特許 7533855 基板固定装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-05

(45)【発行日】2024-08-14

(54)【発明の名称】基板固定装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240806BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240806BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/302 101G

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2020014638

(22)【出願日】2020-01-31

(65)【公開番号】P2021122033

(43)【公開日】2021-08-26

【審査請求日】2022-10-03

(73)【特許権者】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】栗林 明宏

(72)【発明者】

【氏名】西川 里駆

【審査官】宮久保 博幸

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１８／００６１６８４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１５／００７０８１４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開昭６０－１２６８２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１７－５２２７３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１７－５２７９８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１２８２００（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１５／０２９４６６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１５－０８４３５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１５７２３４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

静電電極が内蔵された基体に吸着対象物を載置し、前記吸着対象物を吸着保持する静電チャックと、前記静電チャックが搭載されたベースプレートと、を有する基板固定装置であって、
前記基体はセラミックス製であり、
前記ベースプレートには、前記基体の前記ベースプレート側の面を露出する複数の貫通孔が形成され、
各々の前記貫通孔に、レーザ光が伝搬する光ファイバーが配置され、
前記基体の前記ベースプレート側の面には、前記貫通孔と連通する凹部が設けられ、
前記凹部の底面及び側面には、前記基体を構成するセラミックスが露出し、
前記凹部の底面及び側面に露出するセラミックスに、前記光ファイバーを伝搬する前記レーザ光が照射される基板固定装置。

【請求項2】

前記基体には、独立に温度制御可能な複数の領域が画定され、
前記ベースプレートにおいて、各々の前記領域に対応する位置には、前記光ファイバーが少なくとも１つ配置される請求項１に記載の基板固定装置。

【請求項3】

前記基体はアルミナを主成分とし、前記レーザ光の波長帯域は赤外域である請求項１又は２に記載の基板固定装置。

【請求項4】

前記静電チャックは、接着層を介して、前記ベースプレートの一方の面に搭載され、
前記貫通孔は、前記ベースプレートから前記接着層に連通し、
前記光ファイバーの先端は、前記貫通孔の前記ベースプレートに形成された部分に位置している請求項１乃至３の何れか一項に記載の基板固定装置。

【請求項5】

前記基体は、外部から電圧を印加することで発熱する発熱体を内蔵している請求項１乃至４の何れか一項に記載の基板固定装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板固定装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体装置を製造する際に使用される成膜装置やプラズマエッチング装置は、ウェハを真空の処理室内に精度良く保持するためのステージを有する。このようなステージとして、例えば、ベースプレートに搭載された静電チャックによりウェハを吸着保持する基板固定装置が提案されている。

【0003】

基板固定装置の一例として、ウェハの温度調節をするための発熱体を設けた構造のものが挙げられる。この基板固定装置では、例えば、発熱体として抵抗体を静電チャックに内蔵させ、抵抗体に電力を付加することで加熱する方法や、発熱体として発光ダイオードを用い、発光ダイオードを固定数の行及び列を有する規則的アレイとして配列したり、外側の同心円が内側の同心円より多数の発光ダイオードを有するように円の直径に関連させて配列したりすることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特表２０１８－５２５８１３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、基板固定装置において複数の領域を独立に温度制御するためには、制御用の多数の電線等を静電チャックの外部に引き出す必要がある。又、静電チャックの外部に引き出された電線等は、ベースプレートに形成された貫通孔を通して外部に引き出す必要があるため、電線等が増えると貫通孔も増える。つまり、電線等の多数化によりベースプレートにおける貫通孔の専有面積が大きくなり、ベースプレートの設計自由度が低下する。

