特許 7535932 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-08

(45)【発行日】2024-08-19

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/306 20060101AFI20240809BHJP

【ＦＩ】

H01L21/306 J

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2020206287

(22)【出願日】2020-12-11

(65)【公開番号】P2022093158

(43)【公開日】2022-06-23

【審査請求日】2023-09-26

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】永松 辰也

【審査官】小▲高▼ 孔頌

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－１１３６２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－３２７８２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０４０７５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１０２６５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－３２４５６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２７３５６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０５０３４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０２２７２９０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２００４／０２２１８８０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１０／００３２４１０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０１７２７３４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２００８／００１７３１３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／００８０９３７（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

配列された複数の基板を処理液に浸漬させて処理を行う処理槽と、
前記処理槽の内部において前記複数の基板よりも下方に配置され、前記処理槽に貯留される前記処理液にガスを吐出する第１ガスノズル群と、
前記第１ガスノズル群に近接して配置され、前記処理槽に貯留される前記処理液にガスを吐出する第２ガスノズル群と、
各部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記複数の基板が前記処理液に浸漬されて処理されている際に、前記第１ガスノズル群および前記第２ガスノズル群のうち一方のガスノズル群から前記処理液にガスを吐出し、
所与の切替条件を検出した場合に、前記一方のガスノズル群から他方のガスノズル群にガスの吐出を切り替え、
前記切替条件は、前記一方のガスノズル群に含まれるガスノズルの詰まり情報である
基板処理装置。

【請求項2】

前記ガスノズルの詰まり情報は、前記ガスノズルのガス供給圧が所与の第１の閾値以上になった場合に検出される
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記切替条件は、前記ガスノズルのガス供給圧が前記第１の閾値よりも大きい所与の第２の閾値以上になった場合に検出される
請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記ガスノズルの詰まり情報は、前記処理槽に貯留される前記処理液の水頭圧が所与の第３の閾値以上になった場合に検出される
請求項２または３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記切替条件は、前記一方のガスノズル群においてガスを吐出した経過時間が所与の閾時間以上になった場合に検出される
請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記制御部は、前記一方のガスノズル群から前記他方のガスノズル群にガスの吐出を切り替えた後に、前記一方のガスノズル群を大気開放する
請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記第２ガスノズル群は、前記第１ガスノズル群に対して上下方向に並んで配置される
請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記第２ガスノズル群に形成される複数の吐出口は、前記第１ガスノズル群に形成される複数の吐出口と平面視で同じ位置に配置される
請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記第２ガスノズル群に含まれるガスノズルは、前記第１ガスノズル群に含まれるガスノズルと略等しい配管径を有する
請求項１～８のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項10】

配列された複数の基板を処理液に浸漬させて処理を行う処理槽と、前記処理槽の内部において前記複数の基板よりも下方に配置され、前記処理槽に貯留される前記処理液にガスを吐出する第１ガスノズル群と、前記第１ガスノズル群に近接して配置され、前記処理槽に貯留される前記処理液にガスを吐出する第２ガスノズル群と、を備える基板処理装置において、
前記複数の基板が前記処理液に浸漬されて処理されている際に、前記第１ガスノズル群および前記第２ガスノズル群のうち一方のガスノズル群から前記処理液にガスを吐出する工程と、
所与の切替条件を検出した場合に、前記一方のガスノズル群から他方のガスノズル群にガスの吐出を切り替える工程と、
を含み、
前記切替条件は、前記一方のガスノズル群に含まれるガスノズルの詰まり情報である
基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、処理槽に貯留した処理液に複数の基板を浸漬させることにより、かかる複数の基板に一括で液処理を行う技術が知られている（特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１９－５０３４９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、処理槽に貯留される処理液の内部にガスを安定して吐出することができる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による基板処理装置は、処理槽と、第１ガスノズル群と、第２ガスノズル群と、制御部と、を備える。処理槽は、配列された複数の基板を処理液に浸漬させて処理を行う。第１ガスノズル群は、前記処理槽の内部において前記複数の基板よりも下方に配置され、前記処理槽に貯留される前記処理液にガスを吐出する。第２ガスノズル群は、前記第１ガスノズル群に近接して配置され、前記処理槽に貯留される前記処理液にガスを吐出する。制御部は、各部を制御する。また、前記制御部は、前記複数の基板が前記処理液に浸漬されて処理されている際に、前記第１ガスノズル群および前記第２ガスノズル群のうち一方のガスノズル群から前記処理液にガスを吐出する。また、前記制御部は、所与の切替条件を検出した場合に、前記一方のガスノズル群から他方のガスノズル群にガスの吐出を切り替える。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、処理槽に貯留される処理液の内部にガスを安定して吐出することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、実施形態に係る基板処理システムの構成を示す概略ブロック図である。

【図2】図２は、実施形態に係るエッチング処理装置の構成を示す概略ブロック図である。

【図3】図３は、実施形態に係る第１ガスノズル群の構成を示す斜視図である。

【図4】図４は、実施形態に係る第２ガスノズル群の構成を示す斜視図である。

【図5】図５は、実施形態に係るガス吐出部に接続される配管の構成を示す概略ブロック図である。

【図6】図６は、実施形態に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群の配置の一例を示す断面図である。

【図7】図７は、実施形態に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群の配置の一例を示す側面図である。

【図8】図８は、実施形態に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。

【図9】図９は、実施形態の変形例１に係るガス吐出部に接続される配管の構成を示す概略ブロック図である。

【図10】図１０は、実施形態の変形例２に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群の配置の一例を示す断面図である。

【図11】図１１は、実施形態の変形例３に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群の配置の一例を示す断面図である。

【図12】図１２は、実施形態の変形例４に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群の配置の一例を示す側面図である。

【図13】図１３は、実施形態の変形例５に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。

【図14】図１４は、実施形態の変形例６に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。

【図15】図１５は、実施形態の変形例７に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。

【図16】図１６は、実施形態の変形例８に係る第１ガスノズル群および第２ガスノズル群における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。

【図17】図１７は、実施形態に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。

【図18】図１８は、実施形態に係るノズル切替処理の処理手順を示すフローチャートである。

【図19】図１９は、実施形態の変形例５に係るノズル切替処理の処理手順を示すフローチャートである。

【図20】図２０は、実施形態の変形例６に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。

【図21】図２１は、実施形態の変形例７に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。

【図22】図２２は、実施形態の変形例８に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

【0009】

従来、処理槽に貯留した処理液に複数の基板を浸漬させることにより、かかる複数の基板を一括でエッチング処理する技術が知られている。また、かかるエッチング処理においては、処理槽内の温度均一性や薬液の置換効率を向上させるため、処理槽の底部に配置されるガスノズルから処理液内にガスを吐出し、処理槽内に上昇流を形成する場合がある。

【0010】

しかしながら、上記の従来技術では、かかるガスノズルの内部でエッチングされた成分が結晶化することにより、ガスノズルが詰まる場合があった。これにより、処理液の内部にガスを安定して吐出することができないことから、処理槽内の温度均一性や薬液の置換効率が低下する恐れがあった。

【0011】

そこで、上述の問題点を克服し、処理槽に貯留される処理液の内部にガスを安定して吐出することができる技術の実現が期待されている。

【0012】

＜基板処理システムの構成＞
まず、実施形態に係る基板処理システム１の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の構成を示す概略ブロック図である。基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。

【0013】

図１に示すように、実施形態に係る基板処理システム１は、キャリア搬入出部２と、ロット形成部３と、ロット載置部４と、ロット搬送部５と、ロット処理部６と、制御部７とを備える。

【0014】

キャリア搬入出部２は、キャリアステージ２０と、キャリア搬送機構２１と、キャリアストック２２、２３と、キャリア載置台２４とを備える。

【0015】

キャリアステージ２０は、外部から搬送された複数のキャリア９を載置する。キャリア９は、複数（たとえば、２５枚）のウェハＷを水平姿勢で上下に並べて収容する容器である。キャリア搬送機構２１は、キャリアステージ２０、キャリアストック２２、２３およびキャリア載置台２４の間でキャリア９の搬送を行う。

【0016】

キャリア載置台２４に載置されたキャリア９からは、処理される前の複数のウェハＷが後述する基板搬送機構３０によりロット処理部６に搬出される。また、キャリア載置台２４に載置されたキャリア９には、処理された複数のウェハＷが基板搬送機構３０によりロット処理部６から搬入される。

【0017】

ロット形成部３は、基板搬送機構３０を有し、ロットを形成する。ロットは、１または複数のキャリア９に収容されたウェハＷを組合せて同時に処理される複数（たとえば、５０枚）のウェハＷで構成される。１つのロットを形成する複数のウェハＷは、互いの板面を対向させた状態で一定の間隔をあけて配列される。

