特許 7553812 亀裂検出装置及び方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-10

(45)【発行日】2024-09-19

(54)【発明の名称】亀裂検出装置及び方法

(51)【国際特許分類】

   G01B 11/22 20060101AFI20240911BHJP

   G01N 21/956 20060101ALI20240911BHJP

   H01L 21/301 20060101ALI20240911BHJP

【ＦＩ】

G01B11/22 Z

G01N21/956 A

H01L21/78 B

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2021013536

(22)【出願日】2021-01-29

(65)【公開番号】P2022117055

(43)【公開日】2022-08-10

【審査請求日】2023-11-30

(73)【特許権者】

【識別番号】000151494

【氏名又は名称】株式会社東京精密

(74)【代理人】

【識別番号】100140992

【弁理士】

【氏名又は名称】松浦 憲政

(74)【代理人】

【識別番号】100170069

【弁理士】

【氏名又は名称】大原 一樹

(74)【代理人】

【識別番号】100128635

【弁理士】

【氏名又は名称】松村 潔

(74)【代理人】

【識別番号】100083116

【弁理士】

【氏名又は名称】松浦 憲三

(72)【発明者】

【氏名】永井 龍太郎

【審査官】山▲崎▼ 和子

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１７－１３３９９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭５８－０７０５４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－１０５２０３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｂ １１／００－１１／３０

Ｇ０１Ｎ ２１／８４－２１／９５８

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

被加工物の内部に亀裂を形成する前に、対物レンズの主光軸から偏心した検出光により前記被加工物を上面側から偏射照明して、前記被加工物の下面からの反射光を検出し、前記反射光の事前測定値を取得する事前測定手段と、
前記被加工物の内部に亀裂を形成した後に、前記主光軸から偏心した検出光により前記被加工物を上面側から偏射照明して、前記被加工物の下面からの反射光を検出し、前記反射光の本測定値を取得する本測定手段と、
前記事前測定値を用いて前記本測定値を補正し、前記被加工物の内部に形成された亀裂の亀裂深さを検出する亀裂検出手段と、
を備える亀裂検出装置。

【請求項2】

前記亀裂検出手段は、前記事前測定値をＶ_０、本測定値をＶ、ｋを正の係数、Ｍ＝Ｖ／Ｖ_０としたときに、補正後の測定値Ｉを下記の式により算出する、請求項１記載の亀裂検出装置。

【数1】

【請求項3】

被加工物の内部に亀裂を形成する前に、対物レンズの主光軸から偏心した検出光により被加工物を上面側から偏射照明して、前記被加工物の下面からの反射光を検出し、前記反射光の事前測定値を取得する事前測定工程と、
前記被加工物の内部に亀裂を形成した後に、前記主光軸から偏心した検出光により前記被加工物を上面側から偏射照明して、前記被加工物の下面からの反射光を検出し、前記反射光の本測定値を取得する本測定工程と、
前記事前測定値を用いて前記本測定値を補正し、前記被加工物の内部に形成された亀裂の亀裂深さを検出する亀裂検出工程と、
を備える亀裂検出方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は亀裂検出装置及び方法に係り、被加工物の内部に形成された亀裂の亀裂深さを非破壊で検出する亀裂検出装置及び方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体ウェーハ等の被加工物の内部に集光点を合わせてレーザ光を分割予定ラインに沿って照射し、分割予定ラインに沿って被加工物内部に切断の起点となるレーザ加工領域を形成するレーザ加工装置（レーザダイシング装置ともいう。）が知られている。レーザ加工領域が形成された被加工物は、その後、エキスパンド又はブレーキングといった割断プロセスによって分割予定ラインで割断されて個々のチップに分断される（例えば、特許文献１参照）。

【0003】

ところで、レーザ加工装置により被加工物にレーザ加工領域を形成すると、レーザ加工領域から被加工物の厚さ方向に亀裂（クラック）が伸展する。被加工物の内部に形成された亀裂は、被加工物を分断する際の起点となるため、その亀裂の伸展度合いが被加工物の分断後のチップの品質に影響を与える。

【0004】

このため、レーザ加工装置によりレーザ加工領域を形成した後、割断プロセスの前において、被加工物の内部に形成された亀裂の亀裂深さを検出することにより、割断プロセスにおけるチップへの分断の良否を予測することが可能となる。

【0005】

特許文献１には、被加工物に対して検出光を偏射照明して、被加工物からの反射光を受光することにより、被加工物の内部に形成された亀裂の深さを検出する亀裂検出装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開２０１７－１３３９９７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

特許文献１に記載の亀裂検出装置は、被加工物に検出光を照射して、被加工物の表面及び裏面で反射された反射光を検出するものである。より具体的には、特許文献１に記載の亀裂検出装置は、被加工物の裏面（上面）に検出光を照射して、被加工物の表面（下面）で反射された反射光が亀裂によって遮られて反射光の光量が低下することを利用して亀裂深さを検出する。

【0008】

ところで、被加工物の表面の性状によっては、亀裂検出のための検出光を照射して反射光を検出する際に反射率のむらが生じ得る。例えば、被加工物が半導体ウェーハの場合、半導体ウェーハの表面にはデバイスが形成されているため、半導体ウェーハの表面のデバイスのパターンの影響により反射率のむらが生じる。また、半導体ウェーハ以外の被加工物の場合でも、被加工物の表面に形成された構造物等により反射率のむらが生じる。この場合、反射光の検出信号には、亀裂に関する情報（亀裂に起因する反射光の光量の変化に関する情報）だけでなく、被加工物の表面の性状に起因する反射率のむらに関する情報（反射率のむらに起因する反射光の光量の変化に関する情報）が含まれてしまう。

【0009】

上記のように、被加工物の裏面に検出光を照射して被加工物の内部に形成された亀裂の深さ位置を検出する場合、被加工物の表面の性状により生じる反射率のむらのために、亀裂の深さ位置の検出精度が低下するという問題がある。

【0010】

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、被加工物の表面の性状により生じる反射率のむらの影響を抑制して、被加工物の内部に形成された亀裂の位置を精度よく検出することが可能な亀裂検出装置及び方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0011】

