特許 7553696 バッチ処理チャンバのための処理間隙制御を有するヒータアセンブリ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-09

(45)【発行日】2024-09-18

(54)【発明の名称】バッチ処理チャンバのための処理間隙制御を有するヒータアセンブリ

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240910BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20240910BHJP

   C23C 16/46 20060101ALI20240910BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

C23C16/458

C23C16/46

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2023513094

(86)(22)【出願日】2021-08-30

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-09-11

(86)【国際出願番号】 US2021048216

(87)【国際公開番号】W WO2022047297

(87)【国際公開日】2022-03-03

【審査請求日】2023-04-19

(31)【優先権主張番号】17/008,588

(32)【優先日】2020-08-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】グナジ， アクシャイ

(72)【発明者】

【氏名】ウラヴィ， テジャス

(72)【発明者】

【氏名】バルジャ， サンジーヴ

【審査官】久宗 義明

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１９／２３６２７５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０２０／０２８１４５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特表２０１３－５２６７７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０３７８６９６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許第０６７３０１７５（ＵＳ，Ｂ２）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｃ２３Ｃ １６／４５８

Ｃ２３Ｃ １６／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ヒータアセンブリであって、
厚さを画定する支持面と底面とを含むヒータと、
頂部端及び底部端を有し、前記頂部端が前記ヒータの前記底面と接触するヒータスタンドオフと、
頂部端と底部端、開放内部領域を囲む内面及び外面を有するシールドシャフトであって、前記ヒータスタンドオフは前記開放内部領域内に位置し、前記ヒータスタンドオフの前記頂部端は、前記シールドシャフトの前記頂部端の上に延在している、前記シールドシャフトと、
頂面、底面及び外周エッジを有するシールド板であって、内部内に前記頂面から前記底面まで延在している開口部を有し、前記ヒータスタンドオフは前記シールド板内の前記開口部を通って延在し、前記ヒータの前記底面は、前記シールド板の前記頂面からある距離離れており、前記シールド板の前記頂面は、前記シールド板の外周部の周りに延在する、内面及び外面を有する溝を有し、前記外面は前記シールド板の前記外周エッジからある距離離れている、前記シールド板と、
を有するヒータアセンブリ。

【請求項2】

前記シールドシャフトが、前記外面から外向きに延びる頂部フランジを含み、前記シールドシャフトは、前記頂部フランジを通って延びるファスナで前記シールド板に接続されている、請求項１に記載のヒータアセンブリ。

【請求項3】

前記ヒータスタンドオフの前記底部端に接続されているスタンドオフ取付ベースをさらに含む、請求項１に記載のヒータアセンブリ。

【請求項4】

前記スタンドオフ取付ベースが、前記シールドシャフトの前記底部端に接続されている、請求項３に記載のヒータアセンブリ。

【請求項5】

前記シールドシャフトの前記底部端が、前記スタンドオフ取付ベースの下部を通過させる開口部を有する、請求項４に記載のヒータアセンブリ。

【請求項6】

頂面を有するヒータ取付ベースをさらに含み、前記シールドシャフトの前記底面は、前記ヒータ取付ベースの前記頂面に隣接して位置決めされている、請求項５に記載のヒータアセンブリ。

【請求項7】

前記ヒータ取付ベースの前記頂面が、前記ヒータ取付ベースの中空の内部領域に接続されている開口部を含む、請求項６に記載のヒータアセンブリ。

【請求項8】

前記スタンドオフ取付ベースの前記下部が、電気接続が前記ヒータ取付ベースの前記中空の内部領域を通過し、前記スタンドオフ取付ベースを通り、前記ヒータスタンドオフの開放内部チャネルに入ることができるよう、前記ヒータ取付ベースの前記頂面の前記開口部中に少なくとも部分的に延在している、請求項７に記載のヒータアセンブリ。

【請求項9】

流体シールが、前記ヒータ取付ベースの前記頂面の円形溝内に配置され、前記流体シールは、前記ヒータ取付ベースの前記頂面に対して垂直に前記シールドシャフトの移動を可能にする、請求項６に記載のヒータアセンブリ。

【請求項10】

前記シールドシャフトの前記底面が、前記外面から外向きに延びる底部フランジを含む、請求項９に記載のヒータアセンブリ。

【請求項11】

前記シールドシャフトの底部フランジを通って前記ヒータ取付ベース中に延びる複数のレベリングファスナをさらに含み、前記レベリングファスナは、前記シールドシャフトを前記ヒータ取付ベースの前記頂面に対して垂直となるよう調整するように構成されている、請求項１０に記載のヒータアセンブリ。

【請求項12】

トップ板をさらに含み、前記トップ板は該トップ板の厚さを画定する頂面及び底面を有し、前記トップ板は、前記厚さを貫通して前記ヒータを通過させる開口部を有し、前記トップ板の前記底面は、前記シールド板の前記頂面内の前記溝内の流体シールと接触している、請求項１に記載のヒータアセンブリ。

【請求項13】

リング状シムをさらに含み、前記リング状シムは該リング状シムの厚さを画定する頂面及び底面を有し、前記リング状シムは、前記シールド板の前記頂面と前記トップ板の前記底面との間で前記ヒータの周りに位置決めされている、請求項１２に記載のヒータアセンブリ。

【請求項14】

前記流体シールが、雰囲気に対して密閉し、前記シールド板の前記頂面と前記トップ板の前記底面との間の垂直方向の間隙の変動が最大１ｍｍの真空の完全性を維持するように構成されている、請求項１３に記載のヒータアセンブリ。

【請求項15】

前記流体シールが不均一に圧縮されるように構成されている、請求項１４に記載のヒータアセンブリ。

【請求項16】

前記流体シールが、シーリングプラットフォームとシーリング板との間の最大０．５ｍｍの垂直方向の間隙の変動に対応するように構成されている、請求項１４に記載のヒータアセンブリ。

【請求項17】

前記流体シールが、シーリングプラットフォームとシーリング板との間の０．５ｍｍの間隙で、２％～３％の最小圧縮を有するように構成されている、請求項１４に記載のヒータアセンブリ。

【請求項18】

前記流体シールが１２％～１３％の最大圧縮を有するように構成されている、請求項１４に記載のヒータアセンブリ。

【請求項19】

ヒータアセンブリに一体化されている熱シールドであって、
頂部端と底部端、開放内部領域を囲む内面及び外面を有するシールドシャフトであって、前記開放内部領域は、ヒータスタンドオフを囲むように構成されている、前記シールドシャフトと、
頂面、底面及び外周エッジを有するシールド板であって、前記シールド板は、内部内に前記頂面から前記底面まで延在している開口部を有し、前記ヒータスタンドオフは前記シールド板内の前記開口部を通って延在し、ヒータの底面は、前記シールド板の前記頂面からある距離離れており、前記シールド板の前記頂面は、前記シールド板の外周部の周りに延在する、内面及び外面を有する溝を有し、前記外面は前記シールド板の前記外周エッジからある距離離れている、前記シールド板と、
処理ステーション内の低圧条件を維持するために前記シールド板の前記溝内に配置されている第１の流体シールと、
前記シールドシャフトの前記底面と支持アームの頂面との間に配置されている第２の流体シールと、
を含む、ヒータアセンブリに一体化されている熱シールド。

