特許 7549031 半導体処理チャンバ内のコンダクタンスライナのための方法及び装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-02

(45)【発行日】2024-09-10

(54)【発明の名称】半導体処理チャンバ内のコンダクタンスライナのための方法及び装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20240903BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240903BHJP

   C23C 16/509 20060101ALI20240903BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 C

H01L21/302 101B

C23C16/509

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2022554202

(86)(22)【出願日】2021-01-14

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-04-27

(86)【国際出願番号】 US2021013417

(87)【国際公開番号】W WO2021183211

(87)【国際公開日】2021-09-16

【審査請求日】2022-11-08

(31)【優先権主張番号】16/816,672

(32)【優先日】2020-03-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】フランクリン， ティモシー ジョセフ

(72)【発明者】

【氏名】ディンサ， ラジンダー

(72)【発明者】

【氏名】ビョン， ダニエル サング

(72)【発明者】

【氏名】ウォン， カーラトン

【審査官】原島 啓一

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第００／０７５９７２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００２－０２５９８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１９５８１７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

Ｈ０１Ｌ ２１／３０２

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｈ０１Ｌ ２１／３６５

Ｈ０１Ｌ ２１／４６１

Ｈ０１Ｌ ２１／４６９

Ｈ０１Ｌ ２１／８６

Ｈ０５Ｈ １／００－１／５４

Ｃ２３Ｃ １６／００－１６／５６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理するための装置であって、
処理空間を有する処理チャンバ、
前記処理空間を囲むコンダクタンスライナであって、前記コンダクタンスライナが、少なくとも１つの固定部分及び可動部分を有し、前記可動部分が、前記処理チャンバの壁における基板移送スロットを露出させるように構成されている、コンダクタンスライナ、並びに
アクチュエータを有するリフティングアセンブリであって、前記アクチュエータが、前記コンダクタンスライナの前記可動部分に取り付けられており、前記リフティングアセンブリが、前記コンダクタンスライナの前記可動部分を垂直方向に移動させるように構成されている、リフティングアセンブリ
を備え、
前記アクチュエータが、非導電性である少なくとも一部分を有し、前記少なくとも一部分が、前記コンダクタンスライナの前記可動部分を電気的に絶縁するように構成されている装置。

【請求項2】

前記コンダクタンスライナの前記少なくとも１つの固定部分が、前記処理チャンバの上部に第１の水平部分を有し、前記コンダクタンスライナの前記可動部分が、垂直部分及び第２の水平部分を有し、前記垂直部分は、前記可動部分が上昇させられたときに、前記固定部分と相互作用するように構成され、前記第２の水平部分は、前記可動部分が上昇させられたときに、端部リングと相互作用して、前記処理チャンバ内のＲＦ接地リターン経路を完成させるように構成されている、請求項１に記載の装置。

【請求項3】

前記垂直部分が、上端に第１の凹部を有し、前記第１の凹部内には第１のＲＦガスケットがあり、前記第２の水平部分が、前記垂直部分に対して遠位の端部の上面に第２の凹部を有し、前記第２の凹部内には第２のＲＦガスケットがある、請求項２に記載の装置。

【請求項4】

基板を処理するための装置であって、
処理空間を有する処理チャンバ、
前記処理空間を囲むコンダクタンスライナであって、前記コンダクタンスライナが、少なくとも１つの固定部分及び可動部分を有し、前記可動部分が、前記処理チャンバの壁における基板移送スロットを露出させるように構成されている、コンダクタンスライナ、並びに
アクチュエータを有するリフティングアセンブリであって、前記アクチュエータが、前記コンダクタンスライナの前記可動部分に取り付けられており、前記リフティングアセンブリが、前記コンダクタンスライナの前記可動部分を垂直方向に移動させるように構成されている、リフティングアセンブリ
を備え、
前記コンダクタンスライナの前記少なくとも１つの固定部分が、前記処理チャンバの上部に第１の水平部分を有し、かつ端部リングと電気的に相互作用する第２の水平部分を有し、前記コンダクタンスライナの前記可動部分が垂直部分であり、前記垂直部分は、前記可動部分が上昇させられたときに、前記第１の水平部分及び前記第２の水平部分と電気的に相互作用して、前記処理チャンバ内のＲＦ接地リターン経路を完成させるように構成されている、装置。

【請求項5】

前記垂直部分が、上端に第１の凹部を有し、前記第１の凹部内には第１のＲＦガスケットがあり、前記垂直部分が、底端部における側面に第２の凹部を有し、前記第２の凹部内には第２のＲＦガスケットがある、請求項４に記載の装置。

