特許 7530954 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-31

(45)【発行日】2024-08-08

(54)【発明の名称】基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240801BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20240801BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 647Z

H01L21/304 648K

H01L21/304 648G

H01L21/304 643A

H01L21/304 648F

H01L21/30 572B

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2022208155

(22)【出願日】2022-12-26

(62)【分割の表示】P 2020556088の分割

【原出願日】2019-11-05

(65)【公開番号】P2023029455

(43)【公開日】2023-03-03

【審査請求日】2023-01-23

(31)【優先権主張番号】P 2018213548

(32)【優先日】2018-11-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100122507

【弁理士】

【氏名又は名称】柏岡 潤二

(74)【代理人】

【識別番号】100171099

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 茂樹

(74)【代理人】

【識別番号】100153969

【弁理士】

【氏名又は名称】松澤 寿昭

(72)【発明者】

【氏名】天井 勝

(72)【発明者】

【氏名】田中 志信

(72)【発明者】

【氏名】須中 郁雄

(72)【発明者】

【氏名】香川 興司

【審査官】平野 崇

(56)【参考文献】

【文献】特開２００４－２４１７２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－０３５８２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－０３３３００（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－２７３８３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－１３７７９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－２７８６４４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

オゾンガスを供給するように構成されたオゾンガス供給部と、
所定の水素イオン濃度を示す調整液を供給するように構成された調整液供給部と、
前記オゾンガスを前記調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成された溶解部と、
前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバと、
送液ラインを通じて前記オゾン水を前記溶解部から前記少なくとも一つの処理チャンバに送液するように構成された送液部と、
制御部とを備え、
前記少なくとも一つの処理チャンバは、
前記基板を加熱する加熱源と、
前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された複数の処理チャンバとを含み、
前記送液ラインは、前記溶解部から前記複数の処理チャンバのそれぞれに向けて分岐して延びており、
前記送液部は、前記送液ラインを通じて前記オゾン水を前記溶解部から前記複数の処理チャンバのそれぞれに送液するように構成されており、
前記制御部は、前記複数の処理チャンバのうち一の処理チャンバに前記オゾン水が送液されている場合に、前記複数の処理チャンバのうち残余の処理チャンバに前記オゾン水を送液しないように前記送液部を制御する処理をさらに実行するように構成されている、基板処理装置。

【請求項2】

オゾンガスを供給するように構成されたオゾンガス供給部と、
所定の水素イオン濃度を示す調整液を供給するように構成された調整液供給部と、
前記オゾンガスを前記調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成された溶解部と、
前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバと、
送液ラインを通じて前記オゾン水を前記溶解部から前記少なくとも一つの処理チャンバに送液するように構成された送液部と、
アルカリ性溶液を前記送液ラインに供給するように構成されたアルカリ性溶液供給部と、
制御部とを備え、
前記少なくとも一つの処理チャンバは前記基板を加熱する加熱源を含む、基板処理装置。

【請求項3】

前記少なくとも一つの処理チャンバは、前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された複数の処理チャンバを含み、
前記送液ラインは、前記溶解部から前記複数の処理チャンバのそれぞれに向けて分岐して延びており、
前記送液部は、前記送液ラインを通じて前記オゾン水を前記溶解部から前記複数の処理チャンバのそれぞれに送液するように構成されており、
前記制御部は、前記複数の処理チャンバのうち一の処理チャンバに前記オゾン水が送液されている場合に、前記複数の処理チャンバのうち残余の処理チャンバに前記オゾン水を送液しないように前記送液部を制御する処理をさらに実行するように構成されている、請求項２に記載の装置。

【請求項4】

前記制御部は、
前記オゾンガス及び前記調整液をそれぞれ前記溶解部に供給するように前記オゾンガス供給部及び前記調整液供給部を制御して、前記溶解部において前記オゾンガスを前記調整液に溶解させてオゾン水を生成する処理と、
前記基板を加熱するように前記加熱源を制御する処理と、
前記送液ラインを通じて前記オゾン水を前記溶解部から前記少なくとも一つの処理チャンバに送液して、加熱された前記基板に供給するように前記送液部を制御する処理とを実行するように構成されている、請求項１～３のいずれか一項に記載の装置。

【請求項5】

前記送液ラインと接続されており、前記オゾン水を系外に排出するように構成された排液部をさらに備える、請求項１～４のいずれか一項に記載の装置。

【請求項6】

前記制御部は、前記オゾン水が前記少なくとも一つの処理チャンバに送液されない場合に、前記オゾン水を系外に排出するように前記排液部を制御する処理をさらに実行するように構成されている、請求項５に記載の装置。

【請求項7】

オゾンガスと所定の水素イオン濃度を示す調整液とを溶解部に供給し、前記オゾンガスを前記調整液に溶解させることによりオゾン水を生成することと、
前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された複数の処理チャンバのそれぞれに、送液ラインを通じて前記溶解部から前記オゾン水を送液することと、
前記処理チャンバで加熱された基板に前記オゾン水を吐出することとを含み、
前記複数の処理チャンバのそれぞれに前記オゾン水を送液することは、前記複数の処理チャンバのうち一の処理チャンバに前記オゾン水が送液されている場合に、前記複数の処理チャンバのうち残余の処理チャンバに前記オゾン水を送液しないことを含む、基板処理方法。

【請求項8】

オゾンガスと所定の水素イオン濃度を示す調整液とを溶解部に供給し、前記オゾンガスを前記調整液に溶解させることによりオゾン水を生成することと、
前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバに、送液ラインを通じて前記溶解部から前記オゾン水を送液することと、
前記送液ラインにアルカリ性溶液を供給して、前記オゾン水と前記アルカリ性溶液との混合液を生成することと、
前記処理チャンバで加熱された基板に前記混合液を吐出することとを含む、基板処理方法。

【請求項9】

請求項７又は８に記載の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、基板に高濃度オゾン水を供給することにより、基板に付着している付着物（例えば、レジスト膜、汚染物、酸化膜など）を除去する基板処理装置を開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００８－３１１２５６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

高濃度オゾン水のオゾン濃度は短時間で減衰することが知られている。そこで、本開示は、安定したオゾン濃度のオゾン水を基板に供給することが可能な基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

基板処理装置の一例は、オゾンガスを供給するように構成されたオゾンガス供給部と、所定の水素イオン濃度を示す調整液を供給するように構成された調整液供給部と、オゾンガスを調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成された溶解部と、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバと、送液ラインを通じてオゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液するように構成された送液部とを備える。

