特許 7542634 透明基板を処理する方法及び装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-22

(45)【発行日】2024-08-30

(54)【発明の名称】透明基板を処理する方法及び装置

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20240823BHJP

   G03F 1/00 20120101ALI20240823BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240823BHJP

   C03C 17/36 20060101ALI20240823BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 501

G03F1/00 Z

H01L21/302 105A

C03C17/36

【請求項の数】 18

(21)【出願番号】P 2022550134

(86)(22)【出願日】2021-01-22

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-04-17

(86)【国際出願番号】 US2021014589

(87)【国際公開番号】W WO2021173271

(87)【国際公開日】2021-09-02

【審査請求日】2022-11-01

(31)【優先権主張番号】16/803,956

(32)【優先日】2020-02-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】シュー， ヨンアン

(72)【発明者】

【氏名】チェン， チエン－アン

(72)【発明者】

【氏名】ゴデット， ルドヴィーク

【審査官】今井 彰

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１７／０９０４８５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１９－２１９６５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－２２０７９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１８／１５９７８５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１７－２１１８０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１１／０１６８９９３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許第０４８８２６１６（ＵＳ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０３Ｆ １／２０－１／８６、７／２０－７／２４、９／００－９／０２

Ｃ０３Ｃ １５／００－２３／００

Ｈ０１Ｌ ２１／３０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

光学デバイスのための膜スタックであって、
第１の表面及び第２の表面を備える透明基板であって、前記第２の表面が前記第１の表面の反対側にあり、前記第１の表面が前記第２の表面の上方に配置された、透明基板と、
前記第１の表面上に形成された第４の層であって、一酸化ニオブを含む第４の層と、
前記第４の層上に形成されたハードマスク層であって、クロム、ルテニウム、又は窒化チタンのうちの一又は複数を含む、ハードマスク層と、
前記ハードマスク層上に形成された第３の層と、
前記第２の表面上に形成された裏側層であって、導電層又は酸化物層のうちの一又は複数を含む、裏側層と
を備える、膜スタック。

【請求項2】

前記第３の層が、ケイ素を含む、請求項１に記載の膜スタック。

【請求項3】

前記ハードマスク層が、１０ｎｍから４００ｎｍの範囲内の厚さを有する、請求項１に記載の膜スタック。

【請求項4】

前記第４の層が、２０ｎｍから５００ｎｍの範囲内の厚さを有し、
前記第３の層が、１０ｎｍから２００ｎｍの範囲内の厚さを有する、請求項３に記載の膜スタック。

【請求項5】

前記第２の表面上に形成された前記裏側層が、ケイ素又は酸化ケイ素のうちの一又は複数を含む、請求項１に記載の膜スタック。

【請求項6】

前記裏側層が、１０ｎｍから６００ｎｍの範囲内の厚さを有する、請求項５に記載の膜スタック。

【請求項7】

光学デバイスのための膜スタックを処理する方法であって、
前記膜スタックを提供することであって、前記膜スタックが、
第１の表面及び前記第１の表面の反対側にある第２の表面を備える透明基板と、
複数の層であって、
前記第１の表面上に形成された第４の層であって、一酸化ニオブを含む第４の層と、
前記第４の層の上に形成されたハードマスク層であって、クロム、ルテニウム、又は窒化チタンのうちの一又は複数を含む、ハードマスク層と、
前記ハードマスク層上に形成された第３の層と、
を含む、複数の層と、
前記第２の表面上に形成された裏側層であって、導電層または酸化物層のうちの一又は複数を含む、裏側層と、
を備える、膜スタックを提供することと、
前記複数の層の前記第３の層を認識することと、
前記複数の層上に３重層リソグラフィ構造を形成するために、前記膜スタックをパターニングすることと、
前記透明基板の前記第１の表面上に第１の複数の構造、及び前記第１の複数の構造の上に積み重ねられた第２の複数の構造を形成するために、前記３重層リソグラフィ構造及び前記複数の層をエッチングすることと
を含む、方法。

【請求項8】

前記複数の層をエッチングすることが、前記透明基板の前記第１の表面上に形成された前記第４の層を前記第２の複数の構造に対して選択的エッチングすることを含み、前記エッチングは、バイナリエッチングを含み、前記バイナリエッチングは反応性イオンエッチングを含む、請求項７に記載の方法。

【請求項9】

前記パターニングすることの前に、前記ハードマスク層上に形成された一又は複数の位置合わせマークを使用して、リソグラフィシステムに対して前記膜スタックを整列させることを更に含む、請求項７に記載の方法。

【請求項10】

前記複数の層をエッチングすることが、前記透明基板の前記第１の表面上に形成された前記第４の層を前記第２の複数の構造に対して選択的エッチングすることを含み、前記エッチングは傾斜エッチングを含む、請求項７に記載の方法。

【請求項11】

前記傾斜エッチングが、物理的イオン衝突を含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

前記第２の表面上に形成された前記裏側層が、ケイ素又は酸化ケイ素のうちの一又は複数を含む、請求項７に記載の方法。

【請求項13】

前記第２の複数の構造が、１０ｎｍから４００ｎｍの範囲内の厚さを有する、請求項１２に記載の方法。

【請求項14】

前記３重層リソグラフィ構造が、
前記第３の層上に形成された第１の層と、
前記第１の層上に形成された第２の層と、
前記第２の層上に形成された複数のフォトレジスト構造と
を含む、請求項７に記載の方法。

【請求項15】

前記３重層リソグラフィ構造及び前記複数の層をエッチングすることが、
前記複数のフォトレジスト構造、前記フォトレジスト構造と垂直に整列した前記第１の層の部分、前記フォトレジスト構造と垂直に整列した前記第２の層の部分、及び前記フォトレジスト構造と垂直に整列した前記第３の層の部分を、第１のエッチング速度でエッチングすることと、
前記フォトレジスト構造の間に垂直に整列した前記第１の層の部分、前記フォトレジスト構造の間に垂直に整列した前記第２の層の部分、及び前記フォトレジスト構造の間に垂直に整列した前記第３の層の部分を、前記第１のエッチング速度とは異なる第２のエッチング速度でエッチングすることと
を含む、請求項１４に記載の方法。