【請求項6】

前記コンダクタンスライナの前記少なくとも１つの固定部分が、前記処理チャンバの上部の第１の水平部分及び第１の垂直部分を有し、前記コンダクタンスライナの前記可動部分が、第２の垂直部分及び第２の水平部分を有し、前記第２の垂直部分は、前記可動部分が上昇させられたときに、前記第１の垂直部分と相互作用するように構成され、前記第２の水平部分は、前記可動部分が上昇させられたときに、端部リングと相互作用して、前記処理チャンバ内のＲＦ接地リターン経路を完成させるように構成されている、請求項１に記載の装置。

【請求項7】

前記第２の垂直部分が、上端に第１の凹部を有し、前記第１の凹部内には第１のＲＦガスケットがあり、前記第２の水平部分が、前記第２の垂直部分に対して遠位の端部の上面に第２の凹部を有し、前記第２の凹部内には第２のＲＦガスケットがある、請求項６に記載の装置。

【請求項8】

前記リフティングアセンブリが、前記アクチュエータを垂直に移動させるためにリニアモータ駆動部を利用するか、又は前記アクチュエータを垂直に移動させるためにガス圧式駆動部を利用する、請求項１に記載の装置。

【請求項9】

前記コンダクタンスライナの少なくとも一部分が、ポリシリコン、ケイ素、炭化ケイ素、単結晶ケイ素、又は炭化ケイ素でコーティングされたアルミニウムである、請求項１または４に記載の装置。

【請求項10】

基板を処理するための装置であって、
処理チャンバ内の処理空間を囲み、プラズマを閉じ込め、ＲＦ接地リターン経路を設けるように構成されたコンダクタンスライナを備え、前記コンダクタンスライナが、
前記処理チャンバ内に固定されるように構成された少なくとも１つの第１の部分と、
前記処理チャンバの壁における基板移送スロットを露出させるために、前記処理チャンバ内で垂直方向に移動可能であるように構成された第２の部分と
を有し、前記第２の部分が、上昇位置にあり、前記少なくとも１つの第１の部分と電気的に相互作用しているときに、前記ＲＦ接地リターン経路の一部を設けるように構成され、
前記少なくとも１つの第１の部分が、第１の水平部分及び分離された第２の水平部分を有し、前記第２の部分が、垂直部分を有し、前記垂直部分は、前記第２の部分が上昇させられたときに、前記第１の水平部分及び前記第２の水平部分と電気的に相互作用して、前記処理チャンバ内で前記ＲＦ接地リターン経路を完成させるように構成されている、装置。

【請求項11】

基板を処理するための装置であって、
処理チャンバ内の処理空間を囲み、プラズマを閉じ込め、ＲＦ接地リターン経路を設けるように構成されたコンダクタンスライナを備え、前記コンダクタンスライナが、
前記処理チャンバ内に固定されるように構成された少なくとも１つの第１の部分と、
前記処理チャンバの壁における基板移送スロットを露出させるために、前記処理チャンバ内で垂直方向に移動可能であるように構成された第２の部分と
を有し、前記第２の部分が、上昇位置にあり、前記少なくとも１つの第１の部分と電気的に相互作用しているときに、前記ＲＦ接地リターン経路の一部を設けるように構成され、
前記少なくとも１つの第１の部分が、第１の水平部分を有し、前記第２の部分が、垂直部分及び第２の水平部分を有し、前記垂直部分は、前記第２の部分が上昇させられたときに、前記第１の部分と相互作用するように構成され、前記第２の水平部分は、前記第２の部分が上昇させられたときに、接地と相互作用して、前記処理チャンバ内の前記ＲＦ接地リターン経路を完成させるように構成され、
前記コンダクタンスライナの少なくとも一部分が、ポリシリコン、ケイ素、炭化ケイ素、単結晶ケイ素、又は炭化ケイ素でコーティングされたアルミニウムである、装置。

【請求項12】

前記垂直部分が、上端に第１の凹部を有し、前記第１の凹部内には第１のＲＦガスケットがあり、前記第２の水平部分が、前記垂直部分に対して遠位の端部の上面に第２の凹部を有し、前記第２の凹部内には第２のＲＦガスケットがある、請求項１１に記載の装置。

【請求項13】

前記第１のＲＦガスケット又は前記第２のＲＦガスケットがステンレス鋼である、請求項１２に記載の装置。

【請求項14】

前記垂直部分が、上端に第１の凹部を有し、前記第１の凹部内には第１のＲＦガスケットがあり、前記垂直部分が、底端部における側面に第２の凹部を有し、前記第２の凹部内には第２のＲＦガスケットがある、請求項１０に記載の装置。