【発明の効果】

【0006】

本開示に係る基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、安定したオゾン濃度のオゾン水を基板に供給することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、基板処理システムの一例を概略的に示す平面図である。

【図2】図２は、基板処理装置の一例を示す図である。

【図3】図３は、基板処理システムの主要部の一例を示すブロック図である。

【図4】図４は、コントローラのハードウェア構成の一例を示す概略図である。

【図5】図５は、ウエハの処理工程を説明するためのフローチャートである。

【図6】図６は、基板処理装置の他の例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下に、本開示に係る実施形態の一例について、図面を参照しつつより詳細に説明する。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

【0009】

［基板処理システムの構成］
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

【0010】

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

【0011】

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ（以下ウエハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

【0012】

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。

【0013】

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

【0014】

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。

【0015】

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。

【0016】

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

【0017】

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

【0018】

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

【0019】

処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

【0020】

［基板処理装置の構成］
続いて、図２～図４を参照して、基板処理システム１が含む基板処理装置１０の構成を説明する。基板処理装置１０は、ウエハＷにオゾン水を供給して、ウエハＷの表面に付着している付着物を除去する機能を有する。

【0021】

ウエハＷは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。ウエハＷは、一部が切り欠かれた切り欠き部を有していてもよい。切り欠き部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。ウエハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。ウエハＷの直径は、例えば２００ｍｍ～４５０ｍｍ程度であってもよい。

【0022】

基板処理装置１０は、図２に示されるように、複数の処理ユニット１６と、オゾン水供給部１００と、アルカリ性溶液供給部２００と、リンス液供給部３００と、排液部４００と、排気部５００と、制御装置４（制御部１８）とを備える。

【0023】

［処理ユニット］
処理ユニット１６は、処理チャンバ１６ａと、回転保持部１６ｂと、ノズルＮ１，Ｎ２とを含む。処理チャンバ１６ａは、図示しないゲートバルブを介してウエハＷを出し入れ可能に構成されている。回転保持部１６ｂは、ウエハＷを保持して回転するように構成されており、処理チャンバ１６ａ内に配置されている。

【0024】

ノズルＮ１，Ｎ２は、ウエハＷが回転保持部１６ｂに保持されている状態でウエハＷの上方に位置するように、処理チャンバ１６ａ内に配置されている。ノズルＮ１からはオゾン水が吐出される。ノズルＮ２からはリンス液が吐出される。なお、図２では、３つの処理ユニット１６（１６Ａ～１６Ｃ）が並んでいる様子を例示しているが、処理ユニット１６の数は特に限定されない。すなわち、基板処理装置１０は、少なくとも一つの処理ユニット１６を備えていてもよい。

【0025】

［オゾン水供給部］
オゾン水供給部１００は、オゾン水を生成する機能と、生成したオゾン水をウエハＷにノズルＮ１を通じて供給する機能とを有する。オゾン水供給部１００は、オゾンガス供給部１１０と、調整液供給部１２０と、溶解部１３０と、送液部１４０とを含む。

【0026】

オゾンガス供給部１１０は、酸素からオゾンガスを生成するように構成されている。オゾンガス供給部１１０は、配管Ｄ１を介して溶解部１３０に接続されており、生成したオゾンガスを溶解部１３０に供給する。調整液供給部１２０は、液源１２１，１２２と、循環タンク１２３と、ポンプ１２４と、ヒータ１２５と、水素イオン濃度モニタ１２６と、バルブＶ１～Ｖ３とを含む。

【0027】

液源１２１は、酸性溶液を貯留するように構成されている。酸性溶液は、有機酸（例えば、クエン酸、酢酸、炭酸）の溶液であってもよいし、無機酸（例えば、塩酸、硝酸）の溶液であってもよいし、有機酸と無機酸とが混合された溶液であってもよい。有機酸と無機酸（例えば塩酸）とが混合されてなる酸性溶液を用いる場合、レジストの溶解性が高まりうる。液源１２１は、配管Ｄ２を介して循環タンク１２３に接続されており、酸性溶液を循環タンク１２３に供給する。

【0028】

液源１２２は、水（例えば、純水、ＤＩＷ（Deionized Water））を貯留するように構成されている。液源１２２は、配管Ｄ２，Ｄ３を介して循環タンク１２３に接続されており、水を循環タンク１２３に供給する。配管Ｄ３は、配管Ｄ２の中途に接続されていてもよい。この場合、配管Ｄ２，Ｄ３の合流部分において酸性溶液と水とが混合され、調整液が生成される。調整液は、所定の水素イオン濃度を示すように調整される。調整液の水素イオン濃度は、例えば、液源１２１から供給される酸性溶液の流量及び濃度と、液源１２２から供給される水の流量とに基づいて調整されてもよい。調整液の水素イオン濃度は、例えば、ｐＨ１～ｐＨ４程度であってもよい。

【0029】

循環タンク１２３は、調整液を一時的に貯留しつつ、配管Ｄ４を通じて調整液を循環させるように構成されている。調整液が循環タンク１２３及び配管Ｄ４を通じて循環することで、循環の過程で水と酸性溶液とが十分均一に混合されうる。

【0030】

配管Ｄ４は、循環タンク１２３の下部と上部とをつないでいる。配管Ｄ４には、ポンプ１２４と、ヒータ１２５と、水素イオン濃度モニタ１２６と、バルブＶ３とが上流側から順に接続されている。ポンプ１２４は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ４を通じて循環タンク１２３内の調整液を下流側に送液するように構成されている。ヒータ１２５は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、調整液が所定温度（例えば、２２℃～８５℃程度）となるように調整液を加熱するように構成されている。

【0031】

水素イオン濃度モニタ１２６は、配管Ｄ４を流れる調整液の水素イオン濃度のデータを取得するように構成されている。水素イオン濃度モニタ１２６によって取得されたデータは、制御装置４に送信される。

【0032】

バルブＶ１～Ｖ３はそれぞれ、配管Ｄ２～Ｄ４の中途に設けられている。バルブＶ１は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ２を流れる酸性溶液の流量を制御するように構成されている。バルブＶ２は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ３を流れる水の流量を制御するように構成されている。

【0033】

バルブＶ３は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、調整液が配管Ｄ４及び循環タンク１２３を循環する流路と、調整液が循環タンク１２３から配管Ｄ４，Ｄ５を通じて溶解部１３０に送液される流路とを切り替え可能に構成されている。バルブＶ３は、例えば、３方向電磁弁（ソレノイドバルブ）であってもよい。配管Ｄ５は、バルブＶ３と溶解部１３０とを接続している。

