(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-08-13
(45)【発行日】2024-08-21
(54)【発明の名称】シリコンウェーハの貼付装置および貼付方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/683 20060101AFI20240814BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20240814BHJP
H01L 21/02 20060101ALI20240814BHJP
B24B 41/06 20120101ALI20240814BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 N
H01L21/304 622J
H01L21/304 622N
H01L21/02 B
B24B41/06 L
【請求項の数】
3
(21)【出願番号】P 2020139558
(22)【出願日】2020-08-20
(65)【公開番号】P2022035324
(43)【公開日】2022-03-04
【審査請求日】2023-07-12
(73)【特許権者】
【識別番号】312007423
【氏名又は名称】グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100101878
【弁理士】
【氏名又は名称】木下 茂
(74)【代理人】
【識別番号】100187506
【弁理士】
【氏名又は名称】澤田 優子
(72)【発明者】
【氏名】村田 光昭
(72)【発明者】
【氏名】海老根 泰士
(72)【発明者】
【氏名】中村 大造
(72)【発明者】
【氏名】喜内 文晃
【審査官】境 周一
(56)【参考文献】
【文献】特開２００６－２３７０８５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０７－０３７７６８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０７－１８３２６１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０１－０４５５６７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭５７－００１６５６（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第０４３１６７５７（ＵＳ，Ａ）
【文献】特開平０４－２０１１４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－２７３０４９（ＪＰ，Ａ）
【文献】実開平０３－１１６４１３（ＪＰ，Ｕ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／６８３
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
Ｈ０１Ｌ ２１／０２
Ｂ２４Ｂ ４１／０６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
シリコンウェーハの一方の面を研磨するために該シリコンウェーハの他方の面をキャリアプレートに貼付するシリコンウェーハの貼付装置において、前記キャリアプレートと、
前記キャリアプレートにシリコンウェーハを接着するための接着剤と、
前記接着剤を介して前記シリコンウェーハが仮接着された前記キャリアプレートを覆い、処理空間を形成するためのチャンバと、
前記処理空間内を２００～２０００Ｐａ／ｓｅｃの範囲のいずれかの減圧速度で減圧する真空ポンプと、
前記真空ポンプの減圧速度を制御する減圧制御部と、
真空状態の前記処理空間を大気開放してシリコンウェーハをキャリアプレートに対して押圧し接着する大気開放手段とを備えることを特徴とするシリコンウェーハの貼付装置。
【請求項2】
シリコンウェーハの一方の面を研磨するために該シリコンウェーハの他方の面をキャリアプレートに貼付するシリコンウェーハの貼付方法において、キャリアプレートにシリコンウェーハを接着剤により仮接着する工程と、