【請求項15】

基板を処理するための装置であって、
処理チャンバ内の処理空間を囲み、プラズマを閉じ込め、ＲＦ接地リターン経路を設けるように構成されたコンダクタンスライナを備え、前記コンダクタンスライナが、
前記処理チャンバ内に固定されるように構成された少なくとも１つの第１の部分と、
前記処理チャンバの壁における基板移送スロットを露出させるために、前記処理チャンバ内で垂直方向に移動可能であるように構成された第２の部分と
を有し、前記第２の部分が、上昇位置にあり、前記少なくとも１つの第１の部分と電気的に相互作用しているときに、前記ＲＦ接地リターン経路の一部を設けるように構成され、
前記少なくとも１つの第１の部分が、第１の垂直部分に接続された第１の水平部分を有し、前記第２の部分が、第２の水平部分に接続された第２の垂直部分を有し、前記第２の垂直部分は、前記第２の部分が上昇させられたときに、前記第１の垂直部分と相互作用するように構成され、前記第２の水平部分は、前記第２の部分が上昇させられたときに、接地と相互作用して、前記処理チャンバ内の前記ＲＦ接地リターン経路を完成させるように構成され、
前記コンダクタンスライナの少なくとも一部分が、ポリシリコン、ケイ素、炭化ケイ素、単結晶ケイ素、又は炭化ケイ素でコーティングされたアルミニウムである、装置。

【請求項16】

前記第２の垂直部分が、上端に第１の凹部を有し、前記第１の凹部内には第１のＲＦガスケットがあり、前記第２の水平部分が、前記第２の垂直部分に対して遠位の端部の上面に第２の凹部を有し、前記第２の凹部内には第２のＲＦガスケットがある、請求項１５に記載の装置。

【請求項17】

処理チャンバを洗浄する方法であって、
コンダクタンスライナの可動部分を下降させて、前記コンダクタンスライナの少なくとも１つの非可動部分又は基板支持アセンブリとの電気接触を切断することと、
ＲＦ接地リターン経路を有さない前記処理チャンバの処理空間内でプラズマを発生させることと、
前記コンダクタンスライナをプラズマで加熱して、堆積物を除去することと
を含む方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［０００１］本原理の実施形態は、概して、半導体デバイスを製造するための半導体チャンバに使用されるコンダクタンスライナに関する。

【背景技術】

【0002】

［０００２］半導体デバイスの製造に使用される堆積チャンバ及びエッチングチャンバは、処理されるすべての基板について一定のかつ均一な結果を生じさせる必要がある。処理をさらに向上させるために、プラズマを材料の堆積及びエッチングの両方において使用することができる。プラズマは、誘導結合又は容量結合によって生成することができる。容量結合プラズマチャンバでは、チャンバの処理空間内で生成されたプラズマを収容し、ＲＦ接地リターン経路を設けるために、コンダクタンスライナ（ｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ ｌｉｎｅｒ）が使用される。コンダクタンスライナは、概して、基板移送スロットによって遮られた場合を除いて、処理空間を囲む。基板移送スロットは、ロボットアームが基板をプラズマチャンバの処理空間の内外に配置することを可能にする。しかしながら、本発明者らは、移送スロットの存在が、処理中の基板上への堆積の均一性を妨げることを認めている。

【0003】

［０００３］したがって、本発明者らは、基板上への堆積の均一性を向上させる、改善された方法及び装置を提供する。

【発明の概要】

【0004】

［０００４］本明細書では、基板上への堆積の均一性を向上させるための方法及び装置が提供される。

【0005】

［０００５］幾つかの実施形態では、基板を処理するための装置は、処理空間を有する処理チャンバ、処理空間を囲むコンダクタンスライナであって、コンダクタンスライナが、少なくとも１つの固定部分及び可動部分を有し、可動部分が、処理チャンバの壁において基板移送スロットを露出させるように構成されている、コンダクタンスライナ、並びにアクチュエータを有するリフティングアセンブリであって、アクチュエータが、コンダクタンスライナの可動部分に取り付けられ、リフティングアセンブリが、コンダクタンスライナの可動部分を垂直に移動させるように構成されている、リフティングアセンブリを備えている。

