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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-25
(45)【発行日】2024-10-03
(54)【発明の名称】極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240926BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20240926BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
G03F7/20 521
H05G2/00 K
【請求項の数】
20
(21)【出願番号】P 2021007564
(22)【出願日】2021-01-20
(65)【公開番号】P2022111888
(43)【公開日】2022-08-01
【審査請求日】2023-12-08
(73)【特許権者】
【識別番号】300073919
【氏名又は名称】ギガフォトン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105212
【弁理士】
【氏名又は名称】保坂 延寿
(72)【発明者】
【氏名】西村 祐一
(72)【発明者】
【氏名】薮 隆之
(72)【発明者】
【氏名】半井 宏明
【審査官】中尾 太郎
(56)【参考文献】
【文献】特開平１０－３１９６０２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－１１４３９９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１０－５１４２１４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－２１６７６８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－２１６７６９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－０２６６６８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１６－５１３２８０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１６－５１８６７４（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１６／０１９７４５１（ＵＳ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１６／１５２０２０（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０３Ｆ ７／２０
Ｈ０５Ｇ ２／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の所定領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記ターゲット物質に前記第１の所定領域において照射されるパルスレーザ光を出力するレーザシステムと、
前記ターゲット供給部と前記第１の所定領域との間の第２の所定領域に前記ターゲット物質が到達した到達タイミングを検出する第１のセンサと、
前記レーザシステムと前記第１の所定領域との間の前記パルスレーザ光の光路に配置された光調節器と、
前記到達タイミングに基づいて前記光調節器による前記パルスレーザ光の透過率を制御するプロセッサと、
を備える極端紫外光生成システム。
【請求項2】
請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、前記プロセッサは、
前記第１のセンサが検出した前記到達タイミングの間隔が第１の時間間隔である場合に前記光調節器が前記パルスレーザ光を第１の透過率で透過させるように前記透過率を制御し、
前記第１のセンサが検出した前記到達タイミングの間隔が前記第１の時間間隔より短い第２の時間間隔である場合に前記光調節器が前記パルスレーザ光を前記第１の透過率より高い第２の透過率で透過させるように前記透過率を制御する、
極端紫外光生成システム。
【請求項3】
請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、前記プロセッサは、前記光調節器に入射する前記パルスレーザ光のパルスエネルギーの第１のばらつきよりも、前記光調節器を透過した前記パルスレーザ光のパルスエネルギーの第２のばらつきが小さくなるように前記透過率を制御する、
極端紫外光生成システム。
【請求項4】
請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、前記プロセッサは、前記光調節器の印加電圧を制御することにより前記透過率を制御する、
極端紫外光生成システム。
【請求項5】
請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、前記プロセッサは、前記ターゲット物質が前記第２の所定領域に到達してから前記第１の所定領域に到達するまでの間に、前記到達タイミングに基づいて前記透過率を制御する、
極端紫外光生成システム。
【請求項6】
請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、前記プロセッサは、前記到達タイミングに基づいて前記レーザシステムにトリガタイミング信号を出力する、
極端紫外光生成システム。
【請求項7】
請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、前記プロセッサは、前記到達タイミングに基づいて、前記レーザシステムと前記光調節器とに互いに異なるタイミング信号を出力する、
極端紫外光生成システム。
【請求項8】
請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、前記プロセッサは、
前記レーザシステムのレーザ発振間隔と前記パルスレーザ光の第１のパルスエネルギーとの関係に基づいて前記透過率を制御する、
極端紫外光生成システム。
【請求項9】
請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、前記プロセッサは、
前記レーザシステムのレーザ発振間隔と前記パルスレーザ光の第１のパルスエネルギーとの関係と、
前記光調節器の印加電圧と前記透過率との関係と、
の両方に基づいて前記透過率を制御する、
極端紫外光生成システム。
【請求項10】
請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、前記プロセッサは、
前記レーザシステムのレーザ発振間隔が変動したときの前記パルスレーザ光の第１のパルスエネルギーの変化率と、
前記光調節器の印加電圧が変動したときの前記透過率の変化率と、
の両方に基づいて前記透過率を制御する、
極端紫外光生成システム。
【請求項11】
請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、前記ターゲット供給部は前記第１の所定領域にドロップレット状の前記ターゲット物質を供給する、
極端紫外光生成システム。
【請求項12】
請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、前記レーザシステムは、ＹＡＧレーザ装置を含む、
極端紫外光生成システム。
【請求項13】
請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、前記レーザシステムは、連続発振レーザ光を出力して前記レーザシステムのレーザ媒質を励起する励起光源を含む、
極端紫外光生成システム。
【請求項14】
請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、前記光調節器は、音響光学素子、電気光学素子、及びアッテネータのいずれか１つを含む、
極端紫外光生成システム。
【請求項15】
請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、前記ターゲット物質に前記パルスレーザ光が照射されたことにより生成された極端紫外光の第２のパルスエネルギーを検出する第２のセンサをさらに備え、
前記プロセッサは、前記到達タイミングと前記第２のパルスエネルギーとの両方に基づいて前記透過率を制御する、
極端紫外光生成システム。
【請求項16】
請求項１５記載の極端紫外光生成システムであって、前記プロセッサは、前記第２のパルスエネルギーに基づいて前記透過率をフィードバック制御する、
極端紫外光生成システム。
【請求項17】
請求項１記載の極端紫外光生成システムであって、前記ターゲット物質に前記パルスレーザ光が照射されたことにより生成された極端紫外光の第２のパルスエネルギーを検出する第２のセンサをさらに備え、
前記パルスレーザ光は、前記ターゲット物質に照射されるプリパルスレーザ光と、前記プリパルスレーザ光が照射された前記ターゲット物質に照射されるメインパルスレーザ光と、を含み、
前記レーザシステムは、前記プリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザ装置と、前記メインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザ装置と、を含み、
前記光調節器は、前記プリパルスレーザ装置と前記第１の所定領域との間の前記プリパルスレーザ光の光路に配置された第１の光調節器と、前記メインパルスレーザ装置と前記第１の所定領域との間の前記メインパルスレーザ光の光路に配置された第２の光調節器と、を含み、
前記プロセッサは、
前記到達タイミングに基づいて前記第１の光調節器による前記プリパルスレーザ光の透過率を制御し、
前記到達タイミングと前記第２のパルスエネルギーとの両方に基づいて前記第２の光調節器による前記メインパルスレーザ光の透過率を制御する、
極端紫外光生成システム。
【請求項18】
請求項１７記載の極端紫外光生成システムであって、前記プロセッサは、前記第２のパルスエネルギーが前記プリパルスレーザ光の透過率よりも前記メインパルスレーザ光の透過率に大きな影響を与えるように、前記メインパルスレーザ光の透過率を制御する、
極端紫外光生成システム。
【請求項19】
電子デバイスの製造方法であって、第１の所定領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
前記ターゲット物質に前記第１の所定領域において照射されるパルスレーザ光を出力するレーザシステムと、
前記ターゲット供給部と前記第１の所定領域との間の第２の所定領域に前記ターゲット物質が到達した到達タイミングを検出する第１のセンサと、
前記レーザシステムと前記第１の所定領域との間の前記パルスレーザ光の光路に配置された光調節器と、