【請求項20】

基板支持体であって、
中心ベースであって、該中心ベースから延びる複数のアームを有し、各アームは、前記中心ベースと接触する内部端及び外端を有する前記中心ベースと、
各アームの前記外端に接続されているヒータアセンブリであって、
支持面と厚さを画定する底面とを含むヒータ、
頂部端及び底部端を有し、前記頂部端が前記ヒータの前記底面と接触するヒータスタンドオフ、
頂部端と底部端、開放内部領域を囲む内面及び外面を有するシールドシャフトであって、前記ヒータスタンドオフは前記開放内部領域内に位置し、前記ヒータスタンドオフの前記頂部端は、前記シールドシャフトの前記頂部端の上に延在している、前記シールドシャフト、及び
頂面、底面及び外周エッジを有するシールド板であって、前記シールド板は内部内に前記頂面から前記底面まで延在している開口部を有し、前記ヒータスタンドオフは前記シールド板内の前記開口部を通って延在し、前記ヒータの前記底面は、前記シールド板の前記頂面からある距離離れており、前記シールド板の前記頂面は、前記シールド板の外周部の周りに延在する、内面及び外面を有する溝を有し、前記外面は前記シールド板の前記外周エッジからある距離離れている、前記シールド板、
を有する前記ヒータアセンブリと、
トップ板であって、前記トップ板は該トップ板の厚さを画定する頂面及び底面を有し、前記トップ板は、前記厚さを貫通して前記ヒータを通過させる開口部を有し、前記トップ板の前記底面は、流体シールと接触している、前記トップ板と、
を含む基板支持体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［０００１］本開示の実施形態は、概して、バッチ処理チャンバのためのヒータアセンブリに関する。特に、本開示の実施形態は、一体型熱絶縁シールドを含むヒータアセンブリに関する。

【背景技術】

【0002】

［０００２］原子層堆積（ＡＬＤ）又は化学気相堆積（ＣＶＤ）処理のための一部のチャンバ設計では、前駆体とガスは、複数のガス分配板を介して大きな基板支持体又は複数の基板支持体の表面に同時に供給される。ガス分配板は、基板表面から離れているかあるいはその逆であり、１つ又は複数の動作間隙を形成している。そのようなチャンバは、チャンバが使用される場合、異なる処理ステーション間の間隙の一貫性と均一性に対して感度が非常に高い可能性がある。いくつかのマルチステーション堆積システムの約１ｍｍの間隙により、別々のステーションで実行されるプロセスは、小さな間隙偏差の影響を非常に受けやすくなる。

【0003】

［０００３］多くの処理システム及び処理ツールは、非常に狭いスペース要件で動作する。例えば、マルチ基板ＡＬＤチャンバは、基板表面とガス分配システムとの間を０．８～１．５ｍｍ離して処理することができる。これらの小さなスペースは、処理領域を減らすことにより化学消費を最小限に抑え、ＡＬＤサイクル時間とパージ時間を最小限に抑え、スループットを最大にする。

【0004】

［０００４］大容量のバッチ処理チャンバは、処理ステーションに対するヒータアセンブリの位置合わせのばらつきに悩まされることが多く、その結果、ヒータアセンブリと処理ステーションとの間の処理間隙と処理領域に偏差が生ずる。処理間隙と処理領域の偏差は、プロセスの再現性とヒータの熱均一性に影響を与える。従来の処理チャンバのレベリングシステム及び方法は、ヒータの測定及び位置合わせのために複雑で高価なシステムを使用する。これらの電動式システムは、部品の通常の消耗により故障する可能性があり、その結果、修理及び予防保守のためのチャンバのダウンタイムが生ずる。

【0005】

［０００５］したがって、基板支持体とガス分配アセンブリ（複数可）との間の間隙を制御するための装置及び方法が当技術分野で必要とされている。

【発明の概要】

【0006】

［０００６］本開示の１つ又は複数の実施形態は、ヒータ、ヒータスタンドオフ、シールドシャフト、及びシールド板を含むヒータアセンブリに関する。ヒータは、厚さを画定する支持面及び底面を有する。ヒータスタンドオフは、ヒータの底面に接触している頂部端を有する。シールドシャフトは、頂部端と底部端、開放内部領域を囲む内面、及び外面を有する。ヒータスタンドオフは、開放内部領域内に位置し、ヒータスタンドオフの頂部端は、シールドシャフトの頂部端の上で延在している。シールド板は、頂面、底面及び外周エッジを有する。シールド板は、内部において頂面から底面まで延在する開口部をさらに含む。シールド板の開口部及びヒータの底面を通って延在するヒータスタンドオフは、シールド板の頂面からある距離離して配置される。シールド板の頂面は、シールド板の外周部の周りに延在する、内面及び外面を有する溝を有する。シールド板の外面は、シールド板の外周エッジからある距離離れている。

【0007】

［０００７］本開示の追加の実施形態は、中心ベース、ヒータアセンブリ、及びトップ板を有する基板支持体に関する。複数のアームがそこから延在し、各アームは、内部端及び中心ベースと接触する外端を有する。ヒータアセンブリは、各アームの外端に接続され、ヒータ、ヒータスタンドオフ、シールドシャフト、及びシールド板を含む。ヒータは、厚さを画定する支持面及び底面を有する。ヒータスタンドオフは、ヒータの底面に接触している頂部端を有する。シールドシャフトは、頂部端と底部端、開放内部領域を囲む内面、及び外面を有する。ヒータスタンドオフは、開放内部領域内に位置し、ヒータスタンドオフの頂部端は、シールドシャフトの頂部端の上で延在している。シールド板は、頂面、底面及び外周エッジを有する。シールド板は、内部において頂面から底面まで延在する開口部をさらに含む。シールド板の開口部及びヒータの底面を通って延在するヒータスタンドオフは、シールド板の頂面からある距離離して配置される。シールド板の頂面は、シールド板の外周部の周りに延在する、内面及び外面を有する溝を有する。シールド板の外面は、シールド板の外周エッジからある距離離れている。トップ板は、トップ板の厚さを画定する頂面及び底面を有し、ヒータが開口部を通過できるような、厚さを貫通する開口部を有し、トップ板の底面は、シールド板の頂面内の溝内の流体シールと接触している。

【0008】

［０００８］本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより詳細な説明を、実施形態を参照することによって行うことができ、そのいくつかを添付の図面に示す。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、その範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】［０００９］本開示の１つ又は複数の実施形態による処理チャンバの断面等角図である。

【図2】［００１０］本開示の１つ又は複数の実施形態による処理チャンバの断面図である。

【図3】［００１１］本開示の１つ又は複数の実施形態による支持アセンブリの底面斜視図を示す。

【図4】［００１２］本開示の１つ又は複数の実施形態による支持アセンブリの上面斜視図を示す。

【図5】［００１３］本開示の１つ又は複数の実施形態による支持アセンブリの上面斜視図を示す。

【図6A】［００１４］本開示の１つ又は複数の実施形態による支持アセンブリの概略断面図を示す。

【図6B】［００１５］本開示の１つ又は複数の実施形態による支持アセンブリの概略断面図を示す。

【図7】［００１６］本開示の１つ又は複数の実施形態によるヒータアセンブリの正面斜視図を示す。

【図8】［００１７］本開示の１つ又は複数の実施形態によるヒータアセンブリの断面図を示す。

【図9】［００１８］本開示の１つ又は複数の実施形態によるヒータアセンブリの詳細な断面図を示す。

【図10】［００１９］本開示の１つ又は複数の実施形態によるヒータアセンブリの詳細な断面図を示す。

【図11】［００２０］本開示の１つ又は複数の実施形態によるヒータアセンブリの概略断面図である。

【図12】［００２１］本開示の１つ又は複数の実施形態によるヒータアセンブリの概略断面図を示す。

【図13】［００２２］本開示の１つ又は複数の実施形態による処理プラットフォームの概略図を示す。

【発明を実施するための形態】

【0010】

［００２３］本開示のいくつかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示は、以下の説明に記載される構成又はプロセスステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施又は実行することができる。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施又は実行することができる。