【0006】

［０００６］幾つかの実施形態では、当該装置において、コンダクタンスライナの少なくとも１つの固定部分は、処理チャンバの上部に第１の水平部分を有し、コンダクタンスライナの可動部分は、垂直部分及び第２の水平部分を有し、垂直部分は、可動部分が上昇させられたときに、固定部分と相互作用するように構成され、第２の水平部分は、可動部分が上昇させられたときに、端部リングと相互作用して、処理チャンバ内のＲＦ接地リターン経路を完成させるように構成され、垂直部分は、上端に第１の凹部を有し、第１の凹部内には第１のＲＦガスケットがあり、第２の水平部分は、垂直部分に対して遠位の端部の上面に第２の凹部を有し、第２の凹部内には第２のＲＦガスケットがあり、コンダクタンスライナの少なくとも１つの固定部分は、処理チャンバの上部に第１の水平部分を有し、かつ端部リングと電気的に相互作用する第２の水平部分を有し、コンダクタンスライナの可動部分は垂直部分であり、垂直部分は、可動部分が上昇させられたときに、第１の水平部分及び第２の水平部分と電気的に相互作用して、処理チャンバ内のＲＦ接地リターン経路を完成させるように構成され、垂直部分は、上端に第１の凹部を有し、第１の凹部内には第１のＲＦガスケットがあり、垂直部分は、底端部における側面に第２の凹部を有し、第２の凹部内には第２のＲＦガスケットがあり、コンダクタンスライナの少なくとも１つの固定部分は、処理チャンバの上部に第１の水平部分を有し、コンダクタンスライナの第１の垂直部分及び可動部分は、第２の垂直部分及び第２の水平部分を有し、第２の垂直部分は、可動部分が上昇させられたときに、第１の垂直部分と相互作用するように構成され、第２の水平部分は、可動部分が上昇させられたときに、端部リングと相互作用して、処理チャンバ内のＲＦ接地リターン経路を完成させるように構成され、第２の垂直部分は、上端に第１の凹部を有し、第１の凹部内には第１のＲＦガスケットがあり、第２の水平部分は、第２の垂直部分に対して遠位の端部の上面に第２の凹部を有し、第２の凹部内には第２のＲＦガスケットがあり、アクチュエータは、非導電性であり、かつコンダクタンスライナの可動部分を電気的に絶縁するように構成された少なくとも一部分を有し、リフティングアセンブリは、アクチュエータを垂直に移動させるためにリニアモータ駆動部を利用するか、又はアクチュエータを垂直に移動させるためにガス（空気）圧式駆動部を利用し、かつ／又はコンダクタンスライナの少なくとも一部分は、ポリシリコン、ケイ素、炭化ケイ素、単結晶ケイ素、又は炭化ケイ素でコーティングされたアルミニウムである。

【0007】

［０００７］幾つかの実施形態では、基板を処理するための装置は、コンダクタンスライナを備え得、コンダクタンスライナは、処理チャンバ内の処理空間を囲み、プラズマを閉じ込め、ＲＦ接地リターン経路を設けるように構成され、処理チャンバ内に固定されるように構成された少なくとも１つの第１の部分と、処理チャンバの壁における基板移送スロットを露出させるために、処理チャンバ内で垂直方向に移動可能であるように構成された第２の部分とを有し、第２の部分は、上昇位置にあり、少なくとも１つの第１の部分と電気的に相互作用しているときに、ＲＦ接地リターン経路の一部を設けるように構成されている。

【0008】

［０００８］幾つかの実施形態では、当該装置において、少なくとも１つの部分は、第１の水平部分を有し、第２の部分は、垂直部分及び第２の水平部分を有し、垂直部分は、第２の部分が上昇させられたときに、第１の部分と相互作用するように構成され、第２の水平部分は、第２の部分が上昇させられたときに、接地と相互作用して、処理チャンバ内のＲＦ接地リターン経路を完成させるように構成され、垂直部分は、上端に第１の凹部を有し、第１の凹部内には第１のＲＦガスケットがあり、第２の水平部分は、垂直部分に対して遠位の端部の上面に第２の凹部を有し、第２の凹部内には第２のＲＦガスケットがあり、第１のＲＦガスケット又は第２のＲＦガスケットは、ステンレス鋼であり、少なくとも１つの第１の部分は、第１の水平部分及び分離された第２の水平部分を有し、第２の部分は垂直部分を有し、垂直部分は、第２の部分が上昇させられたときに、第１の水平部分及び第２の水平部分と電気的に相互作用して、処理チャンバ内のＲＦ接地リターン経路を完成させるように構成され、垂直部分は、上端に第１の凹部を有し、第１の凹部内には第１のＲＦガスケットがあり、垂直部分は、底端部における側面に第２の凹部を有し、第２の凹部内には第２のＲＦガスケットがあり、少なくとも１つの第１の部分は、第１の垂直部分に接続された第１の水平部分を有し、第２の部分は、第２の水平部分に接続された第２の垂直部分を有し、第２の垂直部分は、第２の部分が上昇させられたときに、第１の垂直部分と相互作用するように構成され、第２の水平部分は、第２の部分が上昇させられたときに、接地と相互作用して、処理チャンバ内のＲＦ接地リターン経路を完成させるように構成され、第２の垂直部分は、上端に第１の凹部を有し、第１の凹部内には第１のＲＦガスケットがあり、第２の水平部分は、第２の垂直部分に対して遠位の端部の上面に第２の凹部を有し、第２の凹部内には第２のＲＦガスケットがあり、かつ／又はコンダクタンスライナの少なくとも一部分は、ポリシリコン、ケイ素、炭化ケイ素、単結晶ケイ素、又は炭化ケイ素でコーティングされたアルミニウムである。

