特許7559330電磁波シールド用組成物、電磁波シールド用シート、電磁波シールド用焼結体及び電子部品装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-24
(45)【発行日】2024-10-02
(54)【発明の名称】電磁波シールド用組成物、電磁波シールド用シート、電磁波シールド用焼結体及び電子部品装置
(51)【国際特許分類】
H05K 9/00 20060101AFI20240925BHJP
H01B 1/00 20060101ALI20240925BHJP
H01B 1/22 20060101ALI20240925BHJP
H01B 5/14 20060101ALI20240925BHJP
B22F 1/00 20220101ALI20240925BHJP
B22F 3/10 20060101ALI20240925BHJP
C22C 1/04 20230101ALI20240925BHJP
C22C 13/00 20060101ALI20240925BHJP
C08L 101/00 20060101ALI20240925BHJP
【ＦＩ】
H05K9/00 W
H01B1/00 L
H01B1/22 A
H01B1/00 K
H01B5/14 Z
H01B1/22 B
B22F1/00 R
B22F3/10 101
B22F1/00 L
C22C1/04 E
C22C13/00
C08L101/00
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2020035275
(22)【出願日】2020-03-02
(65)【公開番号】P2021141119
(43)【公開日】2021-09-16
【審査請求日】2023-01-19
【前置審査】
(73)【特許権者】
【識別番号】000004455
【氏名又は名称】株式会社レゾナック
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】山岸 秀明
(72)【発明者】
【氏名】曽根 圭太
(72)【発明者】
【氏名】増田 宏
【審査官】太田 義典
(56)【参考文献】
【文献】特表２０１３－５１０２４０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－１７４３３２（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｋ ９／００
Ｈ０１Ｂ １／００
Ｈ０１Ｂ １／２２
Ｈ０１Ｂ ５／１４
Ｂ２２Ｆ １／００
Ｂ２２Ｆ ３／１０
Ｃ２２Ｃ １／０４
Ｃ２２Ｃ １３／００
Ｃ０８Ｌ １０１／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
金属粒子Ａと、前記金属粒子Ａよりも融点が低い金属粒子Ｂと、前記金属粒子Ｂに含まれる金属成分を含み、前記金属粒子Ｂよりも融点が低い合金粒子である金属粒子Ｃと、樹脂と、を含有し、前記金属粒子Ａと前記金属粒子Ｂと前記金属粒子Ｃとの間で、遷移的液相焼結が可能であり、
前記金属粒子ＡがＣｕを含み、前記金属粒子ＢがＳｎを含み、前記金属粒子ＣがＳｎを含み、
前記金属粒子Ａ、前記金属粒子Ｂ及び前記金属粒子Ｃの全体に占める前記金属粒子Ａの割合は、１０質量％～３０質量％であり、
前記金属粒子ＡはＣｕ粒子であり、前記金属粒子ＢはＳｎ粒子であり、前記金属粒子ＣはＳｎを含む合金であり、
前記金属粒子Ｃに対する前記金属粒子Ｂの割合（金属粒子Ｂ／金属粒子Ｃ）が質量基準で２８／４１～４０／２７である電磁波シールド用組成物。
【請求項2】
前記金属粒子Ｂの融点が、３００℃以下である請求項１に記載の電磁波シールド用組成物。
【請求項3】
前記金属粒子Ａ、前記金属粒子Ｂ及び前記金属粒子Ｃの全体に占める、質量基準でのＣｕの含有率とＳｎの含有率との比（Ｃｕ含有率／Ｓｎ含有率）が、０．２５～０．７０である請求項１又は請求項２に記載の電磁波シールド用組成物。
【請求項4】
前記金属粒子Ｃが、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ａｇ、及びＣｕからなる群より選択される少なくとも一種の金属成分Ｘを含む請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の電磁波シールド用組成物。
【請求項5】
前記金属粒子Ｃの全体に占める前記金属成分Ｘの割合が、３質量％～８０質量％である請求項４に記載の電磁波シールド用組成物。
【請求項6】
前記金属粒子Ａの平均粒子径が０．１μｍ～２μｍである請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の電磁波シールド用組成物。
【請求項7】
請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の電磁波シールド用組成物を含む樹脂組成物層を有する電磁波シールド用シート。
【請求項8】
請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の電磁波シールド用組成物又は請求項７に記載の電磁波シールド用シートの焼結体である電磁波シールド用焼結体。
【請求項9】
請求項８に記載の電磁波シールド用焼結体により覆われた領域を有する電子部品装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、電磁波シールド用組成物、電磁波シールド用シート、電磁波シールド用焼結体及び電子部品装置に関する。
【背景技術】
【0002】
電子機器に外部から不要な電磁波が入射すると誤作動を起こす可能性がある。そこで、電子機器には外部からの不要な電磁波をシールドする電磁波シールド材が用いられている。
【0003】
多くの電磁波シールド材は金属で構成されており、電磁波を反射することで電子機器を電磁波からシールドする。
【0004】
従来の電磁波シールド材としては、金属メッキ、金属筐体、金属塗料等が挙げられる。しかし、金属メッキは処理時間が長く、価格が高くなる傾向にある。また、電子機器の小型化に伴い金属筐体を小型化する必要があり、金属筐体の加工が困難になる傾向にある。
【0005】
一方、金属塗料は金属粒子、樹脂及び溶剤を含み、金属粒子の接触によって導通を得ている。金属塗料で形成された塗膜の体積抵抗率が低いほど、塗膜の電磁波シールド特性が向上する傾向にある。そのため、扁平状の金属粒子を使用することで金属粒子同士の接触点を増やし、塗膜の体積抵抗率を低減させることが望ましい（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開２００２－１５０８３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、扁平状の金属粒子を用いても、塗膜の体積抵抗率を低減するには限界がある。塗膜の体積抵抗率を低減するその他の手法として、金属粒子の添加量を増やして金属粒子同士の接点を増やす手法が考えられるが、金属粒子の添加量には限界があり、要求される特性を出すことは難しい場合がある。
【0008】
本開示は、上記従来の事情に鑑みてなされたものであり、電磁波シールド効果に優れる電磁波シールド用焼結体を形成可能な電磁波シールド用組成物、並びに、この電磁波シールド用組成物を用いた電磁波シールド用シート、電磁波シールド用焼結体及び電子部品装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
前記課題を達成するための具体的手段は以下の通りである。
＜１＞ 金属粒子Ａと、前記金属粒子Ａよりも融点が低い金属粒子Ｂと、前記金属粒子Ｂに含まれる金属成分を含み、前記金属粒子Ｂよりも融点が低い合金粒子である金属粒子Ｃと、樹脂と、を含有し、前記金属粒子Ａと前記金属粒子Ｂと前記金属粒子Ｃとの間で、遷移的液相焼結が可能な電磁波シールド用組成物。
＜２＞ 前記金属粒子Ｂの融点が、３００℃以下である＜１＞に記載の電磁波シールド用組成物。
＜３＞ 前記金属粒子ＡがＣｕを含み、前記金属粒子ＢがＳｎを含み、前記金属粒子ＣがＳｎを含む＜１＞又は＜２＞に記載の電磁波シールド用組成物。
＜４＞ 前記金属粒子Ａ、前記金属粒子Ｂ及び前記金属粒子Ｃの全体に占める、質量基準でのＣｕの含有率とＳｎの含有率との比（Ｃｕ含有率／Ｓｎ含有率）が、０．２５～０．７０である＜３＞に記載の電磁波シールド用組成物。
＜５＞ 前記金属粒子Ｃが、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ａｇ、及びＣｕからなる群より選択される少なくとも一種の金属成分Ｘを含む＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の電磁波シールド用組成物。
＜６＞ 前記金属粒子Ｃの全体に占める前記金属成分Ｘの割合が、３質量％～８０質量％である＜５＞に記載の電磁波シールド用組成物。
＜７＞ 前記金属粒子Ｃに対する前記金属粒子Ｂの割合（金属粒子Ｂ／金属粒子Ｃ）が、質量基準で１０／９０～９０／１０である＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の電磁波シールド用組成物。
＜８＞ 前記金属粒子Ａの平均粒子径が０．１μｍ～２μｍである＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の電磁波シールド用組成物。
