特許 7558303 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-19

(45)【発行日】2024-09-30

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240920BHJP

   C23C 18/31 20060101ALI20240920BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 643Z

H01L21/304 643A

H01L21/304 648A

C23C18/31 E

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2022576590

(86)(22)【出願日】2022-01-05

(86)【国際出願番号】 JP2022000105

(87)【国際公開番号】W WO2022158286

(87)【国際公開日】2022-07-28

【審査請求日】2023-07-11

(31)【優先権主張番号】P 2021006709

(32)【優先日】2021-01-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】稲富 裕一郎

【審査官】小池 英敏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１４－１３０９３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１８７９９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０２０／１００８２９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１０－０１６３１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－０５０４０８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｃ２３Ｃ １８／３１

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、
前記基板保持部によって保持された前記基板の上面を覆う蓋体と、
洗浄用治具を前記基板保持部に搬送する搬送機構と、
前記基板保持部に保持された前記洗浄用治具の下面に向けて洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記回転駆動部を制御することによって、前記基板保持部を回転させる制御部と
を備え、
前記洗浄用治具には、前記洗浄液供給部から吐出される前記洗浄液を前記蓋体に向けて通過させる孔が少なくとも１つ形成され、
前記孔は、前記洗浄用治具の周方向に沿って形成される
基板処理装置。

【請求項2】

基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、
前記基板保持部によって保持された前記基板の上面を覆う蓋体と、
洗浄用治具を前記基板保持部に搬送する搬送機構と、
前記基板保持部に保持された前記洗浄用治具の下面に向けて洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記回転駆動部を制御することによって、前記基板保持部を回転させる制御部と
を備え、
前記洗浄用治具には、前記洗浄液供給部から吐出される前記洗浄液を前記蓋体に向けて通過させる孔が少なくとも１つ形成され、
前記洗浄用治具は、
前記基板保持部に保持される板部と、
前記板部から前記蓋体側に延びる少なくとも１つの壁部と
を備え、
前記壁部は、前記孔を通過した前記洗浄液が衝突するように形成され、
前記壁部は、前記板部に対して直交するように形成される
基板処理装置。

【請求項3】

基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、
前記基板保持部によって保持された前記基板の上面を覆う蓋体と、
洗浄用治具を前記基板保持部に搬送する搬送機構と、
前記基板保持部に保持された前記洗浄用治具の下面に向けて洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記回転駆動部を制御することによって、前記基板保持部を回転させる制御部と
を備え、
前記洗浄用治具には、前記洗浄液供給部から吐出される前記洗浄液を前記蓋体に向けて通過させる孔が少なくとも１つ形成され、
前記洗浄用治具は、
前記基板保持部に保持される板部と、
前記板部から前記蓋体側に延びる少なくとも１つの壁部と
を備え、
前記壁部は、前記孔を通過した前記洗浄液が衝突するように形成され、
前記壁部は、前記板部に対して傾斜するように形成される
基板処理装置。

【請求項4】

基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、
前記基板保持部によって保持された前記基板の上面を覆う蓋体と、
洗浄用治具を前記基板保持部に搬送する搬送機構と、
前記基板保持部に保持された前記洗浄用治具の下面に向けて洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記回転駆動部を制御することによって、前記基板保持部を回転させる制御部と
を備え、
前記洗浄用治具には、前記洗浄液供給部から吐出される前記洗浄液を前記蓋体に向けて通過させる孔が少なくとも１つ形成され、
前記洗浄用治具は、
前記基板保持部に保持される板部と、
前記板部から前記蓋体側に延びる少なくとも１つの羽根部と
を備え、
前記回転駆動部は、第１回転方向、および前記第１回転方向とは逆方向の第２回転方向に、前記基板保持部を回転可能であり、
前記羽根部は、
前記板部に対して第１角度を有する第１傾斜面と、
前記板部に対して、前記第１角度よりも大きい第２角度を有する第２傾斜面と
を備え、
前記洗浄用治具が前記第１回転方向に回転する場合に、前記第１傾斜面は、前記第２傾斜面よりも回転方向において上流側に位置し、
前記洗浄用治具が前記第２回転方向に回転する場合に、前記第２傾斜面は、前記第１傾斜面よりも回転方向において上流側に位置する
基板処理装置。

【請求項5】

前記壁部は、
上端が前記洗浄用治具の径方向内側に向くように形成される第１壁部、および上端が前記洗浄用治具の径方向外側に向くように形成される第２壁部の少なくとも１つを含む
請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記基板保持部に保持された前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給部
を備え、
前記洗浄液供給部は、前記基板保持部によって保持される前記基板の下面に向けて洗浄液を供給する
請求項１～５のいずれか１つに記載の基板処理装置。

【請求項7】

基板を保持可能な基板保持部に、洗浄用治具を搬送する搬送工程と、
前記洗浄用治具を保持した前記基板保持部を回転させる回転工程と、
前記基板保持部に保持された前記洗浄用治具の下面に向けて洗浄液を吐出する吐出工程と
を有し、
前記洗浄用治具には、洗浄液供給部から吐出される前記洗浄液を前記洗浄用治具の上面を覆う蓋体に向けて通過させる孔が少なくとも１つ形成され、
前記孔は、前記洗浄用治具の周方向に沿って形成される
基板処理方法。

