特許 7546477 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-29

(45)【発行日】2024-09-06

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/306 20060101AFI20240830BHJP

【ＦＩ】

H01L21/306 J

H01L21/306 E

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2020214125

(22)【出願日】2020-12-23

(65)【公開番号】P2022100010

(43)【公開日】2022-07-05

【審査請求日】2023-10-10

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】根岸 康介

【審査官】河合 俊英

(56)【参考文献】

【文献】特開２００６－０３２６７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－０３２０３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－００４８１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０６７８１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－１４６７３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０３１１９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１５２３９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－２２０２６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－１６０３４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－１６４２８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－２８０３５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－０６３０４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０９１７５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－２９７６６２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理液に浸漬して処理する処理槽と、
リン酸水溶液と有機溶媒を含有する添加剤とを混合して、前記処理液の原料となる混合液を生成する混合装置と、
前記混合装置に設けられ、前記混合液を加温する加温部と、
前記混合装置から前記処理槽に前記混合液を送る送液路と、
前記混合装置内の気体を排気する排気ファンと、
前記混合装置内から排気される気体を導く排気ダクトと、
前記混合液を加温する際に前記混合液に含まれる前記有機溶媒が蒸発して発生し、前記排気ダクト内を流れる可燃ガスの濃度を測定するガス濃度計と、
前記排気ダクトに接続され、前記排気ダクト内の前記可燃ガスを希釈する希釈ガスを供給する給気ラインと、
前記給気ラインから前記排気ダクトに供給される前記希釈ガスの供給量を調整する給気ファンと、
各部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記ガス濃度計で測定される前記排気ダクト内の前記可燃ガスの濃度が、前記可燃ガスの濃度の爆発下限界よりも低い所与のしきい濃度以下になるように、前記混合装置から前記排気ダクトに排気される気体の排気量を前記排気ファンで調整する
基板処理装置。

【請求項2】

前記加温部は、前記有機溶媒の沸点以上の温度に前記混合液を加温する
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記制御部は、
前記混合液の温度に基づいて、前記排気ファンの回転数を制御する
請求項１または２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記混合装置内の前記可燃ガスの濃度を測定する別のガス濃度計、をさらに備え、
前記制御部は、
前記排気ダクト内の前記可燃ガスの濃度に基づいて、前記給気ファンの回転数を制御し、
前記混合装置内および前記排気ダクト内の前記可燃ガスの濃度に基づいて、前記排気ファンの回転数を制御する
請求項１～３のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記制御部は、前記排気ダクト内の前記可燃ガスの濃度が爆発下限界よりも低い所与のしきい濃度以下となるように、前記排気ファンの回転数と前記給気ファンの回転数とを制御する
請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記制御部は、
前記混合液に前記有機溶媒が残っている場合に、前記排気ファンの回転数を上げる
請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記制御部は、
前記混合液に前記有機溶媒が残っていない場合に、前記排気ファンの回転数を下げる
請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記制御部は、
前記混合液に前記有機溶媒が残っているか否かを、前記排気ダクト内の前記可燃ガスの濃度に基づいて判定する
請求項６または７に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記制御部は、
前記混合液が前記加温部で加温されていない場合に、前記排気ファンの回転数を下げる
請求項１～８のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項10】

複数の前記混合装置が１つの前記排気ダクトに接続され、
前記制御部は、
複数の前記混合装置のうち少なくとも１つで生成される前記混合液に前記有機溶媒が残っている場合に、前記有機溶媒が残った前記混合装置に設けられる前記排気ファンの回転数を上げるとともに、前記有機溶媒が残っていない別の前記混合装置に設けられる前記排気ファンの回転数を下げる
請求項１～９のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項11】

リン酸水溶液と有機溶媒を含有する添加剤とを混合して、基板を浸漬する処理液の原料となる混合液を生成する混合装置において、前記混合液を加温する加温工程と、
前記混合装置内の気体を排気ダクトに排気する排気工程と、
前記混合液を加温する際に前記混合液に含まれる前記有機溶媒が蒸発して発生し、前記排気ダクト内を流れる可燃ガスの濃度を測定する濃度測定工程と、
を含み、
前記排気工程は、前記濃度測定工程で測定される前記排気ダクト内の前記可燃ガスの濃度が、前記可燃ガスの濃度の爆発下限界よりも低い所与のしきい濃度以下になるように、前記混合装置から前記排気ダクトに排気される気体の排気量を排気ファンで調整し、
前記排気ダクトには、前記排気ダクト内の前記可燃ガスを希釈する希釈ガスを供給する給気ラインが接続され、
前記排気ダクトに供給される前記希釈ガスの供給量は、給気ファンで調整される
基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、基板処理システムにおいて、リン酸水溶液とシリコン酸化物（ＳｉＯ_２）の析出を抑制する添加剤とを含んだエッチング液に基板を浸漬することで、かかる基板にエッチング処理を行うことが知られている（特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１７－１１８０９２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、リン酸水溶液と析出抑制剤とを混合する混合装置から排気されて、排気ダクトを流れる気体中の可燃ガス濃度を低減することができる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による基板処理装置は、処理槽と、混合装置と、加温部と、送液路と、排気ファンと、排気ダクトと、制御部と、を備える。処理槽は、基板を処理液に浸漬して処理する。混合装置は、リン酸水溶液と有機溶媒を含有する添加剤とを混合して、前記処理液の原料となる混合液を生成する。加温部は、前記混合装置に設けられ、前記混合液を加温する。送液路は、前記混合装置から前記処理槽に前記混合液を送る。排気ファンは、前記混合装置内の気体を排気する。排気ダクトは、前記混合装置内から排気される気体を導く。制御部は、各部を制御する。また、前記制御部は、前記混合装置から前記排気ダクトに排気される気体の排気量を前記排気ファンで調整する。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、リン酸水溶液と析出抑制剤とを混合する混合装置から排気されて、排気ダクト内を流れる気体中の可燃ガス濃度を低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、実施形態に係る基板処理システムの構成を示す概略ブロック図である。

【図2】図２は、実施形態に係る処理槽に混合液を初回に送液する際の各種処理における基板処理システムの各部の挙動パターンの具体例を示すタイミングチャートである。

【図3】図３は、実施形態に係る処理槽に混合液を初回に送液する際の各種処理における基板処理システムの各部の挙動パターンの具体例を示すタイミングチャートである。

【図4】図４は、実施形態に係る処理槽のエッチング液のシリコン濃度を調整する際の各種処理における基板処理システムの各部の挙動パターンの具体例を示すタイミングチャートである。

【図5】図５は、実施形態に係る基板処理システムの排気部の構成を示す概略ブロック図である。

【図6】図６は、実施形態に係る混合装置において混合液を送液する際の各種処理における排気部の各部の挙動パターンの具体例を示すタイミングチャートである。

【図7】図７は、実施形態の変形例に係る基板処理システムの構成を示す概略ブロック図である。

【図8】図８は、実施形態の変形例に係る基板処理システムの各部の処理フローの具体例を示す図である。

【図9】図９は、実施形態の変形例に係る基板処理システムの排気部の構成を示す概略ブロック図である。

【図10】図１０は、実施形態の変形例に係る混合装置において混合液を初回に送液する際の各種処理における排気部の各部の挙動パターンの具体例を示すタイミングチャートである。

【図11】図１１は、実施形態の変形例に係る混合装置において混合液を継続的に送液する際の各種処理における排気部の各部の挙動パターンの具体例を示すタイミングチャートである。

【図12】図１２は、実施形態に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

【0009】

従来、基板処理システムにおいて、リン酸水溶液とシリコン酸化物の析出を抑制する添加剤とを含んだエッチング液に基板を浸漬することで、かかる基板にエッチング処理を行うことが知られている。

【0010】

たとえば、リン酸（Ｈ_３ＰＯ_４）水溶液に基板を浸漬することで、基板上に積層されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ）およびシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）のうち、シリコン窒化膜を選択的にエッチングすることができる。

【0011】

さらに、リン酸水溶液にシリコン酸化物の析出を抑制する添加剤（以下、「析出抑制剤」とも呼称する。）を追加することにより、エッチング処理の際にシリコン酸化膜上にシリコン酸化物が析出することを抑制することができる。

【0012】

しかしながら、上述した従来技術では、リン酸水溶液と析出抑制剤とが混合した混合液を加温する際に、析出抑制剤に含まれる有機溶媒が蒸発して可燃ガスが発生する場合がある。そして、かかる可燃ガスを含んだ気体をそのまま混合装置から排気すると、排気ダクト内の可燃ガス濃度が高くなり、爆発下限界に近づく恐れがあった。

【0013】

そこで、上述の問題点を克服し、リン酸水溶液と析出抑制剤とを混合する混合装置から排気されて、排気ダクト内を流れる気体中の可燃ガス濃度を低減することができる技術が期待されている。

【0014】

＜基板処理システムの構成＞
まず、実施形態に係る基板処理システム１の構成について図１を参照して説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の構成を示す概略ブロック図である。基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。

【0015】

基板処理システム１は、混合装置１０と、シリコン溶液供給部２５と、基板処理部３０とを備える。混合装置１０は、リン酸水溶液と、シリコン酸化物の析出を抑制する析出抑制剤とを混合して、混合液Ｍを生成する。析出抑制剤は添加剤の一例である。

【0016】

シリコン溶液供給部２５は、混合装置１０で生成された混合液Ｍにシリコン含有化合物水溶液（以下、シリコン溶液とも呼称する。）を供給して、エッチング液Ｅを生成する。すなわち、実施形態に係るエッチング液Ｅは、リン酸水溶液と、析出抑制剤と、シリコン溶液とを含有する。エッチング液Ｅは、処理液の一例である。

【0017】

基板処理部３０は、生成されたエッチング液ＥにウェハＷを処理槽３１で浸漬して、かかるウェハＷにエッチング処理を施す。ウェハＷは、基板の一例である。実施形態では、たとえば、ウェハＷ上に形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ）およびシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）のうち、シリコン窒化膜を選択的にエッチングすることができる。

【0018】

また、基板処理システム１は、制御装置２を備える。制御装置２は、たとえばコンピュータであり、制御部３と記憶部４とを備える。記憶部４には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部３は、記憶部４に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

【0019】

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置２の記憶部４にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

【0020】

混合装置１０は、リン酸水溶液供給部１１と、析出抑制剤供給部１２と、タンク１４と、循環路１５とを備える。

【0021】

リン酸水溶液供給部１１は、リン酸水溶液をタンク１４に供給する。かかるリン酸水溶液供給部１１は、リン酸水溶液供給源１１ａと、リン酸水溶液供給路１１ｂと、流量調整器１１ｃとを有する。

【0022】

リン酸水溶液供給源１１ａは、たとえば、リン酸水溶液を貯留するタンクである。リン酸水溶液供給路１１ｂは、リン酸水溶液供給源１１ａとタンク１４とを接続し、リン酸水溶液供給源１１ａからタンク１４にリン酸水溶液を供給する。

【0023】

流量調整器１１ｃは、リン酸水溶液供給路１１ｂに設けられ、タンク１４に供給されるリン酸水溶液の流量を調整する。流量調整器１１ｃは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。

【0024】

析出抑制剤供給部１２は、析出抑制剤をタンク１４に供給する。かかる析出抑制剤供給部１２は、析出抑制剤供給源１２ａと、析出抑制剤供給路１２ｂと、流量調整器１２ｃとを有する。

【0025】

析出抑制剤供給源１２ａは、たとえば、析出抑制剤を貯留するタンクである。析出抑制剤供給路１２ｂは、析出抑制剤供給源１２ａとタンク１４とを接続し、析出抑制剤供給源１２ａからタンク１４に析出抑制剤を供給する。

【0026】

流量調整器１２ｃは、析出抑制剤供給路１２ｂに設けられ、タンク１４に供給される析出抑制剤の流量を調整する。流量調整器１２ｃは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。

【0027】

実施形態に係る析出抑制剤は、シリコン酸化物の析出を抑止する成分を含むものであればよい。たとえば、リン酸水溶液に溶解したシリコンイオンを溶解した状態で安定化させてシリコン酸化物の析出を抑制するような成分を含んでもよい。また、その他の公知の方法でシリコン酸化物の析出を抑制するような成分を含んでもよい。

【0028】

実施形態に係る析出抑制剤には、たとえば、フッ素成分を含むヘキサフルオロケイ酸（Ｈ_２ＳｉＦ_６）水溶液を用いることができる。また、水溶液中のヘキサフルオロケイ酸を安定化させるため、アンモニアなどの添加物を含んでもよい。

【0029】

実施形態に係る析出抑制剤としては、たとえば、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６や、ヘキサフルオロケイ酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳｉＦ_６）などを用いることができる。

【0030】

また、実施形態に係る析出抑制剤は、イオン半径が０．２Åから０．９Åの陽イオンである元素を含む化合物であってもよい。ここで、「イオン半径」とは、結晶格子の格子定数から得られる陰イオンと陽イオンの半径の和から経験に求められたイオンの半径である。