【0034】

溶解部１３０は、オゾンガス供給部１１０から供給されたオゾンガスを、調整液供給部１２０から供給された調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成されている。溶解部１３０は、例えば、多孔質膜の１次側にオゾンガスを流し、多孔質膜の２次側に水を流すことで気液を接触させて、オゾンガスを水に溶解させる溶解モジュールであってもよい。

【0035】

送液部１４０は、溶解部１３０において生成されたオゾン水を、各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃ又は排液部４００に送液する機能を有する。送液部１４０は、配管Ｄ６～Ｄ９（送液ライン）と、補助ヒータ１４１と、温度モニタ１４２と、オゾン濃度モニタ１４３と、バルブＶ４～Ｖ６とを含む。

【0036】

配管Ｄ６は、溶解部１３０と排液部４００とを接続するように延びている。配管Ｄ６には、補助ヒータ１４１と、温度モニタ１４２と、オゾン濃度モニタ１４３とが上流側から順に接続されている。補助ヒータ１４１は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、オゾン水が所定温度（例えば、２２℃～８５℃程度）となるようにオゾン水を加熱するように構成されている。温度モニタ１４２は、配管Ｄ６を流れるオゾン水の温度のデータを取得するように構成されている。温度モニタ１４２によって取得されたデータは、制御装置４に送信される。

【0037】

オゾン濃度モニタ１４３は、配管Ｄ６を流れるオゾン水のオゾン濃度のデータを取得するように構成されている。すなわち、オゾン濃度モニタ１４３は、溶解部１３０の下流側におけるオゾン水のオゾン濃度のデータを取得する。オゾン濃度モニタ１４３によって取得されたデータは、制御装置４に送信される。オゾン濃度モニタ１４３は、溶解部１３０からオゾン濃度モニタ１４３までの経路長と、溶解部１３０から各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃまで（各ノズルＮ１まで）の各経路長とが略同等となる位置に設定されてもよい。

【0038】

配管Ｄ７～Ｄ９はそれぞれ、配管Ｄ６の中途から分岐して、各処理ユニット１６Ａ～１６ＣのノズルＮ１に接続されている。配管Ｄ７，Ｄ８はそれぞれ、所定の経路長を確保するための調整部Ｄ７ａ，Ｄ８ａを含んでいてもよい。調整部Ｄ７ａ，Ｄ８ａは、例えば、配管Ｄ７，Ｄ８が部分的に蛇行したものであってもよいし、配管Ｄ７，Ｄ８が部分的に螺旋状に延びたものであってもよい。これらの調整部Ｄ７ａ，Ｄ８ａの存在により、溶解部１３０から各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃまで（各ノズルＮ１まで）の各経路長がいずれも略同等とされてもよい。なお、配管Ｄ９も調整部を含んでいてもよい。

【0039】

バルブＶ４～Ｖ６はそれぞれ、配管Ｄ７～Ｄ９の中途に設けられている。バルブＶ４～Ｖ６は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ７～Ｄ９を流れるオゾン水にアルカリ性溶液供給部２００から供給されるアルカリ調整液を混合するように構成されている。バルブＶ４～Ｖ６は、例えば、混合水栓（ミキシングバルブ）であってもよい。

【0040】

［アルカリ性溶液供給部］
アルカリ性溶液供給部２００は、アルカリ調整液を生成する機能と、生成したアルカリ調整液をウエハＷにノズルＮ１を通じて供給する機能とを有する。アルカリ性溶液供給部２００は、液源２０１，２０２と、循環タンク２０３と、ポンプ２０４と、ヒータ２０５と、水素イオン濃度モニタ２０６と、バルブＶ７，Ｖ８とを含む。

【0041】

液源２０１は、アルカリ性溶液を貯留するように構成されている。アルカリ性溶液は、例えばアンモニア水であってもよい。液源２０１は、配管Ｄ１０を介して循環タンク２０３に接続されており、アルカリ性溶液を循環タンク２０３に供給する。

【0042】

液源２０２は、液源１２２と同様に、水（例えば、純水、ＤＩＷ（Deionized Water））を貯留するように構成されている。液源２０２は、配管Ｄ１０，Ｄ１１を介して循環タンク２０３に接続されており、水を循環タンク２０３に供給する。配管Ｄ１１は、配管Ｄ１０の中途に接続されていてもよい。この場合、配管Ｄ１０，Ｄ１１の合流部分においてアルカリ性溶液と水とが混合され、アルカリ調整液が生成される。アルカリ調整液は、所定の水素イオン濃度を示すように調整される。調整液の水素イオン濃度は、例えば、液源２０１から供給されるアルカリ性溶液の流量及び濃度と、液源１２２から供給される水の流量とに基づいて調整されてもよい。アルカリ調整液の水素イオン濃度は、例えば、ｐＨ９～ｐＨ１３程度であってもよい。

【0043】

循環タンク２０３は、アルカリ調整液を一時的に貯留しつつ、配管Ｄ１２を通じてアルカリ調整液を循環させるように構成されている。アルカリ調整液が循環タンク２０３及び配管Ｄ１２を通じて循環することで、循環の過程で水とアルカリ性溶液とが十分均一に混合されうる。

【0044】

配管Ｄ１２は、循環タンク２０３の下部と上部とをつないでいる。配管Ｄ１２には、ポンプ２０４と、ヒータ２０５と、水素イオン濃度モニタ２０６とが上流側から順に接続されている。ポンプ２０４は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１２を通じて循環タンク２０３内の調整液を下流側に送液するように構成されている。ヒータ２０５は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、アルカリ調整液が所定温度（例えば、２２℃～８５℃程度）となるようにアルカリ調整液を加熱するように構成されている。

【0045】

水素イオン濃度モニタ２０６は、配管Ｄ１２を流れるアルカリ調整液の水素イオン濃度のデータを取得するように構成されている。水素イオン濃度モニタ２０６によって取得されたデータは、制御装置４に送信される。

【0046】

配管Ｄ１２には、その中途からそれぞれ分岐した配管Ｄ１３～Ｄ１５が接続されている。配管Ｄ１２から分岐した配管Ｄ１３は、バルブＶ４に接続されている。配管Ｄ１３の下流側において配管Ｄ１２から分岐した配管Ｄ１４は、バルブＶ５に接続されている。配管Ｄ１４の下流側において配管Ｄ１２から分岐した配管Ｄ１５は、バルブＶ６に接続されている。そのため、アルカリ性溶液供給部２００から供給されるアルカリ調整液は、各バルブＶ４～Ｖ６において、オゾン水供給部１００から供給されるオゾン水と混合される。

