特許 7551720 複数の前駆体の流れのための半導体処理チャンバ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-06

(45)【発行日】2024-09-17

(54)【発明の名称】複数の前駆体の流れのための半導体処理チャンバ

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20240909BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240909BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101G

H01L21/31 C

【請求項の数】 18

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2022183816

(22)【出願日】2022-11-17

(62)【分割の表示】P 2018093724の分割

【原出願日】2018-05-15

(65)【公開番号】P2023029848

(43)【公開日】2023-03-07

【審査請求日】2022-12-16

(31)【優先権主張番号】15/597,973

(32)【優先日】2017-05-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ヤン， ドンチン

(72)【発明者】

【氏名】サミール， メフメト トゥールル

(72)【発明者】

【氏名】ルボミルスキー， ドミトリー

(72)【発明者】

【氏名】ヒルマン， ピーター

(72)【発明者】

【氏名】パク， スナム

(72)【発明者】

【氏名】チョイ， マーティン ユエ

(72)【発明者】

【氏名】チュー， ララ

(72)【発明者】

【氏名】イングル， ニティン

【審査官】小▲高▼ 孔頌

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０２４８７８０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開昭６３－０５７７７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－０５７１１４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１１－５２７８４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０２７１０９７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１０２０８９８６３（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体処理システム構成要素であって、
第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の端部とを含むアダプタであって、前記アダプタが、前記アダプタを通る中央チャネルを画定し、前記アダプタが、前記第２の端部において第２のチャネルからの出口を画定し、前記アダプタが、前記アダプタの前記第２の端部において第３のチャネルからの出口を画定し、前記中央チャネル、前記第２のチャネル、および前記第３のチャネルが、各々前記アダプタ内で互いに流体的に分離されている、アダプタを備え、
前記アダプタは前記第１の端部で遠隔プラズマユニットと結合し、且つ前記第２の端部で混合部を介して処理チャンバと結合するように構成されており、
前記中央チャネル、前記第２のチャネル及び前記第３のチャネルから供給されるガスが前記混合部で混合されるように構成され、
前記中央チャネルが、前記アダプタの前記第１の端部における第１の直径によって特徴付けられ、前記中央チャネルが、前記第１の直径と異なる前記アダプタの前記第２の端部における第２の直径によって特徴付けられ、
前記第２のチャネルが環状チャネルを備え、前記第３のチャネルが環状チャネルを備え、前記第２のチャネル及び前記第３のチャネルが各々、前記アダプタの前記第２の端部から前記アダプタの前記第１の端部に向けて、前記第１の直径によって特徴付けられた前記中央チャネルの部分と、前記第２の直径によって特徴付けられた前記中央チャネルの部分との間の前記中央チャネルの移行部の、前記アダプタを通る水平面より低い高さまで、前記アダプタを通って垂直に延びる、半導体処理システム構成要素。

【請求項2】

前記第２のチャネルが、前記アダプタの垂直断面を少なくとも部分的に通って延びる第１の環状チャネルを含み、前記第２のチャネルが、前記中央チャネルの周りに画定される、請求項１に記載の半導体処理システム構成要素。

【請求項3】

前記アダプタが、前記アダプタの外側に沿って配置され且つ前記第２のチャネルへの流体アクセスを提供するように構成された第１のポートをさらに画定する、請求項２に記載の半導体処理システム構成要素。

【請求項4】

前記第３のチャネルが、前記アダプタの垂直断面を少なくとも部分的に通って延びる第２の環状チャネルを含み、前記第３のチャネルが、前記第２のチャネルの周りに画定される、請求項３に記載の半導体処理システム構成要素。

【請求項5】

前記第１の環状チャネルが、前記第２の環状チャネルよりも長い垂直距離、前記アダプタを通って延びる、請求項４に記載の半導体処理システム構成要素。

【請求項6】

前記中央チャネル、前記第２のチャネル、および前記第３のチャネルが、同心円状に整列されている、請求項４に記載の半導体処理システム構成要素。

【請求項7】

前記アダプタが、前記アダプタの外側に配置され且つ前記第３のチャネルへの流体アクセスを提供するように構成された第２のポートをさらに画定する、請求項４に記載の半導体処理システム構成要素。

【請求項8】

前記第２のポートが、前記アダプタの前記外側に沿って前記第１のポートから垂直にオフセットされている、請求項７に記載の半導体処理システム構成要素。

【請求項9】

前記第１のポートと前記第２のポートが、前記アダプタを通る直径の両端に配置される、請求項７に記載の半導体処理システム構成要素。

【請求項10】

前記中央チャネルが、カウンタボアによって特徴付けられる、請求項１に記載の半導体処理システム構成要素。

【請求項11】

前記第２のチャネルが、環状の外径によって特徴付けられた環状チャネルを含み、前記第２のチャネルの前記環状の外径が、前記中央チャネルの前記第１の直径より小さい、請求項１に記載の半導体処理システム構成要素。

【請求項12】

前記第３のチャネルが、環状の外径によって特徴付けられた環状チャネルを含み、前記第３のチャネルの前記環状の外径が、前記中央チャネルの前記第１の直径より小さい、請求項１に記載の半導体処理システム構成要素。

【請求項13】

前記アダプタが、前記アダプタの前記第１の端部の第１の外半径によって特徴付けられ、前記アダプタが、前記アダプタの第２の端部の第２の外半径によって特徴付けられ、前記第２の外半径が前記第１の外半径より小さい、請求項１に記載の半導体処理システム構成要素。

【請求項14】

半導体処理システム構成要素であって、
第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の端部とを含むアダプタであって、前記アダプタが、前記アダプタを通る中央チャネルを画定し、前記アダプタが、前記第２の端部において第２のチャネルからの出口を画定し、前記アダプタが、前記アダプタの前記第２の端部において第３のチャネルからの出口を画定し、前記中央チャネル、前記第２のチャネル、および前記第３のチャネルが、各々前記アダプタ内で互いに流体的に分離されており、前記第２のチャネルが、前記アダプタの垂直断面を少なくとも部分的に通って延びる第１の環状チャネルを備え、前記第２のチャネルが、前記中央チャネルの周りに画定される、アダプタ
を備え、
前記アダプタは前記第１の端部で遠隔プラズマユニットと結合し、且つ前記第２の端部で混合部を介して処理チャンバと結合するように構成されており、
前記中央チャネル、前記第２のチャネル及び前記第３のチャネルから供給されるガスが前記混合部で混合されるように構成され、
前記中央チャネルが、前記アダプタの前記第１の端部における第１の直径によって特徴付けられ、前記中央チャネルが、前記第１の直径と異なる前記アダプタの前記第２の端部における第２の直径によって特徴付けられ、
前記第２のチャネルが環状チャネルを備え、前記第３のチャネルが環状チャネルを備え、前記第２のチャネル及び前記第３のチャネルが各々、前記アダプタの前記第２の端部から前記アダプタの前記第１の端部に向けて、前記第１の直径によって特徴付けられた前記中央チャネルの部分と、前記第２の直径によって特徴付けられた前記中央チャネルの部分との間の前記中央チャネルの移行部の、前記アダプタを通る水平面より低い高さまで、前記アダプタを通って垂直に延びる、
半導体処理システム構成要素。

【請求項15】

前記アダプタが、前記アダプタの外側に沿って配置され且つ前記第２のチャネルへの流体アクセスを提供するように構成された第１のポートをさらに画定する、請求項１４に記載の半導体処理システム構成要素。

【請求項16】

前記第３のチャネルが、前記アダプタの垂直断面を少なくとも部分的に通って延びる第２の環状チャネルを含み、前記第３のチャネルが、前記第２のチャネルの周りに画定される、請求項１５に記載の半導体処理システム構成要素。

【請求項17】

前記第１の環状チャネルが、前記第２の環状チャネルよりも長い垂直距離、前記アダプタを通って延びる、請求項１６に記載の半導体処理システム構成要素。

【請求項18】

半導体処理システム構成要素であって、
第１の端部と、前記第１の端部の反対側の第２の端部とを含むアダプタであって、前記アダプタが、前記アダプタを通る中央チャネルを画定し、前記中央チャネルが、カウンタボアによって特徴付けられ、前記アダプタが、前記第２の端部において第２のチャネルからの出口を画定し、前記アダプタが、前記アダプタの前記第２の端部において第３のチャネルからの出口を画定し、前記中央チャネル、前記第２のチャネル、および前記第３のチャネルが、各々前記アダプタ内で互いに流体的に分離されている、アダプタ
を備え、
前記アダプタは、前記第１の端部で遠隔プラズマユニットと結合し、且つ前記第２の端部で混合部を介して処理チャンバと結合するように構成されており、
前記中央チャネル、前記第２のチャネル及び前記第３のチャネルから供給されるガスが前記混合部で混合されるように構成され、
前記中央チャネルが、前記アダプタの前記第１の端部における第１の直径によって特徴付けられ、前記中央チャネルが、前記第１の直径と異なる前記アダプタの前記第２の端部における第２の直径によって特徴付けられ、
前記第２のチャネルが環状チャネルを備え、前記第３のチャネルが環状チャネルを備え、前記第２のチャネル及び前記第３のチャネルが各々、前記アダプタの前記第２の端部から前記アダプタの前記第１の端部に向けて、前記第１の直径によって特徴付けられた前記中央チャネルの部分と、前記第２の直径によって特徴付けられた前記中央チャネルの部分との間の前記中央チャネルの移行部の、前記アダプタを通る水平面より低い高さまで、前記アダプタを通って垂直に延びる、
半導体処理システム構成要素。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［０００１］ 本技術は、半導体システム、プロセスおよび装置に関する。より具体的には、本技術は、システムおよびチャンバ内で前駆体を供給するためのシステムおよび方法に関する。