【0018】

基板搬送機構３０は、キャリア載置台２４に載置されたキャリア９とロット載置部４との間で複数のウェハＷを搬送する。

【0019】

ロット載置部４は、ロット搬送台４０を有し、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットを一時的に載置（待機）する。ロット搬送台４０は、ロット形成部３で形成された処理される前のロットを載置する搬入側載置台４１と、ロット処理部６で処理されたロットを載置する搬出側載置台４２とを有する。搬入側載置台４１および搬出側載置台４２には、１ロット分の複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで載置される。

【0020】

ロット搬送部５は、ロット搬送機構５０を有し、ロット載置部４とロット処理部６との間やロット処理部６の内部でロットの搬送を行う。ロット搬送機構５０は、レール５１と、移動体５２と、基板保持体５３とを有する。

【0021】

レール５１は、ロット載置部４およびロット処理部６に渡って、Ｘ軸方向に沿って配置される。移動体５２は、複数のウェハＷを保持しながらレール５１に沿って移動可能に構成される。基板保持体５３は、移動体５２に配置され、起立姿勢で前後に並んだ複数のウェハＷを保持する。

【0022】

ロット処理部６は、１ロット分の複数のウェハＷに対し、エッチング処理や洗浄処理、乾燥処理などを一括で行う。ロット処理部６には、２台のエッチング処理装置６０と、洗浄処理装置７０と、洗浄処理装置８０と、乾燥処理装置９０とが、レール５１に沿って並んで配置される。

【0023】

エッチング処理装置６０は、１ロット分の複数のウェハＷに対してエッチング処理を一括で行う。洗浄処理装置７０は、１ロット分の複数のウェハＷに対して洗浄処理を一括で行う。洗浄処理装置８０は、基板保持体５３の洗浄処理を行う。乾燥処理装置９０は、１ロット分の複数のウェハＷに対して乾燥処理を一括で行う。なお、エッチング処理装置６０、洗浄処理装置７０、洗浄処理装置８０および乾燥処理装置９０の台数は、図１の例に限られない。

【0024】

エッチング処理装置６０は、エッチング処理用のエッチング処理槽６１と、リンス処理用のリンス処理槽６２と、基板昇降機構６３、６４とを備える。

【0025】

エッチング処理槽６１は、起立姿勢で配列された１ロット分のウェハＷを収容可能であり、エッチング処理用の薬液（以下、「エッチング液」とも呼称する。）が貯留される。エッチング処理槽６１の詳細については後述する。

【0026】

リンス処理槽６２には、リンス処理用の処理液（脱イオン水等）が貯留される。基板昇降機構６３、６４には、ロットを形成する複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで保持される。

【0027】

エッチング処理装置６０は、ロット搬送部５で搬送されたロットを基板昇降機構６３で保持し、エッチング処理槽６１のエッチング液に浸漬させてエッチング処理を行う。

【0028】

エッチング処理槽６１においてエッチング処理されたロットは、ロット搬送部５によってリンス処理槽６２に搬送される。そして、エッチング処理装置６０は、搬送されたロットを基板昇降機構６４にて保持し、リンス処理槽６２のリンス液に浸漬させることによってリンス処理を行う。リンス処理槽６２においてリンス処理されたロットは、ロット搬送部５で洗浄処理装置７０の洗浄処理槽７１に搬送される。

【0029】

洗浄処理装置７０は、洗浄用の洗浄処理槽７１と、リンス処理用のリンス処理槽７２と、基板昇降機構７３、７４とを備える。洗浄用の洗浄処理槽７１には、洗浄用の薬液（以下、「洗浄薬液」とも呼称する）が貯留される。洗浄薬液は、たとえば、ＳＣ－１（アンモニア、過酸化水素および水の混合液）などである。

【0030】

リンス処理用のリンス処理槽７２には、リンス処理用の処理液（脱イオン水等）が貯留される。基板昇降機構７３、７４には、１ロット分の複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで保持される。

【0031】

洗浄処理装置７０は、ロット搬送部５で搬送されたロットを基板昇降機構７３にて保持し、洗浄処理槽７１の洗浄液に浸漬させることによって洗浄処理を行う。

【0032】

洗浄処理槽７１において洗浄処理されたロットは、ロット搬送部５によってリンス処理槽７２に搬送される。そして、洗浄処理装置７０は、搬送されたロットを基板昇降機構７４にて保持し、リンス処理槽７２のリンス液に浸漬させることによってリンス処理を行う。リンス処理槽７２においてリンス処理されたロットは、ロット搬送部５で乾燥処理装置９０の乾燥処理槽９１に搬送される。

【0033】

乾燥処理装置９０は、乾燥処理槽９１と、基板昇降機構９２とを有する。乾燥処理槽９１には、乾燥処理用の処理ガスが供給される。基板昇降機構９２には、１ロット分の複数のウェハＷが起立姿勢で前後に並んで保持される。

【0034】

乾燥処理装置９０は、ロット搬送部５で搬送されたロットを基板昇降機構９２で保持し、乾燥処理槽９１内に供給される乾燥処理用の処理ガスを用いて乾燥処理を行う。乾燥処理槽９１で乾燥処理されたロットは、ロット搬送部５でロット載置部４に搬送される。

【0035】

洗浄処理装置８０は、ロット搬送機構５０の基板保持体５３に洗浄用の処理液を供給し、さらに乾燥ガスを供給することで、基板保持体５３の洗浄処理を行う。

【0036】

制御部７は、基板処理システム１の各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６など）の動作を制御する。制御部７は、スイッチや各種センサなどからの信号に基づいて、基板処理システム１の各部の動作を制御する。

【0037】

制御部７は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。制御部７は、図示しない記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

【0038】

制御部７は、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体８を有する。記憶媒体８には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御する上記プログラムが格納される。プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体８に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部７の記憶媒体８にインストールされたものであってもよい。

【0039】

コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体８としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

【0040】

＜エッチング処理装置の構成＞
次に、ウェハＷのエッチング処理を実施するエッチング処理装置６０の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、実施形態に係るエッチング処理装置６０の構成を示す概略ブロック図である。

【0041】

エッチング処理装置６０は、エッチング液供給部１００と、基板処理部１１０とを備える。エッチング液供給部１００は、エッチング液Ｌを基板処理部１１０に供給する。エッチング液Ｌは、処理液の一例である。実施形態に係るエッチング液Ｌは、たとえば、ＳＣ－１である。

【0042】

エッチング液供給部１００は、エッチング液供給源１０１と、エッチング液供給路１０２と、流量調整器１０３とを有する。

【0043】

エッチング液供給路１０２は、エッチング液供給源１０１とエッチング処理槽６１の外槽１１２とを接続し、エッチング液供給源１０１から外槽１１２にエッチング液Ｌを供給する。

【0044】

流量調整器１０３は、エッチング液供給路１０２に配置され、外槽１１２に供給されるエッチング液Ｌの流量を調整する。流量調整器１０３は、開閉弁、流量制御弁および流量計などを有する。

【0045】

基板処理部１１０は、エッチング液供給部１００から供給されたエッチング液ＬにウェハＷを浸漬して、かかるウェハＷにエッチング処理を施す。ウェハＷは、基板の一例である。基板処理部１１０は、たとえば、ウェハＷ上に形成されたポリシリコン膜をエッチング処理する。

【0046】

基板処理部１１０は、エッチング処理槽６１と、基板昇降機構６３と、循環路１２０と、ガス吐出部１３０とを備える。エッチング処理槽６１は、処理槽１１１と、外槽１１２とを有する。

【0047】

処理槽１１１は、エッチング液Ｌ中にウェハＷを浸漬させるための槽であり、浸漬用のエッチング液Ｌを収容する。処理槽１１１は、上部に開口部を有し、エッチング液Ｌがかかる開口部付近まで貯留される。

【0048】

処理槽１１１では、基板昇降機構６３を用いて複数のウェハＷがエッチング液Ｌに浸漬され、ウェハＷにエッチング処理が行われる。かかる基板昇降機構６３は、昇降可能に構成され、複数のウェハＷを垂直姿勢で前後（Ｙ軸方向）に並べて保持する。

【0049】

外槽１１２は、処理槽１１１の周囲を囲むように処理槽１１１の外側に配置され、処理槽１１１の開口部から流出するエッチング液Ｌを受ける。図２に示すように、外槽１１２の液位は、処理槽１１１の液位よりも低く維持される。

【0050】

外槽１１２と処理槽１１１とは、循環路１２０によって接続される。循環路１２０の一端は外槽１１２の底部に接続され、循環路１２０の他端は処理槽１１１内に位置する処理液供給ノズル１２４に接続される。