【0047】

バルブＶ７，Ｖ８はそれぞれ、配管Ｄ１０，Ｄ１１の中途に設けられている。バルブＶ７は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１０を流れるアルカリ性溶液の流量を制御するように構成されている。バルブＶ８は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１１を流れる水の流量を制御するように構成されている。

【0048】

［リンス液供給部］
リンス液供給部３００は、リンス液をウエハＷにノズルＮ２を通じて供給する機能を有する。リンス液供給部３００は、液源３０１と、ポンプ３０２と、バルブＶ９～Ｖ１１とを含む。液源３０１は、リンス液を貯留するように構成されている。リンス液は、例えば、薬液、基板に付着している付着物などを洗い流すためのものである。リンス液は、水（例えば、純水、ＤＩＷ（Deionized Water））であってもよい。液源３０１は、配管Ｄ１６～Ｄ１９を介して各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃに向けて延びている。配管Ｄ１７～Ｄ１９はそれぞれ、配管Ｄ１６の中途から分岐して、各処理ユニット１６Ａ～１６ＣのノズルＮ２に接続されている。そのため、液源３０１から供給されるリンス液は、各処理ユニット１６Ａ～１６ＣのノズルＮ２に供給される。

【0049】

ポンプ３０２は、配管Ｄ１６の中途に設けられている。ポンプ３０２は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１６を通じてリンス液を下流側に送液するように構成されている。バルブＶ９～Ｖ１１はそれぞれ、配管Ｄ１７～Ｄ１９の中途に設けられている。バルブＶ９～Ｖ１１はそれぞれ、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１７～Ｄ１９を流れるリンス液の流通量を制御するように構成されている。

【0050】

［排液部］
排液部４００は、排液処理ユニット４０１と、バルブＶ１２とを含む。排液処理ユニット４０１は、オゾン水に含まれるオゾンを酸素に分解するように構成されている。オゾンの分解には、例えば、オゾン分解触媒、活性炭などを用いてもよい。排液処理ユニット４０１は、配管Ｄ６によって、溶解部１３０と接続されている。そのため、排液処理ユニット４０１には、配管Ｄ６を通じて、オゾン水供給部１００において生成されたがノズルＮ１に供給されなかったオゾン水が流入する。バルブＶ１２は、配管Ｄ６の中途に設けられている。バルブＶ１２は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１６を流れるオゾン水の流量を制御するように構成されている。

【0051】

排液処理ユニット４０１は、三つに分岐された配管Ｄ２０によって、各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃと接続されている。そのため、排液処理ユニット４０１には、配管Ｄ２０を通じて、各処理ユニット１６Ａ～１６ＣにおいてウエハＷの洗浄処理に供されたオゾン水が流入する。排液処理ユニット４０１による処理済みの液体は、系外に排出される。

【0052】

［排気部］
排気部５００は、排気処理ユニット５０１と、ポンプ５０２とを含む。排気処理ユニット５０１は、オゾンガスを酸素に分解するように構成されている。オゾンの分解には、例えば、オゾン分解触媒、活性炭などを用いてもよい。排気処理ユニット５０１は、三つに分岐された配管Ｄ２１によって、各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃと接続されている。そのため、排気処理ユニット５０１には、配管Ｄ２１を通じて、各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃでの洗浄処理に際して内部に発生したオゾンガスが流入する。排気処理ユニット５０１による処理済みの気体は、系外に排出される。

【0053】

ポンプ５０２は、配管Ｄ２１の中途に設けられている。ポンプ５０２は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ２１を通じてオゾンガスを下流側に送気するように構成されている。

【0054】

［制御装置］
制御装置４は、例えば図３に示されるように、基板処理装置１０を制御するための機能的な構成（機能モジュール）として、水素イオン濃度制御部Ｍ１と、送液制御部Ｍ２と、排液制御部Ｍ３と、排気制御部Ｍ４とを含む。これらの機能モジュールは、制御装置４の制御部１８および記憶部１９の協働により構成される。なお、記憶部１９は、例えば、記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、ウエハＷを処理する際の各種データ（いわゆる処理レシピ）、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データ等を記憶していてもよい。

【0055】

水素イオン濃度制御部Ｍ１は、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度に応じて、調整液供給部１２０において生成される調整液の水素イオン濃度を調節するように、調整液供給部１２０を制御してもよい。ところで、調整液の水素イオン濃度が高いほど（ｐＨが低いほど）、調整液にオゾンガスが溶解しやすいことが知られている。そのため、例えば、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度が所定値よりも低い場合には、水素イオン濃度制御部Ｍ１は、バルブＶ１，Ｖ２に指示して、液源１２１からの酸性溶液の供給量を増やすことと、液源１２２からの水の供給量を減らすこととの少なくとも一方を実行してもよい。例えば、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度が所定値よりも高い場合には、水素イオン濃度制御部Ｍ１は、バルブＶ１，Ｖ２に指示して、液源１２１からの酸性溶液の供給量を減らすことと、液源１２２からの水の供給量を増やすこととの少なくとも一方を実行してもよい。

【0056】

水素イオン濃度制御部Ｍ１は、水素イオン濃度モニタ２０６が取得する水素イオン濃度に応じて、アルカリ性溶液供給部２００において生成されるアルカリ調整液の水素イオン濃度を調節するように、アルカリ性溶液供給部２００を制御してもよい。例えば、オゾン濃度モニタ１４３が取得する水素イオン濃度が所定値よりも高い場合には、水素イオン濃度制御部Ｍ１は、バルブＶ７，Ｖ８に指示して、液源２０１からのアルカリ性溶液の供給量を増やすことと、液源２０２からの水の供給量を減らすこととの少なくとも一方を実行してもよい。例えば、水素イオン濃度モニタ２０６が取得する水素イオン濃度が所定値よりも低い場合には、水素イオン濃度制御部Ｍ１は、バルブＶ７，Ｖ８に指示して、液源２０１からのアルカリ性溶液の供給量を減らすことと、液源２０２からの水の供給量を増やすこととの少なくとも一方を実行してもよい。