＜１＞ 金属粒子Ａと、前記金属粒子Ａよりも融点が低い金属粒子Ｂと、前記金属粒子Ｂに含まれる金属成分を含み、前記金属粒子Ｂよりも融点が低い合金粒子である金属粒子Ｃと、樹脂と、を含有し、前記金属粒子Ａと前記金属粒子Ｂと前記金属粒子Ｃとの間で、遷移的液相焼結が可能な電磁波シールド用組成物。
＜２＞ 前記金属粒子Ｂの融点が、３００℃以下である＜１＞に記載の電磁波シールド用組成物。
＜３＞ 前記金属粒子ＡがＣｕを含み、前記金属粒子ＢがＳｎを含み、前記金属粒子ＣがＳｎを含む＜１＞又は＜２＞に記載の電磁波シールド用組成物。
＜４＞ 前記金属粒子Ａ、前記金属粒子Ｂ及び前記金属粒子Ｃの全体に占める、質量基準でのＣｕの含有率とＳｎの含有率との比（Ｃｕ含有率／Ｓｎ含有率）が、０．２５～０．７０である＜３＞に記載の電磁波シールド用組成物。
＜５＞ 前記金属粒子Ｃが、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ａｇ、及びＣｕからなる群より選択される少なくとも一種の金属成分Ｘを含む＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の電磁波シールド用組成物。
＜６＞ 前記金属粒子Ｃの全体に占める前記金属成分Ｘの割合が、３質量％～８０質量％である＜５＞に記載の電磁波シールド用組成物。
＜７＞ 前記金属粒子Ｃに対する前記金属粒子Ｂの割合（金属粒子Ｂ／金属粒子Ｃ）が、質量基準で１０／９０～９０／１０である＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の電磁波シールド用組成物。
＜８＞ 前記金属粒子Ａの平均粒子径が０．１μｍ～２μｍである＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の電磁波シールド用組成物。
【0010】
＜９＞ ＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の電磁波シールド用組成物を含む樹脂組成物層を有する電磁波シールド用シート。
＜１０＞ ＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の電磁波シールド用組成物又は＜９＞に記載の電磁波シールド用シートの焼結体である電磁波シールド用焼結体。
＜１１＞ ＜１０＞に記載の電磁波シールド用焼結体により覆われた領域を有する電子部品装置。
＜１０＞ ＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の電磁波シールド用組成物又は＜９＞に記載の電磁波シールド用シートの焼結体である電磁波シールド用焼結体。
＜１１＞ ＜１０＞に記載の電磁波シールド用焼結体により覆われた領域を有する電子部品装置。
【発明の効果】
【0011】
本開示によれば、電磁波シールド効果に優れる電磁波シールド用焼結体を形成可能な電磁波シールド用組成物、並びに、この電磁波シールド用組成物を用いた電磁波シールド用シート、電磁波シールド用焼結体及び電子部品装置を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本開示を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。
【0013】
本開示において「～」を用いて示された数値範囲には、「～」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において、各成分には、該当する物質が複数種含まれていてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率を意味する。
本開示において、各成分に該当する粒子には、複数種の粒子が含まれていてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
本開示において「層」又は「膜」との語には、当該層又は膜が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。
本開示において、層又は膜の平均厚みは、対象となる層又は膜の５点の厚みを測定し、その算術平均値として与えられる値とする。
層又は膜の厚みは、マイクロメーター等を用いて測定することができる。本開示において、層又は膜の厚みを直接測定可能な場合には、マイクロメーターを用いて測定する。一方、１つの層の厚み又は複数の層の総厚みを測定する場合には、電子顕微鏡を用いて、測定対象の断面を観察することで測定してもよい。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において、各成分には、該当する物質が複数種含まれていてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率を意味する。
本開示において、各成分に該当する粒子には、複数種の粒子が含まれていてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
本開示において「層」又は「膜」との語には、当該層又は膜が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。
本開示において、層又は膜の平均厚みは、対象となる層又は膜の５点の厚みを測定し、その算術平均値として与えられる値とする。
層又は膜の厚みは、マイクロメーター等を用いて測定することができる。本開示において、層又は膜の厚みを直接測定可能な場合には、マイクロメーターを用いて測定する。一方、１つの層の厚み又は複数の層の総厚みを測定する場合には、電子顕微鏡を用いて、測定対象の断面を観察することで測定してもよい。
【0014】
＜電磁波シールド用組成物＞
本開示の電磁波シールド用組成物は、金属粒子Ａと、前記金属粒子Ａよりも融点が低い金属粒子Ｂと、前記金属粒子Ｂに含まれる金属成分を含み、前記金属粒子Ｂよりも融点が低い合金粒子である金属粒子Ｃと、樹脂と、を含有し、前記金属粒子Ａと前記金属粒子Ｂと前記金属粒子Ｃとの間で、遷移的液相焼結が可能なものである。本開示の電磁波シールド用組成物は、上記成分以外のその他の成分を含有してもよい。
本開示の電磁波シールド用組成物は、金属粒子Ａと、前記金属粒子Ａよりも融点が低い金属粒子Ｂと、前記金属粒子Ｂに含まれる金属成分を含み、前記金属粒子Ｂよりも融点が低い合金粒子である金属粒子Ｃと、樹脂と、を含有し、前記金属粒子Ａと前記金属粒子Ｂと前記金属粒子Ｃとの間で、遷移的液相焼結が可能なものである。本開示の電磁波シールド用組成物は、上記成分以外のその他の成分を含有してもよい。
【0015】
本開示の電磁波シールド用組成物によれば、金属粒子Ａと金属粒子Ｂと金属粒子Ｃとの間で生ずる遷移的液相焼結を利用して、加熱により金属粒子Ａと金属粒子Ｂと金属粒子Ｃとの焼結体を形成することができる。形成される焼結体は、金属粒子同士が接触する場合に比較して界面抵抗が低く、導電性に優れる傾向にある。その結果、本開示の電磁波シールド用組成物を用いて形成される電磁波シールド用焼結体は体積抵抗率が低く、電磁波シールド効果に優れると推察される。
【0016】
さらに、電磁波シールド用組成物が合金粒子である金属粒子Ｃを含む場合、金属粒子Ｃに含まれる金属成分が原因で体積抵抗率が増加する場合がある。本開示の電磁波シールド用組成物では、金属粒子Ｂを含む分だけ組成物中における金属粒子Ｃの相対量を低下させることができる。その結果、金属粒子Ｃに含まれる金属成分に起因する体積抵抗率の増加を抑制できる。
【0017】
本開示の電磁波シールド用組成物では、金属粒子Ａと金属粒子Ｂと金属粒子Ｃとの間で、遷移的液相焼結が可能とされる。
本開示における「遷移的液相焼結」は、Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ（ＴＬＰＳ）とも称され、融点の異なる金属及び合金のうち相対的に融点が低い成分（低融点成分）の粒子界面における加熱による液相への転移と、相対的に融点が高い成分（高融点成分）の前記液相への反応拡散とにより、両成分による金属化合物の生成（合金化）が進行する現象をいう。この現象を利用して、低温で焼結可能であり、かつ焼結後の融点が高い焼結体を得ることができる。
また、本開示における「遷移的液相焼結」では、金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃに含まれる少なくとも一部の金属成分が焼結可能であればよく、全ての金属成分が焼結可能である必要はない。例えば、金属粒子Ｃは、Ｂｉ等の焼結時の反応に寄与しない金属成分を含んでいてもよい。
本開示における「遷移的液相焼結」は、Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ（ＴＬＰＳ）とも称され、融点の異なる金属及び合金のうち相対的に融点が低い成分（低融点成分）の粒子界面における加熱による液相への転移と、相対的に融点が高い成分（高融点成分）の前記液相への反応拡散とにより、両成分による金属化合物の生成（合金化）が進行する現象をいう。この現象を利用して、低温で焼結可能であり、かつ焼結後の融点が高い焼結体を得ることができる。
また、本開示における「遷移的液相焼結」では、金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃに含まれる少なくとも一部の金属成分が焼結可能であればよく、全ての金属成分が焼結可能である必要はない。例えば、金属粒子Ｃは、Ｂｉ等の焼結時の反応に寄与しない金属成分を含んでいてもよい。