【請求項8】

基板を保持可能な基板保持部に、洗浄用治具を搬送する搬送工程と、
前記洗浄用治具を保持した前記基板保持部を回転させる回転工程と、
前記基板保持部に保持された前記洗浄用治具の下面に向けて洗浄液を吐出する吐出工程と
を有し、
前記洗浄用治具には、洗浄液供給部から吐出される前記洗浄液を前記洗浄用治具の上面を覆う蓋体に向けて通過させる孔が少なくとも１つ形成され、
前記洗浄用治具は、
前記基板保持部に保持される板部と、
前記板部から前記蓋体側に延びる少なくとも１つの壁部と
を備え、
前記壁部は、前記孔を通過した前記洗浄液が衝突するように形成され、
前記壁部は、前記板部に対して直交するように形成される
基板処理方法。

【請求項9】

基板を保持可能な基板保持部に、洗浄用治具を搬送する搬送工程と、
前記洗浄用治具を保持した前記基板保持部を回転させる回転工程と、
前記基板保持部に保持された前記洗浄用治具の下面に向けて洗浄液を吐出する吐出工程と
を有し、
前記洗浄用治具には、洗浄液供給部から吐出される前記洗浄液を前記洗浄用治具の上面を覆う蓋体に向けて通過させる孔が少なくとも１つ形成され、
前記洗浄用治具は、
前記基板保持部に保持される板部と、
前記板部から前記蓋体側に延びる少なくとも１つの壁部と
を備え、
前記壁部は、前記孔を通過した前記洗浄液が衝突するように形成され、
前記壁部は、前記板部に対して傾斜するように形成される
基板処理方法。

【請求項10】

基板を保持可能な基板保持部に、洗浄用治具を搬送する搬送工程と、
前記洗浄用治具を保持した前記基板保持部を回転させる回転工程と、
前記基板保持部に保持された前記洗浄用治具の下面に向けて洗浄液を吐出する吐出工程と
を有し、
前記洗浄用治具には、洗浄液供給部から吐出される前記洗浄液を前記洗浄用治具の上面を覆う蓋体に向けて通過させる孔が少なくとも１つ形成され、
前記洗浄用治具は、
前記基板保持部に保持される板部と、
前記板部から前記蓋体側に延びる少なくとも１つの羽根部と
を備え、
前記基板保持部は、第１回転方向、および前記第１回転方向とは逆方向の第２回転方向に、回転可能であり、
前記羽根部は、
前記板部に対して第１角度を有する第１傾斜面と、
前記板部に対して、前記第１角度よりも大きい第２角度を有する第２傾斜面と
を備え、
前記洗浄用治具が前記第１回転方向に回転する場合に、前記第１傾斜面は、前記第２傾斜面よりも回転方向において上流側に位置し、
前記洗浄用治具が前記第２回転方向に回転する場合に、前記第２傾斜面は、前記第１傾斜面よりも回転方向において上流側に位置する
基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、基板の上方を覆う蓋体を有する基板処理装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１８－３０９７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、蓋体を効率的に洗浄する技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による基板処理装置は、基板保持部と、回転駆動部と、蓋体と、搬送機構と、洗浄液供給部と、制御部とを備える。基板保持部は、基板を保持する。回転駆動部は、基板保持部を回転させる。蓋体は、基板保持部によって保持された基板の上面を覆う。搬送機構は、洗浄用治具を基板保持部に搬送する。洗浄液供給部は、基板保持部に保持された洗浄用治具の下面に向けて洗浄液を供給する。制御部は、回転駆動部を制御することによって、基板保持部を回転させる。洗浄用治具には、洗浄液供給部から吐出される洗浄液を蓋体に向けて通過させる孔が少なくとも１つ形成される。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、蓋体を効率的に洗浄することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。

【図2】図２は、実施形態に係る処理ユニットの構成を示す模式図である。

【図3】図３は、実施形態に係る洗浄用治具の構成を示す平面図である。

【図4】図４は、実施形態に係る洗浄用治具の図３のIV－IVにおける断面図である。

【図5】図５は、実施形態に係る洗浄用治具の図３のV－Vにおける断面図である。

【図6】図６は、実施形態に係る洗浄用治具の図３のVI－VIにおける断面図である。

【図7】図７は、実施形態に係るめっき処理を説明するフローチャートである。

【図8】図８は、実施形態に係る加熱部洗浄処理を説明するフローチャートである。

【図9】図９は、実施形態の変形例に係る洗浄用治具の構成を示す平面図である。

【図10】図１０は、実施形態の変形例に係る洗浄用治具における羽根部の断面を示す図である。

【図11】図１１は、実施形態の変形例に係る洗浄用治具の第１壁部の断面を示す図である。

【図12】図１２は、実施形態の変形例に係る洗浄用治具の第２壁部の断面を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。

【0009】

＜全体構成＞
図１は、実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。また、Ｘ軸方向を左右方向とする。

【0010】

図１に示すように、基板処理装置１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

【0011】

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

【0012】

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。

【0013】

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、Ｙ軸方向において搬送部１５の両側に並べて設けられる。

【0014】

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するアームや、アームを移動させるモータや、アームの位置を検出するセンサなどを含む。基板搬送装置１７は、後述する洗浄用治具４０を搬送可能である。基板搬送装置１７（搬送機構の一例）は、ウェハＷ、または洗浄用治具４０を後述する基板保持部２１に搬送する。

