特許 7542391 めっき方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-22

(45)【発行日】2024-08-30

(54)【発明の名称】めっき方法

(51)【国際特許分類】

   C25D 17/08 20060101AFI20240823BHJP

   C25D 17/06 20060101ALI20240823BHJP

   C25D 7/12 20060101ALI20240823BHJP

【ＦＩ】

C25D17/08 D

C25D17/08 S

C25D17/06 C

C25D7/12

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2020171311

(22)【出願日】2020-10-09

(65)【公開番号】P2022063026

(43)【公開日】2022-04-21

【審査請求日】2023-03-15

(73)【特許権者】

【識別番号】000000239

【氏名又は名称】株式会社荏原製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100106208

【弁理士】

【氏名又は名称】宮前 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100146710

【弁理士】

【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男

(74)【代理人】

【識別番号】100186613

【弁理士】

【氏名又は名称】渡邊 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100172041

【弁理士】

【氏名又は名称】小畑 統照

(72)【発明者】

【氏名】辻 一仁

【審査官】黒木 花菜子

(56)【参考文献】

【文献】特開２００４－２６９９２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－１２８０１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－３１６８６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－０３８２９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－１３８３０４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－３００５７６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２５Ｄ １７／０８

Ｃ２５Ｄ １７／０６

Ｃ２５Ｄ ７／１２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

めっき液に暴露される被めっき部と前記被めっき部の外側領域である縁部とを有する基板にめっき処理を施すためのめっき方法であって、
基板に第１のシール体を接触させて前記基板の前記縁部をシールする第１シール工程と、
前記第１シール工程によりシールされた前記基板にプリウェット処理を施すプリウェット工程と、
プリウェット後の前記基板から前記第１のシール体を取り外す第１シール取外し工程と、
前記基板を、第２のシール体を有する基板ホルダで保持して前記基板の前記縁部をシールする基板保持工程と、
前記基板ホルダで保持された前記基板にめっき液を作用させるめっき工程と、
を含み、
前記第１シール工程では、前記第１のシール体を有するプリウェット用基板ホルダにより前記基板が保持され、前記プリウェット用基板ホルダは、前記基板の被めっき面の裏面を支持する支持体を有し、前記支持体と前記第１のシール体とによる前記基板の挟み込み、および／または、前記支持体に設けられた真空チャックにより、前記基板を保持し、
前記プリウェット用基板ホルダは、前記基板の前記縁部の導電層の電気抵抗を測定する抵抗測定器を備え、
前記めっき方法は、前記プリウェット用基板ホルダに保持された基板の電気抵抗を測定する工程を更に含む、めっき方法。

【請求項2】

前記第１シール取外し工程は、前記基板から前記第１のシール体を取り外す前に、前記基板を回転させる工程を含む、請求項１に記載のめっき方法。

【請求項3】

前記プリウェット工程では、被めっき面を下方に向けた状態で前記基板にプリウェット処理を施す、請求項１または２に記載のめっき方法。

【請求項4】

前記プリウェット工程では、被めっき面を上方に向けた状態で前記基板にプリウェット処理を施す、請求項１または２に記載のめっき方法。

【請求項5】

前記プリウェット工程は、前記第１のシール体と前記基板の被めっき面とによって画定される槽状領域にプリウェット液を溜める工程を含む、請求項４に記載のめっき方法。

【請求項6】

前記第１シール取外し工程は、前記被めっき面を下方に向けた状態で前記基板から前記第１のシール体を取り外す、請求項４または５に記載のめっき方法。

【請求項7】

搬送モジュールにより、前記プリウェット工程が施される場所から前記被めっき面を下方に向けた状態で搬送する工程を更に含む、請求項１から６の何れか１項に記載のめっき方法。

【請求項8】

前記プリウェット工程は、プリウェット液を前記基板の被めっき面に吹き付けることにより行われる、請求項１から７の何れか１項に記載のめっき方法。

【請求項9】

前記プリウェット工程は、前記基板の回転を伴って行われる、請求項１から８の何れか１項に記載のめっき方法。

【請求項10】

前記基板の被めっき面には、前記第１のシール体を含む段差部が形成され、当該段差部は、前記基板の被めっき面から離れるほど拡径するテーパ状に構成される、請求項１から９の何れか１項に記載のめっき方法。

【請求項11】

前記めっき工程では、被めっき面を下方に向けた状態で前記基板ホルダと前記基板とを前記めっき液に浸漬させる、
請求項１から１０の何れか１項に記載のめっき方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、めっき方法に関する。

