特許 7548761 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-02

(45)【発行日】2024-09-10

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   B24B 37/30 20120101AFI20240903BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20240903BHJP

   B24B 37/34 20120101ALI20240903BHJP

   B24B 41/06 20120101ALI20240903BHJP

【ＦＩ】

B24B37/30 A

H01L21/304 622P

B24B37/34

B24B41/06 A

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2020159966

(22)【出願日】2020-09-24

(65)【公開番号】P2022053250

(43)【公開日】2022-04-05

【審査請求日】2023-08-23

(73)【特許権者】

【識別番号】000000239

【氏名又は名称】株式会社荏原製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100106208

【弁理士】

【氏名又は名称】宮前 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100146710

【弁理士】

【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男

(74)【代理人】

【識別番号】100186613

【弁理士】

【氏名又は名称】渡邊 誠

(72)【発明者】

【氏名】小林 賢一

【審査官】山村 和人

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１０－１１４４６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－８２５８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－１１０４７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平７－４１１６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－３０３２４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－２３２４６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－２１８３２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００５－５１７６１３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ２４Ｂ ３７／００ － ３７／３４

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／６７７

Ｂ２４Ｂ ４１／０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

被研磨面を下方に向けた状態で基板の裏面を保持するように構成されたトップリングと、
前記トップリングとの間で基板を受け渡しするように構成されたプッシャと、
前記トップリングから前記プッシャへ前記基板を受け渡すときに前記トップリングに保持された基板の側方に配置されるくさび部材、および前記くさび部材を前記基板の裏面に沿った方向に移動させて前記基板の裏面と前記トップリングとの間に挿入させるように構成された駆動部材、を含むくさび機構と、を含む基板処理装置であって、
前記プッシャは、前記トップリングとの間で前記基板を受け渡しするための第１のステージと、前記第１のステージを昇降させるための第１の昇降機構と、前記第１のステージを傾斜させるための傾斜機構と、を含み、
前記プッシャは、前記トップリングから前記プッシャへ前記基板を受け渡すときに、前記傾斜機構を用いて前記第１のステージを傾斜させることによって前記基板の端部を前記トップリングから剥離させるように構成され、
前記プッシャは、前記基板の端部を前記トップリングから剥離させた後に、前記第１の昇降機構を用いて前記第１のステージを下降させるとともに前記傾斜機構を用いて前記第１のステージを水平にさせるように構成され、
前記第１の昇降機構は、前記第１のステージの底面を支持する第１のピストンと、前記第１のピストンを昇降させるように構成された第１のシリンダと、を含み、
前記傾斜機構は、前記第１のピストンと前記第１のステージとの間に設けられた第１の回転軸と、前記第１のピストンから側方に伸びるシャフトと、前記第１のステージの底面に取り付けられた第２の回転軸と、前記第２の回転軸を介して前記第１のステージを支持する第２のピストンと、前記シャフトの上面に取り付けられた第３の回転軸と、前記第３の回転軸を介して前記シャフトに支持され、前記第２のピストンを昇降させるように構成された第２のシリンダと、を含む、
基板処理装置。

【請求項2】

前記くさび部材は、前記基板の裏面と平行に伸びる第１の面と、前記第１の面に対向す
るとともに前記基板の方向に向けて先細りするように傾斜する第２の面と、を有する、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記くさび部材は、前記くさび部材の内部を通り前記第２の面に開口する穴を有し、
前記くさび機構は、前記穴を介して前記第２の面から流体を噴射可能な流体供給源をさらに含む、
請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記第１のステージは、吸着パッドを介して前記基板を支持するための支持面を一方の端部に有する複数の第１の支持柱と、前記複数の第１の支持柱の他方の端部と連結される第１のベースと、を含み、前記複数の第１の支持柱の少なくとも１つには、真空源に連通し前記支持面に開口する吸引路が形成される、
請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記トップリングとの間で基板を受け渡しするときに前記トップリングを支持するための第２のステージと、前記第１のステージおよび前記第２のステージを昇降させるための第２の昇降機構と、をさらに含み、
前記第２のステージは、前記トップリングとの間で基板を受け渡しするときに前記トップリングを支持するための支持面を一方の端部に有する複数の第２の支持柱と、前記複数の第２の支持柱の他方の端部と連結される第２のベースと、を含み、
前記くさび部材は、前記複数の第２の支持柱の少なくとも１つに設けられる、
請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスの製造に、基板の表面を平坦化するために化学機械研磨（ＣＭＰ）装置が使用されている。半導体デバイスの製造に使用される基板は、多くの場合、円板形状である。また、半導体デバイスに限らず、ＣＣＬ基板（Copper Clad Laminate基板）やＰＣＢ（Printed Circuit Board）基板、フォトマスク基板、ディスプレイパネルなどの四角形の基板の表面を平坦化する際の平坦度の要求も高まっている。また、ＰＣＢ基板などの電子デバイスが配置されたパッケージ基板の表面を平坦化することへの要求も高まっている。

【0003】

ＣＭＰ装置は、基板を保持するトップリングとの間で基板の受け渡しを行うためのプッシャを備えている。例えば特許文献１には、研磨後の基板をトップリングからプッシャに受け渡すときに、基板が表面張力によってトップリングに密着しているために、トップリングから基板を引き剥がせないという問題が開示されている。この問題に対して特許文献１には、プッシャによって基板を吸着しながら基板を傾けることによって基板の端部をトップリングから引き剥がし、基板の端部とトップリングとの間にできた隙間に空気または窒素などのガスを吹き込むことが開示されている。また、特許文献１には、基板の端部とトップリングとの間にできた隙間に板状または棒状の剥離補助部材を挿入することによって、トップリングから基板を引き剥がすことが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２００８－１１０４７１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

特許文献１に開示された技術には、トップリングからプッシャへの基板の受け渡しの確実性を向上させることに関して改善の余地がある。

【0006】

すなわち、特許文献１に記載された技術は、基板を傾けて基板の端部をトップリングから引き剥がすことによって、基板全体をトップリングから引き剥がすときよりも小さい力で基板を引き剥がすものである。しかしながら、トップリングと基板との間の表面張力が大きい場合には、基板を傾けたとしても基板の端部をトップリングから引き剥がすことができず、プッシャへ基板を受け渡せないおそれがある。

【0007】

そこで、本願は、トップリングからプッシャへの基板の受け渡しの確実性を向上させることを１つの目的としている。

【課題を解決するための手段】

【0008】

一実施形態によれば、

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】一実施形態による基板処理装置の全体構成を示す平面図である。

