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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-07-29
(45)【発行日】2024-08-06
(54)【発明の名称】金属張基板の製造方法および真空成膜装置
(51)【国際特許分類】
C23C 14/56 20060101AFI20240730BHJP
H05K 3/00 20060101ALI20240730BHJP
C25D 7/06 20060101ALI20240730BHJP
B32B 15/08 20060101ALI20240730BHJP
【ＦＩ】
C23C14/56 A
H05K3/00 R
C25D7/06 B
B32B15/08 J
【請求項の数】
3
(21)【出願番号】P 2020124292
(22)【出願日】2020-07-21
(65)【公開番号】P2022020977
(43)【公開日】2022-02-02
【審査請求日】2023-05-22
(73)【特許権者】
【識別番号】000183303
【氏名又は名称】住友金属鉱山株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001704
【氏名又は名称】弁理士法人山内特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】浅川 吉幸
【審査官】安齋 美佐子
(56)【参考文献】
【文献】特開２０２０－０９７７６１（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１８／０２３７９１３（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０２０－０６６７６２（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２３Ｃ １４／００－１４／５８
Ｃ２３Ｃ １６／００－１６／５６
Ｈ０５Ｋ ３／００
Ｃ２５Ｄ ７／０６
Ｂ３２Ｂ １５／０８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ロールツーロールによりベースフィルムを搬送しつつ、真空成膜法により前記ベースフィルムの第１面に第１金属薄膜層を成膜し、前記第１金属薄膜層の表面に粘着フィルムを貼り付けて基板中間品を得る第１真空成膜工程と、ロールツーロールにより前記基板中間品を搬送しつつ、真空成膜法により前記ベースフィルムの第２面に第２金属薄膜層を成膜して金属張基板を得る第２真空成膜工程と、
ロールツーロールにより前記金属張基板を搬送しつつ、前記粘着フィルムを剥離し、電解めっきにより前記金属張基板の両面にめっき被膜を成膜する電解めっき工程と、を備え、
前記粘着フィルムを剥離した後、前記めっき被膜を成膜する前に、大気圧プラズマにより前記第１金属薄膜層の表面に残存する有機物を除去し、
前記粘着フィルムは粘着性を有する樹脂からなる粘着層を有する自己粘着フィルムである
ことを特徴とする金属張基板の製造方法。
【請求項2】
前記第１真空成膜工程および前記第２真空成膜工程は、単一の真空成膜装置内で、連続して行なわれることを特徴とする請求項１記載の金属張基板の製造方法。
【請求項3】
前記第１真空成膜工程では、前記ベースフィルムの巻き出し、および、前記基板中間品の巻き取りを行ない、前記第２真空成膜工程では、前記基板中間品の巻き出し、および、前記金属張基板の巻き取りを行なう
ことを特徴とする請求項１記載の金属張基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、金属張基板の製造方法および真空成膜装置に関する。さらに詳しくは、本発明は、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）などの製造に用いられる金属張基板の製造方法、および金属張基板の製造に用いられる真空成膜装置に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶パネル、ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話などの電子機器には、樹脂フィルムの表面に配線パターンが形成されたフレキシブルプリント配線板が用いられる。フレキシブルプリント配線板は樹脂フィルムの表面を金属層で覆った金属張基板から製造される。金属張基板は真空成膜法により、あるいは真空成膜法と電解めっき法とにより、樹脂フィルムの表面に金属層を成膜することにより得られる（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０２０－０１２１５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
真空成膜法により長尺帯状の樹脂フィルムの両面に金属層を成膜するには、ロールツーロールにより樹脂フィルムを搬送しつつ、樹脂フィルムの第１面に金属層を成膜した後に、第２面に金属層を成膜する。ロールツーロールで搬送される間、樹脂フィルムは多数のロールと接触する。