【背景技術】

【0002】

基板にめっき処理を施すためのめっきモジュールとして、カップ式の電解めっきモジュールが知られている。カップ式の電解めっきモジュールは、被めっき面を下方に向けて基板（例えば半導体ウェハ）を保持する基板ホルダを備える。基板ホルダは、基板に電圧を印加するための電気接点と、この電気接点にめっき液が作用しないように基板をシールするシール部材とを有する。カップ式の電解めっきモジュールでは、被めっき面を下方に向けて基板をめっき液に浸漬させ、基板とアノードとの間に電圧を印加することによって、基板の表面に導電膜を析出させる。

【0003】

複数の基板を処理するためのめっき装置は、こうしたカップ式の電解めっきモジュールを複数備える場合がある。こうした例において、複数のカップ式の電解めっきモジュールのそれぞれは、一体型の基板ホルダおよびめっき槽を有する場合がある。めっき槽と基板ホルダとが一体型に構成されることにより、装置の小型化を図ることができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２００１－３１６８６９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

めっき装置では、めっきモジュールにおけるめっき処理の前に、基板にプリウェット処理を施す場合がある。プリウェット処理では、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。これにより、めっき時にはパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくする。しかしながら、例えば基板ホルダとめっき槽とが一体型に構成されている装置など、基板が基板ホルダに保持される前にプリウェット処理が行われるような場合には、不都合が生じる場合があった。

【0006】

すなわち、基板が基板ホルダに保持される前にプリウェット処理が行われて基板における電気接点が接触する縁部にプリウェット液が残留していると、基板ホルダによって基板が保持されたときに電気接点による電気接触が阻害されるおそれがある。また、基板ホルダには、以前のめっき処理時のめっき液が付着している場合があり、基板の縁部にプリウェット液が残留していると、シール領域にめっき液が入り込んでしまうおそれがある。

【0007】

以上の実情に鑑みて、本願は、基板の縁部にプリウェット液が残留するのを防止することを１つの目的としている。

【課題を解決するための手段】

【0008】

一実施形態によれば、めっき液に暴露される被めっき部と前記被めっき部の外側領域である縁部とを有する基板にめっき処理を施すためのめっき方法であって、基板に第１のシール体を接触させて前記基板の前記縁部をシールする第１シール工程と、シールされた前記基板にプリウェット処理を施すプリウェット工程と、プリウェット後の前記基板から前記第１のシール体を取り外す第１シール取外し工程と、前記基板を、第２のシール体を有する基板ホルダで保持する基板保持工程と、前記基板ホルダで保持された前記基板にめっ
き液を作用させるめっき工程と、を含む、めっき方法が開示される。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。

【図2】図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。

【図3】図３は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。

【図4】図４は、本実施形態のプリウェットモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。

【図5】図５は、図４における上方から第２保持部材を示す図である。

【図6】図６は、プリウェットモジュールによる第１実施形態のプリウェット処理を示す図である。

【図7】図７は、プリウェットモジュールによる第２実施形態のプリウェット処理を示す図である。

【図8】図８は、プリウェットモジュールによる第３実施形態のプリウェット処理を示す図である。

【図9】図９は、プリウェットモジュールによる第４実施形態のプリウェット処理を示す図である。

【図10】図１０は、プリウェットモジュールによる第５実施形態のプリウェット処理を示す図である。

【図11】図１１は、プリウェットモジュールによる第６実施形態のプリウェット処理を示す図である。

【図12】図１２は、プリウェットモジュールによる第７実施形態のプリウェット処理を示す図である。

【図13】めっき装置によるめっき方法の一例を示すフローチャートである。

【図14】変形例によるプリウェットモジュールの構成の一部を概略的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

【0011】

＜めっき装置の全体構成＞
図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。本実施形態のめっき装置は、基板に対してめっき処理を施すために使用される。基板は、角形基板、円形基板を含む。図１、２に示すように、めっき装置１０００は、ロード／アンロードモジュール１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤモジュール６００、搬送装置７００、および、制御モジュール８００を備える。

【0012】

ロード／アンロードモジュール１００は、めっき装置１０００に半導体ウェハなどの基板を搬入したりめっき装置１０００から基板を搬出したりするためのモジュールであり、基板を収容するためのカセットを搭載している。本実施形態では４台のロード／アンロードモジュール１００が水平方向に並べて配置されているが、ロード／アンロードモジュール１００の数および配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロード／アンロードモジュール１００、アライナ１２０、および搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０および搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、図示していない仮置き台を介して基板の受け渡しを行うことができる。アライナ１２０は、基板のオ
リフラ（オリエンテーションフラット）やノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数および配置は任意である。

