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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-10
(45)【発行日】2024-09-19
(54)【発明の名称】非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材
(51)【国際特許分類】
C23C 14/34 20060101AFI20240911BHJP
H01F 10/30 20060101ALI20240911BHJP
G11B 5/738 20060101ALI20240911BHJP
G11B 5/84 20060101ALI20240911BHJP
【ＦＩ】
C23C14/34 A
H01F10/30
G11B5/738
G11B5/84 Z
【請求項の数】
13
(21)【出願番号】P 2021534574
(86)(22)【出願日】2020-05-29
(86)【国際出願番号】 JP2020021448
(87)【国際公開番号】W WO2021014760
(87)【国際公開日】2021-01-28
【審査請求日】2023-03-01
(31)【優先権主張番号】P 2019135709
(32)【優先日】2019-07-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】502362758
【氏名又は名称】ＪＸ金属株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000523
【氏名又は名称】アクシス国際弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】岩淵 靖幸
(72)【発明者】
【氏名】下宿 彰
【審査官】山本 一郎
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１２－２０８９９５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－００３２６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１１／０７０８５０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開昭６３－０２０１５４（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１４／０４６０４０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１７／１４１５５７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１０－２２２６３９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２３Ｃ １４／３４
Ｈ０１Ｆ １０／３０
Ｇ１１Ｂ ５／７３８
Ｇ１１Ｂ ５／８４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
金属相及び酸化物相が相互に分散した組織を有する非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材であって、金属相は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、Ｃｏを２０～６０ｍｏｌ％、Ｐｔを５～３０ｍｏｌ％、Ｍｏを１～４０ｍｏｌ％含有すると共に、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＢを合計濃度で２５ｍｏｌ％以上含有し、
酸化物相の体積率が１０～４５％である、
非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
【請求項2】
金属相は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、Ｍｏを１５～４０ｍｏｌ％含有する請求項１に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
【請求項3】
金属相中におけるＣｒの濃度が、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、１０ｍｏｌ％以下である請求項１又は２に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
【請求項4】
金属相中におけるＲｕの濃度が、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、５ｍｏｌ％以下である請求項１～３の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
【請求項5】
金属相中におけるＢの濃度が、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、５ｍｏｌ％以下である請求項１～４の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
【請求項6】
酸化物相が、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｚｒ及びＮｂよりなる群から選択される一種又は二種以上の金属の酸化物を含有する請求項１～５の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
【請求項7】
相対密度が９０％以上である請求項１～６の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
【請求項8】
金属相は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、Ｐｔを１５～３０ｍｏｌ％含有する請求項１～７の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
【請求項9】
金属相は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、Ｍｏを２５～３０ｍｏｌ％含有する請求項１～８の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
【請求項10】
金属相中におけるＣｒの濃度が、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、５ｍｏｌ％以下である請求項１～９の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
【請求項11】
