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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-08-05
(45)【発行日】2024-08-14
(54)【発明の名称】エッチング方法及びプラズマ処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20240806BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 105A
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2020138923
(22)【出願日】2020-08-19
(65)【公開番号】P2022034956
(43)【公開日】2022-03-04
【審査請求日】2023-04-28
(73)【特許権者】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】後平 拓
(72)【発明者】
【氏名】中谷 理子
【審査官】小▲高▼ 孔頌
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１５－１５３９４１（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０２０／０９０４５１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０３６５４８７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１５／０２３５８６２（ＵＳ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１９／１８１６０６（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
下地膜と、前記下地膜の上の第１の膜及び第２の膜が交互に積層された積層膜と、前記積層膜の上のマスクとを有する基板に対して、プラズマによって前記マスクを通じて前記積層膜に凹部を形成するエッチング方法であって、前記基板を準備する工程と、
基板温度を１５℃以下に維持し、水素とフッ素と炭素を含有するガスのプラズマを生成する工程と、
前記プラズマ中のＨラジカルと、Ｆラジカル又はＣＦラジカルとによりフッ化水素を生成する工程と、
前記フッ化水素によって、前記積層膜の前記凹部が前記下地膜に到達するまでエッチングする工程と、
を有し、
前記ガスに含まれる、水素とフッ素と炭素の総和に対する水素の比率は、
０．０２～０．０６である、
エッチング方法。
【請求項2】
前記ガスに含まれる、水素とフッ素と炭素の総和に対するフッ素の比率は、０．６３～０．６５である、
請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項3】
前記ガスは、フロロカーボンガス（ＣＦ系）、およびハイドロフロロカーボンガス（ＣＨＦ系）のうち、少なくとも一方を含み、
ハイドロフロロカーボンガス（ＣＨＦ系）、ハイドロカーボンガス（ＣＨ系）、および水素含有ガスのうち、少なくとも１つを含み、
前記水素含有ガスは、水素ガス又はハロゲン化水素である、
請求項１又は請求項２に記載のエッチング方法。
【請求項4】
前記下地膜に到達するまでエッチングする工程の前に、前記積層膜の前記凹部を所定の深さまでエッチングする工程を更に有する、請求項１～３のいずれか一項に記載のエッチング方法。
【請求項5】
前記凹部の所定の深さは、アスペクト比で４０以上である、請求項１～４のいずれか一項に記載のエッチング方法。
【請求項6】
前記凹部を所定の深さまでエッチングする工程における基板温度は、１５℃以下であって、前記下地膜に到達するまでエッチングする工程における基板温度の条件と同じである、請求項１～５のいずれか一項に記載のエッチング方法。
【請求項7】
前記ガスは、更にフッ素を除くハロゲン含有ガスを含む、請求項１～６のいずれか一項に記載のエッチング方法。
【請求項8】
前記第１の膜は酸化シリコン膜であり、前記第２の膜は窒化シリコン膜である、請求項１～７のいずれか一項に記載のエッチング方法。
【請求項9】
前記下地膜は、ポリシリコン、アモルファスシリコン又は単結晶シリコンのいずれかである、請求項１～８のいずれか一項に記載のエッチング方法。
【請求項10】
下地膜と、前記下地膜の上の第１の膜及び第２の膜が交互に積層された積層膜と、前記積層膜の上のマスクとを有する基板に対して、プラズマによって前記マスクを通じて前記積層膜に凹部を形成するエッチングを制御する制御部を有するプラズマ処理装置であって、前記制御部は、
前記基板を準備する工程と、
基板温度を１５℃以下に維持し、水素とフッ素と炭素を含有するガスのプラズマを生成し、前記プラズマ中のＨラジカルと、Ｆラジカル又はＣＦラジカルとにより生成するフッ化水素によって、前記積層膜の前記凹部が前記下地膜に到達するまでエッチングする工程と、を制御し、
前記ガスに含まれる、水素とフッ素と炭素の総和に対する水素の比率は、
０．０２～０．０６である、
プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、エッチング方法及びプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、特許文献１は、－３０℃以下の低温環境下において生成されたプラズマにより酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の積層膜をエッチングすることを提案する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１６－２０７８４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、低温環境下で酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の積層膜の下地膜を露出させるエッチングにおいて、積層膜のエッチングレートを維持しつつ下地膜に対する選択比を確保することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一の態様によれば、下地膜と、前記下地膜の上の第１の膜及び第２の膜が交互に積層された積層膜と、前記積層膜の上のマスクとを有する基板に対して、プラズマによって前記マスクを通じて前記積層膜に凹部を形成するエッチング方法であって、前記基板を準備する工程と、基板温度を１５℃以下に維持し、水素とフッ素と炭素を含有するガスのプラズマによって、前記積層膜の前記凹部が前記下地膜に到達するまでエッチングする工程と、を有する、エッチング方法が提供される。