【0013】

プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面に純水または脱気水などの処理液（プリウェット液）を付着させるためのモジュールである。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数および配置は任意である。プリソークモジュール３００は、めっき処理前の基板の被めっき面の酸化膜をエッチングするためのモジュールである。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数および配置は任意である。

【0014】

めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施すためのモジュールである。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数および配置は任意である。

【0015】

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板を洗浄するためのモジュールである。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数および配置は任意である。スピンリンスドライヤモジュール６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤモジュールが上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤモジュールの数および配置は任意である。

【0016】

搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するためのモジュールであり、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

【0017】

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロード／アンロードモジュール１００に基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロード／アンロードモジュール１００から基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、オリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。

【0018】

搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

【0019】

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤモジュール６００へ搬送する。スピンリンスドライヤモジュール６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロード／アンロードモジュール１００へ搬送する。最後に、ロード／アンロードモジュール１００から基板が搬出される。

【0020】

＜めっきモジュールの構成＞
次に、めっきモジュール４００の構成を説明する。本実施形態における２４台のめっきモジュール４００は同一の構成であるので、１台のめっきモジュール４００のみを説明する。図３は、本実施形態のめっきモジュール４００の構成を概略的に示す縦断面図である。図３に示すように、めっきモジュール４００は、めっき液を収容するためのめっき槽４１０を備える。めっき槽４１０は、上面が開口した円筒形の内槽４１２と、内槽４１２の上縁からオーバーフローしためっき液を溜められるように内槽４１２の周囲に設けられた外槽４１４と、を含んで構成される。

【0021】

めっきモジュール４００は、内槽４１２の内部を上下方向に隔てるメンブレン４２０を備える。内槽４１２の内部はメンブレン４２０によってカソード領域４２２とアノード領域４２４に仕切られる。カソード領域４２２とアノード領域４２４にはそれぞれめっき液が充填される。アノード領域４２４の内槽４１２の底面にはアノード４３０が設けられる。カソード領域４２２にはメンブレン４２０に対向する抵抗体４５０が配置される。抵抗体４５０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにおけるめっき処理の均一化を図るための部材である。なお、本実施形態ではメンブレン４２０が設けられる一例を示したが、メンブレン４２０は設けられなくてもよい。

【0022】

また、めっきモジュール４００は、被めっき面Ｗｆ－ａを下方に向けた状態で基板Ｗｆを保持するための基板ホルダ４４０を備える。基板ホルダ４４０は、被めっき面Ｗｆ－ａにおける一部（被めっき部）Ｗｆ－１を露出させた状態で、当該一部の外側領域である縁部Ｗｆ－２を把持する。基板ホルダ４４０は、めっき液が基板Ｗｆの縁部Ｗｆ－２に作用しないように、縁部Ｗｆ－２をシールするシール体（第２のシール体）４４１を有する。また、基板ホルダ４４０は、基板Ｗｆの縁部Ｗｆ－２に接触して図示していない電源から基板Ｗｆに給電するための給電接点を備える。めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０を昇降させるための昇降機構４４２を備える。昇降機構４４２は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。昇降機構４４２を用いて基板Ｗｆをカソード領域４２２のめっき液に浸漬させることにより、基板Ｗｆの被めっき部Ｗｆ－１がめっき液に暴露される。めっきモジュール４００は、この状態でアノード４３０と基板Ｗｆとの間に電圧を印加することによって、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａ（被めっき部Ｗｆ－１）にめっき処理を施すように構成される。

【0023】

なお、上記しためっきモジュール４００は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａが下方に向けられた状態でめっき処理が施されるものとしたが、こうした例に限定されない。一例として、めっきモジュール４００では、被めっき面Ｗｆ－ａが上方または側方に向けられた状態でめっき処理が施されてもよい。

【0024】

＜プリウェットモジュールの構成＞
本実施形態のプリウェットモジュール２００の構成を説明する。本実施形態における２台のプリウェットモジュール２００は同一の構成であるので、１台のプリウェットモジュール２００のみを説明する。図４は、本実施形態のプリウェットモジュール２００の構成を概略的に示す縦断面図である。図４に示すように、プリウェットモジュール２００は、基板Ｗｆを保持するためのプリウェット用基板ホルダ２４０と、プリウェット用基板ホルダ２４０を駆動するための駆動機構２５０と、を備える。また、プリウェットモジュール２００は、純水または脱気水などの処理液を供給するための処理液供給機構（図４では不図示）を有する。なお、図４に示す例では、プリウェット用基板ホルダ２４０は、被めっき面Ｗｆ－ａを上方に向けた状態で基板Ｗｆを保持しているが、こうした例には限定されない。プリウェット用基板ホルダ２４０は、被めっき面Ｗｆ－ａを下方または水平方向に向けて保持するように構成されてもよい。また、プリウェット用基板ホルダ２４０は、被めっき面Ｗｆを鉛直方向または水平方向に対して傾斜させて保持してもよい。駆動機構２
５０は、一例として、プリウェット用基板２４０を水平方向と鉛直方向との少なくとも一方に移動させることができるように構成される。また、駆動機構２５０は、被めっき面Ｗｆ－ａの向きを変更可能なように構成されてもよく、基板Ｗｆを上下反転させるように構成されてもよい。