【0051】

循環路１２０には、外槽１１２側から順に、ポンプ１２１と、ヒータ１２２と、フィルタ１２３とが配置される。ポンプ１２１は、外槽１１２から循環路１２０を経て処理槽１１１に送られるエッチング液Ｌの循環流を形成する。

【0052】

また、エッチング液Ｌは、処理槽１１１の開口部からオーバーフローすることで、再び外槽１１２へと流出する。このようにして、基板処理部１１０内にエッチング液Ｌの循環流が形成される。すなわち、かかる循環流は、外槽１１２、循環路１２０および処理槽１１１において形成される。

【0053】

ヒータ１２２は、循環路１２０を循環するエッチング液Ｌの温度を調整する。フィルタ１２３は、循環路１２０を循環するエッチング液Ｌを濾過する。処理液供給ノズル１２４は、処理槽１１１内においてウェハＷの下方に配置され、エッチング液Ｌを処理槽１１１に供給する。

【0054】

ガス吐出部１３０は、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌ中に不活性ガス（たとえば、窒素ガスやアルゴンガスなど）を吐出する。不活性ガスは、ガスの一例である。かかるガス吐出部１３０は、処理槽１１１の内部に不活性ガスを吐出することによって、処理槽１１１の内部にエッチング液Ｌの上昇流を発生させる。

【0055】

ガス吐出部１３０は、第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０を有する。かかる第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０は、処理槽１１１内においてウェハＷおよび処理液供給ノズル１２４の下方に配置され、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌに不活性ガスの気泡を吐出する。

【0056】

＜ガス吐出部の構成＞
つづいて、実施形態に係るガス吐出部１３０の詳細な構成について、図３～図７を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る第１ガスノズル群１４０の構成を示す斜視図である。

【0057】

図３に示すように、第１ガスノズル群１４０は、複数（図では６本）のガスノズル１４０－１～１４０－６を有する。かかるガスノズル１４０－１～１４０－６は、複数のウェハＷ（図２参照）の配列方向（すなわち、Ｙ軸方向）に沿って延在する。また、ガスノズル１４０－１～１４０－６は、この順にＸ軸方向に沿って並んで配置される。

【0058】

すなわち、ガスノズル１４０－２、１４０－５は、ガスノズル１４０－１、１４０－６よりもウェハＷの径方向内側に配置され、ガスノズル１４０－３、１４０－４は、ガスノズル１４０－２、１４０－５よりもウェハＷの径方向内側に配置される。

【0059】

また、第１ガスノズル群１４０には、ガス供給路１４１が接続される。ガス供給路１４１は、ガス供給路１４１ａと、ガス供給路１４１ｂと、ガス供給路１４１ｃとを有する。

【0060】

ガス供給路１４１ａは、垂直方向に延在する部分を有し、ガスノズル１４０－１、１４０－６と不活性ガス供給源１６０（図５参照）との間を接続する。すなわち、ガスノズル１４０－１、１４０－６には、共通のガス供給路１４１ａを用いて不活性ガスが供給される。

【0061】

ガス供給路１４１ｂは、垂直方向に延在する部分を有し、ガスノズル１４０－２、１４０－５と不活性ガス供給源１６０との間を接続する。すなわち、ガスノズル１４０－２、１４０－５には、共通のガス供給路１４１ｂを用いて不活性ガスが供給される。

【0062】

ガス供給路１４１ｃは、垂直方向に延在する部分を有し、ガスノズル１４０－３、１４０－４と不活性ガス供給源１６０との間を接続する。すなわち、ガスノズル１４０－３、１４０－４には、共通のガス供給路１４１ｃを用いて不活性ガスが供給される。

【0063】

なお、本開示では、第１ガスノズル群１４０に６本のガスノズル１４０－１～１４０－６が設けられる例について示しているが、第１ガスノズル群１４０に設けられるガスノズルの数は６本に限られず、２本や４本などであってもよい。

【0064】

図４は、実施形態に係る第２ガスノズル群１５０の構成を示す斜視図である。

【0065】

図４に示すように、第２ガスノズル群１５０は、複数（図では６本）のガスノズル１５０－１～１５０－６を有する。かかるガスノズル１５０－１～１５０－６は、複数のウェハＷ（図２参照）の配列方向（すなわち、Ｙ軸方向）に沿って延在する。また、ガスノズル１５０－１～１５０－６は、この順にＸ軸方向に沿って並んで配置される。

【0066】

すなわち、ガスノズル１５０－２、１５０－５は、ガスノズル１５０－１、１５０－６よりもウェハＷの径方向内側に配置され、ガスノズル１５０－３、１５０－４は、ガスノズル１５０－２、１５０－５よりもウェハＷの径方向内側に配置される。

【0067】

また、第２ガスノズル群１５０には、ガス供給路１５１が接続される。ガス供給路１５１は、ガス供給路１５１ａと、ガス供給路１５１ｂと、ガス供給路１５１ｃとを有する。

【0068】

ガス供給路１５１ａは、垂直方向に延在する部分を有し、ガスノズル１５０－１、１５０－６と不活性ガス供給源１６０（図５参照）との間を接続する。すなわち、ガスノズル１５０－１、１５０－６には、共通のガス供給路１５１ａを用いて不活性ガスが供給される。

【0069】

ガス供給路１５１ｂは、垂直方向に延在する部分を有し、ガスノズル１５０－２、１５０－５と不活性ガス供給源１６０との間を接続する。すなわち、ガスノズル１５０－２、１５０－５には、共通のガス供給路１５１ｂを用いて不活性ガスが供給される。

【0070】

ガス供給路１５１ｃは、垂直方向に延在する部分を有し、ガスノズル１５０－３、１５０－４と不活性ガス供給源１６０との間を接続する。すなわち、ガスノズル１５０－３、
１５０－４には、共通のガス供給路１５１ｃを用いて不活性ガスが供給される。

【0071】

なお、本開示では、第２ガスノズル群１５０に６本のガスノズル１５０－１～１５０－６が設けられる例について示しているが、第２ガスノズル群１５０に設けられるガスノズルの数は６本に限られず、２本や４本などであってもよい。

【0072】

図５は、実施形態に係るガス吐出部１３０に接続される配管の構成を示す概略ブロック図である。図５に示すように、ガス吐出部１３０に供給される不活性ガスは、不活性ガス供給源１６０から供給される。

【0073】

不活性ガス供給源１６０から延びるガス供給路１６１には、圧力計１６２が設けられる。かかる圧力計１６２は、ガス供給路１６１を流れる不活性ガスの圧力を測定する。また、ガス供給路１６１は、圧力計１６２の下流側でガス供給路１４１とガス供給路１５１とに分岐する。

【0074】

ガス供給路１６１から分岐したガス供給路１４１には、流量調整器１４２が設けられる。流量調整器１４２は、第１ガスノズル群１４０へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。流量調整器１４２は、開閉弁、流量制御弁および流量計などを有する。

【0075】

ガス供給路１４１における流量調整器１４２の下流側には、開放路１４３が接続され、かかる開放路１４３は流量調整器１４４を介して外部雰囲気に接続される。

【0076】

ガス供給路１４１は、開放路１４３との接続部の下流側で、ガス供給路１４１ａと、ガス供給路１４１ｂと、ガス供給路１４１ｃとに分岐する。ガス供給路１４１ａは、ガスノズル１４０－１、１４０－６（図３参照）に接続され、ガス供給路１４１ｂは、ガスノズル１４０－２、１４０－５（図３参照）に接続され、ガス供給路１４１ｃは、ガスノズル１４０－３、１４０－４（図３参照）に接続される。

【0077】

すなわち、実施形態において、第１ガスノズル群１４０のすべてのガスノズル１４０－１～１４０－６に供給される不活性ガスの流量は、共通の流量調整器１４２でまとめて調整される。

【0078】

また、ガス供給路１６１から分岐したガス供給路１５１には、流量調整器１５２が設けられる。流量調整器１５２は、第２ガスノズル群１５０へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。流量調整器１５２は、開閉弁、流量制御弁および流量計などを有する。

【0079】

ガス供給路１５１における流量調整器１５２の下流側には、開放路１５３が接続され、かかる開放路１５３は流量調整器１５４を介して外部雰囲気に接続される。

【0080】

ガス供給路１５１は、開放路１５３との接続部の下流側で、ガス供給路１５１ａと、ガス供給路１５１ｂと、ガス供給路１５１ｃとに分岐する。ガス供給路１５１ａは、ガスノズル１５０－１、１５０－６（図４参照）に接続され、ガス供給路１５１ｂは、ガスノズル１５０－２、１５０－５（図４参照）に接続され、ガス供給路１５１ｃは、ガスノズル１５０－３、１５０－４（図４参照）に接続される。