【発明の効果】
【0006】
一の側面によれば、低温環境下で酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の積層膜の下地膜を露出させるエッチングにおいて、積層膜のエッチングレートを維持しつつ下地膜に対する選択比を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】一実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す断面模式図である。
【図2】一実施形態に係るエッチング方法の一例を示す図である。
【図3】一実施形態に係るエッチング対象の膜構造の一例を示す図である。
【図4】従来のオーバーエッチングにおける基板温度と選択比の関係の一例を示す図である。
【図5】一実施形態に係るエッチング方法にＣＨ２Ｆ２ガスを用いた場合の選択比等の一例を示す図である。
【図6】一実施形態に係るエッチング方法に用いるガス中のＨ又はＦの比率とエッチングレート及び選択比の関係の一例を示す図である。
【図7】低温環境下でない場合のガス中のＨの比率とエッチングレートの関係を示す図である。
【図8】一実施形態に係るエッチング方法に用いるガス中のＨの比率とエッチングレートの関係の一例を示す図である。
【図9】基板温度とＣ、Ｈの穴底到達量との関係の一例を示す図である。
【図10】一実施形態に係るエッチング方法に用いるガスにＳｉＣｌ４ガスを添加したときのボトムＣＤの一例を示す図である。
【図11】一実施形態に係るエッチング方法に用いるガスに各種ガスを添加したときのボトムＣＤの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【0009】
［プラズマ処理装置］
一実施形態に係るプラズマ処理装置１について、図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置１の一例を示す断面模式図である。一実施形態に係るプラズマ処理装置１は、処理容器１０内に載置台１１とシャワーヘッド２０とを対向配置した平行平板型のプラズマ処理装置である。
一実施形態に係るプラズマ処理装置１について、図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置１の一例を示す断面模式図である。一実施形態に係るプラズマ処理装置１は、処理容器１０内に載置台１１とシャワーヘッド２０とを対向配置した平行平板型のプラズマ処理装置である。
【0010】
載置台１１は、ウエハを一例とする基板Ｗを保持する機能を有するとともに下部電極として機能する。シャワーヘッド２０は、ガスを処理容器１０内にシャワー状に供給する機能を有するとともに上部電極として機能する。
【0011】
処理容器１０は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなり、円筒形である。処理容器１０は、電気的に接地されている。載置台１１は、処理容器１０の底部に設置され、基板Ｗを載置する。
【0012】
載置台１１は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等から形成されている。載置台１１は、静電チャック１２及び基台１３を有する。静電チャック１２は、基台１３の上に設けられる。静電チャック１２は、絶縁体１２ｂの間にチャック電極１２ａを挟み込んだ構造になっている。チャック電極１２ａには電源１４が接続されている。静電チャック１２は、電源１４からチャック電極１２ａに電圧が印加されることで発生するクーロン力によって基板Ｗを静電チャック１２に吸着する。
【0013】
基台１３は、静電チャック１２を支持する。基台１３の内部には、冷媒流路１３ａが形成されている。冷媒流路１３ａには、冷媒入口配管１３ｂ及び冷媒出口配管１３ｃが連結されている。チラーユニット１５からは所定温度の冷却媒体（温度制御媒体）が出力され、冷却媒体は、冷媒入口配管１３ｂ、冷媒流路１３ａ及び冷媒出口配管１３ｃを循環する。これにより、載置台１１が冷却（温調）され、基板Ｗが所定温度に制御される。
【0014】
伝熱ガス供給源１７は、ヘリウムガス等の伝熱ガスをガス供給ライン１６に通して静電チャック１２の表面と基板Ｗの裏面との間に供給する。これにより、静電チャック１２と基板Ｗとの間の伝熱効率を高め、基板Ｗの温度制御性を高める。
【0015】
載置台１１には、第１周波数の、プラズマ励起用の第１高周波電力（ＨＦパワー）を供給する第１高周波電源３０が第１整合器３０ａを介して電気的に接続されている。また、載置台１１には、第１周波数よりも低い第２周波数の、バイアス電圧用の第２高周波電力（ＬＦパワー）を供給する第２高周波電源３１が第２整合器３１ａを介して電気的に接続されている。第１高周波電源３０は、例えば、４０ＭＨｚの第１高周波電力を載置台１１に印加する。第２高周波電源３１は、例えば、４００ｋＨｚの第２高周波電力を載置台１１に印加する。なお、第１高周波電源３０は、第１高周波電力をシャワーヘッド２０に印加してもよい。
【0016】
第１整合器３０ａは、第１高周波電源３０の出力（内部）インピーダンスに載置台１１側の負荷インピーダンスを整合させる。第２整合器３１ａは、第２高周波電源３１の出力（内部）インピーダンスに載置台１１側の負荷インピーダンスを整合させる。
【0017】