【0011】

［００２４］この明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、「基板」という用語は、プロセスが作用する表面又は表面の一部を指す。文脈が明らかに他のことを示さない限り、基板への言及はまた、基板の一部のみを指すことができることも当業者によって理解されるであろう。さらに、基板上への堆積への言及は、剥き出しの基板と、その上に堆積又は形成された１つ又は複数の膜若しくはフィーチャを有する基板の両方を意味することができる。

【0012】

［００２５］ここで使用される「基板」は、製造プロセス中にフィルム処理が実行される基板上に形成された任意の基板又は材料表面を指す。例えば、その上で処理が実行可能である基板表面は、用途に応じて、ケイ素、酸化ケイ素、歪みシリコン、シリコンオンインシュレータ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ：ＳＯＩ）、炭素がドープされた酸化ケイ素、アモルファスシリコン、ドープされたケイ素、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイアなどの材料、並びに金属、金属窒化物、金属合金、及びその他の導電性材料といった他の任意の材料を含む。基板は、半導体ウエハを含むが、これらに限定されない。基板を、前処理プロセスに曝して、基板表面を研磨、エッチング、還元、酸化、ヒドロキシル化、アニーリング、ＵＶ硬化、電子ビーム硬化、及び／又はベークすることができる。基板自体の表面上で直接フィルム処理することに加えて、本開示では、開示されるフィルム処理ステップのいずれも、以下により詳細に開示されるように、基板上に形成された下層上で実行され得、また、「基板表面」という用語は、文脈が示すような下層を含むことを意図している。それゆえ、例えば、膜／層又は部分的な膜／層が基板表面上に堆積された場合、新たに堆積された膜／層の露出面が基板表面になる。

【0013】

［００２６］本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、「前駆体」、「反応物質」、「反応性ガス」などの用語は、基板表面又は基板表面上に形成された膜と反応することができる任意のガス種を指すために交換可能に使用される。

【0014】

［００２７］本開示のいくつかの実施形態は、複雑な電動式システムなしで処理間隙制御のためにヒータを水平にするためのＯリングを使用する、費用対効果の高い解決策を有利に提供する。いくつかの実施形態は、マルチウエハ処理チャンバ内の単一ウエハのための、ヒータを、断熱シールド、ヒータレベリング能、及び／又は処理領域絶縁と統合する方法を提供する。

【0015】

［００２８］本開示のいくつかの実施形態は、熱シールドアセンブリ（ヒータシールドアセンブリとも呼ばれる）に統合されたヒータアセンブリを提供し、ヒータスタンドオフの周りに均一なキャビティを形成する。ヒータシールドアセンブリは、シールド板及びシールドシャフトを含む。ヒータシールドアセンブリは、シールド板とシールドシャフトとの間に流体シールをさらに含み、漏れに対して密閉し、真空の完全性を維持するように構成されている。いくつかの実施形態の熱シールドは、ヒータの周りの温度損失の均一性を高める。

【0016】

［００２９］本開示は、単一基板又は複数基板（バッチとも呼ばれる）処理チャンバで使用するための基板支持体を提供する。図１及び図２は、本開示の１つ又は複数の実施形態による処理チャンバ１００を示す。図１は、本開示の１つ又は複数の実施形態による断面等角図として示される処理チャンバ１００を示す。図２は、本開示の１つ又は複数の実施形態による処理チャンバ１００の断面を示している。図３～図６は、本開示の１つ又は複数の実施形態による支持アセンブリ２００を示している。

【0017】

［００３０］処理チャンバ１００は、側壁１０４及びチャンバ床１０６を有するハウジング１０２を有する。ハウジング１０２は、チャンバ蓋３００に沿って内部領域１０９とも呼ばれる処理領域１０９を画定する。

【0018】

［００３１］図示の処理ステーション１１０は、３つの主要構成要素、チャンバ蓋３００（蓋とも呼ばれる）、ポンプ／パージインサート３３０、及びガスインジェクタ１１２を含む。処理チャンバ１００は、複数の処理ステーション１１０をさらに含む。処理ステーション１１０は、ハウジング１０２の内部領域１０９内に配置され、基板支持体２００の回転軸２１１の周りに円形配置で位置決めされる。各処理ステーション１１０は、前面１１４を有するガス分配板１１２（ガスインジェクタとも呼ばれる）を含む。いくつかの実施形態では、ガスインジェクタ１１２の各々の前面１１４は、実質的に同一平面上にある。処理ステーション１１０は、処理を行うことができる領域として定義される。例えば、いくつかの実施形態では、処理ステーション１１０は、以下に説明するように、基板支持体２００の支持面２３１と、ガスインジェクタ１１２の前面１１４とによって境界付けられる領域として定義される。図示の実施形態では、ヒータ２３０は、基板支持面として機能し、基板支持体２００の一部を形成する。ヒータ２３０の各々は、支持面２３１と、ヒータ２３０の厚さを画定する底面２３２とを含む。いくつかの実施形態では、支持面２３１は、支持面２３１を通って延びる少なくとも３つのリフトピンのための設備をさらに含む。

【0019】

［００３２］処理ステーション１１０は、任意の適切なプロセスを実行し、任意の適切なプロセス条件を提供するように構成することができる。使用されるガス分配板１１２のタイプは、例えば、実行されるプロセスのタイプ、及びシャワーヘッド又はガスインジェクタのタイプに依存する。例えば、原子層堆積装置として動作するように構成された処理ステーション１１０は、シャワーヘッド又は渦タイプのガスインジェクタを有することができる。一方、プラズマステーションとして動作するように構成された処理ステーション１１０は、プラズマガスを基板に向かって流しながらプラズマを生成するために、１つ又は複数の電極及び／又は接地プレート構成を有することができる。図２に示す実施形態は、図面の右側（処理ステーション１１０ｂ）とは異なるタイプの処理ステーション１１０を図面の左側（処理ステーション１１０ａ）に有する。適切な処理ステーション１１０は、熱処理ステーション、マイクロ波プラズマ、３電極ＣＣＰ、ＩＣＰ、平行板ＣＣＰ、ＵＶ露光、レーザ処理、ポンピングチャンバ、アニーリングステーション、及び計測ステーションを含むが、これらに限定されない。

【0020】

［００３３］図３～図６は、本開示の１つ又は複数の実施形態による支持アセンブリ２００を示す。支持アセンブリ２００は、回転可能な中心ベース２１０を含む。回転可能な中心ベース２１０は、対称又は非対称の形状を有することができ、回転軸２１１を画定する。回転軸２１１は、図６に見られるように、第１の方向に延びる。第１の方向は、垂直方向又はｚ軸に沿った方向と呼ぶことができる。しかしながら、このように「垂直（ｖｅｒｔｉｃａｌ）」という用語を使用することは、重力に垂直な方向に限定されないことを理解されたい。

【0021】

［００３４］支持アセンブリ２００は、中心ベース２１０に接続され、そこから延びる少なくとも２つの支持アーム２２０を含む。支持アーム２２０は、内部端２２１及びヒータ取付ベース２２２を有する。内部端２２１は、中心ベース２１０が回転軸２１１の周りを回転するとき、支持アーム２２０も同様に回転するように、中心ベース２１０と接触している。支持アーム２２０は、ファスナ（例えば、ボルト）によって、又は中心ベース２１０と一体的に形成されることによって、内部端２２１で中心ベース２１０に接続することができる。

