特許7542790アニール処理方法、微細立体構造形成方法及び微細立体構造

発明の名称　アニール処理方法、微細立体構造形成方法及び微細立体構造

出願人　国立大学法人東北大学　（識別番号 504157024）

　　　　特許公開件数ランキング 395 位（183件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 238 位（179件）（共同出願を含む）

出願人　坂口電熱株式会社　（識別番号 591023734）

　　　　特許公開件数ランキング 30447 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 4051 位（3件）（共同出願を含む）

出願人　独立行政法人産業技術総合研究所　（識別番号 301021533）

　　　　特許公開件数ランキング 187 位（258件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 139 位（266件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7542790

公報発行日　2024年9月2

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7542790

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