特許 7561081 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-25

(45)【発行日】2024-10-03

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20240926BHJP

   G03F 7/20 20060101ALI20240926BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 565

G03F7/20 521

G03F7/20 501

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2021062851

(22)【出願日】2021-04-01

(65)【公開番号】P2022158150

(43)【公開日】2022-10-17

【審査請求日】2024-01-04

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100122507

【弁理士】

【氏名又は名称】柏岡 潤二

(74)【代理人】

【識別番号】100171099

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 茂樹

(72)【発明者】

【氏名】岩田 和也

(72)【発明者】

【氏名】古閑 法久

【審査官】田中 秀直

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２１－０４００２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１１／０６２１６２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１３－２２９４５４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０３Ｆ ７／２０

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＥＵＶリソグラフィ用レジスト材によるレジスト膜が形成された基板に対して、露光処理前に真空紫外光を含む光を照射する光源と、
前記光源からの光の光路上に設けられて、前記基板表面に到達する光の光量を、照射領域において全体的に微弱光に抑制する光量抑制部材と、
を有し、
前記真空紫外光を含む光は、波長１０ｎｍ～２００ｎｍに含まれる少なくとも一部の帯域の連続したスペクトル成分を含む、基板処理装置。

【請求項2】

前記光量抑制部材は、
厚さ方向に複数の開口が形成された有孔板を含む、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記光量抑制部材は、
前記光源からの光の光量を前記微弱光に抑制して透過させる部材を含む、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記光源からの光を照射する際に、前記基板を回転しながら支持する基板支持部と、
前記光源と前記基板との間の位置に設けられ、前記基板の表面面積に対して小さい面積であって、且つ、前記基板の外周側に向かって大きくなるように、前記基板表面に前記照射領域を形成する遮光部材と、
をさらに有する、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記光量抑制部材は、前記照射領域において中央部よりも外周部において、単位面積あたりの光の照射強度が大きくなるように光量の勾配を形成する、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記光量抑制部材は、厚さ方向に複数の開口が形成された有孔板を含み、
前記中央部よりも前記外周部の開口率を大きくすることで、光量の勾配を形成する、請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記遮光部材は、平面視において前記基板の中心と重なる位置には開口が形成されていない、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記光源は、光軸が前記基板表面に対して傾斜している、請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項9】

ＥＵＶリソグラフィ用レジスト材によるレジスト膜が形成された基板に対して、露光処理前に光源から真空紫外光を含む光を照射することと、
前記照射することにおいて、前記光源からの光の光路上に設けられた光量抑制部材によって、前記基板表面に到達する光の光量を、照射領域において全体的に微弱光に抑制することと、
を有し、
前記真空紫外光を含む光は、波長１０ｎｍ～２００ｎｍに含まれる少なくとも一部の帯域の連続したスペクトル成分を含む、基板処理方法。

【請求項10】

前記照射することにおいて、前記基板を回転しながら基板を支持し、
前記照射することにおいて、前記光源と前記基板との間の位置に設けられた遮光部材によって、前記基板の表面面積に対して小さい面積であって、前記基板の外周側に向かって大きくなるような照射領域を前記基板表面に形成することをさらに含む、請求項９に記載の基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、基板上に形成されたレジスト膜に対して、露光処理とは別に紫外線を照射することによって、レジストパターンの膜圧または線幅の精度または面内均一性の向上を図る補助露光装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１３－１８６１９１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、ＥＵＶリソグラフィに適したレジスト材料を用いた基板における露光時の感度を面内で均一にすることが可能な技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による基板処理装置は、ＥＵＶリソグラフィ用レジスト材によるレジスト膜が形成された基板に対して、露光処理前に真空紫外光を照射する光源と、前記光源からの光の光路上に設けられて、前記基板表面に到達する光の光量を、照射領域において全体的に微弱光に抑制する光量抑制部材と、を有し、前記真空紫外光は、波長１０ｎｍ～２００ｎｍに含まれる少なくとも一部の帯域の連続したスペクトル成分を含む。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、ＥＵＶリソグラフィに適したレジスト材料を用いた基板における露光時の感度を面内で均一にすることが可能な技術が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、一つの例示的実施形態に係る基板処理装置を示す図である。

【図2】図２は、基板処理装置における有孔板の一例を示す図である。

【図3】図３は、基板処理装置の変更例の一例を示す図である。

【図4】図４は、基板処理装置における遮光板の一例を示す図である。

【図5】図５は、コントローラのハードウェア構成を例示するブロック図である。

【図6】図６は、基板処理方法の一例を説明するフロー図である。

【図7】図７は、基板処理装置における基板処理時の圧力変化の一例を示す図である。

【図8】図８（ａ）、図８（ｂ）、図８（ｃ）は、光源からの光の分布の評価結果の一例を示す図である。

【図9】図９（ａ）、図９（ｂ）、図９（ｃ）は、遮光板の構成の変更例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

【0009】

一つの例示的施形態において、基板処理装置は、ＥＵＶリソグラフィ用レジスト材によるレジスト膜が形成された基板に対して、露光処理前に真空紫外光を含む光を照射する光源と、前記光源からの光の光路上に設けられて、前記基板表面に到達する光の光量を、照射領域において全体的に微弱光に抑制する光量抑制部材と、を有し、前記真空紫外光を含む光は、波長１０ｎｍ～２００ｎｍに含まれる少なくとも一部の帯域の連続したスペクトル成分を含む。

【0010】

上記の基板処理装置によれば、光量抑制部材によって微弱光に調整された真空紫外光を含む光が、基板表面の照射領域に照射される。そのため、微弱光の真空紫外光を含む光を基板表面に対して照射することによるレジスト膜露光時の感度調整を適切に行うことができる。その結果、基板における露光時の感度を面内で均一にすることが可能になる。