【図2】一実施形態による研磨モジュールを概略的に示す斜視図である。

【図3】一実施形態によるトップリングの構造を模式的に示す側面断面図である。

【図4】一実施形態による搬送モジュールを模式的に示す側面図である。

【図5】一実施形態による搬送モジュールを示す斜視図である。

【図6】一実施形態によるプッシャを示す斜視図である。

【図7】図６に示されるプッシャを矢印７の方に見た部分断面図である。

【図8】一実施形態による第２のステージの支持柱の１つを示す断面図である。

【図9】一実施形態による第１のステージの支持柱の１つを示す断面図である。

【図10】一実施形態によるくさび機構を模式的に示す斜視図である。

【図11】一実施形態によるくさび機構を模式的に示す平面図および断面図である。

【図12】変形例のくさび機構を模式的に示す断面図である。

【図13】一実施形態による傾斜機構を模式的に示す断面図である。

【図14】一実施形態による傾斜機構を模式的に示す断面図である。

【図15】一実施形態による傾斜機構を模式的に示す断面図である。

【図16】一実施形態による傾斜機構を模式的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下に、本発明に係るプッシャ、基板搬送装置、および基板処理装置の実施形態を添付図面とともに説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。

【0011】

図１は、一実施形態による基板処理装置１０００の全体構成を示す平面図である。図１に示される基板処理装置１０００は、ロードモジュール１００、搬送モジュール２００、研磨モジュール３００、乾燥モジュール５００、およびアンロードモジュール６００を有する。図示の実施形態において、搬送モジュール２００は、２つの搬送モジュール２００Ａ、２００Ｂを有し、研磨モジュール３００は、２つの研磨モジュール３００Ａ、３００Ｂを有する。一実施形態において、これらの各モジュールは、独立に形成することができる。これらのモジュールを独立して形成することで、各モジュールの数を任意に組み合わせることで異なる構成の基板処理装置１０００を簡易に形成することができる。また、基板処理装置１０００は、制御装置９００を備え、基板処理装置１０００の各構成要素は制御装置９００により制御される。一実施形態において、制御装置９００は、入出力装置、演算装置、記憶装置などを備える一般的なコンピュータから構成することができる。

【0012】

＜ロードモジュール＞

ロードモジュール１００は、研磨および洗浄などの処理が行われる前の基板ＷＦを基板処理装置１０００内へ導入するためのモジュールである。一実施形態において、ロードモジュール１００は、ＳＭＥＭＡ（Surface Mount Equipment Manufacturers Association）の機械装置インタフェース規格（IPC-SMEMA-9851）に準拠するように構成される。

【0013】

図示の実施形態において、ロードモジュール１００の搬送機構は、複数の搬送ローラ２０２（第１の搬送ローラ）と、搬送ローラ２０２が取り付けられる複数のローラシャフト２０４とを有する。図１に示される実施形態においては、各ローラシャフト２０４には３つの搬送ローラ２０２が取り付けられている。基板ＷＦは、搬送ローラ２０２上に配置され、搬送ローラ２０２が回転することで基板ＷＦが搬送される。ローラシャフト２０４上の搬送ローラ２０２の取り付け位置は、基板ＷＦを安定的に搬送することができる位置であれば任意とすることができる。ただし、搬送ローラ２０２は基板ＷＦに接触するので、処理対象である基板ＷＦに接触しても問題の無い領域に搬送ローラ２０２が接触するように配置すべきである。一実施形態において、ロードモジュール１００の搬送ローラ２０２は、導電性ポリマーから構成することができる。一実施形態において、搬送ローラ２０２
は、ローラシャフト２０４などを介して電気的に接地される。これは、基板ＷＦが帯電して基板ＷＦ上の電子デバイス等を損傷することを防止するためである。また、一実施形態において、ロードモジュール１００に、基板ＷＦの帯電を防止するためにイオナイザー（図示せず）を設けてもよい。

【0014】

＜研磨モジュール＞
図２は一実施形態による、研磨モジュール３００を概略的に示す斜視図である。図１に示される基板処理装置１０００は、２つの研磨モジュール３００Ａ、３００Ｂを備えている。２つの研磨モジュール３００Ａ、３００Ｂは同一の構成とすることができるので、以下において、一括して研磨モジュール３００として説明する。

【0015】

図２に示されるように、研磨モジュール３００は、研磨テーブル３５０と、トップリング３０２と、を備える。研磨テーブル３５０は、テーブルシャフト３５１に支持される。研磨テーブル３５０は、図示していない駆動部によって、矢印ＡＣで示すように、テーブルシャフト３５１の軸心周りに回転するようになっている。研磨テーブル３５０には、研磨パッド３５２が貼り付けられる。トップリング３０２は、基板ＷＦを保持して研磨パッド３５２に押圧する。トップリング３０２は、図示していない駆動源によって回転駆動される。基板ＷＦは、トップリング３０２に保持されて研磨パッド３５２に押圧されることによって研磨される。

【0016】

図２に示されるように、研磨モジュール３００は、研磨パッド３５２に研磨液又はドレッシング液を供給するための研磨液供給ノズル３５４を備える。研磨液は、例えば、スラリである。ドレッシング液は、例えば、純水である。また、図２に示されるように、研磨テーブル３５０およびテーブルシャフト３５１には、研磨液を供給するための通路３５３が設けられている。通路３５３は、研磨テーブル３５０の表面の開口部３５５に連通している。研磨テーブル３５０の開口部３５５に対応する位置において研磨パッド３５２は貫通孔３５７が形成されており、通路３５３を通る研磨液は、研磨テーブル３５０の開口部３５５および研磨パッド３５２の貫通孔３５７から研磨パッド３５２の表面に供給される。また、研磨モジュール３００は、研磨パッド３５２のコンディショニングを行うためのドレッサ３５６を備える。また、研磨モジュール３００は、液体、又は、液体と気体との混合流体、を研磨パッド３５２に向けて噴射するためのアトマイザ３５８を備える。アトマイザ３５８から噴射される液体は、例えば、純水であり、気体は、例えば、窒素ガスである。

【0017】

トップリング３０２は、トップリングシャフト３０４によって支持される。トップリング３０２は、図示していない駆動部によって、矢印ＡＢで示すように、トップリングシャフト３０４の軸心周りに回転するようになっている。また、トップリングシャフト３０４は、図示しない駆動機構により、上下方向に移動可能である。