上記課題を解決するために、本発明の第１の態様に係る亀裂検出装置は、主光軸に沿って検出光を出射する光源部と、主光軸と同軸のレンズ光軸を有し、光源部から出射した検出光を被加工物の上面側から入射させて被加工物の内部に集光させる対物レンズと、被加工物の内部に亀裂を形成する前に、主光軸から偏心した検出光により被加工物を偏射照明して、被加工物の下面からの反射光を検出し、反射光の事前測定値を取得する事前測定手段と、被加工物の内部に亀裂を形成した後に、主光軸から偏心した検出光により被加工物を偏射照明して、被加工物からの反射光を検出し、反射光の本測定値を取得する本測定手段と、事前測定値を用いて本測定値を補正し、被加工物の内部に形成された亀裂の亀裂深さを検出する亀裂検出手段とを備える。

【0012】

本発明の第２の態様に係る亀裂検出装置は、第１の態様において、亀裂検出手段は、事前測定値をＶ_０、本測定値をＶ、ｋを正の係数、Ｍ＝Ｖ／Ｖ_０としたときに、補正後の測定値Ｉを下記の式により算出する。

【数1】

【0013】

本発明の第３の態様に係る亀裂検出方法は、被加工物の内部に亀裂を形成する前に、対物レンズの主光軸から偏心した検出光により被加工物を上面側から偏射照明して、被加工物の下面からの反射光を検出し、反射光の事前測定値を取得する事前測定工程と、被加工物の内部に亀裂を形成した後に、主光軸から偏心した検出光により被加工物を偏射照明して、被加工物からの反射光を検出し、反射光の本測定値を取得する本測定工程と、事前測定値を用いて本測定値を補正し、被加工物の内部に形成された亀裂の亀裂深さを検出する亀裂検出工程とを備える。

【発明の効果】

【0014】

本発明によれば、被加工物の内部に形成された亀裂の深さを精度よく検出することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】図１は、本発明の一実施形態に係る亀裂検出装置を示すブロック図である。

【図2】図２は、被加工物に対して検出光の偏射照明が行われたときの様子を示した説明図である。

【図3】図３は、被加工物に対して検出光の偏射照明が行われたときの様子を示した説明図である。

【図4】図４は、被加工物に対して検出光の偏射照明が行われたときの様子を示した説明図である。

【図5】図５は、光検出器に受光される反射光の様子を示した図である（図２に対応）。

【図6】図６は、光検出器に受光される反射光の様子を示した図である（図３に対応）。

【図7】図７は、光検出器に受光される反射光の様子を示した図である（図４に対応）。

【図8】図８は、被加工物からの反射光が対物レンズ瞳に到達する経路を説明するための図である。

【図9】図９は、ウェーハの内部における検出光及び反射光の光路を模式的に示す図である。

【図10】図１０は、本測定データ及び補正後データに基づく亀裂検出結果を比較して示す表である。

【図11】図１１は、本実施形態に係る亀裂検出装置の測定値補正演算機能を示すブロック図である。

【図12】図１２は、本発明の一実施形態に係る亀裂検出方法を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、添付図面に従って本発明に係る亀裂検出装置及び方法の実施の形態について説明する。

【0017】

［亀裂検出装置］
図１は、本発明の一実施形態に係る亀裂検出装置を示すブロック図である。

【0018】

亀裂検出装置１０は、被加工物であるウェーハＷの内部にレーザ加工領域を形成するレーザ加工装置（不図示）と組み合わせて使用される装置であり、例えば、レーザ加工装置の加工ヘッドと一体的に移動可能に設けられる。以下の説明では、亀裂検出装置１０に係る構成要素について説明し、レーザ加工装置の構成については説明を省略する。

【0019】

本実施形態に係る亀裂検出装置１０は、シリコンウェーハ等のウェーハＷに対して検出光Ｌ１を照射し、ウェーハＷからの反射光Ｌ２を検出することで、ウェーハＷの内部に形成された亀裂Ｋの亀裂深さを検出する。なお、以下の説明では、ウェーハＷが載置されるステージ５１０をＸＹ平面と平行な平面とし、Ｚ方向をウェーハＷの厚さ方向とする３次元直交座標系を用いる。

【0020】

図１に示すように、本実施形態に係る亀裂検出装置１０は、光源部１００、照明光学系２００、界面検出用光学系３００、亀裂検出用光学系４００、制御部５００、集光点位置移動機構５０２、対物レンズ５０４、操作部５０６及び表示部５０８を含んでいる。

【0021】

光源部１００は、検出光Ｌ１を出射する。検出光Ｌ１は、ウェーハＷの界面位置の検出、及びウェーハＷの内部に形成された亀裂Ｋの検出に用いられる。ここで、ウェーハＷがシリコンウェーハの場合、検出光Ｌ１としては、ウェーハＷに対して透過性を有する光、例えば、波長１，０００ｎｍ以上の赤外光を用いる。

【0022】

光源部１００は、光源１０２Ａ、１０２Ｂ及び１０２Ｃ並びにハーフミラー１０４を含んでいる。光源１０２Ａ、１０２Ｂ及び１０２Ｃ並びにハーフミラー１０４は、対物レンズ５０４のレンズ光軸と同軸の主光軸ＡＸに沿って配置されている。

【0023】

光源１０２Ａ、１０２Ｂ及び１０２Ｃは、主光軸ＡＸに沿って検出光Ｌ１を出射する。光源１０２Ａ、１０２Ｂ及び１０２Ｃとしては、例えば、レーザ光源（赤外線レーザ光源、レーザーダイオード）、又はＬＥＤ（Light Emitting Diode）光源を用いることができる。

【0024】

光源１０２Ａは、対物レンズ５０４の対物レンズ瞳５０４ａの略全面を照明することが可能なレーザ開口を有している。光源１０２Ａは、後述の界面検出に用いられる。

【0025】

光源１０２Ｂ及び１０２Ｃは、対物レンズ５０４の対物レンズ瞳５０４ａのうち、主光軸ＡＸ（レンズ光軸）から偏心した一部のみを照明することが可能なレーザ開口をそれぞれ有している。光源１０２Ｂ及び１０２Ｃは、後述の亀裂検出に用いられる。