【0011】

前記光量抑制部材は、厚さ方向に複数の開口が形成された有孔板を含む態様とすることができる。

【0012】

上記のような有孔板を光量抑制部材として用いることで、光源からの真空紫外光を含む光について、そのスペクトル成分を変化させずに、微弱光として基板に対して照射することが可能となる。そのため、真空紫外光を含む光によるレジスト膜の感度の調整を適切に行うことができる。

【0013】

前記光量抑制部材は、前記光源からの光の光量を前記微弱光に抑制して透過させる部材を含む態様とすることができる。

【0014】

上記のような光源からの光の光量を前記微弱光に抑制して透過させる部材を用いることで、光源からの光の分布を維持した状態で、微弱光として基板に対して照射することが可能となる。そのため、真空紫外光を含む光によるレジスト膜の感度の調整を適切に行うことができる。

【0015】

前記光源からの光を照射する際に、前記基板を回転しながら支持する基板支持部と、前記光源と前記基板との間の位置に設けられ、前記基板の表面面積に対して小さい面積であって、且つ、前記基板の外周側に向かって大きくなるように、前記基板表面に前記照射領域を形成する遮光部材と、をさらに有する態様とすることができる。

【0016】

上記のように基板表面に照射領域を形成する遮光部材を用いて、回転する基板に対して光源からの光を照射する構成とすることで、基板表面の全面に対して、光源からの光をより光量を均一に照射することが可能となる。そのため、真空紫外光を含む光によるレジスト膜の感度の調整を基板表面において適切に行うことができる。

【0017】

前記光量抑制部材は、前記照射領域のうち中央部よりも外周部において、単位面積あたりの光の照射強度が大きくなるように光量の勾配を形成する態様とすることができる。

【0018】

回転する基板に対して光源からの光を照射する場合、光量抑制部材によって照射領域のうち中央部よりも外周部において、単位面積あたりの光の照射強度が大きくなるように光量の勾配を形成することで、基板の中央部と外周部とでの周速度の差に由来する光量の差を調整することができるため、光源からの光をより光量を均一に照射することが可能となる。

【0019】

前記光量抑制部材は、厚さ方向に複数の開口が形成された有孔板を含み、前記中央部よりも前記外周部の開口率を大きくすることで、光量の勾配を形成する態様とすることができる。

【0020】

上記のように、中央部よりも外周部において有孔板の開口率を大きくすることで光量の勾配を形成する場合、より簡単な構成で基板の中央部と外周部とでの光量の差を調整することができる。

【0021】

前記遮光部材は、平面視において前記基板の中心と重なる位置には開口が形成されていない態様とすることができる。

【0022】

光源からの光は、遮光部材よりも下方でも拡散される。そのため、平面視において基板の中心と重なる位置には遮光部材の開口が形成されていないとすることで、基板の中心において光源からの光が集中することを防ぐことができる。

【0023】

前記光源は、光軸が前記基板表面に対して傾斜している態様とすることができる。

【0024】

光源の光軸が基板表面に対して傾斜している場合、光源と基板との距離を小さくしながら、微弱光の真空紫外光を含む光を基板表面に対して照射することが可能となる。そのため、レジスト膜露光時の感度調整を適切に行うことができる。

【0025】

一つの例示的施形態において、基板処理方法は、ＥＵＶリソグラフィ用レジスト材によるレジスト膜が形成された基板に対して、露光処理前に光源から真空紫外光を含む光を照射することと、前記照射することにおいて、前記光源からの光の光路上に設けられた光量抑制部材によって、前記基板表面に到達する光の光量を、照射領域において全体的に微弱光に抑制することと、を有し、前記真空紫外光を含む光は、波長１０ｎｍ～２００ｎｍに含まれる少なくとも一部の帯域の連続したスペクトル成分を含む。

【0026】

上記の基板処理方法によれば、光量抑制部材によって照射領域において微弱光に調整された真空紫外光を含む光が、基板表面に照射される。そのため、微弱光の真空紫外光を含む光を基板表面に対して照射することによるレジスト膜露光時の感度調整を適切に行うことができる。その結果、基板における露光時の感度を面内で均一にすることが可能になる。

【0027】

前記照射することにおいて、前記基板を回転しながら基板を支持し、前記照射することにおいて、前記光源と前記基板との間の位置に設けられた遮光部材によって、前記基板の表面面積に対して小さい面積であって、前記基板の外周側に向かって大きくなるような照射領域を前記基板表面に形成することをさらに含む態様とすることができる。

【0028】

上記のように、基板表面に前記照射領域を形成する遮光部材を用いて、回転する基板に対して光源からの光を照射する構成とすることで、基板表面の全面に対して、光源からの光をより光量を均一に照射することが可能となる。そのため、真空紫外光を含む光によるレジスト膜の感度の調整を基板表面において適切に行うことができる。

【0029】

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

【0030】

［基板処理装置の構成］
（第１の構成例）
図１は、本実施形態の基板処理装置の第１の構成例を示す模式図（縦断側面図）である。図１に示す基板処理装置１は、ワークＷに対して処理用の光を照射する。例えば、基板処理装置１は、ワークＷの表面に形成されたレジスト膜またはレジストパターンに対し真空紫外光（ＶＵＶ光：Vacuum Ultra Violet Light）を含む光を照射するように構成されている。基板処理装置１による真空紫外光を含む光の照射によって、これらのレジスト膜の露光時の感度を向上させ得る。また、真空紫外光を含む光を照射することによって、露光・現像処理によって得られるレジストパターンの表面のラフネスも改善され得る。

【0031】

処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜および回路等が形成された状態の基板である。ワークＷに含まれる基板は、一例として、シリコンを含むウエハである。ワークＷ（基板）は、一例として円板状を呈するが、円形の一部が切り欠かれていたり、多角形などの円形以外の形状を呈していてもよい。処理対象のワークＷは、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよく、これらの基板等に所定の処理が施されて得られる中間体であってもよい。