【0018】
本開示の電磁波シールド用組成物では、金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃの順で融点が低下する。そのため、例えば、相対的に融点が低い成分である金属粒子Ｃ、又は金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃについて、粒子界面における加熱による液相への転移が起こり、相対的に融点が高い成分である金属粒子Ａ及び金属粒子Ｂ、又は金属粒子Ａが前記液相へ反応拡散することにより、遷移的液相焼結が起こる。
【0019】
以下、本開示の電磁波シールド用組成物を構成する成分について詳細に説明する。
【0020】
（金属粒子）
本開示の電磁波シールド用組成物は、金属粒子Ａと、金属粒子Ａよりも融点が低い金属粒子Ｂと、金属粒子Ｂに含まれる金属成分を含み、金属粒子Ｂよりも融点が低い合金粒子である金属粒子Ｃとを含有する。金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃに含まれる金属成分としては、金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃが前述の条件を満たし、かつ金属粒子Ａと金属粒子Ｂと金属粒子Ｃとの間で、遷移的液相焼結が可能となる金属成分であれば特に限定されない。
本開示の電磁波シールド用組成物は、金属粒子Ａと、金属粒子Ａよりも融点が低い金属粒子Ｂと、金属粒子Ｂに含まれる金属成分を含み、金属粒子Ｂよりも融点が低い合金粒子である金属粒子Ｃとを含有する。金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃに含まれる金属成分としては、金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃが前述の条件を満たし、かつ金属粒子Ａと金属粒子Ｂと金属粒子Ｃとの間で、遷移的液相焼結が可能となる金属成分であれば特に限定されない。
【0021】
金属粒子Ａ及び金属粒子Ｂの具体的な態様は、特に制限されない。例えば、金属粒子Ａ及び金属粒子Ｂがそれぞれ金属の単体の状態であっても、金属粒子Ａ及び金属粒子Ｂの一方又は両方が合金の状態であってもよい。また、金属粒子Ｃの具体的な態様は、合金粒子であれば特に限定されない。
好ましい態様としては、金属粒子Ｂが金属の単体の状態であり、金属粒子Ｃが金属粒子Ｂに含まれる金属と、後述の金属成分Ｘ等の他の金属との合金の状態である。より好ましい態様としては、金属粒子Ａ及び金属粒子Ｂが金属の単体の状態であり、金属粒子Ｃが金属粒子Ｂに含まれる金属と、後述の金属成分Ｘ等の他の金属との合金の状態である。
好ましい態様としては、金属粒子Ｂが金属の単体の状態であり、金属粒子Ｃが金属粒子Ｂに含まれる金属と、後述の金属成分Ｘ等の他の金属との合金の状態である。より好ましい態様としては、金属粒子Ａ及び金属粒子Ｂが金属の単体の状態であり、金属粒子Ｃが金属粒子Ｂに含まれる金属と、後述の金属成分Ｘ等の他の金属との合金の状態である。
【0022】
金属粒子Ａとしては、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅからなる群より選択される少なくとも一つを含む金属粒子であることが好ましい。
金属粒子Ｂとしては、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも一つを含む金属粒子であることが好ましい。
金属粒子Ｃとしては、金属粒子Ｂに含まれる金属成分としてＳｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも一つ、及び、後述の金属成分Ｘを含む合金粒子であることが好ましい。
なお、金属成分ＸがＩｎを含む場合、金属粒子Ｂとしては、Ｉｎを含まず、Ｓｎ及びＺｎの少なくとも一つを含む金属粒子であることが好ましく、金属粒子Ｃとしては、金属成分Ｘとともに、金属粒子Ｂに含まれる金属成分としてＳｎ及びＺｎの少なくとも一つを含むことが好ましい。
また、金属成分ＸがＺｎを含む場合、金属粒子Ｂとしては、Ｚｎを含まず、Ｓｎ及びＩｎの少なくとも一つを含む金属粒子であることが好ましく、金属粒子Ｃとしては、金属成分Ｘとともに、金属粒子Ｂに含まれる金属成分としてＳｎ及びＩｎの少なくとも一つを含むことが好ましい。
金属粒子Ｂとしては、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも一つを含む金属粒子であることが好ましい。
金属粒子Ｃとしては、金属粒子Ｂに含まれる金属成分としてＳｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも一つ、及び、後述の金属成分Ｘを含む合金粒子であることが好ましい。
なお、金属成分ＸがＩｎを含む場合、金属粒子Ｂとしては、Ｉｎを含まず、Ｓｎ及びＺｎの少なくとも一つを含む金属粒子であることが好ましく、金属粒子Ｃとしては、金属成分Ｘとともに、金属粒子Ｂに含まれる金属成分としてＳｎ及びＺｎの少なくとも一つを含むことが好ましい。
また、金属成分ＸがＺｎを含む場合、金属粒子Ｂとしては、Ｚｎを含まず、Ｓｎ及びＩｎの少なくとも一つを含む金属粒子であることが好ましく、金属粒子Ｃとしては、金属成分Ｘとともに、金属粒子Ｂに含まれる金属成分としてＳｎ及びＩｎの少なくとも一つを含むことが好ましい。
【0023】
金属粒子Ａと金属粒子Ａよりも融点が低い金属粒子Ｂと金属粒子Ｂよりも融点が低い金属粒子Ｃとの組み合わせ（金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ、金属粒子Ｃ）としては、例えば、（Ｃｕを含む金属粒子、Ｓｎを含む金属粒子、Ｓｎを含む金属粒子）、（Ｃｕを含む金属粒子、Ｚｎを含む金属粒子、Ｚｎを含む金属粒子）（Ａｕを含む金属粒子、Ｉｎを含む金属粒子、Ｉｎを含む金属粒子）、（Ｃｏを含む金属粒子、Ｓｎを含む金属粒子、Ｓｎを含む金属粒子）、（Ｎｉを含む金属粒子、Ｓｎを含む金属粒子、Ｓｎを含む金属粒子）、及び（Ｃｕを含む金属粒子、Ｓｎを含む金属粒子、Ｂｉを含む金属粒子）が挙げられる。中でも、金属粒子ＡがＣｕを含み、金属粒子ＢがＳｎを含み、金属粒子ＣがＢｉを含む構成が好ましい。
【0024】
焼結後の接合強度の観点からは、金属粒子Ａの融点は３００℃より高いことが好ましく、５００℃以上であることがより好ましく、８００℃以上であることがさらに好ましい。本開示の電磁波シールド用組成物は、２種以上の金属粒子Ａを含んでいてもよく、例えば、融点がいずれも３００℃より高い２種以上の金属粒子Ａを含んでいてもよい。
【0025】
焼結時の液相への転移を促進する観点からは、金属粒子Ｂの融点は３００℃以下であることが好ましく、２７０℃以下であることがより好ましく、２５０℃以下であることがさらに好ましい。本開示の電磁波シールド用組成物は、２種以上の金属粒子Ｂを含んでいてもよく、例えば、融点がいずれも３００℃以下の２種以上の金属粒子Ｂを含んでいてもよい。
【0026】
金属粒子Ｃの融点は、金属粒子Ｂの融点よりも低ければ特に限定されず、焼結時の液相への転移を促進する観点からは、２５０℃以下であることが好ましく、２００℃以下であることがより好ましく、１５０℃以下であることがさらに好ましい。本開示の電磁波シールド用組成物は、２種以上の金属粒子Ｃを含んでいてもよく、例えば、融点がいずれも２５０℃以下の２種以上の金属粒子Ｃを含んでいてもよい。
【0027】
金属粒子Ｃは、遷移的液相焼結が可能となる温度を低下させる観点から、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ａｇ、及びＣｕからなる群より選択される少なくとも一種の金属成分Ｘを含むことが好ましく、金属粒子Ｂに含まれる金属成分として金属成分Ｘ以外を含み、かつ金属成分Ｘを含むことがより好ましく、金属粒子Ｂに含まれる金属成分としてＳｎを含み、かつ金属成分Ｘを含むことがさらに好ましい。また、金属粒子Ｂは、電磁波シールド用焼結体の体積抵抗率を好適に低下させる観点から、金属成分Ｘを含まないことが好ましい。
【0028】
金属成分Ｘとしては、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｇ、及びＣｕからなる群より選択される少なくとも一種を含むことがより好ましく、遷移的液相焼結が可能となる温度をより低下させる観点から、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＣｄからなる群より選択される少なくとも一種を含むことがさらに好ましい。
【0029】
金属粒子Ｃは、遷移的液相焼結が可能となる温度を低下させる観点及び電磁波シールド用焼結体の体積抵抗率を好適に低下させる観点から、金属粒子Ｃの全体に占める金属成分Ｘの割合が、３質量％～８０質量％であることが好ましく、５質量％～１５質量％、２０質量％～３０質量％、又は５０質量％～６０質量％であることがより好ましい。
【0030】
ある実施態様では、金属粒子ＡがＣｕ（融点：１０８５℃）粒子であり、金属粒子ＢがＳｎ（融点：２３２℃）粒子であり、金属粒子ＣがＳｎを含む合金（融点：２３２℃未満、例えば、１３８℃）であることが好ましい。ＣｕとＳｎとは、焼結により銅－錫金属化合物（Ｃｕ６Ｓｎ５）を生成する。この生成反応は１５０℃付近で進行するため、リフロー炉等の一般的な設備による焼結が可能である。
【0031】