【0026】

なお、本実施形態では、界面検出用の開口（光源１０２Ａ）と亀裂検出用の開口（光源１０２Ｂ及び１０２Ｃ）を別々に設けたが、本発明はこれに限定されない。例えば、１つの開口を兼用して、遮光手段を用いて界面検出用の開口と亀裂検出用の開口とを切り替えてもよい。

【0027】

ハーフミラー１０４は、界面検出用の光源１０２Ａから出射される検出光Ｌ１を反射し、亀裂検出用の光源１０２Ｂ及び１０２Ｃから出射される検出光Ｌ１を透過させる。以下、図示は省略するが、光源１０２Ａ、１０２Ｂ及び１０２Ｃから出射される検出光Ｌ１をそれぞれＬ１（Ａ）、Ｌ１（Ｂ）及びＬ１（Ｃ）とする。

【0028】

なお、本実施形態では、ハーフミラー１０４に代えて、全反射ミラー又はダイクロイックミラーを用いることも可能である。この場合、界面検出時に光路上のハーフミラー１０４の位置にミラーを挿入し、亀裂検出時に光路からミラーを退避させればよい。

【0029】

光源１０２Ａ、１０２Ｂ及び１０２Ｃは、それぞれ制御部５００と接続されており、制御部５００により光源１０２Ａ、１０２Ｂ及び１０２Ｃの出射制御が行われる。

【0030】

制御部５００は、例えば、パーソナルコンピュータ又はワークステーションにより実現される。制御部５００は、亀裂検出装置１０の各部の動作を制御するＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、制御プログラムを格納するストレージデバイス（図１１の符号５１２。例えば、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）又はＳＳＤ（Solid State Drive）等）及びＣＰＵの作業領域として使用可能なＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）を含んでいる。制御部５００は、操作部５０６を介して操作者による操作入力を受け付け、操作入力に応じた制御信号を亀裂検出装置１０の各部に送信して各部の動作を制御する。

【0031】

操作部５０６は、操作者による操作入力を受け付ける手段であり、例えば、キーボード、マウス又はタッチパネル等を含んでいる。

【0032】

表示部５０８は、亀裂検出装置１０の操作のための操作ＧＵＩ（Graphical User Interface）及び画像（例えば、亀裂の検出結果等）を表示する装置である。表示部５０８としては、例えば、液晶ディスプレイを用いることができる。

【0033】

照明光学系２００は、光源部１００から出射された検出光Ｌ１を対物レンズ５０４に導光する。照明光学系２００は、リレーレンズ２０２及び２０６と、ミラー２０４（例えば、全反射ミラー）とを含んでいる。

【0034】

光源部１００から出射された検出光Ｌ１は、リレーレンズ２０２を透過して、ミラー２０４により反射されて光路が折り曲げられる。ミラー２０４によって反射された検出光Ｌ１は、リレーレンズ２０６を透過した後、ハーフミラー３０４及びハーフミラー３０２によって順次反射されて対物レンズ５０４に向けて出射される。

【0035】

ウェーハＷによって反射されてハーフミラー３０２を透過して戻ってきた戻り光（観察光）は、観察光学系６００（例えば、フォトディテクタ等）を用いて観察可能となっている。なお、観察光学系６００を用いない場合には、ハーフミラー３０２に代えてダイクロイックミラー又は全反射ミラーを用いることができる。

【0036】

対物レンズ５０４は、照明光学系２００から出射された検出光Ｌ１をウェーハＷに集光（合焦）させる。対物レンズ５０４は、ウェーハＷに対向する位置に配置され、主光軸ＡＸと同軸に配置される。

【0037】

集光点位置移動機構５０２は、検出光Ｌ１の集光点の位置をＺ方向（対物レンズ５０４の光軸方向）に変化させる。集光点位置移動機構５０２は、対物レンズ５０４をＺ方向に移動させるアクチュエータ（例えば、ピエゾアクチュエータ。不図示）を含んでいる。集光点位置移動機構５０２は、制御部５００の制御に従ってピエゾアクチュエータを駆動することにより、対物レンズ５０４をＺ方向に移動させる。これにより、対物レンズ５０４とウェーハＷとのＺ方向の相対距離を変化させて、検出光Ｌ１の集光点のＺ方向における位置を調整（微調整）することができる。

【0038】

また、集光点位置移動機構５０２は、ステージ５１０に対して亀裂検出装置１０をＺ方向に移動させるＺ駆動機構を含んでいてもよい。Ｚ駆動機構は、亀裂検出装置１０をＺ方向に移動させることにより、ピエゾアクチュエータよりも大きな調整幅で、対物レンズ５０４とウェーハＷとのＺ方向の位置合わせ（粗調整）を行う。

【0039】

上記のように、Ｚ駆動機構による集光点の位置調整（粗調整）と、ピエゾアクチュエータによる集光点の位置調整（微調整）とを組み合わせる場合、ピエゾアクチュエータのみの場合に比べて、検出光Ｌ１の集光点のＺ方向の位置の調整の自由度（調整幅）が広がる。これにより、様々な厚みのウェーハＷに対して亀裂検出等が可能となる。

【0040】

なお、Ｚ駆動機構は、ステージ５１０をＺ方向に駆動させる機構であってもよいし、亀裂検出装置１０とステージ５１０の両方をＺ方向に駆動させる機構であってもよい。また、Ｚ駆動機構は、レーザ加工装置の加工ヘッドを移動させる駆動機構を兼ねていてもよい。

【0041】

対物レンズ５０４によって集光され、ウェーハＷによって反射された反射光Ｌ２は、界面検出用光学系３００及び亀裂検出用光学系４００に導光され、それぞれ、ウェーハＷの界面検出及び亀裂の検出に用いられる。

【0042】

［亀裂検出の手順］
本実施形態では、ウェーハＷの表面Ｗａ（ステージ５１０に接する面であって、デバイスが形成された面）の界面の検出を行い、その後、ウェーハＷの表面Ｗａの界面位置を基準として亀裂深さを検出する例について説明する。

【0043】

なお、本実施形態では、ウェーハＷの表面Ｗａを基準として亀裂深さの検出を行うようにしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、ウェーハＷの裏面Ｗｂを基準として亀裂深さの検出を行ってもよいし、ウェーハＷの表面Ｗａ及び裏面Ｗｂの双方の界面位置をそれぞれ基準として検出した亀裂深さの平均値をとるようにすることも可能である。

