特許 7565387 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-02

(45)【発行日】2024-10-10

(54)【発明の名称】基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20241003BHJP

   B05C 11/00 20060101ALI20241003BHJP

   B05C 11/10 20060101ALI20241003BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20241003BHJP

   B05C 5/00 20060101ALN20241003BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 569C

H01L21/30 564C

B05C11/00

B05C11/10

H01L21/304 643A

H01L21/304 648G

H01L21/304 648K

B05C5/00 101

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2022579442

(86)(22)【出願日】2022-01-21

(86)【国際出願番号】 JP2022002242

(87)【国際公開番号】W WO2022168641

(87)【国際公開日】2022-08-11

【審査請求日】2023-07-21

(31)【優先権主張番号】P 2021015733

(32)【優先日】2021-02-03

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(31)【優先権主張番号】P 2021128413

(32)【優先日】2021-08-04

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100122507

【弁理士】

【氏名又は名称】柏岡 潤二

(74)【代理人】

【識別番号】100171099

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 茂樹

(74)【代理人】

【識別番号】100212026

【弁理士】

【氏名又は名称】中村 真生

(72)【発明者】

【氏名】西畑 広

【審査官】坂上 大貴

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１６／０８４９２７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１９／１１７０４３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０２０－１１９９９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／２０２９６２（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

２１／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理液を吐出可能なノズルと、前記処理液の供給源と、前記ノズルと前記供給源との間を接続する供給流路とを有し、基板に対して前記処理液を供給する処理液供給部と、
前記供給流路に沿って位置が互いに異なる複数箇所に配置され、光の照射に伴い前記供給流路内から出射された出射光を受光して得られる受光信号に基づいて、前記処理液に含まれる異物を検出する複数の異物検出部と、
前記複数の異物検出部による前記複数箇所それぞれでの検出結果に基づいて、前記供給流路の中から前記異物の検出の原因となる事象が発生した区画を推定する発生源推定部と、
前記発生源推定部が推定した前記区画に応じて、前記事象の発生の要因を推定する要因推定部と、
前記ノズルまで前記処理液を導く流路内を流れる前記処理液の流速を測定する流速測定部と、を備え、
前記要因推定部は、前記流速測定部による測定結果に基づいて、前記事象の発生の要因を絞り込む、基板処理装置。

【請求項2】

処理液を吐出可能なノズルと、前記処理液の供給源と、前記ノズルと前記供給源との間を接続する供給流路とを有し、基板に対して前記処理液を供給する処理液供給部と、
前記供給流路に沿って位置が互いに異なる複数箇所に配置され、光の照射に伴い前記供給流路内から出射された出射光を受光して得られる受光信号に基づいて、前記処理液に含まれる異物を検出する複数の異物検出部と、
前記複数の異物検出部による前記複数箇所それぞれでの検出結果に基づいて、前記供給流路の中から前記異物の検出の原因となる事象が発生した区画を推定する発生源推定部と、
前記発生源推定部が推定した前記区画に応じて、前記事象の発生の要因を推定する要因推定部と、を備え、
前記要因推定部は、前記事象が発生した際の前記基板への前記処理液の供給頻度に基づいて、前記事象の発生の要因を絞り込む、基板処理装置。

【請求項3】

前記処理液供給部は、
前記供給流路内の前記処理液に含まれる異物を捕集するフィルタと、前記ノズルに向けて前記処理液を送り出すポンプとを含む送液部と、
前記供給流路のうちの前記送液部と前記ノズルとの間の流路を開閉する吐出バルブと、
前記供給源から前記送液部に前記処理液を補充する補充部と、を有し、
前記複数の異物検出部は、
前記ノズルと前記吐出バルブとの間の流路に配置された第１異物検出部と、
前記吐出バルブと前記送液部との間の流路に配置された第２異物検出部と、
前記補充部と前記送液部との間の流路に配置された第３異物検出部と、を有する、請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記ノズルまで前記処理液を導く流路内を流れる前記処理液の流速を測定する流速測定部を更に備え、
前記要因推定部は、前記流速測定部による測定結果に基づいて、前記事象の発生の要因を絞り込む、請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記複数の異物検出部それぞれは、前記出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報に基づいて、前記処理液に含まれる別の薬液を前記異物として検出する、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項6】

処理液を吐出可能なノズルから、基板に対して前記処理液を供給することと、
前記処理液の供給源と前記ノズルとの間を接続する供給流路に沿って位置が互いに異なる複数箇所において、光の照射に伴い前記供給流路内から出射された光を受光して得られる受光信号に基づいて、前記処理液に含まれる異物を検出することと、
前記複数箇所それぞれでの前記異物の検出結果に基づいて、前記供給流路の中から前記異物の検出の原因となる事象が発生した区画を推定することと、
前記事象が発生したと推定された前記区画に応じて、前記事象の発生の要因を推定することと、
前記ノズルまで前記処理液を導く流路内を流れる前記処理液の流速を測定することと、を含み、
前記要因を推定することにおいては、前記流速の測定結果に基づいて、前記事象の発生の要因が絞り込まれる、基板処理方法。

【請求項7】

処理液を吐出可能なノズルから、基板に対して前記処理液を供給することと、
前記処理液の供給源と前記ノズルとの間を接続する供給流路に沿って位置が互いに異なる複数箇所において、光の照射に伴い前記供給流路内から出射された光を受光して得られる受光信号に基づいて、前記処理液に含まれる異物を検出することと、
前記複数箇所それぞれでの前記異物の検出結果に基づいて、前記供給流路の中から前記異物の検出の原因となる事象が発生した区画を推定することと、
前記事象が発生したと推定された前記区画に応じて、前記事象の発生の要因を推定することと、を含み、
前記要因を推定することにおいては、前記事象が発生した際の前記基板への前記処理液の供給頻度に基づいて、前記事象の発生の要因が絞り込まれる、基板処理方法。

【請求項8】

請求項６又は７に記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、サンプリング配管から供給されたレジスト液のパーティクルを測定するパーティクル測定装置を具備する塗布装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開平１０－２０９０２４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、異物検出の原因となる事象が発生した要因を容易に把握することが可能な基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一側面に係る基板処理装置は、処理液を吐出可能なノズルと、処理液の供給源と、ノズルと供給源との間を接続する供給流路とを有し、基板に対して処理液を供給する処理液供給部と、供給流路に沿って位置が互いに異なる複数箇所に配置され、光の照射に伴い供給流路内から出射された出射光を受光して得られる受光信号に基づいて、処理液に含まれる異物を検出する複数の異物検出部と、複数の異物検出部による複数箇所それぞれでの検出結果に基づいて、供給流路の中から異物の検出の原因となる事象が発生した区画を推定する発生源推定部と、を備える。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、異物検出の原因となる事象が発生した要因を容易に把握することが可能な基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、基板処理システムの一例を示す模式的な斜視図である。

【図2】図２は、塗布現像装置の一例を示す模式的な側面図である。

【図3】図３は、液処理ユニットの一例を示す模式図である。

【図4】図４は、処理液供給部の一例を示す模式図である。

【図5】図５は、異物検出ユニットの一例を示す模式図である。

【図6】図６は、制御システムの機能構成の一例を示すブロック図である。

【図7】図７は、異物検出に用いられる受光信号の一例を示すグラフである。

【図8】図８は、各異物検出部での蓄積データの一例を示すグラフである。

【図9】図９は、制御システムのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。

【図10】図１０は、制御システムが実行する一連の処理の一例を示すフローチャートである。

【図11】図１１は、処理液の流速の測定結果の一例を示すグラフである。

【図12】図１２は、薬液の種類と背景光の強度との関係の一例を示すグラフである。

【図13】図１３は、各異物検出部での蓄積データの一例を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

【0009】

一つの例示的実施形態に係る基板処理装置は、処理液を吐出可能なノズルと、処理液の供給源と、ノズルと供給源との間を接続する供給流路とを有し、基板に対して処理液を供給する処理液供給部と、供給流路に沿って位置が互いに異なる複数箇所に配置され、光の照射に伴い供給流路内から出射された出射光を受光して得られる受光信号に基づいて、処理液に含まれる異物を検出する複数の異物検出部と、複数の異物検出部による複数箇所それぞれでの検出結果に基づいて、供給流路の中から異物の検出の原因となる事象が発生した区画を推定する発生源推定部と、を備える。

【0010】

ノズルと供給源との間の供給流路において１箇所に異物検出ユニットを配置して、処理液内の異物を検出する方法が考えられる。この方法では、処理液内において異物が発生したことを把握することができるが、異物がどのような要因で処理液内に発生しているかを、検出結果から把握することができない。これに対して、上記基板処理装置では、供給流路上の複数箇所での異物の検出結果から、供給流路の中の異物の検出の原因となる事象が発生した区画が推定される。そのため、その推定結果を利用することで、上記事象の発生の要因を容易に把握することが可能となる。

【0011】

処理液供給部は、供給流路内の処理液に含まれる異物を捕集するフィルタと、ノズルに向けて処理液を送り出すポンプとを含む送液部と、供給流路のうちの送液部とノズルとの間の流路を開閉する吐出バルブと、供給源から送液部に処理液を補充する補充部と、を有してもよい。複数の異物検出部は、ノズルと吐出バルブとの間の流路に配置された第１異物検出部と、吐出バルブと送液部との間の流路に配置された第２異物検出部と、補充部と送液部との間の流路に配置された第３異物検出部とを有してもよい。この場合、第１異物検出部、第２異物検出部、及び第３異物検出部による検出結果から、異物の検出の原因となる事象が発生したと想定される区画を、吐出バルブを含む区画、送液部を含む区画、又は補充部を含む区画のいずれかに推定することが可能となる。

