特許 7546153 試料を粒子線で分析および／または処理するための装置および方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-28

(45)【発行日】2024-09-05

(54)【発明の名称】試料を粒子線で分析および／または処理するための装置および方法

(51)【国際特許分類】

   H01J 37/09 20060101AFI20240829BHJP

   H01J 37/28 20060101ALI20240829BHJP

   H01J 37/305 20060101ALI20240829BHJP

   H01J 37/317 20060101ALI20240829BHJP

   H01J 37/15 20060101ALI20240829BHJP

   C23C 16/04 20060101ALI20240829BHJP

【ＦＩ】

H01J37/09 A

H01J37/28 B

H01J37/305 A

H01J37/317 E

H01J37/15

C23C16/04

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2023517676

(86)(22)【出願日】2021-09-16

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-10-03

(86)【国際出願番号】 EP2021075476

(87)【国際公開番号】W WO2022058424

(87)【国際公開日】2022-03-24

【審査請求日】2023-05-08

(31)【優先権主張番号】102020124307.3

(32)【優先日】2020-09-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(73)【特許権者】

【識別番号】503263355

【氏名又は名称】カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー

(74)【代理人】

【識別番号】100094569

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 伸一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100109070

【弁理士】

【氏名又は名称】須田 洋之

(74)【代理人】

【識別番号】100067013

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚 文昭

(74)【代理人】

【識別番号】100120525

【弁理士】

【氏名又は名称】近藤 直樹

(74)【代理人】

【識別番号】100139712

【弁理士】

【氏名又は名称】那須 威夫

(74)【代理人】

【識別番号】100141553

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 信彦

(74)【代理人】

【識別番号】100196612

【弁理士】

【氏名又は名称】鎌田 慎也

(72)【発明者】

【氏名】ホインキス オットマー

(72)【発明者】

【氏名】ギュントナー ヤン

(72)【発明者】

【氏名】リノウ ダニエル

(72)【発明者】

【氏名】マールバッハ フーベルトゥス

(72)【発明者】

【氏名】アウス ニコル

【審査官】佐藤 海

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０２０／０１６８４３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特表２００７－５３３０８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－２０４３９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１９５５９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２５８１４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１４３１４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭５７－０８０７３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－１０９３４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－１１２９９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００５－５１８６３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－０７２４５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特許第６５９１６８１（ＪＰ，Ｂ２）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｊ ３７／００－３７／３６

Ｃ２３Ｃ １６／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

試料（１０）を粒子線（１１０）で分析および／または処理するための装置（１００）であって、
前記粒子線（１１０）を供給するための供給ユニット（１０６）と、
シールド要素（２０２）が前記試料（１０）から最大で１００μｍの距離にあるときに、前記試料（１０）上に蓄積された電荷（Ｑ）によって生成される電界（Ｅ）をシールドするためのシールド要素（２０２）であって、前記粒子線（１１０）が前記試料（１０）に向かって通過するための貫通開口部（２０６）を有する、シールド要素（２０２）と、
前記シールド要素（２０２）の実際の位置を検出するように構成された検出ユニット（１１２）と、
前記粒子線（１１０）に対して横断方向（ｘ，ｙ）に前記シールド要素（２０２）を実際の位置から標的位置へと調整するための調整ユニット（６００）と、
前記シールド要素（２０２）を摩擦ロック方式で固定するための固定デバイス（３１０）と
を備え、
前記調整ユニット（６００）は、前記シールド要素（２０２）を、摩擦ロックを克服しながら、その実際の位置からその標的位置へと移動させるように構成される、
装置（１００）。

【請求項2】

その内部に真空を提供するための真空ハウジング（１０２）を備え、少なくとも前記シールド要素（２０２）および前記調整ユニット（６００）は、前記真空ハウジング（１０２）内に配置される、請求項１に記載の装置。

【請求項3】

前記検出ユニット（１１２）は、電子顕微鏡、特に走査型電子顕微鏡を備える、請求項２に記載の装置。

【請求項4】

前記調整ユニット（６００）は、前記シールド要素（２０２）に作用的に接続可能である、請求項１～３のいずれか１項に記載の装置。

【請求項5】

係合要素（６０２）と受け要素（３２４）とを更に備え、前記係合要素（６０２）および前記受け要素（３２４）は、作用的接続を提供するために、着脱可能な様式で互いに係合可能であり、前記調整ユニット（６００）は、前記係合要素（６０２）および前記受け要素（３２４）のうちの一方の要素を備え、前記シールド要素（２０２）または前記シールド要素（２０２）を保持するホルダ（３００）は、前記係合要素（６０２）および前記受け要素（３２４）のうちのそれぞれの他方の要素を備える、請求項１～４のいずれか１項に記載の装置。

【請求項6】

前記係合要素（６０２）は、ピンとして具現化されている、および／または、前記受け要素（３２４）は、穴として、特に、前記シールド要素（２０２）もしくは前記ホルダ（３００）にある穴（２０２）として具現化されている、請求項５に記載の装置。

【請求項7】

前記調整ユニット（６００）と前記シールド要素（２０２）との間の作用的接続を提供するための力伝達要素（６０２）を更に備え、前記力伝達要素（６０２）の機械的安定性は、作用的接続に沿った力の伝達が予め定められた大きさに限定されるように選択され、前記力伝達要素（６０２）は、特に事前に決定された破断点（５０６）を有する、および／または、前記係合要素（６０２）は、前記力伝達要素を形成する、請求項５又は６に記載の装置。

【請求項8】

前記受け要素（３２４）に対する前記係合要素（６０２）の位置を検出するように構成された更なる検出ユニット（６０６）を備える、請求項５～７のいずれか１項に記載の装置。

【請求項9】

前記更なる検出ユニット（６０６）は、カメラを備える、および／または、偏向ミラー（５０２）を利用して像を記録する、請求項８に記載の装置。

【請求項10】

前記係合要素（６０２）は、前記偏向ミラー（５０２）から突出している、請求項９に記載の装置。

【請求項11】

前記調整ユニット（６００）は、前記試料（１０）および／またはある試料（１０）を保持するための試料ステージ（１１）を有する、請求項８～１０のいずれか１項に記載の装置。