【0009】

［０００９］幾つかの実施形態では、処理チャンバを洗浄する方法は、コンダクタンスライナの可動部分を下降させて、コンダクタンスライナの少なくとも１つの非可動部分又は基板支持アセンブリとの電気接触を切断することと、ＲＦ接地リターン経路を有さない処理チャンバの処理空間内でプラズマを発生させることと、コンダクタンスライナをプラズマで加熱して、堆積物を除去することとを含み得る。

【0010】

［００１０］他の実施形態及びさらなる実施形態を以下に開示する。

【0011】

［００１１］上記で簡潔に要約されており、かつ以下で詳述する本原理の実施形態は、付随する図面に示している本原理の例示的な実施形態を参照することにより理解することができる。しかし、本原理は他の等しく有効な実施形態を許容し得ることから、付随する図面は、本原理の典型的な実施形態のみを例示しており、ゆえに、範囲を限定するものと見なすべきではない。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本原理の幾つかの実施形態に係る、半導体処理のための処理チャンバの断面図を示す。

【図2】本原理の幾つかの実施形態に係る、可動コンダクタンスライナを有する処理チャンバの断面図を示す。

【図3】本原理の幾つかの実施形態に係る、下降位置の可動コンダクタンスライナを有する処理チャンバの断面図を示す。

【図4】本原理の幾つかの実施形態に係る、可動部分の処理チャンバの断面図を示す。

【図5】本原理の幾つかの実施形態に係る、割れた垂直側壁を備えた可動コンダクタンスライナを有する処理チャンバの断面図を示す。

【図6】本原理の幾つかの実施形態に係る、割れた垂直側壁を備えた可動部分の断面図を示す。

【図7】本原理の幾つかの実施形態に係る、可動垂直側壁を備えた可動コンダクタンスライナを有する処理チャンバの断面図を示す。

【図8】本原理の幾つかの実施形態に係る、可動部分の断面図を示す。

【図9】本原理の幾つかの実施形態に係る、ツーピース可動コンダクタンスライナの等角図を示す。

【図10】本原理の幾つかの実施形態に係る、割れた垂直側壁可動コンダクタンスライナの等角図を示す。

【図11】本原理の幾つかの実施形態に係る、スリーピース可動コンダクタンスライナの等角図を示す。

【図12】本原理の幾つかの実施形態に係る、可動コンダクタンスライナを有する処理チャンバを洗浄する方法を示す。

【発明を実施するための形態】

【0013】

［００２４］理解を容易にするために、図に共通する同一の要素を指し示すために、可能な場合には、同一の参照番号を使用した。図面は縮尺どおりではなく、分かり易くするために簡略化されていることがある。ある実施形態の要素及び特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態に有益に組み込まれ得る。

【0014】

［００２５］本方法及び装置は、プラズマ処理チャンバ内の改善された堆積均一性を提供する。プラズマ閉じ込めライナ又はコンダクタンスライナは、処理チャンバの処理空間内にプラズマを保持することを容易にし、処理中にＲＦ接地リターン経路を設ける。発明者は、コンダクタンスライナにおけるＲＦ接地リターン経路のいかなる中断も、堆積中に均一性の問題を引き起こすことを見出した。本発明者は、基板を処理チャンバの処理空間の内外に配置するために使用される基板移送スロットは、基板移送スロットがコンダクタンスライナを破るとき、均一性の問題の主な要因であることを見出した。基板移送スロットは、コンダクタンスライナの内表面の滑らかさを壊し、コンダクタンスライナを通る電流の流れに影響を及ぼす。プラズマを均一かつ一定に生成するためには、処理空間は、コンダクタンスライナに、滑らかで均一な内表面と均一な厚さとを提供すべきであり、これにより、ＲＦリターンのための均一な電流経路が設けられる。本原理の方法及び装置は、滑らかで途切れのない内表面及びすべての垂直壁の均一な厚さの両方を設ける３６０度コンダクタンスライナを提供し、堆積の均一性をさらに向上させる。

