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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-07-26
(45)【発行日】2024-08-05
(54)【発明の名称】デバイスチップの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/301 20060101AFI20240729BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20240729BHJP
【ＦＩ】
H01L21/78 R
H01L21/78 F
H01L21/78 M
H01L23/12 501F
H01L23/12 501P
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2020046472
(22)【出願日】2020-03-17
(65)【公開番号】P2021048381
(43)【公開日】2021-03-25
【審査請求日】2023-01-13
(31)【優先権主張番号】16/571,800
(32)【優先日】2019-09-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】000134051
【氏名又は名称】株式会社ディスコ
(74)【代理人】
【識別番号】100075384
【弁理士】
【氏名又は名称】松本 昂
(74)【代理人】
【識別番号】100172281
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 知広
(74)【代理人】
【識別番号】100206553
【弁理士】
【氏名又は名称】笠原 崇廣
(74)【代理人】
【識別番号】100189773
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 英哲
(74)【代理人】
【識別番号】100184055
【弁理士】
【氏名又は名称】岡野 貴之
(72)【発明者】
【氏名】デビン マーティン
【審査官】宮久保 博幸
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第２００９／００６５９０２（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１９－１０２５９２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１３４７９９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１３５２４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－１５８０９７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２００８－５４１４４１（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２００９／０３２１９５４（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１０／０３１５４７６（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１６／００１３１５９（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０１
Ｈ０１Ｌ ２３／１２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板に実装されるデバイスチップの製造方法であって、分割予定ラインで区画された表面側の複数の領域のそれぞれに電子回路を含む回路部を有するウェーハを準備し、
側面に対して傾斜した外周面を先端部に有する切削ブレードの該先端部で該ウェーハの該分割予定ラインを該表面側から切削することにより該表面に対して傾斜し且つ該表面に接続する斜面を含む溝を該ウェーハに形成し、
該溝が形成された該ウェーハの該溝をエッチングによって該表面側から処理することにより、該表面と該斜面との接続部を角が取れた丸い形状に加工し、
該溝が形成された該ウェーハの該表面とは反対側に位置する裏面を研削して該溝の該斜面と該裏面とが接続するまで該ウェーハを薄くし該ウェーハを該分割予定ラインで分割することにより、表面と裏面とに対して傾斜し且つ該表面側に露出する斜面を備えたデバイスチップを形成するデバイスチップの製造方法。
【請求項2】
研削された該ウェーハの該裏面をエッチングによって該裏面側から処理することにより、該裏面と該斜面との接続部を角が取れた丸い形状に加工する請求項１に記載のデバイスチップの製造方法。
【請求項3】
基板に実装されるデバイスチップの製造方法であって、分割予定ラインで区画された表面側の複数の領域のそれぞれに電子回路を含む回路部を有するウェーハを準備し、
側面に対して傾斜した外周面を先端部に有する切削ブレードの該先端部で該ウェーハの該分割予定ラインを該表面側から切削することにより該表面に対して傾斜し且つ該表面に接続する斜面を含む溝を該ウェーハに形成し、
該溝が形成された該ウェーハの該溝をエッチングによって該表面側から処理することにより、該表面と該斜面との接続部を角が取れた丸い形状に加工し、
該溝が形成された該ウェーハの該表面とは反対側に位置する裏面を研削して該ウェーハを薄くし、
研削された該ウェーハの該溝の該斜面と該裏面とを接続するように該ウェーハを該分割予定ラインで分割することにより、表面と裏面とに対して傾斜し且つ該表面側に露出する斜面を備えたデバイスチップを形成するデバイスチップの製造方法。
【請求項4】
研削された該ウェーハの該裏面をエッチングによって該裏面側から処理して該ウェーハを該分割予定ラインで分割するとともに、該裏面と該斜面との接続部を角が取れた丸い形状に加工する請求項３に記載のデバイスチップの製造方法。
【請求項5】
基板に実装されるデバイスチップの製造方法であって、分割予定ラインで区画された表面側の複数の領域のそれぞれに電子回路を含む回路部を有するウェーハを準備し、
側面に対して傾斜した外周面を先端部に有する第１切削ブレードの該先端部で該ウェーハの該分割予定ラインを該表面側から切削することにより該表面に対して傾斜し且つ該表面に接続する斜面を含む第１溝を該ウェーハに形成し、
該第１切削ブレードの該先端部よりも幅の狭い第２切削ブレードで該ウェーハの該分割予定ラインを該表面側から切削することにより該第１溝よりも幅が狭く該第１溝よりも該表面から深い位置に達する第２溝を該ウェーハに形成し、
該第１溝が形成された該ウェーハをエッチングによって該表面側から処理することにより、該表面と該斜面との接続部を角が取れた丸い形状に加工し、
該第１溝と該第２溝とが形成された該ウェーハの該表面とは反対側に位置する裏面を研削して該ウェーハを薄くし該ウェーハを該分割予定ラインで分割することにより、表面と裏面とに対して傾斜し且つ該表面側に露出する斜面を備えたデバイスチップを形成するデバイスチップの製造方法。
【請求項6】
研削された該ウェーハの該裏面をエッチングによって該裏面側から処理することにより、該裏面と該デバイスチップの側面との接続部を角が取れた丸い形状に加工する請求項５に記載のデバイスチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板に実装されるデバイスチップ及びこのデバイスチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
携帯電話機に代表される各種の電子機器では、電子回路等のデバイスを備えるデバイスチップが必須の構成要素になっている。デバイスチップは、例えば、基材となるウェーハの表面をストリートと呼ばれる分割予定ラインで複数の領域に区画し、各領域にデバイスを形成した上で、このウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより得られる。
【0003】
ところで、上述のようなデバイスチップの厚みを小さくすると、そのデバイスチップの柔軟性は高くなる。よって、樹脂製のフィルムに代表される柔軟な基板（以下、フレキシブル基板）に対して、十分に薄いデバイスチップを実装することで、柔軟性の高い電子機器を実現できると考えられる。
【0004】
近年では、フレキシブル基板に対して印刷等の方法で配線や絶縁膜を形成する技術が実用化されている（例えば、特許文献１参照）。また、このような技術を利用して、デバイスチップとフレキシブル基板との接続にかかる配線を印刷等の方法で形成することも検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２０１８－１４２５９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
ところが、一般的な直方体状のデバイスチップをフレキシブル基板に配置すると、デバイスチップの端部とフレキシブル基板との間に段差が発生してしまう。そのため、デバイスチップとフレキシブル基板とを接続する信頼性の高い配線を、印刷等の方法で形成することは難しかった。
【0007】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、印刷等の方法による配線の形成に適したデバイスチップ及びこのデバイスチップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一態様によれば、基板に実装されるデバイスチップの製造方法であって、分割予定ラインで区画された表面側の複数の領域のそれぞれに電子回路を含む回路部を有するウェーハを準備し、側面に対して傾斜した外周面を先端部に有する切削ブレードの該先端部で該ウェーハの該分割予定ラインを該表面側から切削することにより該表面に対して傾斜し且つ該表面に接続する斜面を含む溝を該ウェーハに形成し、該溝が形成された該ウェーハの該溝をエッチングによって該表面側から処理することにより、該表面と該斜面との接続部を角が取れた丸い形状に加工し、該溝が形成された該ウェーハの該表面とは反対側に位置する裏面を研削して該溝の該斜面と該裏面とが接続するまで該ウェーハを薄くし該ウェーハを該分割予定ラインで分割することにより、表面と裏面とに対して傾斜し且つ該表面側に露出する斜面を備えたデバイスチップを形成するデバイスチップの製造方法が提供される。本発明の一態様にかかるデバイスチップの製造方法では、研削された該ウェーハの該裏面をエッチングによって該裏面側から処理することにより、該裏面と該斜面との接続部を角が取れた丸い形状に加工することがある。