【0006】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、複数の領域を独立に温度制御する場合でも、ベースプレートの設計自由度の低下を抑制可能な基板固定装置を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本基板固定装置は、静電電極が内蔵された基体に吸着対象物を載置し、前記吸着対象物を吸着保持する静電チャックと、前記静電チャックが搭載されたベースプレートと、を有する基板固定装置であって、前記基体はセラミックス製であり、前記ベースプレートには、前記基体の前記ベースプレート側の面を露出する複数の貫通孔が形成され、各々の前記貫通孔に、レーザ光が伝搬する光ファイバーが配置され、前記基体の前記ベースプレート側の面には、前記貫通孔と連通する凹部が設けられ、前記凹部の底面及び側面には、前記基体を構成するセラミックスが露出し、前記凹部の底面及び側面に露出するセラミックスに、前記光ファイバーを伝搬する前記レーザ光が照射される。

【発明の効果】

【0008】

開示の技術によれば、複数の領域を独立に温度制御する場合でも、ベースプレートの設計自由度の低下を抑制可能な基板固定装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】第１実施形態に係る基板固定装置を簡略化して例示する断面模式図である。

【図2】基体に画定された温度制御領域を例示する平面図である。

【図3】温度制御領域を加熱するための光ファイバーの配置を模式的に示す平面図である。

【図4】基体固定装置の外部に配置するレーザ照射装置を例示する模式図である。

【図5】比較例に係る基板固定装置を簡略化して例示する断面模式図である。

【図6】第１実施形態の変形例１に係る基板固定装置における光ファイバーの周辺部を拡大した部分拡大断面図である。

【図7】第１実施形態の変形例２に係る基板固定装置における光ファイバーの周辺部を拡大した部分拡大断面図である。

【図8】第１実施形態の変形例３に係る基板固定装置を簡略化して例示する断面模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0011】

〈第１実施形態〉
図１は、第１実施形態に係る基板固定装置を簡略化して例示する断面模式図である。図１を参照すると、基板固定装置１は、主要な構成要素として、ベースプレート１０と、接着層２０と、静電チャック３０と、光ファイバー８０とを有している。基板固定装置１は、ベースプレート１０の一方の面に搭載された静電チャック３０により吸着対象物である基板（ウェハ等）を吸着保持する装置である。

【0012】

ベースプレート１０は、静電チャック３０を搭載するための部材である。ベースプレート１０の厚さは、例えば、２０～４０ｍｍ程度である。ベースプレート１０は、例えば、アルミニウムから形成され、プラズマを制御するための電極等として利用できる。ベースプレート１０に所定の高周波電力を給電することで、発生したプラズマ状態にあるイオン等を静電チャック３０上に吸着された基板に衝突させるためのエネルギーを制御し、エッチング処理を効果的に行うことができる。

【0013】

ベースプレート１０及び接着層２０には、基体３１のベースプレート１０側の面を露出する複数の貫通孔１０ｘが形成されている。各々の貫通孔１０ｘには、レーザ光が伝搬する光ファイバー８０が配置されている。光ファイバー８０は接着剤等により貫通孔１０ｘに固定してもよいし、ベースプレート１０の下面にソケットを設けることでベースプレート１０に固定してもよい。

【0014】

ベースプレート１０の内部に、静電チャック３０上に吸着された基板を冷却する不活性ガスを導入するガス供給路が設けられてもよい。基板固定装置１の外部からガス供給路に、例えば、ＨｅやＡｒ等の不活性ガスが導入され、静電チャック３０上に吸着された基板の裏面に不活性ガスが供給されると、基板を冷却できる。

【0015】

ベースプレート１０の内部に、冷媒流路が設けられてもよい。冷媒流路は、例えば、ベースプレート１０の内部に環状に形成された孔である。基板固定装置１の外部から冷媒流路に、例えば、冷却水やガルデン等の冷媒が導入される。冷媒流路に冷媒を循環させベースプレート１０を冷却することで、静電チャック３０上に吸着された基板を冷却できる。

【0016】

静電チャック３０は、吸着対象物である基板を吸着保持する部分である。静電チャック３０の平面形状は、例えば、円形である。静電チャック３０の吸着対象物である基板の直径は、例えば、８、１２、又は１８インチである。

【0017】

なお、平面視とは対象物をベースプレート１０の上面１０ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物をベースプレート１０の上面１０ａの法線方向から視た形状を指すものとする。