【0081】

すなわち、実施形態において、第２ガスノズル群１５０のすべてのガスノズル１５０－１～１５０－６に供給される不活性ガスの流量は、共通の流量調整器１５２でまとめて調整される。

【0082】

図６は、実施形態に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０の配置の一例を示す断面図であり、図７は、実施形態に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０の配置の一例を示す側面図である。

【0083】

図６および図７に示すように、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１～１４０－６には、かかるガスノズル１４０－１～１４０－６の延在方向に沿って、すなわち、複数のウェハＷの配列方向に沿って、複数の吐出口Ｈが設けられる。

【0084】

同様に、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－１～１５０－６には、かかるガスノズル１５０－１～１５０－６の延在方向に沿って、すなわち、複数のウェハＷの配列方向に沿って、複数の吐出口Ｈが設けられる。

【0085】

複数の吐出口Ｈは、不活性ガス供給源１６０（図５参照）から供給される不活性ガスが隣接するウェハＷ（図２参照）同士の間に入り込むように、複数のウェハＷの配列方向において隣接するウェハＷ同士の間の位置に配置される。

【0086】

また、複数の吐出口Ｈは、たとえば、複数のウェハＷにおける全ての隙間に対応して配置される。すなわち、たとえば１つのロットが５０枚のウェハＷで構成される場合、ガスノズル１４０－１～１４０－６およびガスノズル１５０－１～１５０－６には、それぞれ４９個の吐出口Ｈが設けられる。

【0087】

図６に示すように、複数の吐出口Ｈは、円筒状のガスノズル１４０－１～１４０－６およびガスノズル１５０－１～１５０－６の下半分に設けられる。これにより、ガスノズル１４０－１～１４０－６およびガスノズル１５０－１～１５０－６の内部へのエッチング液Ｌ（図２参照）の浸入を抑制することができる。

【0088】

また、複数の吐出口Ｈは、ガスノズル１４０－１～１４０－６およびガスノズル１５０－１～１５０－６の側部よりも下方かつガスノズル１４０－１～１４０－６およびガスノズル１５０－１～１５０－６の下部よりも上方に設けられる。

【0089】

これにより、吐出口Ｈをガスノズル１４０－１～１４０－６およびガスノズル１５０－１～１５０－６の下部に設けた場合と比較して、不活性ガスの吐出方向を揃えることができる。

【0090】

そして、実施形態では、図６に示すように、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－１～１５０－６が、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１～１４０－６に対してそれぞれ上下方向に並んで配置される。たとえば、ガスノズル１５０－１～１５０－６は、ガスノズル１４０－１～１４０－６に対してそれぞれ下部に接触するように配置される。

【0091】

これにより、各ガスノズルが並んで配置される方向（Ｘ軸方向）において、第１ガスノズル群１４０と第２ガスノズル群１５０とで不活性ガスの吐出位置を揃えることができる。

【0092】

なお、ガスノズル１５０－１～１５０－６は、ガスノズル１４０－１～１４０－６に対して接触しないように配置されていてもよい。また、ガスノズル１５０－１～１５０－６は、ガスノズル１４０－１～１４０－６に対してそれぞれ上部に接触するように配置されてもよい。

【0093】

また、本開示では、吐出口Ｈがガスノズル１４０－１～１４０－６、１５０－１～１５０－６の下半分に設けられる例について示しているが、吐出口Ｈがガスノズル１４０－１～１４０－６、１５０－１～１５０－６の上半分に設けられていてもよい。また、吐出口Ｈが、ガスノズル１４０－１～１４０－６、１５０－１～１５０－６の側部に設けられていてもよい。

【0094】

また、実施形態では、図７に示すように、ガスノズル１５０－１～１５０－６に形成される複数の吐出口Ｈが、ガスノズル１４０－１～１４０－６に形成される複数の吐出口Ｈに対して平面視で同じ位置に配置される。

【0095】

これにより、各ガスノズルの延伸方向（Ｙ軸方向）において、第１ガスノズル群１４０と第２ガスノズル群１５０とで不活性ガスの吐出位置を揃えることができる。

【0096】

＜不活性ガスの吐出処理＞
つづいて、ここまで説明したエッチング処理装置６０におけるエッチング液Ｌへの不活性ガスの吐出処理の詳細について、図８を参照しながら説明する。図８は、実施形態に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。

【0097】

制御部７（図１参照）は、まず、時間Ｔ１で複数のウェハＷ（図２参照）を処理槽１１１（図２参照）に搬入する。また、制御部７は、かかる時間Ｔ１で流量調整器１４２（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０（図５参照）からの不活性ガスの吐出を開始する。

【0098】

これにより、圧力計１６２（図５参照）で測定される第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧は、時間Ｔ２で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。なお、時間Ｔ１以降でも、流量調整器１５２（図５参照）は閉状態が維持される。これにより、第２ガスノズル群１５０（図５参照）からは不活性ガスは吐出されない。

【0099】

一方で、時間Ｔ１から実施される不活性ガスの吐出処理中に、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１～１４０－６（図３参照）には、吐出口Ｈ（図６参照）側からエッチング液Ｌが流入（逆流）してくる。

【0100】

これにより、ガスノズル１４０－１～１４０－６内の気液界面においてエッチング液Ｌ中のシリカの濃縮が起こり、乾燥することによって結晶化が進む。そして、さらに結晶化が進むことによって、ガスノズル１４０－１～１４０－６内で詰まりが発生する。

【0101】

そのため、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧は、時間が経過するにつれて徐々に上昇し、時間Ｔ３で所与の第１の閾値Ｘ１以上となる。

【0102】

ここで、実施形態では、制御部７が、ガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上となった第１ガスノズル群１４０に詰まりが発生したとみなし、かかる第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０に吐出ノズルを切り替える処理を実施する。

【0103】

まず、制御部７は、時間Ｔ３で、流量調整器１４２を開状態から閉状態に変更する。次に、制御部７は、第１ガスノズル群１４０のガス供給圧がゼロになった時間Ｔ４で、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更することにより、第２ガスノズル群１５０からの不活性ガスの吐出を開始する。

【0104】

これにより、圧力計１６２で測定される第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧は、時間Ｔ５で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。

【0105】

次に、時間Ｔ１から所与の処理時間が経過した時間Ｔ６において、複数のウェハＷのエッチング処理が完了すると、制御部７は、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更する。そして、制御部７は、第２ガスノズル群１５０のガス供給圧がゼロになった時間Ｔ７で、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出する。

【0106】

ここまで説明したように、実施形態では、エッチング液Ｌへの不活性ガスの吐出処理において、第１ガスノズル群１４０に詰まりが発生した場合に、かかる第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０に吐出ノズルを切り替える。

【0107】

これにより、第１ガスノズル群１４０に詰まりが発生した場合でも、エッチング液Ｌへの不活性ガスの吐出処理を継続することができる。したがって、実施形態によれば、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスを安定して吐出することができる。

【0108】

また、実施形態では、第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０へ吐出ノズルを切り替えた時間Ｔ３で、制御部７は、流量調整器１４４（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０を大気開放するとよい。

【0109】

これにより、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部にエッチング液Ｌを引き込むことができることから、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部に付着する結晶を引き込んだエッチング液Ｌでエッチング洗浄することができる。

【0110】

すなわち、実施形態では、詰まりが発生した第１ガスノズル群１４０を、不活性ガスの吐出処理に使用していない時に洗浄することができる。これにより、切り替えられた第２ガスノズル群１５０に詰まりが発生した場合でも、洗浄した第１ガスノズル群１４０に吐出ノズルを再度切り替えることができる。

【0111】

したがって、実施形態によれば、第２ガスノズル群１５０に詰まりが発生した場合でも、エッチング液Ｌへの不活性ガスの吐出処理を継続することができるから、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスをさらに安定して吐出することができる。

【0112】

また、実施形態では、複数のウェハＷのエッチング処理を開始した時間Ｔ１で、制御部７は、流量調整器１５２を閉状態で維持するとともに、流量調整器１５４（図５参照）を開状態にすることにより、第２ガスノズル群１５０を大気開放してもよい。

【0113】

これにより、ガスノズル１５０－１～１５０－６の内部にエッチング液Ｌを引き込むことができることから、以前の使用時にガスノズル１５０－１～１５０－６の内部に付着した結晶を引き込んだエッチング液Ｌでエッチング洗浄することができる。

【0114】

したがって、実施形態によれば、第２ガスノズル群１５０がシリコンの結晶で詰まることを抑制することができることから、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスをさらに安定して吐出することができる。