【0031】

実施形態に係る析出抑制剤は、たとえば、アルミニウム、カリウム、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、ジルコニウム、タングステン、チタン、モリブデン、ハフニウム、ニッケルおよびクロムのいずれかの元素の酸化物を含んでもよい。

【0032】

また、実施形態に係る析出抑制剤は、上述のいずれかの元素の酸化物に代えてまたは加えて、上述のいずれかの元素の窒化物、塩化物、臭化物、水酸化物および硝酸塩のうち少なくとも１つを含んでもよい。

【0033】

実施形態に係る析出抑制剤は、たとえば、Ａｌ（ＯＨ）_３、ＡｌＣｌ_３、ＡｌＢｒ_３、Ａｌ（ＮＯ_３）_３、Ａｌ_２（ＳＯ_４）_３、ＡｌＰＯ_４およびＡｌ_２Ｏ_３のうち少なくとも１つを含んでもよい。

【0034】

また、実施形態に係る析出抑制剤は、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＯＨおよびＫＮＯ_３のうち少なくとも１つを含んでもよい。さらに、実施形態に係る析出抑制剤は、ＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＭｇＣｌ_２、ＣａＣｌ_２およびＺｒＣｌ_４のうち少なくとも１つを含んでもよい。

【0035】

また、実施形態に係る析出抑制剤は、水溶性の有機溶媒を含有する。かかる有機溶媒としては、たとえば、エタノールやメタノール、アセトン、１－プロピルアルコール、２－プロピルアルコール、１－ブタノール、２－ブタノールなどが挙げられる。

【0036】

タンク１４は、リン酸水溶液供給部１１から供給されるリン酸水溶液と、析出抑制剤供給部１２から供給される析出抑制剤とを貯留する。また、タンク１４は、リン酸水溶液と析出抑制剤とが混ぜられて生成される混合液Ｍを貯留する。

【0037】

タンク１４には、上から順に第１液面センサＳ１および第２液面センサＳ２が設けられる。これにより、タンク１４に貯留されるリン酸水溶液や混合液Ｍの液面の高さを制御している。さらに、実施形態では、かかる第１液面センサＳ１および第２液面センサＳ２を用いることにより、リン酸水溶液や析出抑制剤の液量を秤量することができる。

【0038】

循環路１５は、タンク１４から出て、かかるタンク１４に戻る循環ラインである。循環路１５は、タンク１４の底部に設けられる入口と、タンク１４の上部に設けられる出口とを有し、かかる入口から出口に向かって流れる循環流を形成する。なお、実施形態では、タンク１４に貯留される混合液Ｍの液面の上方に出口が配置される。

【0039】

循環路１５には、タンク１４を基準として、上流側から順に第１ポンプ１６と、開閉弁１７と、フィルタ１８と、第１ヒータ１９と、リン酸濃度センサ５２と、分岐部１５ａと、分岐部１５ｂと、バルブ２０とが設けられる。第１ヒータ１９は、加温部の一例である。

【0040】

第１ポンプ１６は、タンク１４から出て、循環路１５を通り、タンク１４に戻る混合液Ｍの循環流を形成する。

【0041】

フィルタ１８は、循環路１５内を循環する混合液Ｍに含まれるパーティクルなどの汚染物質を除去する。なお、循環路１５には、かかるフィルタ１８をバイパスするバイパス流路２１が設けられ、かかるバイパス流路２１には開閉弁２１ａが設けられる。

【0042】

そして、循環路１５に設けられる開閉弁１７とバイパス流路２１に設けられる開閉弁２１ａとを互い違いに開閉することにより、フィルタ１８を流れる循環流と、フィルタ１８をバイパスする循環流とのいずれかを形成することができる。

【0043】

第１ヒータ１９は、循環路１５内を循環する混合液Ｍを加温する。実施形態では、かかる第１ヒータ１９で混合液Ｍを加温することによって、タンク１４に貯留される混合液Ｍを加温する。

【0044】

リン酸濃度センサ５２は、循環路１５を循環する混合液Ｍのリン酸濃度を検出する。リン酸濃度センサ５２で生成された信号は、上述の制御部３に送信される。

【0045】

分岐部１５ａおよび分岐部１５ｂからは、それぞれ基板処理部３０の処理槽３１に混合液Ｍを送る送液路２２が分岐している。具体的には、分岐部１５ａからは処理槽３１の内槽３１ａに混合液Ｍを送る第１送液路２２ａが分岐し、分岐部１５ｂからは処理槽３１の外槽３１ｂに混合液Ｍを送る第２送液路２２ｂが分岐する。すなわち、送液路２２は、第１送液路２２ａおよび第２送液路２２ｂを有する。

【0046】

第１送液路２２ａには、第１流量調整器２３ａが設けられる。かかる第１流量調整器２３ａは、処理槽３１の内槽３１ａに供給される混合液Ｍの流量を調整する。第１流量調整器２３ａは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。

【0047】

第２送液路２２ｂには、上流側から順に、第２流量調整器２３ｂと、温度計５３と、分岐部２２ｂ１と、流量計５５と、定圧弁５６と、絞り弁５７と、分岐部２２ｂ２と、バルブ５８とが設けられる。

【0048】

第２流量調整器２３ｂは、処理槽３１の外槽３１ｂに供給される混合液Ｍの流量を調整する。第２流量調整器２３ｂは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。温度計５３は、第２送液路２２ｂを流れる混合液Ｍの温度を測定する。

【0049】

分岐部２２ｂ１からは、タンク１４に混合液Ｍを戻す第１帰還路２４ａが分岐している。かかる第１帰還路２４ａは、背圧弁５４を有する。背圧弁５４は、第１帰還路２４ａにおける背圧弁５４よりも上流側（たとえば、分岐部２２ｂ１）の圧力を調整する。

【0050】

流量計５５は、第２送液路２２ｂを流れる混合液Ｍの流量を測定する。流量計５５は、温度計５２で測定される混合液Ｍの温度に基づいて、混合液Ｍの流量を補正する。たとえば、制御部３は、温度計５２から得られた混合液Ｍの温度情報に基づいて、流量計５５から得られた混合液Ｍの流量情報を補正する。

【0051】

これにより、実施形態では、混合液Ｍの温度が室温から高温までの範囲で大きく変化した場合でも、流量計５５を流れる混合液Ｍの流量を精度よく測定することができる。

【0052】

定圧弁５６は、第２送液路２２ｂにおける定圧弁５６よりも下流側の圧力を調整する。絞り弁５７は、第２送液路２２ｂを流れる混合液Ｍの流量を調整する。

【0053】

分岐部２２ｂ２からは、タンク１４に混合液Ｍを戻す第２帰還路２４ｂが分岐している。このように、実施形態では、第１帰還路２４ａと第２帰還路２４ｂとで構成される帰還路２４が第２送液路２２ｂから分岐し、かかる帰還路２４が第２送液路２２ｂを流れる混合液Ｍをタンク１４に戻す。第２帰還路２４ｂは、バルブ５９を有する。

【0054】

制御部３は、バルブ５８とバルブ５９とを互い違いに開閉する。これにより、制御部３は、混合液Ｍを外槽３１ｂまたはタンク１４に切り替えて送液することができる。

【0055】

シリコン溶液供給部２５は、混合装置１０で生成された混合液Ｍにシリコン溶液を添加する。実施形態に係るシリコン溶液は、たとえば、コロイダルシリコンを分散させた溶液である。シリコン溶液供給部２５は、シリコン溶液供給源２５ａと、シリコン溶液供給路２５ｂと、流量調整器２５ｃとを有する。

【0056】

シリコン溶液供給源２５ａは、たとえば、シリコン溶液を貯留するタンクである。流量調整器２５ｃは、シリコン溶液供給路２５ｂに設けられ、シリコン溶液供給路２５ｂを流れるシリコン溶液の流量を調整する。シリコン溶液供給路２５ｂは、処理槽３１の外槽３１ｂに接続される。流量調整器２５ｃは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。

【0057】

基板処理部３０は、混合装置１０で生成されたエッチング液ＥにウェハＷを浸漬して、かかるウェハＷにエッチング処理を施す。

【0058】

基板処理部３０は、処理槽３１と、循環路３２と、ＤＩＷ供給部３３と、処理液排出部３４とを備える。処理槽３１は、内槽３１ａおよび外槽３１ｂを有する。

【0059】

内槽３１ａは、上部が開放され、エッチング液Ｅが上部付近まで供給される。かかる内槽３１ａでは、基板昇降機構３５で複数のウェハＷがエッチング液Ｅに浸漬され、ウェハＷにエッチング処理が行われる。かかる基板昇降機構３５は、昇降可能に構成され、複数のウェハＷを垂直姿勢で前後に並べて保持する。

【0060】

外槽３１ｂは、内槽３１ａの上部周囲に設けられるとともに、上部が開放される。外槽３１ｂには、内槽３１ａからオーバーフローしたエッチング液Ｅが流入する。

【0061】

外槽３１ｂには、第３液面センサＳ３が設けられる。これにより、外槽３１ｂに貯留される混合液Ｍやエッチング液Ｅの液面の高さを制御している。さらに、実施形態では、かかる第３液面センサＳ３を用いることにより、混合液Ｍの液量を秤量することができる。かかる混合液Ｍの秤量処理の詳細は後述する。

【0062】

内槽３１ａおよび外槽３１ｂには、混合装置１０から混合液Ｍが送液路２２を介して供給される。また、内槽３１ａには、シリコン溶液供給部２５からシリコン溶液が供給される。さらに、外槽３１ｂには、ＤＩＷ供給部３３からＤＩＷ（DeIonized Water：脱イオン水）が供給される。

【0063】

ＤＩＷ供給部３３は、ＤＩＷ供給源３３ａと、ＤＩＷ供給路３３ｂと、流量調整器３３ｃとを有する。ＤＩＷ供給部３３は、処理槽３１に貯留されるエッチング液Ｅの濃度を調整するため、外槽３１ｂにＤＩＷを供給する。

【0064】

ＤＩＷ供給路３３ｂは、ＤＩＷ供給源３３ａと外槽３１ｂとを接続し、ＤＩＷ供給源３３ａから外槽３１ｂに所定温度のＤＩＷを供給する。

【0065】

流量調整器３３ｃは、ＤＩＷ供給路３３ｂに設けられ、外槽３１ｂへ供給されるＤＩＷの供給量を調整する。流量調整器３３ｃは、開閉弁や流量制御弁、流量計などで構成される。流量調整器３３ｃによってＤＩＷの供給量が調整されることで、エッチング液Ｅの温度、リン酸濃度、シリコン濃度および析出抑制剤濃度が調整される。

【0066】

また、外槽３１ｂには、温度センサ３６とリン酸濃度センサ３７とが設けられる。温度センサ３６は、エッチング液Ｅの温度を検出し、リン酸濃度センサ３７は、エッチング液Ｅのリン酸濃度を検出する。温度センサ３６およびリン酸濃度センサ３７で生成された信号は、上述の制御部３に送信される。

【0067】

外槽３１ｂと内槽３１ａとは、循環路３２によって接続される。循環路３２の一端は外槽３１ｂの底部に接続され、循環路３２の他端は内槽３１ａ内に設置される処理液供給ノズル３８に接続される。

【0068】

循環路３２には、外槽３１ｂ側から順に、第２ポンプ３９と、フィルタ４０と、第２ヒータ４１と、シリコン濃度センサ４２とが設けられる。

【0069】

第２ポンプ３９は、外槽３１ｂから循環路３２を経て内槽３１ａに送られるエッチング液Ｅの循環流を形成する。また、エッチング液Ｅは、内槽３１ａからオーバーフローすることで、再び外槽３１ｂへと流出する。このようにして、基板処理部３０内にエッチング液Ｅの循環流が形成される。すなわち、かかる循環流は、外槽３１ｂ、循環路３２および内槽３１ａにおいて形成される。

【0070】

フィルタ４０は、循環路３２を循環するエッチング液Ｅを濾過する。第２ヒータ４１は、循環路３２を循環するエッチング液Ｅの温度を調整する。シリコン濃度センサ４２は、循環路３２を循環するエッチング液Ｅのシリコン濃度を検出する。シリコン濃度センサ４２で生成された信号は、制御部３に送信される。

【0071】

処理液排出部３４は、エッチング液Ｅを生成する際に貯留された混合液Ｍや、エッチング処理で使用されたエッチング液Ｅの全部、または一部を入れ替える際などに、混合液Ｍの液面やエッチング液ＥをドレインＤＲに排出する。処理液排出部３４は、排出路３４ａと、流量調整器３４ｂと、冷却タンク３４ｃとを有する。

【0072】

排出路３４ａは、循環路３２に接続される。流量調整器３４ｂは、排出路３４ａに設けられ、排出される混合液Ｍやエッチング液Ｅの排出量を調整する。流量調整器３４ｂは、開閉弁や流量制御弁、流量計などから構成される。

【0073】

冷却タンク３４ｃは、排出路３４ａを流れてきた混合液Ｍやエッチング液Ｅを一時的に貯留するとともに冷却する。冷却タンク３４ｃでは、流量調整器３４ｂによって混合液Ｍやエッチング液Ｅの排出量が調整される。