【0005】
一般に、樹脂フィルムにはフィラーが含まれており、フィラーにより樹脂フィルムの表面には凹凸が形成されている。この凹凸により、樹脂フィルムが帯電してロールに張り付くことを防止できるため、樹脂フィルムの搬送性が向上する。しかし、樹脂フィルムの表面に金属層を成膜した後に、樹脂フィルムの金属層側がロールと接触すると、金属層のうち樹脂フィルムの凸部に成膜された部分が剥がれ、ピンホールになることがある。特に、樹脂フィルムの両面に金属層を成膜する場合には、第１面に成膜された金属層は、第２面に金属層を成膜する間に多数のロールと接触するため、ピンホールが発生しやすい。
【0006】
本発明は上記事情に鑑み、金属層とロールとの接触に起因するピンホールの発生を抑制できる金属張基板の製造方法および真空成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
第１発明の金属張基板の製造方法は、ロールツーロールによりベースフィルムを搬送しつつ、真空成膜法により前記ベースフィルムの第１面に第１金属薄膜層を成膜し、前記第１金属薄膜層の表面に粘着フィルムを貼り付けて基板中間品を得る第１真空成膜工程と、ロールツーロールにより前記基板中間品を搬送しつつ、真空成膜法により前記ベースフィルムの第２面に第２金属薄膜層を成膜して金属張基板を得る第２真空成膜工程と、ロールツーロールにより前記金属張基板を搬送しつつ、前記粘着フィルムを剥離し、電解めっきにより前記金属張基板の両面にめっき被膜を成膜する電解めっき工程と、を備え、前記粘着フィルムを剥離した後、前記めっき被膜を成膜する前に、大気圧プラズマにより前記第１金属薄膜層の表面に残存する有機物を除去し、前記粘着フィルムは粘着性を有する樹脂からなる粘着層を有する自己粘着フィルムであることを特徴とする。
第２発明の金属張基板の製造方法は、第１発明において、前記第１真空成膜工程および前記第２真空成膜工程は、単一の真空成膜装置内で、連続して行なわれることを特徴とする。
第３発明の金属張基板の製造方法は、第１発明において、前記第１真空成膜工程では、前記ベースフィルムの巻き出し、および、前記基板中間品の巻き取りを行ない、前記第２真空成膜工程では、前記基板中間品の巻き出し、および、前記金属張基板の巻き取りを行なうことを特徴とする。
第２発明の金属張基板の製造方法は、第１発明において、前記第１真空成膜工程および前記第２真空成膜工程は、単一の真空成膜装置内で、連続して行なわれることを特徴とする。
第３発明の金属張基板の製造方法は、第１発明において、前記第１真空成膜工程では、前記ベースフィルムの巻き出し、および、前記基板中間品の巻き取りを行ない、前記第２真空成膜工程では、前記基板中間品の巻き出し、および、前記金属張基板の巻き取りを行なうことを特徴とする。
【発明の効果】
【0008】
第１発明によれば、第１金属薄膜層に粘着フィルムを貼り付けた後に第２金属薄膜層を成膜するので、第２金属薄膜層の成膜中に第１金属薄膜層とロールとが直接接触することがない。そのため、第１金属薄膜層とロールとの接触に起因するピンホールの発生を抑制できる。また、粘着層が有機溶媒の含有量が少ない樹脂からなるので、粘着フィルムを真空成膜装置内に配置しても、有機溶剤が揮発することにより粘着層が崩れて飛散することを抑制できる。さらに、粘着フィルムを剥離した後に第１金属薄膜層の表面に残存する有機物を除去するので、有機物が導体層の内部に残留することを抑制できる。
第２発明によれば、両面成膜方式の真空成膜装置を用いて、第１金属薄膜層のピンホールの発生を抑制しつつ、前記ベースフィルムの両面に金属薄膜層を成膜できる。
第３発明によれば、片面成膜方式の真空成膜装置を用いて、第１金属薄膜層のピンホールの発生を抑制しつつ、前記ベースフィルムの両面に金属薄膜層を成膜できる。
第２発明によれば、両面成膜方式の真空成膜装置を用いて、第１金属薄膜層のピンホールの発生を抑制しつつ、前記ベースフィルムの両面に金属薄膜層を成膜できる。
第３発明によれば、片面成膜方式の真空成膜装置を用いて、第１金属薄膜層のピンホールの発生を抑制しつつ、前記ベースフィルムの両面に金属薄膜層を成膜できる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本発明の第１実施形態に係る金属張基板の製造方法における工程図である。
【図2】両面成膜方式の真空成膜装置の説明図である。
【図3】片面成膜方式の真空成膜装置の説明図である。
【図4】片面成膜方式の真空成膜装置の他の例の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
つぎに、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。
〔第１実施形態〕
本発明の第１実施形態に係る金属張基板１０の製造方法は、少なくとも、第１真空成膜工程と、第２真空成膜工程とを有する。第１真空成膜工程と、第２真空成膜工程とをこの順に行なうことで、図１に示すようにベースフィルム１１から金属張基板１０を製造できる。また、必要に応じて、第２真空成膜工程の後に、電解めっき工程を行なう。これにより、導体層が厚膜化された金属張基板１０ｔを製造できる。