【0115】

このように、実施形態では、不活性ガスの吐出処理に使用していないガスノズル群の内部にエッチング液Ｌを引き込んで、かかるガスノズル群を洗浄処理するとよい。これにより、かかるガスノズル群に吐出ノズルが切り替わった際に詰まりが発生することを抑制することができることから、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスをさらに安定して吐出することができる。

【0116】

また、実施形態では、図６に示したように、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１～１４０－６の配管径と、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－１～１５０－６の配管径とが略等しいとよい。

【0117】

これにより、第１ガスノズル群１４０と第２ガスノズル群１５０とを切り替えた場合でも、略等しい流量の不活性ガスをエッチング液Ｌに吐出することができる。したがって、実施形態によれば、第１ガスノズル群１４０と第２ガスノズル群１５０とを切り替えた場合でも、安定したエッチング処理を実施することができる。

【0118】

なお、本開示では、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１～１４０－６の配管径と、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－１～１５０－６の配管径とが略等しい場合に限られない。たとえば、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－１～１５０－６の配管径が、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１～１４０－６の配管径よりも小さくてもよい。

【0119】

＜変形例１＞
つづいて、実施形態に係る基板処理システム１の各種変形例について、図９～図１６を参照しながら説明する。図９は、実施形態の変形例１に係るガス吐出部１３０に接続される配管の構成を示す概略ブロック図である。

【0120】

なお、以下の各種変形例では、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。

【0121】

変形例１では、複数のガス供給路１４１ａ～１４１ｃに対してそれぞれ個別に不活性ガスが供給されるとともに、複数のガス供給路１５１ａ～１５１ｃに対してそれぞれ個別に不活性ガスが供給される。

【0122】

具体的には、図９に示すように、不活性ガス供給源１６０から延びるガス供給路１６１は、ガス供給路１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃに分岐する。ガス供給路１６１ａには、圧力計１６２ａが設けられる。

【0123】

かかる圧力計１６２ａは、ガス供給路１６１ａを流れる不活性ガスの圧力を測定する。また、ガス供給路１６１ａは、圧力計１６２ａの下流側でガス供給路１４１ａとガス供給路１５１ａとに分岐する。

【0124】

ガス供給路１６１ａから分岐したガス供給路１４１ａには、流量調整器１４２ａが設けられる。流量調整器１４２ａは、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１、１４０－６（図３参照）へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。

【0125】

ガス供給路１４１ａにおける流量調整器１４２ａの下流側には、開放路１４３ａが接続され、かかる開放路１４３ａは流量調整器１４４ａを介して外部雰囲気に接続される。

【0126】

また、ガス供給路１６１ａから分岐したガス供給路１５１ａには、流量調整器１５２ａが設けられる。流量調整器１５２ａは、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－１、１５０－６（図４参照）へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。

【0127】

ガス供給路１５１ａにおける流量調整器１５２ａの下流側には、開放路１５３ａが接続され、かかる開放路１５３ａは流量調整器１５４ａを介して外部雰囲気に接続される。

【0128】

また、ガス供給路１６１から分岐するガス供給路１６１ｂには、圧力計１６２ｂが設けられる。かかる圧力計１６２ｂは、ガス供給路１６１ｂを流れる不活性ガスの圧力を測定する。また、ガス供給路１６１ｂは、圧力計１６２ｂの下流側でガス供給路１４１ｂとガス供給路１５１ｂとに分岐する。

【0129】

ガス供給路１６１ｂから分岐したガス供給路１４１ｂには、流量調整器１４２ｂが設けられる。流量調整器１４２ｂは、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－２、１４０－５（図３参照）へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。

【0130】

ガス供給路１４１ｂにおける流量調整器１４２ｂの下流側には、開放路１４３ｂが接続され、かかる開放路１４３ｂは流量調整器１４４ｂを介して外部雰囲気に接続される。

【0131】

また、ガス供給路１６１ｂから分岐したガス供給路１５１ｂには、流量調整器１５２ｂが設けられる。流量調整器１５２ｂは、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－２、１５０－５（図４参照）へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。

【0132】

ガス供給路１５１ｂにおける流量調整器１５２ｂの下流側には、開放路１５３ｂが接続され、かかる開放路１５３ｂは流量調整器１５４ｂを介して外部雰囲気に接続される。

【0133】

また、ガス供給路１６１から分岐するガス供給路１６１ｃには、圧力計１６２ｃが設けられる。かかる圧力計１６２ｃは、ガス供給路１６１ｃを流れる不活性ガスの圧力を測定する。また、ガス供給路１６１ｃは、圧力計１６２ｃの下流側でガス供給路１４１ｃとガス供給路１５１ｃとに分岐する。

【0134】

ガス供給路１６１ｃから分岐したガス供給路１４１ｃには、流量調整器１４２ｃが設けられる。流量調整器１４２ｃは、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－３、１４０－４（図３参照）へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。

【0135】

ガス供給路１４１ｃにおける流量調整器１４２ｃの下流側には、開放路１４３ｃが接続され、かかる開放路１４３ｃは流量調整器１４４ｃを介して外部雰囲気に接続される。

【0136】

また、ガス供給路１６１ｃから分岐したガス供給路１５１ｃには、流量調整器１５２ｃが設けられる。流量調整器１５２ｃは、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－３、１５０－４（図４参照）へ供給される不活性ガスの供給量を調整する。

【0137】

ガス供給路１５１ｃにおける流量調整器１５２ｃの下流側には、開放路１５３ｃが接続され、かかる開放路１５３ｃは流量調整器１５４ｃを介して外部雰囲気に接続される。

【0138】

このような配管構成を有する変形例１では、制御部７（図１参照）が、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－１、１４０－６と、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－１、１５０－６とで吐出ノズルを切り替えることができる。

【0139】

具体的には、上述の実施形態と同様に、変形例１では、制御部７が、流量調整器１４２ａを開状態にしてガスノズル１４０－１、１４０－６から不活性ガスをエッチング液Ｌ内に吐出する。この不活性ガスのガス供給圧は、圧力計１６２ａを用いて測定される。

【0140】

そして、ガスノズル１４０－１、１４０－６に詰まりが発生しガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上になった場合、制御部７は、流量調整器１４２ａを閉状態にするとともに流量調整器１５２ａを開状態にする。これにより、ガスノズル１４０－１、１４０－６からガスノズル１５０－１、１５０－６に吐出ノズルを切り替えることができる。

【0141】

さらに、制御部７は、流量調整器１４４ａを開状態にすることにより、ガスノズル１４０－１、１４０－６を大気開放する。これにより、ガスノズル１４０－１、１４０－６の内部にエッチング液Ｌを引き込むことができることから、ガスノズル１４０－１、１４０－６の内部を洗浄処理することができる。

【0142】

また、変形例１では、上記と同様に、制御部７が、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－２、１４０－５と、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－２、１５０－５とで吐出ノズルを切り替えることができる。

【0143】

さらに、変形例１では、上記と同様に、制御部７が、第１ガスノズル群１４０のガスノズル１４０－３、１４０－４と、第２ガスノズル群１５０のガスノズル１５０－３、１５０－４とで吐出ノズルを切り替えることができる。

【0144】

ここまで説明したように、本開示は、第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０のすべてのガスノズルをそれぞれ一括で制御する場合に限られず、個別のガスノズルをそれぞれ独立に制御することができる。

【0145】

なお、変形例１では、６本のガスノズルを３組に分けてそれぞれ独立に制御する場合について示したが、本開示はかかる例に限られず、たとえば、６本すべてのガスノズルをそれぞれ独立に制御してもよい。

【0146】

＜変形例２、３＞
図１０および図１１は、実施形態の変形例２および変形例３に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０の配置の一例を示す断面図である。

【0147】

本開示の第２ガスノズル群１５０は、図６に示したように、第１ガスノズル群１４０に対して上下方向に並んで配置される場合に限られず、図１０に示すように、左右方向（水平方向）に並んで配置されていてもよい。

【0148】

また、図１１に示すように、本開示の第２ガスノズル群１５０は、第１ガスノズル群１４０に対して千鳥状（すなわち、斜め方向）に並んで配置されていてもよい。

【0149】

＜変形例４＞
図１２は、実施形態の変形例４に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０の配置の一例を示す側面図である。図１２に示すように、ガスノズル１５０－１～１５０－６に形成される複数の吐出口Ｈは、ガスノズル１４０－１～１４０－６に形成される複数の吐出口Ｈに対して平面視で異なる位置に配置されてもよい。

【0150】

これにより、下部の第２ガスノズル群１５０から不活性ガスを吐出する場合に、吐出した不活性ガスが上部の第１ガスノズル群１４０に入りこむことを抑制することができる。

【0151】

＜変形例５＞
図１３は、実施形態の変形例５に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。

【0152】

変形例５において、制御部７（図１参照）は、まず、時間Ｔ１１で複数のウェハＷ（図２参照）を処理槽１１１（図２参照）に搬入する。また、制御部７は、かかる時間Ｔ１１で流量調整器１４２（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０（図５参照）からの不活性ガスの吐出を開始する。