【0074】

＜基板処理の手順＞
つづいて、実施形態に係る基板処理の手順について、図２～図４を参照しながら説明する。図２および図３は、実施形態に係る処理槽３１に混合液Ｍを初回に送液する際の各種処理における基板処理システム１の各部の挙動パターンの具体例を示すタイミングチャートである。

【0075】

なお、図２は、処理槽３１に混合液Ｍを初回に送液する際の各種処理の前半部分を示し、図３は、処理槽３１に混合液Ｍを初回に送液する際の各種処理の後半部分を示している。

【0076】

図２および図３に示すように、実施形態では、混合処理と、加温処理と、フィルトレーション処理と、送液処理と、添加処理とが順に実施される。まず、制御部３は、時間Ｔ０からリン酸水溶液供給部１１を動作させて（ＯＮ状態にして）、タンク１４にリン酸水溶液を供給することにより、混合処理を開始する。

【0077】

なお、かかる時間Ｔ０の時点では、析出抑制剤供給部１２と、第１ポンプ１６と、第１ヒータ１９とは動作していない（ＯＦＦ状態である）。また、時間Ｔ０の時点では、開閉弁１７が閉状態であるとともに開閉弁２１ａが開状態であることから、フィルタ１８がバイパス流路２１でバイパスされている状態（フィルタバイパスがＯＮ状態）である。

【0078】

さらに、時間Ｔ０の時点では、第１流量調整器２３ａおよび第２流量調整器２３ｂは閉状態（ＯＦＦ状態）であり、タンク１４には何も貯留されていないことから、第１液面センサＳ１および第２液面センサＳ２からはＯＦＦ信号が出力される。

【0079】

そして、リン酸水溶液がタンク１４に所定の量供給された時間Ｔ１で、制御部３は、第１ポンプ１６を動作させて（ＯＮ状態にして）、循環路１５に循環流を形成する。

【0080】

次に、タンク１４に貯留されるリン酸水溶液の液面が徐々に上昇し、時間Ｔ２で液面が所定の第２高さ以上になると、第２液面センサＳ２からＯＮ信号が出力される。すると、制御部３は、時間Ｔ２から析出抑制剤供給部１２を動作させて（ＯＮ状態にして）、タンク１４に析出抑制剤を供給するとともに、リン酸水溶液供給部１１を停止する（ＯＦＦ状態にする）。

【0081】

次に、析出抑制剤がタンク１４に所定の量供給された時間Ｔ３で、制御部３は、析出抑制剤供給部１２を停止する（ＯＦＦ状態にする）とともに、リン酸水溶液供給部１１を動作させて（ＯＮ状態にして）、タンク１４にリン酸水溶液を供給する。

【0082】

次に、時間Ｔ４で混合液Ｍの液面が所定の第１高さ以上になると、第１液面センサＳ１からＯＮ信号が出力される。すると、制御部３は、リン酸水溶液がタンク１４に所定の量供給されたとみなし、時間Ｔ４でリン酸水溶液供給部１１を停止する（ＯＦＦ状態にする）。これにより、混合処理が完了し、リン酸および析出抑制剤が所与の濃度である混合液Ｍが混合装置１０内で生成される。

【0083】

このように、制御部３は、析出抑制剤をタンク１４に供給する前に、第１ポンプ１６を動作させる。これにより、析出抑制剤が供給される前に循環路１５に循環流を形成することができることから、リン酸水溶液と析出抑制剤との混合性を向上させることができる。

【0084】

また、制御部３は、リン酸水溶液と析出抑制剤とを同時にタンク１４に供給せず、それぞれ個別にタンク１４に供給する。これにより、析出抑制剤が所定の量供給される前に、第１液面センサＳ１からＯＮ信号が出力されることを抑制することができる。したがって、実施形態によれば、析出抑制剤をタンク１４に確実に所定の量供給することができる。

【0085】

つづいて、制御部３は、時間Ｔ４から第１ヒータ１９を動作させて（ＯＮ状態にして）、循環路１５内を循環する混合液Ｍを加温することにより、加温処理を開始する。制御部３は、かかる第１ヒータ１９で混合液Ｍを加温することによって、タンク１４に貯留される混合液Ｍを加温する。

【0086】

そして、混合液Ｍの温度が所与の温度になった時間Ｔ５で、加温処理が完了する。なお、実施形態に係る加温処理における所与の温度は、析出抑制剤に含まれる有機溶媒の沸点よりも高い温度であり、たとえば、１７０（℃）程度である。

【0087】

そして、実施形態では、第１ヒータ１９を混合装置１０の循環路１５に設けることにより、混合液Ｍを効率的に加温することができる。

【0088】

なお、実施形態に係る基板処理では、混合処理が完了した後に加温処理を開始している。これは、加温されて温度が上昇したリン酸水溶液に有機溶剤を含んだ析出抑制剤を供給すると、かかる析出抑制剤が突沸してしまう恐れがあるからである。

【0089】

すなわち、実施形態によれば、混合処理が完了した後に加温処理を開始することにより、供給の際に析出抑制剤が突沸することを抑制することができる。

【0090】

つづいて、制御部３は、時間Ｔ５からフィルタバイパスをＯＦＦ状態にすることにより、フィルトレーション処理を開始する。すなわち、制御部３は、時間Ｔ５から開閉弁１７を開状態に変更するとともに開閉弁２１ａを閉状態に変更して、フィルタ１８を流れる循環流を循環路１５に形成する。

【0091】

これにより、混合液Ｍに含まれるパーティクルなどの汚染物質が除去される。そして、混合液Ｍに含まれるパーティクルなどの汚染物質が十分に除去された時間Ｔ６で、フィルトレーション処理が完了する。

【0092】

なお、制御部３は、フィルトレーション処理が完了した時間Ｔ６で、第１ヒータ１９を停止させる（ＯＦＦ状態にする）。これにより、混合装置１０内の混合液Ｍのリン酸濃度が所望の濃度よりも高くなることを抑制することができる。

【0093】

また、実施形態に係る基板処理では、混合処理および加温処理でフィルタバイパスをＯＮ状態にしている。これにより、循環路１５において、フィルタ１８で発生する圧力損失を低減することができることから、タンク１４に貯留された混合液Ｍを効率よく循環させることができる。

【0094】

なお、加温処理が完了するまでは、フィルタ１８で混合液Ｍを濾過する必要はないことから、バイパス流路２１を介して循環させたとしても特に問題はない。

【0095】

つづいて、制御部３は、時間Ｔ６から送液処理を開始する。具体的には、制御部３は、時間Ｔ６から第１流量調整器２３ａを開状態にする（ＯＮ状態にする）。なお、第２流量調整器２３ｂは閉状態を維持する。また、図２などには図示していないが、制御部３は、時間Ｔ６で、循環路１５のバルブ２０を開状態から閉状態に変更する。

【0096】

これにより、制御部３は、循環路１５および第１送液路２２ａを介して、混合装置１０から基板処理部３０の内槽３１ａに混合液Ｍを送液する。また、制御部３は、図３に示すように、時間Ｔ６から内槽３１ａに設けられる攪拌機構（たとえばバブリング機構、図１には図示せず）を動作させる（ＯＮ状態にする）。

【0097】

そして、処理槽３１への送液処理が開始され、外槽３１ｂ内の混合液Ｍが増加すると、時間Ｔ７で外槽３１ｂに貯留される混合液Ｍの液面が所定の第３高さ以上になる。これにより、第３液面センサＳ３からＯＮ信号が出力される。

【0098】

次に、混合液Ｍが処理槽３１に所定の量供給された時間Ｔ８で、第１ポンプ１６を停止する（ＯＦＦ状態にする）とともに、第１流量調整器２３ａを閉状態にする（ＯＦＦ状態にする）。これにより、処理槽３１への混合液Ｍの供給が停止され、送液処理が完了する。なお、制御部３は、時間Ｔ８でフィルタバイパスをＯＮ状態にする。

【0099】

つづいて、制御部３は、時間Ｔ８からシリコン溶液の添加処理を開始する。まず、制御部３は、時間Ｔ８から循環路３２の第２ポンプ３９および第２ヒータ４１を動作させる（ＯＮ状態にする）。

【0100】

このように、循環路３２で混合液Ｍを循環させながら加温することにより、制御部３は、処理槽３１内の混合液Ｍの温度およびリン酸濃度を所定の値に調整する。

【0101】

次に、処理槽３１内における混合液Ｍの温度およびリン酸濃度を所定の値になった（温度濃度センサ：ＯＮ）時間Ｔ９で、制御部３は、処理槽３１の攪拌機構を停止させる（ＯＦＦ状態にする）。これにより、制御部３は、内槽３１ａに貯留される混合液Ｍの液面を安定させる。

【0102】

次に、時間Ｔ９から所定の時間経過し、内槽３１ａに貯留される混合液Ｍの液面が安定した時間Ｔ１０で、制御部３は、処理液排出部３４を動作させる（ＯＮ状態にする）。これにより、制御部３は、外槽３１ｂに貯留される混合液Ｍの液面を下降させる。

【0103】

次に、外槽３１ｂに貯留される混合液Ｍの液面が所定の第３高さよりも低くなり、第３液面センサＳ３からＯＦＦ信号が出力された時間Ｔ１１で、制御部３は、処理液排出部３４を停止させる（ＯＦＦ状態にする）。

【0104】

ここで、外槽３１ｂでは混合液Ｍの液面が所定の第３高さと略等しくなり、内槽３１ａは混合液Ｍで満たされていることから、制御部３は、処理槽３１全体に貯留される混合液Ｍを所定の値に秤量することができる。したがって、実施形態によれば、エッチング液Ｅを生成する際の混合液Ｍの量を精度よく調整することができる。

【0105】

次に、混合液Ｍが処理槽３１に所定の量供給された時間Ｔ１１で、制御部３は、シリコン溶液供給部２５を動作させる（ＯＮ状態にする）とともに、処理槽３１の攪拌機構を動作させる（ＯＮ状態にする）。これにより、制御部３は、シリコン溶液供給路２５ｂを介して基板処理部３０の内槽３１ａにシリコン溶液を送液する。

【0106】

そして、外槽３１ｂ内の液量が増加すると、時間Ｔ１２で外槽３１ｂに貯留される混合液Ｍの液面が所定の第３高さ以上になる。これにより、第３液面センサＳ３からＯＮ信号が出力される。

【0107】

次に、シリコン溶液が所定の量送液された時間Ｔ１３で、制御部３は、シリコン溶液供給部２５を停止させる（ＯＦＦ状態にする）。さらに、制御部３は、時間Ｔ１３から所定の時間経過した時間Ｔ１４まで処理槽３１の攪拌機構を動作させて、シリコン溶液の添加処理が完了する。

【0108】

ここまで説明した処理によって、制御部３は、処理槽３１に混合液Ｍを初回に送液する際に、所望のシリコン濃度を有するエッチング液Ｅを処理槽３１に準備することができる。したがって、実施形態によれば、ウェハＷに対するエッチング処理の開始時点から、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜のエッチングの選択比を向上させることができる。

【0109】

また、実施形態において、制御部３は、混合液Ｍとシリコン溶液とをいずれも処理槽３１の内槽３１ａに供給する。これにより、実施形態では、内槽３１ａから外槽３１ｂにオーバーフローさせながら混合液Ｍとシリコン溶液とを混合することができることから、混合液Ｍとシリコン溶液との混合性を向上させることができる。

【0110】

図４は、実施形態に係る処理槽３１のエッチング液Ｅのシリコン濃度を調整する際の各種処理における基板処理システム１の各部の挙動パターンの具体例を示すタイミングチャートである。

【0111】

この図４では、処理槽３１でウェハＷに対するエッチング処理が開始され、エッチング液ＥにウェハＷからシリコンが溶出される際に送液される混合液Ｍの準備および送液処理について説明する。

【0112】

まず、制御部３は、時間Ｔ２０からリン酸水溶液供給部１１を動作させて（ＯＮ状態にして）、タンク１４にリン酸水溶液を供給することにより、混合処理を開始する。

【0113】

なお、かかる時間Ｔ２０の時点では、析出抑制剤供給部１２と、シリコン溶液供給部２５と、第１ポンプ１６と、第１ヒータ１９とは動作していない（ＯＦＦ状態である）。また、時間Ｔ２０の時点では、フィルタ１８がバイパス流路２１でバイパスされている状態（フィルタバイパスがＯＮ状態）であり、背圧弁５４は全開状態である。

【0114】

さらに、時間Ｔ２０の時点では、第１流量調整器２３ａおよび第２流量調整器２３ｂは閉状態（ＯＦＦ状態）であり、タンク１４には何も貯留されていないことから、第１液面センサＳ１および第２液面センサＳ２からはＯＦＦ信号が出力される。

【0115】

そして、リン酸水溶液がタンク１４に所定の量供給された時間Ｔ２１で、制御部３は、第１ポンプ１６を動作させて（ＯＮ状態にして）、循環路１５に循環流を形成する。

【0116】

次に、タンク１４に貯留されるリン酸水溶液の液面が徐々に上昇し、時間Ｔ２２で液面が所定の第２高さ以上になると、第２液面センサＳ２からＯＮ信号が出力される。すると、制御部３は、時間Ｔ２２から析出抑制剤供給部１２を動作させて（ＯＮ状態にして）、タンク１４に析出抑制剤を供給するとともに、リン酸水溶液供給部１１を停止する（ＯＦＦ状態にする）。

