特許7544060含フッ素エーテル化合物、表面処理剤、含フッ素エーテル組成物、コーティング液、物品、及び化合物
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-08-26
(45)【発行日】2024-09-03
(54)【発明の名称】含フッ素エーテル化合物、表面処理剤、含フッ素エーテル組成物、コーティング液、物品、及び化合物
(51)【国際特許分類】
C08G 65/336 20060101AFI20240827BHJP
C09D 171/00 20060101ALI20240827BHJP
C09K 3/18 20060101ALI20240827BHJP
C09D 5/16 20060101ALI20240827BHJP
【ＦＩ】
C08G65/336
C09D171/00
C09K3/18 102
C09D5/16
【請求項の数】
13
(21)【出願番号】P 2021546959
(86)(22)【出願日】2020-09-17
(86)【国際出願番号】 JP2020035358
(87)【国際公開番号】W WO2021054413
(87)【国際公開日】2021-03-25
【審査請求日】2023-02-07
(31)【優先権主張番号】P 2019171550
(32)【優先日】2019-09-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000000044
【氏名又は名称】ＡＧＣ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103894
【弁理士】
【氏名又は名称】家入 健
(72)【発明者】
【氏名】高下 隆太
【審査官】尾立 信広
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１９－０４４１５８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－０７０１００（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０７－２７８５４７（ＪＰ，Ａ）
【文献】KRECH,F. et al.，Intramolecular Hydrostannation - Cyclic and Bicyclic Stannanes，Zeitschrift fuer Anorganische und Allgemeine Chemie，1988年，Vol.557，pp.143-152
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０８Ｌ １／００－１０１／１４
Ｃ０８Ｋ ３／００－１３／０８
Ｃ０８Ｇ ６５／００－６７／０４
Ｃ０９Ｄ １／００－１０／００
Ｃ０９Ｄ １０１／００－２０１／１０
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
下式（Ａ１）又は式（Ａ２）で表される含フッ素エーテル化合物。Ｒｆ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ１）
［（Ｔ－Ｒ２－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ１－］ｂＲｆ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ２）
ただし、
Ｒｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ１は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ２は、（１＋ｂ）価の有機基であり、少なくともＲ１と結合する炭素原子がフッ素原子を有し、Ｒｆ２が複数ある場合、当該Ｒｆ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ１は、炭素数が１～２０のアルキレン基であり、Ｒ１が複数ある場合、当該Ｒ１は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２は、炭素数３～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であり、複数あるＲ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｔは、－Ｓｉ（Ｒ）３－ｃ（Ｌ）ｃであって、複数あるＴは同一であっても異なっていてもよく、
Ｒは、アルキル基であり、
Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、Ｔにおける２以上のＬは同一であっても異なっていてもよく、
ｍは、１～２０の整数であり、
ａは、１～３の整数であって、ａが複数ある場合、複数あるａは同一であっても異なっていてもよく、
ｂは、１以上の整数であり、ｂが複数ある場合、複数あるｂは同一であっても異なっていてもよく、
ｃは、２又は３であり、複数あるｃは同一であっても異なっていてもよく、
ｂが１の場合、ａは、２又は３であり、
重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）が１．２以下である。
【請求項2】
Ｒ１の炭素数が５～２０である、請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項3】
－ＣＨ２－の数が８～３０である、請求項１又は２に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項4】
前記加水分解性基が、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、又はイソシアナート基である、請求項１～３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
【請求項5】
請求項１～４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含む、表面処理剤。
【請求項6】
下式（Ａ１）で表される含フッ素エーテル化合物と、式（Ａ２）で表される含フッ素エーテル化合物とを含有する、含フッ素エーテル組成物。Ｒｆ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ１）
［（Ｔ－Ｒ２－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ１－］ｂＲｆ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ２）
ただし、
Ｒｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ１は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ２は、（１＋ｂ）価の有機基であり、少なくともＲ１と結合する炭素原子がフッ素原子を有し、Ｒｆ２が複数ある場合、当該Ｒｆ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ１は、炭素数が１～２０のアルキレン基であり、Ｒ１が複数ある場合、当該Ｒ１は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２は、炭素数３～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であり、複数あるＲ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｔは、－Ｓｉ（Ｒ）３－ｃ（Ｌ）ｃであって、複数あるＴは同一であっても異なっていてもよく、
Ｒは、アルキル基であり、
Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、Ｔにおける２以上のＬは同一であっても異なっていてもよく、
ｍは、１～２０の整数であり、
ａは、１～３の整数であって、ａが複数ある場合、複数あるａは同一であっても異なっていてもよく、
ｂは、１以上の整数であり、ｂが複数ある場合、複数あるｂは同一であっても異なっていてもよく、
ｃは、２又は３であり、複数あるｃは同一であっても異なっていてもよく、
ｂが１の場合、ａは、２又は３であり、
前記式（Ａ１）で表される含フッ素エーテル化合物と、式（Ａ２）で表される含フッ素エーテル化合物はいずれも、重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）が１．２以下である。
【請求項7】
請求項１～４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物の１種以上と、他の含フッ素エーテル化合物とを含有する、含フッ素エーテル組成物。
【請求項8】
請求項１～４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物、若しくは請求項６又は７に記載の含フッ素エーテル組成物と、液状媒体とを含有する、コーティング液。
【請求項9】
請求項１～４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物又は請求項６又は７に記載の含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を基材の表面に有する、物品。
【請求項10】
下記式（Ｂ１）で表される、化合物。（ＣＨ２＝ＣＨ－Ｒ２０－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ２１－Ｘ 式（Ｂ１）
ただし、
Ｒ２０は単結合か、又は、炭素数１～８のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であって、Ｒ２０が複数ある場合、当該複数あるＲ２０は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２１は単結合か、炭素数が１～１９のアルキレン基であり、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｘは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子であり、
ａは３である。
【請求項11】
下記式（Ｂ１）で表される、化合物。（ＣＨ２＝ＣＨ－Ｒ２０－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ２１－Ｘ 式（Ｂ１）
ただし、
Ｒ２０は単結合か、又は、炭素数１～８のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であって、Ｒ２０が複数ある場合、当該複数あるＲ２０は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２１は単結合か、炭素数が１～１９のアルキレン基であり（ただし、炭素数が１のアルキレン基を除く）、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｘは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子であり、
ａは２である。
【請求項12】
下記式（Ｂ２）で表される、化合物。（ＣＨ２＝ＣＨ－Ｒ２０－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ２１－ＭｇＸ 式（Ｂ２）
ただし、
Ｒ２０は単結合か、又は、炭素数１～８のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であって、Ｒ２０が複数ある場合、当該複数あるＲ２０は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２１は単結合か、炭素数が１～１９のアルキレン基であり、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｘは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子であり、
ａは３である。
【請求項13】
下記式（Ｂ２）で表される、化合物。（ＣＨ２＝ＣＨ－Ｒ２０－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ２１－ＭｇＸ 式（Ｂ２）
ただし、
Ｒ２０は単結合か、又は、炭素数１～８のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であって、Ｒ２０が複数ある場合、当該複数あるＲ２０は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２１は単結合か、炭素数が１～１９のアルキレン基であり（ただし、炭素数が１のアルキレン基を除く）、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｘは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子であり、
ａは２である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、含フッ素エーテル化合物、表面処理剤、含フッ素エーテル組成物、コーティング液、物品、及び化合物に関する。
【背景技術】
【0002】
ペルフルオロポリエーテル鎖と加水分解性シリル基とを有する含フッ素エーテル化合物は、高い潤滑性、撥水撥油性等を示す表面層を基材の表面に形成できるため、表面処理剤に好適に用いられる。含フッ素エーテル化合物を含む表面処理剤は、表面層が指で繰り返し摩擦されても撥水撥油性が低下しにくい性能（耐摩擦性）及び拭き取りによって表面層に付着した指紋を容易に除去できる性能（指紋汚れ除去性）が長期間維持されることが求められる用途、例えば、タッチパネルの指で触れる面を構成する部材、メガネレンズ、ウェアラブル端末のディスプレイの表面処理剤として用いられる。
【0003】
耐摩擦性及び指紋汚れ除去性に優れる表面層を基材の表面に形成できる含フッ素エーテル化合物としては、ペルフルオロポリエーテル鎖と加水分解性シリル基とを有する含フッ素エーテル化合物が提案されている（特許文献１－３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１６－０３７５４１号公報
【文献】国際公開第２０１７／０２２４３７号
【文献】国際公開第２０１７／０３８８３０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記表面処理剤は、例えば、スマートフォン、タブレット端末等のディスプレイ面だけでなく、携帯デバイスの裏面（表示画面とは反対側の面）の表面処理などにも用いられることがある。表面処理剤の耐久性のより一層の向上が求められている。
【0006】
本発明は、耐久性に優れた表面層を形成できる含フッ素エーテル化合物、当該含フッ素エーテル化合物を含む表面処理剤、含フッ素エーテル組成物及びコーティング液、耐久性に優れた表面層を有する物品、ならびに含フッ素エーテル化合物の原料として有用な化合物の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明は、下記［１］～［１３］の構成を有する含フッ素エーテル化合物、表面処理剤、含フッ素エーテル組成物、コーティング液、物品、及び含フッ素化合物の原料化合物を提供する。
［１］ 下式（Ａ１）又は式（Ａ２）で表される含フッ素エーテル化合物。
Ｒｆ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ１）
［（Ｔ－Ｒ２－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ１－］ｂＲｆ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ２）
ただし、
Ｒｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ１は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ２は、（１＋ｂ）価の有機基であり、少なくともＲ１と結合する炭素原子がフッ素原子を有し、Ｒｆ２が複数ある場合、当該Ｒｆ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ１は、炭素数が１～２０のアルキレン基であり、Ｒ１が複数ある場合、当該Ｒ１は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２は、炭素数２～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であり、複数あるＲ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｔは、－Ｓｉ（Ｒ）３－ｃ（Ｌ）ｃであって、複数あるＴは同一であっても異なっていてもよく、
Ｒは、アルキル基であり、
Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、Ｔにおける２以上のＬは同一であっても異なっていてもよく、
ｍは、１～２０の整数であり、
ａは、１～３の整数であって、ａが複数ある場合、複数あるａは同一であっても異なっていてもよく、
ｂは、１以上の整数であり、ｂが複数ある場合、複数あるｂは同一であっても異なっていてもよく、
ｃは、２又は３であり、複数あるｃは同一であっても異なっていてもよく、
ｂが１の場合、ａは、２又は３である。
［２］ 複数あるＲ２は、いずれも炭素数が３以上である、［１］の含フッ素エーテル化合物。
［３］ Ｒ１の炭素数が５～２０である、［１］又は［２］の含フッ素エーテル化合物。
［４］ －ＣＨ２－の数が８～３０である、［１］～［３］の含フッ素エーテル化合物。
［５］ 重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）が１．２以下である［１］～［４］の含フッ素エーテル化合物。
［６］ 前記加水分解性基が、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、又はイソシアナート基である、［１］～［５］の含フッ素エーテル化合物。
［７］ ［１］～［６］のいずれかの化合物を含む、表面処理剤。
［８］ 前記式（Ａ１）で表される含フッ素エーテル化合物と、前記式（Ａ２）で表される含フッ素エーテル化合物とを含有する、含フッ素エーテル組成物。
Ｒｆ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ１）
［（Ｔ－Ｒ２－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ１－］ｂＲｆ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ２）
ただし、
Ｒｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ１は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ２は、（１＋ｂ）価の有機基であり、少なくともＲ１と結合する炭素原子がフッ素原子を有し、Ｒｆ２が複数ある場合、当該Ｒｆ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ１は、炭素数が１～２０のアルキレン基であり、Ｒ１が複数ある場合、当該Ｒ１は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２は、炭素数２～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であり、複数あるＲ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｔは、－Ｓｉ（Ｒ）３－ｃ（Ｌ）ｃであって、複数あるＴは同一であっても異なっていてもよく、
Ｒは、アルキル基であり、
Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、Ｔにおける２以上のＬは同一であっても異なっていてもよく、
ｍは、１～２０の整数であり、
ａは、１～３の整数であって、ａが複数ある場合、複数あるａは同一であっても異なっていてもよく、
ｂは、１以上の整数であり、ｂが複数ある場合、複数あるｂは同一であっても異なっていてもよく、
ｃは、２又は３であり、複数あるｃは同一であっても異なっていてもよく、
ｂが１の場合、ａは、２又は３である。
［９］ ［１］～［６］の含フッ素エーテル化合物の１種以上と、他の含フッ素エーテル化合物とを含有する、含フッ素エーテル組成物。
［１０］ ［１］～［６］の含フッ素エーテル化合物又は［８］又は［９］の含フッ素エーテル組成物と、
液状媒体とを含有する、コーティング液。
［１１］ ［１］～［６］の含フッ素エーテル化合物、若しくは［８］又は［９］の含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を基材の表面に有する、物品。
［１２］ 下記式（Ｂ１）で表される、化合物。
（ＣＨ２＝ＣＨ－Ｒ２０－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ２１－Ｘ 式（Ｂ１）
ただし、
Ｒ２０は単結合か、又は、炭素数１～８のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であって、Ｒ２０が複数ある場合、当該複数あるＲ２０は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２１は単結合か、炭素数が１～１９のアルキレン基であり、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｘは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子であり、
ａは１～３の整数である。
［１３］ 下記式（Ｂ２）で表される、化合物。
（ＣＨ２＝ＣＨ－Ｒ２０－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ２１－ＭｇＸ 式（Ｂ２）
ただし、
Ｒ２０は単結合か、又は、炭素数１～８のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であって、Ｒ２０が複数ある場合、当該複数あるＲ２０は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２１は単結合か、炭素数が１～１９のアルキレン基であり、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｘは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子であり、
ａは１～３の整数である。
［１］ 下式（Ａ１）又は式（Ａ２）で表される含フッ素エーテル化合物。
Ｒｆ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ１）
［（Ｔ－Ｒ２－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ１－］ｂＲｆ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ２）
ただし、
Ｒｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ１は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ２は、（１＋ｂ）価の有機基であり、少なくともＲ１と結合する炭素原子がフッ素原子を有し、Ｒｆ２が複数ある場合、当該Ｒｆ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ１は、炭素数が１～２０のアルキレン基であり、Ｒ１が複数ある場合、当該Ｒ１は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２は、炭素数２～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であり、複数あるＲ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｔは、－Ｓｉ（Ｒ）３－ｃ（Ｌ）ｃであって、複数あるＴは同一であっても異なっていてもよく、
Ｒは、アルキル基であり、
Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、Ｔにおける２以上のＬは同一であっても異なっていてもよく、
ｍは、１～２０の整数であり、
ａは、１～３の整数であって、ａが複数ある場合、複数あるａは同一であっても異なっていてもよく、
ｂは、１以上の整数であり、ｂが複数ある場合、複数あるｂは同一であっても異なっていてもよく、
ｃは、２又は３であり、複数あるｃは同一であっても異なっていてもよく、
ｂが１の場合、ａは、２又は３である。
［２］ 複数あるＲ２は、いずれも炭素数が３以上である、［１］の含フッ素エーテル化合物。
［３］ Ｒ１の炭素数が５～２０である、［１］又は［２］の含フッ素エーテル化合物。
［４］ －ＣＨ２－の数が８～３０である、［１］～［３］の含フッ素エーテル化合物。
［５］ 重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）が１．２以下である［１］～［４］の含フッ素エーテル化合物。
［６］ 前記加水分解性基が、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、又はイソシアナート基である、［１］～［５］の含フッ素エーテル化合物。
［７］ ［１］～［６］のいずれかの化合物を含む、表面処理剤。
［８］ 前記式（Ａ１）で表される含フッ素エーテル化合物と、前記式（Ａ２）で表される含フッ素エーテル化合物とを含有する、含フッ素エーテル組成物。
Ｒｆ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ１）
［（Ｔ－Ｒ２－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ１－］ｂＲｆ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ２）
ただし、
Ｒｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ１は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ２は、（１＋ｂ）価の有機基であり、少なくともＲ１と結合する炭素原子がフッ素原子を有し、Ｒｆ２が複数ある場合、当該Ｒｆ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ１は、炭素数が１～２０のアルキレン基であり、Ｒ１が複数ある場合、当該Ｒ１は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２は、炭素数２～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であり、複数あるＲ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｔは、－Ｓｉ（Ｒ）３－ｃ（Ｌ）ｃであって、複数あるＴは同一であっても異なっていてもよく、
Ｒは、アルキル基であり、
Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、Ｔにおける２以上のＬは同一であっても異なっていてもよく、
ｍは、１～２０の整数であり、
ａは、１～３の整数であって、ａが複数ある場合、複数あるａは同一であっても異なっていてもよく、
ｂは、１以上の整数であり、ｂが複数ある場合、複数あるｂは同一であっても異なっていてもよく、
ｃは、２又は３であり、複数あるｃは同一であっても異なっていてもよく、
ｂが１の場合、ａは、２又は３である。
［９］ ［１］～［６］の含フッ素エーテル化合物の１種以上と、他の含フッ素エーテル化合物とを含有する、含フッ素エーテル組成物。
［１０］ ［１］～［６］の含フッ素エーテル化合物又は［８］又は［９］の含フッ素エーテル組成物と、
液状媒体とを含有する、コーティング液。
［１１］ ［１］～［６］の含フッ素エーテル化合物、若しくは［８］又は［９］の含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を基材の表面に有する、物品。
［１２］ 下記式（Ｂ１）で表される、化合物。
（ＣＨ２＝ＣＨ－Ｒ２０－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ２１－Ｘ 式（Ｂ１）
ただし、
Ｒ２０は単結合か、又は、炭素数１～８のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であって、Ｒ２０が複数ある場合、当該複数あるＲ２０は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２１は単結合か、炭素数が１～１９のアルキレン基であり、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｘは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子であり、
ａは１～３の整数である。
［１３］ 下記式（Ｂ２）で表される、化合物。
（ＣＨ２＝ＣＨ－Ｒ２０－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ２１－ＭｇＸ 式（Ｂ２）
ただし、
Ｒ２０は単結合か、又は、炭素数１～８のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であって、Ｒ２０が複数ある場合、当該複数あるＲ２０は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２１は単結合か、炭素数が１～１９のアルキレン基であり、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｘは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子であり、
ａは１～３の整数である。
【発明の効果】
【0008】
本発明により、耐久性に優れた表面層を形成できる含フッ素エーテル化合物、当該含フッ素エーテル化合物を含む表面処理剤、含フッ素エーテル組成物及びコーティング液、耐久性に優れた表面層を有する物品、ならびに含フッ素エーテル化合物の原料として有用な化合物が提供される。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本明細書において、式（Ａ１）で表される化合物を化合物（Ａ１）と記す。他の式で表される化合物等もこれらに準ずる。
本明細書における以下の用語の意味は、以下の通りである。
「反応性シリル基」とは、加水分解性シリル基及びシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）の総称である。反応性シリル基は、例えば式（Ａ１）又は式（Ａ２）中のＴ、すなわち－Ｓｉ（Ｒ）３－ｃ（Ｌ）ｃである。
「加水分解性シリル基」とは、加水分解反応してシラノール基を形成し得る基を意味する。
「表面層」とは、基材の表面に形成される層を意味する。
含フッ素エーテル化合物が、ポリフルオロポリエーテル鎖の鎖長が異なる複数の含フッ素エーテル化合物の混合物である場合、ポリフルオロポリエーテル鎖の「分子量」は、１Ｈ－ＮＭＲ及び１９Ｆ－ＮＭＲによって、末端基を基準にしてオキシフルオロアルキレン単位の数（平均値）を求めて算出される数平均分子量である。末端基は、例えば式（Ａ１）中のＲｆ又は式（Ａ１）又は式（Ａ２）中のＴである。
含フッ素エーテル化合物が、ポリフルオロポリエーテル鎖の鎖長が単一の含フッ素エーテル化合物である場合、ポリフルオロポリエーテル鎖の「分子量」は、１Ｈ－ＮＭＲ及び１９Ｆ－ＮＭＲによってＲｆの構造を決定して算出される分子量である。
数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。
本明細書における以下の用語の意味は、以下の通りである。
「反応性シリル基」とは、加水分解性シリル基及びシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）の総称である。反応性シリル基は、例えば式（Ａ１）又は式（Ａ２）中のＴ、すなわち－Ｓｉ（Ｒ）３－ｃ（Ｌ）ｃである。
「加水分解性シリル基」とは、加水分解反応してシラノール基を形成し得る基を意味する。
「表面層」とは、基材の表面に形成される層を意味する。
含フッ素エーテル化合物が、ポリフルオロポリエーテル鎖の鎖長が異なる複数の含フッ素エーテル化合物の混合物である場合、ポリフルオロポリエーテル鎖の「分子量」は、１Ｈ－ＮＭＲ及び１９Ｆ－ＮＭＲによって、末端基を基準にしてオキシフルオロアルキレン単位の数（平均値）を求めて算出される数平均分子量である。末端基は、例えば式（Ａ１）中のＲｆ又は式（Ａ１）又は式（Ａ２）中のＴである。
含フッ素エーテル化合物が、ポリフルオロポリエーテル鎖の鎖長が単一の含フッ素エーテル化合物である場合、ポリフルオロポリエーテル鎖の「分子量」は、１Ｈ－ＮＭＲ及び１９Ｆ－ＮＭＲによってＲｆの構造を決定して算出される分子量である。
数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。
【0010】
［含フッ素エーテル化合物］
本発明の含フッ素エーテル化合物（以下、「本化合物」とも記す。）は、下式（Ａ１）又は式（Ａ２）で表される含フッ素エーテル化合物である。
Ｒｆ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ１）
［（Ｔ－Ｒ２－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ１－］ｂＲｆ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ２）
ただし、
Ｒｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ１は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ２は、（１＋ｂ）価の有機基であり、少なくともＲ１と結合する炭素原子がフッ素原子を有し、Ｒｆ２が複数ある場合、当該Ｒｆ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ１は、炭素数が１～２０のアルキレン基であり、Ｒ１が複数ある場合、当該Ｒ１は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２は、炭素数２～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であり、複数あるＲ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｔは、－Ｓｉ（Ｒ）３－ｃ（Ｌ）ｃであって、複数あるＴは同一であっても異なっていてもよく、
Ｒは、アルキル基であり、
Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、Ｔにおける２以上のＬは同一であっても異なっていてもよく、
ｍは、１～２０の整数であり、
ａは、１～３の整数であって、ａが複数ある場合、複数あるａは同一であっても異なっていてもよく、
ｂは、１以上の整数であり、ｂが複数ある場合、複数あるｂは同一であっても異なっていてもよく、
ｃは、２又は３であり、複数あるｃは同一であっても異なっていてもよく、
ｂが１の場合、ａは、２又は３である。
本発明の含フッ素エーテル化合物（以下、「本化合物」とも記す。）は、下式（Ａ１）又は式（Ａ２）で表される含フッ素エーテル化合物である。
Ｒｆ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ１）
［（Ｔ－Ｒ２－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ１－］ｂＲｆ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－Ｔ）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ２）
ただし、
Ｒｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ１は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ２は、（１＋ｂ）価の有機基であり、少なくともＲ１と結合する炭素原子がフッ素原子を有し、Ｒｆ２が複数ある場合、当該Ｒｆ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ１は、炭素数が１～２０のアルキレン基であり、Ｒ１が複数ある場合、当該Ｒ１は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ２は、炭素数２～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であり、複数あるＲ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基であって、Ｒ３が複数ある場合、当該複数あるＲ３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｔは、－Ｓｉ（Ｒ）３－ｃ（Ｌ）ｃであって、複数あるＴは同一であっても異なっていてもよく、
Ｒは、アルキル基であり、
Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、Ｔにおける２以上のＬは同一であっても異なっていてもよく、
ｍは、１～２０の整数であり、
ａは、１～３の整数であって、ａが複数ある場合、複数あるａは同一であっても異なっていてもよく、
ｂは、１以上の整数であり、ｂが複数ある場合、複数あるｂは同一であっても異なっていてもよく、
ｃは、２又は３であり、複数あるｃは同一であっても異なっていてもよく、
ｂが１の場合、ａは、２又は３である。
【0011】
上記本化合物は、ポリフルオロポリエーテル鎖［Ｒｆ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－］又は［－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－］と、反応性シリル基と、ポリフルオロポリエーテル鎖と反応性シリル基とを連結する特定の連結基－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２－）ａ］ｂとを有する。
化合物（Ａ１）は、「１価のポリフルオロポリエーテル鎖－連結基－反応性シリル基」の構造を有する化合物であり、化合物（Ａ２）は、「反応性シリル基－連結基－２価のポリフルオロポリエーテル鎖－連結基－反応性シリル基」の構造を有する化合物である。
化合物（Ａ１）は、「１価のポリフルオロポリエーテル鎖－連結基－反応性シリル基」の構造を有する化合物であり、化合物（Ａ２）は、「反応性シリル基－連結基－２価のポリフルオロポリエーテル鎖－連結基－反応性シリル基」の構造を有する化合物である。
【0012】
本化合物は、ポリフルオロポリエーテル鎖を有する。ポリフルオロポリエーテル鎖を有する本化合物は、表面層の指紋汚れ除去性に優れる。また、本化合物は、少なくとも片側の末端に反応性シリル基を有する。末端に反応性シリル基を有する本化合物は、基材と強固に化学結合するため、表面層の耐摩擦性に優れる。更に本化合物は、上記連結基がエーテル結合（－Ｃ－Ｏ－Ｃ－）を有しない炭素鎖により構成される。そのため、従来広く用いられているエーテル結合を含む連結基に対して化学的安定性が向上している。その結果、本化合物により形成された表面層は、耐摩擦性、耐薬品性、耐光性などの耐久性に優れているという特徴を有する。本化合物は、このように高い潤滑性、撥水撥油性等を示す表面層を基材の表面に形成できるため、表面処理剤に好適に用いられる。
【0013】
Ｒｆは、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であることにより、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる。Ｒｆのフルオロアルキル基の炭素数は、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、１～６が好ましく、１～４がより好ましく、１～３が特に好ましい。
Ｒｆのフルオロアルキル基としては、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、ペルフルオロアルキル基が好ましい。Ｒｆがペルフルオロアルキル基である化合物は、末端がＣＦ３－となる。末端がＣＦ３－である化合物によれば、低表面エネルギーの表面層を形成できるため、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる。
Ｒｆのフルオロアルキル基としては、例えば、ＣＦ３－、ＣＦ３ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ（ＣＦ３）－などが挙げられる。
Ｒｆのフルオロアルキル基としては、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、ペルフルオロアルキル基が好ましい。Ｒｆがペルフルオロアルキル基である化合物は、末端がＣＦ３－となる。末端がＣＦ３－である化合物によれば、低表面エネルギーの表面層を形成できるため、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる。
Ｒｆのフルオロアルキル基としては、例えば、ＣＦ３－、ＣＦ３ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ（ＣＦ３）－などが挙げられる。
【0014】
（Ｒｆ１Ｏ）ｍとしては、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、下式（Ｒｆ１－１）で表される構造が好ましい。
（Ｒｆ１１Ｏ）ｍ１（Ｒｆ１２Ｏ）ｍ２（Ｒｆ１３Ｏ）ｍ３（Ｒｆ１４Ｏ）ｍ４（Ｒｆ１５Ｏ）ｍ５（Ｒｆ１６Ｏ）ｍ６ 式（Ｒｆ１－１）
ただし、
Ｒｆ１１は、炭素数１のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ１２は、炭素数２のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ１３は、炭素数３のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ１４は、炭素数４のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ１５は、炭素数５のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ１６は、炭素数６のフルオロアルキレン基であり、
ｍ１、ｍ２、ｍ３、ｍ４、ｍ５、ｍ６は、それぞれ独立に０又は１以上の整数を表し、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３＋ｍ４＋ｍ５＋ｍ６は１～２００の整数であり、Ｒｆ１１～Ｒｆ１６が複数ある場合、当該複数あるＲｆ１１～Ｒｆ１６は同一であっても異なっていてもよい。
なお、式（Ｒｆ１－１）における（Ｒｆ１１Ｏ）～（Ｒｆ１６Ｏ）の結合順序は任意である。式（Ｒｆ１－１）のｍ１～ｍ６は、それぞれ、（Ｒｆ１１Ｏ）～（Ｒｆ１６Ｏ）の個数を表すものであり、配置を表すものではない。例えば、（Ｒｆ１５Ｏ）ｍ５は、（Ｒｆ１５Ｏ）の数がｍ５個であることを表し、（Ｒｆ５Ｏ）ｍ５のブロック配置構造を表すものではない。同様に、（Ｒｆ１１Ｏ）～（Ｒｆ１６Ｏ）の記載順は、それぞれの単位の結合順序を表すものではない。
（Ｒｆ１１Ｏ）ｍ１（Ｒｆ１２Ｏ）ｍ２（Ｒｆ１３Ｏ）ｍ３（Ｒｆ１４Ｏ）ｍ４（Ｒｆ１５Ｏ）ｍ５（Ｒｆ１６Ｏ）ｍ６ 式（Ｒｆ１－１）
ただし、
Ｒｆ１１は、炭素数１のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ１２は、炭素数２のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ１３は、炭素数３のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ１４は、炭素数４のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ１５は、炭素数５のフルオロアルキレン基であり、
Ｒｆ１６は、炭素数６のフルオロアルキレン基であり、
ｍ１、ｍ２、ｍ３、ｍ４、ｍ５、ｍ６は、それぞれ独立に０又は１以上の整数を表し、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３＋ｍ４＋ｍ５＋ｍ６は１～２００の整数であり、Ｒｆ１１～Ｒｆ１６が複数ある場合、当該複数あるＲｆ１１～Ｒｆ１６は同一であっても異なっていてもよい。
なお、式（Ｒｆ１－１）における（Ｒｆ１１Ｏ）～（Ｒｆ１６Ｏ）の結合順序は任意である。式（Ｒｆ１－１）のｍ１～ｍ６は、それぞれ、（Ｒｆ１１Ｏ）～（Ｒｆ１６Ｏ）の個数を表すものであり、配置を表すものではない。例えば、（Ｒｆ１５Ｏ）ｍ５は、（Ｒｆ１５Ｏ）の数がｍ５個であることを表し、（Ｒｆ５Ｏ）ｍ５のブロック配置構造を表すものではない。同様に、（Ｒｆ１１Ｏ）～（Ｒｆ１６Ｏ）の記載順は、それぞれの単位の結合順序を表すものではない。
【0015】
また、炭素数３～６のフルオロアルキレン基は、直鎖フルオロアルキレン基であってもよく、分岐、又は環構造を有するフルオロアルキレン基であってもよい。
Ｒｆ１１の具体例としては、ＣＨＦ、ＣＦ２が挙げられる。Ｒｆ１２の具体例としては、ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ２ＣＨＦ、ＣＦ２ＣＨ２などが挙げられる。Ｒｆ１３の具体例としては、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ２ＣＦ２ＣＨＦ、ＣＦ２ＣＨＦＣＦ２、ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２、ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２、ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２などが挙げられる。Ｒｆ１４の具体例としては、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２、ＣＨＦＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２、ペルフルオロシクロブタン－１，２－ジイル基などが挙げられる。Ｒｆ１５の具体例としては、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２、ＣＨＦＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２などが挙げられる。Ｒｆ１６の具体例としては、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨＦなどが挙げられる。
Ｒｆ１１の具体例としては、ＣＨＦ、ＣＦ２が挙げられる。Ｒｆ１２の具体例としては、ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ２ＣＨＦ、ＣＦ２ＣＨ２などが挙げられる。Ｒｆ１３の具体例としては、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ２ＣＦ２ＣＨＦ、ＣＦ２ＣＨＦＣＦ２、ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２、ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２、ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２などが挙げられる。Ｒｆ１４の具体例としては、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２、ＣＨＦＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２、ペルフルオロシクロブタン－１，２－ジイル基などが挙げられる。Ｒｆ１５の具体例としては、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２、ＣＨＦＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２などが挙げられる。Ｒｆ１６の具体例としては、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨＦなどが挙げられる。
【0016】
Ｒｆ２は、（１＋ｂ）価の有機基であり、少なくともＲ１と結合する炭素原子がフッ素原子を有する。即ちＲｆ２は、ｂ個の部分構造「－ＣＱＦ－＊（ただし、Ｑは水素原子又はフッ素原子であり、－＊はＲ１と結合する結合手である。）」を有する有機基である。Ｒｆ２の炭素数は１～６が好ましい。当該有機基としては、置換基を有していてもよい炭化水素基が挙げられる。当該炭化水素基としては、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びこれらの組み合わせが挙げられる。炭化水素基は炭素鎖中に二重結合又は三重結合を有していてもよい。組み合わせとしては、例えばアルキル基とアリール基が結合したものアルキル基とシクロアルキル基が結合したものなどが挙げられる。
炭化水素基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子が好ましく、中でもフッ素原子がより好ましい。製造の容易性などの点から、ｂは１～１０が好ましく、１～６がより好ましい。
炭化水素基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子が好ましく、中でもフッ素原子がより好ましい。製造の容易性などの点から、ｂは１～１０が好ましく、１～６がより好ましい。
【0017】
ｂが１の場合、Ｒｆ２は２価の基である。この場合のＲｆ２としては、置換基を有していてもよく、炭素鎖中にヘテロ原子又は（フルオロ）アルキレン基以外の結合を有していてもよい、フルオロアルキレン基が挙げられる。本化合物の耐久性の点から、ｂが１の場合のＲｆ２は、中でも、炭素数１～６のフルオロアルキレン基が好ましい。この場合のＲｆ２の具体例としては、－ＣＨＦ－＊、－ＣＦ２－＊、ＣＦ２ＣＦ２－＊、ＣＦ２ＣＨＦ－＊、ＣＨ２ＣＦ２－＊、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－＊、ＣＦ２ＣＦ２ＣＨＦ－＊、ＣＦ２ＣＨＦＣＦ２－＊、ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２－＊、ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２－＊、ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２－＊、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－＊、ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－＊、ＣＨＦＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－＊、ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２－＊、ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２－＊、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－＊、ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－＊、ＣＨＦＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－＊、ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２－＊、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－＊、ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－＊、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨＦ－＊、などが挙げられる。