チャンバにより前記シリコンウェーハが仮接着された前記キャリアプレートを覆い、処理空間を形成する工程と、
前記処理空間内を２００～２０００Ｐａ／ｓｅｃの範囲のいずれかの減圧速度で目標値まで減圧し真空状態とする工程と、
真空状態の前記処理空間を大気開放してシリコンウェーハをキャリアプレートに対して押圧し接着する工程とを備えることを特徴とするシリコンウェーハの貼付方法。
【請求項3】
前記処理空間内を２００～２０００Ｐａ／ｓｅｃの範囲のいずれかの減圧速度で目標値まで減圧し真空状態とする工程の後、真空状態を所定時間維持する工程を備え、
前記真空状態を維持する時間は、予め測定した、前記接着剤からの脱気が完了する時間であることを特徴とする請求項２に記載されたシリコンウェーハの貼付方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、シリコンウェーハの貼付装置および貼付方法に関し、シリコンウェーハの一方の面を研磨するために該シリコンウェーハの他方の面をキャリアプレートに貼付するシリコンウェーハの貼付装置および貼付方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、片面に鏡面を有するシリコンウェーハの製造方法としては、一般的には図５に示すフローに従う。即ち、円柱状に加工したシリコン単結晶をウェーハ状にスライスする工程（ステップＳ１）と、スライスしたウェーハの両面をラップ又は研削する工程（ステップＳ２）と、加工によって生じた歪層を除去するためにエッチングする工程（ステップＳ３）と、エッチドウェーハをキャリアプレートに貼り付ける工程（ステップＳ４）と、片面研磨装置を用いてウェーハのデバイス形成面である表面の一次研磨から仕上（最終）研磨まで行う工程（ステップＳ５）と、仕上研磨されたウェーハを純水によって洗浄する工程（ステップＳ６）とを実施する。
【0003】
上記ステップＳ４、Ｓ５の工程について詳しく説明すると、図６は、シリコンウェーハの片面鏡面研磨に使用される鏡面研磨装置の概要の説明図であり、定盤５１には、平坦面に仕上げられた表面に研磨布５２が貼着され、定盤５１の中心を回転軸５１ａとして回転可能に構成されている。また、定盤５１の上方には加圧・回転ヘッド５５が配設されている。このヘッド５５は、定盤５１の中心から偏位した位置にある回転軸５５ａにより上下動可能に構成され、また回転軸５５ａを中心として回転可能に構成されている。
【0004】
この鏡面研磨装置によりシリコンウェーハＷを片面鏡面研磨するには、シリコンウェーハＷの裏面（非加工面）にワックス等の接着剤を塗布して高精度の平坦度を有するキャリアプレート５４の表面に貼り付け、次に、シリコンウェーハＷを貼り付けた面を下向きにしてキャリアプレート５４をヘッド５５の下面に取り付ける。
その後、ヘッド５５を定盤５１に押しつけながら自転させる。尚、スラリ供給チューブ５６から、研磨剤が混入されたスラリを研磨布５２に供給するように構成されている。シリコンウェーハＷは、研磨布５２表面の外周縁から５～２０ｍｍ程度外側の領域を摺動（移動）する。その結果、シリコンウェーハＷの加工面は鏡面加工される。
その後、ヘッド５５を定盤５１に押しつけながら自転させる。尚、スラリ供給チューブ５６から、研磨剤が混入されたスラリを研磨布５２に供給するように構成されている。シリコンウェーハＷは、研磨布５２表面の外周縁から５～２０ｍｍ程度外側の領域を摺動（移動）する。その結果、シリコンウェーハＷの加工面は鏡面加工される。
【0005】
ところで、ウェーハ表面を上記のような研磨加工により、高い平坦度に仕上げるためには、ウェーハを貼り付けるキャリアプレート面自体が高い平坦度を有していることが必要であるだけでなく、ウェーハをキャリアプレート面に対して高い平坦度で貼り付けることが必要である。
すなわち、シリコンウェーハとキャリアプレートとの間の接着剤層が、均等な厚さで、かつ、シリコンウェーハとキャリアプレートとを密着させていることが必要である。
すなわち、シリコンウェーハとキャリアプレートとの間の接着剤層が、均等な厚さで、かつ、シリコンウェーハとキャリアプレートとを密着させていることが必要である。
【0006】