【0117】

次に、析出抑制剤がタンク１４に所定の量供給された時間Ｔ２３で、制御部３は、析出抑制剤供給部１２を停止する（ＯＦＦ状態にする）とともに、リン酸水溶液供給部１１を動作させて（ＯＮ状態にして）、タンク１４にリン酸水溶液を供給する。

【0118】

次に、時間Ｔ２４で混合液Ｍの液面が所定の第１高さ以上になると、第１液面センサＳ１からＯＮ信号が出力される。すると、制御部３は、リン酸水溶液がタンク１４に所定の量供給されたとみなし、時間Ｔ２４でリン酸水溶液供給部１１を停止する（ＯＦＦ状態にする）。

【0119】

これにより、混合処理が完了し、リン酸および析出抑制剤が所与の濃度である混合液Ｍが混合装置１０内で生成される。

【0120】

つづいて、制御部３は、時間Ｔ２４から第１ヒータ１９を動作させて（ＯＮ状態にして）、循環路１５内を循環する混合液Ｍを加温することにより、加温処理を開始する。制御部３は、かかる第１ヒータ１９で混合液Ｍを加温することによって、タンク１４に貯留される混合液Ｍを加温する。そして、混合液Ｍの温度が所与の温度になった時間Ｔ２５で、加温処理が完了する。

【0121】

つづいて、制御部３は、時間Ｔ２５からフィルタバイパスをＯＦＦ状態にすることにより、フィルトレーション処理を開始する。これにより、混合液Ｍに含まれるパーティクルなどの汚染物質が除去される。そして、混合液Ｍに含まれるパーティクルなどの汚染物質が十分に除去された時間Ｔ２６で、フィルトレーション処理が完了する。

【0122】

つづいて、制御部３は、時間Ｔ２６から送液処理を開始する。具体的には、制御部３は、時間Ｔ６から第２流量調整器２３ｂを開状態にする（ＯＮ状態にする）とともに、背圧弁５４を絞り状態にする。なお、第１流量調整器２３ａは閉状態を維持する。また、図４には図示していないが、制御部３は、時間Ｔ２６で、循環路１５のバルブ２０を開状態から閉状態に変更する。

【0123】

これにより、制御部３は、循環路１５および第２送液路２２ｂを介して、混合装置１０から基板処理部３０の外槽３１ｂに混合液Ｍを送液する。すると、タンク１４内の混合液Ｍが減少して、時間Ｔ２７で液面が所定の第１高さより低くなる。これにより、第１液面センサＳ１からＯＦＦ信号が出力される。

【0124】

ここで、実施形態では、制御部３が、シリコン濃度センサ４２から得られる処理槽３１内のエッチング液Ｅのシリコン濃度に基づいて、処理槽３１内のシリコン濃度を常に一定または一定以下に保つ制御を実施する。

【0125】

たとえば、処理槽３１内のエッチング液Ｅのシリコン濃度が所与のしきい値よりも高くなった場合、制御部３は、流量調整器３４ｂを開状態にして高いシリコン濃度のエッチング液Ｅを排出するとともに、排出されたエッチング液Ｅと同じ量の混合液Ｍを供給する。

【0126】

そして、実施形態では、混合液Ｍの混合処理が混合装置１０で完了していることから、シリコン溶液が含まれない混合液Ｍを必要な際に処理槽３１に供給することができる。

【0127】

これにより、制御部３は、処理槽３１内のエッチング液Ｅの貯留量を一定に保つとともに、処理槽３１内のエッチング液Ｅのシリコン濃度を低下させることができる。したがって、実施形態によれば、処理槽３１内のシリコン濃度を常に一定または一定以下に保つことができる。

【0128】

また、実施形態では、制御部３が、シリコン溶液を含まない混合液Ｍを処理槽３１に供給することができる。これにより、ウェハＷ内のシリコン窒化膜からシリコンが溶出してエッチング液Ｅのシリコン濃度が過剰になる際に、エッチング液Ｅのシリコン濃度を速やかに所定の濃度に抑えることができる。

【0129】

また、実施形態では、生成された混合液Ｍに個別にシリコン溶液を供給してエッチング液Ｅを生成することにより、基板処理部３０に供給される混合液Ｍのシリコン濃度を広い範囲で調整することができる。

【0130】

すなわち、混合液Ｍに所定のシリコン濃度が必要な場合（たとえば、初回送液時）には、シリコン溶液供給部２５を動作させることにより、シリコン溶液が含まれる混合液Ｍを処理槽３１に供給することができる。

【0131】

一方で、混合液Ｍに所定のシリコン濃度が必要ない場合（たとえば、シリコン濃度の調整時）には、シリコン溶液供給部２５を動作させないことにより、シリコン溶液が含まれない混合液Ｍを処理槽３１に供給することができる。

【0132】

また、実施形態では、エッチング液Ｅのシリコン濃度を調整する際に、送液される混合液Ｍのリン酸濃度を循環路１５のリン酸濃度センサ５２で検出しながら調整処理を実施する。すなわち、実施形態では、リン酸濃度センサ５２で混合液Ｍの送液量をフィードバック制御する。

【0133】

これにより、エッチング液Ｅのリン酸濃度をより安定させることができることから、エッチング液ＥによるウェハＷのエッチング処理をさらに適切に実施することができる。

【0134】

また、実施形態では、混合装置１０で加温処理が完了した混合液Ｍを処理槽３１に供給するとよい。これにより、混合液Ｍが供給された処理槽３１でエッチング液Ｅの温度が低下することを抑制することができる。

【0135】

したがって、実施形態によれば、処理槽３１で安定したエッチング処理を実施することができる。

【0136】

また、実施形態では、制御部３が、処理槽３１において混合液Ｍの供給が不要である場合に、第２送液路２２ｂを流れる混合液Ｍを第２帰還路２４ｂからタンク１４に戻すとよい。

【0137】

すなわち、制御部３は、処理槽３１において混合液Ｍの供給が不要である場合に、バルブ５８を閉状態に変更するとともにバルブ５９を開状態に変更して、混合液Ｍを循環路１５、第２送液路２２ｂおよび第２帰還路２４ｂを用いて循環させるとよい。

【0138】

これにより、第２送液路２２ｂから混合液Ｍが外槽３１ｂに吐出される状態（すなわち、混合液Ｍの供給が必要な状態）と、第２送液路２２ｂから混合液Ｍが外槽３１ｂに吐出されない状態（すなわち、混合液Ｍの供給が不要な状態）とを揃えることができる。

【0139】

したがって、実施形態によれば、混合液Ｍをより精度よく吐出することができることから、処理槽３１内のシリコン濃度を常に一定または一定以下に保つ処理をより精度よく実施することができる。

【0140】

また、実施形態では、第２帰還路２４ｂに加えて、第１帰還路２４ａからも第２送液路２２ｂを流れる混合液Ｍをタンク１４に戻すとよい。

【0141】

これにより、第２送液路２２ｂを流れる混合液Ｍの流量を増加させることができることから、第１ヒータ１９で混合液Ｍを加温する際に最低限必要となる混合液Ｍの流量を確保することができる。したがって、実施形態によれば、混合液Ｍを安定的に加温することができる。

【0142】

また、実施形態では、制御部３が、混合液Ｍの送液処理の際に、背圧弁５４を絞り状態にするとよい。これにより、制御部３は、第２送液路２２ｂにおける分岐部２２ｂ１の圧力を高めることができることから、分岐部２２ｂ１から第２送液路２２ｂおよび第２帰還路２４ｂを介して混合液Ｍをタンク１４に戻すために必要な圧力を確保することができる。

【0143】

なお、実施形態では、第２送液路２２ｂから外槽３１ｂに吐出される混合液Ｍの流量を調整する場合に、絞り弁５７を用いて流量の粗調整を行ない、流量計５５および定圧弁５６を用いて流量の微調整を行っている。

【0144】

ここで、実施形態では、定圧弁５６で流量計５５内の混合液Ｍの圧力をフィードバック制御することにより、流量計５５内の混合液Ｍの流量を一定に保つとよい。これにより、混合液Ｍをより正確な量吐出することができることから、処理槽３１内のシリコン濃度を常に一定または一定以下に保つ処理をより正確に実施することができる。

【0145】

また、実施形態では、制御部３が、エッチング液Ｅのシリコン濃度を調整する際に、混合液Ｍを内槽３１ａではなく外槽３１ｂに供給するとよい。これにより、ウェハＷが処理されている内槽３１ａに直接混合液Ｍを供給する場合に比べて、内槽３１ａのエッチング液Ｅのシリコン濃度が急激に変化することを抑制することができる。

【0146】

したがって、実施形態によれば、ウェハＷのエッチング処理をさらに安定して実施することができる。

【0147】

また、実施形態では、送液路２２（第１送液路２２ａおよび第２送液路２２ｂ）が循環路１５から分岐して設けられる。これにより、混合処理や加温処理の際に用いられる第１ポンプ１６によって混合液Ｍを処理槽３１に送液することができる。

【0148】

すなわち、実施形態では、混合液Ｍの送液処理のために別途送液路２２にポンプを備える必要がなくなることから、低コストで混合液Ｍを送液することができる。

【0149】

＜排気部の詳細＞
つづいて、実施形態に係る混合装置１０に設けられる排気部６０の構成および動作の詳細について、図５および図６を参照しながら説明する。図５は、実施形態に係る基板処理システム１の排気部６０の構成を示す概略ブロック図である。

【0150】

図５に示すように、実施形態に係る排気部６０は、排気ファン６１と、排気ダクト６２と、ミストトラップ６３と、給気ライン６４と、給気ファン６５と、ガス濃度計６６、６７とを備える。

【0151】

排気ファン６１は、混合装置１０内の気体を排気する。排気ファン６１は、たとえば、混合装置１０のタンク１４（図１参照）に隣接して配置され、タンク１４から蒸発する蒸気などが含まれる混合装置１０内の気体を、排気ダクト６２に向けて排気する。また、制御部３（図１参照）は、かかる排気ファン６１の回転数を所望の値に制御することができる。

【0152】

排気ダクト６２は、混合装置１０内から排気される気体を導く。排気ダクト６２は、たとえば、基板処理システム１が設置される工場に設けられる排気設備（以下、工場大元とも呼称する。）と混合装置１０との間に配置され、かかる混合装置１０内から排気される気体を工場大元に導く。

【0153】

なお、工場の排気設備（工場大元）は大気圧よりも低い陰圧になるように制御される。そのため、かかる工場大元に接続される混合装置１０の内部も陰圧になるように制御されるとともに、排気ファン６１が仮に動作しない場合でも、混合装置１０内の気体は工場大元によって吸引される。

【0154】

ミストトラップ６３は、混合装置１０内から排気され、排気ダクト６２内を流れる気体に含まれるミストを除去する。ミストトラップ６３は、たとえば、排気ダクト６２の工場大元側に配置される。

【0155】

給気ライン６４は、排気ダクト６２に接続され、かかる排気ダクト６２内の可燃ガスを希釈する希釈ガスを供給する。給気ライン６４は、たとえば、排気ダクト６２と基板処理システム１の周囲との間に接続される。そして、給気ライン６４は、希釈ガスとして、可燃ガスが含まれない基板処理システム１の周囲の雰囲気を、排気ダクト６２に供給する。

【0156】

なお、給気ライン６４から供給される希釈ガスは、基板処理システム１の周囲の雰囲気に限られず、たとえば、工場用力から供給される不活性ガスや空気などであってもよい。

【0157】

給気ファン６５は、給気ライン６４から排気ダクト６２に供給される希釈ガスの供給量を調整する。給気ファン６５は、たとえば、給気ライン６４の上流側に配置され、基板処理システム１の周囲の雰囲気を排気ダクト６２に向けて供給する。また、制御部３は、かかる給気ファン６５の回転数を所望の値に制御することができる。

【0158】

ガス濃度計６６は、排気ダクト６２に設けられ、かかる排気ダクト６２内を流れる気体の可燃ガス濃度を測定する。また、ガス濃度計６７は、混合装置１０に設けられ、かかる混合装置１０内の気体の可燃ガス濃度を測定する。

【0159】

図６は、実施形態に係る混合装置１０において混合液Ｍを送液する際の各種処理における排気部６０の各部の挙動パターンの具体例を示すタイミングチャートである。この図６では、混合装置１０で混合液Ｍが準備され処理槽３１に送液される際に、排気部６０で実施される排気処理の詳細について説明する。

【0160】

上述したように、制御部３（図１参照）は、混合装置１０（図１参照）において、時間Ｔ０から時間Ｔ４までの間、リン酸水溶液と析出抑制剤とを混合して混合液Ｍ（図１参照）を生成する混合処理を実施する。

【0161】

かかる混合処理の際には、混合液Ｍの温度が室温であることから、混合液Ｍ内の析出抑制剤に含まれる有機溶媒はほとんど蒸発しない。そのため、図６に示すように、排気ダクト６２を流れる気体の可燃ガス濃度は、非常に低い濃度Ｃ０となる。