前記到達タイミングに基づいて前記光調節器による前記パルスレーザ光の透過率を制御するプロセッサと、
を備える極端紫外光生成システムにおいて極端紫外光を生成し、
前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項20】
電子デバイスの製造方法であって、第１の所定領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
前記ターゲット物質に前記第１の所定領域において照射されるパルスレーザ光を出力するレーザシステムと、
前記ターゲット供給部と前記第１の所定領域との間の第２の所定領域に前記ターゲット物質が到達した到達タイミングを検出する第１のセンサと、
前記レーザシステムと前記第１の所定領域との間の前記パルスレーザ光の光路に配置された光調節器と、
前記到達タイミングに基づいて前記光調節器による前記パルスレーザ光の透過率を制御するプロセッサと、
を備える極端紫外光生成システムにおいて生成した極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
ことを含む、電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【0003】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】米国特許出願公開第２０１３／０９９１４０号明細書
【文献】米国特許出願公開第２０１４／３５３５２８号明細書
【概要】
【0005】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、第１の所定領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、ターゲット物質に第１の所定領域において照射されるパルスレーザ光を出力するレーザシステムと、ターゲット供給部と第１の所定領域との間の第２の所定領域にターゲット物質が到達した到達タイミングを検出する第１のセンサと、レーザシステムと第１の所定領域との間のパルスレーザ光の光路に配置された光調節器と、到達タイミングに基づいて光調節器によるパルスレーザ光の透過率を制御するプロセッサと、を備える。
【0006】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、第１の所定領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、ターゲット物質に第１の所定領域において照射されるパルスレーザ光を出力するレーザシステムと、ターゲット供給部と第１の所定領域との間の第２の所定領域にターゲット物質が到達した到達タイミングを検出する第１のセンサと、レーザシステムと第１の所定領域との間のパルスレーザ光の光路に配置された光調節器と、到達タイミングに基づいて光調節器によるパルスレーザ光の透過率を制御するプロセッサと、を備える極端紫外光生成システムにおいて極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。
【0007】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、第１の所定領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、ターゲット物質に第１の所定領域において照射されるパルスレーザ光を出力するレーザシステムと、ターゲット供給部と第１の所定領域との間の第２の所定領域にターゲット物質が到達した到達タイミングを検出する第１のセンサと、レーザシステムと第１の所定領域との間のパルスレーザ光の光路に配置された光調節器と、到達タイミングに基づいて光調節器によるパルスレーザ光の透過率を制御するプロセッサと、を備える極端紫外光生成システムにおいて生成した極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含む。
【図面の簡単な説明】
【0008】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【実施形態】
【0009】
＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ 比較例の課題
３．ターゲット検出信号に基づいて光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を制御するＥＵＶ光生成システム１１ｂ
３．１ 構成及び動作
３．２ 関数の例
３．２．１ 第１の例
３．２．２ 第２の例
３．３ 作用
４．プリパルスレーザ装置３Ｐを含むＥＵＶ光生成システム１１ｃ
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．その他
１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ 比較例の課題
３．ターゲット検出信号に基づいて光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を制御するＥＵＶ光生成システム１１ｂ
３．１ 構成及び動作
３．２ 関数の例
３．２．１ 第１の例
３．２．２ 第２の例
３．３ 作用
４．プリパルスレーザ装置３Ｐを含むＥＵＶ光生成システム１１ｃ
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．その他
【0010】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【0011】
１．ＥＵＶ光生成システム１１の全体説明
１．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザシステム３と共に用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給部２６は、ターゲット物質を含むターゲット２７をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。
１．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザシステム３と共に用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給部２６は、ターゲット物質を含むターゲット２７をチャンバ２内部に供給する。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。
【0012】
チャンバ２の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザシステム３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を備える。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点２９２に位置するように配置される。プラズマ生成領域２５は本開示における第１の所定領域に相当する。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が備えられ、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。
【0013】
ＥＵＶ光生成装置１は、プロセッサ５、ターゲットセンサ４等を含む。プロセッサ５は、制御プログラムが記憶されたメモリ５０１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（central processing unit）５０２と、を含む処理装置である。プロセッサ５は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。
【0014】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部とＥＵＶ光利用装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。ＥＵＶ光利用装置６の例については、図１２及び図１３を参照しながら後述する。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が備えられる。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置される。
【0015】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光伝送装置３４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。
【0016】
１．２ 動作
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、チャンバ２内のレーザ光経路に沿って進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。
図１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、チャンバ２内のレーザ光経路に沿って進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射される。
【0017】
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３が照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって他の波長域の光に比べて高い反射率で反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、ＥＵＶ光利用装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【0018】
プロセッサ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体を制御する。プロセッサ５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理する。ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、プロセッサ５は、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、プロセッサ５は、レーザシステム３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【0019】
２．比較例
２．１ 構成
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１ａの構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。
２．１ 構成