【0044】

［界面検出用光学系］
まず、ウェーハＷの界面検出について説明する。

【0045】

界面検出用光学系３００は、ウェーハＷの界面（表面Ｗａ又は裏面Ｗｂ）の検出を行うための光学系であり、ハーフミラー３０２、ハーフミラー３０４、リレーレンズ３０６、ハーフミラー３０８及び光検出器３１０を含んでいる。

【0046】

ウェーハＷの界面として、ウェーハＷの表面Ｗａを検出するときには、制御部５００は、光源１０２Ａを発光させて、検出光Ｌ１（Ａ）をウェーハＷの裏面（上面）Ｗｂ側に照射する。

【0047】

光源１０２Ａからの検出光Ｌ１（Ａ）は、対物レンズ５０４の対物レンズ瞳５０４ａと略同じ大きさの開口を有するレーザ光であり、ハーフミラー３０４及びハーフミラー３０２によって順次反射されて対物レンズ５０４に導光される。検出光Ｌ１（Ａ）は、対物レンズ５０４の対物レンズ瞳５０４ａの略全面に照射される。

【0048】

ここで、検出光Ｌ１（Ａ）がウェーハＷにより反射された反射光をＬ２（Ａ）とする。反射光Ｌ２（Ａ）は、ハーフミラー３０２によって反射され、ハーフミラー３０４を透過した後リレーレンズ３０６に導光される。リレーレンズ３０６を透過した反射光Ｌ２（Ａ）は、ハーフミラー３０８によって反射されて光検出器３１０に導光される。

【0049】

光検出器３１０は、ウェーハＷからの反射光Ｌ２（Ａ）を受光して、ウェーハＷの界面の検出を行うための装置であり、検出器本体３１０Ａ及びピンホールパネル３１０Ｂを含んでいる。

【0050】

検出器本体３１０Ａとしては、受光した光を電気信号に変換して制御部５００に出力するフォトディテクタ（例えば、フォトダイオード）又は赤外線カメラ等を用いることができる。

【0051】

ピンホールパネル３１０Ｂには、入射光の一部を透過させるためのピンホールが形成されている。ピンホールパネル３１０Ｂは、検出器本体３１０Ａの受光面に対して上流側に配置されており、ピンホールパネル３１０Ｂのピンホールが反射光Ｌ２（Ａ）の光軸上に位置するように配置されている。ピンホールパネル３１０Ｂのピンホールの位置は、対物レンズ５０４の集光点（前側焦点位置）と光学的に共役関係にある（コンフォーカルピンホール）。また、ピンホールパネル３１０Ｂのピンホールの大きさは、対物レンズ５０４の回折限界程度に調整されている。

【0052】

ウェーハＷにより反射された反射光Ｌ２（Ａ）は、対物レンズ５０４の集光点と光学的に共役な位置にあるピンホールパネル３１０Ｂのピンホールの位置に集光する。そして、対物レンズ５０４の集光点が反射面となるウェーハＷの表面Ｗａと一致した場合、検出光Ｌ１（Ａ）の光束はウェーハＷの表面Ｗａで反射されて、平行光束となって対物レンズ５０４を透過して戻ってくる。したがって、検出器本体３１０Ａから出力される信号Ｄ（図１０参照）は、対物レンズ５０４の集光点が反射面となるウェーハＷの表面Ｗａの位置と一致したときに鋭いピークを有することになる。

【0053】

制御部５００は、光源１０２Ａからの検出光Ｌ１（Ａ）をウェーハＷに照射しながら、集光点位置移動機構５０２により対物レンズ５０４とウェーハＷとの間の相対距離を変化させて、検出光Ｌ１（Ａ）の集光点の位置（すなわち、対物レンズ５０４の前側焦点位置）をＺ方向に移動させる。これにより、検出光Ｌ１（Ａ）の集光点がＺ方向に走査される。制御部５００は、検出光Ｌ１（Ａ）の集光点がＺ方向に走査されたときのウェーハＷからの反射光Ｌ２（Ａ）を光検出器３１０により検出し、この光検出器３１０からの信号のピークを検出することにより、ウェーハＷの表面Ｗａの界面位置Ｚ（０）を検出する。

【0054】

なお、本実施形態では、コンフォーカル法を用いてウェーハＷの界面検出を行うようにしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、非点収差法、白色干渉法等のその他の焦点検出方法を用いてもよい。

【0055】

［亀裂検出用光学系］
次に、ウェーハＷの内部に形成された亀裂Ｋの検出について説明する。

【0056】

亀裂検出用光学系４００は、リレーレンズ４０２、光検出器４０４及び４０６を含んでいる。

【0057】

ウェーハＷの内部に形成された亀裂Ｋを検出するときには、制御部５００は、光源１０２Ｂ及び１０２Ｃを発光させて、検出光（プローブ光）Ｌ１（Ｂ）及びＬ１（Ｃ）をウェーハＷに照射する。ここで、制御部５００、亀裂検出用光学系４００は、それぞれ事前測定手段、本測定手段及び亀裂検出手段の一部として機能する。光源１０２Ｂ及び１０２Ｃは、それぞれ主光軸ＡＸからずれた位置にレーザ開口を有している。これにより、主光軸ＡＸに対して偏心した検出光Ｌ１（Ｂ）及びＬ１（Ｃ）がウェーハＷに照射される。

【0058】

検出光Ｌ１（Ｂ）及びＬ１（Ｃ）がウェーハＷによりそれぞれ反射された反射光Ｌ２（Ｂ）及びＬ２（Ｃ）は、ハーフミラー３０２によって反射された後、ハーフミラー３０４、リレーレンズ３０６及びハーフミラー３０８を順次透過してリレーレンズ４０２に入射する。リレーレンズ４０２を透過した反射光Ｌ２（Ｂ）及びＬ２（Ｃ）は、光検出器４０４及び４０６により受光される。

【0059】

なお、界面検出用光学系３００では、ハーフミラー３０８に代えて全反射ミラー又はダイクロイックミラー等を用いることも可能である。この場合、界面検出時に光路上のハーフミラー３０８の位置にミラーを挿入し、亀裂検出時に光路上からミラーを退避させればよい。