【0162】

ここで、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が濃度Ｃ０である場合、排気部６０を積極的に動作させて混合装置１０内から可燃ガスを排気する必要はないとみなす。

【0163】

そして、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が濃度Ｃ０である場合、制御部３は、排気ファン６１の回転数を最低レベルの回転数Ｒ０に制御するとともに、給気ファン６５の回転数を最低レベルの回転数Ｒ３に制御する。

【0164】

これにより、排気部６０を積極的に動作させる必要が無い場合に、工場大元に余分な負荷をかけることを抑制することができる。

【0165】

かかる混合処理につづいて、制御部３は、混合装置１０において、時間Ｔ４から混合液Ｍを加温する加温処理を実施する。かかる加温処理の際には、混合液Ｍが加温されることから、混合液Ｍ内の析出抑制剤に含まれる有機溶媒が蒸発する。

【0166】

そのため、混合装置１０内の気体の可燃ガス濃度が徐々に上昇することから、排気ダクト６２を流れる気体の可燃ガス濃度は、濃度Ｃ０から徐々に上昇する。

【0167】

ここで、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が濃度Ｃ０よりも高くなった場合に、混合装置１０で生成される混合液Ｍに有機溶媒が残っているとみなす。

【0168】

そして、混合装置１０で生成される混合液Ｍに有機溶媒が残っているとみなされた場合、制御部３は、ガス濃度計６７で測定される混合装置１０内の可燃ガス濃度（図示せず）に応じて、排気ファン６１の回転数を回転数Ｒ０から増加させる。たとえば、制御部３は、混合装置１０内の可燃ガス濃度が高くなるにしたがい、排気ファン６１の回転数を増加させる。

【0169】

これにより、タンク１４（図１参照）内の混合液Ｍに残る有機溶媒の蒸発を促進させることができる。

【0170】

また、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が濃度Ｃ０よりも高くなった場合、かかる排気ダクト６２内の可燃ガス濃度に応じて、給気ファン６５の回転数を回転数Ｒ３から増加させる。たとえば、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が高くなるにしたがい、給気ファン６５の回転数を増加させる。

【0171】

これにより、排気ダクト６２内に供給される希釈ガスの量が増加することから、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が、所与のしきい濃度Ｃｔｈよりも高くなることを抑制することができる。

【0172】

かかるしきい濃度Ｃｔｈは、可燃ガスの爆発下限界（ＬＥＬ：Lower Explosion Limit）よりも低い値であり、たとえば、２５％ＬＥＬよりも低い値である。

【0173】

つづいて、混合液Ｍの温度が所与の温度に達した時間Ｔ４ａにおいて、混合液Ｍから蒸発する有機溶媒の蒸発量がほぼ一定となる。そこで、制御部３は、かかる時間Ｔ４ａにおいて、排気ファン６１の回転数を回転数Ｒ０よりも大きい所与の回転数Ｒ２に設定するとともに、給気ファン６５の回転数を回転数Ｒ３よりも大きい所与の回転数Ｒ５に設定する。

【0174】

これにより、混合液Ｍからの可燃ガスの発生量と給気ライン６４から供給される希釈ガスの供給量とが一定となることから、有機溶媒の蒸発が継続する時間Ｔ４ａから時間Ｔ４ｂまでの間、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度はしきい濃度Ｃｔｈで維持される。

【0175】

換言すると、制御部３は、混合液Ｍの温度が所与の温度である場合に、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度がしきい濃度Ｃｔｈとなるように、混合装置１０から排気ダクト６２に供給（排気）される可燃ガスの量を排気ファン６１で調整する。

【0176】

さらに、制御部３は、混合液Ｍの温度が所与の温度である場合に、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度がしきい濃度Ｃｔｈとなるように、給気ライン６４から排気ダクト６２に供給される希釈ガスの量を給気ファン６５で調整する。

【0177】

すなわち、実施形態では、排気部６０に排気ファン６１を設けることで、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度がしきい濃度Ｃｔｈ以下となるように、混合装置１０から排気ダクト６２に排気される可燃ガスの量を排気ファン６１で調整することができる。

【0178】

したがって、実施形態によれば、混合装置１０から排気されて、排気ダクト６２内を流れる気体中の可燃ガス濃度を低減することができる。

【0179】

また、実施形態では、排気部６０に給気ライン６４および給気ファン６５を設けることで、混合装置１０から排気ダクト６２に排気される可燃ガスを希釈ガスで希釈することができる。

【0180】

したがって、実施形態によれば、混合装置１０から排気されて、排気ダクト６２内を流れる気体中の可燃ガス濃度をさらに低減することができる。

【0181】

また、時間Ｔ４ａから時間Ｔ４ｂまでの間、突発的に有機溶媒の蒸発量が増加し、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度がしきい濃度Ｃｔｈよりも高くなったとする。この場合、制御部３は、排気ファン６１の回転数を回転数Ｒ２よりも減少させるとともに、給気ファン６５の回転数を回転数Ｒ５よりも増加させる。

【0182】

これにより、排気ダクト６２への可燃ガスの供給量を減少させることができるとともに、希釈ガスの供給量を増加させることができることから、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度をしきい濃度Ｃｔｈ以下に戻すことができる。

【0183】

すなわち、実施形態では、制御部３が、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度がしきい濃度Ｃｔｈ以下となるように、排気ダクト６２に供給される可燃ガスの量を排気ファン６１で調整すると共に、排気ダクト６２に供給される希釈ガスの量を給気ファン６５で調整する。

【0184】

これにより、混合装置１０から排気された可燃ガスによって、排気ダクト６２内で爆発等が発生することを防止することができる。

【0185】

つづいて、混合液Ｍから有機溶媒がすべて蒸発した時間Ｔ４ｂにおいて、排気ダクト６２を流れる気体の可燃ガス濃度は、しきい濃度Ｃｔｈから徐々に低下する。

【0186】

ここで、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度がしきい濃度Ｃｔｈから徐々に低下した場合に、混合装置１０で生成される混合液Ｍに有機溶媒が残っていないとみなす。

【0187】

そして、混合装置１０で生成される混合液Ｍに有機溶媒が残っていないとみなされた場合、制御部３は、ガス濃度計６７で測定される混合装置１０内の可燃ガス濃度に応じて、排気ファン６１の回転数を回転数Ｒ２から減少させる。たとえば、制御部３は、混合装置１０内の可燃ガス濃度が低くなるにしたがい、排気ファン６１の回転数を減少させる。

【0188】

また、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度がしきい濃度Ｃｔｈから徐々に低下した場合、かかる排気ダクト６２内の可燃ガス濃度に応じて、給気ファン６５の回転数を回転数Ｒ５から減少させる。たとえば、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が低くなるにしたがい、給気ファン６５の回転数を減少させる。

【0189】

これにより、混合液Ｍから有機溶媒がすべて蒸発したため、排気部６０を最大出力で動作させる必要が無い場合に、工場大元に余分な負荷をかけることを抑制することができる。

【0190】

また、実施形態では、制御部３が、ここまで説明したように、混合装置１０内の混合液Ｍに有機溶媒が残っているか否かを、ガス濃度計６６で測定される排気ダクト６２内の可燃ガス濃度に基づいて判定するとよい。

【0191】

これにより、混合装置１０のタンク１４に別途有機溶媒の有無を検出するセンサを設けることなく、混合装置１０内の混合液Ｍに有機溶媒が残っているか否かを判定することができることから、基板処理システム１のコストを低減することができる。

【0192】

そして、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が最低レベルの濃度Ｃ０に戻った時間Ｔ５で、混合装置１０の加温処理が完了する。

【0193】

かかる加温処理につづいて、制御部３は、時間Ｔ５から混合液Ｍを処理槽３１に送液する送液処理を実施する。かかる送液処理の際には、タンク１４内の混合液Ｍの温度および濃度を一定に保つため、混合装置１０内は所与の陰圧（たとえば、－９０Ｐａ）に維持されるとよい。

【0194】

そこで、実施形態では、混合装置１０内を所与の陰圧に保持するため、制御部３が、排気ファン６１の回転数を所与の回転数Ｒ１で維持するとともに、給気ファン６５の回転数を所与の回転数Ｒ４で維持する。

【0195】

かかる回転数Ｒ１は、回転数Ｒ０よりも大きく、回転数Ｒ２よりも小さい。また、回転数Ｒ４は、回転数Ｒ３よりも大きく、回転数Ｒ５よりも小さい。

【0196】

換言すると、制御部３は、送液処理の際に混合装置１０内の圧力が所与の陰圧となるように、混合装置１０から排気ダクト６２に排気される気体の量を排気ファン６１で調整し、給気ライン６４から排気ダクト６２に供給される気体の量を給気ファン６５で調整する。

【0197】

これにより、送液処理の際に送液される混合液Ｍの温度および濃度を一定に保つことができることから、基板処理システム１での液処理を安定して実施することができる。

【0198】

そして、時間Ｔ８で、処理槽３１への混合液Ｍの供給が停止され、送液処理が完了する。さらに、時間Ｔ８以降には、混合装置１０において再度混合処理が開始される。

【0199】

そして、上述のように、混合処理では排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が濃度Ｃ０であることから、制御部３は、排気ファン６１の回転数を回転数Ｒ０に制御するとともに、給気ファン６５の回転数を回転数Ｒ３に制御する。

【0200】

なお、実施形態では、加温処理にて混合液Ｍの温度を上昇させる際に、混合装置１０内の可燃ガス濃度に応じて排気ファン６１の回転数を増加させる例について示したが、本開示はかかる例に限られない。

【0201】

たとえば、実施形態では、加温処理にて混合液Ｍの温度を上昇させる際に、かかる混合液Ｍの温度に応じて排気ファン６１の回転数を増加させてもよい。これによっても、タンク１４内の混合液Ｍに残る有機溶媒の蒸発を促進させることができる。

【0202】

また、実施形態では、混合処理などで混合液Ｍの温度が室温である場合に、排気ファン６１の回転数を最低レベルの回転数Ｒ０に維持するとよい。これにより、排気部６０を積極的に動作させる必要が無い場合に、工場大元に余分な負荷をかけることを抑制することができる。

【0203】

＜変形例＞
つづいて、実施形態に係る基板処理システム１の各種変形例について、図７～図１１を参照しながら説明する。図７は、実施形態の変形例に係る基板処理システム１の構成を示す概略ブロック図である。なお、以下の各種変形例では、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。

【0204】

図７に示すように、変形例に係る基板処理システム１には、複数の処理槽３１（図１参照）に対して複数の混合装置１０（図１参照）が設けられる。

【0205】

図７の例では、３つの処理槽３１Ａ～３１Ｃに対して３つの混合装置１０Ａ～１０Ｃが設けられる。なお、以降の説明では、複数の混合装置１０Ａ～１０Ｃを総称して「混合装置１０」とも呼称し、複数の処理槽３１Ａ～３１Ｃを総称して「処理槽３１」とも呼称する。

【0206】

混合装置１０Ａと処理槽３１Ａ～３１Ｃとの間には３つに分岐した送液路２２Ａがそれぞれ接続され、かかる送液路２２Ａを介して混合装置１０Ａから処理槽３１Ａ～３１Ｃに個別に混合液Ｍが送液される。

【0207】

また、３つに分岐した送液路２２Ａにそれぞれ接続される帰還路２４Ａを介して、混合液Ｍが混合装置１０Ａのタンク１４（図１参照）に戻される。

【0208】

混合装置１０Ｂと処理槽３１Ａ～３１Ｃとの間には３つに分岐した送液路２２Ｂがそれぞれ接続され、かかる送液路２２Ｂを介して混合装置１０Ｂから処理槽３１Ａ～３１Ｃに個別に混合液Ｍが送液される。

【0209】

また、３つに分岐した送液路２２Ｂにそれぞれ接続される帰還路２４Ｂを介して、混合液Ｍが混合装置１０Ｂのタンク１４に戻される。

【0210】

混合装置１０Ｃと処理槽３１Ａ～３１Ｃとの間には３つに分岐した送液路２２Ｃがそれぞれ接続され、かかる送液路２２Ｃを介して混合装置１０Ｃから処理槽３１Ａ～３１Ｃに個別に混合液Ｍが送液される。

【0211】

また、３つに分岐した送液路２２Ｃにそれぞれ接続される帰還路２４Ｃを介して、混合液Ｍが混合装置１０Ｃのタンク１４に戻される。

【0212】

なお、変形例において、送液路２２Ａ～２２Ｃはいずれも、図１に示した第１送液路２２ａおよび第２送液路２２ｂを有し、帰還路２４Ａ～２４Ｃはいずれも、図１に示した第１帰還路２４ａおよび第２帰還路２４ｂを有する。

【0213】

また、処理槽３１Ａ～３１Ｃにはシリコン溶液供給部２５がそれぞれ接続され、かかるシリコン溶液供給部２５を介してシリコン溶液が処理槽３１Ａ～３１Ｃに個別に供給される。