【請求項16】

前記第２のエッチング速度が、前記第１のエッチング速度に対して２：１の比率である、請求項１５に記載の方法。

【請求項17】

光学デバイスのための膜スタックであって、
第１の表面及び第２の表面を備える透明基板であって、前記第２の表面が前記第１の表面の反対側にあり、前記第１の表面が前記第２の表面の上方に配置された、透明基板と、
前記第１の表面上に形成された複数のスタックであって、前記複数のスタックの各スタックが、
前記透明基板の前記第１の表面上に形成された第１の複数の構造、及び
前記第１の複数の構造の上に積み重ねられた第２の複数の構造
を含む、複数のスタックと、
前記透明基板の前記第２の表面上に形成された裏側層と
を備え、
前記第１の複数の構造又は前記第２の複数の構造のうちの一又は複数が、
一酸化ニオブを含むデバイス機能層と、
前記デバイス機能層上に形成されたハードマスク層であって、クロム、ルテニウム、又は窒化チタンのうちの一又は複数を含むハードマスク層と、
前記ハードマスク層上に形成された基板認識層と
を含む、膜スタック。

【請求項18】

前記第２の複数の構造の各構造が、第１の傾斜側面及び第２の傾斜側面を備える、請求項１７に記載の膜スタック。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［０００１］本開示の態様は、広くは、ガラス基板などの透明基板を処理する方法及び装置に関する。一例では、ガラス基板は、リソグラフィ処理を受けるより前に処理される。

【背景技術】

【0002】

関連技術の記載
［０００２］リソグラフィ法を使用して透明基板を処理しようとすると、動作上の問題が生じ得る。例えば、基板の透明性は、リソグラフィ機械が、基板が処理のための位置にあることを認識することを困難にし得る。別の例として、基板の透明性は、リソグラフィ機械の下で基板を整列させることを困難にし得る。基板を認識することが困難であり、基板を整列させることが困難であることは、非効率性、パターニング中にダイが整列していないことによる基板当たりのダイが低下すること、基板欠陥が増加すること、機械に対してのスループットが低下すること、機械の休止時間が増加すること、及び運転コストが増加することをもたらす。

【0003】

［０００３］したがって、効率性の向上、基板当たりのダイの増加、基板欠陥の減少、機械のスループットの増加、機械の休止時間の減少、及び運転コストの低減を容易にするために、リソグラフィプロセスにおける透明基板の使用を容易にする装置及び方法が必要とされている。

【発明の概要】

【0004】

［０００４］本開示の態様は、広くは、ガラス基板などの透明基板を処理する方法及び装置に関する。一例では、ガラス基板は、リソグラフィ処理を受けるより前に処理される。

【0005】

［０００５］一実行形態では、光学デバイスのための膜スタックは、第１の表面及び第２の表面を含むガラス基板を含む。第２の表面は第１の表面の反対側にあり、第１の表面は第２の表面の上方に配置される。膜スタックは、第１の表面上に形成されたデバイス機能層、デバイス機能層上に形成されたハードマスク層、及びハードマスク層上に形成された基板認識層を含む。ハードマスク層は、クロム、ルテニウム、又は窒化チタンのうちの一又は複数を含む。膜スタックは、第２の表面上に形成された裏側層を含む。第２の表面上に形成された裏側層は、導電層又は酸化物層のうちの一又は複数を含む。

【0006】

［０００６］一実行形態では、光学デバイスのための膜スタックを処理する方法は、膜スタックを提供することを含む。膜スタックは、第１の表面及び第１の表面の反対側にある第２の表面を含むガラス基板と、ガラス基板の第１の表面上に形成された複数の層とを含む。複数の層のハードマスク層は、クロム、ルテニウム、又は窒化チタンのうちの一又は複数を含む。本方法は、複数の層の基板認識層を認識することを含む。本方法は、複数の層上に３重層リソグラフィ構造を形成するために、膜スタックをパターニングすることを含む。本方法は、ガラス基板の第１の表面上に第１の複数の構造、及び第１の複数の構造の上に積み重ねられた第２の複数の構造を形成するために、３重層リソグラフィ構造及び複数の層をエッチングすることを含む。

【0007】

［０００７］一実行形態では、光学デバイスのための膜スタックは、第１の表面及び第２の表面を含むガラス基板を含む。第２の表面は第１の表面の反対側にあり、第１の表面は第２の表面の上方に配置される。膜スタックは、第１の表面上に形成された複数のスタックを含む。複数のスタックの各スタックは、ガラス基板の第１の表面上に形成された第１の複数の構造、及び第１の複数の構造の上に積み重ねられた第２の複数の構造を含む。第１の複数の構造又は第２の複数の構造のうちの一又は複数は、クロム、ルテニウム、又は窒化チタンのうちの一又は複数を含む。膜スタックは、ガラス基板の第２の表面上に形成された裏側層を含む。

【0008】

［０００８］上述した本開示の特徴を詳細に理解し得るように、上記で簡潔に要約した本開示のより詳細な記載が、実行形態を参照することにより得られる。実行形態の一部は添付の図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実行形態も許容し得るので、添付の図面は、この開示の共通の実行形態のみを示しており、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1A】［０００９］一実行形態に係る、リソグラフィシステムの部分概略図である。

【図1B】［００１０］一実行形態に係る、リソグラフィ処理に露光された基板の部分概略平面図である。

【図1C】［００１１］一実行形態に係る、図１Ａに示された膜スタックの部分概略図である。

【図2A】［００１２］一実行形態に係る、リソグラフィプロセスを使用して膜スタックがパターニングされた後の図１Ｃに示された膜スタックの部分概略図である。

【図2B】［００１３］一実行形態に係る、第１のエッチング動作を使用して３重層リソグラフィ構造及び基板認識層がエッチングされた後の図２Ａに示された膜スタックである。

【図2C】［００１４］一実行形態に係る、第２のエッチング動作を使用してハードマスク層が選択的エッチングされた後の図２Ｂに示された膜スタックである。

【図2D】［００１５］一実行形態に係る、第３のエッチング動作を使用して基板認識層が選択的エッチングされた後の図２Ｃに示された膜スタックである。

【図2E】［００１６］一実行形態に係る、バイナリエッチング動作を有する第４のエッチング動作を使用してデバイス機能層が選択的エッチングされた後の図２Ｄに示された膜スタックである。

【図2F】［００１７］一実行形態に係る、傾斜エッチング動作を有する第４のエッチング動作を使用してデバイス機能層が選択的エッチングされた後の図２Ｄに示された膜スタックである。