【0012】
本発明の別の一態様によれば、基板に実装されるデバイスチップの製造方法であって、分割予定ラインで区画された表面側の複数の領域のそれぞれに電子回路を含む回路部を有するウェーハを準備し、側面に対して傾斜した外周面を先端部に有する切削ブレードの該先端部で該ウェーハの該分割予定ラインを該表面側から切削することにより該表面に対して傾斜し且つ該表面に接続する斜面を含む溝を該ウェーハに形成し、該溝が形成された該ウェーハの該溝をエッチングによって該表面側から処理することにより、該表面と該斜面との接続部を角が取れた丸い形状に加工し、該溝が形成された該ウェーハの該表面とは反対側に位置する裏面を研削して該ウェーハを薄くし、研削された該ウェーハの該溝の該斜面と該裏面とを接続するように該ウェーハを該分割予定ラインで分割することにより、表面と裏面とに対して傾斜し且つ該表面側に露出する斜面を備えたデバイスチップを形成するデバイスチップの製造方法が提供される。
【0013】
本発明の別の一態様にかかるデバイスチップの製造方法では、研削された該ウェーハの該裏面をエッチングによって該裏面側から処理して該ウェーハを該分割予定ラインで分割するとともに、該裏面と該斜面との接続部を角が取れた丸い形状に加工することがある。
【0014】
また、本発明の他の一態様によれば、基板に実装されるデバイスチップの製造方法であって、分割予定ラインで区画された表面側の複数の領域のそれぞれに電子回路を含む回路部を有するウェーハを準備し、側面に対して傾斜した外周面を先端部に有する第１切削ブレードの該先端部で該ウェーハの該分割予定ラインを該表面側から切削することにより該表面に対して傾斜し且つ該表面に接続する斜面を含む第１溝を該ウェーハに形成し、該第１切削ブレードの該先端部よりも幅の狭い第２切削ブレードで該ウェーハの該分割予定ラインを該表面側から切削することにより該第１溝よりも幅が狭く該第１溝よりも該表面から深い位置に達する第２溝を該ウェーハに形成し、該第１溝が形成された該ウェーハをエッチングによって該表面側から処理することにより、該表面と該斜面との接続部を角が取れた丸い形状に加工し、該第１溝と該第２溝とが形成された該ウェーハの該表面とは反対側に位置する裏面を研削して該ウェーハを薄くし該ウェーハを該分割予定ラインで分割することにより、表面と裏面とに対して傾斜し且つ該表面側に露出する斜面を備えたデバイスチップを形成するデバイスチップの製造方法が提供される。
【0015】
本発明の他の一態様にかかるデバイスチップの製造方法では、研削された該ウェーハの該裏面をエッチングによって該裏面側から処理することにより、該裏面と該デバイスチップの側面との接続部を角が取れた丸い形状に加工することがある。
【発明の効果】
【0016】
本発明の一態様にかかるデバイスチップは、表面と、表面よりも面積の大きい裏面と、表面と裏面とに対して傾斜し且つ表面側に露出する斜面と、を備えている。そのため、表面と斜面とが露出するようにデバイスチップを基板に配置すると、表面側の回路部と斜面との間、及び斜面と基板との間には、殆ど段差が発生しない。
【0017】
よって、斜面を含む配線部に印刷等の方法で配線を形成するだけで、電子回路を含む回路部と基板とを確実に接続できる。このように、本発明の一態様にかかるデバイスチップは、印刷等の方法による配線の形成に適している。
【0018】
また、本発明の各態様にかかるデバイスチップの製造方法では、傾斜した外周面を先端部に有する切削ブレードの先端部でウェーハの分割予定ラインを表面側から切削することにより斜面を含む溝をウェーハに形成した上で、このウェーハを分割するので、表面と裏面とに対して傾斜し且つ表面側に露出する斜面を備えたデバイスチップを確実に得られる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図7】デバイスチップがフレキシブル基板に実装された状態を模式的に示す断面図である。
【図9】第１変形例にかかるデバイスチップの製造に用いられるウェーハの表面側の一部を拡大した平面図である。
【図10】第１変形例にかかるデバイスチップの製造に用いられるウェーハに溝が形成される様子を模式的に示す図である。
【図11】第１変形例にかかるデバイスチップの製造に用いられる別のウェーハの表面側の一部を拡大した平面図である。
【図12】第１変形例にかかるデバイスチップの製造に用いられる別のウェーハに溝が形成される様子を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）は、本実施形態にかかるデバイスチップの平面図であり、図１（Ｂ）は、デバイスチップの側面図である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、デバイスチップ１は、例えば、シリコン等の半導体材料を含む板状の部品であり、表面１ａと、表面１ａとは反対側に位置する裏面１ｂと、を含む。
【0021】
表面１ａと裏面１ｂとは、いずれも概ね平坦な矩形状に形成されている。また、表面１ａと裏面１ｂとは、互いに概ね平行に配置されている。この裏面１ｂの面積は、表面１ａの面積よりも大きくなっている。すなわち、表面１ａの面積は、裏面１ｂの面積よりも小さくなっている。
【0022】
矩形の４つの辺のいずれかに相当する表面１ａの縁の一部の傍には、矩形の４つの辺のいずれかに相当する裏面１ｂの縁の一部が配置されており、この表面１ａの縁の一部と、裏面１ｂの縁の一部とは、互いに平行である。そして、この表面１ａの縁の一部と、裏面１ｂの縁の一部とは、表面１ａと裏面１ｂとに対して傾斜した斜面１ｃによって互いに接続されている。
【0023】
つまり、矩形の１つの辺に相当する表面１ａの縁の一部には、表面１ａと裏面１ｂとに対して傾斜した斜面１ｃの縁の一部が接続されている。また、矩形の１つの辺に相当する裏面１ｂの縁の一部には、表面１ａと裏面１ｂとに対して傾斜した斜面１ｃの縁の他の一部が接続されている。この斜面１ｃは、概ね平坦に形成されており、表面１ａ側にのみ露出している。
【0024】
矩形の他の３つの辺に相当する表面１ａの縁の各部分の傍にも、矩形の他の３つの辺に相当する裏面１ｂの縁の各部分が配置されており、この表面１ａの縁の各部分と、裏面１ｂの縁の各部分とは、互いに平行である。そして、この表面１ａの縁の各部分と、裏面１ｂの縁の各部分とは、同様の斜面１ｃによって互いに接続されている。すなわち、デバイスチップ１は、表面１ａ側又は裏面１ｂ側から見た形状が矩形の四角錐台状に形成されており、側壁となる４つの斜面１ｃを含んでいる。
【0025】
デバイスチップ１の表面１ａ側には、電子回路を含む回路部（デバイス）３が設けられている。回路部３は、外部に露出する複数の端子３ａを含む。複数の端子３ａは、矩形の４つの辺に相当する表面１ａの縁の各部分に沿って配列されている。このデバイスチップ１をフレキシブル基板に実装する際には、回路部３の端子３ａとフレキシブル基板の端子とが配線を介して電気的に接続されることになる。
【0026】
斜面１ｃの一部は、回路部３の端子３ａに相当する領域とともに、デバイスチップ１をフレキシブル基板に実装する際に配線が形成される配線部５を構成している。なお、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）では、説明の便宜上、１つの斜面１ｃに対応する配線部５のみを示しているが、本実施形態のデバイスチップ１は、各斜面１ｃに対応する複数の配線部５を備えている。
【0027】
このように、本実施形態のデバイスチップ１は、表面１ａと裏面１ｂとに対して傾斜し且つ表面１ａ側に露出する複数の斜面１ｃを備えている。また、各斜面１ｃは、表面１ａと裏面１ｂとに接続している。そのため、表面１ａと斜面１ｃとが露出するようにデバイスチップ１をフレキシブル基板に配置すると、表面１ａ側の回路部３と斜面１ｃとの間、及び斜面１ｃとフレキシブル基板との間には、段差が殆ど発生しない。
【0028】
よって、直方体状のデバイスチップ（表面や裏面に対して概ね垂直な側面のみを持つデバイスチップ）を用いる場合とは異なり、斜面１ｃを含む配線部５に印刷等の方法で配線を形成するだけで、電子回路を含む回路部３とフレキシブル基板とを確実に接続できる。このように、本実施形態にかかるデバイスチップ１は、印刷等の方法による配線の形成に適している。
【0029】
このデバイスチップ１の裏面１ｂと斜面１ｃとのなす角度θ１に特段の制限はないが、角度θ１が小さくなると、回路部３の面積に対して配線部５の面積が相対的に大きくなって、十分な広さの回路部３を確保できなくなる。また、角度θ１が大きくなると、段差が発生し易くなって、印刷等の方法で配線部５に良好な配線を形成できなくなる。よって、角度θ１は、例えば、２０°以上７０°以下に設定され、３０°以上６０°以下に設定されると望ましく、３５°以上５５°以下に設定されるとより望ましい。
【0030】
なお、デバイスチップ１の幅Ｗ１（矩形の１つの辺に相当する裏面１ｂの長さ）は、例えば、０．５μｍ～５ｍｍであり、デバイスチップ１の厚み（仕上げ厚み）Ｔ１は、例えば、１０μｍ～５０μｍである。ただし、デバイスチップ１の幅Ｗ１やデバイスチップ１の厚みＴ１等にも特段の制限はない。
【0031】
次に、上述したデバイスチップ１を製造する方法について詳述する。本実施形態にかかるデバイスチップの製造方法では、まず、分割予定ラインで区画された表面側の複数の領域のそれぞれに回路部（デバイス）を有するウェーハを準備する（準備ステップ）。図２（Ａ）は、本実施形態にかかるデバイスチップの製造方法で用いられるウェーハの斜視図であり、図２（Ｂ）は、ウェーハの表面側の一部を拡大した平面図である。
【0032】