【0214】

さらに、混合装置１０Ａ～１０Ｃにリン酸水溶液を供給するリン酸水溶液供給部１１には、リン酸水溶液供給源１１ａの下流側に、バッファタンク１１ｄが設けられる。変形例では、かかるバッファタンク１１ｄを設けることにより、複数の混合装置１０Ａ～１０Ｃで用いられるリン酸水溶液を必要なタイミングで必要な量だけ十分に供給することができる。

【0215】

なお、変形例において、リン酸水溶液供給部１１に十分なリン酸水溶液の供給能力がある場合には、必ずしもリン酸水溶液供給部１１にバッファタンク１１ｄが設けられなくともよい。

【0216】

図８は、実施形態の変形例に係る基板処理システム１の各部の処理フローの具体例を示す図である。

【0217】

図８に示すように、制御部３（図１参照）は、まず、混合装置１０Ａにおいて、図２に示した混合処理と、加温処理と、フィルトレーション処理（図８には図示せず）とを順に実施する。これにより、制御部３は、混合装置１０Ａにおいて混合液Ｍを準備する。

【0218】

次に、制御部３は、準備された混合液Ｍを混合装置１０Ａから処理槽３１Ａに送液する。そして、混合装置１０Ａからの混合液Ｍの送液処理が完了すると、制御部３は、シリコン溶液供給部２５からシリコン溶液を処理槽３１Ａに供給し、図３に示したシリコン溶液の添加処理を実施する。

【0219】

ここまで説明した各種処理によって、所望のシリコン濃度を有するエッチング液Ｅが処理槽３１Ａに準備される。

【0220】

また、混合装置１０Ａおよびシリコン溶液供給部２５の各種処理と並行して、制御部３は、混合装置１０Ｂにおいて図２に示した混合処理と、加温処理と、フィルトレーション処理（図８には図示せず）とを順に実施する。これにより、制御部３は、混合装置１０Ｂにおいて混合液Ｍを準備する。

【0221】

次に、制御部３は、準備された混合液Ｍを混合装置１０Ｂから処理槽３１Ｂに送液する。そして、混合装置１０Ｂからの混合液Ｍの送液処理が完了すると、制御部３は、シリコン溶液供給部２５からシリコン溶液を処理槽３１Ｂに供給し、図３に示したシリコン溶液の添加処理を実施する。

【0222】

ここまで説明した各種処理によって、所望のシリコン濃度を有するエッチング液Ｅが処理槽３１Ｂに準備される。

【0223】

また、混合装置１０Ａ、１０Ｂおよびシリコン溶液供給部２５の各種処理と並行して、制御部３は、混合装置１０Ｃにおいて図２に示した混合処理と、加温処理と、フィルトレーション処理（図８には図示せず）とを順に実施する。これにより、制御部３は、混合装置１０Ｃにおいて混合液Ｍを準備する。

【0224】

次に、制御部３は、準備された混合液Ｍを混合装置１０Ｃから処理槽３１Ｃに送液する。そして、混合装置１０Ｃからの混合液Ｍの送液処理が完了すると、制御部３は、シリコン溶液供給部２５からシリコン溶液を処理槽３１Ｃに供給し、図３に示したシリコン溶液の添加処理を実施する。

【0225】

ここまで説明した各種処理によって、所望のシリコン濃度を有するエッチング液Ｅが処理槽３１Ｃに準備される。

【0226】

また、混合装置１０Ｂ、１０Ｃおよびシリコン溶液供給部２５の各種処理と並行して、制御部３は、一旦送液処理まで終了した混合装置１０Ａにおいて、図４に示した混合処理と、加温処理と、フィルトレーション処理（図示せず）とを順に実施する。これにより、制御部３は、混合装置１０Ａにおいて混合液Ｍを準備する。

【0227】

次に、制御部３は、処理槽３１Ａ～３１Ｃで順次ウェハＷを浸漬し、かかるウェハＷにエッチング処理を施す。また、このエッチング処理において、制御部３は、混合装置１０Ａから混合液Ｍを送液することにより、処理槽３１Ａ～３１ＣにおいてＥＬＣ処理を実施する。

【0228】

また、混合装置１０Ａ、１０Ｃおよびシリコン溶液供給部２５の各種処理と並行して、制御部３は、一旦送液処理まで終了した混合装置１０Ｂにおいて、図４に示した混合処理と、加温処理と、フィルトレーション処理（図示せず）とを順に実施する。これにより、制御部３は、混合装置１０Ｂにおいて混合液Ｍを準備する。

【0229】

そして、混合装置１０Ａ内の混合液Ｍが無くなり、混合装置１０Ａの送液処理が終了したタイミングで、制御部３は、混合装置１０Ｂから混合液Ｍを送液することにより、処理槽３１Ａ～３１ＣにおいてＥＬＣ処理を継続する。

【0230】

また、混合装置１０Ａ、１０Ｂの各種処理と並行して、制御部３は、一旦送液処理まで終了した混合装置１０Ｃにおいて、図４に示した混合処理と、加温処理と、フィルトレーション処理（図示せず）とを順に実施する。これにより、制御部３は、混合装置１０Ｃにおいて混合液Ｍを準備する。

【0231】

そして、混合装置１０Ｂ内の混合液Ｍが無くなり、混合装置１０Ｂの送液処理が終了したタイミングで、制御部３は、混合装置１０Ｃから混合液Ｍを送液することにより、処理槽３１Ａ～３１ＣにおいてＥＬＣ処理を継続する。

【0232】

また、混合装置１０Ｂ、１０Ｃの各種処理と並行して、制御部３は、一旦送液処理まで終了した混合装置１０Ａにおいて、図４に示した混合処理と、加温処理と、フィルトレーション処理（図示せず）とを順に実施する。これにより、制御部３は、混合装置１０Ａにおいて混合液Ｍを準備する。

【0233】

そして、混合装置１０Ｃ内の混合液Ｍが無くなり、混合装置１０Ｃの送液処理が終了したタイミングで、制御部３は、混合装置１０Ａから混合液Ｍを送液することにより、処理槽３１Ａ～３１ＣにおいてＥＬＣ処理を継続する。

【0234】

ここまで説明したように、変形例では、エッチング処理を実施する複数の処理槽３１に対して、複数の混合装置１０のうちの１つから混合液Ｍを順次送液し、残りの混合装置１０では混合液Ｍを準備する。

【0235】

これにより、複数の処理槽３１Ａ～３１ＣにおいてＥＬＣ処理を継続して実施することができる。したがって、変形例によれば、複数の処理槽３１Ａ～３１Ｃにおいてエッチング液ＥによるウェハＷのエッチング処理をさらに適切に実施することができる。

【0236】

また、変形例では、複数の処理槽３１Ａ～３１Ｃで並行してウェハＷのエッチング処理を実施することができる。したがって、変形例によれば、エッチング液ＥによるウェハＷのエッチング処理を効率よく実施することができる。

【0237】

なお、変形例では、３つの処理槽３１に対して３つの混合装置１０が設けられた例について示したが、処理槽３１の数は３つに限られず、また混合装置１０の数も３つに限られない。

【0238】

図９は、実施形態の変形例に係る基板処理システム１の排気部６０の構成を示す概略ブロック図である。図９に示すように、変形例に係る排気部６０は、排気ファン６１Ａ～６１Ｃと、排気ダクト６２と、ミストトラップ６３と、給気ライン６４と、給気ファン６５と、ガス濃度計６６、６７Ａ～６７Ｃとを備える。

【0239】

排気ファン６１Ａは、混合装置１０Ａ内の気体を排気する。排気ファン６１Ａは、たとえば、混合装置１０Ａのタンク１４（図１参照）に隣接して配置され、タンク１４から蒸発する蒸気などが含まれる混合装置１０Ａ内の気体を、排気ダクト６２に向けて排気する。

【0240】

排気ファン６１Ｂは、混合装置１０Ｂ内の気体を排気する。排気ファン６１Ｂは、たとえば、混合装置１０Ｂのタンク１４に隣接して配置され、タンク１４から蒸発する蒸気などが含まれる混合装置１０Ｂ内の気体を、排気ダクト６２に向けて排気する。

【0241】

排気ファン６１Ｃは、混合装置１０Ｃ内の気体を排気する。排気ファン６１Ｃは、たとえば、混合装置１０Ｃのタンク１４に隣接して配置され、タンク１４から蒸発する蒸気などが含まれる混合装置１０Ｃ内の気体を、排気ダクト６２に向けて排気する。

【0242】

排気ダクト６２は、混合装置１０Ａ～１０Ｃ内から排気される気体を導く。排気ダクト６２は、たとえば、基板処理システム１が設置される工場大元と混合装置１０Ａ～１０Ｃとの間に配置され、かかる混合装置１０Ａ～１０Ｃ内から排気される気体を工場大元に導く。

【0243】

なお、工場の排気設備（工場大元）は大気圧よりも低い陰圧になるように制御される。そのため、かかる工場大元に接続される混合装置１０Ａ～１０Ｃの内部も陰圧になるように制御されるとともに、排気ファン６１Ａ～６１Ｃが仮に動作しない場合でも、混合装置１０Ａ～１０Ｃ内の気体は工場大元によって吸引される。

【0244】

ミストトラップ６３は、混合装置１０Ａ～１０Ｃ内から排気され、排気ダクト６２内を流れる気体に含まれるミストを除去する。ミストトラップ６３は、たとえば、排気ダクト６２の工場大元側に配置される。

【0245】

給気ライン６４は、排気ダクト６２に接続され、かかる排気ダクト６２内の可燃ガスを希釈する希釈ガスを供給する。給気ライン６４は、たとえば、排気ダクト６２と基板処理システム１の周囲との間に接続される。そして、給気ライン６４は、希釈ガスとして、可燃ガスが含まれない基板処理システム１の周囲の雰囲気を、排気ダクト６２に供給する。

【0246】

給気ファン６５は、給気ライン６４から排気ダクト６２に供給される希釈ガスの供給量を調整する。給気ファン６５は、たとえば、給気ライン６４の上流側に配置され、基板処理システム１の周囲の雰囲気を排気ダクト６２に向けて供給する。

【0247】

ガス濃度計６６は、排気ダクト６２に設けられ、かかる排気ダクト６２内を流れる気体の可燃ガス濃度を測定する。また、ガス濃度計６７Ａ～６７Ｃは、混合装置１０Ａ～１０Ｃにそれぞれ設けられ、かかる混合装置１０Ａ～１０Ｃ内の気体の可燃ガス濃度を測定する。

【0248】

図１０は、実施形態の変形例に係る混合装置１０Ａ～１０Ｃにおいて混合液Ｍを初回に送液する際の各種処理における排気部６０の各部の挙動パターンの具体例を示すタイミングチャートである。

【0249】

制御部３は、混合装置１０Ａ～１０Ｃにおいて、時間Ｔ３０から時間Ｔ３１までの間、リン酸水溶液と析出抑制剤とを混合して混合液Ｍを生成する混合処理を実施する。

【0250】

かかる混合処理の際には、混合液Ｍの温度が室温であることから、混合液Ｍ内の析出抑制剤に含まれる有機溶媒はほとんど蒸発しない。そのため、図１０に示すように、排気ダクト６２を流れる気体の可燃ガス濃度は、非常に低い濃度Ｃ０となる。

【0251】

ここで、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が濃度Ｃ０である場合、排気部６０を積極的に動作させて混合装置１０Ａ～１０Ｃ内から可燃ガスを排気する必要はないとみなす。

【0252】

そして、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が濃度Ｃ０である場合、制御部３は、排気ファン６１Ａの回転数を最低レベルの回転数Ｒ１０に制御するとともに、排気ファン６１Ｂの回転数を最低レベルの回転数Ｒ１３に制御する。

【0253】

また、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が濃度Ｃ０である場合、制御部３は、排気ファン６１Ｃの回転数を最低レベルの回転数Ｒ１６に制御するとともに、給気ファン６５の回転数を最低レベルの回転数Ｒ１９に制御する。

【0254】

これにより、排気部６０を積極的に動作させる必要が無い場合に、工場大元に余分な負荷をかけることを抑制することができる。

【0255】

かかる混合処理につづいて、制御部３は、混合装置１０Ａ～１０Ｃにおいて、時間Ｔ３１から混合液Ｍを加温する加温処理を実施する。かかる加温処理の際には、混合液Ｍが加温されることから、混合液Ｍ内の析出抑制剤に含まれる有機溶媒が蒸発する。

【0256】

そのため、混合装置１０Ａ～１０Ｃ内の気体の可燃ガス濃度が徐々に上昇することから、排気ダクト６２を流れる気体の可燃ガス濃度は、濃度Ｃ０から徐々に上昇する。

【0257】

ここで、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が濃度Ｃ０よりも高くなった場合に、混合装置１０Ａ～１０Ｃの少なくとも１つで生成される混合液Ｍに有機溶媒が残っているとみなす。

【0258】

そして、混合装置１０Ａ～１０Ｃで生成される混合液Ｍに有機溶媒が残っているとみなされた場合、制御部３は、ガス濃度計６７Ａ～６７Ｃで測定される混合装置１０Ａ～１０Ｃ内の可燃ガス濃度に応じて、排気ファン６１Ａ～６１Ｃの回転数を増加させる。