【0057】

送液制御部Ｍ２は、循環タンク１２３及び配管Ｄ４を通じた調整液の循環と、調整液の溶解部１３０への供給とを切り替えるように、ポンプ１２４及びバルブＶ３を制御してもよい。送液制御部Ｍ２は、温度モニタ１４２が取得する温度が所定値以上であり、水素イオン濃度モニタ１２６，２０６が取得する水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度が所定値以上であるときに、溶解部１３０において生成されたオゾン水を処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの少なくとも一つに送液するように、ポンプ１２４及びバルブＶ３～Ｖ６を制御してもよい。このとき、送液制御部Ｍ２は、アルカリ性溶液供給部２００において生成されたアルカリ調整液がオゾン水に混合されるように、バルブＶ３～Ｖ６を制御してもよい。送液制御部Ｍ２は、処理ユニット１６Ａ～１６Ｃのいずれか一つにオゾン水が送液されている場合に、処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの残余にオゾン水を送液しないように、バルブＶ３～Ｖ６を制御してもよい。送液制御部Ｍ２は、液源３０１のリンス液を処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの少なくとも一つに送液するように、バルブＶ９～Ｖ１１を制御してもよい。

【0058】

排液制御部Ｍ３は、オゾン水が処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの少なくとも一つに送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するようにバルブＶ１２を制御してもよい。排液制御部Ｍ３は、温度モニタ１４２が取得する温度が所定値未満であり、水素イオン濃度モニタ１２６，２０６が取得する水素イオン濃度が所定値未満であり、又は、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度が所定値未満であるときに、溶解部１３０において生成されたオゾン水を系外に排出するようにバルブＶ１２を制御してもよい。あるいは、排液制御部Ｍ３は、オゾン水が処理ユニット１６Ａ～１６Ｃのいずれにも送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するようにバルブＶ１２を制御してもよい。

【0059】

排気制御部Ｍ４は、処理ユニット１６Ａ～１６Ｃ内の気体を吸引して系外に排出するようにポンプ５０２を制御してもよい。

【0060】

制御装置４のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。制御装置４は、ハードウェア上の構成として、例えば図４に示される回路４Ａを有する。回路４Ａは、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路４Ａは、具体的には、プロセッサ４Ｂと、メモリ４Ｃ（記憶部）と、ストレージ４Ｄ（記憶部）と、入出力ポート４Ｅとを有する。プロセッサ４Ｂは、メモリ４Ｃ及びストレージ４Ｄの少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポート４Ｅを介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート４Ｅは、プロセッサ４Ｂ、メモリ４Ｃ及びストレージ４Ｄと、基板処理装置１０の各部との間で、信号の入出力を行う。

【0061】

基板処理装置１０は、例えば、一つの制御装置４を備えていてもよいし、複数の制御装置４で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理装置１０がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つの制御装置４によって実現されていてもよいし、２個以上の制御装置４の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置４が複数のコンピュータ（回路４Ａ）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路４Ａ）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路４Ａ）の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置４は、複数のプロセッサ４Ｂを有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つ又は複数のプロセッサ４Ｂによって実現されていてもよい。

【0062】

［基板処理方法］
続いて、図５を参照して、ウエハＷの洗浄処理方法（基板処理方法）について説明する。まず、ウエハＷを洗浄処理するための準備処理を行う（ステップＳ１参照）。準備処理では、送液制御部Ｍ２及び排液制御部Ｍ３が、水素イオン濃度モニタ１２６、温度モニタ１４２及びオゾン濃度モニタ１４３から入力されるデータに基づいて、ポンプ１２４及びバルブＶ１２を制御する。

【0063】

例えば、送液制御部Ｍ２及び排液制御部Ｍ３は、温度モニタ１４２及びオゾン濃度モニタ１４３が取得するデータのいずれもが所定値以上であるか否かを判断する。その結果、水素イオン濃度モニタ１２６、温度モニタ１４２及びオゾン濃度モニタ１４３が取得するデータのいずれかが所定値未満である場合には、オゾン水を処理ユニット１６Ａ～１６Ｃに送液せず系外に排出するように、送液制御部Ｍ２がバルブＶ４～Ｖ６を閉鎖すると共に、排液制御部Ｍ３がバルブＶ１２を開放する。

【0064】

水素イオン濃度モニタ１２６のデータが所定値未満である場合には、調整液の水素イオン濃度が所定値以上となるように、水素イオン濃度制御部Ｍ１がバルブＶ１，Ｖ２を制御してもよい。温度モニタ１４２のデータが所定値未満である場合には、調整液の温度が所定値以上となるように、制御装置４がヒータ１２５を制御してもよい。オゾン濃度モニタ１４３のデータが所定値未満である場合には、オゾン水のオゾン濃度が所定値以上となるように、水素イオン濃度制御部Ｍ１がバルブＶ１，Ｖ２を制御してもよい。

【0065】

一方、水素イオン濃度モニタ１２６、温度モニタ１４２及びオゾン濃度モニタ１４３が取得するデータのいずれもが所定値以上である場合には、送液制御部Ｍ２及び排液制御部Ｍ３は、ウエハＷを洗浄処理するための準備が整ったものと判断する（準備処理完了）。

【0066】

準備処理が完了すると、次に、ウエハＷの搬送処理を行う（ステップＳ２参照）。例えば、キャリアＣ内の一つのウエハＷを処理ユニット１６Ａに搬送するように、制御装置４が基板搬送装置１３，１７を制御する。これにより、処理ユニット１６Ａ内において、ウエハＷが回転保持部１６ｂに保持される。

【0067】

処理ユニット１６ＡへのウエハＷの搬送処理が完了すると、次に、処理ユニット１６Ａへのオゾン水の供給処理を行う（ステップＳ３参照）。例えば、オゾン水を処理ユニット１６Ａに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ４を開放し且つバルブＶ５，Ｖ６を閉鎖すると共に、排液制御部Ｍ３がバルブＶ１２を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ａ内のウエハＷにノズルＮ１からオゾン水が供給され、オゾン水によるウエハＷの洗浄処理が行われる。

【0068】

処理ユニット１６Ａへのオゾン水の供給処理と並行して、ウエハＷの搬送処理を行う（ステップＳ３参照）。例えば、キャリアＣ内の一つのウエハＷを処理ユニット１６Ｂに搬送するように、制御装置４が基板搬送装置１３，１７を制御する。これにより、処理ユニット１６Ｂ内において、ウエハＷが回転保持部１６ｂに保持される。

【0069】

処理ユニット１６Ａへのオゾン水の供給処理が完了すると、次に、処理ユニット１６Ａへのリンス液の供給処理を行う（ステップＳ４参照）。例えば、リンス液を処理ユニット１６Ａに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ９を開放し且つバルブＶ１０，Ｖ１１を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ａ内のウエハＷにノズルＮ２からリンス液が供給され、リンス液によるウエハＷのリンス処理が行われる。リンス処理されたウエハＷは、例えば、基板搬送装置１３，１７によってキャリアＣ内に戻されてもよい。