【0018】
ｂが２以上の場合、Ｒｆ２は第３級炭素原子、第４級炭素原子、及び環構造から選ばれる１種以上の分岐点Ｐを有する（１＋ｂ）価の基である。
分岐点を構成する炭素原子は、本化合物を製造やすい点、表面層の耐摩擦性、耐薬品性、耐光性などの耐久性の点から、第３級炭素原子、第４級炭素原子が好ましい。
分岐点を構成する環構造としては、本化合物を製造やすい点、表面層の耐摩擦性、耐薬品性、耐光性などの耐久性の点から、３～８員環の脂肪族環、６～８員環の芳香族環、３～８員環のヘテロ環、及びこれらの環のうちの２つ以上からなる縮合環などが挙げられ、表面層の耐摩擦性、耐薬品性、耐光性などの耐久性の点から、３～８員環の脂肪族環、６～８員環の芳香族環、及びこれらの縮合環より選択される環構造が好ましい。分岐点を構成する環構造としては、下式に示す環構造が挙げられる。下記環構造は、フッ素原子により置換されていてもよい。また環構造は、置換基として、ハロゲン原子を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基等を有してもよい。
分岐点を構成する炭素原子は、本化合物を製造やすい点、表面層の耐摩擦性、耐薬品性、耐光性などの耐久性の点から、第３級炭素原子、第４級炭素原子が好ましい。
分岐点を構成する環構造としては、本化合物を製造やすい点、表面層の耐摩擦性、耐薬品性、耐光性などの耐久性の点から、３～８員環の脂肪族環、６～８員環の芳香族環、３～８員環のヘテロ環、及びこれらの環のうちの２つ以上からなる縮合環などが挙げられ、表面層の耐摩擦性、耐薬品性、耐光性などの耐久性の点から、３～８員環の脂肪族環、６～８員環の芳香族環、及びこれらの縮合環より選択される環構造が好ましい。分岐点を構成する環構造としては、下式に示す環構造が挙げられる。下記環構造は、フッ素原子により置換されていてもよい。また環構造は、置換基として、ハロゲン原子を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基等を有してもよい。
【0019】
【化1】
【0020】
Ｒｆ２としては、２個以上の２価のフルオロアルキレン基と１個以上の分岐点Ｐとの組み合わせが好ましい。
Ｒｆ２が３価以上の場合の好ましい具体例を下記に示す。なお、下式中、ＲＦは、（Ｒｆ１Ｏ）ｍを表し、ＲＦ及びＲ１はＲｆ２を構成しない。
Ｒｆ２が３価以上の場合の好ましい具体例を下記に示す。なお、下式中、ＲＦは、（Ｒｆ１Ｏ）ｍを表し、ＲＦ及びＲ１はＲｆ２を構成しない。
【0021】
【化2】
【0022】
Ｒ１は、炭素数が１～２０のアルキレン基である。Ｒ１は、フッ素原子を有しない。Ｒ１がエーテル結合を有しないアルキレン基であることにより、表面層の耐久性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる。Ｒ１の炭素数は、表面層の耐久性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、５～２０が好ましく、７～１０がより好ましい。また、表面層の耐摩耗性の点からは、Ｒ１の炭素数は奇数個が好ましく、３、５、７又は９個であることがより好ましい。
【0023】
Ｒ２は、炭素数２～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基である。Ｒ２がエーテル結合を有しないアルキレン基であることにより、表面層の耐久性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる。Ｒ２の炭素数は、表面層の耐久性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、３～１０が好ましい。表面層の耐久性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、複数あるＲ２のうち、少なくとも一つの炭素数が３以上であることが好ましく、複数あるＲ２のいずれも炭素数が３以上であることが好ましい。また、表面層の耐久性などの点から、Ｒ２はフッ素原子を有しないアルキレン基が好ましい。
【0024】
また、本化合物においては、分子内の「－ＣＨ２－」の数、即ちフッ素原子と結合していない炭素原子の数が、８～３０が好ましく、１０～２０が好ましい。特に、Ｒ１とＲ２に含まれる－ＣＨ２－の合計が、８～３０が好ましく、１０～２０が好ましい。このような本化合物は、表面層の耐久性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる。
【0025】
Ｒ３は、水素原子、又は炭素数１～１０のフッ素原子を有していてもよいアルキル基である。Ｒ３が水素原子、又はフッ素原子を有していてもよいアルキル基であることにより、表面層の耐久性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる。Ｒ３は、表面層の耐久性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、水素原子、又は炭素数１～８のフッ素原子を有していてもよいアルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
【0026】
Ｔは、－Ｓｉ（Ｒ）３－ｃ（Ｌ）ｃであり、反応性シリル基である。
反応性シリル基は、加水分解性基及び水酸基のいずれか一方又は両方がケイ素原子に結合した基である。
加水分解性基は、加水分解反応によって水酸基となる基である。すなわち、加水分解性シリル基は、加水分解反応によってシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）となる。シラノール基は、さらに分子間で脱水縮合反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面の水酸基（基材－ＯＨ）と脱水縮合反応して、化学結合（基材－Ｏ－Ｓｉ）を形成する。
加水分解性基としては、例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イソシアナート基が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１～６のアルコキシ基が好ましい。ハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。アシル基としては、炭素数１～６のアシル基が好ましい。アシルオキシ基としては、炭素数１～６のアシルオキシ基が好ましい。
加水分解性基としては、本化合物を製造しやすい点から、アルコキシ基又はハロゲン原子が好ましい。加水分解性基としては、塗布時のアウトガスが少なく、本化合物の保存安定性に優れる点から、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましく、本化合物の長期の保存安定性が必要な場合にはエトキシ基が特に好ましく、コーティング後の反応時間を短時間とする場合にはメトキシ基が特に好ましい。
Ｒのアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
ｃは、表面層と基材との密着性がより強固になる点から、２又は３が好ましく、３がより好ましい。
複数のＴは、同一であっても異なっていてもよい。本化合物を製造しやすい点からは、Ｔは同一の基であることが好ましい。
反応性シリル基は、加水分解性基及び水酸基のいずれか一方又は両方がケイ素原子に結合した基である。
加水分解性基は、加水分解反応によって水酸基となる基である。すなわち、加水分解性シリル基は、加水分解反応によってシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）となる。シラノール基は、さらに分子間で脱水縮合反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面の水酸基（基材－ＯＨ）と脱水縮合反応して、化学結合（基材－Ｏ－Ｓｉ）を形成する。
加水分解性基としては、例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イソシアナート基が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１～６のアルコキシ基が好ましい。ハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。アシル基としては、炭素数１～６のアシル基が好ましい。アシルオキシ基としては、炭素数１～６のアシルオキシ基が好ましい。
加水分解性基としては、本化合物を製造しやすい点から、アルコキシ基又はハロゲン原子が好ましい。加水分解性基としては、塗布時のアウトガスが少なく、本化合物の保存安定性に優れる点から、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましく、本化合物の長期の保存安定性が必要な場合にはエトキシ基が特に好ましく、コーティング後の反応時間を短時間とする場合にはメトキシ基が特に好ましい。
Ｒのアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
ｃは、表面層と基材との密着性がより強固になる点から、２又は３が好ましく、３がより好ましい。
複数のＴは、同一であっても異なっていてもよい。本化合物を製造しやすい点からは、Ｔは同一の基であることが好ましい。
【0027】
また、表面層の耐久性の点から、各末端にＴは２個以上配置されることが好ましい、このような観点から、ｂが１の場合、ａは２又は３である。
【0028】
本化合物としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。下式の化合物は、工業的に製造しやすく、取扱いやすく、表面層の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、耐薬品性、耐光性及び耐薬品性がさらに優れる。また、本化合物は、耐久性の点から、重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）が１．２以下であることが好ましい。
【0029】
【化3】
【0030】
【化4】
【0031】
（化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）の製造方法）
化合物（Ａ１）は、例えば、下記化合物（Ａ１１）と、化合物（１ａ）とをヒドロシリル化反応させる方法によって製造できる。化合物（Ａ２）は、例えば、下記化合物（Ａ２１）と、化合物（１ａ）とをヒドロシリル化反応させる方法によって製造できる。
Ｒｆ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２０－ＣＨ＝ＣＨ２）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ１１）
［（ＣＨ２＝ＣＨ－Ｒ２０－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ１－］ｂＲｆ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２０－ＣＨ＝ＣＨ２）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ２１）
ＨＳｉ（Ｒ）３－ｃ（Ｌ）ｃ 式（１ａ）
ただし、式中のＲ２０は単結合か、又は、炭素数１～８のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であり、Ｒ２０以外の符号は前記式（Ａ１）又は式（Ａ２）における符号と同一である。
－Ｒ２０－ＣＨ＝ＣＨ２は、ヒドロシリル化後にＲ２となる。Ｒ２０としては、Ｒ２と同様な基が挙げられ、好ましい形態も同様である。
化合物（Ａ１）は、例えば、下記化合物（Ａ１１）と、化合物（１ａ）とをヒドロシリル化反応させる方法によって製造できる。化合物（Ａ２）は、例えば、下記化合物（Ａ２１）と、化合物（１ａ）とをヒドロシリル化反応させる方法によって製造できる。
Ｒｆ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２０－ＣＨ＝ＣＨ２）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ１１）
［（ＣＨ２＝ＣＨ－Ｒ２０－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ１－］ｂＲｆ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２［－Ｒ１－Ｃ（－Ｒ２０－ＣＨ＝ＣＨ２）ａ（－Ｒ３）３－ａ］ｂ 式（Ａ２１）
ＨＳｉ（Ｒ）３－ｃ（Ｌ）ｃ 式（１ａ）
ただし、式中のＲ２０は単結合か、又は、炭素数１～８のフッ素原子を有していてもよいアルキレン基であり、Ｒ２０以外の符号は前記式（Ａ１）又は式（Ａ２）における符号と同一である。
－Ｒ２０－ＣＨ＝ＣＨ２は、ヒドロシリル化後にＲ２となる。Ｒ２０としては、Ｒ２と同様な基が挙げられ、好ましい形態も同様である。
【0032】
（化合物（Ａ１１）及び化合物（Ａ２１）の製造方法）
化合物（Ａ１１）は、例えば、下記化合物（Ａ１２）と、下記化合物（Ｂ２）とを反応させる方法によって製造できる。化合物（Ａ２１）は、例えば、下記化合物（Ａ２２）と、下記化合物（Ｂ２）とを反応させる方法によって製造できる。
Ｒｆ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－ＣＨ２－Ｌ２ 式（Ａ１２）
Ｌ２－ＣＨ２－Ｒｆ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－ＣＨ２－Ｌ２ 式（Ａ２２）
（ＣＨ２＝ＣＨ－Ｒ２０－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ２１－ＭｇＸ 式（Ｂ２）
ただし、
Ｌ２はスルホナート基であり、
Ｒ２１は単結合か、炭素数が１～１９のアルキレン基であり、
Ｘは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子であり、
その他の符号は前記式（Ａ１１）又は式（Ａ２１）における符号と同一である。
化合物（Ａ１１）は、例えば、下記化合物（Ａ１２）と、下記化合物（Ｂ２）とを反応させる方法によって製造できる。化合物（Ａ２１）は、例えば、下記化合物（Ａ２２）と、下記化合物（Ｂ２）とを反応させる方法によって製造できる。
Ｒｆ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－ＣＨ２－Ｌ２ 式（Ａ１２）
Ｌ２－ＣＨ２－Ｒｆ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－ＣＨ２－Ｌ２ 式（Ａ２２）
（ＣＨ２＝ＣＨ－Ｒ２０－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ２１－ＭｇＸ 式（Ｂ２）
ただし、
Ｌ２はスルホナート基であり、
Ｒ２１は単結合か、炭素数が１～１９のアルキレン基であり、
Ｘは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子であり、
その他の符号は前記式（Ａ１１）又は式（Ａ２１）における符号と同一である。
【0033】
化合物（Ａ１２）又は化合物（Ａ１２）のスルホナート基と、化合物（Ｂ２）のＭｇＸとは、下記スキーム（１）のように反応する（グリニャール反応）。
【0034】
スキーム（１）
－Ｒｆ２－ＣＨ２－Ｌ２ ＋ ＸＭｇ－Ｒ２１－ → －Ｒｆ２－ＣＨ２－Ｒ２１
ただし、スキーム（１）中の各符号は前述のとおりである。
なお、上記反応後のＣＨ２－Ｒ２１が、本化合物のＲ１に相当する。
－Ｒｆ２－ＣＨ２－Ｌ２ ＋ ＸＭｇ－Ｒ２１－ → －Ｒｆ２－ＣＨ２－Ｒ２１
ただし、スキーム（１）中の各符号は前述のとおりである。
なお、上記反応後のＣＨ２－Ｒ２１が、本化合物のＲ１に相当する。
【0035】
Ｌ２がスルホナート基（－Ｏ－ＳＯ２－Ｒ２２）であり、グリニャール試薬との反応により脱離する。なおＲ２２は有機基である。Ｌ２としてスルホナート基を選択することにより、上記スキーム（１）の反応を比較的温和な条件で、且つ、高収率で実施することができる。
スルホナート基の具体例としては、トシラート基（ＯＴｓ）、メシラート基（ＯＭｓ）、トリフラート基（ＯＴｆ）、ノナフラート基（ＯＮｆ）などが挙げられる。中でも、スキーム（１）の反応収率の点から、トリフラート基が好ましい。
スルホナート基の具体例としては、トシラート基（ＯＴｓ）、メシラート基（ＯＭｓ）、トリフラート基（ＯＴｆ）、ノナフラート基（ＯＮｆ）などが挙げられる。中でも、スキーム（１）の反応収率の点から、トリフラート基が好ましい。
【0036】
化合物（Ａ１２）又は化合物（Ａ２２）は、トリエチルアミンやピリジンなどの有機アミン化合物存在下で、下記化合物（Ａ１３）又は化合物（Ａ２３）で表される化合物に、トリフルオロメタンスルホン酸無水物、トシルクロリド、メシルクロリドなどを反応させて、スルホナート化する方法などにより製造できる。
Ｒｆ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－ＣＨ２－ＯＨ 式（Ａ１３）
Ｌ２－ＣＨ２－Ｒｆ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－ＣＨ２－ＯＨ 式（Ａ２３）
ただし、式中のＡ１、Ａ２及びｎは前述のとおりである。
Ｒｆ－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－ＣＨ２－ＯＨ 式（Ａ１３）
Ｌ２－ＣＨ２－Ｒｆ２－Ｏ－（Ｒｆ１Ｏ）ｍ－Ｒｆ２－ＣＨ２－ＯＨ 式（Ａ２３）
ただし、式中のＡ１、Ａ２及びｎは前述のとおりである。
【0037】
化合物（Ａ１３）及び化合物（Ａ２３）は、例えば、国際公開第２０１７／０３８８３０号などを参照して製造できる。
【0038】
化合物（Ｂ２）は、例えば、下記化合物（Ｂ１）と金属マグネシウムを反応させる方法により製造できる。
（ＣＨ２＝ＣＨ－Ｒ２０－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ２１－Ｘ 式（Ｂ１）
ただし、式中のＲ２０、Ｒ２１、Ｒ３、Ｘ及びａは化合物（Ｂ２）と同様である。
化合物（Ｂ１）は、例えば、不飽和アルコールのヒドロキシ基をハロゲン化することで得られる。不飽和アルコールは合成してもよく、市販品を用いてもよい。
（ＣＨ２＝ＣＨ－Ｒ２０－）ａ（Ｒ３－）３－ａＣ－Ｒ２１－Ｘ 式（Ｂ１）
ただし、式中のＲ２０、Ｒ２１、Ｒ３、Ｘ及びａは化合物（Ｂ２）と同様である。
化合物（Ｂ１）は、例えば、不飽和アルコールのヒドロキシ基をハロゲン化することで得られる。不飽和アルコールは合成してもよく、市販品を用いてもよい。
【0039】
化合物（Ｂ２）の好適な具体例として、下記のものなどが挙げられる。
【0040】
【化5】
【0041】
スキーム（１）の反応において、化合物（Ｂ２）の使用量は、目的物の収率向上の観点から、化合物（Ａ１２）又は化合物（Ａ１２）が有するスルホナート基Ｌ２の総数に対して、１当量から３０当量が好ましく、３当量から２０当量がより好ましく、５当量から１５当量がさらに好ましい。
【0042】
スキーム（１）の反応においては、反応性を向上し、高収率化が可能な点から、触媒として遷移金属化合物を用いることが好ましい。遷移金属化合物はグリニャール反応に用いられる公知の触媒の中から適宜選択して用いることができる。遷移金属化合物としては、遷移金属として周期表３族～１２族の元素を含む化合物が好ましく、中でも、８族～１１族元素を含む化合物が好ましい。８族～１１族元素としては、中でも、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、鉄より選択される１種以上の元素を含むことが好ましく、更に銅を含むことがより好ましい。
【0043】
遷移金属化合物が銅を含む場合、当該銅は０価、１価、２価、３価のいずれの化合物であってもよいが、触媒能の点から中でも１価又は２価の銅の塩又は錯塩が好ましい。更に入手の容易性などの点から、塩化銅がより好ましい。
遷移金属化合物の使用量は、スルホナート基Ｌ２の総数に対して、例えば、０．１～５０モル％、好ましくは１～３０モル％、さらに好ましくは２～２０モル％である。
遷移金属化合物の使用量は、スルホナート基Ｌ２の総数に対して、例えば、０．１～５０モル％、好ましくは１～３０モル％、さらに好ましくは２～２０モル％である。
【0044】
また、遷移金属化合物に配位子を組み合わせて用いてもよい。配位子を用いることで目的物の収率が向上する。一方、本製造方法においては配位子を用いなくても十分な収率が得られるため、当該配位子は使用しなくてもよい。
上記配位子としは、例えば、１，３－ブタジエン、フェニルプロピン、テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）などが挙げられる。配位子を使用する場合、使用量は目的物の収率向上の点から、スルホナート基Ｌ２の総数に対して、０．０１～２．０当量用いることが好ましく、０．１～１．２当量がより好ましい。
上記配位子としは、例えば、１，３－ブタジエン、フェニルプロピン、テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）などが挙げられる。配位子を使用する場合、使用量は目的物の収率向上の点から、スルホナート基Ｌ２の総数に対して、０．０１～２．０当量用いることが好ましく、０．１～１．２当量がより好ましい。
【0045】
またスキーム（１）の反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒は、前記化合物（Ａ１２）、化合物（Ａ１３）及び化合物（Ｂ２）を溶解し得る溶媒の中から適宜選択して用いることができる。溶媒は、１種単独で又は２種以上を組み合わせた混合溶媒であってもよい。
例えば、化合物（Ａ１２）又は化合物（Ａ１３）が比較的フッ素原子含有量（化合物分子の分子量に占めるフッ素原子の割合）の低い化合物である場合には、溶媒としては反応に不活性な溶媒であれば特に限定されない。反応に不活性な溶媒としては、中でも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒が好ましく、テトラヒドロフランがより好ましい。
また、化合物（Ａ１２）又は化合物（Ａ１３）が比較的フッ素原子含有量の高い化合物である場合には、前記エーテル系溶媒と、フッ素系溶媒とを組み合わせた混合溶媒が好ましい。
フッ素系溶媒としては、例えば、ハイドロフルオロカーボン類（１Ｈ，４Ｈ－ペルフルオロブタン、１Ｈ－ペルフルオロヘキサン、１Ｈ－トリデカフルオロヘキサン（ＡＣ－２０００）、１，１，１，３，３－ペンタフルオロブタン、１，１，２，２，３，３，４－ヘプタフルオロシクロペンタン、２Ｈ，３Ｈ－ペルフルオロペンタン等）、ハイドロクロロフルオロカーボン類（３，３－ジクロロ－１，１，１，２，２－ペンタフルオロプロパン、１，３－ジクロロ－１，１，２，２，３－ペンタフルオロプロパン（ＨＣＦＣ－２２５ｃｂ）等）、ハイドロフルオロエーテル類（ＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ（ＡＥ－３０００）、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６－トリデカフルオロオクタン（ＡＣ－６０００）、（ペルフルオロブトキシ）メタン、（ペルフルオロブトキシ）エタン等）、ハイドロクロロフルオロオレフィン類（（Ｚ）－１－クロロ－２，３，３，４，４，５，５－ヘプタフルオロ－１－ペンテン（ＨＣＦＯ－１４３７ｄｙｃｃ（Ｚ）体）、（Ｅ）－１－クロロ－２，３，３，４，４，５，５－ヘプタフルオロ－１－ペンテン（ＨＣＦＯ－１４３７ｄｙｃｃ（Ｅ）体）、（Ｚ）－１－クロロ－２，３，３－トリフルオロ－１－プロペン（ＨＣＦＯ－１２３３ｙｄ（Ｚ）体）、（Ｅ）－１－クロロ－２，３，３－トリフルオロ－１－プロペン（ＨＣＦＯ－１２３３ｙｄ（Ｅ）体）等）、含フッ素芳香族化合物類（ペルフルオロベンゼン、ｍ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン（ＳＲ－ソルベント）、ｐ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等）等が挙げられる。
例えば、化合物（Ａ１２）又は化合物（Ａ１３）が比較的フッ素原子含有量（化合物分子の分子量に占めるフッ素原子の割合）の低い化合物である場合には、溶媒としては反応に不活性な溶媒であれば特に限定されない。反応に不活性な溶媒としては、中でも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒が好ましく、テトラヒドロフランがより好ましい。
また、化合物（Ａ１２）又は化合物（Ａ１３）が比較的フッ素原子含有量の高い化合物である場合には、前記エーテル系溶媒と、フッ素系溶媒とを組み合わせた混合溶媒が好ましい。
フッ素系溶媒としては、例えば、ハイドロフルオロカーボン類（１Ｈ，４Ｈ－ペルフルオロブタン、１Ｈ－ペルフルオロヘキサン、１Ｈ－トリデカフルオロヘキサン（ＡＣ－２０００）、１，１，１，３，３－ペンタフルオロブタン、１，１，２，２，３，３，４－ヘプタフルオロシクロペンタン、２Ｈ，３Ｈ－ペルフルオロペンタン等）、ハイドロクロロフルオロカーボン類（３，３－ジクロロ－１，１，１，２，２－ペンタフルオロプロパン、１，３－ジクロロ－１，１，２，２，３－ペンタフルオロプロパン（ＨＣＦＣ－２２５ｃｂ）等）、ハイドロフルオロエーテル類（ＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ（ＡＥ－３０００）、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６－トリデカフルオロオクタン（ＡＣ－６０００）、（ペルフルオロブトキシ）メタン、（ペルフルオロブトキシ）エタン等）、ハイドロクロロフルオロオレフィン類（（Ｚ）－１－クロロ－２，３，３，４，４，５，５－ヘプタフルオロ－１－ペンテン（ＨＣＦＯ－１４３７ｄｙｃｃ（Ｚ）体）、（Ｅ）－１－クロロ－２，３，３，４，４，５，５－ヘプタフルオロ－１－ペンテン（ＨＣＦＯ－１４３７ｄｙｃｃ（Ｅ）体）、（Ｚ）－１－クロロ－２，３，３－トリフルオロ－１－プロペン（ＨＣＦＯ－１２３３ｙｄ（Ｚ）体）、（Ｅ）－１－クロロ－２，３，３－トリフルオロ－１－プロペン（ＨＣＦＯ－１２３３ｙｄ（Ｅ）体）等）、含フッ素芳香族化合物類（ペルフルオロベンゼン、ｍ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン（ＳＲ－ソルベント）、ｐ－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等）等が挙げられる。