金属粒子ＣがＳｎを含む合金の状態である場合の例としては、ＳｎＢｉ合金、ＳｎＩｎ合金、ＳｎＺｎ合金、ＳｎＰｂ合金、ＳｎＣｄ合金等が挙げられる。中でも、遷移的液相焼結が可能となる温度を低下させる観点から、ＳｎＢｉ合金が好ましい。ＳｎＢｉ合金を用いた場合、Ｂｉが焼結時の反応に寄与しないため、電磁波シールド用焼結体の体積抵抗率が上昇する傾向にある。一方、本開示の電磁波シールド用組成物では、ＳｎＢｉ合金とともに金属粒子ＢとしてＳｎを用いることにより、組成物中におけるＢｉの相対量を低減できるため、Ｂｉに起因する体積抵抗率の増加を好適に抑制できる傾向にある。
【0032】
ＳｎＢｉ合金の組成は特に制限されず、例えば、Ｓｎを含む合金の中に元素Ｂｉが５８質量％含まれているＳｎ－Ｂｉ５８が挙げられる。Ｓｎ－Ｂｉ５８で表される合金の融点（液相転移温度）は、約１３８℃である。
【0033】
金属粒子ＡがＣｕを含み、金属粒子ＢがＳｎを含み、金属粒子ＣがＳｎを含む場合、金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃの全体に占める、質量基準でのＣｕの含有率とＳｎの含有率との比（Ｃｕ含有率／Ｓｎ含有率）は、体積抵抗率及び体積収縮の観点から、０．２５～０．７０であることが好ましく、０．３０～０．６０であることがより好ましく、０．４０～０．５０であることがさらに好ましい。
【0034】
金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃの全体に占める金属粒子Ａの割合は、１０質量％～３０質量％であることが好ましく、１５質量％～２５質量％であることがより好ましい。
【0035】
金属粒子Ｃに対する金属粒子Ｂの割合（金属粒子Ｂ／金属粒子Ｃ）が、質量基準で１０／９０～９０／１０であることが好ましく、２０／８０～８０／２０であることがより好ましく、３０／７０～７０／３０であることがさらに好ましい。金属粒子Ｂ／金属粒子Ｃが１０／９０以上であることにより、電磁波シールド用焼結体の体積抵抗率を好適に低下させることができる傾向にある。金属粒子Ｂ／金属粒子Ｃが９０／１０以下であることにより、遷移的液相焼結が可能となる温度を低下させることができる傾向にある。
【0036】
金属粒子Ａ及び金属粒子Ｂは、それぞれ１種の金属のみからなっていても、２種以上の金属からなっていてもよい。金属粒子Ａ又は金属粒子Ｂが２種以上の金属からなる場合、当該金属粒子は２種以上の金属のそれぞれを含む金属粒子の組み合わせ（混合物）であっても、２種以上の金属が同じ金属粒子中に含まれていても、これらの組み合わせであってもよい。
【0037】
同じ金属粒子中に２種以上の金属を含有する金属粒子の構成は、特に制限されない。例えば、２種以上の金属の合金からなる金属粒子であっても、２種以上の金属の単体から構成される金属粒子であってもよい。２種以上の金属の単体から構成される金属粒子は、例えば、一方の金属を含む金属粒子の表面に、めっき、蒸着等により他方の金属を含む層を形成することで得ることができる。また、一方の金属を含む金属粒子の表面に、高速気流中で衝撃力を主体とした力を用いて乾式で他方の金属を含む粒子を付与して両者を複合化する方法により、同じ金属粒子中に２種以上の金属を含有する金属粒子を得ることもできる。
【0038】
金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃの平均粒子径は、特に限定されない。
【0039】
例えば、金属粒子Ａの平均粒子径は、０．０５μｍ～１０μｍであることが好ましく、０．１μｍ～２μｍであることがより好ましく、０．１５μｍ～１μｍであることがさらに好ましい。特に金属粒子Ａの平均粒子径が２μｍ以下であることにより、遷移的液相焼結後に、液相焼結していない金属粒子Ａの量を低減させることができ、その結果、電磁波シールド用焼結体の体積抵抗率を好適に低下させることができる傾向にある。
【0040】
金属粒子Ｂの平均粒子径は、金属充填率の観点から、０．０１μｍ～４μｍであることが好ましく、０．０５μｍ～１μｍ又は２μｍ～３μｍであることがより好ましい。
【0041】
金属粒子Ｃの平均粒子径は、金属充填率の観点から、０．０１μｍ～４μｍであることが好ましく、０．０５μｍ～１μｍ又は２μｍ～３μｍであることがより好ましい。
【0042】
本開示では、金属粒子の平均粒径は、レーザー回折式粒度分布計（例えば、ベックマン・コールター株式会社、ＬＳ １３ ３２０型レーザー散乱回折法粒度分布測定装置）によって測定される体積平均粒径をいう。具体的には、溶剤（テルピネオール）１２５ｇに、金属粒子を０．０１質量％～０．３質量％の範囲内で添加し、分散液を調製する。この分散液の約１００ｍｌ程度をセルに注入して２５℃で測定する。粒度分布は溶剤の屈折率を１．４８として測定する。
【0043】
電磁波シールド用組成物中における金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃの合計の含有率は、特に限定されるものではない。例えば、電磁波シールド用組成物の固形分全体に占める金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃの合計の質量基準の割合は、９６質量％以下であることが好ましく、９５質量％以下であることがより好ましく、９４質量％以下であることがさらに好ましい。また、電磁波シールド用組成物の固形分全体に占める金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃの合計の質量基準の割合は、６５質量％以上であってもよい。
【0044】
（樹脂）
本開示の電磁波シールド用組成物は、樹脂を含有する。電磁波シールド用組成物が樹脂を含むことで、金属粒子Ａと金属粒子Ｂと金属粒子Ｃとの焼結体中の空隙が樹脂で充填され、応力緩和性及び接着力が向上する傾向にある。
本開示の電磁波シールド用組成物は、樹脂を含有する。電磁波シールド用組成物が樹脂を含むことで、金属粒子Ａと金属粒子Ｂと金属粒子Ｃとの焼結体中の空隙が樹脂で充填され、応力緩和性及び接着力が向上する傾向にある。
【0045】
電磁波シールド用組成物に含まれる樹脂は、熱可塑性樹脂であっても熱硬化性樹脂であっても、これらの組み合わせであってもよい。また、樹脂は、加熱により重合反応を生じうる官能基を有するモノマーの状態であっても、すでに重合したポリマーの状態であってもよい。
【0046】
電磁波シールド用組成物では、耐熱性の観点からは、樹脂として熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、ヒドロキシ基、ビニル基、カルボキシ基、アミノ基、マレイミド基、酸無水物基、チオール基、チオニル基等の官能基を有する樹脂が挙げられる。
【0047】
熱硬化性樹脂として具体的には、エポキシ樹脂、オキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。これらの中でもエポキシ樹脂が好ましい。
【0048】
エポキシ樹脂の具体例としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂及び環式脂肪族エポキシ樹脂が挙げられる。樹脂は、１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。
【0049】
電磁波シールド用組成物中における樹脂の含有率は特に制限されない。例えば、電磁波シールド用組成物の固形分全体に占める樹脂の割合は、０．１質量％～１０質量％であることが好ましく、０．５質量％～６質量％であることがより好ましく、１質量％～５質量％であることがさらに好ましい。
また、金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃを除く電磁波シールド用組成物の固形分に占める樹脂の割合は、５質量％～５０質量％であることが好ましく、７質量％～３０質量％であることがより好ましく、１０質量％～２０質量％であることがさらに好ましい。
また、金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃを除く電磁波シールド用組成物の固形分に占める樹脂の割合は、５質量％～５０質量％であることが好ましく、７質量％～３０質量％であることがより好ましく、１０質量％～２０質量％であることがさらに好ましい。
【0050】
（硬化剤）
樹脂が熱硬化性樹脂である場合、電磁波シールド用組成物は、熱硬化性樹脂を硬化する硬化剤を含有してもよい。
硬化剤の種類は特に限定されるものではなく、熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜選択される。
樹脂が熱硬化性樹脂である場合、電磁波シールド用組成物は、熱硬化性樹脂を硬化する硬化剤を含有してもよい。
硬化剤の種類は特に限定されるものではなく、熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜選択される。
【0051】
熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合、硬化剤としては、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等が挙げられる。硬化剤は、液体状のものでも固体状のものでも使用可能である。
硬化剤は、１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。