【0070】

処理ユニット１６Ａへのリンス液の供給処理と並行して、処理ユニット１６Ｂへのオゾン水の供給処理を行う（ステップＳ４参照）。例えば、オゾン水を処理ユニット１６Ｂに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ５を開放し且つバルブＶ４，Ｖ６を閉鎖すると共に、排液制御部Ｍ３がバルブＶ１２を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ｂ内のウエハＷにノズルＮ１からオゾン水が供給され、オゾン水によるウエハＷの洗浄処理が行われる。なお、処理ユニット１６Ｂへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット１６Ａ内へのオゾン水が停止された後に行われてもよいし、処理ユニット１６Ａへのリンス液の供給処理が開始された以後に行われてもよい。

【0071】

処理ユニット１６Ａへのリンス液の供給処理と並行して、ウエハＷの搬送処理を行う（ステップＳ４参照）。例えば、キャリアＣ内の一つのウエハＷを処理ユニット１６Ｃに搬送するように、制御装置４が基板搬送装置１３，１７を制御する。これにより、処理ユニット１６Ｃ内において、ウエハＷが回転保持部１６ｂに保持される。

【0072】

処理ユニット１６Ｂへのオゾン水の供給処理が完了すると、次に、処理ユニット１６Ｂへのリンス液の供給処理を行う（ステップＳ５参照）。例えば、リンス液を処理ユニット１６Ｂに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ１０を開放し且つバルブＶ９，Ｖ１１を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ｂ内のウエハＷにノズルＮ２からリンス液が供給され、リンス液によるウエハＷのリンス処理が行われる。リンス処理されたウエハＷは、例えば、基板搬送装置１３，１７によってキャリアＣ内に戻されてもよい。

【0073】

処理ユニット１６Ｂへのリンス液の供給処理と並行して、処理ユニット１６Ｃへのオゾン水の供給処理を行う（ステップＳ５参照）。例えば、オゾン水を処理ユニット１６Ｃに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ６を開放し且つバルブＶ４，Ｖ５を閉鎖すると共に、排液制御部Ｍ３がバルブＶ１２を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ｃ内のウエハＷにノズルＮ１からオゾン水が供給され、オゾン水によるウエハＷの洗浄処理が行われる。なお、処理ユニット１６Ｃへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット１６Ｂ内へのオゾン水が停止された後に行われてもよいし、処理ユニット１６Ｂへのリンス液の供給処理が開始された以後に行われてもよい。

【0074】

処理ユニット１６Ｃへのオゾン水の供給処理が完了すると、次に、処理ユニット１６Ｃへのリンス液の供給処理を行う（ステップＳ６参照）。例えば、リンス液を処理ユニット１６Ｃに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ１１を開放し且つバルブＶ９，Ｖ１０を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ｃ内のウエハＷにノズルＮ２からリンス液が供給され、リンス液によるウエハＷのリンス処理が行われる。リンス処理されたウエハＷは、例えば、基板搬送装置１３，１７によってキャリアＣ内に戻されてもよい。

【0075】

［作用］
以上の例によれば、オゾン水の処理ユニット１６への供給直前に溶解部１３０においてオゾン水が生成される。そのため、オゾン水のオゾン濃度が大きく減衰してしまう前に、オゾン水が処理ユニット１６に供給される。従って、安定したオゾン濃度のオゾン水をウエハＷに供給することが可能となる。

【0076】

以上の例によれば、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度に応じて、調整液供給部１２０において生成される調整液の水素イオン濃度が調節される。そのため、オゾン水のオゾン濃度を適切な値に保つことが可能となる。

【0077】

ところで、オゾン水のオゾン濃度は、溶解部１３０においてオゾン水が生成された直後から減衰しはじめる。そこで、以上の例によれば、溶解部１３０からオゾン濃度モニタ１４３までの経路長は、溶解部１３０から各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃまでの経路長と略同等とされうる。この場合、各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃに供給されるときのオゾン水のオゾン濃度を、オゾン濃度モニタ１４３によって間接的に取得することができる。従って、オゾン水によるウエハＷの洗浄処理をより精度よく行うことが可能となる。

【0078】

以上の例によれば、溶解部１３０から各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃまでの経路長は略同等とされうる。そのため、オゾン水が溶解部１３０から各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃに到達するまでのオゾン濃度の減衰量が略同等となる。したがって、いずれの処理ユニット１６でウエハＷを洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。

【0079】

以上の例によれば、調整液供給部は調整液を循環させるように構成されている。そのため、調整液が循環する過程で水と酸性溶液とが十分均一に混合される。したがって、溶解部１３０においてオゾンガスを調整液に安定して溶解させることが可能となる。

【0080】

以上の例によれば、アルカリ性溶液供給部２００が、バルブＶ４～Ｖ６を介してアルカリ調整液を配管Ｄ７～Ｄ９に供給しうる。この場合、オゾンガスの調整液への溶解性を低めるアルカリ性溶液が、オゾン水の生成後にオゾン水に混合される。そのため、オゾン水のオゾン濃度の低下を抑制しつつ、ウエハＷに付着している付着物をアルカリ成分によっても除去することが可能となる。

【0081】

以上の例によれば、水素イオン濃度モニタ１２６、温度モニタ１４２及びオゾン濃度モニタ１４３が取得するデータのいずれもが所定値以上である場合に、送液制御部Ｍ２及び排液制御部Ｍ３は、溶解部１３０において生成されたオゾン水を処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの少なくとも一つに送液するように、ポンプ１２４及びバルブＶ３～Ｖ６を制御しうる。この場合、処理ユニット１６に供給されるオゾン水のオゾン濃度が、安定的に所定値以上に維持される。そのため、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。

【0082】

以上の例によれば、処理ユニット１６Ｂへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット１６Ａ内へのオゾン水が停止された後に行われ、処理ユニット１６Ｃへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット１６Ｂ内へのオゾン水が停止された後に行われうる。すなわち、処理ユニット１６Ａ～１６Ｃのうちいずれか一つにオゾン水が送液されている場合に、処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの残余にはオゾン水が送液されない。この場合、オゾン水によるウエハＷの洗浄処理が各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃにおいて同時に行われない。そのため、安定したオゾン濃度のオゾン水が各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃに供給される。従って、いずれの処理ユニット１６Ａ～１６ＣでウエハＷを洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。