【0025】

プリウェット用基板ホルダ２４０は、例えば基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの裏面を支持するための支持面２４２ａを有する第１保持部材（支持体）２４２と、この第１保持部材２４２に対して着脱自在に構成される第２保持部材２４４と、を有している。一例として、プリウェット用基板ホルダ２４０は、第１保持部材２４２に対して第２保持部材２４４に取り付けられたピン２４５を図示しない駆動機構によって移動させ、第１保持部材２４２とシール体２４６とによって基板Ｗｆを挟み込むことにより、基板Ｗｆを保持するように構成される。ただし、こうした例に限定されず、例えば、プリウェット用基板ホルダ２４０は第１保持部材２４２に設けられた真空チャックにより基板を保持するように構成されてもよい。

【0026】

第２保持部材２４４は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに接触し、被めっき面Ｗｆ－ａに対して段差部を形成する。一例として、第２保持部材２４４により形成される段差部は、図４に示すように、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａから離れるほど拡径するテーパ状に構成されるとよい。図５は、図４における上方から第２保持部材２４４を示す図である。図４および図５に示すように、第２保持部材２４４は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａと接触して基板Ｗｆの縁部Ｗｆ－２をシールするためのシール体（第１のシール体）２４６を有する（図５では破線で示している）。シール体２４６により、被めっき面Ｗｆ－ａにおいて、プリウェット液が基板Ｗｆの縁部Ｗｆ－２に浸入することが防止される。なお、プリウェット液が第１保持部材２４２と第２保持部材２４４との隙間から浸入する可能性が低いような場合には、図４に示すように、プリウェット用基板ホルダ２４０は第１保持部材２４２と第２保持部材２４４との隙間をシールするためのシール体を有しなくてもよい。ただし、こうした例に限定されず、第１保持部材２４２と第２保持部材２４４との少なくとも一方は、第１保持部材２４２と第２保持部材２４４との隙間をシールするためのシール体を有してもよい。

【0027】

続いて、プリウェットモジュール２００による基板Ｗｆのプリウェット処理を説明する。図６は、プリウェットモジュール２００による第１実施形態のプリウェット処理を示す図である。図６に示す例では、基板Ｗｆは、被めっき面Ｗｆ－ａが上方を向くように保持されている。また、図６に示す例では、プリウェットモジュール２００は、処理液供給機構として、基板Ｗｆの上方から処理液を噴出するように構成された噴出機構（ノズル）２６０Ａを備えている。噴出機構２６０Ａから処理液が噴出されることにより、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａ（被めっき部Ｗｆ－１）に処理液が吹き付けられて付着する。限定するものではないが、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに処理液の吹き付けは、駆動機構２５０（図６では不図示）によるプリウェット用基板ホルダ２４０（基板Ｗｆ）の回転を伴って行われるとよい。こうすれば、被めっき面Ｗｆ－ａにおける処理液の付着の均一性を向上させることができる。また、処理液を噴出する噴出機構２６０Ａは、基板Ｗｆの中心に向けて処理液を吹き付けるように構成されてもよいし、基板Ｗｆの中心から離れた所定位置に向けて処理液を吹き付けるように構成されてもよい。さらに、噴出機構２６０Ａからの処理液の噴出は、被めっき面Ｗｆ－ａにおける吹き付け位置を変更しながら行われるように、プリウェット用基板ホルダ２４０と噴出機構２６０Ａとの少なくとも一方の移動を伴って行われるものとしてもよい。

