特許7549241IP Force 特許公報全文掲載

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垂直外部共振器型面発光レーザ

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、高ピークパワーのパルスを出力する面発光半導体レーザを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の第１の側面では、垂直外部共振器型面発光半導体レーザは、少なくとも２枚のミラーを有する共振器と、前記共振器内に配置される半導体レーザ媒質と、前記共振器に設けられるＱスイッチと、を有する。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

高ピークパワーのパルスを出力する垂直外部共振器型面発光レーザが実現される。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 本発明の一基本原理を説明する図であり、共振器への光パワーの蓄積を示す図である。
【図1B】 本発明の一基本原理を説明する図であり、高Ｑから低Ｑへの切り替えを示す図である。
【図2】 第１実施形態の垂直外部共振器型面発光レーザの模式図である。
【図3】 図２のＶＥＣＳＥＬチップの構成例を示す図である。
【図4】 第１実施形態の垂直外部共振器型面発光レーザの動作を説明する図である。
【図5A】 第１実施形態の垂直外部共振器型面発光レーザの共振器特性（光のパワー透過率）を示す図である。
【図5B】 第１実施形態の垂直外部共振器型面発光レーザの共振器特性（共振器内パワー）を示す図である。
【図5C】 第１実施形態の垂直外部共振器型面発光レーザの共振器特性（共振器出力）を示す図である。
【図6A】 図５Ａのパルス出力点近傍の拡大図である。
【図6B】 図５Ｂのパルス出力点近傍の拡大図である。
【図6C】 図５Ｃのパルス出力点近傍の拡大図である。
【図7A】 第２実施形態の垂直外部共振器型面発光レーザの基本動作を説明する図であり、共振器への光パワーの蓄積を示す図である。
【図7B】 第２実施形態の垂直外部共振器型面発光レーザの基本動作を説明する図であり、高Ｑから低Ｑへの切り替えを示す図である。
【図8】 第２実施形態の垂直外部共振器型面発光レーザの構成例を示す図である。
【図9】 第２実施形態の垂直外部共振器型面発光レーザの変形例である。
２ 集光レンズ ３ 励起光源 ７ 横モード調整用の光学系 ８ フィードバック系 １０、１０Ａ、１０Ｂ，１０Ｃ、１０Ｄ 垂直外部共振器型面発光レーザ １１、１２、１２Ｂ ミラー １１Ａ ＤＢＲミラー １３、１３Ａ、１３Ｂ 共振器 １４ 半導体レーザ媒質 １４Ａ ＶＥＣＳＥＬ活性層 １５ Ｑスイッチ １６ ヒートシンク １８ アクチュエータ ２０ ＶＥＣＳＥＬチップ ３１ シード光源 ３２ アイソレータ ４１ 電流源

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