【0046】
スキーム（１）の反応は、例えば、化合物（Ａ１２）又は化合物（Ａ１３）を含む溶液を準備し、遷移金属化合物と、必要に応じて配位子を添加した後、別途調製した化合物（Ｂ２）溶液を添加することで実施できる。
スキーム（２）の反応温度は、例えば、－２０℃～６６℃（テトラヒドロフランの沸点）とすればよく、－２０℃～４０℃が好ましい。
スキーム（２）の反応温度は、例えば、－２０℃～６６℃（テトラヒドロフランの沸点）とすればよく、－２０℃～４０℃が好ましい。
【0047】
本発明の含フッ素化合物含有組成物（以下、「本組成物」とも記す。）は、化合物（Ａ１）と化合物（Ａ２）を含有するものであってもよく、化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）より選択される１種以上と、他の含フッ素エーテル化合物とを含有するものであってもよい。なお、本組成物は、後述する液状媒体を含まない。
【0048】
他の含フッ素エーテル化合物としては、例えば、本化合物の製造工程で副生する含フッ素エーテル化合物（以下、「副生含フッ素エーテル化合物」とも記す。）、本化合物と同様の用途に用いられる公知の含フッ素エーテル化合物、含フッ素オイルが挙げられる。他の含フッ素化合物としては、本化合物の特性を低下させるおそれが少ない化合物が好ましい。
【0049】
含フッ素オイルとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、エチレン－クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）が挙げられる。
【0050】
副生含フッ素化合物としては、本化合物の合成時における未反応の含フッ素化合物等が挙げられる。本組成物が副生含フッ素化合物を含む場合、該副生含フッ素化合物を除去、もしくは該副生含フッ素化合物量を低減させるための精製工程を簡略化することができる。
【0051】
公知の含フッ素化合物としては、例えば、下記の文献に記載のものが挙げられる。
日本特開平１１－０２９５８５号公報に記載のパーフルオロポリエーテル変性アミノシラン、
日本特許第２８７４７１５号公報に記載のケイ素含有有機含フッ素ポリマー、
日本特開２０００－１４４０９７号公報に記載の有機ケイ素化合物、
日本特開２０００－３２７７７２号公報に記載のパーフルオロポリエーテル変性アミノシラン、
日本特表２００２－５０６８８７号公報に記載のフッ素化シロキサン、
日本特表２００８－５３４６９６号公報に記載の有機シリコーン化合物、
日本特許第４１３８９３６号公報に記載のフッ素化変性水素含有重合体、
米国特許出願公開第２０１０／０１２９６７２号明細書、国際公開第２０１４／１２６０６４号、日本特開２０１４－０７０１６３号公報に記載の化合物、
国際公開第２０１１／０６００４７号、国際公開第２０１１／０５９４３０号に記載のオルガノシリコン化合物、
国際公開第２０１２／０６４６４９号に記載の含フッ素オルガノシラン化合物、
日本特開２０１２－７２２７２号公報に記載のフルオロオキシアルキレン基含有ポリマー、
国際公開第２０１３／０４２７３２号、国際公開第２０１３／１２１９８４号、国際公開第２０１３／１２１９８５号、国際公開第２０１３／１２１９８６号、国際公開第２０１４／１６３００４号、日本特開２０１４－０８０４７３号公報、国際公開第２０１５／０８７９０２号、国際公開第２０１７／０３８８３０号、国際公開第２０１７／０３８８３２号、国際公開第２０１７／１８７７７５号に記載の含フッ素エーテル化合物、
日本特開２０１４－２１８６３９号公報、国際公開第２０１７／０２２４３７号、国際公開第２０１８／０７９７４３号、国際公開第２０１８／１４３４３３号に記載のパーフルオロ（ポリ）エーテル含有シラン化合物、
日本特開２０１５－１９９９０６号公報、日本特開２０１６－２０４６５６号公報、日本特開２０１６－２１０８５４号公報、日本特開２０１６－２２２８５９号公報に記載のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン、
国際公開第２０１８／２１６６３０号、国際公開第２０１９／０３９２２６号、国際公開第２０１９／０３９３４１号、国際公開第２０１９／０３９１８６号、国際公開第２０１９／０４４４７９号、日本特開２０１９－４４１５８号公報、国際公開２０１９／１６３２８２に記載の含フッ素エーテル化合物。
また、含フッ素化合物の市販品としては、信越化学工業社製のＫＹ－１００シリーズ（ＫＹ－１７８、ＫＹ－１８５、ＫＹ－１９５等）、ＡＧＣ社製のＡｆｌｕｉｄ（登録商標）Ｓ５５０、ダイキン工業社製のオプツール（登録商標）ＤＳＸ、オプツール（登録商標）ＡＥＳ、オプツール（登録商標）ＵＦ５０３、オプツール（登録商標）ＵＤ５０９等が挙げられる。
日本特開平１１－０２９５８５号公報に記載のパーフルオロポリエーテル変性アミノシラン、
日本特許第２８７４７１５号公報に記載のケイ素含有有機含フッ素ポリマー、
日本特開２０００－１４４０９７号公報に記載の有機ケイ素化合物、
日本特開２０００－３２７７７２号公報に記載のパーフルオロポリエーテル変性アミノシラン、
日本特表２００２－５０６８８７号公報に記載のフッ素化シロキサン、
日本特表２００８－５３４６９６号公報に記載の有機シリコーン化合物、
日本特許第４１３８９３６号公報に記載のフッ素化変性水素含有重合体、
米国特許出願公開第２０１０／０１２９６７２号明細書、国際公開第２０１４／１２６０６４号、日本特開２０１４－０７０１６３号公報に記載の化合物、
国際公開第２０１１／０６００４７号、国際公開第２０１１／０５９４３０号に記載のオルガノシリコン化合物、
国際公開第２０１２／０６４６４９号に記載の含フッ素オルガノシラン化合物、
日本特開２０１２－７２２７２号公報に記載のフルオロオキシアルキレン基含有ポリマー、
国際公開第２０１３／０４２７３２号、国際公開第２０１３／１２１９８４号、国際公開第２０１３／１２１９８５号、国際公開第２０１３／１２１９８６号、国際公開第２０１４／１６３００４号、日本特開２０１４－０８０４７３号公報、国際公開第２０１５／０８７９０２号、国際公開第２０１７／０３８８３０号、国際公開第２０１７／０３８８３２号、国際公開第２０１７／１８７７７５号に記載の含フッ素エーテル化合物、
日本特開２０１４－２１８６３９号公報、国際公開第２０１７／０２２４３７号、国際公開第２０１８／０７９７４３号、国際公開第２０１８／１４３４３３号に記載のパーフルオロ（ポリ）エーテル含有シラン化合物、
日本特開２０１５－１９９９０６号公報、日本特開２０１６－２０４６５６号公報、日本特開２０１６－２１０８５４号公報、日本特開２０１６－２２２８５９号公報に記載のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン、
国際公開第２０１８／２１６６３０号、国際公開第２０１９／０３９２２６号、国際公開第２０１９／０３９３４１号、国際公開第２０１９／０３９１８６号、国際公開第２０１９／０４４４７９号、日本特開２０１９－４４１５８号公報、国際公開２０１９／１６３２８２に記載の含フッ素エーテル化合物。
また、含フッ素化合物の市販品としては、信越化学工業社製のＫＹ－１００シリーズ（ＫＹ－１７８、ＫＹ－１８５、ＫＹ－１９５等）、ＡＧＣ社製のＡｆｌｕｉｄ（登録商標）Ｓ５５０、ダイキン工業社製のオプツール（登録商標）ＤＳＸ、オプツール（登録商標）ＡＥＳ、オプツール（登録商標）ＵＦ５０３、オプツール（登録商標）ＵＤ５０９等が挙げられる。
【0052】
本組成物中の本化合物の割合は、１００質量％未満であり、６０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上が更に好ましい。
本組成物が他の含フッ素化合物を含む場合、本組成物中の本化合物及び他の含フッ素化合物の合計に対する他の含フッ素化合物の割合は、４０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましい。
本組成物中の本化合物及び他の含フッ素化合物の合計の割合は、８０質量％以上が好ましく、８５質量％以上がより好ましい。
本化合物及び他の含フッ素化合物の含有量が前記範囲内であれば、表面層の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、外観に優れる。
本組成物が他の含フッ素化合物を含む場合、本組成物中の本化合物及び他の含フッ素化合物の合計に対する他の含フッ素化合物の割合は、４０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましい。
本組成物中の本化合物及び他の含フッ素化合物の合計の割合は、８０質量％以上が好ましく、８５質量％以上がより好ましい。
本化合物及び他の含フッ素化合物の含有量が前記範囲内であれば、表面層の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、外観に優れる。
【0053】
［コーティング液］
本発明のコーティング液（以下、本コーティング液ともいう。）は、本化合物又は本組成物と液状媒体とを含む。本コーティング液は、液状であればよく、溶液であってもよく、分散液であってもよい。
本コーティング液は、本化合物又は本組成物を含んでいればよく、本化合物の製造工程で生成した副生物等の不純物を含んでもよい。
本化合物又は本組成物の濃度は、本コーティング液中、０．００１～４０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％が好ましく、０．１～１０質量％がより好ましい。
本発明のコーティング液（以下、本コーティング液ともいう。）は、本化合物又は本組成物と液状媒体とを含む。本コーティング液は、液状であればよく、溶液であってもよく、分散液であってもよい。
本コーティング液は、本化合物又は本組成物を含んでいればよく、本化合物の製造工程で生成した副生物等の不純物を含んでもよい。
本化合物又は本組成物の濃度は、本コーティング液中、０．００１～４０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％が好ましく、０．１～１０質量％がより好ましい。
【0054】
液状媒体としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒は、フッ素系有機溶媒であってもよく、非フッ素系有機溶媒であってもよく、両溶媒を含んでもよい。
【0055】
フッ素系有機溶媒としては、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、フッ素化アルキルアミン、フルオロアルコール等が挙げられる。
フッ素化アルカンとしては、炭素数４～８の化合物が好ましい。市販品としては、たとえばＣ６Ｆ１３Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－２０００）、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ５（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－６０００）、Ｃ２Ｆ５ＣＨＦＣＨＦＣＦ３（ケマーズ社製、バートレル（登録商標）ＸＦ）等が挙げられる。
フッ素化芳香族化合物としては、たとえばヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等が挙げられる。
フルオロアルキルエーテルとしては、炭素数４～１２の化合物が好ましい。市販品としては、たとえばＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＥ－３０００）、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７１００）、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）、Ｃ２Ｆ５ＣＦ（ＯＣＨ３）Ｃ３Ｆ７（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７３００）等が挙げられる。
フッ素化アルキルアミンとしては、たとえばペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン等が挙げられる。
フルオロアルコールとしては、たとえば２，２，３，３－テトラフルオロプロパノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノール等が挙げられる。
非フッ素系有機溶媒としては、水素原子及び炭素原子のみからなる化合物と、水素原子、炭素原子及び酸素原子のみからなる化合物が好ましく、炭化水素系有機溶媒、アルコール系有機溶媒、ケトン系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、エステル系有機溶媒が挙げられる。
本コーティング液は、液状媒体を７５～９９．９９９質量％含むことが好ましく、８５～９９．９９質量％含むことが好ましく。９０～９９．９質量％含むことが特に好ましい。
フッ素化アルカンとしては、炭素数４～８の化合物が好ましい。市販品としては、たとえばＣ６Ｆ１３Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－２０００）、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ５（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－６０００）、Ｃ２Ｆ５ＣＨＦＣＨＦＣＦ３（ケマーズ社製、バートレル（登録商標）ＸＦ）等が挙げられる。
フッ素化芳香族化合物としては、たとえばヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等が挙げられる。
フルオロアルキルエーテルとしては、炭素数４～１２の化合物が好ましい。市販品としては、たとえばＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＥ－３０００）、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７１００）、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）、Ｃ２Ｆ５ＣＦ（ＯＣＨ３）Ｃ３Ｆ７（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７３００）等が挙げられる。
フッ素化アルキルアミンとしては、たとえばペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン等が挙げられる。
フルオロアルコールとしては、たとえば２，２，３，３－テトラフルオロプロパノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノール等が挙げられる。
非フッ素系有機溶媒としては、水素原子及び炭素原子のみからなる化合物と、水素原子、炭素原子及び酸素原子のみからなる化合物が好ましく、炭化水素系有機溶媒、アルコール系有機溶媒、ケトン系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、エステル系有機溶媒が挙げられる。
本コーティング液は、液状媒体を７５～９９．９９９質量％含むことが好ましく、８５～９９．９９質量％含むことが好ましく。９０～９９．９質量％含むことが特に好ましい。
【0056】
本コーティング液は、本化合物又は本組成物と液状媒体の他に、本発明の効果を損なわない範囲で、それら以外の他の成分を含んでいてもよい。
他の成分としては、たとえば、加水分解性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の公知の添加剤が挙げられる。
本コーティング液における、他の成分の含有量は、１０質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。
他の成分としては、たとえば、加水分解性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の公知の添加剤が挙げられる。
本コーティング液における、他の成分の含有量は、１０質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。
【0057】
本コーティング液の本化合物と他の成分の合計又は本組成物と他の成分の合計の濃度（以下、固形分濃度ともいう。）は、０．００１～４０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％が好ましく、０．０１～１０質量％がより好ましく、０．０１～１質量％がより好ましい。コーティング液の固形分濃度は、加熱前のコーティング液の質量と、１２０℃の対流式乾燥機にて４時間加熱した後の質量とから算出する値である。
【0058】
［物品］
本発明の物品（以下、「本物品」とも記す。）は、本化合物又は本組成物から形成された表面層を基材の表面に有する。表面層は、基材の表面の一部に形成されてもよく、基材のすべての表面に形成されてもよい。表面層は、基材の表面に膜状に拡がってもよく、ドット状に点在してもよい。
表面層は、本化合物を、本化合物の加水分解性シリル基の一部又は全部が加水分解反応し、かつシラノール基が脱水縮合反応した状態で含む。
本発明の物品（以下、「本物品」とも記す。）は、本化合物又は本組成物から形成された表面層を基材の表面に有する。表面層は、基材の表面の一部に形成されてもよく、基材のすべての表面に形成されてもよい。表面層は、基材の表面に膜状に拡がってもよく、ドット状に点在してもよい。
表面層は、本化合物を、本化合物の加水分解性シリル基の一部又は全部が加水分解反応し、かつシラノール基が脱水縮合反応した状態で含む。
【0059】
表面層の厚さは、１～１００ｎｍが好ましく、１～５０ｎｍが特に好ましい。表面層の厚さが１ｎｍ以上であれば、表面処理による効果が充分に得られやすい。表面層の厚さが１００ｎｍ以下であれば、利用効率が高い。表面層の厚さは、薄膜解析用Ｘ線回折計（ＲＩＧＡＫＵ社製、ＡＴＸ－Ｇ）を用いて、Ｘ線反射率法によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、干渉パターンの振動周期から算出できる。
【0060】
基材としては、撥水撥油性の付与が求められている基材が挙げられる。例えば、他の物品（例えばスタイラス）や人の手指を接触させて使用することがある基材、操作時に人の手指で持つことがある基材、他の物品（例えば載置台）の上に置くことがある基材が挙げられる。
基材の材料としては、金属、樹脂、ガラス、サファイア、セラミック、石、これらの複合材料が挙げられる。ガラスは化学強化されていてもよい。基材の表面にはＳｉＯ２膜等の下地膜が形成されていてもよい。
基材としては、タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材、メガネレンズが好適であり、タッチパネル用基材が特に好適である。タッチパネル用基材の材料としては、ガラス又は透明樹脂が好ましい。
また、基材としては、携帯電話（例えばスマートフォン）、携帯情報端末（例えばタブレット端末）、ゲーム機、リモコン等の機器における外装部分（表示部を除く）に使用する、ガラス又は樹脂フィルムも好ましい。
基材の材料としては、金属、樹脂、ガラス、サファイア、セラミック、石、これらの複合材料が挙げられる。ガラスは化学強化されていてもよい。基材の表面にはＳｉＯ２膜等の下地膜が形成されていてもよい。
基材としては、タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材、メガネレンズが好適であり、タッチパネル用基材が特に好適である。タッチパネル用基材の材料としては、ガラス又は透明樹脂が好ましい。
また、基材としては、携帯電話（例えばスマートフォン）、携帯情報端末（例えばタブレット端末）、ゲーム機、リモコン等の機器における外装部分（表示部を除く）に使用する、ガラス又は樹脂フィルムも好ましい。
【0061】
［物品の製造方法］
本物品は、例えば、下記の方法で製造できる。
・本化合物又は本組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、本化合物又は本組成物から形成された表面層を基材の表面に形成する方法。
・ウェットコーティング法によって本コーティング液を基材の表面に塗布し、乾燥させて、本化合物又は本組成物から形成された表面層を基材の表面に形成する方法。
本物品は、例えば、下記の方法で製造できる。
・本化合物又は本組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、本化合物又は本組成物から形成された表面層を基材の表面に形成する方法。
・ウェットコーティング法によって本コーティング液を基材の表面に塗布し、乾燥させて、本化合物又は本組成物から形成された表面層を基材の表面に形成する方法。
【0062】
ドライコーティング法としては、真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング等の手法が挙げられる。ドライコーティング法としては、化合物１Ａ又は化合物１Ｂの分解を抑える点、及び装置の簡便さの点から、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着時には、鉄、鋼等の金属多孔体に本化合物又は本組成物を含浸させたペレット状物質を用いてもよい。本コーティング液を鉄、鋼等の金属多孔体に含浸させ、液状媒体を乾燥させて、化合物１Ａもしくは化合物１Ｂ又は本組成物が含浸したペレット状物質を用いてもよい。
【0063】
ウェットコーティング法としては、例えば、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法が挙げられる。
【0064】
表面層の耐摩擦性を向上させるために、必要に応じて、本化合物と基材との反応を促進するための操作を行ってもよい。該操作としては、加熱、加湿、光照射等が挙げられる。
たとえば、水分を有する大気中で表面層が形成された基材を加熱して、加水分解性基の加水分解反応、基材の表面の水酸基等とシラノール基との反応、シラノール基の縮合反応によるシロキサン結合の生成、等の反応を促進できる。
表面処理後、表面層中の化合物であって他の化合物や基材と化学結合していない化合物は、必要に応じて除去してもよい。具体的な方法としては、たとえば、表面層に溶媒をかけ流す方法、溶媒をしみ込ませた布でふき取る方法等が挙げられる。
たとえば、水分を有する大気中で表面層が形成された基材を加熱して、加水分解性基の加水分解反応、基材の表面の水酸基等とシラノール基との反応、シラノール基の縮合反応によるシロキサン結合の生成、等の反応を促進できる。
表面処理後、表面層中の化合物であって他の化合物や基材と化学結合していない化合物は、必要に応じて除去してもよい。具体的な方法としては、たとえば、表面層に溶媒をかけ流す方法、溶媒をしみ込ませた布でふき取る方法等が挙げられる。
【実施例】
【0065】
以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。以下において「％」は特に断りのない限り「質量％」である。なお、例１～１１、１３～３３、３５～４１が実施例であり、例１２、３４が比較例である。
【0066】
なお、重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）は、下記の条件で、ＧＰＣ法（ゲル浸透クロマトグラフィー法）により求めた。
装置：ＨＬＣ－８４２０ＧＰＣ（東ソー社製）
移動相：１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン及びアセトンの混合溶媒（８０：２０（体積比））
分析カラム：ＰＬｇｅｌ３μｍ ＭＩＸＥＤ－Ｅ（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）
分子量測定用標準資料：Ｍｗ／Ｍｎが１．２以下で、Ｍｎが２０００～１００００のペルフルオロポリエーテル３種
移動相流速：１．０ｍＬ／分
サンプル濃度：１０ｍｇ／ｍＬ
カラム温度：４０℃
検出器：蒸発光散乱検出器
装置：ＨＬＣ－８４２０ＧＰＣ（東ソー社製）
移動相：１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン及びアセトンの混合溶媒（８０：２０（体積比））
分析カラム：ＰＬｇｅｌ３μｍ ＭＩＸＥＤ－Ｅ（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）
分子量測定用標準資料：Ｍｗ／Ｍｎが１．２以下で、Ｍｎが２０００～１００００のペルフルオロポリエーテル３種
移動相流速：１．０ｍＬ／分
サンプル濃度：１０ｍｇ／ｍＬ
カラム温度：４０℃
検出器：蒸発光散乱検出器
【0067】
［合成例１：化合物（１－１）の合成］
国際公開２０１３／１２１９８４号の実施例７に記載の方法に従い、下記化合物（１－１）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＣＨ２ＯＨ ・・・式（１－１）
繰り返し単位数ｎの平均値は１３である。
国際公開２０１３／１２１９８４号の実施例７に記載の方法に従い、下記化合物（１－１）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＣＨ２ＯＨ ・・・式（１－１）
繰り返し単位数ｎの平均値は１３である。
【0068】
［合成例２：化合物（１－２）の合成］
前記化合物（１－１）（６．８０ｇ）、２，６－ルチジン（０．７５９ｇ），ＡＥ－３０００（２８．０ｇ）を加え、０℃で撹拌した。無水トリフルオロメタンスルホン酸（０．９８７ｇ）を加えた後、室温で撹拌した。水で洗浄した後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（１－２）を６．８１ｇ得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＣＨ２ＯＴｆ ・・・式（１－２）
繰り返し単位数ｎの平均値は１３であり、ＯＴｆはトリフラート：－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）２（－ＣＦ３）である。
