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特許7566003エッチング残留物を除去するための組成物、その使用の方法及びその使用
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-03
(45)【発行日】2024-10-11
(54)【発明の名称】エッチング残留物を除去するための組成物、その使用の方法及びその使用
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20241004BHJP
C11D 7/32 20060101ALI20241004BHJP
C11D 7/26 20060101ALI20241004BHJP
C23F 11/12 20060101ALI20241004BHJP
C23F 11/14 20060101ALI20241004BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 647A
C11D7/32
C11D7/26
C23F11/12 102
C23F11/14
C23F11/14 101
【請求項の数】
20
(21)【出願番号】P 2022502569
(86)(22)【出願日】2020-07-14
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2022-09-22
(86)【国際出願番号】 US2020041881
(87)【国際公開番号】W WO2021011515
(87)【国際公開日】2021-01-21
【審査請求日】2023-06-21
(31)【優先権主張番号】62/874,477
(32)【優先日】2019-07-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】517114182
【氏名又は名称】バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー
(74)【代理人】
【識別番号】100099759
【弁理士】
【氏名又は名称】青木 篤
(74)【代理人】
【識別番号】100123582
【弁理士】
【氏名又は名称】三橋 真二
(74)【代理人】
【識別番号】100195213
【弁理士】
【氏名又は名称】木村 健治
(74)【代理人】
【氏名又は名称】胡田 尚則
(74)【代理人】
【識別番号】100202441
【弁理士】
【氏名又は名称】岩田 純
(72)【発明者】
【氏名】ライション スン
(72)【発明者】
【氏名】リーリー ワン
(72)【発明者】
【氏名】アイピン ウー
(72)【発明者】
【氏名】イー－チア リー
(72)【発明者】
【氏名】ティエンニョウ チェン
【審査官】小池 英敏
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１４－０８４４６４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２００２－５１６４７６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２００２－５２３５４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－１４８８３４（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第０５５６３１１９（ＵＳ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
Ｃ１１Ｄ ７／３２
Ｃ１１Ｄ ７／２６
Ｃ２３Ｆ １１／１２
Ｃ２３Ｆ １１／１４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
（ｉ）約５ｗｔ％～約５０ｗｔ％の、２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミン；（ｉｉ）２５ｗｔ％～約７０ｗｔ％の、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉｉ）以下の構造：
【化1】
（ｉｖ）水
を含み、フッ素含有化合物及び無機酸を含有しない、半導体基材のための洗浄組成物。
【請求項2】
（ｖ）カテコールと（ｖｉ）没食子酸とのうち１つ又は両方をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項3】
（ｖｉｉ）腐食抑制剤をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項4】
前記２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、トリエタノールアミンを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項5】
前記１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、モノエタノールアミン、２－（２－アミノエトキシ）エタノール、Ｎ－メチルエタノールアミン及びモノイソプロピルアミンのうち１つ又は複数を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項6】
前記１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、モノエタノールアミンを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項7】
前記アルファヒドロキシ酸が、グリコール酸、乳酸、酒石酸、クエン酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリセリン酸、マンデル酸、タルトロン酸、サッカリン酸、ジヒドロキシマロン酸及びそれらの混合物の群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項8】
前記アルファヒドロキシ酸が、グルコン酸を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項9】
約２．５ｗｔ％～約２５ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項10】
約１０ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項11】
約２．５ｗｔ％～約２５ｗｔ％のグルコン酸を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項12】
約１０ｗｔ％のグルコン酸を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項13】
約６ｗｔ％のカテコールを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項14】
約３ｗｔ％の没食子酸を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項15】
約５ｗｔ％～１０ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項16】
約１０ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項17】
（ｉ）約２０ｗｔ％のトリエタノールアミン；及び（ｉｉ）約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミン
を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項18】
（ｉ）約２０ｗｔ％のトリエタノールアミン；（ｉｉ）約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミン；及び
（ｉｉｉ）約１０ｗｔ％のグルコン酸
を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項19】
（ｉ）約２０ｗｔ％のトリエタノールアミン；（ｉｉ）約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミン；
（ｉｉｉ）約１０ｗｔ％のグルコン酸；及び
（ｉｖ）約９ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせ
を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項20】
マイクロエレクトロニクス装置又は半導体基材から残留物を除去する方法であって、前記装置又は基材を、請求項１に記載の洗浄組成物と接触させる工程を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象は、マイクロエレクトロニクス製造における、ポストエッチング残留物の洗浄組成物及びその使用のための方法に関する。
【背景技術】
【0002】
マイクロエレクトロニクス構造体の製造には、多くの工程が含まれる。集積回路の製造スキームにおいて、ときには、半導体の異なる表面の選択的エッチングが必要となる。歴史的に、材料を選択的に除去するための、多くの異なる種類のエッチングプロセスが、上手く利用されてきた。さらに、マイクロエレクトロニクス構造体において、異なる層の選択的エッチングは、集積回路の製造プロセスにおいて重要な工程と考えられる。
【0003】
半導体及び半導体マイクロ回路の製造において、基材材料をポリマー性有機物質でコーティングすることが、しばしば必要とされる。幾つかの基材材料の例は、アルミニウム、チタン、銅、任意選択でアルミニウム、チタン又は銅などの金属元素を有する二酸化ケイ素コーティングをされたシリコンウエハを含む。典型的には、ポリマー性有機物質は、フォトレジスト材料である。これは、光に対する暴露の後に、現像に際してエッチングマスクを形成する材料である。続く処理工程において、フォトレジストの少なくとも一部が、基材の表面から除去される。基材からフォトレジストを除去する１つの一般的な方法は、湿式化学手段によるものである。湿式化学組成物は、任意の金属回路、無機基材及び基材自体と適合しつつ、基材からフォトレジストを除去するように配合される。フォトレジストを除去する別の方法は、プラズマアッシングによってフォトレジストが除去されるドライアッシング法によるものである。プラズマアッシングの後に基材上に残っている残留物は、フォトレジスト自体、又はフォトレジスト、下部の基材及び／若しくはエッチングガスの組み合わせである場合がある。しばしば、これらの残留物は、側壁ポリマー、ベール又はフェンスといわれる。
【0004】
さらに、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）は、ビア、金属ライン及びトレンチの形成の際のパターン転写のための適したプロセスである。例えば、複雑な半導体装置は、ワイヤを相互接続する複数層の配線工程を必要とし、ＲＩＥを利用してビア、金属ライン及びトレンチ構造を製造する。中間誘電体層を通るビアを使用して、１つの階層のケイ素、ケイ化物又は金属ワイヤと、次の階層のワイヤとの間の接触を提供する。金属ラインは、装置の相互接続として使用される伝導性の構造である。トレンチ構造は、金属ライン構造の形成において使用される。典型的には、ビア、金属ライン及びトレンチの構造は、金属及び合金、例えばＡｌ、ＡｌとＣｕとの合金、Ｃｕ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、Ｗ、ＴｉＷ、ケイ素又はケイ化物、例えばタングステン、チタン若しくはコバルトのケイ化物、を露出している。典型的には、ＲＩＥプロセスは、リソグラフィでビア、金属ライン及び／又はトレンチの構造を画定するのに使用される、再スパッタされた酸化物材料、フォトレジストに起因する有機材料、及び／又は反射防止コーティング材料を含む場合がある、残留物又は複合混合物を残す。
【0005】
これらのプラズマエッチング残留物の除去は、基材を、配合された溶液にさらすことによって達成される。慣例的な洗浄配合物は、典型的にはヒドロキシルアミン、アルカノールアミン、水及び腐食抑制剤を含有する。例えば、プラズマエッチングによって残されたプラズマエッチング残留物を、水と、アルカノールアミンと、ヒドロキシルアミンとの洗浄溶液によって洗浄する１つの組成物が米国特許第５２７９７７１号明細書において開示されている。米国特許第５４１９７７９号明細書において開示される別の例は、水と、アルカノールアミンと、ヒドロキシルアミンと、カテコールとの、プラズマエッチング残留物の洗浄溶液である。
【0006】
これらの配合された溶液は、プラズマエッチング残留物を効率的に洗浄することができるが、ヒドロキシルアミンの存在は、金属層、例えばチタン層、を攻撃する場合がある。配合された洗浄溶液中のヒドロキシルアミンの腐食効果を制御する１つの手法は、合計の溶液の約３０ｗｔ％未満の低い水のレベルを維持し、高い濃度の溶媒を（すなわち、溶媒リッチの配合された溶液を）使用することである。多くの公表された特許において、カテコールが、アルミニウム及び／又はチタンエッチングのための腐食抑制剤として使用されてきた。しかし、幾つかの種類の腐食抑制剤はプラズマエッチング残留物の除去を妨げる場合があるため、プラズマエッチング残留物の除去と、金属層腐食の抑制とはトレードオフであるのが常である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
従って、ヒドロキシルアミンを含有しないが、しかし、それにもかかわらず、金属層に対して有害な効果を引き起こさずに、基材からプラズマエッチング残留物を除去することができる配合物についての要求が残っている。
【課題を解決するための手段】
【0008】
概要
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象は、アルファヒドロキシ酸を含有し、かつ基材からプラズマポストエッチング残留物を除去するために有用である洗浄組成物を目的とするものである。組成物は、
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基（Ｒ－ＯＨ、ここでＲはアルキル基）を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｉｉ）水
を含む。
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象は、アルファヒドロキシ酸を含有し、かつ基材からプラズマポストエッチング残留物を除去するために有用である洗浄組成物を目的とするものである。組成物は、
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基（Ｒ－ＯＨ、ここでＲはアルキル基）を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｉｉ）水
を含む。
【0009】
さらなる実施態様において、組成物は、
（ｉｖ）腐食抑制剤
を含む。
（ｉｖ）腐食抑制剤
を含む。
【0010】
さらなる実施態様において、組成物は、種々の濃度の、
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基（Ｒ－ＯＨ、ここでＲはアルキル基）を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｉｉ）水
から本質的になる。このような実施態様において、（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）の組み合わせた量は１００ｗｔ％に等しくなく、組成物の有効性を著しくは変化させない他の成分（例えば、さらなる溶媒、一般的な添加剤及び／又は不純物）を含んでよい。
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基（Ｒ－ＯＨ、ここでＲはアルキル基）を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｉｉ）水
から本質的になる。このような実施態様において、（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）の組み合わせた量は１００ｗｔ％に等しくなく、組成物の有効性を著しくは変化させない他の成分（例えば、さらなる溶媒、一般的な添加剤及び／又は不純物）を含んでよい。
【0011】
さらなる実施態様において、組成物は、種々の濃度の、
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基（Ｒ－ＯＨ、ここでＲはアルキル基）を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；
（ｉｉｉ）水；及び
（ｉｖ）腐食抑制剤
から本質的になる。このような実施態様において、（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）の組み合わせた量は１００ｗｔ％に等しくなく、組成物の有効性を著しくは変化させない他の成分（例えば、さらなる溶媒、一般的な添加剤及び／又は不純物）を含んでよい。