【0028】

図７は、プリウェットモジュール２００による第２実施形態のプリウェット処理を示す図である。図７に示す例では、基板Ｗｆは、被めっき面Ｗｆ－ａが上方を向くように保持されている。また、図７に示す例では、プリウェットモジュール２００は、処理液供給機
構として、基板Ｗｆの上方から処理液を噴出するように構成された噴出機構２６０Ｂを備えている。噴出機構２６０Ｂは、複数の噴出口２６０Ｂａを有している。一例として、噴出機構２６０Ｂは、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの半径方向に沿った複数の噴出口２６０Ｂａを有し、基板Ｗｆの回転を伴って、噴出機構２６０Ｂから処理液が噴出されるとよい。こうした例においても、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに好適にプリウェット処理を施すことができる。なお、噴出機構２６０Ｂからの処理液の噴出は、被めっき面Ｗｆ－ａにおける吹き付け位置を変更しながら行われるように、プリウェット用基板ホルダ２４０と噴出機構２６０Ｂとの少なくとも一方の移動を伴って行われてもよい。

【0029】

図８は、プリウェットモジュール２００による第３実施形態のプリウェット処理を示す図である。図８に示す例では、基板Ｗｆは、被めっき面Ｗｆ－ａが上方を向くように保持されている。図８に示す例では、プリウェットモジュール２００は、処理液供給機構として、基板Ｗｆの上方から処理液を噴出するように構成された噴出機構２６０Ｃを備えている。ここで、図８に示す噴出機構２６０Ｃは、複数の噴出口２６０Ｃａを有している。一例として、噴出機構２６０Ｃは、基板Ｗｆの被めっき部Ｗｆ－１の全域にわたって被めっき面Ｗｆ－ａに対向する複数の噴出口２６０Ｃａを有する。こうした例においても、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに好適にプリウェット処理を施すことができる。なお、噴出機構２６０Ｃからの処理液の噴出は、被めっき面Ｗｆ－ａにおける吹き付け位置を変更しながら行われるように、プリウェット用基板ホルダ２４０と噴出機構２６０Ｃとの少なくとも一方の移動を伴って行われてもよい。また、噴出機構２６０Ｃから処理液が噴出されるときに、基板Ｗｆを回転させてもよい。

【0030】

図９は、プリウェットモジュール２００による第４実施形態のプリウェット処理を示す図である。図９に示す例では、基板Ｗｆは、被めっき面Ｗｆ－ａが上方を向くように保持されている。図９に示す例では、プリウェットモジュール２００の処理液供給機構２６０Ｄは、プリウェット用基板ホルダ２４０の第２保持部材２４４（第１のシール体２４６、段差部）と被めっき面Ｗｆ－ａとによって画定される槽状領域に処理液を溜めている。一例として、プリウェットモジュール２００は、所定量の処理液が槽状領域に溜められるように処理液供給機構２６０Ｄを作動させ、その後、予め定めた時間にわたって待機することにより、処理液を被めっき面Ｗｆ－ａに付着させてもよい。こうした例によれば、少ない処理液で被めっき面Ｗｆ－ａに均一に処理液を付着させることができる。

【0031】

図１０は、プリウェットモジュール２００による第５実施形態のプリウェット処理を示す図である。図１０に示す例では、基板Ｗｆは、被めっき面Ｗｆ－ａが上方を向くように保持されている。図１０に示す例では、プリウェットモジュール２００は、処理液供給機構２６０Ｅとして、処理液を収容するためのプリウェット槽２６０Ｅａと、プリウェット槽２６０Ｅａに処理液を供給するための処理液供給ライン２６０Ｅｂと、プリウェット槽２６０Ｅａから処理液を排出するための処理液排出ライン２６０Ｅｃと、を備える。図１０に示す例では、駆動機構２５０（図１０では不図示）を用いて、基板Ｗｆを保持したプリウェット用基板ホルダ２４０をプリウェット槽２６０Ｅａに溜められた処理液に浸漬させることにより、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－１に処理液を付着させている。なお、プリウェットモジュール２００は、プリウェット用基板ホルダ２４０をプリウェット槽２６０Ｅａ内に移動させた後に、処理液供給ライン２６０Ｅｂからプリウェット槽２６０Ｅａ内に処理液を供給することにより、基板Ｗｆに処理液を付着させてもよい。また、プリウェットモジュール２００は、プリウェット槽２６０Ｅａ内に処理液を溜めた状態で、プリウェット用基板ホルダ２４０をプリウェット槽２６０Ｅａ内に移動させることにより、基板Ｗｆに処理液を付着させてもよい。なお、図１０に示す例において、プリウェットモジュール２００は、処理液供給ライン２６０Ｅｂに代えて、または加えて、図６～図８に示すような噴出機構２６０Ａ～２６０Ｃの何れかを備えてもよい。