〔第１実施形態〕
本発明の第１実施形態に係る金属張基板１０の製造方法は、少なくとも、第１真空成膜工程と、第２真空成膜工程とを有する。第１真空成膜工程と、第２真空成膜工程とをこの順に行なうことで、図１に示すようにベースフィルム１１から金属張基板１０を製造できる。また、必要に応じて、第２真空成膜工程の後に、電解めっき工程を行なう。これにより、導体層が厚膜化された金属張基板１０ｔを製造できる。
【0011】
なお、金属張基板１０はベースフィルム１１の表面を金属層で覆ったものである。金属層の組成は、特に限定されないが、例えば銅である。金属層が銅で形成された金属張基板１０は銅張積層板と称される。
【0012】
（第１真空成膜工程）
第１真空成膜工程はロールツーロールによりベースフィルム１１を搬送しつつ行なわれる。ベースフィルム１１は絶縁性を有する長尺帯状のフィルムである。ベースフィルム１１としてポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの樹脂フィルムを用いることができる。特に限定されないが、ベースフィルム１１の厚さは１０～１００μｍが一般的である。以下、ベースフィルム１１の一方の主面を第１面１１ａと称し、他方の主面を第２面１１ｂと称する（図１の（１）参照）。
第１真空成膜工程はロールツーロールによりベースフィルム１１を搬送しつつ行なわれる。ベースフィルム１１は絶縁性を有する長尺帯状のフィルムである。ベースフィルム１１としてポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの樹脂フィルムを用いることができる。特に限定されないが、ベースフィルム１１の厚さは１０～１００μｍが一般的である。以下、ベースフィルム１１の一方の主面を第１面１１ａと称し、他方の主面を第２面１１ｂと称する（図１の（１）参照）。
【0013】
第１真空成膜工程では、真空成膜法によりベースフィルム１１の第１面１１ａに第１金属薄膜層１２Ａを成膜する。真空成膜法は物理的気相成長法と化学的気相成長法とに分けられる。また、物理的気相成長法は蒸着法とスパッタリング法とに分けられる。これらの中でも、スパッタリング法が好適に用いられる。
【0014】
第１金属薄膜層１２Ａは一種類の金属または合金からなる単一の層でもよいし、異なる種類の金属または合金からなる複数の層を積層したものでもよい。例えば、第１金属薄膜層１２Ａは単一の銅薄膜層でもよい。また、第１金属薄膜層１２Ａはニッケル、クロム、またはニッケルクロム合金からなる下地金属層に、銅薄膜層を積層したものでもよい。この場合、特に限定されないが、下地金属層の厚さは５～５０ｎｍが一般的であり、銅薄膜層の厚さは５０～４００ｎｍが一般的である。
【0015】
また、第１真空成膜工程では、ベースフィルム１１の第１面１１ａに第１金属薄膜層１２Ａを成膜した後に、第１金属薄膜層１２Ａの表面に粘着フィルム２０を貼り付ける。以下、ベースフィルム１１に第１金属薄膜層１２Ａを成膜し、第１金属薄膜層１２Ａに粘着フィルム２０を貼り付けたものを基板中間品１０ｉと称する（図１の（２）参照）。
【0016】
（第２真空成膜工程）
第２真空成膜工程はロールツーロールにより基板中間品１０ｉを搬送しつつ行なわれる。第２真空成膜工程では、真空成膜法によりベースフィルム１１の第２面１１ｂに第２金属薄膜層１２Ｂを成膜する。これにより、ベースフィルム１１の両面に金属薄膜層１２Ａ、１２Ｂが成膜された金属張基板１０が得られる（図１の（３）参照）。なお、第２金属薄膜層１２Ｂの組成、構成および厚さは、第１金属薄膜層１２Ａと同様とすればよい。
第２真空成膜工程はロールツーロールにより基板中間品１０ｉを搬送しつつ行なわれる。第２真空成膜工程では、真空成膜法によりベースフィルム１１の第２面１１ｂに第２金属薄膜層１２Ｂを成膜する。これにより、ベースフィルム１１の両面に金属薄膜層１２Ａ、１２Ｂが成膜された金属張基板１０が得られる（図１の（３）参照）。なお、第２金属薄膜層１２Ｂの組成、構成および厚さは、第１金属薄膜層１２Ａと同様とすればよい。
【0017】
以上のように、第１金属薄膜層１２Ａに粘着フィルム２０を貼り付けた後に第２金属薄膜層１２Ｂを成膜する。そのため、第２金属薄膜層１２Ｂの成膜中に第１金属薄膜層１２Ａと搬送用のロールとが直接接触することがない。これにより、第１金属薄膜層１２Ａとロールとの接触に起因するピンホールの発生を抑制できる。
【0018】
（電解めっき工程）
電解めっき工程は必要に応じて行なわれる。電解めっき工程では、電解めっきにより金属張基板１０の両面にめっき被膜１３を成膜して、導体層が厚膜化された金属張基板１０ｔを得る（図１の（４）参照）。めっき被膜１３の組成は、特に限定されないが、金属張基板１０ｔとして銅張積層板を得る場合には銅である。めっき被膜１３の厚さは、特に限定されないが、１～１２μｍが一般的である。