【0015】

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定のウェハ処理を行う。具体的には、処理ユニット１６は、ウェハＷに対してめっき処理を行う。処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送される洗浄用治具４０を用いて所定の加熱部洗浄処理を行う。

【0016】

また、基板処理装置１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。例えば、制御部１８は、後述する回転駆動部２２を制御することによって、基板保持部２１を回転させる。

【0017】

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

【0018】

上記のように構成された基板処理装置１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

【0019】

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

【0020】

また、基板処理装置１は、例えば、予め定められた所定枚数のウェハＷに対してめっき処理を行うと、洗浄用治具４０を処理ユニット１６へ搬入し、処理ユニット１６に対して加熱部洗浄処理を行う。基板処理装置１は、加熱部洗浄処理が終了すると、処理ユニット１６から洗浄用治具４０を搬出する。洗浄用治具４０は、加熱部洗浄処理が実行されない場合には、例えば、受渡部１４の上方、または下方に設けられる載置部１４ａに載置される。

【0021】

＜処理ユニットの構成＞
次に、処理ユニット１６の構成について図２を参照し説明する。図２は、実施形態に係る処理ユニット１６の構成を示す図である。処理ユニット１６は、ウェハＷにめっき処理を行うユニットである。具体的には、処理ユニット１６は、ウェハＷに無電解めっき処理を行うユニットである。

【0022】

処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持部２１と、回転駆動部２２と、めっき液供給部２３と、第１洗浄液供給部２４と、リンス液供給部２５と、第２洗浄液供給部２６と、加熱部２７と、回収カップ２８とを備える。

【0023】

チャンバ２０は、基板保持部２１、加熱部２７、および回収カップ２８などを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２０ａが設けられる。ＦＦＵ２０ａは、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。

【0024】

基板保持部２１は、ウェハＷ（基板の一例）を保持する。具体的には、基板保持部２１は、基板搬送装置１７（図１参照）によって搬入されたウェハＷの下面を支持し、ウェハＷを水平に保持する。基板保持部２１は、ウェハＷの下面に真空吸着するバキュームチャックタイプである。基板保持部２１は、ウェハＷの中央付近を吸着する。基板保持部２１は、ウェハＷと同様に、洗浄用治具４０を保持する。

【0025】

基板保持部２１は、回転シャフト２１ａを介して回転駆動部２２に取り付けられる。回転駆動部２２は、例えば、モータである。回転駆動部２２が駆動され、回転駆動部２２で発生した回転が回転シャフト２１ａを介して基板保持部２１に伝達されることで、基板保持部２１が回転する。すなわち、回転駆動部２２は、基板保持部２１を回転させる。基板保持部２１がウェハＷを保持した状態で回転することで、ウェハＷは基板保持部２１と共に回転する。基板保持部２１が洗浄用治具４０を保持した状態で回転することで、洗浄用治具４０は基板保持部２１と共に回転する。基板保持部２１の回転速度、すなわちウェハＷの回転速度、および洗浄用治具４０の回転速度は、回転駆動部２２によって調整される。

【0026】

なお、以下では、基板保持部２１の回転軸を中心とした回転座標系を用いて説明することがある。例えば、基板保持部２１の回転軸を中心とした径方向を規定し、説明することがある。

【0027】

また、基板保持部２１は、モータや、シリンダなどの移動機構（不図示）によって、上下方向に沿って移動可能である。具体的には、基板保持部２１は、受け渡し位置と、処理位置との間を上下方向に沿って移動する。受け渡し位置は、回収カップ２８よりも上方の位置であり、基板搬送装置１７と基板保持部２１との間で、ウェハＷまたは洗浄用治具４０の受け渡しを行う位置である。処理位置は、受け渡し位置よりも下方であり、基板保持部２１によって保持されたウェハＷにめっき処理などを行う位置である。また、処理位置は、洗浄用治具４０を用いて加熱部洗浄処理を行う位置である。なお、ウェハＷにめっき処理などを行う位置と、洗浄用治具４０を用いて加熱部洗浄処理を行う位置とは、異なる位置であってもよい。

【0028】

めっき液供給部２３は、基板保持部２１に保持されたウェハＷの上面にめっき液（処理液の一例）を供給する。めっき液供給部２３は、めっき液供給ノズル２３ａと、めっき液供給源２３ｂとを備える。めっき液供給ノズル２３ａは、ノズルアーム３０に保持される。ノズルアーム３０は、左右方向（Ｘ軸方向）、および上下方向（Ｚ軸方向）に沿って移動可能である。

【0029】

ノズルアーム３０は、モータや、シリンダなどの移動機構（不図示）によって、左右方向、および上下方向に沿って移動する。ノズルアーム３０は、第１退避位置と第１上昇位置との間を左右方向に沿って移動する。第１退避位置は、ノズルアーム３０が回収カップ２８よりも径方向外側となる位置であり、加熱部２７の上下方向への移動を妨げない位置である。第１上昇位置は、基板保持部２１に保持されたウェハＷの上方となる位置であり、第１退避位置からＸ軸方向に沿って移動した位置である。

【0030】

また、ノズルアーム３０は、第１上昇位置と第１降下位置との間を上下方向に沿って移動する。第１降下位置は、第１上昇位置よりも下方であり、基板保持部２１によって保持されたウェハＷよりも上方となる位置である。