【0018】

基板ＷＦは、トップリング３０２の研磨パッド３５２と対向する面に真空吸着によって保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３５４から、および／または研磨パッド３５２の貫通孔３５７から研磨パッド３５２の研磨面に研磨液が供給される。また、研磨時には、研磨テーブル３５０及びトップリング３０２が回転駆動される。基板ＷＦは、トップリング３０２によって研磨パッド３５２の研磨面に押圧されることによって研磨される。

【0019】

図２に示されるように、トップリングシャフト３０４は、アーム３６０に連結されており、アーム３６０は、回転軸３６２を中心に揺動可能である。基板ＷＦの研磨中に、トップリング３０２が研磨パッド３５２の中心を通過するように、アーム３６０を固定あるいは揺動させてもよい。また、基板ＷＦの研磨中に、基板ＷＦが研磨パッド３５２の貫通孔３５７を覆うようにアーム３６０を固定または揺動させてもよい。図１に示されるように、揺動可能なアーム３６０により、トップリング３０２は、搬送モジュール２００の方へ
移動可能である。トップリング３０２が後述する搬送モジュール２００の基板受け渡し位置に移動することで、トップリング３０２は、後述するプッシャ２３０から基板ＷＦを受け取ることができる。また、トップリング３０２は、研磨モジュール３００での基板ＷＦの研磨後に、プッシャ２３０に基板ＷＦを受け渡すことができる。

【0020】

図３は、一実施形態による、トップリング３０２の構造を模式的に示す側面断面図である。トップリング３０２は、トップリングシャフト３０４の下端に連結されている。トップリング３０２は、略四角形状のヘッド本体３０６と、ヘッド本体３０６の下部に配置された環状のリテーナ部材３０８と、を備えている。ヘッド本体３０６は金属やセラミックス等の強度および剛性が高い材料から形成することができる。また、リテーナ部材３０８は、剛性の高い樹脂材またはセラミックス等から形成することができる。

【0021】

ヘッド本体３０６およびリテーナ部材３０８の内側に形成された空間内には、基板ＷＦに当接する弾性パッド３１０が収容されている。弾性パッド３１０とヘッド本体３０６との間には、圧力室（エアバッグ）Ｐ１が設けられている。圧力室Ｐ１は弾性パッド３１０とヘッド本体３０６とによって形成されている。圧力室Ｐ１には流体路３１２を介して加圧空気等の加圧流体が供給され、あるいは真空引きがされるようになっている。図３に示される実施形態において、圧力室Ｐ１は保持する基板ＷＦの全面に渡って形成される。

【0022】

基板ＷＦの周端部はリテーナ部材３０８に囲まれており、研磨中に基板ＷＦがヘッド本体３０６から飛び出さないようになっている。リテーナ部材３０８とヘッド本体３０６との間には弾性バッグ３１４が配置されており、その弾性バッグ３１４の内部には圧力室Ｐｒが形成されている。リテーナ部材３０８は、弾性バッグ３１４の膨張／収縮によりヘッド本体３０６に対して相対的に上下動可能となっている。圧力室Ｐｒには流体路３１６が連通しており、加圧空気等の加圧流体が流体路３１６を通じて圧力室Ｐｒに供給されるようになっている。圧力室Ｐｒの内部圧力は調整可能となっている。したがって、基板ＷＦの研磨パッド３５２に対する押圧力とは独立してリテーナ部材３０８の研磨パッド３５２に対する押圧力を調整することができる。

【0023】

＜乾燥モジュール＞
乾燥モジュール５００は、基板ＷＦを乾燥させるための装置である。図１に示される基板処理装置１０００においては、乾燥モジュール５００は、研磨モジュール３００で研磨された後に、搬送モジュール２００の洗浄機構で洗浄された基板ＷＦを乾燥させる。図１に示されるように、乾燥モジュール５００は、搬送モジュール２００の下流に配置される。

【0024】

乾燥モジュール５００は、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦに向けて気体を噴射するためのノズル５３０を有する。気体は、たとえば圧縮された空気または窒素とすることができる。搬送される基板ＷＦ上の水滴を乾燥モジュール５００によって吹き飛ばすことで、基板ＷＦを乾燥させることができる。

【0025】

＜アンロードモジュール＞
アンロードモジュール６００は、研磨および洗浄などの処理が行われた後の基板ＷＦを基板処理装置１０００の外へ搬出するためのモジュールである。図１に示される基板処理装置１０００においては、アンロードモジュール６００は、乾燥モジュール５００で乾燥された後の基板を受け入れる。図１に示されるように、アンロードモジュール６００は、乾燥モジュール５００の下流に配置される。一実施形態において、アンロードモジュール６００は、ＳＭＥＭＡ（Surface Mount Equipment Manufacturers Association）の機械装置インタフェース規格（IPC-SMEMA-9851）に準拠するように構成される。

【0026】

＜搬送モジュール＞
図４は一実施形態による、搬送モジュール２００を模式的に示す側面図である。図１に示される基板処理装置１０００は、２つの搬送モジュール２００Ａ、２００Ｂを備えている。２つの搬送モジュール２００Ａ、２００Ｂは同一の構成とすることができるので、以下において、一括して搬送モジュール２００として説明する。

【0027】

図５は、一実施形態による搬送モジュール２００を示す斜視図である。なお、図５においては、図示の明瞭化のために、上搬送ローラ（第２の搬送ローラ）２９０およびその駆動機構は省略している。図示の搬送モジュール２００は、基板ＷＦを搬送するための複数の搬送ローラ（第１の搬送ローラ）２０２を備えている。搬送ローラ２０２を回転させることで、搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを所定の方向に搬送することができる。搬送モジュール２００の搬送ローラ２０２は、導電性ポリマーから形成されても、導電性のないポリマーから形成されてもよい。搬送ローラ２０２は、ローラシャフト（第１のローラシャフト）２０４に取り付けられており、ギア２０６を介して、モータ２０８により駆動される。一実施形態において、モータ２０８はサーボモータとすることができ、ギア２０６は、歯車式とすることができるが、マグネットギアとすることもできる。また、図示の搬送モジュール２００は、搬送中の基板ＷＦの側面を支持するガイドローラ２１２を備える。図示の搬送モジュール２００は、搬送ローラ２０２上の所定の位置における基板ＷＦの存在の有無を検知するためのセンサ２１６を有する。センサ２１６は任意の形式のセンサとすることができ、たとえば光学式のセンサとすることができる。図４に示される実施形態においては、センサ２１６は搬送モジュール２００に７個（２１６ａ～２１６ｇ）設けられている。一実施形態において、これらのセンサ２１６ａ～２１６ｇによる基板ＷＦの検知に応じて、搬送モジュール２００の動作を制御することができる。図４に示されるように、搬送モジュール２００は、搬送モジュール２００内に基板ＷＦを受け入れるために開閉可能な入口シャッタ２１８を有する。図４に示されるように、プッシャ２３０による基板ＷＦの受け渡しが行われない領域において、搬送ローラ２０２の上には上搬送ローラ２９０が配置されている。上搬送ローラ２９０は、動力源に接続されており、回転可能に構成されている。一実施形態において、上搬送ローラ２９０は、搬送ローラ２０２と同様にギア２０６およびモータ２０８により駆動されるように構成される。

