(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-07
(45)【発行日】2024-10-16
(54)【発明の名称】組成物および物品
(51)【国際特許分類】
C08L 71/02 20060101AFI20241008BHJP
C08G 65/336 20060101ALI20241008BHJP
C09D 171/02 20060101ALI20241008BHJP
C09K 3/18 20060101ALI20241008BHJP
【ＦＩ】
C08L71/02
C08G65/336
C09D171/02
C09K3/18 104
【請求項の数】
15
(21)【出願番号】P 2020572210
(86)(22)【出願日】2020-02-06
(86)【国際出願番号】 JP2020004645
(87)【国際公開番号】W WO2020166488
(87)【国際公開日】2020-08-20
【審査請求日】2022-08-04
(31)【優先権主張番号】P 2019023690
(32)【優先日】2019-02-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000000044
【氏名又は名称】ＡＧＣ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103894
【弁理士】
【氏名又は名称】家入 健
(72)【発明者】
【氏名】松浦 啓吾
(72)【発明者】
【氏名】星野 泰輝
(72)【発明者】
【氏名】高尾 清貴
(72)【発明者】
【氏名】宇野 誠人
(72)【発明者】
【氏名】安樂 英一郎
(72)【発明者】
【氏名】青山 元志
(72)【発明者】
【氏名】香月 尚樹
(72)【発明者】
【氏名】冨依 勇佑
(72)【発明者】
【氏名】遠田 豊和
(72)【発明者】
【氏名】山本 弘賢
【審査官】前田 孝泰
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１６－１４１６９９（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１９／０７７９４７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１２－０７２２７２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１３－５３１７１８（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１７／０３８８３０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１６－０１７１７６（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０８Ｌ １／００－１０１／１６
Ｃ０９Ｄ １／００－２０１／１０
Ｃ０９Ｋ ３／００
Ｃ０９Ｋ ３／１８
Ｃ０８Ｇ ６５／００－ ６５／４８
Ｃ０７Ｆ ７／０２－ ７／２１
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
式（１）で表される化合物と、式（２）で表される化合物と、を含み、式（１）のＲｆ２中の最もＹ１側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ３中の最もＹ２側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ４中の最もＹ３側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、の合計モル数に対する、式（１）のＲｆ１中の－ＣＦ３で表される基のモル数の比が、０．００１～０．１であることを特徴とする、組成物。
Ｒｆ１－（ＯＸ１）ｍ１－Ｏ－Ｒｆ２－Ｙ１－［Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］ｇ１ （１）
ただし、式（１）中、
Ｒｆ１は、直鎖状ペルフルオロアルキル基である。
Ｘ１は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
Ｒｆ２は、－ＣＦ２－で表される基を有するフルオロアルキレン基である。
Ｒ１は、１価の炭化水素基である。
Ｌ１は、加水分解性基または水酸基である。
ｍ１は、２以上の整数である。
ｎ１は、０～２の整数である。
式（１）における－Ｙ１－［Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］ｇ１で表される基は、基（１－１Ａ－４）または基（１－１Ａ－５）である。
－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）］ｓ４－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－Ｃ［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］３－ｗ１（－Ｒ１１）ｗ１ （１－１Ａ－４）
－Ｑａ５－Ｓｉ［－Ｑｂ５－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］３ （１－１Ａ－５）
ただし、
Ｒｄは、水素原子またはアルキル基である。
ｓ４は、０または１である。
Ｑａ４は、単結合、または、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
ｔ４は、０または１（ただし、Ｑａ４が単結合の場合は０である。）である。
ｕ４は、０または１である。
Ｑｂ４は、アルキレン基であり、－Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基またはジアルキルシリレン基を有していてもよい。
Ｒ１１は、アルキル基である。
ｗ１は、０～２の整数である。
Ｑａ５は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
Ｑｂ５は、アルキレン基、または、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子もしくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。
［Ｌ２ ３－ｎ２（Ｒ２）ｎ２Ｓｉ］ｇ２－Ｙ２－Ｒｆ３－（ＯＸ２）ｍ２－Ｏ－Ｒｆ４－Ｙ３－［Ｓｉ（Ｒ３）ｎ３Ｌ３ ３－ｎ３］ｇ３ （２）
ただし、式（２）中、
Ｌ２およびＬ３はそれぞれ独立に、加水分解性基または水酸基である。
Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立に、１価の炭化水素基である。
Ｙ２は、フッ素原子を有しない（ｇ２＋１）価の連結基である。
Ｒｆ３およびＲｆ４はそれぞれ独立に、－ＣＦ２－で表される基を有するフルオロアルキレン基である。
Ｘ２は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
Ｙ３は、フッ素原子を有しない（ｇ３＋１）価の連結基である。
ｎ２およびｎ３はそれぞれ独立に、０～２の整数である。
ｇ２およびｇ３はそれぞれ独立に、１以上の整数である。
ｍ２は、２以上の整数である。
【請求項2】
前記Ｒｆ１が炭素数１～６の直鎖状ペルフルオロアルキル基であり、前記（ＯＸ１）ｍ１が炭素数１～６のオキシペルフルオロアルキレン基からなる単位を主とするポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖であり、前記Ｒｆ２が炭素数１～６のペルフルオロアルキレン基である、請求項１に記載の組成物。
【請求項3】
前記（ＯＸ２）ｍ２が炭素数１～６のオキシペルフルオロアルキレン基からなる単位を主とするポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖であり、前記Ｒｆ３および前記Ｒｆ４が、それぞれ独立に、炭素数１～６のペルフルオロアルキレン基である、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項4】
前記ｍ１およびｍ２が、それぞれ独立に、２～２００の整数である、請求項１～３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項5】
前記ｇ２およびｇ３が、それぞれ独立に、２～４の整数である、請求項１～４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項6】
式（１）で表される化合物と、式（２）で表される化合物と、式（３）で表される化合物と、を含み、式（１）のＲｆ２中の最もＹ１側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ３中の最もＹ２側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ４中の最もＹ３側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、の合計モル数に対する、式（１）のＲｆ１中の－ＣＦ３で表される基のモル数と、式（３）のＲｆ５中の－ＣＦ３で表される基のモル数と、式（３）のＲｆ６中の－ＣＦ３で表される基のモル数と、の合計モル数の比が、０．００１～０．１であることを特徴とする、組成物。
Ｒｆ１－（ＯＸ１）ｍ１－Ｏ－Ｒｆ２－Ｙ１－［Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］ｇ１ （１）
ただし、式（１）中、
Ｒｆ１は、直鎖状ペルフルオロアルキル基である。
Ｘ１は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
Ｒｆ２は、－ＣＦ２－で表される基を有するフルオロアルキレン基である。
Ｙ１は、フッ素原子を有しない（ｇ１＋１）価の連結基である。
Ｒ１は、１価の炭化水素基である。
Ｌ１は、加水分解性基または水酸基である。
ｍ１は、２以上の整数である。
ｎ１は、０～２の整数である。
ｇ１は、１以上の整数である。
［Ｌ２ ３－ｎ２（Ｒ２）ｎ２Ｓｉ］ｇ２－Ｙ２－Ｒｆ３－（ＯＸ２）ｍ２－Ｏ－Ｒｆ４－Ｙ３－［Ｓｉ（Ｒ３）ｎ３Ｌ３ ３－ｎ３］ｇ３ （２）
ただし、式（２）中、
Ｌ２およびＬ３はそれぞれ独立に、加水分解性基または水酸基である。
Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立に、１価の炭化水素基である。
Ｙ２は、フッ素原子を有しない（ｇ２＋１）価の連結基である。
Ｒｆ３およびＲｆ４はそれぞれ独立に、－ＣＦ２－で表される基を有するフルオロアルキレン基である。
Ｘ２は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
Ｙ３は、フッ素原子を有しない（ｇ３＋１）価の連結基である。
ｎ２およびｎ３はそれぞれ独立に、０～２の整数である。
ｇ２およびｇ３はそれぞれ独立に、１以上の整数である。
ｍ２は、２以上の整数である。
Ｒｆ５－（ＯＸ３）ｍ３－Ｏ－Ｒｆ６ （３）
ただし、式（３）中、
Ｒｆ５およびＲｆ６はそれぞれ独立に、直鎖状ペルフルオロアルキル基である。
Ｘ３は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
ｍ３は、２以上の整数である。
【請求項7】
前記Ｒｆ１が炭素数１～６の直鎖状ペルフルオロアルキル基であり、前記（ＯＸ１）ｍ１が炭素数１～６のオキシペルフルオロアルキレン基からなる単位を主とするポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖であり、前記Ｒｆ２が炭素数１～６のペルフルオロアルキレン基である、請求項６に記載の組成物。
【請求項8】
前記（ＯＸ２）ｍ２が、炭素数１～６のオキシペルフルオロアルキレン基からなる単位を主とするポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖であり、前記Ｒｆ３および前記Ｒｆ４が、それぞれ独立に、炭素数１～６のペルフルオロアルキレン基である、請求項６または７に記載の組成物。
【請求項9】
前記（ＯＸ３）ｍ３が、炭素数１～６のオキシペルフルオロアルキレン基からなる単位を主とするポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖であり、前記Ｒｆ５および前記Ｒｆ６が、それぞれ独立に、炭素数１～６の直鎖状ペルフルオロアルキル基である、請求項６～８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項10】
前記ｇ１、ｇ２およびｇ３が、それぞれ独立に、２～４の整数である、請求項６～９のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項11】
前記ｍ１、ｍ２およびｍ３が、それぞれ独立に、２～２００の整数である、請求項６～１０のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項12】
さらに液状媒体を含む、請求項１～１１のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項13】
前記液状媒体が有機溶媒を含み、前記有機溶媒の沸点が、３５～２５０℃である、請求項１２に記載の組成物。
【請求項14】
前記液状媒体が、フッ素系有機溶媒を含む、請求項１２または１３に記載の組成物。
【請求項15】
基材と、前記基材上に、請求項１～１４のいずれか１項に記載の組成物から形成されてなる表面層と、を有することを特徴とする物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、組成物および物品に関する。
【背景技術】
【0002】
含フッ素化合物は、高い潤滑性、撥水撥油性等を示すため、表面処理剤に好適に用いられる。表面処理剤によって基材の表面に撥水撥油性を付与すると、基材の表面の汚れを拭き取りやすくなり、汚れの除去性が向上する。上記含フッ素化合物の中でも、フルオロアルキレン鎖の途中にエーテル結合（－Ｏ－）が存在するポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖を有する含フッ素エーテル化合物は、柔軟性に優れる化合物であり、特に油脂等の汚れの除去性に優れる。
上記含フッ素エーテル化合物としては、ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖を有し、一方の末端に加水分解性シリル基を有し、他方の末端に加水分解性シリル基またはフッ素原子を有していてもよいアルキル基を有する化合物が広く用いられている（特許文献１）。
上記含フッ素エーテル化合物としては、ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖を有し、一方の末端に加水分解性シリル基を有し、他方の末端に加水分解性シリル基またはフッ素原子を有していてもよいアルキル基を有する化合物が広く用いられている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】国際公開第２０１７／０２２４３７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記含フッ素エーテル化合物を含む表面処理剤は、たとえば、スマートフォン等の指や掌で触れる面（たとえば、表示画面や表示画面とは反対側の面（裏面））を構成する部材の表面処理剤として用いられる。
近年、含フッ素エーテル化合物を用いて形成された表面層に対する要求性能が高くなっている。たとえば、表面層が指で触れる面を構成する部材に適用される場合には、繰り返し摩擦されても指紋等の油脂汚れの除去性が低下しにくい性能（耐摩擦性）に優れる表面層が求められる。
本発明者らは、基材の主表面に特許文献１に記載されているような含フッ素エーテル化合物を用いて形成された表面層を有する物品を評価したところ、耐摩擦性は良好であるものの、耐滑り性に劣ること（すなわち、滑りやすいこと）を見出した。たとえば、膜付き基材がスマートフォンであると、スマートフォンの操作時や机等に載置した際に、スマートフォンが滑落して破損するおそれがある。