【背景技術】

【0002】

［０００２］ 集積回路は、複雑にパターニングされた材料層を基板表面上に生成するプロセスによって可能になる。パターニングされた材料を基板上に生成するには、露出した材料を除去するための制御された方法が必要である。化学エッチングが、フォトレジストのパターンを下地層に転写する、層を薄くする、または表面に既に存在するフィーチャの横寸法を細くすることを含む様々な目的に使用される。多くの場合、１つの材料を他の材料よりも速くエッチングして、パターン転写プロセスまたは個々の材料除去などを容易にするエッチングプロセスを有することが望ましい。そのようなエッチングプロセスは、最初の材料に対して選択的であると言われる。材料、回路、およびプロセスの多様性の結果、様々な材料に対して選択性を有するエッチングプロセスが開発されてきた。

【0003】

［０００３］ エッチングプロセスは、プロセスで使用される材料に基づいて、ウェットまたはドライと呼ばれ得る。ウェットＨＦエッチングは、他の誘電体および材料よりも酸化ケイ素を優先的に除去する。しかしながら、ウェットプロセスは、狭いトレンチに入り込むことが困難であり、残っている材料を時には変形させる可能性がある。ドライエッチングプロセスは、複雑なフィーチャおよびトレンチに入り込む可能性があるが、受け入れ可能な上部から底部までの形状を提供しない可能性がある。次世代のデバイスではデバイスのサイズが縮小し続けているため、システムがチャンバ内に且つチャンバを通って前駆体を供給する方法が、ますます影響を与える可能性がある。処理条件の均一性が、重要性を増し続けるにつれて、チャンバ設計およびシステムセットアップが、製造されるデバイスの品質において重要な役割を果たす可能性がある。

【0004】

［０００４］ したがって、高品質のデバイスおよび構造を製造するために使用することができる改良されたシステムおよび方法が必要とされている。これらおよび他の必要性が、本技術によって対処される。

【発明の概要】

【0005】

［０００５］ 例示的な半導体処理システムは、処理チャンバを含むことができ、処理チャンバに結合された遠隔プラズマユニットを含むことができる。例示的なシステムはまた、遠隔プラズマユニットに結合されたアダプタを含むことができる。アダプタは、第１の端部と、第１の端部の反対側の第２の端部とを含むことができる。アダプタは、アダプタを通る中央チャネルを画定することができる。アダプタは、第２の端部で第２のチャネルからの出口を画定することができ、アダプタは、第２の端部で第３のチャネルからの出口を画定することができる。中央チャネル、第２のチャネル、および第３のチャネルはそれぞれ、アダプタ内で互いに流体的に分離されていてもよい。

【0006】

［０００６］ いくつかの実施形態では、第２のチャネルは、アダプタの垂直断面を少なくとも部分的に通って延びる第１の環状チャネルを含み、第２のチャネルは、中央チャネルの周りに画定されてもよい。アダプタはまた、アダプタの外側に配置された第１のポートを画定することができ、第１のポートは、第２のチャネルに流体アクセスを提供するように構成することができる。第３のチャネルは、アダプタの垂直断面を少なくとも部分的に通って延びる第２の環状チャネルを含み、第３のチャネルは、第２のチャネルの周りに画定されてもよい。アダプタはまた、アダプタの外側に配置された第２のポートを画定することができ、第２のポートは、第３のチャネルに流体アクセスを提供するように構成することができる。いくつかの実施形態では、中央チャネル、第２のチャネル、および第３のチャネルは、同心円状に配列されていてもよい。システムは、アダプタと遠隔プラズマユニットとの間に結合されたアイソレータをさらに含むことができる。実施形態において、アイソレータは、セラミックであってもよいし、セラミックを含んでもよい。システムは、アダプタと処理チャンバとの間に結合されたミキシングマニホールドをさらに含むことができる。ミキシングマニホールドは、第３のチャネルの外径より大きいまたは等しい直径を有する入口によって特徴付けられてもよい。ミキシングマニホールドの入口は、ミキシングマニホールドのテーパセクションに移行することができる。加えて、ミキシングマニホールドのテーパセクションは、ミキシングマニホールドの出口まで延びるミキシングマニホールドのフレアセクションに移行することができる。

【0007】

［０００７］ 本技術はまた、遠隔プラズマユニットを含むことができる半導体処理システムを包含する。システムは、処理チャンバをさらに含むことができる。処理チャンバは、中央チャネルを画定するガスボックスを含むことができる。処理チャンバは、ガスボックスに結合されたブロッカプレートをさらに含むことができる。ブロッカプレートは、ブロッカプレートを貫通する複数の開孔を画定することができる。処理チャンバは、フェースプレートの第１の面でブロッカプレートと結合されたフェースプレートをさらに含むことができる。処理チャンバは、フェースプレートの第１の面の反対側のフェースプレートの第２の面でフェースプレートと結合されたイオン抑制要素をさらに含むことができる。

【0008】

［０００８］ いくつかの実施形態では、システムは、ガスボックスに結合されたミキシングマニホールドの周りでガスボックスに外部から結合されたヒータをさらに含むことができる。ガスボックスは、上方から第１の容積部を画定することができ、ブロッカプレートは、第１の容積部の外径に沿って、かつ下方から、第１の容積部を画定することができる。さらに、フェースプレートは、上方から、かつ第２の容積部の外径に沿って第２の容積部を画定することができ、イオン抑制要素は、第２の容積部を下方から画定することができる。ガスボックス、ブロッカプレート、フェースプレート、およびイオン抑制要素は、直接に結合されていてもよい。システムは、遠隔プラズマユニットに結合されたアダプタをさらに含むことができ、アダプタは、第１の端部と、第１の端部の反対側の第２の端部とを含むことができる。アダプタは、アダプタを通る中央チャネルを画定することができ、アダプタは、第２の端部において第２のチャネルからの出口を画定することができる。アダプタは、アダプタの第２の端部において第３のチャネルからの出口を画定することができ、いくつかの実施形態では、中央チャネル、第２のチャネル、および第３のチャネルは、それぞれアダプタ内で互いに流体的に分離され得る。いくつかの実施形態では、イオン抑制要素は、処理チャンバの処理領域に供給されるイオン種を制限または低減するように構成されてもよい。

【0009】

［０００９］ 本技術はまた、半導体処理システムを通って前駆体を供給する方法を包含する。この方法は、遠隔プラズマユニット内にフッ素含有前駆体のプラズマを形成することを含むことができる。この方法は、フッ素含有前駆体のプラズマ放出物をアダプタに流すことを含むことができる。この方法は、水素含有前駆体をアダプタに流すことを含むことができる。この方法は、第３の前駆体をアダプタに流すことをさらに含むことができる。アダプタは、フッ素含有前駆体のプラズマ放出物、水素含有前駆体、および第３の前駆体を、アダプタを通る間、流体的に分離された状態に維持するように構成することができる。この方法は、フッ素含有前駆体のプラズマ放出物および水素含有前駆体を混合するように構成されたミキシングマニホールド内に、フッ素含有前駆体のプラズマ放出物および水素含有前駆体を流すことを、さらに含むことができる。いくつかの実施形態では、本方法は、フッ素含有前駆体、水素含有前駆体、および第３の前駆体の混合されたプラズマ放出物を処理チャンバに流すことを、さらに含むことができる。

【0010】

［００１０］ このような技術は、従来のシステムおよび技術に対して多くの利点を提供することができる。例えば、複数のバイパス経路を有することによって、チャンバ構成要素の劣化を保護しながら、複数の前駆体を供給することができる。さらに、チャンバの外側でエッチャント種を生成する構成要素を利用することによって、混合および基板への供給を従来のシステムよりも均一に提供することができる。これらのおよび他の実施形態が、それらの利点および特徴の多くと共に、以下の説明および添付図面と併せて、より詳細に説明される。

【0011】

［００１１］ 開示された技術の性質および利点のさらなる理解が、明細書の残りの部分および図面を参照することによって実現され得る。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本技術の実施形態による例示的な処理システムの平面図を示す。

【図2A】本技術の実施形態による例示的な処理チャンバの概略断面図を示す。

【図2B】本技術の実施形態による例示的なシャワーヘッドの詳細図を示す。

【図3】本技術の実施形態による例示的なシャワーヘッドの底面図を示す。

【図4】本技術の実施形態による例示的な処理システムの概略断面図を示す。

【図5】本技術の実施形態による入口アダプタの概略部分底面図を示す。

【図6】本技術の実施形態による処理チャンバを通って前駆体を供給する方法の工程を示す。

【発明を実施するための形態】

【0013】

［００１９］ 図のいくつかは、概略図として含まれている。図は説明のためのものであり、縮尺通りであると特に記載されていない限り、縮尺通りと見なすべきではないことを理解されたい。さらに、概略図として、図面は、理解を助けるために提供され、実際的な表現と比較してすべての面または情報を含むものではなく、説明のために誇張された素材を含むことがある。