【0153】

これにより、圧力計１６２（図５参照）で測定される第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧は、時間Ｔ１２で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。なお、時間Ｔ１１以降でも、流量調整器１５２（図５参照）は閉状態が維持される。これにより、第２ガスノズル群１５０（図５参照）からは不活性ガスは吐出されない。

【0154】

一方で、時間Ｔ１１から実施される不活性ガスの吐出処理中に、ガスノズル１４０－１～１４０－６内で詰まりが発生する。これにより、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧は、時間が経過するにつれて徐々に上昇し、時間Ｔ１３で所与の第１の閾値Ｘ１以上となる。

【0155】

すると、制御部７は、かかる時間Ｔ１３で、流量調整器１４２を開状態から閉状態に変更するとともに、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更する。これにより、第１ガスノズル群１４０からの不活性ガスの吐出を停止すると同時に、第２ガスノズル群１５０からの不活性ガスの吐出を開始する。

【0156】

これにより、圧力計１６２で測定される第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧は、時間Ｔ１４で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。

【0157】

また、変形例５では、第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０へ吐出ノズルを切り替えた時間Ｔ１３で、制御部７は、流量調整器１４４（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０を大気開放する。

【0158】

これにより、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部にエッチング液Ｌを引き込んで、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部に付着する結晶を引き込んだエッチング液Ｌでエッチング洗浄する。

【0159】

次に、時間Ｔ１１から所与の処理時間が経過した時間Ｔ１５で、複数のウェハＷのエッチング処理が完了すると、制御部７は、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更する。そして、制御部７は、第２ガスノズル群１５０のガス供給圧がゼロになった時間Ｔ１６で、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出する。

【0160】

ここまで説明したように、変形例５では、第１ガスノズル群１４０に詰まりが発生した場合に、第１ガスノズル群１４０からの不活性ガスの吐出を停止する処理と、第２ガスノズル群１５０からの不活性ガスの吐出を開始する処理とを並行して進める。

【0161】

これにより、第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０へのノズル切替処理の際に、ガス吐出部１３０からの不活性ガスの吐出量が一時的に低下することを抑制することができる。したがって、変形例５によれば、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスをさらに安定して吐出することができる。

【0162】

＜変形例６＞
図１４は、実施形態の変形例６に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。

【0163】

変形例６において、制御部７（図１参照）は、まず、時間Ｔ２１で複数のウェハＷ（図２参照）を処理槽１１１（図２参照）に搬入する。また、制御部７は、かかる時間Ｔ２１で流量調整器１４２（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０（図５参照）からの不活性ガスの吐出を開始する。

【0164】

これにより、圧力計１６２（図５参照）で測定される第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧は、時間Ｔ２２で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。なお、時間Ｔ２１以降でも、流量調整器１５２（図５参照）は閉状態が維持される。これにより、第２ガスノズル群１５０（図５参照）からは不活性ガスは吐出されない。

【0165】

一方で、時間Ｔ２１から実施される不活性ガスの吐出処理中にガスノズル１４０－１～１４０－６などに何らかの不具合が生じた場合、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が急激に上昇し、時間Ｔ２３で所与の第２の閾値Ｘ２以上となる。

【0166】

かかる第２の閾値Ｘ２は、第１の閾値Ｘ１よりも大きい値であり、たとえば、Ｘ２＝Ｘ＋２（Ｘ１－Ｘ）である。

【0167】

すると、制御部７は、時間Ｔ２３で、流量調整器１４２を開状態から閉状態に変更する。次に、制御部７は、第１ガスノズル群１４０のガス供給圧がゼロになった時間Ｔ２４で、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更することにより、第２ガスノズル群１５０からの不活性ガスの吐出を開始する。

【0168】

これにより、圧力計１６２で測定される第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧は、時間Ｔ２５で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。

【0169】

また、変形例６では、第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０へ吐出ノズルを切り替えた時間Ｔ２３で、制御部７は、流量調整器１４４（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０を大気開放する。

【0170】

これにより、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部にエッチング液Ｌを引き込んで、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部に付着する結晶を引き込んだエッチング液Ｌでエッチング洗浄する。

【0171】

次に、時間Ｔ２１から所与の処理時間が経過した時間Ｔ２６で、複数のウェハＷのエッチング処理が完了すると、制御部７は、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更する。そして、制御部７は、第２ガスノズル群１５０のガス供給圧がゼロになった時間Ｔ２７で、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出する。

【0172】

ここまで説明したように、変形例６では、第１ガスノズル群１４０に何らかの不具合が生じてガス供給圧が急激に上昇し、かかるガス供給圧が第２の閾値Ｘ２以上になった場合に、第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０に吐出ノズルを切り替える。

【0173】

このように、変形例６では、一方のガスノズル群に不具合が生じた場合でも、他方のガスノズル群に吐出ノズルを切り替えることにより、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスを安定して吐出することができる。

【0174】

＜変形例７＞
図１５は、実施形態の変形例７に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。

【0175】

変形例７において、制御部７（図１参照）は、まず、時間Ｔ３１で複数のウェハＷ（図２参照）を処理槽１１１（図２参照）に搬入する。また、制御部７は、かかる時間Ｔ３１で流量調整器１４２（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０（図５参照）からの不活性ガスの吐出を開始する。

【0176】

これにより、圧力計１６２（図５参照）で測定される第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧は、時間Ｔ３２で所与の圧力値Ｘとなる。

【0177】

しかしながら、何らかの不具合でガス供給圧が圧力値Ｘで安定せず、さらに上昇した場合、たとえガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上になったとしても、不活性ガスの吐出を開始した直後であれば、制御部７は、そのまま第１ガスノズル群１４０からの吐出を継続する。

【0178】

たとえば、制御部７は、不活性ガスの吐出を開始した時間Ｔ３１から、所与の閾値（たとえば、１２０秒）が経過した時間Ｔ３３までの間には、ガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上になったとしても、第１ガスノズル群１４０からの不活性ガスの吐出を継続する。

【0179】

これにより、ガス供給圧が不活性ガスの吐出を開始した直後で安定せず、一時的に第１の閾値Ｘ１以上となった場合に、必要性の低いノズル切替処理が実施されることを抑制することができる。なお、時間Ｔ３３以降の処理は上記の実施形態と同様であることから、説明は省略する。

【0180】

＜変形例８＞
図１６は、実施形態の変形例８に係る第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０における不活性ガスのガス供給圧の推移を示す図である。

【0181】

変形例８において、制御部７（図１参照）は、まず、時間Ｔ４１で複数のウェハＷ（図２参照）を処理槽１１１（図２参照）に搬入する。また、制御部７は、かかる時間Ｔ４１で流量調整器１４２（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０（図５参照）からの不活性ガスの吐出を開始する。

【0182】

これにより、圧力計１６２（図５参照）で測定される第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧は、時間Ｔ４２で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。なお、時間Ｔ４１以降でも、流量調整器１５２（図５参照）は閉状態が維持される。これにより、第２ガスノズル群１５０（図５参照）からは不活性ガスは吐出されない。

【0183】

そして、変形例８では、制御部７が、時間Ｔ４３になった際に、ガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上になっていなかったとしても、ノズル切替処理を実施する。かかる時間Ｔ４３は、不活性ガスの吐出を開始した時間Ｔ４１から所与の閾時間（たとえば、３６００秒）が経過した時間である。

【0184】

このように、制御部７は、時間Ｔ４３で、流量調整器１４２を開状態から閉状態に変更する。次に、制御部７は、第１ガスノズル群１４０のガス供給圧がゼロになった時間Ｔ４４で、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更することにより、第２ガスノズル群１５０からの不活性ガスの吐出を開始する。

【0185】

これにより、圧力計１６２で測定される第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧は、時間Ｔ４５で所与の圧力値Ｘとなり、以降はかかる圧力値Ｘで維持される。

【0186】

また、変形例８では、第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０へ吐出ノズルを切り替えた時間Ｔ４３で、制御部７は、流量調整器１４４（図５参照）を開状態にすることにより、第１ガスノズル群１４０を大気開放する。

【0187】

これにより、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部にエッチング液Ｌを引き込んで、ガスノズル１４０－１～１４０－６の内部に付着する結晶を引き込んだエッチング液Ｌでエッチング洗浄する。

【0188】

次に、時間Ｔ４１から所与の処理時間が経過した時間Ｔ４６で、複数のウェハＷのエッチング処理が完了すると、制御部７は、流量調整器１５２を開状態から閉状態に変更する。そして、制御部７は、第２ガスノズル群１５０のガス供給圧がゼロになった時間Ｔ４７で、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出する。