近年、含フッ素エーテル化合物を用いて形成された表面層に対する要求性能が高くなっている。たとえば、表面層が指で触れる面を構成する部材に適用される場合には、繰り返し摩擦されても指紋等の油脂汚れの除去性が低下しにくい性能（耐摩擦性）に優れる表面層が求められる。
本発明者らは、基材の主表面に特許文献１に記載されているような含フッ素エーテル化合物を用いて形成された表面層を有する物品を評価したところ、耐摩擦性は良好であるものの、耐滑り性に劣ること（すなわち、滑りやすいこと）を見出した。たとえば、膜付き基材がスマートフォンであると、スマートフォンの操作時や机等に載置した際に、スマートフォンが滑落して破損するおそれがある。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みて、耐摩擦性および耐滑り性に優れた表面層を形成できる組成物および物品の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、一方の末端のみに加水分解性シリル基を有する含フッ素エーテル化合物と、両末端に加水分解性シリル基を有する含フッ素エーテル化合物と、を含む組成物を用いる場合において、含フッ素エーテル化合物の所定の位置に存在する－ＣＦ２－で表される基の合計モル数に対する、含フッ素エーテル化合物の末端に存在する－ＣＦ３で表される基の合計モル数の比が所定の範囲内であれば、耐摩擦性および耐滑り性に優れた表面層を形成できることを見出し、本発明に至った。
【0007】
すなわち、発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
［１］式（１）で表される化合物と、式（２）で表される化合物と、を含み、式（１）のＲｆ２中の最もＹ１側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ３中の最もＹ２側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ４中の最もＹ３側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、の合計モル数に対する、式（１）のＲｆ１中の－ＣＦ３で表される基のモル数の比が、０．００１～０．１であることを特徴とする、組成物。
Ｒｆ１－（ＯＸ１）ｍ１－Ｏ－Ｒｆ２－Ｙ１－［Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］ｇ１ （１）
ただし、式（１）中、
Ｒｆ１は、直鎖状ペルフルオロアルキル基である。
Ｘ１は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
Ｒｆ２は、－ＣＦ２－で表される基を有するフルオロアルキレン基である。
Ｙ１は、フッ素原子を有しない（ｇ１＋１）価の連結基である。
Ｒ１は、１価の炭化水素基である。
Ｌ１は、加水分解性基または水酸基である。
ｍ１は、２以上の整数である。
ｎ１は、０～２の整数である。
ｇ１は、１以上の整数である。
［Ｌ２ ３－ｎ２（Ｒ２）ｎ２Ｓｉ］ｇ２－Ｙ２－Ｒｆ３－（ＯＸ２）ｍ２－Ｏ－Ｒｆ４－Ｙ３－［Ｓｉ（Ｒ３）ｎ３Ｌ３ ３－ｎ３］ｇ３ （２）
ただし、式（２）中、
Ｌ２およびＬ３はそれぞれ独立に、加水分解性基または水酸基である。
Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立に、１価の炭化水素基である。
Ｙ２は、フッ素原子を有しない（ｇ２＋１）価の連結基である。
Ｒｆ３およびＲｆ４はそれぞれ独立に、－ＣＦ２－で表される基を有するフルオロアルキレン基である。
Ｘ２は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
Ｙ３は、フッ素原子を有しない（ｇ３＋１）価の連結基である。
ｎ２およびｎ３はそれぞれ独立に、０～２の整数である。
ｇ２およびｇ３はそれぞれ独立に、１以上の整数である。
ｍ２は、２以上の整数である。
［１］式（１）で表される化合物と、式（２）で表される化合物と、を含み、式（１）のＲｆ２中の最もＹ１側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ３中の最もＹ２側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ４中の最もＹ３側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、の合計モル数に対する、式（１）のＲｆ１中の－ＣＦ３で表される基のモル数の比が、０．００１～０．１であることを特徴とする、組成物。
Ｒｆ１－（ＯＸ１）ｍ１－Ｏ－Ｒｆ２－Ｙ１－［Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］ｇ１ （１）
ただし、式（１）中、
Ｒｆ１は、直鎖状ペルフルオロアルキル基である。
Ｘ１は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
Ｒｆ２は、－ＣＦ２－で表される基を有するフルオロアルキレン基である。
Ｙ１は、フッ素原子を有しない（ｇ１＋１）価の連結基である。
Ｒ１は、１価の炭化水素基である。
Ｌ１は、加水分解性基または水酸基である。
ｍ１は、２以上の整数である。
ｎ１は、０～２の整数である。
ｇ１は、１以上の整数である。
［Ｌ２ ３－ｎ２（Ｒ２）ｎ２Ｓｉ］ｇ２－Ｙ２－Ｒｆ３－（ＯＸ２）ｍ２－Ｏ－Ｒｆ４－Ｙ３－［Ｓｉ（Ｒ３）ｎ３Ｌ３ ３－ｎ３］ｇ３ （２）
ただし、式（２）中、
Ｌ２およびＬ３はそれぞれ独立に、加水分解性基または水酸基である。
Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立に、１価の炭化水素基である。
Ｙ２は、フッ素原子を有しない（ｇ２＋１）価の連結基である。
Ｒｆ３およびＲｆ４はそれぞれ独立に、－ＣＦ２－で表される基を有するフルオロアルキレン基である。
Ｘ２は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
Ｙ３は、フッ素原子を有しない（ｇ３＋１）価の連結基である。
ｎ２およびｎ３はそれぞれ独立に、０～２の整数である。
ｇ２およびｇ３はそれぞれ独立に、１以上の整数である。
ｍ２は、２以上の整数である。
【0008】
［２］前記Ｒｆ１が炭素数１～６の直鎖状ペルフルオロアルキル基であり、前記（ＯＸ１）ｍ１が炭素数１～６のオキシペルフルオロアルキレン基からなる単位を主とするポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖であり、前記Ｒｆ２が炭素数１～６のペルフルオロアルキレン基である、［１］の組成物。
［３］前記（ＯＸ２）ｍ２が炭素数１～６のオキシペルフルオロアルキレン基からなる単位を主とするポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖であり、前記Ｒｆ３および前記Ｒｆ４が、それぞれ独立に、炭素数１～６のペルフルオロアルキレン基である、［１］または［２］の組成物。
［４］前記ｍ１およびｍ２が、それぞれ独立に、２～２００の整数である、［１］～［３］のいずれかの組成物。
［５］前記ｇ１、ｇ２およびｇ３が、それぞれ独立に、２～４の整数である、［１］～［４］のいずれかの組成物。
［３］前記（ＯＸ２）ｍ２が炭素数１～６のオキシペルフルオロアルキレン基からなる単位を主とするポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖であり、前記Ｒｆ３および前記Ｒｆ４が、それぞれ独立に、炭素数１～６のペルフルオロアルキレン基である、［１］または［２］の組成物。
［４］前記ｍ１およびｍ２が、それぞれ独立に、２～２００の整数である、［１］～［３］のいずれかの組成物。
［５］前記ｇ１、ｇ２およびｇ３が、それぞれ独立に、２～４の整数である、［１］～［４］のいずれかの組成物。
【0009】
［６］式（１）で表される化合物と、式（２）で表される化合物と、式（３）で表される化合物と、を含み、式（１）のＲｆ２中の最もＹ１側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ３中の最もＹ２側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ４中の最もＹ３側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、の合計モル数に対する、式（１）のＲｆ１中の－ＣＦ３で表される基のモル数と、式（３）のＲｆ５中の－ＣＦ３で表される基のモル数と、式（３）のＲｆ６中の－ＣＦ３で表される基のモル数と、の合計モル数の比が、０．００１～０．１であることを特徴とする、組成物。
Ｒｆ１－（ＯＸ１）ｍ１－Ｏ－Ｒｆ２－Ｙ１－［Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］ｇ１ （１）
ただし、式（１）中、
Ｒｆ１は、直鎖状ペルフルオロアルキル基である。
Ｘ１は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
Ｒｆ２は、－ＣＦ２－で表される基を有するフルオロアルキレン基である。
Ｙ１は、フッ素原子を有しない（ｇ１＋１）価の連結基である。
Ｒ１は、１価の炭化水素基である。
Ｌ１は、加水分解性基または水酸基である。
ｍ１は、２以上の整数である。
ｎ１は、０～２の整数である。
ｇ１は、１以上の整数である。
［Ｌ２ ３－ｎ２（Ｒ２）ｎ２Ｓｉ］ｇ２－Ｙ２－Ｒｆ３－（ＯＸ２）ｍ２－Ｏ－Ｒｆ４－Ｙ３－［Ｓｉ（Ｒ３）ｎ３Ｌ３ ３－ｎ３］ｇ３ （２）
ただし、式（２）中、
Ｌ２およびＬ３はそれぞれ独立に、加水分解性基または水酸基である。
Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立に、１価の炭化水素基である。
Ｙ２は、フッ素原子を有しない（ｇ２＋１）価の連結基である。
Ｒｆ３およびＲｆ４はそれぞれ独立に、－ＣＦ２－で表される基を有するフルオロアルキレン基である。
Ｘ２は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
Ｙ３は、フッ素原子を有しない（ｇ３＋１）価の連結基である。
ｎ２およびｎ３はそれぞれ独立に、０～２の整数である。
ｇ２およびｇ３はそれぞれ独立に、１以上の整数である。
ｍ２は、２以上の整数である。
Ｒｆ５－（ＯＸ３）ｍ３－Ｏ－Ｒｆ６ （３）
ただし、式（３）中、
Ｒｆ５およびＲｆ６はそれぞれ独立に、直鎖状ペルフルオロアルキル基である。
Ｘ３は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
ｍ３は、２以上の整数である。
Ｒｆ１－（ＯＸ１）ｍ１－Ｏ－Ｒｆ２－Ｙ１－［Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］ｇ１ （１）
ただし、式（１）中、
Ｒｆ１は、直鎖状ペルフルオロアルキル基である。
Ｘ１は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
Ｒｆ２は、－ＣＦ２－で表される基を有するフルオロアルキレン基である。
Ｙ１は、フッ素原子を有しない（ｇ１＋１）価の連結基である。
Ｒ１は、１価の炭化水素基である。
Ｌ１は、加水分解性基または水酸基である。
ｍ１は、２以上の整数である。
ｎ１は、０～２の整数である。
ｇ１は、１以上の整数である。
［Ｌ２ ３－ｎ２（Ｒ２）ｎ２Ｓｉ］ｇ２－Ｙ２－Ｒｆ３－（ＯＸ２）ｍ２－Ｏ－Ｒｆ４－Ｙ３－［Ｓｉ（Ｒ３）ｎ３Ｌ３ ３－ｎ３］ｇ３ （２）
ただし、式（２）中、
Ｌ２およびＬ３はそれぞれ独立に、加水分解性基または水酸基である。
Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立に、１価の炭化水素基である。
Ｙ２は、フッ素原子を有しない（ｇ２＋１）価の連結基である。
Ｒｆ３およびＲｆ４はそれぞれ独立に、－ＣＦ２－で表される基を有するフルオロアルキレン基である。
Ｘ２は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
Ｙ３は、フッ素原子を有しない（ｇ３＋１）価の連結基である。
ｎ２およびｎ３はそれぞれ独立に、０～２の整数である。
ｇ２およびｇ３はそれぞれ独立に、１以上の整数である。
ｍ２は、２以上の整数である。
Ｒｆ５－（ＯＸ３）ｍ３－Ｏ－Ｒｆ６ （３）
ただし、式（３）中、
Ｒｆ５およびＲｆ６はそれぞれ独立に、直鎖状ペルフルオロアルキル基である。
Ｘ３は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
ｍ３は、２以上の整数である。
【0010】
［７］前記Ｒｆ１が炭素数１～６の直鎖状ペルフルオロアルキル基であり、前記（ＯＸ１）ｍ１が炭素数１～６のオキシペルフルオロアルキレン基からなる単位を主とするポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖であり、前記Ｒｆ２が炭素数１～６のペルフルオロアルキレン基である、［６］の組成物。
［８］前記（ＯＸ２）ｍ２が、炭素数１～６のオキシペルフルオロアルキレン基からなる単位を主とするポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖であり、前記Ｒｆ３および前記Ｒｆ４が、それぞれ独立に、炭素数１～６のペルフルオロアルキレン基である、［６］または［７］の組成物。
［９］前記（ＯＸ３）ｍ３が、炭素数１～６のオキシペルフルオロアルキレン基からなる単位を主とするポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖であり、前記Ｒｆ５および前記Ｒｆ６が、それぞれ独立に、炭素数１～６の直鎖状ペルフルオロアルキル基である、［６］～［８］のいずれかの組成物。
［１０］前記ｇ１、ｇ２およびｇ３が、それぞれ独立に、２～４の整数である、［６］～［９］のいずれかの組成物。
［１１］前記ｍ１、ｍ２およびｍ３が、それぞれ独立に、２～２００の整数である、［６］～［１０］のいずれかの組成物。
［８］前記（ＯＸ２）ｍ２が、炭素数１～６のオキシペルフルオロアルキレン基からなる単位を主とするポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖であり、前記Ｒｆ３および前記Ｒｆ４が、それぞれ独立に、炭素数１～６のペルフルオロアルキレン基である、［６］または［７］の組成物。
［９］前記（ＯＸ３）ｍ３が、炭素数１～６のオキシペルフルオロアルキレン基からなる単位を主とするポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖であり、前記Ｒｆ５および前記Ｒｆ６が、それぞれ独立に、炭素数１～６の直鎖状ペルフルオロアルキル基である、［６］～［８］のいずれかの組成物。
［１０］前記ｇ１、ｇ２およびｇ３が、それぞれ独立に、２～４の整数である、［６］～［９］のいずれかの組成物。
［１１］前記ｍ１、ｍ２およびｍ３が、それぞれ独立に、２～２００の整数である、［６］～［１０］のいずれかの組成物。
【0011】
［１２］さらに液状媒体を含む、［１］～［１１］のいずれかの組成物。
［１３］前記液状媒体が有機溶媒を含み、前記有機溶媒の沸点が、３５～２５０℃である、［１２］の組成物。
［１４］前記液状媒体が、フッ素系有機溶媒を含む、［１２］または［１３］の組成物。
［１５］基材と、前記基材上に、［１］～［１４］のいずれかの組成物から形成されてなる表面層と、を有することを特徴とする物品。
［１３］前記液状媒体が有機溶媒を含み、前記有機溶媒の沸点が、３５～２５０℃である、［１２］の組成物。
［１４］前記液状媒体が、フッ素系有機溶媒を含む、［１２］または［１３］の組成物。
［１５］基材と、前記基材上に、［１］～［１４］のいずれかの組成物から形成されてなる表面層と、を有することを特徴とする物品。
【発明の効果】
【0012】