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基（Ｒ－ＯＨ、ここでＲはアルキル基）を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；
（ｉｉｉ）水；及び
（ｉｖ）腐食抑制剤
から本質的になる。このような実施態様において、（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）の組み合わせた量は１００ｗｔ％に等しくなく、組成物の有効性を著しくは変化させない他の成分（例えば、さらなる溶媒、一般的な添加剤及び／又は不純物）を含んでよい。
【0012】
さらなる実施態様において、組成物は、種々の濃度の、
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基（Ｒ－ＯＨ、ここでＲはアルキル基）を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｉｉ）水
からなる。このような実施態様において、（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）の組み合わせた量は約１００ｗｔ％に等しいが、組成物の有効性を著しくは変化させない、非常に少ない量で存在する、他の少量及び／又は微量の不純物を含んでよい。例えば、１つのこのような実施態様において、組成物は、２ｗｔ％以下の不純物を含有してよい。別の実施態様において、組成物は１ｗｔ％以下の不純物を含有してよい。さらなる実施態様において、組成物は、０．０５ｗｔ％以下の不純物を含有してよい。
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基（Ｒ－ＯＨ、ここでＲはアルキル基）を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｉｉ）水
からなる。このような実施態様において、（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）の組み合わせた量は約１００ｗｔ％に等しいが、組成物の有効性を著しくは変化させない、非常に少ない量で存在する、他の少量及び／又は微量の不純物を含んでよい。例えば、１つのこのような実施態様において、組成物は、２ｗｔ％以下の不純物を含有してよい。別の実施態様において、組成物は１ｗｔ％以下の不純物を含有してよい。さらなる実施態様において、組成物は、０．０５ｗｔ％以下の不純物を含有してよい。
【0013】
さらなる実施態様において、組成物は、種々の濃度の、
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基（Ｒ－ＯＨ、ここでＲはアルキル基）を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；
（ｉｉｉ）水；及び
（ｉｖ）腐食抑制剤
から本質的になる。このような実施態様において、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）の組み合わせた量は約１００ｗｔ％に等しいが、組成物の有効性を著しくは変化させない、非常に少ない量で存在する、他の少量及び／又は微量の不純物を含んでよい。例えば、１つのこのような実施態様において、組成物は、２ｗｔ％以下の不純物を含有してよい。別の実施態様において、組成物は１ｗｔ％以下の不純物を含有してよい。さらなる実施態様において、組成物は、０．０５ｗｔ％以下の不純物を含有してよい。
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基（Ｒ－ＯＨ、ここでＲはアルキル基）を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；
（ｉｉｉ）水；及び
（ｉｖ）腐食抑制剤
から本質的になる。このような実施態様において、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）の組み合わせた量は約１００ｗｔ％に等しいが、組成物の有効性を著しくは変化させない、非常に少ない量で存在する、他の少量及び／又は微量の不純物を含んでよい。例えば、１つのこのような実施態様において、組成物は、２ｗｔ％以下の不純物を含有してよい。別の実施態様において、組成物は１ｗｔ％以下の不純物を含有してよい。さらなる実施態様において、組成物は、０．０５ｗｔ％以下の不純物を含有してよい。
【0014】
別の実施態様において、組成物は、
（ｉ）約５ｗｔ％～約５０ｗｔ％の、２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）２５ｗｔ％～約７０ｗｔ％の、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｖ）水
を含む。さらなる態様において、組成物は、（ｖ）カテコールを含む。さらなる態様において、組成物は、（ｖｉ）没食子酸を含む。さらなる態様において、組成物は、（ｖ）カテコール及び（ｖｉ）没食子酸の両方を含む。さらなる態様において、組成物は、（ｖｉｉ）腐食抑制剤を含む。
（ｉ）約５ｗｔ％～約５０ｗｔ％の、２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）２５ｗｔ％～約７０ｗｔ％の、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｖ）水
を含む。さらなる態様において、組成物は、（ｖ）カテコールを含む。さらなる態様において、組成物は、（ｖｉ）没食子酸を含む。さらなる態様において、組成物は、（ｖ）カテコール及び（ｖｉ）没食子酸の両方を含む。さらなる態様において、組成物は、（ｖｉｉ）腐食抑制剤を含む。
【0015】
上記の組成物のさらなる態様において、２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミンは、トリエタノールアミンを含む。さらなる態様において、２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミンは、トリエタノールアミンから本質的になる。さらなる態様において、２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミンは、トリエタノールアミンからなる。さらなる態様において、組成物は、約１０ｗｔ％～約４０ｗｔ％のトリエタノールアミンを含む。さらなる態様において、組成物は、約２０ｗｔ％～約３０ｗｔ％のトリエタノールアミンを含む。さらなる態様において、組成物は、約２０ｗｔ％のトリエタノールアミンを含む。
【0016】
上記の組成物のさらなる態様において、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンは、モノエタノールアミンを含む。さらなる態様において、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンは、モノエタノールアミンから本質的になる。さらなる態様において、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンは、モノエタノールアミンからなる。さらなる態様において、組成物は、約２０ｗｔ％～約５０ｗｔ％のモノエタノールアミンを含む。さらなる態様において、組成物は、約３５ｗｔ％～約５０ｗｔ％のモノエタノールアミンを含む。さらなる態様において、組成物は、約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミンを含む。さらなる態様において、組成物は、約３５ｗｔ％のモノエタノールアミンを含む。
【0017】
上記の組成物のさらなる態様において、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンは、２－（２－アミノエトキシ）エタノールを含む。さらなる態様において、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンは、２－（２－アミノエトキシ）エタノールから本質的になる。さらなる態様において、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンは、２－（２－アミノエトキシ）エタノールからなる。さらなる態様において、組成物は、約２０ｗｔ％～約５０ｗｔ％の２－（２－アミノエトキシ）エタノールを含む。さらなる態様において、組成物は、約３５ｗｔ％～約５０ｗｔ％の２－（２－アミノエトキシ）エタノールを含む。さらなる態様において、組成物は、約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％の２－（２－アミノエトキシ）エタノールを含む。さらなる態様において、組成物は、約３５ｗｔ％の２－（２－アミノエトキシ）エタノールを含む。
【0018】
上記の組成物のさらなる態様において、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンは、Ｎ－メチルエタノールアミンを含む。さらなる態様において、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンは、Ｎ－メチルエタノールアミンから本質的になる。さらなる態様において、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンは、Ｎ－メチルエタノールアミンからなる。さらなる態様において、組成物は、約２０ｗｔ％～約５０ｗｔ％のＮ－メチルエタノールアミンを含む。さらなる態様において、組成物は、約３５ｗｔ％～約５０ｗｔ％のＮ－メチルエタノールアミンを含む。さらなる態様において、組成物は、約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のＮ－メチルエタノールアミンを含む。さらなる態様において、組成物は、約３５ｗｔ％のＮ－メチルエタノールアミンを含む。
【0019】
上記の組成物のさらなる態様において、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンは、モノイソプロピルアミンを含む。さらなる態様において、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンは、モノイソプロピルアミンから本質的になる。さらなる態様において、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンは、モノイソプロピルアミンからなる。さらなる態様において、組成物は、約２０ｗｔ％～約５０ｗｔ％のモノイソプロピルアミンを含む。さらなる態様において、組成物は、約３５ｗｔ％～約５０ｗｔ％のモノイソプロピルアミンを含む。さらなる態様において、組成物は、約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノイソプロピルアミンを含む。さらなる態様において、組成物は、約３５ｗｔ％のモノイソプロピルアミンを含む。
【0020】
上記の組成物のさらなる態様において、アルファヒドロキシ酸は、グリコール酸、乳酸、酒石酸、クエン酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリセリン酸、マンデル酸、タルトロン酸、サッカリン酸、ジヒドロキシマロン酸及びそれらの混合物の群から選択される。さらなる態様において、アルファヒドロキシ酸は、グルコン酸からなる。さらなる態様において、組成物は、約２．５ｗｔ％～約２５ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む。さらなる態様において、組成物は、約５ｗｔ％～約２０ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む。さらなる態様において、組成物は、約１０ｗｔ％～約１５ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む。さらなる態様において、組成物は、約１５ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む。さらなる態様において、組成物は、約１０ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む。さらなる態様において、アルファヒドロキシ酸は、グルコン酸を含む。さらなる態様において、アルファヒドロキシ酸は、グルコン酸から本質的になる。さらなる態様において、組成物は、約２．５ｗｔ％～約２５ｗｔ％のグルコン酸を含む。さらなる態様において、組成物は、約５ｗｔ％～約２０ｗｔ％のグルコン酸を含む。さらなる態様において、組成物は、約１０ｗｔ％～約１５ｗｔ％のグルコン酸を含む。さらなる態様において、組成物は、約１５ｗｔ％のグルコン酸を含む。さらなる態様において、組成物は、約１０ｗｔ％のグルコン酸を含む。
【0021】
上記の組成物のさらなる態様において、組成物は、約１０ｗｔ％～約４０ｗｔ％の水を含む。さらなる態様において、組成物は、約１２ｗｔ％～約３５ｗｔ％の水を含む。さらなる態様において、組成物は、約１３ｗｔ％～約３０ｗｔ％の水を含む。
【0022】
上記の組成物のさらなる態様において、組成物は、約６ｗｔ％のカテコールを含む。さらなる態様において、組成物は、約２ｗｔ％の没食子酸を含む。さらなる態様において、組成物は、約３ｗｔ％の没食子酸を含む。さらなる態様において、組成物は、約５ｗｔ％～１０ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む。さらなる態様において、組成物は、約５ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む。さらなる態様において、組成物は、約６ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む。さらなる態様において、組成物は、約７ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む。さらなる態様において、組成物は、約８ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む。さらなる態様において、組成物は、約９ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む。さらなる態様において、組成物は、約９ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む。
【0023】
別の実施態様において、組成物は、
（ｉ）約２０ｗｔ％のトリエタノールアミン；及び
（ｉｉ）約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミン
を含む。
（ｉ）約２０ｗｔ％のトリエタノールアミン；及び
（ｉｉ）約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミン
を含む。
【0024】
別の実施態様において、組成物は、
（ｉ）約２０ｗｔ％のトリエタノールアミン；
（ｉｉ）約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミン；及び
（ｉｉｉ）約１０ｗｔ％のグルコン酸
を含む。
（ｉ）約２０ｗｔ％のトリエタノールアミン；
（ｉｉ）約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミン；及び
（ｉｉｉ）約１０ｗｔ％のグルコン酸
を含む。
【0025】
別の実施態様において、組成物は、
（ｉ）約２０ｗｔ％のトリエタノールアミン；
（ｉｉ）約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミン；
（ｉｉｉ）約１０ｗｔ％のグルコン酸；及び
（ｉｖ）約９ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせ
を含む。
（ｉ）約２０ｗｔ％のトリエタノールアミン；
（ｉｉ）約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミン；
（ｉｉｉ）約１０ｗｔ％のグルコン酸；及び
（ｉｖ）約９ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせ
を含む。
【0026】