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１ａの構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。
【0020】
比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１ａにおいて、レーザシステム３は、マスターオシレータＭＯ及び増幅器ＰＡを含む。マスターオシレータＭＯ及び増幅器ＰＡの少なくとも１つは、レーザ媒質としてＹＡＧ（yttrium aluminum garnet）の結晶又はネオジムなどの不純物をドープしたＹＡＧの結晶を含むＹＡＧレーザ装置である。あるいはレーザシステム３は、レーザ媒質としてＮｄ：ＹＶＯ４結晶や、Ｙｂ等の希土類をドープした光ファイバを含んで構成されるレーザ装置でもよい。ＹＡＧレーザ装置、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ装置、あるいはファイバレーザ装置は、図示しないレーザダイオードなどの励起光源をさらに含む。励起光源は、連続発振レーザ光を出力してレーザ媒質を励起する。
【0021】
レーザシステム３とプラズマ生成領域２５との間のパルスレーザ光３１の光路に、光変調器ＯＭが配置されている。光変調器ＯＭは本開示における光調節器の一例である。光変調器ＯＭは、図示しない音響光学素子を含み、音響光学素子に印加される印加電圧によってパルスレーザ光３１の透過率が制御される。光変調器ＯＭは、音響光学素子の代わりに電気光学素子又はアッテネータを含み、電気光学素子又はアッテネータへの印加電圧によってパルスレーザ光３１の透過率が制御されてもよい。本開示では、音響光学素子、電気光学素子又はアッテネータに印加される印加電圧を光変調器ＯＭの印加電圧という。
【0022】
チャンバ２には、ターゲットタイミングセンサ４ａと、ＥＵＶエネルギーセンサ７ａと、レーザ光集光光学系２２ａと、が配置されている。ターゲットタイミングセンサ４ａは本開示における第１のセンサに相当し、ＥＵＶエネルギーセンサ７ａは本開示における第２のセンサに相当する。
ターゲットタイミングセンサ４ａは、図示しない光源、転写光学系、及び光センサを含む。光源は、ターゲット供給部２６とプラズマ生成領域２５との間の検出領域３５に到達したターゲット２７を照明する。検出領域３５は本開示における第２の所定領域に相当する。転写光学系は、光源によって照明されたターゲット２７の像の一部を光センサに結像させる。光センサは、ターゲット２７が検出領域３５を通過する際の光量の変化を検出する。光センサは、ラインセンサでもよいしイメージセンサでもよい。
ＥＵＶエネルギーセンサ７ａは、プラズマ生成領域２５において生成されたＥＵＶ光の一部が入射する位置に配置されている。
プロセッサ５は、変調信号生成部５１と、タイミング信号生成部５２と、を含む。
ターゲットタイミングセンサ４ａは、図示しない光源、転写光学系、及び光センサを含む。光源は、ターゲット供給部２６とプラズマ生成領域２５との間の検出領域３５に到達したターゲット２７を照明する。検出領域３５は本開示における第２の所定領域に相当する。転写光学系は、光源によって照明されたターゲット２７の像の一部を光センサに結像させる。光センサは、ターゲット２７が検出領域３５を通過する際の光量の変化を検出する。光センサは、ラインセンサでもよいしイメージセンサでもよい。
ＥＵＶエネルギーセンサ７ａは、プラズマ生成領域２５において生成されたＥＵＶ光の一部が入射する位置に配置されている。
プロセッサ５は、変調信号生成部５１と、タイミング信号生成部５２と、を含む。
【0023】
２．２ 動作
マスターオシレータＭＯは、レーザ発振を行ってパルスレーザ光を出力する。マスターオシレータＭＯによるパルスレーザ光の出力タイミングは、タイミング信号生成部５２からマスターオシレータＭＯに出力されるトリガタイミング信号によって規定される。増幅器ＰＡは、マスターオシレータＭＯから入射したパルスレーザ光を増幅する。これによりレーザシステム３がパルスレーザ光３１を出力する。
マスターオシレータＭＯは、レーザ発振を行ってパルスレーザ光を出力する。マスターオシレータＭＯによるパルスレーザ光の出力タイミングは、タイミング信号生成部５２からマスターオシレータＭＯに出力されるトリガタイミング信号によって規定される。増幅器ＰＡは、マスターオシレータＭＯから入射したパルスレーザ光を増幅する。これによりレーザシステム３がパルスレーザ光３１を出力する。
【0024】
光変調器ＯＭは、印加電圧に応じた透過率でパルスレーザ光３１を透過させる。光変調器ＯＭの印加電圧は変調信号生成部５１から光変調器ＯＭに出力される変調信号によって規定される。光変調器ＯＭの印加電圧を変更するタイミングは、タイミング信号生成部５２から光変調器ＯＭに出力される変調タイミング信号によって規定される。
【0025】
レーザ光伝送装置３４は、光変調器ＯＭから入射したパルスレーザ光３１をパルスレーザ光３２としてレーザ光集光光学系２２ａに導く。
レーザ光集光光学系２２ａは、レーザ光伝送装置３４から入射したパルスレーザ光３２をパルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に集光させる。
レーザ光集光光学系２２ａは、レーザ光伝送装置３４から入射したパルスレーザ光３２をパルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に集光させる。
【0026】
ターゲット供給部２６は、ドロップレット状のターゲット２７をプラズマ生成領域２５に向けて出力することによりターゲット２７をプラズマ生成領域２５に供給する。
ターゲットタイミングセンサ４ａは、ターゲット２７が検出領域３５に到達した到達タイミングを検出し、到達タイミングを示すターゲット検出信号をタイミング信号生成部５２に出力する。
パルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５においてターゲット２７に照射される。
ＥＵＶエネルギーセンサ７ａは、ターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されたことにより生成されたＥＵＶ光のパルスエネルギーを検出し、検出結果を変調信号生成部５１に出力する。ＥＵＶ光のパルスエネルギーは本開示における第２のパルスエネルギーに相当する。
ターゲットタイミングセンサ４ａは、ターゲット２７が検出領域３５に到達した到達タイミングを検出し、到達タイミングを示すターゲット検出信号をタイミング信号生成部５２に出力する。
パルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５においてターゲット２７に照射される。
ＥＵＶエネルギーセンサ７ａは、ターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されたことにより生成されたＥＵＶ光のパルスエネルギーを検出し、検出結果を変調信号生成部５１に出力する。ＥＵＶ光のパルスエネルギーは本開示における第２のパルスエネルギーに相当する。
【0027】
変調信号生成部５１は、ＥＵＶエネルギーセンサ７ａから受信したＥＵＶ光のパルスエネルギーに基づいて、光変調器ＯＭの印加電圧を制御するための変調信号を出力する。変調信号は、ＥＵＶ光のパルスエネルギーに基づくフィードバック制御信号ＦＢＥＵＶを含む。例えば、ＥＵＶ光のパルスエネルギーが目標値より低かった場合に、光変調器ＯＭの印加電圧を上げることにより、光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を高くしてもよい。パルスレーザ光３１の透過率を高くすることによりターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３のパルスエネルギーが高くなるので、より高いエネルギーをターゲット２７に与える。これにより、ＥＵＶ光のパルスエネルギーが高くなり目標値に近づき得る。
【0028】
タイミング信号生成部５２は、ターゲットタイミングセンサ４ａから受信したターゲット検出信号に基づいて、マスターオシレータＭＯにトリガタイミング信号を出力し、光変調器ＯＭに変調タイミング信号を出力する。本開示では、トリガタイミング信号と変調タイミング信号とをまとめてタイミング信号ということがある。
【0029】
図３は、比較例におけるレーザ制御のタイミングチャートである。
ターゲットタイミングセンサ４ａからタイミング信号生成部５２に出力されるターゲット検出信号は、複数のパルスを含む。例えば、各パルスの立ち上がりのタイミングが、ターゲット２７が検出領域３５に到達した到達タイミングを示す。１つのパルスの立ち上がりから次のパルスの立ち上がりまでの時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・が、ターゲット２７の時間間隔に相当する。
ターゲットタイミングセンサ４ａからタイミング信号生成部５２に出力されるターゲット検出信号は、複数のパルスを含む。例えば、各パルスの立ち上がりのタイミングが、ターゲット２７が検出領域３５に到達した到達タイミングを示す。１つのパルスの立ち上がりから次のパルスの立ち上がりまでの時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・が、ターゲット２７の時間間隔に相当する。
【0030】
タイミング信号生成部５２からマスターオシレータＭＯに出力されるトリガタイミング信号は、ターゲット検出信号におけるパルスの立ち上がりに対して遅延時間ｔＡを有する第１のトリガを含む。遅延時間ｔＡは一定であるので、第１のトリガの時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・は、それぞれターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・に等しい。マスターオシレータＭＯは、第１のトリガを受信したタイミングでレーザ発振を開始するので、レーザ発振間隔ΔＴｎは第１のトリガの時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・に等しい。遅延時間ｔＡは、ターゲット２７が検出領域３５に到達した後、プラズマ生成領域２５に到達するまでの所要時間と、マスターオシレータＭＯがレーザ発振を開始した後、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に到達するまでの所要時間と、の差に相当する。
【0031】
トリガタイミング信号は、ターゲット検出信号におけるパルスの立ち上がりに対して遅延時間ｔＡ＋ｔＢを有する第２のトリガをさらに含んでもよい。レーザシステム３は、第２のトリガを受信したタイミングで、次のレーザ発振のためのレーザ媒質の励起を開始する。レーザ媒質の励起エネルギーは、次のレーザ発振のための第１のトリガをマスターオシレータＭＯが受信するまで蓄積される。