金属相中の、Ｃｒ、Ｒｕ及びＢの合計濃度が、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、１０ｍｏｌ％以下である請求項１～１０の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
【請求項12】
請求項１～１１の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材と、バッキングプレート又はバッキングチューブとが、ロウ材層を介して積層された構造を有するスパッタリングターゲット。
【請求項13】
請求項１～１１の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材を用いてスパッタリングする工程を含む成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は垂直磁気記録媒体を構成する非磁性層用の薄膜を形成するのに適したスパッタリングターゲット部材に関する。
【背景技術】
【0002】
ＨＤＤ(ハードディスクドライブ)等の磁気記録再生装置に用いられる磁気記録媒体においては、これまでの面内磁気記録方式に替わり、高記録密度化が可能な垂直磁気記録方式が脚光を浴びている。垂直磁気記録方式は、磁気記録層内の磁化容易軸が基板面に対して垂直に配向しており、面内磁気記録方式に比べて、熱揺らぎ現象を抑制することができるという利点がある。
【0003】
垂直磁気記録方式を採用する垂直磁気記録媒体は、磁気記録層と呼ばれる磁性を担う層と、磁気記録層の特性を改善するために用いられる非磁性層を有するのが一般的である。磁気記録層の微小磁石としては、ｈｃｐ－Ｃｏ合金が多用されている。磁気記録層がｈｃｐ（六方最密充填）構造である場合には磁化容易軸はＣ軸であり、Ｃ軸を基板の法線方向に配向させる必要がある。
【0004】
このＣ軸の配向性を向上させるためには、磁気記録層の下にｈｃｐ構造の非磁性層（「配向制御層」ともいう。）を設けることが有効である。非磁性層にはＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆなどが知られているが、特にＲｕ（ルテニウム）が磁気記録層の結晶配向を効果的に向上させ、保磁力Ｈｃを高めることができることが知られている（特開２０１２－２０８８９９２号公報、特開２００９－２４５４８４号公報、国際公開第２０１０／０３８４４８号、特開２００４－３１０９１０号公報）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２０１２－２０８９９２号公報
【文献】特開２００９－２４５４８４号公報
【文献】国際公開第２０１０／０３８４４８号
【文献】特開２００４－３１０９１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
近年、Ｒｕの市場価格は高騰しており、Ｒｕを使用すると生産コストが増大するという問題がある。このため、Ｒｕの使用量を削減しながら、ｈｃｐ構造の非磁性層を形成することができれば有利であろう。本発明はこのような事情に鑑みて創作されたものであり、一実施形態において、垂直磁気記録媒体を構成するｈｃｐ構造の非磁性層を形成するのに有利な、経済性に優れたスパッタリングターゲット部材を提供することを課題とする。別の一実施形態において、本発明はそのようなスパッタリングターゲット部材を用いた成膜方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明者は上記課題を解決すべく鋭意検討したところ、Ｃｏ、Ｐｔ及びＭｏを主成分とする金属相と、酸化物相とが相互に分散している組織を有するスパッタリングターゲット部材が非磁性層形成用に好適であることを見出した。本発明は以下に例示される。
【0008】
［１］
金属相及び酸化物相が相互に分散した組織を有する非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材であって、
金属相は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、Ｃｏを２０～６０ｍｏｌ％、Ｐｔを５～３０ｍｏｌ％、Ｍｏを１～４０ｍｏｌ％含有すると共に、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＢを合計濃度で２５ｍｏｌ％以上含有し、
酸化物相の体積率が１０～４５％である、
非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
［２］
金属相は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、Ｍｏを２５～３０ｍｏｌ％含有する［１］に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
［３］
金属相中におけるＣｒの濃度が、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、５ｍｏｌ％以下である［１］又は［２］に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
［４］
金属相中におけるＲｕの濃度が、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、５ｍｏｌ％以下である［１］～［３］の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
［５］
金属相中におけるＢの濃度が、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、５ｍｏｌ％以下である［１］～［４］の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
［６］
酸化物相が、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｚｒ及びＮｂよりなる群から選択される一種又は二種以上の金属の酸化物を含有する［１］～［５］の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
［７］
相対密度が９０％以上である［１］～［６］の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
［８］
［１］～［７］の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材と、バッキングプレート又はバッキングチューブとが、ロウ材層を介して積層された構造を有するスパッタリングターゲット。
［９］
［１］～［７］の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材を用いてスパッタリングする工程を含む成膜方法。
金属相及び酸化物相が相互に分散した組織を有する非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材であって、