図２（Ａ）に示すように、本実施形態のウェーハ１１は、例えば、シリコン等の半導体材料を用いて円盤状に形成されており、表面１１ａと、表面１１ａとは反対側に位置する裏面１１ｂと、を含む。このウェーハ１１の表面１１ａ側は、互いに交差する複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって複数の小領域に区画されており、各小領域には、電子回路を含む回路部（デバイス）１５が形成されている。
【0033】
各回路部１５の最外層（最上層）は、代表的には、絶縁性の保護膜（パッシベーション膜）で構成される。また、各回路部１５は、図２（Ｂ）に示すように、上端が外部に露出する複数の端子１５ａを含んでいる。このウェーハ１１を加工することで、上述したデバイスチップ１が得られる。ウェーハ１１の回路部１５は、デバイスチップ１の回路部３に相当しており、ウェーハ１１の端子１５ａは、デバイスチップ１の端子３ａに相当している。
【0034】
なお、本実施形態では、シリコン等の半導体材料を含む円盤状のウェーハ１１を用いるが、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料を含む基板をウェーハ１１として用いることもできる。同様に、回路部１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
【0035】
ウェーハ１１を準備した後には、このウェーハ１１の分割予定ライン１３を切削ブレードで切削し、ウェーハ１１の表面１１ａ側に斜面（傾斜した側面）を含む溝を形成する（切削ステップ）。図３（Ａ）は、ウェーハ１１に溝が形成される様子を模式的に示す図である。本実施形態では、図３（Ａ）の切削装置２を用いてウェーハ１１に溝１７を形成する。
【0036】
切削装置２は、ウェーハ１１を保持する際に使用されるチャックテーブル４を備えている。このチャックテーブル４は、例えば、ステンレス鋼に代表される金属材料でなる円筒状の枠体と、多孔質材料でなり枠体の上部に配置される保持板と、を含む。この保持板の上面が、ウェーハ１１を保持する保持面４ａとなる。
【0037】
保持板の下面側は、枠体の内部に設けられた流路等を介して吸引源（不図示）に接続されている。流路等には、流体の流れを制御するバルブ（不図示）が設けられている。そのため、バルブを開けば、吸引源の負圧を保持面４ａに作用させてウェーハ１１を吸引できる。
【0038】
チャックテーブル４の枠体は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、この回転駆動源が生じる力によって、上述した保持面４ａに対して概ね垂直な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４の枠体は、移動機構（不図示）によって支持されており、上述した保持面４ａに対して概ね平行な第１方向（加工送り方向）に移動する。
【0039】
チャックテーブル４の上方には、切削ユニット６が配置されている。この切削ユニット６は、例えば、筒状のスピンドルハウジング（不図示）を含む。スピンドルハウジングの内側の空間には、チャックテーブル４の保持面４ａに対して概ね平行で第１方向に概ね垂直な回転軸となるスピンドル８が収容されている。スピンドル８の一端側には、ダイヤモンド等の砥粒を樹脂や金属等の結合材で固定してなる環状の切削ブレード１０が装着されている。
【0040】
切削ブレード１０は、例えば、概ね平坦で互いに平行な一対の側面１０ａを含み、この一対の側面１０ａが回転軸に対して垂直になるように、スピンドル８の一端側に装着される。すなわち、切削ブレード１０の一対の側面１０ａは、チャックテーブル４の保持面４ａに対して概ね垂直であり、第１方向に対して概ね平行である。
【0041】
また、切削ブレード１０の外周縁に相当する先端部には、一対の側面１０ａに対して傾斜した一対の外周面１０ｂが設けられている。各外周面１０ｂは、円錐台の側面に相当する曲面状に形成されており、その一端側の縁には、対応する側面１０ａの縁が接続されている。また、一方の外周面１０ｂの他端側の縁と他方の外周面１０ｂの他端側の縁とは、互いに接続されている。
【0042】
すなわち、本実施形態の切削ブレード１０は、先端部へと向かって厚みが小さくなるように２つの円錐台をその底面同士が重なるように接続した形状を有している。よって、切削ブレード１０を径方向に切断した断面を観察すると、その先端部の形状は、概ねＶ字状になる。つまり、切削ブレード１０を回転させてその先端部をウェーハ１１に切り込ませれば、一対の斜面（傾斜した側面）を含み断面の形状がＶ字状の溝１７をウェーハ１１に形成できる。
【0043】
なお、この切削ブレード１０の先端部の高低差（外周面１０ｂの一端側の縁と外周面１０ｂの他端側の縁との側面１０ａに沿う方向での距離）は、代表的には、デバイスチップ１の厚みＴ１よりも大きい。これにより、ウェーハ１１に対して切削ブレード１０の先端部のみを切り込ませる場合にも、デバイスチップ１の厚みＴ１に相当する深さに達する溝１７を形成できる。
【0044】
スピンドル８の他端側には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドル８の一端側に装着された切削ブレード１０は、回転駆動源が生じる力によって回転する。この切削ユニット６は、例えば、移動機構（不図示）によって支持されており、チャックテーブル４の保持面４ａに対して概ね垂直な高さ方向と、チャックテーブル４の保持面４ａに対して概ね平行で第１方向に概ね垂直な第２方向（割り出し送り方向）と、に移動する。
【0045】
ウェーハ１１の表面１１ａ側に溝１７を形成する際には、まず、このウェーハ１１の裏面１１ｂをチャックテーブル４の保持面４ａに接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面４ａに作用させる。これにより、裏面１１ｂが保持面４ａに吸引されて、ウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態でチャックテーブル４に保持される。なお、ウェーハ１１の裏面１１ｂに粘着テープ等の保護部材を貼付し、この保護部材を介してウェーハ１１を保持するようにしても良い。
【0046】
次に、加工の対象となる分割予定ライン１３と第１方向とが平行になるように、チャックテーブル４の向きを調整する。そして、この分割予定ライン１３の延長線の上方に切削ブレード１０の外周面１０ｂの他端側の縁（下端の縁）が位置付けられるように、チャックテーブル４と切削ユニット６との位置を調整する。
【0047】
更に、切削ブレード１０の外周面１０ｂの下端の高さがウェーハ１１の表面１１ａの高さよりも低くなり、切削ブレード１０の側面１０ａの下端の高さがウェーハ１１の表面１１ａの高さよりも高くなるように、切削ユニット６の高さを調整する。より詳細には、切削ブレード１０の外周面１０ｂの下端の高さがデバイスチップ１の裏面１ｂとなる部分の高さと同じか、それよりも低くなるように、切削ユニット６の高さを調整する。
【0048】
その後、スピンドル８を回転させながらチャックテーブル４を第１方向に移動させる。これにより、回転する切削ブレード１０の先端部のみを対象の分割予定ライン１３に切り込ませ、一対の斜面を含む溝１７をウェーハ１１の表面１１ａ側に形成できる。本実施形態では、切削ブレード１０の外周面１０ｂの下端の高さをデバイスチップ１の裏面１ｂとなる部分の高さと同じか、それよりも低くしているので、回路部１５の上面から溝１７の下端までの距離Ｄ１は、デバイスチップ１の厚みＴ１と同じか、それよりも大きくなる。
【0049】
また、本実施形態では、切削ブレード１０の側面１０ａの下端の高さをウェーハ１１の表面１１ａの高さよりも高くしているので、ウェーハ１１には、切削ブレード１０の先端部のみが切り込み、側面１０ａは切り込まない。よって、ウェーハ１１の表面１１ａと溝１７の斜面との間に、この表面１１ａ（及び裏面１１ｂ）に対して垂直な面が形成されることはない。つまり、溝１７の斜面は、ウェーハ１１の表面１１ａに接続されることになる。
【0050】
更に、本実施形態では、この溝１７の一対の斜面が、ウェーハ１１の表面１１ａ側から視認できる態様で形成される。すなわち、溝１７の一対の斜面は、ウェーハ１１の表面１１ａ側に露出する。なお、上述した動作は、ウェーハ１１に設定される全ての分割予定ライン１３に溝１７が形成されるまで繰り返される。
【0051】
ウェーハ１１に溝１７を形成した後には、この溝１７を表面１１ａ側からエッチングによって処理する（第１エッチングステップ）。図３（Ｂ）は、ウェーハ１１の溝１７が表面１１ａ側からエッチング（プラズマエッチング）によって処理される様子を模式的に示す図である。
【0052】
本実施形態では、図３（Ｂ）のプラズマエッチング装置２２を用いて溝１７を表面１１ａ側から処理する。プラズマエッチング装置２２は、内部に空間が形成された真空チャンバ（不図示）を備えている。この真空チャンバの内部の空間には、静電チャック２４が配置されている。静電チャック２４は、互いに絶縁された複数の電極を備えており、各電極とウェーハ１１との間に作用する電気的な力を利用してウェーハ１１等を吸着する。
【0053】
静電チャック２４の下方には、平板状の下部電極（不図示）が配置されている。また、静電チャック２４の上方には、平板状の上部電極（不図示）が配置されている。上部電極と下部電極とは、それぞれ、真空チャンバの外部に配置された高周波電源に接続されている。なお、上部電極の下面側には、複数のガス噴出孔が形成されている。
【0054】
ウェーハ１１の表面１１ａ側の溝１７をエッチングによって処理する際には、まず、ウェーハ１１を真空チャンバの内部の空間に搬入して、静電チャック２４の上に載せる。具体的には、ウェーハ１１の裏面１１ｂを静電チャック２４の上面２４ａに接触させる。そして、この静電チャック２４の電極間に電位差を生じさせる。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態で静電チャック２４に吸着される。
【0055】
静電チャック２４でウェーハ１１を吸着した後には、真空チャンバの内部の空間を密閉して減圧する。この状態で、四フッ化炭素（ＣＦ4）や六フッ化硫黄（ＳＦ6）に代表されるエッチング用のガスを、ガス噴出孔を通じて所定の流量で供給し、下部電極と上部電極とに適切な高周波電力を供給すると、ウェーハ１１の表面１１ａ側にラジカルやイオン等を含むプラズマ２６が発生する。