硬化剤は、１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。
【0052】
アミン系硬化剤としては、鎖状脂肪族アミン、環状脂肪族アミン、脂肪芳香族アミン、芳香族アミン等が挙げられる。
アミン系硬化剤としては、具体的には、ｍ－フェニレンジアミン、１，３－ジアミノトルエン、１，４－ジアミノトルエン、２，４－ジアミノトルエン、３，５－ジエチル－２，４－ジアミノトルエン、３，５－ジエチル－２，６－ジアミノトルエン、２，４－ジアミノアニソール等の芳香環が１個の芳香族アミン硬化剤；４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－メチレンビス（２－エチルアニリン）、３，３’－ジエチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，５’－テトラメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，５’－テトラエチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン等の芳香環が２個の芳香族アミン硬化剤；芳香族アミン硬化剤の加水分解縮合物；ポリテトラメチレンオキシドジ－ｐ－アミノ安息香酸エステル、ポリテトラメチレンオキシドジ－ｐ－アミノベンゾエート等のポリエーテル構造を有する芳香族アミン硬化剤；芳香族ジアミンとエピクロロヒドリンとの縮合物；芳香族ジアミンとスチレンとの反応生成物；などが挙げられる。
アミン系硬化剤としては、具体的には、ｍ－フェニレンジアミン、１，３－ジアミノトルエン、１，４－ジアミノトルエン、２，４－ジアミノトルエン、３，５－ジエチル－２，４－ジアミノトルエン、３，５－ジエチル－２，６－ジアミノトルエン、２，４－ジアミノアニソール等の芳香環が１個の芳香族アミン硬化剤；４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－メチレンビス（２－エチルアニリン）、３，３’－ジエチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，５’－テトラメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，５’－テトラエチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン等の芳香環が２個の芳香族アミン硬化剤；芳香族アミン硬化剤の加水分解縮合物；ポリテトラメチレンオキシドジ－ｐ－アミノ安息香酸エステル、ポリテトラメチレンオキシドジ－ｐ－アミノベンゾエート等のポリエーテル構造を有する芳香族アミン硬化剤；芳香族ジアミンとエピクロロヒドリンとの縮合物；芳香族ジアミンとスチレンとの反応生成物；などが挙げられる。
【0053】
酸無水物系硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、メチルハイミック酸無水物、ハイミック酸無水物、無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、クロレンド酸無水物、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、３－メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４－メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸マレイン酸付加物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、水素化メチルナジック酸無水物、無水マレイン酸とジエン化合物からディールス・アルダー反応で得られ、複数のアルキル基を有するトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸等の各種環状酸無水物が挙げられる。
【0054】
フェノール系硬化剤としては、フェノール化合物（例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ及びビスフェノールＦ）並びにナフトール化合物（例えば、α－ナフトール、β－ナフトール及びジヒドロキシナフタレン）からなる群より選択される少なくとも１種と、アルデヒド化合物（例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド及びサリチルアルデヒド）とを、酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂；フェノール・アラルキル樹脂；ビフェニル・アラルキル樹脂；ナフトール・アラルキル樹脂；等が挙げられる。
【0055】
硬化剤の官能基（例えば、アミン系硬化剤の場合にはアミノ基、フェノール系硬化剤の場合にはフェノール性水酸基、酸無水物系硬化剤の場合には酸無水物基）の当量数とエポキシ樹脂の当量数との比（硬化剤の当量数／エポキシ樹脂の当量数）を、０．６～１．４の範囲に設定することが好ましく、０．７～１．３の範囲に設定することがより好ましく、０．８～１．２の範囲に設定することがさらに好ましい。
【0056】
（硬化促進剤）
電磁波シールド用組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合、電磁波シールド用組成物は熱硬化性樹脂の硬化反応又は熱硬化性樹脂と硬化剤との硬化反応を促進する硬化促進剤を含有してもよい。
硬化促進剤の種類は特に限定されるものではなく、熱硬化性樹脂及び硬化剤の種類に応じて適宜選択される。
電磁波シールド用組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合、電磁波シールド用組成物は熱硬化性樹脂の硬化反応又は熱硬化性樹脂と硬化剤との硬化反応を促進する硬化促進剤を含有してもよい。
硬化促進剤の種類は特に限定されるものではなく、熱硬化性樹脂及び硬化剤の種類に応じて適宜選択される。
【0057】
硬化促進剤としては、具体的には、１，８－ジアザ－ビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７、１，５－ジアザ－ビシクロ［４．３．０］ノネン、５，６－ジブチルアミノ－１，８－ジアザ－ビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７等のシクロアミジン化合物；シクロアミジン化合物に無水マレイン酸、１，４－ベンゾキノン、２，５－トルキノン、１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルベンゾキノン、２，６－ジメチルベンゾキノン、２，３－ジメトキシ－５－メチル－１，４－ベンゾキノン、２，３－ジメトキシ－１，４－ベンゾキノン、フェニル－１，４－ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂などのπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物；ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の３級アミン化合物；３級アミン化合物の誘導体；イミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物；イミダゾール化合物の誘導体；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２－エチル－４－メチルイミダゾリウムテトラフェニルボレート、Ｎ－メチルモルホリニウムテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボレート塩；テトラフェニルボレート塩の誘導体；トリフェニルホスフィン－トリフェニルボラン錯体、モルホリン－トリフェニルボラン錯体等のトリフェニルボラン錯体；などが挙げられる。硬化促進剤は、１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。
【0058】
硬化促進剤の含有率は、熱硬化性樹脂及び硬化剤の合計量に対して、０．１質量％～１５質量％であることが好ましい。
【0059】
（フラックス成分）
本開示の電磁波シールド用組成物は、フラックス成分を含有してもよい。本開示においてフラックス成分とは、フラックス作用（酸化膜の除去作用）を発揮しうる有機化合物を意味し、その種類は特に制限されない。フラックス成分は、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂の硬化剤として機能するものであってもよい。本開示において、フラックス成分としてもエポキシ樹脂の硬化剤としても機能する成分は、フラックス成分と称することとする。
フラックス成分として具体的には、ロジン、活性剤、チキソ剤、酸化防止剤等が挙げられる。フラックス成分は、１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。
本開示の電磁波シールド用組成物は、フラックス成分を含有してもよい。本開示においてフラックス成分とは、フラックス作用（酸化膜の除去作用）を発揮しうる有機化合物を意味し、その種類は特に制限されない。フラックス成分は、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂の硬化剤として機能するものであってもよい。本開示において、フラックス成分としてもエポキシ樹脂の硬化剤としても機能する成分は、フラックス成分と称することとする。