金属相は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、Ｃｏを２０～６０ｍｏｌ％、Ｐｔを５～３０ｍｏｌ％、Ｍｏを１～４０ｍｏｌ％含有すると共に、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＢを合計濃度で２５ｍｏｌ％以上含有し、
酸化物相の体積率が１０～４５％である、
非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
［２］
金属相は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、Ｍｏを２５～３０ｍｏｌ％含有する［１］に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
［３］
金属相中におけるＣｒの濃度が、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、５ｍｏｌ％以下である［１］又は［２］に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
［４］
金属相中におけるＲｕの濃度が、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、５ｍｏｌ％以下である［１］～［３］の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
［５］
金属相中におけるＢの濃度が、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、５ｍｏｌ％以下である［１］～［４］の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
［６］
酸化物相が、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｚｒ及びＮｂよりなる群から選択される一種又は二種以上の金属の酸化物を含有する［１］～［５］の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
［７］
相対密度が９０％以上である［１］～［６］の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材。
［８］
［１］～［７］の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材と、バッキングプレート又はバッキングチューブとが、ロウ材層を介して積層された構造を有するスパッタリングターゲット。
［９］
［１］～［７］の何れか一項に記載の非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材を用いてスパッタリングする工程を含む成膜方法。
【発明の効果】
【0009】
本発明の一実施形態に係るスパッタリングターゲット部材をスパッタすることで、容易に非磁性膜を得ることができる。当該非磁性膜は金属相のｈｃｐ構造が維持されるため、垂直磁気記録媒体中の磁気記録層がｈｃｐ（六方最密充填）構造である場合に、Ｃ軸を基板の法線方向に配向させる効果が得られる。また、当該膜は金属相と酸化物相が綺麗に分離しているため、上層に製膜する磁性層での磁性粒間の分離に寄与することも期待される。また、本発明の一実施形態に係るスパッタリングターゲット部材で使用するＭｏは、Ｒｕに比べて安価に入手可能である。従って、本発明の一実施形態に係るスパッタリングターゲット部材は、垂直磁気記録媒体を構成する非磁性層の形成への利用が期待できる。
【発明を実施するための形態】
【0010】
本発明に係る非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材は一実施形態において、金属相及び酸化物相が相互に分散した組織を有する。スパッタリングターゲット部材中において、金属相及び酸化物相が相互に分散していることは、均質な膜を形成するのに有利である。
【0011】
（１．金属相）
本発明に係る非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材の一実施形態において、金属相は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、Ｃｏを２０～６０ｍｏｌ％、Ｐｔを５～３０ｍｏｌ％、Ｍｏを１～４０ｍｏｌ％含有する。Ｃｏ、Ｐｔ、及びＭｏはそれぞれ単体金属として存在していてもよいし、ＣｏＰｔ合金、ＣｏＰｔＭｏ合金、ＣｏＭｏ合金、ＰｔＭｏ合金、または、これらの何れかの合金とＣｒ、Ｒｕ及びＢの何れか一種又は二種以上との合金として存在していてもよい。
本発明に係る非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材の一実施形態において、金属相は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、Ｃｏを２０～６０ｍｏｌ％、Ｐｔを５～３０ｍｏｌ％、Ｍｏを１～４０ｍｏｌ％含有する。Ｃｏ、Ｐｔ、及びＭｏはそれぞれ単体金属として存在していてもよいし、ＣｏＰｔ合金、ＣｏＰｔＭｏ合金、ＣｏＭｏ合金、ＰｔＭｏ合金、または、これらの何れかの合金とＣｒ、Ｒｕ及びＢの何れか一種又は二種以上との合金として存在していてもよい。
【0012】
金属相中のＣｏ濃度の下限値を２０ｍｏｌ％以上としたのは、Ｃｏ合金の形成しやすさによる。Ｃｏが少なくなるとＣｏ及びＣｏ合金のｈｃｐ構造を維持することが難しくなる。Ｃｏ濃度の下限値は好ましくは３０ｍｏｌ％以上であり、より好ましくは３５ｍｏｌ％以上であり、更により好ましくは４０ｍｏｌ％以上である。また、金属相中のＣｏ濃度の上限値を６０ｍｏｌ％以下としたのは、非磁性化のためである。Ｃｏが多くなると、他金属を使用したとしても非磁性化が難しくなる。Ｃｏ濃度の上限値は好ましくは５５ｍｏｌ％以下であり、より好ましくは５０ｍｏｌ％以下であり、更により好ましくは４５ｍｏｌ％以下である。
【0013】
金属相中のＰｔ濃度を５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下としたのは、上層に製膜する磁性層の安定性に影響するためである。Ｐｔが多くとも少なくとも、磁性層でのｈｃｐ構造の安定性が悪くなる。Ｐｔ濃度の下限値は好ましくは１０ｍｏｌ％以上であり、より好ましくは１５ｍｏｌ％以上である。Ｐｔ濃度の上限値は好ましくは２８ｍｏｌ％以下であり、より好ましくは２５ｍｏｌ％以下である。
【0014】