【0014】

［００２０］ 添付の図面において、類似の構成要素および／または特徴部は、同じ参照ラベルを有することがある。さらに、同じタイプの様々な構成要素は、類似の構成要素を区別する文字が参照ラベルの後に続くことによって区別することができる。本明細書において最初の参照ラベルのみを用いる場合には、文字にかかわらず最初の参照ラベルが同じである類似の構成要素のいずれにも、当該説明が適用される。

【0015】

［００２１］ 本技術は、半導体製造工程を実行するための半導体処理システム、チャンバ、および構成要素を含む。半導体製造中に実行される多くのドライエッチング工程は、複数の前駆体を含むことがある。これらのエッチャントは、様々な方法で活性化され、組み合わされて、基板に供給され、基板の外観を除去または修正することができる。従来の処理システムは、エッチング用などの前駆体を複数の方法で提供することができる。強化された前駆体またはエッチャントを提供する１つの方法は、前駆体を処理チャンバを通って、処理のためにウエハなどの基板に供給する前に、遠隔プラズマユニットを通ってすべての前駆体を提供することである。しかしながら、このプロセスの問題は、種々の前駆体が種々の材料と反応する可能性があり、遠隔プラズマユニットに損傷を与える可能性があることである。例えば、強化されたフッ素含有前駆体は、アルミニウム表面と反応するが、酸化物表面とは反応しない可能性がある。強化された水素含有前駆体は、遠隔プラズマユニット内のアルミニウム表面と反応しないが、酸化物コーティングと反応して、これを除去することができる。したがって、２つの前駆体が、遠隔プラズマユニットを通って一緒に供給される場合、それらは、ユニット内のコーティングまたはライナーを損傷する可能性がある。

【0016】

［００２２］ 従来の処理は、プラズマ処理のために遠隔プラズマ装置を通って１つの前駆体を供給し、第２の前駆体をチャンバに直接供給することもできる。しかし、このプロセスの問題点は、前駆体の混合が困難であり、エッチャント生成に対する適切な制御を提供できず、ウェハまたは基板に均一なエッチャントを供給できないことである。これにより、プロセスが基板の表面にわたって均一に実行されず、パターニングおよび形成が続くにつれて、デバイスの問題を引き起こす可能性がある。

【0017】

［００２３］ キャリアガスまたは他のエッチャント前駆体などの複数の前駆体を、遠隔プラズマユニットを通って流すこともできるが、１つのエッチャント前駆体のみを遠隔プラズマユニットを通って供給しながら、前駆体をチャンバ内に供給する前に前駆体を混合するように構成された構成要素およびシステムを利用することによって、本技術は、これらの問題を克服することができる。この特別のバイパス方式は、前駆体を処理チャンバに供給する前に前駆体を十分に混合することができる。これにより、遠隔プラズマユニットを保護しながら、均一な処理を行うことができる。本技術のチャンバはまた、チャンバを通る熱伝導率を最大にし、構成要素を特定の方法で結合することによって整備の容易性を高める構成要素配置を含むことができる。

【0018】

［００２４］ 残りの開示は、開示された技術を利用する具体的なエッチングプロセスを機械的に特定するが、本システムおよび方法は、記載されたチャンバ内で起こり得る堆積プロセスおよび洗浄プロセスに等しく適用可能であることが、容易に理解されるであろう。従って、この技術は、エッチングプロセスだけの使用に限定されていると考えるべきではない。本開示は、除去工程のいくつかを実施するために本技術と共に使用され得る１つの可能なシステムおよびチャンバを説明し、その後に本技術の実施形態によるこのシステムの追加的な変形および修正を記載する。

【0019】

［００２５］ 図１は、実施形態による堆積、エッチング、ベーキングおよび硬化チャンバの処理システム１００の一実施形態の平面図を示す。この図では、１対の前方開口型統一ポッド（ＦＯＵＰ）１０２が、様々なサイズの基板を供給し、基板は、ロボットアーム１０４によって受け取られ、低圧保持領域１０６内に配置されてから、タンデムセクション１０９ａ－ｃに配置された基板処理チャンバ１０８ａ－ｆの１つの中に配置される。第２のロボットアーム１１０を使用して、基板ウェハを保持領域１０６から基板処理チャンバ１０８ａ－ｆに搬送し戻すことができる。各基板処理チャンバ１０８ａ－ｆは、本明細書に記載されたドライエッチングプロセスに加えて、周期的層堆積（ＣＬＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、エッチング、前洗浄、ガス抜き、配向、および他の基板プロセスを含む多くの基板処理工程を実行するように装備することができる。

【0020】

［００２６］ 基板処理チャンバ１０８ａ－ｆは、基板ウェハ上で誘電体膜を堆積、アニール、硬化および／またはエッチングするための１つ以上のシステム構成要素を含むことができる。１つの構成では、２対の処理チャンバ、例えば１０８ｃ－ｄおよび１０８ｅ－ｆが、基板上に誘電体材料を堆積させるために使用され、処理チャンバの第３の対、例えば１０８ａ－ｂが、堆積した誘電体をエッチングするために使用される。別の構成では、３対のチャンバすべて、例えば１０８ａ－ｆが、基板上の誘電体膜をエッチングするように構成されてもよい。記載されたプロセスのうちの任意の１つ以上が、異なる実施形態において、示された製造システムから分離されたチャンバ内で実行されてもよい。誘電体膜用の堆積、エッチング、アニール、および硬化チャンバの追加の構成が、システム１００によって予期されることが理解されよう。

【0021】

［００２７］ 図２Ａは、処理チャンバ内に区画されたプラズマ生成領域を有する例示的な処理チャンバシステム２００の断面図を示す。例えば、窒化チタン、窒化タンタル、タングステン、シリコン、ポリシリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸炭化ケイ素などの膜エッチングの間、プロセスガスを、ガス入口アセンブリ２０５を通って第１のプラズマ領域２１５に流入させることができる。遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）２０１が、任意選択でシステムに含まれて、第１のガスを処理してもよく、次いで、第１のガスは、ガス入口アセンブリ２０５を通って移動する。入口アセンブリ２０５は、２つ以上の別個のガス供給チャネルを含み、第２のチャネル（図示せず）が、ＲＰＳ２０１（含まれる場合）をバイパスすることができる。

【0022】

［００２８］ 冷却プレート２０３、フェースプレート２１７、イオンサプレッサ２２３、シャワーヘッド２２５、および基板２５５が配置された基板支持体２６５が示されており、それぞれ実施形態に従って含まれてもよい。ペデスタル２６５は、基板の温度を制御するために熱交換流体が流れる熱交換チャネルを有してもよく、これは、処理工程中に基板またはウェハを加熱および／または冷却するように動作することができる。ペデスタル２６５のウェハ支持プラッターは、アルミニウム、セラミック、またはそれらの組み合わせを含むことができ、埋め込まれた抵抗ヒータ要素を使用して、例えば約１００℃以下から約１１００℃以上までの比較的高い温度を達成するために抵抗加熱されてもよい。

【0023】

［００２９］ フェースプレート２１７は、ピラミッド形状、円錐形状、または幅の広い底部へ広がる狭い上部を有する別の同様の構造であってもよい。フェースプレート２１７は、さらに、図示のように平坦であってもよく、プロセスガスを分配するために使用される複数の貫通チャネルを含んでもよい。ＲＰＳ２０１の使用に応じて、プラズマ生成ガスおよび／またはプラズマ励起種が、第１のプラズマ領域２１５へのより均一な供給のために、図２Ｂに示すフェースプレート２１７の複数の孔を通過することができる。

【0024】

［００３０］ 例示的な構成は、ガス／種がフェースプレート２１７の穴を通って第１のプラズマ領域２１５に流れるように、フェースプレート２１７によって第１のプラズマ領域２１５から区画されたガス供給領域２５８に開口するガス入口アセンブリ２０５を有することを含むことができる。構造上および動作上の特徴が、第１のプラズマ領域２１５から供給領域２５８、ガス入口アセンブリ２０５、および流体供給システム２１０へのプラズマの著しい逆流を防止するように選択されてもよい。フェースプレート２１７、すなわちチャンバの導電性頂部、およびシャワーヘッド２２５は、それら部品の間に配置された絶縁リング２２０とともに示されており、これにより、ＡＣ電位がシャワーヘッド２２５および／またはイオンサプレッサ２２３に対してフェースプレート２１７に印加されることが可能になる。絶縁リング２２０は、フェースプレート２１７とシャワーヘッド２２５および／またはイオンサプレッサ２２３との間に配置され、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）を第１のプラズマ領域に形成することができる。バッフル（図示せず）が、追加的に第１のプラズマ領域２１５内に配置され、あるいはガス入口アセンブリ２０５と結合され、ガス入口アセンブリ２０５を通って第１のプラズマ領域へ入る流体の流れに影響を及ぼすことができる。