【0022】

［００３５］一部の実施形態では、支持アーム２２０は、回転軸２１１に直交して延び、それによって、同じ支持アーム２２０上で、内部端２２１又はヒータ取付ベース２２２の一方は、内部端２２１及びヒータ取付ベース２２２の他方よりも回転軸２１１から遠くなる。いくつかの実施形態では、支持アーム２２０の内部端２２１は、同じ支持アーム２２０のヒータ取付ベース２２２よりも回転軸２１１に近い。

【0023】

［００３６］支持アセンブリ２００内の支持アーム２２０の数は変えることができる。いくつかの実施形態では、少なくとも２つの支持アーム２２０、少なくとも３つの支持アーム２２０、少なくとも４つの支持アーム２２０、又は少なくとも５つの支持アーム２２０がある。いくつかの実施形態では、３つの支持アーム２２０がある。いくつかの実施形態では、４つの支持アーム２２０がある。いくつかの実施形態では、５つの支持アーム２２０がある。いくつかの実施形態では、６つの支持アーム２２０がある。

【0024】

［００３７］支持アーム２２０は、中心ベース２１０の周りに対称的に配置することができる。例えば、４つの支持アーム２２０を有する支持アセンブリ２００では、支持アーム２２０の各々は、中心ベース２１０の周りに９０°の間隔で位置決めされる。３つの支持アーム２２０を有する支持アセンブリ２００では、支持アーム２２０は、中心ベース２１０の周りに１２０°の間隔で位置決めされる。別の言い方をすれば、４つの支持アーム２２０を有する実施形態では、支持アームは、回転軸２１１の周りで４回対称性を提供するように配置される。いくつかの実施形態では、支持アセンブリ２００は、ｎ個の支持アーム２２０を有し、ｎ個の支持アーム２２０は、回転軸２１１の周りにｎ回対称性を提供するように配置される。

【0025】

［００３８］ヒータ２３０は、支持アーム２２０のヒータ取付ベース２２２に位置決めされる。いくつかの実施形態では、各支持アーム２２０はヒータ２３０を有する。ヒータ２３０の中心は、中心ベース２１０の回転時にヒータ２３０が円形経路を移動するように、回転軸２１１から離れて配置される。

【0026】

［００３９］ヒータ２３０は、基板を支持することができる支持面２３１を有する。いくつかの実施形態では、ヒータ２３０の支持面２３１は実質的に同一平面上にある。このように使用される場合、「実質的に同一平面上にある」とは、個々の支持面２３１によって形成される平面が、他の支持面２３１によって形成される平面の±５°、±４°、±３°、±２°、又は±１°以内にあることを意味する。

【0027】

［００４０］いくつかの実施形態では、ヒータ２３０は、支持アーム２２０のヒータ取付ベース２２２上に直接位置決めされる。いくつかの実施形態では、図面に示されるように、ヒータ２３０は、ヒータスタンドオフ２３４によって支持アーム２２０のヒータ取付ベース２２２の上に上昇される。ヒータスタンドオフ２３４は、実質的に円筒形の本体を有し、ヒータ２３０の高さを増加させるために任意のサイズ及び長さであってよい。

【0028】

［００４１］一部の実施形態では、チャネル２３６は、中心ベース２１０、支持アーム２２０及び／又はヒータスタンドオフ２３４のうちの１つ又は複数に形成される。チャネル２３６は、電気接続をルーティングするため、あるいはガス流を提供するために使用することができる。

【0029】

［００４２］ヒータは、当業者に知られている任意の適切なタイプのヒータであってよい。いくつかの実施形態では、ヒータは、ヒータ本体内に１つ又は複数の加熱要素を有する抵抗加熱器である。

【0030】

［００４３］一部の実施形態では、図４に示すように、シールド板２４０は円盤状であり、各ヒータ２３０の周りに位置決めされる。図示の実施形態では、シールド板２４０は、シールド板２４０の頂面２４１がヒータの支持面２３１より下になるように、ヒータ２３０の下に配置される。

【0031】

［００４４］一部の実施形態のヒータ２３０は、追加の構成要素を含む。例えば、いくつかの実施形態のヒータは、静電チャックを含む。静電チャックは、ヒータが移動している間、支持面２３１上に位置決めされた基板を適所に保持できるように、様々なワイヤ及び電極を含むことができる。これにより、基板をプロセスの開始時にヒータにチャッキングし、異なるプロセス領域に移動しながら同じヒータの同じ位置に留まることができる。いくつかの実施形態では、ワイヤ及び電極は、支持アーム２２０内のチャネル２３６を通って送られる。静電チャックは、ヒータ２３０内に配置されたチャッキング面として構成される。

【0032】

［００４５］一部の実施形態では、図５に示すように、トップ板２４５は、ヒータ２３０の支持面２３１へのアクセスを可能にする少なくとも１つの開口部２４２を有するヒータ２３０のすべてを囲む単一の構成要素である。トップ板２４５は、トップ板２４５の厚さを画定する頂面２４６及び底面２４９を有する。開口部２４２は、ヒータ２３０が上板２４５を通過することを可能にすることができる。いくつかの実施形態では、トップ板２４５は、トップ板２４５が、ヒータ２３０と共に垂直に移動し、回転するように固定される。

【0033】

［００４６］図６Ａを参照すると、いくつかの実施形態では、トップ板２４５は、ヒータ２３０の支持面２３１によって形成される主平面２４７と実質的に平行な主平面２４８を形成する頂面２４６を有する。いくつかの実施形態では、トップ板２４５は、支持面２３１の主平面２４７から距離Ｄだけ上にある主平面２４８を形成する頂面２４６を有する。いくつかの実施形態では、距離Ｄは、図６Ｂに示すように、支持面２３１がトップ板２４５の頂面２４６と同一平面上になるように、処理される基板３９０の厚さに実質的に等しい。このように使用される場合、用語「実質的に同一平面上にある」は、基板３９０の表面によって形成される主平面が、同一平面上の±１ｍｍ、±０．５ｍｍ、±０．４ｍｍ、±０．３ｍｍ、±０．２ｍｍ又は±０．１ｍｍ以内にあることを意味する。

【0034】

［００４７］図７は、本開示の１つ又は複数の実施形態による、ヒータアセンブリ２０５を有する支持アセンブリ２００の一部の等角図を示す。図８は、線８－８’に沿った、図７に示されるヒータアセンブリ２０５を有する支持アセンブリ２００の一部の断面図を示す。図中の陰影は、異なる構成要素を区別するのを助けるために使用されており、特定の構成材料を意味するものではない。いくつかの実施形態では、ヒータアセンブリ２０５は、ヒータ２３０と、ヒータスタンドオフ２３４と、シールドシャフト２５０及びシールド板２４０とからなるシールドとを含む。

【0035】

［００４８］シールドシャフト２４０は、ヒータスタンドオフ２３４の各々を囲む外面２５５及び内面２５７を有する。シールドシャフト２５０は、シールドシャフト２５０の長さを画定する頂部端２５２及び底部端２５８を有する。いくつかの実施形態のシールドシャフト２５０は、スタンドオフ２３４の形状と同心である形状を有する。いくつかの実施形態では、シールドシャフト２５０は、実質的に円筒形の本体を有する。このように使用される場合、「実質的に円筒形」という用語は、形状が全体的に円筒形の外観を与えることを意味し、細長い楕円形を含む。

【0036】

［００４９］いくつかの実施形態では、シールドシャフト２５０の底部端２５８は、底部フランジ２６７を含む。いくつかの実施形態の底部フランジ２６７は、厚さを画定する頂面２６０及び底面２６２を有する。いくつかの実施形態では、底部フランジ２６７は、外面２５５から外側に向かって延びている。いくつかの実施形態の底部フランジ２６７は、ファスナ又は他の構成要素のためのスペースを提供する。