本発明によれば、耐摩擦性および耐滑り性に優れた表面層を形成できる組成物および物品を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【0013】
本明細書において、式（１）で表される化合物を「化合物（１）」と記す。他の式で表される化合物も同様に記す。式（１－１Ａ）で表される基を「基（１－１Ａ）」と記す。他の式で表される基も同様に記す。
本明細書において、「アルキレン基がＡ基を有していてもよい」という場合、アルキレン基は、アルキレン基中の炭素－炭素原子間にＡ基を有していてもよいし、アルキレン基－Ａ基－のように末端にＡ基を有していてもよい。
本明細書において、「アルキレン基がＡ基を有していてもよい」という場合、アルキレン基は、アルキレン基中の炭素－炭素原子間にＡ基を有していてもよいし、アルキレン基－Ａ基－のように末端にＡ基を有していてもよい。
【0014】
本発明における用語の意味は以下の通りである。
「２価のオルガノポリシロキサン残基」とは、下式で表される基である。下式におけるＲｘは、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）、または、フェニル基である。また、ｇは、１以上の整数であり、１～９の整数が好ましく、１～４の整数が特に好ましい。
「２価のオルガノポリシロキサン残基」とは、下式で表される基である。下式におけるＲｘは、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）、または、フェニル基である。また、ｇは、１以上の整数であり、１～９の整数が好ましく、１～４の整数が特に好ましい。
【0015】
【化1】
【0016】
「シルフェニレン骨格基」とは、－Ｓｉ（Ｒｙ）２ＰｈＳｉ（Ｒｙ）２－（ただし、Ｐｈはフェニレン基であり、Ｒｙは１価の有機基である。）で表される基である。Ｒｙとしては、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）が好ましい。
「ジアルキルシリレン基」は、－Ｓｉ（Ｒｚ）２－（ただし、Ｒｚはアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）である。）で表される基である。
化合物の「数平均分子量」は、１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲによって、末端基を基準にしてオキシフルオロアルキレン基の数（平均値）を求めることによって算出される。
「ジアルキルシリレン基」は、－Ｓｉ（Ｒｚ）２－（ただし、Ｒｚはアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）である。）で表される基である。
化合物の「数平均分子量」は、１Ｈ－ＮＭＲおよび１９Ｆ－ＮＭＲによって、末端基を基準にしてオキシフルオロアルキレン基の数（平均値）を求めることによって算出される。
【0017】
［組成物］
本発明の組成物について、実施形態毎に説明する。
本発明の組成物について、実施形態毎に説明する。
【0018】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態の組成物（以下、「組成物（１）」ともいう。）は、化合物（１）と化合物（２）とを含み、式（１）のＲｆ２中の最もＹ１側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ３中の最もＹ２側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ４中の最もＹ３側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、の合計モル数に対する、式（１）のＲｆ１中の－ＣＦ３で表される基のモル数の比（以下、「比（１）」ともいう。）が、０．００１～０．１である。
本発明の第１実施形態の組成物（以下、「組成物（１）」ともいう。）は、化合物（１）と化合物（２）とを含み、式（１）のＲｆ２中の最もＹ１側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ３中の最もＹ２側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ４中の最もＹ３側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、の合計モル数に対する、式（１）のＲｆ１中の－ＣＦ３で表される基のモル数の比（以下、「比（１）」ともいう。）が、０．００１～０．１である。
【0019】
－ＣＦ３で表される基のモル数は、化合物（１）の一方の末端に位置する基のモル数を意味する。また、－ＣＦ２－で表される基のモル数の合計は、化合物（１）の一方の末端近傍に位置する基のモル数と、化合物（２）の両末端近傍に位置する基のモル数と、の合計を意味する。つまり、比（１）の値が小さければ、組成物中の化合物（２）の含有量が多くなることを意味し、比（１）の値が大きければ、組成物中の化合物（１）の含有量が多くなることを意味する。
なお、式（１）のＲｆ２中の最もＹ１側に位置する－ＣＦ２－で表される基とは、Ｒｆ２がペルフルオロアルキレン基である場合、Ｙ１に隣接する－ＣＦ２－である。また式（２）のＲｆ３中の最もＹ２側に位置する－ＣＦ２－で表される基、および、式（２）のＲｆ４中の最もＹ３側に位置する－ＣＦ２－で表される基についても同様である。
組成物（１）においては、上記比（１）の値が小さいので、化合物（２）の含有量が化合物（１）と比較して充分に多い状態にあるといえる。化合物（２）は、両末端に反応性シリル基を有する。そのため、組成物（１）と基材との反応点が増加して、表面層と基材との密着性が良好になる結果、耐摩擦性に優れた表面層が得られたと推測される。また、化合物（２）の両末端の反応性シリル基が基材と反応した場合、化合物（２）に由来する分子の両末端が基材と結合している状態となり、化合物（２）に由来する分子の運動性が低くなる結果、耐滑り性に優れた表面層が得られたと推測される。
ここで、反応性シリル基とは、加水分解性シリル基およびシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）を意味する。加水分解性シリル基の具体例としては、後述の式（１）におけるＬ１が加水分解性基である基、および、後述の式（２）におけるＬ２およびＬ３が加水分解性基である基が挙げられる。
加水分解性シリル基は、加水分解反応によりＳｉ－ＯＨで表されるシラノール基となる。シラノール基は、さらにシラノール基間で脱水縮合反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面に存在するシラノール基と脱水縮合反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成できる。
なお、式（１）のＲｆ２中の最もＹ１側に位置する－ＣＦ２－で表される基とは、Ｒｆ２がペルフルオロアルキレン基である場合、Ｙ１に隣接する－ＣＦ２－である。また式（２）のＲｆ３中の最もＹ２側に位置する－ＣＦ２－で表される基、および、式（２）のＲｆ４中の最もＹ３側に位置する－ＣＦ２－で表される基についても同様である。
組成物（１）においては、上記比（１）の値が小さいので、化合物（２）の含有量が化合物（１）と比較して充分に多い状態にあるといえる。化合物（２）は、両末端に反応性シリル基を有する。そのため、組成物（１）と基材との反応点が増加して、表面層と基材との密着性が良好になる結果、耐摩擦性に優れた表面層が得られたと推測される。また、化合物（２）の両末端の反応性シリル基が基材と反応した場合、化合物（２）に由来する分子の両末端が基材と結合している状態となり、化合物（２）に由来する分子の運動性が低くなる結果、耐滑り性に優れた表面層が得られたと推測される。
ここで、反応性シリル基とは、加水分解性シリル基およびシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）を意味する。加水分解性シリル基の具体例としては、後述の式（１）におけるＬ１が加水分解性基である基、および、後述の式（２）におけるＬ２およびＬ３が加水分解性基である基が挙げられる。
加水分解性シリル基は、加水分解反応によりＳｉ－ＯＨで表されるシラノール基となる。シラノール基は、さらにシラノール基間で脱水縮合反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面に存在するシラノール基と脱水縮合反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成できる。
【0020】
＜式（１）で表される化合物＞
化合物（１）は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物である。
Ｒｆ１－（ＯＸ１）ｍ１－Ｏ－Ｒｆ２－Ｙ１－［Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］ｇ１ （１）
化合物（１）は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物である。
Ｒｆ１－（ＯＸ１）ｍ１－Ｏ－Ｒｆ２－Ｙ１－［Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］ｇ１ （１）
【0021】
Ｒｆ１は、直鎖状ペルフルオロアルキル基である。
直鎖状ペルフルオロアルキル基中の炭素数は、表面層の耐摩擦性がより優れる点から、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。
ペルフルオロアルキル基の具体例としては、ＣＦ３－、ＣＦ３ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－が挙げられ、表面層の撥水撥油性がより優れる点から、ＣＦ３－、ＣＦ３ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－が好ましい。
直鎖状ペルフルオロアルキル基中の炭素数は、表面層の耐摩擦性がより優れる点から、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。
ペルフルオロアルキル基の具体例としては、ＣＦ３－、ＣＦ３ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－が挙げられ、表面層の撥水撥油性がより優れる点から、ＣＦ３－、ＣＦ３ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－が好ましい。
【0022】
Ｘ１は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。
フルオロアルキレン基の炭素数は、表面層の耐候性および耐食性がより優れる点から、１～８が好ましく、１～６がより好ましく、２～４が特に好ましい。
フルオロアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれであってもよい。
フルオロアルキレン基におけるフッ素原子の数としては、表面層の耐食性がより優れる点から、炭素原子の数の１～２倍が好ましく、１．７～２倍が特に好ましい。
フルオロアルキレン基は、フルオロアルキレン基中のすべての水素原子がフッ素原子に置換された基（ペルフルオロアルキレン基）であってもよい。
フルオロアルキレン基の炭素数は、表面層の耐候性および耐食性がより優れる点から、１～８が好ましく、１～６がより好ましく、２～４が特に好ましい。
フルオロアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれであってもよい。
フルオロアルキレン基におけるフッ素原子の数としては、表面層の耐食性がより優れる点から、炭素原子の数の１～２倍が好ましく、１．７～２倍が特に好ましい。
フルオロアルキレン基は、フルオロアルキレン基中のすべての水素原子がフッ素原子に置換された基（ペルフルオロアルキレン基）であってもよい。
【0023】
（ＯＸ１）の具体例としては、－ＯＣＨＦ－、－ＯＣＦ２ＣＨＦ－、－ＯＣＨＦＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨＦ－、－ＯＣＨＦＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－Ｏ－ｃｙｃｌｏＣ４Ｆ６－が挙げられる。
ここで、－ｃｙｃｌｏＣ４Ｆ６－は、ペルフルオロシクロブタンジイル基を意味し、その具体例としては、ペルフルオロシクロブタン－１，２－ジイル基が挙げられる。
ここで、－ｃｙｃｌｏＣ４Ｆ６－は、ペルフルオロシクロブタンジイル基を意味し、その具体例としては、ペルフルオロシクロブタン－１，２－ジイル基が挙げられる。
【0024】
（ＯＸ１）の繰り返し数ｍ１は、２以上の整数であり、２～２００の整数がより好ましく、５～１５０の整数がさらに好ましく、５～１００の整数が特に好ましく、１０～５０の整数が最も好ましい。
（ＯＸ１）ｍ１は、２種以上の（ＯＸ１）を含んでいてもよい。２種以上の（ＯＸ１）としては、たとえば、炭素数の異なる２種以上の（ＯＸ１）、炭素数が同じであっても側鎖の有無や側鎖の種類が異なる２種以上の（ＯＸ１）、炭素数が同じであってもフッ素原子の数が異なる２種以上の（ＯＸ１）が挙げられる。
２種以上の（ＯＸ１）の結合順序は限定されず、ランダム、交互、ブロックに配置されてもよい。
（ＯＸ１）ｍ１で表されるポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖は、指紋汚れ除去性の優れた膜とするために、オキシペルフルオロアルキレン基である単位を主とするポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖であることが好ましい。（ＯＸ１）ｍ１で表されるポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖において、単位の全数ｍ１個に対するオキシペルフルオロアルキレン基である単位の数の割合は、５０～１００％であることが好ましく、８０～１００％であることがより好ましく、９０～１００％が特に好ましい。
ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖としては、ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖、および、片末端または両末端に水素原子を有するオキシフルオロアルキレン単位をそれぞれ１個または２個有するポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖がより好ましい。ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖としては、ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖が特に好ましい。
（ＯＸ１）ｍ１は、２種以上の（ＯＸ１）を含んでいてもよい。２種以上の（ＯＸ１）としては、たとえば、炭素数の異なる２種以上の（ＯＸ１）、炭素数が同じであっても側鎖の有無や側鎖の種類が異なる２種以上の（ＯＸ１）、炭素数が同じであってもフッ素原子の数が異なる２種以上の（ＯＸ１）が挙げられる。
２種以上の（ＯＸ１）の結合順序は限定されず、ランダム、交互、ブロックに配置されてもよい。
（ＯＸ１）ｍ１で表されるポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖は、指紋汚れ除去性の優れた膜とするために、オキシペルフルオロアルキレン基である単位を主とするポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖であることが好ましい。（ＯＸ１）ｍ１で表されるポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖において、単位の全数ｍ１個に対するオキシペルフルオロアルキレン基である単位の数の割合は、５０～１００％であることが好ましく、８０～１００％であることがより好ましく、９０～１００％が特に好ましい。
ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖としては、ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖、および、片末端または両末端に水素原子を有するオキシフルオロアルキレン単位をそれぞれ１個または２個有するポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖がより好ましい。ポリ（オキシフルオロアルキレン）鎖としては、ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖が特に好ましい。
【0025】
（ＯＸ１）ｍ１としては、（ＯＣＨｍａＦ（２－ｍａ））ｍ１１（ＯＣ２ＨｍｂＦ（４－ｍｂ））ｍ１２（ＯＣ３ＨｍｃＦ（６－ｍｃ））ｍ１３（ＯＣ４ＨｍｄＦ（８－ｍｄ））ｍ１４（ＯＣ５ＨｍｅＦ（１０－ｍｅ））ｍ１５（ＯＣ６ＨｍｆＦ（１２－ｍｆ））ｍ１６（Ｏ－ｃｙｃｌｏＣ４ＨｍｇＦ（６－ｍｇ））ｍ１７が好ましい。ここで、－ｃｙｃｌｏＣ４ＨｍｇＦ（６－ｍｇ）は、フルオロシクロブタン－ジイル基を表し、フルオロシクロブタン－１，２－ジイル基が好ましい。
ｍａは０または１であり、ｍｂは０～３の整数であり、ｍｃは０～５の整数であり、ｍｄは０～７の整数であり、ｍｅは０～９の整数であり、ｍｆは０～１１の整数であり、ｍｇは０～５の整数である。
ｍ１１、ｍ１２、ｍ１３、ｍ１４、ｍ１５、ｍ１６およびｍ１７は、それぞれ独立に、０以上の整数であり、１００以下が好ましい。
ｍ１１＋ｍ１２＋ｍ１３＋ｍ１４＋ｍ１５＋ｍ１６＋ｍ１７は２以上の整数であり、２～２００の整数がより好ましく、５～１５０の整数がより好ましく、５～１００の整数がさらに好ましく、１０～５０の整数が特に好ましい。
なかでも、ｍ１２は２以上の整数が好ましく、２～２００の整数が特に好ましい。
また、Ｃ３ＨｍｃＦ（６－ｍｃ）、Ｃ４ＨｍｄＦ（８－ｍｄ）、Ｃ５ＨｍｅＦ（１０－ｍｅ）およびＣ６ＨｍｆＦ（１２－ｍｆ）は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、表面層の耐摩擦性がより優れる点から直鎖状が好ましい。
ｍａは０または１であり、ｍｂは０～３の整数であり、ｍｃは０～５の整数であり、ｍｄは０～７の整数であり、ｍｅは０～９の整数であり、ｍｆは０～１１の整数であり、ｍｇは０～５の整数である。
ｍ１１、ｍ１２、ｍ１３、ｍ１４、ｍ１５、ｍ１６およびｍ１７は、それぞれ独立に、０以上の整数であり、１００以下が好ましい。
ｍ１１＋ｍ１２＋ｍ１３＋ｍ１４＋ｍ１５＋ｍ１６＋ｍ１７は２以上の整数であり、２～２００の整数がより好ましく、５～１５０の整数がより好ましく、５～１００の整数がさらに好ましく、１０～５０の整数が特に好ましい。
なかでも、ｍ１２は２以上の整数が好ましく、２～２００の整数が特に好ましい。
また、Ｃ３ＨｍｃＦ（６－ｍｃ）、Ｃ４ＨｍｄＦ（８－ｍｄ）、Ｃ５ＨｍｅＦ（１０－ｍｅ）およびＣ６ＨｍｆＦ（１２－ｍｆ）は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、表面層の耐摩擦性がより優れる点から直鎖状が好ましい。
【0026】
なお、上記式は単位の種類とその数を表すものであり、単位の配列を表すものではない。すなわち、ｍ１１～ｍ１６は単位の数を表すものであり、たとえば、（ＯＣＨｍａＦ（２－ｍａ））ｍ１１は、（ＯＣＨｍａＦ（２－ｍａ））単位がｍ１１個連続したブロックを表すものではない。同様に、（ＯＣＨｍａＦ（２－ｍａ））～（Ｏ－ｃｙｃｌｏＣ４ＨｍｇＦ（６－ｍｇ））の記載順は、その記載順にそれらが配列していることを表すものではない。
上記式において、ｍ１１～ｍ１７の２以上が０でない場合（すなわち、（ＯＸ１）ｍ１が２種以上の単位から構成されている場合）、異なる単位の配列は、ランダム配列、交互配列、ブロック配列およびそれら配列の組合せのいずれであってもよい。
さらに、上記各単位も、また、その単位が２以上含まれている場合、それらの単位は異なっていてもよい。たとえば、ｍ１１が２以上の場合、複数の（ＯＣＨｍａＦ（２－ｍａ））は同一であっても異なっていてもよい。
上記式において、ｍ１１～ｍ１７の２以上が０でない場合（すなわち、（ＯＸ１）ｍ１が２種以上の単位から構成されている場合）、異なる単位の配列は、ランダム配列、交互配列、ブロック配列およびそれら配列の組合せのいずれであってもよい。
さらに、上記各単位も、また、その単位が２以上含まれている場合、それらの単位は異なっていてもよい。たとえば、ｍ１１が２以上の場合、複数の（ＯＣＨｍａＦ（２－ｍａ））は同一であっても異なっていてもよい。
【0027】
Ｒｆ２は、－ＣＦ２－で表される基を有するフルオロアルキレン基である。
フルオロアルキレン基の炭素数は、１～６が好ましく、１～３が特に好ましい。
フルオロアルキレン基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよいが、本発明の効果がより優れる点から、直鎖状が好ましい。
フルオロアルキレン基としては、膜の耐食性がより優れる点から、ＣＦ２を１個以上有し、かつフッ素原子の数が炭素原子の数の１．５～２倍であるフルオロアルキレン基が好ましく、炭素数１～６のペルフルオロアルキレン基がより好ましく、炭素数１～３のペルフルオロアルキレン基が特に好ましい。
Ｒｆ２の具体例としては、－ＣＦ２ＣＨＦ－、－ＣＨＦＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＨＦ－、－ＣＨＦＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－が挙げられる。
フルオロアルキレン基の炭素数は、１～６が好ましく、１～３が特に好ましい。
フルオロアルキレン基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよいが、本発明の効果がより優れる点から、直鎖状が好ましい。
フルオロアルキレン基としては、膜の耐食性がより優れる点から、ＣＦ２を１個以上有し、かつフッ素原子の数が炭素原子の数の１．５～２倍であるフルオロアルキレン基が好ましく、炭素数１～６のペルフルオロアルキレン基がより好ましく、炭素数１～３のペルフルオロアルキレン基が特に好ましい。
Ｒｆ２の具体例としては、－ＣＦ２ＣＨＦ－、－ＣＨＦＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＨＦ－、－ＣＨＦＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－が挙げられる。
【0028】
Ｙ１は、フッ素原子を有しない（ｇ１＋１）価の連結基である。
Ｙ１は、本発明の効果を損なわない基であればよく、たとえば、エーテル性酸素原子または２価のオルガノポリシロキサン残基を有していてもよいアルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、２～８価のオルガノポリシロキサン残基、および、後述する式（１－１Ａ）、式（１－１Ｂ）、式（１－１Ａ－１）～（１－１Ａ－６）からＳｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１を除いた基が挙げられる。
Ｙ１は、本発明の効果を損なわない基であればよく、たとえば、エーテル性酸素原子または２価のオルガノポリシロキサン残基を有していてもよいアルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、２～８価のオルガノポリシロキサン残基、および、後述する式（１－１Ａ）、式（１－１Ｂ）、式（１－１Ａ－１）～（１－１Ａ－６）からＳｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１を除いた基が挙げられる。
【0029】
Ｒ１は、１価の炭化水素基であり、１価の飽和炭化水素基が好ましい。Ｒ１の炭素数は、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
【0030】
Ｌ１は、加水分解性基または水酸基である。
加水分解性基は、加水分解反応により水酸基となる基である。すなわち、Ｓｉ－Ｌ１で表される加水分解性を有するシリル基は、加水分解反応によりＳｉ－ＯＨで表されるシラノール基となる。シラノール基は、さらにシラノール基間で反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材に含まれる酸化物に由来するシラノール基と脱水縮合反応して、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成できる。
加水分解性基は、加水分解反応により水酸基となる基である。すなわち、Ｓｉ－Ｌ１で表される加水分解性を有するシリル基は、加水分解反応によりＳｉ－ＯＨで表されるシラノール基となる。シラノール基は、さらにシラノール基間で反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材に含まれる酸化物に由来するシラノール基と脱水縮合反応して、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成できる。
【0031】
加水分解性基の具体例としては、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イソシアナート基（－ＮＣＯ）が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましい。アリールオキシ基としては、炭素数３～１０のアリールオキシ基が好ましい。ただしアリールオキシ基のアリール基としては、ヘテロアリール基を含む。ハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。アシル基としては、炭素数１～６のアシル基が好ましい。アシルオキシ基としては、炭素数１～６のアシルオキシ基が好ましい。
Ｌ１としては、含フッ素エーテル化合物の製造がより容易である点から、炭素数１～４のアルコキシ基および塩素原子が好ましい。Ｌ１としては、塗布時のアウトガスが少なく、含フッ素エーテル化合物の保存安定性がより優れる点から、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましく、含フッ素エーテル化合物の長期の保存安定性が必要な場合にはエトキシ基が特に好ましく、塗布後の反応時間を短時間とする場合にはメトキシ基が特に好ましい。
Ｌ１としては、含フッ素エーテル化合物の製造がより容易である点から、炭素数１～４のアルコキシ基および塩素原子が好ましい。Ｌ１としては、塗布時のアウトガスが少なく、含フッ素エーテル化合物の保存安定性がより優れる点から、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましく、含フッ素エーテル化合物の長期の保存安定性が必要な場合にはエトキシ基が特に好ましく、塗布後の反応時間を短時間とする場合にはメトキシ基が特に好ましい。
【0032】
ｎ１は、０～２の整数である。
ｎ１は、０または１が好ましく、０が特に好ましい。Ｌ１が複数存在することによって、表面層の基材への密着性がより強固になる。
ｎ１が１以下である場合、１分子中に存在する複数のＬ１は同じであっても異なっていてもよい。原料の入手容易性や含フッ素エーテル化合物の製造容易性の点からは、互いに同じであることが好ましい。ｎ１が２である場合、１分子中に存在する複数のＲ１は同じであっても異なっていてもよい。原料の入手容易性や含フッ素エーテル化合物の製造容易性の点からは、互いに同じであることが好ましい。
ｎ１は、０または１が好ましく、０が特に好ましい。Ｌ１が複数存在することによって、表面層の基材への密着性がより強固になる。
ｎ１が１以下である場合、１分子中に存在する複数のＬ１は同じであっても異なっていてもよい。原料の入手容易性や含フッ素エーテル化合物の製造容易性の点からは、互いに同じであることが好ましい。ｎ１が２である場合、１分子中に存在する複数のＲ１は同じであっても異なっていてもよい。原料の入手容易性や含フッ素エーテル化合物の製造容易性の点からは、互いに同じであることが好ましい。
【0033】
ｇ１は、１以上の整数であり、表面層の耐摩擦性がより優れる点から、２～４の整数が好ましく、２または３がより好ましく、３が特に好ましい。
【0034】
式（１）における－Ｙ１－［Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１
３－ｎ１］ｇ１で表される基としては、基（１－１Ａ）および基（１－１Ｂ）が好ましい。
－Ｑａ－Ｘ１１（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１）ｈ（－Ｒ１１）ｉ （１－１Ａ）
－Ｑｃ－［ＣＨ２Ｃ（Ｒ１２）（－Ｑｄ－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１）］ｙ－Ｒ１３ （１－１Ｂ）
なお、式（１－１Ａ）および式（１－１Ｂ）中、Ｒ１、Ｌ１、および、ｎ１の定義は、上述した通りである。
－Ｑａ－Ｘ１１（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１）ｈ（－Ｒ１１）ｉ （１－１Ａ）
－Ｑｃ－［ＣＨ２Ｃ（Ｒ１２）（－Ｑｄ－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１）］ｙ－Ｒ１３ （１－１Ｂ）
なお、式（１－１Ａ）および式（１－１Ｂ）中、Ｒ１、Ｌ１、および、ｎ１の定義は、上述した通りである。
【0035】
Ｑａは、単結合または２価の連結基である。
２価の連結基としては、たとえば、２価の炭化水素基、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒａ）２－および、これらを２種以上組み合わせた基が挙げられる。ここで、Ｒａは、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）、または、フェニル基である。Ｒｄは、水素原子またはアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）である。ただしＲｄのアルキル基は、加水分解性シリル基を有していてもよい。
上記２価の炭化水素基としては、２価の飽和炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基が挙げられる。２価の飽和炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状または環状であってもよく、たとえば、アルキレン基が挙げられる。２価の飽和炭化水素基の炭素数は１～２０が好ましい。また、２価の芳香族炭化水素基は、炭素数５～２０が好ましく、たとえば、フェニレン基が挙げられる。アルケニレン基としては、炭素数２～２０のアルケニレン基が好ましく、アルキニレン基としては、炭素数２～２０のアルキニレン基が好ましい。
なお、上記これらを２種以上組み合わせた基としては、たとえば、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－を有するアルキレン基、－ＣＨ２Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－ＣＨ２Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－を有するアルキレン基、エーテル性酸素原子を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）－を有するアルキレン基、アルキレン基－Ｓｉ（Ｒａ）２－フェニレン基－Ｓｉ（Ｒａ）２が挙げられる。
２価の連結基としては、たとえば、２価の炭化水素基、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒａ）２－および、これらを２種以上組み合わせた基が挙げられる。ここで、Ｒａは、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）、または、フェニル基である。Ｒｄは、水素原子またはアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）である。ただしＲｄのアルキル基は、加水分解性シリル基を有していてもよい。