【0028】

図４に示されるように、搬送モジュール２００は、ストッパ２２０を有する。ストッパ２２０は、ストッパ移動機構２２２に接続されており、ストッパ２２０は搬送ローラ２０２上を移動する基板ＷＦの搬送経路内に進入可能である。ストッパ２２０が基板ＷＦの搬送経路内に位置しているときは、搬送ローラ２０２上を移動する基板ＷＦの側面がストッパ２２０に接触し、移動中の基板ＷＦをストッパ２２０の位置で停止させることができる。また、ストッパ２２０が基板ＷＦの搬送経路から退避した位置にあるときは、基板ＷＦは、搬送ローラ２０２上を移動することができる。ストッパ２２０による基板ＷＦの停止位置は、後述のプッシャ２３０が搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを受け取ることができる位置（基板受け渡し位置）である。

【0029】

センサ２１６ａは、搬送モジュール２００の入口側に設けられる。センサ２１６ａによって基板ＷＦの後ろが通過したことが確認されると、入口シャッタ２１８を閉じるようにすることができる。その後、センサ２１６ａの下流側に配置されたセンサ２１６ｂにより基板ＷＦの位置を監視しながら、搬送ローラ２０２で基板ＷＦが搬送される。このときストッパ移動機構２２２によりストッパ２２０が基板ＷＦの搬送経路内に移動されている。搬送ローラ２０２上を搬送されてきた基板ＷＦは、ストッパ２２０に接触して基板ＷＦが停止される。また、センサ２１６ｃはストッパ２２０の位置に配置されており、センサ２１６ｃにより基板ＷＦを検知すると搬送ローラ２０２の動作を停止する。ストッパ２２０の位置（基板受け渡し位置）で停止した基板ＷＦは、プッシャ２３０を介して、トップリ
ング３０２に受け渡される。

【0030】

図４、５に示される搬送モジュール２００は、洗浄ノズル２８４を有する。洗浄ノズル２８４は、搬送ローラ２０２の上側に配置される上洗浄ノズル２８４ａと、下側に配置される下洗浄ノズル２８４ｂとを有する。上洗浄ノズル２８４ａおよび下洗浄ノズル２８４ｂは、図示しない洗浄液の供給源に接続される。上洗浄ノズル２８４ａは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの裏面に洗浄液を供給するように構成される。下洗浄ノズル２８４ｂは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの被研磨面に洗浄液を供給するように構成される。上洗浄ノズル２８４ａおよび下洗浄ノズル２８４ｂは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの幅と同程度、またはそれ以上の幅を備え、基板ＷＦが搬送ローラ２０２上を搬送されることで、基板ＷＦの全面が洗浄されるように構成される。

【0031】

＜プッシャ＞
図４、５に示されるように、搬送モジュール２００はプッシャ２３０を有する。プッシャ２３０は、複数の搬送ローラ２０２の上にある基板ＷＦを持ち上げてトップリング３０２に受け渡すことができるように構成される。またプッシャ２３０は、トップリング３０２から受け取った基板ＷＦを搬送モジュール２００の搬送ローラ２０２に受け渡すことができるように構成される。

【0032】

図６は、一実施形態によるプッシャ２３０を示す斜視図である。図７は、図６に示されるプッシャ２３０を矢印７の方に見た部分断面図である。図７は、プッシャ２３０とともに、搬送ローラ２０２、搬送ローラ２０２上の基板受け渡し位置に配置された基板ＷＦ、および基板ＷＦを受け取るトップリング３０２を概略的に示している。なお、図６、７においては、図示の明瞭化のために、後述するくさび機構および傾斜機構を省略している。

【0033】

図６、７に示される実施形態において、プッシャ２３０は、第１のステージ２７０および第２のステージ２３２を備える。第２のステージ２３２は、基板ＷＦをプッシャ２３０からトップリング３０２に受け渡す時に、トップリング３０２のリテーナ部材３０８を支持するためのステージである。第２のステージ２３２は、複数の支持柱（第２の支持柱）２３４を備える。図８は、一実施形態による、第２のステージ２３２の支持柱の１つを示す断面図である。図８に示されるように、支持柱２３４の一方の端部は、基板ＷＦをトップリング３０２に受け渡す際および基板ＷＦをトップリング３０２から受け取る際にトップリング３０２のリテーナ部材３０８を支持する平坦な支持面２３４ａ、およびトップリング３０２を案内するための傾斜面２３４ｂを備える。一実施形態において、複数の支持柱２３４のうちの４つの角部にある支持柱２３４が図８に示されるような支持面２３４ａおよび傾斜面２３４ｂを備えるようにしてもよい。４つの角部の支持柱２３４により形成される凹部でリテーナ部材３０８を位置合わせできる。４つの角部以外の支持柱２３４は支持面２３４ａのみを備えていてもよい。各支持柱２３４の他方の端部は、共通のベース（第２のベース）２３６に連結されている。また、各支持柱２３４は、搬送ローラ２０２に干渉しない位置に設けられ、図７に示される実施形態においては、各支持柱２３４は、搬送ローラ２０２の間に配置されている。