【図3】［００１８］一実行形態に係る、処理システムの概略部分図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

［００１９］理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実行形態で開示されている要素は、具体的な記述がなくとも、他の実行形態で有益に利用され得ると想定される。

【0011】

［００２０］本開示の態様は、広くは、ガラス基板などの透明基板を処理する方法及び装置に関する。一例では、ガラス基板は、リソグラフィ処理を受けるより前に処理される。

【0012】

［００２１］図１Ａは、一実行形態による、リソグラフィシステム１００の部分概略図である。図１Ｂは、一実行形態による、リソグラフィ処理に露光された基板１０６の部分概略平面図である。リソグラフィシステム１００は、例示的なシステムであり、本開示の態様を実現するために、他のシステムが共に使用され得るか、又は改変され得ることを、理解されたい。リソグラフィシステム１００は、基板１０６の第１の表面１０３上に形成された一又は複数の層１２１～１２３（３つが示されている）を有する基板１０６をパターニングするために、書き込みビーム１１１を投影することができる、発光ダイオード（ＬＥＤ）又はレーザなどの一又は複数の光源を含む投影ユニット１０２を含む。書き込みビーム１１１は、基板１０６上に形成された一又は複数の層１２１～１２３の方向に投影される。一又は複数の層１２１～１２３は、マスクパターンを含んでもよい。基板１０６及び層１２１～１２３は、膜スタック（積層膜）１２０の少なくとも一部である。一又は複数の層１２１～１２３は、物理的気相堆積、化学気相堆積、原子層堆積、スピンオンナノ粒子プロセス、電気めっきプロセス、及び／又は蒸発プロセスを使用することなどによって、基板１０６の第１の表面１０３上に堆積され得る。一例では、ハードマスク層１２２は、物理的気相堆積、電気メッキプロセス、又は蒸発プロセスを使用して形成される。一例では、基板認識層１２３は、物理的気相堆積、化学気相堆積、又はスピンオンナノ粒子プロセスを使用して形成される。一例では、デバイス機能層１２１は、物理的気相堆積、化学気相堆積、又はスピンオンナノ粒子プロセスを使用して形成される。

【0013】

［００２２］基板１０６は、透明基板である。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、基板１０６はガラス基板である。基板は、平坦なパネルディスプレイの一部として使用される任意の適切な材料を含み得る。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、基板１０６は、１００ｍｍ～４５０ｍｍの範囲内の直径などのサイズを有する。一例では、基板１０６のサイズは１００ｍｍである。一例では、基板１０６のサイズは１５０ｍｍである。一例では、基板のサイズは２００ｍｍである。一例では、基板のサイズは３００ｍｍである。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、基板１０６は、４インチ～１８インチの範囲内の直径などのサイズを有する。一例では、基板１０６のサイズは約４インチである。一例では、基板１０６のサイズは約６インチである。一例では、基板１０６のサイズは約８インチである。一例では、基板１０６のサイズは約１２インチである。

【0014】

［００２３］他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、基板１０６は、１５０ミクロン（μｍ）～８５０ミクロン（μｍ）の範囲内の厚さを有する。一例では、基板１０６は、２００±５０ミクロン（μｍ）の厚さを有する。一例では、基板１０６は、３００±５０ミクロン（μｍ）の厚さを有する。一例では、基板１０６は、４００±５０ミクロン（μｍ）の厚さを有する。一例では、基板１０６は、５００±５０ミクロン（μｍ）の厚さを有する。一例では、基板１０６は、６００±５０ミクロン（μｍ）の厚さを有する。一例では、基板１０６は、７５０±５０ミクロン（μｍ）の厚さを有する。一例では、基板１０６は、８００±５０ミクロン（μｍ）の厚さを有する。

【0015】

［００２４］他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、基板１０６は、５ｍｍ～７０ｍｍ、例えば５ｍｍ～１００ｍｍ、例えば５ｍｍ～２０ｍｍ、又は５０ｍｍ～６０ｍｍの表面幅を有する。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、基板１０６は、５ｍｍ～１００ｍｍ、例えば５ｍｍ～６０ｍｍ、例えば５ｍｍ～２０ｍｍ、又は５０ｍｍ～６０ｍｍの表面長さを有する。一例では、基板１０６は、３０ｍｍ～６０ｍｍ×２５ｍｍ～６０ｍｍの寸法を有する。層１２１～１２３のうちの一又は複数は、そのパターンエッチングなどによって形成される、パターニングされるべき膜層である。

【0016】

［００２５］膜スタック１２０は、層１２１～１２３上に形成されたフォトレジスト層１１０を含む。フォトレジスト層１１０は、電磁放射線、例えば、ＵＶ、ＥＵＶ又は深ＵＶ「光」に対して感受性を有する。ポジ型フォトレジストは、フォトレジスト層１１０の部分を含み、放射線に露光されると、電磁放射線を使用してフォトレジスト層１１０にパターンが書き込まれた後、フォトレジスト層１１０に塗布されたフォトレジスト現像液にそれぞれ可溶性である。ネガ型フォトレジストは、フォトレジスト層１１０の部分を含み、放射線に露光されると、電磁放射線を使用してフォトレジスト層１１０にパターンが書き込まれた後、フォトレジスト層１１０に塗布されたフォトレジスト現像液にそれぞれ不溶性となる。ネガ型現像は、ポジ型、かつ、明視野マスクによって露光されるフォトレジスト層１１０を含み、ここで、露光された領域は、有機溶媒（例えばｎ－ブタノール）にそれぞれ不溶性であり、現像後に基板１０６上に残る。フォトレジスト層１１０がポジ型フォトレジストになるか、又はネガ型フォトレジストになるかは、フォトレジスト層１１０の化学組成により決定される。

【0017】

［００２６］リソグラフィ動作中、投影ユニット１０２は、一又は複数の層１２１～１２３のうちの一又は複数の方向に書き込みビーム１１１を投影する。マスクパターニングされた層１２１～１２３は、書き込みビーム１１１が層１２１～１２３のうちの一又は複数の方向に投影されるとき、フォトレジスト層１１０に書き込まれるデバイスパターン１１２に対応し得る。デバイスパターン１１２は、フォトレジスト層１１０に書き込まれたデバイスパターン１１２のデバイス部分１１４を含み得る。デバイスパターン１１２は、基板１０６内にパターニングされるデバイス、又は基板１０６上に配置される膜層に対応し得る。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる他の実施形態では、デバイスパターン１１２は、基板１０６にパターニングされる一又は複数のデバイス、又は基板１０６上に配置される膜層に対応し得る。