電解めっき工程は必要に応じて行なわれる。電解めっき工程では、電解めっきにより金属張基板１０の両面にめっき被膜１３を成膜して、導体層が厚膜化された金属張基板１０ｔを得る（図１の（４）参照）。めっき被膜１３の組成は、特に限定されないが、金属張基板１０ｔとして銅張積層板を得る場合には銅である。めっき被膜１３の厚さは、特に限定されないが、１～１２μｍが一般的である。
【0019】
電解めっきはロールツーロールにより金属張基板１０を搬送しつつ行なわれる。ここで、金属張基板１０の搬送経路において、金属張基板１０から粘着フィルム２０を剥離した後に、電解めっきを行なう。
【0020】
金属張基板１０から粘着フィルム２０を剥離すると、粘着フィルム２０の粘着層２２に由来する有機物が第１金属薄膜層１２Ａの表面に残存することがある。有機物が残存したままめっき被膜１３を成膜すると、めっき被膜１３にムラ、変色などの不具合が生じる。
【0021】
そこで、金属張基板１０の搬送経路において、粘着フィルム２０を剥離した後、めっき被膜１３を成膜する前に、大気圧プラズマを第１金属薄膜層１２Ａの表面に照射することが好ましい。大気圧プラズマにより第１金属薄膜層１２Ａの表面に残存する有機物を除去する。これにより、有機物が導体層の内部に残留することを抑制できる。
【0022】
大気圧プラズマの照射には大気圧プラズマ処理装置が用いられる。大気圧プラズマ処理装置は、対向して配置された２つの電極と、電極間に電圧を印加する電源と、電極間にガスを供給するガス供給部とを有する。一般に、電源として中周波電圧（ＭＨｚ）、高周波電圧（ＭＨｚ）またはマイクロ波電圧（ＧＨｚ）を印加できるものが用いられる。電圧を印加した電極間にガスを導入すると、ガスがプラズマ状態となる。プラズマ状態のガスを第１金属薄膜層１２Ａの表面に照射する。
【0023】
プラズマ処理に用いられるプラズマガスとしてＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ2などを用いることができる。第１金属薄膜層１２Ａの表面を洗浄する効果を高めるために、プラズマガスは酸素を含んでも良い。
【0024】
【0025】
真空成膜装置３は、ロールツーロールにより長尺帯状の被成膜品Ｄ１を搬送しつつ、被成膜品Ｄ１に対して真空成膜を行ない、成膜品Ｄ２を製造する装置である。特に、図２に示す真空成膜装置３は、一回の搬送で被成膜品Ｄ１の両面に成膜を行なう両面成膜方式の装置である。なお、本実施形態において、被成膜品Ｄ１はベースフィルム１１であり、成膜品Ｄ２は金属張基板１０である。
【0026】
真空成膜装置３は真空チャンバー３０を有する。真空チャンバー３０の内部には、巻出部３１と、巻取部３５とが配置されている。巻出部３１は被成膜品Ｄ１をロール状に巻回した被成膜品ロールから被成膜品Ｄ１を巻き出す。巻取部３５は成膜品Ｄ２を巻き取って成膜品ロールを形成する。被成膜品Ｄ１は巻出部３１から巻取部３５に向かって搬送される。
【0027】
被成膜品Ｄ１の搬送経路には２つの成膜部３２、３４、すなわち第１成膜部３２および第２成膜部３４が配置されている。第１成膜部３２は被成膜品Ｄ１の第１面（ベースフィルム１１の第１面１１ａ）に第１金属薄膜層１２Ａを成膜する。第２成膜部３４は被成膜品Ｄ１の第２面（ベースフィルム１１の第２面１１ｂ）に第２金属薄膜層１２Ｂを成膜する。
【0028】
スパッタリング装置の場合、各成膜部３２、３４は、被成膜品Ｄ１を冷却するキャンロールと、キャンロールの周囲に設けられた複数のスパッタリングカソードとからなる。各スパッタリングカソードには、キャンロールに対向する面にターゲットが取り付けられている。ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子が被成膜品Ｄ１の表面上に堆積することで成膜が行なわれる。したがって、通常、ターゲットとして、第１、第２金属薄膜層１２Ａ、１２Ｂと同一組成の金属または合金が選択される。
【0029】
被成膜品Ｄ１の搬送経路において、２つの成膜部３２、３４の間にはフィルム貼付部３３が配置されている。フィルム貼付部３３は粘着フィルム２０をロール状に巻回した粘着フィルムロールから粘着フィルム２０を巻き出して、被成膜品Ｄ１に成膜された第１金属薄膜層１２Ａの表面に粘着フィルム２０を貼り付ける。
【0030】
真空チャンバー３０の内部には、被成膜品Ｄ１の搬送経路を画定する各種のロールが設けられている。この種のロールとして、フリーロール、張力センサロール、フィードロールなどが挙げられる。被成膜品Ｄ１はこれらのロールに巻きつけられ、搬送される。
【0031】
以上のように、真空チャンバー３０の内部には、被成膜品Ｄ１の搬送経路に沿って、上流から下流に向かって、巻出部３１、第１成膜部３２、フィルム貼付部３３、第２成膜部３４、および巻取部３５がこの順に配置されている。したがって、被成膜品Ｄ１を一回搬送すれば、第１成膜部３２およびフィルム貼付部３３で第１真空成膜工程を行ない、それに続いて第２成膜部３４で第２真空成膜工程を行なうことができる。つまり、第１真空成膜工程および第２真空成膜工程を、単一の真空成膜装置３内で、連続して行なうことができる。
【0032】
