発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明のシリコンウェーハの製造方法により、主表面Ａと主表面Ｂとに異なる度合いのダメージを与えることができ、その結果、シリコンウェーハに反りを与えることができる。また、本発明のシリコンウェーハの製造方法では、シリコンウェーハに大きな反りを発生させることができる。このようにして製造されたシリコンウェーハは、例えば、エピタキシャルウェーハの製造において、エピタキシャル成長により発生する反りを打ち消すように用いることにより、エピタキシャルウェーハにおける反りを低減することができる。本発明のシリコンウェーハの製造方法により製造されたシリコンウェーハは反りが例えばＢｏｗの絶対値で１０μｍ以上と大きな値とすることができるので、ヘテロエピタキシャル成長を行うような大きな反りを伴う操作を行う場合であっても、反りを打ち消すように本発明の製造方法によって製造したシリコンウェーハを使用することができる。