(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-04
(45)【発行日】2024-10-15
(54)【発明の名称】複数のデバイスチップの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/301 20060101AFI20241007BHJP
【ＦＩ】
H01L21/78 P
H01L21/78 M
H01L21/78 F
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】P 2020147957
(22)【出願日】2020-09-03
(65)【公開番号】P2022042543
(43)【公開日】2022-03-15
【審査請求日】2023-07-25
(73)【特許権者】
【識別番号】000134051
【氏名又は名称】株式会社ディスコ
(74)【代理人】
【識別番号】100075384
【弁理士】
【氏名又は名称】松本 昂
(74)【代理人】
【識別番号】100172281
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 知広
(74)【代理人】
【識別番号】100206553
【弁理士】
【氏名又は名称】笠原 崇廣
(74)【代理人】
【識別番号】100189773
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 英哲
(74)【代理人】
【識別番号】100184055
【弁理士】
【氏名又は名称】岡野 貴之
(72)【発明者】
【氏名】山本 敬祐
【審査官】湯川 洋介
(56)【参考文献】
【文献】特開２００６－１４０３０３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－０６４９２２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１７５８９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－１６４９５３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－０３６２９２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－０９６７６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－２８５８２４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－２０６９３６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－１１８０８１（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１０／０２６１３３７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】韓国公開特許第１０－２０１８－００３９０２０（ＫＲ，Ａ）
【文献】韓国公開特許第１０－２０１３－０００７５７８（ＫＲ，Ａ）
【文献】特開２０００－０２１８２０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０１
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
表面に複数の分割予定ラインが設定され、該複数の分割予定ラインによって区画された領域の各々の該表面側にデバイスが形成されたウェーハを、各分割予定ラインに沿って分割することで、複数のデバイスチップを製造する複数のデバイスチップの製造方法であって、各デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの溝を、各分割予定ラインに沿って該ウェーハの該表面側に形成する溝形成工程と、
該溝が形成された該ウェーハの該表面側に、粘着層が設けられていない基材層を有する熱圧着シートを圧着することで貼り付ける熱圧着工程と、
該ウェーハの該熱圧着シート側を研削装置のチャックテーブルで保持した状態で、該ウェーハの裏面側を研削することで、該溝を該ウェーハの該裏面に露出させて、該ウェーハを該複数のデバイスチップに分割する研削工程と、
該研削工程後の該ウェーハの該裏面にダイシングテープ及びダイアタッチフィルムを有する積層体の該ダイアタッチフィルム側を貼り付ける貼付工程と、
該ウェーハの該裏面に対応する該複数のデバイスチップの各々の該裏面に該ダイアタッチフィルムが貼り付けられ、且つ、該ウェーハの該表面に対応する該複数のデバイスチップの各々の表面に該熱圧着シートが貼り付けられた状態で、該熱圧着シートと、該ダイアタッチフィルムと、を該複数のデバイスチップ間の該溝に沿って切断する切断工程と、
該切断工程の後、該複数のデバイスチップの各々に対応して切断された該熱圧着シートを加熱して溶融させることで、連結して一体化する一体化工程と、
を備えることを特徴とする複数のデバイスチップの製造方法。
【請求項2】
一体化した該熱圧着シートを、該複数のデバイスチップから剥離する第１の剥離工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の複数のデバイスチップの製造方法。
【請求項3】
該切断工程では、切り刃を有する環状の切削ブレードを含む切削ユニットを用いて、該熱圧着シートと、該ダイアタッチフィルムと、を該複数のデバイスチップ間の該溝に沿って切断することを特徴とする請求項１又は２に記載の複数のデバイスチップの製造方法。
【請求項4】
該熱圧着シートは、ポリオレフィン系シート又はポリエステル系シートであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の複数のデバイスチップの製造方法。