また、フィルム貼付部３３の後に第２成膜部３４が配置されているので、第１金属薄膜層１２Ａの表面に粘着フィルム２０を貼り付けた後に、第２金属薄膜層１２Ｂを成膜することになる。第２金属薄膜層１２Ｂの成膜中に第１金属薄膜層１２Ａとロール（例えば、第２成膜部３４のキャンロール）とが直接接触することがないため、第１金属薄膜層１２Ａとロールとの接触に起因するピンホールの発生を抑制できる。
【0033】
しかも、真空成膜装置３は両面成膜方式の装置であるので、ベースフィルム１１を一回搬送させることで、第１金属薄膜層１２Ａのピンホールの発生を抑制しつつ、ベースフィルム１１の両面に金属薄膜層１２Ａ、１２Ｂを成膜できる。
【0034】
（粘着フィルム）
粘着フィルム２０は第１金属薄膜層１２Ａの表面に貼り付く粘着性を有する。粘着性のないフィルムを第１金属薄膜層１２Ａの表面に重ねただけだと、ベースフィルム１１の搬送中に第１金属薄膜層１２Ａとフィルムとが擦れて第１金属薄膜層１２Ａの表面に傷が生じることがある。これに対して、粘着フィルム２０は第１金属薄膜層１２Ａと擦れることがないため、第１金属薄膜層１２Ａの表面に傷が生じることを抑制できる。
粘着フィルム２０は第１金属薄膜層１２Ａの表面に貼り付く粘着性を有する。粘着性のないフィルムを第１金属薄膜層１２Ａの表面に重ねただけだと、ベースフィルム１１の搬送中に第１金属薄膜層１２Ａとフィルムとが擦れて第１金属薄膜層１２Ａの表面に傷が生じることがある。これに対して、粘着フィルム２０は第１金属薄膜層１２Ａと擦れることがないため、第１金属薄膜層１２Ａの表面に傷が生じることを抑制できる。
【0035】
スパッタリング装置の場合、第２成膜部３４のキャンロールと被成膜品Ｄ１との間にフィルムが介在すると、キャンロールによる被成膜品Ｄ１の冷却効率が低下する。これにより、被成膜品Ｄ１が蓄熱して熱によるシワが生じることがある。しかし、真空中での熱伝達は接触熱伝達が支配的であるため、粘着フィルム２０を用いれば、粘着性のないフィルムを用いる場合に比べて、被成膜品Ｄ１の熱をキャンロールに伝えやすくなる。そのため、粘着フィルム２０を用いれば、被成膜品Ｄ１を十分に冷却でき、シワの発生を抑制できる。
【0036】
粘着フィルム２０の貼り付けは、真空成膜装置３の内部、すなわち真空下で行なわれる。粘着フィルム２０の貼り付けを空気中で行なうと、第１金属薄膜層１２Ａと粘着フィルム２０との間に空気が混入することがある。そうすると、第２金属薄膜層１２Ｂの成膜に不具合が生じる可能性がある。粘着フィルム２０の貼り付けを真空下で行なうことで、このような不具合を防止できる。
【0037】
図１の（２）に示すように、粘着フィルム２０は基層２１と粘着層２２とからなる。基層２１の素材は、特に限定されないが、二軸延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ：Oriented Polypropylene）などが用いられる。粘着フィルム２０としていわゆる自己粘着性を有するフィルムが好ましい。すなわち、粘着層２２は、粘着剤ではなく、粘着性を有する樹脂からなることが好ましい。例えば、特開２００８－６８１５号公報に開示されているように、水添スチレン系エラストマー５０～８０重量％とプロピレン・α－オレフィンランダム共重合体５０～２０重量％とからなる自己粘着層を用いることができる。
【0038】
通常、粘着剤には多くの有機溶媒が含まれている。特に蒸気圧が低い（低分子量の）有機溶媒を含む粘着剤を真空チャンバー３０内に置くと、有機溶媒が揮発して粘着剤がもろくなる。これにより、粘着層が崩れて飛散し、真空チャンバー３０の内部を汚染したり、成膜面に異物が付着して後工程（例えば、電解めっき工程）における不具合の原因となったりする。
【0039】
これに対して、粘着層２２が有機溶媒の含有量が少ない樹脂からなるものであれば、粘着フィルム２０を真空成膜装置３内に配置しても、有機溶剤が揮発することにより粘着層２２が崩れて飛散することを抑制できる。そのため、粘着層２２の飛散に起因する不具合を抑制できる。
【0040】
〔第２実施形態〕
図３に示すような、一回の搬送で被成膜品Ｄ１の片面に成膜を行なう片面成膜方式の真空成膜装置４を用いてもよい。真空成膜装置４は真空チャンバー３０を有する。真空チャンバー３０の内部には、被成膜品Ｄ１の搬送経路に沿って、上流から下流に向かって、巻出部３１、第１成膜部３２、フィルム貼付部３３、および巻取部３５がこの順に配置されている。なお、第２成膜部３４は配置されていない。
図３に示すような、一回の搬送で被成膜品Ｄ１の片面に成膜を行なう片面成膜方式の真空成膜装置４を用いてもよい。真空成膜装置４は真空チャンバー３０を有する。真空チャンバー３０の内部には、被成膜品Ｄ１の搬送経路に沿って、上流から下流に向かって、巻出部３１、第１成膜部３２、フィルム貼付部３３、および巻取部３５がこの順に配置されている。なお、第２成膜部３４は配置されていない。
【0041】