また、このシリコンウェーハの貼付けに用いられる接着剤中に気泡が含まれないようにすることも重要である。接着剤中に気泡が含まれていると、キャリアプレートに貼り付けられたウェーハを研磨する際、気泡が発熱により膨張し、その部分にストレスがかかって歪みを生じ、ディンプル不良の発生や、厚さが均一かつ平坦なウェーハを得ることが困難となる。
【0007】
このような課題に対し、特許文献１においては、図７に示すように、減圧可能に構成されたチャンバ６６内において台座６１上のキャリアプレート６２にウェーハＷを接着剤により仮接着し、前記ウェーハＷに対し加圧プレート６５により均等に押圧可能なウェーハ貼付装置６０が開示されている。
このウェーハ貼付装置６０によれば、減圧されたチャンバ６６内においてキャリアプレート６２上に接着剤によりウェーハＷを仮接着する。更に加圧装置６４を駆動し、加圧プレート６５によりウェーハＷを押圧して接着剤中の気泡を除去し、その後チャンバ６６内を大気圧に開放することでウェーハＷを強固に接着することができる。
このウェーハ貼付装置６０によれば、減圧されたチャンバ６６内においてキャリアプレート６２上に接着剤によりウェーハＷを仮接着する。更に加圧装置６４を駆動し、加圧プレート６５によりウェーハＷを押圧して接着剤中の気泡を除去し、その後チャンバ６６内を大気圧に開放することでウェーハＷを強固に接着することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【文献】特開２００３－２７３０４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
しかしながら、特許文献１に開示されたウェーハ貼付装置６０にあっては、加圧プレート６５によりウェーハＷを押圧した際、部分的に接着剤中の気泡が除去できない虞があり、その場合、鏡面研磨後にディンプル不良が発生するという課題があった。
また、加圧プレート６５により加圧する際、加圧プレート６５にウェーハ接着用の接着剤が付着する虞があり、その場合には付着部分の平坦度が低下する不具合が生じるという課題があった。
即ち、特許文献１に開示された発明にあっては、加圧プレート６５を用いることにより生じる不具合によって歩留りが低下するという課題があった。
また、加圧プレート６５により加圧する際、加圧プレート６５にウェーハ接着用の接着剤が付着する虞があり、その場合には付着部分の平坦度が低下する不具合が生じるという課題があった。
即ち、特許文献１に開示された発明にあっては、加圧プレート６５を用いることにより生じる不具合によって歩留りが低下するという課題があった。
【0010】
上記のように特許文献１に開示された発明にあっては、加圧プレートを用いることにより生じる不具合の虞を有するため、本願発明者は、加圧プレートを用いないことを前提に鋭意研究を行い、本発明をするに至った。
【0011】
本発明の目的は、シリコンウェーハの一方の面を研磨するために該シリコンウェーハの他方の面をキャリアプレートに貼付させる際、接着剤中の気泡を除去し、高い平坦度を有するシリコンウェーハを歩留りよく得ることのできるウェーハの貼付装置及び貼付方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
前記課題を解決するためになされた、本発明に係るシリコンウェーハの貼付装置は、シリコンウェーハの一方の面を研磨するために該シリコンウェーハの他方の面をキャリアプレートに貼付するシリコンウェーハの貼付装置において、前記キャリアプレートと、前記キャリアプレートにシリコンウェーハを接着するための接着剤と、前記接着剤を介して前記シリコンウェーハが仮接着された前記キャリアプレートを覆い、処理空間を形成するためのチャンバと、前記処理空間内を２００～２０００Ｐａ／ｓｅｃの範囲のいずれかの減圧速度で減圧する真空ポンプと、前記真空ポンプの減圧速度を制御する減圧制御部と、真空状態の前記処理空間を大気開放してシリコンウェーハをキャリアプレートに対して押圧し接着する大気開放手段とを備えることに特徴を有する。
【0013】