【0025】

［００３１］ イオンサプレッサ２２３は、帯電していない中性またはラジカル種がイオンサプレッサ２２３を通過してサプレッサとシャワーヘッドとの間の活性化ガス供給領域に入ることを可能にしながら、第１のプラズマ領域２１５からのイオン的に帯電した種の移動を抑制するように構成された複数の開孔を構造全体に画定するプレートまたは他の形状を含むことができる。実施形態では、イオンサプレッサ２２３は、様々な開孔配置を有する多孔プレートを含むことができる。これらの帯電していない種は、反応性の低いキャリアガスとともに開孔を通って運ばれる反応性の高い種を含むことができる。上記のように、孔を通るイオン種の移動は減少し、ある場合には完全に抑制される。イオンサプレッサ２２３を通過するイオン種の量を制御することにより、下にあるウェハ基板と接触する混合ガスに対する制御を有利に向上させることができ、これにより、混合ガスの堆積および／またはエッチング特性の制御を向上させることができる。例えば、混合ガスのイオン濃度の調節は、そのエッチング選択性、例えば、ＳｉＮｘ：ＳｉＯｘエッチング比、Ｓｉ：ＳｉＯｘエッチング比などを大幅に変えることができる。堆積が実行される代替の実施形態では、これは、誘電体材料の共形型堆積と流動型堆積とのバランスをシフトさせることもできる。

【0026】

［００３２］ イオンサプレッサ２２３の複数の開孔は、イオンサプレッサ２２３を通る、活性化されたガス、すなわちイオン種、ラジカル種および／または中性種の通過を制御するように構成することができる。例えば、イオンサプレッサ２２３を通過する活性化されたガス中のイオン的に帯電した種の流れが減少するように、孔のアスペクト比、すなわち孔の直径対長さ、および／または孔の形状寸法を制御することができる。イオンサプレッサ２２３の孔は、プラズマ励起領域２１５に面するテーパ部と、シャワーヘッド２２５に面する円筒部とを含むことができる。円筒部は、シャワーヘッド２２５に流れるイオン種の流れを制御するような形状および寸法にすることができる。調節可能な電気バイアスが、サプレッサを通るイオン種の流れを制御するための追加の手段としてイオンサプレッサ２２３に印加されてもよい。

【0027】

［００３３］ イオンサプレッサ２２３は、プラズマ生成領域から基板に移動するイオン的に帯電した種の量を低減または除去するように機能することができる。帯電していない中性およびラジカル種は、それでもなお、イオンサプレッサの開口部を通過して、基板と反応することができる。基板を囲む反応領域におけるイオン的に帯電した種の完全な除去は、いくつかの実施形態では実施されないことに、留意されたい。場合によっては、エッチングおよび／または堆積プロセスを実行するために、イオン種が基板に到達することが意図される。これらの場合、イオンサプレッサは、反応領域内のイオン種の濃度を、プロセスを促進するレベルに制御するのに役立つことができる。

【0028】

［００３４］ イオンサプレッサ２２３と組み合わせたシャワーヘッド２２５は、第１のプラズマ領域２１５内に存在するプラズマが基板処理領域２３３内のガスを直接励起するのを回避することを可能にするが、それにもかかわらず、励起種がチャンバプラズマ領域２１５から基板処理領域２３３に移動することを可能にし得る。このようにして、チャンバは、エッチングされている基板２５５にプラズマが接触することを防止するように構成されてもよい。これは、有利なことに、基板上にパターニングされた様々な複雑な構造および膜を保護することができ、これらは、発生したプラズマが直接接触すると、損傷、転位、または反りが生じる可能性がある。さらに、プラズマが基板に接触するかまたは基板の高さに近づくことが可能になると、酸化物種のエッチング速度が、増加する可能性がある。従って、材料の露出領域が酸化物である場合、この材料は、プラズマを基板から遠隔に維持することによって、さらに保護され得る。

【0029】

［００３５］ 処理システムは、フェースプレート２１７、イオンサプレッサ２２３、シャワーヘッド２２５、および／またはペデスタル２６５に電力を供給して、第１のプラズマ領域２１５または処理領域２３３にプラズマを生成するために、処理チャンバと電気的に結合された電源２４０をさらに含むことができる。電源は、実行されるプロセスに応じて、調節可能な量の電力をチャンバに供給するように構成することができる。そのような構成は、実行されているプロセスにおいて調整可能なプラズマを使用することを可能にすることができる。オンオフ機能を備えていることが多い遠隔プラズマユニットとは異なり、チューニング可能なプラズマは、プラズマ領域２１５に特定量の電力を供給するように構成することができる。これは、前駆体がこれらの前駆体によって生成されるエッチング形状を向上させるための特定の方法で解離されるような、特別なプラズマ特性の発現を可能にし得る。

【0030】

［００３６］ プラズマは、シャワーヘッド２２５の上方のチャンバプラズマ領域２１５またはシャワーヘッド２２５の下方の基板処理領域２３３のいずれかで点火され得る。実施形態では、基板処理領域２３３に形成されたプラズマは、ペデスタルが電極として作用して形成されたＤＣバイアスプラズマであってもよい。プラズマは、チャンバプラズマ領域２１５内に存在して、例えば、フッ素含有前駆体または他の前駆体の流入からラジカル前駆体を生成することができる。典型的には高周波（ＲＦ）範囲内のＡＣ電圧が、堆積中にチャンバプラズマ領域２１５内でプラズマを点火するために、フェースプレート２１７などの処理チャンバの導電性頂部と、シャワーヘッド２２５および／またはイオンサプレッサ２２３との間に印加され得る。ＲＦ電源は、１３．５６ＭＨｚの高いＲＦ周波数を生成することができるが、単独でまたは１３．５６ＭＨｚの周波数と組み合わせて他の周波数を生成することもできる。

【0031】

［００３７］ 図２Ｂは、フェースプレート２１７を通る処理ガスの分配に影響を与える特徴部の詳細図２５３を示す。図２Ａおよび図２Ｂに示すように、フェースプレート２１７、冷却プレート２０３、およびガス入口アセンブリ２０５が交差して、ガス供給領域２５８を画定し、そこにプロセスガスが、ガス入口２０５から供給され得る。ガスが、ガス供給領域２５８を満たし、フェースプレート２１７の開孔２５９を通って第１のプラズマ領域２１５に流れることができる。プロセスガスが処理領域２３３に流入することができるが、フェースプレート２１７を横切った後にガス供給領域２５８へ逆流するのを部分的に又は完全に防止することができるように、開孔２５９は、実質的に一方向に流れを向けるように構成することができる。

【0032】

［００３８］ 処理チャンバ部分２００で使用するためのシャワーヘッド２２５などのガス分配アセンブリは、デュアルチャネルシャワーヘッド（ＤＣＳＨ）と呼ばれてもよく、図３に記載された実施形態でさらに詳述されている。デュアルチャネルシャワーヘッドは、エッチャントを処理領域２３３の外側で分離して、処理領域に供給される前のチャンバ構成要素および互いとの相互作用を制限することを可能にするエッチングプロセスを提供することができる。

【0033】

［００３９］ シャワーヘッド２２５は、上部プレート２１４および下部プレート２１６を含むことができる。プレートは、プレートの間に容積部２１８を画定するように、互いに結合されてもよい。プレートの結合は、上部プレートおよび下部プレートを通る第１の流体チャネル２１９、ならびに下部プレート２１６を通る第２の流体チャネル２２１を提供するようにすることができる。形成されたチャネルは、第２の流体チャネル２２１のみを経由して容積部２１８から下部プレート２１６を通る流体アクセスを提供するように構成され、第１の流体チャネル２１９は、プレート間の容積部２１８および第２の流体チャネル２２１から流体的に分離され得る。容積部２１８は、ガス分配アセンブリ２２５の側面を通って流体的にアクセス可能であってもよい。

【0034】

［００４０］ 図３は、実施形態による処理チャンバで使用するためのシャワーヘッド３２５の底面図である。シャワーヘッド３２５は、図２Ａに示すシャワーヘッド２２５に対応することができる。第１の流体チャネル２１９の眺めを示す貫通孔３６５は、シャワーヘッド２２５を通る前駆体の流れを制御し影響を及ぼすために、複数の形状および構成を有することができる。第２の流体チャネル２２１の眺めを示す小さな孔３７５は、貫通孔３６５の間でさえも、シャワーヘッドの表面上に実質的に一様に分布することができ、前駆体がシャワーヘッドを出るときに、他の構成よりも前駆体がより一様に混合するのを助けることができる。

【0035】

［００４１］ 図４は、本技術の実施形態による例示的な処理システム４００の概略断面図を示す。システム４００は、図２に示されたチャンバに対する変形を含むことができ、その図に示された構成要素のいくつかまたはすべてを含むことができる。システム４００は、処理チャンバ４０５および遠隔プラズマユニット４１０を含むことができる。遠隔プラズマユニット４１０は、１つ以上の構成要素によって処理チャンバ４０５と結合されてもよい。遠隔プラズマユニット４１０は、遠隔プラズマユニットアダプタ４１５、アイソレータ４２０、圧力プレート４２５、および入口アダプタ４３０、ディフューザ４３５、またはミキシングマニホールド４４０のうちの１つ以上と結合されてもよい。ミキシングマニホールド４４０は、処理チャンバ４０５の上部と結合され、処理チャンバ４０５への入口と結合されてもよい。