【0032】

図１１は、プリウェットモジュール２００による第６実施形態のプリウェット処理を示す図である。図１１に示す例では、基板Ｗｆは、被めっき面Ｗｆ－ａが下方を向くように保持されている。図１１に示す例では、プリウェットモジュール２００は、処理液供給機構として、基板Ｗｆの下方から処理液を噴出するように構成された噴出機構２６０Ｆを備えている。ここで、図１１に示す噴出機構２６０Ｆは、複数の噴出口２６０Ｆａを有している。一例として、噴出機構２６０Ｆは、基板Ｗｆの被めっき部Ｗｆ－１の全域にわたって被めっき面Ｗｆ－ａに対向する複数の噴出口２６０Ｆａを有する。こうした例においても、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに好適にプリウェット処理を施すことができる。なお、噴出機構２６０Ｆからの処理液の噴出は、被めっき面Ｗｆ－ａにおける吹き付け位置を変更しながら処理液の噴出が行われるように、プリウェット用基板ホルダ２４０と噴出機構２６０Ｆとの少なくとも一方の移動を伴って行われてもよい。また、噴出機構２６０Ｆから処理液が噴出されるときに、基板Ｗｆを回転させてもよい。さらに、図１１に示す例に限定されず、噴出機構２６０Ｆは、図６で説明した噴出機構２６０Ａのように１つの噴出口を有してもよい。また、噴出機構２６０Ｆは、図７で説明した噴出機構２６０Ｂのように基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの半径方向に沿った複数の噴出口を有してもよい。

【0033】

図１２は、プリウェットモジュール２００による第７実施形態のプリウェット処理を示す図である。図１２に示す例では、基板Ｗｆは、被めっき面Ｗｆ－ａが下方を向くように保持されている。図１２に示す例では、プリウェットモジュール２００は、処理液供給機構２６０Ｇとして、処理液を収容するためのプリウェット槽２６０Ｇａと、プリウェット槽２６０Ｇａに処理液を供給するための処理液供給ライン２６０Ｇｂと、プリウェット槽２６０Ｇａから処理液を排出するための処理液排出ライン２６０Ｇｃと、を備える。図１２に示す例では、駆動機構２５０（図１２では不図示）を用いて、基板Ｗｆを保持したプリウェット用基板ホルダ２４０をプリウェット槽２６０Ｇａに溜められた処理液に浸漬させることにより、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－１に処理液を付着させている。なお、プリウェットモジュール２００は、プリウェット用基板ホルダ２４０をプリウェット槽２６０Ｇａ内に移動させた後に、処理液供給ライン２６０Ｇｂからプリウェット槽２６０Ｇａ内に処理液を供給することにより、基板Ｗｆに処理液を付着させてもよい。また、プリウェットモジュール２００は、プリウェット槽２６０Ｇａ内に処理液を溜めた状態で、プリウェット用基板ホルダ２４０をプリウェット槽２６０Ｇａ内に移動させることにより、基板Ｗｆに処理液を付着させてもよい。さらに、プリウェットモジュール２００は、プリウェット槽２６０Ｇａ内で、基板Ｗｆを傾けてもよい。また、プリウェットモジュール２００は、基板Ｗｆを傾けた状態でプリウェット用基板ホルダ２４０と基板Ｗｆとをプリウェット槽２６０Ｇａ内に移動させてもよい。こうすれば、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに気泡が生じることを抑制できる。上記したように、プリウェット槽２６０Ｅａのシール体２４６によって基板Ｗｆはシールされているので、こうした例においても、基板Ｗｆに処理液を好適に付着させることができる。なお、図１２に示す例において、プリウェットモジュール２００は、処理液供給ライン２６０Ｇｂに代えて、または加えて、図６～図８に示すような噴出機構２６０Ａ～２６０Ｃの何れかを噴出口が上方に向くように配置して備えてもよい。

【0034】

図６～図１２を参照して説明したようにプリウェット処理にて基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに処理液を付着させると、続いて、プリウェットモジュール２００は、プリウェット用基板ホルダ２４０による基板Ｗｆの保持を解除する。これにより、プリウェット用基板ホルダ２４０のシール体２４６による被めっき面Ｗｆ－ａのシールも解除される。ここで、プリウェット用基板ホルダ２４０による基板Ｗｆの保持を解除する際には、駆動機構２５０によって基板Ｗｆを回転させた後に基板Ｗｆの保持を解除することが好ましい。また、プリウェットモジュール２００は、基板Ｗｆを回転させることに代えて、または加えて、基板Ｗｆの水平方向または鉛直方向へ移動させること、基板Ｗｆを傾けること、基板Ｗｆを振動させること、の少なくとも１つを行ってもよい。こうすれば、プリウェット用
基板ホルダ２４０のシール体２４６付近に残った処理液を減らすことができ、被めっき面Ｗｆ－ａのシールの解除時に基板Ｗｆの縁部Ｗｆ－２に処理液が付着することを抑制できる。なお、図４に示すように、プリウェット用基板ホルダ２４０の第２保持部材２４４（段差部）が、被めっき面Ｗｆ－ａから離れるほど拡径するように構成されていると、シール体２４６付近に残った処理液を減らすことが容易になる。また、被めっき面Ｗｆ－ａが下方に向いた状態で、プリウェット用基板ホルダ２４０による基板Ｗｆの保持を解除すれば、基板Ｗｆの縁部Ｗｆ－２に処理液が付着することを更に抑制できる。