【0056】
その結果、ウェーハ１１の溝１７がプラズマ２６に曝され、溝１７の斜面に残留する応力が解放される（ストレスリリーフ）。よって、デバイスチップ１の抗折強度が高くなる。溝１７の斜面は、表面１１ａに対して傾斜している（垂直ではない）ので、この表面１１ａ側からのエッチングによって溝１７の斜面を容易に処理できる。また、ウェーハ１１の表面１１ａと溝１７の斜面との接続部の角が取れて丸くなるので、デバイスチップ１は、衝撃にも強くなる。
【0057】
なお、本実施形態では、端子３ａの上端を除く回路部１５の表面（最外層、最上層）が絶縁性の保護膜（パシベーション膜）で構成されたウェーハ１１を用いるので、プラズマ２６によって各回路部１５が損傷することはない。よって、各回路部１５をプラズマ２６から保護するためのマスクを別に設ける必要もない。ただし、端子１５ａや保護膜以外の回路部１５の構成要素が露出している場合には、プラズマ２６から回路部１５を保護するためのマスクを形成する必要がある。
【0058】
マスクを形成する方法に特段の制限はないが、例えば、ウェーハ１１の表面１１ａ側に水溶性の樹脂を塗布した後に、この樹脂の溝１７に対応した部分をレーザービーム等によって除去すれば、回路部１５を保護するためのマスクを形成できる。もちろん、フォトリソグラフィ等の方法でマスクを形成しても良い。
【0059】
また、ウェーハ１１の表面１１ａ側に溝１７を形成する前に、このウェーハ１１の表面１１ａ側にフィルムを貼付しても良い。その後、例えば、フィルムとともにウェーハ１１を切削すれば、ウェーハ１１に溝１７を形成しながらフィルムの溝１７に対応した部分を除去してマスクを形成できる。なお、回路部１５を保護するためのマスクを形成した場合には、溝１７をエッチングによって処理した後に、このマスクが除去される。
【0060】
ウェーハ１１の溝１７を表面１１ａ側からエッチングによって処理した後には、このウェーハ１１の表面１１ａ側を保護する保護部材を形成する（保護部材形成ステップ）。具体的には、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側にシートを密着させる（シート密着ステップ）。図４（Ａ）は、ウェーハ１１の表面１１ａ側にシートを密着させる様子を模式的に示す図である。
【0061】
図４（Ａ）に示すように、シート２１は、ポリオレフィン（ＰＯ）やポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）等の樹脂でなるフィルム状の基材２１ａを含んでいる。この基材２１ａは、ウェーハ１１よりも直径の大きい円形に形成されている。
【0062】
基材２１ａの一方の面の外周部には、接着剤を含む接着層２１ｂが設けられている。本実施形態では、この接着層２１ｂの接着力によって、シート２１の外周部が環状のフレーム２３に固定されている。なお、シート２１の接着層２１ｂは、後にウェーハ１１の回路部１５が形成された回路領域と接触する部分には設けられていない。接着層２１ｂは、この回路領域を囲む大きさの環状に形成されている。
【0063】
ウェーハ１１の表面１１ａ側にシート２１を密着させる際には、例えば、十分に減圧された環境で、このシート２１を構成する基材２１ａの一方の面を、ウェーハ１１の表面１１ａに対面させる。そして、ウェーハ１１の回路領域よりも外側の外周領域と接着層２１ｂとが接触するように、シート２１をウェーハ１１に押し当てる。
【0064】
シート２１をウェーハ１１に押し当てた後には、環境の圧力（気圧）を上昇させる。その結果、シート２１は、環境の圧力によってウェーハ１１の表面１１ａ側に密着する。なお、シート２１をウェーハ１１に押し当てる際や、環境の圧力を上昇させる際には、シート２１に対して熱を加えると良い。これにより、ウェーハ１１の表面１１ａ側に存在する凹凸に倣ってシート２１が変形し易くなり、ウェーハ１１とシート２１との密着性が良くなる。
【0065】
なお、シート２１は、接着層２１ｂによってウェーハ１１の外周領域に接着されるが、ウェーハ１１の回路領域には接着されない。シート２１は、ウェーハ１１の回路領域に密着するだけなので、例えば、ウェーハ１１からシート２１を剥離する際に、接着層２１ｂの接着剤が回路領域に残ることはない。更に、この接着層２１ｂは、環状のフレーム２３が固定される部分にのみ設けられても良い。つまり、シート２１は、接着層２１ｂによってウェーハ１１の外周領域に接着されなくても良い。
【0066】
ウェーハ１１の表面１１ａ側にシート２１を密着させた後には、このシート２１を被覆する樹脂板を形成する（樹脂板形成ステップ）。図４（Ｂ）は、シート２１を被覆する樹脂板が形成される様子を模式的に示す図である。本実施形態では、図４（Ｂ）の樹脂板形成装置３２を用いてシート２１を被覆する樹脂板を形成する。
【0067】
樹脂板形成装置３２は、例えば、紫外線を透過する材料で形成された支持プレート３４を含む。この支持プレート３４の上面３４ａは、概ね平坦である。また、支持プレート３４の下方には、紫外線光源３６が配置されており、支持プレート３４の上方には、ウェーハ１１に対して下向きの圧力をかけるためのプレスユニット３８が配置されている。
【0068】
シート２１を被覆する樹脂板を形成する際には、例えば、ポリオレフィン（ＰＯ）やポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）等の樹脂でなる平坦なシート２５を支持プレート３４の上面３４ａに載せる。また、このシート２５の上面に、紫外線で硬化する液状の樹脂２７を塗布する。
【0069】
次に、シート２１を構成する基材２１ａの他方の面を樹脂２７に接触させて、上方に露出するウェーハ１１の裏面１１ｂにプレスユニット３８で下向きの圧力をかける。これにより、液状の樹脂２７は、ウェーハ１１の径方向に広がり、シート２１のウェーハ１１に対応する領域は、液状の樹脂２７によって被覆される。すなわち、溝１７等に起因する表面１１ａ側の凹凸が、液状の樹脂２７によって埋められる。
【0070】
その後、紫外線光源３６で液状の樹脂２７に紫外線を照射して、この液状の樹脂２７を硬化させる。これにより、図４（Ｂ）に示すように、シート２１のウェーハ１１に対応する領域を被覆する樹脂板２９（図５（Ａ）参照）が形成される。なお、液状の樹脂２７に紫外線を照射する際には、必ずしもプレスユニット３８でウェーハ１１に圧力を掛けなくて良い。
【0071】
シート２１を被覆する樹脂板２９を形成した後には、この樹脂板２９を、シート２１やシート２５等とともに、ウェーハ１１の外周縁に沿って切断する（切断ステップ）。これにより、シート２１、シート２５、及び樹脂板２９を含む円形の保護部材が完成する。図５（Ａ）は、保護部材が完成した状態を模式的に示す図である。
【0072】
保護部材が完成した後には、このウェーハ１１の裏面１１ｂを研削してウェーハ１１を薄くする（研削ステップ）。図５（Ｂ）は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側が研削される様子を模式的に示す図である。本実施形態では、図５（Ｂ）の研削装置４２を用いてウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削する。
【0073】
研削装置４２は、ウェーハ１１を保持する際に使用されるチャックテーブル４４を備えている。このチャックテーブル４４は、例えば、ステンレス鋼に代表される金属材料でなる円筒状の枠体と、多孔質材料でなり枠体の上部に配置される保持板と、を含む。この保持板の上面が、ウェーハ１１を保持する保持面４４ａとなる。
【0074】
保持板の下面側は、枠体の内部に設けられた流路等を介して吸引源（不図示）に接続されている。流路等には、流体の流れを制御するバルブ（不図示）が設けられている。そのため、バルブを開けば、吸引源の負圧を保持面４４ａに作用させてウェーハ１１を吸引できる。
【0075】
チャックテーブル４４の枠体は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、この回転駆動源が生じる力によって、上述した保持面４４ａに対して概ね垂直な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４４の枠体は、移動機構（不図示）によって支持されており、上述した保持面４４ａに対して概ね平行な方向に移動する。
【0076】
チャックテーブル４４の上方には、研削ユニット４６が配置されている。研削ユニット４６は、筒状のスピンドルハウジング（不図示）を含む。スピンドルハウジングの内側の空間には、チャックテーブル４４の保持面４４ａに対して概ね垂直な回転軸となるスピンドル４８が収容されている。
【0077】
スピンドル４８の下端部には、円盤状のマウント５０が固定されている。マウント５０の下面には、このマウント５０と概ね径が等しい円盤状の研削ホイール５２が装着されている。研削ホイール５２は、ステンレス鋼やアルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台５４を備えている。ホイール基台５４の下面には、複数の研削砥石５６が環状に配列されている。
【0078】
スピンドル４８の上端側には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、研削ホイール５２は、この回転駆動源が生じる力によって回転する。研削ホイール５２に隣接する位置、又は、研削ホイール５２の内部には、ウェーハ１１等に対して研削用の液体（代表的には、水）を供給するためのノズル（不図示）が設けられている。この研削ユニット４６は、例えば、移動機構（不図示）によって支持されており、チャックテーブル４４の保持面４４ａに対して概ね垂直な方向に移動する。
【0079】
ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削する際には、まず、このウェーハ１１の表面１１ａ側に形成された保護部材のシート２５を、チャックテーブル４４の保持面４４ａに接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面４４ａに作用させる。これにより、シート２５が保持面４４ａに吸引される。すなわち、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で、保護部材を介してチャックテーブル４４に保持される。