遅延時間ｔＡはトリガタイミング信号の立ち下りのタイミングで規定され、遅延時間ｔＡ＋ｔＢはトリガタイミング信号の立ち上りのタイミングで規定されてもよい。
遅延時間ｔＡはトリガタイミング信号の立ち下りのタイミングで規定され、遅延時間ｔＡ＋ｔＢはトリガタイミング信号の立ち上りのタイミングで規定されてもよい。
【0032】
タイミング信号生成部５２から光変調器ＯＭに出力される変調タイミング信号は、ターゲット検出信号におけるパルスの立ち上がりに対して遅延時間ｔＤを有する第３のトリガを含む。遅延時間ｔＤは遅延時間ｔＡよりも長い時間である。遅延時間ｔＤと遅延時間ｔＡとの差は、マスターオシレータＭＯがレーザ発振を開始した後、パルスレーザ光３１が光変調器ＯＭに到達するまでの所要時間よりも短い時間である。
光変調器ＯＭは、タイミング信号生成部５２から第３のトリガを含む変調タイミング信号を受信すると、変調信号生成部５１から受信した変調信号に応じて印加電圧を変更することにより光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を変化させる。
光変調器ＯＭは、タイミング信号生成部５２から第３のトリガを含む変調タイミング信号を受信すると、変調信号生成部５１から受信した変調信号に応じて印加電圧を変更することにより光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を変化させる。
【0033】
２．３ 比較例の課題
図３に示されるように、ターゲット検出信号に表れるターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・は変動することがある。ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・の変動は、ターゲット供給部２６の機械的な状態の変化などによって起こる。図３においてはターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・の変動が誇張して描かれている。
ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・の変動に応じて、レーザ発振間隔ΔＴｎも変動する。
図３に示されるように、ターゲット検出信号に表れるターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・は変動することがある。ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・の変動は、ターゲット供給部２６の機械的な状態の変化などによって起こる。図３においてはターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・の変動が誇張して描かれている。
ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・の変動に応じて、レーザ発振間隔ΔＴｎも変動する。
【0034】
レーザシステム３の励起強度Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、・・・は、レーザ発振間隔ΔＴｎによって変動し得る。例えば、連続発振レーザ光でレーザ媒質を励起するレーザシステム３において、レーザ発振間隔ΔＴｎが短い場合よりも、レーザ発振間隔ΔＴｎが長い方が、励起強度Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、・・・が高くなり得る。
【0035】
レーザシステム３の励起強度Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、・・・に応じて、パルスレーザ光３３のレーザ光強度が変動し、レーザ光強度に応じてパルスエネルギーＥ１０、Ｅ２０、Ｅ３０、・・・が変動する。例えば、光変調器ＯＭの印加電圧を複数のパルスで同一とすることによりパルスレーザ光３１の透過率を複数のパルスで同一とした場合、レーザシステム３の励起強度Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、・・・が高いほど、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥ１０、Ｅ２０、Ｅ３０、・・・が高くなる。
パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥ１０、Ｅ２０、Ｅ３０、・・・が変動すると、ＥＵＶ光のパルスエネルギーが不安定となり得る。
パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥ１０、Ｅ２０、Ｅ３０、・・・が変動すると、ＥＵＶ光のパルスエネルギーが不安定となり得る。
【0036】
３．ターゲット検出信号に基づいて光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を制御するＥＵＶ光生成システム１１ｂ
３．１ 構成及び動作
図４は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ｂの構成を概略的に示す。図５は、第１の実施形態におけるレーザ制御のタイミングチャートである。
３．１ 構成及び動作
図４は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ｂの構成を概略的に示す。図５は、第１の実施形態におけるレーザ制御のタイミングチャートである。
【0037】
第１の実施形態において、タイミング信号生成部５２は、ターゲットタイミングセンサ４ａから順次受信したターゲット検出信号の検出時間差に基づいてターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・を計算する。タイミング信号生成部５２は、検出時間差を計時するタイマーを備えてもよい。タイミング信号生成部５２は、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・をレーザ発振間隔ΔＴｎとして変調信号生成部５１に出力する。
【0038】
図５に示されるターゲット検出信号、トリガタイミング信号、及びレーザシステム３の励起強度Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、・・・は、比較例において説明したものと同様でよい。
【0039】
変調信号生成部５１は、レーザ発振間隔ΔＴｎに基づいて光変調器ＯＭの印加電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、・・・を計算する。本開示では、レーザ発振間隔ΔＴｎに基づいて計算される光変調器ＯＭの印加電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、・・・をまとめて印加電圧Ｖｎということがある。
変調信号生成部５１は、光変調器ＯＭの印加電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、・・・を制御することにより、光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、・・・を制御する。
変調信号生成部５１は、光変調器ＯＭの印加電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、・・・を制御することにより、光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、・・・を制御する。
【0040】
これにより、プロセッサ５は、ターゲットタイミングセンサ４ａが検出した到達タイミングに基づいて光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、・・・を制御する。
【0041】
【0042】
例えば、ターゲット２７の時間間隔が第１の時間間隔ΔＴ１である場合は、光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率が第１の透過率Ｒ１となるように印加電圧Ｖ１が設定される。ターゲット２７の時間間隔が第１の時間間隔ΔＴ１より短い第２の時間間隔ΔＴ２である場合は、透過率が第１の透過率Ｒ１より高い第２の透過率Ｒ２となるように印加電圧Ｖ２が設定される。
【0043】
これにより、光変調器ＯＭに入射するパルスレーザ光３１のパルスエネルギーの第１のばらつきよりも、光変調器ＯＭを透過してターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３のパルスエネルギーの第２のばらつきが小さくなる。第１のばらつきは、励起強度Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、・・・のばらつきに対応する。第２のばらつきは、図５に示されるパルスエネルギーＥ１、Ｅ２、Ｅ３、・・・のばらつきに相当する。
【0044】
ターゲット２７が検出領域３５に到達してからプラズマ生成領域２５に到達するまでの間に、プロセッサ５は以下の動作を行う。
１．タイミング信号生成部５２が、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１を示すターゲット検出信号をターゲットタイミングセンサ４ａから受信し、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１をレーザ発振間隔ΔＴｎとして変調信号生成部５１に送信する。
２．タイミング信号生成部５２が、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１に基づくトリガタイミング信号をマスターオシレータＭＯに出力する。
３．ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１に基づくトリガタイミング信号に応じてマスターオシレータＭＯから出力されたパルスレーザ光が光変調器ＯＭに到達する前に、変調信号生成部５１がターゲット２７の時間間隔ΔＴ１に基づいて光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率Ｒ１を制御する。
１．タイミング信号生成部５２が、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１を示すターゲット検出信号をターゲットタイミングセンサ４ａから受信し、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１をレーザ発振間隔ΔＴｎとして変調信号生成部５１に送信する。
２．タイミング信号生成部５２が、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１に基づくトリガタイミング信号をマスターオシレータＭＯに出力する。