【請求項12】

プロセスガスを供給するための循環プレート（３１６）を備え、前記シールド要素（２０２）は、その実際の位置および標的位置について、いずれの場合も、着脱可能な様式で前記循環プレート（３１６）に固定されている、請求項１～１１のいずれか１項に記載の装置。

【請求項13】

試料（１０）を粒子線（１１０）で分析および／または処理するための装置（１００）におけるシールド要素（２０２）の位置を設定するための方法であって、前記シールド要素（２０２）は、前記シールド要素（２０２）が前記試料（１０）から最大で１００μｍの距離にあるときに、前記試料（１０）上に蓄積された電荷（Ｑ）によって生成される電界（Ｅ）をシールドするためのものであり、前記方法は、
ａ）前記装置（１００）の真空ハウジング（１０２）内に前記シールド要素（２０２）を取り付けるステップであって、前記シールド要素は摩擦ロック方式で固定される、ステップと、
ｂ）前記真空ハウジング（１０２）内で真空を生成するステップと、
ｃ）前記シールド要素（２０２）の実際の位置を検出するステップと、
ｄ）摩擦ロックを克服しながら、前記粒子線（１１０）に対して横断方向（ｘ，ｙ）に、真空の存在下で、前記シールド要素（２０２）を実際の位置から標的位置へと調整するステップと
を含む、方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、試料を粒子線で分析および／または処理するための装置に、ならびに対応する方法に関する。

【0002】

優先権出願ＤＥ１０２０２０１２４３０７．３の内容の全体が、参照により組み込まれる。

【背景技術】

【0003】

微細構造構成要素、例えば集積回路などを製造するために、マイクロリソグラフィが使用される。マイクロリソグラフィプロセスは、照射系と投影系とを有するリソグラフィ装置を使用して実行される。照射系によって照射されるマスク（レチクル）の像は、この場合、投影系によって、基板の感光性コーティングにマスク構造を転写する目的で、感光性層（フォトレジスト）でコーティングされ、投影系の像面内に配置されている基板、例えばシリコンウエハ上に投影される。

【0004】

マスクまたはリソグラフィマスクは多数回の露光に使用され、したがって、上記マスクに欠陥のないことが非常に重要である。したがって、欠陥がないかリソグラフィマスクを検査するために、および特定された欠陥を修繕するために、多大な労力が払われる。リソグラフィマスクの欠陥の大きさは数ナノメートル範囲のオーダーであり得る。そのような欠陥を修繕するためには、修繕プロセスのための非常に高い空間解像度を提供する装置が必要となる。

【0005】

この目的にとって適切な装置は、粒子線誘起プロセスに基づいて局所的なエッチングまた堆積プロセスを活性化するものである。

【0006】

ＥＰ１５８７１２８Ｂ１には、化学反応プロセスを開始するために荷電粒子のビーム（「粒子線」）、特に電子顕微鏡の電子ビームを使用する、１つのそのような装置が開示されている。試料が導電性を有さないかまたはその導電性がごく僅かである場合、荷電粒子の使用によってその試料が帯電する可能性がある。このことは制御されていないビーム偏向につながる可能性があり、このことによって達成可能なプロセス解像度が制限される。したがって、シールド要素を処理位置の非常に近くに配置し、以って試料の帯電を最小限にし、プロセスの解像度および制御を改善することが提案されている。

【0007】

特に、マスクの上方例えば７０～８０μｍに配備された金属シールド要素の形態のシールド要素を備える電子顕微鏡が知られている。シールド要素は通常は開口部を、例えば円形、矩形、または六角形のメッシュを有し、ホルダによって所望の位置に保持される。ホルダは、静電偏向システムとガス給送部の両方を統合した、上記構成要素の一体の部品である。粒子線は、電子顕微鏡の光軸に沿って、シールド要素の特定の開口部を通して誘導されるように意図されている。これまでこのことには、まず真空を生成し、電子顕微鏡でシールド要素の位置を検出し、真空を解除した後で手動でホルダをグリッドと一緒に変位させるという、シールド要素の複雑な調整が必要であった。このプロセスは対応する開口部が適切な位置に配備されるまで繰り返される。

【発明の概要】

【0008】

この背景に照らして、試料(sample)を粒子線(particle beam)で分析および／または処理するための改善された装置、および改善された方法も提供することが、本発明の目的である。

【0009】

第１の態様によれば、試料を粒子線で分析および／または処理するための装置が提案される。装置は、
粒子線を供給するための供給ユニット(providing unit)と、
試料上に蓄積された電荷によって生成される電界をシールドするためのシールド要素(shielding element)であり、前記粒子線が前記試料に向かって通過するための貫通開口部(through opening)を有する、シールド要素と、
シールド要素の実際の位置を検出するように構成されている検出ユニットと、
シールド要素を実際の位置から標的位置(target position)へと調整するための調整ユニット(adjusting unit)と
を備える。

【0010】

この装置は、調整ユニットによって、シールド要素の位置の部分的なまたは完全な自動調整が可能になるという利点を有する。特にこの結果、手動での調整が不要になる。また真空を解除する必要ももはやなくなる。調整プロセスの全体またはその一部において、検出ユニットを利用してシールド要素の位置を観察できることが特に有利である。その結果、先行技術から知られる反復プロセスが好ましいことに省略される。

【0011】

試料は、例えば、１０ｎｍ～１０μｍの範囲内のフィーチャサイズを有するリソグラフィマスクである。これは、例えば、ＤＵＶリソグラフィ（ＤＵＶ：「深紫外」、動作光波長範囲３０～２５０ｎｍ）用の透過型リソグラフィマスク、または、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶ：「極紫外」、動作光波長範囲１～３０ｎｍ）用の反射型リソグラフィマスクなどであり得る。分析は特に、粒子線を利用して試料の表面の像を取得することを含む。粒子線を利用して実行される処理には、例えば、材料が試料の表面から局所的に除去されるエッチングプロセス、材料が試料の表面に局所的に適用される堆積プロセス、および／または、パッシベーション層の形成もしくは層の圧縮などの、類似の局所活性化プロセスが含まれる。