【0031】

めっき液供給ノズル２３ａは、めっき液供給ライン２３ｃを介してめっき液供給源２３ｂに接続される。めっき液供給ノズル２３ａは、めっき液供給源２３ｂから、所定の温度に加熱されためっき液が供給され、めっき液をウェハＷに吐出する。これにより、ウェハＷの上面には、めっき液が液盛りされる。

【0032】

めっき液は、無電解めっき用のめっき液である。めっき液は、例えば、コバルト（Ｃｏ）イオン、ニッケル（Ｎｉ）イオン、タングステン（Ｗ）イオン、銅（Ｃｕ）イオン、パラジウム（Ｐｄ）イオン、金（Ａｕ）イオン等の金属イオンと、次亜リン酸、ジメチルアミンボラン等の還元剤とを含有する。めっき液は、添加剤等を含有していてもよい。めっき液を使用しためっき処理により形成されるめっき膜としては、例えば、ＣｏＷＢ、ＣｏＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＢ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢＰ等が挙げられる。

【0033】

第１洗浄液供給部２４は、第１洗浄液供給ノズル２４ａと、第１洗浄液供給源２４ｂとを備える。第１洗浄液供給ノズル２４ａは、ノズルアーム３０に保持される。

【0034】

第１洗浄液供給ノズル２４ａは、第１洗浄液供給ライン２４ｃを介して第１洗浄液供給源２４ｂに接続される。第１洗浄液供給ノズル２４ａは、第１洗浄液供給源２４ｂから第１洗浄液が供給され、第１洗浄液をウェハＷの上面に吐出する。第１洗浄液は、例えば、ギ酸、リンゴ酸、コハク酸、クエン酸などの有機酸や、ウェハＷの被めっき面を腐食させない程度の濃度に希釈されたフッ化水素（ＤＨＦ）などである。

【0035】

リンス液供給部２５は、リンス液供給ノズル２５ａと、リンス液供給源２５ｂとを備える。リンス液供給ノズル２５ａは、ノズルアーム３０に保持される。

【0036】

リンス液供給ノズル２５ａは、リンス液供給ライン２５ｃを介してリンス液供給源２５ｂに接続される。リンス液供給ノズル２５ａは、リンス液供給源２５ｂからリンス液が供給され、リンス液をウェハＷに吐出する。リンス液は、例えば、純水である。

【0037】

第２洗浄液供給部２６は、基板保持部２１に保持されたウェハＷ（基板の一例）の下面に向けて第２洗浄液（洗浄液の一例）を供給する。第２洗浄液供給部２６（洗浄液供給部の一例）は、基板保持部２１に保持された洗浄用治具４０の下面に向けて第２洗浄液（洗浄液の一例）を供給する。第２洗浄液は、例えば、リンス液であり、純水である。以下では、第２洗浄液をリンス液として説明する。

【0038】

第２洗浄液供給部２６は、第２洗浄液供給ノズル２６ａと、第２洗浄液供給源２６ｂとを備える。第２洗浄液供給ノズル２６ａは、ノズル保持部（不図示）によって保持される。第２洗浄液供給ノズル２６ａは、第２洗浄液供給ライン２６ｃを介して第２洗浄液供給源２６ｂに接続される。

【0039】

第２洗浄液供給ノズル２６ａは、第２洗浄液供給源２６ｂからリンス液が供給され、第２洗浄液をウェハＷの下面、または洗浄用治具４０の下面に吐出する。第２洗浄液供給ノズル２６ａは、径方向内側から、径方向外側へ斜め上方に向けてリンス液を吐出するように設けられる。なお、第２洗浄液供給ノズル２６ａは、リンス液供給源２５ｂからリンス液が供給されてもよい。

【0040】

加熱部２７は、板状であり、円形状に形成される。加熱部２７は、内部にヒータ２７ａを備える。加熱部２７（蓋体の一例）は、後述する加熱位置において、基板保持部２１によって保持されたウェハＷ（基板の一例）、または基板保持部２１によって保持された洗浄用治具４０の上面を覆うように設けられる。加熱部２７は、めっき液が供給されたウェハＷを上面側から加熱する。加熱部２７は、ウェハＷに液盛りされためっき液を加熱し、ウェハＷの上面にめっき膜を形成する。加熱部２７の直径は、ウェハＷの直径よりも大きい。また、加熱部２７の直径は、回収カップ２８の開口径よりも小さい。なお、加熱部２７は、円環状であってもよい。

【0041】

加熱部２７は、アーム３１を介して支持部３２に取り付けられる。アーム３１は、モータや、シリンダなどの移動機構（不図示）によって、支持部３２を中心に回動可能であり、また、上下方向に沿って移動可能である。

【0042】

例えば、回動モータ（不図示）で発生した回転がアーム３１に伝達されると、加熱部２７は、アーム３１と共に回動する。加熱部２７は、第２退避位置と第２上昇位置との間を回動する。第２退避位置は、回収カップ２８よりも径方向外側となる位置であり、基板搬送装置１７（図１参照）と、基板保持部２１との間でウェハＷの受け渡しが可能となる位置である。第２上昇位置は、ウェハＷの上方を覆う位置であり、例えば、加熱部２７が基板保持部２１と略同軸上となる位置である。図２では、第２上昇位置にある加熱部２７、およびアーム３１を実線で示す。