フラックス成分として具体的には、ロジン、活性剤、チキソ剤、酸化防止剤等が挙げられる。フラックス成分は、１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。
【0060】
ロジンとして具体的には、デヒドロアビエチン酸、ジヒドロアビエチン酸、ネオアビエチン酸、ジヒドロピマル酸、ピマル酸、イソピマル酸、テトラヒドロアビエチン酸、パラストリン酸、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸（ＢＨＰＡ）等が挙げられる。
活性剤として具体的には、アミノデカン酸、ペンタン－１，５－ジカルボン酸、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、エタノールアミンジフェニル酢酸、セバシン酸、フタル酸、安息香酸、ジブロモサリチル酸、アニス酸、ヨードサリチル酸、ピコリン酸等が挙げられる。
チキソ剤として具体的には、１２－ヒドロキシステアリン酸、１２－ヒドロキシステアリン酸トリグリセリド、エチレンビスステアリン酸アマイド、ヘキサメチレンビスオレイン酸アマイド、Ｎ，Ｎ’－ジステアリルアジピン酸アマイド等が挙げられる。
酸化防止剤として具体的には、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、ヒドロキシルアミン系酸化防止剤等が挙げられる。
活性剤として具体的には、アミノデカン酸、ペンタン－１，５－ジカルボン酸、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、エタノールアミンジフェニル酢酸、セバシン酸、フタル酸、安息香酸、ジブロモサリチル酸、アニス酸、ヨードサリチル酸、ピコリン酸等が挙げられる。
チキソ剤として具体的には、１２－ヒドロキシステアリン酸、１２－ヒドロキシステアリン酸トリグリセリド、エチレンビスステアリン酸アマイド、ヘキサメチレンビスオレイン酸アマイド、Ｎ，Ｎ’－ジステアリルアジピン酸アマイド等が挙げられる。
酸化防止剤として具体的には、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、ヒドロキシルアミン系酸化防止剤等が挙げられる。
【0061】
電磁波シールド用組成物がフラックス成分を含有する場合、フラックス成分としては、ロジン及び活性剤の少なくとも一方を含有することが好ましい。この場合、ロジンがＢＨＰＡを含み、活性剤がトリエタノールアミンを含むことが好ましい。フラックス成分としては、ＢＨＰＡとトリエタノールアミンとを併用することがより好ましい。
【0062】
電磁波シールド用組成物がフラックス成分を含有する場合、電磁波シールド用組成物の固形分全体に占めるフラックス成分の割合は、例えば、１質量％～２０質量％であることが好ましく、３質量％～１５質量％であることがより好ましく、５質量％～１０質量％であることがさらに好ましい。
金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃを除く電磁波シールド用組成物の固形分に占めるフラックス成分の割合は、５０質量％～９５質量％であることが好ましく、７０質量％～９５質量％であることがより好ましく、８０質量％～９０質量％であることがさらに好ましい。
金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃを除く電磁波シールド用組成物の固形分に占めるフラックス成分の割合は、５０質量％～９５質量％であることが好ましく、７０質量％～９５質量％であることがより好ましく、８０質量％～９０質量％であることがさらに好ましい。
【0063】
（溶剤）
本開示の電磁波シールド用組成物は、溶剤を含有してもよい。樹脂を充分に溶解する観点から、溶剤は極性溶剤が好ましく、電磁波シールド用組成物を付与する際の電磁波シールド用組成物の乾燥を抑制する観点から、２００℃以上の沸点を有している溶剤であることが好ましく、焼結時のボイドの発生を抑制する観点から３００℃以下の沸点を有している溶剤であることがより好ましい。
本開示の電磁波シールド用組成物は、溶剤を含有してもよい。樹脂を充分に溶解する観点から、溶剤は極性溶剤が好ましく、電磁波シールド用組成物を付与する際の電磁波シールド用組成物の乾燥を抑制する観点から、２００℃以上の沸点を有している溶剤であることが好ましく、焼結時のボイドの発生を抑制する観点から３００℃以下の沸点を有している溶剤であることがより好ましい。
【0064】
溶剤の例としては、テルピネオール、ステアリルアルコール、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（別名、エトキシエトキシエタノール）、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（別名、ヘキシルカルビトール）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコール－ｎ－プロピルエーテル、ジプロピレングリコール－ｎ－ブチルエーテル、トリプロピレングリコール－ｎ－ブチルエーテル、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、プロピレングリコールフェニルエーテル、２－（２－ブトキシエトキシ）エタノール等のアルコール類；クエン酸トリブチル、４－メチル－１，３－ジオキソラン－２－オン、γ－ブチロラクトン、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、グリセリントリアセテート等のエステル類；イソホロン等のケトン；Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のラクタム；フェニルアセトニトリル等のニトリル類；などを挙げることができる。溶剤は、１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。
【0065】
電磁波シールド用組成物中の溶剤の割合は、電磁波シールド用組成物がスクリーン印刷法、スプレー塗布法等の付与方法に適した粘度となる量であることが好ましい。
電磁波シールド用組成物中の溶剤の割合は、例えば、０．１質量％～５質量％であることが好ましく、０．２質量％～３質量％であることがより好ましく、０．３質量％～１質量％であることがさらに好ましい。
電磁波シールド用組成物中の溶剤の割合は、例えば、０．１質量％～５質量％であることが好ましく、０．２質量％～３質量％であることがより好ましく、０．３質量％～１質量％であることがさらに好ましい。
【0066】
（電磁波シールド用組成物の製造方法）
本開示の電磁波シールド用組成物の製造方法は、特に限定されるものではない。電磁波シールド用組成物を構成する成分を混合し、さらに撹拌、溶解、分散等の処理をすることにより得ることができる。これらの混合、撹拌、分散等のための装置としては、特に限定されるものではなく、３本ロールミル、プラネタリーミキサ、遊星式ミキサ、自転公転型撹拌装置、らいかい機、二軸混練機、薄層せん断分散機等を使用することができる。また、これらの装置を適宜組み合わせて使用してもよい。上記処理の際、必要に応じて加熱してもよい。
処理後、ろ過により電磁波シールド用組成物の最大粒径を調整してもよい。ろ過は、ろ過装置を用いて行うことができる。ろ過用のフィルタとしては、例えば、金属メッシュ、メタルフィルター及びナイロンメッシュが挙げられる。
本開示の電磁波シールド用組成物の製造方法は、特に限定されるものではない。電磁波シールド用組成物を構成する成分を混合し、さらに撹拌、溶解、分散等の処理をすることにより得ることができる。これらの混合、撹拌、分散等のための装置としては、特に限定されるものではなく、３本ロールミル、プラネタリーミキサ、遊星式ミキサ、自転公転型撹拌装置、らいかい機、二軸混練機、薄層せん断分散機等を使用することができる。また、これらの装置を適宜組み合わせて使用してもよい。上記処理の際、必要に応じて加熱してもよい。
処理後、ろ過により電磁波シールド用組成物の最大粒径を調整してもよい。ろ過は、ろ過装置を用いて行うことができる。ろ過用のフィルタとしては、例えば、金属メッシュ、メタルフィルター及びナイロンメッシュが挙げられる。
【0067】
＜電磁波シールド用シート＞
本開示の電磁波シールド用シートは、本開示の電磁波シールド用組成物を含む樹脂組成物層を有するものである。本開示の電磁波シールド用シートは、必要に応じて、離型フィルムをさらに含んで構成されてもよい。
本開示の電磁波シールド用シートは、本開示の電磁波シールド用組成物を含む樹脂組成物層を有するものである。本開示の電磁波シールド用シートは、必要に応じて、離型フィルムをさらに含んで構成されてもよい。
【0068】
樹脂組成物層は、例えば、本開示の電磁波シールド用組成物に溶剤を添加して調製されるワニス状の電磁波シールド用組成物（以下、「樹脂ワニス」ともいう）をポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム等の離型フィルム上に付与し、乾燥することで製造することができる。
【0069】