【0012】

粒子線は、例えばイオン、電子、または陽電子などの荷電粒子を含む。供給ユニットは、例えば１０ｅＶ～１０ｋｅＶの範囲内のエネルギーおよび１μＡ～１ｐＡの範囲内の電流を有する電子ビームを供給可能な、電子カラムである。ただしこれはイオンビームを供給するイオン源であってもよい。粒子線は好ましくは試料の表面上に集束され、例えば１ｎｍ～１００ｎｍの範囲内の直径を有する照射領域が達成される。電界および磁界によって、荷電粒子から成る粒子線に影響を与える、すなわち例えば加速、方向付け、成形、および／または集束を行うことができる。この目的のために、供給ユニットは、対応する電界および／または磁界を生成するように構成されているいくつかの要素を備え得る。上記要素は特にビーム生成ユニットとシールド要素との間に配置される。

【0013】

シールド要素は、試料上に蓄積された電荷の電界をシールドする、言い換えれば上記電界を、特にシールド要素と試料との間の可能な最小の間隙へと、空間的に限定するタスクを実行する。この目的のために、シールド要素は導電性材料を含む。シールド要素は、例えば貴金属を含む。例として、シールド要素は、金、ニッケル、パラジウム、プラチナ、イリジウムを含むリストから、少なくとも１種の元素を含む。複数の実施形態において、シールド要素は金で形成される。例として、シールド要素に衝突する電荷が放散するように、シールド要素は接地される。粒子線の起点であるシールド要素の上方の空間領域内では、試料上に配された電荷の電界がシールド要素によって効果的にシールドされる。

【0014】

シールド要素自体はシート状の様式で具現化することができ、このシートは、好ましくは、試料を保持するための試料ステージの方向への凸セクションを表面に有する、３次元形状を形成する。凸セクションは好ましくは試料ステージに最も近いセクションを形成する、つまり、試料ステージまたは試料とシールド要素との間の距離が、凸セクションの領域において最も小さい。凸部は、例えば、試料ステージに向かう方向に、少なくとも１００μｍ、好ましくは少なくとも２５０μｍ、好ましくは少なくとも５００μｍの距離にわたって延在する。好ましくは、シールド要素から最も近い地点と試料ステージとの間の距離と、シールド要素から最も遠い点と試料ステージとの間の距離と、の間の差は、少なくとも１００μｍ、好ましくは少なくとも２５０μｍ、好ましくは少なくとも５００μｍである。シールド要素は凸セクション内に貫通開口部を有することができ、そこを粒子線が通過し、試料に入射する。シールド要素は、粒子線が試料上の処理位置まで誘導される供給ユニットの開口部を閉じるような様式で配置することができる、および／または、シールド要素は、ビーム方向において試料ステージに最も近い供給ユニットの構成要素を形成する。

【0015】

例として、シールド要素、特にその凸セクションは、粒子線による試料の分析または処理中に、試料から最大で１００μｍ、好ましくは最大で５０μｍ、好ましくは最大で２５μｍ、より好ましくは最大で１０μｍの距離にある。距離が小さくなるほど、電気的な干渉場が粒子線に与えることのできる影響は小さくなる。

【0016】

その結果、粒子線を正確に制御することができ、この粒子線は無作為のおよび／または制御不可能な干渉から受ける影響がそれほど大きくはない。この結果、走査型電子顕微鏡の場合などの像取得中、ならびに、粒子線誘起エッチングもしくは堆積プロセス、イオン注入、および／または更なる構造改変プロセスなどの、粒子線を用いて実施される処理方法中の両方で、高い解像度が可能となる。

【0017】

シールド要素は、例えば１ｍｍ～５０ｍｍの範囲内の長さおよび幅を有する。シールド要素の材料厚さは、例えば、１ｎｍ～１００μｍ、好ましくは５μｍ～１５μｍの範囲内である。貫通開口部は、例えば、１００μｍ²～２５００μｍ²、好ましくは４００μｍ²～１６００μｍ²、より好ましくは７５０μｍ²～１４００μｍ²の範囲内の断面積を有する。貫通開口部は、例えば、１０μｍ～５０μｍ、好ましくは２０μｍ～４０μｍ、より好ましくは２５μｍ～３５μｍの範囲内の直径を有する。直径は、例えば、貫通開口部の対向して配置されている２つの点の間の距離を指す。

【0018】

検出ユニットにはどのようなセンサも適している。特に、以下に説明するように、電子顕微鏡が関与している。あるいはセンサは、光学式、誘導式、静電容量式のセンサであってもよい。好ましくは、検出ユニットは、調整前の実際の位置と調整後の新しい実際の位置（シールド要素の標的位置、または実際の位置と標的位置との間の中間位置に相当する）の両方を検出する。検出ユニットは、シールド要素のそれぞれの実際の位置を、例えば１Ｈｚよりも大きい、１０Ｈｚよりも大きい、または１００Ｈｚよりも大きいサンプリング速度でサンプリングするように構成され得る。実際の位置および／または標的位置は、いずれの場合も、供給ユニットの光軸に対して検出され得る。

【0019】

調整ユニットは１つまたは複数のモータまたはアクチュエータを含み得る。モータは電動モータであってもよく、アクチュエータは電磁アクチュエータであってもよい。

【0020】

特に、調整ユニットが、（適切であれば対応するサンプリング時間における）シールド要素の実際の位置に応じて、シールド要素を調整するような方法で、閉ループ制御を行うことができる。

【0021】

更に、本装置は、プロセスガスを間隙内に給送するように構成されているガス給送部を備えることができ、その場合間隙は試料ステージ上に配置された試料とシールド要素とによって形成される。プロセスガスはこの間隙を介して試料上の処理位置まで流れる。供給ユニットは、例えば、粒子線用の開口部を備える循環プレート(circulating plate)を備える。ガスの給送は、例えば、循環プレートを介して行われる。