【0018】

静電チャック３０は、接着層２０を介して、ベースプレート１０の上面１０ａに設けられている。接着層２０は、例えば、シリコーン系接着剤である。接着層２０の厚さは、例えば、０．１～２．０ｍｍ程度である。接着層２０は、ベースプレート１０と静電チャック３０を接着すると共に、セラミックス製の静電チャック３０とアルミニウム製のベースプレート１０との熱膨張率の差から生じるストレスを低減させる効果を有する。

【0019】

静電チャック３０は、主要な構成要素として、基体３１と、静電電極３２とを有している。基体３１の上面は、吸着対象物が載置される載置面３１ａである。静電チャック３０は、例えば、ジョンセン・ラーベック型静電チャックである。但し、静電チャック３０は、クーロン力型静電チャックであってもよい。

【0020】

基体３１は誘電体であり、基体３１としては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックスを用いる。基体３１は、助剤として、例えば、ケイ素（Ｓｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びイットリウム（Ｙ）から選択される２種以上の元素の酸化物を含んでもよい。基体３１の厚さは、例えば、５～１０ｍｍ程度、基体３１の比誘電率（１ｋＨｚ）は、例えば、９～１０程度である。

【0021】

静電電極３２は、例えば薄膜電極であり、基体３１に内蔵されている。静電電極３２は、基板固定装置１の外部に設けられた電源に接続され、電源から所定の電圧が印加されると、ウェハとの間に静電気による吸着力を発生させる。これにより、静電チャック３０の基体３１の載置面３１ａ上にウェハを吸着保持できる。吸着保持力は、静電電極３２に印加される電圧が高いほど強くなる。静電電極３２は、単極形状でも、双極形状でも構わない。静電電極３２の材料としては、例えば、タングステン、モリブデン等を用いる。

【0022】

図２は、基体に画定された温度制御領域を例示する平面図である。図２に示すように、基体３１には、平面視において、独立に温度制御可能な複数の温度制御領域３１ｅが画定されている。図２の例では、３０個の温度制御領域３１ｅが画定されているが、温度制御領域３１ｅは１００から２００個程度にすることも可能である。又、温度制御領域３１ｅの平面形状は任意であり、必ずしも略同心円状に区切る必要はなく、例えば、略格子状に区切ってもよい。

【0023】

図３は、温度制御領域を加熱するための光ファイバーの配置を模式的に示す平面図である。光ファイバー８０には、レーザ光が伝搬される。光ファイバー８０を伝搬したレーザ光が基体３１に照射されると、基体３１が加熱される。

【0024】

図３に示すように、ベースプレート１０において、各々の温度制御領域３１ｅに対応する位置には、光ファイバー８０が少なくとも１つ配置されている。各々の温度制御領域３１ｅに配置された光ファイバー８０を伝搬するレーザ光の強度を変えることで、各々の温度制御領域３１ｅの発熱量を独立に変えることができる。このように、基体３１に独立に温度制御可能な複数の温度制御領域３１ｅが画定され、各々の温度制御領域３１ｅに１つずつ光ファイバー８０が配置されることで、基体３１の載置面３１ａを均一に加熱できる。

【0025】

図４は、基体固定装置の外部に配置するレーザ照射装置を例示する模式図である。図４に示すように、レーザ照射装置１００は、レーザ光源１１０と、ミラー１２０と、光走査装置１３０と、制御回路１４０とを有している。レーザ光源１１０としては、例えば、ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ等を用いることができる。基体３１がアルミナを主成分とする場合には、レーザ光源１１０から出射されるレーザ光の波長帯域はアルミナが吸収し易い赤外域であることが好ましい。レーザ光源１１０から出射されるレーザ光の出力は、数ｋＷ～数１０ｋＷ程度であることが好ましい。

【0026】

光走査装置１３０としては、例えば、２枚のミラーをモータによって制御するガルバノスキャナや、ＭＥＭＳで形成された光走査装置や、デジタルミラーデバイス等を用いることができる。制御回路１４０の指令に基づいてレーザ光源１１０から出射されたレーザ光Ｌは、ミラー１２０で光路を変えられ、光走査装置１３０に入射する。光走査装置１３０に入射したレーザ光Ｌは、制御回路１４０の指令に基づいて光走査装置１３０に走査され、所定の光ファイバー８０に入射し、基体３１の下面に至る。