金属相中のＭｏ濃度の下限値を１ｍｏｌ％以上としたのは、ＭｏはＲｕに比べて安価に入手できることに加え、スパッタ膜の非磁性化（換言すれば飽和磁化の低下）に寄与でき、更にはスパッタ膜中の金属相のｈｃｐ構造を維持する効果も高いことが判明したからである。更に、Ｍｏは化学的に安定であり、酸化されにくいため、酸化物相中に含まれるＣｏＯ等の酸化物を意図せず還元してしまうおそれが少ないという特性がある。この特性は、スパッタ膜の構成相を調整しやすい点で有利である。Ｍｏ濃度の下限値は好ましくは５ｍｏｌ％以上であり、より好ましくは１５ｍｏｌ％以上であり、更により好ましくは２５ｍｏｌ％以上である。
【0015】
また、金属相中のＭｏ濃度の上限値を４０ｍｏｌ％以下としたのは、Ｍｏの濃度が高すぎるとスパッタリングターゲット部材が割れやすくなることから、割れの発生を防止するためである。Ｍｏ濃度の上限値は好ましくは４０ｍｏｌ％以下であり、より好ましくは３５ｍｏｌ％以下であり、更により好ましくは３０ｍｏｌ％以下である。
【0016】
従って、本発明に係る非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材の好ましい実施形態において、金属相は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、Ｃｏを３５～５０ｍｏｌ％、Ｐｔを１０～２８ｍｏｌ％、Ｍｏを１５～３５ｍｏｌ％含有し、より好ましい実施形態において、金属相は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、Ｃｏを４０～４５ｍｏｌ％、Ｐｔを１５～２５ｍｏｌ％、Ｍｏを２５～３０ｍｏｌ％含有する。
【0017】
金属相は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＢを合計濃度で２５ｍｏｌ％以上含有する。これらの金属元素はスパッタ膜の非磁性化に貢献するため、合計濃度で２５ｍｏｌ％以上含有することが望ましい。但し、これらの金属元素の合計濃度が高くなりすぎると、スパッタ膜のｈｃｐ構造が崩れるおそれがあるため、これらの金属元素の合計濃度の上限値は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、好ましくは４０ｍｏｌ％以下であり、より好ましくは３５ｍｏｌ％以下であり、更により好ましくは３０ｍｏｌ％以下である。また、予期せぬ特性変化をもたらさないという観点からは、Ｍｏ以外の金属成分は少ない方が好ましい。
【0018】
Ｃｒは金属相のｈｃｐ構造の維持に悪影響を及ぼすと共に、ＣｏＯ等の酸化物を還元しやすいため、スパッタ膜中で意図しない構成相を生成する可能性がある。このため、金属相中におけるＣｒの濃度は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、２０ｍｏｌ％以下であることが好ましく、１０ｍｏｌ％以下であることがより好ましく、５ｍｏｌ％以下であることが更により好ましく、１ｍｏｌ％以下であることが更により好ましい。
【0019】
Ｒｕは先述したように生産コストを引き上げる要因となることから添加量は少ない方が望ましい。このため、金属相中におけるＲｕの濃度は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、２０ｍｏｌ％以下であることが好ましく、１０ｍｏｌ％以下であることがより好ましく、５ｍｏｌ％以下であることが更により好ましく、１ｍｏｌ％以下であることが更により好ましい。
【0020】
ＢもまたＣｒと同じくＣｏＯ等の酸化物を還元しやすいため、スパッタ膜で意図しない構成相を生成する可能性がある。このため、金属相中におけるＢの濃度は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、２０ｍｏｌ％以下であることが好ましく、１０ｍｏｌ％以下であることがより好ましく、５ｍｏｌ％以下であることが更により好ましく、１ｍｏｌ％以下であることが更により好ましい。
【0021】
金属相中の、Ｃｒ、Ｒｕ及びＢの合計濃度は、該ターゲット部材の全体組成を基準にして、２０ｍｏｌ％以下であることが好ましく、１０ｍｏｌ％以下であることがより好ましく、５ｍｏｌ％以下であることが更により好ましく、１ｍｏｌ％以下であることが更により好ましい。
【0022】
（２．酸化物相）
本発明に係る非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材の一実施形態において、酸化物相の体積率が１０～４５％である。酸化物相の体積率の下限値を１０％以上とすることで、磁気的な相互作用を遮断する効果を高めることができる。酸化物相の体積率の下限値は好ましくは２０％以上であり、より好ましくは３０％以上である。また、酸化物相の体積率の上限値を４５％以下としたのは、これ以上酸化物相の体積率が大きくなるとスパッタ時に放電しづらくなるためである。酸化物相の体積率の上限値は好ましくは４０％以下であり、より好ましくは３５％以下である。
本発明に係る非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材の一実施形態において、酸化物相の体積率が１０～４５％である。酸化物相の体積率の下限値を１０％以上とすることで、磁気的な相互作用を遮断する効果を高めることができる。酸化物相の体積率の下限値は好ましくは２０％以上であり、より好ましくは３０％以上である。また、酸化物相の体積率の上限値を４５％以下としたのは、これ以上酸化物相の体積率が大きくなるとスパッタ時に放電しづらくなるためである。酸化物相の体積率の上限値は好ましくは４０％以下であり、より好ましくは３５％以下である。
【0023】
スパッタリングターゲット部材中の酸化物相の体積率は以下の手順で測定する。金属粒子部分と酸化物部分は組織観察時の色の濃淡で判断することができる。たとえばＳＥＭ(走査型電子顕微鏡)による組織観察結果では、２次電子の強度が画像の濃淡として現れるので、一般的に金属部分は２次電子強度が強くなるので明るく、酸化物は強度が低くなるので暗く見える。これを利用し、画像中の暗く見える部分の平均面積率を、ターゲットの酸化物相の体積率とする。ここでは均一に分散した相の平均面積率と体積率の間には以下の関係式が成立することを利用した（新家光雄編：３Ｄ材料組織・特性解析の基礎と応用 付録Ａ１項、内田老鶴圃、２０１４年６月）。
【0024】
酸化物相を構成する酸化物としては、限定的ではないが、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｚｒ及びＮｂよりなる群から選択される１種又は２種以上の金属の酸化物が挙げられる。酸化物相を構成する酸化物は一種でもよいし、二種以上が混在していてもよい。
【0025】
チタンの酸化物としては、ＴｉＯ2、ＴｉＯなどを使用することができる。ケイ素の酸化物としては、ＳｉＯ2、ＳｉＯなどを使用することができる。ホウ素の酸化物としては、Ｂ2Ｏ3、ＢＯ、Ｂ2Ｏ、Ｂ6Ｏなどを使用することができる。コバルトの酸化物としては、ＣｏＯ、Ｃｏ2Ｏ3、Ｃｏ3Ｏ4などを使用することができる。クロムの酸化物としてはＣｒ2Ｏ3などを使用することができる。タンタルの酸化物としてはＴａＯ2、Ｔａ2Ｏ5などを使用することができる。マンガンの酸化物としては、ＭｎＯ、ＭｎＯ2、Ｍｎ3Ｏ4などを使用することができる。ジルコニウムの酸化物としてはＺｒ2Ｏ3などを使用することができる。ニオブの酸化物としてはＮｂＯ、ＮｂＯ2、Ｎｂ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5などを使用することができる。その他の酸化物も使用可能である。