【0022】

材料の堆積にまたは粒子線と相互作用させて高さのある構造を成長させるのに適した適切なプロセスガスは特に、主族元素、金属、または遷移元素のアルキル化合物である。これらの例は、シクロペンタジエニルトリメチル白金ＣｐＰｔＭｅ₃（Ｍｅ＝ＣＨ₄）、メチルシクロペンタジエニルトリメチル白金ＭｅＣｐＰｔＭｅ₃、テトラメチルすずＳｎＭｅ₄、トリメチルガリウムＧａＭｅ₃、フェロセンＣｐ₂Ｆｅ、ビス－アリルクロムＡｒ₂Ｃｒ、ならびに／または、主族元素、金属、もしくは遷移元素のカルボニル化合物、例えば、クロムヘキサカルボニルＣｒ（ＣＯ）₆、モリブデンヘキサカルボニルＭｏ（ＣＯ）₆、タングステンヘキサカルボニルＷ（ＣＯ）₆、ジコバルトオクタカルボニルＣｏ₂（ＣＯ）₈、トリルテニウムドデカカルボニルＲｕ₃（ＣＯ）₁₂、鉄ペンタカルボニルＦｅ（ＣＯ）₅など、ならびに／または、主族元素、金属、もしくは遷移元素のアルコキシド化合物、例えば、テトラエチルオルトシリケートＳｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄、テトライソプロポキシチタンＴｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₄など、ならびに／または、主族元素、金属、もしくは遷移元素のハロゲン化物化合物、例えば、六フッ化タングステンＷＦ₆、六塩化タングステンＷＣｌ₆、四塩化チタンＴｉＣｌ₄、三フッ化ホウ素ＢＦ₃、四塩化ケイ素ＳｉＣｌ₄など、ならびに／または、主族元素、金属、もしくは遷移元素を含む錯体、例えば、銅ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）Ｃｕ（Ｃ₅Ｆ₆ＨＯ₂）₂、ジメチル金トリフルオロアセチルアセトネートＭｅ₂Ａｕ（Ｃ₅Ｆ₃Ｈ₄Ｏ₂）など、ならびに／または、有機化合物、例えば一酸化炭素ＣＯ、二酸化炭素ＣＯ₂、脂肪族および／もしくは芳香族炭化水素、などである。

【0023】

粒子線と相互作用させて材料をエッチングするのに適した適切なプロセスガスは、例えば、二フッ化キセノンＸｅＦ₂、二塩化キセノンＸｅＣｌ₂、四塩化キセノンＸｅＣｌ₄、水蒸気Ｈ₂Ｏ、重水Ｄ₂Ｏ、酸素Ｏ₂、オゾンＯ₃、アンモニアＮＨ₃、塩化ニトロシルＮＯＣｌ、および／または以下のハロゲン化物化合物：ＸＮＯ、ＸＯＮＯ₂、Ｘ₂Ｏ、ＸＯ₂、Ｘ₂Ｏ₂、Ｘ₂Ｏ₄、Ｘ₂Ｏ₆、ここでＸはハロゲン化物である、のうちの１つである。材料をエッチングするための更なるプロセスガスが、本出願人の米国特許出願第１３／０１０３２８１号に指定されている。

【0024】

例えば処理プロセスをよりよく制御するためにプロセスガスとある割合で混合できる添加ガスとしては、例えば、過酸化水素Ｈ₂Ｏ₂、亜酸化窒素Ｎ₂Ｏ、窒素酸化物ＮＯ、二酸化窒素ＮＯ₂、硝酸ＨＮＯ₃、およびそれ以外の酸素含有ガスなどの酸化ガス、ならびに／または、塩素Ｃｌ₂、塩化水素ＨＣｌ、フッ化水素ＨＦ、ヨウ素Ｉ₂、ヨウ化水素ＨＩ、臭素Ｂｒ₂、臭化水素ＨＢｒ、三塩化リンＰＣｌ₃、五塩化リンＰＣｌ₅、三フッ化リンＰＦ₃、およびそれ以外のハロゲン含有ガスなどのハロゲン化物、ならびに／または、水素Ｈ₂、アンモニアＮＨ₃、メタンＣＨ₄、およびそれ以外の水素含有ガスなどの還元ガスが挙げられる。これらの添加ガスは、例えばエッチングプロセスにおいて緩衝ガスとして、パッシベーション媒体として、などで使用され得る。

【0025】

複数の実施形態において、後で更に詳しく説明するシールド要素のおよび／またはホルダの調整によって、処理場所に対するプロセスガスの給送が変化する。

【0026】

一実施形態によれば、装置は、その内部に真空を提供するための真空ハウジングを備え、その場合、少なくともシールド要素および調整ユニットは真空ハウジング内に配置される。

【0027】

このことによって、シールド要素の位置の調整のために真空を解除する必要のない、単純な解決法が提供される。真空の存在下では－特にプロセスガスが存在しないとき－、真空ハウジング内の残留ガス圧は、好ましくは２×１０^-07～４×１０^-07ｍｂａｒ、好ましくは３×１０^-07ｍｂａｒである。

【0028】

装置は好ましくは試料を保持するための試料ステージを備える。好ましくは、試料ステージは真空ハウジング内に配置される。装置は、例えば、供給ユニットに対して試料ステージを位置決めするための位置決めユニットを有する。位置決めユニットは、例えば、試料ステージを３つの空間軸線に沿って変位させるように構成され得る。更に、位置決めユニットは、試料ステージを上記軸線のうちの少なくとも１つを中心にして、好ましくは上記軸線のうちの少なくとも２つを中心にして、回転させるように構成され得る。試料ステージは好ましくは、保持構造体によって、振動から切り離された様式でおよび／または能動的に制振される様式で保持される。

【0029】

一実施形態によれば、検出ユニットは電子顕微鏡、特に走査型電子顕微鏡を備える。

【0030】

このことにより、シールド要素の位置、特に貫通開口部の位置を正確に検出できる。有利には、試料の分析および／または処理のために提供される装置は同時に、シールド要素の位置を検出するための検出ユニットとしても使用される。

【0031】

一実施形態によれば、摩擦ロック方式で(in a frictionally locking manner)シールド要素を固定するための固定デバイス(securing device)が提供され、その場合調整ユニットは、シールド要素を、摩擦ロックを克服しながら、その実際の位置から、その標的位置へと移動させるように構成される。

【0032】

固定デバイスは供給ユニット上、特にその下端部上に設けることができる。固定デバイスは、供給ユニットと一体にまたはと同じ一部片として具現化され得る。摩擦ロックを克服するためには予め定められた力を用いなければならない。特に、固定デバイスは１つまたは複数のクランプを備えることができ、これによりシールド要素またはシールド要素を保持するホルダが、摩擦面（ここでは「ホルダ対向面」とも呼ばれる）に対してクランプされる。クランプ力は、これに対して垂直な、摩擦面に沿ったシールド要素またはそのホルダの変位を打ち消すように作用する摩擦力をもたらす。摩擦面は、特に試料ステージにおよび／または下向きに面する、供給ユニットの端面であり得る。