【0018】

［００２７］他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、リソグラフィシステム１００は、基板１０６上のフォトレジスト層１１０全体を書き込みビーム１１１に露光できるようにサイズ決定される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる他の実施形態では、基板１０６は、投影ユニット１０２の下の所定の経路に基板１０６を位置付けるように動作可能なステージ１１６によって支持される。ステージ１１６上の基板１０６の移動は、コントローラ１０８によって制御され得る。コントローラ１０８は、一般に、マスクパターンファイルに基づくリソグラフィプロセスの制御及び自動化を容易にするように設計される。コントローラ１０８は、少なくとも、投影ユニット１０２、ステージ１１６、及び／又はエンコーダ１１８と連結し得るか、又は通信し得る。投影ユニット１０２及びエンコーダ１１８は、基板処理及び基板の位置合わせに関する情報をコントローラ１０８に提供し得る。例えば、投影ユニット１０２は、基板処理が完了したことをコントローラ１０８に警告するために、コントローラ１０８に情報を提供し得る。

【0019】

［００２８］ステージ１１６は、Ｘ軸及びＹ軸に沿って基板１０６を移動させ、位置付けるように構成される。上述のように、基板１０６はガラス基板である。上述および下述の本開示の態様は、投影ユニット１０２を含むリソグラフィシステム１００が、透明ガラス基板１０６が走査及びパターニングされる位置にあることを認識できることを容易にする。リソグラフィシステム１００が、基板１０６が所定の位置にあることを認識しない場合、基板１０６のパターニングを開始することができず、オペレータにエラーメッセージを表示し得る。上述及び下述の本開示の態様は、また、Ｘ軸及びＹ軸に沿ったリソグラフィシステム１００の投影ユニット１０２の下での基板１０６の適切な位置合わせを容易にする。リソグラフィシステム１００による基板１０６の認識を容易にし、リソグラフィシステム１００に対する基板１０６の位置合わせを容易にすることは、リソグラフィプロセスにおける透明基板の使用を容易にし、効率性を向上させ、基板当たりのダイを増加し、基板欠陥を減少させ、機械のスループットを増加し、機械の休止時間を減少させ、及び運転コストを低減する。

【0020】

［００２９］図１Ｃは、一実行形態による、図１Ａに示された膜スタック１２０の部分概略図である。膜スタック１２０は、集積膜スタックである。膜スタック１２０は、レンズデバイスなどの光学デバイスにおいて使用するために、パターニングされ、エッチングされてもよい。膜スタック１２０は、膜スタック１２０の基板１０６のリソグラフィ処理のためのリソグラフィシステムのリソグラフィツールと併せて使用されてもよい。膜スタック１２０は、透明ガラス基板である基板１０６を含む。基板１０６は、第１の表面１０３及び第１の表面１０３の反対側にある第２の表面１０４を含む。第１の表面１０３は、第２の表面１０４の上方に配置される。一例では、第１の表面１０３は、基板１０６の前面であり、第２の表面１０４は、基板１０６の裏面である。

【0021】

［００３０］第１の表面１０３上に形成された一又は複数の層１２１～１２３は、第１の表面１０３上に形成されたデバイス機能層１２１と、デバイス機能層１２１の上面に形成されたハードマスク層１２２と、ハードマスク層１２２の上面に形成された基板認識層１２３とを含む。膜スタック１２０はまた、基板１０６の第２の表面１０４上に形成された一又は複数の裏側層１２４（１つが示されている）を含む。第２の表面１０４上に形成された一又は複数の裏側層１２４は、第２の表面１０４上に形成された裏側層１２４を含む。

【0022】

［００３１］他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、裏側層１２４は、膜スタック１２０から省かれる。

【0023】

［００３２］デバイス機能層１２１は、膜層である。デバイス機能層１２１は、２０ｎｍ～５００ｎｍの範囲内の厚さＴ１を含む。デバイス機能層１２１は、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）、一酸化ニオブ（ＮｂＯ）、及び／又は五酸化ニオブＮｂ_２Ｏ_５のうちの一又は複数を含む。一例では、デバイス機能層１２１は、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）及び一酸化ニオブ（ＮｂＯ）を含む。デバイス機能層１２１の相は、非結晶質又は結晶質である。一又は複数の層１２１～１２３のうちの少なくとも１つは、クロム、ルテニウム、及び／又は窒化チタンのうちの一又は複数を含む。

【0024】

［００３３］他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、デバイス機能層１２１は、ハードマスク層１２２が基板１０６の第１の表面１０３上に形成されるように、膜スタック１２０から省かれる。

【0025】

［００３４］ハードマスク層１２２は、膜スタック１２０のリソグラフィ処理及び／又はエッチングの間、基板１０６の少なくとも位置合わせを容易にする。ハードマスク層１２２は、膜層である。ハードマスク層１２２は、クロム、ルテニウム、チタン、及び／又は窒素のうちの一又は複数を含む。一例では、ハードマスク層１２２は、窒化チタン（ＴｉＮ）を含む。ハードマスク層１２２は、基板認識層１２３とデバイス機能層１２１との間にある。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、ハードマスク層１２２は、クロム及びルテニウムを含む。ハードマスク層１２２は、１０ｎｍ～４００ｎｍの範囲内の厚さＴ２を含む。ハードマスク層１２２、例えばクロム及び／又はルテニウムの態様は、デバイス機能層１２１、（透明である）ガラス基板１０６、及び／又は裏側層１２４のうちの一又は複数に対するハードマスク層１２２のコントラストを提供することを容易にする。ハードマスク層１２２のコントラストは、リソグラフィ処理中に、Ｘ軸及びＹ軸に沿って、リソグラフィシステム１００の投影ユニット１０２に対して基板１０６を位置合わせすることを容易にする。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、ハードマスク層１２２は、その上に形成された突出部、凹部、又はコントラスト色などの一又は複数の位置合わせマークを含む。リソグラフィシステム１００は、リソグラフィ処理のために、基板１０６がリソグラフィシステム１００に対して位置合わせされているときに、位置合わせマークを検出することができる。ハードマスク層１２２の態様はまた、膜スタック１２０のエッチングを容易にする。