前記化合物（１－１）（６．８０ｇ）、２，６－ルチジン（０．７５９ｇ），ＡＥ－３０００（２８．０ｇ）を加え、０℃で撹拌した。無水トリフルオロメタンスルホン酸（０．９８７ｇ）を加えた後、室温で撹拌した。水で洗浄した後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（１－２）を６．８１ｇ得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＣＨ２ＯＴｆ ・・・式（１－２）
繰り返し単位数ｎの平均値は１３であり、ＯＴｆはトリフラート：－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）２（－ＣＦ３）である。
【0069】
化合物（１－２）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：４．７８（ｔ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，２Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２８，－７４．１１，－８２．８６，－８８．０７，－９０．２０，－１１９．８４，－１２５．２８，－１２６．１６．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：４．７８（ｔ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，２Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２８，－７４．１１，－８２．８６，－８８．０７，－９０．２０，－１１９．８４，－１２５．２８，－１２６．１６．
【0070】
［合成例３：化合物（Ｂ－１）の合成］
ＤｉｅｔｈｙｌＤｉａｌｌｙｌｍａｌｏｎａｔｅ（６０．０ｇ）、塩化リチウム（２３．７ｇ）、水（６．４５ｇ）、ジメチルスルホキシド（２６３ｇ）を加え、１６０℃で撹拌した。室温まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。ヘキサンを有機層に加え、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去することで、下記化合物（Ｂ－１）を３９．５ｇ得た。
ＤｉｅｔｈｙｌＤｉａｌｌｙｌｍａｌｏｎａｔｅ（６０．０ｇ）、塩化リチウム（２３．７ｇ）、水（６．４５ｇ）、ジメチルスルホキシド（２６３ｇ）を加え、１６０℃で撹拌した。室温まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。ヘキサンを有機層に加え、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去することで、下記化合物（Ｂ－１）を３９．５ｇ得た。
【0071】
【化6】
【0072】
化合物（Ｂ－１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：（ｄｄｔ，Ｊ＝１７．１，１０．１，７．０Ｈｚ，２Ｈ），５．０６～４．９４（ｍ，４Ｈ），４．０９（ｑ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，２Ｈ），２．４７（ｄｄｄ，Ｊ＝１４．０，８．０，６．１Ｈｚ，１Ｈ），２．３３（ｄｔ，Ｊ＝１４．９，７．５Ｈｚ，２Ｈ），２．２２（ｄｔ，Ｊ＝１４．１，６．５Ｈｚ，２Ｈ），１．２１（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：（ｄｄｔ，Ｊ＝１７．１，１０．１，７．０Ｈｚ，２Ｈ），５．０６～４．９４（ｍ，４Ｈ），４．０９（ｑ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，２Ｈ），２．４７（ｄｄｄ，Ｊ＝１４．０，８．０，６．１Ｈｚ，１Ｈ），２．３３（ｄｔ，Ｊ＝１４．９，７．５Ｈｚ，２Ｈ），２．２２（ｄｔ，Ｊ＝１４．１，６．５Ｈｚ，２Ｈ），１．２１（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）．
【0073】
［合成例４：化合物（Ｂ－２）の合成］
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（２６０ｍＬ）、ジイソプロピルアミン（２９．８ｇ）を加えた後、溶液を－７８℃まで冷却した。ｎ－ブチルリチウムヘキサン溶液（２．７６Ｍ，９６．６ｍＬ）を加え、０℃まで昇温した。撹拌した後、－７８℃まで冷却し、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）のＴＨＦ溶液を調製した。上記化合物（Ｂ－１）（３９．５ｇ）をＴＨＦ溶液に加え、撹拌した後、臭化アリル（２４．１ｍＬ）を加えた。０℃に昇温し、１Ｍ塩酸（１００ｍＬ）を加え、ＴＨＦを減圧留去した。ジクロロメタンで抽出した後、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、化合物（Ｂ－２）を４５．０ｇ得た。
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（２６０ｍＬ）、ジイソプロピルアミン（２９．８ｇ）を加えた後、溶液を－７８℃まで冷却した。ｎ－ブチルリチウムヘキサン溶液（２．７６Ｍ，９６．６ｍＬ）を加え、０℃まで昇温した。撹拌した後、－７８℃まで冷却し、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）のＴＨＦ溶液を調製した。上記化合物（Ｂ－１）（３９．５ｇ）をＴＨＦ溶液に加え、撹拌した後、臭化アリル（２４．１ｍＬ）を加えた。０℃に昇温し、１Ｍ塩酸（１００ｍＬ）を加え、ＴＨＦを減圧留去した。ジクロロメタンで抽出した後、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、化合物（Ｂ－２）を４５．０ｇ得た。
【0074】
【化7】
【0075】
化合物（Ｂ－２）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７４～５．６２（ｍ，３Ｈ），５．０４（ｄｄ，Ｊ＝１３．６，１．９Ｈｚ，６Ｈ），４．１０（ｑ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，２Ｈ），２．２９（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，６Ｈ），１．２２（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７４～５．６２（ｍ，３Ｈ），５．０４（ｄｄ，Ｊ＝１３．６，１．９Ｈｚ，６Ｈ），４．１０（ｑ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，２Ｈ），２．２９（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，６Ｈ），１．２２（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）．
【0076】
［合成例５：化合物（Ｂ－３）の合成］
上記化合物（Ｂ－２）（４５．０ｇ）をＴＨＦ（６２０ｍＬ）に溶解させ、０℃に冷却した。水素化リチウムアルミニウムのＴＨＦ溶液（１０４ｍＬ）を加え、撹拌した。水、１５％水酸化ナトリウム水溶液を加え、室温で撹拌した後、ジクロロメタンで希釈した。ろ過後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（Ｂ－３）を３１．３ｇ得た。
上記化合物（Ｂ－２）（４５．０ｇ）をＴＨＦ（６２０ｍＬ）に溶解させ、０℃に冷却した。水素化リチウムアルミニウムのＴＨＦ溶液（１０４ｍＬ）を加え、撹拌した。水、１５％水酸化ナトリウム水溶液を加え、室温で撹拌した後、ジクロロメタンで希釈した。ろ過後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（Ｂ－３）を３１．３ｇ得た。
【0077】
【化8】
【0078】
化合物（Ｂ－３）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．９０～５．７６（ｍ，３Ｈ），５．１０～５．０２（ｍ，６Ｈ），３．３８（ｓ，２Ｈ），２．０３（ｄｔ，Ｊ＝７．５，１．２Ｈｚ，６Ｈ），１．４５（ｓ，１Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．９０～５．７６（ｍ，３Ｈ），５．１０～５．０２（ｍ，６Ｈ），３．３８（ｓ，２Ｈ），２．０３（ｄｔ，Ｊ＝７．５，１．２Ｈｚ，６Ｈ），１．４５（ｓ，１Ｈ）．
【0079】
［例１：化合物（Ｂ１－１）の合成］
アセトニトリル（３８０ｍＬ）、前記化合物（Ｂ－３）（３１．３ｇ）、トリフェニルホスフィン（６４．３ｇ）、四塩化炭素（３３．９ｇ）を加え、９０℃で撹拌した。濃縮後、酢酸エチル／ヘキサンを加え撹拌した。ろ過、濃縮後、蒸留によって、下記化合物（Ｂ１－１）を２８．２ｇ得た。
アセトニトリル（３８０ｍＬ）、前記化合物（Ｂ－３）（３１．３ｇ）、トリフェニルホスフィン（６４．３ｇ）、四塩化炭素（３３．９ｇ）を加え、９０℃で撹拌した。濃縮後、酢酸エチル／ヘキサンを加え撹拌した。ろ過、濃縮後、蒸留によって、下記化合物（Ｂ１－１）を２８．２ｇ得た。
【0080】
【化9】
【0081】
化合物（Ｂ１－１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８３～５．６７（ｍ，３Ｈ），５．１６～５．０１（ｍ，６Ｈ），３．３２（ｓ，２Ｈ），２．０５（ｄｔ，Ｊ＝７．５，１．１Ｈｚ，６Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８３～５．６７（ｍ，３Ｈ），５．１６～５．０１（ｍ，６Ｈ），３．３２（ｓ，２Ｈ），２．０５（ｄｔ，Ｊ＝７．５，１．１Ｈｚ，６Ｈ）．
【0082】
［例２：化合物（Ｂ２－１）の合成］
マグネシウム（２．３６ｇ）にＴＨＦ（３５ｍＬ）、ヨウ素（０．１８０ｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－１）（１４．０ｇ）のＴＨＦ（３５ｍＬ）溶液を加え、２時間加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－１）の溶液（０．８０Ｍ）を調製した。
マグネシウム（２．３６ｇ）にＴＨＦ（３５ｍＬ）、ヨウ素（０．１８０ｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－１）（１４．０ｇ）のＴＨＦ（３５ｍＬ）溶液を加え、２時間加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－１）の溶液（０．８０Ｍ）を調製した。
【0083】
【化10】
【0084】
［例３：化合物（Ｂ１－２）の合成］
１－ブロモ－３－クロロプロパン（２．９０ｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．２２０ｇ）、ＣｕＣｌ２（０．０５１ｇ）を加え０℃で撹拌した。前記化合物（Ｂ２－１）（０．８０Ｍ，２６．０ｍＬ）を加え撹拌した。１Ｍ塩酸を加え、ジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過、濃縮後、蒸留によって、下記化合物（Ｂ１－２）を３．２９ｇ得た。
１－ブロモ－３－クロロプロパン（２．９０ｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．２２０ｇ）、ＣｕＣｌ２（０．０５１ｇ）を加え０℃で撹拌した。前記化合物（Ｂ２－１）（０．８０Ｍ，２６．０ｍＬ）を加え撹拌した。１Ｍ塩酸を加え、ジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過、濃縮後、蒸留によって、下記化合物（Ｂ１－２）を３．２９ｇ得た。
【0085】
【化11】
【0086】
化合物（Ｂ１－２）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７６（ｄｄｔ，Ｊ＝１６．６，１０．６，７．４Ｈｚ，３Ｈ），５．０９～４．９３（ｍ，６Ｈ），３．５０（ｔ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，２Ｈ），１．９６（ｄｔ，Ｊ＝７．４，１．２Ｈｚ，６Ｈ），１．７６～１．６１（ｍ，２Ｈ），１．４５～１．２９（ｍ，２Ｈ），１．２４～１．０８（ｍ，２Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７６（ｄｄｔ，Ｊ＝１６．６，１０．６，７．４Ｈｚ，３Ｈ），５．０９～４．９３（ｍ，６Ｈ），３．５０（ｔ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，２Ｈ），１．９６（ｄｔ，Ｊ＝７．４，１．２Ｈｚ，６Ｈ），１．７６～１．６１（ｍ，２Ｈ），１．４５～１．２９（ｍ，２Ｈ），１．２４～１．０８（ｍ，２Ｈ）．
【0087】
［例４：化合物（Ｂ２－２）の合成］
マグネシウム（０．１７４ｇ）にＴＨＦ（２．６ｍＬ）、ヨウ素（１２．７ｍｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－２）（１．３０ｇ）のＴＨＦ（２．６ｍＬ）溶液を加え、加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－２）の溶液（１．０Ｍ）を調製した。
マグネシウム（０．１７４ｇ）にＴＨＦ（２．６ｍＬ）、ヨウ素（１２．７ｍｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－２）（１．３０ｇ）のＴＨＦ（２．６ｍＬ）溶液を加え、加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－２）の溶液（１．０Ｍ）を調製した。
【0088】
【化12】
【0089】
［合成例６：化合物（１－３）の合成］
ＣｕＣｌ２（７．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０２６ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（２３ｍＬ）、前記化合物（１－２）（１．５２ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－２）（４．５ｍＬ，１．０Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）で洗浄した後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（１－３）を０．２１０ｇ得た。
ＣｕＣｌ２（７．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０２６ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（２３ｍＬ）、前記化合物（１－２）（１．５２ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－２）（４．５ｍＬ，１．０Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）で洗浄した後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（１－３）を０．２１０ｇ得た。
【0090】
【化13】
【0091】
化合物（１－３）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８０（ｄｄｔ，Ｊ＝２０．３，９．３，７．４Ｈｚ，３Ｈ），５．０１（ｄｄ，Ｊ＝１３．５，１．７Ｈｚ，６Ｈ），２．１３～２．０１（ｍ，２Ｈ），１．９７（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，６Ｈ），１．６７～１．５５（ｍ，２Ｈ），１．４０～１．２７（ｍ，４Ｈ），１．２７～１．１８（ｍ，２Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２５，－８２．８３，－８８．０６，－９０．１６（ｄ，Ｊ＝８．１ Ｈｚ），－１１４．１８，－１２５．２６，－１２６．５９．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８０（ｄｄｔ，Ｊ＝２０．３，９．３，７．４Ｈｚ，３Ｈ），５．０１（ｄｄ，Ｊ＝１３．５，１．７Ｈｚ，６Ｈ），２．１３～２．０１（ｍ，２Ｈ），１．９７（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，６Ｈ），１．６７～１．５５（ｍ，２Ｈ），１．４０～１．２７（ｍ，４Ｈ），１．２７～１．１８（ｍ，２Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２５，－８２．８３，－８８．０６，－９０．１６（ｄ，Ｊ＝８．１ Ｈｚ），－１１４．１８，－１２５．２６，－１２６．５９．
【0092】
［例５：化合物（Ｉ）の合成］
ＡＣ－２０００（１．２ｇ）、上記化合物（１－３）（０．２００ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，７．０ｍｇ）、アニリン（１．５ｍｇ）、トリメトキシシラン（３２．２ｍｇ）を加え、４０℃で１８時間撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記に示す含フッ素エーテル化合物（Ｉ）を０．２０１ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（Ｉ）のＭｗ／Ｍｎは１．０７であった。
ＡＣ－２０００（１．２ｇ）、上記化合物（１－３）（０．２００ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，７．０ｍｇ）、アニリン（１．５ｍｇ）、トリメトキシシラン（３２．２ｍｇ）を加え、４０℃で１８時間撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記に示す含フッ素エーテル化合物（Ｉ）を０．２０１ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（Ｉ）のＭｗ／Ｍｎは１．０７であった。
【0093】
【化14】
【0094】
化合物（Ｉ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．５９（ｓ，２７Ｈ），２．１５～１．９１（ｍ，２Ｈ），１．７２～１．５４（ｍ，２Ｈ），１．５２～１．１４（ｍ，１８Ｈ），０．７３～０．６０（ｍ，６Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２８，－８２．３０（ｄ，Ｊ＝２２．０Ｈｚ），－８２．８８，－８８．１０，－９０．２２，－１１４．１７，－１２５．３０，－１２６．４９．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．５９（ｓ，２７Ｈ），２．１５～１．９１（ｍ，２Ｈ），１．７２～１．５４（ｍ，２Ｈ），１．５２～１．１４（ｍ，１８Ｈ），０．７３～０．６０（ｍ，６Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２８，－８２．３０（ｄ，Ｊ＝２２．０Ｈｚ），－８２．８８，－８８．１０，－９０．２２，－１１４．１７，－１２５．３０，－１２６．４９．
【0095】
［例６：化合物（Ｂ１－３）の合成］
１－ブロモ－４－クロロブタン（２．８９ｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．１９８ｇ）、ＣｕＣｌ２（０．０４９ｇ）を加え０℃で撹拌した。前記化合物（Ｂ２－１）（０．８０Ｍ，２４．０ｍＬ）を加え撹拌した。１Ｍ塩酸を加え、ジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過、濃縮後、蒸留によって、下記化合物（Ｂ１－３）を３．４５ｇ得た。
１－ブロモ－４－クロロブタン（２．８９ｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．１９８ｇ）、ＣｕＣｌ２（０．０４９ｇ）を加え０℃で撹拌した。前記化合物（Ｂ２－１）（０．８０Ｍ，２４．０ｍＬ）を加え撹拌した。１Ｍ塩酸を加え、ジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過、濃縮後、蒸留によって、下記化合物（Ｂ１－３）を３．４５ｇ得た。
【0096】
【化15】
【0097】
化合物（Ｂ１－３）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７６（ｄｄｔ，Ｊ＝１６．８，１０．４，７．４Ｈｚ，３Ｈ），５．０７～４．９２（ｍ，６Ｈ），３．４９（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），１．９４（ｄｔ，Ｊ＝７．４，１．２Ｈｚ，６Ｈ），１．７９～１．６７（ｍ，２Ｈ），１．４２～１．３０（ｍ，２Ｈ），１．３０～１．２０（ｍ，２Ｈ），１．２０～１．１０（ｍ，２Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７６（ｄｄｔ，Ｊ＝１６．８，１０．４，７．４Ｈｚ，３Ｈ），５．０７～４．９２（ｍ，６Ｈ），３．４９（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），１．９４（ｄｔ，Ｊ＝７．４，１．２Ｈｚ，６Ｈ），１．７９～１．６７（ｍ，２Ｈ），１．４２～１．３０（ｍ，２Ｈ），１．３０～１．２０（ｍ，２Ｈ），１．２０～１．１０（ｍ，２Ｈ）．
【0098】
［例７：化合物（Ｂ２－３）の合成］
マグネシウム（０．１６８ｇ）にＴＨＦ（２．６ｍＬ）、ヨウ素（１４．０ｍｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－３）（１．４１ｇ）のＴＨＦ（２．６ｍＬ）溶液を加え、２時間加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－３）の溶液（０．７４Ｍ）を調製した。
マグネシウム（０．１６８ｇ）にＴＨＦ（２．６ｍＬ）、ヨウ素（１４．０ｍｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－３）（１．４１ｇ）のＴＨＦ（２．６ｍＬ）溶液を加え、２時間加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－３）の溶液（０．７４Ｍ）を調製した。
【0099】
【化16】
【0100】
［合成例７：化合物（２－１）の合成］
ＣｕＣｌ２（９．９ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０１９ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（２３ｍＬ）、前記化合物（１－２）（１．５０ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－３）（４．５ｍＬ，１．０Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。ＤＭＦ、ＭｅＯＨで洗浄した後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（２－１）を０．２４６ｇ得た。
ＣｕＣｌ２（９．９ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０１９ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（２３ｍＬ）、前記化合物（１－２）（１．５０ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－３）（４．５ｍＬ，１．０Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。ＤＭＦ、ＭｅＯＨで洗浄した後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（２－１）を０．２４６ｇ得た。
【0101】
【化17】
【0102】
化合物（２－１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．９０～５．７３（ｍ，３Ｈ），５．１３～４．９１（ｍ，６Ｈ），２．１４～２．０１（ｍ，２Ｈ），１．９７（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，６Ｈ），１．６９～１．５２（ｍ，２Ｈ），１．４７～１．１８（ｍ，８Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２３，－８２．３５（ｄｔ，Ｊ＝２２．８，１０．３Ｈｚ），－８２．８１，－８７．９３，－９０．１５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），－１１４．１９，－１２５．２３，－１２６．５８．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．９０～５．７３（ｍ，３Ｈ），５．１３～４．９１（ｍ，６Ｈ），２．１４～２．０１（ｍ，２Ｈ），１．９７（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，６Ｈ），１．６９～１．５２（ｍ，２Ｈ），１．４７～１．１８（ｍ，８Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２３，－８２．３５（ｄｔ，Ｊ＝２２．８，１０．３Ｈｚ），－８２．８１，－８７．９３，－９０．１５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），－１１４．１９，－１２５．２３，－１２６．５８．
【0103】
［例８：化合物（ＩＩ）の合成］
ＡＣ－２０００（１．５ｇ）、上記化合物（２－１）（０．２４６ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，８．９ｍｇ）、アニリン（１．３ｍｇ）、トリメトキシシラン（２６．９ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記に示す含フッ素エーテル化合物（ＩＩ）を０．２５２ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（ＩＩ）のＭｗ／Ｍｎは１．０６であった。