【0032】

基板処理装置１では、ワークＷの表面に対して処理用の光Ｌ１を照射する機能を有する。一例としては、基板上にＳＯＣ膜（Silicon-on-Carbon）およびＳＯＣ膜上のＳＯＧ膜（Silicon-on-Glass）上にレジスト膜を形成した後に、露光・現像処理を行うことによって所定のパターンのレジストパターンが形成される。レジストパターンは下層膜であるＳＯＣ膜およびＳＯＧ膜をエッチングしてこれらの下層膜にパターンを形成するためのマスクパターンである。基板処理装置１は、例えば、レジストパターンが形成されたワークＷの表面に対して処理用の光Ｌ１を照射することによって、レジストパターンの表面の荒れを改善する機能を有している。一方、本実施形態では、レジスト膜を形成した後、露光・現像処理を行う前のワークＷに対して基板処理装置１による処理用の光Ｌ１の照射が行われる場合について説明する。

【0033】

なお、本実施形態に係る基板処理装置１では、レジストパターンの形成に使用されるレジスト材がＥＵＶレーザーを露光光源とするＥＵＶリソグラフィに適した材料である場合について説明する。なお、ＥＵＶレーザー（Extreme Ultraviolet）とは、波長１３．５ｎｍのレーザーである。レジスト材によるレジスト膜が形成されたワークＷに対して基板処理装置１を用いて所定の条件で上記のＶＵＶ光を含む光の照射を行う。この結果、その後の露光処理における感度が向上する。さらに、露光・現像処理によってレジストパターンを形成した際のレジストの表面の荒れが改善される。また、このレジストパターンをマスクとしてエッチングを行った結果のパターンについても表面の荒れが改善され得る。

【0034】

基板処理装置１の各部について説明する。基板処理装置１は、図１に示されるように、処理室２０と、光照射機構４０（光源部）と、光量調整機構５０と、コントローラ１００（制御部）とを備える。

【0035】

処理室２０は、筐体２１（処理容器）と、搬送口２２と、回転支持部２５と、ガス供給部３０と、ガス排出部３２と、雰囲気調整部３４と、を含む。筐体２１は、例えば大気雰囲気中に設けられた真空容器の一部であり、搬送機構（不図示）によって搬送されたワークＷを収納可能に構成されている。すなわち、筐体２１は内部でワークＷに係る処理を行う処理容器として機能する。なお、筐体２１内は、後述のように、透光板５３によってその上下が区切られていてもよい。

【0036】

基板処理装置１では、筐体２１内にワークＷが収納された状態でワークＷに対する処理が行われる。筐体２１の側壁には、搬送口２２が形成されている。搬送口２２は、筐体２１に対してワークＷを搬入出するための開口である。搬送口２２は、ゲートバルブ２３によって開閉される。

【0037】

回転支持部２５は、筐体２１において、コントローラ１００の指示に基づいてワークＷを回転させながら保持する機能を有する。回転支持部２５は、例えば、保持部２６と、回転駆動部２７と、を有する。保持部２６は、レジストパターンが形成された表面を上にして水平に配置されたワークＷの中央部分を支持し、当該ワークＷを例えば真空吸着等によって保持する。回転駆動部２７は、ワークＷを保持した保持部２６を当該ワークＷと共に鉛直な軸線Ａ１まわりに回転させる機能を有する。回転駆動部２７は、例えば電動モータを動力源とする回転アクチュエータである。

【0038】

ガス供給部３０は、筐体２１に形成された貫通孔２１ａを介して筐体２１内に不活性ガス（例えば、アルゴン、窒素など）を供給するように構成されている。ガス供給部３０は、ガス源３０ａと、バルブ３０ｂと、配管３０ｃとを有する。ガス源３０ａは、不活性ガスを貯留しており、不活性ガスの供給源として機能する。バルブ３０ｂは、コントローラ１００からの動作信号に基づいて動作し、配管３０ｃを開放および閉塞させる。配管３０ｃは、上流側から順に、ガス源３０ａ、バルブ３０ｂおよび貫通孔２１ａを接続している。

【0039】

ガス排出部３２は、筐体２１に形成された貫通孔２１ｂを介して筐体２１からの気体を排出する。ガス排出部３２は、真空ポンプ３２ａと、配管３２ｃとを有する。真空ポンプ３２ａは、筐体２１内から気体を排出する。配管３２ｃは、貫通孔２１ｂと真空ポンプ３２ａとを接続している。

【0040】

雰囲気調整部３４は、筐体２１に形成された貫通孔２１ｃを介して筐体２１内を大気雰囲気に調整し得る。雰囲気調整部３４はバルブ３４ｂと配管３４ｃを有する。バルブ３４ｂは、コントローラ１００からの動作信号に基づいて動作し、配管３４ｃを開放および閉塞させる。配管３４ｃは、貫通孔２１ｃを大気雰囲気と接続し得る。すなわち、バルブ３４ｂを開放した際には、筐体２１内が大気雰囲気に調整される。

【0041】

光照射機構４０は、筐体４１と、光源４２と、スイッチ４３と、を含む。筐体４１は、筐体２１の上部に設けられている。光源４２は筐体４１内に収容される。図１では、光源４２は、保持部２６の回転軸である軸線Ａ１上に配置されている。光源４２により、保持部２６により保持されたワークＷの表面全体に光が照射される。スイッチ４３は、光源４２の点灯のオンオフを切り替えるために設けられていてもよい。スイッチ４３の動作は、例えば、コントローラ１００によって制御される。なお、光源４２の配置例は一例であり、適宜変更される。なお、詳細は後述するが、光源４２とワークＷの位置関係を調整することで、ワークＷに対して照射する光の光量を調整してもよい。

【0042】

光源４２は、例えば、１１５ｎｍ～４００ｎｍの波長範囲の光を含む光を照射する。一例として、光源４２は、１１５ｎｍ～４００ｎｍの連続スペクトルをなす光を照射する。「連続スペクトルをなす光」とは、波長１０ｎｍ～２００ｎｍ（真空紫外光（ＶＵＶ光）の波長域に対応する）に含まれる少なくとも一部（例えば、波長幅が１０ｎｍ以上）の帯域の連続したスペクトル成分を含む光を含んでいればよい。また、光源４２から出射する光は、ＶＵＶ光に加えて、ＶＵＶ光よりも波長が大きい近紫外光（近紫外線）を含んでいてもよい。一例として、光源４２からの光は波長１６０ｎｍ以下の帯域の光を含む構成とすることができる。このように、少なくともＶＵＶ光を含んで光源４２から出射される光を「ＶＵＶ光を含む光」という場合がある。