【0043】

また、加熱部２７は、第２上方位置と、加熱位置との間を上下方向に沿って移動する。加熱位置は、第２上方位置よりも下方であり、ウェハＷに液盛りされためっき液に接触しない位置である。加熱位置は、めっき液が液盛りされたウェハＷを加熱する位置である。図２では、加熱位置にある加熱部２７、およびアーム３１を破線で示す。

【0044】

回収カップ２８は、基板保持部２１よりも径方向外側に設けられ、基板保持部２１の周囲に設けられる。回収カップ２８は、ウェハＷから飛散した液、例えば、めっき液を受ける。回収カップ２８は、洗浄用治具４０から飛散したリンス液を受ける。回収カップ２８によって回収された液は、ドレインライン２８ａを介して外部に排出される。なお、ドレインライン２８ａは、複数の経路を有しており、回収する液に応じて経路が切り替えられる。回収カップ２８は、ウェハＷ、または洗浄用治具４０を保持した基板保持部２１、および加熱部２７が上下方向に沿って移動可能となるように、上方が開口している。

【0045】

＜洗浄用治具＞
次に、洗浄用治具４０の構成について図３～図６を参照し説明する。図３は、実施形態に係る洗浄用治具４０の構成を示す平面図である。図４は、実施形態に係る洗浄用治具４０の図３のIV－IVにおける断面図である。図５は、実施形態に係る洗浄用治具４０の図３のIV－IVにおける断面図である。図６は、実施形態に係る洗浄用治具４０の図３のIV－IVにおける断面図である。

【0046】

洗浄用治具４０は、板部４１と、少なくとも１つの壁部４２と、少なくとも１つの羽根部４３とを備える。

【0047】

板部４１は、ウェハＷと同じ外形状であり、例えば、円形である。例えば、板部４１の直径は、ウェハＷの直径と等しい。板部４１は、基板保持部２１に保持される板部４１には、少なくとも１つの孔４４が形成される。孔４４は、第２洗浄液供給部２６（洗浄液供給部の一例）から吐出されたリンス液（洗浄液の一例）を加熱部２７（蓋体の一例）に向けて通過させるように設けられる。孔４４は、例えば、円形に形成される。

【0048】

板部４１には、複数の孔４４が形成される。具体的には、板部４１には、４つの孔４４が形成される。４つの孔４４は、例えば、板部４１の周方向に対して等間隔に形成される。すなわち、４つの孔４４は、板部４１の周方向に９０度の間隔で形成される。なお、孔４４の数は、これに限られることはなく、１つでもよく、２つ、または３つであってもよい。孔４４の数は、５つ以上であってもよい。

【0049】

壁部４２は、第２洗浄液供給部２６から吐出されて孔４４を通過したリンス液（洗浄液の一例）が衝突するように形成される。具体的には、壁部４２は、孔４４よりも径方向外側の板部４１から加熱部２７（蓋体の一例）側に延びるように形成される。例えば、壁部４２は、板部４１に対して直交するように形成される。壁部４２は、複数設けられる。壁部４２は、例えば、２つ設けられる。壁部４２は、板部４１の中心に対して対向する孔４４の近傍に設けられる。なお、壁部４２の数は、これに限られることはなく、１つでもよく、３つ以上であってもよい。

【0050】

以下では、板部４１に形成された複数の孔４４のうち、孔４４の近傍に壁部４２が形成される孔４４を「第１孔４４ａ」と称し、孔４４の近傍に壁部４２が形成されない孔４４を「第２孔４４ｂ」と称する場合がある。

【0051】

羽根部４３は、洗浄用治具４０がチャンバ２０内で回転することによって、洗浄用治具４０の上方に旋回流を発生させる。羽根部４３は、板部４１から加熱部２７（蓋体の一例）側に延びるように形成される。羽根部４３は、板部４１の径方向に沿って延びるように設けられる。羽根部４３は、２つの孔４４の間の板部４１から、斜め上方に延びるように形成される。羽根部４３は、板部４１に対して傾斜する傾斜面４５を有する。傾斜面４５は、洗浄用治具４０の回転方向において上流側の面に形成される。羽根部４３は、例えば、複数設けられる。羽根部４３は、例えば、４つ設けられる。なお、羽根部４３の数は、これに限られることはなく、１つでもよく、２つ、または３つであってもよい。羽根部４３の数は、５つ以上であってもよい。

【0052】

＜めっき処理＞
次に、実施形態に係るめっき処理について図７を参照し説明する。図７は、実施形態に係るめっき処理を説明するフローチャートである。

【0053】

基板処理装置１は、搬入処理を行う（Ｓ１０）。具体的には、基板処理装置１は、基板搬送装置１７によって、ウェハＷをチャンバ２０に搬入し、ウェハＷを基板保持部２１によって保持する。基板保持部２１は、ウェハＷの下面を吸着し、ウェハＷを水平に保つ。

【0054】

基板処理装置１は、洗浄処理を行う（Ｓ１１）。具体的には、基板処理装置１は、基板保持部２１を回転させてウェハＷを回転させつつ、第１洗浄液供給ノズル２４ａから洗浄液を吐出し、ウェハＷの洗浄を行う。なお、洗浄処理、および以下で説明する各処理におけるウェハＷの回転速度は、処理毎に調整される。各処理におけるウェハＷの回転速度は、処理中に変更されてもよい。