このように構成されたウェーハの貼付装置によれば、キャリアプレートへのシリコンウェーハの貼付において、従来のように加圧プレートを用いないため、接着剤からの脱気不良や加圧プレートへの接着剤の付着等の不具合が生じることがない。また、シリコンウェーハの貼付の際、チャンバ内の減圧速度を制御することができるため、仮接着後のシリコンウェーハがキャリアプレート上で滑る不具合を防止することができる。そのため、本発明の構成によれば、キャリアプレートに対し、高い平坦度で高精度にシリコンウェーハを接着し、歩留りを向上することができる。
【0014】
また、前記課題を解決するためになされた、本発明に係るシリコンウェーハの貼付方法は、シリコンウェーハの一方の面を研磨するために該シリコンウェーハの他方の面をキャリアプレートに貼付するシリコンウェーハの貼付方法において、キャリアプレートにシリコンウェーハを接着剤により仮接着する工程と、チャンバにより前記シリコンウェーハが仮接着された前記キャリアプレートを覆い、処理空間を形成する工程と、前記処理空間内を２００～２０００Ｐａ／ｓｅｃの範囲のいずれかの減圧速度で目標値まで減圧し真空状態とする工程と、真空状態の前記処理空間を大気開放してシリコンウェーハをキャリアプレートに対して押圧し接着する工程とを備えることに特徴を有する。
尚、前記処理空間内を２００～２０００Ｐａ／ｓｅｃの範囲のいずれかの減圧速度で目標値まで減圧し真空状態とする工程の後、真空状態を所定時間維持する工程を備え、前記真空状態を維持する時間は、予め測定した、前記接着剤からの脱気が完了する時間であることが望ましい。
尚、前記処理空間内を２００～２０００Ｐａ／ｓｅｃの範囲のいずれかの減圧速度で目標値まで減圧し真空状態とする工程の後、真空状態を所定時間維持する工程を備え、前記真空状態を維持する時間は、予め測定した、前記接着剤からの脱気が完了する時間であることが望ましい。
【0015】
このように構成されたシリコンウェーハの貼付方法によれば、キャリアプレートへのシリコンウェーハの貼付において、従来のように加圧プレートを用いないため、接着剤からの脱気不良や加圧プレートへの接着剤の付着等の不具合が生じることがない。また、シリコンウェーハの貼付の際、チャンバ内の減圧速度を制御することができるため、仮接着後のシリコンウェーハがキャリアプレート上で滑る不具合を防止することができる。そのため、本発明の構成によれば、キャリアプレートに対し、高い平坦度で高精度にシリコンウェーハを接着し、歩留りを向上することができる。
【発明の効果】
【0016】
本発明によれば、シリコンウェーハの一方の面を研磨するために該シリコンウェーハの他方の面をキャリアプレートに貼付させる際、接着剤中の気泡を除去し、高い平坦度を有するシリコンウェーハを歩留りよく得ることのできるウェーハの貼付装置及び貼付方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明のシリコンウェーハの貼付装置の断面図である。
ウェーハ貼付装置１００は、図１に示すように、昇降可能な台座１と、台座１上に固定されたチャンバ２とを備える。チャンバ２の底部は開口して開口部２ａが形成され、その周縁に台座１と密着するため、Ｏリング３が設けられている。即ち、台座１が最上昇した際にチャンバ２と台座１とが密着し、チャンバ２内が密閉空間（処理空間）となる。一方、台座１が下降移動されると、台座１上の空間が開放され、台座１上の被処理対象の搬入出等が可能となされている。
ウェーハ貼付装置１００は、図１に示すように、昇降可能な台座１と、台座１上に固定されたチャンバ２とを備える。チャンバ２の底部は開口して開口部２ａが形成され、その周縁に台座１と密着するため、Ｏリング３が設けられている。即ち、台座１が最上昇した際にチャンバ２と台座１とが密着し、チャンバ２内が密閉空間（処理空間）となる。一方、台座１が下降移動されると、台座１上の空間が開放され、台座１上の被処理対象の搬入出等が可能となされている。
【0019】
また、前記チャンバ２には、排気口２ｂと吸気口２ｃとが設けられている。前記排気口２ｂには、真空ポンプ４が接続され、チャンバ２内が密閉された状態で真空ポンプ４が駆動することによりチャンバ２内の空間が所望の真空状態に減圧可能となされている。