シャワーヘッド２０は、周縁部を被覆する絶縁体のシールドリング２２を介して処理容器１０の天井部の開口を閉塞する。シャワーヘッド２０には、ガスを導入するガス導入口２１が形成されている。シャワーヘッド２０の内部にはガス導入口２１に繋がる拡散室２３が設けられている。ガス供給源２５から出力されたガスは、ガス導入口２１を介して拡散室２３に供給され、多数のガス供給孔２４から処理容器１０の内部に導入される。
【0018】
処理容器１０の底面には排気口１８が形成されており、排気口１８には排気装置１９が接続されている。排気装置１９は、処理容器１０内を排気し、これにより、処理容器１０内が所定の真空度に制御される。処理容器１０の側壁には搬送口２６を開閉するゲートバルブ２７が設けられている。ゲートバルブ２７の開閉に応じて搬送口２６から処理容器１０内に基板Ｗを搬入したり、処理容器１０外へ基板Ｗを搬出したりする。
【0019】
プラズマ処理装置１には、装置全体の動作を制御する制御部４０が設けられている。制御部４０は、ＣＰＵ４１、ＲＯＭ４２及びＲＡＭ４３を有する。ＣＰＵ４１は、ＲＯＭ４２及びＲＡＭ４３の記憶領域に格納された各種レシピに従って基板Ｗのエッチング工程を実行する。レシピにはプロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、圧力（ガスの排気）、高周波電力や電圧、各種ガス流量、基板の温度（静電チャック１２の温度等）、チラーユニット１５から供給される冷却媒体の温度等が記載されている。なお、これらのプログラムや処理条件を示すレシピは、ハードディスクや半導体メモリに記憶されてもよい。また、レシピは、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で記憶領域の所定位置にセットするようにしてもよい。
【0020】
基板処理が行われる際には、ゲートバルブ２７の開閉が制御され、搬送アームに保持された基板Ｗが搬送口２６から処理容器１０内に搬入され、載置台１１に載置され、静電チャック１２に吸着される。
【0021】
次いで、ガスがシャワーヘッド２０から処理容器１０内に供給され、第１高周波電力が載置台１１に印加され、プラズマが生成される。生成されたプラズマにより基板Ｗにエッチング処理が施される。第１高周波電力とともに第２高周波電力が載置台１１に印加されてもよい。
【0022】
処理後、除電処理により基板Ｗの電荷が除電され、基板Ｗが静電チャック１２から剥がされ、搬出される。
【0023】
基板温度（例えばウエハ温度）は、チラーユニット１５によって所定の温度に調整された静電チャック１２の温度が、静電チャック１２の表面および伝熱ガスを介して基板Ｗに伝熱されることにより調整される。しかしながら、基板Ｗはプラズマ励起用の第１高周波電力によって生成されるプラズマに曝され、プラズマからの光やバイアス電圧用の第２高周波電力によって引き込まれたイオンが基板Ｗに照射される。このため、基板Ｗの温度、特に基板Ｗのプラズマに面した表面温度は、調整された静電チャック１２の温度より高くなる。また、温度調整された対向電極や処理容器１０の側壁からの輻射熱によっても、基板温度が上昇する場合があるため、エッチング処理中の実際の基板Ｗの温度を測定することができる。プロセス条件から静電チャック１２の調整温度と実際の基板Ｗの表面温度の温度差が推測可能に構成されている場合、予め定められた温度範囲で基板Ｗの温度を調整するために静電チャック１２の調整温度の設定を下げてもよい。
【0024】
［エッチング方法］
本実施形態に係るエッチング方法では、基板温度を１５℃以下に維持し、エッチング対象膜をエッチングする。基板温度を１５℃以下に維持し、エッチングを行うことを「低温エッチング」という。また、以下で記載する基板温度は、「基板Ｗの表面温度」をいう。
本実施形態に係るエッチング方法では、基板温度を１５℃以下に維持し、エッチング対象膜をエッチングする。基板温度を１５℃以下に維持し、エッチングを行うことを「低温エッチング」という。また、以下で記載する基板温度は、「基板Ｗの表面温度」をいう。
【0025】
本実施形態に係るエッチング方法について、図２及び図３を参照して説明する。図２は、一実施形態に係るエッチング方法の一例を示す図である。図３は、一実施形態に係るエッチング対象の膜構造の一例を示す図である。
【0026】
図２に示すように、本実施形態に係るエッチング方法は、プラズマ処理装置１が生成したプラズマによりエッチング対象膜を所定の深さまでエッチングする（ステップＳ１）。ステップＳ１のエッチングをメインエッチングともいう。次に、プラズマによりエッチング対象膜の下地膜が露出するまでエッチング対象膜をエッチングし（ステップＳ２）、本処理を終了する。ステップＳ２のエッチングをオーバーエッチングともいう。
【0027】
図３（ａ）は、エッチング対象の膜構造の一例を示す。図３（ａ）に示すように、エッチング対象膜は、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜が交互に積層された積層膜１０１である。酸化シリコン膜は第１の膜の一例であり、窒化シリコン膜は第２の膜の一例である。
【0028】
積層膜１０１の下には下地膜１００を有し、積層膜１０１の上にはマスク１０２を有する。下地膜１００は、ポリシリコンで形成されている。ただし、下地膜１００は、ポリシリコンに限らず、アモルファスシリコン又は単結晶シリコンから形成されてもよい。マスク１０２は、有機材料であり、穴ｈを有する。プラズマ処理装置１に供給されたガスのプラズマによってマスク１０２の穴ｈを通じて積層膜１０１に凹部が形成される。積層膜１０１に形成された凹部は、穴状に限られず、ライン状であってもよい。
【0029】
ステップＳ１のメインエッチングでは、図３（ｂ）に示すように、積層膜１０１がエッチングされ、積層膜１０１に凹部が形成され、下地膜１００が露出する前にエッチングを終了する。ステップＳ２のオーバーエッチングでは、図３（ｃ）に示すように、積層膜１０１が更にエッチングされ、下地膜１００が露出するまでエッチングが行われる。
【0030】