【0026】

［００３５］基板認識層１２３は、少なくとも膜スタック１２０のパターニング、膜スタック１２０のエッチング及び／又はリソグラフィシステム１００による基板１０６の認識を容易にする。基板認識層１２３は、膜層である。基板認識層１２３は、ケイ素を含む。一例では、基板認識層１２３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、アモルファスシリコン、ポリシリコン、及び／又はドープされたケイ素材料のうちの一又は複数を含む。基板認識層１２３は、１０ｎｍ～２００ｎｍの範囲内の厚さＴ３を含む。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、基板認識層１２３は、その上に形成された突出部、凹部、又はコントラスト色などの一又は複数の認識マークを含む。リソグラフィシステム１００は、リソグラフィ処理のために、基板１０６がリソグラフィシステム１００に対してある位置にあるときに、認識マークを検出することができる。

【0027】

［００３６］裏側層１２４は、膜層である。裏側層１２４は、裏側保護層、第２のデバイス機能層、及び／又は基板認識層のうちの一又は複数を含み得る。裏側層１２４は、第２の表面１０４を保護し得、及び／又はリソグラフィシステム１００による基板１０６の認識を容易にし得る。裏側層１２４はデバイス機能層であってもよい。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、裏側層１２４は、その上に形成された突出部、凹部、又はコントラスト色などの一又は複数の認識マークを含む。リソグラフィシステム１００は、リソグラフィ処理のために、基板１０６がリソグラフィシステム１００に対してある位置にあるときに、認識マークを検出することができる。裏側層１２４は、酸化物層又は導電層である。裏側層１２４は、ケイ素又は酸化ケイ素のうちの一又は複数を含む。裏側層１２４は、１０ｎｍ～６００ｎｍの範囲内の厚さＴ４を含む。

【0028】

［００３７］図２Ａ～図２Ｆは、様々な実行形態による、図１Ｃに示される膜スタック１２０を処理する方法２００の動作フローの部分概略図を示す。

【0029】

［００３８］図２Ａは、一実行形態による、リソグラフィプロセスを使用して膜スタック１２０がパターニングされた後の図１Ｃに示された膜スタック１２０の部分概略図を示す。膜スタック１２０が設けられ、３重層パターニングを使用して、３重層リソグラフィ構造２０１がパターニングされ、膜スタック１２０上に形成される。３重層リソグラフィ構造２０１は、基板認識層１２３の上面に形成された第１の層２１１と、第１の層２１１の上面に形成された第２の層２１２とを含む。第１の層２１１は、有機平坦化層を含み、第２の層２１２は、屈折防止コーティングを含む。屈折防止コーティングは、ケイ素を含む。第１の層２１１は、６０ｎｍ～１ミクロンの範囲内の厚さＴ５を含む。第２の層２１２は、１５ｎｍ～１００ｎｍの範囲内の厚さＴ６を含む。

【0030】

［００３９］３重層リソグラフィ構造２０１は、パターニングされ、第２の層２１２の上面に形成された複数のフォトレジスト構造２１７を含む。フォトレジスト構造は、１０ｎｍ～３ミクロンの範囲内の厚さＴ７を含む。

【0031】

［００４０］方法２００によれば、３重層リソグラフィ構造２０１及び基板認識層１２３をエッチングするために、第１のエッチング動作が行われる。３重層リソグラフィ構造２０１は、複数のフォトレジスト構造２１７、第２の層２１２、及び第１の層２１１を除去するためにエッチングされる。基板認識層１２３は、フォトレジスト構造２１７の間で垂直に整列するか、又はフォトレジスト構造２１７の外側で垂直に整列した基板認識層１２３の開口部分２２３Ａにエッチングされる。

【0032】

［００４１］第１のエッチング動作中、フォトレジスト構造２１７、フォトレジスト構造２１７と垂直に整列した第１の層２１１の部分、フォトレジスト構造２１７と垂直に整列した第２の層２１２の部分、及びフォトレジスト構造２１７と垂直に整列した基板認識層１２３の部分２２３Ｂは、第１のエッチング速度でエッチングされる。また、第１のエッチング動作中、フォトレジスト構造２１７の間で垂直に、かつ、フォトレジスト構造２１７の外側で垂直に整列した第１の層２１１の部分、フォトレジスト構造２１７の間で垂直に、かつ、フォトレジスト構造２１７の外側で垂直に整列した第２の層２１２の部分、及びフォトレジスト構造２１７の間で垂直に、かつ、フォトレジスト構造２１７の外側で垂直に整列した基板認識層１２３の部分２２３Ａは、第１のエッチング速度とは異なる第２のエッチング速度でエッチングされる。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、第２のエッチング速度は、第１のエッチング速度に対して２：１の比率である。

【0033】

［００４２］第１のエッチング動作中、第２の層２１２は、フッ素を含む組成物を使用してエッチングされる。一例では、第２の層２１２をエッチングするために使用される組成物は、四フッ化炭素（ＣＦ_４）、フルオロホルム（ＣＨＦ_３）、ジフルオロメタン（ＣＨ_２Ｆ_２）、フルオロメタン（ＣＨ_３Ｆ）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、及び／又は三フッ化窒素（ＮＦ_３）のうちの一又は複数を含む。第１のエッチング動作中、第１の層２１１は、酸素及び／又は水素のうちの一又は複数を含む組成物を使用してエッチングされる。一例では、第１の層２１１をエッチングするために使用される組成物は、酸素（Ｏ_２）、二水素（Ｈ_２）、一酸化炭素（ＣＯ）、及び／又は二酸化炭素（ＣＯ_２）のうちの一又は複数を含む。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、第１の層２１１をエッチングするために使用される組成物は、パッシべーション組成物を含む。一例では、パッシベーション組成物は、メタン（ＣＨ_４）、エチレン（Ｃ_２Ｈ_４）、窒素（Ｎ_２）、二塩素（Ｃｌ_２）、及び／又は臭化水素（ＨＢｒ）のうちの一又は複数を含む。パッシベーション組成物は、膜スタック１２０の限界寸法及びプロファイルを維持することを容易にする。一例では、第２の層２１２上に残されたフォトレジスト構造２１７の残留部分は、第１の層２１１のエッチング中に除去される。