【0034】

第１のステージ２７０は、搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを受け取るように構成される。第１のステージ２７０は、複数の支持柱（第１の支持柱）２７２を備える。図９は、一実施形態による、第１のステージ２７０の支持柱２７２の１つを示す断面図である。図９に示されるように、支持柱２７２の一方の端部は、基板ＷＦをトップリング３０２に受け渡す際および基板ＷＦをトップリング３０２から受け取る際に基板ＷＦを支持する平坦な支持面２７２ａを備える。支持面２７２ａには弾性を有する吸着パッド２７１が設けられている。支持面２７２ａは吸着パッド２７１を介して基板ＷＦを支持するようになっている。なお、吸着パッド２７１は設けられていなくてもよい。また、複数の支持柱２７２の
少なくとも１つには、支持面２７２ａに開口する吸引路２７２ｂが形成される。吸引路２７２ｂは、真空源２６０に連通するようになっている。これにより、複数の支持柱２７２の少なくとも１つは、基板ＷＦをトップリング３０２から受け取る際に吸引路２７２ｂを介して基板ＷＦを吸引することができるように構成される。各支持柱２７２の他方の端部は共通のベース（第１のベース）２７４に連結されている。また、各支持柱２７２は、搬送ローラ２０２に干渉しない位置に設けられ、図７に示される実施形態においては、各支持柱２７２は、搬送ローラ２０２の間に配置されている。また、各支持柱２７２は、基板ＷＦの被研磨面の回路などのパターンが形成されていない領域を支持するように配置される。第１のステージ２７０および第２のステージ２３２は、以下で詳述するように、それぞれ昇降機構に連結されており、それぞれ高さ方向（ｚ方向）に移動可能である。

【0035】

第２のステージ２３２は、高さ方向（ｚ方向）に移動可能に構成される。一実施形態において、プッシャ２３０は第２の昇降機構２３１を有する。一実施形態において、図６、７に示されるように、プッシャ２３０の第２の昇降機構２３１は、空圧式の昇降機構であり、シリンダ（第３のシリンダ）２４０およびピストン（第３のピストン）２４２を備える。ピストン２４２の端部は、可動台座２４４に連結されている。シリンダ２４０は、固定台座２４６に連結されている。固定台座２４６は、搬送モジュール２００の全体を覆う筐体２０１または搬送モジュール２００を設置する床面などに固定される。シリンダ２４０内の空気圧を調整することにより、ピストン２４２が移動し、可動台座２４４を高さ方向（ｚ方向）に移動させることができる。可動台座２４４が高さ方向に移動することで、第１のステージ２７０および第２のステージ２３２を高さ方向に移動することができる。図示の実施形態において、可動台座２４４の上には、第１のステージ２７０および第２のステージ２３２を水平面内で移動させることが可能なＸＹステージ２４８が搭載されている。ＸＹステージ２４８は、直動ガイドなどにより直交する２方向に移動可能に構成される公知のＸＹステージとすることができる。図示の実施形態において、ＸＹステージ２４８の上には、回転ステージ２５０が搭載されている。回転ステージ２５０は、ＸＹ平面（水平面）において回転可能に構成される。換言すれば、回転ステージ２５０はｚ軸を中心に回転可能に構成される。回転ステージ２５０は、回転軸受などで構成される公知の回転ステージ２５０を採用することができる。

【0036】

回転ステージ２５０の上には、第１の昇降機構２３３が搭載されている。第１の昇降機構２３３は、シリンダ（第１のシリンダ）２５２およびピストン（第１のピストン）２５４を有する。シリンダ２５２は第２のステージ２３２のベース２３６に連結されている。また、シリンダ２５２には移動可能なピストン２５４が連結されており、シリンダ２５２内の空気圧を調整することで、ピストン２５４を移動させることができる。ピストン２５４の端部には、第１のステージ２７０のベース２７４が連結されている。そのため、シリンダ２５２内の空気圧を調整することで、ピストン２５４および第１のステージ２７０を高さ方向（ｚ方向）に移動させることができる。これにより、第１の昇降機構２３３は、基板ＷＦをトップリング３０２から受け取る際には、ベース２７４を上昇させて吸着パッド２７１を介して支持面２７２ａを基板ＷＦに接触させるとともに、吸引路２７２ｂを介して基板ＷＦを吸引している状態でベース２７４を下降させるように構成することができる。さらに、センサ２１６ｂは、支持面２７２ａ上の基板ＷＦの有無を検知するように構成することができる。この場合、第１の昇降機構２３３は、基板ＷＦをトップリング３０２から受け取る際に、ベース２７４を下降させた状態においてセンサ２１６ｂにより基板ＷＦが無いと検知された場合には、ベース２７４の昇降を繰り返すように構成することができる。すなわち、トップリング３０２から基板ＷＦの受け取りが正常に行われなかった場合には、第１の昇降機構２３３は、再度、ベース２７４を上昇させて支持面２７２ａを基板ＷＦに接触させ、吸引路２７２ｂを介して基板ＷＦを吸引している状態でベース２７４を下降させることができる。

【0037】

上述の構成によれば、第２の昇降機構２３１は、第１のステージ２７０および第２のステージ２３２の両方を高さ方向（ｚ方向）に移動させ、第１の昇降機構２３３は、第１のステージ２７０を第２のステージ２３２に対して高さ方向（ｚ方向）に移動させることができる。また、第１のステージ２７０および第２のステージ２３２は、ＸＹステージ２４８により、水平面内で直交する２方向（ｘｙ方向）に移動可能である。さらに、第１のステージ２７０および第２のステージ２３２は、回転ステージ２５０により、水平面内（ｚ軸を中心に）で回転可能である。そのため、プッシャ２３０とトップリング３０２との間で基板ＷＦを授受するときに、プッシャ２３０とトップリング３０２との位置合わせを行うことができる。なお、図示の実施形態においては、第１の昇降機構２３３および第２の昇降機構２３１は、空圧式の昇降機構であるが、これらの昇降機構は液圧式でもよく、またモータおよびボールネジなどを使用した電動式の昇降機構としてもよい。第２の昇降機構２３１により、第２のステージ２３２および第１のステージ２７０は下位置および上位置の間を移動することができる。