【0012】

上記基板処理装置は、発生源推定部が推定した区画に応じて、上記事象の発生の要因を推定する要因推定部を更に備えてもよい。この場合、要因推定部による要因の推定結果を利用することで、上記事象の発生の要因を更に容易に把握することが可能となる。

【0013】

上記基板処理装置は、ノズルまで処理液を導く流路内を流れる処理液の流速を測定する流速測定部を更に備えてもよい。要因推定部は、流速測定部による測定結果に基づいて、上記事象の発生の要因を絞り込んでもよい。この場合、上記事象の発生の要因が絞り込まれるので、上記事象の発生の要因を更に容易に把握することが可能となる。

【0014】

要因推定部は、上記事象が発生した際の基板への処理液の供給頻度に基づいて、上記事象の発生の要因を絞り込んでもよい。この場合、上記事象の発生の要因が絞り込まれるので、上記事象の発生の要因を更に容易に把握することが可能となる。

【0015】

複数の異物検出部それぞれは、出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報に基づいて、処理液に含まれる別の薬液を異物として検出してもよい。処理液等の液の種別に応じて、背景光の強度が異なる。上記構成では、強度情報を利用することで、処理液内に他の薬液が異物として含まれていないかを容易に判定することが可能となる。

【0016】

一つの例示的実施形態に係る基板処理方法は、処理液を吐出可能なノズルから、基板に対して処理液を供給することと、処理液の供給源とノズルとの間を接続する供給流路に沿って位置が互いに異なる複数箇所において、光の照射に伴い供給流路内から出射された光を受光して得られる受光信号に基づいて、処理液に含まれる異物を検出することと、複数箇所それぞれでの異物の検出結果に基づいて、供給流路の中から異物の検出の原因となる事象が発生した区画を推定することと、を含む。この基板処理方法では、上述した基板処理装置と同様に、上記事象の発生の要因を容易に把握することが可能となる。

【0017】

一つの例示的実施形態に係る記憶媒体は、上記基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。

【0018】

以下、図面を参照して、いくつかの実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

【0019】

［第１実施形態］
最初に、図１～図１１を参照して、第１実施形態に係る基板処理システム１について説明する。図１に示される基板処理システム１（基板処理装置）は、ワークＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。当該基板は、一例として、シリコンウェハである。ワークＷ（基板）は、円形であってもよい。ワークＷは、ガラス基板、マスク基板、又はＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

【0020】

図１及び図２に示されるように、基板処理システム１は、塗布現像装置２と、露光装置３と、制御装置２０とを備える。塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理前に、ワークＷの表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。露光装置３は、ワークＷ（基板）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、を備える。

【0021】

キャリアブロック４は、塗布現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。

【0022】

処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

【0023】

処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

【0024】

処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

【0025】

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光処理が施されたレジスト膜の現像処理及び現像処理に伴う熱処理を行う。液処理ユニットＵ１は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、及び現像後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。

【0026】

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。

【0027】

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

【0028】

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

【0029】

制御装置２０は、例えば以下の手順で塗布現像処理を実行するように塗布現像装置２を制御する。まず制御装置２０は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

【0030】

次に制御装置２０は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置２０は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置２０は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

【0031】

次に制御装置２０は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置２０は、このワークＷの表面に対してレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置２０は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

【0032】

次に制御装置２０は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置２０は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置２０は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

【0033】

次に制御装置２０は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後制御装置２０は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。

【0034】

次に制御装置２０は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷのレジスト膜の現像処理を行うように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置２０は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。以上で１枚のワークＷについての塗布現像処理が完了する。制御装置２０は、後続の複数のワークＷのそれぞれについても、上述と同様に塗布現像処理を塗布現像装置２に実行させる。

【0035】

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した基板処理システム１の構成に限られない。基板処理装置は、基板に対して処理液を供給して液処理を施す液処理ユニット、及びこれを制御可能な制御装置を備えていればどのようなものであってもよい。

【0036】

（液処理ユニット）
続いて、図３及び図４を参照して、処理モジュール１２における液処理ユニットＵ１の一例について詳細に説明する。液処理ユニットＵ１は、図３に示されるように、回転保持部２２と、処理液供給部２８と、を備える。

【0037】

回転保持部２２は、制御装置２０の動作指示に基づき、ワークＷを保持して回転させる。回転保持部２２は、保持部２４と、駆動部２６とを有する。保持部２４は、表面Ｗａを上方に向けて水平に配置されたワークＷの中心部を支持し、当該ワークＷを吸着（例えば真空吸着）等により保持する。駆動部２６は、例えば電動モータ等の動力源を含む回転アクチュエータであり、鉛直な回転軸周りに保持部２４を回転させる。これにより、鉛直な回転軸周りにワークＷが回転する。

【0038】

処理液供給部２８は、ワークＷに対して処理液を供給する。処理液供給部２８は、処理液を吐出可能なノズル３０と、処理液の液源（後述の供給源５２）からノズル３０まで処理液を導く供給流路２９とを有し、ワークＷの表面Ｗａに対して処理液を供給する。処理液供給部２８は、例えば、図４に示されるように、ノズル３０と、送液管３２と、吐出バルブ３４と、送液部４０と、送液管３６と、補充部５０とを有する。以下の説明では、処理液の流れを基準として、「上流」及び「下流」の用語を使用する。

【0039】

ノズル３０は、ワークＷに処理液を吐出する。ノズル３０は、例えば、ワークＷの上方に配置され、処理液を下方に吐出する（図３も参照）。ノズル３０からワークＷに向けて処理液が吐出されることで、ワークＷの表面Ｗａに処理液が塗布（供給）される。送液管３２は、ノズル３０と送液部４０との間を接続し、ノズル３０まで処理液を導く流路を形成する。送液管３２の下流側の端部はノズル３０に接続され、送液管３２の上流側の端部は送液部４０に接続されている。

【0040】

吐出バルブ３４は、送液管３２によって形成される処理液の流路に設けられる。吐出バルブ３４は、制御装置２０からの動作指示に基づいて、送液管３２内の流路（送液部４０とノズル３０との間の流路）を開閉する。吐出バルブ３４が開状態であるときに、ノズル３０から処理液がワークＷの表面Ｗａに向けて吐出され、吐出バルブ３４が閉状態であるときに、ノズル３０からの処理液の吐出が停止される。吐出バルブ３４は、例えば、エアオペレーションバルブである。

【0041】

送液部４０は、送液管３２を介してノズル３０まで処理液を送る。具体的には、送液部４０は、処理液を所定圧力でノズル３０に向けて送り出す。送液部４０は、例えば、ポンプ４２と、接続管４４と、フィルタ４６とを有する。

【0042】

ポンプ４２は、補充部５０から補充される処理液を受け入れて、受け入れた処理液を加圧してノズル３０に向けて送り出す。ポンプ４２は、処理液を収容する収容室と、その収容室を拡大及び収縮させる収縮部とを有する。ポンプ４２は、収縮部により収容室を拡大して処理液を受け入れて、収縮部により収容室を収縮させて処理液を送り出す。ポンプ４２として、チューブフラムポンプ、ダイヤフラムポンプ、又はベローズポンプが用いられてもよい。

【0043】

接続管４４は、ポンプ４２とフィルタ４６とを接続する。接続管４４の下流側の端部はポンプ４２に接続され、接続管４４の上流側の端部はフィルタ４６に接続されている。接続管４４は、補充部５０から補充される処理液をポンプ４２まで導く流路の一部を形成する。フィルタ４６は、補充部５０からポンプ４２までの流路を流れる処理液に含まれる異物を捕集する。

【0044】

送液管３６は、フィルタ４６と補充部５０との間を接続する。送液管３６の下流側の端部は送液部４０（フィルタ４６）に接続され、送液管３６の上流側の端部は補充部５０に接続されている。送液管３６及び接続管４４によって、補充部５０からポンプ４２までの処理液の流路が形成される。

【0045】

補充部５０は、ノズル３０に向けて送り出すための処理液を送液部４０に補充する。上述のように、補充部５０とポンプ４２との間では、送液管３６及び接続管４４によって処理液の流路が形成され、当該流路内にフィルタ４６が設けられている。補充部５０は、例えば、供給源５２と、送液管５４と、貯留タンク５６と、ポンプ５８とを有する。

【0046】

供給源５２は、送液部４０に補充される処理液の供給源である。供給源５２は、例えば、処理液が収容されたボトルである。供給源５２は、送液管５４を介してポンプ５８に処理液を供給する。貯留タンク５６は、送液管５４に設けられており、ポンプ５８に供給するための処理液を一時的に貯留する。

【0047】

ポンプ５８は、貯留タンク５６から処理液を受け入れて、受け入れた処理液を加圧した状態で、送液管３６を通して送液部４０に送り出す（送液管３６及び接続管４４を通してポンプ４２に送り出す）。ポンプ５８は、処理液を収容する収容室と、その収容室を拡大及び収縮させる収縮部とを有する。ポンプ５８は、収縮部により収容室を拡大して処理液を受け入れて、収縮部により収容室を収縮させて処理液を送り出す。ポンプ５８として、チューブフラムポンプ、ダイヤフラムポンプ、又はベローズポンプが用いられてもよい。

【0048】

以上に説明した処理液供給部２８では、補充部５０の送液管５４、送液管３６、送液部４０の接続管４４、及び送液管３２によって、供給源５２とノズル３０との間を接続する供給流路２９が形成される。供給流路２９内には、ノズル３０から吐出される処理液に含まれる異物の発生源となり得る各種の部品（パーツ）が設けられる。これらの各種部品によって、処理液供給部２８が構成される。上述の処理液供給部２８では、供給源５２、貯留タンク５６、ポンプ５８、フィルタ４６、ポンプ４２、及び吐出バルブ３４が、異物の発生源となり得る各種の部品に相当する。