樹脂ワニスの付与は公知の方法により実施することができる。具体的には、コンマコート、ダイコート、リップコート、グラビアコート等の方法、アプリケーターを用いた方法などが挙げられる。所定の厚みに樹脂組成物層を形成するための樹脂ワニスの付与方法としては、ギャップ間に被塗工物を通過させるコンマコート法、ノズルから流量を調節した樹脂ワニスを塗布するダイコート法等が挙げられる。乾燥前の樹脂組成物層の厚みが５０μｍ～５００μｍの場合には、コンマコート法を用いることが好ましい。
【0070】
乾燥方法は、樹脂ワニス中に含まれる有機溶剤の少なくとも一部を除去できれば特に制限されず、通常用いられる乾燥方法から適宜選択することができる。
乾燥方法は、常温（例えば、２５℃）放置による乾燥、加熱乾燥又は減圧乾燥を用いることができる。加熱乾燥又は減圧乾燥には、ホットプレート、温風乾燥機、温風加熱炉、窒素乾燥機、赤外線乾燥機、赤外線加熱炉、遠赤外線加熱炉、マイクロ波加熱装置、レーザー加熱装置、電磁加熱装置、ヒーター加熱装置、蒸気加熱炉等を用いることができる。
乾燥のための温度及び時間は、使用した溶剤の種類及び量に合わせて適宜調整することができ、例えば、４０℃～１８０℃で、１分間～１２０分間乾燥させることが好ましい。
乾燥方法は、常温（例えば、２５℃）放置による乾燥、加熱乾燥又は減圧乾燥を用いることができる。加熱乾燥又は減圧乾燥には、ホットプレート、温風乾燥機、温風加熱炉、窒素乾燥機、赤外線乾燥機、赤外線加熱炉、遠赤外線加熱炉、マイクロ波加熱装置、レーザー加熱装置、電磁加熱装置、ヒーター加熱装置、蒸気加熱炉等を用いることができる。
乾燥のための温度及び時間は、使用した溶剤の種類及び量に合わせて適宜調整することができ、例えば、４０℃～１８０℃で、１分間～１２０分間乾燥させることが好ましい。
【0071】
樹脂組成物層の平均厚みは、３μｍ～３００μｍが好ましく、５μｍ～１００μｍがより好ましく、１０μｍ～５０μｍがさらに好ましい。
【0072】
＜電磁波シールド用焼結体＞
本開示の電磁波シールド用焼結体は、本開示の電磁波シールド用組成物又は本開示の電磁波シールド用シートの焼結体である。電磁波シールド用焼結体の形状は特に限定されるものではなく、支持部材上に設けられた層状であってもよいし、シート状であってもよい。
本開示の電磁波シールド用焼結体は、本開示の電磁波シールド用組成物又は本開示の電磁波シールド用シートの焼結体である。電磁波シールド用焼結体の形状は特に限定されるものではなく、支持部材上に設けられた層状であってもよいし、シート状であってもよい。
【0073】
本開示の電磁波シールド用焼結体は、本開示の電磁波シールド用組成物又は本開示の電磁波シールド用シートを加熱して、電磁波シールド用組成物に含まれる金属粒子Ａと金属粒子Ｂとを遷移的液相焼結させて製造することができる。
遷移的液相焼結は、加熱処理で行ってもよいし、加熱加圧処理で行ってもよい。
加熱処理には、ホットプレート、温風乾燥機、温風加熱炉、窒素乾燥機、赤外線乾燥機、赤外線加熱炉、遠赤外線加熱炉、マイクロ波加熱装置、レーザー加熱装置、電磁加熱装置、ヒーター加熱装置、蒸気加熱炉等を用いることができる。
また、加熱加圧処理には、熱板プレス装置等を用いてもよいし、加圧しながら上述の加熱処理を行ってもよい。
遷移的液相焼結における加熱温度は、金属粒子の種類によるが、１４０℃以上であることが好ましく、１９０℃以上であってもよく、２２０℃以上であってもよい。当該加熱温度の上限は、特に制限されないが、例えば３００℃以下である。
遷移的液相焼結における加熱時間は、金属粒子の種類によるが、５秒間～１０時間であることが好ましく、１分間～３０分間であることがより好ましく、３分間～１０分間であることがさらに好ましい。
遷移的液相焼結は、低酸素濃度の雰囲気下で行うことが好ましい。低酸素濃度雰囲気下とは、体積基準の酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下の状態をいい、好ましくは５００ｐｐｍ以下である。
遷移的液相焼結は、加熱処理で行ってもよいし、加熱加圧処理で行ってもよい。
加熱処理には、ホットプレート、温風乾燥機、温風加熱炉、窒素乾燥機、赤外線乾燥機、赤外線加熱炉、遠赤外線加熱炉、マイクロ波加熱装置、レーザー加熱装置、電磁加熱装置、ヒーター加熱装置、蒸気加熱炉等を用いることができる。
また、加熱加圧処理には、熱板プレス装置等を用いてもよいし、加圧しながら上述の加熱処理を行ってもよい。
遷移的液相焼結における加熱温度は、金属粒子の種類によるが、１４０℃以上であることが好ましく、１９０℃以上であってもよく、２２０℃以上であってもよい。当該加熱温度の上限は、特に制限されないが、例えば３００℃以下である。
遷移的液相焼結における加熱時間は、金属粒子の種類によるが、５秒間～１０時間であることが好ましく、１分間～３０分間であることがより好ましく、３分間～１０分間であることがさらに好ましい。
遷移的液相焼結は、低酸素濃度の雰囲気下で行うことが好ましい。低酸素濃度雰囲気下とは、体積基準の酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下の状態をいい、好ましくは５００ｐｐｍ以下である。
【0074】
電磁波シールド用焼結体が層状又はシート状である場合、電磁波シールド用焼結体の平均厚みは、３μｍ～３０μｍが好ましく、４μｍ～２０μｍがより好ましく、５μｍ～１０μｍがさらに好ましい。
【0075】
＜電子部品装置＞
本開示の電子部品装置は、本開示の電磁波シールド用焼結体により覆われた領域を有するものである。
電子部品装置としては、リードフレーム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス、シリコンウエハー等の支持部材に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、抵抗アレイ、コイル、スイッチ等の受動素子などの電子部品を搭載したものが挙げられる。
電子部品及び支持部材のうちの、電磁波を発生する箇所又は電磁波の影響を受けやすい箇所を本開示の電磁波シールド用焼結体で覆うことにより、本開示の電子部品装置を得ることができる。
電子部品又は支持部材を電磁波シールド用焼結体で覆う方法としては、ワニス状の電磁波シールド用組成物を電磁波シールド用焼結体で覆いたい箇所に付与し、乾燥し、加熱する方法が挙げられる。付与方法としては、スクリーン印刷法、スプレー塗布法等が挙げられる。乾燥条件及び乾燥方法は、既述の電磁波シールド用シートを製造する際の条件及び方法と同様である。また、加熱条件及び加熱方法は、既述の電磁波シールド用焼結体を製造する際の条件及び方法と同様である。
また、本開示の電磁波シールド用シートを電磁波シールド用焼結体で覆いたい箇所に配置し、加熱する方法も挙げられる。電磁波シールド用シートの加熱条件及び加熱方法は、既述の電磁波シールド用焼結体を製造する際の条件及び方法と同様である。
本開示の電子部品装置は、本開示の電磁波シールド用焼結体により覆われた領域を有するものである。
電子部品装置としては、リードフレーム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス、シリコンウエハー等の支持部材に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、抵抗アレイ、コイル、スイッチ等の受動素子などの電子部品を搭載したものが挙げられる。
電子部品及び支持部材のうちの、電磁波を発生する箇所又は電磁波の影響を受けやすい箇所を本開示の電磁波シールド用焼結体で覆うことにより、本開示の電子部品装置を得ることができる。
電子部品又は支持部材を電磁波シールド用焼結体で覆う方法としては、ワニス状の電磁波シールド用組成物を電磁波シールド用焼結体で覆いたい箇所に付与し、乾燥し、加熱する方法が挙げられる。付与方法としては、スクリーン印刷法、スプレー塗布法等が挙げられる。乾燥条件及び乾燥方法は、既述の電磁波シールド用シートを製造する際の条件及び方法と同様である。また、加熱条件及び加熱方法は、既述の電磁波シールド用焼結体を製造する際の条件及び方法と同様である。
また、本開示の電磁波シールド用シートを電磁波シールド用焼結体で覆いたい箇所に配置し、加熱する方法も挙げられる。電磁波シールド用シートの加熱条件及び加熱方法は、既述の電磁波シールド用焼結体を製造する際の条件及び方法と同様である。
【0076】
本開示の電子部品装置は、支持部材と、支持部材上に配置される電子部品と、電子部品を封止する封止材の硬化物と、封止材の硬化物の表面に配置される本開示の電磁波シールド用焼結体とを備えるものであってもよい。封止材の硬化物の表面に電磁波シールド用焼結体を配置する場合、封止材を硬化した後に電磁波シールド用焼結体を封止材の硬化物の表面に形成してもよいし、硬化する前の封止材の表面に電磁波シールド用組成物又は電磁波シールド用シートを配置し、封止材の硬化と電磁波シールド用焼結体の形成とを一括して行ってもよい。
【0077】
電子部品装置は、電子部品及び支持部材を収容する筐体をさらに備えてもよい。電子部品及び支持部材が筐体内に収容される場合、筐体の内表面及び外表面の少なくとも一方を本開示の電磁波シールド用焼結体で覆うことにより、本開示の電子部品装置を得ることができる。
筐体の内表面又は外表面を電磁波シールド用焼結体で覆う方法は、電子部品又は支持部材を電磁波シールド用焼結体で覆う方法と同様である。
筐体の内表面又は外表面を電磁波シールド用焼結体で覆う方法は、電子部品又は支持部材を電磁波シールド用焼結体で覆う方法と同様である。
【0078】