【0043】

光源４２は、例えば重水素ランプであり、波長が２００ｎｍ以下のＶＵＶ光を照射するように構成されていてもよい。連続スペクトルのピークの波長は、例えば、１６０ｎｍ以下であってもよいし、１５０ｎｍ以上であってもよい。また、光源４２からの光は、複数のサブピークを有する連続スペクトルをなす光であってもよい。なお、光源４２からの光は、連続スペクトルに限定されるものではなく、例えば、１１５ｎｍ～４００ｎｍの波長範囲の１以上の波長の光を含んでいる。「特定の波長範囲の光を含む」とは、当該波長範囲に含まれる１以上の波長の光を含むことをいう。

【0044】

光源４２から照射される光のスペクトルの波長域は比較的広いため、ワークＷ上のレジスト膜は様々な波長の光のエネルギーを受けることになる。その結果、レジスト膜の表面では様々な反応が起こる。具体的には、レジスト膜を構成する分子中の様々な位置における化学結合が切断されることで、レジスト膜の露光に対する感度が上昇する。そのため、より少ない露光量であっても露光が適切に行われる。また、上述の化学結合の切断によって様々な化合物が生成するため、光照射前にレジスト膜中に存在していた分子が持つ配向性が解消される。その結果、レジスト膜における表面自由エネルギーが低下し、内部応力が低下する。つまり、光源として光源４２を用いることで、レジスト膜の表面の流動性が高くなりやすく、その結果として、レジストパターンを形成した際の表面の荒れの改善効果を向上させることができる。

【0045】

なお、光源４２からＶＵＶ光を含む光を照射する場合、ワークＷ上のレジスト膜が受ける光のエネルギーに偏りが生じると、ＶＵＶ光が照射されたワークＷ表面においてレジストの特性に偏りが生じる可能性がある。そのため、ＶＵＶ光を含む光は、ワークＷ表面全体においてできるだけ均等に照射されることが求められる。また、光源４２からの光の照射によってワークＷ表面のレジスト膜の特性を調整しようとする場合、光の照射量が需要となる場合がある。そのため、基板処理装置１では、光量調整機構５０を用いて光量の調整を行う。

【0046】

光量調整機構５０は、上述のとおり、光源４２から照射される光Ｌ１の光路上において、光源４２から照射される光の光量を調整する機能を有する。図１に示す例では、光量調整機構５０として、シャッター５１、有孔板５２、透光板５３、および、遮光板５４を有する。

【0047】

シャッター５１は、光源４２からの光Ｌ１がワークＷへ到達する状態と、到達したい状態とを切り替える機能を有する。シャッター５１は、例えば、光Ｌ１の光路上に配置可能な遮蔽板５１ａと、遮蔽板５１ａを移動可能に支持する支持部５１ｂとを有する。遮蔽板５１ａは、光源４２からの光Ｌ１を全て塞ぐことが可能な大きさとされている。また、支持部５１ｂは、例えば、遮蔽板５１ａが光Ｌ１の光軸に対して直交した状態で、光路上と光路以外の領域との間で遮蔽板５１ａを移動可能に支持する。支持部５１ｂによって遮蔽板５１ａを移動させることで、光源４２からの光Ｌ１がワークＷに到達する状態と、到達しない状態とを切り替えることができる。なお、図１では、遮蔽板５１ａが光路上に配置荒れた状態を示している。

【0048】

有孔板５２は、光源４２から照射される光Ｌ１の光路上に設けられ、光源４２からの光Ｌ１を減光させる機能を有する。つまり、有孔板５２は、光量抑制部材として機能し得る。有孔板５２は、例えば、図２に示すように、厚さ方向に複数の開口５２ａが形成された板である。具体的には、有孔板５２としては、例えば、複数の開口が多数形成されたパンチングメタルを用いることができる。なお、有孔板５２の全面において複数の開口が設けられている必要はなく、少なくとも光Ｌ１が照射される範囲において有孔板５２としての機能が発揮できるように開口が設けられているよい。有孔板５２の開口率（光Ｌ１の照射範囲での開口率）は、例えば、１％～５０％程度とすることができる。有孔板５２に設けられる開口の形状および大きさは特に限定されないが、例えば、有孔板５２を通過した光Ｌ１は、通過前の光と比べて波長分布が同程度で、強度が全体的に弱くなるような有孔板５２が選択され得る。

【0049】

透光板５３は、シャッター５１よりも下方（光源４２から離間した側）に設けられて、光Ｌ１を透過させる、所謂仕切壁としての機能も有する。すなわち、透光板５３は、筐体２１内の空間を、光源４２側とワークＷ側とに区画するように配置される。これにより、透光板５３よりも下方の空間が、上方の空間とは独立した閉じた空間となる。ガス供給部３０、ガス排出部３２、および、雰囲気調整部３４を、透光板５３よりも下方に配置した場合、透光板５３よりも下方のワークＷが存在する空間における雰囲気の調整が適切に行われ得る。透光板５３は、例えば、ガラス（例えば、フッ化マグネシウムガラス）であってもよい。なお、透光板５３全体が光Ｌ１を実質的に１００％透過可能でなくてもよく、少なくとも光Ｌ１の光路上が光Ｌ１を透過可能であればよい。また、透光板５３として光Ｌ１を減衰させる材料を用いることで、透光板５３についても、光量抑制部材としての機能を有する構成としてもよい。