【0049】

（異物検出ユニット）
塗布現像装置２は、複数の異物検出ユニット７０（複数の異物検出部）を備える。各異物検出ユニット７０は、供給流路２９内を流れる処理液に含まれる異物（パーティクル）を検出するように構成されている。本開示において、処理液内の「異物」には、埃及び塵等の固体状の異物に加えて、泡等の気体状の異物も含まれる。異物を検出するとは、処理液内に異物が含まれていることを検出（異物が含まれていると判定）することを意味する。異物検出ユニット７０は、供給流路２９内を流れる処理液に光源からの光（照射光）を照射した際に発生する光（出射光）を受光して、その受光した光に応じた信号に基づいて異物を検出する。

【0050】

複数の異物検出ユニット７０は、供給流路２９に沿って位置が互いに異なる複数箇所に配置されている。この場合、供給流路２９は、複数の異物検出ユニット７０によって複数の区画（領域）に分割される。複数の異物検出ユニット７０のうちの供給流路２９において互いに隣り合う異物検出ユニット７０は、それらのユニット間の区画に少なくとも１つの上記部品が含まれるように配置されている。複数の異物検出ユニット７０のうちの最も上流側に位置する異物検出ユニット７０は、そのユニットの上流側の区画に少なくとも１つの上記部品が位置するように配置されている。各異物検出ユニット７０は、自身が配置されている箇所において、供給流路２９内の処理液に含まれる異物を検出する。

【0051】

塗布現像装置２は、例えば、複数の異物検出ユニット７０として、異物検出ユニット７０Ａと、異物検出ユニット７０Ｂと、異物検出ユニット７０Ｃと、を備える。以下では、供給流路２９上の処理液が流れる方向に沿って互いに異なる位置に異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃが備えられる場合について説明する。異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃは、供給流路２９に沿ってノズル３０から、この順で設けられている。

【0052】

異物検出ユニット７０Ａ（第１異物検出部）は、供給流路２９のうちの吐出バルブ３４とノズル３０との間の流路に配置されている。異物検出ユニット７０Ｂ（第２異物検出部）は、供給流路２９のうちの吐出バルブ３４と送液部４０との間の流路に配置されている。異物検出ユニット７０Ｃ（第３異物検出部）は、供給流路２９のうちの送液部４０と補充部５０との間の流路に配置されている。

【0053】

異物検出ユニット７０Ａと異物検出ユニット７０Ｂとの間の区画には、部品として吐出バルブ３４が配置されている。異物検出ユニット７０Ｂと異物検出ユニット７０Ｃとの間の区画には、部品としてポンプ４２及びフィルタ４６が配置されている。異物検出ユニット７０Ｃの上流の区画には、部品として供給源５２（ボトル）、貯留タンク５６、及びポンプ５８が存在する。

【0054】

以上のように、供給流路２９に沿って異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃが配置されるので、仮に異物検出ユニット７０Ｃよりも上流の区画で処理液内に異物が発生した場合、その異物は異物検出ユニット７０Ｃ，７０Ｂ，７０Ａをこの順で通過する。処理液内に異物が発生する場合の例としては、部品の内部等に存在していた塵等の異物が処理液内に混入する場合、及び、処理液内において泡等の異物が形成される場合が挙げられる。

【0055】

ノズル３０からの処理液の１回あたりの吐出量（供給量）は、供給流路２９の異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃによって分割される各区画の配管容積よりも小さい値に設定される。この場合、１回の処理液の供給が行われる間に、異物が供給流路２９内で下流に向けて移動する量は、各区画の長さよりも短い。そのため、いずれかの区画で処理液内に発生した異物が異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃそれぞれで検出され得る供給回数にずれが生じる。これにより、異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃによる検出結果から、供給流路２９の中から異物の検出の原因となる事象が発生した区画を推定することができる。異物の検出の原因となる事象（以下、単に「事象」という。）としては、例えば、異物が処理液内に混入すること、及び処理液内に泡が発生することが挙げられる。

【0056】

例えば、異物検出ユニット７０Ａによって異物が検出された場合に、異物検出ユニット７０Ｂ，７０Ｃにおいて異物が過去に検出されていなければ、異物検出ユニット７０Ａ，７０Ｂの間の区画で上記事象が発生したと想定される。この場合、吐出バルブ３４が異物の発生源であると推定することができる。異物検出ユニット７０Ａによって異物が検出された場合に、異物検出ユニット７０Ｂにおいて異物が既に検出されており、異物検出ユニット７０Ｃにおいて異物が過去に検出されていなければ、異物検出ユニット７０Ｂ，７０Ｃの間の区画で上記事象が発生したと推定される。この場合、送液部４０に含まれるポンプ４２及びフィルタ４６の少なくとも一方が異物の発生源であると推定することができる。

【0057】

異物検出ユニット７０Ａによって異物が検出された場合に、異物検出ユニット７０Ｂ，７０Ｃにおいて異物が既に検出されているときには、異物検出ユニット７０Ｃよりも上流の区画で上記事象が発生したと推定される。この場合、補充部５０に含まれる供給源５２、貯留タンク５６、及びポンプ５８の少なくとも一つが異物の発生源であると推定することができる。異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃによる検出結果を用いて、上記事象が発生したと想定される区画（異物の発生源を含むと想定される区画）を推定する方法の具体例については後述する。

【0058】

異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃは、互いに同様に構成されていてもよい。異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃそれぞれは、供給流路２９を流れる処理液を流通させる流路（以下、「検出流路」という。）を形成する。異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃそれぞれは、対応する検出流路に照射光（例えば、レーザ光）を照射することで発生する光を受光したうえで、検出流路を流れる処理液内の異物を検出する。図５に示されるように、異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃそれぞれは、例えば、筐体７１と、流路形成部７２と、照射部７６と、受光部７８と、制御部８０とを有する。

【0059】

筐体７１は、流路形成部７２、照射部７６、受光部７８、及び制御部８０を収容する。筐体７１は、直方体状に形成されていてもよい。流路形成部７２は、供給流路２９において上記検出流路を形成する部材である。流路形成部７２は、例えば、内部に検出流路７４が形成されているブロック本体を含む。このブロック本体は、直方体状に形成されており、異物検出の際に用いられるレーザ光を透過可能な材料によって構成されている。以下では、説明の便宜上、供給流路２９のうちの、その異物検出ユニットが形成する検出流路７４の上流に位置する流路を「上流側供給流路２９ａ」と表記し、検出流路７４の下流に位置する流路を「下流側供給流路２９ｂ」と表記する。

【0060】

流路形成部７２のブロック本体のうちの筐体７１の一側面と対向する面には、検出流路７４の流入口７４ａ及び流出口７４ｂが形成されている。流入口７４ａには、供給流路２９のうちの検出流路７４よりも上流に位置する上流側供給流路２９ａの端部が接続されている。流出口７４ｂには、供給流路２９のうちの検出流路７４よりも下流に位置する下流側供給流路２９ｂの端部が接続されている。上流側供給流路２９ａ及び下流側供給流路２９ｂの端部を形成する管は、流路形成部７２の近傍に位置する筐体７１の側壁を貫通している。

【0061】

以上の構成により、供給源５２から送り出される処理液は、異物検出ユニット７０Ｃが形成する検出流路７４、異物検出ユニット７０Ｂが形成する検出流路７４、及び異物検出ユニット７０Ａが形成する検出流路７４をこの順に通って、ノズル３０に向かって流れる。１回あたりの処理液の供給量と各区画の配管容積との関係から、異物検出ユニット７０Ｃの検出流路７４を通過した処理液は、その後に複数回の処理液の供給が行われると、異物検出ユニット７０Ｂの検出流路７４に達する。同様に、異物検出ユニット７０Ｂの検出流路７４を通過した処理液は、その後に複数回の処理液の供給が行われると、異物検出ユニット７０Ａの検出流路７４に達する。

【0062】

照射部７６は、処理液の異物を検出するための照射光を検出流路７４に向けて照射するように構成されている。照射部７６は、例えば、照射光としてレーザ光を生成する光源を含む。その光源は、一例では、波長４００ｎｍ～６００ｎｍ程度、出力６００ｍＷ～１０００ｍＷ程度のレーザ光を生成する。照射部７６は、下方から検出流路７４に向けて照射光を照射してもよい。

【0063】

受光部７８は、照射部７６からの照射光に伴い検出流路７４から出射される光（出射光）を受光するように構成されている。受光部７８は、例えば、検出流路７４の側方（流路形成部７２と同じ高さ位置）に配置されている。受光部７８は、検出流路７４から出射される光を集光する光学部品（レンズ）と、受光した光に応じた電気信号（以下、「受光信号」という。）を生成する受光素子とを含んでもよい。受光部７８は、照射部７６からの照射光が検出流路７４において散乱することで発生する光（散乱光）の一部を受光する。

【0064】

処理液が流れている検出流路７４内に照射光が照射されると、異物の有無にかかわらず散乱光が発生する。検出流路７４内の処理液に異物が含まれていない場合、照射部７６からの照射光の大部分は、検出流路７４を通過する。一方、検出流路７４内の処理液に異物が含まれていると、検出流路７４内での照射光の散乱の程度が大きくなり、異物が含まれていない場合に比べて、受光部７８が受光する光（受光部７８に向かう散乱光の一部）の強度が大きくなる。これに応じて、上記受光信号の強度が大きくなる。