【請求項5】
該熱圧着シートは、該ポリオレフィン系シートであり、該ポリオレフィン系シートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート又はポリスチレンシートであることを特徴とする請求項４に記載の複数のデバイスチップの製造方法。
【請求項6】
該熱圧着工程における該熱圧着シートの温度は、該熱圧着シートが該ポリエチレンシートの場合には１２０℃以上１４０℃以下であり、該熱圧着シートが該ポリプロピレンシートの場合には１６０℃以上１８０℃以下であり、該熱圧着シートが該ポリスチレンシートの場合には２２０℃以上２４０℃以下であることを特徴とする請求項５に記載の複数のデバイスチップの製造方法。
【請求項7】
該熱圧着シートは、該ポリエステル系シートであり、該ポリエステル系シートは、ポリエチレンテレフタレートシート又はポリエチレンナフタレートシートであることを特徴とする請求項４に記載の複数のデバイスチップの製造方法。
【請求項8】
該熱圧着工程における該熱圧着シートの温度は、該熱圧着シートが該ポリエチレンテレフタレートシートの場合には２５０℃以上２７０℃以下であり、該熱圧着シートが該ポリエチレンナフタレートシートの場合には１６０℃以上１８０℃以下であることを特徴とする請求項７に記載の複数のデバイスチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に設定され、複数の分割予定ラインによって区画された領域の表面側の各々にデバイスが形成されたウェーハを、各分割予定ラインに沿って分割することで複数のデバイスチップを製造する、複数のデバイスチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
携帯電話、パソコン等の電子機器には、デバイスチップが搭載されている。デバイスチップを製造するプロセスでは、例えば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に設定され、複数の分割予定ラインによって区画された領域の表面側の各々にＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスが形成されたウェーハを、各分割予定ラインに沿って分割する。
【0003】
ウェーハを分割する手法は、種々存在するが、例えば、先ダイシング（ＤＢＧ：Dicing Before Grinding）プロセスが提案されている（例えば、特許文献１参照）。先ダイシングプロセスでは、まず、各分割予定ラインに沿ってウェーハの表面側に、デバイスチップの厚さに相当する深さの切削溝を形成し、次いで、ウェーハの裏面側を研削してウェーハを薄化することで、ウェーハを複数のデバイスチップに分割する。
【0004】
ところで、個片化されたデバイスチップをリードフレーム上にダイボンディングするために、デバイスチップの裏面側には、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で形成され、且つ、１０μｍ程度の厚さを有する、ＤＡＦ（Die Attach Film）と呼ばれる接着フィルム（以下、ＤＡＦと略記する場合がある）が貼り付けられることがある。
【0005】
ＤＢＧプロセスに、ＤＡＦの貼り付けを適用する場合、次の様な手順が提案されている。まず、各分割予定ラインに沿ってウェーハの表面側に所定深さの切削溝を形成し、次いで、ウェーハの表面側に保護テープを貼り付ける。そして、ウェーハの表面側を吸引保持した状態で、ウェーハの裏面側を研削することで、ウェーハを複数のデバイスチップに分割する。
【0006】
そして、分割後のウェーハの裏面側に、ＤＡＦ及びダイシングテープから成るＤＡＦ付きテープのＤＡＦ側を７０℃程度に加熱して貼り付けた後、保護テープをウェーハの表面側から剥離する。この保護テープの剥離プロセスは、ＤＡＦ付きテープのダイシングテープ側を、剥離装置のチャックテーブルで吸引保持した状態で行われる。
【0007】
保護テープの剥離後、ウェーハ及びＤＡＦ付きテープの積層体を、レーザー加工装置のチャックテーブルへ搬送して、このチャックテーブルでダイシングテープ側を吸引保持する。そして、デバイスチップ間に露出したＤＡＦに対して、レーザービームの集光点を位置付けた状態で、チャックテーブルを加工送り方向に移動させることで、ＤＡＦを溶かして切断する（例えば、特許文献２参照）。
【0008】
しかし、保護テープの剥離から、レーザー加工装置のチャックテーブルでダイシングテープ側を吸引保持するまでの間に、ＤＡＦ付きテープの収縮歪み等に起因して、デバイスチップの位置が僅かに変化し、直線状であったデバイスチップ間の溝（カーフ）が蛇行するという現象（所謂、カーフシフト）が起きる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【文献】特開２０００－２１８２０号公報
【文献】特開２００２－１１８０８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