【0034】

［００４３］第１のエッチング動作中、基板認識層１２３の部分２２３Ａは、フッ素を含む組成物を使用してエッチングされる。一例では、基板認識層１２３の部分２２３Ａをエッチングするために使用される組成物は、四フッ化炭素（ＣＦ_４）、フルオロホルム（ＣＨＦ_３）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、及び／又は三フッ化窒素（ＮＦ_３）のうちの一又は複数を含む。一例では、第１の層２１１上に残された第２の層２１２の残留部分は、基板認識層１２３の部分２２３Ａのエッチング中に除去される。図２Ｂは、一実行形態による、第１のエッチング動作を使用して３重層リソグラフィ構造２０１及び基板認識層１２３がエッチングされた後の図２Ａに示された膜スタック１２０を示す。基板認識層１２３の部分２２３Ａは、部分２２３Ｂの間及び部分２２３Ｂの外側に開口部２２５を形成するよう開放される。部分２２３Ｂは、開口部２２５の間及びハードマスク層１２２の上面に第３の複数の構造を形成する。第１のエッチング動作の前に（図２Ａに示されるように）、部分２２３Ｂがフォトレジスト構造２１７と垂直に整列されることによって、図２Ｂに示されるように、第３の複数の構造２２３Ｂを形成することが容易になる。デバイス機能層１２１の第１の複数の構造及びハードマスク層１２２の第２の複数の構造を以下に記載する。

【0035】

［００４４］方法２００によれば、第２のエッチング動作が膜スタック１２０上で行われる。第２のエッチング動作中、ハードマスク層１２２は、基板認識層１２３の第３の複数の構造２２３Ｂに対して選択的エッチングされて、ハードマスク層１２２の部分２２２Ａを開放する。第２のエッチング動作中、ハードマスク層１２２の部分２２２Ａは、塩素及び／又は酸素のうちの一又は複数を含む組成物を使用してエッチングされる。一例では、部分２２２Ａをエッチングするために使用される組成物は、二塩素（Ｃｌ_２）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ_３）のうちの一又は複数、及び／又は四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ_４）、及び／又は酸素（Ｏ_２）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ_２）、及び／又はオゾン（Ｏ_３）のうちの一又は複数を含む。一例では、第３の複数の層構造２２３Ｂ上に残された第１の層２１１の残留部分は、ハードマスク層１２２の部分２２２Ａのエッチング中に除去される。

【0036】

［００４５］図２Ｃは、一実行形態による、第２のエッチング動作を使用してハードマスク層１２２が選択的エッチングされた後の図２Ｂに示された膜スタック１２０を示す。ハードマスク層１２２の部分２２２Ａは、エッチングされて、デバイス機能層１２１の上面に第２の複数の構造２２２Ｂを形成する。第２の複数の構造２２２Ｂは、ハードマスク構造である。ハードマスク層１２２の部分２２２Ｂが、第３の複数の構造２２３Ｂと垂直に整列されることにより、パターニング及び第２の複数の構造２２２Ｂを形成することが容易になる。第２の複数の構造２２２Ｂの間にも開口部２２６が形成される。第２の複数の構造２２２Ｂの各ハードマスク構造２２２Ｂは、第３の複数の構造２２３Ｂのハードマスク構造２２３Ｂの下に配置される。第３の複数の構造２２３Ｂは、第２の複数の構造２２２Ｂ上に支持される。

【0037】

［００４６］方法２００によれば、第３のエッチング動作が膜スタック１２０上で行われる。第３のエッチング動作は、ドライエッチング又はウェットエッチングを含み得る。基板認識層１２３の第３の複数の構造２２３Ｂは、デバイス機能層１２１に対して選択的エッチングされて、第３の複数の構造２２３Ｂを除去する。

【0038】

［００４７］第３のエッチング動作中、基板認識層１２３の第３の複数の構造２２３Ｂは、塩素又はフッ素のうちの一又は複数を含む組成物を使用してエッチングされる。一例では、第３の複数の構造２２３Ｂをエッチングするために使用される組成物は、二塩素（Ｃｌ_２）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ_３）のうちの一又は複数、及び／又は四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ_４）、四フッ化炭素（ＣＦ_４）、フルオロホルム（ＣＨＦ_３）、ジフルオロメタン（ＣＨ_２Ｆ_２）、フルオロメタン（ＣＨ_３Ｆ）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、及び／又は三フッ化窒素（ＮＦ_３）のうちの一又は複数を含む。一例では、第３の複数の構造２２３Ｂをエッチングするために使用される組成物は、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、及び／又はクリプトン（Ｋｒ）のうちの一又は複数を含む希釈組成物も含む。一例では、第３の複数の構造２２３Ｂをエッチングするために使用される組成物は、メタン（ＣＨ_４）、エチレン（Ｃ_２Ｈ_４）、窒素（Ｎ_２）、二塩素（Ｃｌ_２）、及び／又は臭化水素（ＨＢｒ）のうちの一又は複数を含むパッシベーション組成物も含む。パッシベーション組成物は、膜スタック１２０の限界寸法及びプロファイルを維持することを容易にする。

【0039】

［００４８］図２Ｄは、一実行形態による、第３のエッチング動作を使用して基板認識層１２３が選択的エッチングされた後の図２Ｃに示された膜スタック１２０を示す。基板認識層１２３の第３の複数の構造２２３Ｂは除去されている。

【0040】

［００４９］方法２００によれば、第４のエッチング動作が膜スタック１２０上で行われる。第４のエッチング動作は、バイナリエッチング動作又は傾斜エッチング動作を含む。第４のエッチング動作は、ドライエッチング又はウェットエッチングを含む。第４のエッチング動作中、第２の複数の構造２２２Ｂの間及び第２の複数の構造２２２Ｂの外側のデバイス機能層１２１の部分２２１Ａは、第２の複数の構造２２２Ｂに対して選択的エッチングされて、デバイス機能層１２１の部分２２１Ａを開放する。第４のエッチング動作中、デバイス機能層１２１の部分２２１Ａは、塩素又はフッ素のうちの一又は複数を含む組成物を使用してエッチングされる。一例では、部分２２１Ａをエッチングするために使用される組成物は、二塩素（Ｃｌ_２）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ_３）のうちの一又は複数、及び／又は四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ_４）、四フッ化炭素（ＣＦ_４）、フルオロホルム（ＣＨＦ_３）、ジフルオロメタン（ＣＨ_２Ｆ_２）、フルオロメタン（ＣＨ_３Ｆ）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、及び／又は三フッ化窒素（ＮＦ_３）のうちの一又は複数を含む。一例では、部分２２１Ａをエッチングするために使用される組成物は、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、及び／又はクリプトン（Ｋｒ）のうちの一又は複数を含む希釈組成物も含む。一例では、部分２２１Ａをエッチングするために使用される組成物は、メタン（ＣＨ_４）、エチレン（Ｃ_２Ｈ_４）、窒素（Ｎ_２）、二塩素（Ｃｌ_２）、及び／又は臭化水素（ＨＢｒ）のうちの一又は複数を含むパッシベーション組成物も含む。パッシベーション組成物は、膜スタック１２０の限界寸法及びプロファイルを維持することを容易にする。一例では、第２の複数の構造２２２Ｂ上に残された基板認識層１２３（例えば第３の複数の構造２２３Ｂ）の残留部分は、部分２２１Ａのエッチング中に除去される。