【0050】

遮光板５４は、光源４２から照射される光Ｌ１の照射範囲（ワークＷ表面における光Ｌ１の到達範囲）を調整する、遮光部材としての機能を有する。図１に示す例では、遮光板５４によって、光源４２からの光Ｌ１がワークＷの全面に到達するように、光Ｌ１の照射範囲が調整されている。なお、遮光板５４の形状は、ワークＷに対する光源４２の配置によって変更され得る。また、ワークＷ表面における光Ｌ１の照射範囲を照射領域ＡＲという。図１に示す例では、ワークＷの表面全体が照射領域ＡＲとなる。

【0051】

光源４２から出射された光Ｌ１は、光量調整機構５０を経ることで、光量が抑制され、その結果、微弱光となる。本実施形態において、「微弱光」とは、ワークＷに対して光を照射した際のワークＷの温度の変化は、外部の温度（筐体２１外の温度、室温）に対して１℃未満に抑えられる程度の光である。また、光量調整機構５０を経た後の光Ｌ１は、ワークＷ表面における光Ｌ１の照射領域ＡＲの全体において微弱光に調整され得る。

【0052】

（第２の構成例）
次に、光源４２の配置を変更した第２の構成例に係る基板処理装置１Ａについて、図３を参照しながら説明する。

【0053】

基板処理装置１Ａでは、回転支持部２５によってワークＷを回転することを前提として、光源４２の照射位置をワークＷ全体ではなく、一部に区切った構成としている。具体的には、光源４２の光軸Ａ２が、ワークＷの回転軸Ａ１に対してワークＷの径方向に沿って外側に移動した配置となっている。図３に示す例では、光源４２からの光Ｌ１は、ワークＷの中央付近を照射しつつ、ワークＷの一端（図３では右側端部）が照射可能な程度に、光軸Ａ２が移動されている。この場合、ワークＷの全面に対して光源４２からの光Ｌ１を照射しないため、光源４２とワークＷとの距離を近くすることができる。

【0054】

なお、ワークＷの回転軸Ａ１と光軸Ａ２との距離をどの程度とするかは、光源４２とワークＷとの距離にもよるが、例えば、回転軸Ａ１と光軸Ａ２との距離がワークＷの半径に対して１０％～１００％程度となるように調整することが考えられる。

【0055】

なお、基板処理装置１Ａの構成としながら、ワークＷの全面に対して光源４２からの光を均一に照射しようとする場合、特に、遮光板５６の形状を調整してワークＷへの光源４２からの光の照射量を調整することが求められる。

【0056】

図４は、基板処理装置１Ａにおいて用いられ得る遮光板５６の形状の一例を示している。遮光板５６は、光源４２からの光を通過させる開口５６ａを含んで構成される。このとき、開口５６ａを、例えば、平面視においてワークＷの中心に対応する保持部２６の軸線Ａ１を頂角とし、ワークＷの径方向に延びる二等辺５６ｂ，５６ｂを有する二等辺三角形としてもよい。この場合、二等辺三角形の底辺５６ｃがワークＷの周縁Ｗｐを超えた位置となるように、二等辺５６ｂ，５６ｂの長さが設定される。図４の例では、底辺５６ｃがワークＷの周縁Ｗｐと重なる位置とされている。ただし、実際には、図３等に示すように、遮光板５６よりも下方でも光Ｌ１は拡がるので、遮光板５６の配置に応じて、開口５６ａの形状および大きさが設定される。

【0057】

回転支持部２５によって所定の回転速度（角速度）でワークＷを回転させながら光源４２から光Ｌ１を照射した場合、ワークＷの中央付近と比べて周縁では周速度が大きくなる。この点を考慮して、図４に示すように、光源４２からの光の照射領域がワークＷの中心から周縁Ｗｐへ向けて拡がるように、つまり、遮光板５６の形状および大きさが設定され得る。このような形状とすると、ワークＷ上での照射領域ＡＲ（図３参照）は、概略三角形状となる。

【0058】

なお、図３では、ワークＷの中心を含むある程度広い範囲に光Ｌ１の照射領域ＡＲが設定されている例を示している。光源４２から照射される光の強度分布等に応じて、ワークＷ表面に照射される光の強度が均一になるように、照射領域を調整してもよい。

【0059】

照射領域ＡＲを調整することで、ワークＷ表面の各位置に照射される光Ｌ１の光量をより均一に調整することが可能となる。そのため、光源４２から出射される光の光量分布に応じて、照射領域ＡＲを調整してもよい。

【0060】

（コントローラ）
基板処理装置１のコントローラ１００は、回転支持部２５、ガス供給部３０、ガス排出部３２、雰囲気調整部３４、光照射機構４０、光量調整機構５０（特に、シャッター５１）を制御する。

【0061】

また、コントローラ１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えばコントローラ１００は、図５に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４とを有する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の基板処理手順を基板処理装置１に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスクおよび光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラムおよびプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１からの指令に従って、コントローラ１００が制御する各部との間で電気信号の入出力を行う。

【0062】

なお、コントローラ１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えばコントローラ１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。

【0063】

［基板処理方法］
次に、基板処理装置での動作を含む基板処理方法について、説明する。本実施形態に示す基板処理方法は、レジスト膜が形成されたワークＷに対して、基板処理装置１（または基板処理装置１Ａ）を用いて露光前にＶＵＶ光を含む光を照射する。

【0064】

図６は、ワークＷに対してレジストパターンを形成する際の手順をフロー図として示している。

【0065】

ステップＳ０１では、ワークＷの表面に対してレジスト液を塗布し、レジスト膜を形成する。レジスト膜の形成方法は特に限定されない。レジスト膜を形成する前のワークＷの表面には、下層膜等が形成されていてもよい。この段階ではレジスト膜がワークＷの表面の全面に対して形成される。

【0066】

ステップＳ０２では、基板処理装置１を用いてレジスト膜が形成されたワークＷの表面にＶＵＶ光を含む光を照射する。筐体２１で保持されたワークＷに対して、ＶＵＶ光として光源４２からの光Ｌ１を照射する。光Ｌ１はＶＵＶ光を含む光である。以下の実施形態では、光源４２から出射される「ＶＵＶ光を含む光Ｌ１」を単に「ＶＵＶ光」という場合がある。以下、ステップＳ０２における基板処理装置１の操作について説明する。