ＡＣ－２０００（１．５ｇ）、上記化合物（２－１）（０．２４６ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，８．９ｍｇ）、アニリン（１．３ｍｇ）、トリメトキシシラン（２６．９ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記に示す含フッ素エーテル化合物（ＩＩ）を０．２５２ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（ＩＩ）のＭｗ／Ｍｎは１．０６であった。
【0104】
【化18】
【0105】
化合物（ＩＩ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．６０（ｓ，２７Ｈ），２．１４～１．９５（ｍ，２Ｈ），１．６６～１．５４（ｍ，２Ｈ），１．５２～１．１６（ｍ，２０Ｈ），０．７５～０．６１（ｍ，６Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２８，－８２．３３，－８２．８６，－８８．０８，－９０．１８，－１１４．２４，－１２５．２９，－１２６．５１．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．６０（ｓ，２７Ｈ），２．１４～１．９５（ｍ，２Ｈ），１．６６～１．５４（ｍ，２Ｈ），１．５２～１．１６（ｍ，２０Ｈ），０．７５～０．６１（ｍ，６Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２８，－８２．３３，－８２．８６，－８８．０８，－９０．１８，－１１４．２４，－１２５．２９，－１２６．５１．
【0106】
［例９：化合物（Ｂ１－４）の合成］
１－ブロモ－５－クロロブタン（２．８９ｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．１８２ｇ）、ＣｕＣｌ２（０．０４２ｇ）を加え０℃で撹拌した。前記化合物（Ｂ２－１）（０．８０Ｍ，２１．５ｍＬ）を加え１時間撹拌した撹拌した。１Ｍ塩酸を加え、ジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過、濃縮後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（Ｂ１－４）を２．９５ｇ得た。
１－ブロモ－５－クロロブタン（２．８９ｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．１８２ｇ）、ＣｕＣｌ２（０．０４２ｇ）を加え０℃で撹拌した。前記化合物（Ｂ２－１）（０．８０Ｍ，２１．５ｍＬ）を加え１時間撹拌した撹拌した。１Ｍ塩酸を加え、ジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過、濃縮後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（Ｂ１－４）を２．９５ｇ得た。
【0107】
【化19】
【0108】
化合物（Ｂ１－４）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８３～５．６８（ｍ，３Ｈ），５．０６～４．９４（ｍ，６Ｈ），３．４９（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），１．９４（ｄｔ，Ｊ＝７．４，１．２Ｈｚ，６Ｈ），１．８０～１．６５（ｍ，２Ｈ），１．４６～１．３２（ｍ，２Ｈ），１．２８～１．０９（ｍ，６Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８３～５．６８（ｍ，３Ｈ），５．０６～４．９４（ｍ，６Ｈ），３．４９（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），１．９４（ｄｔ，Ｊ＝７．４，１．２Ｈｚ，６Ｈ），１．８０～１．６５（ｍ，２Ｈ），１．４６～１．３２（ｍ，２Ｈ），１．２８～１．０９（ｍ，６Ｈ）．
【0109】
［例１０：化合物（Ｂ２－４）の合成］
マグネシウム（０．１７２ｇ）にＴＨＦ（２．６ｍＬ）、ヨウ素（２１．８ｍｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－４）（１．４７ｇ）のＴＨＦ（２．６ｍＬ）溶液を加え、２時間加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－４）の溶液（０．９９Ｍ）を調製した。
マグネシウム（０．１７２ｇ）にＴＨＦ（２．６ｍＬ）、ヨウ素（２１．８ｍｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－４）（１．４７ｇ）のＴＨＦ（２．６ｍＬ）溶液を加え、２時間加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－４）の溶液（０．９９Ｍ）を調製した。
【0110】
【化20】
【0111】
［合成例８：化合物（３－１）の合成］
ＣｕＣｌ２（７．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０２６ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（２４ｍＬ）、前記化合物（１－２）（１．５１ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－４）（４．８ｍＬ，０．９９Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ヘキサンで洗浄しシリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（３－１）を０．２１３ｇ得た。
ＣｕＣｌ２（７．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０２６ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（２４ｍＬ）、前記化合物（１－２）（１．５１ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－４）（４．８ｍＬ，０．９９Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ヘキサンで洗浄しシリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（３－１）を０．２１３ｇ得た。
【0112】
【化21】
【0113】
化合物（３－１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８７～５．７２（ｍ，３Ｈ），５．０７～４．９３（ｍ，６Ｈ），２．１２～１．９９（ｍ，２Ｈ），１．９７（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，６Ｈ），１．６４～１．５３（ｍ，２Ｈ），１．４１～１．１７（ｍ，１０Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２２，－８２．７７，－８７．９５（ｄ，Ｊ＝３９．１Ｈｚ），－９０．１２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ），－１１４．１５，－１２５．１９，－１２６．５５．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８７～５．７２（ｍ，３Ｈ），５．０７～４．９３（ｍ，６Ｈ），２．１２～１．９９（ｍ，２Ｈ），１．９７（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，６Ｈ），１．６４～１．５３（ｍ，２Ｈ），１．４１～１．１７（ｍ，１０Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２２，－８２．７７，－８７．９５（ｄ，Ｊ＝３９．１Ｈｚ），－９０．１２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ），－１１４．１５，－１２５．１９，－１２６．５５．
【0114】
［例１１：化合物（ＩＩＩ）の合成］
ＡＣ－２０００（１．３ｇ）、上記化合物（１－７）（０．２１３ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，７．４ｍｇ）、アニリン（２．２ｍｇ）、トリメトキシシラン（４５．９ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、記に示す含フッ素エーテル化合物（ＩＩＩ）を０．２２５ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（ＩＩＩ）のＭｗ／Ｍｎは１．０７であった。
ＡＣ－２０００（１．３ｇ）、上記化合物（１－７）（０．２１３ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，７．４ｍｇ）、アニリン（２．２ｍｇ）、トリメトキシシラン（４５．９ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、記に示す含フッ素エーテル化合物（ＩＩＩ）を０．２２５ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（ＩＩＩ）のＭｗ／Ｍｎは１．０７であった。
【0115】
【化22】
【0116】
化合物（ＩＩＩ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．６０（ｓ，２７Ｈ），２．１５～１．９４（ｍ，２Ｈ），１．６６～１．５４ （ｍ，２Ｈ），１．５４～１．１３（ｍ，２２Ｈ），０．７５～０．６１（ｍ，６Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２６，－８２．３２（ｄｔ，Ｊ＝２３．２，１０．６Ｈｚ），－８２．８４，－８８．０７，－９０．１７（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ），－１１４．１８，－１２５．２４（ｄ，Ｊ＝１６．１Ｈｚ），－１２６．５１．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．６０（ｓ，２７Ｈ），２．１５～１．９４（ｍ，２Ｈ），１．６６～１．５４ （ｍ，２Ｈ），１．５４～１．１３（ｍ，２２Ｈ），０．７５～０．６１（ｍ，６Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２６，－８２．３２（ｄｔ，Ｊ＝２３．２，１０．６Ｈｚ），－８２．８４，－８８．０７，－９０．１７（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ），－１１４．１８，－１２５．２４（ｄ，Ｊ＝１６．１Ｈｚ），－１２６．５１．
【0117】
［例１２：化合物（ＩＶ）の合成］
国際公開２０１７／０３８８３０号の実施例７に記載の方法に従い、下記化合物（ＩＶ）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ４（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＣＨ２ＯＣＨ２－Ｃ｛ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＭｅ）３）｝３・・・式（ＩＶ）
繰り返し単位数ｎ４の平均値は１３である。
国際公開２０１７／０３８８３０号の実施例７に記載の方法に従い、下記化合物（ＩＶ）を得た。
ＣＦ３－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ４（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－ＣＨ２ＯＣＨ２－Ｃ｛ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＭｅ）３）｝３・・・式（ＩＶ）
繰り返し単位数ｎ４の平均値は１３である。
【0118】
［合成例９：化合物（５－１）の合成］
ＣｕＣｌ２（１６．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０５２ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（２４ｍＬ）、前記化合物（１－２）（４．００ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－１）（５．０ｍＬ，１．０Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。ＭｅＯＨで洗浄した後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（５－１）を０．１３９ｇ得た。
ＣｕＣｌ２（１６．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０５２ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（２４ｍＬ）、前記化合物（１－２）（４．００ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－１）（５．０ｍＬ，１．０Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。ＭｅＯＨで洗浄した後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（５－１）を０．１３９ｇ得た。
【0119】
【化23】
【0120】
化合物（５－１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７７（ｄｄｔ，Ｊ＝１４．９，１０．７，７．４Ｈｚ，３Ｈ），５．０７～４．９９（ｍ，６Ｈ），２．１９～２．０５（ｍ，２Ｈ），１．９７（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，６Ｈ），１．５９～１．５０（ｍ，２Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２９，－８２．９０，－８８．１３，－９０．２４（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），－１１４．６２，－１２５．３４，－１２６．４９．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７７（ｄｄｔ，Ｊ＝１４．９，１０．７，７．４Ｈｚ，３Ｈ），５．０７～４．９９（ｍ，６Ｈ），２．１９～２．０５（ｍ，２Ｈ），１．９７（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，６Ｈ），１．５９～１．５０（ｍ，２Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２９，－８２．９０，－８８．１３，－９０．２４（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），－１１４．６２，－１２５．３４，－１２６．４９．
【0121】
［例１３：化合物（Ｖ）の合成］
ＡＣ－２０００（０．８９ｇ）、上記化合物（５－１）（０．１３９ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，５．５ｍｇ）、アニリン（０．８ｍｇ）、トリメトキシシラン（２２．７ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（Ｖ）を０．１４５ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（Ｖ）のＭｗ／Ｍｎは１．０７であった。
ＡＣ－２０００（０．８９ｇ）、上記化合物（５－１）（０．１３９ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，５．５ｍｇ）、アニリン（０．８ｍｇ）、トリメトキシシラン（２２．７ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（Ｖ）を０．１４５ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（Ｖ）のＭｗ／Ｍｎは１．０７であった。
【0122】
【化24】
【0123】
化合物（Ｖ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．６０（ｓ，２７Ｈ），２．２３～１．９５（ｍ，２Ｈ），１．６３～１．２８（ｍ，１４Ｈ），０．６７（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，６Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．３３，－８２．９５，－８８．１７，－９０．１３～－９０．４０（ｍ），－１１４．０７～－１１４．３２（ｍ），－１２５．３８，－１２６．０４．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．６０（ｓ，２７Ｈ），２．２３～１．９５（ｍ，２Ｈ），１．６３～１．２８（ｍ，１４Ｈ），０．６７（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，６Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．３３，－８２．９５，－８８．１７，－９０．１３～－９０．４０（ｍ），－１１４．０７～－１１４．３２（ｍ），－１２５．３８，－１２６．０４．
【0124】
［例１４：化合物（Ｂ１－５）の合成］
ＴＨＦ（３３ｍＬ）、前記化合物（Ｂ－３）（１．６６ｇ）、トリフェニルホスフィン（２．８８ｇ）、四臭化炭素（３．６４ｇ）を加え、１０℃で撹拌した。ヘキサン（３０ｍＬ）を加え、ろ過、濃縮後、蒸留して、下記化合物（Ｂ１－５）を１．０６ｇ得た。
ＴＨＦ（３３ｍＬ）、前記化合物（Ｂ－３）（１．６６ｇ）、トリフェニルホスフィン（２．８８ｇ）、四臭化炭素（３．６４ｇ）を加え、１０℃で撹拌した。ヘキサン（３０ｍＬ）を加え、ろ過、濃縮後、蒸留して、下記化合物（Ｂ１－５）を１．０６ｇ得た。
【0125】
【化25】
【0126】
化合物（Ｂ１－５）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７４（ｄｄｔ，Ｊ＝１６．７，１０．５，７．５Ｈｚ，３Ｈ），５．１８～５．０１（ｍ，６Ｈ），３．２４（ｓ，２Ｈ），２．０６（ｄｔ，Ｊ＝７．５，１．１Ｈｚ，６Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７４（ｄｄｔ，Ｊ＝１６．７，１０．５，７．５Ｈｚ，３Ｈ），５．１８～５．０１（ｍ，６Ｈ），３．２４（ｓ，２Ｈ），２．０６（ｄｔ，Ｊ＝７．５，１．１Ｈｚ，６Ｈ）．
【0127】
前記化合物（Ｂ１－１）の代わり上記化合物（Ｂ１－５）を用いた以外は、前記例２、前記合成例９、及び前記例１３と同様の手順を行うことにより、上記化合物（Ｖ）が合成できることを確認した。
【0128】
［合成例１０：化合物（Ｂ－４）の合成］
パラホルムアルデヒド（０．４８９ｇ）、ＴＨＦ（９．５ｍＬ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－１）（２０ｍＬ，０．９Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸を加えた。ジクロロメタン抽出したのち、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（ＯＨ体）を１．９８ｇ得た。
パラホルムアルデヒド（０．４８９ｇ）、ＴＨＦ（９．５ｍＬ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－１）（２０ｍＬ，０．９Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸を加えた。ジクロロメタン抽出したのち、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（ＯＨ体）を１．９８ｇ得た。
【0129】
【化26】
【0130】
化合物（Ｂ－４）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８０（ｄｄｔ，Ｊ＝１６．８，１０．４，７．４Ｈｚ，３Ｈ），５．１４～４．９１（ｍ，６Ｈ），３．７４～３．６０（ｍ，２Ｈ），１．９９（ｄｔ，Ｊ＝７．４，１．２Ｈｚ，６Ｈ），１．６１～１．４５（ｍ，２Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８０（ｄｄｔ，Ｊ＝１６．８，１０．４，７．４Ｈｚ，３Ｈ），５．１４～４．９１（ｍ，６Ｈ），３．７４～３．６０（ｍ，２Ｈ），１．９９（ｄｔ，Ｊ＝７．４，１．２Ｈｚ，６Ｈ），１．６１～１．４５（ｍ，２Ｈ）．
【0131】
［例１５：化合物（Ｂ１－６）の合成］
アセトニトリル（２２ｍＬ）、前記化合物（２－３）（１．９８ｇ）、トリフェニルホスフィン（３．７５ｇ）、四塩化炭素（２．００ｇ）を加え、９０℃で撹拌した。濃縮後、酢酸エチル／ヘキサンを加え撹拌した。ろ過、濃縮後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（Ｂ１－６）を１．７３ｇ得た。
アセトニトリル（２２ｍＬ）、前記化合物（２－３）（１．９８ｇ）、トリフェニルホスフィン（３．７５ｇ）、四塩化炭素（２．００ｇ）を加え、９０℃で撹拌した。濃縮後、酢酸エチル／ヘキサンを加え撹拌した。ろ過、濃縮後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（Ｂ１－６）を１．７３ｇ得た。
【0132】
【化27】
【0133】
化合物（Ｂ１－６）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８４～５．６９（ｍ，３Ｈ），５．１２～４．９８（ｍ，６Ｈ），３．５５～３．４６（ｍ，２Ｈ），１．９８（ｄｔ，Ｊ＝７．４，１．２Ｈｚ，６Ｈ），１．７６～１．６８（ｍ，２Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８４～５．６９（ｍ，３Ｈ），５．１２～４．９８（ｍ，６Ｈ），３．５５～３．４６（ｍ，２Ｈ），１．９８（ｄｔ，Ｊ＝７．４，１．２Ｈｚ，６Ｈ），１．７６～１．６８（ｍ，２Ｈ）．
【0134】
［例１６：化合物（Ｂ２－６）の合成］
マグネシウム（０．０９９ｇ）にＴＨＦ（１．３ｍＬ）、ヨウ素（９．０ｍｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－６）（０．５７０ｇ）のＴＨＦ（１．３ｍＬ）溶液を加え、加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－６）の溶液（１．０Ｍ）を調製した。
マグネシウム（０．０９９ｇ）にＴＨＦ（１．３ｍＬ）、ヨウ素（９．０ｍｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－６）（０．５７０ｇ）のＴＨＦ（１．３ｍＬ）溶液を加え、加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－６）の溶液（１．０Ｍ）を調製した。
【0135】
【化28】
【0136】
［合成例１１：化合物（６－１）の合成］
ＣｕＣｌ２（４．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．１１６ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（１０ｍＬ）、前記化合物（１－２）（１．０１ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－６）（１．６ｍＬ，１．０Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。ＭｅＯＨで洗浄した後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（６－１）を０．１１０ｇ得た。
ＣｕＣｌ２（４．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．１１６ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（１０ｍＬ）、前記化合物（１－２）（１．０１ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－６）（１．６ｍＬ，１．０Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。ＭｅＯＨで洗浄した後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（６－１）を０．１１０ｇ得た。
【0137】
【化29】
【0138】
化合物（６－１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８５～５．７１（ｍ，３Ｈ），５．０７～４．９４（ｍ，６Ｈ），２．０４～１．７８（ｍ，８Ｈ），１．６４～１．３８（ｍ，２Ｈ），１．３２～１．０５（ｍ，２Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２８，－８２．４０，－８２．８６，－８８．０９，－９０．２０（ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ），－１１４．２５，－１２５．２９，－１２６．５５．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８５～５．７１（ｍ，３Ｈ），５．０７～４．９４（ｍ，６Ｈ），２．０４～１．７８（ｍ，８Ｈ），１．６４～１．３８（ｍ，２Ｈ），１．３２～１．０５（ｍ，２Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２８，－８２．４０，－８２．８６，－８８．０９，－９０．２０（ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ），－１１４．２５，－１２５．２９，－１２６．５５．
【0139】
［例１７：化合物（ＶＩ）の合成］