【0033】

更なる実施形態によれば、調整ユニットはシールド要素に作用的に(operatively)接続され得る。

【0034】

作用的接続(operative connection)は、調整ユニットがシールド要素に対して間接的または直接的に作用するようなものであり得る。これは更に、永続的なものまたは着脱可能なものとして構成することができる。作用的接続は、特に機械的および／または電磁気的に行うことができる。特に、調整の目的で、調整ユニットは、シールド要素またはシールド要素を保持するホルダに、着脱可能に接続されるかまたは接続可能であり得る。

【0035】

更なる実施形態によれば、装置は、作用的接続を行うために、着脱可能な様式で互いに係合され得る係合要素(engagement element)および受け要素(receiving element)を備え、調整ユニットは係合要素および受け要素のうちの一方の要素を備え、シールド要素またはシールド要素を保持するホルダは、係合要素および受け要素のうちのそれぞれの他方の要素を備える。

【0036】

係合要素および受け要素は、着脱可能に接続可能なポジティブロック嵌合を形成する。このことにより作用的接続を特に簡単に実現することができる。ポジティブロック嵌合は好ましくは、係合要素が受け要素内に垂直方向に移動されることによって生じる。

【0037】

更なる実施形態によれば、係合要素は、ピンとして具現化される、および／または、受け要素は、穴として、特に、シールド要素もしくはホルダにある穴として具現化される。

【0038】

特に、ピンは、ポジティブロック方式で穴の中に係合するために、その長手軸線に沿って移動される。ピンは円形－円筒形の外側輪郭を有し得、その場合穴は対応する円形の内側輪郭を有し得る。

【0039】

更なる実施形態によれば、装置は、調整ユニットとシールド要素との間の作用的接続を提供するための力伝達要素(force transmission element)を更に備え、力伝達要素の機械的安定性は作用的接続に沿った力の伝達が予め定められた大きさ(predefined measure)に限定されるように選択され、力伝達要素は、特に事前に決定された破断点を有する、および／または、係合要素は力伝達要素を形成している。

【0040】

このことにより、調整ユニットによってシールド要素が予め定められた範囲内で変位可能となることを、保証することができる。他方、この範囲の限界（これは特に停止部によって予め定められている）に達し、したがって装置の他の部分が損傷する恐れが生じると、これら他の部分に力が及ぶのが制限される。

【0041】

更なる実施形態によれば、受け要素に対する係合要素の位置を検出するように構成されている更なる検出ユニットが提供される。

【0042】

このことにより係合プロセスを制御された様式で行うことができ、その場合このプロセスをより迅速に、かつ／または装置の他の部分を損傷する可能性なく行うことができる。

【0043】

更なる実施形態によれば、更なる検出ユニットはカメラを備える、および／または、偏向ミラー(deflection mirror)によって像を記録する。

【0044】

このことにより係合要素を特に簡単に観察することができる。

【0045】

更なる実施形態によれば、係合要素は偏向ミラーから突出している。別法として、受け要素を偏向ミラーに成形しても、または受け要素に偏向ミラーを貫通させてもよい。

【0046】

その結果、係合要素の外側の外形および受け要素の内側の外形を偏向ミラーによって観察できるため、係合要素を受け要素内に特に簡単に導入することができる。

【0047】

更なる実施形態によれば、調整ユニットは上記試料および／またはある試料を保持するための試料ステージを有する。

【0048】

有利には、元々備えている試料ステージは同時に調整ユニットとして使用される、つまり、試料ステージはシールド要素に対して直接的または間接的に作用する。任意選択的に、試料ステージによって移動する特別な試料（いわゆるサービス試料）を使用することも可能であり、その場合試料は、シールド要素に対して直接的または間接的に作用する。特に、係合要素または受け要素は、試料ステージまたは試料上に固定的に設けられる。

【0049】

更なる実施形態によれば、調整ユニットは、供給ユニットの光軸に対して横方向にシールド要素を変位させるように構成される。

【0050】

原理的には、実際の位置から標的位置への調整は、最大６自由度（回転方向に３および並進方向に３）でシールド要素を位置決めすることを含み得る。しかしながら、供給ユニットの光軸に対して横方向に、シールド要素のただ機械的に容易に実施可能な変位が行われるのが好ましい。

【0051】

更なる実施形態によれば、プロセスガスを供給するための循環プレートが提供され、その場合シールド要素は、その実際の位置および標的位置について、いずれの場合も、着脱可能な様式で循環プレートに固定される。

【0052】

特に、循環プレートは、シールド要素またはそのホルダを着脱可能に固定するための固定デバイスを備え得る。

【0053】

第２の態様によれば、試料を粒子線で分析および／または処理するための装置におけるシールド要素の位置を設定するための方法が提供される。方法は、
ａ）装置の真空ハウジング内にシールド要素を取り付けるステップと、
ｂ）真空ハウジング内で真空を生成するステップと、
ｃ）シールド要素の実際の位置を検出するステップと、
ｄ）真空の存在下でシールド要素を実際の位置から標的位置へと調整するステップと
を含む。

【0054】

有利には、ステップｃ）とｄ）の実行中に、真空は解除されない。その結果調整の費用がかなり抑えられる。装置は特に、第１の態様に係る装置であり得る。ステップはａ）～ｄ）で示した順序で進める必要はない。例として、ステップｃ）をステップｂ）の前に実行することができる。

【0055】

本発明の更なる可能な実装形態はまた、例示的な実施形態に関して上記したまたは下記する特徴または実施形態の、明示的に述べられていない組合せも含む。この場合当業者はまた、個々の態様を、本発明のそれぞれの基本形態に対する改善または補足として追加するであろう。

【0056】

本発明の更なる有利な構成および態様は、従属請求項の、また以下に記載する本発明の例示的な実施形態の主題である。以下の本文では、本発明について、添付の図を参照し、好ましい実施形態に基づいて、より詳細に説明する。