【0060】

光検出器４０４及び４０６は、ウェーハＷからの反射光Ｌ２（Ｂ）及びＬ２（Ｃ）を受光して、ウェーハＷの内部の亀裂Ｋの検出を行うための装置である。光検出器４０４及び４０６としては、受光した光を電気信号に変換して制御部５００に出力するフォトディテクタ（例えば、フォトダイオード）又は赤外線カメラ等を用いることができる。

【0061】

光検出器４０４及び４０６は対物レンズ瞳５０４ａと共役位置に配置され、さらに、検出光Ｌ１（Ｂ）及びＬ１（Ｃ）を受光するよう対物レンズ５０４の光軸からずれた位置に配置されている。

【0062】

図２から図４は、ウェーハＷに対して検出光Ｌ１の偏射照明が行われたときの様子を示した説明図である。図２は対物レンズ５０４の集光点に亀裂Ｋが存在する場合、図３は対物レンズ５０４の集光点に亀裂Ｋが存在しない場合、図４は対物レンズ５０４の集光点と亀裂Ｋの亀裂深さ（亀裂下端位置）とが一致する場合をそれぞれ示している。

【0063】

また、図５から図７は、光検出器４０４及び４０６に受光される反射光Ｌ２の様子を示した図であり、それぞれ図２から図４に示した場合に対応するものである。

【0064】

また、図８は、ウェーハＷからの反射光Ｌ２が対物レンズ瞳５０４ａに到達する経路を説明するための図である。なお、ここでは、検出光Ｌ１は、対物レンズ瞳５０４ａの一方側（図８の右側）の第１領域Ｇ１を通過して、ウェーハＷに対して偏射照明が行われる場合について説明する。

【0065】

図２に示すように、対物レンズ５０４の集光点に亀裂Ｋが存在する場合には、検出光Ｌ１は亀裂Ｋで全反射して、その反射光Ｌ２は主光軸ＡＸに対して検出光Ｌ１の光路と同じ側の経路をたどって、対物レンズ瞳５０４ａの検出光Ｌ１と同じ側の領域に到達する成分となる。すなわち、図８に示すように、光源部１００からの検出光Ｌ１が対物レンズ５０４を介してウェーハＷに照射されるときの検出光Ｌ１の経路をＲ１としたとき、ウェーハＷの内部の亀裂Ｋで全反射した反射光Ｌ２は、検出光Ｌ１の経路Ｒ１とは主光軸ＡＸに対して同じ側（図８の右側）の経路Ｒ２をたどって対物レンズ瞳５０４ａの第１領域Ｇ１を通過する。

【0066】

図３に示すように、対物レンズ５０４の集光点に亀裂Ｋが存在しない場合には、検出光Ｌ１はウェーハＷの表面Ｗａで反射し、その反射光Ｌ２は対物レンズ瞳５０４ａの検出光Ｌ１と反対側の領域に到達する成分となる。すなわち、図８に示すように、ウェーハＷの表面Ｗａで反射した反射光Ｌ２は、検出光Ｌ１の経路Ｒ１とは主光軸ＡＸに対して反対側（図８の左側）の経路Ｒ３をたどって対物レンズ瞳５０４ａの第２領域Ｇ２を通過する。

【0067】

図４に示すように、対物レンズ５０４の集光点と亀裂Ｋの下端位置とが一致する場合には、検出光Ｌ１は、反射光成分Ｌ２ａと非反射光成分Ｌ２ｂとに分割される。反射光成分Ｌ２ａは、亀裂Ｋで全反射した後、表面Ｗａで反射して、対物レンズ瞳５０４ａの検出光Ｌ１と同じ側の領域に到達し、非反射光成分Ｌ２ｂは、亀裂Ｋで全反射されずにウェーハＷの表面Ｗａで反射して対物レンズ瞳５０４ａの検出光Ｌ１と反対側の領域に到達する。すなわち、図８に示すように、反射光Ｌ２のうち、ウェーハＷの内部の亀裂Ｋで全反射した反射光成分Ｌ２ａは、検出光Ｌ１の経路Ｒ１とは主光軸ＡＸに対して同じ側（図８の右側）の経路Ｒ２をたどって対物レンズ瞳５０４ａの第１領域Ｇ１を通過するとともに、亀裂Ｋで全反射されずにウェーハＷの表面Ｗａで反射した非反射光成分Ｌ２ｂは、検出光Ｌ１の経路Ｒ１とは主光軸ＡＸに対して反対側（図８の左側）の経路Ｒ３をたどって対物レンズ瞳５０４ａの第２領域Ｇ２を通過する。

【0068】

光検出器４０４及び４０６は、それぞれが対物レンズ瞳５０４ａの第１領域Ｇ１及び第２領域Ｇ２と光学的に共役な位置となるように配置されている。これにより、光検出器４０４及び４０６は、それぞれ対物レンズ瞳５０４ａの第１領域Ｇ１及び第２領域Ｇ２を通過した光を選択的に受光可能となっている。

【0069】

ここで、図２に示す例（対物レンズ５０４の集光点に亀裂Ｋが存在する場合）では、光検出器４０４及び４０６のうち、光検出器４０４の受光面４０４Ｃに反射光Ｌ２が入射する。このため、図５に示すように、光検出器４０４の受光面４０４Ｃから出力される検出信号のレベルが光検出器４０６の受光面４０６Ｃから出力される検出信号のレベルよりも高くなる。

【0070】

一方、図３に示す例（対物レンズ５０４の集光点に亀裂Ｋが存在しない場合）では、光検出器４０４及び４０６のうち、光検出器４０６の受光面４０６Ｃに反射光が入射する。このため、図６に示すように、光検出器４０６の受光面４０６Ｃから出力される検出信号のレベルが光検出器４０４の受光面４０４Ｃから出力される検出信号のレベルよりも高くなる。

【0071】

また、図４に示す例（対物レンズ５０４の集光点と亀裂Ｋの下端位置とが一致する場合）では、光検出器４０４及び４０６の受光面４０４Ｃ及び４０６Ｃに反射光Ｌ２の各成分Ｌ２ａ、Ｌ２ｂがそれぞれ入射する。このため、図７に示すように、光検出器４０４及び４０６の受光面４０４Ｃ及び４０６Ｃから出力される検出信号のレベルが略等しくなる。