【0055】

基板処理装置１は、第１リンス処理を行う（Ｓ１２）。具体的には、基板処理装置１は、ウェハＷを回転させつつ、リンス液供給ノズル２５ａからリンス液を吐出し、ウェハＷに残存する洗浄液を洗い流す。また、基板処理装置１は、第２洗浄液供給ノズル２６ａからリンス液を吐出し、ウェハＷの下面を洗浄する。

【0056】

基板処理装置１は、めっき処理を行う（Ｓ１３）。具体的には、基板処理装置１は、ウェハＷを回転させつつ、めっき液供給ノズル２３ａからめっき液を供給する。これにより、ウェハＷには、めっき液が液盛りされる。

【0057】

基板処理装置１は、ウェハＷにめっき液が液盛りされた後に、加熱部２７を加熱位置まで降下させて、ウェハＷに液盛りされためっき液を加熱する。なお、基板処理装置１は、加熱部２７の加熱位置を変更して、めっき液を加熱してもよい。また、基板処理装置１は、不活性ガス供給部（不図示）を設け、不活性ガス供給部によって不活性ガスをチャンバ２０に吐出した後に、加熱部２７によってめっき液を加熱してもよい。また、基板処理装置１は、ウェハＷの回転を停止し、めっき液を加熱してもよい。

【0058】

基板処理装置１は、第２リンス処理を行う（Ｓ１４）。具体的には、基板処理装置１は、加熱部２７を退避位置まで移動させた後に、ウェハＷを回転させつつ、リンス液供給ノズル２５ａ、および第２洗浄液供給ノズル２６ａからリンス液を吐出し、ウェハＷをリンス液によって洗浄する。

【0059】

基板処理装置１は、乾燥処理を行う（Ｓ１５）。具体的には、基板処理装置１は、ウェハＷの回転速度を上昇させて、ウェハＷに残存するリンス液を振り切り、ウェハＷを乾燥させる。

【0060】

基板処理装置１は、搬出処理を行う（Ｓ１６）。具体的には、基板処理装置１は、ウェハＷの回転を停止し、基板搬送装置１７によって、ウェハＷをチャンバ２０から搬出する。

【0061】

上記するめっき処理を行うことで、加熱部２７に、めっき液の蒸気や、ミストなどが付着する。そのため、実施形態に係る基板処理装置１は、以下で説明する加熱部洗浄処理を行う。

【0062】

＜加熱部洗浄処理＞
次に、実施形態に係る加熱部洗浄処理について図８を参照し説明する。図８は、実施形態に係る加熱部洗浄処理を説明するフローチャートである。加熱部洗浄処理は、例えば、所定枚数のウェハＷにめっき処理を行った後に行われる。加熱部洗浄処理は、例えば、めっき処理の累積時間が所定時間となった後に行われてもよい。また、加熱部洗浄処理は、作業者などの操作、例えば、メンテナンスモードにおける洗浄操作ボタンの操作によって、任意のタイミングによって行われてもよい。

【0063】

基板処理装置１は、搬入処理を行う（Ｓ２０）。具体的には、基板処理装置１は、基板搬送装置１７によって、洗浄用治具４０をチャンバ２０に搬入し、洗浄用治具４０を基板保持部２１によって保持する。基板保持部２１は、洗浄用治具４０の板部４１の下面を吸着し、洗浄用治具４０を水平に保つ。

【0064】

基板処理装置１は、洗浄処理を行う（Ｓ２１）。具体的には、基板処理装置１は、加熱部２７を加熱位置まで降下させて、洗浄用治具４０を回転させつつ、第２洗浄液供給ノズル２６ａからリンス液を吐出する。第２洗浄液供給ノズル２６ａから吐出されたリンス液は、洗浄用治具４０の孔４４を通過し、洗浄用治具４０の板部４１よりも上方に供給される。なお、基板処理装置１は、加熱部２７の位置を加熱位置に対して変更してもよい。また、基板処理装置１は、加熱部２７の位置を変更しながら、第２洗浄液供給ノズル２６ａからリンス液を吐出してもよい。

【0065】

洗浄用治具４０の第１孔４４ａを通過したリンス液は、図４において破線の矢印で示すように、壁部４２に衝突し、径方向内側に向けて供給される。径方向内側に向けて供給されたリンス液は、加熱部２７の中心側に衝突し、拡散する。これによって、径方向内側の加熱部２７が、リンス液によって洗浄される。

【0066】

洗浄用治具４０の第２孔４４ｂを通過したリンス液は、図５において破線の矢印で示すように、径方向外側に向けて供給される。径方向外側に向けて供給されたリンス液は、加熱部２７の外周側に衝突し、拡散する。これによって、径方向外側の加熱部２７が、リンス液によって洗浄される。このように、リンス液は、径方向において広範囲の加熱部２７に供給され、広範囲の加熱部２７を洗浄する。

【0067】

洗浄用治具４０が回転することによって羽根部４３に当たったリンス液は、加熱部２７の広範囲に拡散される。そのため、リンス液は、径方向において広範囲の加熱部２７に供給され、広範囲の加熱部２７を洗浄する。