また、前記真空ポンプ４には、減圧制御部５（コンピュータ）が接続されている。この減圧制御部５は、真空ポンプ４の排気速度を制御するものである（即ち、チャンバ２内の減圧速度（レート）を制御する）。排気速度の具体的な制御方法は特に限定されるものではないが、例えば、真空ポンプ４のモーター回転数を制御することができる。
また、前記吸気口２ｃには、バルブ６が設けられ、チャンバ２内への外気の流入量を制御できるようになっている。
また、前記台座１上には、キャリアプレート１０が載置され、キャリアプレート１０上に複数のシリコンウェーハＷが貼付可能となっている。
また、前記真空ポンプ４には、減圧制御部５（コンピュータ）が接続されている。この減圧制御部５は、真空ポンプ４の排気速度を制御するものである（即ち、チャンバ２内の減圧速度（レート）を制御する）。排気速度の具体的な制御方法は特に限定されるものではないが、例えば、真空ポンプ４のモーター回転数を制御することができる。
また、前記吸気口２ｃには、バルブ６が設けられ、チャンバ２内への外気の流入量を制御できるようになっている。
また、前記台座１上には、キャリアプレート１０が載置され、キャリアプレート１０上に複数のシリコンウェーハＷが貼付可能となっている。
【0020】
続いて、上記のように構成されたウェーハ貼付装置１００の一連の動作について図２及び図３を用いて説明する。図２は、ウェーハ貼付装置１００の一連の動作の遷移を示す断面図であり、図３は、ウェーハ貼付装置１００の一連の動作を示すフロー図である。
先ず、図２（ａ）に示すように、台座１を下降させた状態で、キャリアプレート１０上にシリコンウェーハＷをワックス等の接着剤１１を用いて仮接着する（ステップＳＴ１）。
先ず、図２（ａ）に示すように、台座１を下降させた状態で、キャリアプレート１０上にシリコンウェーハＷをワックス等の接着剤１１を用いて仮接着する（ステップＳＴ１）。
【0021】
次いで、図２（ｂ）に示すように、チャンバ２に対し台座１を上昇し、チャンバ２の下端を台座１に密着させて、チャンバ２内に処理空間２０を形成する（ステップＳＴ２）。
処理空間２０を形成後、減圧制御部５の制御の下で真空ポンプ４を駆動し、排気口２ｂから処理室２０内の雰囲気を排気して処理室２０内を減圧開始する（ステップＳＴ３）。
処理空間２０を形成後、減圧制御部５の制御の下で真空ポンプ４を駆動し、排気口２ｂから処理室２０内の雰囲気を排気して処理室２０内を減圧開始する（ステップＳＴ３）。
【0022】
このとき、減圧速度（減圧レート）は、２００Ｐａ／ｓｅｃ～２０００Ｐａ／ｓｅｃの間で設定した値（例えば６００Ｐａ／ｓｅｃ）で制御し、処理空間２０内の気圧が大気圧より低い目標値（例えば１００Ｐａ）となるまで減圧する（ステップＳＴ４）。
尚、減圧速度が、１～２００Ｐａ／ｓｅｃであると、平坦度は向上するが、減圧時間が長く、スループットが著しく低下するため好ましくない。一方、２０００Ｐａ／ｓｅｃより大きい値だと、減圧速度が速すぎ、処理空間２０内の気流の流れが急峻となる。そのため、シリコンウェーハＷがキャリアプレート１０上で滑り、正常な貼り付けができない虞があるため好ましくない。
尚、減圧速度が、１～２００Ｐａ／ｓｅｃであると、平坦度は向上するが、減圧時間が長く、スループットが著しく低下するため好ましくない。一方、２０００Ｐａ／ｓｅｃより大きい値だと、減圧速度が速すぎ、処理空間２０内の気流の流れが急峻となる。そのため、シリコンウェーハＷがキャリアプレート１０上で滑り、正常な貼り付けができない虞があるため好ましくない。
【0023】
処理空間２０内の気圧が１００Ｐａに達すると、真空ポンプ４の動作を停止し、気圧１００Ｐａの状態で例えば１０ｓｅｃ維持する（ステップＳＴ５）。これにより、接着剤１１中の気泡がすべて処理空間２０中に脱気される。尚、真空状態を維持する時間は、接着剤１１から脱気が完了する時間を予め測定して決定される。
【0024】
そして、吸気口２ｃのバルブ６を全開し、図２（ｃ）に示すようにチャンバ２内に外部の気体が流入するとともにチャンバ２内が瞬時に大気圧の状態になされる（ステップＳＴ６）。このチャンバ２内の１００Ｐａから大気圧への変化によってシリコンウェーハＷがキャリアプレート１０に対し押圧され、接着される。
その後、台座１が下降されて、台座１から（シリコンウェーハＷが貼付された）キャリアプレート１０が取り出され、図示しない研磨装置に装着される。