別の実施態様において、上記の組成物は、約９以上のｐＨ、例えば、９～１４、１０～１２、又は９、１０、１１、１２、１３若しくは１４の始点及び終点を有する範囲内の任意のｐＨ、を有することができる。必要に応じて、任意選択で、さらなる塩基性構成成分を添加して、ｐＨを調節することができる。１つの態様において、ｐＨを調節するために添加することができる構成成分は、アミン、例えば第一級、第二級、第三級若しくは第四級アミン、又は第一級、第二級、第三級若しくは第四級アンモニウム化合物を含む。別の態様において、代わりに又は加えて、アンモニウム塩が組成物中に含まれてよい。別の態様において、添加することができる塩基は、アルキル基の全てが同一である第四級水酸化アンモニウム、例えばテトラメチル水酸化アンモニウム、テトラエチル水酸化アンモニウム及び／又はテトラブチル水酸化アンモニウムなど、を含む。さらに別の態様において、ｐＨを調節するために添加される材料の量は、以下の数の群：０、０．１、０．２、０．３、０．５、０．８、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１４、１５、１７及び２０、から選択される始点及び終点を有する重量パーセントの範囲で、添加することができる。組成物に添加される場合、塩基の範囲の例は、組成物の約０．１ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約１ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約１ｗｔ％～約８ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約５ｗｔ％、約１ｗｔ％～約７ｗｔ％又は約０．５ｗｔ％～約７ｗｔ％であってよい。
【0027】
別の実施態様において、組成物は、任意の組み合わせで、任意のさらなる第一級、第二級、第三級若しくは第四級アミン、又は第一級、第二級、第三級若しくは第四級水酸化アンモニウム、及び／又は任意のさらなるアンモニウム塩を含有しないか、あるいは実質的に含有しなくてよい。
【0028】
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象は、マイクロエレクトロニクス装置又は半導体基材から残留物を除去する方法であって、残留物を含有する基材を、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の洗浄組成物と接触させる工程を含む方法、をさらに含む。
【0029】
この概要のセクションは、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の、全ての実施態様及び／又は付加的に新規の態様を特定してはいない。代わりに、この概要は、異なる実施態様の予備的な議論と、従来技術及び公知技術に対する新規性に対応する点とを単に提供するものである。開示される及び特許請求の範囲に記載される対象及び実施態様の、さらなる詳細及び／又はあり得る可能性については、読者は、下記でさらに議論される本開示の詳細な説明のセクションを参照せよ。
【0030】
本明細書において説明される異なる工程の議論の順序は、明確にする目的のために提供されている。一般に、本明細書において開示される工程は、任意の適した順序で行うことができる。加えて、本明細書において開示される異なる特徴、技術、構成などのそれぞれは、本開示の異なる箇所で議論される場合があり、その概念のそれぞれは、互いから独立して、又は適切に互いに組み合わせて実行することができることが意図される。従って、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象は、多くの異なる手法で、具体化されて、見られることができる。
【0031】
本明細書において使用されるセクションの表題は、構成の目的のためのものであり、説明される対象を限定するものとは解釈されない。特許、特許出願、記事、書籍及び論文を含むが、それらに限定されない、本出願において引用される全ての文献又は文献の一部は、任意の目的のために、参照によって、それらの全体が本明細書に明示的に組み込まれる。組み込まれた文献及び同様の資料が、用語を、本出願におけるその用語の定義に矛盾する様式で定義している場合、本出願は、それを照合する。
【0032】
本明細書において引用される、公報、特許出願及び特許を含む全ての参照文献は、それぞれの参照文献が個別に、かつ具体的に参照によって組み込まれたかのように、及び本明細書においてその全体が規定されたかのように、同じ範囲の参照によって、本明細書に組み込まれる。
【0033】
定義
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象を説明する文脈における（とりわけ以下の特許請求の範囲の文脈における）、用語「ａ」、「ａｎ」、「ｔｈｅ」及び類似の指示語の使用は、本明細書において他に記載があるか、又は文脈によって明確に否定されない限り、単数及び複数の両方をカバーすると解釈される。用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」及び「含有する（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」は、他に記載がない限り、オープンエンドの用語として（すなわち、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）が、それに限定されない」として）解釈されるが、部分的にクローズド又はクローズドである用語の「から本質的になる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ ｏｆ）」及び「からなる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ ｏｆ）」をさらに含む。本明細書における値の範囲の記載は、本明細書において他に記載がない限り、単に、範囲内にあるそれぞれの個別の値を独立に参照する略記法として機能することが意図されていて、それぞれの個別の値は、それが本明細書において個別に記載されたのと同様に、本明細書に組み込まれる。本明細書において記載される全ての方法は、本明細書において他に記載がない限り、又は文脈によって他に明確に否定されない限り、任意の適した順序で行うことができる。本明細書において提供される、任意の若しくは全ての例、又は例示的な語（例えば「例えば（ｓｕｃｈ ａｓ）」）は、他に記載がない限り、単に、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象をよりよく例示することが意図されていて、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の範囲についての限定をするものではない。本明細書中のいかなる語も、任意の記載されていない要素が、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の実施に不可欠であることを示すと解釈されるべきではない。全てのパーセントは重量パーセントであり、全ての重量パーセントは、組成物の合計の重量（その任意選択の濃縮及び／又は希釈の前）に基づくものである。「１つ以上」の言及は、「２つ以上」及び「３つ以上」などを含む。
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象を説明する文脈における（とりわけ以下の特許請求の範囲の文脈における）、用語「ａ」、「ａｎ」、「ｔｈｅ」及び類似の指示語の使用は、本明細書において他に記載があるか、又は文脈によって明確に否定されない限り、単数及び複数の両方をカバーすると解釈される。用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」及び「含有する（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」は、他に記載がない限り、オープンエンドの用語として（すなわち、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）が、それに限定されない」として）解釈されるが、部分的にクローズド又はクローズドである用語の「から本質的になる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ ｏｆ）」及び「からなる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ ｏｆ）」をさらに含む。本明細書における値の範囲の記載は、本明細書において他に記載がない限り、単に、範囲内にあるそれぞれの個別の値を独立に参照する略記法として機能することが意図されていて、それぞれの個別の値は、それが本明細書において個別に記載されたのと同様に、本明細書に組み込まれる。本明細書において記載される全ての方法は、本明細書において他に記載がない限り、又は文脈によって他に明確に否定されない限り、任意の適した順序で行うことができる。本明細書において提供される、任意の若しくは全ての例、又は例示的な語（例えば「例えば（ｓｕｃｈ ａｓ）」）は、他に記載がない限り、単に、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象をよりよく例示することが意図されていて、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の範囲についての限定をするものではない。本明細書中のいかなる語も、任意の記載されていない要素が、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の実施に不可欠であることを示すと解釈されるべきではない。全てのパーセントは重量パーセントであり、全ての重量パーセントは、組成物の合計の重量（その任意選択の濃縮及び／又は希釈の前）に基づくものである。「１つ以上」の言及は、「２つ以上」及び「３つ以上」などを含む。
【0034】
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の好ましい実施態様が、本明細書において説明される。それらの好ましい実施態様の変形は、先の説明を読むことによって当業者にとって明らかとなることができる。発明者らは、当業者が、このような変形を適切に用いることを期待していて、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象が、本明細書において具体的に説明される以外でも実施されることを意図している。従って、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象は、適用可能な法によって許されるとき、本明細書に添付される特許請求の範囲に記載される対象の全ての変更及び均等物を含む。さらに、上記の要素の全ての可能な変形において、上記の要素の任意の組み合わせが、本明細書において他に記載があるか、又は文脈によって他に明確に否定されない限り、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象によって包含される。
【0035】
参照を容易にするために、「マイクロエレクトロニクス装置」は、マイクロエレクトロニクス、集積回路又はコンピュータチップの用途における使用のために製造された、ウエハ、フラットパネルディスプレイ、相変化メモリ装置、ソーラーパネル及びソーラー基材を備える他の製品、光電池、並びに微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）、を含む半導体基材に対応する。ソーラー基材は、ケイ素、非晶質ケイ素、多結晶ケイ素、単結晶ケイ素、ＣｄＴｅ、セレン化銅インジウム、硫化銅インジウム、及びガリウム上のヒ化ガリウムを含むが、それらに限定されない。ソーラー基材は、ドープされているか、又はドープされていなくてもよい。用語「マイクロエレクトロニクス装置」は、いかなる手法によるかで限定されることを意味するものではなく、最終的にマイクロエレクトロニクス装置又はマイクロエレクトロニクス組立品となる任意の基材を含むと理解される。
【0036】
本明細書において規定されるとき、「低ｋ誘電体材料」は、約３．５未満の誘電率を有する、積層マイクロエレクトロニクス装置において誘電体材料として使用される任意の材料に対応する。好ましくは、低ｋ誘電体材料は、低極性材料、例えばケイ素含有有機ポリマー、ケイ素含有ハイブリッド有機／無機材料、有機シリケートガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ素化シリケートガラス（ＦＳＧ）、二酸化ケイ素及び炭素ドープ酸化物（ＣＤＯ）ガラスを含む。低ｋ誘電体材料は、種々の密度及び種々のポロシティを有し得ることが認められている。
【0037】
本明細書において規定されるとき、用語「バリア材料」は、当分野において金属ライン、例えば銅相互接続、をシールして、その金属の、例えば銅の、誘電体材料への拡散を最小化するのに使用される任意の材料に対応する。好ましいバリア層材料は、タンタル、チタン、ルテニウム、ハフニウム及び他の耐熱性金属、並びにそれらの窒化物及びケイ化物を含む。
【0038】
本明細書において、「実質的に含有しない」は、０．１ｗｔ％未満、又は０．０１ｗｔ％未満、最も好ましくは０．００１ｗｔ％未満、０．０００１ｗｔ％未満、又は１ｐｐｂ未満と規定される。「実質的に含有しない」は、０．００００ｗｔ％及び０ｐｐｂをさらに含む。用語「含有しない」は、０．００００ｗｔ％又は０ｐｐｂを意味する。
【0039】
本明細書において使用されるとき、「約（ａｂｏｕｔ）」又は「約（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）」は、測定可能な数値変数において使用されるとき、記載される値の±５％に対応することが意図される。
【0040】
組成物の具体的な構成成分が０の下限を含むｗｔ％の範囲に関して議論される全てのこのような組成物において、このような構成成分は、組成物の種々の具体的な実施態様において存在するか、又は存在しなくてもよく、例えばこのような構成成分が存在する場合には、それらは、これらの構成成分が用いられる組成物の合計の重量に対して０．００１ｗｔ％ほどに低い濃度で存在してよいと理解される。
【0041】
詳細な説明
先の一般的な説明と以下の詳細な説明との両方は、例示的な及び説明的なものであり、特許請求の範囲に記載される対象を限定するものではないと理解される。開示される対象の物体、特徴、利点及びアイデアは、本明細書において提供される説明から、当業者にとって明らかとなり、開示される対象は、本明細書に見られる説明に基づいて、当業者によって容易に実施可能なものとなる。任意の「好ましい実施態様」と、及び／又は開示される対象を実施するための好ましい様式を示す例との説明は、説明の目的のために含まれるものであり、特許請求の範囲を限定することを意図するものではない。
先の一般的な説明と以下の詳細な説明との両方は、例示的な及び説明的なものであり、特許請求の範囲に記載される対象を限定するものではないと理解される。開示される対象の物体、特徴、利点及びアイデアは、本明細書において提供される説明から、当業者にとって明らかとなり、開示される対象は、本明細書に見られる説明に基づいて、当業者によって容易に実施可能なものとなる。任意の「好ましい実施態様」と、及び／又は開示される対象を実施するための好ましい様式を示す例との説明は、説明の目的のために含まれるものであり、特許請求の範囲を限定することを意図するものではない。
【0042】
本明細書において開示される開示される対象の趣旨及び範囲から逸脱することなく、本明細書において説明される態様に基づいて、どのように開示される対象が実施されるかについて種々の変更をすることができることもまた、当業者にとって明らかとなる。
【0043】
開示される及び特許請求の範囲に記載される対象は、選択的に残留物を、例えばアッシングされたフォトレジスト及び／又は処理残留物を、マイクロエレクトロニクス装置から除去するための、組成物と、その組成物の使用を含む方法とを提供する。物品、例えばマイクロエレクトロニクス装置のために有用な基材、を含む洗浄方法において、除去される典型的な汚染物質は、単独で、又は組み合わせて、以下の例：有機化合物、例えば露光された及びアッシングされたフォトレジスト材料、アッシングされたフォトレジスト残留物、ＵＶ又はＸ線硬化フォトレジスト、Ｃ－Ｆ含有ポリマー、低分子量及び高分子量ポリマー、並びに他の有機エッチング残留物；無機化合物、例えば金属酸化物、化学機械研磨（ＣＭＰ）スラリーに起因するセラミック粒子、及び他の無機エッチング残留物；金属含有化合物、例えば有機金属残留物及び金属有機化合物；イオン性及び中性の、軽又は重無機（金属）種、水分、並びに平坦化及びエッチングプロセスなどの処理によって生成される粒子を含む不溶性材料、のうち１つ又は複数を含む場合がある。１つの特定の実施態様において、除去される残留物は、処理残留物、例えば反応性イオンエッチングによって作り出される処理残留物である。
【0044】