【0037】

［００５０］いくつかの実施形態では、少なくとも３つの開孔２５９が底部端２５８の厚さを通って延在する。いくつかの実施形態では、開孔２５９は、底部端２５８の部分であるフランジ２６７の厚さを通って延びる。いくつかの実施形態では、少なくとも３つの開孔２５９は、シールドシャフト２５０の中心軸２５３の周りに間隔を置いて配置される。いくつかの実施形態では、少なくとも３つの開孔２５９は、中心軸２５３の周りに等間隔に配置される。いくつかの実施形態では、中心軸２５３から測定して、開孔２５９が１２０度の間隔で位置決めされるように、中心軸２５３の周りに等間隔に配置された３つの開孔２５９がある。いくつかの実施形態では、少なくとも４つの開孔が底部端２５８の厚さを貫通し、少なくとも４つの開孔は、シールドシャフト２５０の中心軸の周りに正方形の平面構成であり、少なくとも４つの開孔の各々が互いに９０度に位置決めされている。

【0038】

［００５１］いくつかの実施形態では、レベリングファスナ２６１は、少なくとも３つの開孔２５９の各々の内部に配置される。いくつかの実施形態のレベリングファスナ２６１は、シールドシャフト２５０を水平にし、支持アーム２２０の外端２２４の頂面２２３に固定するために使用される。レベリングファスナ２６１は、シールドシャフト２５０をヒータ取付ベース２２２の頂面２２３に対して垂直に調整するように構成されている。別の言い方をすれば、いくつかの実施形態では、レベリングファスナ２６１は、シールドシャフトの中心軸２５３がヒータ取付ベース２２２の頂面２２３に対して実質的に垂直（±２°）になるように、シールドシャフト２５０の調整を可能にするように構成される。

【0039】

支持アーム２２０の外端２２４に対するシールドシャフト２５０の較正が実行されるいくつかの実施形態では、以下でさらに詳細に説明するように、可変厚さの１つ又は複数のシム（図示せず）は、レベリングファスナ２６１の周りに位置決めされる。いくつかの実施形態では、１つ又は複数のシムは、支持アーム２２０の外端２２４とシールドシャフト２５０の底面２６２との間に位置決めされる。

【0040】

［００５３］ヒータスタンドオフ２３４は、頂部端２３５及び底部端２３７を含む。ヒータスタンドオフ２３４の頂部端２３５は、ヒータ２３０の底面２３２と接触している。ヒータスタンドオフ２３４の底部端２３７は、スタンドオフ取付ベース３１０と接触している。いくつかの実施形態のスタンドオフ取付ベース３１０は、ヒータスタンドオフ２３４を支持アーム２２０の外端２２４に固定するように構成される。いくつかの実施形態では、ヒータスタンドオフ２３４は、ヒータ２３０内の静電チャックの熱要素２１９又は電極２１７の１つ又は複数への電気接続２４４を可能にする、開放内部チャネル２３９を有する。当業者は、ヒータ及び静電チャックの構造に精通し、ヒータ２３０内の熱的及び電気的構成要素の配置は変更可能であることを理解するであろう。

【0041】

［００５４］図示の実施形態では、ヒータスタンドオフ２３４の頂部端２３５は、シールドシャフト２５０の頂部端２５２の上にある。いくつかの実施形態では、シールドシャフト２５０の頂部端２５２は、ヒータスタンドオフ２３４の頂部端２３５の上に延在する。いくつかの実施形態では、シールドシャフト２５０の頂部端２５２は、ヒータスタンドオフ２３４の頂部端２３５まで延びる。

【0042】

［００５５］図８及び図９に示されるように、シールド板２４０は、厚さを画定する頂面２７０及び底面２７２を有する。シールド板２４０は、頂面２７０から底面２７２まで延びる開口部２７１をさらに含む。いくつかの実施形態では、図に示されるように、ヒータ２３０の底面２３２は、シールド板２４０の頂面２７０からある距離を置いて配置される。いくつかの実施形態では、ヒータ２３０の底面２３２とシールド板２４０の頂面２７０との間の距離は、０．０１ｍｍ～５０ｍｍの範囲、又は０．２５ｍｍ～４０ｍｍの範囲、又は０．５ｍｍ～３０ｍｍの範囲、又は１ｍｍ～２０ｍｍの範囲である。

【0043】

［００５６］シールド板２４０は、内側部分２７４、外側部分２７５、及び外周エッジ２８１を有する。いくつかの実施形態では、外側部分２７５は、内側部分２７４の厚さよりも大きな厚さを有する。いくつかの実施形態では、シールド板２４０の底面２７２は、シールドシャフト２５０の頂部端２５２と接触し、少なくとも３つの開孔２５４を通って延びるファスナ２５６で固定され、少なくとも３つの開孔２５４は、頂部端２５２を通って延びる。いくつかの実施形態では、底面２７２は、シールドシャフト２５０の頂部端２５２に溶接される。いくつかの実施形態では、シールド板２４０の底面２７２は、頂部端２５２がシールド板２４０の底面２７２と接触している場所でより大きな厚さを有する。より大きい厚さは、ファスナ２５６を受けるように構成されたファスナ穴を収容するためのものである。

【0044】

［００５７］図９は、トップ板２４５及びシールド板２４０を有するヒータ２３０の外縁の一部を示す。図示の実施形態では、シールド板２４０は、トップ板２４５の少なくとも１つの開口部２４２のうちの１つの下に位置決めされる。シールド板２４０の頂面２７０は、内面２７９と外面２８０とを有する、シールド板２４０の外周部２７６の周りに延在する溝２７８をさらに含み、外面２８０は、シールド板２４０の外周エッジ２８１からある距離を置いて配置されている。

【0045】

［００５８］少なくとも１つの開口部２４２の各々において、トップ板２４５の底面２４９は、シールド板２４０の頂面２７０の外周部２７６と接触している。第１の流体シール３９２（「頂部流体シール」とも呼ばれる）は、処理ステーション１１０内の低圧状態を維持するために、外周エッジ２８１のリング形状の溝２７８内に配置される。第１の流体シール３９２は、シールド板２４０とトップ板２４５との間に不均一な圧力が加えられるように、シールド板２４０の周囲を不均一に圧縮するように構成され、第１の流体シール３９２は、処理ステーション内の雰囲気環境条件を依然として維持する。

【0046】

［００５９］一部の実施形態では、厚さを有するリング形状のシム３５０が、シールド板２４０の頂面２４１（ヒータ２３０の支持面２３１の下にある）とトップ板２４５の底面２４９との間に位置決めされる。リング形状のシム３５０は、シールド板２４０の溝２７８内に少なくとも部分的に着座する第１の流体シール３９２を圧縮するように構成される。いくつかの実施形態では、リング形状のシム３５０の厚さは、シールド板２４０の頂面２４１とトップ板２４５の底面２４９との間の可変距離に適応するように構成することができる。いくつかの実施形態では、リング形状のシム３５０は、リングの周囲で可変の厚さを有する。いくつかの実施形態では、リング形状のシム３５０は、リング形状に組み立てられる複数の個々のピースを含む。

【0047】

［００６０］いくつかの実施形態では、リング状のシム３５０とトップ板２４５との間にプレナム２８３が形成される。プレナム２８３は、当業者によって理解されるように、任意の適切な形状及び／又はサイズであることができる。いくつかの実施形態のプレナム２８３は、真空源（例えば、真空ポンプ、フォアライン）に接続されて、処理ガスが処理ステーション内の処理領域から漏れるのを防止する。