片面成膜方式の真空成膜装置４を用いた場合、第１真空成膜工程および第２真空成膜工程は二段階で行なわれる。すなわち、第１真空成膜工程では、真空成膜装置４に被成膜品Ｄ１としてベースフィルム１１をセットする。そして、ベースフィルム１１の巻き出し、第１金属薄膜層１２Ａの成膜、粘着フィルム２０の貼り付け、基板中間品１０ｉ（成膜品Ｄ２）の巻き取りをこの順に行なう。第１金属薄膜層１２Ａの成膜は第１成膜部３２で行なわれ、粘着フィルム２０の貼り付けはフィルム貼付部３３で行なわれる。
【0042】
そして、基板中間品１０ｉをロール状に巻回した基板中間品ロールを、真空成膜装置４から取り出す（大気圧下に取り出す）。
【0043】
第２真空成膜工程では、真空成膜装置４に被成膜品Ｄ１として基板中間品１０ｉをセットする。そして、基板中間品１０ｉの巻き出し、第２金属薄膜層１２Ｂの成膜、金属張基板１０（成膜品Ｄ２）の巻き取りをこの順に行なう。ここで、第２金属薄膜層１２Ｂの成膜は第１成膜部３２で行なわれる。すなわち、第１真空成膜工程と第２真空成膜工程とで、成膜面を反転させる。また、フィルム貼付部３３は停止しており、粘着フィルム２０の貼り付けは行なわない。
【0044】
第１真空成膜工程では、第１金属薄膜層１２Ａの表面に粘着フィルム２０を貼り付ける。その後の第２真空成膜工程において、第２金属薄膜層１２Ｂの成膜中に第１金属薄膜層１２Ａとロールとが直接接触することがない。そのため、第１金属薄膜層１２Ａとロールとの接触に起因するピンホールの発生を抑制できる。
【0045】
このように、片面成膜方式の真空成膜装置４を用いて、第１金属薄膜層１２Ａのピンホールの発生を抑制しつつ、ベースフィルム１１の両面に金属薄膜層１２Ａ、１２Ｂを成膜できる。
【0046】
粘着フィルム２０の貼り付けは、第１金属薄膜層１２Ａの成膜と基板中間品１０ｉの巻き取りとの間に行なえばよい。ただし、第１金属薄膜層１２Ａとロールとの接触機会を低減するという観点からは、第１金属薄膜層１２Ａの成膜直後に粘着フィルム２０の貼り付けを行なうことが好ましい。したがって、図３に示すように、フィルム貼付部３３は第１成膜部３２の直後に配置することが好ましい。
【0047】
ただし、図４に示すように、真空成膜装置４を、基板中間品１０ｉの巻き取り直前に粘着フィルム２０の貼り付けを行なう構成としてもよい。成膜品Ｄ２は巻き取り時の方が、成膜直後に比べて温度が低く、熱による寸法変化が小さい。そのため、基板中間品１０ｉの巻き取り直前に粘着フィルム２０を貼り付ければ、巻き取り後の粘着フィルム２０に生じる応力が低く抑えられ、巻締まりや巻き姿への影響およびベースフィルム１１と粘着フィルム２０の熱膨張差による擦れの抑制につながる。
【実施例】
【0048】
つぎに、実施例を説明する。
（実施例１）
ベースフィルムとして、厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（カプトン１５０ＥＮＡ、東レ・デュポン製）を用意した。ベースフィルムを両面成膜方式のマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置で、第１金属薄膜層の成膜、粘着フィルムの貼り付け、第２金属薄膜層の成膜を、この順に連続して行なって金属張基板を得た。ここで、第１、第２金属薄膜層の組成を銅とし、それぞれの厚さを１００ｎｍとした。また、粘着フィルムとして自己粘着フィルム（太閤ＦＳＡ、グレード０１０Ｃ、フタムラ化学製）を用いた。
（実施例１）
ベースフィルムとして、厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（カプトン１５０ＥＮＡ、東レ・デュポン製）を用意した。ベースフィルムを両面成膜方式のマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置で、第１金属薄膜層の成膜、粘着フィルムの貼り付け、第２金属薄膜層の成膜を、この順に連続して行なって金属張基板を得た。ここで、第１、第２金属薄膜層の組成を銅とし、それぞれの厚さを１００ｎｍとした。また、粘着フィルムとして自己粘着フィルム（太閤ＦＳＡ、グレード０１０Ｃ、フタムラ化学製）を用いた。
【0049】
大気中に取り出した金属張基板から小片を採取し、粘着フィルムを剥離して、第２面の導体層（第２金属薄膜層）をエッチング液で除去した。導体層が除去され露出したベースフィルム側からハロゲンランプ（照度４,５００ｃｄ、以下同じ。）を照射して、透過光の数をピンホール数として計数した。小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は４個であった。
【0050】
（実施例２）
ベースフィルムとして、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（アピカルＮＰＩ、カネカ製）を用いた。それ以外は実施例１と同様の条件で処理を行なった。その結果、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は６個であった。
ベースフィルムとして、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（アピカルＮＰＩ、カネカ製）を用いた。それ以外は実施例１と同様の条件で処理を行なった。その結果、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は６個であった。