３．ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１に基づくトリガタイミング信号に応じてマスターオシレータＭＯから出力されたパルスレーザ光が光変調器ＯＭに到達する前に、変調信号生成部５１がターゲット２７の時間間隔ΔＴ１に基づいて光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率Ｒ１を制御する。
【0045】
これによれば、パルス毎に、ターゲット２７が検出領域３５に到達してからプラズマ生成領域２５に到達するまでの間に、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１に基づいて透過率Ｒ１が制御される。
その後に検出領域３５に到達する別のターゲット２７についても同様である。
その後に検出領域３５に到達する別のターゲット２７についても同様である。
【0046】
変調信号生成部５１は、レーザ発振間隔ΔＴｎに基づいて計算される印加電圧Ｖｎと、ＥＵＶ光のパルスエネルギーに基づくフィードバック制御信号ＦＢＥＵＶと、の両方を用いて透過率Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、・・・を制御してもよい。この場合、レーザ発振間隔ΔＴｎに基づいて計算される印加電圧ＶｎをＥＵＶ光のパルスエネルギーに基づいて補正してもよいし、ＥＵＶ光のパルスエネルギーに基づくフィードバック制御信号ＦＢＥＵＶをレーザ発振間隔ΔＴｎに基づいて補正してもよい。
【0047】
３．２ 関数の例
３．２．１ 第１の例
図６は、レーザシステム３のレーザ発振間隔ΔＴｎと、光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を最高値に制御したときのパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）と、の関係を示すグラフである。パルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）は本開示における第１のパルスエネルギーに相当する。図６においては、レーザ発振間隔ΔＴｎが長いほどパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）が高くなる。変調信号生成部５１は、図６に示されるレーザ発振間隔ΔＴｎとパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）との関係に基づいて光変調器ＯＭの印加電圧Ｖｎを制御する。
３．２．１ 第１の例
図６は、レーザシステム３のレーザ発振間隔ΔＴｎと、光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を最高値に制御したときのパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）と、の関係を示すグラフである。パルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）は本開示における第１のパルスエネルギーに相当する。図６においては、レーザ発振間隔ΔＴｎが長いほどパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）が高くなる。変調信号生成部５１は、図６に示されるレーザ発振間隔ΔＴｎとパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）との関係に基づいて光変調器ＯＭの印加電圧Ｖｎを制御する。
【0048】
図７は、光変調器ＯＭの印加電圧Ｖｎと、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥ（Ｖｎ）と、の関係を示すグラフである。図７は、光変調器ＯＭの印加電圧Ｖｎと、光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率と、の関係から求められる。
光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を最高値に制御したときのパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）は、レーザ発振間隔ΔＴｎに応じて異なる。パルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）の値は図６に示される関係を用いて求められる。
光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を最高値に制御したときのパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）は、レーザ発振間隔ΔＴｎに応じて異なる。パルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）の値は図６に示される関係を用いて求められる。
【0049】
図７に示されるように、光変調器ＯＭの印加電圧Ｖｎに応じて透過率が変化することによりパルスエネルギーＥ（Ｖｎ）が変化する。印加電圧Ｖｎが閾値電圧Ｖｔｈ以下であればパルスエネルギーＥ（Ｖｎ）は０となり、印加電圧Ｖｎが最大電圧Ｖｍａｘ以上であればパルスエネルギーＥ（Ｖｎ）はＥｍａｘ（ΔＴｎ）となる。印加電圧Ｖｎを閾値電圧Ｖｔｈから最大電圧Ｖｍａｘまで上げるにつれて、パルスエネルギーＥ（Ｖｎ）は０から次第に高くなってＥｍａｘ（ΔＴｎ）まで変化する。閾値電圧Ｖｔｈと最大電圧Ｖｍａｘとの間において、パルスエネルギーＥ（Ｖｎ）は、印加電圧Ｖｎの正弦の二乗に比例して変化する。図７に示される特性に基づいて印加電圧Ｖｎを決定することにより、光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を制御し、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥ（Ｖｎ）を制御することができる。
【0050】
レーザ発振間隔ΔＴｎに基づいて印加電圧Ｖｎを計算するための関数の第１の例は、以下の式で与えられる。
Ｖｎ＝（２／π）（Ｖｍａｘ－Ｖｔｈ）ｓｉｎ－１［√｛Ｅｔａｒｇｅｔ／Ｅｍａｘ（ΔＴｎ）｝］＋Ｖｔｈ ・・・（式１）
ここで、Ｘ＝ｓｉｎ－１［Ｙ］は正弦関数の逆関数を示し、√｛Ｚ｝はＺの正の平方根を示す。πは円周率である。ＥｔａｒｇｅｔはパルスエネルギーＥ（Ｖｎ）の目標値である。
Ｖｎ＝（２／π）（Ｖｍａｘ－Ｖｔｈ）ｓｉｎ－１［√｛Ｅｔａｒｇｅｔ／Ｅｍａｘ（ΔＴｎ）｝］＋Ｖｔｈ ・・・（式１）
ここで、Ｘ＝ｓｉｎ－１［Ｙ］は正弦関数の逆関数を示し、√｛Ｚ｝はＺの正の平方根を示す。πは円周率である。ＥｔａｒｇｅｔはパルスエネルギーＥ（Ｖｎ）の目標値である。
【0051】
例えば、閾値電圧Ｖｔｈを１Ｖとし、最大電圧Ｖｍａｘを５Ｖとし、パルスエネルギーＥ（Ｖｎ）の目標値Ｅｔａｒｇｅｔを１１．５ｍＪとする。光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を最高値に制御したときのパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）を１６．７ｍＪとする。このとき、式１から印加電圧Ｖｎは約３．４９Ｖと計算される。
【0052】
図８は、レーザ発振間隔ΔＴｎとこれに基づいて設定される印加電圧Ｖｎとの関係を示すグラフである。図８は、一例としてパルスエネルギーＥ（Ｖｎ）の目標値Ｅｔａｒｇｅｔを１１．５ｍＪとした場合を示している。ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・の変動によりレーザ発振間隔ΔＴｎが変動しても、光変調器ＯＭの印加電圧Ｖｎを制御することにより、パルスエネルギーＥ（Ｖｎ）を目標値Ｅｔａｒｇｅｔに近い値にすることができる。
【0053】
３．２．２ 第２の例
図９は、レーザシステム３のレーザ発振間隔ΔＴｎと、光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を最高値に制御したときのパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）と、の関係を示すグラフである。図９は、図６と同じグラフにおいて、基準間隔ΔＴｃにおけるパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）の微分係数ｄＥｍａｘ（ΔＴｃ）／ｄΔＴｎ、すなわち傾きを明示したものである。
図９は、レーザシステム３のレーザ発振間隔ΔＴｎと、光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を最高値に制御したときのパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）と、の関係を示すグラフである。図９は、図６と同じグラフにおいて、基準間隔ΔＴｃにおけるパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）の微分係数ｄＥｍａｘ（ΔＴｃ）／ｄΔＴｎ、すなわち傾きを明示したものである。
【0054】
ここで、レーザシステム３のレーザ発振間隔ΔＴｎは基準間隔ΔＴｃの近傍で変動し、そのときのパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）の変化率は微分係数ｄＥｍａｘ（ΔＴｃ）／ｄΔＴｎで近似されるものと仮定する。これを第１の仮定とする。
【0055】
図１０は、光変調器ＯＭの印加電圧Ｖｎと、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥ（Ｖｎ）と、の関係を示すグラフである。図１０において、レーザ発振間隔ΔＴｎは図９に示される基準間隔ΔＴｃである。すなわち、光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を最高値に制御したときのパルスレーザ光３３のパルスエネルギーはＥｍａｘ（ΔＴｃ）である。図１０においては、さらに、基準電圧ＶｃにおけるパルスエネルギーＥ（Ｖｎ）の微分係数ｄＥ（Ｖｃ）／ｄＶｎ、すなわち傾きを明示している。
【0056】
ここで、光変調器ＯＭの印加電圧Ｖｎは基準電圧Ｖｃの近傍で変動するように制御され、そのときのパルスエネルギーＥ（Ｖｎ）の変化率は微分係数ｄＥ（Ｖｃ）／ｄＶｎで近似されるものと仮定する。これを第２の仮定とする。
【0057】
第１の仮定と第２の仮定との両方が成り立つ範囲で、レーザ発振間隔ΔＴｎに基づいて印加電圧Ｖｎを計算するための関数の第２の例は、以下の式で与えられる。
Ｖｎ＝（ｄＥｍａｘ（ΔＴｃ）／ｄΔＴｎ）（ｄＶｎ／ｄＥ（Ｖｃ））（ΔＴｃ－ΔＴｎ）＋Ｖｃ
ここで、ｄＶｎ／ｄＥ（Ｖｃ）は図１０に示される微分係数ｄＥ（Ｖｃ）／ｄＶｎの逆数である。
Ｖｎ＝（ｄＥｍａｘ（ΔＴｃ）／ｄΔＴｎ）（ｄＶｎ／ｄＥ（Ｖｃ））（ΔＴｃ－ΔＴｎ）＋Ｖｃ
ここで、ｄＶｎ／ｄＥ（Ｖｃ）は図１０に示される微分係数ｄＥ（Ｖｃ）／ｄＶｎの逆数である。
【0058】