【0067】

図７は、筐体２１内の圧力の経時変化の概略を示すグラフである。なお、「筐体２１内」とは、ワークＷが存在する空間内（透光板５３で区画された空間のうち、ワークＷが存在する下方の空間）を指す。また、図７のグラフの横軸は、処理中の経過時間を示し、縦軸は処理容器となる筐体２１内の圧力（単位：Ｐａ）を示しており、概ね対数軸を模式的に示したものとなっている。

【0068】

まず、ガス供給部３０およびガス排出部３２の動作が停止された状態で、搬送機構によりワークＷが筐体２１内に搬入される。回転支持部２５の保持部２６にワークＷが載置されると、ゲートバルブ２３が閉じられて筐体２１内が気密にされる。このとき、筐体２１内は、例えば標準気圧の大気雰囲気（図７の時刻ｔ０）とされる。その後、ガス排出部３２の動作によって、筐体２１内の圧力を低くする。

【0069】

減圧が進行して、筐体２１内の圧力が１Ｐａになると（時刻ｔ１）、当該時間が所定時間維持される。１Ｐａの減圧状態を暫く維持した後（時刻ｔ２）、ガス供給部３０のバルブ３０ｂが開かれて筐体２１内にＡｒガスが供給される。これにより、筐体２１内にＡｒガス雰囲気が形成されると共に、当該筐体２１内の圧力が上昇する。なお、減圧速度および昇圧速度は、ガス供給部３０およびガス排出部３２の動作によって制御することができる。また、減圧速度および昇圧速度は、一定であってもよいし、途中で変動させてもよい。

【0070】

Ａｒガスにより例えば筐体２１内の圧力が１００００Ｐａに達すると、筐体２１内の圧力を維持した状態で、光源４２からワークＷに対してＶＵＶ光を含む光が照射される（時刻ｔ３）。このとき、基板処理装置１Ａのように、ワークＷを回転させながらＶＵＶ光を含む光を照射することが想定されている場合には、回転支持部２５によってワークＷを回転させた状態で照射を行う。なお、基板処理装置１のように、光源４２からの光がワークＷ全体に到達する場合には、ワークＷを回転させなくてもよい。所定の時間、例えば３０秒間、光源４２から光が照射されると、当該光照射が停止される（時刻ｔ４）。その後、ガス供給部３０およびガス排出部３２の動作が停止され、筐体２１内の圧力が大気雰囲気に戻された後に、ワークＷが筐体２１内から搬出される。以上により、基板処理装置１によるワークＷの処理が終了する。

【0071】

ＶＵＶ光を含む光の照射時における単位面積あたりの光量（積算照射量、または、線量という場合がある）は、レジストパターンを照射した後にワークＷの表面に対してＶＵＶ光を含む光を照射する場合と比較して小さくされる。具体的には、露光・現像処理によってレジストパターンを形成した後にワークＷの表面に対してＶＵＶ光を含む光を照射して、表面のラフネス改善を図る場合と比較して、ＶＵＶ光を含む光の照射量が１％～２％となるように調整される。例えば、レジストパターンに対してＶＵＶ光を含む光を照射する場合には、ＶＵＶ光を含む光の光量を２５ｍｊ／ｃｍ^２～１００ｍｊ／ｃｍ^２と調整し得る。一方、露光処理を行う前のレジスト膜に対してＶＵＶ光を含む光を照射する場合には、ＶＵＶ光を含む光の光量が１ｍｊ／ｃｍ^２～２ｍｊ／ｃｍ^２程度に調整し得る。このように、露光処理前のレジスト膜に対してＶＵＶ光を含む光を照射する場合には、照射光の光量が小さく調整され得る。

【0072】

ＶＵＶ光を含む光の照射中は、ワークＷの温度上昇が抑制されていてもよい。上記のように、ＶＵＶ光を含む光の光量が小さくなるように調整され、且つ筐体２１内の圧力が大気圧より小さくなるように調整されていると、ワークＷ自体の温度上昇が防がれる。そのため、ワークＷの温度が雰囲気温度（例えば、筐体２１の外部の温度）と略同等の状態で上記のＶＵＶ光を含む光の照射が行われ得る。ワークＷの温度が（外部の）雰囲気温度と略同等の状態で照射が行われる場合、ワークＷの温度変化の影響を受けてレジスト膜の特性が変化することが防がれる。一例として、ＶＵＶ光を含む光の照射時のワークＷの温度の変化は、外部の温度（筐体２１外の温度、室温）に対して１℃未満に抑えられていてもよい。

【0073】

ワークＷの単位面積当たりの光の照射量を小さくする方法としては、例えば、光源４２から出射される光の光量自体を小さくすること（電流値を調整すること）が挙げられる。また、その他の方法として、ワークＷの表面と光源４２との距離を小さくすること（ワークＷに対して光源４２が遠くなるように調整すること）、照射時間を短くすること等の公知の方法が挙げられる。ワークＷの表面と光源４２との距離を変えることと共に、光源４２からの光の照射中に光路周辺の圧力を変えることでも、ワークＷの表面に到達する光のエネルギーを調整することができる。これらの手法を組み合わせて単位面積当たりのＶＵＶ光を含む光の照射量を変化させてもよい。

【0074】

基板処理装置１では、有孔板５２もワークＷの単位面積当たりの光の照射量の調整に寄与する。有孔板５２の開口率に応じて、光源４２からの光量が減少するため、ワークＷの単位面積当たりの光の照射量が小さくなる。また、基板処理装置１Ａでは、有孔板５２に加えて、遮光板５４の形状もワークＷの単位面積当たりの光の照射量の調整に寄与する。

【0075】

なお、上述したように、基板処理装置１では、光源４２からのワークＷへの光の照射時に、ガス供給部３０によるガスの供給と、ガス排出部３２によるガスの排出とが行われる。したがって、筐体２１内の圧力が維持された状態でＡｒガスの入れ替えが発生しているといえる。