【0080】
次に、このチャックテーブル４４を研削ユニット４６の下方の位置に移動させる。その後、図５（Ｂ）に示すように、チャックテーブル４４とスピンドル４８（研削ホイール５２）とをそれぞれ回転させて、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削用の液体を供給しながら、研削ユニット４６（研削ホイール５２）を下降させる。研削ユニット４６を下降させる速度は、研削砥石５６がウェーハ１１の裏面１１ｂに対して適切に押し当てられる範囲で調整される。
【0081】
これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削して、ウェーハ１１を薄くできる。本実施形態では、少なくとも溝１７の斜面が裏面１１ｂに接続し、この溝１７（分割予定ライン１３）を境にウェーハ１１が複数のデバイスチップ１と端材３１（図６参照）とに分割されるまでウェーハ１１を薄くする。
【0082】
なお、このウェーハ１１の表面１１ａは、デバイスチップ１の表面１ａとなり、研削後のウェーハ１１の裏面１１ｂは、デバイスチップ１の裏面１ｂとなり、溝１７の斜面は、デバイスチップ１の斜面１ｃとなる。本実施形態では、溝１７等に起因する表面１１ａ側の凹凸を液状の樹脂２７で埋めることにより平坦な保護部材を形成しているので、表面１１ａ側の凹凸の影響を受けることなく裏面１１ｂを研削して平坦にできる。
【0083】
ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削した後には、このウェーハ１１の裏面１１ｂ（デバイスチップ１の裏面１ｂ）をエッチングによって処理する（第２エッチングステップ）。図６（Ａ）は、ウェーハ１１の裏面１１ｂがエッチング（プラズマエッチング）によって処理される様子を模式的に示す図である。
【0084】
本実施形態では、上述したプラズマエッチング装置２２を用いてウェーハ１１の裏面１１ｂを処理する。まず、ウェーハ１１を真空チャンバの内部の空間に搬入して、静電チャック２４の上に載せる。具体的には、ウェーハ１１の表面１１ａ側に形成された保護部材のシート２５を、静電チャック２４の上面２４ａに接触させる。
【0085】
そして、この静電チャック２４の電極間に電位差を生じさせる。これにより、ウェーハ１１とウェーハ１１の表面１１ａ側に形成された保護部材とが静電チャック２４に吸着される。すなわち、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で、この保護部材を介して静電チャック２４に保持される。
【0086】
静電チャック２４でウェーハ１１を保持した後には、真空チャンバの内部の空間を密閉して減圧する。この状態で、四フッ化炭素（ＣＦ4）や六フッ化硫黄（ＳＦ6）に代表されるエッチング用のガスを、ガス噴出孔を通じて所定の流量で供給し、下部電極と上部電極とに適切な高周波電力を供給すると、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側にラジカルやイオン等を含むプラズマ２６が発生する。
【0087】
その結果、ウェーハ１１の裏面１１ｂがプラズマ２６に曝され、この裏面１１ｂに残留する応力が解放される（ストレスリリーフ）。よって、デバイスチップ１の抗折強度が高くなる。また、デバイスチップ１の裏面１ｂ（ウェーハ１１の裏面１１ｂ）と斜面１ｃ（溝１７の斜面）との接続部の角が取れて丸くなるので、デバイスチップ１は、衝撃にも強くなる。
【0088】
ウェーハ１１の裏面１１ｂをエッチングによって処理した後には、このウェーハ１１から保護部材を除去する（保護部材除去ステップ）。図６（Ｂ）は、ウェーハ１１から保護部材が除去される様子を模式的に示す図である。具体的には、例えば、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を円形の粘着テープ３３に貼付した上で、このウェーハ１１から保護部材を引き剥がす。なお、粘着テープ３３の外周部には、ウェーハ１１を囲む環状のフレーム３５を固定しておくと良い。
【0089】
上述のように、保護部材のシート２１は、接着層２１ｂによってウェーハ１１の外周領域にのみ接着されている。そのため、このウェーハ１１から保護部材を引き剥がして簡単に除去できる。また、シート２１の接着層２１ｂに含まれる接着剤がデバイスチップ１の表面１ａ側（回路部３）に残ることもない。
【0090】
このように、本実施形態にかかるデバイスチップの製造方法では、傾斜した外周面１０ｂを先端部に有する切削ブレード１０の先端部でウェーハ１１の分割予定ライン１３を表面１１ａ側から切削することにより斜面を含む溝１７をウェーハ１１に形成した上で、この溝１７の斜面と裏面１１ｂとが接続するようにウェーハ１１を分割するので、表面１ａと裏面１ｂとに対して傾斜し且つ表面１ａ側に露出する斜面１ｃを備えたデバイスチップ１を確実に得られる。
【0091】
図７は、デバイスチップ１がフレキシブル基板に実装された状態を模式的に示す断面図である。なお、この図７では、説明の便宜上、デバイスチップ１の一部の構成要素が省略されている。図７に示すように、フレキシブル基板４１に対してデバイスチップ１を実装する際には、まず、このフレキシブル基板４１の上面４１ａにデバイスチップ１を配置する。
【0092】
具体的には、例えば、フレキシブル基板４１の上面４１ａに設けられた端子４３と重ならないように、このフレキシブル基板４１の上面４１ａにデバイスチップ１の裏面１ｂ側を接着剤等で接着する。これにより、デバイスチップ１の表面１ａと斜面１ｃとは上方に露出する。
【0093】
その後、デバイスチップ１の端子３ａとフレキシブル基板４１の端子４３とを電気的に接続する配線４５を、印刷等の方法で斜面１ｃを含む配線部５に形成する。なお、配線４５の形成にかかる具体的な方法に特段の制限はないが、例えば、スクリーン印刷やインクジェット印刷等の方法を用いると良い。
【0094】
このように、表面１ａと斜面１ｃとが露出するようにデバイスチップ１をフレキシブル基板４１に配置すると、表面１ａ側の回路部３と斜面１ｃとの間、及び斜面１ｃとフレキシブル基板４１との間には、段差が殆ど発生しない。よって、斜面１ｃを含む配線部５に印刷等の方法で配線を形成するだけで、回路部３の端子３ａとフレキシブル基板４１の端子４３とを確実に接続できる。
【0095】
なお、本発明は、上述した実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上述した実施形態では、デバイスチップ１がフレキシブル基板４１に実装されているが、本発明のデバイスチップは、任意の基板に実装され得る。
【0096】
また、上述した実施形態では、ウェーハ１１の溝１７や裏面１１ｂを処理するためのエッチングとして、プラズマエッチング（ドライエッチング）を採用しているが、ウェットエッチングによって溝１７や裏面１１ｂを処理することもできる。
【0097】
また、上述した実施形態では、ウェーハ１１の回路領域と接触する部分に接着層２１ｂが設けられていないシート２１を使用して保護部材を形成したが、全面に接着層が設けられた一般的な保護テープを用いて保護部材を形成することもできる。もちろん、この一般的な保護テープだけで保護部材を構成しても良い。
【0098】
また、上述した実施形態では、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削することによって、溝１７（分割予定ライン１３）を境にウェーハ１１が複数のデバイスチップ１と端材３１とに分割されるまでウェーハ１１を薄くしているが、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削した後に、別の方法でウェーハ１１を複数のデバイスチップ１と端材３１とに分割しても良い。
【0099】
例えば、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削した後に、このウェーハ１１の裏面１１ｂをエッチングによって処理することで、ウェーハ１１を更に薄くして、複数のデバイスチップ１と端材３１とに分割することもできる（分割ステップ）。つまり、この場合には、ウェーハ１１の裏面１１ｂをエッチングによって処理することで、溝１７の斜面と裏面１１ｂとを接続する。なお、ウェーハ１１を複数のデバイスチップ１と端材３１とに分割した後には、このウェーハ１１から保護部材を除去すれば良い（保護部材除去ステップ）。
【0100】
また、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研磨することによって、このウェーハ１１を更に薄くして、複数のデバイスチップ１と端材３１とに分割することもできる（分割ステップ）。なお、ウェーハ１１を複数のデバイスチップ１と端材３１とに分割した後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂをエッチングによって処理した上で（第２エッチングステップ）、保護部材を除去しても良いし（保護部材除去ステップ）、ウェーハ１１の裏面１１ｂをエッチングによって処理することなく、保護部材を除去しても良い。
【0101】
また、上述した実施形態では、概ね平坦な斜面１ｃを示したが、デバイスチップの側壁となる斜面は、曲面状に形成されても良い。曲面状の斜面を形成する際には、例えば、その斜面の形状に合う外周面を持つ切削ブレードを使用する。概ね平坦な斜面を形成した後に、この斜面をエッチング等によって曲面状に加工しても良い。
【0102】
また、上述した実施形態では、側壁となる４つの斜面１ｃを含む四角錐台状のデバイスチップ１を示したが、本発明のデバイスチップは、少なくとも１つの斜面を含んでいれば良い。図８（Ａ）は、第１変形例にかかるデバイスチップの平面図であり、図８（Ｂ）は、第１変形例にかかるデバイスチップの側面図である。
【0103】