【0027】

制御回路１４０の指令に基づいて光走査装置１３０が走査を繰り返し、各々の光ファイバー８０に順次レーザ光を入射することで、基体３１を加熱できる。加熱温度は、レーザ光が同じ光ファイバー８０に入射している時間により制御できる。光ファイバー８０を伝搬したレーザ光により、例えば、基体３１の載置面３１ａの温度を２００℃程度まで加熱できる。

【0028】

なお、図４のレーザ照射装置１００を用いる代わりに、光ファイバー８０と同数のレーザ光源を準備し、各々の光ファイバー８０毎にレーザ光を入射する構成としてもよい。又、光ファイバー８０の出射側の端部に低反射ミラー、入射側の端部に高反射ミラーを設置し、光ファイバー８０の入射側の端部から励起光を入射させるファイバーレーザを用いてもよい。

【0029】

ここで、比較例を交えながら、基板固定装置１を構成する静電チャック３０の奏する効果について説明する。

【0030】

図５は、比較例に係る基板固定装置を簡略化して例示する断面模式図である。図５を参照すると、基板固定装置１Ｘは、静電チャック３０が静電チャック３０Ｘに置換された点が、基板固定装置１（図１等参照）と相違する。

【0031】

静電チャック３０Ｘは、主要な構成要素として、基体３１と、静電電極３２と、発熱体３３と、配線３６を有している。基体３１には、図２と同様に、平面視において、独立に温度制御可能な複数の温度制御領域３１ｅが画定されている。又、発熱体３３は、図３の光ファイバー８０の場合と同様に、各々の温度制御領域３１ｅに１つずつ配置されている。各々の温度制御領域３１ｅに配置された発熱体３３同士は互いに絶縁されており、電流値を変えることで、独立に発熱量を変えることができる。

【0032】

各々の発熱体３３の一端は、配線３６により相互に接続された後、入出力用の電線６５（ＩＮ１）に接続され、電線６５（ＩＮ１）は基板固定装置１Ｘの外部に引き出されている。各々の発熱体３３の他端は、入出力用の電線６６（ＩＮ２）に接続され、電線６６（ＩＮ２）は、基板固定装置１Ｘの外部に引き出されている。電線６５と電線６６の合計は、発熱体３３の個数＋１本となる。例えば、発熱体３３が１００個あれば、電線６５と電線６６の合計は１０１本となる。

【0033】

例えば、電線６５（ＩＮ１）と電線６６（ＩＮ２）の一方はＧＮＤに接続され、他方は電源に接続される。各々の発熱体３３の発熱量は、電線６５（ＩＮ１）と電線６６（ＩＮ２）を介して各々の発熱体の両端に印加される電圧の値により可変できる。或いは、電線６５（ＩＮ１）と電線６６（ＩＮ２）を介して各々の発熱体の両端に一定の電圧（パルス電圧）を供給し、電圧を供給する時間を変化させることで、発熱体３３の発熱量を可変してもよい。

【0034】

電線６５（ＩＮ１）と電線６６（ＩＮ２）には、発熱体３３の発熱に必要な比較的大きな電流が流れ、プラズマ制御用の高周波電力が印加されるベースプレートと強固な絶縁を必要とするため、電線６５及び６６が配置されるベースプレート１０の貫通孔の径は、例えば、φ５ｍｍである。又、電線６５及び６６の径は、例えば、φ４ｍｍである。そのため、電線６５と電線６６の合計の本数が増えるにつれて、ベースプレート１０における貫通孔の専有面積が無視できないほど大きくなる。