さらに、アッシングされたフォトレジスト及び／又は処理残留物は、典型的には、任意の組み合わせで、以下の材料：金属（例えば銅、アルミニウム）、ケイ素、シリケート及び／又は中間誘電体材料、例えば堆積された酸化ケイ素及び誘導体化された酸化ケイ素、例えばＨＳＱ、ＭＳＱ、ＦＯＸ、ＴＥＯＳ及びスピンオンガラス、並びに／又は高ｋ材料、例えばハフニウムシリケート、酸化ハフニウム、バリウムストロンチウムチタン（ＢＳＴ）、Ｔａ2Ｏ5及びＴｉＯ2、のうち１つ又は複数をさらに含む半導体基材（マイクロエレクトロニクス装置）上に存在し、フォトレジスト及び／又は残留物と、金属、ケイ素、ケイ化物、中間誘電体材料及び／又は高ｋ材料との両方は、洗浄組成物と接触する。さらに、本明細書において開示される組成物は、特定の誘電体材料の、例えば酸化ケイ素の極小のエッチング速度示すことができる。本明細書において開示される組成物及び方法は、以下：金属、ケイ素、二酸化ケイ素、中間誘電体材料及び／又は高ｋ材料のうち１つ又は複数を有意に攻撃することなく、残留物を選択的に除去することを、それぞれ提供する。１つの実施態様において、本明細書において開示される組成物は、感受性のある低ｋ膜を含有する構造のために適したものであることができる。特定の実施態様において、基材は、１つ又は複数の金属を、以下に限定するものではないが、例えば銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、タングステン及びチタン／タングステンを含有してよく、それらのうち１つ又は複数は、洗浄組成物によって攻撃されない。
【0045】
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、少なくとも２つのＲ－ＯＨ基を有するアルカノールアミン、アルファヒドロキシ酸、水及び他の任意選択の構成成分を含む。
【0046】
Ｉ．アルカノールアミン
組成物は、少なくとも２つのＲ－ＯＨ基を有する少なくとも１つのアルカノールアミン、又は少なくとも２つのＲ－ＯＨ基を有する２つ以上のアルカノールアミンの混合物を含む。組成物が少なくとも２つのＲ－ＯＨ基を有する少なくとも１つのアルカノールアミンを含む限りにおいて、組成物は、１つのＲ－ＯＨ基を有する１つ又は複数のさらなるアルカノールアミンをさらに含んでよい。アルカノール基はＲ－ＯＨと定義され、式中、Ｒは、任意の数の炭素、好ましくは１～２０、１～１５、１～１０、１～７、１～５又は１～４個の炭素、を有する、直鎖、分岐鎖又は環状のアルキルである。幾つかの実施態様において、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物において有用な、２つ以上のアルカノール基を有するアルカノールアミンは、３つ以上のアルカノール基を含む。
組成物は、少なくとも２つのＲ－ＯＨ基を有する少なくとも１つのアルカノールアミン、又は少なくとも２つのＲ－ＯＨ基を有する２つ以上のアルカノールアミンの混合物を含む。組成物が少なくとも２つのＲ－ＯＨ基を有する少なくとも１つのアルカノールアミンを含む限りにおいて、組成物は、１つのＲ－ＯＨ基を有する１つ又は複数のさらなるアルカノールアミンをさらに含んでよい。アルカノール基はＲ－ＯＨと定義され、式中、Ｒは、任意の数の炭素、好ましくは１～２０、１～１５、１～１０、１～７、１～５又は１～４個の炭素、を有する、直鎖、分岐鎖又は環状のアルキルである。幾つかの実施態様において、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物において有用な、２つ以上のアルカノール基を有するアルカノールアミンは、３つ以上のアルカノール基を含む。
【0047】
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物において有用なアルカノールアミンは、好ましくは水において混和性である。
【0048】
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象において有用な、１つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミンの例は、以下に限定するものではないが、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、第三級ブチルジエタノールアミン及びそれらの混合物を含む。１つより多くのアルカノール基を有する少なくとも１つのアルカノールアミンが、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物中に存在する。１つより多くのアルカノール基を有する２つ以上のアルカノールアミンの混合物を使用することができる。
【0049】
１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物中に存在してよい。２つ以上のアルカノール基を有するアルカノールアミンと組み合わせて使用することができる１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンの例は、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、Ｎ－メチルエタノールアミン、Ｎ－エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、イソプロパノールアミン、２－アミノ－１－プロパノール、３－アミノ－１－プロパノール、２－アミノ－１－ブタノール、イソブタノールアミン、２－アミノ－２－エトキシプロパノール、２－アミノ－２－エトキシエタノールを含む。
【0050】
幾つかの実施態様において、アルカノールアミン（１つ、２つ又は３つ以上）の合計の量は、以下のリスト：５、１０、２０、３０、４０、４５、４８、５０、５５、５７、５９、６０、６２、６４、６６、６８、７０、７２、７４、７６、７８、８０、８５及び８８のｗｔ％の値から選択される始点及び終点を有する範囲の量を構成することができる。例えば、組成物は、組成物の約１０ｗｔ％～約８５ｗｔ％、約２０ｗｔ％～約８０ｗｔ％、約３０ｗｔ％～約７８ｗｔ％、約４５ｗｔ％～約７８ｗｔ％、約４５ｗｔ％～約８０ｗｔ％又は約５０ｗｔ％～約８５ｗｔ％の、１つ、２つ以上又は３つ以上のアルカノールアミンを含んでよい。
【0051】
２つ以上のアルカノールアミン（すなわち、１つより多くのアルカノール基を有する第一のアルカノールアミン、１つより多くのアルカノール基を有するか、又は有しない第二のアルカノールアミン及び／又は第三以上のアルカノールアミン）を含む幾つかの実施態様において、第一のアルカノールアミンは、第二のアルカノールアミン以上のｗｔ％で存在するか、又は第一のアルカノールアミンは、第二のアルカノールアミン未満のｗｔ％で存在してよい。代替の実施態様において、第一のアルカノールアミンは、組成物中のアルカノールアミンの合計の１／３未満であってよい。代替の実施態様において、第二のアルカノールアミンは、組成物中のアルカノールアミンの合計の１／３未満であってよい。第一の及び第二のアルカノールアミンのそれぞれは、以下のリスト：２、５、７、１０、１２、１５、１７、１８、２０、２２、２３、２５、２７、３０、３３、３５、３８、４０、４２、４５、４８、５０、５２、５５、５７、５９、６２、６５、６７及び７０のｗｔ％の値から選択される始点及び終点を有する独立に画定された１つ又は複数の範囲の量を構成してよい。例えば、第一のアルカノールアミン又は第二のアルカノールアミンは、両方の範囲が同じである場合を含む任意の組み合わせで、以下の範囲：組成物の約２ｗｔ％～約７０ｗｔ％、約２ｗｔ％～約６５ｗｔ％、約２ｗｔ％～約６０ｗｔ％、約２ｗｔ％～約５５ｗｔ％、約２ｗｔ％～約４０ｗｔ％、約５ｗｔ％～約５５ｗｔ％、約７ｗｔ％～約４５ｗｔ％、約５ｗｔ％～約３５ｗｔ％、約２０ｗｔ％～約５０ｗｔ％、約１５ｗｔ％～約４５ｗｔ％、約３５ｗｔ％～約６０ｗｔ％、約１５ｗｔ％～約５５ｗｔ％、約２５ｗｔ％～約６５ｗｔ％、約１０ｗｔ％～約５０ｗｔ％又は約７ｗｔ％～約５２ｗｔ％から独立に選択される量で存在してよい。
【0052】
幾つかの実施態様において、任意選択の第三の及び／又は第四以上の（それらのそれぞれは、１つ又は複数のアルカノール基を有するか、又は有しなくてよい）アルカノールアミンが、この開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物中に存在していてよい。組成物は、以下のリスト：０、０．５、１、１．５、２、５、７、１０、１２、１５、１７、１８、２０、２２、２３、２５、２７、３０、３３、３５、３８及び４０のｗｔ％の値から選択される始点及び終点を有する範囲の量の第三のアルカノールアミンを含んでよい。例えば、組成物は、組成物の約０ｗｔ％～約４０ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約４０ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約１ｗｔ％～約１０ｗｔ％又は約１ｗｔ％～約７ｗｔ％の第三のアルカノールアミンを含んでよい。存在するならば、第四のアルカノールアミンは、以下のリスト：０、０．５、１、１．５、２、５、７、１０、１２、１５、１７、１８、２０、２２、２３、２５、２７、３０、３３、３５、３８及び４０のｗｔ％の値から選択される始点及び終点を有する範囲で存在してよい。例えば、組成物は、組成物の約０ｗｔ％～約４０ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約４０ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約１ｗｔ％～約１０ｗｔ％又は約１ｗｔ％～約７ｗｔ％の第四のアルカノールアミンを含んでよい。
【0053】
２つ以上のアルカノールアミン（第一のアルカノールアミン以外）は、任意の組み合わせで、１つ又は複数のアルカノール基及び／又はエーテル基又は他の基を有するアルカノールアミンを含んでよい。幾つかの実施態様において、第二のアルカノールアミンは、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンを含んでよい。他の実施態様において、第一の及び第二のアルカノールアミンは１つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミンを含むか、又は第一のアルカノールアミンは２つより多くのアルカノール基を有し、かつ第二のアルカノールアミンは１つ又は複数のアルカノール基を含んでよい。第三のアルカノールアミンを含むさらに他の実施態様において、第三のアルカノールアミンは１つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミンを含むか、及び／又は第三のアルカノールアミンはエーテル基を有するアルカノールアミンを含んでよい。
【0054】
１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンの例は、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、メタノールアミン、Ｎ－メチルエタノールアミン、Ｎ－エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、イソプロパノールアミン、２－アミノ－１－プロパノール、３－アミノ－１－プロパノール、２－アミノ－１－ブタノール、イソブタノールアミン、２－アミノ－２－エトキシプロパノール及び２－アミノ－２－エトキシエタノールを含む。２－アミノ２－エトキシプロパノール及び２－アミノ－２－エトキシエタノールは、単一のアルカノール基を有し、かつエーテル基も有する。
【0055】
１つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミンの例は、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）及び第三級ブチルジエタノールアミンを含む。
【0056】
２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミンの例は、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）を含む。
【0057】
エーテルを含むアルカノールアミンの例は、アミノエトキシエタノール（ＡＥＥ）、２－アミノ－２－エトキシプロパノール及び２－アミノ－２－エトキシエタノールを含む。
【0058】
ＩＩ．α－ヒドロキシカルボン酸
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、１つ又は複数のα－ヒドロキシカルボン酸（アルファ－ヒドロキシカルボン酸及び／又はアルファ－ヒドロキシ酸としても知られる）を含む。α－ヒドロキシカルボン酸は、１つより多くの酸基（－ＣＯＯＨ）を含んでよい。α－ヒドロキシカルボン酸は、以下の構造：
（本明細書において「Ｒ1－Ｒ2Ｃ（ＯＨ）－ＣＯＯＨ」と示される）を有してよく、式中、Ｒ1及びＲ2は、独立に、Ｈ、芳香族若しくは非芳香族及び／又は飽和若しくは不飽和の炭素環；あるいは直鎖、分岐鎖又は環状のアルキルであってよい。環はヘテロ環であるか、又はヘテロ原子を含有する基で置換されていてよく、アルキル基（例えばＣ1～Ｃ10）はヘテロ原子を含有する基を含有するか、又はヘテロ原子を含有する基で置換されていてよく；あるいはＲ1及び／又はＲ2の中に若しくは上にヘテロ原子がなくてもよい。ときには、Ｒ1は、置換された１つ又は複数のさらなる－ＯＨ基を有するアルキル基であり、かつＲ2はＨである。Ｒ1及び／又はＲ2は、１つ又は複数のさらなる酸基であるか、又は１つ又は複数の酸基を含有してよく、１つより多くの酸基、例えばクエン酸、タルトロン酸、サッカリン酸、酒石酸及びジヒドロキシマロン酸、を有するα－ヒドロキシカルボン酸を表す。代替の実施態様において、Ｒ1及びＲ2は、結合して芳香族若しくは非芳香族及び／又は飽和若しくは不飽和の炭素環；あるいは直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基を形成してよい。
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、１つ又は複数のα－ヒドロキシカルボン酸（アルファ－ヒドロキシカルボン酸及び／又はアルファ－ヒドロキシ酸としても知られる）を含む。α－ヒドロキシカルボン酸は、１つより多くの酸基（－ＣＯＯＨ）を含んでよい。α－ヒドロキシカルボン酸は、以下の構造：
【化1】
【0059】
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物において有用なα－ヒドロキシカルボン酸の例は、グリコール酸、乳酸、酒石酸、クエン酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリセリン酸、マンデル酸、タルトロン酸、サッカリン酸、ジヒドロキシマロン酸及びそれらの組み合わせを含む。開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、以下のリスト：０．５、１、２、３、４、５、７、１０、１２、１４、１５、１７、１８、２０、２２、２５、２７、３０、３３、３５、３８及び４０のｗｔ％の値から選択される始点及び終点を有する範囲の量で１つ又は複数のα－ヒドロキシカルボン酸を、例えば約０．５ｗｔ％～約４０ｗｔ％、約１ｗｔ％～約３５ｗｔ％、約２ｗｔ％～約３０ｗｔ％、約３ｗｔ％～約２７ｗｔ％、約４ｗｔ％～約２５ｗｔ％又は約５ｗｔ％～約３０ｗｔ％のα－ヒドロキシカルボン酸（無希釈）を、含んでよい。
【0060】
ＩＩＩ．水
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の洗浄組成物は、水ベースであり、従って水を含む。開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象において、水は、種々の様式で、例えば、残留物の１つ又は複数の構成成分を溶解するように、構成成分のキャリアとして、金属残留物の除去を補助するものとして、組成物の粘度調整剤として、及び希釈剤として、機能する。好ましくは、洗浄組成物において用いられる水は脱イオン（ＤＩ）水である。
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の洗浄組成物は、水ベースであり、従って水を含む。開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象において、水は、種々の様式で、例えば、残留物の１つ又は複数の構成成分を溶解するように、構成成分のキャリアとして、金属残留物の除去を補助するものとして、組成物の粘度調整剤として、及び希釈剤として、機能する。好ましくは、洗浄組成物において用いられる水は脱イオン（ＤＩ）水である。
【0061】
多くの用途について、水は、以下のリスト：５、１０、１３、１５、１７、１８、２０、２２、２５、２７、３０、３３、３５、３８、４０、４２、４５及び５０のｗｔ％の値から選択される始点及び終点を有する範囲の量を含むと、例えば約５ｗｔ％～約５０ｗｔ％、約１０ｗｔ％～約４０ｗｔ％、約１０ｗｔ％～約３０ｗｔ％、約５ｗｔ％～約３０ｗｔ％、約５ｗｔ％～約２５ｗｔ％又は約１０ｗｔ％～約２５ｗｔ％の水であると考えられる。開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象のさらに他の好ましい実施態様は、ある量で水を含んで、所望のｗｔ％の他の成分を達成することができる。
【0062】
ＩＶ．任意選択の腐食抑制剤