図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すように、第１変形例にかかるデバイスチップ５１の基本的な構造は、上述した実施形態にかかるデバイスチップ１の構造と同じである。すなわち、デバイスチップ５１は、表面５１ａと、表面５１ａとは反対側に位置する裏面５１ｂと、を含んでいる。
【0104】
表面５１ａと裏面５１ｂとは、いずれも概ね平坦な矩形状に形成されている。また、表面５１ａと裏面５１ｂとは、互いに概ね平行に配置されている。この裏面５１ｂの面積は、表面５１ａの面積よりも大きくなっている。すなわち、表面５１ａの面積は、裏面５１ｂの面積よりも小さくなっている。
【0105】
矩形の４つの辺のいずれかに相当する表面５１ａの縁の一部の傍には、矩形の４つの辺のいずれかに相当する裏面５１ｂの縁の一部が配置されており、この表面５１ａの縁の一部と、裏面５１ｂの縁の一部とは、互いに平行である。そして、この表面５１ａの縁の一部と、裏面５１ｂの縁の一部とは、表面５１ａと裏面５１ｂとに対して傾斜した斜面５１ｃによって互いに接続されている。
【0106】
つまり、矩形の１つの辺に相当する表面５１ａの縁の一部には、表面５１ａと裏面５１ｂとに対して傾斜した斜面５１ｃの縁の一部が接続されている。また、矩形の１つの辺に相当する裏面５１ｂの縁の一部には、表面５１ａと裏面５１ｂとに対して傾斜した斜面５１ｃの縁の他の一部が接続されている。この斜面５１ｃは、概ね平坦に形成されており、表面５１ａ側にのみ露出している。
【0107】
矩形の他の３つの辺に相当する表面５１ａの縁の各部分の傍にも、矩形の他の３つの辺に相当する裏面５１ｂの縁の各部分が配置されており、この表面５１ａの縁の各部分と、裏面５１ｂの縁の各部分とは、互いに平行である。ただし、この表面５１ａの縁の各部分と、裏面５１ｂの縁の各部分とは、表面５１ａ及び裏面５１ｂに対して概ね垂直な側面５１ｄによって互いに接続されている。すなわち、第１変形例のデバイスチップ５１は、表面５１ａ側又は裏面５１ｂ側から見た形状が矩形であり、側壁となる１つの斜面５１ｃと３つの側面５１ｄとを含んでいる。
【0108】
デバイスチップ５１の表面５１ａ側には、電子回路を含む回路部（デバイス）５３が設けられている。回路部５３は、外部に露出する複数の端子５３ａを含む。複数の端子５３ａは、斜面５１ｃに接続された表面５１ａの縁に沿って配列されている。このデバイスチップ５１をフレキシブル基板に実装する際には、回路部５３の端子５３ａとフレキシブル基板の端子とが配線によって電気的に接続される。
【0109】
斜面５１ｃの一部は、回路部５３の端子５３ａに相当する領域とともに、デバイスチップ５１をフレキシブル基板に実装する際に配線が形成される配線部５５を構成している。上述のように、第１変形例のデバイスチップ５１は、表面５１ａ側又は裏面５１ｂ側から見た形状が矩形であり、配線部５５は、この矩形の１つの辺（斜面５１ｃに対応する辺）に相当する領域にのみ配置されている。
【0110】
このデバイスチップ５１の裏面５１ｂと斜面５１ｃとのなす角度θ２や、デバイスチップ５１の幅Ｗ２、デバイスチップ５１の厚み（仕上げ厚み）Ｔ２等に特段の制限はない。例えば、角度θ２、幅Ｗ２、厚みＴ２を、デバイスチップ１の角度θ１、幅Ｗ１、厚みＴ１と同程度にすることができる。
【0111】
図９は、デバイスチップ５１の製造に用いられるウェーハの表面側の一部を拡大した平面図である。図９に示すように、デバイスチップ５１の製造に用いられるウェーハ６１の基本的な構造は、上述した実施形態にかかるウェーハ１１の構造と同じである。すなわち、ウェーハ６１は、表面６１ａと、表面６１ａとは反対側に位置する裏面６１ｂ（図１０参照）と、を含む。
【0112】
このウェーハ６１の表面６１ａ側は、互いに交差する第１分割予定ライン（第１ストリート）６３ａと第２分割予定ライン（第２ストリート）６３ｂとによって複数の小領域に区画されており、各小領域には、電子回路を含む回路部（デバイス）６５が形成されている。各回路部６５の最外層（最上層）は、代表的には、絶縁性の保護膜（パッシベーション膜）で構成される。また、各回路部６５は、図９に示すように、外部に露出する複数の端子６５ａを含んでいる。
【0113】
なお、このウェーハ６１では、第１分割予定ライン６３ａを挟んで配置される２つの回路部６５の間隔が、第２分割予定ライン６３ｂを挟んで配置される２つの回路部６５の間隔よりも広くなっている。また、第１分割予定ライン６３ａは、隣接する２つの回路部６５の一方に近く、他方から遠い位置に配置されている。
【0114】
図１０は、デバイスチップ５１の製造に用いられるウェーハ６１に溝が形成される様子を模式的に示す図である。ウェーハ６１の第１分割予定ライン６３ａに斜面を含む溝６７を形成する際には、上述した切削装置２を用いる。ただし、ここでは、溝１７の形成に用いた切削ブレード１０の代わりに切削ブレード１２を用いる。
【0115】
切削ブレード１２は、例えば、概ね平坦で互いに平行な一対の側面１２ａを含み、この一対の側面１２ａが回転軸に対して垂直になるように、スピンドル８の一端側に装着される。すなわち、切削ブレード１２の一対の側面１２ａは、チャックテーブル４の保持面４ａに対して概ね垂直であり、第１方向に対して概ね平行である。
【0116】
また、切削ブレード１２の外周縁に相当する先端部には、一対の側面１２ａに対して傾斜した外周面１２ｂが設けられている。外周面１２ｂは、円錐台の側面（円錐面の一部）に相当する曲面状に形成されており、その一端側の縁には、一方の側面１２ａの縁が接続されている。また、外周面１２ｂの他端側の縁には、他方の側面１２ａの縁が接続されている。すなわち、この切削ブレード１２は、円錐台に相当する形状を有している。
【0117】
切削ブレード１２の先端部の高低差（外周面１２ｂの一端側の縁と外周面１２ｂの他端側の縁との側面１２ａに沿う方向での距離）は、代表的には、デバイスチップ５１の厚みＴ２よりも大きい。これにより、ウェーハ６１に対して切削ブレード１２の先端部のみを切り込ませる場合にも、デバイスチップ５１の厚みＴ２に相当する深さに達する溝６７を形成できる。
【0118】
ウェーハ６１の第１分割予定ライン６３ａに溝６７を形成する際の手順は、上述した実施形態でウェーハ１１に溝１７を形成する際の手順と同様である。ただし、ここでは、第１分割予定ライン６３ａの延長線の上方に切削ブレード１２の一方の側面１２ａの縁（下端の縁）が位置付けられるように、チャックテーブル４と切削ユニット６との位置を調整する。
【0119】
また、切削ブレード１２の一方の側面１２ａの下端の高さが、デバイスチップ５１の裏面５１ｂとなる部分の高さと同じか、それよりも低くなり、切削ブレード１２の他方の側面１２ａの下端の高さがウェーハ６１の表面６１ａの高さよりも高くなるように、切削ユニット６の高さを調整する。
【0120】
これにより、回路部６５の上面から溝６７の下端までの距離Ｄ２は、デバイスチップ５１の厚みＴ２と同じか、それよりも大きくなる。なお、第２分割予定ライン６３ｂに溝を形成する際には、任意の形状の切削ブレードを用いれば良い。例えば、側面に対して概ね垂直に交わる外周面を有する切削ブレードを用いることができる。
【0121】
図１１は、デバイスチップ５１の製造に用いられる別のウェーハの表面側の一部を拡大した平面図である。図１１に示すように、デバイスチップ５１の製造に用いられるウェーハ７１の基本的な構造は、上述した実施形態にかかるウェーハ１１の構造と同じである。すなわち、ウェーハ７１は、表面７１ａと、表面７１ａとは反対側に位置する裏面７１ｂ（図１２参照）と、を含む。
【0122】
このウェーハ７１の表面７１ａ側は、互いに平行な第１分割予定ライン（第１ストリート）７３ａ及び第２分割予定ライン（第２ストリート）７３ｂと、これらに対して交差する第３分割予定ライン（第３ストリート）７３ｃと、によって複数の小領域に区画されており、各小領域には、電子回路を含む回路部（デバイス）７５が形成されている。各回路部７５の最外層（最上層）は、代表的には、絶縁性の保護膜（パッシベーション膜）で構成される。
【0123】
また、各回路部７５は、図１１に示すように、外部に露出する複数の端子７５ａを含んでいる。なお、このウェーハ７１では、第１分割予定ライン７３ａを挟んで配置される２つの回路部７５の間隔が、第２分割予定ライン７３ｂを挟んで配置される２つの回路部７５の間隔よりも広くなっている。また、第２分割予定ライン７３ｂを挟んで配置される２つの回路部７５の間隔と、第３分割予定ライン７３ｃを挟んで配置される２つの回路部７５の間隔とは、同程度である。
【0124】
図１２は、デバイスチップ５１の製造に用いられるウェーハ７１に溝が形成される様子を模式的に示す図である。ウェーハ７１の第１分割予定ライン７３ａに溝７７を形成し、ウェーハ７１の第２分割予定ライン７３ｂに溝７９を形成する際には、図１２に示す切削装置６２を用いる。切削装置６２の基本的な構造は、切削装置２と同じである。
【0125】
すなわち、切削装置６２は、ウェーハ７１を保持する際に使用されるチャックテーブル６４を備えている。このチャックテーブル６４は、例えば、ステンレス鋼に代表される金属材料でなる円筒状の枠体と、多孔質材料でなり枠体の上部に配置される保持板と、を含む。この保持板の上面が、ウェーハ７１を保持する保持面６４ａとなる。
【0126】
チャックテーブル６４の上方には、第１切削ユニット６６が配置されている。第１切削ユニット６６は、筒状のスピンドルハウジング（不図示）を含む。スピンドルハウジングの内側の空間には、スピンドル６８が収容されている。スピンドル６８の一端側には、ダイヤモンド等の砥粒を樹脂や金属等の結合材で固定してなる環状の切削ブレード（第１切削ブレード）７０が装着されている。
【0127】
切削ブレード７０の構造は、上述した切削ブレード１０の構造と同じである。つまり、切削ブレード７０は、概ね平坦で互いに平行な一対の側面７０ａを含んでいる。切削ブレード７０の外周縁に相当する先端部には、一対の側面７０ａに対して傾斜した一対の外周面７０ｂが設けられている。
【0128】