メインエッチングは、オーバーエッチングの前に、積層膜１０１の凹部（例えばホールｈ）が所定の深さになるまでエッチングする。凹部の所定の深さは、アスペクト比で４０以上であってもよい。
【0031】
従来のメインエッチングの一例では、例えば基板温度を０℃以下にして積層膜１０１に対して低温エッチングを行う。低温エッチングでは、積層膜１０１のエッチングレートが高くなる。加えて、メインエッチングでは、マスク１０２に対する選択比も高い。
【0032】
しかし、オーバーエッチングで低温エッチングを行った場合、下地膜１００に対する選択比が十分でない。低温エッチングで下地膜１００が露出する手前までメインエッチングを行った後、引き続き低温エッチングでオーバーエッチングを行い、下地膜１００のリセス量の時間変化を測定した。その結果、低温エッチングでは、下地膜１００が露出してもエッチストップができず、下地膜１００のリセス量が多くなった。
【0033】
そこで、従来のオーバーエッチングの他の例として、例えば基板温度を８０℃程度に高めてからエッチングを行う。図４は、従来のオーバーエッチングにおける基板温度と選択比の関係の一例を示す図である。図４に示す実験結果を得るためのオーバーエッチングのプロセス条件を以下に示す。
＜従来のオーバーエッチングのプロセス条件＞
ガス種 Ｃ４Ｆ６／Ｃ４Ｆ８／ＣＨ２Ｆ２／Ｏ２
基板温度 １６０℃、１３０℃
＜従来のオーバーエッチングのプロセス条件＞
ガス種 Ｃ４Ｆ６／Ｃ４Ｆ８／ＣＨ２Ｆ２／Ｏ２
基板温度 １６０℃、１３０℃
【0034】
図４では、横軸にオーバーエッチングの時間を示し、縦軸に下地膜１００であるポリシリコン（Ｓｉ）のリセスを示す。下地膜１００のリセス量は、図３（ｃ）に示すように、オーバーエッチング時に削られた下地膜１００の凹部の深さを示す。下地膜１００に対する積層膜１０１の選択比が十分であると下地膜１００のリセス量は少なく、好ましい。
【0035】
図４に示す実験結果では、基板温度を１６０℃に制御した場合、下地膜１００のシリコンのエッチングレートは、２．７ｎｍ／ｍｉｎであった。一方、基板温度を１３０℃に制御した場合、２４０秒時点の下地膜１００のリセスは、基板温度を１６０℃に制御した場合と比較して悪化し、下地膜１００のシリコンのエッチングレートは、少なくとも２８ｎｍ／ｍｉｎ以上となった。つまり、基板温度を１３０℃に制御した場合、下地膜１００に対する選択比が下がり、下地膜１００のリセス量が増えた。
【0036】
オーバーエッチングにおける下地膜１００に対する選択比の課題から、メインエッチングは低温エッチングを行い、マスク１０２に対する選択比と高いエッチングレートを確保しつつ、オーバーエッチングは基板温度をメインエッチング時の温度以上に制御してエッチングを行い、下地膜１００に対する選択比を確保することが行われていた。しかし、係るエッチング方法では、メインエッチングとオーバーエッチングとで基板温度を変える必要があり、温度制御に時間がかかり、スループットが悪化するという課題がある。または、メインエッチングを行うプラズマ処理装置１とは別に、オーバーエッチングを行うために基板温度をメインエッチング時の温度以上に制御している（図示しない）プラズマ処理装置１'を用意し、メインエッチング後、基板をプラズマ処理装置１'に搬送してオーバーエッチングを行うことが可能であるが、同様にスループットが悪化するという課題がある。
【0037】
そこで、以下に説明する本実施形態に係るエッチング方法では、メインエッチングは基板温度を１５℃以下に制御して低温エッチングを行い、オーバーエッチングもメインエッチングと同じ温度に基板温度を制御して低温エッチングを行う。その際、オーバーエッチングにおいても下地膜１００に対する選択比を確保するようにプロセス条件を最適化し、オーバーエッチングにおいても選択比と高いエッチングレートを確保する。
【0038】
［プロセス条件］
本実施形態のオーバーエッチングのプロセス条件は以下である。
＜本実施形態のオーバーエッチングのプロセス条件＞
処理容器内の圧力：１０ｍＴ（１．３３３Ｐａ）
ガス ＣＨ２Ｆ２／Ｃ４Ｆ８／Ｏ２
基板温度 １５℃
本実施形態のオーバーエッチングのプロセス条件は以下である。
＜本実施形態のオーバーエッチングのプロセス条件＞
処理容器内の圧力：１０ｍＴ（１．３３３Ｐａ）
ガス ＣＨ２Ｆ２／Ｃ４Ｆ８／Ｏ２
基板温度 １５℃
【0039】
図５は、一実施形態に係るエッチング方法においてＣＨ２Ｆ２ガスとＣ４Ｆ８ガスとの割合に対する積層膜１０１のエッチングレート、下地膜１００のエッチングレート、選択比の一例を示す図である。図５（ａ）～（ｃ）の横軸はＣＨ２Ｆ２ガスとＣ４Ｆ８ガスの総和に対するＣＨ２Ｆ２ガスの割合を示す。図５（ａ）の縦軸は、積層膜１０１のエッチングレート（Ｅ／Ｒ）を示す。図５等では積層膜１０１は「ＯＮ」で示される。図５（ｂ）の縦軸は、下地膜１００（Ｓｉ）のエッチングレート（Ｅ／Ｒ）を示す。図５（ｃ）の縦軸は、下地膜１００に対する積層膜１０１の選択比（Ｓｅｌ．）を示す。なお、各エッチング条件による積層膜１０１のエッチングにおいて、マスク１０２に保護膜が形成するが、マスク１０２の穴ｈが閉塞しない程度に、各エッチング条件においてＯ２ガスの割合は調整される。
【0040】
【0041】
図５（ｂ）に示す下地膜１００のエッチングレートは低い方が好ましい。図５（ｂ）の実験結果では、ＣＨ２Ｆ２ガスの割合が３０．０％以下であればよいことがわかった。図５（ａ）及び（ｂ）の結果から、ＣＨ２Ｆ２ガスの割合が１２．５～３０．０％の範囲であることが好ましいことが分かった。
【0042】
図５（ｃ）に示すように、ＣＨ２Ｆ２ガスの割合が１２．５～３０．０％の範囲であれば、下地膜１００に対して高い選択比が得られた。以上から、ＣＨ２Ｆ２ガスの割合が１２．５～３０．０％の範囲であれば、オーバーエッチングにおいて高選択比を得ることができることが分かった。
【0043】
次に、一実施形態に係るエッチング方法に用いるガス中のＨ又はＦの比率とエッチングレート及び選択比の関係について、図６を参照しながら説明する。図６は、一実施形態に係るエッチング方法に用いるガス中のＨ又はＦの比率とエッチングレート及び選択比の関係の一例を示す図であり、図５（ａ）～（ｃ）の実験結果からグラフの横軸をガス中のＨ又はＦの比率に換算したものである。