【0041】

［００５０］図２Ｅは、一実行形態による、バイナリエッチング動作を有する第４のエッチング動作を使用してデバイス機能層１２１が選択的エッチングされた後の図２Ｄに示された膜スタック１２０を示す。バイナリエッチング動作は、反応性イオンエッチングを含む。反応性イオンエッチングでは、イオン２９０（図２Ｄに示される）は、デバイス機能層１２１の方へ向けられ、基板１０６の第１の表面１０３に直角に延在する軸２９１に平行に向けられる。バイナリエッチング動作は、デバイス機能層１２１の部分２２１Ａを開放して、開口部２２８と、開口部２２８の間の第１の複数の構造２３９とを形成する。第１の複数の構造２３９は、基板１０６の第１の表面１０３上、及び第１の表面１０３と第２の複数の構造２２２Ｂとの間に形成される。デバイス機能層１２１の第１の複数の構造２３９が、第２の複数の構造２２２Ｂと垂直に整列されることにより、パターニング及び第１の複数の構造２３９を形成することが容易になる。第１の複数の構造２３９の各ハードマスク構造２３９は、基板１０６の第１の表面１０３に対して両方とも直角に延在する第１の側面２３２及び第２の側面２３３を含む。第１の側面２３２は、第２の複数の構造２２２Ｂのうちの隣接する１つの第１の側面２３４と整列され、第２の側面２３３は、第２の複数の構造２２２Ｂのうちの隣接する１つの第２の側面２３５と整列される。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、第１の側面２３２及び第２の側面２３３は、軸２９１に平行である。第２の複数の構造体２２２Ｂは、第１の複数の構造体２３９上に支持されて、第１の表面１０３上に複数のスタック２６０を形成する。

【0042】

［００５１］図２Ｆは、一実行形態による、傾斜エッチング動作を有する第４のエッチング動作を使用してデバイス機能層１２１が選択的エッチングされた後の図２Ｄに示された膜スタック１２０を示す。傾斜エッチング動作は、物理的イオン衝突を含む。イオン２９５（図２Ｄに示される）は、基板１０６の第１の表面１０３に対して第１の角度Ａ１で、デバイス機能層１２１の方へ向けられる。第１の角度Ａ１は、軸２９１に対して測定される。第１の角度Ａ１は、０度から９０度である。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、第１の角度Ａ１は、０度から６０度の範囲内である。傾斜エッチング動作は、デバイス機能層１２１の部分２２１Ａを開放して、斜めに開口部２４０を、及び複数の傾斜ハードマスク構造２４１を形成する。デバイス機能層１２１の複数の傾斜ハードマスク構造２４１が、第２の複数の構造２２２Ｂと垂直に整列されることにより、パターニング及び複数の傾斜ハードマスク構造２４１を形成することが容易になる。

【0043】

［００５２］複数の傾斜ハードマスク構造２４１の各傾斜ハードマスク構造２４１は、第２の角度Ａ２で、第１の表面１０３から延在する第１の傾斜側面２４２及び第２の傾斜側面２４３を含む。第２の角度Ａ２は、０度から９０度である。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、第２の角度Ａ２は、３０度から７０度の範囲内である。第２の角度Ａ２は第１の角度Ａ１よりも大きい。第１の角度Ａ１及び第２の角度Ａ２は最大で約９０度になる。第１の傾斜側面２４２は、第２の複数の構造２２２Ｂの隣接するハードマスク構造２２２Ｂの第１の側面２３４に対して斜めに配置される。第２の傾斜側面２４３は、第２の複数の構造２２２Ｂの隣接するハードマスク構造２２２Ｂの第２の側面２３５に対して斜めに配置される。

【0044】

［００５３］他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、ハードマスク層１２２の第２の複数の構造２２２Ｂを除去するために、第４のエッチング動作の後に、第５のエッチング動作が行われる。一例では、第２の複数の構造２２２Ｂは、基板１０６に対して選択的エッチングされる。第５のエッチング動作は、ウェットエッチング又はドライエッチングを含む。一例では、ウェットエッチングは、硝酸セリウムアンモニウム（ＣＡＮ）を含む組成物を使用する。一例では、ドライエッチングは、二塩素（Ｃｌ_２）及び／又は酸素（Ｏ_２）のうちの一又は複数を含む。

【0045】

［００５４］バイナリエッチングが第４のエッチング動作において使用される例では、第２の複数の構造２２２Ｂは、第５のエッチング動作後に、（図２Ｅに示されるように）第１の複数の構造２３９から除去される。第５のエッチング動作後、（図２Ｅに示されるように）第１の複数の構造２３９は、基板１０６の第１の表面１０３上に残る。傾斜エッチングが第４のエッチング動作において使用される例では、第２の複数の構造２２２Ｂは、第５のエッチング動作後に、（図２Ｆに示されるように）複数の傾斜ハードマスク構造２４１から除去される。複数の傾斜ハードマスク構造２４１は（図２Ｆに示されるように）、第５のエッチング動作後、基板１０６の第１の表面１０３上に残る。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、第１のエッチング動作、第２のエッチング動作、第３のエッチング動作、第４のエッチング動作、及び／又は第５のエッチング動作のうちの一又は複数が、組み合わせられ、かつ／又は同時に行われる。一例では、第３のエッチング動作と第４のエッチング動作とを組み合わせて単一のエッチング動作とし、エッチングのために同じ組成物を使用して、第３の複数の構造２２３Ｂ及びデバイス機能層１２１の部分２２１Ａを同時に除去する。