【0051】
（実施例３）
ベースフィルムとして、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（ユーピレックスＳ、宇部興産製）を用いた。それ以外は実施例１と同様の条件で処理を行なった。その結果、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は２個であった。
ベースフィルムとして、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（ユーピレックスＳ、宇部興産製）を用いた。それ以外は実施例１と同様の条件で処理を行なった。その結果、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は２個であった。
【0052】
（実施例４）
実施例１と同様の条件で、ベースフィルムの両面に金属薄膜層を成膜し、金属張基板を得た。その後、金属張基板から粘着フィルムを剥離して、電解めっきにより金属張基板の両面にめっき被膜を成膜した。ここで、めっき被膜の組成を銅とし、厚さを２μｍとした。
実施例１と同様の条件で、ベースフィルムの両面に金属薄膜層を成膜し、金属張基板を得た。その後、金属張基板から粘着フィルムを剥離して、電解めっきにより金属張基板の両面にめっき被膜を成膜した。ここで、めっき被膜の組成を銅とし、厚さを２μｍとした。
【0053】
導体層が厚膜化された金属張基板から小片を採取し、第２面の導体層（第２金属薄膜層およびめっき被膜）をエッチング液で除去した。導体層が除去され露出したベースフィルム側からハロゲンランプを照射して、透過光の数をピンホール数として計数した。小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は６個であった。
【0054】
（実施例５）
ベースフィルムとして、厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（カプトン１５０ＥＮＡ、東レ・デュポン製）を用意した。ベースフィルムを片面成膜方式のマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置で、第１金属薄膜層の成膜、粘着フィルムの貼り付けを、この順に行なって基板中間品を得た。ここで、第１金属薄膜層の組成を銅とし、厚さを１００ｎｍとした。また、粘着フィルムとして自己粘着フィルム（太閤ＦＳＡ、グレード０１０Ｃ、フタムラ化学製）を用いた。
ベースフィルムとして、厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（カプトン１５０ＥＮＡ、東レ・デュポン製）を用意した。ベースフィルムを片面成膜方式のマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置で、第１金属薄膜層の成膜、粘着フィルムの貼り付けを、この順に行なって基板中間品を得た。ここで、第１金属薄膜層の組成を銅とし、厚さを１００ｎｍとした。また、粘着フィルムとして自己粘着フィルム（太閤ＦＳＡ、グレード０１０Ｃ、フタムラ化学製）を用いた。
【0055】
得られた基板中間品をマグネトロンスパッタリング装置から取り出し、被成膜品として再びマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置で第２金属薄膜層の成膜を行なった。ここで、第２金属薄膜層の組成を銅とし、厚さを１００ｎｍとした。
【0056】
大気中に取り出した金属張基板から小片を採取し、粘着フィルムを剥離して、第２面の導体層（第２金属薄膜層）をエッチング液で除去した。導体層が除去され露出したベースフィルム側からハロゲンランプを照射して、透過光の数をピンホール数として計数した。小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は４個であった。
【0057】
（実施例６）
実施例５と同様の条件で、ベースフィルムの両面に金属薄膜層を成膜し、金属張基板を得た。その後、金属張基板から粘着フィルムを剥離して、電解めっきにより金属張基板の両面にめっき被膜を成膜した。ここで、めっき被膜の組成を銅とし、厚さを２μｍとした。
実施例５と同様の条件で、ベースフィルムの両面に金属薄膜層を成膜し、金属張基板を得た。その後、金属張基板から粘着フィルムを剥離して、電解めっきにより金属張基板の両面にめっき被膜を成膜した。ここで、めっき被膜の組成を銅とし、厚さを２μｍとした。
【0058】
導体層が厚膜化された金属張基板から小片を採取し、第２面の導体層（第２金属薄膜層およびめっき被膜）をエッチング液で除去した。導体層が除去され露出したベースフィルム側からハロゲンランプを照射して、透過光の数をピンホール数として計数した。小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は６個であった。
