａに、導電層３０と接続する第１導電部材５１を形成し、第２穴部１８ｈｂに、第３半導体層１３と接続する第２導電部材５２を形成する。第３導電部材５３は、第１半導体層１１の表面１１ｆに設けられる。第３導電部材５３は、第１半導体層１１と接続する。これらの導電部材の形成では、例えば、フォトリソグラフィにより、所定の形状のマスク材を形成した後に、シード層を形成する。この後、シード層の上に、めっきなどの方法により金属部材を形成する。金属部材の一部を除去して平坦化することで、第１導電部材５１、第２導電部材５２及び第３導電部材５３が形成できる。この後、マスク材を除去する。

【0063】

この後、図９Ａ～図９Ｃに示すように、構造体１８を個片化する。

【0064】

図１０Ａ～図１０Ｃに示すように、第１導電部材５１、第２導電部材５２、及び、第３導電部材５３を実装基板６０に接合する（ステップＳ１６０）。第１導電部材５１、第２導電部材５２、及び、第３導電部材５３は、例えば、金属からなる導電性ペーストなどの接合部材を介して実装基板６０に接合してもよく、直接接合などで接合してもよい。

【0065】

この後、図１１Ａ～図１１Ｃに示すように、第２基板１０ＢＳを除去する。これにより、発光装置１１０が得られる。このように、第２実施形態に係る製造方法は、第２基板１０ＢＳを除去する工程をさらに含んでも良い。第２基板１０ＢＳは、第３半導体層１３に設けられる（図２Ａ及び図３Ａなどを参照）。第２基板１０ＢＳを除去する方法としては、例えば、レーザリフトオフや、エッチング、研削、などが挙げられる。第２基板１０ＢＳを除去する工程は、実装基板６０に接合する工程（ステップＳ１６０）の後に実施される。また、実装基板６０に接合する工程（ステップＳ１６０）の後に、構造体１８の周りに樹脂層を形成してもよい。構造体１８の周りに樹脂層を形成することで、構造体１８を保護することができる。また、樹脂層に白色顔料が含有されていてもよい。樹脂層に白色顔料が含有されていることで、第２半導体積層体１０Ｂ側に取り出される光の配光を強くすることができる。樹脂層７０に白色顔料が含有されていることによる樹脂層７０の第１発光層１１Ｅ及び第２発光層１２Ｅが発する光のピーク波長に対する反射率は、７０％以上であることが好ましい。

【0066】

第２実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、例えば、発光素子をワイヤボンディングで実装基板に接続する場合に比べて実装面積が小さい発光装置を提供できる。また、Ｚ軸方向で重なる領域に複数の発光層があることで、発光層が１層の半導体積層体をＸ－Ｙ平面に沿って並べて複数配置したときと比較して、小さい面積であり、且つ、強い発光強度の発光装置を提供できる。第２実施形態によれば、例えば、１回の接合（例えば、ステップＳ１６０）により、高い生産性で、積層型の発光装置が得られる。

【0067】

図１３は、第１実施形態に係る発光装置の変形例を例示する模式図である。
図１３に示すように、発光装置１１０は、第１制御回路６１Ｄ及び第２制御回路６２Ｄの少なくともいずれかを含んでも良い。第１制御回路６１Ｄは、第３配線６３と第１配線６１との間に流れる電流を制御できる。第２制御回路６２Ｄは、第２配線６２と第１配線６１との間に流れる電流を制御できる。第１発光層１１Ｅから出射される光（第１光）のピーク波長が、第２発光層１２Ｅから出射される光（第２光）のピーク波長と異なる場合、第１制御回路６１Ｄ及び第２制御回路６２Ｄの少なくともいずれかによる制御により、発光装置１１０から出射する光の色を制御できる。第１制御回路６１Ｄ及び第２制御回路６２Ｄの少なくともいずれかは、例えば、トランジスタなどの制御素子を含む。

【0068】

実施形態によれば、発光特性を向上できる発光装置及びその製造方法を提供できる。

【0069】

なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。ここでの実質的に垂直及び実質的に平行とは、例えば、５°程度の角度のずれは許容されるものとする。

【0070】

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光装置に含まれる、実装基板、半導体積層体、半導体層、発光層、導電層、導電部材、絶縁部材、及び、配線などのそれぞれの具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

【0071】

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

【0072】

その他、本発明の実施の形態として上述した発光装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光装置及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0073】

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと解される。

【符号の説明】

【0074】

１０Ａ…第１半導体積層体、 １０ＡＳ…第１基板、 １０Ｂ…第２半導体積層体、 １０ＢＳ…第２基板、 １１…第１半導体層、 １１Ｅ…第１発光層、 １１ｆ…表面、 １２…第２半導体層、 １２Ｅ…第２発光層、 １２ｄｐ…凹凸、 １３…第３半導体層、 １４…第４半導体層、 １４ｄｐ…凹凸、 １８…構造体、 １８Ａ…第１積層体、 １８Ｂ…第２積層体、 １８ｈａ…第１穴部、 １８ｈａＢ…底面、 １８ｈａｓ…側面、 １８ｈｂ…第２穴部、 １８ｈｂＢ…底面、 １８ｈｂｓ…側面、 ３０…導電層、 ３１…第１導電膜、 ３２…第２導電膜、 ５１…第１導電部材、 ５１Ｔ…底部、 ５２…第２導電部材、 ５２Ｔ…底部、 ５２ａ～５２ｃ…第１～第３部分、 ５３…第３導電部材、 ６０…実装基板、 ６０ＢＳ…基板、 ６０ｆ…第１面、 ６０ｓ…基板部、 ６１…第１配線、 ６１Ｄ…第１制御回路、 ６２…第２配線、 ６２Ｄ…第２制御回路、 ６３…第３配線、 ８０Ｆ…絶縁部材、 ８１…第１絶縁部材、 ８２…第２絶縁部材、 １１０…発光装置、 Ｈ１～Ｈ３…第１～第３穴、 ＨＢ１～ＨＢ３…底面、 Ｌ１～Ｌ３…長さ、 Ｒ１～Ｒ３…第１～第３領域、 Ｗ１、Ｗ２…第１、第２長さ

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図9A】

【図9B】

【図9C】

【図10A】

【図10B】

【図10C】

【図11A】

【図11B】

【図11C】

【図12】

【図13】