【0259】

図１０の例では、混合装置１０Ａ～１０Ｃのすべての混合液Ｍに有機溶媒が残っていることから、制御部３は、混合装置１０Ａ～１０Ｃ内の可燃ガス濃度が高くなるにしたがい、排気ファン６１Ａ～６１Ｃの回転数を増加させる。これにより、タンク１４（図１参照）内の混合液Ｍに残る有機溶媒の蒸発を促進させることができる。

【0260】

また、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が濃度Ｃ０よりも高くなった場合、かかる排気ダクト６２内の可燃ガス濃度に応じて、給気ファン６５の回転数を回転数Ｒ１９から増加させる。たとえば、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が高くなるにしたがい、給気ファン６５の回転数を増加させる。

【0261】

これにより、排気ダクト６２内に供給される希釈ガスの量が増加することから、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が、所与のしきい濃度Ｃｔｈよりも高い値になることを抑制することができる。

【0262】

つづいて、混合装置１０Ａ～１０Ｃ内の混合液Ｍの温度が所与の温度に達した時間Ｔ３２において、混合装置１０Ａ～１０Ｃ内の混合液Ｍから蒸発する有機溶媒の蒸発量がほぼ一定となる。

【0263】

そこで、制御部３は、かかる時間Ｔ３２において、排気ファン６１Ａの回転数を回転数Ｒ１０よりも大きい所与の回転数Ｒ１２に設定するとともに、排気ファン６１Ｂの回転数を回転数Ｒ１３よりも大きい所与の回転数Ｒ１５に設定する。

【0264】

また、制御部３は、時間Ｔ３２において、排気ファン６１Ｃの回転数を回転数Ｒ１６よりも大きい所与の回転数Ｒ１８に設定するとともに、給気ファン６５の回転数を回転数Ｒ１９よりも大きい所与の回転数Ｒ２１に設定する。

【0265】

これにより、混合液Ｍからの可燃ガスの発生量と給気ライン６４から供給される希釈ガスの供給量とが一定となることから、有機溶媒の蒸発が継続する時間Ｔ３２から時間Ｔ３３までの間、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度はしきい濃度Ｃｔｈで維持される。

【0266】

すなわち、変形例では、実施形態と同様に、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度がしきい濃度Ｃｔｈ以下となるように、混合装置１０Ａ～１０Ｃから排気ダクト６２に排気される可燃ガスの量を排気ファン６１Ａ～６１Ｃで調整することができる。

【0267】

したがって、変形例によれば、混合装置１０Ａ～１０Ｃから排気されて、排気ダクト６２内を流れる気体中の可燃ガス濃度を低減することができる。

【0268】

また、変形例では、実施形態と同様に、排気部６０に給気ライン６４および給気ファン６５を設けることで、混合装置１０Ａ～１０Ｃから排気ダクト６２に排気される可燃ガスを希釈ガスで希釈することができる。

【0269】

したがって、変形例によれば、混合装置１０Ａ～１０Ｃから排気されて、排気ダクト６２内を流れる気体中の可燃ガス濃度をさらに低減することができる。

【0270】

なお、変形例では、３つの混合装置１０Ａ～１０Ｃから同時に有機溶媒が蒸発していることから、加温処理における回転数Ｒ１２、Ｒ１５、Ｒ１８は、実施形態の加温処理における回転数Ｒ２よりも低い値となる。

【0271】

また、時間Ｔ３２から時間Ｔ３３までの間、突発的に有機溶媒の蒸発量が増加し、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度がしきい濃度Ｃｔｈよりも高くなったとする。この場合、制御部３は、可燃ガス濃度が高くなったガス濃度計６７Ａ～６７Ｃに対応する排気ファン６１Ａ～６１Ｃの回転数を回転数Ｒ１２、Ｒ１５、Ｒ１８よりも減少させるとともに、給気ファン６５の回転数を回転数Ｒ２よりも増加させる。

【0272】

これにより、排気ダクト６２への可燃ガスの供給量を減少させることができるとともに、希釈ガスの供給量を増加させることができることから、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度をしきい濃度Ｃｔｈ以下に戻すことができる。

【0273】

すなわち、変形例では、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度がしきい濃度Ｃｔｈ以下となるように、排気ダクト６２に供給される可燃ガスの量が排気ファン６１Ａ～６１Ｃで調整されると共に、排気ダクト６２に供給される希釈ガスの量が給気ファン６５で調整される。

【0274】

これにより、混合装置１０Ａ～１０Ｃから排気されて、排気ダクト６２内を流れる気体中の可燃ガス濃度を安定的に低減することができる。

【0275】

つづいて、混合液Ｍから有機溶媒がすべて蒸発した時間Ｔ３３において、排気ダクト６２を流れる気体の可燃ガス濃度は、しきい濃度Ｃｔｈから徐々に低下する。

【0276】

ここで、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度がしきい濃度Ｃｔｈから徐々に低下した場合に、混合装置１０Ａ～１０Ｃで生成される混合液Ｍに有機溶媒が残っていないとみなす。

【0277】

そして、混合装置１０Ａ～１０Ｃで生成される混合液Ｍに有機溶媒が残っていないとみなされた場合、制御部３は、ガス濃度計６７Ａで測定される混合装置１０Ａ内の可燃ガス濃度（図示せず）に応じて、排気ファン６１Ａの回転数を回転数Ｒ１２から減少させる。

【0278】

また、混合装置１０Ａ～１０Ｃで生成される混合液Ｍに有機溶媒が残っていないとみなされた場合、制御部３は、ガス濃度計６７Ｂで測定される混合装置１０Ｂ内の可燃ガス濃度（図示せず）に応じて、排気ファン６１Ｂの回転数を回転数Ｒ１５から減少させる。

【0279】

また、混合装置１０Ａ～１０Ｃで生成される混合液Ｍに有機溶媒が残っていないとみなされた場合、制御部３は、ガス濃度計６７Ｃで測定される混合装置１０Ｃ内の可燃ガス濃度（図示せず）に応じて、排気ファン６１Ｃの回転数を回転数Ｒ１８から減少させる。

【0280】

また、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度がしきい濃度Ｃｔｈから徐々に低下した場合、かかる排気ダクト６２内の可燃ガス濃度に応じて、給気ファン６５の回転数を回転数Ｒ２１から減少させる。

【0281】

これにより、混合液Ｍから有機溶媒がすべて蒸発したため、排気部６０を最大出力で動作させる必要が無い場合に、工場大元に余分な負荷をかけることを抑制することができる。

【0282】

そして、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が最低レベルの濃度Ｃ０に戻った時間Ｔ３４で、混合装置１０Ａ～１０Ｃの加温処理が完了する。

【0283】

かかる加温処理につづいて、制御部３は、時間Ｔ３４から混合液Ｍを処理槽３１Ａ～３１Ｃに送液する送液処理を実施する。かかる送液処理の際には、タンク１４内の混合液Ｍの温度および濃度を一定に保つため、混合装置１０Ａ～１０Ｃ内は所与の陰圧（たとえば、－９０Ｐａ）に維持されるとよい。

【0284】

そこで、変形例では、混合装置１０Ａ内を所与の陰圧に保持するため、制御部３が、排気ファン６１Ａの回転数を所与の回転数Ｒ１１で維持する。また、混合装置１０Ｂ内を所与の陰圧に保持するため、制御部３が、排気ファン６１Ｂの回転数を所与の回転数Ｒ１４で維持する。

【0285】

また、混合装置１０Ｃ内を所与の陰圧に保持するため、制御部３が、排気ファン６１Ｃの回転数を所与の回転数Ｒ１７で維持する。また、混合装置１０Ａ～１０Ｃ内を所与の陰圧に保持するため、制御部３が、給気ファン６５の回転数を所与の回転数Ｒ２０で維持する。

【0286】

かかる回転数Ｒ１１は、回転数Ｒ１０よりも大きく、回転数Ｒ１２よりも小さい。また、回転数Ｒ１４は、回転数Ｒ１３よりも大きく、回転数Ｒ１５よりも小さい。また、回転数Ｒ１７は、回転数Ｒ１６よりも大きく、回転数Ｒ１８よりも小さい。また、回転数Ｒ２０は、回転数Ｒ１９よりも大きく、回転数Ｒ２１よりも小さい。

【0287】

換言すると、送液処理の際に混合装置１０Ａ～１０Ｃ内の圧力が所与の陰圧となるように、混合装置１０Ａ～１０Ｃから排気ダクト６２に排気される気体の量が排気ファン６１Ａ～６１Ｃで調整される。さらに、給気ライン６４から排気ダクト６２に供給される気体の量が給気ファン６５で調整される。

【0288】

このように、送液処理の際に混合装置１０Ａ～１０Ｃ内の圧力が所与の陰圧となるように制御するにより、送液処理の際に送液される混合液Ｍの温度および濃度を一定に保つことができることから、基板処理システム１での液処理を安定して実施することができる。

【0289】

図１１は、実施形態の変形例に係る混合装置１０Ａ～１０Ｃにおいて混合液Ｍを継続的に送液する際の各種処理における排気部６０の各部の挙動パターンの具体例を示すタイミングチャートである。

【0290】

かかる図１１では、混合装置１０Ａで加温処理が実施され、混合装置１０Ｂで混合処理が実施され、混合装置１０ＣでＥＬＣ処理中の処理槽３１Ａ～３１Ｃに対して送液処理が実施される時間Ｔ４０からの排気部６０の各部の動作について説明する。

【0291】

かかる時間Ｔ４０では、加温処理中の混合装置１０Ａ内の混合液Ｍの温度が所与の温度に達していることから、制御部３は、排気ファン６１Ａの回転数を回転数Ｒ１０よりも大きい所与の回転数Ｒ２２に設定する。

【0292】

また、時間Ｔ４０では、混合処理中の混合装置１０Ｂ内の混合液Ｍの温度が室温であることから、制御部３は、排気ファン６１Ｂの回転数を最低レベルの回転数Ｒ１３に設定する。

【0293】

また、時間Ｔ４０では、送液処理中の混合装置１０Ｃ内を所与の陰圧に保持するため、制御部３は、排気ファン６１Ｃの回転数を所与の回転数Ｒ１７に設定する。かかる回転数Ｒ１７は、最低レベルの回転数Ｒ１６よりも大きく、混合液Ｍが最も高い温度で維持される際の回転数Ｒ２４よりも小さい。

【0294】

また、時間Ｔ４０では、混合装置１０Ａで加温処理が実施されることから、多くの可燃ガスが排気ダクト６２に排気されるため、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度はしきい濃度Ｃｔｈで維持される。

【0295】

そして、制御部３は、かかる排気ダクト６２内の可燃ガス濃度に応じて、給気ファン６５の回転数を回転数Ｒ１９よりも大きい所与の回転数Ｒ２１に設定する。

【0296】

次に、時間Ｔ４１において、混合装置１０Ａ内の混合液Ｍから有機溶媒がすべて蒸発するとともに、混合装置１０Ｂで加温処理が開始される。

【0297】

ここで、制御部３は、有機溶媒がすべて蒸発したため、可燃ガス濃度が低下し始めた混合装置１０Ａ内の可燃ガス濃度に応じて、排気ファン６１Ａの回転数を回転数Ｒ２２から減少させる。

【0298】

さらに、混合装置１０Ａから排気ダクト６２への有機溶媒の排気量が減少した分、加温処理が始まった混合装置１０Ｂから排気ダクト６２への有機溶媒の排気量を増やすことができることから、制御部３は、排気ファン６１Ｂの回転数を回転数Ｒ１３から増加させる。

【0299】

そして、時間Ｔ４２で、混合装置１０Ａ内の可燃ガス濃度が最低レベルの濃度となる一方で、混合装置１０Ｂ内の混合液Ｍの温度が所与の温度に達する。そのため、かかる時間Ｔ４２で、制御部３は、排気ファン６１Ｂの回転数を所与の回転数Ｒ２３に設定する。

【0300】

また、かかる時間Ｔ４２で、混合装置１０Ｃの送液処理が終了する。そのため、かかる時間Ｔ４２で、制御部３は、排気ファン６１Ｃの回転数を最低レベルの回転数Ｒ１６に設定する。

【0301】

また、混合装置１０Ｃでの送液処理が終了することから、制御部３は、時間Ｔ４２から混合装置１０Ａでの送液処理を開始し、排気ファン６１Ａの回転数を所与の回転数Ｒ１１に設定する。

【0302】

なお、時間Ｔ４２の時点でも、混合装置１０Ｂで加温処理が実施されることから、多くの可燃ガスが排気ダクト６２に排気されるため、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度はしきい濃度Ｃｔｈで維持される。

【0303】

そのため、制御部３は、かかる排気ダクト６２内の可燃ガス濃度に応じて、給気ファン６５の回転数を回転数Ｒ２１で維持する。

【0304】

次に、時間Ｔ４３において、混合装置１０Ｂ内の混合液Ｍから有機溶媒がすべて蒸発するとともに、混合装置１０Ｃで加温処理が開始される。

【0305】

ここで、制御部３は、有機溶媒がすべて蒸発したため、可燃ガス濃度が低下し始めた混合装置１０Ｂ内の可燃ガス濃度に応じて、排気ファン６１Ｂの回転数を回転数Ｒ２３から減少させる。