【0036】

［００４２］ 遠隔プラズマユニットアダプタ４１５は、遠隔プラズマユニット４１０と第１の端部４１１において結合され、第１の端部４１１に対向する第２の端部４１２においてアイソレータ４２０と結合され得る。遠隔プラズマユニットアダプタ４１５を通って、１つ以上のチャネルを画定することができる。第１の端部４１１において、チャネル４１３への開口部またはポートを画定することができる。チャネル４１３は、遠隔プラズマユニットアダプタ４１５内で中央に画定されてもよく、遠隔プラズマユニット４１０からの流れの方向であり得る、遠隔プラズマユニットアダプタ４１５を通る中心軸に垂直な方向の第１の断面積によって特徴付けられてもよい。チャネル４１３の直径は、遠隔プラズマユニット４１０からの出口ポートと等しいか、またはそれと共通であってもよい。チャネル４１３は、第１の端部４１１から第２の端部４１２までの長さによって特徴付けられてもよい。チャネル４１３は、遠隔プラズマユニットアダプタ４１５の全長にわたって延びていてもよく、または第１の端部４１１から第２の端部４１２までの長さよりも短い長さで延びていてもよい。例えば、チャネル４１３は、遠隔プラズマユニットアダプタ４１５の第１の端部４１１から第２の端部４１２までの長さの半分より短く延びてもよく、チャネル４１３は、第１の端部４１１から第２の端部４１２までの長さの半分だけ延びてもよく、チャネル４１３は、第１の端部４１１から第２の端部４１２までの長さの半分より長く延びてもよく、またはチャネル４１３は、第１の端部４１１から第２の端部４１２までの長さの約半分だけ延びてもよい。

【0037】

［００４３］ 遠隔プラズマユニットアダプタ４１５はまた、遠隔プラズマユニットアダプタ４１５の下に画定された１つ以上のトレンチ４１４を画定することができる。トレンチ４１４は、アイソレータ４２０との結合を可能にするＯリングまたはエラストマ要素の着座を可能にするように、遠隔プラズマユニットアダプタ４１５内に画定された１つ以上の環状凹部であってもよく、またはこれを含んでもよい。

【0038】

［００４４］ アイソレータ４２０は、実施形態において、遠隔プラズマユニットアダプタ４１５の第２の端部４１２と結合されてもよい。アイソレータ４２０は、アイソレータチャネル４２１の周りの環状部材であってもよいし、環状部材を含んでもよい。アイソレータチャネル４２１は、遠隔プラズマユニットアダプタ４１５を通る流れの方向の中心軸と軸方向に整列していてもよい。アイソレータチャネル４２１は、アイソレータ４２０を通る流れの方向に垂直な方向の第２の断面積によって特徴付けられてもよい。第２の断面積は、チャネル４１３の第１の断面積と等しくてもよいし、大きくてもよいし、または小さくてもよい。実施形態では、アイソレータチャネル４２１は、遠隔プラズマユニットアダプタ４１５を通るチャネル４１３の直径よりも大きいか、等しいか、またはほぼ同じ直径によって特徴付けられてもよい。

【0039】

［００４５］ アイソレータ４２０は、遠隔プラズマユニットアダプタ４１５、ミキシングマニホールド４４０、または任意の他のチャンバ構成要素と同様の材料で作製されてもよいし、または異なる材料で作製されてもよい。いくつかの実施形態では、遠隔プラズマユニットアダプタ４１５およびミキシングマニホールド４４０は、アルミニウムの酸化物、１つ以上の表面上の処理されたアルミニウムを含むアルミニウム、または他の何らかの材料から作製されるか、またはそれを含むことができるが、アイソレータ４２０は、他のチャンバ構成要素よりも熱伝導性の低い材料であってもよく、またはそれを含んでもよい。いくつかの実施形態では、アイソレータ４２０は、セラミック、プラスチック、または遠隔プラズマユニット４１０とチャンバ４０５との間に熱遮断部を提供するように構成された他の断熱構成要素であってもよく、またはそれを含んでもよい。動作中、遠隔プラズマユニット４１０は、チャンバ４０５に対してより低い温度に冷却され又は動作してもよく、チャンバ４０５は、遠隔プラズマユニット４１０に対してより高い温度に加熱され又は動作してもよい。セラミックまたは断熱アイソレータ４２０を設けることによって、構成要素間の熱的、電気的、または他の干渉を防止または制限することができる。

【0040】

［００４６］ 圧力プレート４２５が、アイソレータ４２０と結合されてもよい。圧力プレート４２５は、実施形態ではアルミニウムまたは他の材料であってもよく、またはそれを含んでもよく、また圧力プレート４２５は、実施形態では、遠隔プラズマユニットアダプタ４１５またはミキシングマニホールド４４０と同様のまたは異なる材料で作製されるか、またはそれを含んでもよい。圧力プレート４２５は、圧力プレート４２５を通る中央開孔４２３を画定することができる。中央開孔４２３は、アイソレータチャネル４２１に近接する部分から圧力プレート４２５の反対側へ圧力プレート４２５を貫通するテーパ形状によって特徴付けられてもよい。アイソレータチャネル４２１に近接した中央開孔４２３の部分は、アイソレータチャネル４２１の断面積と等しいか又はそれと同様の、流れの方向に垂直な断面積によって特徴付けられ得る。中央開孔４２３は、圧力プレート４２５の長さあたり約１０％またはそれより大きいテーパ率によって特徴付けられてもよく、実施形態において、約２０％もしくはそれより大きい、約３０％もしくはそれより大きい、約４０％もしくはそれより大きい、約５０％もしくはそれより大きい、約６０％もしくはそれより大きい、約７０％もしくはそれより大きい、約８０％もしくはそれより大きい、約９０％もしくはそれより大きい、約１００％もしくはそれより大きい、約１５０％もしくはそれより大きい、約２００％もしくはそれより大きい、約３００％もしくはそれより大きい、またはそれより大きいテーパ率によって特徴付けられてもよい。圧力プレート４２５はまた、アイソレータ４２０の下に画定された１つ以上のトレンチ４２４を画定することができる。トレンチ４２４は、アイソレータ４２０との結合を可能にするＯリングまたはエラストマ要素の着座を可能にするように、圧力プレート４２５内に画定された１つ以上の環状凹部であってもよく、またはこれを含んでもよい。

【0041】

［００４７］ 入口アダプタ４３０は、第１の端部４２６において圧力プレート４２５と結合され、第１の端部４２６の反対側の第２の端部４２７においてディフューザ４３５と結合され得る。入口アダプタ４３０は、入口アダプタ４３０を通って画定される中央チャネル４２８を画定することができる。中央チャネル４２８は、第１の部分４２９ａおよび第２の部分４２９ｂによって特徴付けられてもよい。第１の部分４２９ａは、第１の端部４２６から入口アダプタ４３０を通って第１の長さまで延びることができ、ここで、中央チャネル４２８は、第２の端部４２７まで延びることができる第２の部分４２９ｂに移行することができる。第１の部分４２９ａは、第１の断面積または直径によって特徴付けられ、第２の部分４２９ｂは、第１の断面積または直径より小さい第２の断面積または直径によって特徴付けられ得る。実施形態において、第１の部分４２９ａの断面積または直径は、第２の部分４２９ｂの断面積または直径の２倍の大きさであってもよく、実施形態において、約３倍以下または約３倍より大きい、約４倍もしくはそれより大きい、約５倍もしくはそれより大きい、約６倍もしくはそれより大きい、約７倍もしくはそれより大きい、約８倍もしくはそれより大きい、約９倍もしくはそれより大きい、約１０倍もしくはそれより大きい、またはそれより大きくてもよい。中央チャネル４２８は、実施形態において、遠隔プラズマユニット４１０から供給された前駆体のプラズマ放出物を提供するように構成することができ、前駆体のプラズマ放出物は、遠隔プラズマユニットアダプタ４１５のチャネル４１３、アイソレータ４２０のアイソレータチャネル４２１、および圧力プレート４２５の中央開孔４２３を通過することができる。

【0042】

［００４８］ 入口アダプタ４３０はまた、第１の部分４２９ａより下から第２の端部４２７まで又は第２の端部４２７を通って延びることができる１つ以上の第２のチャネル４３１を画定することができる。第２のチャネル４３１は、入口アダプタ４３０を通る中心軸に垂直な方向における第２の断面積によって特徴付けられてもよい。第２の断面積は、実施形態において第１の部分４２９ａの断面積より小さくてもよく、第２の部分４２９ｂの断面積または直径より大きくてもよい。第２のチャネル４３１は、第２の端部４２７における入口アダプタ４３０からの出口まで延びてもよく、遠隔プラズマユニット４１０から交互に供給される、第１のバイパス前駆体などの前駆体のためにアダプタ４３０からの出口を提供してもよい。例えば、第２のチャネル４３１は、入口アダプタ４３０の側面などの外面に沿って画定された第１のポート４３２から流体的にアクセス可能であってもよく、これは、遠隔プラズマユニット４１０をバイパスすることができる。第１のポート４３２は、入口アダプタ４３０の長さに沿って第１の部分４２９ａにあるか、またはそれより下にあってもよく、第２のチャネル４３１への流体アクセスを提供するように構成されてもよい。