【0035】

例えば、図５に示す比較例に係る基板固定装置１Ｘのような構造の場合、温度制御領域３１ｅを１００個にすると、基板固定装置と外部との電気的な接続が１００本以上となる。つまり、１００本以上の電線をベースプレート１０に形成された貫通孔を通して外部に引き出す必要がある。この場合、前述のようにベースプレート１０における貫通孔の専有面積が無視できないほど大きくなり、ベースプレート１０の設計自由度が大幅に低下する。

【0036】

基板固定装置１の場合も、温度制御領域３１ｅと同数の光ファイバー８０が必要になる。しかしながら、前述のように、基板固定装置１Ｘにおいて電線６５及び６６が配置される貫通孔の径がφ５ｍｍ程度であるのに対し、基板固定装置１において光ファイバー８０が配置される貫通孔１０ｘの径はφ０．５ｍｍ程度であり、電線６５及び６６が配置される貫通孔の径の１／１０程度である。

【0037】

そのため、ベースプレート１０に光ファイバー８０が配置される多数の貫通孔１０ｘを設ける場合であっても、電線６５及び６６が配置される同数の貫通孔を設ける場合に比べて、ベースプレート１０における貫通孔１０ｘの専有面積が大幅に低減される。すなわち、基板固定装置１は、ベースプレート１０に多数の貫通孔１０ｘを設けた場合でも、ベースプレート１０の設計自由度の低下を抑制可能である。

【0038】

又、基板固定装置１では、発熱に関する部分では、基板固定装置１と外部との電気的な接続はないため、外部接続に必要な部品の低減によりコストを抑制できる。又、基板固定装置１と外部との電気的な接続に必要なはんだが不要であるため、はんだ付け箇所の大幅な低減等に伴うアッセンブリー難易度の飛躍的な低下により、歩留り及び信頼性の向上が期待できる。静電チャック３０は消耗部品であるため、歩留り改善によるコスト低減効果は大きい。

【0039】

又、光ファイバー８０は、ベースプレート１０との電気的な絶縁が不要となるため、貫通孔１０ｘ内には絶縁材等が不要となり、この点でもコスト削減に繋がる。

【0040】

〈第１実施形態の変形例１〉
第１実施形態の変形例１では、光ファイバーの先端の位置を下方に後退させる例を示す。なお、第１実施形態の変形例１において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

【0041】

図６は、第１実施形態の変形例１に係る基板固定装置における光ファイバーの周辺部を拡大した部分拡大断面図である。

【0042】

図１では、光ファイバー８０の先端は、ベースプレート１０から接着層２０に連通する貫通孔１０ｘの接着層２０に形成された部分に位置していた。これに対し、図６の基板固定装置１Ａでは、光ファイバー８０の先端は、ベースプレート１０から接着層２０に連通する貫通孔１０ｘのベースプレート１０に形成された部分に位置しており、貫通孔１０ｘの接着層２０に形成された部分には入り込んでいない。

【0043】

一般に、ベースプレート１０と基体３１の熱膨張係数の違いにより、温度条件によってはベースプレート１０に対して基体３１が水平方向に変位する。このとき、接着層２０も変位するため、光ファイバー８０の先端が接着層２０内に入り込んでいると、光ファイバー８０の先端が劣化等のダメージを負う場合がある。図６のように、光ファイバー８０の先端が貫通孔１０ｘのベースプレート１０に形成された部分に位置しており、接着層２０に形成された部分に入り込んでいない構造とすることで、光ファイバー８０の先端が劣化等のダメージを負うことを回避できる。ベースプレート１０に対する基体３１の変位量は基体３１の外周側に行くほど大きくなるため、ベースプレート１０の外周側に配置された貫通孔１０ｘにおいて、特に顕著な効果を奏する。

【0044】

〈第１実施形態の変形例２〉
第１実施形態の変形例２では、光ファイバーからレーザ光が照射される位置に凹部を設ける例を示す。なお、第１実施形態の変形例２において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

【0045】

図７は、第１実施形態の変形例２に係る基板固定装置における光ファイバーの周辺部を拡大した部分拡大断面図である。図７に示すように、基板固定装置１Ｂでは、基体３１のベースプレート１０側の面には、光ファイバー８０を伝搬するレーザ光が照射される凹部３１ｘが形成されている。凹部３１ｘは、貫通孔１０ｘと連通している。但し、凹部３１ｘと貫通孔１０ｘとは異なる径でもよい。