【図面の簡単な説明】

【0057】

【図1】試料を粒子線で分析および／または処理するための装置の第１の例示的な実施形態の概略図である。

【図2】試料を粒子線で分析および／または処理するための装置の第２の例示的な実施形態の概略図からの抜粋を示す図である。

【図3】シールド要素の１つの例示的な実施形態を示す平面図である。

【図4】試料を粒子線で分析および／または処理するための装置の第３の例示的な実施形態の複数の構成要素の斜視図である。

【図5】図４の構成要素を装置内に設置した状態で示す図である。

【図6】更なる実施形態を説明するための、図５の装置を偏向ミラーに向けられたカメラと共に示す図である。

【図7】ａ）およびｂ）は、図５の装置の場合におけるシールド要素の異なる位置を例として示す図である。

【図8】一実施形態に係る複数の方法ステップを示すフロー図である。

【発明を実施するための形態】

【0058】

同一の要素または同一の機能を有する要素には、そうではないと示されていない限り、同じ参照符号を付してある。図中の描写は必ずしも正確な縮尺率では描かれていないことにも留意されたい。

【0059】

図１は、試料１０を分析および／または処理するための装置１００の、第１の例示的な実施形態の概略図を示す。装置１００は真空ハウジング１０２を備え、その内部は真空ポンプ１０４によって特定の真空度に保たれている。

【0060】

装置１００は、特にリソグラフィマスクの形態の試料１０を分析および処理するように、特に構成される。例として、装置は、リソグラフィマスク用の、特にＥＵＶ（極紫外を表す）またはＤＵＶ（深紫外を表す）リソグラフィ用のリソグラフィマスクの、検証および／または修繕ツールである。この場合、分析または処理されることになる試料１０は、真空ハウジング１０２内の試料ステージ１１上に取り付けられる。装置１００の試料ステージ１１は特に、３つの空間方向においておよび３つの回転軸において、試料１０の位置を数ナノメートル単位で正確に設定するように構成される。

【0061】

装置１００は、電子カラムの形態の供給ユニット１０６を備える。この電子カラムは、電子ビーム１１０（粒子線）を供給するための電子源１０８と、試料１０から後方散乱された電子を検出する電子顕微鏡１１２と、を更に備える。電子ビーム１１０の代わりにイオンビームを供給してもよい。２次電子用の更なる検出器を更に設けてもよい（図示せず）。電子カラム１０６は好ましくは、真空ハウジング１０２内に専用の真空ハウジング１１３を有する。真空ハウジング１１３は、例えば、１０^-7ｍｂａｒ～１０^-8ｍｂａｒの残留ガス圧まで真空引きされる。電子源１０８からの電子ビーム１１０はこの真空中を通過して真空ハウジング１１３の下面から出て、その後試料１０に入射する。

【0062】

電子カラム１０６は給送されるプロセスガスとの相互作用で電子ビーム誘起処理プロセス（ＥＢＩＰ）を実行することができ、このガスは、ガス供給ユニット１１４によって外部からガスライン１１６を介して試料１０上の電子ビーム１１０の焦点の領域内に給送される。これは特に、試料１０上に材料を堆積させること、および／または試料から材料をエッチングすることを含む。装置１００は、電子カラム１０６、試料ステージ１１、および／またはガス供給ユニット１１４を適切に制御する、制御コンピュータ１１８を更に有する。

【0063】

図２は、試料１０を粒子線１１０で分析および／または処理するための装置１００の、第２の例示的な実施形態の概略図からの抜粋を示す。以下で別様に記載されていなければ、図２の装置１００は図１の装置１００と同じ特徴を有し得る。

【0064】

電子ビーム１１０用の開口部２００は真空ハウジング１１３の下面に配置されている。開口部２００はシールド要素２０２によって部分的にまたは完全に閉じられる。シールド要素２０２はシート状の様式で具現化されており、導電性材料、特に金を含む。シールド要素２０２は凸セクション２０４を有し得、このセクションは試料ステージ１１に対して凸である。凸セクション２０４は試料ステージ１１の方向に湾曲している。凸セクション２０４（または－そのようなセクションが存在しない場合には－一般にシールド要素２０２）は、電子ビーム１１０が通過するための貫通開口部２０６を有する。シールド要素２０２と試料ステージ１１との間の距離は好ましくは、貫通開口部２０６の領域において最も小さい。装置１００の動作（試料１０の分析／処理）中、貫通開口部２０６と試料１０との間の距離は、好ましくは１μｍ～１００μｍ、好ましくは５μｍ～３０μｍ、より好ましくは１０μｍである。

【0065】

シールド要素２０２は電界Ｅをシールドするように構成されている。このことを明確にするために、図２には例として、電界Ｅを生成する電荷Ｑが図示されている。電荷Ｑは、シールド要素２０２の下方で、装置１００の使用中に試料１０の処理領域２０８が配備される領域内に図示されている。特に（少なくとも部分的に）非導電性であるかまたは導電性がごく僅かである試料１０の場合、電子ビーム１１０が試料１０に入射するとき、試料１０の帯電およびしたがって電界Ｅの形成が生じる。図１には例として、電子ビーム１１０の入射の結果として生じる負電荷Ｑが示されている。

【0066】

電界Ｅをシールドする結果として、第１に、試料１０上の電子ビーム１１０の衝突点および集束位置に関する正確度の向上が達成され、このことにより解像度およびプロセス制御が改善される。第２に、電子ビーム１１０に対向して電子源１０８の方向に飛行する後方散乱電子および２次電子の飛行軌道はそれほど影響を受けず、このことによって同様に解像度、およびプロセス制御、および更に感度が改善される。

【0067】

この例では、供給ユニット１０６は、シールド要素２０２と試料１０との間の間隙２１２内へとプロセスガスＰＧを給送するように構成されている、ガス給送部２１０を備える。プロセスガスＰＧは間隙２１２に沿って流れ、その結果試料１０上の処理位置２０８に到達する。ガス給送部２１０によって、したがって第１に、処理位置２０８に十分なプロセスガスＰＧが供給されることが保証され、第２に、貫通開口部２０６を通って供給ユニット１０６内に入るプロセスガスＰＧの体積流量が比較的小さくなり、特にプロセスガスＰＧが上方から処理位置２０８まで貫通開口部２０６を通って誘導された場合よりも小さくなる。

【0068】

図３は複数の貫通開口部２０６を有するシールド要素２０２の一例を示すが、より明確にするために参照符号で特定したのはそのうちの１つだけである。貫通開口部２０６はここでは全て六角形の幾何形状を有する。この例では、凸セクション２０４内に複数の貫通開口部２０６が、いずれの場合も少なくとも部分的に、同様に配備されている。