【0035】

＜めっき方法＞
図１３は、上記しためっき装置によるめっき方法の一例を示すフローチャートである。図１３に示すように、めっき装置では、プリウェットモジュール２００において、プリウェット用基板ホルダ２４０によって基板Ｗｆを保持することにより、基板Ｗｆにシール体（第１のシール体）２４６を接触させて基板Ｗｆの縁部Ｗｆ－２をシールする（ステップＳ１０）。続いて、プリウェット用基板ホルダ２４０に保持された基板Ｗｆに対してプリウェット処理を施す（ステップＳ２０）。続いて、搬送装置７００は、プリウェット処理が終わった基板Ｗｆをプリソークモジュール３００へと搬送する。なお、搬送装置７００は、プリウェット用基板ホルダ２４０に保持された状態で、基板Ｗｆをプリソークモジュール３００へと搬送することが好ましい。こうすれば、プリソーク処理において、基板Ｗｆの縁部にプリソーク処理における硫酸または塩酸などの処理液（プリソーク液）が付着することを防止できる。なお、プリソーク処理はスキップされてもよく、めっき装置１０００は、プリソークモジュール３００を備えなくてもよい。または、一例としてプリウェットモジュール２００におけるプリウェット液に硫酸または塩酸などを混ぜることで、プリウェットモジュール２００においてプリウェット処理とプリソーク処理とが行われてもよい。その後、プリウェット用基板ホルダ２４０による基板Ｗｆの保持を解除して、基板Ｗｆからシール体２４６を取り外す（ステップＳ３０）。搬送装置７００は、プリウェット処理が終わった基板Ｗｆをめっきモジュール４００へと搬送する（ステップＳ４０）。このときには、一例として、搬送装置７００は、被めっき面Ｗｆ－ａを下方に向けた状態で基板Ｗｆを搬送するとよい。こうすれば、基板Ｗｆの縁部に、プリウェット処理の処理液などの異物が付着することを防止できる。そして、めっきモジュール４００において、シール体（第２のシール体）４４１を有する基板ホルダ４４０によって基板Ｗｆを保持し（ステップＳ５０）、基板Ｗｆにめっき液を作用させる（ステップＳ６０）。こうしためっき方法によれば、第１のシール体２４６によって基板Ｗｆをシールしてプリウェット処理を施すことができ、基板Ｗｆの縁部Ｗｆ－２にプリウェット処理による処理液が残留するのを防止できる。

【0036】

＜変形例＞
図１４は、変形例によるプリウェットモジュールの構成の一部を概略的に示す図である。図１４では、変形例のプリウェット用基板ホルダ２４０Ａの一部が拡大して示されている。変形例のプリウェット用基板ホルダ２４０Ａは、保持される基板Ｗｆの縁部Ｗｆ－２と接触する電気接点２４７（抵抗測定機構の一例）を備えている。プリウェット用基板ホルダ２４０Ａは、複数の電気接点２４７を有し、複数の電気接点２４７は、基板Ｗｆの導電層（例えばシード層）を通じて互いに電気的に接続される。そして、制御モジュール８００は、２つの電気接点２４７を通じた合成抵抗を測定し、合成抵抗が所定の許容範囲内にない場合には、電気接点２４７と基板Ｗｆの導電層との接続に異常があると判断する。こうした変形例によるプリウェットモジュールによれば、基板Ｗｆがめっきモジュール４００に搬送される前に、基板Ｗｆの欠陥を検出することができる。