【0065】

受光部７８は、検出流路７４から出射される光を受光して得られる受光信号を、制御部８０に出力する。制御部８０は、異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃそれぞれに含まれる各要素を制御すると共に、受光部７８が受光した受光信号に基づいて、処理液内に異物が含まれているか否かを判定する。以下では、液処理ユニットＵ１等を制御する上述の制御装置２０と共に、制御部８０について説明する。

【0066】

（制御システム）
異物検出ユニット７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃそれぞれの制御部８０と、制御装置２０とは、制御システム１００を構成する。すなわち、基板処理システム１は、制御装置２０及び制御部８０を含む制御システム１００を備える。制御装置２０には、出力デバイス１９が接続されていてもよい。出力デバイス１９は、制御装置２０から出力された情報を作業員等のオペレータに出力するための装置である。出力デバイス１９は、例えばモニタである。モニタは、画面上に情報の表示が可能なものであればいかなるものであってもよく、その具体例としては液晶パネル等が挙げられる。

【0067】

制御システム１００は、少なくとも、ノズル３０からワークＷに対して処理液を供給することと、供給流路２９に沿って位置が互いに異なる複数箇所において、光の照射に伴い検出流路７４内から出射された光を受光して得られる受光信号に基づいて、処理液に含まれる異物を検出することと、複数箇所それぞれでの異物の検出結果に基づいて、供給流路２９の中から異物の検出の原因となる事象が発生した区画を推定することと、を実行するように構成されている。

【0068】

図６に示されるように、制御システム１００の制御部８０は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、例えば、投光制御部１０２と、信号取得部１０４と、異物判定部１０６と、を有する。投光制御部１０２、信号取得部１０４、及び異物判定部１０６がそれぞれ実行する処理は、制御部８０（制御システム１００）が実行する処理に相当する。図６には、複数の異物検出ユニット７０が有する複数の制御部８０のうちの一つの制御部８０が示されている。

【0069】

投光制御部１０２は、異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃのうちの対応する異物検出ユニットにおいて、流路形成部７２が形成する検出流路７４に照射光が照射されるように照射部７６を制御する。投光制御部１０２は、処理対象のワークＷに対する処理液の供給ごとに（１回の処理液の供給ごとに）、その供給期間に合わせて、検出流路７４に照射光が照射されるように照射部７６を制御してもよい。一例では、投光制御部１０２は、ノズル３０からワークＷへの処理液の吐出開始のタイミングに合わせて照射部７６に照射光の照射を開始させる。そして、投光制御部１０２は、ノズル３０からワークＷへの処理液の吐出停止のタイミングに合わせて照射部７６に照射光の照射を停止させる。

【0070】

信号取得部１０４は、異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃのうちの対応する異物検出ユニットにおいて、照射光の照射に伴い検出流路７４から出射される散乱光（出射光）を受光することで得られる受光信号を、受光部７８から取得する。信号取得部１０４は、処理対象のワークＷに対する処理液の供給ごとに（１回の処理液の供給ごとに）、その供給期間に合わせて、検出流路７４から受光した光に応じた受光信号を受光部７８から取得してもよい。一例では、信号取得部１０４は、投光制御部１０２による照射光の照射タイミング（照射期間）に応じて、処理液の供給ごとに受光信号を受光部７８から取得する。

【0071】

異物判定部１０６は、異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃのうちの対応する異物検出ユニットにおいて、信号取得部１０４が取得した受光信号に基づいて、異物の有無を判定する。詳細には、異物判定部１０６は、対応する異物検出ユニットが取得した受光信号に基づいて、対応する箇所を通過した処理液内に異物が含まれているか否かを判定する。異物判定部１０６は、１回の処理液の供給ごとに、上記対応する箇所での異物の有無を判定してもよい。

【0072】

異物判定部１０６は、受光信号の信号強度の時間変化を分析して得られる評価値に応じて、異物の有無を判定してもよい。図７には、信号取得部１０４が取得した受光信号の信号強度の時間変化の一例が示されている。図７では、１回の処理液の供給期間Ｔａで得られた受光信号が示されており、時刻ｔ１，ｔ２，ｔ３において、信号強度が所定の強度閾値Ｔｈ１を超えている。

【0073】

異物判定部１０６は、信号強度が、所定の強度閾値Ｔｈ１を超えた回数をカウントした値を評価値として算出したうえで、その評価値（カウント値）が所定の評価閾値Ｔｈ２を超えたか否かを判定してもよい。一例では、異物判定部１０６は、信号強度が強度閾値Ｔｈ１を超えた回数が、評価閾値Ｔｈ２を上回った場合に、その箇所（異物検出ユニットが配置される箇所）において上記事象が発生したと判定してもよい。なお、異物判定部１０６は、受光信号に基づいて（受光信号から得られる評価値に応じて）異物の有無を判定すれば、どのように評価値を算出してもよく、どのように異物の有無を判定してもよい。

【0074】

制御システム１００の制御装置２０は、機能モジュールとして、例えば、図６に示されるように、液処理制御部１１２と、判定結果蓄積部１１４と、発生源推定部１１６と、要因推定部１１８と、出力部１２２と、を有する。これらの機能モジュールが実行する処理は、制御装置２０（制御システム１００）が実行する処理に相当する。

【0075】

液処理制御部１１２は、処理対象のワークＷに対して、処理液が供給されるように処理液供給部２８を制御する。液処理制御部１１２は、例えば、ノズル３０からの吐出を開始する際に、送液部４０のポンプ４２に処理液が補充され、且つその処理液が加圧された状態で、閉状態から開状態に遷移させるように吐出バルブ３４を制御する。液処理制御部１１２は、例えば、処理液の供給開始後、予め設定された上記供給期間Ｔａが経過したときに、ノズル３０からの吐出を停止するために、開状態から閉状態に遷移させるように吐出バルブ３４を制御する。供給期間Ｔａにおいて処理液がワークＷに対して供給されることで、１回の処理液の供給（１枚のワークＷに対する１回の処理液の供給）が行われる。

【0076】

判定結果蓄積部１１４は、異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃによる複数箇所それぞれの異物の検出結果（判定結果）を蓄積する。判定結果蓄積部１１４は、例えば、１回の処理液の供給ごとに、複数の制御部８０の異物判定部１０６による複数箇所それぞれでの判定結果を取得したうえで、判定結果を蓄積する。判定結果蓄積部１１４は、処理液の供給回数（ワークＷの処理枚数）に対応付けて、異物判定部１０６による判定結果を蓄積してもよい。この場合、判定結果蓄積部１１４は、異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃそれぞれについて、処理液の供給回数と異物判定部１０６による判定結果とを対応付けて蓄積する。

【0077】

発生源推定部１１６は、異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃによる複数箇所それぞれでの検出結果に基づいて、供給流路２９の中から異物の検出の原因となる事象が発生した区画を推定する。発生源推定部１１６は、上記事象が発生したと想定される区画を推定することによって、異物の発生源である部品を特定（推定）してもよい。発生源推定部１１６は、最もノズル３０に近い位置に配置された異物検出ユニット７０Ａにおいて異物が検出されたときに、上記事象が発生したと想定される区画（異物の発生が継続している場合には、上記事象が発生している区画）を推定してもよい。以下では、図８も参照しながら、上記事象が発生したと想定される区画の推定方法の一例について説明する。

【0078】

図８には、異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃそれぞれについて、供給回数に対する異物を検出するための評価値の推移を表すグラフが示されている。図８において、「７０Ａ」は、異物検出ユニット７０Ａにおいて取得された評価値（例えば、上述の強度閾値Ｔｈ１を超えた回数）の推移を示す。「７０Ｂ」は、異物検出ユニット７０Ｂにおいて取得された評価値の推移を示しており、「７０Ｃ」は、異物検出ユニット７０Ｃにおいて取得された評価値の推移を示している。図８に示される例では、処理対象のワークＷに対する処理液の供給回数が「ｔｃ」回であるときに、異物検出ユニット７０Ａにおいて取得された評価値が評価閾値Ｔｈ２を上回っている。この場合、ｔｃ回の処理液の供給が実行された際に、異物検出ユニット７０Ａの制御部８０によって、異物検出ユニット７０Ａが配置された箇所において異物が検出される。

【0079】

発生源推定部１１６は、異物検出ユニット７０Ａにおいて異物が検出された場合に、異物検出ユニット７０Ｂ，７０Ｃでの異物の有無についての過去の判定結果を参照する。発生源推定部１１６は、例えば、異物検出ユニット７０Ａで異物が検出されたときの供給回数から、所定の回数だけ遡った時点における他の検出ユニットの判定結果を参照する。この所定の回数は、異物検出ユニット７０Ａで異物が検出された際の処理液内の異物が、異物検出ユニット７０Ｂの検出流路７４を過去に通過したと想定される時点での判定結果を参照できるように設定されている。例えば、１回の処理液の供給での吐出量と、異物検出ユニット７０Ａと異物検出ユニット７０Ｂとの間の配管容積との関係から、上記所定の回数が定められている。

【0080】

図８に示される例では、所定の回数が「ｂ」回に設定されており、発生源推定部１１６は、供給回数が「ｔｃ－ｂ」回であるときの異物検出ユニット７０Ｂ，７０Ｃでの判定結果を参照する。この場合、供給回数が（ｔｃ－ｂ）回であるときに異物検出ユニット７０Ｂの検出流路７４を通過した処理液が、供給回数がｔｃ回であるときに異物検出ユニット７０Ａの検出流路７４を通過する（に到達する）。

【0081】

一例では、発生源推定部１１６は、所定の回数だけ遡った時点において、異物検出ユニット７０Ｂ，７０Ｃの双方で異物が検出されていなかった場合には、異物検出ユニット７０Ａと異物検出ユニット７０Ｂとの間の区画で上記事象が発生していると推定する。この場合、発生源推定部１１６は、供給流路２９のうちの、異物検出ユニット７０Ａ及び異物検出ユニット７０Ｂの間に位置する区画に含まれる吐出バルブ３４が異物の発生源であると推定してもよい。