なお、基準電圧Ｖｃは、基準間隔ΔＴｃとパルスエネルギーＥ（Ｖｎ）の目標値Ｅｔａｒｇｅｔとを用いて、以下の式で与えられる。
Ｖｃ＝（２／π）（Ｖｍａｘ－Ｖｔｈ）ｓｉｎ－１［√｛Ｅｔａｒｇｅｔ／Ｅｍａｘ（ΔＴｃ）｝］＋Ｖｔｈ
Ｖｃ＝（２／π）（Ｖｍａｘ－Ｖｔｈ）ｓｉｎ－１［√｛Ｅｔａｒｇｅｔ／Ｅｍａｘ（ΔＴｃ）｝］＋Ｖｔｈ
【0059】
３．３ 作用
（１）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、プラズマ生成領域２５にターゲット２７を供給するターゲット供給部２６と、ターゲット２７にプラズマ生成領域２５において照射されるパルスレーザ光３１～３３を出力するレーザシステム３と、を含む。ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、さらに、ターゲット供給部２６とプラズマ生成領域２５との間の検出領域３５にターゲット２７が到達した到達タイミングを検出するターゲットタイミングセンサ４ａと、レーザシステム３とプラズマ生成領域２５との間のパルスレーザ光３１の光路に配置された光変調器ＯＭと、を含む。ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、さらに、到達タイミングに基づいて光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を制御するプロセッサ５を含む。
これによれば、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・が変動したときに、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３のパルスエネルギーの変動を抑制し得る。従って、ＥＵＶ光のパルスエネルギーを安定化し得る。
（１）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、プラズマ生成領域２５にターゲット２７を供給するターゲット供給部２６と、ターゲット２７にプラズマ生成領域２５において照射されるパルスレーザ光３１～３３を出力するレーザシステム３と、を含む。ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、さらに、ターゲット供給部２６とプラズマ生成領域２５との間の検出領域３５にターゲット２７が到達した到達タイミングを検出するターゲットタイミングセンサ４ａと、レーザシステム３とプラズマ生成領域２５との間のパルスレーザ光３１の光路に配置された光変調器ＯＭと、を含む。ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、さらに、到達タイミングに基づいて光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を制御するプロセッサ５を含む。
これによれば、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・が変動したときに、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３のパルスエネルギーの変動を抑制し得る。従って、ＥＵＶ光のパルスエネルギーを安定化し得る。
【0060】
（２）第１の実施形態によれば、ターゲットタイミングセンサ４ａが検出した到達タイミングが第１の時間間隔ΔＴ１である場合に、光変調器ＯＭがパルスレーザ光３１を第１の透過率Ｒ１で透過させる。さらに、ターゲットタイミングセンサ４ａが検出した到達タイミングが第１の時間間隔ΔＴ１より短い第２の時間間隔ΔＴ２である場合に、光変調器ＯＭがパルスレーザ光３１を第１の透過率Ｒ１より高い第２の透過率Ｒ２で透過させる。
これによれば、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１及びΔＴ２が短くなったときに、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３のパルスエネルギーが低くなることを抑制し得る。
これによれば、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１及びΔＴ２が短くなったときに、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３のパルスエネルギーが低くなることを抑制し得る。
【0061】
（３）第１の実施形態によれば、光変調器ＯＭに入射するパルスレーザ光３１のパルスエネルギーの第１のばらつきよりも、光変調器ＯＭを透過してターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３のパルスエネルギーの第２のばらつきが小さくなるように、光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率が制御される。
これによれば、レーザシステム３から出力されるパルスレーザ光３１のパルスエネルギーが変動した場合でも、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３のパルスエネルギーの変動が抑制される。
これによれば、レーザシステム３から出力されるパルスレーザ光３１のパルスエネルギーが変動した場合でも、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光３３のパルスエネルギーの変動が抑制される。
【0062】
（４）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、光変調器ＯＭの印加電圧Ｖｎを制御することにより光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を制御する。
これによれば、パルスレーザ光３１の透過率を高い応答性能で制御できる。
これによれば、パルスレーザ光３１の透過率を高い応答性能で制御できる。
【0063】
（５）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、検出領域３５にターゲット２７が到達してからプラズマ生成領域２５に到達するまでの間に、検出領域３５にターゲット２７が到達した到達タイミングに基づいて光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を制御する。
ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングで、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に到達する。従って、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するまでに透過率を制御することにより、パルスエネルギーを調節されたパルスレーザ光３３がターゲット２７に照射され得る。
ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングで、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に到達する。従って、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するまでに透過率を制御することにより、パルスエネルギーを調節されたパルスレーザ光３３がターゲット２７に照射され得る。
【0064】
（６）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、検出領域３５にターゲット２７が到達した到達タイミングに基づいて、レーザシステム３にトリガタイミング信号を出力する。
これによれば、ターゲット２７にパルスレーザ光３３を照射するための適切なタイミングでレーザシステム３がレーザ発振することができる。
これによれば、ターゲット２７にパルスレーザ光３３を照射するための適切なタイミングでレーザシステム３がレーザ発振することができる。
【0065】
（７）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、検出領域３５にターゲット２７が到達した到達タイミングに基づいて、レーザシステム３と光変調器ＯＭとに互いに異なるタイミング信号を出力する。
これによれば、レーザシステム３におけるレーザ発振のタイミングと、光変調器ＯＭにおける透過率を変更するタイミングとを別々に制御し得る。
これによれば、レーザシステム３におけるレーザ発振のタイミングと、光変調器ＯＭにおける透過率を変更するタイミングとを別々に制御し得る。
【0066】
（８）第１の実施形態によれば、レーザシステム３のレーザ発振間隔ΔＴｎと、光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を最高値に制御したときのパルスレーザ光３３のパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）と、の関係に基づいて透過率が制御される。
これによれば、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・が変動したときに、レーザ発振間隔ΔＴｎの変動に起因するパルスレーザ光３３のパルスエネルギーの変動を抑制し得る。
これによれば、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・が変動したときに、レーザ発振間隔ΔＴｎの変動に起因するパルスレーザ光３３のパルスエネルギーの変動を抑制し得る。
【0067】
（９）第１の実施形態によれば、レーザ発振間隔ΔＴｎとパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）との関係と、光変調器ＯＭの印加電圧Ｖｎと透過率との関係と、の両方に基づいて透過率が制御される。
これによれば、レーザ発振間隔ΔＴｎの変動に起因するパルスレーザ光３１のパルスエネルギーの変動に応じて、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーが安定化するように光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を制御し得る。
これによれば、レーザ発振間隔ΔＴｎの変動に起因するパルスレーザ光３１のパルスエネルギーの変動に応じて、パルスレーザ光３３のパルスエネルギーが安定化するように光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を制御し得る。
【0068】
（１０）第１の実施形態によれば、レーザシステム３のレーザ発振間隔ΔＴｎが変動したときのパルスエネルギーＥｍａｘ（ΔＴｎ）の変化率と、光変調器ＯＭの印加電圧Ｖｎが変動したときの透過率の変化率と、の両方に基づいて透過率が制御される。