【0076】

光源４２からの光の照射の間（時刻ｔ３～時刻ｔ４の間）、筐体２１内の圧力は一定であってもよいし、徐々に変化させてもよい。図６に示す例では、光源４２から光を照射する間は、ワークＷ表面からのデガス（アウトガス）を抑制するために、筐体２１内の圧力を１００００Ｐａとしている。しかしながら、光源４２からの光の照射をしている間にデガスの発生量が徐々に少なくなることが考えられる。この場合、筐体２１内の圧力を徐々に小さく変化させる制御を行ってもよい。このような構成とすることで、より真空に近い状態でワークＷに対する光の照射を行うことが可能となる。

【0077】

ステップＳ０３では、ＶＵＶ光を含む光を照射した後のワークＷに対して加熱処理を行う。この段階での加熱処理は、固化していないレジスト膜に対する加熱処理であり、ＰＡＢ（Pre Applied Bake）といわれる熱処理である。

【0078】

ステップＳ０４では、加熱処理（ＰＡＢ）後のワークＷに対する露光処理を行う。露光処理では、液浸露光等の方法を用いて、ワークＷに形成されたレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。

【0079】

ステップＳ０５では、露光処理後のワークＷに対して加熱処理を行う。この段階での加熱処理は、固化していないレジスト膜に対する加熱処理であり、ＰＥＢ（Post Exposure Bake）といわれる熱処理である。

【0080】

ステップＳ０６では、加熱処理（ＰＥＢ）後のワークＷに対する現像処理を行う。現像処理では、ワークＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流す。これによりワークＷの表面上に所定のパターンが形成される。なお、現像処理後に再度加熱処理（ＰＢ：Post Bake）が行われてもよい。なお、ステップＳ０１およびステップＳ０３～Ｓ０６で説明した、塗布処理、加熱処理（ＰＡＢ，ＰＥＢ）、露光処理、および現像処理は、例えば公知の塗布・現像装置および露光装置を含む基板処理システム等を用いて行うことができる。

【0081】

上記の一連の処理を行うことによって、従来の基板処理方法と比較して、レジスト膜における露光感度が向上し、さらに露光・現像処理後のレジストパターンのラフネスが改善する効果が得られる。

【0082】

［評価結果］
上記の構成とすることで、微弱光とされた光源４２からの光Ｌ１をワークＷ表面に対して均一に照射することができる。この点について評価した結果を図８に示す。

【0083】

図８（ａ）～図８（ｃ）は、ワークＷ表面における光源４２からの光Ｌ１の分布を評価した結果を模式的に示している。図８（ａ）～図８（ｃ）では、ワークＷの中心を位置０とし、ワークＷの外周部（周縁Ｗｐに相当する部分）を「＋」「－」として表示している。

【0084】

図８（ａ）は、基板処理装置１において、有孔板５２を用いた減光を行わずにワークＷに対して光を照射した場合の光量の分布を示している。また、図８（ｂ）は、基板処理装置１のように、開口率が１０％の有孔板５２を配置した場合の光量の分布を示している。さらに、図８（ｃ）は、基板処理装置１Ａのように、光源４２の光軸Ａ２がワークＷの中心（軸線Ａ１に対してずれた位置）とした上で、遮光板５６を用いた場合の光量の分布を示している。図８（ｃ）に示す例では、有孔板５２の開口率は１９％であり、遮光板５６における開口５６ａの形状は、図４に示すように、中央部が頂角となる二等辺三角形状であって、頂角を６０°としたことによって実質的に正三角形状であった。

【0085】

図８（ａ）と図８（ｂ）とを比較した結果から、有孔板５２を設けることによって、光量を大幅に抑制できることが確認された。また、有孔板５２を用いることで、ワークＷの中央部と外周部との間での光量の偏りも抑制された。ただし、図８（ｂ）に示す結果においても外周部と比べて中央部では、ワークＷ表面が受ける光Ｌ１の光量が大きいことが確認された。これに対して、図８（ｃ）では、ワークＷの中央部と外周部との間で、ワークＷ表面が受ける光Ｌ１の光量の差が小さくなることが確認された。

【0086】

このように、有孔板５２を用いることで、光量を大幅に抑制できることができた。さらに、ワークＷを回転させながら照射をする場合、遮光板の形状を調整することで、光源４２からの光をより均一に（光量の差を小さくした状態で）照射できることが確認された。

【0087】

［作用］
上記の基板処理装置および基板処理方法によれば、光量抑制部材として機能する有孔板５２を用いることで、微弱光に調整された真空紫外光を含む光が、基板表面の照射領域ＡＲに照射される。そのため、微弱光の真空紫外光を含む光を基板表面に対して照射することによるレジスト膜露光時の感度調整を適切に行うことができる。その結果、基板における露光時の感度を面内で均一にすることが可能になる。

【0088】

露光前に真空紫外光を含む光を照射する場合、微弱光に調整した光を照射することが求められ得る。しかしながら、光源４２から真空紫外光を含む光を安定して出力しようとすると、光量をある程度高くした状態での出力が求められる。基板に到達する光の光量を減らすためには、光源と基板との距離を大きくすることも考えられる。しかしながら、光源と基板との距離を大きくすると、装置を大型化（例えば、高背化）する必要がある。これに対して、上記の構成等することで、光量抑制部材を用いて光量を微弱光に抑制した状態で、基板に対して真空紫外光を含む光を照射することができる。したがって、装置の大型化を防ぎながら、基板における露光時の感度を適切に調整することができる。

【0089】

また、上記実施形態のように、光量抑制部材として、厚さ方向に複数の開口５２ａが形成された有孔板５２を用いてもよい。この場合、光源４２からの真空紫外光を含む光について、そのスペクトル成分を変化させずに、微弱光として基板に対して照射することが可能となる。そのため、真空紫外光を含む光によるレジスト膜の感度の調整を適切に行うことができる。