【0082】

発生源推定部１１６は、所定の回数だけ遡った時点において、異物検出ユニット７０Ｂで異物が検出され、且つ異物検出ユニット７０Ｃで異物が検出されていなかった場合には、異物検出ユニット７０Ｂと異物検出ユニット７０Ｃとの間の区画で上記事象が発生していると推定する。この場合、発生源推定部１１６は、供給流路２９のうちの、異物検出ユニット７０Ｂ及び異物検出ユニット７０Ｃの間に位置する区画に含まれるポンプ４２及びフィルタ４６の少なくとも一方が異物の発生源であると推定してもよい。図８には、このように推定される場合の判定結果が例示されている。

【0083】

発生源推定部１１６は、所定の回数だけ遡った時点において、異物検出ユニット７０Ｂ，７０Ｃの双方で異物が検出されていた場合には、異物検出ユニット７０Ｃよりも上流の区画で上記事象が発生していると推定する。この場合、発生源推定部１１６は、供給流路２９のうちの異物検出ユニット７０Ｃよりも上流に位置する区画に含まれる供給源５２、貯留タンク５６、及びポンプ５８の少なくとも１つが異物の発生源であると推定してもよい。

【0084】

上述の例において、発生源推定部１１６は、異物検出ユニット７０Ｃについて、（ｔｃ－ｂ）回から、１回の処理液の供給での吐出量と、異物検出ユニット７０Ｂと異物検出ユニット７０Ｃとの間の配管容積との関係から定まる所定回数だけ遡った時点での判定結果を参照してもよい。以上に例示したように、発生源推定部１１６は、上記事象が発生した（発生している）と想定される区画を推定することで、いずれの部品が異物の発生源であるかを推定してもよい。

【0085】

要因推定部１１８は、発生源推定部１１６が推定した区画に応じて、上記事象の発生の要因を推定する。上記事象の発生の要因とは、上記事象を発生させることとなった動作又は現象である。要因推定部１１８は、例えば、上記事象が生じたと推定した区画（推定した異物の発生源）と、異物発生の要因とを予め対応付けたテーブルを参照することで、上記事象の発生の要因を推定する。一例では、要因推定部１１８は、ポンプ４２及びフィルタ４６を含む区画で上記事象が発生したと推定されたときに、ポンプ又はフィルタの交換、処理液の滞留、及びポンプの動作条件の変更を、上記事象の発生の要因と推定する。本開示において、上記事象の発生の要因を推定することは、１つの要因を特定することだけを意味せず、複数の要因（要因の候補）を特定する場合も含まれる。

【0086】

出力部１２２は、供給流路２９において異物が検出されたときに、発生源推定部１１６が推定した区画を示す情報を出力する。出力部１２２は、異物検出ユニット７０Ａにおいて異物が検出された場合に、推定した区画を示す情報を出力デバイス１９に出力してもよい。この場合、出力デバイス１９は、異物が検出されたこと、及び推定した区画を示す情報を表示してもよい。出力部１２２は、要因推定部１１８によって推定された上記事象の発生の要因（要因の候補）を示す情報も出力してもよい。

【0087】

図９は、制御部８０及び制御装置２０のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。一つの制御部８０は、一つ又は複数のコンピュータにより構成される。例えば制御部８０は、回路１５０を有する。回路１５０は、一つ又は複数のプロセッサ１５２と、メモリ１５４と、ストレージ１５６と、入出力ポート１５８と、タイマ１６２と、通信ポート１６４とを有する。ストレージ１５６は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃにおいて実行される異物検出方法を制御部８０に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。

【0088】

メモリ１５４は、ストレージ１５６の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１５２による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１５２は、メモリ１５４と協働して上記プログラムを実行することで、制御部８０が有する各機能モジュールを構成する。入出力ポート１５８は、プロセッサ１５２からの指令に従って、照射部７６及び受光部７８等との間で電気信号の入出力を行う。タイマ１６２は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。通信ポート１６４は、プロセッサ１５２からの指令に応じて、制御装置２０との間で無線、有線、又はネットワーク回線等を介して通信を行う。

【0089】

制御部８０が複数のコンピュータで構成される場合、各機能モジュールがそれぞれ、個別のコンピュータによって実現されていてもよい。あるいは、これらの各機能モジュールがそれぞれ、２つ以上のコンピュータの組み合わせによって実現されていてもよい。これらの場合、複数のコンピュータは、互いに通信可能に接続された状態で、上記異物検出方法を連携して実行してもよい。

【0090】

制御装置２０は、一つ又は複数のコンピュータにより構成される。制御装置２０は、例えば、回路１７０を有する。回路１７０は、一つ又は複数のプロセッサ１７２と、メモリ１７４と、ストレージ１７６と、入出力ポート１７８と、タイマ１８２と、通信ポート１８４とを有する。ストレージ１７６は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の基板処理方法を塗布現像装置２に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。

【0091】

メモリ１７４は、ストレージ１７６の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１７２による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１７２は、メモリ１７４と協働して上記プログラムを実行することで、制御装置２０が有する各機能モジュールを構成する。入出力ポート１７８は、プロセッサ１７２からの指令に従って、処理液供給部２８、及び出力デバイス１９等との間で電気信号の入出力を行う。タイマ１８２は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。通信ポート１８４は、プロセッサ１７２からの指令に応じて、制御部８０（上記通信ポート１６４）との間で無線、有線、又はネットワーク回線等を介して通信を行う。

【0092】

制御装置２０が、複数のコンピュータで構成される場合、各機能モジュールがそれぞれ、個別のコンピュータによって実現されていてもよい。あるいは、これらの各機能モジュールがそれぞれ、２つ以上のコンピュータの組み合わせによって実現されていてもよい。これらの場合、複数のコンピュータは、互いに通信可能に接続された状態で、後述の基板処理方法を連携して実行してもよい。

【0093】

なお、制御部８０及び制御装置２０のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御部８０及び制御装置２０の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）により構成されていてもよい。

【0094】

（基板処理方法）
続いて、図１０を参照しながら、異物検出を含む基板処理方法の一例として、制御部８０及び制御装置２０を含む制御システム１００が実行する一連の処理について説明する。図１０は、１枚のワークＷに対して処理液が供給されるのに応じて実行される一連の処理を示すフローチャートである。

【0095】

この一連の処理では、処理対象のワークＷに対して処理液の供給（吐出）が開始され、且つ各異物検出ユニットでの検出流路７４への照射光の照射と受光部７８による受光信号の生成とが開始された状態で、制御システム１００がステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、例えば、制御部８０が、処理対象のワークＷに対する処理液の供給が完了するまで待機する。処理液の供給が完了するまでの間、各異物検出ユニットにおいて、制御部８０の信号取得部１０４は、受光信号の取得を継続する。

【0096】

次に、制御システム１００は、ステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２では、例えば、各異物検出ユニットにおいて制御部８０の異物判定部１０６が、処理液内における異物の発生の有無を判定する。一例では、異物判定部１０６は、処理液の供給が継続された期間において得られる受光信号から評価値（例えば、信号強度が強度閾値Ｔｈ１を超えた回数）を算出し、当該評価値を評価閾値Ｔｈ２と比較することで、処理液内における異物の発生の有無を判定する。

【0097】

次に、制御システム１００は、ステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、例えば、制御装置２０の判定結果蓄積部１１４が、各異物検出ユニットについてのステップＳ１２での判定結果を蓄積（記憶）する。判定結果蓄積部１１４は、処理液の供給回数（ワークＷの処理枚数）と各異物検出ユニットによる判定結果とを対応付けて蓄積してもよい。

【0098】

次に、制御システム１００は、ステップＳ１４を実行する。ステップＳ１４では、例えば、制御装置２０の発生源推定部１１６が、供給流路２９に設けられた複数の異物検出ユニットのうちの最下流に配置された異物検出ユニット（上述の例では、異物検出ユニット７０Ａ）について、ステップＳ１２において異物が検出された否かを判断する。

【0099】

ステップＳ１４において、最下流に位置する異物検出ユニットにおいて異物が検出されたと判断された場合（ステップＳ１４：ＹＥＳ）、制御システム１００は、ステップＳ１５を実行する。ステップＳ１５では、例えば、発生源推定部１１６が、最下流に位置する異物検出ユニット以外の異物検出ユニットでの異物の有無についての過去の判定結果を参照したうえで、供給流路２９のうちの異物の検出の原因となる事象が発生した区画を推定する。一例では、発生源推定部１１６は、ステップＳ１１を実行中に最下流に位置する異物検出ユニットを通過した処理液が、他の異物検出ユニット（上述の例では、異物検出ユニット７０Ｂ，７０Ｃ）を過去に通過した供給回数での判定結果を参照して、上記区画を推定する。

【0100】

次に、制御システム１００は、ステップＳ１６を実行する。ステップＳ１６では、例えば、制御装置２０の要因推定部１１８が、ステップＳ１５で推定された区画に応じて、上記事象の発生の要因（要因の候補）を推定する。一例では、要因推定部１１８は、区画と上記事象の発生の要因とが予め対応付けられたテーブルを参照することで、上記事象の発生の要因を推定する。

【0101】

次に、制御システム１００は、ステップＳ１７を実行する。ステップＳ１７では、例えば、制御装置２０の出力部１２２が、異物が検出されたことと、ステップＳ１５で推定された区画とを示す情報を出力デバイス１９に出力する。出力部１２２は、ステップＳ１６で推定された要因を示す情報も出力デバイス１９に出力してもよい。出力部１２２からの情報の出力後に、出力デバイス１９に出力された情報に応じたオペレータ等の指示に応じて、異物を取り除く処置が処理液供給部２８において実行されてもよい。