これによれば、例えば正弦関数の逆関数のような複雑な計算をパルスごとに行わなくても、予め計算した変化率を用いた制御ができるので、パルスごとのプロセッサ５の負荷を低減し得る。
これによれば、例えば正弦関数の逆関数のような複雑な計算をパルスごとに行わなくても、予め計算した変化率を用いた制御ができるので、パルスごとのプロセッサ５の負荷を低減し得る。
【0069】
（１１）第１の実施形態によれば、ターゲット供給部２６はプラズマ生成領域２５にドロップレット状のターゲット２７を供給する。
これによれば、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・の変動を小さくすることができる。ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・がわずかに変動した場合でも、光変調器ＯＭを制御することによりパルスレーザ光３３のパルスエネルギーを安定化し得る。
これによれば、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・の変動を小さくすることができる。ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・がわずかに変動した場合でも、光変調器ＯＭを制御することによりパルスレーザ光３３のパルスエネルギーを安定化し得る。
【0070】
（１２）第１の実施形態によれば、レーザシステム３は、ＹＡＧレーザ装置を含む。
ＹＡＧレーザ装置を用いて生成されたパルスレーザ光３３をターゲット２７に照射することにより、効率よくＥＵＶ光を生成し得る。パルスレーザ光３１のパルスエネルギーが変動した場合でも、光変調器ＯＭを制御することによりパルスレーザ光３３のパルスエネルギーを安定化し得る。
ＹＡＧレーザ装置を用いて生成されたパルスレーザ光３３をターゲット２７に照射することにより、効率よくＥＵＶ光を生成し得る。パルスレーザ光３１のパルスエネルギーが変動した場合でも、光変調器ＯＭを制御することによりパルスレーザ光３３のパルスエネルギーを安定化し得る。
【0071】
（１３）第１の実施形態によれば、レーザシステム３は励起光源を含み、励起光源は連続発振レーザ光を出力してレーザシステム３のレーザ媒質を励起する。
これによれば、レーザ発振間隔ΔＴｎとパルスレーザ光３１のパルスエネルギーとの関係を利用して、光変調器ＯＭを制御することによりパルスレーザ光３３のパルスエネルギーを安定化し得る。
これによれば、レーザ発振間隔ΔＴｎとパルスレーザ光３１のパルスエネルギーとの関係を利用して、光変調器ＯＭを制御することによりパルスレーザ光３３のパルスエネルギーを安定化し得る。
【0072】
（１４）第１の実施形態によれば、光変調器ＯＭは、音響光学素子、電気光学素子、及びアッテネータのいずれか１つを含む。
これによれば、光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を応答性よく制御し得る。
これによれば、光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を応答性よく制御し得る。
【0073】
（１５）第１の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ｂは、ターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されたことにより生成されたＥＵＶ光のパルスエネルギーを検出するＥＵＶエネルギーセンサ７ａをさらに備える。プロセッサ５は、検出領域３５にターゲット２７が到達した到達タイミングとＥＵＶ光のパルスエネルギーとの両方に基づいて光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率を制御する。
これによれば、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・の変動に応じたパルスレーザ光３３のパルスエネルギーの変動を抑制することに加えて、ＥＵＶ光のパルスエネルギーの計測値を用いた制御を行うことにより、ＥＵＶ光のパルスエネルギーを安定化し得る。
これによれば、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・の変動に応じたパルスレーザ光３３のパルスエネルギーの変動を抑制することに加えて、ＥＵＶ光のパルスエネルギーの計測値を用いた制御を行うことにより、ＥＵＶ光のパルスエネルギーを安定化し得る。
【0074】
（１６）第１の実施形態によれば、プロセッサ５は、ＥＵＶ光のパルスエネルギーに基づいて光変調器ＯＭによるパルスレーザ光３１の透過率をフィードバック制御する。
これによれば、ＥＵＶ光のパルスエネルギーの計測値を用いたフィードバック制御により、ＥＵＶ光のパルスエネルギーを安定化し得る。
他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。
これによれば、ＥＵＶ光のパルスエネルギーの計測値を用いたフィードバック制御により、ＥＵＶ光のパルスエネルギーを安定化し得る。
他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。
【0075】
４．プリパルスレーザ装置３Ｐを含むＥＵＶ光生成システム１１ｃ
４．１ 構成
図１１は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ｃの構成を概略的に示す。第２の実施形態において、レーザシステム３は、プリパルスレーザ装置３Ｐ及びメインパルスレーザ装置３Ｍを含む。プリパルスレーザ装置３ＰはマスターオシレータＭＯＰ及び増幅器ＰＡＰを含み、メインパルスレーザ装置３ＭはマスターオシレータＭＯＭ及び増幅器ＰＡＭを含む。
４．１ 構成
図１１は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１ｃの構成を概略的に示す。第２の実施形態において、レーザシステム３は、プリパルスレーザ装置３Ｐ及びメインパルスレーザ装置３Ｍを含む。プリパルスレーザ装置３ＰはマスターオシレータＭＯＰ及び増幅器ＰＡＰを含み、メインパルスレーザ装置３ＭはマスターオシレータＭＯＭ及び増幅器ＰＡＭを含む。
【0076】
プリパルスレーザ装置３Ｐとレーザ光伝送装置３４との間のプリパルスレーザ光３１Ｐの光路に、第１の光変調器ＯＭＰが配置されている。第１の光変調器ＯＭＰは本開示における第１の光調節器に相当する。
メインパルスレーザ装置３Ｍとレーザ光伝送装置３４との間のメインパルスレーザ光３１Ｍの光路に、第２の光変調器ＯＭＭが配置されている。第２の光変調器ＯＭＭは本開示における第２の光調節器に相当する。
メインパルスレーザ装置３Ｍとレーザ光伝送装置３４との間のメインパルスレーザ光３１Ｍの光路に、第２の光変調器ＯＭＭが配置されている。第２の光変調器ＯＭＭは本開示における第２の光調節器に相当する。
【0077】
４．２ 動作
マスターオシレータＭＯＰ及びＭＯＭの各々は、レーザ発振を行ってパルスレーザ光を出力する。マスターオシレータＭＯＰによるパルスレーザ光の出力タイミングは第１のトリガタイミング信号によって制御される。マスターオシレータＭＯＭによるパルスレーザ光の出力タイミングは第２のトリガタイミング信号によって制御される。
マスターオシレータＭＯＰ及びＭＯＭの各々は、レーザ発振を行ってパルスレーザ光を出力する。マスターオシレータＭＯＰによるパルスレーザ光の出力タイミングは第１のトリガタイミング信号によって制御される。マスターオシレータＭＯＭによるパルスレーザ光の出力タイミングは第２のトリガタイミング信号によって制御される。
【0078】
第１のトリガタイミング信号と第２のトリガタイミング信号の各々は、比較例におけるトリガタイミング信号と同様である。但し、第１のトリガタイミング信号に含まれる第１のトリガの遅延時間ｔＡＰは、第２のトリガタイミング信号に含まれる第１のトリガの遅延時間ｔＡＭよりも短い時間である。これにより、プリパルスレーザ光３１Ｐはメインパルスレーザ光３１Ｍよりも早く生成される。
第１のトリガタイミング信号は、ターゲット検出信号におけるパルスの立ち上がりに対して遅延時間ｔＡＰ＋ｔＢＰを有する第２のトリガをさらに含んでもよい。第２のトリガタイミング信号は、ターゲット検出信号におけるパルスの立ち上がりに対して遅延時間ｔＡＭ＋ｔＢＭを有する第２のトリガをさらに含んでもよい。
第１のトリガタイミング信号は、ターゲット検出信号におけるパルスの立ち上がりに対して遅延時間ｔＡＰ＋ｔＢＰを有する第２のトリガをさらに含んでもよい。第２のトリガタイミング信号は、ターゲット検出信号におけるパルスの立ち上がりに対して遅延時間ｔＡＭ＋ｔＢＭを有する第２のトリガをさらに含んでもよい。
【0079】
第１の光変調器ＯＭＰは、印加電圧ＶｎＰに応じた透過率でプリパルスレーザ光３１Ｐを透過させる。第２の光変調器ＯＭＭは、印加電圧ＶｎＭに応じた透過率でメインパルスレーザ光３１Ｍを透過させる。
【0080】
第１の光変調器ＯＭＰに与えられる遅延時間ｔＤＰは、遅延時間ｔＡＰよりも長い時間である。遅延時間ｔＤＰと遅延時間ｔＡＰとの差は、マスターオシレータＭＯＰがレーザ発振を開始した後、プリパルスレーザ光３１Ｐが第１の光変調器ＯＭＰに到達するまでの所要時間よりも短い時間である。
【0081】
第２の光変調器ＯＭＭに与えられる遅延時間ｔＤＭは、遅延時間ｔＡＭよりも長い時間である。遅延時間ｔＤＭと遅延時間ｔＡＭとの差は、マスターオシレータＭＯＭがレーザ発振を開始した後、メインパルスレーザ光３１Ｍが第２の光変調器ＯＭＭに到達するまでの所要時間よりも短い時間である。
【0082】
レーザ光伝送装置３４は、第１及び第２の光変調器ＯＭＰ及びＯＭＭから入射したプリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍをレーザ光集光光学系２２ａに導く。プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍは、パルスレーザ光３２としてレーザ光集光光学系２２ａに入射する。
【0083】
プリパルスレーザ光３１Ｐはパルスレーザ光３３としてドロップレット状のターゲット２７に照射される。プリパルスレーザ光３１Ｐが照射されたターゲット２７はプリパルスレーザ光３１Ｐのエネルギーにより破壊されて拡散する。プリパルスレーザ光３１Ｐのパルスエネルギーの変動は、ターゲット２７の拡散状態に影響し得る。ターゲット２７の拡散状態が望ましくない状態である場合には、そのターゲット２７にメインパルスレーザ光３１Ｍを照射してもＥＵＶ光のパルスエネルギーが望ましい値にならない場合がある。
【0084】
従って、プリパルスレーザ光３１Ｐのパルスエネルギーはレーザ発振間隔ΔＴｎの変動に依存せずに安定していることが望ましい。また、ＥＵＶ光のパルスエネルギーの変動によってターゲット２７の拡散状態が変動することを抑制するため、プリパルスレーザ光３１ＰのパルスエネルギーはＥＵＶ光のパルスエネルギーに基づいてフィードバック制御されないようにしてもよい。