また、チャックテーブル６４の上方には、第２切削ユニット７２が配置されている。この第２切削ユニット７２も、筒状のスピンドルハウジング（不図示）を含む。スピンドルハウジングの内側の空間には、スピンドル７４が収容されている。スピンドル７４の一端側には、ダイヤモンド等の砥粒を樹脂や金属等の結合材で固定してなる環状の切削ブレード（第２切削ブレード）７６が装着されている。切削ブレード７６の形状に特段の制限はないが、ここでは、側面に対して概ね垂直に交わる外周面を持ち切削ブレード７０の先端部（一対の外周面７０ｂ）よりも幅（側面の間隔）の狭いものが用いられる。
【0129】
ウェーハ７１の第１分割予定ライン７３ａに斜面を含む溝７７を形成する際には、切削ブレード７０が装着された第１切削ユニット６６を使用する。具体的な手順は、上述した実施形態でウェーハ１１に溝１７を形成する際の手順と同様である。なお、この第１切削ユニット６６の高さは、回路部７５の上面から溝７７の下端までの距離Ｄ３が、デバイスチップ５１の厚みＴ２と同じか、それよりも大きくなるように調整される。
【0130】
一方で、ウェーハ７１の第２分割予定ライン７３ｂに溝７９を形成する際には、切削ブレード７６が装着された第２切削ユニット７２を使用する。なお、第３分割予定ライン７３ｃに溝を形成する際にも、この第２切削ユニット７２を使用すれば良い。
【0131】
図１３（Ａ）は、第２変形例にかかるデバイスチップの平面図であり、図１３（Ｂ）は、第２変形例にかかるデバイスチップの側面図である。図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示すように、第２変形例にかかるデバイスチップ８１の基本的な構造は、上述した第１変形例にかかるデバイスチップ５１の構造と同じである。ただし、この第２変形例にかかるデバイスチップ８１は、表面８１ａと裏面８１ｂとに接続された２つの斜面８１ｃと、表面８１ａと裏面８１ｂとに接続された２つの側面８１ｄと、を有している。
【0132】
デバイスチップ８１の表面８１ａ側には、電子回路を含む回路部（デバイス）８３が設けられている。回路部８３は、外部に露出する複数の端子８３ａを含む。複数の端子８３ａは、斜面８１ｃに接続された表面８１ａの縁に沿って配列されている。このデバイスチップ８１をフレキシブル基板に実装する際には、回路部８３の端子８３ａとフレキシブル基板の端子とが配線を介して電気的に接続される。
【0133】
斜面８１ｃの一部は、回路部８３の端子８３ａに相当する領域とともに、デバイスチップ８１をフレキシブル基板に実装する際に配線が形成される配線部８５を構成している。上述のように、第２変形例のデバイスチップ８１は、表面８１ａ側又は裏面８１ｂ側から見た形状が矩形であり、配線部８５は、この矩形の２つの辺（斜面８１ｃに対応する辺）に相当する領域に配置されている。
【0134】
デバイスチップ８１の裏面８１ｂと斜面８１ｃとのなす角度θ３や、デバイスチップ８１の幅Ｗ３、デバイスチップ８１の厚み（仕上げ厚み）Ｔ３等に特段の制限はない。例えば、角度θ３、幅Ｗ３、厚みＴ３を、デバイスチップ１の角度θ１、幅Ｗ１、厚みＴ１と同程度にすることができる。
【0135】
図１４（Ａ）は、第３変形例にかかるデバイスチップの平面図であり、図１４（Ｂ）は、第３変形例にかかるデバイスチップの側面図である。図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）に示すように、第３変形例にかかるデバイスチップ９１の基本的な構造は、上述した実施形態にかかるデバイスチップ１の構造と同じである。すなわち、デバイスチップ９１は、表面９１ａと、表面９１ａとは反対側に位置する裏面９１ｂと、を含んでいる。
【0136】
表面９１ａと裏面９１ｂとは、いずれも概ね平坦な矩形状に形成されている。また、表面９１ａと裏面９１ｂとは、互いに概ね平行に配置されている。この裏面９１ｂの面積は、表面９１ａの面積よりも大きくなっている。すなわち、表面９１ａの面積は、裏面９１ｂの面積よりも小さくなっている。
【0137】
矩形の４つの辺のいずれかに相当する表面９１ａの縁の一部の傍には、矩形の４つの辺のいずれかに相当する裏面９１ｂの縁の一部が配置されており、この表面９１ａの縁の一部と、裏面９１ｂの縁の一部とは、互いに平行である。そして、この表面９１ａの縁の一部と、裏面９１ｂの縁の一部とは、表面９１ａと裏面９１ｂとに対して傾斜した斜面９１ｃ、及び表面９１ａと裏面９１ｂとに対して概ね垂直な側面９１ｄを介して互いに接続されている。
【0138】
具体的には、矩形の１つの辺に相当する表面９１ａの縁の一部には、表面９１ａと裏面９１ｂとに対して傾斜した斜面９１ｃの縁の一部が接続されている。また、矩形の１つの辺に相当する裏面９１ｂの縁の一部には、表面９１ａと裏面９１ｂとに対して概ね垂直な側面９１ｄの縁の一部が接続されている。そして、斜面９１ｃの縁の他の一部と側面９１ｄの縁の他の一部とは、互いに接続されている。斜面９１ｃは、概ね平坦に形成されており、表面９１ａ側にのみ露出している。
【0139】
矩形の他の３つの辺に相当する表面９１ａの縁の各部分の傍にも、矩形の他の３つの辺に相当する裏面９１ｂの縁の各部分が配置されており、この表面９１ａの縁の各部分と、裏面９１ｂの縁の各部分とは、互いに平行である。そして、この表面９１ａの縁の各部分と、裏面９１ｂの縁の各部分とは、同様の斜面９１ｃと側面９１ｄとを介して互いに接続されている。すなわち、デバイスチップ９１は、表面９１ａ側又は裏面９１ｂ側から見た形状が矩形の略四角錐台状に形成されており、側壁となる４つの斜面９１ｃと４つの側面９１ｄとを含んでいる。
【0140】
デバイスチップ９１の表面９１ａ側には、電子回路を含む回路部（デバイス）９３が設けられている。回路部９３は、外部に露出する複数の端子９３ａを含む。複数の端子９３ａは、矩形の４つの辺に相当する表面９１ａの縁の各部分に沿って配列されている。このデバイスチップ９１をフレキシブル基板に実装する際には、回路部９３の端子９３ａとフレキシブル基板の端子とが配線を介して電気的に接続される。
【0141】
斜面９１ｃの一部は、側面９１ｄの一部や回路部９３の端子９３ａに相当する領域とともに、デバイスチップ９１をフレキシブル基板に実装する際に配線が形成される配線部９５を構成している。なお、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）では、説明の便宜上、１つの斜面９１ｃに対応する配線部９５のみを示しているが、第３変形例のデバイスチップ９１は、各斜面９１ｃに対応する複数の配線部９５を備えている。
【0142】
このデバイスチップ９１の裏面９１ｂに対して平行な面と斜面９１ｃとのなす角度θ４や、デバイスチップ９１の幅Ｗ４、デバイスチップ９１の厚み（仕上げ厚み）Ｔ４等に特段の制限はない。例えば、角度θ４、幅Ｗ４、厚みＴ４を、デバイスチップ１の角度θ１、幅Ｗ１、厚みＴ１と同程度にすることができる。
【0143】
ただし、デバイスチップ９１の斜面９１ｃに相当する部分の厚みｔa（すなわち、斜面９１ｃの高低差）は、側面９１ｄに相当する部分の厚みｔb（すなわち、側面９１ｄの高低差）よりも十分に大きい。つまり、側面９１ｄに相当する部分の厚みｔbは、斜面９１ｃに相当する部分の厚みｔaよりも十分に小さい。例えば、厚みｔbは、５μｍ以下であることが望ましく、３μｍ以下であるとより望ましい。また、厚みｔbは、厚みｔaの１／３以下であることが望ましく、１／５以下であるとより望ましい。
【0144】
このように、第３変形例のデバイスチップ９１は、表面９１ａと裏面９１ｂとに対して傾斜し且つ表面９１ａ側に露出する複数の斜面９１ｃを備えている。また、各斜面９１ｃは、表面９１ａに接続するとともに、斜面９１ｃに比べて高低差が十分に小さい側面９１ｄを介して裏面９１ｂに接続している。そのため、表面９１ａと斜面９１ｃとが露出するようにデバイスチップ９１をフレキシブル基板に配置すると、表面９１ａ側の回路部９３と斜面９１ｃとの間、及び斜面９１ｃとフレキシブル基板との間には、段差が殆ど発生しない。
【0145】
よって、直方体状のデバイスチップ（表面や裏面に対して概ね垂直な側面のみを持つデバイスチップ）を用いる場合とは異なり、斜面９１ｃを含む配線部９５に印刷等の方法で配線を形成するだけで、電子回路を含む回路部９３とフレキシブル基板とを確実に接続できる。つまり、第３変形例にかかるデバイスチップ９１も、印刷等の方法による配線の形成に適している。
【0146】
デバイスチップ９１は、例えば、上述した実施形態にかかるウェーハ１１を用いて製造される。具体的な製造方法は、例えば、次の通りである。まず、ウェーハ１１を準備する（準備ステップ）。そして、このウェーハ１１の分割予定ライン１３を切削ブレード（第１切削ブレード）で切削し、ウェーハ１１の表面１１ａ側に斜面（傾斜した側面）を含む溝（第１溝）１７を形成する（第１切削ステップ）。
【0147】
図１５（Ａ）は、ウェーハ１１の表面１１ａ側に溝１７等が形成される様子を模式的に示す図である。この第３変形例では、溝１７を形成する際に、上述した切削装置６２を用いる。具体的な手順は、上述した実施形態でウェーハ１１に溝１７を形成する際の手順と同様である。
【0148】
つまり、図１５（Ａ）に示すように、側面７０ａに対して傾斜した一対の外周面７０ｂを先端部に持つ切削ブレード（第１切削ブレード）７０の先端部でウェーハ１１の分割予定ライン１３を表面１１ａ側から切削する。ウェーハ１１を切削する際の第１切削ユニット６６の高さは、回路部１５の上面から溝１７の下端までの距離Ｄ４が、デバイスチップ９１の厚みＴ４よりも僅かに小さくなるように調整される。
【0149】
ウェーハ１１に溝１７を形成した後には、この溝１７の下端に相当する部分（分割予定ライン１３に相当する部分）を切削ブレード（第２切削ブレード）で切削し、溝１７よりも表面１１ａから深い位置に達する溝（第２溝）１９をウェーハ１１に形成する。この溝１９を形成する際にも、上述した切削装置６２を用いる。
【0150】
具体的には、図１５（Ａ）に示すように、切削ブレード７０の先端部（一対の外周面７０ｂ）よりも幅（側面の間隔）の狭い切削ブレード（第２切削ブレード）７６でウェーハ１１の分割予定ライン１３を表面１１ａ側から切削する。ウェーハ１１を切削する際の第２切削ユニット７２の高さは、回路部１５の上面から溝１９の下端までの距離Ｄ５が、デバイスチップ９１の厚みＴ４よりも大きくなるように調整される。
【0151】