【0068】

また、洗浄用治具４０が回転することによって羽根部４３によって旋回流が形成され、リンス液のミストが拡散される。そのため、リンス液は、広範囲の加熱部２７を洗浄する。

【0069】

図８に戻り、基板処理装置１は、乾燥処理を行う（Ｓ２２）。具体的には、基板洗浄装置は、第２洗浄液供給ノズル２６ａによるリンス液の吐出を停止し、洗浄用治具４０を回転させる。例えば、基板洗浄装置は、洗浄用治具４０の回転速度を、洗浄処理における回転速度よりも大きくする。洗浄用治具４０が回転することによって羽根部４３によって旋回流が発生し、加熱部２７、およびチャンバ２０内を乾燥させる。

【0070】

基板処理装置１は、搬出処理を行う（Ｓ２３）。具体的には、基板処理装置１は、洗浄用治具４０の回転を停止し、基板搬送装置１７によって、洗浄用治具４０をチャンバ２０から搬出する。

【0071】

＜効果＞
基板処理装置１は、基板保持部２１と、回転駆動部２２と、加熱部２７（蓋体の一例）と、基板搬送装置１７（搬送機構の一例）と、第２洗浄液供給部２６（洗浄液供給部の一例）と、制御部１８とを備える。基板保持部２１は、ウェハＷ（基板の一例）を保持する。回転駆動部２２は、基板保持部２１を回転させる。加熱部２７は、基板保持部２１によって保持されたウェハＷの上面を覆う。基板搬送装置１７は、洗浄用治具４０を基板保持部２１に搬送する。第２洗浄液供給部２６は、基板保持部２１に保持された洗浄用治具４０の下面に向けてリンス液（洗浄液の一例）を供給する。制御部１８は、回転駆動部２２を制御することによって、基板保持部２１を回転させる。洗浄用治具４０には、第２洗浄液供給部２６から吐出されるリンス液を加熱部２７に向けて通過させる孔４４が少なくとも１つ形成される。

【0072】

これにより、基板処理装置１は、孔４４を通過するリンス液を加熱部２７の下面に当てることによって、加熱部２７をリンス液によって効率的に洗浄することができる。例えば、基板処理装置１は、加熱部２７の下面をリンス液によって効率的に洗浄することができる。

【0073】

また、基板処理装置１は、基板保持部２１に洗浄用治具４０を保持させた状態で、リンス液を供給し、加熱部２７を洗浄する。基板保持部２１によってウェハＷを保持する箇所、例えば、基板保持部２１のバキュームチャックの吸着面にリンス液などが付着すると、基板保持部２１におけるウェハＷの保持力が低下するおそれがある。基板処理装置１は、リンス液によって加熱部２７を洗浄する場合に、基板保持部２１の吸着面にリンス液が付着することを防止し、基板保持部２１におけるウェハＷの保持力の低下を防止することができる。

【0074】

洗浄用治具４０は、板部４１と、少なくとも１つの壁部４２とを備える。板部４１は、基板保持部２１に保持される。壁部４２は、板部４１から加熱部２７側に延びる。壁部４２は、孔４４を通過したリンス液が衝突するように形成される。

【0075】

これにより、基板処理装置１は、リンス液を壁部４２に衝突させて、加熱部２７の広範囲にリンス液を拡散することができる。そのため、基板処理装置１は、加熱部２７を効率的に洗浄することができる。

【0076】

壁部４２は、板部４１に対して直交するように形成される。

【0077】

これにより、基板処理装置１は、径方向中心側の加熱部２７にリンス液を供給することができ、径方向中心側の加熱部２７を洗浄することができる。そのため、基板処理装置１は、加熱部２７を効率的の洗浄することができる。

【0078】

洗浄用治具４０は、板部４１と、少なくとも１つの羽根部４３とを備える。羽根部４３は、板部４１から加熱部２７側に延びる。

【0079】

これにより、基板処理装置１は、羽根部４３に衝突するリンス液を拡散させることができる。基板処理装置１は、羽根部４３によって旋回流を発生させることによって、リンス液を拡散させることができる。そのため、基板処理装置１は、加熱部２７の広範囲にリンス液を供給することができ、加熱部２７を効率的に洗浄することができる。また、基板処理装置１は、リンス液の供給を停止した後に、洗浄用治具４０を回転させることによって、羽根部４３によって旋回流を発生させ、旋回流によってチャンバ２０内を早期に乾燥させることができる。

【0080】

基板処理装置１は、めっき液供給部２３を備える。めっき液供給部２３は、基板保持部２１に保持されたウェハＷの上面にめっき液を供給する。第２洗浄液供給部２６は、基板保持部２１に保持されるウェハＷの下面に向けてリンス液を供給する。

【0081】

これにより、基板処理装置１は、ウェハＷの下面を洗浄する第２洗浄液供給部２６を用いて、加熱部２７を洗浄することができる。すなわち、基板処理装置１は、加熱部２７の下面を洗浄するためのリンス液供給装置を別途設けずに、既存の装置によって加熱部２７を洗浄することができる。

【0082】

＜変形例＞
変形例に係る洗浄用治具５０の孔５１は、例えば、図９に示すように、洗浄用治具５０の周方向、具体的には板部４１の周方向に沿って形成されてもよい。図９は、実施形態の変形例に係る洗浄用治具５０の構成を示す平面図である。これにより、変形例に係る基板処理装置１は、孔５１を通過するリンス液の流量を多くすることができ、加熱部２７の洗浄効率を向上させることができる。