【0048】

［００６１］いくつかの実施形態では、リング形状のシム３５０と第１の流体シール３９２の両方が、処理ステーションへの、又は処理ステーションからのガス漏れを密閉し、処理ステーション内の真空の完全性を維持するように構成される。いくつかの実施形態では、第１の流体シール３９２は、処理ステーション１１０内で最大１．５ｍｍ、１．２５ｍｍ、１ｍｍ、０．７５ｍｍ、又は０．５ｍｍの垂直処理間隙変動を密閉するように構成される。垂直処理間隙は、支持面２３１と各ガスインジェクタ１１２の前面１１４との間の垂直距離によって画定される。いくつかの実施形態では、シム３５０は、処理間隙が小さすぎる場合に、より大きな厚さを有するように提供される。いくつかの実施形態では、シム３５０は、処理間隙が大きすぎる場合に、より薄い厚さを有するように提供される。同様に、第１の流体シール３９２は、小さすぎる処理間隙を補うために特大サイズにすることができる。いくつかの実施形態では、第１の流体シールは、漏れを密閉し、チャンバ内で最大１ｍｍの垂直間隙変動まで真空の完全性を維持するように構成される。

【0049】

［００６２］第１の流体シール３９２は、処理ガス及び処理条件に適合する、当業者に知られている任意の適切な圧縮可能な構成要素であることができる。いくつかの実施形態では、第１の流体シール３９２は、１２％～１３％の最大圧縮を有するように構成される。いくつかの実施形態では、第１の流体シール３９２は、第１の流体シール３９２の初期厚さの１％～１５％の範囲、又は５％～１４％の範囲、又は１０％～１３％の範囲内の最大圧縮を有するように構成されている。

【0050】

［００６３］第１の流体シール３９２は、支持面２３１の平面変動を考慮して不均一に圧縮されるように構成される。平面変動は、モーターの振れ、又はヒータスタンドオフ２３４、シールドシャフト２５０、スタンドオフ取付ベース３１０、支持アーム２２０シールド板２４０及びトップ板２４５のうちの１つ又は複数の機械的公差の変動に起因して発生し得る。いくつかの実施形態では、第１の流体シールは、シールド板２４０とトップ板２４５との間の最大０．５ｍｍの垂直間隙変動に適応するように構成される。

【0051】

図１０を参照すると、いくつかの実施形態では、スタンドオフ取付ベース３１０は、ヒータスタンドオフ２３４の底部端２３７及びシールドシャフト２５０の底部端２５８に接続される。スタンドオフ取付ベース３１０は、ヒータスタンドオフ２３４及びシールドシャフト２５０を支持アーム２２０の外端２２４に固定するように構成される。スタンドオフ取付ベース３１０は、頂部端３１２及び底部端３１４を有し、頂部端３１２は、底部端３１４の直径よりも大きい直径を有する。頂部端３１２の頂面３１６は、ヒータスタンドオフ２３４の底部と接触している。

【0052】

［００６５］スタンドオフ取付ベース３１０の底部端３１４は、支持アーム２２０の頂面２２３の開口部２２５内で互いにかみ合うように構成される。いくつかの実施形態では、底部端３１４は、支持アーム２２０の開口部２２５中にある深さ延びる。いくつかの実施形態では、底部端３１４は、開口部２２５内に圧入されるか又は締まりばめである。

【0053】

［００６６］一部の実施形態では、シールドシャフト２５０の底部端２５８は、スタンドオフ取付ベース３１０の下部２３８が貫通できるようにする開口部２５１を有する。

【0054】

［００６７］一部の実施形態では、スタンドオフ取付ベース３１０の頂部端３１２は、複数の段付き表面３１５をさらに含む。いくつかの実施形態では、複数の段付き表面３１５の各々は、スタンドオフ取付ベース３１０の頂面３１６からスタンドオフ取付ベース３１０の底面３１８まで次第に小さくなる直径を有する。複数の段付き表面３１５の各々は、シールドシャフト２５０の内側フランジ２６４の対応する段差と接触する底面３１７を有する。いくつかの実施形態では、複数の段付き表面３１５の底面３１８の各々の１つ又は複数は、複数の流体シール３１１を受け入れるためのチャネル３１３をさらに含む。複数の流体シール３１１は、複数の段付き表面３１５の各々の底面３１７と、シールドシャフト２５０の内側フランジ２６４の対応する段差との間の複数の流体シール３１１の圧縮時に、シールドシャフト２５０内の低圧雰囲気環境を維持するように構成されている。いくつかの実施形態では、頂面３１６は、スタンドオフ取付ベース３１０の頂部端３１２内に部分的に凹んでいる。

【0055】

［００６８］複数の処理ステーション１１０を有する実施形態では、支持アーム２２０は、前述のように外端２２１を含む。単一の処理ステーションを有する実施形態では、ヒータ取付ベース２２２は、シールドシャフト２５０の底面２６２に隣接する頂面２２３を含む。ヒータ取付ベース２２２の頂面２２３は、ヒータ取付ベース２２２の中空の内部領域に接続された開口部２２５を含む。開口部２２５は、頂面２２３を通って部分的に延在する。開口部２２５は、ヒータ取付ベース２２２の中心軸上に同心に配置される。開口部２２５は、ヒータ取付ベース２２２の中空内部領域を通り、スタンドオフ取付ベース３１０を通り、ヒータスタンドオフ２３４の開放内部チャンネルへの、電気ケーブル、流体チャネル、及びガスチャネルの通過を可能にするように構成される。いくつかの実施形態では、開口部２２５は、スタンドオフ取付ベース３１０の底部３１４を受け入れるように構成される。

【0056】

［００６９］頂面２２３は、開口部２２５の周りに配置された第２の流体シール２２９（「底部流体シール」とも呼ばれる）を受け入れるためのリング形状の溝２２７をさらに含む。第２の流体シール２２９は、シールドシャフト２５０の底面２６８と接触している。第２の流体シール２２９は、ヒータ取付ベース２２２の頂面２２３に対するシールドシャフト２５０の移動を可能にするように構成される。

【0057】

［００７０］第２の流体シール２２９は、少なくとも１つのシム（図示せず）をシールドシャフト２５０の底面２６８とヒータ取付ベース２２２の頂面２２３との間に位置決めできるように構成されている。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのシムは、開口部２２５の周りに位置決めされたリング形状のシムである。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのシムは、シールドシャフト２５０の底部端２５８を支持アーム２２０の頂面２２３に固定するファスナの間に位置決めされる。

【0058】

［００７１］いくつかの実施形態では、第１の流体シール３９２及び第２の流体シール２２９はＯリングである。いくつかの実施形態では、第１の流体シール３９２及び第２の流体シール２２９はＶリングである。いくつかの実施形態では、第１の流体シール３９２及び第２の流体シール２２９はＬリングである。

【0059】

［００７２］シールド板２４０及びシールドシャフト２５０は、均一なヒータシールドアセンブリを形成する。ヒータシールドアセンブリは、第１の流体シール３９２及び第２の流体シール２９９によって漏れに対して密閉された均一な間隙を形成し、均一な間隙内の真空の完全性を維持する。熱シールドアセンブリとも呼ばれるヒータシールドアセンブリは、ヒータ２３０の周囲の温度損失の均一性を高める。

【0060】

［００７３］図１１及び図１２に示されるように、ヒータ２３０の支持面２３１の各々は、ヒータ２３０の他の支持面２３１の各々と実質的に同一平面上にある。いくつかの実施形態では、支持面２３１は、ヒータスタンドオフ２３４に対して角度Θであり、較正後、角度Θは９０度であり、それによって、支持面２３１に水平に水平な面を提供する。