その後、台座１が下降されて、台座１から（シリコンウェーハＷが貼付された）キャリアプレート１０が取り出され、図示しない研磨装置に装着される。
【0025】
以上のように本発明に係る実施の形態によれば、キャリアプレート１０へのシリコンウェーハＷの貼付において、従来のように加圧プレートを用いないため、接着剤からの脱気不良や加圧プレートへの接着剤の付着等の不具合が生じることがない。また、シリコンウェーハＷの貼付の際、チャンバ２内の減圧速度を制御することができるため、仮接着後のシリコンウェーハＷがキャリアプレート上で滑る不具合を防止することができる。そのため、本発明の構成によれば、キャリアプレート１０に対し、高い平坦度で高精度にシリコンウェーハＷを接着し、歩留りを向上することができる。
【0026】
尚、前記実施の形態においては、チャンバ２内の気圧を大気圧より低い目標値（真空状態）まで減圧した後、その状態で１０ｓｅｃ維持するものとしたが、本発明にあっては、減圧状態での維持時間は、それに限定されるものではなく、任意に調整してよい。
【0027】
また、前記実施の形態においては、チャンバ２内を減圧状態で維持後、バルブ６を開放して吸気口２ｃから外気と取り入れ、処理室２０内を大気圧とするものとしたが（即ち、バルブ６と吸気口２ｃとが大気開放手段）、本発明にあっては、その方法に限定されず、チャンバ２内を減圧状態で維持後、台座１を下降させてチャンバ２内を大気開放するようにしてもよい（図示しない台座下降手段が大気開放手段）。
【実施例】
【0028】
本発明に係るシリコンウェーハの貼付装置及び貼付方法について、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、前記実施の形態に基づき以下の実験を行った。
【0029】
（実験１）
実験１では、キャリアプレートにシリコンウェーハを仮接着した後、チャンバ内の好ましい減圧速度について検証した。
実験１では、キャリアプレートにシリコンウェーハを仮接着した後、チャンバ内の好ましい減圧速度について検証した。
【0030】
（実施例１～１０）
実施例１～１０では、チャンバ内の減圧速度（減圧レート）を２００～２０００Ｐａ／ｓｅｃの間で設定した値とし、減圧速度とＳＦＱＲ歩留向上率との関係を求めた。尚、ＳＦＱＲとは、サイトフラットネスと呼ばれる平坦度の指標であり、ウェーハ全面を格子状（本実験では２５ｍｍ×２５ｍｍ）に区切り、各領域内での厚さむらを示したものである。
具体的には、直径２００ｍｍ、厚み７４０μｍのシリコンウェーハに液体接着剤をスピンコートで塗布し、キャリアプレートに均一な間隔で隔たり無く仮接着した。そして、前記キャリアプレートを収容するチャンバ内を、減圧速度２００～２０００Ｐａ／ｓｅｃの間で設定したいずれかの値（実施例１：２００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例２：３００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例３：４００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例４：５００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例５：６００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例６：７００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例７：８００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例８：９００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例９：１０００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例１０：２０００Ｐａ／ｓｅｃ）とし、チャンバ内の気圧が１００Ｐａとなるまで減圧した。
