特許7564503シリコン含有レジスト下層膜の製造方法

発明の名称　シリコン含有レジスト下層膜の製造方法

出願人　日産化学工業株式会社　（識別番号 3986）

　　　　特許公開件数ランキング 405 位（79件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 199 位（156件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7564503

公報発行日　2024年10月9

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7564503

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