デバイスチップ間の溝が蛇行していると、レーザービームの集光点に対するチャックテーブルの加工送り速度を比較的低速にする必要があるので、生産性が低下する。本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、デバイスチップ間の溝の蛇行を低減させた状態で加工を行うことで、裏面側にＤＡＦが貼り付けられたデバイスチップを製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一態様によれば、表面に複数の分割予定ラインが設定され、該複数の分割予定ラインによって区画された領域の各々の該表面側にデバイスが形成されたウェーハを、各分割予定ラインに沿って分割することで、複数のデバイスチップを製造する複数のデバイスチップの製造方法であって、各デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの溝を、各分割予定ラインに沿って該ウェーハの該表面側に形成する溝形成工程と、該溝が形成された該ウェーハの該表面側に、粘着層が設けられていない基材層を有する熱圧着シートを圧着することで貼り付ける熱圧着工程と、該ウェーハの該熱圧着シート側を研削装置のチャックテーブルで保持した状態で、該ウェーハの裏面側を研削することで、該溝を該ウェーハの該裏面に露出させて、該ウェーハを該複数のデバイスチップに分割する研削工程と、該研削工程後の該ウェーハの該裏面にダイシングテープ及びダイアタッチフィルムを有する積層体の該ダイアタッチフィルム側を貼り付ける貼付工程と、該ウェーハの該裏面に対応する該複数のデバイスチップの各々の該裏面に該ダイアタッチフィルムが貼り付けられ、且つ、該ウェーハの該表面に対応する該複数のデバイスチップの各々の表面に該熱圧着シートが貼り付けられた状態で、該熱圧着シートと、該ダイアタッチフィルムと、を該複数のデバイスチップ間の該溝に沿って切断する切断工程と、該切断工程の後、該複数のデバイスチップの各々に対応して切断された該熱圧着シートを加熱して溶融させることで、連結して一体化する一体化工程と、を備える複数のデバイスチップの製造方法が提供される。
【0012】
好ましくは、複数のデバイスチップの製造方法は、一体化した該熱圧着シートを、該複数のデバイスチップから剥離する第１の剥離工程を更に備える。
【0015】
また、好ましくは、該切断工程では、切り刃を有する環状の切削ブレードを含む切削ユニットを用いて、該熱圧着シートと、該ダイアタッチフィルムと、を該複数のデバイスチップ間の該溝に沿って切断する。
【0016】
また、好ましくは、該熱圧着シートは、ポリオレフィン系シート又はポリエステル系シートである。
【0017】
また、好ましくは、該熱圧着シートは、該ポリオレフィン系シートであり、該ポリオレフィン系シートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート又はポリスチレンシートである。
【0018】
また、好ましくは、該熱圧着工程における該熱圧着シートの温度は、該熱圧着シートが該ポリエチレンシートの場合には１２０℃以上１４０℃以下であり、該熱圧着シートが該ポリプロピレンシートの場合には１６０℃以上１８０℃以下であり、該熱圧着シートが該ポリスチレンシートの場合には２２０℃以上２４０℃以下である。
【0019】
また、好ましくは、該熱圧着シートは、該ポリエステル系シートであり、該ポリエステル系シートは、ポリエチレンテレフタレートシート又はポリエチレンナフタレートシートである。
【0020】
また、好ましくは、該熱圧着工程における該熱圧着シートの温度は、該熱圧着シートが該ポリエチレンテレフタレートシートの場合には２５０℃以上２７０℃以下であり、該熱圧着シートが該ポリエチレンナフタレートシートの場合には１６０℃以上１８０℃以下である。
【発明の効果】
【0021】
本発明の一態様に係る複数のデバイスチップの製造方法は、各デバイスチップの裏面にダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）が貼り付けられ、且つ、各デバイスチップの表面に熱圧着シートが貼り付けられた状態で、熱圧着シートと、ＤＡＦと、を該複数のデバイスチップ間の溝に沿って切断する切断工程を備える。
【0022】
この様に、各デバイスチップの両面が熱圧着シート及びＤＡＦで挟まれているので、ＤＡＦ付きテープの収縮歪み等の内部応力が生じていても、デバイスチップの表面側に保護テープや熱圧着シートが設けられていない場合に比べて、デバイスチップ同士の位置関係が変化し難い。それゆえ、デバイスチップ間の溝の蛇行の程度を低減させた状態で加工を行うことができる。
【0023】
加えて、蛇行の程度を低減できるので、比較的高価なレーザー加工装置を用いることなく、比較的安価な切削装置を用いても、熱圧着シート及びＤＡＦを切断できる。更に、デバイスチップ間の溝が蛇行している状態でＤＡＦをレーザー加工装置で切断する場合に比べて、直線的な加工を行うことで熱圧着シート及びＤＡＦを切断できるので、生産性が向上し得る。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】第１の実施形態に係る製造方法のフロー図である。
【図2】ウェーハの構成例を示す斜視図である。
【図4】ウェーハの表面側に熱圧着シートを配置する様子を示す図である。
【図5】熱圧着工程を示す図である。
【図7】貼付工程後のフレームユニットを示す図である。
【図8】切断工程を示す図である。
【図10】第２の実施形態に係る製造方法のフロー図である。
【図11】第２の剥離工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0025】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態に係る製造方法のフロー図である。以下、基本的にこのフロー図に沿って、複数のデバイスチップ２１（図６（Ｂ）等参照）の製造方法について説明する。
【0026】
まず、被加工物となるウェーハ１１について説明する。図２は、ウェーハ１１の構成例を示す斜視図である。ウェーハ１１は、略円盤状のシリコン製の基板を有し、略円形の表面１１ａ及び裏面１１ｂを備える。
【0027】
表面１１ａには、格子状に複数の分割予定ライン（ストリート）１３が設定されている。複数の分割予定ライン１３で区画された領域の各々の表面１１ａ側には、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイス１５が形成されている。
【0028】
なお、ウェーハ１１を構成する基板の材料は、シリコンに限定されない。また、基板の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。同様に、デバイス１５の種類、数量、構造、大きさ等にも制限はない。