【0044】
これにより、オーバーエッチングに使用されるガスに含まれる水素（Ｈ）とフッ素（Ｆ）と炭素（Ｃ）の総和に対する水素（Ｈ）の比率と、選択比及びエッチングレートとの関係について、図６（ａ）及び（ｂ）の結果を得た。また、オーバーエッチングに使用されるガスに含まれる水素（Ｈ）とフッ素（Ｆ）と炭素（Ｃ）の総和に対するフッ素（Ｆ）の比率と、選択比及びエッチングレートとの関係について、図６（ｃ）及び（ｄ）の結果を得た。
【0045】
なお、水素（Ｈ）、フッ素（Ｆ）および炭素（Ｃ）のそれぞれの元素の量は、オーバーエッチングに使用されるガスの構造式から、ガスの体積流量とガスに含まれる元素の価数の積の総和で求められる。
【0046】
図６（ａ）及び（ｂ）の横軸はガスに含まれるＨとＦとＣの総和に対するＨの比率を示す。図６（ａ）の縦軸は下地膜１００（Ｓｉ）に対する積層膜１０１（ＯＮ）の選択比を示す。図６（ｂ）の縦軸は積層膜１０１（ＯＮ）及び下地膜１００（Ｓｉ）のそれぞれのエッチングレートを示す。
【0047】
ＨとＦとＣの総和に対するＨの比率は、図６（ａ）に点線で示す選択比が５以上であって、かつ、図６（ｂ）に点線で示す積層膜（ＯＮ）のエッチングレートが５０ｎｍ／ｍｉｎ以上の範囲が好ましい。また、図６（ｂ）において下地膜１００のエッチングレートは２０ｎｍ／ｍｉｎ未満であることが好ましい。図６（ａ）の結果から、選択比が５以上の条件を満たすのは、ＨとＦとＣの総和に対するＨの比率が０～０．０６（０～６％）の範囲Ａであることがわかった。また、図６（ｂ）の結果から、積層膜（ＯＮ）のエッチングレートが５０ｎｍ／ｍｉｎ以上の条件を満たし、下地膜１００のエッチングレートは２０ｎｍ／ｍｉｎ未満の条件を満たすのは、ＨとＦとＣの総和に対するＨの比率が０．０２～０．０６（２～６％）の範囲Ｂであることがわかった。以上から、選択比とエッチングレートの両方の条件を満たすのは、ＨとＦとＣの総和に対するＨの比率が０．０２～０．０６（２～６％）の範囲であることが好ましい。
【0048】
図６（ｃ）及び（ｄ）の横軸はガスに含まれるＨとＦとＣの総和に対するＦの比率を示し、図６（ｃ）の縦軸は下地膜１００に対する積層膜１０１の選択比を示す。図６（ｄ）の縦軸は積層膜１０１と下地膜１００のエッチングレートを示す。
【0049】
ＨとＦとＣの総和に対するＦの比率は、図６（ｃ）に点線で示す選択比が５以上であって、かつ、図６（ｄ）に点線で示す積層膜（ＯＮ）のエッチングレートが５０ｎｍ／ｍｉｎ以上の範囲が好ましい。また、図６（ｄ）において下地膜１００のエッチングレートは２０ｎｍ／ｍｉｎ未満であることが好ましい。図６（ｃ）の結果から、選択比が５以上の条件を満たすのは、ＨとＦとＣの総和に対するＦの比率が０．６３～０．６６（６３～６６％）の範囲Ｃであることがわかった。また、図６（ｄ）の結果から、積層膜（ＯＮ）のエッチングレートが５０ｎｍ／ｍｉｎ以上の条件を満たし、下地膜１００のエッチングレートは２０ｎｍ／ｍｉｎ未満の条件を満たすのは、ＨとＦとＣの総和に対するＦの比率が０．６３～０．６５（６３～６５％）の範囲Ｄであることがわかった。以上から、選択比とエッチングレートの両方の条件を満たすのは、ＨとＦとＣの総和に対するＦの比率が０．６３～０．６５（６３～６５％）の範囲であることが好ましい。
【0050】
以上に説明したように、ＨとＦとＣの総和に対するＨの比率が０．０２～０．０６（２～６％）の範囲であるガスを使用すれば、良好な下地膜１００との選択比及び積層膜１０１のエッチングレートが得られるため好ましい。また、ＨとＦとＣの総和に対するＨの比率が０．０２～０．０６（２～６％）の範囲であるガスであれば、本実施形態に係るエッチング方法に使用するガスは、ＣＨ２Ｆ２ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガスに限らない。
【0051】
また、ＨとＦとＣの総和に対するＦの比率が０．６３～０．６５（６３～６５％）の範囲であるガスを使用すれば、良好な下地膜１００との選択比及び積層膜１０１のエッチングレートが得られるため好ましい。また、ＨとＦとＣの総和に対するＦの比率が０．６３～０．６５（６３～６５％）の範囲であるガスであれば、本実施形態に係るエッチング方法に使用するガスは、ＣＨ２Ｆ２ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガスに限らない。
【0052】
更に、ＨとＦとＣの総和に対するＨの比率が０．０２～０．０６（２～６％）の範囲であって、かつ、ＨとＦとＣの総和に対するＦの比率が０．６３～０．６５（６３～６５％）の範囲であるガスであれば、更に良好な下地膜１００との選択比と積層膜１０１のエッチングレートが得られる。
【0053】
以上の条件を満たす、本実施形態に係るエッチング方法に使用可能なガスとしては、フロロカーボンガス（ＣＦ系）、およびハイドロフロロカーボンガス（ＣＨＦ系）のうち、少なくとも一方を含み、ハイドロフロロカーボンガス（ＣＨＦ系）、ハイドロカーボンガス（ＣＨ系）、および水素含有ガスのうち、少なくとも１つを含み、水素含有ガスは、水素ガス（Ｈ２）もしくはハロゲン化水素であってもよい。
【0054】
ハイドロフロロカーボンガス（ＣＨＦ系）の一例としては、ＣＨ２Ｆ２ガス、ＣＨＦ３ガス、Ｃ３Ｈ２Ｆ４ガス等が挙げられる。フロロカーボンガス（ＣＦ系）の一例としては、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｃ４Ｆ６ガス、ＣＦ４ガス等が挙げられる。ハイドロカーボンガス（ＣＨ系）の一例としては、ＣＨ４ガス、Ｃ２Ｈ６ガス、Ｃ２Ｈ４ガス等が挙げられる。ハロゲン化水素の一例としては、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＩ等が挙げられる。
【0055】
次に、本実施形態に係るオーバーエッチング工程における低温エッチングのメカニズムについて、図７を参照しながら説明する。
【0056】