【0072】

このように、光検出器４０４及び４０６の受光面４０４Ｃ及び４０６Ｃで受光される光量は、対物レンズ５０４の集光点に亀裂Ｋが存在するか否かによって変化する。本実施形態では、このような性質を利用して、ウェーハＷの内部に形成された亀裂Ｋの亀裂深さ（亀裂下端位置又は亀裂上端位置を示す亀裂端位置）を検出することができる。

【0073】

具体的には、光検出器４０４及び４０６の受光面４０４Ｃ及び４０６Ｃから出力される検出信号の出力をそれぞれＤ１及びＤ２としたとき、対物レンズ５０４の集光点における亀裂Ｋの存在を判断するための評価値Ｓは、次式で表すことができる。

【0074】

Ｓ＝（Ｄ１－Ｄ２）／（Ｄ１＋Ｄ２）
上記の式において、Ｓ＝０の条件を満たすとき、すなわち、光検出器４０４及び４０６の受光面４０４Ｃ及び４０６Ｃによって受光される光量が一致するとき、対物レンズ５０４の集光点と亀裂下端位置（又は亀裂上端位置）とが一致した状態を示す。

【0075】

制御部５００（図１参照）は、集光点位置移動機構５０２を制御して検出光Ｌ１の集光点をＺ方向に移動させ、ウェーハＷの表面Ｗａの界面位置からウェーハＷの厚さ方向（Ｚ方向）に順次変化させながら、光検出器４０４及び４０６の受光面４０４Ｃ及び４０６Ｃから出力される検出信号を順次取得し、この検出信号に基づいて上記の式で示される評価値Ｓを算出し、この評価値Ｓ及び集光点位置情報を評価することによって亀裂Ｋの亀裂深さ（亀裂下端位置又は亀裂上端位置）を検出することができる。

【0076】

［ウェーハＷの表面の性状を考慮した亀裂検出］
次に、上記の亀裂検出装置１０において、ウェーハＷの表面の性状により生じる反射率のむらの影響を抑制する亀裂検出について説明する。

【0077】

本実施形態では、ウェーハＷの表面（下面）Ｗａの性状（デバイス面）に起因して生じる反射率のむらの影響を抑制するため、下記の手順により、亀裂Ｋの亀裂上端位置Ｋ_Ｔ及び亀裂下端位置Ｋ_Ｂを算出する。

【0078】

まず、ウェーハＷの内部に亀裂Ｋを形成する前（レーザ加工前）に、事前測定を実施して、ウェーハＷに照射する検出光Ｌ１ａ及びＬ１ｂの集光点位置をＺ方向に走査したときに得られる反射光Ｌ２ａ及びＬ２ｂの検出信号の変化を示す事前測定データを取得する（図９参照）。次に、ウェーハＷの内部に亀裂Ｋを形成した後（レーザ加工後）に、事前測定の場合と同様に、ウェーハＷからの反射光Ｌ２ａ及びＬ２ｂの測定を実施して、ウェーハＷに照射する検出光Ｌ１ａ及びＬ１ｂの集光点位置をＺ方向に走査したときに得られる反射光Ｌ２ａ及びＬ２ｂの検出信号の変化を示す本測定データを取得する。そして、事前測定データを反射率データと見立てて、本測定データを補正し、補正後の本測定データ（以下、補正後データという。）から亀裂Ｋの亀裂上端位置Ｋ_Ｔ及び亀裂下端位置Ｋ_Ｂを算出する。

【0079】

次に、本実施形態に係る亀裂検出の手順の概要について、図９を参照して説明する。図９は、ウェーハＷの内部における検出光Ｌ１ａ及びＬ１ｂ並びに反射光Ｌ２ａ及びＬ２ｂの光路を模式的に示す図である。なお、図９では、図面の簡略化のため、ウェーハＷの裏面Ｗｂ及びウェーハＷの断面のハッチングを省略している。また、対物レンズ５０４を簡略化して示している。

【0080】

また、図９に示す例では、図中右側（以下、ａ側という。）及び図中左側（以下、ｂ側という。）からそれぞれ入射する検出光をそれぞれＬ１ａ（第１の検出光）及びＬ１ｂ（第２の検出光）とし、検出光Ｌ１ａ及びＬ１ｂがウェーハＷの表面Ｗａで反射された反射光をそれぞれＬ２ａ（第１の反射光）及びＬ２ｂ（第２の反射光）とする。ここで、ａ側及びｂ側は、それぞれ図８の第１領域Ｇ１及び第２領域Ｇ２に対応している。

【0081】

図９のａ側（図８の第１領域Ｇ１側）からウェーハＷに入射する検出光Ｌ１ａは、ウェーハＷの表面Ｗａで反射された後、反射光Ｌ２ａとして図９のｂ側（図８の第２領域Ｇ２側）で対物レンズ５０４側に戻って光検出器４０６によって検出される。一方、図９のｂ側からウェーハＷに入射する検出光Ｌ１ｂは、ウェーハＷの表面Ｗａで反射された後、反射光Ｌ２ｂとして図９のａ側に戻って光検出器４０４によって検出される。

【0082】

事前測定では、ウェーハＷの内部に亀裂Ｋが未形成の状態であるため、亀裂Ｋによって検出光Ｌ１ａ及びＬ１ｂ並びに反射光Ｌ２ａ及びＬ２ｂが遮られることはない。検出光Ｌ１ａ及びＬ１ｂの集光点をＺ方向に走査すると、検出光Ｌ１ａ及びＬ１ｂがウェーハＷの表面Ｗａで反射される反射点の位置がそれぞれＹ方向に沿う矢印Ａａ及びＡｂに沿って移動する。事前測定データは、検出光Ｌ１ａ及びＬ１ｂの集光点をＺ方向に走査したときの反射光Ｌ２ａ及びＬ２ｂの検出信号の変化に示すデータであるから、ウェーハＷの表面Ｗａの性状（デバイス面）に起因して生じるＹ方向の反射率のむらに関する情報を含んでいる。