実施例１～１０では、チャンバ内の減圧速度（減圧レート）を２００～２０００Ｐａ／ｓｅｃの間で設定した値とし、減圧速度とＳＦＱＲ歩留向上率との関係を求めた。尚、ＳＦＱＲとは、サイトフラットネスと呼ばれる平坦度の指標であり、ウェーハ全面を格子状（本実験では２５ｍｍ×２５ｍｍ）に区切り、各領域内での厚さむらを示したものである。
具体的には、直径２００ｍｍ、厚み７４０μｍのシリコンウェーハに液体接着剤をスピンコートで塗布し、キャリアプレートに均一な間隔で隔たり無く仮接着した。そして、前記キャリアプレートを収容するチャンバ内を、減圧速度２００～２０００Ｐａ／ｓｅｃの間で設定したいずれかの値（実施例１：２００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例２：３００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例３：４００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例４：５００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例５：６００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例６：７００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例７：８００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例８：９００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例９：１０００Ｐａ／ｓｅｃ、実施例１０：２０００Ｐａ／ｓｅｃ）とし、チャンバ内の気圧が１００Ｐａとなるまで減圧した。
【0031】
チャンバ内の気圧を１００Ｐａとした後、１０ｓｅｃ維持し、その後、チャンバ内を瞬時に大気開放してウェーハをキャリアプレートに接着した。
この貼付処理後、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ製ＡＤＥ９５００を用い、ウェーハ平坦度の測定評価を行った。ウェーハ平坦度の評価は、２５ｍｍ×２５ｍｍのＳＦＱＲ（ＳＥＭＩ Ｍ１規格）。
この貼付処理後、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ製ＡＤＥ９５００を用い、ウェーハ平坦度の測定評価を行った。ウェーハ平坦度の評価は、２５ｍｍ×２５ｍｍのＳＦＱＲ（ＳＥＭＩ Ｍ１規格）。
【0032】
（比較例１、２）
比較例１、２では、チャンバ内の減圧速度（減圧レート）を１～２００Ｐａ／ｓｅｃ未満の間で設定した値とし、減圧速度とＳＦＱＲ歩留向上率との関係を求めた。具体的には、比較例１では減圧速度を１０Ｐａ／ｓｅｃとし、比較例２では減圧速度を１００Ｐａ／ｓｅｃとした。その他の条件は、実施例１～１０と同じである。
比較例１、２では、チャンバ内の減圧速度（減圧レート）を１～２００Ｐａ／ｓｅｃ未満の間で設定した値とし、減圧速度とＳＦＱＲ歩留向上率との関係を求めた。具体的には、比較例１では減圧速度を１０Ｐａ／ｓｅｃとし、比較例２では減圧速度を１００Ｐａ／ｓｅｃとした。その他の条件は、実施例１～１０と同じである。
【0033】
（比較例３、４）
比較例３、４では、チャンバ内の減圧速度（減圧レート）を２０００Ｐａ／ｓｅｃより大きい値とし、減圧速度とＳＦＱＲ歩留向上率との関係を求めた。具体的には、比較例３では減圧速度を３０００Ｐａ／ｓｅｃとし、比較例４では減圧速度を４０００Ｐａ／ｓｅｃとした。その他の条件は、実施例１～１０と同じである。
比較例３、４では、チャンバ内の減圧速度（減圧レート）を２０００Ｐａ／ｓｅｃより大きい値とし、減圧速度とＳＦＱＲ歩留向上率との関係を求めた。具体的には、比較例３では減圧速度を３０００Ｐａ／ｓｅｃとし、比較例４では減圧速度を４０００Ｐａ／ｓｅｃとした。その他の条件は、実施例１～１０と同じである。
【0034】
実施例１～１０、及び比較例１～４の結果を図４のグラフに示す。図４のグラフにおいて横軸は減圧速度（Ｐａ／ｓｅｃ）、縦軸はＳＦＱＲ歩留向上率（％）である。尚、ＳＦＱＲ歩留向上率とは、本発明によるＳＦＱＲ歩留と先行技術によるＳＦＱＲ歩留との差を示している。