【0061】

［００７４］図１２に示すように、モーターの軸振れにより、支持面２３１とヒータスタンドオフ２３４が不適切な位置合わせの状態になる可能性があり、角度Θはもはや実質的に９０度ではない。連続サイクル及びねじれ力スキャンもまた不適切な位置合わせの一因となり、したがって、ぐらつき、処理チャンバ内の内部容積の変動、又は分離間隙距離の変動を誘発する。

【0062】

［００７５］一部の実施形態では、複数の変位センサを利用して、不適切な位置合わせを機械的に修正し、それによって、支持面２３１はトップ板２４５と適切に位置合わせされる。いくつかの実施形態では、機械的矯正は、ヒータスタンドオフ２３４とヒータ２３０との間の接続点又はフランジをシミングすること、ヒータスタンドオフ２３４と支持アーム２２０との間の接続点をシミングすること、シールドシャフト２５０の頂部端２５２、シールドシャフト２５０の底部端２５８のファスナを調整することを含むが、これらに限定されない。較正は、シールドシャフト２５０の頂部端２５２のファスナ２５６間にシムを配置すること、シールドシャフト２５０の底部端２５８のレベリングファスナ２６１間にシムを配置することをさらに含むことができる。機械的較正はまた、リング形状のシム３５０の厚さの配置又は調整を含み、垂直方向の処理間隙偏差に対応することができる。

【0063】

［００７６］一部の実施形態では、以下でさらに詳細に説明するように、図１２に示すように、ヒータスタンドオフ２３４が不適切に位置合わせされていることに起因する振れ及びぐらつきが較正される。ヒータスタンドオフ２３４の振れ及びぐらつきが修正され、適切な位置合わせにされた後、角度Θは、実質的に９０度の適切な位置合わせにされる。

【0064】

［００７７］いくつかの実施形態では、複数の変位センサは、好ましくはレーザ変位センサであり、これにより、レーザビームは支持面２３１に向けられる。変位センサは、センサから支持面２３１上のある点までの距離を測定するように構成される。いくつかの実施形態では、変位センサはまた、センサとトップ板２４５の頂面２４６上のある点との間の距離を測定するように構成されている。

【0065】

［００７８］説明した実施形態では、変位センサは、少なくとも１組の３つのセンサの一部である。一組の３つのセンサの各々は、センサから表面上のある点までの距離を測定するように構成され、それにより、３つのセンサが前記表面上の３つの点までの距離を測定する。いくつかの実施形態では、一組の３つのセンサは、正三角形の構成で互いに等距離に位置決めされ、三角形の構成は、共平面性について較正されている表面に対して中心軸を有するｘ－ｙ平面にある。

【0066】

［００７９］記載されている実施形態では、変位センサは、対応する一組の３つのセンサに対する支持面２３１の平行度を測定するように構成される。一組の３つのセンサに対する前記表面の平行度は、３つのセンサの各々と表面上のある点との間の距離によって計算され、距離は、センサの三角形構成のｘ－ｙ平面に対するｚ平面にある。いくつかの実施形態では、変位センサは、対応する二組の３つのセンサに対して対向する支持面２３１の平行度を測定するように構成される。いくつかの実施形態では、変位センサは、変位センサに対する複数の支持面２３１の平行度を測定するように構成される。いくつかの実施形態では、変位センサは、対応する組の３つのセンサに対するトップ板２４５の頂面２４６の平行度を測定するように構成される。

【0067】

［００８０］図１４は、本開示の１つ又は複数の実施形態による処理プラットフォーム４００を示す。図４に示される実施形態は、１つの可能な構成を単に代表するものであり、開示の範囲を限定するものと解釈されるべきではない。例えば、いくつかの実施形態では、処理プラットフォーム４００は、処理チャンバ１００、バッファステーション４２０、及び／又はロボット４３０構成のうちの１つ又は複数を、図示の実施形態とは異なる数で有する。

【0068】

［００８１］例示的な処理プラットフォーム４００は、複数の側面４１１、４１２、４１３、４１４を有する中央移送ステーション４１０を含む。図示の移送ステーション４１０は、第１の側面４１１、第２の側面４１２、第３の側面４１３、及び第４の側面４１４を有する。４つの側面が示されているが、当業者は、例えば、処理プラットフォーム４００の全体的な構成に応じて、移送ステーション４１０に対して任意の適切な数の側面が存在し得ることを理解するであろう。いくつかの実施形態では、移送ステーション４１０は、３つの側面、４つの側面、５つの側面、６つの側面、７つの側面、又は８つの側面を有する。

【0069】

［００８２］移送ステーション４１０は、そこに位置決めされたロボット４３０を有する。ロボット４３０は、処理中に基板を移動できる任意の適切なロボットであってよい。いくつかの実施形態では、ロボット４３０は、第１のアーム４３１及び第２のアーム４３２を有する。第１のアーム４３１及び第２のアーム４３２は、他方のアームとは独立して移動することができる。第１のアーム４３１及び第２のアーム４３２は、ｘ－ｙ平面内及び／又は－軸に沿って移動することができる。いくつかの実施形態では、ロボット４３０は、第３のアーム（図示せず）又は第４のアーム（図示せず）を含む。各アームは、他のアームから独立して動くことができる。

【0070】

［００８３］図示の実施形態は、６つの処理チャンバ１００を含み、２つは中央移送ステーション４１０の第２の側面４１２、第３の側面４１３、及び第４の側面４１４の各々に接続される。処理チャンバ１００の各々は、異なるプロセスを実行するように構成することができる。

【0071】

［００８４］処理プラットフォーム４００はまた、中央移送ステーション４１０の第１の側面４１１に接続された１つ又は複数のバッファステーション４２０を含むことができる。バッファステーション４２０は、同じ機能又は異なる機能を実行することができる。例えば、バッファステーションは、処理されて元のカセットに戻される基板のカセットを保持することができるか、あるいはバッファステーションの１つは、処理後に他のバッファステーションに移動される未処理の基板を保持することができる。いくつかの実施形態では、バッファステーションの１つ又は複数は、処理前及び／又は処理後に基板を前処理、予熱、又は洗浄するように構成される。

【0072】

［００８５］処理プラットフォーム４００はまた、中央移送ステーション４１０と処理チャンバ１００のいずれかとの間に１つ又は複数のスリットバルブ４１８を含んでもよい。スリットバルブ４１８は、処理チャンバ１００内の内部領域を中央移送ステーション４１０内の環境から隔離するために開閉することができる。例えば、処理中に処理チャンバがプラズマを生成する場合、そのプロセスチャンバのスリットバルブを閉じて、ストレイプラズマが移送ステーション内のロボットを損傷するのを防ぐと役立ち得る。

【0073】

［００８６］処理プラットフォーム４００は、ファクトリインターフェース４５０に接続されて、基板又は基板のカセットを処理プラットフォーム４００にロードできるようにすることができる。ファクトリインターフェース４５０内のロボット４５５を使用して、基板又はカセットをバッファステーションに出し入れすることができる。基板またはカセットは、中央移送ステーション４１０のロボット４３０によって処理プラットフォーム４００内で移動することができる。いくつかの実施形態では、ファクトリインターフェース４５０は、別のクラスタツール（すなわち、別のマルチチャンバ処理プラットフォーム）の移送ステーションである。

【0074】

［００８７］コントローラ４９５が提供され、処理プラットフォーム４００の様々な構成要素に結合されて、その動作を制御することができる。コントローラ４９５は、処理プラットフォーム４００全体を制御する単一のコントローラ、又は処理プラットフォーム４００の個々の部分を制御する複数のコントローラであり得る。例えば、いくつかの実施形態の処理プラットフォーム４００は、個々の処理チャンバ１００、中央移送ステーション４１０、ファクトリインターフェース４５０及び／又はロボット４３０のうちの１つ又は複数のための別個のコントローラを備える。