図７は、高温（常温）環境下のガス中のＨの比率とエッチングレートの関係を示す図である。図７のグラフの出典は、「L.M.Ephrath,J.Electrochem.Soc.126,1419(1979)」である。図７は、ＣＦ４ガスとＨ２ガスからなるプラズマでエッチングした場合の供給ガス中のＨ２の比率とシリコン膜（Ｓｉ）及び酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）のエッチングレートを示す。
【0057】
これによれば、高温（常温）環境下では、ＣＦ４ガスに対するＨ２の比率を高くしていくにつれてシリコン膜（Ｓｉ）のエッチングレートは低下し、Ｈ２の比率を約４０％にした時、シリコン膜（Ｓｉ）のエッチングレートはほぼゼロ（０）となる。
【0058】
ＣＦ４ガスのプラズマにＨ２ガスを添加した場合、ガス（Ｈ２＋ＣＦ４）から生成されたプラズマ中のＨラジカルがＦラジカルやＣＦラジカルと反応してフッ化水素（ＨＦ）が生成される。これにより、Ｆが消費され、シリコン膜（Ｓｉ）表面にはＣに対するＦの比率の低い重合膜、すなわちカーボンリッチな堆積膜が形成される。この堆積膜が阻害要因となり、Ｓｉ（シリコン膜）のエッチングレートが下がるものと考えられている。
【0059】
これに対して、高温（常温）環境下では、ＣＦ４ガスに対するＨ２の比率を高くしても、ＳｉＯ２（酸化シリコン膜）のエッチングレートは若干下がる程度である。これは、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）表面に堆積した堆積膜は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）のエッチング反応に伴って酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）から酸素（Ｏ）が供給され、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、もしくはＣＯＦ２ガスとなって除去されるため、ＳｉＯ２（酸化シリコン膜）のエッチングレートの阻害要因にならないものと考えられる。以上から、基板温度が１５℃よりも高い条件でエッチングした場合、ガス中の水素の分圧を高くすることでシリコンに対する酸化シリコン膜の選択比（ＳｉＯ２／Ｓｉ選択比）を高くすることができる。
【0060】
しかしながら、図５（ａ）、図５（ｂ）および図６（ｂ）に示す一実施形態に係るエッチング方法における下地膜１００のエッチングレートおよび酸化シリコン膜を含む積層膜１０１のエッチングレートの傾向と比較すると、Ｈを含むＣＨ２Ｆ２ガスの割合（図５（ａ）、図５（ｂ））、もしくは水素（Ｈ）の比率（図６（ｂ））を増加した場合、下地膜１００のエッチングレートおよび積層膜１０１のエッチングレートともに増加しているため、図７の傾向と一致しない。
【0061】
図８は、一実施形態に係るエッチング方法に用いるガス中のＨの比率とポリシリコン（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）のブランケット膜（マスクなどが無い平坦な膜）のエッチングレートの関係の一例を示す図である。図８（ａ）の横軸は混合ガス（Ｈ２＋ＣＦ４）中の水素（Ｈ２）の割合を示し、縦軸はポリシリコン膜（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）のエッチングレートを示す。図８（ｂ）の横軸は混合ガス（Ｈ２＋ＣＦ４）中の水素（Ｈ２）の割合を示し、縦軸は酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）のエッチングレートを示す。四角（白）のマークは、基板温度が－６０℃の低温エッチングの場合、丸（黒）のマークは、基板温度が３５℃のときのエッチングの場合のエッチングレートを示す。図７と比べると、Ｈ２ガスの割合が高い領域まで観察しており、また、高温（常温）環境下と低温環境下の２つの領域で観察している。
【0062】
図８（ａ）の実験結果において、混合ガス中のＨの比率が３０％以下の領域では、ポリシリコン膜（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）のエッチングレートは図７と同様な傾向を示しているが、混合ガス中のＨの比率が４０％以上の領域では、反対にポリシリコン膜（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）のエッチングレートは上昇している。これは、混合ガス中のＣＦ４ガスの比率が低下し、炭素（Ｃ）そのものの供給が減り、ポリシリコン膜（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）表面の堆積膜が薄くなったためと推測される。また、ＣＦ４ガスはＦ元素の含有率が高いガスであるため、ＣＦ４ガスの比率が下がり炭素（Ｃ）の供給が少なくなったとしても、ポリシリコン膜（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）のエッチャントであるＦ元素が多く存在するため、ポリシリコン膜（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）のエッチングが促進されたものと推測される。
【0063】
なお、混合ガス中のＨの比率に対するポリシリコン膜（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）のエッチングレートは、高温（常温）環境下、低温環境下ともに同様な傾向を示すが、高温（常温）環境下のポリシリコン膜（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）のエッチングレートに比べ、低温環境下におけるポリシリコン膜（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）のエッチングレートが速い。これは、低温によりＨＦの吸着係数が上昇し、ポリシリコン膜（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）表面にＨＦが吸着したためと考えてられる。その上、ＨＦ自体は、ポリシリコン膜との熱エネルギーによる反応性は低いが、ポリシリコン膜にＨＦが付着している状態にプラズマからのイオン照射によるエネルギーが加わることによって、ポリシリコン膜とＨＦ中のＦ元素と反応してポリシリコンのエッチングが促進したものと考えられる。