図４のグラフに示すように、比較例１、２では、ＳＦＱＲ歩留向上率は高い値となったが、目標値までに達する減圧時間が長いため、スループットが大きく低下した。
また、比較例３、４では、減圧速度が速すぎてチャンバ内の気流の流れが急峻となり、プレート上でシリコンウェーハが滑る現象が発生した。そのため、正常な貼り付けができなかった。
一方、実施例１～１０では、減圧速度は適度でスループットが良好であり、ＳＦＱＲ歩留向上率が高い値となった。そのため、チャンバ内の好ましい減圧速度の範囲は、２００～２０００Ｐａ／ｓｅｃであることを確認した。
図４のグラフに示すように、比較例１、２では、ＳＦＱＲ歩留向上率は高い値となったが、目標値までに達する減圧時間が長いため、スループットが大きく低下した。
また、比較例３、４では、減圧速度が速すぎてチャンバ内の気流の流れが急峻となり、プレート上でシリコンウェーハが滑る現象が発生した。そのため、正常な貼り付けができなかった。
一方、実施例１～１０では、減圧速度は適度でスループットが良好であり、ＳＦＱＲ歩留向上率が高い値となった。そのため、チャンバ内の好ましい減圧速度の範囲は、２００～２０００Ｐａ／ｓｅｃであることを確認した。
【0035】
（実験２）
実験２では、上記実施例５の結果と、従来の加圧プレートを用いたウェーハ貼付方法による結果との比較を行った。
実験２では、上記実施例５の結果と、従来の加圧プレートを用いたウェーハ貼付方法による結果との比較を行った。
【0036】
（比較例５）
比較例５では、実施例５と同様に直径２００ｍｍ、厚み７４０μｍのシリコンウェーハに液体接着剤をスピンコートで塗布し、キャリアプレートに均一な間隔で隔たり無く仮接着した。そして、前記仮接着したウェーハを加圧プレートにより２５０Ｎの力で加圧し、約１００００Ｐａ／ｓｅｃの減圧速度にてチャンバ内を真空状態とした。
その後、チャンバ内を瞬時に大気開放してウェーハをキャリアプレートに接着した。
この貼付処理後、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ製ＡＤＥ９５００を用い、ウェーハ平坦度の測定評価を行った。ウェーハ平坦度の評価は、２５ｍｍ×２５ｍｍのＳＦＱＲ（ＳＥＭＩ Ｍ１規格）。
比較例５では、実施例５と同様に直径２００ｍｍ、厚み７４０μｍのシリコンウェーハに液体接着剤をスピンコートで塗布し、キャリアプレートに均一な間隔で隔たり無く仮接着した。そして、前記仮接着したウェーハを加圧プレートにより２５０Ｎの力で加圧し、約１００００Ｐａ／ｓｅｃの減圧速度にてチャンバ内を真空状態とした。
その後、チャンバ内を瞬時に大気開放してウェーハをキャリアプレートに接着した。
この貼付処理後、ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ製ＡＤＥ９５００を用い、ウェーハ平坦度の測定評価を行った。ウェーハ平坦度の評価は、２５ｍｍ×２５ｍｍのＳＦＱＲ（ＳＥＭＩ Ｍ１規格）。
【0037】
実験２の結果、実施例５では、比較例５での平坦度と変わらなかったが、２５ｍｍ×２５ｍｍＳＦＱＲ≦０．２μｍの歩留りは、比較例５よりも５％向上した。
この結果より、実施例５では、ウェーハとキャリアプレート間の気泡抜けがよくなり、エア溜まりによるディンプル不良が減少したものと考えられた。
この結果より、実施例５では、ウェーハとキャリアプレート間の気泡抜けがよくなり、エア溜まりによるディンプル不良が減少したものと考えられた。
【0038】
以上の実施例の結果より、本発明によれば、ウェーハとキャリアプレート間の脱気をスムーズに行うことができ、高い平坦度を有するウェーハを歩留りよく得ることができると確認した。
【符号の説明】
【0039】
１ 台座
２ チャンバ
２ｃ 吸気口
３ Ｏリング
４ 真空ポンプ
５ 減圧制御部
６ バルブ
１０ キャリアプレート
１１ 接着剤
１００ ウェーハ貼付装置
Ｗ ウェーハ
２ チャンバ
２ｃ 吸気口
３ Ｏリング
４ 真空ポンプ
５ 減圧制御部
６ バルブ
１０ キャリアプレート
１１ 接着剤
１００ ウェーハ貼付装置
Ｗ ウェーハ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】