【0029】
本実施形態では、所謂、先ダイシングプロセスを経て、ウェーハ１１から複数のデバイスチップ２１を製造する。そのために、まず、各分割予定ライン１３に沿って、表面１１ａ側に、各デバイスチップ２１の仕上がり厚さ２１ｃ（図６（Ｂ）参照）に相当する深さ１１ｄを有する切削溝（溝）１１ｃ（図３（Ａ）参照）を形成する（溝形成工程Ｓ１０）。
【0030】
図３（Ａ）は、溝形成工程Ｓ１０を示す図である。溝形成工程Ｓ１０では、切削装置２が使用される。切削装置２は、チャックテーブル４を有する。チャックテーブル４は、金属で形成された円盤状の枠体を有する。
【0031】
枠体の上部には、円盤状の凹部（不図示）が形成されており、この凹部には、多孔質セラミックスで形成されたポーラス板（不図示）が固定されている。ポーラス板は、所定の流路を介してエジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。
【0032】
吸引源を動作させると、流路を介して、ポーラス板の上面に負圧が伝達される。ポーラス板の上面と、枠体の上面とは、略面一となっており、略平坦な保持面４ａを構成する。チャックテーブル４の下部には、チャックテーブル４を回転させるためのθテーブル（不図示）が連結されている。
【0033】
θテーブルの下部には、ボールネジ式の加工送り機構（不図示）が設けられている。加工送り機構は、チャックテーブル４及びθテーブルを、加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動させる。チャックテーブル４の上方には、ウェーハ１１を切削するための切削ユニット６が配置されている。
【0034】
切削ユニット６は、割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に略平行に軸心が配置されたスピンドル８を有する。スピンドル８の一端部には、受けフランジ及び押えナットにより、環状の切削ブレード１０が装着されている。
【0035】
本実施形態の切削ブレード１０は、ハブレス型（ワッシャー型）であり、５０μｍ程度の刃厚を有する切り刃１０ａを含む。切り刃１０ａは、ダイヤモンド等で形成された砥粒を有し、この砥粒は、ボンド材（例えば、ニッケルメッキ処理で形成された電鋳ボンド）で固定されている。
【0036】
スピンドル８の他端部には、モータ等の第１の回転駆動源（不図示）が連結されている。スピンドル８の一部は、スピンドルハウジング（不図示）内に回転可能に収容されており、スピンドルハウジングには、切削ユニット６を切り込み送り方向（Ｚ軸方向、高さ方向、上下方向）に移動させる昇降機構（不図示）が連結されている。
【0037】
昇降機構には、切削ユニット６及び昇降機構を、Ｙ軸方向に移動させるボールネジ式の割り出し送り機構（不図示）が連結されている。切削ユニット６には、レンズ、イメージセンサ等を含む顕微鏡ユニット（不図示）が設けられている。
【0038】
顕微鏡ユニットは、ウェーハ１１の表面１１ａ側に設けられた不図示のアライメントマーク、キーパターン等を撮像する。撮像により得られた画像は、例えば、ウェーハ１１のアライメントを行うために利用される。
【0039】
溝形成工程Ｓ１０では、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を保持面４ａで吸引保持する。次に、顕微鏡ユニットにより得られた画像に基づいてθテーブルを動作させ、分割予定ライン１３をＸ軸方向と略平行に調整する（アライメントを行う）。
【0040】
その後、高速で回転させた切削ブレード１０の下端を、Ｚ軸方向において仕上がり厚さ２１ｃに対応する高さ（即ち、表面１１ａから深さ１１ｄの位置）に位置付け、Ｘ軸方向において分割予定ライン１３の延長線上に配置する。
【0041】
この状態で、チャックテーブル４をＸ軸方向へ移動させることで、１つの分割予定ライン１３の表面１１ａ側に切削溝１１ｃが形成される。切削溝１１ｃを形成した後、切削ユニット６を所定のインデックス量だけ割り出し送りし、同様に切削溝１１ｃを形成する。
【0042】
一の方向に沿う全ての分割予定ライン１３に切削溝１１ｃを形成した後、チャックテーブル４を９０度回転させて、他の方向に沿う全ての分割予定ライン１３に、同様に、切削溝１１ｃを形成する。図３（Ｂ）は、溝形成工程Ｓ１０後のウェーハ１１の斜視図である。
【0043】
溝形成工程Ｓ１０の後、ウェーハ１１の表面１１ａ側に、表面保護部材として機能する熱圧着シート１７を貼り付ける（熱圧着工程Ｓ２０）。図４は、ウェーハ１１の表面１１ａ側に略円形の熱圧着シート１７を配置する様子を示す図である。
【0044】
熱圧着シート１７は、表面保護部材として通常使用される保護テープ（不図示）とは異なる。通常の保護テープは、樹脂で形成された基材層と、基材層の一面に設けられ、樹脂製の粘着剤で形成された粘着層（糊層）と、を有する。
【0045】
粘着層は、水、溶剤、熱等を使用しなくても、被着体と粘着層とが接した状態で、常温で短時間、圧力を印加するだけで被着体と接着できる。しかし、本実施形態の熱圧着シート１７は、粘着層が設けられていない基材層のみを有する。
【0046】
つまり、ウェーハ１１の表面１１ａと密着する熱圧着シート１７の一面１７ａには、粘着層は設けられていない。本実施形態において、熱圧着シート１７を構成する基材層は、ウェーハ１１と略同じ径と、５０μｍから２５０μｍ程度の厚さと、を有する。また、基材層は、可視光に対して透明であるか、可視光を透過させる程に充分薄い。
【0047】
当該基材層は、ポリオレフィン系シート又はポリエステル系シートで形成されている。ポリオレフィン系シートとしては、ポリエチレン（ＰＥ）製のポリエチレンシート、ポリプロピレン（ＰＰ）製のポリプロピレンシート、ポリスチレン（ＰＳ）製のポリスチレンシート等を使用できる。
【0048】