【0015】

［００２６］本原理の方法及び装置は、例えば、図１に示されるように、容量結合プラズマチャンバに適用することができる。図１は、基板支持アセンブリ１０４及び上方電極１０６を含む処理チャンバ１０２の断面図１００を示す。端部リング１０８は、コンダクタンスライナ１１０及び基板支持アセンブリ１０４とインターフェース接合する。上方電極１０６、コンダクタンスライナ１１０、及び端部リング１０８は、処理空間１１２を画定するのに役立つ。基板支持アセンブリ１０４は、第１の導体１１８を介して、ＤＣ電源１１６に電気的に接続された静電チャック（ＥＳＣ）アセンブリ１１４を含む。ＤＣ電源１１６は、基板を基板支持アセンブリ１０４に静電的にクランプするために、ＥＳＣアセンブリ１１４にＤＣ電圧を供給する。基板支持アセンブリ１０４は、ＲＦバイアス整合ネットワーク１２４を介して、ＲＦバイアス電源１２２に、第２の導体１２６を介して電気的に接続される下方電極１２０をさらに含む。上方電極１０６は、ＲＦ整合ネットワーク１３０を介して、ＲＦ電源１２８に電気的に接続される。上方電極１０６は、ガス供給源１３２に流体接続されたガス通路１３４を含み得る。真空ポンプ１３６は、処理チャンバ１０２から副生成物及び／又はガスを除去するのに役立つ。

【0016】

［００２７］コントローラ１４０は、処理チャンバ１０２に関連付けられた他のコンピュータ（又はコントローラ）を介した直接制御又は間接制御を使用して、処理チャンバ１０２の動作を制御する。動作中、コントローラ１４０は、処理チャンバ１０２及び周辺システムからのデータ収集及びフィードバックを可能にし、処理チャンバ１０２の性能を最適化する。コントローラ１４０は、概して、中央処理装置（ＣＰＵ）１４２、メモリ１４４、及び支持回路１４６を含む。ＣＰＵ１４２は、産業用設定で使用できる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサであり得る。支持回路１４６は、慣例的にＣＰＵ１４２に連結され、キャッシュ、クロック回路、入出力サブシステム、電源等を含み得る。後述の方法などのソフトウェアルーチンは、メモリ１４４内に記憶することができ、ＣＰＵ１４２によって実行されると、ＣＰＵ１４２を特殊用途コンピュータ（コントローラ１４０）に変換する。ソフトウェアルーチンは、処理チャンバ１０２から遠隔に位置する第２のコントローラ（図示せず）によってさらに格納かつ／又は実行され得る。

【0017】

［００２８］メモリ１４４は、ＣＰＵ１４２によって実行されると、半導体プロセス及び装置の動作を容易にするための命令を含むコンピュータ可読記憶媒体の形態である。メモリ１４４内の命令は、本原理の方法を実施するプログラムなどのプログラム製品の形態をとる。プログラムコードは、数々の異なるプログラミング言語のうちの任意の１つに適合し得る。一実施例では、本開示は、コンピュータシステムとの使用のためのコンピュータ可読記憶媒体に記憶されたプログラム製品として実施されてもよい。プログラム製品の１つ又は複数のプログラムは、態様（本明細書に記載された方法を含む）の機能を規定する。例示的なコンピュータ可読記憶媒体には、情報が永久的に記憶される書込み不能な記憶媒体（例えば、ＣＤ－ＲＯＭドライブ、フラッシュメモリ、ＲＯＭチップ、又は任意の種類のソリッドステート不揮発性半導体メモリによって読み出し可能なＣＤ－ＲＯＭディスクなどのコンピュータ内の読出し専用メモリデバイス）、及び変更可能な情報が記憶される書き込み可能な記憶媒体（例えば、ディスケットドライブ若しくはハードディスクドライブ内のフロッピーディスク、又は任意の種類のソリッドステートランダムアクセス半導体メモリ）が含まれるが、これらに限定されない。このようなコンピュータ可読記憶媒体は、本明細書に記載された方法の機能を方向付けるコンピュータ可読指令を運ぶ際には、本原理の実施形態である。