【0064】
また、混合ガス中のＨの比率が７０％以上の領域では、Ｆ元素の供給量も減少するため、ポリシリコン膜（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）のエッチングレートが低下するものと推測される。
【0065】
図８（ｂ）の実験結果において、高温（常温）環境下では、混合ガス中のＨの比率を増加するにつれ、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）のエッチングレートが減少しているため、図７と同様な傾向を示しており、また、混合ガス中のＨの比率が４０％以上の領域においても、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）のエッチングレートは減少傾向を示す。これに対して、低温環境下、特に混合ガス中のＨの比率が７０％以下の領域では、混合ガス中のＨの比率を増加するにつれ、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）のエッチングレートは上昇傾向を示しており、図７とは異なった傾向を示す。また、高温（常温）環境下の酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）のエッチングレートに比べ、低温環境下における酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）のエッチングレートが速い。
【0066】
低温環境下の場合、ポリシリコン膜の時と同様に、低温によりＨＦの吸着係数が上昇し、酸化シリコン膜表面にＨＦが吸着する。また、ＣＦ４ガスのプラズマによる酸化シリコン膜のエッチング反応過程において、ＳｉＦ４と水（Ｈ２Ｏ）が反応生成物として発生するが、水の飽和蒸気圧は低いため、低温環境下では、酸化シリコン膜表面に水は飽和してある程度液体の状態で存在していると考えられる。そして、水とＨＦが反応し、フッ化水素酸が生成され、これにより、酸化シリコン膜の表面で水に溶けているフッ化水素酸によって主に化学反応によるエッチングが促進され、エッチングレートが特異的に上昇すると考えられる。
【0067】
以上より、低温環境下で且つ適切な混合ガス中のＨの比率（３０～５０％付近）で供給することによって、酸化シリコン膜のエッチングレートを高速に維持しつつ、ポリシリコン膜）のエッチングレートが遅く、ポリシリコン膜に対する酸化シリコン膜の選択比を確保することができる。
【0068】
すなわち、被エッチング膜（この場合、酸化シリコン膜）のエッチングレートを高速に維持しつつ、シリコン膜（この場合、ポリシリコン膜）のエッチングレートが遅く、シリコン膜に対する被エッチング膜の選択比を確保するためには、低温環境下で且つ水素（Ｈ）とフッ素（Ｆ）と炭素（Ｃ）を適切なバランスで供給すること（この場合、混合ガス中のＨの比率）が重要であることが分かる。
【0069】
図９は、基板温度とＣ（炭素）およびＨ（水素）の穴の底部への到達量との関係の一例を示す図である。図９において低温とは基板温度が１５℃以下であることをいい、高温とは基板温度が１５℃より高いことをいう。図９の横軸はアスペクト比（ＡＲ）を示し、右に行く程高くなる。図９の縦軸は、Ｃの穴の底部への到達量を示す。本実施形態に係るエッチング方法では、アスペクト比が４０以上の穴等の凹部を低温エッチングすることを想定している。
【0070】
ＣＨ２Ｆ２ガスや混合ガス（Ｈ２＋ＣＦ４）等のＣとＨとＦを含むガスをエッチングに使用するとき、Ｈと比較してＣ及びＣｘＦｙは吸着係数性が高いため、Ｃは、穴の比較的浅い側壁に物理吸着してトラップされ、これにより、穴の底部まで到達するＣが減る。その結果、穴ｈの底部では、穴の比較的浅い部分よりもＣに対してＨ及びＦの比率が相対的に増える。さらに、図９に示すように、低温エッチングの場合、高温エッチングの場合よりもＣ、Ｈともに穴の底部への到達量は減るが、Ｈに比べＣの方が減少率は大きい。
【0071】
よって、低温エッチングでは、アスペクト比が４０以上の穴のエッチングの場合、更に穴の底部まで到達するＣに対するＨ及びＦの比率は高くなる。つまり、アスペクト比が４０以上の穴の低温エッチングでは、穴の底部におけるＣに対するＨ及びＦの比率は、低アスペクト比の穴の底部における当該比率よりも高くなると予測される。
【0072】
このことを踏まえて、図５（ａ）、図５（ｂ）および図６（ｂ）の実験結果を考察すると、図８（ａ）および図８（ｂ）の実験結果において、低温環境下、かつ、混合ガス中のＨの比率が３０～５０％の範囲に近い状態になっているものと推測される。すなわち、アスペクト比に応じて、低温環境下で且つ水素（Ｈ）とフッ素（Ｆ）と炭素（Ｃ）を適切なバランスで供給することが重要である。
【0073】
これにより、低温エッチングのメインエッチングとオーバーエッチングとにおいて、高エッチングレートを確保しつつ、オーバーエッチングにおいても選択比を確保できる。また、メインエッチングとオーバーエッチングとで基板温度の条件を同一温度にすることにより、メインエッチングとオーバーエッチングとの間に基板温度の制御時間が不要になり、スループットを向上させることができる。また、メインエッチングとオーバーエッチングを同一のプラズマ処理装置で連続的に実行することが可能となる。
【0074】
［変形例：ボトムＣＤの改善］
以上に説明したエッチング方法では、アスペクト比が４０以上に高くなると、積層膜１０１に形成される凹部の先端形状が細くなり、凹部の底部のＣＤ（以下、ボトムＣＤ（Ｂｔｍ ＣＤ）という。）が狭まる。これに対して、本実施形態に係るエッチング方法の変形例では、ボトムＣＤを広げ、凹部の形状を垂直にするために、ＣＨ２Ｆ２ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガスにＳｉＣｌ４ガスを添加した。