そこで、変調信号生成部５１は、レーザ発振間隔ΔＴｎに基づいて計算される印加電圧ＶｎＰを用いて、第１の光変調器ＯＭＰによるプリパルスレーザ光３１Ｐの透過率を制御する。
そこで、変調信号生成部５１は、レーザ発振間隔ΔＴｎに基づいて計算される印加電圧ＶｎＰを用いて、第１の光変調器ＯＭＰによるプリパルスレーザ光３１Ｐの透過率を制御する。
【0085】
プリパルスレーザ光３１Ｐが照射されて拡散したターゲット２７に、メインパルスレーザ光３１Ｍがパルスレーザ光３３として照射される。プリパルスレーザ光３１Ｐとメインパルスレーザ光３１Ｍとが照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光が放射される。メインパルスレーザ光３１Ｍのパルスエネルギーは、ＥＵＶ光のパルスエネルギーに影響し得る。例えば、メインパルスレーザ光３１Ｍのパルスエネルギーが低くなるとＥＵＶ光のパルスエネルギーが低くなり得る。
【0086】
従って、メインパルスレーザ光３１Ｍのパルスエネルギーはレーザ発振間隔ΔＴｎの変動に依存せずに安定していることが望ましい。また、ＥＵＶ光のパルスエネルギーを目標値の付近に制御するため、メインパルスレーザ光３１ＭのパルスエネルギーはＥＵＶ光のパルスエネルギーに基づいてフィードバック制御されてもよい。
そこで、変調信号生成部５１は、レーザ発振間隔ΔＴｎに基づいて計算される印加電圧ＶｎＭと、ＥＵＶエネルギーセンサ７ａから受信したＥＵＶ光のパルスエネルギーに基づくフィードバック制御信号ＦＢＥＵＶと、の両方を用いて第２の光変調器ＯＭＭによるメインパルスレーザ光３１Ｍの透過率を制御する。
そこで、変調信号生成部５１は、レーザ発振間隔ΔＴｎに基づいて計算される印加電圧ＶｎＭと、ＥＵＶエネルギーセンサ７ａから受信したＥＵＶ光のパルスエネルギーに基づくフィードバック制御信号ＦＢＥＵＶと、の両方を用いて第２の光変調器ＯＭＭによるメインパルスレーザ光３１Ｍの透過率を制御する。
【0087】
すなわち、変調信号生成部５１は、ＥＵＶ光のパルスエネルギーが第１の光変調器ＯＭＰによるプリパルスレーザ光３１Ｐの透過率よりも第２の光変調器ＯＭＭによるメインパルスレーザ光３１Ｍの透過率に大きな影響を与えるように、透過率を制御する。
【0088】
４．３ 作用
（１７）第２の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ｃは、ターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されたことにより生成されたＥＵＶ光のパルスエネルギーを検出するＥＵＶエネルギーセンサ７ａを含む。レーザシステム３は、プリパルスレーザ光３１Ｐを出力するプリパルスレーザ装置３Ｐと、メインパルスレーザ光３１Ｍを出力するメインパルスレーザ装置３Ｍと、を含む。プリパルスレーザ光３１Ｐはターゲット２７に照射され、メインパルスレーザ光３１Ｍはプリパルスレーザ光３１Ｐが照射されたターゲット２７に照射される。ＥＵＶ光生成システム１１ｃは、光調節器として、プリパルスレーザ装置３Ｐとプラズマ生成領域２５との間のプリパルスレーザ光３１Ｐの光路に配置された第１の光変調器ＯＭＰと、メインパルスレーザ装置３Ｍとプラズマ生成領域２５との間のメインパルスレーザ光３１Ｍの光路に配置された第２の光変調器ＯＭＭと、を含む。プロセッサ５は、検出領域３５にターゲット２７が到達した到達タイミングに基づいて第１の光変調器ＯＭＰによるプリパルスレーザ光３１Ｐの透過率を制御する。さらに、プロセッサ５は、到達タイミングとＥＵＶ光のパルスエネルギーとの両方に基づいて第２の光変調器ＯＭＭによるメインパルスレーザ光３１Ｍの透過率を制御する。
（１７）第２の実施形態によれば、ＥＵＶ光生成システム１１ｃは、ターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されたことにより生成されたＥＵＶ光のパルスエネルギーを検出するＥＵＶエネルギーセンサ７ａを含む。レーザシステム３は、プリパルスレーザ光３１Ｐを出力するプリパルスレーザ装置３Ｐと、メインパルスレーザ光３１Ｍを出力するメインパルスレーザ装置３Ｍと、を含む。プリパルスレーザ光３１Ｐはターゲット２７に照射され、メインパルスレーザ光３１Ｍはプリパルスレーザ光３１Ｐが照射されたターゲット２７に照射される。ＥＵＶ光生成システム１１ｃは、光調節器として、プリパルスレーザ装置３Ｐとプラズマ生成領域２５との間のプリパルスレーザ光３１Ｐの光路に配置された第１の光変調器ＯＭＰと、メインパルスレーザ装置３Ｍとプラズマ生成領域２５との間のメインパルスレーザ光３１Ｍの光路に配置された第２の光変調器ＯＭＭと、を含む。プロセッサ５は、検出領域３５にターゲット２７が到達した到達タイミングに基づいて第１の光変調器ＯＭＰによるプリパルスレーザ光３１Ｐの透過率を制御する。さらに、プロセッサ５は、到達タイミングとＥＵＶ光のパルスエネルギーとの両方に基づいて第２の光変調器ＯＭＭによるメインパルスレーザ光３１Ｍの透過率を制御する。
【0089】
これによれば、プリパルスレーザ光３１Ｐが照射されて拡散したターゲット２７にメインパルスレーザ光３１Ｍを照射するので、ターゲット２７を効率よくプラズマ化し得る。また、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・が変動してもターゲット２７に照射されるプリパルスレーザ光３１Ｐのパルスエネルギーの変動を抑制し得るので、ターゲット２７の拡散状態を安定化し得る。さらに、ターゲット２７の時間間隔ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ３、・・・とＥＵＶ光のパルスエネルギーとの両方に基づいてターゲット２７に照射されるメインパルスレーザ光３１Ｍのパルスエネルギーを制御するので、ＥＵＶ光のパルスエネルギーを安定化し得る。
【0090】
（１８）第２の実施形態によれば、プロセッサ５は、ＥＵＶ光のパルスエネルギーが第１の光変調器ＯＭＰによるプリパルスレーザ光３１Ｐの透過率よりも第２の光変調器ＯＭＭによるメインパルスレーザ光３１Ｍの透過率に大きな影響を与えるように、これらの透過率を制御する。
これによれば、ＥＵＶ光のパルスエネルギーが第１の光変調器ＯＭＰによるプリパルスレーザ光３１Ｐの透過率に与える影響を小さくし得るので、ＥＵＶ光のパルスエネルギーの変動によってターゲット２７の拡散状態が変動することを抑制し得る。
他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。
これによれば、ＥＵＶ光のパルスエネルギーが第１の光変調器ＯＭＰによるプリパルスレーザ光３１Ｐの透過率に与える影響を小さくし得るので、ＥＵＶ光のパルスエネルギーの変動によってターゲット２７の拡散状態が変動することを抑制し得る。
他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。
【0091】
５．その他
図１２は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂに接続された露光装置６ａの構成を概略的に示す。
図１２において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての露光装置６ａは、マスク照射部６８とワークピース照射部６９とを含む。マスク照射部６８は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂから入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造できる。
図１２は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂに接続された露光装置６ａの構成を概略的に示す。
図１２において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての露光装置６ａは、マスク照射部６８とワークピース照射部６９とを含む。マスク照射部６８は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂから入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造できる。
【0092】
図１３は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂに接続された検査装置６ｂの構成を概略的に示す。
図１３において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての検査装置６ｂは、照明光学系６３と検出光学系６６とを含む。照明光学系６３は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂから入射したＥＵＶ光を反射して、マスクステージ６４に配置されたマスク６５を照射する。ここでいうマスク６５はパターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系６６は、照明されたマスク６５からのＥＵＶ光を反射して検出器６７の受光面に結像させる。ＥＵＶ光を受光した検出器６７はマスク６５の画像を取得する。検出器６７は例えばＴＤＩ（time delay integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク６５の画像により、マスク６５の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置６ａを用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造できる。
図１３において、ＥＵＶ光利用装置６（図１参照）としての検査装置６ｂは、照明光学系６３と検出光学系６６とを含む。照明光学系６３は、ＥＵＶ光生成システム１１ｂから入射したＥＵＶ光を反射して、マスクステージ６４に配置されたマスク６５を照射する。ここでいうマスク６５はパターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系６６は、照明されたマスク６５からのＥＵＶ光を反射して検出器６７の受光面に結像させる。ＥＵＶ光を受光した検出器６７はマスク６５の画像を取得する。検出器６７は例えばＴＤＩ（time delay integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク６５の画像により、マスク６５の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置６ａを用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造できる。
【0093】
【0094】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
【0095】
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】