【0069】

図４は、試料１０を粒子線１１０で分析および／または処理するための装置１００の第３の例示的な実施形態の、複数の構成要素を斜視図で示す。図５は構成要素を装置１００内に設置した状態で示す。図６は図５の装置１００をカメラと共に示す。以下で別様に記載されていなければ、図４～図６の装置１００は図１および図２の装置１００と同じ特徴を有し得る。シールド要素２０２は図３におけるように具現化され得る。

【0070】

図４のシールド要素２０２はホルダ３００によって保持されている。この目的のために、シールド要素２０２をホルダ３００に、特にそのリング３０２に固定することができ、上記リングは隠れた様式でのみ図示されている。例として、固定としては溶接、はんだ付け、または接着結合が適切である。別法として、シールド要素２０２をホルダ３００に統合することができる、つまり、ホルダ３００と特に一体に形成することができる。

【0071】

この例示的な実施形態によれば、ホルダ３００は、シールド要素２０２によって閉じられる開口部２００（シールド要素２０２の背後にあるため隠れて示されている）を有する。開口部２００は特にリング３０２内に形成され得る。

【0072】

ホルダ３００は、特に開口部または穴３０４の形態の、ガス給送部２１０を更に備え得る。この例では４つの穴３０４が提供されているが、穴の数は特に２～６の間の値をとり得る。プロセスガスＰＧは穴３０４（図２を参照）を介して処理場所２０８（図２を参照）へ給送される。穴３０４は、リング３０２をホルダ３００のセクション３０８に接続するウェブ３０６によって形成され得る。ホルダ３００は、金属、合金、またはプラスチックから作製することができる。

【0073】

ホルダ３００は、１つまたは複数のクランプ３１０を利用して摩擦ロック方式でクランプされる－ここではそのようなクランプ３１０が２つ提供されている。クランプ力は特にセクション３０８に対して作用し得る。例として、クランプ３１０は、ホルダ３００またはセクション３０８に対して作用するアーム３１２を有し得る。電子カラム１０６のあるセクションは－非常に一般的に－クランプ３１０またはそのアーム３１２と共にクランプ効果を生じさせるための、ホルダ対向面３１４として機能し得る。特に、真空ハウジング１１３の下面がホルダ対向面３１４として機能する。この例示的な実施形態では、真空ハウジング１１３の下面に固定されたまたはその領域内にあるプレート、特に循環プレート３１６が、ホルダ対向面３１４を有する。循環プレート３１６は、プロセスガスＰＧのための接続部５００（そのような接続部の１つが例として示されている）を有し、上記接続部は循環プレート３１６を簡略化して図示した図５にも示されている。循環プレート３１６に形成されたチャネル２１０（図２を参照）を介して、接続部５００は、プロセスガスＰＧを任意選択的に穴３０４を介して処理領域２０８に供給するように構成される。

【0074】

別法としてまたは追加として、循環プレート３１６（またはプレート）は、そこに固定されたまたはそこに組み込まれたビーム偏向デバイス２１６を有し得る（図２を参照）。処理領域２０８を処理する目的で、ビーム偏向デバイス２１６を利用して電子ビーム１１０が偏向される。ビーム偏向デバイス２１６は、電子カラム１０６の光軸２１４の周りに配置された複数の、例えば４～１６個、好ましくは６～１０個、特に８個の（ビーム偏向デバイス２１６はしたがって八極子とも呼ばれる）コイルまたは電磁石（隠れているのでいずれも図示されていない）を備える。電流接続部３１８は、そのうちの１つが図４に例として示されており、電磁石に電流を供給する。

【0075】

ホルダ３００はシールド要素２０２と共に、実際の位置と標的位置との間で調整可能、すなわち移動可能となるように設けられている。この場合、図４は実際の位置を示している。実際の位置は、例示的な実施形態では特に走査型電子顕微鏡である電子顕微鏡１１２によって形成されている、検出ユニットによって検出される。上記顕微鏡は、シールド要素２０２から後方散乱された電子を検出する。対応する検出像が図７ａに示されており、ここでは２０６は、電子カラム１０６の光軸２１４に対して位置決めされることが意図されている貫通開口部を表す。図１および図２において、光軸２１４は電子ビーム１１０と共線的に示されている。この場合光軸２１４は垂直方向に延び、開口部２００の中心点と交わる。

【0076】

原理的には、ホルダ３００のまたはシールド要素２０２の全６自由度の位置決めに想到できる。この例示的な実施形態によれば、位置決めは光軸２１４に対して垂直な平面、つまりここでは水平方向（図４のｘ－ｙ平面）内においてのみ行われる。この場合、ホルダ対向面３１４は、ホルダ３００の水平方向への変位を案内する摺動面または担持面として機能する。摺動のためには、ホルダ３００とホルダ対向面３１４との間に作用する摩擦力を克服する必要がある。摩擦力は、クランプ３１０をホルダ対向面３１４上に保持するねじ３２０を利用して設定され得る。ホルダ対向面３１４は示されているように循環プレート３１６内へと凹ませることができ、その結果縁部３２２が得られる。縁部３２２はｘ－ｙ平面におけるホルダ３００の変位移動を限定する、つまり、上記ホルダの停止端部を形成する。ホルダ３００には、ホルダ３００上に一体に成形されたラグ３２６にある穴３２４の形態の受け要素が設けられている。この穴の面も同じくｘ－ｙ平面上に配置されている。

【0077】

シールド要素２０２を伴ったホルダ３００の調整は、図６に示す調整ユニット６００（一部が図５にも示されている）を利用して行われる。この例示的な実施形態によれば、調整ユニット６００は試料ステージ１１を備え、これに対して、ここでは特に垂直方向上向きに突出するピンとして具体化されている、係合要素６０２が固定される。ピン６０２は別法として、この目的のために特に用意された試料１０（いわゆるサービス試料）に装着することもでき、上記試料は試料ステージ１１上に一時的に（すなわち調整の間だけ）配置される。