【0043】

［００４９］ 第２のチャネル４３１は、前駆体を入口アダプタ４３０を通って第２の端部４２７から出すことができる。第２のチャネル４３１は、第１の部分４２９ａと第２の端部４２７との間の入口アダプタ４３０の領域に画定され得る。実施形態において、第２のチャネル４３１は、中央チャネル４２８からアクセス可能でなくてもよい。第２のチャネル４３１は、前駆体を、遠隔プラズマユニット４１０から中央チャネル４２８に供給されるプラズマ放出物から流体的に分離された状態に維持するように構成することができる。第１のバイパス前駆体は、第２の端部４２７を通って入口アダプタ４３０を出るまで、プラズマ放出物に接触しなくてもよい。第２のチャネル４３１は、アダプタ４３０に画定された１つ以上のチャネルを含むことができる。第２のチャネル４３１は、アダプタ４３０内の中央に配置され、中央チャネル４２８と関連付けられてもよい。例えば、実施形態において、第２のチャネル４３１は、中央チャネル４２８の周りに同心円状に配列され、画定されてもよい。第２のチャネル４３１は、実施形態において、入口アダプタ４３０の長さまたは垂直断面を部分的に通って延びる環状または円筒状のチャネルであってもよい。いくつかの実施形態では、第２のチャネル４３１は、中央チャネル４２８の周りに放射状に延びる複数のチャネルであってもよい。

【0044】

［００５０］ 入口アダプタ４３０はさらに、第１の部分４２９ａより下から第２の端部４２７まで又は第２の端部４２７を通って延びることができ、第１のポート４３２を二分する平面より下から延びることができる１つ以上の第３のチャネル４３３を画定することができる。第３のチャネル４３３は、入口アダプタ４３０を通る中心軸に垂直な方向における第３の断面積によって特徴付けられてもよい。第３の断面積は、実施形態において、第１の部分４２９ａの断面積より小さくてもよく、第２の部分４２９ｂの断面積または直径より大きくてもよい。第３の断面積は、図示されているように、第１の部分４２９ａの断面積または直径と等しいかまたは同様であってもよい。例えば、第３のチャネル４３３の外径は、第１の部分４２９ａの外径と等しくてもよく、または第１の部分４２９ａの外径より小さくてもよい。第３のチャネル４３３は、第２の端部４２７における入口アダプタ４３０からの出口まで延びてもよく、遠隔プラズマユニット４１０から交互に供給される、第２のバイパス前駆体などの前駆体のためにアダプタ４３０からの出口を提供してもよい。例えば、第３のチャネル４３３は、入口アダプタ４３０の側面などの外面に沿って画定された第２のポート４３４から流体的にアクセス可能であってもよく、これは、遠隔プラズマユニット４１０をバイパスすることができる。第２のポート４３４は、第１のポート４３２とは反対側の入口アダプタ４３０の側面または部分に配置することができる。第２のポート４３４は、入口アダプタ４３０の長さに沿って第１の部分４２９ａにあるか、またはそれより下にあってもよく、第３のチャネル４３３への流体アクセスを提供するように構成されてもよい。第２のポート４３４は、さらに、実施形態において、入口アダプタ４３０の長さに沿って第１のポート４３２にあるか、またはそれより下にあってもよい。

【0045】

［００５１］ 第３のチャネル４３３は、第２のバイパス前駆体を入口アダプタ４３０を通って第２の端部４２７から出すことができる。第３のチャネル４３３は、第１の部分４２９ａと第２の端部４２７との間の入口アダプタ４３０の領域に画定され得る。実施形態において、第３のチャネル４３３は、中央チャネル４２８からアクセス可能でなくてもよい。第３のチャネル４３３は、第２のバイパス前駆体を、遠隔プラズマユニット４１０から中央チャネル４２８に供給されるプラズマ放出物から、かつ第１のポート４３２を通って第２のチャネル４３１に供給される第１のバイパス前駆体から流体的に分離された状態に維持するように構成することができる。第２のバイパス前駆体は、第２の端部４２７を通って入口アダプタ４３０を出るまで、プラズマ放出物にも第１のバイパス前駆体にも接触しなくてよい。第３のチャネル４３３は、アダプタ４３０に画定された１つ以上のチャネルを含むことができる。第３のチャネル４３３は、アダプタ４３０内の中央に配置され、中央チャネル４２８および第２のチャネル４３１と関連付けられてもよい。例えば、第３のチャネル４３３は、実施形態において、中央チャネル４２８の周りに同心円状に配列され、画定されてもよく、かつ第２のチャネル４３１の周りに同心円状に配列され、画定されてもよい。第３のチャネル４３３は、実施形態において、入口アダプタ４３０の長さまたは垂直断面を部分的に通って延びる第２の環状または円筒状のチャネルであってもよい。いくつかの実施形態では、第３のチャネル４３３はまた、中央チャネル４２８の周りに放射状に延びる複数のチャネルであってもよい。

【0046】

［００５２］ ディフューザ４３５が、入口アダプタ４３０とミキシングマニホールド４４０との間に配置され、入口アダプタ４３０を通って供給される前駆体を、ミキシングマニホールド４４０に達するまで流体的に分離された状態に維持することができる。ディフューザ４３５は、ディフューザ４３５を通って画定された円筒状または環状チャネルなどの１つ以上のチャネルによって特徴付けられてもよい。実施形態において、ディフューザ４３５は、第１のチャネル４３６または中央チャネル、第２のチャネル４３７、および第３のチャネル４３８を画定することができる。これらのチャネルは、入口アダプタ４３０の中央チャネル４２８の第２の部分４２９ｂ、第２のチャネル４３１、および第３のチャネル４３３と同様の寸法または直径によって特徴付けられてもよい。例えば、各チャネルは、入口アダプタのチャネルをミキシングマニホールド４４０まで延ばすことができる。第２のチャネル４３７および第３のチャネル４３８は、それぞれ、第１のチャネル４３６の周りに画定された環状チャネルであってもよく、第１のチャネル４３６、第２のチャネル４３７、および第３のチャネル４３８は、実施形態において同心円状に配列され、ディフューザ４３５を通って画定されてもよい。

【0047】

［００５３］ ディフューザ４３５は、さらに、ディフューザ４３５を周る１つ以上のトレンチ４３９を画定することができる。例えば、実施形態において、ディフューザ４３５は、Ｏリングまたはエラストマ部材を入口アダプタ４３０とディフューザ４３５との間に着座させることを可能にする、第１のトレンチ４３９ａ、第２のトレンチ４３９ｂ、および第３のトレンチ４３９ｃを画定することができる。実施形態において、トレンチ４３９の各々は、ディフューザ４３５を通って画定されたチャネルのうちの１つ以上のチャネルに対して半径方向外側に位置する環状トレンチであってもよい。第１のトレンチ４３９ａは、第１のチャネル４３６の半径方向外側に配置されてもよく、かつ第１のチャネル４３６と第２のチャネル４３７との間に配置されてもよい。第２のトレンチ４３９ｂは、第２のチャネル４３７の半径方向外側に配置されてもよく、かつ第２のチャネル４３７と第３のチャネル４３８との間に配置されてもよい。第３のトレンチ４３９ｃは、第３のチャネル４３８の半径方向外側に配置されてもよい。各トレンチ４３９の直径は、チャネルであって、該トレンチ４３９が該チャネルに関連付けられ、該トレンチ４３９が該チャネルの半径方向外側に配置され得るところのチャネルより大きくてもよい。トレンチは、入口アダプタ４３０とディフューザ４３５との間の改善された密封を可能にして、前駆体がこれらの構成要素間で流体的に分離された状態に維持され、チャネル間の漏れが生じないようにする。

【0048】

［００５４］ ミキシングマニホールド４４０が、第１の端部４４１でディフューザ４３５と結合され、第２の端部４４２でチャンバ４０５と結合されてもよい。ミキシングマニホールド４４０は、第１の端部４４１において入口４４３を画定することができる。入口４４３は、ディフューザ４３５からの流体アクセスを提供することができ、入口４４３は、ディフューザ４３５を通る第３のチャネル４３８の直径と等しいかまたはほぼ同じである直径によって特徴付けられ得る。入口４４３は、ミキシングマニホールド４４０を通るチャネル４４４の一部を画定することができ、チャネル４４４は、チャネル４４４の輪郭を画定する１つ以上のセクションから構成され得る。入口４４３は、ミキシングマニホールド４４０のチャネル４４４を通る流れの方向における第１のセクションであってもよい。入口４４３は、ミキシングマニホールド４４０の流れの方向における長さの半分より短い長さによって特徴付けられてもよい。実施形態において、入口４４３の長さはまた、ミキシングマニホールド４４０の長さの３分の１未満であってもよく、ミキシングマニホールド４４０の長さの４分の１未満であってもよい。入口４４３は、各前駆体をディフューザ４３５から受け取り、ミキシングマニホールド４４０に供給されるまで流体的に分離された状態に維持されていた前駆体の混合を可能にすることができる。