【0026】
酸化物は二種以上の金属成分を含有する複合酸化物であってもよい。複合酸化物としては、ＣｒＢＯ3、Ｃｏ2Ｂ2Ｏ5、Ｃｏ3Ｂ2Ｏ6、Ｍｎ3Ｂ2Ｏ6、ＴｉＢＯ3などの融点の比較的高い複合酸化物を好適に使用することができる。
【0027】
上記の酸化物の中では、スパッタ膜中で金属相と酸化物相の分離性を高めるという観点から、金属相を構成するＣｏとの濡れ性に優れているコバルトの酸化物が好ましく、ＣｏＯが最適である。従って、酸化物相中のコバルト酸化物の濃度は５０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、７０ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。更に、酸化物相中のＣｏＯの濃度は５０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、７０ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。
【0028】
（３．相対密度）
スパッタリングターゲット部材の相対密度は高い方が、アーキングの少ない安定的なスパッタリングを行う上で、好ましい。本発明に係る非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材は一実施形態において、相対密度が９０％以上である。相対密度は好ましくは９５％以上であり、より好ましくは９９％以上である。相対密度は、組成によって定まる理論密度に対するアルキメデス密度の比で求められる。組成によって定まる理論密度は、実際に存在する化合物の密度を加味できていないことから、１００％を超えることもあり得る。
スパッタリングターゲット部材の相対密度は高い方が、アーキングの少ない安定的なスパッタリングを行う上で、好ましい。本発明に係る非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材は一実施形態において、相対密度が９０％以上である。相対密度は好ましくは９５％以上であり、より好ましくは９９％以上である。相対密度は、組成によって定まる理論密度に対するアルキメデス密度の比で求められる。組成によって定まる理論密度は、実際に存在する化合物の密度を加味できていないことから、１００％を超えることもあり得る。
【0029】
理論密度は、スパッタリングターゲット部材の成分分析を行い、それにより得られる各成分の質量濃度と各成分の単体密度から算出される。具体的には、ターゲットの構成成分が互いに拡散あるいは反応せずに混在していると仮定したときの密度で、次式で計算される。
式：理論密度（ｇ／ｃｍ3）＝Σ（構成成分の分子量×構成成分のモル比）／Σ（構成成分の分子量×構成成分のモル比／構成成分の文献値密度）
ここでΣは、ターゲットの構成成分の全てについて、和をとることを意味する。
式：理論密度（ｇ／ｃｍ3）＝Σ（構成成分の分子量×構成成分のモル比）／Σ（構成成分の分子量×構成成分のモル比／構成成分の文献値密度）
ここでΣは、ターゲットの構成成分の全てについて、和をとることを意味する。
【0030】
（４．製法）
本発明に係る非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材は、粉末焼結法を用いて、例えば、以下の手順によって作製することができる。
本発明に係る非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材は、粉末焼結法を用いて、例えば、以下の手順によって作製することができる。
【0031】
まず、所望の金属相の組成に応じた一種又は二種以上の金属粉末を用意する。金属粉末は、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、Ｍｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｒｕ粉末、Ｂ粉末など単体金属粉末でもよいし、Ｃｏ－Ｐｔ合金粉末などの合金粉末でもよい。金属粉末は溶解鋳造したインゴットを粉砕して作製してもよいし、ガスアトマイズ法により作製してもよい。
【0032】
各金属粉末のメジアン径は０．１μｍ以上であることが好ましく、０．５μｍ以上であることがより好ましく、１μｍ以上であることが更により好ましい。金属粉末が小さすぎると、粉末同士が凝集し、均一な組織が得づらくなる。但し、各金属粉末のメジアン径は、大きすぎると酸化物粉末と均一に混合することが難しいことやスパッタリング中にパーティクルの原因となる懸念があることから、１５０μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以下であることが更により好ましい。メジアン径は粉砕や篩別により調整可能である。
【0033】
また、所望の酸化物相の組成に応じた一種又は二種以上の酸化物粉末を用意する。均一分散させやすいという観点で、メジアン径が３０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることが更により好ましい。また、酸化物粉末は粉末同士の凝集防止という観点で、メジアン径が０．１μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましく、２μｍ以上であることが更により好ましい。
【0034】
本明細書において、粉末のメジアン径は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における体積値基準での積算値５０％（Ｄ５０）での粒径を意味する。実施例においては、ＨＯＲＩＢＡ社製の型式ＬＡ－９２０の粒度分布測定装置を使用し、粉末をエタノールの溶媒中に分散させて湿式法にて測定した。屈折率は金属コバルトの値を使用した。
【0035】
次いで、原料粉末（金属粉末及び酸化物粉末）を所望の組成となるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。このとき、粉砕容器内に不活性ガスを封入して原料粉末の酸化をできるかぎり抑制することが望ましい。不活性ガスとしては、Ａｒ、Ｎ2ガスが挙げられる。また、このとき、均一な組織を実現するために混合粉のメジアン径が２０μｍ以下になるまで粉砕することが好ましく、さらに１０μｍ以下になるまで粉砕することが好ましく、例えば０．１～１０μｍの範囲になるまで粉砕することができる。このようにして得られた混合粉末をホットプレス法で真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気下において成型・焼結する。また、前記ホットプレス法以外にも、プラズマ放電焼結法など様々な加圧焼結方法を使用することができる。特に、熱間静水圧焼結法（ＨＩＰ）は、焼結体の密度向上に有効であり、ホットプレス法と熱間静水圧焼結法をこの順に実施することが焼結体の密度向上の観点から好ましい。