また、ポリエステル系シートとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）製のポリエチレンナフタレートシート等を使用できる。
【0049】
熱圧着工程Ｓ２０では、熱圧着装置１４が使用される。熱圧着装置１４は、例えば裏面１１ｂ側を吸引して保持するチャックテーブル（不図示）を有する。チャックテーブルの内部には、抵抗加熱、誘導加熱、誘電加熱等の任意の方式で熱を発する発熱体（不図示）が設けられている。
【0050】
なお、発熱体は、熱圧着シート１７を加熱して所定の温度とし、熱圧着シート１７を軟化させるために使用される。熱圧着シート１７が軟化する所定の温度は、下記に示す様に、材料に応じて異なる。
【0051】
ポリエチレンシート ：１２０℃以上１４０℃以下
ポリプロピレンシート ：１６０℃以上１８０℃以下
ポリスチレンシート ：２２０℃以上２４０℃以下
ポリエチレンテレフタレートシート：２５０℃以上２７０℃以下
ポリエチレンナフタレートシート ：１６０℃以上１８０℃以下
ポリプロピレンシート ：１６０℃以上１８０℃以下
ポリスチレンシート ：２２０℃以上２４０℃以下
ポリエチレンテレフタレートシート：２５０℃以上２７０℃以下
ポリエチレンナフタレートシート ：１６０℃以上１８０℃以下
【0052】
チャックテーブルの上方には、ウェーハ１１の径よりも長い長さ（高さ）の円柱状のローラー１６（図５参照）が配置されている。図５は、熱圧着工程Ｓ２０を示す図である。熱圧着工程Ｓ２０では、ウェーハ１１を加熱することで、熱圧着シート１７を上述の所定の温度とする。
【0053】
この状態で、ローラー１６を熱圧着シート１７に押し当て、他面１７ｂの一端から、他面１７ｂの中心を通り、他面１７ｂの他端まで、ローラー１６を所定方向に回転させながら移動させる。
【0054】
この様にして、熱圧着シート１７をウェーハ１１に圧着することで、軟化した熱圧着シート１７の一面１７ａがウェーハ１１の表面１１ａに密着した第１の積層体１９が形成される。
【0055】
熱圧着工程Ｓ２０の後、図６（Ａ）に示す様に、研削装置１８を用いて、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削することで、ウェーハ１１を複数のデバイスチップ２１に分割する（研削工程Ｓ３０）。
【0056】
図６（Ａ）は、研削工程Ｓ３０を示す図である。研削装置１８は、第１の積層体１９の熱圧着シート１７側を吸引して保持するチャックテーブル２０を有する。チャックテーブル２０は、セラミックスで形成された円盤状の枠体を有する。
【0057】
枠体の上部には、円盤状の凹部（不図示）が形成されており、この凹部には、多孔質セラミックスで形成されたポーラス板（不図示）が固定されている。ポーラス板は、所定の流路を介してエジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。
【0058】
吸引源を動作させると、流路を介して、ポーラス板の上面に負圧が伝達される。ポーラス板の上面は、中央部が僅かに突出した円錐形状になっている。ポーラス板の上面と、枠体の上面とは、略面一となっており、チャックテーブル２０の保持面を構成する。
【0059】
この保持面で第１の積層体１９が吸引保持されると、第１の積層体１９は、保持面の形状に倣う様に変形する。チャックテーブル２０は、モータ等の第２の回転駆動源（不図示）により回転可能な態様で、傾き調整機構（不図示）により支持されている。
【0060】
傾き調整機構は、保持面の一部が研削砥石３２の下面（研削面）と略平行になる様に、第２の回転駆動源の回転軸をＺ軸方向（高さ方向、上下方向）から所定の角度傾ける。チャックテーブル２０の上方には、研削ユニット２２が配置されている。
【0061】
研削ユニット２２には、研削ユニット２２をＺ軸方向に沿って移動させるためのボールネジ式の研削送りユニット（不図示）が連結されている。研削ユニット２２は、円筒状のスピンドルハウジング（不図示）を有する。
【0062】
スピンドルハウジングの内部には、Ｚ軸方向に沿って配置された円柱状のスピンドル２４の一部が、回転可能に収容されている。スピンドル２４の上端部には、モータ等の第３の回転駆動源（不図示）が連結されている。
【0063】
スピンドル２４の下端部は、スピンドルハウジングから露出しており、当該下端部には、円盤状のマウント２６の上面の中央部が固定されている。マウント２６の下面側には、円環状の研削ホイール２８が装着されている。研削ホイール２８は、マウント２６と略同径の環状基台３０を備える。
【0064】
環状基台３０の下面側には、複数の研削砥石３２が、環状基台３０の周方向に沿って離散的に配列されている。研削砥石３２は、略直方体形状を有し、ダイヤモンド、ｃＢＮ（cubic boron nitride）等で形成された砥粒を、金属、樹脂、ビトリファイド等の結合材で固定することにより形成される。
【0065】
研削工程Ｓ３０では、まず、チャックテーブル２０の保持面で、第１の積層体１９の熱圧着シート１７側（即ち、他面１７ｂ）を吸引保持する。このとき、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側が上方に露出する。また、チャックテーブル２０の回転軸は、裏面１１ｂの一部と、研削面とが、略平行になる様に、所定の角度傾けられる。
【0066】
この状態で、チャックテーブル２０と、スピンドル２４とを、例えば、略同じ方向に回転させて、研削ユニット２２を下方に研削送りする。研削砥石３２が裏面１１ｂ側に接触することにより、ウェーハ１１は研削されて薄化される。
【0067】
裏面１１ｂ側が所定量研削されると、切削溝１１ｃが裏面１１ｂ側に露出する。これにより、ウェーハ１１は各分割予定ライン１３に沿って複数のデバイスチップ２１に分割される。図６（Ｂ）は、研削工程Ｓ３０で分割された複数のデバイスチップ２１等を示す図である。
【0068】