【0102】

一方、ステップＳ１４において、最下流に位置する異物検出ユニットにおいて異物が検出されていないと判断された場合（ステップＳ１４：ＮＯ）、制御システム１００は、ステップＳ１５～Ｓ１７を実行しない。制御システム１００は、後続の複数のワークＷそれぞれに対して処理液を供給する度に、ステップＳ１１～Ｓ１７（Ｓ１４）の一連の処理を繰り返してもよい。

【0103】

（変形例）
上述した一連の処理は一例であり、適宜変更可能である。上記一連の処理において、制御システム１００は、一のステップと次のステップとを並列に実行してもよく、上述した例とは異なる順序で各ステップを実行してもよい。制御システム１００は、いずれかのステップを省略してもよく、いずれかのステップにおいて上述の例とは異なる処理を実行してもよい。

【0104】

異物検出の原因となる事象が発生したと想定される区画の推定方法は、上述の例に限られない。上述の例では、最下流に位置する異物検出ユニットにおいて異物が検出されたときに区画の推定が行われるが、発生源推定部１１６は、いずれかの異物検出ユニットにおいて異物が検出されたときに、区画（異物の発生源）の推定を行ってもよい。例えば、発生源推定部１１６は、いずれかの異物検出ユニットにおいて異物が検出されたときに、その異物検出ユニットの上流に隣接して位置する区画において上記事象が発生したと推定する。

【0105】

一例では、発生源推定部１１６は、異物検出ユニット７０Ｃにおいて異物が検出されたときに、補充部５０に含まれる供給源５２、貯留タンク５６、及びポンプ５８を含む区画において上記事象が発生したと推定する。発生源推定部１１６は、異物検出ユニット７０Ｂにおいて異物が検出されたときに、送液部４０に含まれるポンプ４２及びフィルタ４６を含む区画において上記事象が発生したと推定する。補充部５０において上記事象が発生した際にも、供給回数の累積に伴って異物検出ユニット７０Ｂでも異物が検出され得るが、この場合には、既に異物検出ユニット７０Ｃにおいて異物が検出されているので、異物の発生源を含む区画を推定することが可能である。発生源推定部１１６は、異物検出ユニット７０Ａにおいて異物が検出されたときに、吐出バルブ３４を含む区画において上記事象が発生したと推定する。

【0106】

要因推定部１１８は、各異物検出ユニットによる検出結果に加えて、他の情報を用いて、上記事象の発生の要因を絞り込んでもよい。塗布現像装置２は、図４に示されるように、流速測定部６０を更に備えてもよい。流速測定部６０は、ノズル３０まで処理液を導く流路内を流れる処理液の流速（例えば、単位時間あたりの液の通過量）を測定する。流速測定部６０は、いかなる方式で処理液の流速を測定してもよい。図４に示される例では、流速測定部６０は、供給流路２９のうちの吐出バルブ３４と異物検出ユニット７０Ｂとの間の流路に設けられている。

【0107】

図１１には、流速測定部６０によって測定される流速の時間変化の一例が示されている。図１１に示されるグラフの各パルスが、１回の処理液の供給に対応する。流速測定部６０を通過する処理液内に泡が含まれていない場合には、処理液の供給が継続されている期間での流速の時間変化は、略一定となる。一方、流速測定部６０を通過する処理液内に泡が含まれている場合には、図１１において拡大して示すグラフのように、処理液の供給が継続されている期間において流速が変動する。図１１において拡大して示されるパルスは、図８に例示した（ｔｃ－ｂ）回で異物検出ユニット７０Ｂを通過した処理液が、流速測定部６０を通過する際に検出された測定値である。以上のことから、泡を含む処理液が流速測定部６０を通過する際の流速の変動を検出することで、異物として泡が含まれているか否かを推定することができる。

【0108】

要因推定部１１８は、流速測定部６０による測定結果に基づいて、上記事象の発生の要因を絞り込んでもよい。要因推定部１１８は、例えば、送液部４０内の部品が異物の発生源であると推定した場合に、異物検出ユニット７０Ｂを通過した後の処理液が流速測定部６０を通過する際の流速測定部６０による流速の変動の程度に応じて、上記事象の発生の要因を絞り込んでもよい。一例では、要因推定部１１８は、流速の変動が所定レベルよりも大きい場合に、上記事象の発生の要因（要因の候補）を、ポンプ又はフィルタ交換に伴う泡の発生、処理液の滞留に伴う泡の発生、及びポンプの動作条件の変更に伴う泡の発生であると絞り込む。この場合、オペレータ等の指示に基づき、ポンプ又はフィルタまわりの泡抜き等の処置が施されてもよい。要因推定部１１８は、流速の変動が所定レベルよりも小さい場合に、泡の発生が要因ではないと推定してもよい。流速測定部６０による測定結果は、処理液の供給ごとに、流速が安定しているか否かの確認に用いられてもよい。

【0109】

上記事象の発生の要因を絞り込む際に使用する情報は、上記の流速の変動に限られない。要因推定部１１８は、異物が検出された際のワークＷへの処理液の供給頻度（吐出頻度）に基づいて、上記事象の発生の要因を絞り込んでもよい。異物が検出された時点を含む直前の所定期間内において、処理液の供給頻度が低い場合には、供給流路２９内での処理液の滞留が生じていると推定できる。要因推定部１１８は、異物が検出された時点を含む直前の所定期間内での供給頻度に応じて、上記事象の発生の要因を絞り込んでもよい。

【0110】

要因推定部１１８は、例えば、送液部４０内の部品が異物の発生源であると推定した場合に、異物検出ユニット７０Ｂで異物が検出された時点を含む上記所定期間内での供給頻度に応じて、上記事象の発生の要因を絞り込んでもよい。一例では、要因推定部１１８は、上記所定期間内での供給頻度が所定の閾値よりも小さい場合に、上記事象の発生の要因が、処理液の滞留であると絞り込んでもよい。要因推定部１１８は、上記所定期間内での供給頻度が所定の閾値よりも大きい場合に、上記事象の発生の要因が、ポンプ又はフィルタ交換、及びポンプの動作条件の変更であると絞り込んでもよい。

【0111】

上述の例では、液処理ユニットＵ１は、１つの処理液供給部２８を有するが、複数の処理液供給部２８を有してもよい。この場合、液処理ユニットＵ１は、複数のノズル３０と、複数のノズル３０に処理液をそれぞれ供給するための複数の供給流路２９とを有する。異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃは、複数の供給流路２９のそれぞれについて、複数箇所において異物を検出してもよい。制御システム１００は、複数の供給流路２９のそれぞれにおいて、上記事象が発生したと想定される区画（異物の発生源を含むと想定される区画）を推定してもよい。

【0112】

１つの異物検出ユニットが、１つの供給流路２９に沿って位置が異なる複数箇所それぞれにおいて異物を検出するための部材を有してもよい。例えば、１つの異物検出ユニットは、ノズル３０と吐出バルブ３４との間に位置する検出流路７４、吐出バルブ３４と送液部４０との間に位置する検出流路７４、及び送液部４０と補充部５０との間に位置する検出流路７４をそれぞれ形成する複数の流路形成部７２を有してもよい。また、異物検出ユニットは、これらの検出流路７４に対応する複数の照射部７６と複数の受光部７８とを有してもよい。この場合、１つの異物検出ユニットが、供給流路２９上で複数箇所に設けられる複数の検出流路７４において、異物の検出をそれぞれ行う複数の異物検出部を有する。

【0113】

塗布現像装置２は、供給流路２９上の異なる位置で異物を検出する２個の異物検出ユニットを有してもよく、４個以上の異物検出ユニットを有してもよい。複数の異物検出ユニット（異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃ）の配置は、上述の例に限られず、供給流路２９上の異なる位置であればいずれの箇所であってもよい。異物の発生源となり得る部品は、上述の例に限られず、例えば、吐出バルブ３４とは異なる位置で流路を開閉するバルブ、及び処理液の流路を形成する管を含んでもよい。送液部４０は上述の例に限られず、フィルタとポンプとを有していれば、どのように構成されていてもよい。補充部５０は、上述の例に限られず、送液部４０に処理液を補充可能であれば、どのように構成されていてもよい。

【0114】

制御装置２０が、供給流路２９上の複数箇所それぞれでの異物の有無を判定する機能モジュールを有してもよい。この場合、制御部８０は、異物判定部１０６を有していなくてもよい。異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃのいずれか１つの制御部８０が、上記事象が発生したと想定される区画を推定する機能モジュール、異物発生の要因を推定する機能モジュール、及び推定結果を出力する機能モジュールを有してもよい。この場合、異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃの制御部８０が互いに通信可能に接続されていてもよく、制御装置２０が、上述した機能モジュールの一部を有していなくてもよい。

【0115】

（実施形態の効果）
以上に説明した第１実施形態に係る基板処理システム１は、処理液を吐出可能なノズル３０と、処理液の供給源５２と、ノズル３０と供給源５２との間を接続する供給流路２９とを有し、ワークＷに対して処理液を供給する処理液供給部２８と、供給流路２９に沿って位置が互いに異なる複数箇所に配置され、光の照射に伴い供給流路２９内から出射された光を受光して得られる受光信号に基づいて、処理液に含まれる異物を検出する複数の異物検出部（異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃ）と、複数の異物検出部による複数箇所それぞれでの検出結果に基づいて、供給流路２９の中から、異物の検出の原因となる事象が発生した区画を推定する発生源推定部１１６と、を備える。