【0049】

［００５５］ 入口４４３は、テーパセクション４４５であるか、またはテーパセクション４４５を含むことができる、チャネル４４４の第２のセクションまで延びることができる。テーパセクション４４５は、入口４４３の直径に等しいか又はそれと同様の第１の直径から、第１の直径より小さい第２の直径まで延びることができる。いくつかの実施形態では、第２の直径は、第１の直径の約半分または半分未満であってもよい。実施形態において、テーパセクション４４５は、テーパ率が約１０％もしくはそれより大きい、約２０％もしくはそれより大きい、約３０％もしくはそれより大きい、約４０％もしくはそれより大きい、約５０％もしくはそれより大きい、約６０％もしくはそれより大きい、約７０％もしくはそれより大きい、約８０％もしくはそれより大きい、約９０％もしくはそれより大きい、約１００％もしくはそれより大きい、約１５０％もしくはそれより大きい、約２００％もしくはそれより大きい、約３００％もしくはそれより大きい、またはそれより大きいことによって、特徴付けられてもよい。

【0050】

［００５６］ テーパセクション４４５は、フレアセクション４４６であってもよいチャネル４４４の第３の領域に移行することができる。フレアセクション４４６は、テーパセクション４４５から第２の端部４４２におけるミキシングマニホールド４４０の出口まで延びることができる。フレアセクション４４６は、テーパセクション４４５の第２の直径に等しい第１の直径から、第１の直径より大きい第２の直径まで延びることができる。いくつかの実施形態では、第２の直径は、第１の直径の約２倍または２倍より大きくてもよい。実施形態において、フレアセクション４４６は、フレア率が約１０％もしくはそれより大きい、約２０％もしくはそれより大きい、約３０％もしくはそれより大きい、約４０％もしくはそれより大きい、約５０％もしくはそれより大きい、約６０％もしくはそれより大きい、約７０％もしくはそれより大きい、約８０％もしくはそれより大きい、約９０％もしくはそれより大きい、約１００％もしくはそれより大きい、約１５０％もしくはそれより大きい、約２００％もしくはそれより大きい、約３００％もしくはそれより大きい、またはそれより大きいことによって、特徴付けられてもよい。

【0051】

［００５７］ フレアセクション４４６は、ミキシングマニホールド４４０を通って供給された前駆体に、出口４４７を経由して第２の端部４４２を通る出口を提供することができる。ミキシングマニホールド４４０を通るチャネル４４４のセクションは、混合された前駆体をチャンバ４０５に供給する前に、ミキシングマニホールドに供給された前駆体の適切なまたは徹底した混合を提供するように構成され得る。従来の技術とは異なり、チャンバへの供給前にエッチャントまたは前駆体の混合を行うことによって、本システムは、チャンバおよび基板の周りに分配される前に均一な特性を有するエッチャントを準備することができる。このようにして、本技術を用いて実施されるプロセスは、基板表面にわたってより均一な結果を有することができる。

【0052】

［００５８］ チャンバ４０５は、積層配置でいくつかの構成要素を含むことができる。チャンバ積層は、ガスボックス４５０、ブロッカプレート４６０、フェースプレート４７０、イオン抑制要素４８０、およびリッドスペーサ４９０を含むことができる。これらの構成要素は、前駆体または前駆体のセットをチャンバを通って分配し、処理のために基板にエッチャントまたは他の前駆体を均一に供給するために利用され得る。実施形態において、これらの構成要素は、各々がチャンバ４０５の外部を少なくとも部分的に画定する積層されたプレートであってもよい。

【0053】

［００５９］ ガスボックス４５０は、チャンバ入口４５２を画定することができる。前駆体をチャンバ４０５内に供給するために、中央チャネル４５４が、ガスボックス４５０を通って画定され得る。入口４５２は、ミキシングマニホールド４４０の出口４４７と整列されてもよい。入口４５２および／または中央チャネル４５４は、実施形態において同様の直径によって特徴付けられてもよい。中央チャネル４５４は、ガスボックス４５０を通って延び、ガスボックス４５０によって上方から画定された容積部４５７に１つ以上の前駆体を供給するように構成されてもよい。ガスボックス４５０は、ガスボックス４５０の上面などの第１の面４５３、およびガスボックス４５０の底面などの、第１の面４５３の反対側の第２の面４５５を含むことができる。上面４５３は、実施形態において、平面または実質的に平面であり得る。ヒータ４４８が、上面４５３と結合されてもよい。

【0054】

［００６０］ ヒータ４４８は、実施形態において、チャンバ４０５を加熱するように構成されてもよく、各リッド積層構成要素を伝導的に加熱してもよい。ヒータ４４８は、流体ヒータ、電気ヒータ、マイクロ波ヒータ、またはチャンバ４０５に伝導的に熱を伝えるように構成された他のデバイスを含む任意の種類のヒータとすることができる。いくつかの実施形態では、ヒータ４４８は、ガスボックス４５０の第１の面４５３の周りに環状パターンで形成された電気ヒータであってもよく、またはそれを含んでもよい。ヒータは、ガスボックス４５０を横切って、ミキシングマニホールド４４０の周りに画定されてもよい。ヒータは、約２，０００Ｗまでの、約２，０００Ｗの、または約２，０００Ｗより多い熱を供給するように構成することができるプレートヒータまたは抵抗要素ヒータであってもよく、約２，５００Ｗもしくはそれより多い、約３，０００Ｗもしくはそれより多い、約３，５００Ｗもしくはそれより多い、約４，０００Ｗもしくはそれより多い、約４，５００Ｗもしくはそれより多い、約５，０００Ｗもしくはそれより多い、またはそれより多い熱を供給するように構成されてもよい。

【0055】

［００６１］ ヒータ４４８は、約５０℃までの、約５０℃の、または約５０℃より高い可変のチャンバ構成要素温度を生成するように構成されてもよく、実施形態において、約７５℃もしくはそれより高い、約１００℃もしくはそれより高い、約１５０℃もしくはそれより高い、約２００℃もしくはそれより高い、約２５０℃もしくはそれより高い、約３００℃もしくはそれより高い、またはそれより高いチャンバ構成要素温度を生成するように構成されてもよい。ヒータ４４８は、アニールなどの処理工程を容易にするために、イオン抑制要素４８０などの個々の構成要素をこれらの温度のいずれかに上昇させるように構成することができる。いくつかの処理工程において、基板は、アニール工程のためにイオン抑制要素４８０の方に持ち上げられてもよく、ヒータ４４８は、上記の任意の特定の温度に、または任意の記載された温度内のもしくはその間の温度の任意の範囲内に、ヒータの温度を伝導的に上昇させるように、調整することができる。

【0056】

［００６２］ ガスボックス４５０の第２の面４５５は、ブロッカプレート４６０と結合することができる。ブロッカプレート４６０は、ガスボックス４５０の直径と等しいか又はそれと同様の直径によって特徴付けられてもよい。ブロッカプレート４６０は、ブロッカプレート４６０を通る複数の開孔４６３を画定することができ（そのサンプルのみが図示されている）、これにより、容積部４５７からエッチャントなどの前駆体を分配することができ、基板への均一な供給のための、チャンバ４０５を通る前駆体の分配を開始することができる。少数の開孔４６３しか図示されていないが、ブロッカプレート４６０は、構造を貫通して画定された任意の数の開孔４６３を有することができることを、理解されたい。ブロッカプレート４６０は、ブロッカプレート４６０の外径における隆起した環状部分４６５と、ブロッカプレート４６０の外径における下がった環状部分４６６とによって特徴付けられてもよい。隆起した環状部分４６５は、ブロッカプレート４６０に構造的剛性を提供することができ、実施形態において、容積部４５７の側面または外径を画定することができる。ブロッカプレート４６０はまた、下方から容積部４５７の底部を画定してもよい。容積部４５７は、ブロッカプレート４６０の開孔４６３を通過する前に、ガスボックス４５０の中央チャネル４５４から前駆体を分配することを可能にすることができる。下がった環状部分４６６もまた、ブロッカプレート４６０に構造的剛性を提供することができ、実施形態において、第２の容積部４５８の側面または外径を画定することができる。ブロッカプレート４６０はまた、上方から容積部４５８の上部を画定することができ、容積部４５８の底部は、下方からフェースプレート４７０によって画定されてもよい。

【0057】

［００６３］ フェースプレート４７０は、第１の面４７２と、第１の面４７２の反対側の第２の面４７４とを含むことができる。フェースプレート４７０は、ブロッカプレート４６０の下がった環状部分４６６と係合することができる第１の面４７２でブロッカプレート４６０と結合することができる。フェースプレート４７０は、第２の面４７４の内側に、フェースプレート４７０内にまたはフェースプレート４７０によって少なくとも部分的に画定された第３の容積部４７５まで延びるレッジ４７３を画定することができる。例えば、フェースプレート４７０は、第３の容積部４７５の側部または外径を、ならびに上方から容積部４７５の上部を画定することができ、一方、イオン抑制要素４８０は、下方から第３の容積部４７５を画定することができる。フェースプレート４７０は、図４には示されていないが、チャンバ２００に関して先に説明したような、フェースプレートを貫通する複数のチャネルを画定することができる。