【0038】

次に、プッシャ２３０からトップリング３０２への基板ＷＦの受け渡しについて説明する。図７は、第１のステージ２７０および第２のステージ２３２が下位置にある状態を示している。基板ＷＦをトップリング３０２に受け渡す場合、プッシャ２３０は、図７に示す状態から第２の昇降機構２３１により第１のステージ２７０および第２のステージ２３２を上昇させる。これにより、プッシャ２３０は吸着パッド２７１を基板ＷＦに接触させて基板ＷＦを持ち上げるとともに、支持柱２３４の支持面２３４ａによってトップリング３０２のリテーナ部材３０８を支持する。続いて、プッシャ２３０は、第１の昇降機構２３３によって第１のステージ２７０を第２のステージ２３２に対して上昇させることによって、基板ＷＦをトップリング３０２に接触させる。この状態でトップリング３０２の圧力室Ｐ１に対する真空引きを行うことによって基板ＷＦはトップリング３０２に吸着され、トップリング３０２に受け渡される。トップリング３０２に受け渡された基板ＷＦには研磨モジュール３００によって研磨処理が施される。基板ＷＦをトップリング３０２に受け渡した後、プッシャ２３０は図７に示す状態に戻る。なお、基板ＷＦをトップリング３０２に受け渡す際には、真空源２６０による真空引きは停止されている。

【0039】

次に、トップリング３０２からプッシャ２３０への基板ＷＦの受け渡しについて説明する。プッシャ２３０は、トップリング３０２から基板ＷＦを受け取る場合には、図７に示す状態から第２の昇降機構２３１により第１のステージ２７０および第２のステージ２３２を上昇させて、支持柱２３４の支持面２３４ａによってトップリング３０２のリテーナ部材３０８を支持する。続いて、プッシャ２３０は、第１の昇降機構２３３によって第１のステージ２７０を第２のステージ２３２に対して上昇させることによって、吸着パッド２７１を基板ＷＦに接触させる。続いて、プッシャ２３０は、真空源２６０による真空引きを開始することによって吸着パッド２７１を介して基板ＷＦを吸着する。一方、トップリング３０２は、圧力室Ｐ１に対する真空引きを停止し、流体路３１２を介して加圧空気等の加圧流体を圧力室Ｐ１へ供給する。この状態で、プッシャ２３０を下降させることによって基板ＷＦをトップリング３０２から引き剥がすことが考えられる。しかしながら、基板ＷＦとトップリング３０２との間の表面張力が強く作用している場合には、プッシャ２３０を下降させても基板ＷＦをトップリング３０２から引き剥がせないという問題が生じ得る。

【0040】

＜くさび機構＞
これに対して、本実施形態では、トップリング３０２からプッシャ２３０への基板ＷＦの受け渡しの確実性を向上させるためにくさび機構を採用している。図１０は、一実施形態によるくさび機構を模式的に示す斜視図である。図１０は、図６におけるＡＡ領域を拡大してくさび機構を模式的に示している。図１１は、一実施形態によるくさび機構を模式的に示す平面図および断面図である。図１１（Ａ）は、くさび機構を模式的に示す平面図
であり、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）におけるＢＢ領域を拡大して示しており、図１１（Ｃ）は、図１１（Ｂ）のＣ－Ｃ断面における断面図を示している。

【0041】

図１０，１１に示すように、本実施形態の基板処理装置は、支持柱２３４に設けられた２つのくさび機構２３５を備える。２つのくさび機構２３５は、矩形の基板ＷＦの角を挟むように配置される。２つのくさび機構２３５は同一の構成を有しているので、以下、代表して１つのくさび機構２３５のみを説明する。なお、本実施形態では、４本の支持柱２３４のうちの１本に２つのくさび機構２３５が設けられる例を示すが、これに限らず、複数本の支持柱２３４にくさび機構２３５が設けられていてもよい。また、くさび機構２３５は支持柱２３４以外の部材に設けられていてもよい。

【0042】

くさび機構２３５は、基板ＷＦとトップリング３０２との間に挿入されるくさび部材２３８を含む。くさび部材２３８は、トップリング３０２からプッシャ２３０へ基板ＷＦを受け渡すときにトップリング３０２の弾性パッド３１０に保持された基板ＷＦの側方に配置される。くさび部材２３８は、基板ＷＦとトップリング３０２との間に挿入可能なくさび形状を有している。具体的には、くさび部材２３８は、基板ＷＦの裏面と平行に伸びる第１の面２３８ａと、第１の面２３８ａに対向するとともに基板ＷＦの方向に向けて先細りするように傾斜する第２の面２３８ｂと、を有する。第１の面２３８ａと第２の面２３８ｂの基板ＷＦ側の端部は接続されており、第１の面２３８ａと第２の面２３８ｂによって鋭角の先端２３８ｅが形成される。くさび部材２３８は、第１の面２３８ａと第２の面２３８ｂの基板ＷＦとは反対側の端部を接続する第３の面２３８ｃを有する。本実施形態では、くさび部材２３８は、支持柱２３４の支持面２３４ａによってトップリング３０２のリテーナ部材３０８を支持した状態で、くさび部材２３８の鋭角の先端２３８ｅが弾性パッド３１０と基板ＷＦの裏面との接触面の側方に配置されるように、支持柱２３４に位置決めされている。

【0043】

くさび機構２３５は、くさび部材２３８を基板ＷＦの裏面に沿った方向に移動させて基板ＷＦの裏面とトップリング３０２の弾性パッド３１０との間に挿入させるように構成された駆動部材２３７を含む。駆動部材２３７は、一例では、くさび部材２３８と接続されたピストンおよびピストンを収容するシリンダを備える空圧式の駆動機構であり、シリンダ内の空気圧を調整することによりピストンを介してくさび部材２３８を基板ＷＦの裏面に沿った方向に往復移動させることができる。ただし、駆動部材２３７は、これに限らず公知の機構を採用することができる。

【0044】

くさび機構２３５は、トップリング３０２からプッシャ２３０へ基板ＷＦを受け渡すときに、図１１（Ｃ）に示すように、くさび部材２３８を基板ＷＦの裏面とトップリング３０２の弾性パッド３１０との間に挿入させる。これにより、基板ＷＦとトップリング３０２との間に作用していた表面張力に抗して基板ＷＦの端部を弾性パッド３１０から剥がすことができる。基板ＷＦの端部を弾性パッド３１０から剥がすことによって、基板ＷＦとトップリング３０２との間には周囲の気体（空気）が入り込み易くなる。したがって、プッシャ２３０は、吸着パッド２７１を介して基板ＷＦを吸着した状態で第１のステージ２７０を下降させることにより、基板ＷＦの全体を弾性パッド３１０から容易に剥がすことができる。本実施形態の基板処理装置によれば、トップリング３０２からプッシャ２３０への基板ＷＦの受け渡しの確実性を向上させることができる。