【0083】

本実施形態では、この事前測定データを用いて本測定データを補正し、補正後データを用いて亀裂の深さ位置を検出することにより、ウェーハＷの表面Ｗａの性状の亀裂検出結果に対する影響を抑制する。すなわち、事前測定データにおいて、反射率のむらにより反射光Ｌ２ａ及びＬ２ｂの光量が減少している場合に、反射光Ｌ２ａ及びＬ２ｂ光量の減少分を補う補正を行う。

【0084】

より具体的には、事前測定データにおけるセンサ値（事前測定値）をＶ_０、本測定データにおけるセンサ値（本測定値）をＶとしたとき、補正後データにおけるセンサ値Ｉは次の式（１）により求められる。

【0085】

【数2】

但し、Ｍは、事前測定値Ｖ_０と本測定値Ｖとの比（Ｖ／Ｖ_０）を示す。

【0086】

ここで、ｋは任意係数（正の係数）である。これは、事前測定データと本測定データでウェーハＷの表面のＷａの反射率が等しい（センサ値が等しくなる）場合、（Ｖ／Ｖ_０）が１になるため、表示するグラフのレンジによっては、補正後データと本測定データの違いが見えづらくなる。いわば、係数ｋは、補正後データのグラフを見やすくするための係数である。例えば、グラフのレンジとして１０－０Ｖレンジを採用する場合、一例でｋ＝８にして補正演算を行う。

【0087】

式（１）によれば、本測定データにおけるセンサ値Ｖに、本測定データにおけるセンサ値Ｖと、事前測定データにおけるセンサ値Ｖ_０との比をかけることにより、事前測定データにおいてセンサ値Ｖ_０が減少している部分について反射光Ｌ２ａ及びＬ２ｂ光量の減少分を補う補正を行うことができる。

【0088】

図１０は、本測定データ及び補正後データに基づく亀裂検出結果を比較して示す表である。図１０には、上段から順に、事前測定データ、本測定データ及び補正後データのグラフを示しており、各データのグラフＤａ及びＤｂは、それぞれ反射光Ｌ２ａ及びＬ２ｂの検出信号を示している。各グラフの横軸は、検出光Ｌ１ａ及びＬ１ｂの集光点の位置を示す集光点位置移動機構５０２のピエゾ移動量であり、縦軸は検出信号のセンサ値である。

【0089】

図１０の事前測定データのグラフに破線で示すラインＤ_Ｒｅｆは、検出光Ｌ１ａ及びＬ１ｂがウェーハＷの表面Ｗａで全反射されたと仮定した場合（すなわち、表面Ｗａが全反射面のミラーウェーハの場合）の出力値を示している。なお、検出光Ｌ１ａ及びＬ１ｂの光量が等しい場合には、各反射光Ｌ２ａ及びＬ２ｂのＤ_Ｒｅｆは一致するが、図示の便宜上、縦軸方向にずらして示している。

【0090】

事前測定データのグラフＤａ及びＤｂにおいてラインＤ_Ｒｅｆより下回っている（反射率が低い）箇所は、ウェーハＷの表面の性状（デバイス面）の影響を受けている箇所と考えられる。

【0091】

この事前測定データを用いて本測定データを、式（１）を用いて補正することにより、補正後データが得られる。なお、補正後データでは、補正に用いる係数ｋが異なるので、グラフＤａ及びＤｂにおけるセンサ値の最大値が互いに異なっている。

【0092】

図１０のグラフには、本測定データ及び補正後データを用いてそれぞれ求めた亀裂上端位置Ｋ_Ｔ及び亀裂下端位置Ｋ_Ｂの位置（検出値）を図示している。図１０の表の右端欄の数値は、ウェーハＷを割断して亀裂Ｋの顕微鏡で目視したときの亀裂上端位置Ｋ_Ｔ及び亀裂下端位置Ｋ_Ｂの目視の測定値（以下、目視値という。）と、各検出値との比較結果を示している。

【0093】

図１０に示すように、本測定データ（補正なし）を用いて求めた亀裂上端位置Ｋ_Ｔ及び亀裂下端位置Ｋ_Ｂの検出値と目視値との差は、それぞれ１０μｍ及び８．４μｍである。これに対して、補正後データを用いて求めた亀裂上端位置Ｋ_Ｔ及び亀裂下端位置Ｋ_Ｂの検出値と目視値との差は、それぞれ５．３μｍ及び６．３μｍである。上記の結果から、補正後データを用いて求めた検出値の方が、本測定データ（補正なし）を用いて求めた検出値と比較して、上端及び下端のいずれの場合も目視値との差が小さくなっていることが分かる。つまり、上記の結果から、事前測定データを用いてウェーハＷの表面Ｗａの影響を除去することにより、亀裂検出の精度を向上させることができる。

【0094】

図１１は、本実施形態に係る亀裂検出装置の測定値補正演算機能を示すブロック図である。

【0095】

図１１に示すように、亀裂検出装置１０の制御部５００は、亀裂Ｋの亀裂上端位置Ｋ_Ｔ及び亀裂下端位置Ｋ_Ｂの測定値を補正するための測定値補正演算機能７００を備えている。

【0096】

制御部５００は、レーザ加工前に事前測定を行った後に事前測定データＤａｔａ１を取得し、ストレージデバイス５１２に保存する。図１１に示すように、事前測定データＤａｔａ１は、ａ側から入射する検出光Ｌ１ａから得られる検出信号（ａ側事前測定値。グラフＤａに対応。）と、ｂ側から入射する検出光Ｌ１ｂから得られる検出信号（ｂ側事前測定値。グラフＤｂに対応。）とを含んでいる。

【0097】

次に、制御部５００は、レーザ加工後に本測定を行い、本測定データＤａｔａ２を取得する。本測定データＤａｔａ２は、事前測定データＤａｔａ１と同様、ａ側から入射する検出光Ｌ１ａから得られる検出信号（ａ側測定値（本測定値）。グラフＤａに対応。）と、ｂ側から入射する検出光Ｌ１ｂから得られる検出信号（ｂ側測定値（本測定値）。グラフＤｂに対応。）とを含んでいる。制御部５００は、本測定が終了すると、本測定データＤａｔａ２を測定値補正演算機能７００に入力する。