電子部品装置の電磁波シールド用焼結体で覆われた領域において、電子部品、支持部材、筐体等の電磁波シールド用焼結体により被覆される部材（被覆部材）と電磁波シールド用焼結体との界面では、接着強度の観点から、ボイド等の空隙が生じていないことが好ましい。
本開示では、電磁波シールド用焼結体で覆われた領域において、被覆部材と電磁波シールド用焼結体との界面を観察したときに、観察領域での界面の長さに占める、被覆部材と電磁波シールド用焼結体とが接着していない箇所の長さの割合（以下、空隙率と称することがある。）は、５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、１％以下であることがさらに好ましい。
観察領域での界面の長さ、及び、観察領域での界面の長さに占める被覆部材と電磁波シールド用焼結体とが接着していない箇所の長さは、電磁波シールド用焼結体で覆われた領域の断面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて３０００倍の条件で撮影された画像から求めることができる。
本開示では、電磁波シールド用焼結体で覆われた領域において、被覆部材と電磁波シールド用焼結体との界面を観察したときに、観察領域での界面の長さに占める、被覆部材と電磁波シールド用焼結体とが接着していない箇所の長さの割合（以下、空隙率と称することがある。）は、５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、１％以下であることがさらに好ましい。
観察領域での界面の長さ、及び、観察領域での界面の長さに占める被覆部材と電磁波シールド用焼結体とが接着していない箇所の長さは、電磁波シールド用焼結体で覆われた領域の断面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて３０００倍の条件で撮影された画像から求めることができる。
【実施例】
【0079】
以下、実施例により本開示をさらに具体的に説明するが、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。
【0080】
［実施例１］
金属粒子ＡとしてＣｕ粒子（品名：１４００ＹＭ、三井金属鉱業株式会社、平均粒子径：０．２μｍ）を２０質量部、金属粒子ＢとしてＳｎ粒子（品名：Ｓｎ１００、ＳＴＣ－３、三井金属鉱業株式会社、平均粒子径：３μｍ）を２８質量部、金属粒子ＣとしてＳｎ－Ｂｉ５８粒子（品名：ＳｎＢｉ５８、ＳＴＣ－３、三井金属鉱業株式会社、平均粒子径：３μｍ）を４１質量部、樹脂としてエポキシ樹脂を１．１質量部、ロジンとしてＢＨＰＡを２．０質量部、活性剤としてトリエタノールアミンを７．５質量部、硬化促進剤としてイミダゾールを０．１質量部、溶剤としてヘキシルカルビトールを０．３質量部混合し樹脂ワニス１を作製した。
樹脂ワニス１をギャップが５０μｍに設定されたアプリケーターでポリイミドフィルム上に塗工し塗膜を作製した。その後、１００℃で３０分間乾燥し、窒素雰囲気のリフロー炉において１５０℃で１０分間加熱処理して焼結体を得た。焼結体の平均厚みは、１５μｍであった。この焼結体の一部を、グラウンドと接合して試験片とした。
金属粒子ＡとしてＣｕ粒子（品名：１４００ＹＭ、三井金属鉱業株式会社、平均粒子径：０．２μｍ）を２０質量部、金属粒子ＢとしてＳｎ粒子（品名：Ｓｎ１００、ＳＴＣ－３、三井金属鉱業株式会社、平均粒子径：３μｍ）を２８質量部、金属粒子ＣとしてＳｎ－Ｂｉ５８粒子（品名：ＳｎＢｉ５８、ＳＴＣ－３、三井金属鉱業株式会社、平均粒子径：３μｍ）を４１質量部、樹脂としてエポキシ樹脂を１．１質量部、ロジンとしてＢＨＰＡを２．０質量部、活性剤としてトリエタノールアミンを７．５質量部、硬化促進剤としてイミダゾールを０．１質量部、溶剤としてヘキシルカルビトールを０．３質量部混合し樹脂ワニス１を作製した。
樹脂ワニス１をギャップが５０μｍに設定されたアプリケーターでポリイミドフィルム上に塗工し塗膜を作製した。その後、１００℃で３０分間乾燥し、窒素雰囲気のリフロー炉において１５０℃で１０分間加熱処理して焼結体を得た。焼結体の平均厚みは、１５μｍであった。この焼結体の一部を、グラウンドと接合して試験片とした。
【0081】
［実施例２、３］
実施例１において、金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃの量を表１に示す値に変更した以外は実施例１と同様にして焼結体及び試験片を得た。
実施例１において、金属粒子Ａ、金属粒子Ｂ及び金属粒子Ｃの量を表１に示す値に変更した以外は実施例１と同様にして焼結体及び試験片を得た。
【0082】
［比較例１］
金属粒子ＡとしてＣｕ粒子（品名：１４００ＹＭ、三井金属鉱業株式会社、平均粒子径：０．２μｍ）を１５質量部、金属粒子ＣとしてＳｎ－Ｂｉ５８粒子（品名：ＳｎＢｉ５８、ＳＴＣ－３、三井金属鉱業株式会社、平均粒子径：３μｍ）を７３質量部、樹脂としてエポキシ樹脂を１．１質量部、ロジンとしてＢＨＰＡを２．５質量部、活性剤としてトリエタノールアミンを８．０質量部、硬化促進剤としてイミダゾールを０．１質量部、溶剤としてヘキシルカルビトールを０．３質量部混合し樹脂ワニス２を作製した。
樹脂ワニス２をギャップが５０μｍに設定されたアプリケーターでポリイミドフィルム上に塗工し塗膜を作製した。その後、１００℃で３０分間乾燥し、窒素雰囲気のリフロー炉において１５０℃で１０分間加熱処理して焼結体を得た。焼結体の平均厚みは、１５μｍであった。この焼結体の一部を、グラウンドと接合して試験片とした。
金属粒子ＡとしてＣｕ粒子（品名：１４００ＹＭ、三井金属鉱業株式会社、平均粒子径：０．２μｍ）を１５質量部、金属粒子ＣとしてＳｎ－Ｂｉ５８粒子（品名：ＳｎＢｉ５８、ＳＴＣ－３、三井金属鉱業株式会社、平均粒子径：３μｍ）を７３質量部、樹脂としてエポキシ樹脂を１．１質量部、ロジンとしてＢＨＰＡを２．５質量部、活性剤としてトリエタノールアミンを８．０質量部、硬化促進剤としてイミダゾールを０．１質量部、溶剤としてヘキシルカルビトールを０．３質量部混合し樹脂ワニス２を作製した。
樹脂ワニス２をギャップが５０μｍに設定されたアプリケーターでポリイミドフィルム上に塗工し塗膜を作製した。その後、１００℃で３０分間乾燥し、窒素雰囲気のリフロー炉において１５０℃で１０分間加熱処理して焼結体を得た。焼結体の平均厚みは、１５μｍであった。この焼結体の一部を、グラウンドと接合して試験片とした。
【0083】
［比較例２］
金属粒子として銀コート銅粉（品名：１４００ＹＰ、三井金属鉱業株式会社、平均粒子径：１０μｍ）を６１質量部、樹脂としてエポキシ樹脂を３２質量部、硬化促進剤としてイミダゾールを４質量部、溶剤として酢酸ブチルを２３０質量部混合し樹脂ワニス３を作製した。
樹脂ワニス３をギャップが２００μｍに設定されたアプリケーターでポリイミドフィルム上に塗工し塗膜を作製した。その後、５０℃で１時間乾燥し、１５０℃で１時間加熱処理して焼結体を得た。焼結体の平均厚みは、１５μｍであった。この焼結体の一部を、グラウンドと接合して試験片とした。
金属粒子として銀コート銅粉（品名：１４００ＹＰ、三井金属鉱業株式会社、平均粒子径：１０μｍ）を６１質量部、樹脂としてエポキシ樹脂を３２質量部、硬化促進剤としてイミダゾールを４質量部、溶剤として酢酸ブチルを２３０質量部混合し樹脂ワニス３を作製した。
樹脂ワニス３をギャップが２００μｍに設定されたアプリケーターでポリイミドフィルム上に塗工し塗膜を作製した。その後、５０℃で１時間乾燥し、１５０℃で１時間加熱処理して焼結体を得た。焼結体の平均厚みは、１５μｍであった。この焼結体の一部を、グラウンドと接合して試験片とした。
【0084】
（体積抵抗率）
得られた焼結体について、２５℃の環境下において以下の方法により体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を測定した。
シート状の電磁波シールド用焼結体から、一辺の長さが１５ｍｍの正四角形の板状サンプルを切り出し、板状サンプルの中心に高精度抵抗率計ロレスタ－ＧＰ（株式会社三菱ケミカルアナリテック製）の４探針を押し当てた。得られた表面抵抗率と膜厚とから体積抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）を求めた。５つの板状サンプルを測定し、その平均値を電磁波シールド用焼結体の体積抵抗率とした。
表１に比較例２にて得られた焼結体の体積抵抗率を１．０としたときの相対値を示す。
得られた焼結体について、２５℃の環境下において以下の方法により体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を測定した。
シート状の電磁波シールド用焼結体から、一辺の長さが１５ｍｍの正四角形の板状サンプルを切り出し、板状サンプルの中心に高精度抵抗率計ロレスタ－ＧＰ（株式会社三菱ケミカルアナリテック製）の４探針を押し当てた。得られた表面抵抗率と膜厚とから体積抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）を求めた。５つの板状サンプルを測定し、その平均値を電磁波シールド用焼結体の体積抵抗率とした。
表１に比較例２にて得られた焼結体の体積抵抗率を１．０としたときの相対値を示す。
【0085】
【0086】
表１に示すように、実施例１～３で作製した焼結体は、比較例１及び２で作製した焼結体と比較して体積抵抗率の値が低く、高い電磁波シールド効果が得られることが分かった。