【0045】

図１２は、変形例のくさび機構を模式的に示す断面図である。図１２に示すように、変形例のくさび部材２３８は、くさび部材２３８の内部を通り第２の面２３８ｂに開口する穴２３８ｄを有する。本実施形態では、穴２３８ｄは、くさび部材２３８の第２の面２３８ｂと第３の面２３８ｃとを連通するように形成されるが、これに限定されない。くさび機構２３５は、穴２３８ｄを介して第２の面２３８ｂから流体（例えば空気または窒素な
どの気体）を噴射可能な流体供給源２３９を含む。

【0046】

変形例のくさび機構２３５は、トップリング３０２からプッシャ２３０へ基板ＷＦを受け渡すときに、上記と同様に、くさび部材２３８を基板ＷＦの裏面とトップリング３０２の弾性パッド３１０との間に挿入させる。続いて、くさび機構２３５は、流体供給源２３９によって穴２３８ｄを介して第２の面２３８ｂから流体を噴射する。本変形例によれば、基板ＷＦの裏面とトップリング３０２の弾性パッド３１０との間にくさび部材２３８を挿入させることにより基板ＷＦの端部と弾性パッド３１０との間に隙間を形成するとともに、隙間に対して第２の面２３８ｂから流体を噴射することにより基板ＷＦ全体を弾性パッド３１０から剥がれ易くすることができる。したがって、プッシャ２３０は、吸着パッド２７１を介して基板ＷＦを吸着した状態で第１のステージ２７０を下降させることにより、基板ＷＦの全体を弾性パッド３１０から容易に引き剥がすことができる。本変形例の基板処理装置によれば、トップリング３０２からプッシャ２３０への基板ＷＦの受け渡しの確実性を向上させることができる。なお、基板処理装置１０００は、上述のように、トップリング３０２からプッシャ２３０へ基板ＷＦを受け渡すときに、圧力室（エアバッグ）Ｐ１に加圧空気等の加圧流体を供給することができる。これにより、弾性パッド３１０が膨張して弾性パッド３１０の下面が下向きに突出するように湾曲するので、弾性パッド３１０と基板ＷＦの外周部裏面との間に、くさび部材２３８を挿入しやすくするための隙間を作ることができる。これに加えて、圧力室Ｐ１と弾性パッド３１０の基板保持面とを連通する非図示の複数の開口から基板ＷＦ裏面に向けて加圧空気等の加圧流体が供給される。その結果、弾性パッド３１０から基板ＷＦを容易に剥離させることができるので、トップリング３０２からプッシャ２３０への基板ＷＦの受け渡しの確実性と迅速性を向上させることができる。トップリング３０２からプッシャ２３０への基板ＷＦの受け渡しの迅速性を向上させることによって、基板ＷＦの搬送時間が低減されるので、基板処理装置１０００のスループットを向上させることができる。

【0047】

＜傾斜機構＞
次に、プッシャ２３０の第１のステージ２７０を傾斜させるための傾斜機構について説明する。図１３から図１６は、一実施形態による傾斜機構を模式的に示す断面図である。図１３から図１６においては、図示の明瞭化のために、第２の昇降機構２３１およびくさび機構２３５を省略している。図１３は、図７に示す状態から第２の昇降機構２３１により第１のステージ２７０および第２のステージ２３２を上昇させ、さらに、第１の昇降機構２３３によって第１のステージ２７０を第２のステージ２３２に対して上昇させ、吸着パッド２７１を基板ＷＦに接触させた状態を示している。

【0048】

図１３に示すように、本実施形態の基板処理装置は、第１のステージ２７０を傾斜させるための傾斜機構２５１を含む。傾斜機構２５１は、第１のステージ２７０の底面の中央部に取り付けられた第１の回転軸２５３を含む。第１の回転軸２５３は、ピストン２５４と第１のステージ２７０との間に設けられる。言い換えれば、ピストン２５４は、第１の回転軸２５３を介して第１のステージ２７０を支持するようになっている。傾斜機構２５１は、ピストン２５４から側方に伸びるシャフト２５６と、第１のステージ２７０の底面の端部に取り付けられた第２の回転軸２５８と、第２の回転軸２５８を介して第１のステージ２７０を支持するピストン（第２のピストン）２５７と、を含む。また、傾斜機構２５１は、シャフト２５６の上面に取り付けられた第３の回転軸２５９と、ピストン２５７を昇降させるように構成されたシリンダ（第２のシリンダ）２５５を含む。シリンダ２５５は、第３の回転軸２５９を介してシャフト２５６に支持される。第１の回転軸２５３、第２の回転軸２５８、および第３の回転軸２５９は、本実施形態ではｘ軸の方向に伸びるヒンジ状の回転軸であるが、これに限定されない。第１の回転軸２５３、第２の回転軸２５８、第３の回転軸２５９、ピストン２５４、シャフト２５６、ピストン２５７、およびシリンダ２５５は、リンク機構を形成しており、リンク機構によって第１の回転軸２５３
周りに第１のステージ２７０を傾斜させることができるように構成される。なお、本実施形態では、第１の回転軸２５３が第１のステージ２７０の底面の中央部に設けられ、第２の回転軸２５８が第１のステージ２７０の底面の端部に取り付けられる例を示したが、これに限らず、第１の回転軸２５３および第２の回転軸２５８の取り付け位置は任意である。

【0049】

図１４は、図１３に示す状態から基板ＷＦの端部を剥離させた状態を示している。図１４に示すように、プッシャ２３０は、トップリング３０２からプッシャ２３０へ基板ＷＦを受け渡すときに、傾斜機構２５１を用いて第１のステージ２７０を傾斜させることによって基板ＷＦの端部をトップリング３０２から剥離させるように構成される。具体的には、プッシャ２３０は、くさび機構２３５を用いて基板ＷＦとトップリング３０２との間にくさび部材２３８を挿入する。続いて、プッシャ２３０は、ピストン２５４を下げることによって第１のステージ２７０全体を下降させつつピストン２５７を下げることによって第１のステージ２７０を第１の回転軸２５３を中心に時計回りに回転（傾斜）させる。本実施形態によれば、くさび部材２３８を挿入することによって基板ＷＦの端部とトップリング３０２との間には隙間が形成される。これに加えて隙間が形成された基板ＷＦの端部を引き剥がすように第１のステージ２７０を傾斜させることによって、隙間から基板ＷＦの全体に気体が入り込み易くなるので、小さい力で基板ＷＦをトップリング３０２から容易に剥離することができる。