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、任意選択で、１つ又は複数の腐食抑制剤を含む。開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象において有用な腐食抑制剤は、フェノール、フェノールの誘導体又はそれらの混合物であってよい。開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象において有用な腐食抑制剤としてのフェノール誘導体は、カテコール、ｔ－ブチルカテコール、レゾルシノール、ピロガロール、ｐ－ベンゼンジオール、ｍ－ベンゼンジオール、ｏ－ベンゼンジオール、１，２，３－ベンゼントリオール、１，２，４－ベンゼントリオール及び１，３，５－ベンゼントリオール、没食子酸及び没食子酸の誘導体、クレゾール、キシレノール、サリチルアルコール、ｐ－ヒドロキシベンジルアルコール、ｏ－ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ－ヒドロキシフェネチルアルコール、ｐ－アミノフェノール、ｍ－アミノフェノール、ジアミノフェノール、ｐ－ヒドロキシ安息香酸、ｏ－ヒドロキシ安息香酸、２，４－ヒドロキシ安息香酸、２－５－ジヒドロキシ安息香酸、３，４－ジヒドロキシ安息香酸及び３，５－ジヒドロキシ安息香酸又はそれらの混合物を含む。開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象において有用な１つ又は複数のフェノール誘導体化合物は、少なくとも２つのヒドロキシル基を有してよい。上記のように、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象において有用な腐食抑制剤としてのフェノール誘導体は、没食子酸、没食子酸の誘導体及びそれらの混合物であってよい。没食子酸の誘導体は、没食子酸メチル、没食子酸フェニル、３，４，５－トリアセトキシ没食子酸、トリメチル没食子酸メチルエステル、没食子酸エチル、無水没食子酸及びそれらの混合物であってよい。
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、任意選択で、１つ又は複数の腐食抑制剤を含む。開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象において有用な腐食抑制剤は、フェノール、フェノールの誘導体又はそれらの混合物であってよい。開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象において有用な腐食抑制剤としてのフェノール誘導体は、カテコール、ｔ－ブチルカテコール、レゾルシノール、ピロガロール、ｐ－ベンゼンジオール、ｍ－ベンゼンジオール、ｏ－ベンゼンジオール、１，２，３－ベンゼントリオール、１，２，４－ベンゼントリオール及び１，３，５－ベンゼントリオール、没食子酸及び没食子酸の誘導体、クレゾール、キシレノール、サリチルアルコール、ｐ－ヒドロキシベンジルアルコール、ｏ－ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ－ヒドロキシフェネチルアルコール、ｐ－アミノフェノール、ｍ－アミノフェノール、ジアミノフェノール、ｐ－ヒドロキシ安息香酸、ｏ－ヒドロキシ安息香酸、２，４－ヒドロキシ安息香酸、２－５－ジヒドロキシ安息香酸、３，４－ジヒドロキシ安息香酸及び３，５－ジヒドロキシ安息香酸又はそれらの混合物を含む。開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象において有用な１つ又は複数のフェノール誘導体化合物は、少なくとも２つのヒドロキシル基を有してよい。上記のように、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象において有用な腐食抑制剤としてのフェノール誘導体は、没食子酸、没食子酸の誘導体及びそれらの混合物であってよい。没食子酸の誘導体は、没食子酸メチル、没食子酸フェニル、３，４，５－トリアセトキシ没食子酸、トリメチル没食子酸メチルエステル、没食子酸エチル、無水没食子酸及びそれらの混合物であってよい。
【0063】
腐食抑制剤は、単独の、又はフェノールの腐食抑制剤及びフェノールの誘導体の腐食抑制剤を含む他の腐食抑制剤と組み合わせた、トリアゾール化合物であってよい。例示的なトリアゾール化合物は、ベンゾトリアゾール、ｏ－トリルトリアゾール、ｍ－トリルトリアゾール、ｐ－トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール及びそれらの混合物を含む。幾つかの他の実施態様において、腐食抑制剤はトリアゾールであり、ベンゾトリアゾール、ｏ－トリルトリアゾール、ｍ－トリルトリアゾール、ｐ－トリルトリアゾール及びそれらの混合物のうち少なくとも１つである。
【0064】
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象において使用することができる代替の腐食抑制剤は、単独の、又は１つ若しくは複数の他の腐食抑制剤と組み合わせた、α－ヒドロキシ酸ではない少なくとも１つの多官能基有機酸を含む。本明細書において使用されるとき、「多官能基有機酸」は、１つより多くのカルボン酸基を有する酸又はマルチ酸をいい、（ｉ）ジカルボン酸（例えばシュウ酸、マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、コハク酸等）；芳香族部分を有するジカルボン酸（例えばフタル酸等）、メチルイミノ二酢酸、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）及びそれらの組み合わせ；（ｉｉ）トリカルボン酸（例えばプロパン－１，２，３－トリカルボン酸等）、（ヒドロキシエチル）エチレンジアミン三酢酸（ＨＥＤＴＡ）、芳香族部分を有するトリカルボン酸（例えばトリメリット酸等）及びそれらの組み合わせ；（ｉｉｉ）テトラカルボン酸、例えばエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ブチレンジアミン四酢酸、（１，２－シクロヘキシレンジニトリロ）四酢酸（ＣｙＤＴＡ）、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン）酸（ＥＤＴＭＰ）、１，３－ジアミノ－２－ヒドロキシプロパン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－四酢酸（ＤＨＰＴＡ）、プロピレンジアミン四酢酸及びそれらの組み合わせ；並びに（ｉｖ）ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＥＴＰＡ）、トリエチレンテトラミン六酢酸（ＴＴＨＡ）及びそれらの組み合わせ、を含むが、それらに限定されない。主に、多官能基有機酸構成成分は、金属腐食抑制剤及び／又はキレート剤として機能すると考えられる。
【0065】
好ましい多官能基有機酸は、例えば少なくとも３つのカルボン酸基を有する多官能基有機酸を含む。少なくとも３つのカルボン酸基を有する多官能基有機酸は、水に対して非常に混和性である。このような酸の例は、トリカルボン酸（例えば２－メチルプロパン－１，２，３－トリスカルボン酸、ベンゼン－１，２，３－トリカルボン酸［ヘミメリット酸］、プロパン－１，２，３－トリカルボン酸［トリカルバリル酸］、１，シス－２，３－プロペントリカルボン酸［アコニット酸］及び同様のもの）、テトラカルボン酸（例えばブタン－１，２，３，４－テトラカルボン酸、シクロペンタンテトラ－１，２，３，４－カルボン酸、ベンゼン－１，２，４，５－テトラカルボン酸［ピロメリット酸］及び同様のもの）、ペンタカルボン酸（例えばベンゼンペンタカルボン酸）及びヘキサカルボン酸（例えばベンゼンヘキサカルボン酸［メリット酸］）、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）並びに同様のものを含む。
【0066】
単独で、又は他の腐食抑制剤のうち１つ若しくは複数に加えて、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物において使用することができる腐食抑制剤の別の種類は、アミノ酸を含む。開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物において有用なアミノ酸の例は、グリシン、ヒスチジン、リシン、アラニン、ロイシン、トレオニン、セリン、バリン、アスパラギン酸、グルタミン酸、アルギニンを含む。開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物において使用することができるさらに他のアミノ酸は、システイン、アスパラギン、グルタミン、イソロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、プロリン、トリプトファン及びチロシンを含む。幾つかの好ましいアミノ酸は、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、ヒスチジンを含む。アミノ酸の混合物もまた使用することができる。
【0067】
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の洗浄組成物中の１つ又は複数の腐食抑制剤の合計の量は、以下のリスト：０、０．１、０．２、０．５、１、１．５、２、３、４、５、６、７、８、１０、１２、１５、２０のｗｔ％の値から選択される始点及び終点を有する範囲であってよく、例えば組成物の約０．１ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約８ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約１ｗｔ％～約１２ｗｔ％、約１ｗｔ％～約１０ｗｔ％又は約１ｗｔ％～約８ｗｔ％であってよいと考えられる。
【0068】
幾つかの実施態様において、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、任意の組み合わせで組成物に添加される、上で記載されるさらなる種類の腐食抑制剤のうち任意のもの若しくは全て、又は別個の腐食抑制剤のうち任意の１つ若しくは複数を含有しないか、又は実質的に含有しない。
【0069】
Ｖ．他の任意選択の成分
Ａ．さらなる有機酸
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、ヒドロキシ酪酸、ヒドロキシペンタン酸、ギ酸、シュウ酸、マロン酸、アスコルビン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸及びサリチル酸を含む（上で記載される種類のα－ヒドロキシカルボン酸とは異なる）さらなる有機酸を含んでよい。代わりに、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、任意の組み合わせの上で記載される任意の若しくは全てのさらなる有機酸を実質的に含有しないか、若しくは含有しなくてよく、又は全てのさらなる有機酸を実質的に含有しないか、若しくは含有しなくてよい。例えば、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、ギ酸若しくはマロン酸を実質的に含有しないか、若しくは含有しなくてよく、又は開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、ギ酸、グルタル酸及びマロン酸を実質的に含有しないか、若しくは含有しなくてよい。存在する場合、さらなる有機酸は、約０．１～約１０ｗｔ％で存在してよい。
Ａ．さらなる有機酸
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、ヒドロキシ酪酸、ヒドロキシペンタン酸、ギ酸、シュウ酸、マロン酸、アスコルビン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸及びサリチル酸を含む（上で記載される種類のα－ヒドロキシカルボン酸とは異なる）さらなる有機酸を含んでよい。代わりに、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、任意の組み合わせの上で記載される任意の若しくは全てのさらなる有機酸を実質的に含有しないか、若しくは含有しなくてよく、又は全てのさらなる有機酸を実質的に含有しないか、若しくは含有しなくてよい。例えば、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、ギ酸若しくはマロン酸を実質的に含有しないか、若しくは含有しなくてよく、又は開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、ギ酸、グルタル酸及びマロン酸を実質的に含有しないか、若しくは含有しなくてよい。存在する場合、さらなる有機酸は、約０．１～約１０ｗｔ％で存在してよい。
【0070】
Ｂ．水混和性溶媒
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象のエッチング組成物は、水混和性溶媒を含んでよい。用いることができる水混和性有機溶媒の例は、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１－メトキシ－２－プロピルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチルジグリコール、１，４－ブタンジオール、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、（例えばＤｏｗａｎｏｌ ＤＢ（登録商標）の取引名称の下で商業的に入手可能である）ジエチレングリコールｎ－ブチルエーテル、ヘキシルオキシプロピルアミン、ポリ（オキシエチレン）ジアミン、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフルフリルアルコール、グリセロール、アルコール、スルホキシド又はそれらの混合物である。好ましい溶媒は、アルコール、ジオール又はそれらの混合物である。
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象のエッチング組成物は、水混和性溶媒を含んでよい。用いることができる水混和性有機溶媒の例は、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１－メトキシ－２－プロピルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチルジグリコール、１，４－ブタンジオール、トリプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、（例えばＤｏｗａｎｏｌ ＤＢ（登録商標）の取引名称の下で商業的に入手可能である）ジエチレングリコールｎ－ブチルエーテル、ヘキシルオキシプロピルアミン、ポリ（オキシエチレン）ジアミン、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフルフリルアルコール、グリセロール、アルコール、スルホキシド又はそれらの混合物である。好ましい溶媒は、アルコール、ジオール又はそれらの混合物である。
【0071】
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の幾つかの実施態様において、水混和性有機溶媒は、グリコールエーテルを含んでよい。グリコールエーテルの例は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、モノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジプロピレンモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールジイソプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１－メトキシ－２－ブタノール、２－メトキシ－１－ブタノール、２－メトキシ－２－メチルブタノール、１，１－ジメトキシエタン及び２－（２－ブトキシエトキシ）エタノールを含む。
【0072】
多くの用途について、組成物における水混和性有機溶媒の量は、以下のリスト：０、０．１、０．５、１、５、７、１２、１５、２０、２５、３０、５０、６５及び７０のｗｔ％の値から選択される始点及び終点を有する範囲であってよいと考えられる。溶媒のこのような範囲の例は、組成物の約０．５ｗｔ％～約８０ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約６５ｗｔ％、約１ｗｔ％～約５０ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約３０ｗｔ％、０．５ｗｔ％～約２５ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約１ｗｔ％～約７ｗｔ％又は約０．１ｗｔ％～約１２ｗｔ％を含む。
【0073】
存在する場合には、溶媒は、洗浄作用を補助し、ウエハ表面を保護することができる。
【0074】