【0116】

上述の例とは異なり、異物が含まれた処理液のワークＷへの供給を防止するために、ノズルと処理液の供給源との間の供給流路うちのノズルと吐出バルブとの間の１箇所に異物検出ユニットを配置して、処理液内の異物を検出する方法が考えられる。この方法では、処理液内に異物が発生したことを把握することができるが、当該異物検出ユニットの上流において上記事象がどのような要因で発生しているかを、検出結果から把握することができない。これに対して、基板処理システム１では、供給流路２９上の複数箇所での異物の検出結果から、上記事象が発生した区画が推定される。そのため、その推定結果を利用することで、処理液供給部２８において上記事象が発生した要因を容易に把握することが可能となる。

【0117】

処理液供給部２８は、供給流路２９内の処理液に含まれる異物を捕集するフィルタ４６と、ノズル３０に向けて処理液を送り出すポンプ４２とを含む送液部４０と、供給流路２９のうちの送液部４０とノズル３０との間の流路を開閉する吐出バルブ３４と、を有してもよい。複数の異物検出部は、ノズル３０と吐出バルブ３４との間の流路に配置された第１異物検出部（異物検出ユニット７０Ａ）と、吐出バルブ３４と送液部４０との間の流路に配置された第２異物検出部（異物検出ユニット７０Ｂ）と、を有してもよい。この場合、第１異物検出部及び第２異物検出部による検出結果から、上記事象が発生したと想定される区画を、吐出バルブ３４を含む区画か、それ以外の送液部４０のポンプ４２及びフィルタ４６を含む区画のいずれかに推定することが可能となる。

【0118】

処理液供給部２８は、供給源５２から送液部４０に処理液を補充する補充部５０を更に有してもよい。複数の異物検出部は、補充部５０と送液部４０との間の流路に配置された第３異物検出部（異物検出ユニット７０Ｃ）を更に有してもよい。この場合、第３異物検出部による検出結果も利用することで、吐出バルブ３４を含まない区画（第２異物検出部よりも上流の区画）において、上記事象が発生したと想定される区画を、送液部４０を含む区画か、補充部５０を含む区画のいずれかに推定することが可能となる。

【0119】

基板処理システム１は、発生源推定部１１６が推定した区画に応じて、上記事象の発生の要因を推定する要因推定部１１８を更に備えてもよい。この場合、要因推定部１１８による要因の推定結果を利用することで、上記事象の発生の要因を更に容易に把握することが可能となる。

【0120】

基板処理システム１は、ノズル３０まで処理液を導く流路内を流れる処理液の流速を測定する流速測定部６０を更に備えてもよい。要因推定部１１８は、流速測定部６０による測定結果に基づいて、上記事象の発生の要因を絞り込んでもよい。この場合、上記事象の発生の要因の推定結果が絞り込まれるので、上記事象の発生の要因を更に容易に把握することが可能となる。

【0121】

要因推定部１１８は、上記事象が発生した際のワークＷへの処理液の供給頻度に基づいて、上記事象の発生の要因を絞り込んでもよい。この場合、上記事象の発生の要因の推定結果が絞り込まれるので、上記事象の発生の要因を更に容易に把握することが可能となる。

【0122】

［第２実施形態］
続いて、図１２及び図１３も参照しながら、第２実施形態に係る基板処理システム１について説明する。第２実施形態に係る基板処理システム１は、第１実施形態に係る基板処理システム１と同様に構成される。第２実施形態に係る基板処理システム１では、上述した埃、塵、及び泡等のパーティクルに代えて、処理液に混在する他の薬液が異物として検出される。すなわち、本開示において、処理液内の「異物」には、上述した埃、塵、及び泡等のパーティクルに加えて、処理液とは異なる成分を有する薬液が含まれる。第１実施形態に係る基板処理システム１では、評価値に基づきパーティクル等が検出されるのに対して、第２実施形態に係る基板処理システム１は、処理液内の他の薬液を検出するために、背景光の強度を利用する。

【0123】

背景光とは、パーティクルの有無に関係なく、処理液への光の照射に伴い検出流路７４から出射（例えば、散乱）される光である。図７に示されるように、埃等のパーティクルの有無によって検出流路７４内（処理液内）での照射光の散乱の程度が変化するので、パーティクルの有無によって信号強度の大きさが変化する。散乱光に応じた受信信号には、パーティクルが含まれていない状態での背景光に応じた信号Ｉｂと、パーティクルが含まれる状態での当該パーティクルからの散乱光に応じた信号Ｉｓとが含まれる。なお詳細には、信号Ｉｓは、背景光とパーティクルによって散乱される散乱光とに応じた信号である。

【0124】

背景光に応じた信号Ｉｂには、処理液内に通常含まれる物質からの散乱光に応じた成分と外乱に応じた成分とが含まれ得る。処理液内に通常含まれる物質としては、ベース樹脂（ベースポリマー）が挙げられる。異物検出ユニット７０は、上述の受光信号から、検出流路７４から出射される光に含まれる背景光の強度を取得する。異物検出ユニット７０は、処理液等の薬液の種別に応じて、背景光の強度が変化することを利用して、処理液内に混入した他の薬液を異物として検出する。以下では、処理モジュール１２の液処理ユニットＵ１が、レジスト膜を形成するための処理液（以下、「処理液Ｌｒ」という。）をワークＷに対して供給する場合を例示する。

【0125】

供給流路２９において、処理液Ｌｒに他の薬液が混入してしまう場合がある。他の薬液は、例えば、洗浄液Ｌｃである。図１２には、処理液Ｌｒ及び洗浄液Ｌｃそれぞれを供給した場合の背景光の強度についての計測結果が示されている。図１２では、縦軸が背景光の強度［ｍＷ］を示している。背景光の強度は、受光信号において、所定期間における強度の時間平均を演算することで求められる。図１２に示されるグラフから、薬液の種別によって背景光の強度が異なることがわかる。具体的には、処理液Ｌｒを供給する場合と洗浄液Ｌｃを供給する場合とで、背景光の強度が互いに異なることがわかる。また、背景光の強度は、薬液の種別が同じであれば、略一定のレベルを有することがわかる。

【0126】

供給流路２９内において薬液の置換が行われたときに、処理液Ｌｒに他の薬液が混在し得る。液処理ユニットＵ１は、塗布現像装置２におけるワークＷに対する処理が継続される間、各ワークＷに対する処理液Ｌｒの供給を継続して実行する。ワークＷに対する処理が継続される間に、処理を中断して、液処理ユニットＵ１においてメンテナンスが行われる場合がある。メンテナンスの一例としては、処理液供給部２８に含まれるフィルタ４６等の部品の交換が挙げられる。

【0127】

メンテナンスが実行される際には、供給流路２９内が処理液Ｌｒから洗浄液Ｌｃに置き換えられる。そして、メンテナンス終了後に処理を再開する際には、供給流路２９内が処理液Ｌｒに再度置き換えられる。例えば、処理を再開する際に、洗浄液Ｌｃから処理液Ｌｒへの置換が十分に行われていないと、ワークＷに対する処理中において、処理液Ｌｒに洗浄液Ｌｃの一部が混在し得る。

【0128】

図１２に示されるグラフでは、横軸が供給回数を示している。処理液Ｌｒの供給が継続された後に、供給回数が「ｔｃ１」回において、洗浄液Ｌｃへの置換が行われ、供給回数が「ｔｃ２」回において、処理液Ｌｒに再度置換されている。ｔｃ１回及びｔｃ２回の直後の期間において背景光の強度が安定していないのは、処理液Ｌｒと洗浄液Ｌｃとが混在しており、薬液の置換が完了していないためと考えられる。背景光の強度が薬液の種別に依存する特性を利用して、薬液の置換を完了させた後に（置換が完了したと想定される供給回数以降において）、背景光の強度を計測することで、薬液の置換不足を検出することができる。

【0129】

制御装置２０及び制御部８０は、図１０に示される一連の処理と同様に処理を実行する。ステップＳ１２において、複数の異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃそれぞれは、供給流路２９から出射される光（例えば、散乱光）に含まれる背景光の強度を示す強度情報に基づいて、処理液Ｌｒに異物が含まれるか否かを判定する。一例では、各異物検出ユニットが有する制御部８０の異物判定部１０６は、受光信号から、対応する検出流路７４における散乱光に含まれる背景光の強度を示す強度情報を取得する（背景光の強度を算出する）。異物判定部１０６は、強度情報によって示される背景光の強度が、処理液Ｌｒに応じたレベルであるか否かを判定する。

【0130】

異物判定部１０６は、背景光の強度が処理液Ｌｒに応じた所定レベル（所定範囲）から外れている場合に、対応する検出流路７４において洗浄液Ｌｃが異物として混在していると判定する。異物判定部１０６は、処理液Ｌｒから洗浄液Ｌｃへの置換が行われた際に、他の制御装置からの入力又はユーザ入力に基づいて、供給流路２９内の全体において置換が完了したことを示す信号を取得してもよい。異物判定部１０６は、供給流路２９内の全体において置換が完了したことを示す信号を取得した以降の供給回数において、背景光に基づく異物の検出を実行してもよい。例えば、薬液の液源（ボトル）を交換した後に、所定回数だけ薬液をノズル３０から吐出した時点で、置換が完了したと判定されてもよい。

【0131】

発生源推定部１１６は、異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃによる複数箇所それぞれでの背景光の強度情報を利用した検出結果に基づいて、供給流路２９の中から洗浄液Ｌｃが混在した事象が発生した区画を推定する。発生源推定部１１６は、最もノズル３０に近い位置に配置された異物検出ユニット７０Ａにおいて洗浄液Ｌｃの混在が検出されたときに、洗浄液Ｌｃの混在が発生した区画（異物検出の原因となる事象が発生した区画）を推定してもよい。以下では、図１３を参照しながら、洗浄液Ｌｃの混在が発生したと想定される区画の推定方法の一例について説明する。