【0036】
焼結時の保持温度は、金属粉末の溶融を避けるために金属相の組成に依存するが、使用する金属の融点未満とすることが好ましく、融点よりも２０℃以上低い温度とすることがより好ましく、融点よりも５０℃以上低い温度とすることが更により好ましい。また、焼結時の保持温度は、焼結体の密度低下を避けるために６５０℃以上とすることが好ましく、７００℃以上とすることがより好ましく、７５０℃以上とすることが更により好ましい。
【0037】
ホットプレスの圧力は、焼結を促進するために２０～７０ＭＰａとすることが好ましい。熱間静水圧焼結（ＨＩＰ）における圧力は、焼結体の密度向上の観点から、１００～２００ＭＰａとすることが好ましい。
【0038】
焼結時間は、焼結体の密度向上のために０．３時間以上とすることが好ましく、０．５時間以上とすることがより好ましく、１．０時間以上とすることが更により好ましい。また、焼結時間は、結晶粒の粗大化を防止するために３．０時間以下とすることが好ましく、２．０時間以下とすることがより好ましく、１．５時間以下とすることが更により好ましい。
【0039】
得られた焼結体を、旋盤等を用いて所望の形状に成形加工することにより、本発明に係るスパッタリングターゲット部材を作製することができる。ターゲット形状には特に制限はないが、例えば平板状（円盤状や矩形板状を含む）及び円筒状が挙げられる。
【0040】
スパッタリングターゲット部材の厚みは特に制限はなく、使用するスパッタ装置や成膜使用時間等に応じて適宜設定すればよいが、通常３～２５ｍｍ程度であり、典型的には６～１８ｍｍ程度である。
【0041】
スパッタリングターゲット部材はそのままスパッタリングターゲットとして使用してもよいが、必要に応じてバッキングプレート又はバッキングチューブとロウ材により接合して用いてもよい。この場合、スパッタリングターゲット部材と、バッキングプレート又はバッキングチューブとが、ロウ材層を介して積層された構造を有するスパッタリングターゲットが提供される。ロウ材層を構成する物質としては、限定的ではないが、例えば、融点がインジウムより低いため、純Ｉｎ、ＩｎＳｎ合金及びＩｎＺｎ合金よりなる群から選択される一種以上とすることが好ましい。
【0042】
ロウ材層の厚みは、限定的ではないが、スパッタリングターゲットの使用効率の面とロウ材の熱膨張緩衝作用に基づくクラック防止の面から、０．１ｍｍ～２ｍｍであることが好ましく、０．１ｍｍ～１ｍｍであることがより好ましく、０．３ｍｍ～０．８ｍｍであることが更により好ましい。
【0043】
（５．成膜）
本発明は一側面において、本発明に係る非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材を用いてスパッタリングする工程を含む成膜方法を提供する。スパッタ条件は適宜設定することができる。
本発明は一側面において、本発明に係る非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材を用いてスパッタリングする工程を含む成膜方法を提供する。スパッタ条件は適宜設定することができる。
【0044】
上記の成膜方法を実施することにより得られたスパッタ膜は一実施形態において、飽和磁化が２００ｅｍｕ／ｃｃ以下であり、好ましくは１５０ｅｍｕ／ｃｃ以下であり、より好ましくは１００ｅｍｕ／ｃｃ以下である。飽和磁化は、試料振動型磁力計（ＶＳＭ）によって測定される値である。また、上記の成膜方法を実施することにより得られたスパッタ膜は一実施形態において、ＸＲＤ（Ｘ線回折法）で分析したときに、２θ＝４２°～４４°の間に現れる、ｈｃｐ構造のＣｏＰｔ合金の（００２）面に起因するピークの半値全幅（ＦＷＨＭ）が５以下であり、好ましくは４以下であり、典型的には３～５の範囲である。このことは、スパッタ膜において、金属相のｈｃｐ構造が維持されていることを意味する。
【実施例】
【0045】
以下に本発明の実施例を比較例と共に示すが、これらの実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。
【0046】
＜１．原料粉末＞
（１）金属原料粉末として以下を用意した。
Ｃｏ粉末（メジアン径：３μｍ）、Ｃｒ粉末（メジアン径：１０μｍ）、Ｐｔ粉末（メジアン径：１μｍ）、Ｍｏ粉末（メジアン径：５μｍ）、Ｂ粉末（メジアン径：５μｍ）
（２）金属酸化物粉末として以下を用意した。
ＴｉＯ2粉末（メジアン径：１μｍ）、ＳｉＯ2粉末（メジアン径：１μｍ）、ＣｏＯ粉末（メジアン径：２μｍ）
（１）金属原料粉末として以下を用意した。
Ｃｏ粉末（メジアン径：３μｍ）、Ｃｒ粉末（メジアン径：１０μｍ）、Ｐｔ粉末（メジアン径：１μｍ）、Ｍｏ粉末（メジアン径：５μｍ）、Ｂ粉末（メジアン径：５μｍ）
（２）金属酸化物粉末として以下を用意した。
ＴｉＯ2粉末（メジアン径：１μｍ）、ＳｉＯ2粉末（メジアン径：１μｍ）、ＣｏＯ粉末（メジアン径：２μｍ）
【0047】
次いで、表１に示す試験番号に応じた原料組成になるように、各原料粉末を秤量して、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で８時間回転させて混合、粉砕した。混合、粉砕後の粉末のメジアン径を測定したところ３μｍ程度であった。次に、ポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填し、ホットプレス装置を用いて成型、焼結した。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００℃／時間、保持温度１０００℃、保持時間２時間とし、昇温開始時から温度保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。次に、ホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間静水圧焼結（ＨＩＰ）を施した。熱間静水圧焼結の条件は、昇温温度３００℃／時間、保持温度９５０℃、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、９５０℃保持中は１５０ＭＰａで加圧した。温度保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。次に、旋盤を用いて、それぞれの焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状に切削加工し、円盤状のスパッタリングターゲット部材を得た。各試験例に係るスパッタリングターゲット部材はそれぞれ、下記の試験を実施するのに十分な数を用意した。