上記２価の炭化水素基としては、２価の飽和炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基が挙げられる。２価の飽和炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状または環状であってもよく、たとえば、アルキレン基が挙げられる。２価の飽和炭化水素基の炭素数は１～２０が好ましい。また、２価の芳香族炭化水素基は、炭素数５～２０が好ましく、たとえば、フェニレン基が挙げられる。アルケニレン基としては、炭素数２～２０のアルケニレン基が好ましく、アルキニレン基としては、炭素数２～２０のアルキニレン基が好ましい。
なお、上記これらを２種以上組み合わせた基としては、たとえば、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－を有するアルキレン基、－ＣＨ２Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－ＣＨ２Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－を有するアルキレン基、エーテル性酸素原子を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）－を有するアルキレン基、アルキレン基－Ｓｉ（Ｒａ）２－フェニレン基－Ｓｉ（Ｒａ）２が挙げられる。
【0036】
Ｘ１１は、単結合、アルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子または２～８価のオルガノポリシロキサン残基である。
なお、上記アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基またはジアルキルシリレン基を有していてもよい。アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基およびジアルキルシリレン基からなる群から選択される基を複数有していてもよい。
Ｘ１１で表されるアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０が特に好ましい。
２～８価のオルガノポリシロキサン残基としては、２価のオルガノポリシロキサン残基、および、後述する（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基が挙げられる。
なお、上記アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基またはジアルキルシリレン基を有していてもよい。アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基およびジアルキルシリレン基からなる群から選択される基を複数有していてもよい。
Ｘ１１で表されるアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０が特に好ましい。
２～８価のオルガノポリシロキサン残基としては、２価のオルガノポリシロキサン残基、および、後述する（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基が挙げられる。
【0037】
Ｑｂは、単結合または２価の連結基である。
２価の連結基の定義は、上述したＱａで説明した定義と同義である。
２価の連結基の定義は、上述したＱａで説明した定義と同義である。
【0038】
Ｒ１１は、水酸基またはアルキル基である。
アルキル基の炭素数は、１～５が好ましく、１～３がより好ましく、１が特に好ましい。
アルキル基の炭素数は、１～５が好ましく、１～３がより好ましく、１が特に好ましい。
【0039】
Ｘ１１が単結合またはアルキレン基の場合、ｈは１、ｉは０であり、
Ｘ１１が窒素原子の場合、ｈは１～２の整数であり、ｉは０～１の整数であり、ｈ＋ｉ＝２を満たし、
Ｘ１１が炭素原子またはケイ素原子の場合、ｈは１～３の整数であり、ｉは０～２の整数であり、ｈ＋ｉ＝３を満たし、
Ｘ１１が２～８価のオルガノポリシロキサン残基の場合、ｈは１～７の整数であり、ｉは０～６の整数であり、ｈ＋ｉ＝１～７を満たす。
（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１）が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１）は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１１が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｒ１１）は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ１１が窒素原子の場合、ｈは１～２の整数であり、ｉは０～１の整数であり、ｈ＋ｉ＝２を満たし、
Ｘ１１が炭素原子またはケイ素原子の場合、ｈは１～３の整数であり、ｉは０～２の整数であり、ｈ＋ｉ＝３を満たし、
Ｘ１１が２～８価のオルガノポリシロキサン残基の場合、ｈは１～７の整数であり、ｉは０～６の整数であり、ｈ＋ｉ＝１～７を満たす。
（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１）が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１）は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１１が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｒ１１）は、同一であっても異なっていてもよい。
【0040】
Ｑｃは、単結合、または、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基であり、化合物を製造しやすい点から、単結合が好ましい。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
【0041】
Ｒ１２は、水素原子または炭素数１～１０のアルキル基であり、化合物を製造しやすい点から、水素原子が好ましい。
アルキル基としては、メチル基が好ましい。
アルキル基としては、メチル基が好ましい。
【0042】
Ｑｄは、単結合またはアルキレン基である。アルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～６が特に好ましい。化合物を製造しやすい点から、Ｑｄは、単結合または－ＣＨ２－が好ましい。
【0043】
Ｒ１３は、水素原子またはハロゲン原子であり、化合物を製造しやすい点から、水素原子が好ましい。
【0044】
ｙは、１～１０の整数であり、１～６の整数が好ましい。
２個以上の［ＣＨ２Ｃ（Ｒ１２）（－Ｑｄ－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１）］ｙは、同一であっても異なっていてもよい。
２個以上の［ＣＨ２Ｃ（Ｒ１２）（－Ｑｄ－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１）］ｙは、同一であっても異なっていてもよい。
【0045】
基（１－１Ａ）としては、基（１－１Ａ－１）～（１－１Ａ－６）が好ましい。
－（Ｘ１２）ｓ１－Ｑｂ１－ＳｉＲ１ ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１ （１－１Ａ－１）
－（Ｘ１３）ｓ２－Ｑａ２－Ｎ［－Ｑｂ２－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ］２ （１－１Ａ－２）
－Ｑａ３－Ｇ（Ｒｇ）［－Ｑｂ３－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］２ （１－１Ａ－３）
－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）］ｓ４－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－Ｃ［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］３－ｗ１（－Ｒ１１）ｗ１ （１－１Ａ－４）
－Ｑａ５－Ｓｉ［－Ｑｂ５－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］３ （１－１Ａ－５）
－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）］ｖ－Ｑａ６－Ｚａ［－Ｑｂ６－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］ｗ２ （１－１Ａ－６）
なお、式（１－１Ａ－１）～（１－１Ａ－６）中、Ｒ１、Ｌ１、および、ｎ１の定義は、上述した通りである。
－（Ｘ１２）ｓ１－Ｑｂ１－ＳｉＲ１ ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１ （１－１Ａ－１）
－（Ｘ１３）ｓ２－Ｑａ２－Ｎ［－Ｑｂ２－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ］２ （１－１Ａ－２）
－Ｑａ３－Ｇ（Ｒｇ）［－Ｑｂ３－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］２ （１－１Ａ－３）
－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）］ｓ４－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－Ｃ［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］３－ｗ１（－Ｒ１１）ｗ１ （１－１Ａ－４）
－Ｑａ５－Ｓｉ［－Ｑｂ５－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］３ （１－１Ａ－５）
－［Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）］ｖ－Ｑａ６－Ｚａ［－Ｑｂ６－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］ｗ２ （１－１Ａ－６）
なお、式（１－１Ａ－１）～（１－１Ａ－６）中、Ｒ１、Ｌ１、および、ｎ１の定義は、上述した通りである。
【0046】
Ｘ１２は、－Ｏ－、または、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－である（ただし、式中のＮはＱｂ１に結合する）。
Ｒｄの定義は、上述した通りである。
ｓ１は、０または１である。
Ｒｄの定義は、上述した通りである。
ｓ１は、０または１である。
【0047】
Ｑｂ１は、アルキレン基である。なお、アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基またはジアルキルシリレン基を有していてもよい。アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基およびジアルキルシリレン基からなる群から選択される基を複数有していてもよい。
なお、アルキレン基が－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基またはジアルキルシリレン基を有する場合、炭素原子－炭素原子間にこれらの基を有することが好ましい。
なお、アルキレン基が－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基またはジアルキルシリレン基を有する場合、炭素原子－炭素原子間にこれらの基を有することが好ましい。
【0048】
Ｑｂ１で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
【0049】
Ｑｂ１としては、ｓ１が０の場合は、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。（Ｘ１２）ｓ１が－Ｏ－の場合は、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。（Ｘ１２）ｓ１が－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－の場合は、炭素数２～６のアルキレン基が好ましい（ただし、式中のＮはＱｂ１に結合する）。Ｑｂ１がこれらの基であると化合物が製造しやすい。
【0050】
基（３－１Ａ－１）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、Ｒｆ２との結合位置を表す。
【0051】
【化2】
【0052】
Ｘ１３は、－Ｏ－、－ＮＨ－、または、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－である。
Ｒｄの定義は、上述した通りである。
Ｒｄの定義は、上述した通りである。
【0053】
Ｑａ２は、単結合、アルキレン基、－Ｃ（Ｏ）－、または、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－もしくは－ＮＨ－を有する基である。
Ｑａ２で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～６が特に好ましい。
Ｑａ２で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－または－ＮＨ－を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑａ２で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～６が特に好ましい。
Ｑａ２で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－または－ＮＨ－を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
【0054】
Ｑａ２としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＮＨＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２－、－Ｃ（Ｏ）－が好ましい（ただし、右側がＮに結合する。）。
【0055】
ｓ２は、０または１（ただし、Ｑａ２が単結合の場合は０である。）である。化合物を製造しやすい点から、０が好ましい。
【0056】
Ｑｂ２は、アルキレン基、または、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に、２価のオルガノポリシロキサン残基、エーテル性酸素原子もしくは－ＮＨ－を有する基である。
Ｑｂ２で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ２で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に、２価のオルガノポリシロキサン残基、エーテル性酸素原子または－ＮＨ－を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ２で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ２で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に、２価のオルガノポリシロキサン残基、エーテル性酸素原子または－ＮＨ－を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