【0306】

さらに、混合装置１０Ｂから排気ダクト６２への有機溶媒の排気量が減少した分、加温処理が始まった混合装置１０Ｃから排気ダクト６２への有機溶媒の排気量を増やすことができることから、制御部３は、排気ファン６１Ｃの回転数を回転数Ｒ１６から増加させる。

【0307】

そして、時間Ｔ４４で、混合装置１０Ｂ内の可燃ガス濃度が最低レベルの濃度となる一方で、混合装置１０Ｃ内の混合液Ｍの温度が所与の温度に達する。そのため、かかる時間Ｔ４４で、制御部３は、排気ファン６１Ｃの回転数を所与の回転数Ｒ２４に設定する。

【0308】

また、かかる時間Ｔ４４で、混合装置１０Ａの送液処理が終了する。そのため、かかる時間Ｔ４４で、制御部３は、排気ファン６１Ａの回転数を最低レベルの回転数Ｒ１０に設定する。

【0309】

また、混合装置１０Ａでの送液処理が終了することから、制御部３は、時間Ｔ４４から混合装置１０Ｂでの送液処理を開始し、排気ファン６１Ｂの回転数を所与の回転数Ｒ１４に設定する。

【0310】

なお、時間Ｔ４４の時点でも、混合装置１０Ｃで加温処理が実施されることから、多くの可燃ガスが排気ダクト６２に排気されるため、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度はしきい濃度Ｃｔｈで維持される。

【0311】

そのため、制御部３は、かかる排気ダクト６２内の可燃ガス濃度に応じて、給気ファン６５の回転数を回転数Ｒ２１で維持する。

【0312】

次に、時間Ｔ４５において、混合装置１０Ｃ内の混合液Ｍから有機溶媒がすべて蒸発するとともに、混合装置１０Ａで加温処理が開始される。

【0313】

ここで、制御部３は、有機溶媒がすべて蒸発したため、可燃ガス濃度が低下し始めた混合装置１０Ｃ内の可燃ガス濃度に応じて、排気ファン６１Ｃの回転数を回転数Ｒ２４から減少させる。

【0314】

さらに、混合装置１０Ｃから排気ダクト６２への有機溶媒の排気量が減少した分、加温処理が始まった混合装置１０Ａから排気ダクト６２への有機溶媒の排気量を増やすことができることから、制御部３は、排気ファン６１Ａの回転数を回転数Ｒ１０から増加させる。

【0315】

そして、時間Ｔ４６で、混合装置１０Ｃ内の可燃ガス濃度が最低レベルの濃度となる一方で、混合装置１０Ａ内の混合液Ｍの温度が所与の温度に達する。そのため、かかる時間Ｔ４６で、制御部３は、排気ファン６１Ａの回転数を所与の回転数Ｒ２２に設定する。

【0316】

また、かかる時間Ｔ４６で、混合装置１０Ｂの送液処理が終了する。そのため、かかる時間Ｔ４６で、制御部３は、排気ファン６１Ｂの回転数を最低レベルの回転数Ｒ１３に設定する。

【0317】

また、混合装置１０Ｂでの送液処理が終了することから、制御部３は、時間Ｔ４６から混合装置１０Ｃでの送液処理を開始し、排気ファン６１Ｃの回転数を所与の回転数Ｒ１７に設定する。

【0318】

なお、時間Ｔ４６の時点でも、混合装置１０Ａで加温処理が実施されることから、多くの可燃ガスが排気ダクト６２に排気されるため、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度はしきい濃度Ｃｔｈで維持される。

【0319】

そのため、制御部３は、かかる排気ダクト６２内の可燃ガス濃度に応じて、給気ファン６５の回転数を回転数Ｒ２１で維持する。

【0320】

以降の時間Ｔ４６からの処理は、上述した時間Ｔ４０からの処理と同様であることから、説明を省略する。

【0321】

ここまで説明したように、変形例では、複数の混合装置１０のうち少なくとも１つで生成される混合液Ｍに有機溶媒が残っている場合に、有機溶媒が残った混合装置１０に設けられる排気ファン６１の回転数を上げて有機溶媒の蒸発を促進させる。さらに、変形例では、有機溶媒が残っていない別の混合装置１０に設けられる排気ファン６１の回転数を下げる。

【0322】

これにより、複数の混合装置１０で１つの排気ダクト６２を共用している場合にも、排気ダクト６２内を流れる気体中の可燃ガス濃度を低減することができる。

【0323】

実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、処理槽３１と、混合装置１０と、加温部（第１ヒータ１９）と、送液路２２と、排気ファン６１と、排気ダクト６２と、制御部３と、を備える。処理槽３１は、基板（ウェハＷ）を処理液（エッチング液Ｅ）に浸漬して処理する。混合装置１０は、リン酸水溶液と有機溶媒を含有する添加剤とを混合して、処理液（エッチング液Ｅ）の原料となる混合液Ｍを生成する。加温部（第１ヒータ１９）は、混合装置１０に設けられ、混合液Ｍを加温する。送液路２２は、混合装置１０から処理槽３１に混合液Ｍを送る。排気ファン６１は、混合装置１０内の気体を排気する。排気ダクト６２は、混合装置１０内から排気される気体を導く。制御部３は、各部を制御する。また、制御部３は、混合装置１０から排気ダクト６２に排気される気体の排気量を排気ファン６１で調整する。これにより、混合装置１０から排気されて、排気ダクト６２内を流れる気体中の可燃ガス濃度を低減することができる。

【0324】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、加温部（第１ヒータ１９）は、有機溶媒の沸点以上の温度に混合液Ｍを加温する。これにより、処理槽３１で安定したエッチング処理を実施することができる。

【0325】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部３は、混合液Ｍの温度に基づいて、排気ファン６１の回転数を制御する。これにより、混合装置１０から排気されて、排気ダクト６２内を流れる気体中の可燃ガス濃度を低減することができる。

【0326】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、給気ライン６４と、給気ファン６５と、をさらに備える。給気ライン６４は、排気ダクト６２に接続され、排気ダクト６２内の可燃ガスを希釈する希釈ガスを供給する。給気ファン６５は、給気ライン６４から排気ダクト６２に供給される希釈ガスの供給量を調整する。これにより、混合装置１０から排気されて、排気ダクト６２内を流れる気体中の可燃ガス濃度をさらに低減することができる。

【0327】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度に基づいて、給気ファン６５の回転数を制御する。また、制御部３は、混合装置１０内および排気ダクト６２内の可燃ガス濃度に基づいて、排気ファン６１の回転数を制御する。これにより、混合装置１０から排気されて、排気ダクト６２内を流れる気体中の可燃ガス濃度を低減することができる。

【0328】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度が爆発下限界よりも低い所与のしきい濃度Ｃｔｈ以下となるように、排気ファン６１の回転数と給気ファン６５の回転数とを制御する。これにより、混合装置１０から排気された可燃ガスによって、排気ダクト６２内で爆発等が発生することを防止することができる。

【0329】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部３は、混合液Ｍに有機溶媒が残っている場合に、排気ファン６１の回転数を上げる。これにより、タンク１４内の混合液Ｍに残る有機溶媒の蒸発を促進させることができる。

【0330】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部３は、混合液Ｍに有機溶媒が残っていない場合に、排気ファン６１の回転数を下げる。これにより、混合液Ｍから有機溶媒がすべて蒸発したため、排気部６０を最大出力で動作させる必要が無い場合に、工場大元に余分な負荷をかけることを抑制することができる。

【0331】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部３は、混合液Ｍに有機溶媒が残っているか否かを、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度に基づいて判定する。これにより、基板処理システム１のコストを低減することができる。

【0332】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部３は、混合液Ｍが加温部（第１ヒータ１９）で加温されていない場合に、排気ファン６１の回転数を下げる。これにより、排気部６０を積極的に動作させる必要が無い場合に、工場大元に余分な負荷をかけることを抑制することができる。

【0333】

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、複数の混合装置１０が１つの排気ダクト６２に接続される。また、制御部３は、複数の混合装置１０のうち少なくとも１つで生成される混合液Ｍに有機溶媒が残っている場合に、有機溶媒が残った混合装置１０に設けられる排気ファン６１の回転数を上げるとともに、有機溶媒が残っていない別の混合装置１０に設けられる排気ファン６１の回転数を下げる。これにより、複数の混合装置１０で１つの排気ダクト６２を共用している場合にも、排気ダクト６２内を流れる気体中の可燃ガス濃度を低減することができる。

【0334】

＜基板処理の詳細＞
つづいて、図１２を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム１が実行する基板処理の詳細について説明する。図１２は、実施形態に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。

【0335】

最初に、制御部３は、混合装置１０でリン酸水溶液と添加剤とを混合する混合処理を実施する（ステップＳ１０１）。そして、制御部３は、第１ヒータ１９を制御することにより、生成された混合液Ｍを加温する加温処理を実施する（ステップＳ１０２）。

【0336】

次に、制御部３は、混合装置１０および第１送液路２２ａを制御して、処理槽３１に混合液Ｍを送液する送液処理を実施する（ステップＳ１０３）。

【0337】

また、かかるステップＳ１０１～Ｓ１０３の処理と並行して、制御部３は、排気部６０を制御して、混合装置１０内の気体を排気する排気処理を実施する（ステップＳ１０４）。

【0338】

次に、制御部３は、混合装置１０に設けられるタンク１４内の混合液Ｍに有機溶媒が残っているか否かを判定する（ステップＳ１０５）。そして、混合装置１０に設けられるタンク１４内の混合液Ｍに有機溶媒が残っていない場合（ステップＳ１０５，Ｎｏ）、制御部３は、排気ファン６１の回転数を下げる（ステップＳ１０６）。

【0339】

そして、ステップＳ１０３およびステップＳ１０６の処理が終了した後、制御部３は、ウェハの浸漬処理が終了したか否かを判定する（ステップＳ１０７）。そして、ウェハＷの浸漬処理が終了した場合（ステップＳ１０７，Ｙｅｓ）、一連の基板処理を完了する。

【0340】

一方で、ウェハＷの浸漬処理が終了していない場合（ステップＳ１０７，Ｎｏ）、ステップＳ１０１およびステップＳ１０４の処理に戻る。

【0341】

また、ステップＳ１０５の処理において、混合装置１０に設けられるタンク１４内の混合液Ｍに有機溶媒が残っている場合（ステップＳ１０５，Ｙｅｓ）、制御部３は、排気ファン６１の回転数を上げる（ステップＳ１０８）。

【0342】

次に、制御部３は、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度がしきい濃度Ｃｔｈよりも大きいか否かを判定する（ステップＳ１０９）。

【0343】

そして、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度がしきい濃度Ｃｔｈよりも大きい場合（ステップＳ１０９，Ｙｅｓ）、制御部３は、排気ファン６１の回転数を下げる（ステップＳ１１０）とともに、給気ファン６５の回転数を上げる（ステップＳ１１１）。そして、かかるステップＳ１１１の処理後、ステップＳ１０５の処理に戻る。

【0344】

一方で、排気ダクト６２内の可燃ガス濃度がしきい濃度Ｃｔｈよりも大きくない場合（ステップＳ１０９，Ｎｏ）、ステップＳ１０５の処理に戻る。

【0345】

実施形態に係る基板処理方法は、加温工程（ステップＳ１０２）と、排気工程（ステップＳ１０４）とを含む。加温工程（ステップＳ１０２）は、リン酸水溶液と有機溶媒を含有する添加剤とを混合して、基板（ウェハＷ）を浸漬する処理液（エッチング液Ｅ）の原料となる混合液Ｍを生成する混合装置１０において、混合液Ｍを加温する。排気工程（ステップＳ１０４）は、混合装置１０内の気体を排気ダクト６２に排気する。また、排気工程（ステップＳ１０４）は、混合装置１０から排気ダクト６２に排気される気体の排気量を排気ファン６１で調整する。これにより、混合装置１０から排気されて、排気ダクト６２内を流れる気体中の可燃ガス濃度を低減することができる。

【0346】

以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、混合装置１０で混合液Ｍを加温する加温処理のみを実施した例について示したが、本開示はかかる例に限られず、たとえば、混合装置１０で混合液Ｍを加温して濃縮する濃縮処理を実施してもよい。

【0347】

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0348】

１ 基板処理システム（基板処理装置の一例）
３ 制御部
１０、１０Ａ～１０Ｃ 混合装置
１９ 第１ヒータ（加温部の一例）
２２、２２Ａ～２２Ｃ 送液路
３１、３１Ａ～３１Ｃ 処理槽
６０ 排気部
６１、６１Ａ～６１Ｃ 排気ファン
６２ 排気ダクト
６４ 給気ライン
６５ 給気ファン
６６、６７、６７Ａ～６７Ｃ ガス濃度計
Ｗ ウェハ（基板の一例）
Ｍ 混合液
Ｅ エッチング液（処理液の一例）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】