【0075】

［００８８］一部の実施形態では、処理チャンバ１００は、第１の温度又は第２の温度のうちの１つ又は複数を制御するように構成された複数の実質的に同一平面上の支持面２３１に接続されたコントローラ４９５をさらに含む。１つ又は複数の実施形態では、コントローラ４９５は、基板支持体２００（図２）の移動速度を制御する。

【0076】

いくつかの実施形態では、コントローラ４９５は、中央処理装置（ＣＰＵ）４９６、メモリ４９７、及びサポート回路４９８を含む。コントローラ４９５は、処理プラットフォーム４００を直接、又は特定のプロセスチャンバ及び／又はサポートシステム構成要素に関連付けられたコンピュータ（又はコントローラ）を介して制御することができる。

【0077】

［００９０］コントローラ４９５は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するために工業環境で使用できる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサの１つであってよい。コントローラ４９５のメモリ４９７又はコンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、光学記憶媒体（例えば、コンパクトディスクやデジタルビデオディスク）、フラッシュドライブ、又はローカルやリモートの他の形式のデジタルストレージなどの１つ又は複数の容易に利用可能なメモリであってよい。メモリ４９７は、処理プラットフォーム４００のパラメータ及び構成要素を制御するためにプロセッサ（ＣＰＵ４９６）によって動作可能な命令セットを保持することができる。

【0078】

［００９１］サポート回路４９８は、従来の方法でプロセッサをサポートするためにＣＰＵ４９６に結合される。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入出力回路及びサブシステムなどを含む。１つ又は複数のプロセスは、プロセッサによって実行又は呼び出されると、プロセッサに、本明細書に記載の方法で処理プラットフォーム４００又は個々の処理チャンバの動作を制御させるソフトウェアルーチンとしてメモリ４９８に格納することができる。ソフトウェアルーチンはまた、ＣＰＵ４９６によって制御されているハードウェアから離れて配置された第２のＣＰＵ（図示せず）によって格納及び／又は実行されてもよい。

【0079】

［００９２］本開示のプロセス及び方法の一部又はすべては、ハードウェアで実行することもできる。したがって、プロセスは、ソフトウェアで実装され、コンピュータシステムを使用して、例えば特定用途向け集積回路又は他のタイプのハードウェア実装などのハードウェアで、又はソフトウェアとハードウェアの組み合わせとして実行され得る。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されると、プロセスが実行されるようにチャンバ動作を制御する専用コンピュータ（コントローラ）に汎用コンピュータを変換する。

【0080】

［００９３］一部の実施形態では、コントローラ４９５は、方法を実行するために個々のプロセス又はサブプロセスを実行するための１つ又は複数の構成を有する。コントローラ４９５は、方法の機能を実行するために中間部品を動作させるように接続及び構成することができる。例えば、コントローラ４９５は、ガスバルブ、アクチュエータ、モーター、スリットバルブ、真空制御、又は他の構成要素のうちの１つ又は複数に接続され、それらを制御するように構成され得る。

【0081】

［００９４］電極５２１、５２２間に電圧差を生成するために、電源５３０が電極５２１、５２２に接続される。電源５３０は、伝送線５３１、５３２を介して電極５２１、５２２に接続する。伝送線５３１、５３２は、短絡又はアーク放電を防止するために、任意の適切な絶縁体によって電気的に分離される。

【0082】

［００９５］いくつかの実施形態の電源５３０は、電極５２１に第１の電圧（電位とも呼ばれる）を提供し、第１の電圧とは異なる第２の電圧を電極５２２に提供する。いくつかの実施形態では、電源５３０は、高電圧直流（ＤＣ）及び低電圧交流（ＡＣ）成分を電極５２１、５２２に提供するように構成される。

【0083】

［００９６］本開示の１つ又は複数の実施形態では、電源５３０は、静電容量センサ５３５を含むか、又はそれに接続される。いくつかの実施形態では、静電容量センサ５３５は、図２に示されるように、基板支持体５００の本体５０２内の別個のセンサである。いくつかの実施形態では、静電容量センサは、電源５３０の電子機器の一部である。

【0084】

［００９７］いくつかの実施形態では、コントローラ５９０は、少なくとも１つの加熱要素５４０に接続され、少なくとも１つの加熱要素５４０への電力を制御するように構成される。いくつかの実施形態では、コントローラ５９０は、温度センサ（例えば、高温計、熱電対など）に接続されて、基板又は基板支持体５００の温度を測定し、加熱要素５４０への電力を変更して所定の温度を維持する。

【0085】

［００９８］いくつかの実施形態では、コントローラ５９０は、変位センサに接続され、少なくとも垂直処理間隙の偏差を決定するように構成される。コントローラ５９０は、支持面２３１の共平面性を決定し、機械的較正のためのシミング値を提供するようにさらに構成される。コントローラ５９０は、基板と、シャワーヘッド、リフトピン作動面との間の処理間隙、上面の平坦性、ヒータスタンドオフ２３４の振れ、ヒータスタンドオフ２３４の真空によるたわみ、及びシャワーヘッドに対するヒータの平行度の１つ又は複数を測定するようにさらに構成される。

【0086】

［００９９］本開示の１つ又は複数の実施形態による、真空下で処理チャンバ１００を較正する方法が説明される。本方法は、内部領域１０９内に配置された１つ又は複数の支持面２３１の頂面をチャンバ蓋３００と位置合わせして、処理間隙を確立することであって、１つ又は複数の支持面２３１は、チャンバ床１０６の開口部１２０及びチャンバ床１０６の底面１１８に取り付けられた支持板３２０の開口部を通って延びる支柱１９０に接続される、処理間隙を確立することと、内部領域１０９内に真空環境を生成し、処理間隙を維持しながら、チャンバ床１０６を内部領域１０９に向かって偏向させることとを含む。処理間隙は１ｍｍと２ｍｍとの間である。

【0087】

［００１００］図１、図２、図３Ａ及び図３Ｂを再度参照すると、本開示の１つ又は複数の実施形態は、処理チャンバ１００を対象とする。処理チャンバは、内部領域１０９内の低圧雰囲気環境条件によるチャンバ床１０６のたわみの影響を軽減するための支持板３２０を備える。支柱１９０は、チャンバ床１０６及び支持板３２０を通って延在し、一方、ベローズアセンブリ３４０は、内部領域１０９内の真空又は低圧雰囲気環境条件から内部領域１０９の外側の雰囲気環境を分離する。

【0088】

［００１０１］この細書全体での「一実施形態」、「特定の実施形態」、「１つ又は複数の実施形態」又は「実施形態」への言及は、実施形態に関連して説明された特定の特徴、構造、材料、又は特性が、本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、この明細書全体の様々な場所での「１つ又は複数の実施形態において」、「特定の実施形態において」、「一実施形態において」または「実施形態において」などの句の出現は、必ずしも本開示の同じ実施形態を指すとは限らない。さらに、特定の特徴、構造、材料、又は特性は、１つ又は複数の実施形態において任意の適切な方法で組み合わせることができる。

【0089】

［００１０２］本明細書の開示は、特定の実施形態を参照して説明されてきたが、当業者は、記載された実施形態が本開示の原理及び適用の単なる例示であることを理解するであろう。本開示の趣旨及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に様々な変更並びに変形を加えることができることは、当業者には明らかであろう。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲及びそれらの等価物の範囲内にある変更並びに変形を含むことができる。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】