【0058】

［００６４］ イオン抑制要素４８０が、フェースプレート４７０の第２の面４７４に近接して配置されてもよく、第２の面４７４においてフェースプレート４７０と結合され得る。イオン抑制要素４８０は、上記のイオンサプレッサ２２３に類似していてもよく、基板を収容するチャンバ４０５の処理領域へのイオンの移動を低減するように構成されてもよい。イオン抑制要素４８０は、図４には示されていないけれども、図２に示すような、構造を貫通する複数の開孔を画定することができる。実施形態において、ガスボックス４５０、ブロッカプレート４６０、フェースプレート４７０、およびイオン抑制要素４８０は、一緒に結合されてもよく、実施形態において、直接に一緒に結合されてもよい。構成要素を直接に結合することによって、ヒータ４４８によって生成された熱が、少ない構成要素間の変動とともに維持することができる特定のチャンバ温度を維持するように、構成要素を通って伝導することができる。イオン抑制要素４８０はまた、処理中に基板が維持されるプラズマ処理領域を少なくとも部分的に一緒に画定するリッドスペーサ４９０と接してもよい。

【0059】

［００６５］ 図５を参照すると、本技術の実施形態による入口アダプタ５００の部分底面図が示されている。入口アダプタ５００は、実施形態において入口アダプタ４３０と同様であってもよい。図示されるように、入口アダプタは、入口アダプタ５００の中心軸の周りに同心円状に配列された３つのチャネルを含むことができる。他の実施形態では、入口アダプタ５００は、図示されているよりも多いまたは少ないチャネルを含むことができることを、理解されたい。入口アダプタ５００は、上述のように、遠隔プラズマユニットから流体的にアクセス可能な中央チャネル５０５を含むことができる。中央チャネル５０５は、入口アダプタ５００を完全に貫通して延びることができる。第２のチャネル５１０が、中央チャネル５０５の周りに延びていてもよく、中央チャネル５０５を通る前駆体のプラズマ放出物に加えてまたはその代わりに供給される第１のバイパス前駆体のための流体アクセスを提供してもよい。第２のチャネル５１０は、入口アダプタ５００の外側に沿って画定された第１のポート５１２からアクセスされてもよい。第２のチャネル５１０は、中央チャネル５０５と同心円状に配列されてもよく、第１のバイパス前駆体を、中央チャネル５０５を通って流れるプラズマ放出物または異なる前駆体から流体的に分離された状態に維持してもよい。

【0060】

［００６６］ 第３のチャネル５１５が、中央チャネル５０５および第２のチャネル５１０の周りに延びていてもよく、中央チャネル５０５を通る前駆体のプラズマ放出物および第２のチャネル５１０を通る第１のバイパス前駆体に加えてまたはその代わりに供給される第２のバイパス前駆体のための流体アクセスを提供してもよい。第３のチャネル５１５は、第１のポート５１２の反対側の入口アダプタ５００の側面に配置することができる、入口アダプタ５００の外側に沿って画定された第２のポート５１７からアクセスされてもよい。第２のポート５１７および第３のチャネル５１５は、第１のポート５１２を通る水平面より下に配置することができる。第３のチャネル５１５は、中央チャネル５０５と同心円状に配列されてもよく、第２のバイパス前駆体を、中央チャネル５０５を通って流れるプラズマ放出物または異なる前駆体、および第２のチャネル５１０を通って供給される第１のバイパス前駆体から流体的に分離された状態に維持することができる。

【0061】

［００６７］ 第２のチャネル５１０および第３のチャネル５１５の両方が、実施形態において、入口アダプタ５００の長さを通って少なくとも部分的に画定された環状チャネルであってもよい。チャネルはまた、中央チャネル５０５の周りに放射状に画定された複数のチャネルであってもよい。前駆体のための３つの別個の経路を提供することにより、前駆体の異なる体積および／または流量を利用して、前駆体の供給およびエッチャントの生成をより制御することができる。各前駆体は、１つ以上のキャリアガスとともに供給され、生成されたエッチャントは、入口アダプタ５００と流体的に結合された処理チャンバに供給される前に微調整されてもよい。

【0062】

［００６８］ 図６は、本技術の実施形態による、処理チャンバを通って前駆体を供給する方法６００の工程を示す。方法６００は、チャンバ２００またはチャンバ４０５内で実行されてもよく、構成要素をエッチャントの損傷から保護しながら、チャンバの外部での前駆体の混合を改善することができる。チャンバの構成要素は、経時的な摩耗を引き起こす可能性があるエッチャントに曝されることがあるが、本技術は、これらの構成要素を、より容易に交換および修理できるものに限定することができる。例えば、本技術は、遠隔プラズマユニットの内部構成要素の曝露を制限することができ、遠隔プラズマユニットに特別の保護を適用することができる。

【0063】

［００６９］ 方法６００は、工程６０５において、フッ素含有前駆体の遠隔プラズマを形成することを含むことができる。前駆体が、遠隔プラズマユニットに供給されて、解離され、プラズマ放出物を生成することができる。実施形態において、遠隔プラズマユニットは、フッ素含有放出物との接触に耐えることができる酸化物または他の材料でコーティングまたはライニングされてもよい。実施形態において、キャリアガス以外に、他のエッチャント前駆体が、遠隔プラズマユニットを通って供給されず、これによりユニットを損傷から保護することができる。異なるエッチャントのプラズマ放出物を生成するように構成された他の実施形態は、その前駆体または前駆体の組み合わせに対して不活性であり得る異なる材料でライニングされてもよい。

【0064】

［００７０］ 工程６１０において、フッ素含有前駆体のプラズマ放出物を、遠隔プラズマユニットと結合されたアダプタに流入させることができる。工程６１５で、水素含有前駆体をアダプタに流入させることができる。アダプタは、フッ素含有前駆体のプラズマ放出物および水素含有前駆体を、アダプタを通る間、流体的に分離した状態に維持するように構成することができる。工程６２０で、第３の前駆体をアダプタに流入させることができる。第３の前駆体は、追加の水素含有前駆体、追加のハロゲン含有前駆体、または前駆体の他の組み合わせを含むことができる。アダプタは、フッ素含有前駆体のプラズマ放出物、水素含有前駆体、および第３の前駆体を、アダプタを通る間、流体的に分離された状態に維持するように構成することができる。

【0065】

［００７１］ 工程６２５において、フッ素含有前駆体のプラズマ放出物および水素含有前駆体が、混合された前駆体または生成されたエッチャントを半導体処理チャンバ内に供給する前に、フッ素含有前駆体のプラズマ放出物と水素含有前駆体と第３の前駆体とを混合するように構成されたミキシングマニホールドに流入され得る。他の箇所に記載されている追加の構成要素を使用して、前述のように、エッチャントの供給および分配を制御することができる。特定された前駆体は、記載されたチャンバ内での使用に適した前駆体の例に過ぎないことを理解されたい。本開示全体を通して議論されたチャンバおよび材料は、処理チャンバに供給する前に、前駆体を分離して、それらを混合することから利益を得ることができる他の多くの処理工程で使用することができる。

【0066】

［００７２］ 前述の説明では、説明の目的で、本技術の様々な実施形態の理解を提供するために、多くの詳細が述べられている。しかしながら、特定の実施形態が、これらの詳細の一部を伴わずに、または追加の詳細と共に実施され得ることは、当業者に明らかであろう。

【0067】

［００７３］ いくつかの実施形態を開示したが、実施形態の精神から逸脱することなく、様々な修正、代替構成、および均等物を使用できることが、当業者には理解されるであろう。さらに、多くの周知のプロセスおよび要素は、本技術を不必要に不明瞭にすることを避けるために記載されていない。従って、上記の説明は、本技術の範囲を限定するものと解釈すべきではない。

【0068】

［００７４］ 値の範囲が提供される場合、その範囲の上限と下限との間にある各々の値もまた、文脈上明らかにそうでないと判断されない限り、下限の１の位の最小端数まで、具体的に開示されるものとする。記載された範囲内の任意の記載された値または記載されていない間にある値と、その記載された範囲内の任意の他の記載されたまたは間にある値との間の任意のより狭い範囲が、包含される。これらのより小さい範囲の上限および下限は、独立してその範囲内に含まれてもよいし、または除外されてもよく、記載された範囲内の任意の明確に除外された上限または下限に従って、これらのより小さい範囲内に、上限と下限のいずれか一方が含まれる、両方とも含まれない、または両方とも含まれるような各範囲もまた、本技術の中に包含される。記載された範囲が、上限と下限の１つまたは両方を含む場合、それら含まれている上限と下限のいずれか一方または両方を除外した範囲もまた含まれる。

【0069】

［００７５］ 本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される場合、単数形「ａ」、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は、文脈上明らかにそうでないと判断されない限り、複数の参照を含む。したがって、例えば、「１つの層（ａ ｌａｙｅｒ）」への言及は、複数の層を含み、「前駆体（ｔｈｅ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）」への言及は、１つ以上の前駆体および当業者に知られているその均等物への言及を含む、等々である。

【0070】

［００７６］ また、本明細書および以下の特許請求の範囲で使用される場合、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」、「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｃｏｎｔａｉｎ）」、「含んでいる（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」、および「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という言葉は、記載された特徴、完全体、構成要素、または工程の存在を明示することを意図するが、１つ以上の他の特徴、完全体、構成要素、工程、動作またはグループの存在または追加を排除しない。

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】