以上に説明したエッチング方法では、アスペクト比が４０以上に高くなると、積層膜１０１に形成される凹部の先端形状が細くなり、凹部の底部のＣＤ（以下、ボトムＣＤ（Ｂｔｍ ＣＤ）という。）が狭まる。これに対して、本実施形態に係るエッチング方法の変形例では、ボトムＣＤを広げ、凹部の形状を垂直にするために、ＣＨ２Ｆ２ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガスにＳｉＣｌ４ガスを添加した。
【0075】
図１０は、一実施形態に係るエッチング方法においてＣＨ２Ｆ２ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガスにＳｉＣｌ４ガスを添加したときのボトムＣＤの一例を示す図である。変形例に係るオーバーエッチングにおけるガス以外のプロセス条件は上記の＜本実施形態のオーバーエッチングのプロセス条件＞に示した通りである。図１０に示す実験の結果では、白丸のマークで示すＳｉＣｌ４ガスを添加した場合、黒（四角）のマークで示すＳｉＣｌ４ガスを添加しない場合と比較して、ボトムＣＤを２５％以上広げることができ、凹部の先端形状が矩形になった。なお、ＳｉＣｌ４ガスを添加した場合、ＣＨ２Ｆ２ガスとＣ４Ｆ８ガスの総和に対してＳｉＣｌ４ガスを１３％添加している。
【0076】
図１１は、一実施形態に係るエッチング方法においてＣＨ２Ｆ２ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガスにＳｉＣｌ４ガス又はその他のガスを添加したときのボトムＣＤの一例を示す図である。変形例に係るオーバーエッチングにおけるガス以外のプロセス条件は上記の＜本実施形態のオーバーエッチングのプロセス条件＞に示した通りである。図１１に示す実験の結果では、ＣＨ２Ｆ２ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガスにＳｉＣｌ４ガス、Ｃｌ２ガス又はＨＢｒガスを添加しなかった場合、凹部の最も膨らんだ部分のＣＤを示すＢｏｗ ＣＤが９０、Ｂｔｍ ＣＤが３９、その差分が５１であった。
【0077】
これに対して、ＣＨ２Ｆ２ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガスにＳｉＣｌ４ガスを添加した場合、Ｂｏｗ ＣＤが９１、Ｂｔｍ ＣＤが５１、その差分が４０となった。また、Ｃｌ２ガスを添加した場合、Ｂｏｗ ＣＤが９０、Ｂｔｍ ＣＤが５２、その差分が３８となった。また、ＨＢｒガスを添加した場合、Ｂｏｗ ＣＤが９２、Ｂｔｍ ＣＤが５３、その差分が３９となった。ＳｉＣｌ４ガス、Ｃｌ２ガス又はＨＢｒガスのいずれを添加した場合にも、添加しなかった場合と比較してＢｏｗ ＣＤとＢｔｍ ＣＤとの差分が小さくなり、Ｂｔｍ ＣＤが改善され、凹部の先端形状が矩形になった。
【0078】
なお、ＣＨ２Ｆ２ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガスにＳｉＣｌ４ガス、Ｃｌ２ガス又はＨＢｒガスを添加しなかった場合、添加ガスにＳｉＣｌ４ガスを用いる場合、および、添加ガスにＣｌ２ガスを用いる場合、ＣＨ２Ｆ２ガスとＣ４Ｆ８ガスの総和に対するＣＨ２Ｆ２ガスの割合は１２．５％である。また、添加ガスにＳｉＣｌ４ガスを用いる場合、および、添加ガスにＣｌ２ガスを用いる場合、ＣＨ２Ｆ２ガスとＣ４Ｆ８ガスの総和に対してＳｉＣｌ４ガスまたはＣｌ２ガスを１３％添加している。
【0079】
また、添加するガスにＨＢｒガスを用いる場合、ＣＨ２Ｆ２ガスとＣ４Ｆ８ガスの総和に対するＣＨ２Ｆ２ガスの割合は０％であり、ＣＨ２Ｆ２ガスとＣ４Ｆ８ガスの総和に対するＨＢｒガスガスの割合は１４．３である。添加するガスにＨＢｒを用いる場合、水素が含有されているため、オーバーエッチングにＣＨ２Ｆ２ガスを含まなくても、積層膜１０１のエッチングが可能になる。
【0080】
以上から、エッチング方法に使用するガスは、ＣＨ２Ｆ２ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガスに更にＳｉＣｌ４ガス、Ｃｌ２ガス、ＨＢｒガス等のフッ素を除くハロゲン含有ガスを含むことが好ましいことがわかった。これにより、Ｂｏｗ ＣＤを広げずに、Ｂｔｍ ＣＤを広げることができ、凹部の先端形状を矩形にできる。
【0081】
なお、フッ素を除くハロゲン含有ガスは、ＳｉＣｌ４ガス、Ｃｌ２ガス、ＨＢｒガス以外にＨＣｌガス、ＨＩガス、Ｂｒ２ガス、ＣＦ２Ｂｒ２ガスなどが考えられる。
【0082】
以上に説明したように、本実施形態のエッチング方法及びプラズマ処理装置によれば、低温環境下で酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の積層膜の下地膜を露出させるオーバーエッチングにおいて、エッチングレートを維持しつつ選択比を確保することができる。
【0083】
今回開示された実施形態に係るエッチング方法及びプラズマ処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【0084】
本開示のプラズマ処理装置は、Atomic Layer Deposition(ALD)装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のいずれのタイプの装置でも適用可能である。
【符号の説明】
【0085】
１ プラズマ処理装置
１１ 載置台
２０ シャワーヘッド
１２ 静電チャック
１３ 基台
１４ 電源
１５ チラーユニット
１９ 排気装置
２５ ガス供給源
３０ 第１高周波電源
３１ 第２高周波電源
４０ 制御部
１００ 下地膜
１０１ 積層膜
１０２ マスク
１１ 載置台
２０ シャワーヘッド
１２ 静電チャック
１３ 基台
１４ 電源
１５ チラーユニット
１９ 排気装置
２５ ガス供給源
３０ 第１高周波電源
３１ 第２高周波電源
４０ 制御部
１００ 下地膜
１０１ 積層膜
１０２ マスク
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】