【0189】

ここまで説明したように、変形例８では、一方のガスノズル群（ここでは、第１ガスノズル群１４０）で不活性ガスを吐出した経過時間が所与の閾時間以上になった場合に、他方のガスノズル群（ここでは、第２ガスノズル群１５０）に吐出ノズルを切り替える。

【0190】

これにより、第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０で詰まりが発生することを未然に抑制することができる。したがって、変形例８によれば、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスをさらに安定して吐出することができる。

【0191】

なお、ここまで説明した実施形態および各種変形例では、圧力計１６２を用いてガスノズル群の詰まりの有無を判定する例について示したが、ガスノズル群の詰まりの有無の判定処理は、圧力計１６２で用いて実施する場合に限られない。

【0192】

たとえば、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの水頭圧を測定する水頭圧計を用いて、ガスノズル群の詰まりの有無を判定してもよい。たとえば、かかる水頭圧計によって測定されるエッチング液Ｌの水頭圧が所与の第３の閾値以上になった場合に、制御部７は、不活性ガスを吐出するガスノズル群に詰まりが発生したとみなし、ノズル切替処理を実施してもよい。

【0193】

これにより、一方のガスノズル群に詰まりが発生した場合でも、他方のガスノズル群に吐出ノズルを切り替えることができることから、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスを安定して吐出することができる。

【0194】

実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、処理槽１１１と、第１ガスノズル群１４０と、第２ガスノズル群１５０と、制御部７と、を備える。処理槽１１１は、配列された複数の基板（ウェハＷ）を処理液（エッチング液Ｌ）に浸漬させて処理を行う。第１ガスノズル群１４０は、処理槽１１１の内部において複数の基板（ウェハＷ）よりも下方に配置され、処理槽１１１に貯留される処理液（エッチング液Ｌ）にガスを吐出する。第２ガスノズル群１５０は、第１ガスノズル群１４０に近接して配置され、処理槽１１１に貯留される処理液（エッチング液Ｌ）にガスを吐出する。制御部７は、各部を制御する。また、制御部７は、複数の基板（ウェハＷ）が処理液（エッチング液Ｌ）に浸漬されて処理されている際に、第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０のうち一方のガスノズル群から処理液（エッチング液Ｌ）にガスを吐出する。また、制御部７は、所与の切替条件を検出した場合に、一方のガスノズル群から他方のガスノズル群にガスの吐出を切り替える。これにより、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスを安定して吐出することができる。

【0195】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、切替条件は、一方のガスノズル群に含まれるガスノズルの詰まり情報である。これにより、一方のガスノズル群に詰まりが発生した場合でも、エッチング液Ｌへの不活性ガスの吐出処理を継続することができる。

【0196】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、ガスノズルの詰まり情報は、ガスノズルのガス供給圧が所与の第１の閾値Ｘ１以上になった場合に検出される。これにより、一方のガスノズル群に詰まりが発生したことを精度よく検出することができる。

【0197】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、切替条件は、ガスノズルのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１よりも大きい所与の第２の閾値Ｘ２以上になった場合に検出される。これにより、一方のガスノズル群に不具合が生じた場合でも、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスを安定して吐出することができる。

【0198】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、ガスノズルの詰まり情報は、処理槽に１１１貯留される処理液（エッチング液Ｌ）の水頭圧が所与の第３の閾値以上になった場合に検出される。これにより、一方のガスノズル群に詰まりが発生したことを精度よく検出することができる。

【0199】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、切替条件は、一方のガスノズル群においてガスを吐出した経過時間が所与の閾時間以上になった場合に検出される。これにより、第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０で詰まりが発生することを未然に抑制することができる。

【0200】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部７は、一方のガスノズル群から他方のガスノズル群にガスの吐出を切り替えた後に、一方のガスノズル群を大気開放する。これにより、詰まりが発生した一方のガスノズル群を、不活性ガスの吐出処理に使用していない時に洗浄することができる。

【0201】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、第２ガスノズル群１５０は、第１ガスノズル群１４０に対して上下方向に並んで配置される。これにより、各ガスノズルが並んで配置される方向において、第１ガスノズル群１４０と第２ガスノズル群１５０とで不活性ガスの吐出位置を揃えることができる。

【0202】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、第２ガスノズル群１５０に形成される複数の吐出口Ｈは、第１ガスノズル群１４０に形成される複数の吐出口Ｈと平面視で同じ位置に配置される。これにより、各ガスノズルの延伸方向において、第１ガスノズル群１４０と第２ガスノズル群１５０とで不活性ガスの吐出位置を揃えることができる。

【0203】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、第２ガスノズル群１５０に含まれるガスノズル１５０－１～１５０－６は、第１ガスノズル群１４０に含まれるガスノズル１４０－１～１４０－６と略等しい配管径を有する。これにより、第１ガスノズル群１４０と第２ガスノズル群１５０とを切り替えた場合でも、略等しい流量の不活性ガスを吐出することができる。

【0204】

＜基板処理の詳細＞
つづいて、図１７～図２２を参照しながら、実施形態および各種変形例に係る基板処理システム１が実行する基板処理の詳細について説明する。図１７は、実施形態に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。

【0205】

最初に、制御部７は、複数のウェハＷを処理槽１１１に搬入する（ステップＳ１０１）。そして、制御部７は、第１ガスノズル群１４０から不活性ガスを吐出する（ステップＳ１０２）。

【0206】

次に、制御部７は、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ１０３）。そして、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ１０３，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ１０４）。

【0207】

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ１０４，Ｙｅｓ）、制御部７は、不活性ガスの吐出を停止して（ステップＳ１０５）、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出し（ステップＳ１０６）、一連の基板処理を終了する。

【0208】

一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ１０４，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ１０３の処理に戻る。

【0209】

また、ステップＳ１０３の処理において、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ１０３，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施する（ステップＳ１０７）。かかるノズル切替処理とは、第１ガスノズル群１４０から第２ガスノズル群１５０に吐出ノズルを切り替える処理であり、詳細については後述する。

【0210】

かかるノズル切替処理につづいて、制御部７は、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ１０８）。そして、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ１０８，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ１０９）。

【0211】

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ１０９，Ｙｅｓ）、制御部７は、ステップＳ１０５の処理に移行する。一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ１０９，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ１０８の処理に戻る。

【0212】

また、ステップＳ１０８の処理において、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ１０８，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施し（ステップＳ１１０）、ステップＳ１０３の処理に移行する。

【0213】

図１８は、実施形態に係るノズル切替処理の処理手順を示すフローチャートである。かかるノズル切替処理において、最初に、制御部７は、不活性ガスを吐出してきた一方のガスノズル群からの不活性ガスの吐出を停止する（ステップＳ１２１）。

【0214】

次に、制御部７は、他方のガスノズル群から不活性ガスを吐出する（ステップＳ１２２）。そして、制御部７は、一方のガスノズル群の内部にエッチング液Ｌを引き込むことにより、かかる一方のガスノズル群を洗浄し（ステップＳ１２３）、一連のノズル切替処理を終了する。

【0215】

図１９は、実施形態の変形例５に係るノズル切替処理の処理手順を示すフローチャートである。変形例５のノズル切替処理において、最初に、制御部７は、不活性ガスを吐出してきた一方のガスノズル群からの不活性ガスの吐出を停止する（ステップＳ１３１）。

【0216】

また、かかるステップＳ１３１の処理と並行して、制御部７は、他方のガスノズル群から不活性ガスを吐出する（ステップＳ１３２）。そして、制御部７は、一方のガスノズル群の内部にエッチング液Ｌを引き込むことにより、かかる一方のガスノズル群を洗浄し（ステップＳ１３３）、一連のノズル切替処理を終了する。

【0217】

図２０は、実施形態の変形例６に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。最初に、制御部７は、複数のウェハＷを処理槽１１１に搬入する（ステップＳ２０１）。そして、制御部７は、第１ガスノズル群１４０から不活性ガスを吐出する（ステップＳ２０２）。

【0218】

次に、制御部７は、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第２の閾値Ｘ２以上であるか否かを判定する（ステップＳ２０３）。そして、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第２の閾値Ｘ２以上でない場合（ステップＳ２０３，Ｎｏ）、制御部７は、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ２０４）。

【0219】

そして、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ２０４，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ２０５）。

【0220】

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ２０５，Ｙｅｓ）、制御部７は、不活性ガスの吐出を停止して（ステップＳ２０６）、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出し（ステップＳ２０７）、一連の基板処理を終了する。

【0221】

一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ２０５，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ２０３の処理に戻る。