ＡＣ－２０００（０．８９ｇ）、上記化合物（６－１）（０．１１０ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，５．３ｍｇ）、アニリン（０．９ｍｇ）、トリメトキシシラン（２２．７ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（ＶＩ）を０．１０９ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（ＶＩ）のＭｗ／Ｍｎは１．０８であった。
ＡＣ－２０００（０．８９ｇ）、上記化合物（６－１）（０．１１０ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，５．３ｍｇ）、アニリン（０．９ｍｇ）、トリメトキシシラン（２２．７ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（ＶＩ）を０．１０９ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（ＶＩ）のＭｗ／Ｍｎは１．０８であった。
【0140】
【化30】
【0141】
化合物（ＶＩ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．５８（ｓ，２７Ｈ），２．２３～１．９８（ｍ，２Ｈ），１．６４～１．２０（ｍ，１６Ｈ），０．７９～０．５８（ｍ，６Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２８，－８２．９０，－８８．１３，－９０．１１～－９０．３０（ｍ），－１１４．０１～－１１４．２９（ｍ），－１２５．３１，－１２５．９９．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．５８（ｓ，２７Ｈ），２．２３～１．９８（ｍ，２Ｈ），１．６４～１．２０（ｍ，１６Ｈ），０．７９～０．５８（ｍ，６Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２８，－８２．９０，－８８．１３，－９０．１１～－９０．３０（ｍ），－１１４．０１～－１１４．２９（ｍ），－１２５．３１，－１２５．９９．
【0142】
［例１８：化合物（Ｂ１－７）の合成］
ＴＨＦ（４４ｍＬ）、前記化合物（Ｂ－３）（４．００ｇ）、トリフェニルホスフィン（７．６４ｇ）、四臭化炭素（８．６６ｇ）を加え、０℃で撹拌した。ヘキサン（１０ｍＬ）を加え、ろ過、濃縮後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（Ｂ１－７）を３．３６ｇ得た。
ＴＨＦ（４４ｍＬ）、前記化合物（Ｂ－３）（４．００ｇ）、トリフェニルホスフィン（７．６４ｇ）、四臭化炭素（８．６６ｇ）を加え、０℃で撹拌した。ヘキサン（１０ｍＬ）を加え、ろ過、濃縮後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（Ｂ１－７）を３．３６ｇ得た。
【0143】
【化31】
【0144】
化合物（Ｂ１－７）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７９（ｄｄｔ，Ｊ＝１６．８，１０．２，７．４Ｈｚ，３Ｈ），５．１８～４．９８（ｍ，６Ｈ），３．４８～３．２９（ｍ，２Ｈ），２．０５～１．９３（ｍ，６Ｈ），１．８９～１．７８（ｍ，２Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７９（ｄｄｔ，Ｊ＝１６．８，１０．２，７．４Ｈｚ，３Ｈ），５．１８～４．９８（ｍ，６Ｈ），３．４８～３．２９（ｍ，２Ｈ），２．０５～１．９３（ｍ，６Ｈ），１．８９～１．７８（ｍ，２Ｈ）．
【0145】
前記化合物（Ｂ１－６）の代わり上記化合物（Ｂ１－７）を用いた以外は、前記例１６、前記合成例１１、及び前記例１７と同様の手順を行うことにより、上記化合物（ＶＩ）が合成できることを確認した。
【0146】
［例１９：化合物（Ｂ１－８）の合成］
１－ブロモ－２－クロロエタン（２．９０ｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．２３５ｇ）、ＣｕＣｌ２（０．０５５ｇ）を加え０℃で撹拌した。前記化合物（Ｂ２－１）（０．９７Ｍ，７．０ｍＬ）を加え１時間撹拌した。１Ｍ塩酸を加え、ジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過、濃縮後、蒸留によって、下記化合物（Ｂ１－８）を２．３２ｇ得た。
１－ブロモ－２－クロロエタン（２．９０ｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．２３５ｇ）、ＣｕＣｌ２（０．０５５ｇ）を加え０℃で撹拌した。前記化合物（Ｂ２－１）（０．９７Ｍ，７．０ｍＬ）を加え１時間撹拌した。１Ｍ塩酸を加え、ジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過、濃縮後、蒸留によって、下記化合物（Ｂ１－８）を２．３２ｇ得た。
【0147】
【化32】
【0148】
化合物（Ｂ１－８）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７７（ｄｄｔ，Ｊ＝１６．８，１０．４，７．４Ｈｚ，３Ｈ），５．０７～４．９６（ｍ，６Ｈ），３．４５（ｔ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，２Ｈ），１．９６（ｄｔ，Ｊ＝７．４，１．２Ｈｚ，６Ｈ），１．７８～１．６５（ｍ，２Ｈ），１．３３～１．２４（ｍ，２Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７７（ｄｄｔ，Ｊ＝１６．８，１０．４，７．４Ｈｚ，３Ｈ），５．０７～４．９６（ｍ，６Ｈ），３．４５（ｔ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，２Ｈ），１．９６（ｄｔ，Ｊ＝７．４，１．２Ｈｚ，６Ｈ），１．７８～１．６５（ｍ，２Ｈ），１．３３～１．２４（ｍ，２Ｈ）．
【0149】
［例２０：化合物（Ｂ２－８）の合成］
マグネシウム（０．１７４ｇ）にＴＨＦ（２．６ｍＬ）、ヨウ素（０．０１３ｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－８）（１．２１ｇ）のＴＨＦ（２．６ｍＬ）溶液を加え、加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－８）の溶液（１．０Ｍ）を調製した。
マグネシウム（０．１７４ｇ）にＴＨＦ（２．６ｍＬ）、ヨウ素（０．０１３ｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－８）（１．２１ｇ）のＴＨＦ（２．６ｍＬ）溶液を加え、加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－８）の溶液（１．０Ｍ）を調製した。
【0150】
【化33】
【0151】
［合成例１２：化合物（７－１）の合成］
ＣｕＣｌ２（６．４ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０１８ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（２３ｍＬ）、前記化合物（１－２）（１．５０ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－８）（４．５ｍＬ，１．０Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。ＭｅＯＨで洗浄した後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（７－１）を０．１２６ｇ得た。
ＣｕＣｌ２（６．４ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０１８ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（２３ｍＬ）、前記化合物（１－２）（１．５０ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－８）（４．５ｍＬ，１．０Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。ＭｅＯＨで洗浄した後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（７－１）を０．１２６ｇ得た。
【0152】
【化34】
【0153】
化合物（７－１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８７～５．６８（ｍ，３Ｈ），５．０６～４．９２（ｍ，６Ｈ），２．１６～１．９２（ｍ，８Ｈ），１．６２～１．５０（ｍ，２Ｈ），１．４１～１．３４（ｍ，２Ｈ），１．２８～１．１９（ｍ，２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２３，－８２．３３，－８２．７８，－８８．０２，－９０．１５，－１１４．１７，－１２５．２１，－１２６．５５．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８７～５．６８（ｍ，３Ｈ），５．０６～４．９２（ｍ，６Ｈ），２．１６～１．９２（ｍ，８Ｈ），１．６２～１．５０（ｍ，２Ｈ），１．４１～１．３４（ｍ，２Ｈ），１．２８～１．１９（ｍ，２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２３，－８２．３３，－８２．７８，－８８．０２，－９０．１５，－１１４．１７，－１２５．２１，－１２６．５５．
【0154】
［例２１：化合物（ＶＩＩ）の合成］
ＡＣ－２０００（０．８９ｇ）、上記化合物（７－１）（０．１２６ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，５．５ｍｇ）、アニリン（１．８ｍｇ）、トリメトキシシラン（２２．７ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（ＶＩＩ）を０．１１１ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（ＶＩＩ）のＭｗ／Ｍｎは１．０７であった。
ＡＣ－２０００（０．８９ｇ）、上記化合物（７－１）（０．１２６ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，５．５ｍｇ）、アニリン（１．８ｍｇ）、トリメトキシシラン（２２．７ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（ＶＩＩ）を０．１１１ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（ＶＩＩ）のＭｗ／Ｍｎは１．０７であった。
【0155】
【化35】
【0156】
化合物（ＶＩＩ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．５９（ｓ，２７Ｈ），２．１８～１．９３（ｍ，２Ｈ），１．７０～１．１９（ｍ，１８Ｈ），０．７７～０．６１（ｍ，６Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２８，－８２．６０（ｄ，Ｊ＝２２．０Ｈｚ），－８２．７８，－８８．１１，－９０．２１，－１１４．１１，－１２５．３２，－１２６．１１．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．５９（ｓ，２７Ｈ），２．１８～１．９３（ｍ，２Ｈ），１．７０～１．１９（ｍ，１８Ｈ），０．７７～０．６１（ｍ，６Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．２８，－８２．６０（ｄ，Ｊ＝２２．０Ｈｚ），－８２．７８，－８８．１１，－９０．２１，－１１４．１１，－１２５．３２，－１２６．１１．
【0157】
［合成例１３：化合物（８－１）の合成］
ＦＬＵＯＲＯＬＩＮＫ Ｄ４０００（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）（４．０３ｇ）、２，６－ルチジン（０．７５９ｇ），ＡＥ－３０００（２８．０ｇ）を加え、０℃で撹拌した。無水トリフルオロメタンスルホン酸（０．９８７ｇ）を加えた後、室温で撹拌した。水で洗浄した後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（８－１）を３．５６ｇ得た。
ＦＬＵＯＲＯＬＩＮＫ Ｄ４０００（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）（４．０３ｇ）、２，６－ルチジン（０．７５９ｇ），ＡＥ－３０００（２８．０ｇ）を加え、０℃で撹拌した。無水トリフルオロメタンスルホン酸（０．９８７ｇ）を加えた後、室温で撹拌した。水で洗浄した後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（８－１）を３．５６ｇ得た。
【0158】
【化36】
【0159】
化合物（８－１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：４．８９（ｑ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：４．８９（ｑ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ）．
【0160】
［合成例１４：化合物（８－２）の合成］
ＣｕＣｌ２（７．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０２６ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（１５ｍＬ）、前記化合物（８－１）（１．６２ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ１－２）（４．０ｍＬ，１．０Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。メタノールで洗浄後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（８－２）を０．２０１ｇ得た。
ＣｕＣｌ２（７．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０２６ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（１５ｍＬ）、前記化合物（８－１）（１．６２ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ１－２）（４．０ｍＬ，１．０Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。メタノールで洗浄後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（８－２）を０．２０１ｇ得た。
【0161】
【化37】
【0162】
化合物（８－２）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．９０～５．６６（ｍ，６Ｈ），５．０７～４．９０（ｍ，１２Ｈ），２．１９～１．９２（ｍ，１６Ｈ），１．７０～１．１０（ｍ，１６Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．９０～５．６６（ｍ，６Ｈ），５．０７～４．９０（ｍ，１２Ｈ），２．１９～１．９２（ｍ，１６Ｈ），１．７０～１．１０（ｍ，１６Ｈ）．
【0163】
［例２１：化合物（ＶＩＩＩ）の合成］
ＡＣ－２０００（１．２ｇ）、上記化合物（８－２）（０．２０１ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，７．０ｍｇ）、アニリン（１．４ｍｇ）、トリメトキシシラン（５１．７ｍｇ）を加え、４０℃で１８時間撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（ＶＩＩＩ）を０．１８８ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（ＶＩＩＩ）のＭｗ／Ｍｎは１．１１であった。
ＡＣ－２０００（１．２ｇ）、上記化合物（８－２）（０．２０１ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，７．０ｍｇ）、アニリン（１．４ｍｇ）、トリメトキシシラン（５１．７ｍｇ）を加え、４０℃で１８時間撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（ＶＩＩＩ）を０．１８８ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（ＶＩＩＩ）のＭｗ／Ｍｎは１．１１であった。
【0164】
【化38】
【0165】
化合物（ＶＩＩＩ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．６１（ｓ，５４Ｈ），２．１７～１．９０（ｍ，４Ｈ），１．７０～１．１４（ｍ，４０Ｈ），０．７４～０．５９（ｍ，１２Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．６１（ｓ，５４Ｈ），２．１７～１．９０（ｍ，４Ｈ），１．７０～１．１４（ｍ，４０Ｈ），０．７４～０．５９（ｍ，１２Ｈ）．
【0166】
［合成例１５：化合物（９－１）の合成］
国際公開第２０１７／０３８８３０号の例１－６に記載の方法に従い、下記化合物（９－１）を合成した。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｐ９（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｑ９｝－ＣＦ２－ＣＨ２ＯＳＯ２ＣＦ３ ・・・式（９－１）
ただし、ｐ９の平均値：２２，ｑ９の平均値：２４
国際公開第２０１７／０３８８３０号の例１－６に記載の方法に従い、下記化合物（９－１）を合成した。
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）｛（ＣＦ２Ｏ）ｐ９（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｑ９｝－ＣＦ２－ＣＨ２ＯＳＯ２ＣＦ３ ・・・式（９－１）
ただし、ｐ９の平均値：２２，ｑ９の平均値：２４
【0167】
［合成例１６：化合物（９－２）の合成］
ＣｕＣｌ２（７．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０２６ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（１５ｍＬ）、前記化合物（９－１）（４．０３ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ１－２）（４．０ｍＬ，１．０Ｍ）を加えた。５０℃で終夜撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。メタノールで洗浄後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（９－２）を０．２４６ｇ得た。
ＣｕＣｌ２（７．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０２６ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（１５ｍＬ）、前記化合物（９－１）（４．０３ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ１－２）（４．０ｍＬ，１．０Ｍ）を加えた。５０℃で終夜撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。メタノールで洗浄後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（９－２）を０．２４６ｇ得た。
【0168】
【化39】
【0169】
化合物（９－２）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８８～５．６７（ｍ，３Ｈ），５．０６～４．９０（ｍ，６Ｈ），２．２０～１．９１（ｍ，８Ｈ），１．７１～１．０７（ｍ，８Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８８～５．６７（ｍ，３Ｈ），５．０６～４．９０（ｍ，６Ｈ），２．２０～１．９１（ｍ，８Ｈ），１．７１～１．０７（ｍ，８Ｈ）．
【0170】
［例２２：化合物（ＩＸ）の合成］
ＡＣ－２０００（１．５ｇ）、上記化合物（９－２）（０．２４６ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，３．９ｍｇ）、アニリン（１．１ｍｇ）、トリメトキシシラン（２４．４ｍｇ）を加え、４０℃で１８時間撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（ＩＸ）を０．２４４ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（ＩＸ）のＭｗ／Ｍｎは１．１０であった。
ＡＣ－２０００（１．５ｇ）、上記化合物（９－２）（０．２４６ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，３．９ｍｇ）、アニリン（１．１ｍｇ）、トリメトキシシラン（２４．４ｍｇ）を加え、４０℃で１８時間撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（ＩＸ）を０．２４４ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（ＩＸ）のＭｗ／Ｍｎは１．１０であった。
【0171】
【化40】
【0172】
化合物（ＩＸ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．６０（ｓ，２７Ｈ），２．１８～１．９１（ｍ，２Ｈ），１．７１～１．１４（ｍ，２０Ｈ），０．７３～０．６０（ｍ，６Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．６０（ｓ，２７Ｈ），２．１８～１．９１（ｍ，２Ｈ），１．７１～１．１４（ｍ，２０Ｈ），０．７３～０．６０（ｍ，６Ｈ）．
【0173】
［合成例１７：化合物（Ｂ－５）の合成］
ＴＨＦ（２０ｍＬ）、ジイソプロピルアミン（４．２ｍＬ）を加えた後、溶液を－７８℃まで冷却した。ｎ－ブチルリチウムヘキサン溶液（２．７６Ｍ，９．９ｍＬ）を加え、０℃まで昇温した。撹拌した後、－７８℃まで冷却し、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）のＴＨＦ溶液を調製した。上記化合物（Ｂ－１）（４．００ｇ）をＴＨＦ溶液に加え、撹拌した後、４－ブロモ－１－ブテン（３．８５ｇ）を加え、室温で終夜撹拌した。０℃に冷却した後、１Ｍ塩酸（３０ｍＬ）を加え、ＴＨＦを減圧留去した。ジクロロメタンで抽出した後、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、化合物（Ｂ－５）を４．０１ｇ得た。
ＴＨＦ（２０ｍＬ）、ジイソプロピルアミン（４．２ｍＬ）を加えた後、溶液を－７８℃まで冷却した。ｎ－ブチルリチウムヘキサン溶液（２．７６Ｍ，９．９ｍＬ）を加え、０℃まで昇温した。撹拌した後、－７８℃まで冷却し、リチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）のＴＨＦ溶液を調製した。上記化合物（Ｂ－１）（４．００ｇ）をＴＨＦ溶液に加え、撹拌した後、４－ブロモ－１－ブテン（３．８５ｇ）を加え、室温で終夜撹拌した。０℃に冷却した後、１Ｍ塩酸（３０ｍＬ）を加え、ＴＨＦを減圧留去した。ジクロロメタンで抽出した後、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過後、溶媒を留去し、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、化合物（Ｂ－５）を４．０１ｇ得た。
【0174】
【化41】
【0175】
化合物（Ｂ－５）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８４～５．６０（ｍ，３Ｈ），５．１１～５．０３（ｍ，４Ｈ），４．９９（ｄｑ，Ｊ＝１７．１，１．６Ｈｚ，１Ｈ），４．９２（ｄｄｔ，Ｊ＝１０．１，２．０，１．２Ｈｚ，１Ｈ），４．１３（ｑ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，２Ｈ），２．４０～２．２６（ｍ，４Ｈ），２．０１～１．９０（ｍ，２Ｈ），１．６５～１．５８（ｍ，２Ｈ），１．２４（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８４～５．６０（ｍ，３Ｈ），５．１１～５．０３（ｍ，４Ｈ），４．９９（ｄｑ，Ｊ＝１７．１，１．６Ｈｚ，１Ｈ），４．９２（ｄｄｔ，Ｊ＝１０．１，２．０，１．２Ｈｚ，１Ｈ），４．１３（ｑ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，２Ｈ），２．４０～２．２６（ｍ，４Ｈ），２．０１～１．９０（ｍ，２Ｈ），１．６５～１．５８（ｍ，２Ｈ），１．２４（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）．
【0176】
［合成例１８：化合物（Ｂ－６）の合成］
上記化合物（Ｂ－５）（４．０１ｇ）をＴＨＦ（４０ｍＬ）に溶解させ、０℃に冷却した。水素化リチウムアルミニウムのＴＨＦ溶液（２７ｍＬ）を加え、４０℃で撹拌した。水、１５％水酸化ナトリウム水溶液を加え、室温で撹拌した。ろ過後、溶媒を留去することで、下記化合物（Ｂ－６）を２．４１ｇ得た。
上記化合物（Ｂ－５）（４．０１ｇ）をＴＨＦ（４０ｍＬ）に溶解させ、０℃に冷却した。水素化リチウムアルミニウムのＴＨＦ溶液（２７ｍＬ）を加え、４０℃で撹拌した。水、１５％水酸化ナトリウム水溶液を加え、室温で撹拌した。ろ過後、溶媒を留去することで、下記化合物（Ｂ－６）を２．４１ｇ得た。
【0177】
【化42】
【0178】