【0018】

［００２９］図１の実施例では、基板移送スロット１３８がコンダクタンスライナ１１０を突き破り、コンダクタンスライナの内表面１１１及び導電性を途絶えさせ、堆積の均一性の問題を引き起こす。図２の断面図２００では、この突き破った状態がなくなり、図１のコンダクタライナ１１０は、固定部分２１０Ａ及び可動部分２１０Ｂを備えた可動コンダクタライナ２１０に取替えられている。基板移送スロット２４８は、処理チャンバ１０２の外壁１０３に再配置されており、もはや可動コンダクタンスライナ２１０を突き破らない。幾つかの実施形態では、可動コンダクタライナ２１０の固定部分２１０Ａは、上方電極１０６を囲む円形形状のフラットリング（図９のビュー９００、２１０Ａを参照）である。幾つかの実施形態では、可動コンダクタライナ２１０の可動部分２１０Ｂは、基板支持アセンブリ１０４を囲むＬ字形のプロファイル（図４の４１０Ｂ、及び図９のビュー９００、２１０Ｂを参照）を有する円形形状である。可動部分２１０Ｂは、可動部分２１０Ｂの垂直部分２６２の上端２６０において固定部分２１０Ａと電気接触する。可動部分２１０Ｂは、可動部分２１０Ｂの水平部分２６６の上面２６４で端部リング１０９と電気接触する。可動部分２１０Ｂは、リフトアセンブリ２５０によって駆動されるアクチュエータ２５２に取り付けられる。可動コンダクタンスライナ２１０の少なくとも一部は、単結晶シリコン、ポリシリコン、炭化ケイ素、ケイ素と炭化ケイ素との組み合わせ、炭化ケイ素でコーティングされたアルミニウムのような材料から形成され得る。リフトアセンブリ２５０及びアクチュエータ２５２は、可動部分２１０Ｂに垂直運動２５４を与える。リフトアセンブリ２５０は、モータによって、又はガス（空気）圧駆動ピストンアセンブリ（図示せず）によって動作し得る。幾つかの実施形態では、１つより多くのアクチュエータ２５２及びリフトアセンブリ２５０を使用して、可動部分２１０Ｂに垂直運動を与えることができる。リフトアセンブリ２５０は、基板支持アセンブリ１０４に組み込まれてもよく、かつ／又は基板支持アセンブリ１０４とは独立して組み込まれてもよい。幾つかの実施形態では、アクチュエータ２５２が、可動部分２１０Ｂと基板支持アセンブリ１０４との間に電気的絶縁を設け得る。

【0019】

［００３０］図３は、可動コンダクタンスライナ２１０が下降位置２５８にある処理チャンバ１０２の断面図３００である。幾つかの実施形態では、可動コンダクタンスライナ２１０の可動部分２１０Ｂは、固定部分２１０Ａ及び／又は端部リング１０８との電気接触を改善するために、１つ又は複数のＲＦガスケット２５６Ａ、２５６Ｂを有し得る。ＲＦガスケット２５６Ａ、２５６Ｂは、ステンレス鋼材料から作られたＯリングであってもよく、可動部分２１０Ｂの周縁部全体の周りに密接な電気接触を形成するように圧縮可能である。可動部分２１０Ｂが下降位置２５８にあるとき、基板移送スロットは、基板を処理チャンバ１０２内へ配置２６０することを可能にするように利用可能である。基板支持アセンブリ１０４上に基板を配置した後、リフトアセンブリ２５０及びアクチュエータ２５２は、ＲＦガスケット２５６Ａ、２５６Ｂが固定部分２１０Ａ及び端部リング１０８に対して圧縮されるまで、可動部分２１０Ｂを上方に移動させる。コントローラ１４０は、プロセスを制御し、かつ／又は、可動部分２１０Ｂがいつ下降させられたか及び／若しくは可動部分２１０Ｂがいつ上昇位置にあるかを知るためにフィードバックを受信することができる。図４は、幾つかの実施形態に係る可動部分４１０Ｂの断面図３７０を示す。可動部分４１０Ｂは、第１のＲＦガスケット４５６Ａのために、垂直部分４７２の上端４６０に第１の凹部４６２Ａを有し、第２のＲＦガスケット４５６Ｂのために、水平部分４７０の上面４６４に第２の凹部４６２Ｂを有する。

【0020】

［００３１］図５は、幾つかの実施形態に係る、分割された垂直側壁を備えた可動コンダクタンスライナ５１０を有する処理チャンバ１０２の断面図５００を示す。可動コンダクタンスライナ５１０の固定部分５１０Ａは、第１の水平部分５１０Ｃ及び第１の垂直部分５１０Ｄを有し、Ｌ字型のプロファイルを形成する（図１０のビュー１０００、５１０Ｃ、５１０Ｄを参照）。可動部分５１０Ｂは、第２の水平部分５１０Ｆ及び第２の垂直部分５１０Ｅを有し、Ｌ字型のプロファイルを形成する（図１０の５１０Ｅ、５１０Ｆ参照）。固定部分５１０Ａの第１の垂直部分５１０Ｄ、及び第２の垂直部分５１０Ｅは、同じ高さを有してもよく、又は有さなくてもよい。可動部分５１０Ｂが下降位置５５８にあるとき、基板は、基板支持アセンブリ１０４内に配置されるか、又は基板支持アセンブリ１０４から取り除かれ得る。可動コンダクタンスライナ５１０の少なくとも一部は、単結晶シリコン、ポリシリコン、炭化ケイ素、ケイ素と炭化ケイ素との組み合わせ、炭化ケイ素でコーティングされたアルミニウムのような材料から形成され得る。図６は、幾つかの実施形態に係る可動部分５１０Ｂの断面図５７０を示す。可動部分５１０Ｂは、第１のＲＦガスケット６５６Ａのために、垂直部分６７２の上端６６０に第１の凹部６６２Ａを有し、第２のＲＦガスケット６５６Ｂのために、水平部分６７０の上面６６４に第２の凹部６６２Ｂを有する。