【0132】

図１３には、異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃそれぞれについて、供給回数に対する背景光の強度の推移を表すグラフが示されている。図１３において、「７０Ａ」は、異物検出ユニット７０Ａにおいて取得された背景光の強度の推移を示す。「７０Ｂ」は、異物検出ユニット７０Ｂにおいて取得された背景光の強度の推移を示しており、「７０Ｃ」は、異物検出ユニット７０Ｃにおいて取得された背景光の強度の推移を示している。

【0133】

「ＴＬｖ」は、検出流路７４内に洗浄液Ｌｃが満たされているときの背景光の強度のレベル（範囲）である。「ＲＬｖ」は、検出流路７４内に処理液Ｌｒが満たされているときの背景光の強度のレベル（範囲）である。洗浄液Ｌｃ又は処理液Ｌｒに応じた背景光の強度レベルＴＬｖ，ＲＬｖは、予め測定されている。図１３に示される例では、洗浄液Ｌｃ又は処理液Ｌｒの薬液の供給回数が「ｔｃ２」回であるときに、洗浄液Ｌｃから処理液Ｌｒへの置換が開始されている。洗浄液Ｌｃから処理液Ｌｒへの置換開始後、上流から順に、背景光の強度の計測値が、洗浄液Ｌｃに応じた強度レベルＴＬｖから処理液Ｌｒに応じた強度レベルＲＬｖに変化していく。

【0134】

薬液の供給回数が「ｔｓ」回であるときに、異物検出ユニット７０Ａにおいて、背景光の強度が、処理液Ｌｒに応じた強度レベルＲＬｖから外れており、処理液Ｌｒに洗浄液Ｌｃが混在していると判定される。供給回数がｔｓ回である時点で、制御部８０（異物判定部１０６）は、置換が完了したことを示す信号を取得している。異物検出ユニット７０Ａにおいて、洗浄液Ｌｃの混在が発生していなければ、点線で示すグラフのように、ｔｓ回の時点で背景光の強度は処理液Ｌｒに応じた強度レベルＲＬｖに達している。

【0135】

発生源推定部１１６は、異物検出ユニット７０Ａにおいて洗浄液Ｌｃの混在が検出された場合に、異物検出ユニット７０Ｂ，７０Ｃでの異物の有無についての過去の判定結果を参照する。発生源推定部１１６は、例えば、ｔｓ回から所定の回数（「ｂ」回）だけ遡った時点における他の検出ユニットの判定結果を参照する。この所定の回数は、図８に示される例と同様に、異物検出ユニット７０Ａで検出された処理液内の洗浄液Ｌｃが異物検出ユニット７０Ｂの検出流路７４を過去に通過したと想定される時点での判定結果を参照できるように設定されている。

【0136】

一例では、発生源推定部１１６は、所定の回数だけ遡った時点（「ｔｓ－ｂ」回）において、異物検出ユニット７０Ｂ，７０Ｃの双方で洗浄液Ｌｃの混在が検出されていなかった場合には、異物検出ユニット７０Ａと異物検出ユニット７０Ｂとの間の区画で洗浄液Ｌｃの混在が発生している（発生した）と推定する。発生源推定部１１６は、（ｔｓ－ｂ）回の時点において、異物検出ユニット７０Ｂで洗浄液Ｌｃの混在が検出され、且つ異物検出ユニット７０Ｃで洗浄液Ｌｃの混在が検出されていなかった場合には、異物検出ユニット７０Ｂと異物検出ユニット７０Ｃとの間の区画で洗浄液Ｌｃの混在が発生している（発生した）と推定する。図１３には、このように推定される場合の判定結果が例示されている。

【0137】

発生源推定部１１６は、所定の回数だけ遡った時点において、異物検出ユニット７０Ｂ，７０Ｃの双方で洗浄液Ｌｃの混在が検出されていた場合には、異物検出ユニット７０Ｃよりも上流の区画で洗浄液Ｌｃの混在が発生している（発生した）と推定する。要因推定部１１８は、異物判定部１０６による背景光の強度に基づく検出結果と、発生源推定部１１６が推定した区画とに基づいて、上記事象の発生の要因を推定する。発生源推定部１１６は、図１３に示される例の判定結果が得られた際に、フィルタ４６又はポンプ４２内において薬液の置換不足が、異物検出の原因となる事象の要因であると推定してもよい。

【0138】

フィルタ４６内において薬液が混在してしまう事象として、以下のものが考えられる。処理液Ｌｒを用いた処理の開始前に供給流路２９の配管内を洗浄するために通液させた洗浄液Ｌｃが、フィルタ４６内部の狭小領域（図示しないが異物を捕集する材料の内部流路など）に滞留してしまい、滞留した洗浄液Ｌｃが排出されない可能性がある。この場合、洗浄液Ｌｃの一部が排出されない状態で、処理液Ｌｒが供給流路２９の配管内に充填されてしまう。フィルタ４６内部の狭小領域では供給流路２９内の他の流路に比べて圧力損失が高くなりやすいので、処理液Ｌｒを充填した際にすぐに溶出されずに、実処理時の送液のための圧力制御において不意のタイミングで洗浄液Ｌｃが溶出し得る。

【0139】

第２実施形態に係る基板処理システム１に対して、第１実施形態で示される例が適用されてもよい。異物検出ユニット７０は、受光信号から得られる評価値に基づくパーティクルの検出と、背景光の強度を示す強度情報に基づく他の薬液の混在の検出とを実行してもよい。評価値に基づく検出では、受光信号の瞬時値の変動に基づき異物が検出されるのに対して、強度情報に基づく検出では、受光信号の全体における時間平均の大きさに基づき異物が検出される。異物検出ユニット７０は、評価値に基づく検出及び強度情報に基づく検出の少なくとも一方において異物を検出した場合に、対応する検出流路７４内の処理液に異物が含まれていると判定してもよい。

【0140】

要因推定部１１８は、強度情報に基づく検出において異物が検出された場合に、上述の例と同様に、供給流路２９内を流れる処理液の流速の計測結果に基づいて、上記事象の発生の要因を絞り込んでもよい。要因推定部１１８は、強度情報に基づく検出において異物が検出された場合に、上述の例と同様に、上記事象が発生した際のワークＷへの処理液の供給頻度に基づいて、上記事象の発生の要因を絞り込んでもよい。

【0141】

強度情報に基づく検出において異物が検出された場合に、オペレータ等の指示に基づき、他の薬液（洗浄液Ｌｃ）を排出する処置が施されてもよい。他の薬液を排出する処理の一例では、背景光の強度が処理液（処理液Ｌｒ）に応じた強度レベルに達するまで、処理液Ｌｒの送液状態が維持される。この処置において、排液可能な待機バス上でのダミー吐出が、実際に処理液ＬｒをワークＷに供給するときよりも連続的に加圧する時間を短くした状態で、繰り返し行われてもよい。このように圧力変動の頻度を増加させることで、滞留した洗浄液Ｌｃが処理液Ｌｒに溶出することを促すことができる。

【0142】

泡の発生に起因した異物の検出と薬液の置換不足に起因した異物の検出とが、略同一のタイミングで行われる場合もある。例えば、送液部４０と吐出バルブ３４との間で評価値に基づく検出及び強度情報に基づく検出により、略同一のタイミングで処理液内に異物が発生していると推定される場合がある。この場合、要因推定部１１８は、フィルタ４６又はポンプ４２での泡の存在と、フィルタ４６での他の薬液の滞留との２つの要因があると推定してもよい。

【0143】

２つの要因が推定された場合に、背景光の強度が処理液に応じた強度レベルに達するまで、ダミー吐出が継続されてもよい。泡が存在する状態で背景光の強度が先に安定した場合には、断続的にダミー吐出を行っていた状態から、ダミー吐出時の圧力の増減の切替え頻度を少なくして、振動による微小泡の増加リスクを抑え、泡の低減をより促してもよい。このように、要因推定部１１８（制御装置２０）は、異物の検出の原因となる複数の事象を推定した場合に、推定後の基板処理システム１におけるダミー吐出といった処置動作又は他動作の進行に伴い、その後の各事象の推移を監視してもよい。例えば、要因推定部１１８は、異物検出ユニット７０Ａ～７０Ｃにおける受光信号に基づいて、複数の事象のうちのどの事象が安定したか、すなわち、どの事象の影響が解消したかを順次判断してもよい。要因推定部１１８（制御装置２０）によって、事象の安定が順次判断され、ある時点でまだ安定していない事象に応じた必要な処置動作が判断されることで、複数の事象が発生した場合に効率的な安定化を図ることができる。

【0144】

以上に説明した第２実施形態に係る基板処理システム１においても、第１実施形態と同様に、処理液供給部２８において異物の検出の原因となる事象が発生した要因を容易に把握することが可能となる。また、出射光に含まれる背景光の強度を示す強度情報に基づいて、処理液内の別の薬液を異物として検出することで、処理液等の薬液の置換不足を容易に検出することが可能となる。

【符号の説明】

【0145】

１…基板処理システム、２…塗布現像装置、２０…制御装置、Ｕ１…液処理ユニット、２８…処理液供給部、２９…供給流路、３０…ノズル、３４…吐出バルブ、４０…送液部、４２…ポンプ、４６…フィルタ、５０…補充部、５２…供給源、６０…流速測定部、７０，７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ…異物検出ユニット、１１６…発生源推定部、１１８…要因推定部、Ｗ…ワーク。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】