化合物（Ｂ－５）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．９１～５．７１（ｍ，３Ｈ），５．１４～５．０４（ｍ，４Ｈ），５．０１（ｄｑ，Ｊ＝１７．１，１．６Ｈｚ，１Ｈ），４．９２（ｄｄｔ，Ｊ＝１０．１，２．２，１．２Ｈｚ，１Ｈ），３．４０（ｄ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，２Ｈ），２．０７～２．００（ｍ，６Ｈ），１．３７～１．３１（ｍ，２Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．９１～５．７１（ｍ，３Ｈ），５．１４～５．０４（ｍ，４Ｈ），５．０１（ｄｑ，Ｊ＝１７．１，１．６Ｈｚ，１Ｈ），４．９２（ｄｄｔ，Ｊ＝１０．１，２．２，１．２Ｈｚ，１Ｈ），３．４０（ｄ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，２Ｈ），２．０７～２．００（ｍ，６Ｈ），１．３７～１．３１（ｍ，２Ｈ）．
【0179】
［例２３：化合物（Ｂ１－９）の合成］
アセトニトリル（７ｍＬ）、前記化合物（Ｂ－６）（２．３０ｇ）、トリフェニルホスフィン（３．６１ｇ）、四塩化炭素（１．８７ｇ）を加え、９０℃で撹拌した。濃縮後、酢酸エチル／ヘキサンを加え撹拌した。ろ過、濃縮後、蒸留によって、下記化合物（Ｂ１－９）を１．８５ｇ得た。
アセトニトリル（７ｍＬ）、前記化合物（Ｂ－６）（２．３０ｇ）、トリフェニルホスフィン（３．６１ｇ）、四塩化炭素（１．８７ｇ）を加え、９０℃で撹拌した。濃縮後、酢酸エチル／ヘキサンを加え撹拌した。ろ過、濃縮後、蒸留によって、下記化合物（Ｂ１－９）を１．８５ｇ得た。
【0180】
【化43】
【0181】
化合物（Ｂ１－９）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８７～５．６６（ｍ，３Ｈ），５．１５～５．０６（ｍ，４Ｈ），５．０１（ｄｑ，Ｊ＝１７．１，１．７Ｈｚ，１Ｈ），４．９４（ｄｄｔ，Ｊ＝１０．１，１．９，１．２Ｈｚ，１Ｈ），３．３５（ｓ，２Ｈ），２．１１～１．９８（ｍ，６Ｈ），１．４２～１．３１（ｍ，２Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８７～５．６６（ｍ，３Ｈ），５．１５～５．０６（ｍ，４Ｈ），５．０１（ｄｑ，Ｊ＝１７．１，１．７Ｈｚ，１Ｈ），４．９４（ｄｄｔ，Ｊ＝１０．１，１．９，１．２Ｈｚ，１Ｈ），３．３５（ｓ，２Ｈ），２．１１～１．９８（ｍ，６Ｈ），１．４２～１．３１（ｍ，２Ｈ）．
【0182】
［例２４：化合物（Ｂ２－９）の合成］
マグネシウム（０．１８２ｇ）にＴＨＦ（３．８ｍＬ）、ヨウ素（０．０３１ｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－９）（１．１２ｇ）のＴＨＦ（３．８ｍＬ）溶液を加え、２時間加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－９）の溶液（０．８Ｍ）を調製した。
マグネシウム（０．１８２ｇ）にＴＨＦ（３．８ｍＬ）、ヨウ素（０．０３１ｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－９）（１．１２ｇ）のＴＨＦ（３．８ｍＬ）溶液を加え、２時間加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－９）の溶液（０．８Ｍ）を調製した。
【0183】
【化44】
【0184】
［合成例１９：化合物（１０－１）の合成］
ＣｕＣｌ２（１６．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０４ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（１７ｍＬ）、前記化合物（１－２）（４．０２ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－９）（４．３ｍＬ，０．８Ｍ）を加えた。５０℃で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。ＭｅＯＨで洗浄した後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（１０－１）を０．３５ｇ得た。
ＣｕＣｌ２（１６．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０４ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（１７ｍＬ）、前記化合物（１－２）（４．０２ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－９）（４．３ｍＬ，０．８Ｍ）を加えた。５０℃で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、ＡＣ－６０００を加えた。ＭｅＯＨで洗浄した後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（１０－１）を０．３５ｇ得た。
【0185】
【化45】
【0186】
化合物（Ｂ１－９）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８４～５．６６（ｍ，３Ｈ），５．１２～４．８１（ｍ，６Ｈ），２．１９～１．９０（ｍ，８Ｈ），１．６０～１．５１（ｍ，２Ｈ），１．３３～１．２６（ｍ，２Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．０９（ｔ，Ｊ＝９．１Ｈｚ），－８１．９５～－８２．２１（ｍ），－８２．５９，－８７．４～－８８．１７（ｍ），－８９．９６（ｑ，Ｊ＝９．０Ｈｚ），－１１４．２５，－１２４．９９，－１２６．１９．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８４～５．６６（ｍ，３Ｈ），５．１２～４．８１（ｍ，６Ｈ），２．１９～１．９０（ｍ，８Ｈ），１．６０～１．５１（ｍ，２Ｈ），１．３３～１．２６（ｍ，２Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．０９（ｔ，Ｊ＝９．１Ｈｚ），－８１．９５～－８２．２１（ｍ），－８２．５９，－８７．４～－８８．１７（ｍ），－８９．９６（ｑ，Ｊ＝９．０Ｈｚ），－１１４．２５，－１２４．９９，－１２６．１９．
【0187】
［例２５：化合物（Ｘ）の合成］
ＡＣ－２０００（１．５５ｇ）、上記化合物（１０－１）（０．２５７ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，９．９ｍｇ）、アニリン（７．４ｍｇ）、トリメトキシシラン（３６．８ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（Ｘ）を０．２５３ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（Ｘ）のＭｗ／Ｍｎは１．０６であった。
繰り返し単位の平均値（ｎ１０）：１１
ＡＣ－２０００（１．５５ｇ）、上記化合物（１０－１）（０．２５７ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，９．９ｍｇ）、アニリン（７．４ｍｇ）、トリメトキシシラン（３６．８ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（Ｘ）を０．２５３ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（Ｘ）のＭｗ／Ｍｎは１．０６であった。
【化46】
【0188】
化合物（Ｘ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．５９（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，２７Ｈ），２．１９～１．９８（ｍ，２Ｈ），１．６２～１．２０（ｍ，１６Ｈ），０．７７～０．５８（ｍ，６Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．０８（ｔ，Ｊ＝９．２Ｈｚ），－８１．７７～－８２．８６（ｍ），－８７．４３～－８８．１８（ｍ），－８９．８１～－９０．１８（ｍ），－１１３．６７～－１１４．２４（ｍ），－１２４．６７～－１２５．１０（ｍ），－１２５．８１
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：３．５９（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，２７Ｈ），２．１９～１．９８（ｍ，２Ｈ），１．６２～１．２０（ｍ，１６Ｈ），０．７７～０．５８（ｍ，６Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５５．０８（ｔ，Ｊ＝９．２Ｈｚ），－８１．７７～－８２．８６（ｍ），－８７．４３～－８８．１８（ｍ），－８９．８１～－９０．１８（ｍ），－１１３．６７～－１１４．２４（ｍ），－１２４．６７～－１２５．１０（ｍ），－１２５．８１
【0189】
［例２６：化合物（Ｂ１－１０）の合成］
アセトニトリル（６０ｍＬ）、１，６－Ｈｅｐｔａｄｉｅｎ－４－ｏｌ（１０．０ｇ）、トリフェニルホスフィン（３０．６ｇ）、四塩化炭素（１６．０ｇ）を加え、９０℃で撹拌した。反応終了後、蒸留によって、化合物（Ｂ１－１０）を１．８６ｇ得た。
アセトニトリル（６０ｍＬ）、１，６－Ｈｅｐｔａｄｉｅｎ－４－ｏｌ（１０．０ｇ）、トリフェニルホスフィン（３０．６ｇ）、四塩化炭素（１６．０ｇ）を加え、９０℃で撹拌した。反応終了後、蒸留によって、化合物（Ｂ１－１０）を１．８６ｇ得た。
【0190】
【化47】
【0191】
化合物（Ｂ１－１０）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８４（ｄｄｔ，Ｊ＝１７．６，９．７，６．９Ｈｚ，２Ｈ），５．１８～５．０５（ｍ，４Ｈ），３．９４（ｔｔ，Ｊ＝７．４，５．４Ｈｚ，１Ｈ），２．５９～２．３６（ｍ，４Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８４（ｄｄｔ，Ｊ＝１７．６，９．７，６．９Ｈｚ，２Ｈ），５．１８～５．０５（ｍ，４Ｈ），３．９４（ｔｔ，Ｊ＝７．４，５．４Ｈｚ，１Ｈ），２．５９～２．３６（ｍ，４Ｈ）．
【0192】
［例２７：化合物（Ｂ２－１０）の合成］
マグネシウム（０．４２４ｇ）にＴＨＦ（６．５ｍＬ）、ヨウ素（３６．０ｍｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－１０）（１．８６ｇ）のＴＨＦ（６．５ｍＬ）溶液を加え、加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－１０）の溶液（０．８６Ｍ）を調製した。
マグネシウム（０．４２４ｇ）にＴＨＦ（６．５ｍＬ）、ヨウ素（３６．０ｍｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－１０）（１．８６ｇ）のＴＨＦ（６．５ｍＬ）溶液を加え、加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－１０）の溶液（０．８６Ｍ）を調製した。
【0193】
【化48】
【0194】
［例２８：化合物（Ｂ１－１１）の合成］
１－ブロモ－３－クロロプロパン（１．６０ｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．１１８ｇ）、ＣｕＣｌ２（０．０２７ｇ）を加え０℃で撹拌した。前記化合物（Ｂ２－１０）（０．８６Ｍ，１４．０ｍＬ）を加え撹拌した。１Ｍ塩酸を加え、ジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過、濃縮後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行った。さらに蒸留を行い、化合物（Ｂ１－１１）を１．２８ｇ得た。
１－ブロモ－３－クロロプロパン（１．６０ｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．１１８ｇ）、ＣｕＣｌ２（０．０２７ｇ）を加え０℃で撹拌した。前記化合物（Ｂ２－１０）（０．８６Ｍ，１４．０ｍＬ）を加え撹拌した。１Ｍ塩酸を加え、ジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過、濃縮後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行った。さらに蒸留を行い、化合物（Ｂ１－１１）を１．２８ｇ得た。
【0195】
【化49】
【0196】
化合物（Ｂ１－１１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８４～５．６６（ｍ，２Ｈ），５．０９～４．９６（ｍ，４Ｈ），３．５１（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），２．１５～２．０１（ｍ，４Ｈ），１．８６～１．７１（ｍ，２Ｈ），１．５９～１．４７（ｍ，１Ｈ），１．４５～１．３５（ｍ，２Ｈ）．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．８４～５．６６（ｍ，２Ｈ），５．０９～４．９６（ｍ，４Ｈ），３．５１（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），２．１５～２．０１（ｍ，４Ｈ），１．８６～１．７１（ｍ，２Ｈ），１．５９～１．４７（ｍ，１Ｈ），１．４５～１．３５（ｍ，２Ｈ）．
【0197】
［例２９：化合物（Ｂ２－１１）の合成］
マグネシウム（０．２１１ｇ）にＴＨＦ（４．５ｍＬ）、ヨウ素（３９．０ｍｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－１１）（１．２０ｇ）のＴＨＦ（４．５ｍＬ）溶液を加え、加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－１１）の溶液（０．６３Ｍ）を調製した。
マグネシウム（０．２１１ｇ）にＴＨＦ（４．５ｍＬ）、ヨウ素（３９．０ｍｇ）を加えて、室温で撹拌した。前記化合物（Ｂ１－１１）（１．２０ｇ）のＴＨＦ（４．５ｍＬ）溶液を加え、加熱還流することで、下記化合物（Ｂ２－１１）の溶液（０．６３Ｍ）を調製した。
【0198】
【化50】
【0199】
［合成例２０：化合物（１１－１）の合成］
ＣｕＣｌ２（２７．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０７０ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（２９ｍＬ）、前記化合物（１－２）（４．３０ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－１１）（９．５ｍＬ，０．６３Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去した後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（１１－１）を０．２６６ｇ得た。
ＣｕＣｌ２（２７．０ｍｇ）、１－フェニル－１－プロピン（０．０７０ｇ）、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン（２９ｍＬ）、前記化合物（１－２）（４．３０ｇ）を加えた後、前記化合物（Ｂ２－１１）（９．５ｍＬ，０．６３Ｍ）を加えた。室温で撹拌した後、１Ｍ塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去した後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物（１１－１）を０．２６６ｇ得た。
【0200】
【化51】
【0201】
［例３０：化合物（ＸＩ）の合成］
ＡＣ－２０００（１．５５ｇ）、上記化合物（１１－１）（０．２５７ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，９．９ｍｇ）、アニリン（７．４ｍｇ）、トリメトキシシラン（３６．８ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（ＸＩ）を０．２５３ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（ＸＩ）のＭｗ／Ｍｎは１．０７であった。
ＡＣ－２０００（１．５５ｇ）、上記化合物（１１－１）（０．２５７ｇ）、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量２％，９．９ｍｇ）、アニリン（７．４ｍｇ）、トリメトキシシラン（３６．８ｍｇ）を加え、４０℃で撹拌した後、溶媒を減圧留去することで、下記含フッ素エーテル化合物（ＸＩ）を０．２５３ｇ得た。前記ＧＰＣ法により求めた化合物（ＸＩ）のＭｗ／Ｍｎは１．０７であった。
【0202】
【化52】
【0203】
化合物（ＸＩ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７２（ｄｄｔ，Ｊ＝１７．３，１０．２，７．１Ｈｚ，２Ｈ），５．０６～４．８４（ｍ，４Ｈ），２．１８～１．８８（ｍ，６Ｈ），１．６６～１．１４（ｍ，７Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５６．６５（ｔ，Ｊ＝９．２Ｈｚ），－８３．６０～－８３．８１（ｍ），－８４．１４，－８９．０６～－８９．６９（ｍ），－９１．５０（ｑ，Ｊ＝９．０Ｈｚ），－１１５．５４，－１２６．５６，－１２７．９７．
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：５．７２（ｄｄｔ，Ｊ＝１７．３，１０．２，７．１Ｈｚ，２Ｈ），５．０６～４．８４（ｍ，４Ｈ），２．１８～１．８８（ｍ，６Ｈ），１．６６～１．１４（ｍ，７Ｈ）．
１９Ｆ－ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ，Ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ－ｄ） δ（ｐｐｍ）：－５６．６５（ｔ，Ｊ＝９．２Ｈｚ），－８３．６０～－８３．８１（ｍ），－８４．１４，－８９．０６～－８９．６９（ｍ），－９１．５０（ｑ，Ｊ＝９．０Ｈｚ），－１１５．５４，－１２６．５６，－１２７．９７．
【0204】
［例３１～４１：物品の製造及び評価］
上記化合物Ｉ～ＸＩを用いて基材を表面処理し、例３１～４１の物品を得た。表面処理方法として、各例について下記のドライコーティング法及びウェットコーティング法をそれぞれ用いた。基材としては化学強化ガラスを用いた。得られた物品について、下記の方法で評価した。結果を表１に示す。
上記化合物Ｉ～ＸＩを用いて基材を表面処理し、例３１～４１の物品を得た。表面処理方法として、各例について下記のドライコーティング法及びウェットコーティング法をそれぞれ用いた。基材としては化学強化ガラスを用いた。得られた物品について、下記の方法で評価した。結果を表１に示す。
【0205】
（ドライコーティング法）
ドライコーティングは、真空蒸着装置（ＵＬＶＡＣ社製、ＶＴＲ３５０Ｍ）を用いて行った（真空蒸着法）。各化合物の０．５ｇを真空蒸着装置内のモリブデン製ボートに充填し、真空蒸着装置内を１×１０－３Ｐａ以下に排気した。化合物を配置したボートを昇温速度１０℃／分以下の速度で加熱し、水晶発振式膜厚計による蒸着速度が１ｎｍ／秒を超えた時点でシャッターを開けて基材の表面への製膜を開始させた。膜厚が約５０ｎｍとなった時点でシャッターを閉じて基材の表面への製膜を終了させた。化合物が堆積された基材を、２００℃で３０分間加熱処理し、ジクロロペンタフルオロプロパン（ＡＧＣ社製、ＡＫ－２２５）にて洗浄して、基材の表面に表面層を有する物品を得た。
ドライコーティングは、真空蒸着装置（ＵＬＶＡＣ社製、ＶＴＲ３５０Ｍ）を用いて行った（真空蒸着法）。各化合物の０．５ｇを真空蒸着装置内のモリブデン製ボートに充填し、真空蒸着装置内を１×１０－３Ｐａ以下に排気した。化合物を配置したボートを昇温速度１０℃／分以下の速度で加熱し、水晶発振式膜厚計による蒸着速度が１ｎｍ／秒を超えた時点でシャッターを開けて基材の表面への製膜を開始させた。膜厚が約５０ｎｍとなった時点でシャッターを閉じて基材の表面への製膜を終了させた。化合物が堆積された基材を、２００℃で３０分間加熱処理し、ジクロロペンタフルオロプロパン（ＡＧＣ社製、ＡＫ－２２５）にて洗浄して、基材の表面に表面層を有する物品を得た。
【0206】
（ウェットコーティング法）
各化合物と、媒体としてのＣ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）とを混合して、固形分濃度０．０５％のコーティング液を調製した。コーティング液に基材をディッピングし、３０分間放置後、基材を引き上げた（ディップコート法）。
塗膜を２００℃で３０分間乾燥させ、ＡＫ－２２５にて洗浄して、基材の表面に表面層を有する物品を得た。
各化合物と、媒体としてのＣ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）とを混合して、固形分濃度０．０５％のコーティング液を調製した。コーティング液に基材をディッピングし、３０分間放置後、基材を引き上げた（ディップコート法）。
塗膜を２００℃で３０分間乾燥させ、ＡＫ－２２５にて洗浄して、基材の表面に表面層を有する物品を得た。
【0207】
（評価方法）
＜接触角の測定方法＞
表面層の表面に置いた約２μＬの蒸留水又はｎ－ヘキサデカンの接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、ＤＭ－５００）を用いて測定した。表面層の表面における異なる５箇所で測定し、その平均値を算出した。接触角の算出には２θ法を用いた。
＜接触角の測定方法＞
表面層の表面に置いた約２μＬの蒸留水又はｎ－ヘキサデカンの接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、ＤＭ－５００）を用いて測定した。表面層の表面における異なる５箇所で測定し、その平均値を算出した。接触角の算出には２θ法を用いた。
【0208】
＜初期接触角＞
表面層について、初期水接触角及び初期ｎ－ヘキサデカン接触角を前記測定方法で測定した。評価基準は下記のとおりである。
・式（Ａ１）で表される含フッ素エーテル化合物の初期水接触角：
〇（良） ：１１５度以上である。
×（不可）：１１５度未満である。
・式（Ａ２）で表される含フッ素エーテル化合物の初期水接触角：
〇（良） ：１１５度以上である。
△（可） ：１０５度以上１１５度未満である。
×（不可）：１０５度未満である。
表面層について、初期水接触角及び初期ｎ－ヘキサデカン接触角を前記測定方法で測定した。評価基準は下記のとおりである。
・式（Ａ１）で表される含フッ素エーテル化合物の初期水接触角：
〇（良） ：１１５度以上である。
×（不可）：１１５度未満である。
・式（Ａ２）で表される含フッ素エーテル化合物の初期水接触角：
〇（良） ：１１５度以上である。
△（可） ：１０５度以上１１５度未満である。
×（不可）：１０５度未満である。
【0209】
＜耐摩擦性（スチールウール）＞
表面層について、ＪＩＳ Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ １０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、スチールウールボンスター（♯００００）を圧力：９８．０７ｋＰａ、速度：３２０ｃｍ／分で１万回往復させた後、前記方法により水接触角を測定した。摩擦後の撥水性（水接触角）の低下が小さいほど摩擦による性能の低下が小さく、耐摩擦性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
○（良） ：１万回往復後の水接触角の変化が５度以下である。
×（不可）：１万回往復後の水接触角の変化が５度超である。
表面層について、ＪＩＳ Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ １０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、スチールウールボンスター（♯００００）を圧力：９８．０７ｋＰａ、速度：３２０ｃｍ／分で１万回往復させた後、前記方法により水接触角を測定した。摩擦後の撥水性（水接触角）の低下が小さいほど摩擦による性能の低下が小さく、耐摩擦性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
○（良） ：１万回往復後の水接触角の変化が５度以下である。
×（不可）：１万回往復後の水接触角の変化が５度超である。
【0210】
＜耐光性＞
表面層に対して、卓上型キセノンアークランプ式促進耐光性試験機（製品名：ＳＵＮＴＥＳＴ ＸＬＳ＋、東洋精機社製）を用いて、ブラックパネル温度：６３℃にて、光線（６５０Ｗ／ｍ２、３００～７００ｎｍ）を５００時間照射した後、前記方法により水接触角を測定した。評価基準は下記のとおりである。
○（良） ：促進耐光性試験後の水接触角の変化が５度以下である。
×（不可）：促進耐光性試験後の水接触角の変化が５度超である。
表面層に対して、卓上型キセノンアークランプ式促進耐光性試験機（製品名：ＳＵＮＴＥＳＴ ＸＬＳ＋、東洋精機社製）を用いて、ブラックパネル温度：６３℃にて、光線（６５０Ｗ／ｍ２、３００～７００ｎｍ）を５００時間照射した後、前記方法により水接触角を測定した。評価基準は下記のとおりである。
○（良） ：促進耐光性試験後の水接触角の変化が５度以下である。
×（不可）：促進耐光性試験後の水接触角の変化が５度超である。
【0211】
【表1】
【0212】
表１に示される通り、化合物ＩＶであっても初期接触角は良好であったが、摩擦試験後及び耐光試験後における水接触角の低下が確認された。一方、上記連結基にエーテル結合（－Ｃ－Ｏ－Ｃ－）を有しない含フッ素エーテル化合物Ｉ～ＩＩＩ及びＶ～ＸＩは、摩擦試験後及び耐光試験後においても水接触角の低下が抑制されており、優れた耐久性を有することが示された。
【0213】
この出願は、２０１９年９月２０日に出願された日本出願特願２０１９－１７１５５０を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。