【0048】
【表1】
【0049】
＜２．組織分析＞
上記手順により得られた各スパッタリングターゲット部材について、スパッタリング面に対して水平な切断面を切り出して鏡面研磨した。鏡面研磨した切断面をＦＥ－ＥＰＭＡの元素マッピング画像により解析した。その結果、何れの各スパッタリングターゲット部材についても、金属相及び酸化物相が相互に分散した組織を有していることが確認された。ＦＥ－ＥＰＭＡの元素マッピング画像から、金属相及び酸化物相の何れについても、原料組成に対応した組成の粒子相が存在していることが確認された。金属相及び酸化物相の組成を表２に示す。
上記手順により得られた各スパッタリングターゲット部材について、スパッタリング面に対して水平な切断面を切り出して鏡面研磨した。鏡面研磨した切断面をＦＥ－ＥＰＭＡの元素マッピング画像により解析した。その結果、何れの各スパッタリングターゲット部材についても、金属相及び酸化物相が相互に分散した組織を有していることが確認された。ＦＥ－ＥＰＭＡの元素マッピング画像から、金属相及び酸化物相の何れについても、原料組成に対応した組成の粒子相が存在していることが確認された。金属相及び酸化物相の組成を表２に示す。
【0050】
【表2】
【0051】
＜３．酸化物相の体積率＞
組織分析を行った鏡面研磨した切断面を日立社製型式Ｓ－３７００ＮのＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて、倍率３０００倍で撮像した。次いで、ＳＥＭ像に対してＮａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅｓ ｏｆ Ｈｅａｌｔｈ製ＩｍａｇｅＪというソフトウェアを使用し、白黒への二値化処理を行って酸化物相（黒色部分）を特定し、ＳＥＭ画像全体の面積に対する酸化物相の面積の比率を求めた。測定は３回行い、その平均値を酸化物相の体積率の測定値とした。２値化の手順は下記の通りである。
Ｆｉｌｅ→Ｏｐｅｎから画像を読み込む。Ｉｍａｇｅ→Ｔｙｐｅから８－ｂｉｔを選択する。画像のスケールを除いた部分を選択し、Ｉｍａｇｅ→Ｃｒｏｐでスケール部分を切り取る。Ｐｒｏｃｅｓｓ→Ｆｉｌｔｅｒｓ→Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｂｌｕｒを選択し、Ｓｉｇｍａに２を入力し、ＯＫをクリックする。Ｐｒｏｃｅｓｓ→Ｂｉｎａｒｙ→Ｍａｋｅ Ｂｉｎａｒｙを選択する。以上の手順で画像の２値化を行う。
組織分析を行った鏡面研磨した切断面を日立社製型式Ｓ－３７００ＮのＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて、倍率３０００倍で撮像した。次いで、ＳＥＭ像に対してＮａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅｓ ｏｆ Ｈｅａｌｔｈ製ＩｍａｇｅＪというソフトウェアを使用し、白黒への二値化処理を行って酸化物相（黒色部分）を特定し、ＳＥＭ画像全体の面積に対する酸化物相の面積の比率を求めた。測定は３回行い、その平均値を酸化物相の体積率の測定値とした。２値化の手順は下記の通りである。
Ｆｉｌｅ→Ｏｐｅｎから画像を読み込む。Ｉｍａｇｅ→Ｔｙｐｅから８－ｂｉｔを選択する。画像のスケールを除いた部分を選択し、Ｉｍａｇｅ→Ｃｒｏｐでスケール部分を切り取る。Ｐｒｏｃｅｓｓ→Ｆｉｌｔｅｒｓ→Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｂｌｕｒを選択し、Ｓｉｇｍａに２を入力し、ＯＫをクリックする。Ｐｒｏｃｅｓｓ→Ｂｉｎａｒｙ→Ｍａｋｅ Ｂｉｎａｒｙを選択する。以上の手順で画像の２値化を行う。
【0052】
＜４．相対密度＞
上記の製造方法で得られた各試験例に係るスパッタリングターゲット部材について、密度をアルキメデス法により測定し、組成によって定まる理論密度に対する割合（％）を求め、相対密度とした。結果を表３に示す。
上記の製造方法で得られた各試験例に係るスパッタリングターゲット部材について、密度をアルキメデス法により測定し、組成によって定まる理論密度に対する割合（％）を求め、相対密度とした。結果を表３に示す。
【0053】
＜５．強度＞
上記の製造方法で得られた各試験例に係るスパッタリングターゲット部材について、目視により割れの有無を確認した。結果を表３に示す。
上記の製造方法で得られた各試験例に係るスパッタリングターゲット部材について、目視により割れの有無を確認した。結果を表３に示す。
【0054】
＜６．成膜試験＞
上記の製造手順で得られた各試験例に係るスパッタリングターゲット部材をマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ－３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを実施した。スパッタリング条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、シリコン基板上に２０秒間成膜した。
上記の製造手順で得られた各試験例に係るスパッタリングターゲット部材をマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ－３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを実施した。スパッタリング条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、シリコン基板上に２０秒間成膜した。
【0055】
＜７．ＸＲＤ分析＞
成膜試験で得られた各試験例に係るスパッタ膜について、以下の測定条件でＸＲＤ（Ｘ線回折法）分析した。回折ピークの位置は高角ＸＲＤ測定により、半値全幅（ＦＷＨＭ）はロッキングカーブ測定により測定した。
分析装置：株式会社リガク製 高分解能Ｘ線薄膜評価装置Ｓｕｐｅｒｌａｂ
・高角ＸＲＤ測定
管球：Ｃｕ（ＣｕＫαにて測定）
管電圧：４０ｋＶ
管電流：２０ｍＡ
光学系：２次元集光多層膜ミラー
スキャンモード：２θ／θ
走査範囲（２θ）：１０°～１００°
測定ステップ（２θ）：０．１°
測定サンプルサイズ：約１０ｍｍ×１０ｍｍ
・ロッキングカーブ測定
管球：Ｃｕ（ＣｕＫαにて測定）
管電圧：４０ｋＶ
管電流：２０ｍＡ
光学系：２次元集光多層膜ミラー
スキャンモード：θ単独
走査範囲（θ）：高角ＸＲＤで特定した（００２）面のピーク位置±１０°
測定ステップ（２θ）：０．２°
測定サンプルサイズ：約１０ｍｍ×１０ｍｍ
成膜試験で得られた各試験例に係るスパッタ膜について、以下の測定条件でＸＲＤ（Ｘ線回折法）分析した。回折ピークの位置は高角ＸＲＤ測定により、半値全幅（ＦＷＨＭ）はロッキングカーブ測定により測定した。
分析装置：株式会社リガク製 高分解能Ｘ線薄膜評価装置Ｓｕｐｅｒｌａｂ
・高角ＸＲＤ測定
管球：Ｃｕ（ＣｕＫαにて測定）
管電圧：４０ｋＶ