【0037】

本発明は、以下の形態としても記載することができる。
［形態１］形態１によれば、めっき液に暴露される被めっき部と前記被めっき部の外側領域である縁部とを有する基板にめっき処理を施すためのめっき方法が提案され、前記めっ
き方法は、基板に第１のシール体を接触させて前記基板の前記縁部をシールする第１シール工程と、前記第１シール工程によりシールされた前記基板にプリウェット処理を施すプリウェット工程と、プリウェット後の前記基板から前記第１のシール体を取り外す第１シール取外し工程と、前記基板を、第２のシール体を有する基板ホルダで保持する基板保持工程と、前記基板ホルダで保持された前記基板にめっき液を作用させるめっき工程と、を含む。
形態１によれば、基板の縁部にプリウェット液が残留することを防止できる。

【0038】

［形態２］形態２によれば、形態１において、前記第１シール取外し工程は、前記基板から前記第１のシール体を取り外す前に、前記基板を回転させる工程を含む。
形態２によれば、第１のシール体付近に残るプリウェット液を減らすことができ、基板の縁部にプリウェット液が残留することをより防止できる。

【0039】

［形態３］形態３によれば、形態１または２において、前記プリウェット工程では、被めっき面を下方に向けた状態で前記基板にプリウェット処理を施す。
形態３によれば、基板の縁部にプリウェット液が残留することをより防止できる。

【0040】

［形態４］形態４によれば、形態１または２において、前記プリウェット工程では、被めっき面を上方に向けた状態で前記基板にプリウェット処理を施す。
形態４によれば、少ないプリウェット液を用いて、基板の被めっき面にプリウェット液を均一に付着させることができる。

【0041】

［形態５］形態５によれば、形態４において、前記プリウェット工程は、前記第１のシール体と前記基板の被めっき面とによって画定される槽状領域にプリウェット液を溜める工程を含む。
形態５によれば、少ないプリウェット液を用いて、基板の被めっき面にプリウェット液を均一に付着させることができる。

【0042】

［形態６］形態６によれば、形態１から５において、搬送モジュールにより、前記プリウェット工程が施される場所から前記被めっき面を下方に向けた状態で搬送する工程を更に含む。
形態６によれば、搬送中に基板の縁部にプリウェット液または他の異物が付着することを防止できる。

【0043】

［形態７］形態７によれば、形態１から６において、前記プリウェット工程は、プリウェット液を前記基板の被めっき面に吹き付けることにより行われる。

【0044】

［形態８］形態８によれば、形態１から７において、前記プリウェット工程は、前記基板の回転を伴って行われる。
形態８によれば、基板にプリウェット液をより均一に付着させることができる。

【0045】

［形態９］形態９によれば、形態１から８において、前記第１シール工程では、前記第１のシール体を有するプリウェット用基板ホルダにより前記基板が保持され、前記プリウェット用基板ホルダは、前記基板の被めっき面の裏面を支持する支持体を有し、前記支持体と前記第１のシール体とによる前記基板の挟み込み、および／または、前記支持体に設けられた真空チャックにより、前記基板を保持する。

【0046】

［形態１０］形態１０によれば、形態９において、前記プリウェット用基板ホルダは、前記基板の前記縁部の導電層の電気抵抗を測定するための抵抗測定機構を備え、前記めっき方法は、前記プリウェット用基板ホルダに保持された基板の電気抵抗を測定する工程を更
に含む。
形態１０によれば、めっき工程の前に、基板の欠陥を検出することができる。

【0047】

［形態１１］形態１１によれば、形態１から１０において、前記第１のシール体は、前記基板の被めっき面に対して段差部を形成し、当該段差部は、前記基板の被めっき面から離れるほど拡径するテーパ状に構成される。
形態１１によれば、基板の縁部にプリウェット液が残留することをより防止できる。

【0048】

［形態１２］形態１２によれば、形態１から１１において、前記めっき工程では、被めっき面を下方に向けた状態で前記基板ホルダと前記基板とを前記めっき液に浸漬させる。
形態１２によれば、基板の縁部にプリウェット液が残留することをより防止できる。

【0049】

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、実施形態および変形例の任意の組み合わせが可能であり、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

【符号の説明】

【0050】

２００…プリウェットモジュール
２４０、２４０Ａ…プリウェット用基板ホルダ
２４２…第１保持部材
２４４…第２保持部材
２４５…ピン
２４６…シール体（第１のシール体）
２４７…電気接点
２５０…駆動機構
２６０Ａ～２６０Ｃ、２６０Ｆ…噴出機構
２６０Ｄ、２６０Ｅ、２６０Ｇ…処理液供給機構
４００…めっきモジュール
４１０…めっき槽
４４０…基板ホルダ
４４１…シール体（第２のシール体）
８００…制御モジュール
１０００…めっき装置
Ｗｆ…基板
Ｗｆ－ａ…被めっき面
Ｗｆ－１…被めっき部
Ｗｆ－２…縁部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】