【0083】

以上の例によれば、排液制御部Ｍ３は、オゾン水が処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの少なくとも一つに送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するようにバルブＶ１２を制御しうる。この場合、オゾン水が配管Ｄ６～Ｄ９（送液ライン）に滞留し難くなるので、オゾン水のオゾン濃度をより安定化させることが可能となる。

【0084】

［変形例］
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。

【0085】

（１）図６に示されるように、調整液供給部１２０は、循環タンク１２３等を含んでおらず、液源１２１からの酸性溶液と液源１２２からの水とが混合された調整液を循環させることなく直ちに溶解部１３０に供給してもよい。この場合、液源１２１，１２２はそれぞれ、配管Ｄ２，Ｄ３を介してバルブＶ１３に接続されていてもよい。配管Ｄ２にはバルブＶ１が設けられていてもよい。配管Ｄ３にはバルブＶ２とヒータ１２５とが上流側からこの順に設けられていてもよい。バルブＶ１３は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ２を流れる酸性溶液と配管Ｄ３を流れる水とを混合するように構成されていてもよい。バルブＶ１３は、例えば、混合水栓（ミキシングバルブ）であってもよい。

【0086】

（２）溶解部１３０は、複数の溶解モジュールが直列に接続されたものであってもよい。この場合、上流側の溶解モジュールにおいて調整液に溶解しなかったオゾンガスを下流側の溶解モジュールに供給して調整液にさらに溶解させることができる。そのため、より高いオゾン濃度のオゾン水を生成することが可能となる。溶解部１３０は、複数の溶解モジュールが並列に接続されたものであってもよい。この場合、溶解モジュールで生成されるオゾン水の流量を増やすことが可能となる。

【0087】

（３）オゾン水の温度が高いほど、オゾンとウエハＷの表面に付着している付着物との反応性が高まる傾向にある一方で、オゾン水に溶存しているオゾンが気体となって放散してしまいオゾン水のオゾン濃度が低下する傾向にある。そこで、処理ユニット１６は、ノズルＮ１から吐出されたオゾン水をウエハＷの直上において加熱するように構成された加熱源をさらに含んでいてもよい。この場合、ウエハＷへの吐出の直前まではオゾン水の温度が相対的に低いので、高濃度のオゾン水をウエハＷに供給することができる。また、ノズルＮ１から吐出されたオゾン水がウエハＷの直上において加熱されることで、オゾン水からのオゾンガスの放散を最小限に抑えつつ、ウエハＷの付着物に対するオゾンの反応性を高めることができる。従って、ウエハＷに付着している付着物を極めて効果的に除去することが可能となる。

【0088】

加熱源は、例えば、ウエハＷを裏面側から加熱するヒータであってもよいし、ウエハＷの裏面に高温の温水又は蒸気を吹き付ける加熱流体供給機構であってもよい。これらの場合、処理ユニット１６内において、ウエハＷが回転保持部１６ｂに吸着保持されていてもよいし、ウエハＷの周縁が物理的に保持されてもよい（いわゆる、メカニカルチャックによってウエハＷが保持されてもよい）。

【0089】

加熱源は、例えば、電磁誘導によって加熱される被加熱体であってもよい。この場合、処理ユニット１６内において、ウエハＷは被加熱体に支持される。

【0090】

加熱源は、例えば、ノズルＮ１に供給される直前のオゾン水を高速昇温するように構成されたヒータであってもよい。

【0091】

処理ユニット１６は、複数のウエハＷを一つの処理槽において同時に処理するバッチ式のチャンバであってもよい。この場合、加熱源は、処理槽に供給される直前のオゾン水を高速昇温するように構成されたヒータであってもよい。

【0092】

（４）処理ユニット１６は、紫外線等のエネルギー線を照射するように構成された照射部をさらに含んでいてもよい。制御装置４はオゾン水によるウエハＷの洗浄処理中にウエハＷに対してエネルギー線を照射するように、照射部を制御するようにしてもよい。この場合、ウエハＷの表面に付着している付着物をより効果的に除去することが可能となる。

【0093】

（５）全ての処理ユニット１６においてウエハＷの洗浄処理が当面行われないような場合（洗浄処理が終了してから所定時間以上が経過する場合）には、排液部４００を介してオゾン水を系外に排液することに代えて、オゾン水供給部１００におけるオゾン水の生成を停止してもよい。

【0094】

［例示］
例１．基板処理装置の一例は、オゾンガスを供給するように構成されたオゾンガス供給部と、所定の水素イオン濃度を示す調整液を供給するように構成された調整液供給部と、オゾンガスを調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成された溶解部と、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバと、送液ラインを通じてオゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液するように構成された送液部とを備える。この場合、オゾン水の処理チャンバへの供給直前に溶解部においてオゾン水が生成される。そのため、オゾン水のオゾン濃度が大きく減衰してしまう前に、オゾン水が処理チャンバに供給される。従って、安定したオゾン濃度のオゾン水を基板に供給することが可能となる。

【0095】

例２．例１の装置は、送液ラインと接続されており、オゾン水を系外に排出するように構成された排液部をさらに備えていてもよい。この場合、溶解部においてオゾン水を継続的に生成しておき、オゾン水による基板の洗浄処理を行わない場合には排液部からオゾン水を排出することができる。そのため、オゾン水が送液ラインに滞留し難くなるので、オゾン水のオゾン濃度をより安定化させることが可能となる。

【0096】

例３．例１又は例２の装置は、送液ラインに設けられており、溶解部の下流側におけるオゾン水のオゾン濃度を取得するように構成されたオゾン濃度モニタをさらに備えていてもよい。

【0097】

例４．例３の装置は、オゾン濃度モニタが取得するオゾン濃度に応じて、調整液供給部において生成される調整液の水素イオン濃度を調節するように、調整液供給部を制御する処理を実行する制御部をさらに備えていてもよい。ところで、調整液の水素イオン濃度が高いほど（ｐＨが小さいほど）オゾンガスが当該調整液に溶解しやすく、調整液の水素イオン濃度が低いほど（ｐＨが大きいほど）オゾンガスが当該調整液に溶解しにくい傾向にある。そのため、オゾン濃度モニタが取得したオゾン濃度に応じて調整液の水素イオン濃度を調節するようフィードバック制御することで、オゾン水のオゾン濃度を適切な値に保つことが可能となる。