【0057】
Ｑｂ２としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。
【0058】
２個の［－Ｑｂ２－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１
３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
【0059】
基（３－１Ａ－２）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、Ｒｆ２との結合位置を表す。
【0060】
【化3】
【0061】
Ｑａ３は、単結合、または、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基であり、化合物を製造しやすい点から、単結合が好ましい。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
【0062】
Ｇは、炭素原子またはケイ素原子である。
Ｒｇは、水酸基またはアルキル基である。Ｒｇで表されるアルキル基の炭素数は、１～４が好ましい。
Ｇ（Ｒｇ）としては、化合物を製造しやすい点から、Ｃ（ＯＨ）またはＳｉ（Ｒｇａ）（ただし、Ｒｇａはアルキル基である。アルキル基の炭素数は１～１０が好ましく、メチル基が特に好ましい。）が好ましい。
Ｒｇは、水酸基またはアルキル基である。Ｒｇで表されるアルキル基の炭素数は、１～４が好ましい。
Ｇ（Ｒｇ）としては、化合物を製造しやすい点から、Ｃ（ＯＨ）またはＳｉ（Ｒｇａ）（ただし、Ｒｇａはアルキル基である。アルキル基の炭素数は１～１０が好ましく、メチル基が特に好ましい。）が好ましい。
【0063】
Ｑｂ３は、アルキレン基、または、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子もしくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。 Ｑｂ３で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ３で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子または２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ３としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
Ｑｂ３で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子または２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ３としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
【0064】
２個の［－Ｑｂ３－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１
３－ｎ１］は、同一であっても異なっていてもよい。
【0065】
基（３－１Ａ－３）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、Ｒｆ２との結合位置を表す。
【0066】
【化4】
【0067】
式（１－１Ａ－４）中のＲｄおよびＲ１１の定義は、上述した通りである。
ｓ４は、０または１である。
Ｑａ４は、単結合、または、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
ｔ４は、０または１（ただし、Ｑａ４が単結合の場合は０である。）である。
－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－としては、化合物を製造しやすい点から、ｓ４が０の場合は、単結合、－ＣＨ２Ｏ－、－ＣＨ２ＯＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２－が好ましく（ただし、左側が（ＲｆＯ）ｍに結合する。）、ｓ４が１の場合は、単結合、－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
ｓ４は、０または１である。
Ｑａ４は、単結合、または、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
ｔ４は、０または１（ただし、Ｑａ４が単結合の場合は０である。）である。
－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－としては、化合物を製造しやすい点から、ｓ４が０の場合は、単結合、－ＣＨ２Ｏ－、－ＣＨ２ＯＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２－が好ましく（ただし、左側が（ＲｆＯ）ｍに結合する。）、ｓ４が１の場合は、単結合、－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
【0068】
Ｑｂ４は、アルキレン基であり、上記アルキレン基は－Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－（Ｒｄの定義は、上述した通りである。）、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基またはジアルキルシリレン基を有していてもよい。
なお、アルキレン基が－Ｏ－またはシルフェニレン骨格基を有する場合、炭素原子－炭素原子間に－Ｏ－またはシルフェニレン骨格基を有することが好ましい。また、アルキレン基が－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、ジアルキルシリレン基または２価のオルガノポリシロキサン残基を有する場合、炭素原子－炭素原子間または（Ｏ）ｕ４と結合する側の末端にこれらの基を有することが好ましい。
Ｑｂ４で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
なお、アルキレン基が－Ｏ－またはシルフェニレン骨格基を有する場合、炭素原子－炭素原子間に－Ｏ－またはシルフェニレン骨格基を有することが好ましい。また、アルキレン基が－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、ジアルキルシリレン基または２価のオルガノポリシロキサン残基を有する場合、炭素原子－炭素原子間または（Ｏ）ｕ４と結合する側の末端にこれらの基を有することが好ましい。
Ｑｂ４で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
【0069】
ｕ４は、０または１である。
－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨ３）２ＰｈＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。
－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨ３）２ＰｈＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。
【0070】
ｗ１は、０～２の整数であり、０または１が好ましく、０が特に好ましい。
［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］が２個以上ある場合は、２個以上の［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ１１が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｒ１１）は、同一であっても異なっていてもよい。
［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］が２個以上ある場合は、２個以上の［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ１１が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｒ１１）は、同一であっても異なっていてもよい。
【0071】
基（１－１Ａ－４）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、Ｒｆ２との結合位置を表す。
【0072】
【化5】
【0073】
【化6】
【0074】
Ｑａ５は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑａ５としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑａ５としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。
【0075】
Ｑｂ５は、アルキレン基、または、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子もしくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。 Ｑｂ５で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ５で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子または２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ５としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１に結合する。）。
Ｑｂ５で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子または２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ５としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１に結合する。）。
【0076】
３個の［－Ｑｂ５－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１
３－ｎ１］は、同一であっても異なっていてもよい。
【0077】
基（１－１Ａ－５）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、Ｒｆ２との結合位置を表す。
【0078】
【化7】
【0079】
式（１－１Ａ－６）中のＲｄの定義は、上述の通りである。
ｖは、０または１である。
ｖは、０または１である。
【0080】
Ｑａ６は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑａ６としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＺａに結合する。）。
エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑａ６としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＺａに結合する。）。
【0081】
Ｚａは、（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基である。
ｗ２は、２～７の整数である。
（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基としては、下記の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲａは、上述の通りである。
ｗ２は、２～７の整数である。
（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基としては、下記の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲａは、上述の通りである。
【0082】
【化8】
【0083】
Ｑｂ６は、アルキレン基、または、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子もしくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。
Ｑｂ６で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ６で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子または２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ６としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
Ｑｂ６で表されるアルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ６で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子または２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６が特に好ましい。
Ｑｂ６としては、化合物を製造しやすい点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
【0084】
ｗ２個の［－Ｑｂ６－Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１
３－ｎ１］は、同一であっても異なっていてもよい。
【0085】
＜式（２）で表される化合物＞
化合物（２）は、式（２）で表される含フッ素エーテル化合物である。
［Ｌ２ ３－ｎ２（Ｒ２）ｎ２Ｓｉ］ｇ２－Ｙ２－Ｒｆ３－（ＯＸ２）ｍ２－Ｏ－Ｒｆ４－Ｙ３－［Ｓｉ（Ｒ３）ｎ３Ｌ３ ３－ｎ３］ｇ３ （２）
化合物（２）は、式（２）で表される含フッ素エーテル化合物である。
［Ｌ２ ３－ｎ２（Ｒ２）ｎ２Ｓｉ］ｇ２－Ｙ２－Ｒｆ３－（ＯＸ２）ｍ２－Ｏ－Ｒｆ４－Ｙ３－［Ｓｉ（Ｒ３）ｎ３Ｌ３ ３－ｎ３］ｇ３ （２）
【0086】
Ｌ２およびＬ３はそれぞれ独立に、加水分解性基または水酸基である。Ｌ２およびＬ３の定義および好適態様は、式（１）のＬ１と同様である。
Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立に、１価の炭化水素基である。Ｒ２およびＲ３の定義および好適態様は、式（１）のＲ１と同様である。
Ｙ２は、フッ素原子を有しない（ｇ２＋１）価の連結基である。ｇ２は、１以上の整数である。Ｙ２およびｇ２の定義および好適態様はそれぞれ、式（１）のＹ１およびｇ１と同様である。
Ｒｆ３およびＲｆ４はそれぞれ独立に、－ＣＦ２－で表される基を有するフルオロアルキレン基である。Ｒｆ３およびＲｆ４の定義および好適態様は、式（１）のＲｆ２と同様である。
Ｘ２は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。ｍ２は、２以上の整数である。Ｘ２、ｍ２、（ＯＸ２）および（ＯＸ２）ｍ２の定義および好適態様はそれぞれ、式（１）のＸ１、ｍ１、（ＯＸ１）および（ＯＸ１）ｍ１と同様である。
Ｙ３は、フッ素原子を有しない（ｇ３＋１）価の連結基である。ｇ３は、１以上の整数である。Ｙ３およびｇ３の定義および好適態様はそれぞれ、式（１）のＹ１およびｇ１と同様である。なお、Ｙ２とＹ３はそれぞれ独立に式（１）のＹ１と同様の基であり、両者は同一でなくてもよく、ｇ２とｇ３もまたそれぞれ独立に式（１）のｇ１と同様の整数であり、両者は同一でなくてもよい。
ｎ２およびｎ３はそれぞれ独立に、０～２の整数である。ｎ２およびｎ３の定義および好適態様は、式（１）のｎ１と同様である。
Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立に、１価の炭化水素基である。Ｒ２およびＲ３の定義および好適態様は、式（１）のＲ１と同様である。