幾つかの実施態様において、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、任意の組み合わせの、上で記載される水混和性有機溶媒のうち任意のもの若しくは複数、又は組成物に添加される全ての水混和性有機溶媒を含有しないか、又は実質的に含有しない。
【0075】
Ｃ．他の任意選択の成分
他の実施態様において、組成物は、ヒドロキシルアミン、酸化剤、界面活性剤、化学修飾剤、染料、殺生物剤、キレート剤、腐食抑制剤、さらなる酸及び／又はさらなる塩基のうち任意のもの又は全てを、含むか、実質的に含有しないか、又は含有しなくてよい。
他の実施態様において、組成物は、ヒドロキシルアミン、酸化剤、界面活性剤、化学修飾剤、染料、殺生物剤、キレート剤、腐食抑制剤、さらなる酸及び／又はさらなる塩基のうち任意のもの又は全てを、含むか、実質的に含有しないか、又は含有しなくてよい。
【0076】
幾つかの実施態様は、ヒドロキシキノリンを含むか、又はヒドロキシキノリンを含有しない、若しくは実質的に含有しなくてよい。
【0077】
幾つかの実施態様において、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、以下：硫黄含有化合物、臭素含有化合物、塩素含有化合物、ヨウ素含有化合物、フッ素含有化合物、ハロゲン含有化合物、リン含有化合物、金属含有化合物、ヒドロキシルアミン、又はＮ，Ｎ－ジエチルヒドロキシルアミン（ＤＥＨＡ）、イソプロピルヒドロキシルアミンを含むヒドロキシルアミンの誘導体、又は例えばヒドロキシルアンモニウムクロリド、ヒドロキシルアンモニウムスルフェートなどのヒドロキシルアミンの塩、ナトリウム含有化合物、カルシウム含有化合物、アルキルチオール、有機シラン、ハライド含有化合物、酸化剤、過酸化物、バッファー種、ポリマー、無機酸、アミド、金属水酸化物、水酸化アンモニウム、第四級水酸化アンモニウム及び強塩基、のうち、任意の組み合わせの少なくとも１つ若しくは１つより多く、又は全てを含有しないか、又は実質的に含有しなくてよく、あるいは組成物中に既に存在する場合には任意のさらなるそれらを含有しなくてよい。
【0078】
組成物のｐＨ
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、約９以上、例えば９～１４若しくは１０～１２、又は９、１０、１１、１２、１３若しくは１４の始点及び終点を有する範囲の任意のｐＨを有してよい。必要な場合には、任意選択で、さらなる塩基性構成成分を添加してｐＨを調節することができる。ｐＨを調節するために添加することができる構成成分の例は、例えば第一級、第二級、第三級若しくは第四級アミン、又は第一級、第二級、第三級若しくは第四級アンモニウム化合物を含む。代わりに、又は加えて、アンモニウム塩が組成物中に含まれてよい。
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物は、約９以上、例えば９～１４若しくは１０～１２、又は９、１０、１１、１２、１３若しくは１４の始点及び終点を有する範囲の任意のｐＨを有してよい。必要な場合には、任意選択で、さらなる塩基性構成成分を添加してｐＨを調節することができる。ｐＨを調節するために添加することができる構成成分の例は、例えば第一級、第二級、第三級若しくは第四級アミン、又は第一級、第二級、第三級若しくは第四級アンモニウム化合物を含む。代わりに、又は加えて、アンモニウム塩が組成物中に含まれてよい。
【0079】
添加することができる塩基の例は、アルキル基のうち全てが同じである第四級水酸化アンモニウム、例えばテトラメチル水酸化アンモニウム、テトラエチル水酸化アンモニウム及び／又はテトラブチル水酸化アンモニウムなどを含む。
【0080】
塩基が添加される場合、塩基は、所望のｐＨをもたらすような量で添加されると考えられる。添加される量は、以下の数字の群：０、０．１、０．２、０．３、０．５、０．８、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１４、１５、１７及び２０から選択される始点及び終点を有する重量パーセントの範囲であってよい。開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物に添加される場合には、塩基の範囲の例は、組成物の約０．１ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約１ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約１ｗｔ％～約８ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約５ｗｔ％、約１ｗｔ％～約７ｗｔ％又は約０．５ｗｔ％～約７ｗｔ％であってよい。
【0081】
代替の実施態様において、組成物は、第一級、第二級、第三級若しくは第四級アミン、第一級、第二級、第三級若しくは第四級水酸化アンモニウム、及び／又は任意の組み合わせの任意のさらなるアンモニウム塩を含有しないか、又は実質的に含有しなくてよい。
【0082】
使用の方法
本明細書において説明される方法は、膜又は残留物として存在する有機若しくは金属有機ポリマー、無機塩、酸化物、水酸化物若しくは錯体、又はそれらの組み合わせを有する基材を、説明された組成物にさらすか、又はそうでなければ接触させる（例えば、一度に１つを、又は複数の基材を受け入れるようなサイズにされた浴に複数の基材を浸漬又は噴霧する）ことによって行うことができる。実際の条件、例えば温度、時間などは、除去される材料の性質及び厚さに依存する。
本明細書において説明される方法は、膜又は残留物として存在する有機若しくは金属有機ポリマー、無機塩、酸化物、水酸化物若しくは錯体、又はそれらの組み合わせを有する基材を、説明された組成物にさらすか、又はそうでなければ接触させる（例えば、一度に１つを、又は複数の基材を受け入れるようなサイズにされた浴に複数の基材を浸漬又は噴霧する）ことによって行うことができる。実際の条件、例えば温度、時間などは、除去される材料の性質及び厚さに依存する。
【0083】
一般に、基材は、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の洗浄組成物を含有する容器に、約２０℃～約９０℃、約２０℃～約８０℃、約４０℃～約８０℃の温度で、接触又は浸漬される。組成物に基材をさらす典型的な期間は、例えば０．１～９０分、１～６０分又は１～３０分であってよい。組成物との接触の後、基材をすすいで、次いで乾燥させてよい。典型的には、乾燥は不活性雰囲気の下で行われ、回転させることを含んでよい。特定の実施態様において、脱イオン水でのすすぎ、又は他の添加剤とともに脱イオン水を含有するすすぎを、基材を本明細書において説明される組成物と接触させる前、間及び／又は後に採用することができる。
【0084】
本明細書において説明される組成物を用いて除去される材料は、当分野において側壁ポリマー、ベール、フェンスエッチング残留物、アッシング残留物などの名前で知られている処理残留物及びアッシングされたフォトレジストを含む。特定の好ましい実施態様において、フォトレジストは、本明細書において説明される組成物と接触する前に、暴露、成長、エッチング及びアッシングされる。典型的には、本明細書において開示される組成物は、低ｋ膜と、例えばＨＳＱ（ＦＯｘ）、ＭＳＱ、ＳｉＬＫなどと両立可能である。配合物は、ポジティブ及びネガティブフォトレジスト、並びに有機残留物、有機金属残留物、無機残留物、金属残留物などのプラズマエッチング残留物、又はフォトレジスト錯体を、タングステン、アルミニウム、銅、チタン含有基材がわずかに腐食する低い温度で剥離させるのに有効である場合がある。さらに、組成物は、種々の高誘電率材料とも両立可能である。多くの記載される材料、例えばアルミニウム、銅又はアルミニウム、及び銅合金、又はタングステンなどについて、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の組成物及び方法によってもたらされるエッチング速度は、約５Å／分、未満、約４Å／分未満、約３Å／分未満、約２Å／分未満、約１．５Å／分未満、又は約１Å／分未満であることができ、それらを、９０℃未満の処理温度でもたらすことができる。
【実施例】
【0085】
ここから、本開示のより具体的な実施態様、及びこのような実施態様をサポートする実験結果の参照がされる。例が下で与えられて、開示される対象をより十分に例示するが、いかようにも、開示される対象を限定するとは解釈されるべきではない。
【0086】
開示される対象の趣旨又は範囲から逸脱することなく、本明細書において提供される具体的な例及び開示される対象において、種々の変更及び変形をすることができることは、当業者にとって明らかである。従って、以下の例によって提供される説明を含む開示される対象は、任意の請求項及びそれらの均等物の範囲内にある開示される対象の変更及び変形をカバーすることが意図される。
【0087】
全ての表において、全ての量は、重量パーセントで与えられ、１００ｗｔ％まで加えられる。本明細書において開示される組成物を、全ての固形分が溶解するまで、室温で、容器中で、構成成分を一緒に混合することによって調製した。
【0088】
材料及び方法
説明される種々の配合物において使用される材料は、商業的に入手可能である成分を含み、他に記載がない限り、さらに精製することなく使用した。
説明される種々の配合物において使用される材料は、商業的に入手可能である成分を含み、他に記載がない限り、さらに精製することなく使用した。
【0089】
エッチング速度「ＥＲ」測定を、７０℃又は７５℃における２０分の暴露で行った。アルミニウム（２％のＣｕを含有）及びチタンエッチング速度の決定において、ウエハは、その上に堆積された公知の厚さのブランケット層を有していた。ウエハの初期厚さを、ＣＤＥ ＲｅｓＭａｐ ２７３四点プローブを使用して決定した。初期厚さを決定した後、試験ウエハを、例示的な組成物に浸漬した。２０分の後、試験ウエハを試験溶液から取り出し、まずＮ－メチル－２－ピロリドン溶媒ですすぎ、次いで脱イオン水で３分すすぎ、窒素の下で完全に乾燥した。それぞれのウエハの厚さを測定し、必要な場合には、試験ウエハに対して手順を繰り返した。次いで、厚さの変化／処理時間から、エッチング速度を得た。
【0090】
パターニングしたウエハに対して、洗浄試験を行った。３種類のパターニングしたウエハ：（ｉ）ＳｉＯＮに伴う４００ｎｍのＡｌＣｕ金属ライン、（ｉｉ）４μｍのＡｌＣｕ金属ライン、及び（ｉｉｉ）Ｔｉ含有ビアに対して、異なる溶液の洗浄性能を評価するために、幾つかの洗浄試験を行った。全ての基材について、４００ｒｐｍの撹拌をしつつ、６０℃で、２０分、基材を溶液に浸漬した。２種類のパターニングしたウエハ：（ｉ）４００ｎｍのＡｌＣｕ金属ライン、（ｉｉ）４μｍの金属パッドに対して、幾つかの洗浄試験を行った。４００ｎｍのＡｌＣｕ金属ラインについては１０分及び４μｍのＡｌＣｕ金属パッドについては３０分、４００ｒｐｍの撹拌をしつつ、７５℃で、基材を溶液に浸漬した。例示的な組成物への暴露の後に、ウエハを脱イオン水ですすぎ、窒素ガスを用いて乾燥した。ウエハを割ってエッジを提供し、次いでそのエッジを、Ｈｉｔａｃｈｉ Ｓｕ－８０１０走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して、種々の所定の一に対して、ウエハに対して調査して、結果を視覚的に判断した。
【0091】
表１はトリエタノールアミンを含有するアルカノールアミンへのグルコン酸の添加が、ＡｌＣｕエッチング速度の減少をもたらし、それらの配合物は、ＡｌＣｕ金属基材をエッチングすることなく、パターンウエハ上のポストエッチング残留物を洗浄することができたことを示している。
表１：ＡｌＣｕエッチング速度及び洗浄性能に対するグルコン酸の効果
【表1】
【0092】
表２は、ＭＥＡ以外の異なるアルカノールアミンが、ＡｌＣｕエッチング速度に対して効果を有していたことを示している。配合物におけるカテコール及び没食子酸の添加は、ＡｌＣｕエッチング速度を増加させた。カテコールの添加は没食子酸よりも高い効果を有していて、パターンウエハに対する増加したＡｌＣｕエッチングを示した。
表２：ＡｌＣｕエッチング速度及び洗浄性能に対する異なるアルカノールアミンの効果
【表2】
【0093】
表３は、ＡｌＣｕエッチング速度及び洗浄性能に対する、配合物にクエン酸を添加する効果を示している。示されるように、クエン酸の添加は、洗浄性能に対する影響を伴わずに、ＡｌＣｕエッチング速度を低下させることができた。
表３：ＡｌＣｕエッチング速度及び洗浄性能に対するクエン酸の添加の効果
【表3】
【0094】
表４は、乳酸を含有する配合物が、グルコン酸を含有する配合物よりも高いＡｌＣｕエッチング速度を有していたことを示している。クエン酸の添加は、これらの配合物におけるＡｌＣｕエッチング速度を減少させた。これらの配合物は、パターニングしたウエハ上のポストエッチング残留物を洗浄することができた。
表４：乳酸を含有する配合物の洗浄性能
【表4】
【0095】
表５は、トリエタノールアミン及びモノエタノールアミンを含む配合物へのグルコン酸の添加が、Ｔｉエッチング速度を増加させることを示している。さらに、配合物へのクエン酸トリアンモニウムの添加が、Ｔｉエッチング速度を減少させたことを示している。
表５：７０℃におけるＡｌＣｕ及びＴｉエッチング速度
【表5】
【0096】
表６は、グルコン酸を含有する配合物への没食子酸又はカテコールの添加が、Ｔｉエッチング速度を減少させたことを示している。クエン酸トリアンモニウム及びグルコン酸の濃度の変化もまた、ＡｌＣｕエッチング速度に対して効果を有することが示されている。
表６：例のＡｌＣｕ及びＴｉエッチング速度
【表6】
【0097】
表７は、異なる基材に対して、６０℃で、２０分行った洗浄試験の要約を提供している。表７に示すように、全ての配合物は、Ｔｉ含有残留物が側壁に堆積しているＴｉ含有ビアに対する良好な洗浄性を有していた。加えた、配合物によって、ＡｌＣｕ金属ライン基材を、ＡｌＣｕの腐食を伴わずに洗浄することができた。
表７：６０℃におけるパターニングしたウエハに対する洗浄性能
【表7】
【0098】
開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象が、ある程度の具体性を伴って説明及び例示してきたが、開示は、例示のためにのみされたものであり、開示される対象及び特許請求の範囲に記載される対象の趣旨及び範囲から逸脱することなく、当業者は、工程の条件及び順序における多くの変更をすることができることが理解される。
本発明の実施形態としては、以下の実施形態を挙げることができる。
（付記１）
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｉｉ）水
を含む、半導体基材のための洗浄組成物。
（付記２）
２つ以上のアルカノールアミンを含み、前記アルカノールアミンのうち２つが、２つ以上のアルカノール基を有する、付記１に記載の洗浄組成物。
（付記３）
２つ以上のアルカノールアミンを含み、前記アルカノールアミンのうち第一のアルカノールアミンが、２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有していて、かつ前記アルカノールアミンのうち第二のアルカノールアミンが、１つのアルカノール基を有する、付記１に記載の洗浄組成物。
（付記４）
３つのアルカノールアミンを有する、付記２又は３に記載の洗浄組成物。
（付記５）
前記２つ以上のアルカノール基を有するアルカノールアミンが、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、第三級ブチルジエタノールアミン及びそれらの混合物から選択される、付記１～４のいずれか１項に記載の洗浄組成物。
（付記６）
前記１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、Ｎ－メチルエタノールアミン、Ｎ－エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、イソプロパノールアミン、２－アミノ－１－プロパノール、３－アミノ－１－プロパノール、２－アミノ－１－ブタノール、イソブタノールアミン、２－アミノ－２－エトキシプロパノール、２－アミノ－２－エトキシエタノール及びそれらの混合物から選択される、付記３に記載の洗浄組成物。
（付記７）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、１つ又は複数の酸基（－ＣＯＯＨ）を含む、付記１～６のいずれか１項に記載の洗浄組成物。
（付記８）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、以下の構造：
を有し、式中、Ｒ
1
及びＲ
2
が、独立に、Ｈ、芳香族若しくは非芳香族及び／又は飽和若しくは不飽和の炭素環、あるいは直鎖、分岐鎖又は環状のアルキルであることができる、付記１～７のいずれか１項に記載の洗浄組成物。
（付記９）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、クエン酸、タルトロン酸、サッカリン酸、酒石酸、ジヒドロキシマロン酸及びそれらの混合物から選択される、付記１～８のいずれか１項に記載の洗浄組成物。