管電流：２０ｍＡ
光学系：２次元集光多層膜ミラー
スキャンモード：２θ／θ
走査範囲（２θ）：１０°～１００°
測定ステップ（２θ）：０．１°
測定サンプルサイズ：約１０ｍｍ×１０ｍｍ
・ロッキングカーブ測定
管球：Ｃｕ（ＣｕＫαにて測定）
管電圧：４０ｋＶ
管電流：２０ｍＡ
光学系：２次元集光多層膜ミラー
スキャンモード：θ単独
走査範囲（θ）：高角ＸＲＤで特定した（００２）面のピーク位置±１０°
測定ステップ（２θ）：０．２°
測定サンプルサイズ：約１０ｍｍ×１０ｍｍ
【0056】
得られたＸＲＤプロファイルの解析は、株式会社リガク製統合粉末Ｘ線解析ソフトウェア ＰＤＸＬを用いて実施した。得られた測定データに対して、ＢＧ除去、Ｋα２除去、ピークサーチを自動モードで実施し、２θ＝４２°～４４°の間に現れる、ｈｃｐ構造のＣｏＰｔ合金の（００２）面に起因する回折ピークの位置を特定し、また、当該ピークの半値全幅（ＦＷＨＭ）を測定した。当該ピークの存在は、測定面と平行に（００２）面が出ていること、すなわち、ｈｃｐ構造のＣ軸がスパッタ膜に対し垂直であることを意味する。結果を表３に示す。
【0057】
＜８．磁気測定＞
成膜試験で得られた各試験例に係るスパッタ膜について、ＶＳＭ（玉川製作所製型式ＴＭ－ＶＳＭ２６１４８３－ＨＧＣ型）により磁気測定を行い、飽和磁化を測定した。結果を表３に示す。スパッタ膜の飽和磁化が２００ｅｍｕ／ｃｃ以下であれば非磁性層への適用が期待できる。
成膜試験で得られた各試験例に係るスパッタ膜について、ＶＳＭ（玉川製作所製型式ＴＭ－ＶＳＭ２６１４８３－ＨＧＣ型）により磁気測定を行い、飽和磁化を測定した。結果を表３に示す。スパッタ膜の飽和磁化が２００ｅｍｕ／ｃｃ以下であれば非磁性層への適用が期待できる。
【0058】
【表3】
【0059】
＜９．ＴＥＭ観察＞
成膜試験で得られた実施例１、比較例８及び比較例９に係るスパッタ膜について、日本電子製透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による組織観察（倍率：×４００００）を行った。そして、画像解析によって金属相粒子の平均粒径及び標準偏差を測定した。結果を表４に示す。表４から、Ｒｕの代わりにＭｏを使用しても遜色のない微細組織を有するスパッタ膜が得られたことが分かる。
成膜試験で得られた実施例１、比較例８及び比較例９に係るスパッタ膜について、日本電子製透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による組織観察（倍率：×４００００）を行った。そして、画像解析によって金属相粒子の平均粒径及び標準偏差を測定した。結果を表４に示す。表４から、Ｒｕの代わりにＭｏを使用しても遜色のない微細組織を有するスパッタ膜が得られたことが分かる。
【0060】
【表4】
【0061】
＜１０．考察＞
比較例１は金属相がＣｏ、Ｃｒ及びＰｔで構成されており、Ｍｏを含有しなかったため、結晶性の良いｈｃｐ構造を維持したまま成膜できなかった(半値幅が大きくなっていることから確認できる)。
比較例２は金属相がＣｏ、Ｐｔ及びＲｕで構成されており、スパッタ膜は非磁性化し、ｈｃｐ構造も維持できたが、Ｒｕの原料費用が高いため、経済性に問題がある。
比較例３は金属相がＣｏ、Ｂ及びＰｔで構成されており、Ｍｏを含有しなかったため、結晶性の良いｈｃｐ構造を維持したまま成膜できなかった（半値幅が大きくなっていることから確認できる）。
比較例４～７はＭｏを含有しているが、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＢの合計濃度が不足したため、スパッタ膜の飽和磁化が高かった。
比較例８は金属相中のＭｏの濃度が高すぎたため、スパッタリングターゲット部材が脆化して割れが生じた。
比較例９は金属相がＣｏ、Ｃｒ及びＰｔで構成されており、Ｍｏを含有しなかったため、また、ＣｒとＣｏＯを同時に使用したことで、ＣｏＯではなくＣｒ2Ｏ3が生成したことで、うまく酸化物相で金属相を分離できておらず、金属相粒子の一部が粗大化したことを確認した。これは成膜後の金属相の粒子径の標準偏差が大きくなっていることから確認できる。
比較例１０は金属相がＣｏ、Ｐｔ及びＲｕで構成されており、スパッタ膜は非磁性化し、ｈｃｐ構造も維持できたが、Ｒｕの原料費用が高いため、経済性に問題がある。
比較例１１は金属相がＣｏ、Ｐｔ及びＢで構成されており、Ｍｏを含有しなかったため、また、ＢとＣｏＯを同時に使用したことで、ＣｏＯではなくＢ2Ｏ3が生成したことで、うまく酸化物相で金属相を分離できておらず、金属相粒子の一部が粗大化したことを確認した。これは製膜後の金属相の粒子径の標準偏差が大きくなっていることから確認できる。
一方、実施例１～１０においては、金属相中の組成が比較例に比べて適切であったことから、スパッタ膜は非磁性化し、ｈｃｐ構造も維持できた。また、金属相中のＲｕの濃度を低下させたことで、経済性も向上した。
比較例１は金属相がＣｏ、Ｃｒ及びＰｔで構成されており、Ｍｏを含有しなかったため、結晶性の良いｈｃｐ構造を維持したまま成膜できなかった(半値幅が大きくなっていることから確認できる)。
比較例２は金属相がＣｏ、Ｐｔ及びＲｕで構成されており、スパッタ膜は非磁性化し、ｈｃｐ構造も維持できたが、Ｒｕの原料費用が高いため、経済性に問題がある。
比較例３は金属相がＣｏ、Ｂ及びＰｔで構成されており、Ｍｏを含有しなかったため、結晶性の良いｈｃｐ構造を維持したまま成膜できなかった（半値幅が大きくなっていることから確認できる）。
比較例４～７はＭｏを含有しているが、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ及びＢの合計濃度が不足したため、スパッタ膜の飽和磁化が高かった。
比較例８は金属相中のＭｏの濃度が高すぎたため、スパッタリングターゲット部材が脆化して割れが生じた。
比較例９は金属相がＣｏ、Ｃｒ及びＰｔで構成されており、Ｍｏを含有しなかったため、また、ＣｒとＣｏＯを同時に使用したことで、ＣｏＯではなくＣｒ2Ｏ3が生成したことで、うまく酸化物相で金属相を分離できておらず、金属相粒子の一部が粗大化したことを確認した。これは成膜後の金属相の粒子径の標準偏差が大きくなっていることから確認できる。
比較例１０は金属相がＣｏ、Ｐｔ及びＲｕで構成されており、スパッタ膜は非磁性化し、ｈｃｐ構造も維持できたが、Ｒｕの原料費用が高いため、経済性に問題がある。
比較例１１は金属相がＣｏ、Ｐｔ及びＢで構成されており、Ｍｏを含有しなかったため、また、ＢとＣｏＯを同時に使用したことで、ＣｏＯではなくＢ2Ｏ3が生成したことで、うまく酸化物相で金属相を分離できておらず、金属相粒子の一部が粗大化したことを確認した。これは製膜後の金属相の粒子径の標準偏差が大きくなっていることから確認できる。
一方、実施例１～１０においては、金属相中の組成が比較例に比べて適切であったことから、スパッタ膜は非磁性化し、ｈｃｐ構造も維持できた。また、金属相中のＲｕの濃度を低下させたことで、経済性も向上した。