【0078】

この例示的な実施形態では、ピン６０２は偏向ミラー５０２から突出するように設けられている（図５を参照）。偏向ミラー５０２は光軸２１４に対して斜めに配置されている。この目的のために、上記偏向ミラーは、例えば、くさび形を形成するようにまたはプリズム状に成形されたブロック５０４上に具現化され得る。そしてブロック５０４は試料ステージ１１または試料１０上に固定される。

【0079】

図６に示すように、試料ステージ１１と電子カラム１０６との間の隙間６０４の外側には、水平方向に、カメラの形態の更なる検出ユニット６０６が配置されている。カメラ６０６および偏向ミラー５０２により、図６に矢印で示すように、ホルダ３００のラグ３２６上の穴３２４に対するピン６０２の位置を観察することが可能である。その場合試料ステージ１１は、例えばピン６０２を穴３２４に垂直方向に挿入するために、制御コンピュータ１１８（図１を参照）を利用して、適切に制御される。その後、試料ステージ１１によってピン６０２が水平面内で変位されるが、このことによって同時に、事前に決定された摩擦力値を超えるとすぐにシールド要素２０２と一緒にホルダ３００が移動することになる。その結果、ホルダ３００およびしたがってシールド要素２０２が変位し、シールド要素２０２の貫通開口部２０６は図７ｂに示す標的位置まで移動される。

【0080】

例えばピン６０２の不適切な動きが生じた場合に、これによる装置１００の、特にホルダ３００またはシールド要素２０２への損傷を回避するために、上記ピンは、事前に決定された破断点５０６を備えることができる（図５を参照）。ピン６０２は、当該ピンに、特にその自由端に、予め定められた力の限度を超える力が加えられた場合、上記予め定められた破断点で破断する。特にこのことは、ホルダ３００がピン６０２によって縁部３２２（図３を参照）に押し付けられ、用いられた力が予め定められた力の限度を超える場合に当てはまる。

【0081】

図８は、一実施形態に係る複数の方法ステップを示すフロー図である。

【0082】

最初に、装置１の新規製造時またはシールド要素２０２の（任意選択的にホルダ３００と同時の）交換時、ホルダ対向面３１４上に新しいシールド要素２０２が取り付けられる（図８のステップＳ１）。このことは、クランプ３１０とねじ３２０の締め付けとを利用して行われる。この時点では真空ハウジング１０２は開放されている、つまり真空ハウジング１０２内の真空が解除されている。ホルダ３００とシールド要素２０２の一体の取り付けは、循環プレート３１６が真空ハウジング１０２から取り外された状態で行うことができる、つまり、ホルダ３００の取り付け後、上記循環プレートは再び真空ハウジング１０２内に入れられ、電子カラム１０６上に取り付けられる。別法として、ホルダ３００とシールド要素２０２の一体の取り付けは、真空ハウジング１０２内で、すなわち電子カラム１０６に予め取り付けられた循環プレート３１６上で行われる。

【0083】

続いて、真空ポンプ１０４を利用して、真空ハウジング１０２内の真空を再確立する（ステップＳ２）。その結果、特にホルダ３００はシールド要素２０２と、試料ステージ１１とも一緒に、真空中に置かれる。

【0084】

ステップＳ３は、電子顕微鏡１１２（図１を参照）を利用して、光軸２１４に対するシールド要素２０２の、特に貫通開口部２０６の実際の位置を検出することを含む。

【0085】

制御コンピュータ１１８に提供されるまたは制御コンピュータ１１８によって計算される、シールド要素２０２の標的位置から、上記制御コンピュータまたは何らかの他のコンピュータユニットは、ステップＳ４において、シールド要素２０２をピン６０２を利用して適切に移動させるために意図される試料ステージ１１の移動の、移動経路を決定する。その後、試料ステージ１１またはピン６０２はそれに応じて移動する（ステップＳ５）。言い換えれば、ピン６０２はまず、これを垂直方向におよび任意選択的に水平方向に移動させることによって、穴３２４内に係合する。次いでピン６０２は、シールド要素２０２をｘ－ｙ平面内で変位させるために、およびそれを実際の位置から標的位置へと運ぶために、水平方向に移動される。現在の実際の位置は、電子顕微鏡１１２によって、例えば１００Ｈｚのサンプリングレートで連続的にサンプリングされる。標的位置に到達するとすぐに、ピン６０２と穴３２４の係合は再び解除される。特に、ピン６０２と穴３２４の係合およびその解除はカメラ６０６によって監視され、その場合カメラ６０６は複数の実施形態において対応する測定データを制御コンピュータ１１８に渡し、試料ステージ１１の移動が閉ループ制御下で行われ得るようにする。

【0086】

その後試料ステージ１１は、ピン６０２と共にブロック５０４が取り外される変更位置へと移動することができる（ステップＳ６）。このことは任意選択的に自動ツール変更装置を利用して行うことができる。

【0087】

その後－任意選択的にステップＳ６を省略して－ステップＳ７において、処理領域２０８（図２）内の試料１０の分析および／または処理が開始されるが、このとき任意選択的には、ステップＳ２で提供された真空はその間解除しない。

【0088】

本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は様々な方法で修正可能である。

【符号の説明】

【0089】

１０ 試料
１１ 試料ステージ
１００ 装置
１０２ 真空ハウジング
１０４ 真空ポンプ
１０６ 電子カラム
１０８ 電子源
１１０ 電子ビーム
１１２ 電子顕微鏡
１１３ 真空ハウジング
１１４ ガス供給ユニット
１１６ ガスライン
１１８ 制御コンピュータ
２００ 開口部
２０２ シールド要素
２０４ 凸セクション
２０６ 貫通開口部
２０８ 処理領域
２１０ ガス給送部
２１２ 間隙
２１４ 光軸
２１６ ビーム偏向デバイス
３００ ホルダ
３０２ リング
３０４ 穴
３０６ ウェブ
３０８ セクション
３１０ クランプ
３１２ アーム
３１４ ホルダ対向面
３１６ 循環プレート
３１８ 電流接続部
３２０ ねじ
３２２ 縁部
３２４ 穴
３２６ ラグ
５００ 接続部
５０２ 偏向ミラー
５０４ ブロック
５０６ 事前に決定された破断点
６００ 調整ユニット
６０２ ピン
６０４ 隙間
６０６ カメラ
Ｅ 電界の線
Ｑ 電荷
ｘ 方向
ｙ 方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7a)】

【図7b)】

【図8】