【0050】

図１５は、図１４に示すように基板ＷＦの端部をトップリング３０２から剥離させた後に、第１の昇降機構２３３を用いて第１のステージ２７０を下降させた状態を示している。図１５に示すように、プッシャ２３０は、ピストン２５４を下げることによって、第１のステージ２７０を傾斜させた状態にまま下降させることができる。これにより、図１５に示すように基板ＷＦの全体をトップリング３０２から引き剥がすことができる。なお、プッシャ２３０は、基板ＷＦとトップリング３０２との間にくさび部材２３８を挿入した後、傾斜機構２５１および第１の昇降機構２３３を用いて基板ＷＦをトップリング３０２から引き剥がす工程の任意のタイミングで、流体供給源２３９によって穴２３８ｄを介して第２の面２３８ｂから流体を噴射することができる。これにより、トップリング３０２と基板ＷＦとの間に流体が噴射されて両者の間の表面張力が弱まるので、トップリング３０２からプッシャ２３０への基板ＷＦの受け渡しの確実性をさらに向上させることができる。

【0051】

図１６は、図１５に示す状態から傾斜機構２５１を用いて第１のステージ２７０を水平にさせた状態を示している。図１６に示すように、プッシャ２３０は、ピストン２５７を上げることによって第１のステージ２７０を第１の回転軸２５３を中心に反時計回りに回転させ、第１のステージ２７０および基板ＷＦを水平状態に戻すことができる。プッシャ２３０は、図１６の状態になった後は、第２の昇降機構２３１により第１のステージ２７０および第２のステージ２３２を下降させることによって、基板ＷＦを搬送ローラ２０２上に受け渡すことができる。

【0052】

以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

【0053】

本願は、一実施形態として、被研磨面を下方に向けた状態で基板の裏面を保持するように構成されたトップリングと、前記トップリングとの間で基板を受け渡しするように構成
されたプッシャと、前記トップリングから前記プッシャへ前記基板を受け渡すときに前記トップリングに保持された基板の側方に配置されるくさび部材、および前記くさび部材を前記基板の裏面に沿った方向に移動させて前記基板の裏面と前記トップリングとの間に挿入させるように構成された駆動部材、を含むくさび機構と、を含む基板処理装置を開示する。

【0054】

さらに本願は、一実施形態として、前記くさび部材は、前記基板の裏面と平行に伸びる第１の面と、前記第１の面に対向するとともに前記基板の方向に向けて先細りするように傾斜する第２の面と、を有する、基板処理装置を開示する。

【0055】

さらに本願は、一実施形態として、前記くさび部材は、前記くさび部材の内部を通り前記第２の面に開口する穴を有し、前記くさび機構は、前記穴を介して前記第２の面から流体を噴射可能な流体供給源をさらに含む、基板処理装置を開示する。

【0056】

さらに本願は、一実施形態として、前記プッシャは、前記トップリングとの間で前記基板を受け渡しするための第１のステージと、前記第１のステージを昇降させるための第１の昇降機構と、前記第１のステージを傾斜させるための傾斜機構と、を含む、基板処理装置を開示する。

【0057】

さらに本願は、一実施形態として、前記プッシャは、前記トップリングから前記プッシャへ前記基板を受け渡すときに、前記傾斜機構を用いて前記第１のステージを傾斜させることによって前記基板の端部を前記トップリングから剥離させるように構成される、基板処理装置を開示する。

【0058】

さらに本願は、一実施形態として、前記プッシャは、前記基板の端部を前記トップリングから剥離させた後に、前記第１の昇降機構を用いて前記第１のステージを下降させるとともに前記傾斜機構を用いて前記第１のステージを水平にさせるように構成される、基板処理装置を開示する。

【0059】

さらに本願は、一実施形態として、前記第１の昇降機構は、前記第１のステージの底面を支持する第１のピストンと、前記第１のピストンを昇降させるように構成された第１のシリンダと、を含み、前記傾斜機構は、前記第１のピストンと前記第１のステージとの間に設けられた第１の回転軸と、前記第１のピストンから側方に伸びるシャフトと、前記第１のステージの底面に取り付けられた第２の回転軸と、前記第２の回転軸を介して前記第１のステージを支持する第２のピストンと、前記シャフトの上面に取り付けられた第３の回転軸と、前記第３の回転軸を介して前記シャフトに支持され、前記第２のピストンを昇降させるように構成された第２のシリンダと、を含む、
基板処理装置を開示する。

【0060】

さらに本願は、一実施形態として、前記第１のステージは、吸着パッドを介して前記基板を支持するための支持面を一方の端部に有する複数の第１の支持柱と、前記複数の第１の支持柱の他方の端部と連結される第１のベースと、を含み、前記複数の第１の支持柱の少なくとも１つには、真空源に連通し前記支持面に開口する吸引路が形成される、基板処理装置を開示する。

【0061】

さらに本願は、一実施形態として、前記トップリングとの間で基板を受け渡しするときに前記トップリングを支持するための第２のステージと、前記第１のステージおよび前記第２のステージを昇降させるための第２の昇降機構と、をさらに含み、前記第２のステージは、前記トップリングとの間で基板を受け渡しするときに前記トップリングを支持するための支持面を一方の端部に有する複数の第２の支持柱と、前記複数の第２の支持柱の他
方の端部と連結される第２のベースと、を含み、前記くさび部材は、前記複数の第２の支持柱の少なくとも１つに設けられる、基板処理装置を開示する。

【符号の説明】

【0062】

２３０ プッシャ
２３１ 第２の昇降機構
２３２ 第２のステージ
２３３ 第１の昇降機構
２３４，２７２ 支持柱
２３４ａ，２７２ａ 支持面
２３４ｂ 傾斜面
２３５ くさび機構
２３６，２７４ ベース
２３７ 駆動部材
２３８ くさび部材
２３８ａ 第１の面
２３８ｂ 第２の面
２３８ｃ 第３の面
２３８ｄ 穴
２３９ 流体供給源
２４０ シリンダ
２４２，２５４，２５７ ピストン
２５１ 傾斜機構
２５２，２５５ シリンダ
２５３ 第１の回転軸
２５６ シャフト
２５８ 第２の回転軸
２５９ 第３の回転軸
２６０ 真空源
２７０ 第１のステージ
２７１ 吸着パッド
２７２ｂ 吸引路
３０２ トップリング
３１０ 弾性パッド
１０００ 基板処理装置
ＷＦ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】