Ｙ２は、フッ素原子を有しない（ｇ２＋１）価の連結基である。ｇ２は、１以上の整数である。Ｙ２およびｇ２の定義および好適態様はそれぞれ、式（１）のＹ１およびｇ１と同様である。
Ｒｆ３およびＲｆ４はそれぞれ独立に、－ＣＦ２－で表される基を有するフルオロアルキレン基である。Ｒｆ３およびＲｆ４の定義および好適態様は、式（１）のＲｆ２と同様である。
Ｘ２は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。ｍ２は、２以上の整数である。Ｘ２、ｍ２、（ＯＸ２）および（ＯＸ２）ｍ２の定義および好適態様はそれぞれ、式（１）のＸ１、ｍ１、（ＯＸ１）および（ＯＸ１）ｍ１と同様である。
Ｙ３は、フッ素原子を有しない（ｇ３＋１）価の連結基である。ｇ３は、１以上の整数である。Ｙ３およびｇ３の定義および好適態様はそれぞれ、式（１）のＹ１およびｇ１と同様である。なお、Ｙ２とＹ３はそれぞれ独立に式（１）のＹ１と同様の基であり、両者は同一でなくてもよく、ｇ２とｇ３もまたそれぞれ独立に式（１）のｇ１と同様の整数であり、両者は同一でなくてもよい。
ｎ２およびｎ３はそれぞれ独立に、０～２の整数である。ｎ２およびｎ３の定義および好適態様は、式（１）のｎ１と同様である。
【0087】
化合物（２）の好適な態様の一つとしては、［Ｌ２
３－ｎ２（Ｒ２）ｎ２Ｓｉ］ｇ２－Ｙ２－Ｒｆ３－と、－Ｒｆ４－Ｙ３－［Ｓｉ（Ｒ３）ｎ３Ｌ３
３－ｎ３］ｇ３と、が同一の基である態様が挙げられる。これにより、耐摩擦性および耐滑り性により優れた表面層を形成できる。
また、組成物（１）の好適な態様の一つとしては、化合物（１）の式（１）における－Ｒｆ２－Ｙ１－［Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］ｇ１と、化合物（２）の式（２）における［Ｌ２ ３－ｎ２（Ｒ２）ｎ２Ｓｉ］ｇ２－Ｙ２－Ｒｆ３－および－Ｒｆ４－Ｙ３－［Ｓｉ（Ｒ３）ｎ３Ｌ３ ３－ｎ３］ｇ３と、が同一の基である組み合わせの化合物（１）および化合物（２）を用いる態様が挙げられる。これにより、耐摩擦性および耐滑り性により優れた表面層を形成できる。
また、組成物（１）の好適な態様の一つとしては、化合物（１）の式（１）における－Ｒｆ２－Ｙ１－［Ｓｉ（Ｒ１）ｎ１Ｌ１ ３－ｎ１］ｇ１と、化合物（２）の式（２）における［Ｌ２ ３－ｎ２（Ｒ２）ｎ２Ｓｉ］ｇ２－Ｙ２－Ｒｆ３－および－Ｒｆ４－Ｙ３－［Ｓｉ（Ｒ３）ｎ３Ｌ３ ３－ｎ３］ｇ３と、が同一の基である組み合わせの化合物（１）および化合物（２）を用いる態様が挙げられる。これにより、耐摩擦性および耐滑り性により優れた表面層を形成できる。
【0088】
化合物（１）および化合物（２）の具体例としては、たとえば、下記の文献に記載のものが挙げられる。
特開平１１－０２９５８５号公報および特開２０００－３２７７７２号公報に記載のパーフルオロポリエーテル変性アミノシラン、
特許第２８７４７１５号公報に記載のケイ素含有有機含フッ素ポリマー、
特開２０００－１４４０９７号公報に記載の有機ケイ素化合物、
特表２００２－５０６８８７号公報に記載のフッ素化シロキサン、
特表２００８－５３４６９６号公報に記載の有機シリコーン化合物、
特許第４１３８９３６号公報に記載のフッ素化変性水素含有重合体、
米国特許出願公開第２０１０／０１２９６７２号明細書、国際公開第２０１４／１２６０６４号、特開２０１４－０７０１６３号公報に記載の化合物、
国際公開第２０１１／０６００４７号および国際公開第２０１１／０５９４３０号に記載のオルガノシリコン化合物、
国際公開第２０１２／０６４６４９号に記載の含フッ素オルガノシラン化合物、
特開２０１２－７２２７２号公報に記載のフルオロオキシアルキレン基含有ポリマー、 国際公開第２０１３／０４２７３２号、国際公開第２０１３／１２１９８４号、国際公開第２０１３／１２１９８５号、国際公開第２０１３／１２１９８６号、国際公開第２０１４／１６３００４号、特開２０１４－０８０４７３号公報、国際公開第２０１５／０８７９０２号、国際公開第２０１７／０３８８３０号、国際公開第２０１７／０３８８３２号、国際公開第２０１７／１８７７７５号、国際公開第２０１８／２１６６３０号、国際公開第２０１９／０３９１８６号、国際公開第２０１９／０３９２２６号、国際公開第２０１９／０３９３４１号、国際公開第２０１９／０４４４７９号、国際公開第２０１９／０４９７５３号、国際公開第２０１９／１６３２８２号および特開２０１９－０４４１５８号公報に記載の含フッ素エーテル化合物、
特開２０１４－２１８６３９号公報、国際公開第２０１７／０２２４３７号、国際公開第２０１８／０７９７４３号および国際公開第２０１８／１４３４３３号に記載のパーフルオロ（ポリ）エーテル含有シラン化合物、
国際公開第２０１８／１６９００２号に記載のパーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物、
国際公開第２０１９／１５１４４２号に記載のフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物、
国際公開第２０１９／１５１４４５号に記載の（ポリ）エーテル基含有シラン化合物、
国際公開第２０１９／０９８２３０号に記載のパーフルオロポリエーテル基含有化合物、
特開２０１５－１９９９０６号公報、特開２０１６－２０４６５６号公報、特開２０１６－２１０８５４号公報および特開２０１６－２２２８５９号公報に記載のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン、
国際公開第２０１９／０３９０８３号および国際公開第２０１９／０４９７５４号に記載の含フッ素化合物。
特開平１１－０２９５８５号公報および特開２０００－３２７７７２号公報に記載のパーフルオロポリエーテル変性アミノシラン、
特許第２８７４７１５号公報に記載のケイ素含有有機含フッ素ポリマー、
特開２０００－１４４０９７号公報に記載の有機ケイ素化合物、
特表２００２－５０６８８７号公報に記載のフッ素化シロキサン、
特表２００８－５３４６９６号公報に記載の有機シリコーン化合物、
特許第４１３８９３６号公報に記載のフッ素化変性水素含有重合体、
米国特許出願公開第２０１０／０１２９６７２号明細書、国際公開第２０１４／１２６０６４号、特開２０１４－０７０１６３号公報に記載の化合物、
国際公開第２０１１／０６００４７号および国際公開第２０１１／０５９４３０号に記載のオルガノシリコン化合物、
国際公開第２０１２／０６４６４９号に記載の含フッ素オルガノシラン化合物、
特開２０１２－７２２７２号公報に記載のフルオロオキシアルキレン基含有ポリマー、 国際公開第２０１３／０４２７３２号、国際公開第２０１３／１２１９８４号、国際公開第２０１３／１２１９８５号、国際公開第２０１３／１２１９８６号、国際公開第２０１４／１６３００４号、特開２０１４－０８０４７３号公報、国際公開第２０１５／０８７９０２号、国際公開第２０１７／０３８８３０号、国際公開第２０１７／０３８８３２号、国際公開第２０１７／１８７７７５号、国際公開第２０１８／２１６６３０号、国際公開第２０１９／０３９１８６号、国際公開第２０１９／０３９２２６号、国際公開第２０１９／０３９３４１号、国際公開第２０１９／０４４４７９号、国際公開第２０１９／０４９７５３号、国際公開第２０１９／１６３２８２号および特開２０１９－０４４１５８号公報に記載の含フッ素エーテル化合物、
特開２０１４－２１８６３９号公報、国際公開第２０１７／０２２４３７号、国際公開第２０１８／０７９７４３号および国際公開第２０１８／１４３４３３号に記載のパーフルオロ（ポリ）エーテル含有シラン化合物、
国際公開第２０１８／１６９００２号に記載のパーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物、
国際公開第２０１９／１５１４４２号に記載のフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物、
国際公開第２０１９／１５１４４５号に記載の（ポリ）エーテル基含有シラン化合物、
国際公開第２０１９／０９８２３０号に記載のパーフルオロポリエーテル基含有化合物、
特開２０１５－１９９９０６号公報、特開２０１６－２０４６５６号公報、特開２０１６－２１０８５４号公報および特開２０１６－２２２８５９号公報に記載のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン、
国際公開第２０１９／０３９０８３号および国際公開第２０１９／０４９７５４号に記載の含フッ素化合物。
【0089】
化合物（１）および化合物（２）の市販品としては、信越化学工業社製のＫＹ－１００シリーズ（ＫＹ－１７８、ＫＹ－１８５、ＫＹ－１９５等）、ＡＧＣ社製のＡｆｌｕｉｄ（登録商標）Ｓ５５０、ダイキン工業社製のオプツール（登録商標）ＤＳＸ、オプツール（登録商標）ＡＥＳ、オプツール（登録商標）ＵＦ５０３、オプツール（登録商標）ＵＤ５０９等が挙げられる。
【0090】
＜比１＞
比１は、式（１）のＲｆ２中の最もＹ１側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数（以下、「Ｍ１ＣＦ２」ともいう。）と、式（２）のＲｆ３中の最もＹ２側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数（以下、「Ｍ２ＣＦ２」ともいう。）と、式（２）のＲｆ４中の最もＹ３側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数（以下、「Ｍ３ＣＦ２」ともいう。）と、の合計モル数に対する、式（１）のＲｆ１中の－ＣＦ３で表される基のモル数の比［Ｍ１ＣＦ３／（Ｍ１ＣＦ２＋Ｍ２ＣＦ２＋Ｍ３ＣＦ２）］を意味し、その値は０．００１～０．１である。一般的に、Ｍ２ＣＦ２とＭ３ＣＦ２とは同じ値になる。
比１の下限値は、優れた耐摩擦性および耐滑り性を維持しつつ、撥水撥油性により優れた表面層が得られる点から、０．００３が好ましく、０．００５が特に好ましい。
比１の上限値は、優れた撥水撥油性を維持しつつ、耐摩擦性および耐滑り性により優れた表面層が得られる点から、０．０８が好ましく、０．０７が特に好ましい。
比１は、式（１）のＲｆ２中の最もＹ１側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数（以下、「Ｍ１ＣＦ２」ともいう。）と、式（２）のＲｆ３中の最もＹ２側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数（以下、「Ｍ２ＣＦ２」ともいう。）と、式（２）のＲｆ４中の最もＹ３側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数（以下、「Ｍ３ＣＦ２」ともいう。）と、の合計モル数に対する、式（１）のＲｆ１中の－ＣＦ３で表される基のモル数の比［Ｍ１ＣＦ３／（Ｍ１ＣＦ２＋Ｍ２ＣＦ２＋Ｍ３ＣＦ２）］を意味し、その値は０．００１～０．１である。一般的に、Ｍ２ＣＦ２とＭ３ＣＦ２とは同じ値になる。
比１の下限値は、優れた耐摩擦性および耐滑り性を維持しつつ、撥水撥油性により優れた表面層が得られる点から、０．００３が好ましく、０．００５が特に好ましい。
比１の上限値は、優れた撥水撥油性を維持しつつ、耐摩擦性および耐滑り性により優れた表面層が得られる点から、０．０８が好ましく、０．０７が特に好ましい。
【0091】
組成物（１）は、化合物（１）および化合物（２）をそれぞれ、２種以上含んでいてもよい。
組成物（１）が２種以上の化合物（１）を含む場合には、Ｍ１ＣＦ２は、２種以上の化合物（１）におけるＭ１ＣＦ２の合計モル数を意味し、Ｍ１ＣＦ３は、２種以上の化合物（１）におけるＭ１ＣＦ３の合計モル数を意味する。
組成物（１）が２種以上の化合物（２）を含む場合には、Ｍ２ＣＦ２は、２種以上の化合物（２）におけるＭ２ＣＦ２の合計モル数を意味し、Ｍ３ＣＦ２は、２種以上の化合物（２）におけるＭ３ＣＦ２の合計モル数を意味する。
組成物（１）が２種以上の化合物（１）を含む場合には、Ｍ１ＣＦ２は、２種以上の化合物（１）におけるＭ１ＣＦ２の合計モル数を意味し、Ｍ１ＣＦ３は、２種以上の化合物（１）におけるＭ１ＣＦ３の合計モル数を意味する。
組成物（１）が２種以上の化合物（２）を含む場合には、Ｍ２ＣＦ２は、２種以上の化合物（２）におけるＭ２ＣＦ２の合計モル数を意味し、Ｍ３ＣＦ２は、２種以上の化合物（２）におけるＭ３ＣＦ２の合計モル数を意味する。
【0092】
Ｍ１ＣＦ３およびＭ１ＣＦ２＋Ｍ２ＣＦ２＋Ｍ３ＣＦ２は、化合物（１）および化合物（２）を含む組成物（１）を用いた１９Ｆ－ＮＭＲによって求める。このようにして測定した値に基づいて、比１［Ｍ１ＣＦ３／（Ｍ１ＣＦ２＋Ｍ２ＣＦ２＋Ｍ３ＣＦ２）］を算出する。
具体例としては、下記の１９Ｆ－ＮＭＲのピークの積分値から比を算出する。
以下において、［ ］で示す基の代表的なピーク位置を示す。ただし、Ｄはアルキレン基またはＣＦ２側にカルボニル基（エステル基、アミド基であってもよい。）を持つアルキレン基である。Ｒｆは、ペルフルオロアルキレン基である。
［ＣＦ３］－Ｏ－ＣＦ２－ ： －５０～－６０ｐｐｍ
［ＣＦ３］－（ＣＦ２）ｎ－Ｏ－ＣＦ２－ ： －７０～－９０ｐｐｍ
Ｒｆ－Ｏ－［ＣＦ２］－Ｄ－ ： －７０～－９０ｐｐｍ
Ｒｆ－Ｏ－（ＣＦ２）ｎ－[ＣＦ２]－Ｄ－ ： －１１０～－１３５ｐｐｍ
具体例としては、下記の１９Ｆ－ＮＭＲのピークの積分値から比を算出する。
以下において、［ ］で示す基の代表的なピーク位置を示す。ただし、Ｄはアルキレン基またはＣＦ２側にカルボニル基（エステル基、アミド基であってもよい。）を持つアルキレン基である。Ｒｆは、ペルフルオロアルキレン基である。
［ＣＦ３］－Ｏ－ＣＦ２－ ： －５０～－６０ｐｐｍ
［ＣＦ３］－（ＣＦ２）ｎ－Ｏ－ＣＦ２－ ： －７０～－９０ｐｐｍ
Ｒｆ－Ｏ－［ＣＦ２］－Ｄ－ ： －７０～－９０ｐｐｍ
Ｒｆ－Ｏ－（ＣＦ２）ｎ－[ＣＦ２]－Ｄ－ ： －１１０～－１３５ｐｐｍ
【0093】
化合物（１）および化合物（２）の含有量の合計は、組成物（１）の全質量に対して、８０～１００質量％が好ましく、９０～１００質量％が好ましい。
【0094】
＜他の成分＞
組成物（１）は、液状媒体を含んでいてもよい。液状媒体の具体例としては、水、有機溶媒が挙げられる。
液状媒体は、有機溶媒を含むのが好ましく、塗工性に優れるという点から、沸点が３５～２５０℃の有機溶媒を含むのがより好ましい。ここで、沸点は、標準沸点を意味する。 有機溶媒の具体例としては、フッ素系有機溶媒および非フッ素系有機溶媒が挙げられ、溶解性に優れるという点で、フッ素系有機溶媒が好ましい。有機溶媒は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
組成物（１）は、液状媒体を含んでいてもよい。液状媒体の具体例としては、水、有機溶媒が挙げられる。
液状媒体は、有機溶媒を含むのが好ましく、塗工性に優れるという点から、沸点が３５～２５０℃の有機溶媒を含むのがより好ましい。ここで、沸点は、標準沸点を意味する。 有機溶媒の具体例としては、フッ素系有機溶媒および非フッ素系有機溶媒が挙げられ、溶解性に優れるという点で、フッ素系有機溶媒が好ましい。有機溶媒は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【0095】
フッ素系有機溶媒の具体例としては、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、フッ素化アルキルアミン、フルオロアルコールが挙げられる。
フッ素化アルカンは、炭素数４～８の化合物が好ましく、たとえば、Ｃ６Ｆ１３Ｈ（ＡＣ－２０００：製品名、ＡＧＣ社製）、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ５（ＡＣ－６０００：製品名、ＡＧＣ社製）、Ｃ２Ｆ５ＣＨＦＣＨＦＣＦ３（バートレル：製品名、デュポン社製）が挙げられる。
フッ素化芳香族化合物の具体例としては、ヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、１，４－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンが挙げられる。