【0090】

また、光量抑制部材として、例えば、透光板５３のように、光源４２からの光の光量を微弱光に抑制して透過させる部材を含んでいてもよい。このような光量抑制部材を用いる場合、光源からの光の分布を維持した状態で、微弱光として基板に対して照射することが可能となるため、真空紫外光を含む光によるレジスト膜の感度の調整を適切に行うことができる。つまり、有孔板５２のように開口５２ａのみ光が通過可能という構成と比較して、光が通過可能な位置が規制されていないため、光の偏りを減らすことができる。

【0091】

また、上記の基板処理装置１Ａでは、基板の表面面積に対して小さい面積であって、且つ、基板の外周側に向かって大きくなるように、前記基板表面に前記照射領域ＡＲを形成する遮光部材としての遮光板５６を用いている。そして、光源４２からの光を、遮光板５６を介して照射領域ＡＲを調整した後に、回転する基板に対して照射している。このような構成とすることで、遮光板５６を調整することで、基板表面の全面に対して、光源４２からの光をより光量を均一に照射することが可能となる。そのため、真空紫外光を含む光によるレジスト膜の感度の調整を基板表面において適切に行うことができる。

【0092】

［変形例］
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、および変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

【0093】

例えば、遮光部材としての遮光板の形状は適宜変更することができる。図９（ａ）～（ｃ）では、遮光板の２種類の変形例を示している。

【0094】

図９（ａ）に示す遮光板５６Ｘは、遮光板５６の開口５６ａと比較して、開口５６ａの形状が異なっている。すなわち、遮光板５６Ｘは、平面視においてワークＷの中心と重なる位置（軸線Ａ１に対応する位置）には開口５６ａが形成されていない。図１および図３に示すように、光源４２からの光は、遮光部材としての遮光板５４，５６よりも下方でも拡散される。一方、ワークＷの中心は、ワークＷが回転してもほとんど位置が変わらないため、ワークＷの中心は、その周囲と比較して光源４２からの光Ｌ１の到達量が大きくなり得る。これに対して、平面視においてワークＷの中心と重なる位置には遮光板５６Ｘの開口５６ａが形成されていないとすることで、ワークＷの中心において光源４２からの光が集中することを防ぐことができる。図９（ａ）に示す遮光板５６Ｘでは、開口５６ａの形状を三角形ではなく台形とすることで、ワークＷの中心と重なる位置に開口５６ａが形成されないようにしているが、開口の形状は適宜変更することができる。例えば、中央側の開口の端部を曲線状としてもよい。

【0095】

図９（ｂ）および図９（ｃ）に示す遮光板５６Ｙは、通過する光の光量を中央部と外周部とで調整している構成を示している。遮光板５６Ｙは、開口５６ａのほかに、有孔部５６ｅを有している。そのため、遮光板５６Ｙは、ワークＷへ到達する光の光量を微弱光に調整する、光量抑制部材としての機能も有している。また、遮光板５６Ｘと同様に、開口５６ａの領域は台形とされていて、ワークＷの中央部に対応する側に有孔部５６ｅが形成されている。この結果、遮光板５６Ｙは、単位面積あたりの光の照射強度が大きくなるように光量の勾配を形成する機能を有している。

【0096】

回転するワークＷに対して光源４２からの光を照射する場合、外周部よりも中央部のほうが周速度が小さくなるため、光源４２からの光が照射される時間帯が長くなりがちである。これに対して、照射領域ＡＲのうち中央部よりも外周部において、単位面積あたりの光の照射強度が大きくなるように光量の勾配を形成すると、周速度の差に由来する光量の差を調整することができる。そのため、光源４２からの光をより光量を均一な状態で照射することが可能となる。

【0097】

特に、遮光板５６Ｙのように、厚さ方向に複数の開口が形成された有孔部を含む有孔板が光量抑制部材に含まれル場合には、中央部よりも外周部の開口率を大きくすることで、光量の勾配を形成してもよい。

【0098】

なお、図９では、遮光板５６Ｙに有孔部５６ｅを設ける例を示したが、有孔板５２において、中央部よりも外周部の開口率を大きくすることで、単位面積あたりの光の照射強度が大きくなるように光量の勾配を形成してもよい。

【0099】

その他の変形例として、光源は、光軸Ａ２が基板表面に対して傾斜していてもよい。光源４２の光軸Ａ２が基板の表面に対して傾斜している場合、光源４２と基板との距離を小さくしながら、微弱光の真空紫外光を含む光を基板表面に対して照射することが可能となる。そのため、レジスト膜露光時の感度調整を適切に行うことができる。つまり、基板処理装置を低背化しながら、上記の構成を実現することができる。

【0100】

なお、光源を基板表面に対して傾斜した場合、光源４２からの光の光量分布が、光軸Ａ２が垂直な場合と比較して変化し得る。そのため、有孔板５２、透光板５３、遮光板５４等を用いて、光量が適切な分布となるように、調整してもよい。

【0101】

また、上記の構成では、光源４２とワークＷとの間に、有孔板５２、シャッター５１、透光板５３、遮光板５４がこの順で配置される構成を説明したが、この順序は適宜変更できる。

【0102】

また、上記では、基板処理方法の一例を説明したが、例えば、ＶＵＶ光の照射（Ｓ０２）と加熱処理（Ｓ０３）との順序は変更してもよい。また、露光前の加熱処理（Ｓ０３）自体を行わない構成としてもよい。

【0103】

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

【符号の説明】

【0104】

１，１Ａ…基板処理装置、２０…処理室、２１…筐体、２５…回転支持部、２６…保持部、２７…回転駆動部、３０…ガス供給部、３２…ガス排出部、３４…雰囲気調整部、４０…光照射機構、４１…筐体、４２…光源、５０…光量調整機構、５１…シャッター、５２…有孔板、５２ａ…開口、５３…透光板、５４，５６，５６Ｘ，５６Ｙ…遮光板、５６ａ…開口、５６ｅ…有孔部、１００…コントローラ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】