【0046】

［００５５］他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、デバイス機能層１２１は、第３のエッチング動作が行われた後、第２の複数の構造２２２Ｂが基板１０６の第１の表面１０３上に形成されるように、膜スタック１２０から省かれる。一例では、第４のエッチング動作は省かれ、第５のエッチング動作が、ハードマスク層１２２及び基板１０６をエッチングする。かかる例では、第５のエッチング動作によって、第２の複数の構造２２２Ｂ及び第２の複数の構造２２２Ｂの間に垂直に整列された基板１０６の部分が除去されて、基板１０６内に凹部が形成される。

【0047】

［００５６］クロム、ルテニウム、及び／又は窒化チタンなどの第２の複数の構造２２２Ｂの態様は、第２の複数の構造２２２Ｂに対してデバイス機能層１２１を選択的エッチングすることを容易にする。一例として、第２の複数の構造２２２Ｂのクロム、窒化チタン、及び／又はルテニウムは、デバイス機能層１２１を斜めに選択的エッチングして、傾斜エッチング動作が使用されるときに、第１及び第２の傾斜側面２４２、２４３を形成することを容易にする。例えば、クロム、窒化チタン、及び／又はルテニウムは、より薄いハードマスク層１２２の使用を容易にして、傾斜エッチング中の膜スタック１２０の限界寸法サイズに対する３ーＤシャドウ効果の低減又は排除を容易にする。一例として、クロム、窒化チタン、及び／又はルテニウムはまた、例えば、部分２２１Ａのエッチング中に選択的エッチング及び有益なエッチング速度を容易にして、膜スタック１２０の限界寸法サイズの正確な制御を容易にする。傾斜エッチング動作はまた、膜スタック１２０の有益な光ベクトルを容易にする。

【0048】

［００５７］図３は、一実行形態による、処理システム３００の概略部分図である。処理システム３００は、複数の処理チャンバ３０１～３０５と、移送チャンバ３１２とを含む。移送チャンバ３１２は、移送チャンバ３１２の移送空間３１８内に配置された移送ロボット３１６を含む。処理システム３００は、ファクトリインターフェース３１４も含む。上述の基板１０６を含む膜スタック１２０は、ファクトリインターフェース３１４を使用して処理システム３００に提供され得る。処理システム３００は、膜スタック１２０を受け取り、移送ロボット３１６は、膜スタック１２０を、複数の処理チャンバ３０１～３０５の中へ、外へ、及びその間で移送することを容易にする。一例では、処理システム３００は、基板１０６の第１の表面１０３上に層１２１～１２３を形成し、基板１０６の第２の表面１０４上に一又は複数の裏側層１２４を形成した第２のシステム３２２から膜スタック１２０を受け取る。

【0049】

［００５８］リソグラフィチャンバ３０１は、上述したリソグラフィシステム１００などの、膜スタック１２０上に３重層リソグラフィ構造２０１をパターニングして形成するリソグラフィシステムを含む。本開示は、第３のシステムなどの別のシステムが、膜スタックが処理システム３００によって受け取られる前に、膜スタック１２０上に３重層リソグラフィ構造２０１をパターニングし得ることを想定する。第１のエッチングチャンバ３０２は、図２Ａ及び図２Ｂに関して述べられた第１のエッチング動作を行う。第１のエッチングチャンバ３０２は、図２Ａ及び図２Ｂに関して述べられた第１のエッチング動作を行う。第２のエッチングチャンバ３０３は、図２Ｂ及び図２Ｃに関して述べられた第２のエッチング動作を行う。第３のエッチングチャンバ３０４は、図２Ｃ及び図２Ｄに関して述べられた第３のエッチング動作を行う。第４のエッチングチャンバ３０５は、図２Ｄ、図２Ｅ及び図２Ｆに関して述べられた第４のエッチング動作を行う。本開示は、単一のエッチングチャンバが、第１から第４のエッチング動作のうちの一又は複数を行うことができることを想定する。

【0050】

［００５９］処理システム３００は、処理システム３００、第２の処理システム３２２、及び／又は第３の処理システムのうちの一又は複数と通信するコントローラ３２０を含む。コントローラ３２０は、コントローラ３２０のプロセッサによって実行されると、本明細書に記載の動作のうちの一又は複数を引き起こす命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体を含む。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、命令は、プロセッサによって実行されると、複数の層１２１～１２３を基板１０６の第１の表面１０３上に形成させ、裏側層１２４を第２の表面１０４上に形成させる。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、命令は、プロセッサによって実行されると、３重層リソグラフィ構造２０１をパターニングさせ、基板１０６を有する膜スタック１２０上に形成させる。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、命令は、プロセッサによって実行されると、第１のエッチング動作、第２のエッチング動作、第３のエッチング動作、第４のエッチング動作、及び／又は第５のエッチング動作のうちの一又は複数を行わせる。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、命令は、プロセッサによって実行されると、方法２００の動作のうちの一又は複数を行わせる。

【0051】

［００６０］本開示の利益は、ガラス基板をパターニングするためのリソグラフィシステムを有する透明ガラス基板を使用すること、ガラス基板のリソグラフィ機械認識を容易にすること、他のハードマスク層及び／又はガラス基板に対する少なくとも１つのハードマスク層のコントラスト、リソグラフィ機械に対するガラス基板の位置合わせを容易にすること、傾斜エッチング動作を容易にすること、効率性の向上、基板当たりのダイの増加、基板欠陥の減少、機械スループットの増加、機械の休止時間の減少、及び運転コストの低減を含む。

【0052】

［００６１］本開示の態様は、ガラス基板と、ガラス基板の第１の表面上に形成された一又は複数の層と、ガラス基板の第２の表面上に形成された一又は複数の裏側層と、クロム、ルテニウム及び／又は窒化チタンを含む少なくとも１つのハードマスク層と、デバイス機能層と基板認識層との間の、クロム、ルテニウム、及び／又は窒化チタンを含むハードマスク層と、傾斜エッチング動作とを含む。本明細書で開示される一又は複数の態様が組み合わされ得ることが想定される。更に、本明細書で開示される一又は複数の態様は、前述の利益の一部又は全てを含み得ることが想定される。

【0053】

［００６２］上記の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱せずに、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されうる。本開示では、本明細書に記載の実施形態の一又は複数の態様が、記載されているその他の態様のうちの一又は複数で置換され得るとも、想定される。本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図2E】

【図2F】

【図3】