研削工程Ｓ３０の後、第１の積層体１９を研削装置１８から取り出し、各デバイスチップ２１の裏面２１ｂ（図７、図８参照）（即ち、研削工程Ｓ３０後のウェーハ１１の裏面１１ｂ側）に、ダイアタッチフィルム（Die Attach Film：以下、ＤＡＦ２３）を貼り付ける（貼付工程Ｓ４０）。
【0069】
貼付工程Ｓ４０では、一般的な貼付装置（不図示）を用いてよい。例えば、まず、貼付装置（不図示）のチャックテーブルで熱圧着シート１７側を吸引保持し、研削工程Ｓ３０後のウェーハ１１の裏面１１ｂを上方に露出させる。
【0070】
この状態で、研削工程Ｓ３０後のウェーハ１１の周囲に、金属で形成された環状のフレーム２９を配置する。そして、裏面１１ｂと、フレーム２９（図７参照）の一面とに、ＤＡＦ２３及びダイシングテープ２５を有するＤＡＦ付きテープ２７のＤＡＦ２３側を貼り付ける。
【0071】
ＤＡＦ２３は、例えば、熱硬化型樹脂で形成された１０μｍから２０μｍ程度の厚さを有する粘着層（糊層）である。本実施形態のＤＡＦ２３は、図７に示す様に、ウェーハ１１の径よりも僅かに大きい径を有するが、ウェーハ１１と略同じ径を有してもよい。
【0072】
ＤＡＦ２３は、ダイシングテープ２５の粘着層側に設けられている。ダイシングテープ２５は、樹脂製の基材層と、基材層の一面側に設けられ、例えば紫外線硬化型樹脂で形成された粘着層と、で構成されている。
【0073】
一例において、基材層の厚さは、９０μｍから９５μｍ程度であり、粘着層の厚さは、５μｍから１０μｍ程度であり、ダイシングテープ２５の厚さは、約１００μｍである。図７は、貼付工程Ｓ４０後のフレームユニット３１を示す図である。
【0074】
貼付工程Ｓ４０により、各デバイスチップ２１の裏面２１ｂにＤＡＦ２３が貼り付けられ、フレーム２９の一面にダイシングテープ２５の粘着層が貼り付けられ、且つ、各デバイスチップ２１の表面２１ａ（ウェーハ１１の表面１１ａに対応する）に熱圧着シート１７が貼り付けられたフレームユニット３１が形成される。
【0075】
貼付工程Ｓ４０の後、フレームユニット３１の状態の熱圧着シート１７及びＤＡＦ２３を、切削溝１１ｃに沿って切断する（切断工程Ｓ５０）。図８は、切断工程Ｓ５０を示す図である。
【0076】
切断工程Ｓ５０では、例えば、溝形成工程Ｓ１０で用いた切削装置２とは別の切削装置４２が用いられる。切削装置４２は、チャックテーブル４４を有する。チャックテーブル４４の構成は、上述のチャックテーブル４と同様である。
【0077】
チャックテーブル４４の保持面４４ａは、フレームユニット３１のダイシングテープ２５側を吸引保持する。これにより、熱圧着シート１７の他面１７ｂ側が上方に露出する。チャックテーブル４４の上方には、切削ユニット４６が配置されている。
【0078】
切削ユニット４６は、円柱状のスピンドル４８を有する。切削ユニット４６の構成は、上述の切削ユニット６と同様である。スピンドル４８の一端部には、受けフランジ及び押えナットにより、円環状の切削ブレード５０が装着されている。
【0079】
本実施形態の切削ブレード５０は、ハブレス型（ワッシャー型）であり、溝形成工程Ｓ１０で用いた切り刃１０ａに比べて薄い刃厚の切り刃５０ａを有する。切り刃５０ａの刃厚は、例えば、３０μｍである。
【0080】
切り刃５０ａの刃厚を、切り刃１０ａの刃厚よりも薄くすることで、切り刃１０ａに比べて耐摩耗性は低下するが、切断工程Ｓ５０において、デバイスチップ２１に接触することなく、熱圧着シート１７及びＤＡＦ２３を切削しやすくなる。
【0081】
但し、切り刃５０ａの砥粒及びボンド材は、切り刃１０ａと同じであってもよく、異なっていてもよい。本実施形態の切り刃５０ａを構成する砥粒は、ダイヤモンドで形成されており、当該砥粒は、ニッケルメッキ処理で形成された電鋳ボンドで固定されている。
【0082】
切削装置４２の他の構成要素の説明は省略するが、切削装置２と同様の構成要素を有する。切断工程Ｓ５０では、まず、フレームユニット３１のダイシングテープ２５側を保持面４４ａで吸引保持する。
【0083】
次に、熱圧着シート１７を介して表面１１ａ（表面２１ａ）側を撮像した画像に基づいて、切削溝１１ｃをＸ軸方向と略平行に調整する。その後、高速で回転させた切削ブレード５０の下端を、保持面４４ａと、ダイシングテープ２５の上面と、の間に位置付け、切削溝１１ｃの延長線上に配置する。
【0084】
この状態で、チャックテーブル４４を加工送り方向へ移動させることで、熱圧着シート１７及びＤＡＦ２３は、切削溝１１ｃに沿って切断される。１つの切削溝１１ｃに沿って熱圧着シート１７及びＤＡＦ２３を切断した後、切削ユニット４６を所定のインデックス量だけ割り出し送りする。
【0085】
そして、同様に切削溝１１ｃに沿って熱圧着シート１７及びＤＡＦ２３を切断する。一の方向に沿う全ての切削溝１１ｃに沿って熱圧着シート１７及びＤＡＦ２３を切断した後、チャックテーブル４４を９０度回転させる。
【0086】
これにより、他の方向に沿う切削溝１１ｃをＸ軸方向と略平行に調整する。そして、同様に、熱圧着シート１７及びＤＡＦ２３を、切削溝１１ｃに沿って切断することで、各デバイスチップ２１に対応する形状に切断する。
【0087】
本実施形態の切断工程Ｓ５０では、各デバイスチップ２１の両面（表面２１ａ及び裏面２１ｂ）が、熱圧着シート１７及びＤＡＦ２３で挟まれているので、デバイスチップ２１同士の位置関係が変化し難い。
【0088】
それゆえ、ＤＡＦ付きテープ２７の収縮歪み等の内部応力が生じていても、デバイスチップ２１間の切削溝１１ｃが蛇行し難くなるので、切削溝１１ｃの蛇行の程度を低減させた状態で加工を行うことができる。
【0089】
加えて、蛇行の程度を低減できるので、比較的高価なレーザー加工装置を用いることなく、比較的安価な切削装置４２を用いても、熱圧着シート１７及びＤＡＦ２３を切断できる。
【0090】
更に、デバイスチップ２１間の切削溝１１ｃが蛇行している状態でＤＡＦ２３をレーザー加工装置で切断する場合に比べて、直線的な加工を行うことで熱圧着シート１７及びＤＡＦ２３を切断できるので、生産性が向上し得る。