これにより、溝１７よりも幅が狭く溝１７よりも表面１１ａから深い位置に達する溝１９がウェーハ１１に形成される。なお、ここでは、溝１７を形成した後に溝１９を形成しているが、溝１９を形成した後に溝１７を形成しても良い。
【0152】
ウェーハ１１に溝１７と溝１９とを形成した後には、これらを表面１１ａ側からエッチングによって処理する（第１エッチングステップ）。この第３変形例では、上述したプラズマエッチング装置２２を用いて溝１７と溝１９とを処理する。具体的な手順は、上述した実施形態で溝１７を表面１１ａ側からエッチングによって処理する際の手順と同様である。
【0153】
これにより、溝１７の斜面や溝１９の側面に残留する応力が解放される（ストレスリリーフ）。よって、デバイスチップ９１の抗折強度が高くなる。また、ウェーハ１１の表面１１ａと溝１７の斜面との接続部の角や、溝１７の斜面と溝１９の側面との接続部の角が取れて丸くなるので、デバイスチップ９１は、衝撃にも強くなる。
【0154】
ウェーハ１１の溝１７と溝１９とを表面１１ａ側からエッチングによって処理した後には、このウェーハ１１の表面１１ａ側を保護する保護部材を形成する（保護部材形成ステップ）。具体的には、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側にシートを密着させる（シート密着ステップ）。図１５（Ｂ）は、ウェーハ１１の表面１１ａ側にシート２１を密着させる様子を模式的に示す図である。具体的な手順は、上述した実施形態でウェーハ１１の表面１１ａ側にシート２１を密着させる際の手順と同様である。
【0155】
ウェーハ１１の表面１１ａ側にシート２１を密着させた後には、このシート２１を被覆する樹脂板２９を形成する（樹脂板形成ステップ）。そして、形成された樹脂板２９を、シート２１やシート２５等とともに、ウェーハ１１の外周縁に沿って切断する（切断ステップ）。これにより、シート２１、シート２５、及び樹脂板２９を含む円形の保護部材が完成する。具体的な手順は、上述した実施形態にかかる手順と同様である。
【0156】
保護部材が完成した後には、このウェーハ１１の裏面１１ｂを研削してウェーハ１１を薄くする（研削ステップ）。図１６（Ａ）は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側が研削される様子を模式的に示す図である。本実施形態では、上述した研削装置４２を用いてウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削する。具体的な手順は、上述した実施形態でウェーハ１１の裏面１１ｂを研削する際の手順と同様である。
【0157】
これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削して、ウェーハ１１を薄くできる。本実施形態では、溝１９の側面が裏面１１ｂに接続し、この溝１９（分割予定ライン１３）を境にウェーハ１１が複数のデバイスチップ９１と端材９７（図１６（Ｂ）参照）とに分割されるまでウェーハ１１を薄くする。すなわち、溝１７の斜面と裏面１１ｂとが接続しない程度にウェーハ１１を薄くする。
【0158】
なお、このウェーハ１１の表面１１ａは、デバイスチップ９１の表面９１ａとなり、研削後のウェーハ１１の裏面１１ｂは、デバイスチップ９１の裏面９１ｂとなり、溝１７の斜面は、デバイスチップ９１の斜面９１ｃとなり、溝１９の側面は、デバイスチップ９１の側面９１ｄとなる。
【0159】
ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削した後には、このウェーハ１１の裏面１１ｂ（デバイスチップ９１の裏面９１ｂ）をエッチングによって処理する（第２エッチングステップ）。図１６（Ｂ）は、ウェーハ１１の裏面１１ｂがエッチング（プラズマエッチング）によって処理される様子を模式的に示す図である。この第３変形例でも、上述したプラズマエッチング装置２２を用いてウェーハ１１の裏面１１ｂを処理する。
【0160】
具体的な手順は、上述した実施形態でウェーハ１１の裏面１１ｂ側をエッチングによって処理する際の手順と同様である。これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂに残留する応力が解放される（ストレスリリーフ）。よって、デバイスチップ９１の抗折強度が高くなる。また、デバイスチップ９１の裏面９１ｂ（ウェーハ１１の裏面１１ｂ）と側面９１ｄ（溝１９の側面）との接続部の角が取れて丸くなるので、デバイスチップ９１は、衝撃にも強くなる。
【0161】
ウェーハ１１の裏面１１ｂをエッチングによって処理した後には、このウェーハ１１から保護部材を除去する（保護部材除去ステップ）。具体的な手順は、上述した実施形態でウェーハ１１から保護部材を除去する際の手順と同様である。
【0162】
第３変形例にかかるデバイスチップの製造方法では、切削ブレード７０で分割予定ライン１３を切削して斜面を含む溝１７をウェーハに形成し、切削ブレード７６で分割予定ライン１３を切削してこの溝１７よりも幅が狭く溝１７よりも表面１１ａから深い位置に達する溝１９を形成する。そして、溝１９の側面が裏面１１ｂに接続し、この溝１９（分割予定ライン１３）を境にウェーハ１１が複数のデバイスチップ９１に分割されるまで裏面１１ｂを研削してウェーハ１１を薄くする。
【0163】
そのため、裏面１１ｂを研削してウェーハ１１を複数のデバイスチップ９１へと分割する際に、隣接するデバイスチップ９１の間に溝１９による隙間が形成され、隣接するデバイスチップ９１が衝突し難くなる。つまり、研削の際にデバイスチップ９１が欠け難くなる。また、ウェーハ１１に溝１９を形成しない場合のように、デバイスチップ９１の端部が薄くなり過ぎてしまうことがないので、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削する際にデバイスチップ９１が欠ける可能性を低く抑えられる。
【0164】
そして、溝１９を形成しない場合に比べて溝１７を浅くできるので、加工に必要な幅が狭くなる。すなわち、ストリートリダクションによって、デバイスチップ９１の取り数を増やすことができる。
【0165】
その他、上述した実施形態や変形例にかかる構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて変更して実施できる。
【符号の説明】
【0166】
１ ：デバイスチップ
１ａ ：表面
１ｂ ：裏面
１ｃ ：斜面
３ ：回路部（デバイス）
３ａ ：端子
５ ：配線部
１１ ：ウェーハ
１１ａ ：表面
１１ｂ ：裏面
１３ ：分割予定ライン（ストリート）
１５ ：回路部（デバイス）
１５ａ ：端子
１７ ：溝（第１溝）
１９ ：溝（第２溝）
２１ ：シート
２１ａ ：基材
２１ｂ ：接着層
２３ ：フレーム
２５ ：シート
２７ ：液状の樹脂
２９ ：樹脂板
３１ ：端材
３３ ：粘着テープ
３５ ：フレーム
４１ ：フレキシブル基板
４１ａ ：上面
４３ ：端子
４５ ：配線
５１ ：デバイスチップ
５１ａ ：表面
５１ｂ ：裏面
５１ｃ ：斜面
５１ｄ ：側面
５３ ：回路部（デバイス）
５３ａ ：端子
５５ ：配線部
５７ ：溝
６１ ：ウェーハ
６１ａ ：表面
６１ｂ ：裏面
６３ａ ：第１分割予定ライン（第１ストリート）
６３ｂ ：第２分割予定ライン（第２ストリート）
６５ ：回路部（デバイス）
６５ａ ：端子
６７ ：溝
６９ ：溝
７１ ：ウェーハ
７１ａ ：表面
７１ｂ ：裏面
７３ａ ：第１分割予定ライン（第１ストリート）
７３ｂ ：第２分割予定ライン（第２ストリート）
７３ｃ ：第３分割予定ライン（第３ストリート）
７５ ：回路部（デバイス）
７７ ：溝
７９ ：溝
８１ ：デバイスチップ
８１ａ ：表面
８１ｂ ：裏面
８１ｃ ：斜面
８１ｄ ：側面
８３ ：回路部（デバイス）
８３ａ ：端子
８５ ：配線部
９１ ：デバイスチップ
９１ａ ：表面
９１ｂ ：裏面
９１ｃ ：斜面
９３ ：回路部（デバイス）
９３ａ ：端子
９５ ：配線部
９７ ：端材
１０ ：切削ブレード
１０ａ ：側面
１０ｂ ：外周面
１２ ：切削ブレード
１２ａ ：側面
１２ｂ ：外周面
７０ ：切削ブレード（第１切削ブレード）
７０ａ ：側面
７０ｂ ：外周面
７６ ：切削ブレード（第２切削ブレード）
１ａ ：表面
１ｂ ：裏面
１ｃ ：斜面
３ ：回路部（デバイス）
３ａ ：端子
５ ：配線部
１１ ：ウェーハ
１１ａ ：表面
１１ｂ ：裏面
１３ ：分割予定ライン（ストリート）
１５ ：回路部（デバイス）
１５ａ ：端子
１７ ：溝（第１溝）
１９ ：溝（第２溝）
２１ ：シート
２１ａ ：基材
２１ｂ ：接着層
２３ ：フレーム
２５ ：シート
２７ ：液状の樹脂
２９ ：樹脂板
３１ ：端材
３３ ：粘着テープ
３５ ：フレーム
４１ ：フレキシブル基板
４１ａ ：上面
４３ ：端子
４５ ：配線
５１ ：デバイスチップ
５１ａ ：表面
５１ｂ ：裏面
５１ｃ ：斜面
５１ｄ ：側面
５３ ：回路部（デバイス）
５３ａ ：端子
５５ ：配線部
５７ ：溝
６１ ：ウェーハ
６１ａ ：表面
６１ｂ ：裏面
６３ａ ：第１分割予定ライン（第１ストリート）
６３ｂ ：第２分割予定ライン（第２ストリート）
６５ ：回路部（デバイス）
６５ａ ：端子
６７ ：溝
６９ ：溝
７１ ：ウェーハ
７１ａ ：表面
７１ｂ ：裏面
７３ａ ：第１分割予定ライン（第１ストリート）
７３ｂ ：第２分割予定ライン（第２ストリート）
７３ｃ ：第３分割予定ライン（第３ストリート）
７５ ：回路部（デバイス）
７７ ：溝
７９ ：溝
８１ ：デバイスチップ
８１ａ ：表面
８１ｂ ：裏面
８１ｃ ：斜面
８１ｄ ：側面
８３ ：回路部（デバイス）
８３ａ ：端子
８５ ：配線部
９１ ：デバイスチップ
９１ａ ：表面
９１ｂ ：裏面
９１ｃ ：斜面
９３ ：回路部（デバイス）
９３ａ ：端子
９５ ：配線部
９７ ：端材
１０ ：切削ブレード
１０ａ ：側面
１０ｂ ：外周面
１２ ：切削ブレード
１２ａ ：側面
１２ｂ ：外周面
７０ ：切削ブレード（第１切削ブレード）
７０ａ ：側面
７０ｂ ：外周面
７６ ：切削ブレード（第２切削ブレード）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】