【0059】
（比較例１）
実施例１と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例１と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は５０個であった。
実施例１と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例１と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は５０個であった。
【0060】
（比較例２）
実施例２と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例２と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は１５０個であった。
実施例２と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例２と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は１５０個であった。
【0061】
（比較例３）
実施例３と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例３と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は２５個であった。
実施例３と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例３と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は２５個であった。
【0062】
（比較例４）
実施例４と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例４と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は８０個であった。
実施例４と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例４と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は８０個であった。
【0063】
（比較例５）
実施例５と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例５と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は５０個であった。
実施例５と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例５と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は５０個であった。
【0064】
（比較例６）
実施例６と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例６と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は７０個であった。
実施例６と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例６と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片（面積１０ｃｍ２）に確認された直径５μｍ以上のピンホール数は７０個であった。
【0065】
実施例１～６、比較例１～６の条件およびピンホール数を表１にまとめる。
【表1】
【0066】
表１から明らかなように、粘着フィルムの貼り付けを行なった実施例１～６は、いずれもピンホール数が６個以下である。これに対して、粘着フィルムの貼り付けを行なわなかった比較例１～６は、いずれもピンホール数が２５個以上である。これより、粘着フィルムの貼り付けを行なうことにより、ピンホールの発生を抑制できることが確認できた。また、ベースフィルムの厚さ、マグネトロンスパッタリング装置の方式（両面／片面）、電解めっきの有無によらず、粘着フィルムの貼り付けを行なえば、ピンホールの発生を抑制できることが確認できた。
【符号の説明】
【0067】
１１ ベースフィルム
１０ｉ 基板中間品
１０ 金属張基板
１２Ａ 第１金属薄膜層
１２Ｂ 第２金属薄膜層
１３ めっき被膜
２０ 粘着フィルム
３ 真空成膜装置
３０ 真空チャンバー
３１ 巻出部
３２ 第１成膜部
３３ フィルム貼付部
３４ 第２成膜部
３５ 巻取部
１０ｉ 基板中間品
１０ 金属張基板
１２Ａ 第１金属薄膜層
１２Ｂ 第２金属薄膜層
１３ めっき被膜
２０ 粘着フィルム
３ 真空成膜装置
３０ 真空チャンバー
３１ 巻出部
３２ 第１成膜部
３３ フィルム貼付部
３４ 第２成膜部
３５ 巻取部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