【0091】
切断工程Ｓ５０の後、各デバイスチップ２１に対応して分割された熱圧着シート１７を溶融させて一体化する（一体化工程Ｓ６０）。一体化工程Ｓ６０では、加熱装置５２（図９（Ａ）参照）が用いられる。
【0092】
加熱装置５２は、フレームユニット３１が配置される載置台（不図示）を有する。載置台の上方には、熱風噴射ユニット５４が配置されている。熱風噴射ユニット５４は、抵抗加熱、誘導加熱、誘電加熱等の任意の方式で熱を発生させる発熱体（不図示）を有する。
【0093】
発熱体で発生した熱は、ファン等の送風機構（不図示）により、熱風噴射ユニット５４の開口（不図示）から載置台へ向けて、熱風５６として噴射される。図９（Ａ）は、一体化工程Ｓ６０を示す図である。
【0094】
一体化工程Ｓ６０では、熱圧着シート１７がポリエチレンシートである場合、ポリエチレンシートの融点（例えば、１６０℃）以上になる様に、開口近傍での温度が約２００℃である熱風５６で、１分以上の所定時間、ポリエチレンシートを加熱する。
【0095】
例えば、約１３０μｍの厚さを有するポリエチレンシートの場合、開口近傍での温度が約２００℃である熱風５６で、１分以上２分以下の時間、ポリエチレンシートを加熱する。しかし、熱圧着シート１７の材料に応じて、加熱温度及び加熱時間を適宜変更してもよい。
【0096】
熱圧着シート１７がポリプロピレンシートである場合、ポリプロピレンシートの融点以上になる様に、例えば、熱風噴射ユニット５４の開口近傍での温度が２００℃以上である熱風５６で、１分以上の所定時間、ポリプロピレンシートを加熱する。
【0097】
熱圧着シート１７がポリスチレンシートである場合、ポリスチレンシートの融点以上になる様に、例えば、熱風噴射ユニット５４の開口近傍での温度が２６０℃以上である熱風５６で、１分以上の所定時間、ポリスチレンシートを加熱する。
【0098】
熱圧着シート１７がポリエチレンテレフタレートシートである場合、ポリエチレンテレフタレートシートの融点以上になる様に、例えば、熱風噴射ユニット５４の開口近傍での温度が２９０℃以上である熱風５６で、１分以上の所定時間、ポリエチレンテレフタレートシートを加熱する。
【0099】
熱圧着シート１７がポリエチレンナフタレートシートである場合、ポリエチレンナフタレートシートの融点以上になる様に、例えば、熱風噴射ユニット５４の開口近傍での温度が２００℃以上である熱風５６で、１分以上の所定時間、ポリエチレンナフタレートシートを加熱する。
【0100】
所定の温度の熱風５６を所定時間、熱圧着シート１７に当てることで、分割された熱圧着シート１７の少なくとも他面１７ｂ側が溶融して、切断されていた熱圧着シート１７は、連結し一体化する（図９（Ｂ）参照）。
【0101】
なお、熱風噴射ユニット５４に代えて、発熱体が内蔵された加熱ローラー（不図示）又は平板状の加熱板で、一体化工程Ｓ６０を行ってもよい。加熱ローラー又は加熱板を用いることで、熱圧着シート１７の平面方向及び厚さ方向において加熱される領域が制御しやすくなるので、ＤＡＦ２３及びダイシングテープ２５への熱の影響を低減できる。
【0102】
ＤＡＦ２３は、例えば、熱硬化性樹脂で形成されるので、ＤＡＦ２３への熱の影響を低減できれば、一体化工程Ｓ６０後の処理プロセスの安定化に寄与し得る。また、ダイシングテープ２５の熱変形を低減できれば、同様に、一体化工程Ｓ６０後の処理プロセスの安定化に寄与し得る。
【0103】
一体化工程Ｓ６０の後、一体化された熱圧着シート１７を各デバイスチップ２１から剥離する（第１の剥離工程Ｓ７０）。第１の剥離工程Ｓ７０では、例えば、剥離ユニット（不図示）が用いられる。
【0104】
剥離ユニットは、フレームユニット３１のダイシングテープ２５側を吸引保持するチャックテーブル（不図示）を有する。このチャックテーブルの上方には、アーム部（不図示）が配置されており、アーム部の先端部には、把持部（不図示）が配置されている。
【0105】
把持部は、短冊状の剥離用テープ（不図示）を把持している。剥離用テープを熱圧着シート１７の他面１７ｂの端部近傍の一部に貼り付けた後、把持部を上昇させて、熱圧着シート１７を捲り上げる（図９（Ｂ）の矢印参照）。
【0106】
図９（Ｂ）は、第１の剥離工程Ｓ７０を示す図である。熱圧着シート１７を捲り上げた後、アーム部を動作させて、熱圧着シート１７を各デバイスチップ２１から剥離する。なお、第１の剥離工程Ｓ７０では、必ずしも短冊状の剥離用テープを用いなくてもよい。
【0107】
例えば、一体化された熱圧着シート１７の外周部を摘まんだ状態で熱圧着シート１７を捲り上げることで、熱圧着シート１７を剥離することもできる。また、第１の剥離工程Ｓ７０では、オペレーターが手作業で熱圧着シート１７を剥離してもよい。
【0108】
第１の剥離工程Ｓ７０の後、ダイシングテープ２５の粘着層に紫外線を照射して、粘着力を低減させる。その後、コレット（不図示）等を用いてデバイスチップ２１の表面２１ａ側を吸引し、ＤＡＦ２３付きのデバイスチップ２１を搬送する。
【0109】
なお、上述の溝形成工程Ｓ１０では、切削装置２を用いて切削溝１１ｃを形成するが、ウェーハ１１に吸収される波長を有するパルス状のレーザービームを照射するレーザー加工装置（不図示）を用いて、ウェーハ１１をアブレーション加工することにより、切削溝１１ｃに対応する溝を形成してもよい。
【0110】
また、分割予定ライン１３が露出する様にパターニングされたフォトレジスト層又は水溶性樹脂層（いずれも不図示）で表面１１ａ側を部分的に覆った状態で、プラズマエッチング装置等のエッチング装置（不図示）を用いて、ウェーハ１１をエッチングガスでエッチングすることにより、切削溝１１ｃに対応する溝を形成してもよい。
【0111】
次に、第２の実施可能について説明する。図１０は、第２の実施形態に係る複数のデバイスチップ２１の製造方法のフロー図である。第２の実施形態では、切断工程Ｓ５０の後、一体化工程Ｓ６０及び第１の剥離工程Ｓ７０を行わず、剥離用テープ３３（図１１参照）を用いて切断された各熱圧着シート１７を剥離する（第２の剥離工程Ｓ８０）。