【0046】

図７では、光ファイバー８０から出たレーザ光Ｌは、凹部３１ｘの底面及び側面に照射される。例えば円形に開口する凹部３１ｘを形成することで、図１や図６の場合に比べてレーザ光Ｌが照射される面積が増えるため、基体３１を加熱し易くできる。

【0047】

〈第１実施形態の変形例３〉
第１実施形態の変形例３では、基体３１に、外部から電圧を印加することで発熱する発熱体を内蔵した静電チャックを備えた基板固定装置の例を示す。なお、第１実施形態の変形例３において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

【0048】

図８は、第１実施形態の変形例３に係る基板固定装置を簡略化して例示する断面模式図である。図８を参照すると、基板固定装置１Ｃは、静電チャック３０が静電チャック３０Ｃに置換された点が、基板固定装置１（図１等参照）と相違する。又、静電チャック３０Ｃは、発熱体４０と、電線６８（ＩＮ１）と、電線６９（ＩＮ２）が追加された点が、静電チャック３０（図１等参照）と相違する。

【0049】

静電チャック３０Ｃに内蔵された発熱体４０は、例えば、厚さ方向において静電電極３２よりもベースプレート１０側に配置できる。発熱体４０は、例えば、渦巻き状のパターン等に形成された１本の抵抗体であり、複数の温度制御領域３１ｅに跨って基体３１の載置面３１ａの全体を加熱できるように配置されている。発熱体４０の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コンスタンタン（Ｃｕ／Ｎｉ／Ｍｎ／Ｆｅの合金）等を用いることができる。発熱体４０の厚さは、例えば、２０～１００μｍ程度である。

【0050】

発熱体４０の一端は、入出力用の電線６８（ＩＮ１）に接続され、電線６８（ＩＮ１）は基板固定装置１Ｃの外部に引き出されている。発熱体４０の他端は、入出力用の電線６９（ＩＮ２）に接続され、電線６９（ＩＮ２）は、基板固定装置１Ｃの外部に引き出されている。電線６８と電線６９は、１本ずつである。

【0051】

例えば、電線６８（ＩＮ１）と電線６９（ＩＮ２）の一方はＧＮＤに接続され、他方は電源に接続される。発熱体４０の発熱量は、電線６８（ＩＮ１）と電線６９（ＩＮ２）を介して発熱体４０の両端に印加される電圧の値により可変できる。或いは、電線６８（ＩＮ１）と電線６９（ＩＮ２）を介して発熱体４０の両端に一定の電圧（パルス電圧）を供給し、電圧を供給する時間を変化させることで、発熱体４０の発熱量を可変してもよい。

【0052】

このように、発熱体４０を基体３１に内蔵してもよい。例えば、発熱体４０に電流を流して基体３１の載置面３１ａを加熱し、不均一になる部分のみを光ファイバー８０を経由して照射されたレーザ光による加熱で補うことで、基体３１の載置面３１ａの全体を均一に加熱できる。

【0053】

なお、上記では、発熱体４０を１本の抵抗体であるとしたが、発熱体４０を独立した複数の抵抗体とし、複数の領域を独立に温度制御可能としてもよい。

【0054】

以上、好ましい実施形態等について詳説したが、上述した実施形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【0055】

例えば、本発明に係る基板固定装置の吸着対象物としては、半導体ウェハ（シリコンウエハ等）以外に、液晶パネル等の製造工程で使用されるガラス基板等を例示できる。

【符号の説明】

【0056】

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 基板固定装置
１０ ベースプレート
１０ａ 上面
３０、３０Ｃ 静電チャック
３１ 基体
３１ａ 載置面
３１ｅ 温度制御領域
３１ｘ 凹部
３２ 静電電極
３３、４０ 発熱体
３６ 配線
６５、６６、６８、６９ 電線

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】