【0098】

例５．例３又は例４の装置において、溶解部からオゾン濃度モニタまでの送液ラインの経路長は、溶解部から少なくとも一つの処理チャンバまでの送液ラインの経路長と略同等であってもよい。オゾン水のオゾン濃度は、溶解部においてオゾン水が生成された直後から減衰しはじめる。そのため、溶解部から少なくとも一つの処理チャンバまでの送液ラインの経路長と同等の位置にオゾン濃度モニタを設けておくことにより、少なくとも一つの処理チャンバに供給されるときのオゾン水のオゾン濃度を間接的に取得することができる。従って、オゾン水による基板の洗浄処理をより精度よく行うことが可能となる。

【0099】

例６．例１～例５のいずれかの装置において、少なくとも一つの処理チャンバは、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された第１及び第２の処理チャンバを含み、送液ラインは、溶解部から第１の処理チャンバと第２の処理チャンバとのそれぞれに向けて分岐して延びており、送液ラインのうち溶解部から第１の処理チャンバまでの経路長は、送液ラインのうち溶解部から第２の処理チャンバまでの経路長と略同等であってもよい。この場合、オゾン水が溶解部から第１の処理チャンバに到達するまでのオゾン濃度の減衰量と、オゾン水が溶解部から第２の処理チャンバに到達するまでのオゾン濃度の減衰量とが略同等となる。そのため、第１及び第２の処理チャンバのどちらで基板を洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。

【0100】

例７．例１～例６のいずれかの装置において、調整液供給部は、水と酸性溶液とを混合して調整液を生成するように構成されていてもよい。

【0101】

例８．例７の装置において、調整液供給部は調整液を循環させるように構成されていてもよい。この場合、調整液が循環する過程で水と酸性溶液とが十分均一に混合される。そのため、溶解部においてオゾンガスを調整液に安定して溶解させることが可能となる。

【0102】

例９．例１～例８のいずれかの装置は、アルカリ性溶液を送液ラインに供給するように構成されたアルカリ性溶液供給部をさらに備えていてもよい。この場合、オゾンガスの調整液への溶解性を低めるアルカリ性溶液が、オゾン水の生成後にオゾン水に混合される。そのため、オゾン水のオゾン濃度の低下を抑制しつつ、基板に付着している付着物をアルカリ成分によっても除去することが可能となる。

【0103】

例１０．例１～例９のいずれかの装置は、調整液又はオゾン水の温度を取得するように構成された温度モニタと、調整液の水素イオン濃度を取得するように構成された水素イオン濃度モニタと、オゾン水のオゾン濃度を取得するように構成されたオゾン濃度モニタと、温度モニタが取得する温度が所定値以上であり、水素イオン濃度が取得する水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、オゾン濃度モニタが取得するオゾン濃度が所定値以上であるときに、オゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液するように送液部を制御する処理を実行する制御部とをさらに備えていてもよい。この場合、少なくとも一つの処理チャンバに供給されるオゾン水のオゾン濃度が、安定的に所定値以上に維持される。そのため、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。

【0104】

例１１．例１～例１０のいずれかの装置は、制御部をさらに備え、少なくとも一つの処理チャンバは、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された複数の処理チャンバを含み、送液ラインは、溶解部から複数の処理チャンバのそれぞれに向けて分岐して延びており、送液部は、送液ラインを通じてオゾン水を溶解部から複数の処理チャンバのそれぞれに送液するように構成されており、制御部は、複数の処理チャンバのうち一の処理チャンバにオゾン水が送液されている場合に、複数の処理チャンバのうち残余の処理チャンバにオゾン水を送液しないように送液部を制御する処理を実行してもよい。この場合、オゾン水による基板の洗浄処理が各チャンバにおいて同時に行われない。そのため、安定したオゾン濃度のオゾン水が各チャンバに供給される。従って、いずれの処理チャンバで基板を洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。

【0105】

例１２．例１～例１１のいずれかの装置は、送液ラインに設けられており、オゾン水を系外に排出するように構成された排液部と、オゾン水が少なくとも一つの処理チャンバに送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するように排液部を制御する処理を実行する制御部とをさらに備えていてもよい。この場合、オゾン水が送液ラインに滞留し難くなるので、オゾン水のオゾン濃度をより安定化させることが可能となる。

【0106】

例１３．基板処理方法の一例は、オゾンガスと所定の水素イオン濃度を示す調整液とを溶解部に供給し、オゾンガスを調整液に溶解させることによりオゾン水を生成することと、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバに、送液ラインを通じて溶解部からオゾン水を送液することとを含む。この場合、例１の装置と同様の作用効果を奏する。

【0107】

例１４．例１３の方法は、送液ラインを流れるオゾン水のオゾン濃度に応じて調整液の水素イオン濃度を調節することをさらに含んでいてもよい。この場合、例４の装置と同様の作用効果を奏する。

【0108】

例１５．例１３又は例１４の方法において、オゾン水を送液することは、調整液又はオゾン水の温度が所定値以上であり、調整液の水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、オゾン水のオゾン濃度が所定値以上であるときに、オゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液することを含んでいてもよい。この場合、例１０の装置と同様の作用効果を奏する。

【0109】

例１６．例１３～例１５のいずれかの方法において、少なくとも一つの処理チャンバは、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された複数の処理チャンバを含み、オゾン水を送液することは、複数の処理チャンバのうち一の処理チャンバにオゾン水が送液している場合に、複数の処理チャンバのうち残余の処理チャンバにオゾン水を送液しないことを含んでいてもよい。この場合、例１１の装置と同様の作用効果を奏する。

【0110】

例１７．例１３～例１６のいずれかの方法は、オゾン水が少なくとも一つの処理チャンバに送液されていない場合に、オゾン水を系外に排出することをさらに含んでいてもよい。この場合、例１２の装置と同様の作用効果を奏する。

【0111】

例１８．コンピュータ読み取り可能な記録媒体の一例は、例１３～例１７のいずれかの基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録している。この場合、例１３～例１７のいずれかの方法と同様の作用効果を奏する。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）であってもよいし、伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）であってもよい。

【符号の説明】

【0112】

１…基板処理システム、３…処理ステーション、４…制御装置、１０…基板処理装置、１６…処理ユニット、１８…制御部、１００…オゾン水供給部、１１０…オゾンガス供給部、１２０…調整液供給部、１２６…水素イオン濃度モニタ、１３０…溶解部、１４０…送液部、１４２…温度モニタ、１４３…オゾン濃度モニタ、２００…アルカリ性溶液供給部、３００…リンス液供給部、４００…排液部、５００…排気部、Ｄ６～Ｄ９…配管（送液ライン）、ＲＭ…記録媒体。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】