【0098】

測定値補正演算機能７００は、ストレージデバイス５１２から事前測定データＤａｔａ１を読み出して、本測定データＤａｔａ２を補正する。すなわち、式（１）により、ａ側事前測定値を用いてａ側測定値を補正し、ｂ側事前測定値を用いてｂ側測定値を補正して、補正後データＤａｔａ３を生成する。制御部５００は、補正後データＤａｔａ３を用いて亀裂検出を行う。上記のように、事前測定データＤａｔａ１を用いて、ウェーハＷの表面Ｗａの性状の影響を抑制することにより、亀裂深さの検出精度の向上を実現することができる。

【0099】

なお、事前測定は、被加工物であるウェーハＷごとに実施してもよいし、一部のウェーハＷについてのみ実施してもよい。例えば、複数枚の同種のウェーハＷのレーザ加工を行う場合等には、そのうちの１枚又は一部のウェーハＷをサンプルとして抽出し、サンプルのウェーハＷについてのみ実施する。そして、サンプルのウェーハＷから得られた事前測定データＤａｔａ１又はその平均値のデータを用いて、サンプル以外のウェーハＷから得られた本測定データＤａｔａ２を補正するようにしてもよい。また、ウェーハＷの種類（例えば、ウェーハＷの大きさ、厚み、材質、ウェーハＷの表面Ｗａに形成されるデバイスの種類等）ごとに、事前測定データＤａｔａ１をあらかじめ用意しておき、操作部５０６を用いてウェーハＷの種類を指定することにより、事前測定データＤａｔａ１をストレージデバイス５１２から呼び出せるようにしてもよい。

【0100】

また、本実施形態では、ａ側の検出光Ｌ１ａとｂ側の検出光Ｌ１ｂの２つの検出光を用いて亀裂検出を行ったが、いずれか一方の検出光のみを用いて亀裂検出を行うことも可能である。

【0101】

［亀裂検出方法］
図１２は、本発明の一実施形態に係る亀裂検出方法を示すフローチャートである。

【0102】

まず、被加工物であるウェーハＷと対物レンズ５０４の相対位置を調整し（ステップＳ１０）、事前測定を行う（ステップＳ１２：事前測定工程）。事前測定工程では、ウェーハＷの内部に亀裂Ｋが未形成の状態で、検出光Ｌ１ａ及びＬ１ｂの集光点をＺ方向に走査することにより、検出光Ｌ１ａ及びＬ１ｂがウェーハＷの表面Ｗａで反射される反射点の位置をそれぞれＹ方向に沿う矢印Ａａ及びＡｂに沿って移動させる。これにより、ウェーハＷの表面Ｗａの性状（デバイス面）に起因して生じるＹ方向の反射率のむらに関する情報を含む事前測定データを取得することができる。ここで、事前測定を行う際には、ウェーハＷの表面（下面）Ｗａのピークと、裏面（上面）Ｗｂのピークが共に確認可能となるように、ウェーハＷと対物レンズ５０４の相対位置の調整を行う（ステップＳ１４）。

【0103】

次に、レーザ加工を行って、ウェーハＷの内部に亀裂Ｋを形成した後に（ステップＳ１６）、本測定を行う（ステップＳ１８：本測定工程）。本測定工程では、ウェーハＷの内部に亀裂Ｋを形成した状態で、事前測定工程と同様に、検出光Ｌ１ａ及びＬ１ｂの集光点をＺ方向に走査することにより、本測定データを取得する。

【0104】

次に、測定値補正演算機能７００により、測定値ステップＳ１２の事前測定データＤａｔａ１を用いて、ステップＳ１８の本測定データＤａｔａ２を補正し、補正後データＤａｔａ３を生成する。そして、補正後データＤａｔａ３を用いて亀裂Ｋの検出を行う（ステップＳ２０：亀裂検出工程）。

【0105】

［別の実施形態］
なお、上記の実施形態では、レーザ加工後の本測定データＤａｔａ２のセンサ値Ｖとレーザ加工前の事前測定データＤａｔａ１のセンサ値Ｖ_０の比を用いて補正後データＤａｔａ３を生成したが、本発明はこれに限定されない。例えば、レーザ加工後の本測定データＤａｔａ２からレーザ加工前の事前測定データＤａｔａ１を差し引いて、その差分（Ｉ＝Ｖ－Ｖ_０）を補正後データＤａｔａ３として亀裂Ｋを検出することも可能である。

【0106】

なお、事前測定データＤａｔａ１をあらかじめ用意しておく場合等には、事前測定と本測定とを別々に行うことになる。この場合、異なる時間に測定したデータ間では、データ取得時における光源部１００の光源強度の変動などの光量変動が生じ得る。

【0107】

したがって、別の実施形態のように、差分を用いて補正後データＤａｔａ３を生成する場合には、光源変動の影響を考慮する必要がある。例えば、本測定時における光源部１００の光量が事前測定時よりも低下していた場合、本測定時の反射光Ｌ２ａ及びＬ２ｂの光量が低下するため、本測定データＤａｔａ２のセンサ値を上げるか、又は事前測定データＤａｔａ１のセンサ値を下げるための関数を加えるか、又はそのような係数をかけることが考えられる。

【0108】

これに対して、上記の実施形態のように、レーザ加工後の本測定データＤａｔａ２のセンサ値Ｖとレーザ加工前の事前測定データＤａｔａ１のセンサ値Ｖ_０の比を用いて補正後データＤａｔａ３を生成する場合、各データの取得時における光源部１００の光量の変動を考慮する必要がない。したがって、上記の実施形態によれば、より簡単な演算で、亀裂深さの検出精度に対するウェーハＷの表面Ｗａの性状の影響を抑制することができる。

【符号の説明】

【0109】

１０…亀裂検出装置、１００…光源部、１０２Ａ、１０２Ｂ、１０２Ｃ…光源、１０４…ハーフミラー、２００…照明光学系、２０２…リレーレンズ、２０４…ミラー、２０６…リレーレンズ、３００…界面検出用光学系、３０２…ハーフミラー、３０４…ハーフミラー、３０６…リレーレンズ、３０８…ハーフミラー、３１０…光検出器、４００…亀裂検出用光学系、４０２…リレーレンズ、４０４、４０６…光検出器、５００…制御部、５０２…集光点位置移動機構、５０４…対物レンズ、５０６…操作部、５０８…表示部、５１０…ステージ、５１２…ストレージデバイス、７００…測定値補正演算機能

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】