【0021】

［００３２］図７は、幾つかの実施形態に係る、可動部分７１０Ｂを備えた可動コンダクタンスライナ７１０を有する処理チャンバ１０２の断面図７００を示す。幾つかの実施形態では、可動コンダクタンスライナ７１０は、１つより多くの固定部分、すなわち、第１の固定部分７１０Ａ及び第２の固定部分７１０Ｃを有する（図１１の７１０Ａ、７１０Ｃを参照）。可動部分７１０Ｂには、リフトアセンブリ２５０からのアクチュエータ７５２が取り付けられる。可動部分７１０Ｂが下降位置７５８にあるとき、基板は、基板支持アセンブリ１０４内に配置されるか、又は基板支持アセンブリ１０４から取り除かれ得る。可動コンダクタンスライナ７１０の少なくとも一部は、単結晶シリコン、ポリシリコン、炭化ケイ素、ケイ素と炭化ケイ素との組み合わせ、炭化ケイ素でコーティングされたアルミニウムのような材料から形成され得る。図１１のビュー１１００に示すように、可動部分７１０Ｂの内径１１０４は、第２の固定部分７１０Ｃの外径１１０２よりも大きい。直径の違いにより、可動部分７１０Ｂが、無接触のまま第２の固定部分７１０Ｃを通り過ぎることが可能であり、上昇位置にあるときに第２のＲＦガスケット２５６Ｂに接触する。図８は、幾つかの実施形態に係る可動部分７１０Ｂの断面図７７０を示す。可動部分７１０Ｂは、第１のＲＦガスケット８５６Ａのために、垂直部分８７２の上端８６０に第１の凹部８６２Ａを有し、第２のＲＦガスケット８５６Ｂのために、垂直部分８７２の側壁８６４に第２の凹部８６２Ｂを有する。

【0022】

［００３３］上述の装置は、処理チャンバの洗浄中にも利用され得る。図１２は、幾つかの実施形態による、コンダクタンスライナを有する処理チャンバを洗浄する方法１２００を示す。可動コンダクタンスライナを備えることのさらなる利点は、ＲＦ接地リターン経路を破断するために、可動コンダクタンスライナが移動可能であることである。可動コンダクタンスライナの少なくとも一部は、単結晶シリコン、ポリシリコン、炭化ケイ素、ケイ素と炭化ケイ素との組み合わせ、炭化ケイ素でコーティングされたアルミニウムのような材料から形成され得る。ブロック１２０２では、コンダクタンスライナの可動部分を下降させて、コンダクタンスライナの少なくとも１つの非可動部分及び／又は基板支持アセンブリとの電気接触を切断する。ブロック１２０４では、ＲＦ接地リターン経路がない状態で、プラズマが処理チャンバの処理空間内で生成される。ブロック１２０６では、コンダクタンスライナは、堆積物を除去するためにプラズマで加熱される。ＲＦガスケットを有する幾つかの実施形態では、ＲＦガスケットは、洗浄プロセス中にコンダクタンスライナと共に洗浄される。洗浄プロセスは、部品の寿命延長と、さらに堆積の均一性の維持を容易にする。

【0023】

［００３４］本原理に係る実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はこれらの任意の組み合わせで実施され得る。さらに諸実施形態は、１つ又は複数のプロセッサによって読み取られかつ実行され得る、１つ又は複数のコンピュータ可読媒体を使用して記憶された命令として実施され得る。コンピュータ可読媒体は、マシン（例えば、１つ又は複数のコンピューティングプラットフォーム上で実行されるコンピューティングプラットフォーム又は「仮想マシン」）によって可読な形態で情報を記憶又は送信するための任意の機構を含み得る。例えば、コンピュータ可読媒体は、任意の適切な形態の揮発性又は不揮発性メモリを含み得る。幾つかの実施形態では、コンピュータ可読媒体は、非一時的コンピュータ可読媒体を含み得る。

【0024】

［００３５］上記は、本原理の実施形態を対象としているが、本原理の基本的な範囲から逸脱せずに、本原理の他の実施形態及びさらなる実施形態が考案することができる。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】