【0083】

変形例に係る洗浄用治具６０の羽根部６１は、例えば、図１０に示すように、第１傾斜面６２と、第２傾斜面６３とを備えてもよい。図１０は、実施形態の変形例に係る洗浄用治具６０における羽根部６１の断面を示す図である。第１傾斜面６２は、板部４１に対して第１角度θ１を有する。第２傾斜面６３は、板部４１に対して第２角度θ２を有する。第２角度θ２は、第１角度θ１よりも大きい。

【0084】

変形例に係る基板処理装置１の回転駆動部２２は、第１回転方向、および第１回転方向とは逆方向の第２回転方向に基板保持部２１を回転可能である。すなわち、変形例に係る基板処理装置１は、洗浄用治具６０を正逆回転させることができる。洗浄用治具６０が第１回転方向に回転する場合に、第１傾斜面６２は、第２傾斜面６３よりも回転方向において上流側に位置する。洗浄用治具６０が第２回転方向に回転する場合に、第２傾斜面６３は、第１傾斜面６２よりも回転方向において上流側に位置する。

【0085】

変形例に係る基板処理装置１は、加熱部洗浄処理における洗浄処理時に、基板保持部２１を第１回転方向に回転させる。変形例に係る基板処理装置１は、第１傾斜面６２によって形成される旋回流によってリンス液を拡散させる。また、変形例に係る基板処理装置１は、第１傾斜面６２に衝突するリンス液を拡散させる。変形例に係る基板処理装置１は、第１傾斜面６２によってリンス液を上方に向けて拡散させることができ、リンス液によって加熱部２７を効率よく洗浄することができる。

【0086】

変形例に係る基板処理装置１は、加熱部洗浄処理における乾燥処理時に、基板保持部２１を第２回転方向に回転させる。変形例に係る基板処理装置１は、第２傾斜面６３によって旋回流を発生させる。変形例に係る基板処理装置１は、第１回転方向の回転によって発生する旋回流よりも流速が大きい旋回流を第２傾斜面６３によって発生させることができ、チャンバ２０内を効率よく乾燥させることができる。

【0087】

変形例に係る基板処理装置１は、めっき処理においてウェハＷの下面にリンス液を供給するノズルと、加熱部洗浄処理においてリンス液を供給するノズルとを異なるノズルとしてもよい。例えば、めっき処理においてウェハＷの下面にリンス液を供給するノズルと、加熱部洗浄処理においてリンス液を供給するノズルとは、リンス液を吐出する吐出角度が異なる。これにより、変形例に係る基板処理装置１は、各処理において適切な吐出角度によって、リンス液を吐出することができる。

【0088】

変形例に係る洗浄用治具７０の壁部７１は、板部４１に対して傾斜するように形成される。壁部７１は、図１１に示す第１壁部７２、および図１２に示す第２壁部７３の少なくとも１つを含む。図１１は、実施形態の変形例に係る洗浄用治具７０の第１壁部７２の断面を示す図である。図１２は、実施形態の変形例に係る洗浄用治具７０の第２壁部７３の断面を示す図である。図１１、および図１２は、図３のIV-IVに対応する位置における断面図である。第１壁部７２は、上端が洗浄用治具７０の径方向内側に向くように形成される。第２壁部７３は、上端が洗浄用治具７０の径方向外側に向くように形成される。

【0089】

なお、壁部７１は、第１壁部７２と、第２壁部７３とを含んでもよい。壁部７１は、板部４１に対して直交する壁部４２（図４参照）、第１壁部７２、および第２壁部７３の２つ以上を含んでもよい。

【0090】

変形例に係る基板処理装置１は、第１壁部７２、および第２壁部７３の少なくとも１つによって、リンス液を広範囲に拡散させることができ、加熱部２７を効率的に洗浄することができる。

【0091】

変形例に係る基板処理装置１は、異なるチャンバによって、めっき液の液盛り、およびめっき液の加熱を行ってもよい。また、変形例に係る基板処理装置１は、めっき処理を行う装置に限られることはなく、ウェハＷに各種処理液を供給して処理を行う装置であってもよい。

【0092】

上記した実施形態、および変形例は、組み合わせて適用することができる。例えば、洗浄用治具４０は、洗浄用治具４０の周方向に孔５１が形成され、羽根部４３は、第１傾斜面６２と、第２傾斜面６３とを備えてもよい。例えば、洗浄用治具４０は、洗浄用治具４０の周方向に孔５１が形成され、壁部４２は、第１壁部７２、および第２壁部７３の少なくとも１つを含んでもよい。

【0093】

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0094】

１ 基板処理装置
４ 制御装置
１６ 処理ユニット
１７ 基板搬送装置（搬送機構）
１８ 制御部
２０ チャンバ
２１ 基板保持部
２２ 回転駆動部
２３ めっき液供給部
２４ 第１洗浄液供給部
２５ リンス液供給部
２６ 第２洗浄液供給部（洗浄液供給部）
２７ 加熱部（蓋体）
４０、５０、６０、７０ 洗浄用治具
４１ 板部
４２、７１ 壁部
４３、６１ 羽根部
４４、５１ 孔
４５ 傾斜面
６２ 第１傾斜面
６３ 第２傾斜面
７２ 第１壁部
７３ 第２壁部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】