（付記１０）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリセリン酸、マンデル酸及びそれらの混合物から選択される、付記１～９のいずれか１項に記載の洗浄組成物。
（付記１１）
腐食抑制剤をさらに含む、付記１～１０のいずれか１項に記載の洗浄組成物。
（付記１２）
前記腐食抑制剤が、フェノール若しくはフェノールの誘導体、トリアゾール若しくはトリアゾールの誘導体、多官能基有機酸、アミノ酸又はそれらの混合物から選択される、付記１１に記載の洗浄組成物。
（付記１３）
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｉｉ）水
から本質的になる、半導体基材のための洗浄組成物。
（付記１４）
前記２つ以上のアルカノール基を有するアルカノールアミンが、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、第三級ブチルジエタノールアミン及びそれらの混合物から選択される、付記１３に記載の洗浄組成物。
（付記１５）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、１つ又は複数の酸基（－ＣＯＯＨ）を含む、付記１３又は１４に記載の洗浄組成物。
（付記１６）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、以下の構造：
を有し、式中、Ｒ
1
及びＲ
2
が、独立に、Ｈ、芳香族若しくは非芳香族及び／又は飽和若しくは不飽和の炭素環、あるいは直鎖、分岐鎖又は環状のアルキルであることができる、付記１３又は１４に記載の洗浄組成物。
（付記１７）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、クエン酸、タルトロン酸、サッカリン酸、酒石酸、ジヒドロキシマロン酸及びそれらの混合物から選択される、付記１３又は１４に記載の洗浄組成物。
（付記１８）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリセリン酸、マンデル酸及びそれらの混合物から選択される、付記１３又は１４に記載の洗浄組成物。
（付記１９）
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｉｉ）水
からなる、半導体基材のための洗浄組成物。
（付記２０）
前記２つ以上のアルカノール基を有するアルカノールアミンが、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、第三級ブチルジエタノールアミン及びそれらの混合物から選択される、付記１９に記載の洗浄組成物。
（付記２１）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、１つ又は複数の酸基（－ＣＯＯＨ）を含む、付記１９又は２０に記載の洗浄組成物。
（付記２２）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、以下の構造：
を有し、式中、Ｒ
1
及びＲ
2
が、独立に、Ｈ、芳香族若しくは非芳香族及び／又は飽和若しくは不飽和の炭素環、あるいは直鎖、分岐鎖又は環状のアルキルであることができる、付記１９又は２０に記載の洗浄組成物。
（付記２３）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、クエン酸、タルトロン酸、サッカリン酸、酒石酸、ジヒドロキシマロン酸及びそれらの混合物から選択される、付記１９又は２０に記載の洗浄組成物。
（付記２４）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリセリン酸、マンデル酸及びそれらの混合物から選択される、付記１９又は２０に記載の洗浄組成物。
（付記２５）
前記アルファヒドロキシ酸が、グルコン酸を含む、付記１９又は２０に記載の組成物。
（付記２６）
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；
（ｉｉｉ）水；及び
（ｉｖ）腐食抑制剤
から本質的になる、半導体基材のための洗浄組成物。
（付記２７）
前記２つ以上のアルカノール基を有するアルカノールアミンが、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、第三級ブチルジエタノールアミン及びそれらの混合物から選択される、付記２６に記載の洗浄組成物。
（付記２８）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、１つ又は複数の酸基（－ＣＯＯＨ）を含む、付記２６又は２７に記載の洗浄組成物。
（付記２９）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、以下の構造：
を有し、式中、Ｒ
1
及びＲ
2
が、独立に、Ｈ、芳香族若しくは非芳香族及び／又は飽和若しくは不飽和の炭素環、あるいは直鎖、分岐鎖又は環状のアルキルであることができる、付記２６又は２７に記載の洗浄組成物。
（付記３０）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、クエン酸、タルトロン酸、サッカリン酸、酒石酸、ジヒドロキシマロン酸及びそれらの混合物から選択される、付記２６又は２７に記載の洗浄組成物。
（付記３１）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリセリン酸、マンデル酸及びそれらの混合物から選択される、付記２６又は２７に記載の洗浄組成物。
（付記３２）
前記腐食抑制剤が、フェノール若しくはフェノールの誘導体、トリアゾール若しくはトリアゾールの誘導体、多官能基有機酸、アミノ酸又はそれらの混合物から選択される、付記２６又は２７に記載の洗浄組成物。
（付記３３）
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；
（ｉｉｉ）水；及び
（ｉｖ）腐食抑制剤
から本質的になる、半導体基材のための洗浄組成物。
（付記３４）
前記２つ以上のアルカノール基を有するアルカノールアミンが、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、第三級ブチルジエタノールアミン及びそれらの混合物から選択される、付記３３に記載の洗浄組成物。
（付記３５）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、１つ又は複数の酸基（－ＣＯＯＨ）を含む、付記３３又は３４に記載の洗浄組成物。
（付記３６）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、以下の構造：
を有し、式中、Ｒ
1
及びＲ
2
が、独立に、Ｈ、芳香族若しくは非芳香族及び／又は飽和若しくは不飽和の炭素環、あるいは直鎖、分岐鎖又は環状のアルキルであることができる、付記３３又は３４に記載の洗浄組成物。
（付記３７）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、クエン酸、タルトロン酸、サッカリン酸、酒石酸、ジヒドロキシマロン酸及びそれらの混合物から選択される、付記３３又は３４に記載の洗浄組成物。
（付記３８）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリセリン酸、マンデル酸及びそれらの混合物から選択される、付記３３又は３４に記載の洗浄組成物。
（付記３９）
前記腐食抑制剤が、フェノール若しくはフェノールの誘導体、トリアゾール若しくはトリアゾールの誘導体、多官能基有機酸、アミノ酸又はそれらの混合物から選択される、付記３３又は３４に記載の洗浄組成物。
（付記４０）
（ｉ）約５ｗｔ％～約５０ｗｔ％の、２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）２５ｗｔ％～約７０ｗｔ％の、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｖ）水
を含む、半導体基材のための洗浄組成物。
（付記４１）
（ｖ）カテコールをさらに含む、付記４０に記載の組成物。
（付記４２）
（ｖｉ）没食子酸をさらに含む、付記４０に記載の組成物。
（付記４３）
（ｖ）カテコールと（ｖｉ）没食子酸との両方をさらに含む、付記４０に記載の組成物。
（付記４４）
（ｖｉｉ）腐食抑制剤をさらに含む、付記４０に記載の組成物。
（付記４５）
前記２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、トリエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記４６）
前記２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、トリエタノールアミンから本質的になる、付記４０に記載の組成物。
（付記４７）
前記２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、トリエタノールアミンからなる、付記４０に記載の組成物。
（付記４８）
前記１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、モノエタノールアミン、２－（２－アミノエトキシ）エタノール、Ｎ－メチルエタノールアミン及びモノイソプロピルアミンのうち１つ又は複数を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記４９）
前記１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、モノエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記５０）
前記１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、モノエタノールアミンから本質的になる、付記４０に記載の組成物。
（付記５１）
前記１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、モノエタノールアミンからなる、付記４０に記載の組成物。
（付記５２）
前記アルファヒドロキシ酸が、グリコール酸、乳酸、酒石酸、クエン酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリセリン酸、マンデル酸、タルトロン酸、サッカリン酸、ジヒドロキシマロン酸及びそれらの混合物の群から選択される、付記４０に記載の組成物。
（付記５３）
前記アルファヒドロキシ酸が、グルコン酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記５４）
前記アルファヒドロキシ酸が、グルコン酸から本質的になる、付記４０に記載の組成物。
（付記５５）
前記アルファヒドロキシ酸が、グルコン酸からなる、付記４０に記載の組成物。
（付記５６）
約１０ｗｔ％～約４０ｗｔ％のトリエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記５７）
約２０ｗｔ％～約３０ｗｔ％のトリエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記５８）
約２０ｗｔ％のトリエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記５９）
約２０ｗｔ％～約５０ｗｔ％のモノエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６０）
約３５ｗｔ％～約５０ｗｔ％のモノエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６１）
約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６２）
約３５ｗｔ％のモノエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６３）
約２．５ｗｔ％～約２５ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６４）
約５ｗｔ％～約２０ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６５）
約１０ｗｔ％～約１５ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６６）
約１５ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６７）
約１０ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６８）
約２．５ｗｔ％～約２５ｗｔ％のグルコン酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６９）
約５ｗｔ％～約２０ｗｔ％のグルコン酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７０）
約１０ｗｔ％～約１５ｗｔ％のグルコン酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７１）
約１５ｗｔ％のグルコン酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７２）
約１０ｗｔ％のグルコン酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７３）
約６ｗｔ％のカテコールを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７４）
約２ｗｔ％の没食子酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７５）
約３ｗｔ％の没食子酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７６）
約５ｗｔ％～約１０ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７７）
約５ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７８）
約６ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７９）
約７ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記８０）
約８ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記８１）
約９ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記８２）
約１０ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記８３）
（ｉ）約２０ｗｔ％のトリエタノールアミン；及び
（ｉｉ）約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミン
を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記８４）
（ｉ）約２０ｗｔ％のトリエタノールアミン；
（ｉｉ）約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミン；及び
（ｉｉｉ）約１０ｗｔ％のグルコン酸
を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記８５）
（ｉ）約２０ｗｔ％のトリエタノールアミン；
（ｉｉ）約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミン；
（ｉｉｉ）約１０ｗｔ％のグルコン酸；及び
（ｉｖ）約９ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせ
を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記８６）
マイクロエレクトロニクス装置又は半導体基材から残留物を除去する方法であって、装置又は基材を、付記１～８５のいずれか１項に記載の洗浄組成物と接触させる工程を含む、方法。
本発明の実施形態としては、以下の実施形態を挙げることができる。
（付記１）
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｉｉ）水
を含む、半導体基材のための洗浄組成物。
（付記２）
２つ以上のアルカノールアミンを含み、前記アルカノールアミンのうち２つが、２つ以上のアルカノール基を有する、付記１に記載の洗浄組成物。
（付記３）
２つ以上のアルカノールアミンを含み、前記アルカノールアミンのうち第一のアルカノールアミンが、２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有していて、かつ前記アルカノールアミンのうち第二のアルカノールアミンが、１つのアルカノール基を有する、付記１に記載の洗浄組成物。