【0112】
図１１は、第２の剥離工程Ｓ８０を示す図である。第２の剥離工程Ｓ８０では、貼付・剥離ユニット（不図示）を用いる。貼付・剥離ユニットは、例えば、それぞれ一般的な、テープマウンタと、テープ剥離装置と、を含む。
【0113】
第２の剥離工程Ｓ８０では、まず、切断工程Ｓ５０で切断された熱圧着シート１７の他面１７ｂ側の全体に、ウェーハ１１と略同径の剥離用テープ３３を貼り付ける。剥離用テープ３３は、基材層及び粘着層を有するテープである。
【0114】
剥離用テープ３３の粘着層を構成する粘着剤の種類は、剥離用テープ３３と熱圧着シート１７との粘着力が、デバイスチップ２１と熱圧着シート１７との密着力よりも高ければ、特に限定されない。
【0115】
剥離用テープ３３の貼り付け後、貼付・剥離装置を用いて剥離用テープ３３を剥がすと、切断された熱圧着シート１７が各デバイスチップ２１から剥離される。なお、貼付・剥離装置に代えて、オペレーターが手作業で、第２の剥離工程Ｓ８０を行ってもよい。
【0116】
第２の剥離工程Ｓ８０では、一体化工程Ｓ６０及び第１の剥離工程Ｓ７０を行う場合に比べて、デバイスチップ２１、ＤＡＦ２３及びダイシングテープ２５への熱的ダメージを著しく低減できる点が有利である。
【0117】
勿論、第２の実施形態でも、切断工程Ｓ５０において、各デバイスチップ２１の両面が、熱圧着シート１７及びＤＡＦ２３で挟まれているので、ＤＡＦ付きテープ２７の収縮歪み等の内部応力が生じていても、デバイスチップ２１同士の位置関係が変化し難い。それゆえ、デバイスチップ２１間の切削溝１１ｃの蛇行の程度を低減させた状態で加工を行うことができる。
【0118】
加えて、蛇行の程度を低減できるので、比較的高価なレーザー加工装置を用いることなく、比較的安価な切削装置４２を用いても、熱圧着シート１７及びＤＡＦ２３を切断できる。更に、デバイスチップ２１間の切削溝１１ｃが蛇行している状態でＤＡＦ２３をレーザー加工装置で切断する場合に比べて、直線的な加工を行うことで熱圧着シート１７及びＤＡＦ２３を切断できるので、生産性が向上し得る。
【0119】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。上述した熱圧着工程Ｓ２０では、ウェーハ１１を加熱し、熱圧着シート１７を圧着したが、熱圧着工程Ｓ２０はこの方法に限定されるものではない。
【0120】
例えば、熱圧着シート１７の上に裏面１１ｂが上を向く様にウェーハ１１を配置した状態で、発熱体を備えるローラー１６で、ウェーハ１１を加熱すると共に、ウェーハ１１を熱圧着シート１７へ圧着することもできる。
【0121】
この様に、ウェーハ１１を介して間接的に熱圧着シート１７を加熱することで、熱圧着シート１７の一面１７ａ側（熱圧着シート１７とウェーハ１１との界面近傍）を、他面１７ｂ側に比べて軟化させやすく、且つ、熱圧着シート１７がローラー１６等にくっつき難くなるというメリットがある。
【0122】
また、熱圧着シート１７の上に裏面１１ｂが上を向く様にウェーハ１１を配置した状態で、熱圧着シート１７側のチャックテーブルを加熱することで熱圧着シート１７を加熱し、ローラー１６でウェーハ１１を熱圧着シート１７へ圧着してもよい。
【0123】
但し、ウェーハ１１の上に熱圧着シート１７を配置した状態で、発熱体を備えるローラー１６で熱圧着シート１７を加熱すると共に、熱圧着シート１７をウェーハ１１に対して圧着してもよい。これにより、熱圧着シート１７をウェーハ１１に貼り付けることができる場合もある。
【符号の説明】
【0124】
２：切削装置、４：チャックテーブル、４ａ：保持面
６：切削ユニット、８：スピンドル、１０：切削ブレード、１０ａ：切り刃
１１：ウェーハ、１１ａ：表面、１１ｂ：裏面、１１ｃ：切削溝（溝）、１１ｄ：深さ
１３：分割予定ライン、１５：デバイス
１４：熱圧着装置、１６：ローラー
１７：熱圧着シート、１７ａ：一面、１７ｂ：他面
１８：研削装置、２０：チャックテーブル
１９：第１の積層体
２１：デバイスチップ、２１ａ：表面、２１ｂ：裏面、２１ｃ：仕上がり厚さ
２２：研削ユニット、２４：スピンドル、２６：マウント
２３：ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）、２５：ダイシングテープ
２７：ＤＡＦ付きテープ
２８：研削ホイール、３０：環状基台、３２：研削砥石
２９：フレーム、３１：フレームユニット
３３：剥離用テープ
４２：切削装置、４４：チャックテーブル、４４ａ：保持面
４６：切削ユニット、４８：スピンドル、５０：切削ブレード、５０ａ：切り刃
５２：加熱装置、５４：熱風噴射ユニット、５６：熱風
６：切削ユニット、８：スピンドル、１０：切削ブレード、１０ａ：切り刃
１１：ウェーハ、１１ａ：表面、１１ｂ：裏面、１１ｃ：切削溝（溝）、１１ｄ：深さ
１３：分割予定ライン、１５：デバイス
１４：熱圧着装置、１６：ローラー
１７：熱圧着シート、１７ａ：一面、１７ｂ：他面
１８：研削装置、２０：チャックテーブル
１９：第１の積層体
２１：デバイスチップ、２１ａ：表面、２１ｂ：裏面、２１ｃ：仕上がり厚さ
２２：研削ユニット、２４：スピンドル、２６：マウント
２３：ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）、２５：ダイシングテープ
２７：ＤＡＦ付きテープ
２８：研削ホイール、３０：環状基台、３２：研削砥石
２９：フレーム、３１：フレームユニット
３３：剥離用テープ
４２：切削装置、４４：チャックテーブル、４４ａ：保持面
４６：切削ユニット、４８：スピンドル、５０：切削ブレード、５０ａ：切り刃
５２：加熱装置、５４：熱風噴射ユニット、５６：熱風
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】