【0222】

また、ステップＳ２０３の処理において、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第２の閾値Ｘ２以上である場合（ステップＳ２０３，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施する（ステップＳ２０８）。

【0223】

また、ステップＳ２０４の処理において、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ２０４，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施する（ステップＳ２０８）。

【0224】

かかるノズル切替処理につづいて、制御部７は、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第２の閾値Ｘ２以上であるか否かを判定する（ステップＳ２０９）。そして、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第２の閾値Ｘ２以上でない場合（ステップＳ２０９，Ｎｏ）、制御部７は、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ２１０）。

【0225】

そして、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ２１０，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ２１１）。

【0226】

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ２１１，Ｙｅｓ）、制御部７は、ステップＳ２０６の処理に移行する。一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ２１１，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ２０９の処理に戻る。

【0227】

また、ステップＳ２０９の処理において、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第２の閾値Ｘ２以上である場合（ステップＳ２０９，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施し（ステップＳ２１２）、ステップＳ２０３の処理に移行する。

【0228】

また、ステップＳ２１０の処理において、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ２１０，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施し（ステップＳ２１２）、ステップＳ２０３の処理に移行する。

【0229】

図２１は、実施形態の変形例７に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。最初に、制御部７は、複数のウェハＷを処理槽１１１に搬入する（ステップＳ３０１）。そして、制御部７は、第１ガスノズル群１４０から不活性ガスを吐出する（ステップＳ３０２）。

【0230】

次に、制御部７は、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ３０３）。そして、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ３０３，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ３０４）。

【0231】

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ３０４，Ｙｅｓ）、制御部７は、不活性ガスの吐出を停止して（ステップＳ３０５）、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出し（ステップＳ３０６）、一連の基板処理を終了する。

【0232】

一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ３０４，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ３０３の処理に戻る。

【0233】

また、ステップＳ３０３の処理において、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ３０３，Ｙｅｓ）、制御部７は、第１ガスノズル群１４０が吐出開始直後であるか否かを判定する（ステップＳ３０７）。

【0234】

かかるステップＳ３０７の処理において、制御部７は、第１ガスノズル群１４０が不活性ガスの吐出を開始してから所与の閾値（たとえば、１２０秒）が経過していないか否かを判定する。

【0235】

そして、第１ガスノズル群１４０が吐出開始直後である場合（ステップＳ３０７，Ｙｅｓ）、制御部７は、ステップＳ３０３の処理に戻る。一方で、第１ガスノズル群１４０が吐出開始直後でない場合（ステップＳ３０７，Ｎｏ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施する（ステップＳ３０８）。

【0236】

次に、制御部７は、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ３０９）。そして、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ３０９，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ３１０）。

【0237】

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ３１０，Ｙｅｓ）、制御部７は、ステップＳ３０５の処理に移行する。一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ３１０，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ３０９の処理に戻る。

【0238】

また、ステップＳ３０９の処理において、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ３０９，Ｙｅｓ）、制御部７は、第２ガスノズル群１５０が吐出開始直後であるか否かを判定する（ステップＳ３１１）。

【0239】

かかるステップＳ３１１の処理において、制御部７は、第２ガスノズル群１５０が不活性ガスの吐出を開始してから所与の閾値（たとえば、１２０秒）が経過していないか否かを判定する。

【0240】

そして、第２ガスノズル群１５０が吐出開始直後である場合（ステップＳ３１１，Ｙｅｓ）、制御部７は、ステップＳ３０９の処理に戻る。一方で、第２ガスノズル群１５０が吐出開始直後でない場合（ステップＳ３１１，Ｎｏ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施し（ステップＳ３１２）、ステップＳ３０３の処理に移行する。

【0241】

図２２は、実施形態の変形例８に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。最初に、制御部７は、複数のウェハＷを処理槽１１１に搬入する（ステップＳ４０１）。そして、制御部７は、第１ガスノズル群１４０から不活性ガスを吐出する（ステップＳ４０２）。

【0242】

次に、制御部７は、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ４０３）。そして、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ４０３，Ｎｏ）、制御部７は、第１ガスノズル群１４０で所与の吐出時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ４０４）。

【0243】

かかるステップＳ４０４の処理において、制御部７は、第１ガスノズル群１４０が不活性ガスの吐出を開始してから所与の閾時間（たとえば、３６００秒）が経過しているか否かを判定する。

【0244】

そして、第１ガスノズル群１４０で所与の吐出時間が経過していない場合（ステップＳ４０４，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ４０５）。

【0245】

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ４０５，Ｙｅｓ）、制御部７は、不活性ガスの吐出を停止して（ステップＳ４０６）、複数のウェハＷを処理槽１１１から搬出し（ステップＳ４０７）、一連の基板処理を終了する。

【0246】

一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ４０５，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ４０３の処理に戻る。

【0247】

また、ステップＳ４０３の処理において、第１ガスノズル群１４０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ４０３，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施する（ステップＳ４０８）。

【0248】

また、ステップＳ４０４の処理において、第１ガスノズル群１４０で所与の吐出時間が経過している場合（ステップＳ４０４，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施する（ステップＳ４０８）。

【0249】

かかるノズル切替処理につづいて、制御部７は、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ４０９）。そして、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上でない場合（ステップＳ４０９，Ｎｏ）、制御部７は、第２ガスノズル群１５０で所与の吐出時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ４１０）。

【0250】

かかるステップＳ４１０の処理において、制御部７は、第２ガスノズル群１５０が不活性ガスの吐出を開始してから所与の閾時間（たとえば、３６００秒）が経過しているか否かを判定する。

【0251】

そして、第２ガスノズル群１５０で所与の吐出時間が経過していない場合（ステップＳ４１０，Ｎｏ）、制御部７は、複数のウェハＷのエッチング処理を開始してから所与の処理時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ４１１）。

【0252】

そして、所与の処理時間が経過している場合（ステップＳ４１１，Ｙｅｓ）、制御部７は、ステップＳ４０６の処理に移行する。一方で、所与の処理時間が経過していない場合（ステップＳ４１１，Ｎｏ）、制御部７は、ステップＳ４０９の処理に戻る。

【0253】

また、ステップＳ４０９の処理において、第２ガスノズル群１５０へのガス供給圧が第１の閾値Ｘ１以上である場合（ステップＳ４０９，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施し（ステップＳ４１２）、ステップＳ４０３の処理に移行する。

【0254】

また、ステップＳ４１０の処理において、第２ガスノズル群１５０で所与の吐出時間が経過している場合（ステップＳ４１０，Ｙｅｓ）、制御部７は、ノズル切替処理を実施し（ステップＳ４１２）、ステップＳ４０３の処理に移行する。

【0255】

実施形態に係る基板処理方法は、上述の基板処理装置（基板処理システム１）において、ガスを吐出する工程（ステップＳ１０２、Ｓ２０２、Ｓ３０２、Ｓ４０２）と、ガスの吐出を切り替える工程（ステップＳ１０７、Ｓ２０８、Ｓ３０８、Ｓ４０８）とを含む。ガスを吐出する工程は、複数の基板（ウェハＷ）が処理液（エッチング液Ｌ）に浸漬されて処理されている際に、第１ガスノズル群１４０および第２ガスノズル群１５０のうち一方のガスノズル群から処理液（エッチング液Ｌ）にガスを吐出する。ガスの吐出を切り替える工程は、所与の切替条件を検出した場合に、一方のガスノズル群からのガスノズル群にガスの吐出を切り替える。これにより、処理槽１１１に貯留されるエッチング液Ｌの内部に不活性ガスを安定して吐出することができる。

【0256】

以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、ウェハＷ上に形成されるポリシリコン膜をＳＣ－１でエッチング処理した場合について示したが、ウェハＷに施される液処理はかかる例に限られない。

【0257】

たとえば、ウェハＷ上に形成されるアルミニウム膜などを混酸処理液（リン酸、酢酸および硝酸の混合酸など）でエッチング処理する場合などに本開示の技術を適用してもよい。また、ウェハＷ上に形成されるシード層などをＳＰＭ（硫酸と過酸化水素の混合液）で除去処理する場合などに本開示の技術を適用してもよい。

【0258】

これらのように、ウェハＷを液処理する場合に、ガス吐出部のガスノズルに詰まりが生じる恐れがある液処理に対して、本開示の技術を適用することができる。

【0259】

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0260】

１ 基板処理システム（基板処理装置の一例）
７ 制御部
６１ エッチング処理槽
１１１ 処理槽
１３０ ガス吐出部
１４０ 第１ガスノズル群
１４０－１～１４０－６ ガスノズル
１５０ 第２ガスノズル群
１５０－１～１５０－６ ガスノズル
Ｘ１ 第１の閾値
Ｘ２ 第２の閾値
Ｗ ウェハ（基板の一例）
Ｌ エッチング液（処理液の一例）
Ｈ 吐出口

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】