（付記４）
３つのアルカノールアミンを有する、付記２又は３に記載の洗浄組成物。
（付記５）
前記２つ以上のアルカノール基を有するアルカノールアミンが、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、第三級ブチルジエタノールアミン及びそれらの混合物から選択される、付記１～４のいずれか１項に記載の洗浄組成物。
（付記６）
前記１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、Ｎ－メチルエタノールアミン、Ｎ－エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、イソプロパノールアミン、２－アミノ－１－プロパノール、３－アミノ－１－プロパノール、２－アミノ－１－ブタノール、イソブタノールアミン、２－アミノ－２－エトキシプロパノール、２－アミノ－２－エトキシエタノール及びそれらの混合物から選択される、付記３に記載の洗浄組成物。
（付記７）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、１つ又は複数の酸基（－ＣＯＯＨ）を含む、付記１～６のいずれか１項に記載の洗浄組成物。
（付記８）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、以下の構造：
【化2】
（付記９）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、クエン酸、タルトロン酸、サッカリン酸、酒石酸、ジヒドロキシマロン酸及びそれらの混合物から選択される、付記１～８のいずれか１項に記載の洗浄組成物。
（付記１０）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリセリン酸、マンデル酸及びそれらの混合物から選択される、付記１～９のいずれか１項に記載の洗浄組成物。
（付記１１）
腐食抑制剤をさらに含む、付記１～１０のいずれか１項に記載の洗浄組成物。
（付記１２）
前記腐食抑制剤が、フェノール若しくはフェノールの誘導体、トリアゾール若しくはトリアゾールの誘導体、多官能基有機酸、アミノ酸又はそれらの混合物から選択される、付記１１に記載の洗浄組成物。
（付記１３）
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｉｉ）水
から本質的になる、半導体基材のための洗浄組成物。
（付記１４）
前記２つ以上のアルカノール基を有するアルカノールアミンが、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、第三級ブチルジエタノールアミン及びそれらの混合物から選択される、付記１３に記載の洗浄組成物。
（付記１５）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、１つ又は複数の酸基（－ＣＯＯＨ）を含む、付記１３又は１４に記載の洗浄組成物。
（付記１６）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、以下の構造：
【化3】
（付記１７）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、クエン酸、タルトロン酸、サッカリン酸、酒石酸、ジヒドロキシマロン酸及びそれらの混合物から選択される、付記１３又は１４に記載の洗浄組成物。
（付記１８）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリセリン酸、マンデル酸及びそれらの混合物から選択される、付記１３又は１４に記載の洗浄組成物。
（付記１９）
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｉｉ）水
からなる、半導体基材のための洗浄組成物。
（付記２０）
前記２つ以上のアルカノール基を有するアルカノールアミンが、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、第三級ブチルジエタノールアミン及びそれらの混合物から選択される、付記１９に記載の洗浄組成物。
（付記２１）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、１つ又は複数の酸基（－ＣＯＯＨ）を含む、付記１９又は２０に記載の洗浄組成物。
（付記２２）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、以下の構造：
【化4】
（付記２３）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、クエン酸、タルトロン酸、サッカリン酸、酒石酸、ジヒドロキシマロン酸及びそれらの混合物から選択される、付記１９又は２０に記載の洗浄組成物。
（付記２４）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリセリン酸、マンデル酸及びそれらの混合物から選択される、付記１９又は２０に記載の洗浄組成物。
（付記２５）
前記アルファヒドロキシ酸が、グルコン酸を含む、付記１９又は２０に記載の組成物。
（付記２６）
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；
（ｉｉｉ）水；及び
（ｉｖ）腐食抑制剤
から本質的になる、半導体基材のための洗浄組成物。
（付記２７）
前記２つ以上のアルカノール基を有するアルカノールアミンが、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、第三級ブチルジエタノールアミン及びそれらの混合物から選択される、付記２６に記載の洗浄組成物。
（付記２８）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、１つ又は複数の酸基（－ＣＯＯＨ）を含む、付記２６又は２７に記載の洗浄組成物。
（付記２９）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、以下の構造：
【化5】
（付記３０）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、クエン酸、タルトロン酸、サッカリン酸、酒石酸、ジヒドロキシマロン酸及びそれらの混合物から選択される、付記２６又は２７に記載の洗浄組成物。
（付記３１）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリセリン酸、マンデル酸及びそれらの混合物から選択される、付記２６又は２７に記載の洗浄組成物。
（付記３２）
前記腐食抑制剤が、フェノール若しくはフェノールの誘導体、トリアゾール若しくはトリアゾールの誘導体、多官能基有機酸、アミノ酸又はそれらの混合物から選択される、付記２６又は２７に記載の洗浄組成物。
（付記３３）
（ｉ）２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）アルファヒドロキシ酸；
（ｉｉｉ）水；及び
（ｉｖ）腐食抑制剤
から本質的になる、半導体基材のための洗浄組成物。
（付記３４）
前記２つ以上のアルカノール基を有するアルカノールアミンが、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、第三級ブチルジエタノールアミン及びそれらの混合物から選択される、付記３３に記載の洗浄組成物。
（付記３５）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、１つ又は複数の酸基（－ＣＯＯＨ）を含む、付記３３又は３４に記載の洗浄組成物。
（付記３６）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、以下の構造：
【化6】
（付記３７）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、クエン酸、タルトロン酸、サッカリン酸、酒石酸、ジヒドロキシマロン酸及びそれらの混合物から選択される、付記３３又は３４に記載の洗浄組成物。
（付記３８）
前記α－ヒドロキシカルボン酸が、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリセリン酸、マンデル酸及びそれらの混合物から選択される、付記３３又は３４に記載の洗浄組成物。
（付記３９）
前記腐食抑制剤が、フェノール若しくはフェノールの誘導体、トリアゾール若しくはトリアゾールの誘導体、多官能基有機酸、アミノ酸又はそれらの混合物から選択される、付記３３又は３４に記載の洗浄組成物。
（付記４０）
（ｉ）約５ｗｔ％～約５０ｗｔ％の、２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉ）２５ｗｔ％～約７０ｗｔ％の、１つのアルカノール基を有するアルカノールアミン；
（ｉｉｉ）アルファヒドロキシ酸；及び
（ｉｖ）水
を含む、半導体基材のための洗浄組成物。
（付記４１）
（ｖ）カテコールをさらに含む、付記４０に記載の組成物。
（付記４２）
（ｖｉ）没食子酸をさらに含む、付記４０に記載の組成物。
（付記４３）
（ｖ）カテコールと（ｖｉ）没食子酸との両方をさらに含む、付記４０に記載の組成物。
（付記４４）
（ｖｉｉ）腐食抑制剤をさらに含む、付記４０に記載の組成物。
（付記４５）
前記２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、トリエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記４６）
前記２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、トリエタノールアミンから本質的になる、付記４０に記載の組成物。
（付記４７）
前記２つ以上又は２つより多くのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、トリエタノールアミンからなる、付記４０に記載の組成物。
（付記４８）
前記１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、モノエタノールアミン、２－（２－アミノエトキシ）エタノール、Ｎ－メチルエタノールアミン及びモノイソプロピルアミンのうち１つ又は複数を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記４９）
前記１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、モノエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記５０）
前記１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、モノエタノールアミンから本質的になる、付記４０に記載の組成物。
（付記５１）
前記１つのアルカノール基を有するアルカノールアミンが、モノエタノールアミンからなる、付記４０に記載の組成物。
（付記５２）
前記アルファヒドロキシ酸が、グリコール酸、乳酸、酒石酸、クエン酸、リンゴ酸、グルコン酸、グリセリン酸、マンデル酸、タルトロン酸、サッカリン酸、ジヒドロキシマロン酸及びそれらの混合物の群から選択される、付記４０に記載の組成物。
（付記５３）
前記アルファヒドロキシ酸が、グルコン酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記５４）
前記アルファヒドロキシ酸が、グルコン酸から本質的になる、付記４０に記載の組成物。
（付記５５）
前記アルファヒドロキシ酸が、グルコン酸からなる、付記４０に記載の組成物。
（付記５６）
約１０ｗｔ％～約４０ｗｔ％のトリエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記５７）
約２０ｗｔ％～約３０ｗｔ％のトリエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記５８）
約２０ｗｔ％のトリエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記５９）
約２０ｗｔ％～約５０ｗｔ％のモノエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６０）
約３５ｗｔ％～約５０ｗｔ％のモノエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６１）
約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６２）
約３５ｗｔ％のモノエタノールアミンを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６３）
約２．５ｗｔ％～約２５ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６４）
約５ｗｔ％～約２０ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６５）
約１０ｗｔ％～約１５ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６６）
約１５ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６７）
約１０ｗｔ％のアルファヒドロキシ酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６８）
約２．５ｗｔ％～約２５ｗｔ％のグルコン酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記６９）
約５ｗｔ％～約２０ｗｔ％のグルコン酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７０）
約１０ｗｔ％～約１５ｗｔ％のグルコン酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７１）
約１５ｗｔ％のグルコン酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７２）
約１０ｗｔ％のグルコン酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７３）
約６ｗｔ％のカテコールを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７４）
約２ｗｔ％の没食子酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７５）
約３ｗｔ％の没食子酸を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７６）
約５ｗｔ％～約１０ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７７）
約５ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７８）
約６ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記７９）
約７ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記８０）
約８ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記８１）
約９ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記８２）
約１０ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせを含む、付記４０に記載の組成物。
（付記８３）
（ｉ）約２０ｗｔ％のトリエタノールアミン；及び
（ｉｉ）約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミン
を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記８４）
（ｉ）約２０ｗｔ％のトリエタノールアミン；
（ｉｉ）約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミン；及び
（ｉｉｉ）約１０ｗｔ％のグルコン酸
を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記８５）
（ｉ）約２０ｗｔ％のトリエタノールアミン；
（ｉｉ）約３５ｗｔ％～約４５ｗｔ％のモノエタノールアミン；
（ｉｉｉ）約１０ｗｔ％のグルコン酸；及び
（ｉｖ）約９ｗｔ％のカテコールと没食子酸との組み合わせ
を含む、付記４０に記載の組成物。
（付記８６）
マイクロエレクトロニクス装置又は半導体基材から残留物を除去する方法であって、装置又は基材を、付記１～８５のいずれか１項に記載の洗浄組成物と接触させる工程を含む、方法。