フルオロアルキルエーテルは、炭素数４～１２の化合物が好ましく、たとえば、ＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ（ＡＥ－３０００：製品名、ＡＧＣ社製）、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３（ノベック－７１００：製品名、３Ｍ社製）、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（ノベック－７２００：製品名、３Ｍ社製）、Ｃ２Ｆ５ＣＦ（ＯＣＨ３）Ｃ３Ｆ７（ノベック－７３００：製品名、３Ｍ社製）が挙げられる。
フッ素化アルキルアミンの具体例としては、ペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミンが挙げられる。
フルオロアルコールの具体例としては、２，２，３，３－テトラフルオロプロパノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノールが挙げられる。
フッ素化アルカンは、炭素数４～８の化合物が好ましく、たとえば、Ｃ６Ｆ１３Ｈ（ＡＣ－２０００：製品名、ＡＧＣ社製）、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ５（ＡＣ－６０００：製品名、ＡＧＣ社製）、Ｃ２Ｆ５ＣＨＦＣＨＦＣＦ３（バートレル：製品名、デュポン社製）が挙げられる。
フッ素化芳香族化合物の具体例としては、ヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、１，４－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンが挙げられる。
フルオロアルキルエーテルは、炭素数４～１２の化合物が好ましく、たとえば、ＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ（ＡＥ－３０００：製品名、ＡＧＣ社製）、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３（ノベック－７１００：製品名、３Ｍ社製）、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５（ノベック－７２００：製品名、３Ｍ社製）、Ｃ２Ｆ５ＣＦ（ＯＣＨ３）Ｃ３Ｆ７（ノベック－７３００：製品名、３Ｍ社製）が挙げられる。
フッ素化アルキルアミンの具体例としては、ペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミンが挙げられる。
フルオロアルコールの具体例としては、２，２，３，３－テトラフルオロプロパノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノールが挙げられる。
【0096】
非フッ素系有機溶媒としては、水素原子および炭素原子のみからなる化合物、および、水素原子、炭素原子および酸素原子のみからなる化合物が好ましく、具体的には、炭化水素系有機溶媒、ケトン系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、エステル系有機溶媒、アルコール系有機溶媒が挙げられる。
炭化水素系有機溶媒の具体例としては、ヘキサン、へプタン、シクロヘキサンが挙げられる。
ケトン系有機溶媒の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。
エーテル系有機溶媒の具体例としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラエチレングリコールジメチルエーテルが挙げられる。
エステル系有機溶媒の具体例としては、酢酸エチル、酢酸ブチルが挙げられる。
アルコール系有機溶媒の具体例としては、イソプロピルアルコール、エタノール、ｎ－ブタノールが挙げられる。
炭化水素系有機溶媒の具体例としては、ヘキサン、へプタン、シクロヘキサンが挙げられる。
ケトン系有機溶媒の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。
エーテル系有機溶媒の具体例としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラエチレングリコールジメチルエーテルが挙げられる。
エステル系有機溶媒の具体例としては、酢酸エチル、酢酸ブチルが挙げられる。
アルコール系有機溶媒の具体例としては、イソプロピルアルコール、エタノール、ｎ－ブタノールが挙げられる。
【0097】
組成物（１）が液状媒体を含む場合、液状媒体の含有量は、組成物（１）の全質量に対して、７０～９９．９９質量％が好ましく、８０～９９．９質量％が特に好ましい。
【0098】
組成物（１）は、本発明の効果を損なわない範囲において、上記以外の成分を含んでいてもよい。
他の成分としては、化合物（１）および化合物（２）の製造工程で生成した副生物、未反応の原料等の製造上の不可避の化合物が挙げられる。
また、加水分解性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の添加剤が挙げられる。酸触媒の具体例としては、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、燐酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸が挙げられる。塩基性触媒の具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアが挙げられる。
他の成分の含有量は、化合物（１）および化合物（２）の合計量に対して、０～１０質量％が好ましく、０～５質量％がより好ましく、０～１質量％が特に好ましい。
他の成分としては、化合物（１）および化合物（２）の製造工程で生成した副生物、未反応の原料等の製造上の不可避の化合物が挙げられる。
また、加水分解性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の添加剤が挙げられる。酸触媒の具体例としては、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、燐酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸が挙げられる。塩基性触媒の具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアが挙げられる。
他の成分の含有量は、化合物（１）および化合物（２）の合計量に対して、０～１０質量％が好ましく、０～５質量％がより好ましく、０～１質量％が特に好ましい。
【0099】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態の組成物（以下、「組成物（２）」ともいう。）は、上記化合物（１）と、上記化合物（２）と、化合物（３）とを含み、式（１）のＲｆ２中の最もＹ１側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ３中の最もＹ２側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ４中の最もＹ３側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、の合計モル数に対する、式（１）のＲｆ１中の－ＣＦ３で表される基のモル数と、式（３）のＲｆ５中の－ＣＦ３で表される基のモル数と、式（３）のＲｆ６中の－ＣＦ３で表される基のモル数と、の合計モル数の比（以下、「比２」ともいう。）が、０．００１～０．１である。
本発明の第２実施形態の組成物（以下、「組成物（２）」ともいう。）は、上記化合物（１）と、上記化合物（２）と、化合物（３）とを含み、式（１）のＲｆ２中の最もＹ１側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ３中の最もＹ２側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、式（２）のＲｆ４中の最もＹ３側に位置する－ＣＦ２－で表される基のモル数と、の合計モル数に対する、式（１）のＲｆ１中の－ＣＦ３で表される基のモル数と、式（３）のＲｆ５中の－ＣＦ３で表される基のモル数と、式（３）のＲｆ６中の－ＣＦ３で表される基のモル数と、の合計モル数の比（以下、「比２」ともいう。）が、０．００１～０．１である。
【0100】
－ＣＦ３で表される基のモル数は、化合物（１）の一方の末端に位置する基のモル数と、化合物（３）の両末端に位置する基のモル数と、の合計を意味する。また、－ＣＦ２－で表される基のモル数の合計は、化合物（１）の一方の末端近傍に位置する基のモル数と、化合物（２）の両末端近傍に位置する基のモル数と、の合計を意味する。つまり、比２の値が小さければ、組成物中の化合物（２）の含有量が多くなることを意味し、比２の値が大きければ、組成物中の化合物（１）または化合物（３）の含有量が多くなることを意味する。
したがって、組成物（１）と同様の理由によって、上記比２を満たす組成物（２）を用いることで、耐摩擦性および耐滑り性に優れた表面層を形成できたと考えられる。
したがって、組成物（１）と同様の理由によって、上記比２を満たす組成物（２）を用いることで、耐摩擦性および耐滑り性に優れた表面層を形成できたと考えられる。
【0101】
組成物（２）は、化合物（３）を必須に含み、化合物（３）を含めた比を求めている点が、組成物（１）とは異なる。
以下においては、主として、第２実施形態で説明した組成物（１）と異なる点について説明する。
以下においては、主として、第２実施形態で説明した組成物（１）と異なる点について説明する。
【0102】
＜式（１）で表される化合物および式（２）で表される化合物＞
組成物（２）に含まれる化合物（１）および化合物（２）はそれぞれ、組成物（１）に含まれる化合物（１）および化合物（２）と同様である。
組成物（２）に含まれる化合物（１）および化合物（２）はそれぞれ、組成物（１）に含まれる化合物（１）および化合物（２）と同様である。
【0103】
＜式（３）で表される化合物＞
化合物（３）は、式（３）で表される含フッ素エーテル化合物である。
Ｒｆ５－（ＯＸ３）ｍ３－Ｏ－Ｒｆ６ （３）
化合物（３）は、式（３）で表される含フッ素エーテル化合物である。
Ｒｆ５－（ＯＸ３）ｍ３－Ｏ－Ｒｆ６ （３）
【0104】
Ｒｆ５およびＲｆ６はそれぞれ独立に、直鎖状ペルフルオロアルキル基である。Ｒｆ５およびＲｆ６の定義および好適態様は、式（１）のＲｆ１と同様である。特に、表面層の撥水撥油性がより優れる点から、Ｒｆ５およびＲｆ６はそれぞれ独立に、ＣＦ３－、ＣＦ３ＣＦ２－、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２－が好ましい。
Ｘ３は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。ｍ３は、２以上の整数である。Ｘ３、ｍ３、（ＯＸ３）および（ＯＸ３）ｍ３の定義および好適態様はそれぞれ、式（１）のＸ１、ｍ１、（ＯＸ１）および（ＯＸ１）ｍ１と同様である。
Ｘ３は、１個以上のフッ素原子を有するフルオロアルキレン基である。ｍ３は、２以上の整数である。Ｘ３、ｍ３、（ＯＸ３）および（ＯＸ３）ｍ３の定義および好適態様はそれぞれ、式（１）のＸ１、ｍ１、（ＯＸ１）および（ＯＸ１）ｍ１と同様である。
【0105】
化合物（３）の市販品としては、ソルベイ社製のＦｏｍｂｌｉｎＭ０３が挙げられる。
【0106】
＜比２＞
比２は、Ｍ１ＣＦ２、Ｍ２ＣＦ２およびＭ３ＣＦ２の合計モル数に対する、Ｍ１ＣＦ３、式（３）のＲｆ５中の－ＣＦ３で表される基のモル数（以下、「Ｍ２ＣＦ３」ともいう。）および式（３）のＲｆ６中の－ＣＦ３で表される基のモル数（以下、「Ｍ３ＣＦ３」ともいう。）の合計モル数の比［（Ｍ１ＣＦ３＋Ｍ２ＣＦ３＋Ｍ３ＣＦ３）／（Ｍ１ＣＦ２＋Ｍ２ＣＦ２＋Ｍ３ＣＦ２）］を意味し、その値は０．００１～０．１である。
比２の下限値は、優れた耐摩擦性および耐滑り性を維持しつつ、撥水撥油性により優れた表面層が得られる点から、０．００３が好ましく、０．００５が特に好ましい。
比２の上限値は、優れた撥水撥油性を維持しつつ、耐摩擦性および耐滑り性により優れた表面層が得られる点から、０．０８が好ましく、０．０７が特に好ましい。
比２は、Ｍ１ＣＦ２、Ｍ２ＣＦ２およびＭ３ＣＦ２の合計モル数に対する、Ｍ１ＣＦ３、式（３）のＲｆ５中の－ＣＦ３で表される基のモル数（以下、「Ｍ２ＣＦ３」ともいう。）および式（３）のＲｆ６中の－ＣＦ３で表される基のモル数（以下、「Ｍ３ＣＦ３」ともいう。）の合計モル数の比［（Ｍ１ＣＦ３＋Ｍ２ＣＦ３＋Ｍ３ＣＦ３）／（Ｍ１ＣＦ２＋Ｍ２ＣＦ２＋Ｍ３ＣＦ２）］を意味し、その値は０．００１～０．１である。
比２の下限値は、優れた耐摩擦性および耐滑り性を維持しつつ、撥水撥油性により優れた表面層が得られる点から、０．００３が好ましく、０．００５が特に好ましい。
比２の上限値は、優れた撥水撥油性を維持しつつ、耐摩擦性および耐滑り性により優れた表面層が得られる点から、０．０８が好ましく、０．０７が特に好ましい。
【0107】
組成物（２）は、化合物（１）～化合物（３）をそれぞれ、２種以上含んでいてもよい。
組成物（２）が２種以上の化合物（１）を含む場合におけるＭ１ＣＦおよびＭ１ＣＦ３の定義は、組成物（１）が２種以上の化合物（１）を含む場合の定義と同じである。
組成物（２）が２種以上の化合物（２）を含む場合におけるＭ２ＣＦ２およびＭ３ＣＦ２の定義は、組成物（１）が２種以上の化合物（２）を含む場合の定義と同じである。
組成物（３）が２種以上の化合物（３）を含む場合には、Ｍ２ＣＦ３は、２種以上の化合物（３）におけるＭ２ＣＦ３の合計モル数を意味し、Ｍ３ＣＦ３は、２種以上の化合物（３）におけるＭ３ＣＦ３の合計モル数を意味する。
組成物（２）が２種以上の化合物（１）を含む場合におけるＭ１ＣＦおよびＭ１ＣＦ３の定義は、組成物（１）が２種以上の化合物（１）を含む場合の定義と同じである。
組成物（２）が２種以上の化合物（２）を含む場合におけるＭ２ＣＦ２およびＭ３ＣＦ２の定義は、組成物（１）が２種以上の化合物（２）を含む場合の定義と同じである。
組成物（３）が２種以上の化合物（３）を含む場合には、Ｍ２ＣＦ３は、２種以上の化合物（３）におけるＭ２ＣＦ３の合計モル数を意味し、Ｍ３ＣＦ３は、２種以上の化合物（３）におけるＭ３ＣＦ３の合計モル数を意味する。
【0108】
Ｍ１ＣＦ３＋Ｍ２ＣＦ３＋Ｍ３ＣＦ３およびＭ１ＣＦ２＋Ｍ２ＣＦ２＋Ｍ３ＣＦ２は、化合物（１）～化合物（３）を含む組成物（２）を用いた１９Ｆ－ＮＭＲによって求める。このようにして測定した値に基づいて、比２［（Ｍ１ＣＦ３＋Ｍ２ＣＦ３＋Ｍ３ＣＦ３）／（Ｍ１ＣＦ２＋Ｍ２ＣＦ２＋Ｍ３ＣＦ２）］を算出する。
【0109】
化合物（１）～化合物（３）の含有量の合計は、組成物（２）の全質量に対して、５０～１００質量％が好ましく、８０～１００質量％が好ましい。
【0110】
＜他の成分＞
組成物（２）は、液状媒体を含んでいてもよい。組成物（２）における液状媒体の具体例および好適態様は、組成物（１）における液状媒体と同様である。
組成物（２）が液状媒体を含む場合、液状媒体の含有量は、組成物（２）の全質量に対して、７０～９９．９９質量％が好ましく、８０～９９．９質量％が特に好ましい。
組成物（２）は、液状媒体を含んでいてもよい。組成物（２）における液状媒体の具体例および好適態様は、組成物（１）における液状媒体と同様である。
組成物（２）が液状媒体を含む場合、液状媒体の含有量は、組成物（２）の全質量に対して、７０～９９．９９質量％が好ましく、８０～９９．９質量％が特に好ましい。
【0111】
組成物（２）は、本発明の効果を損なわない範囲において、上記以外の成分を含んでいてもよい。組成物（２）における他の成分の具体例および好適態様は、組成物（１）における他の成分と同様である。
他の成分の含有量は、化合物（１）～化合物（３）の合計量に対して、０～１０質量％が好ましく、０～５質量％がより好ましく、０～１質量％が特に好ましい。
他の成分の含有量は、化合物（１）～化合物（３）の合計量に対して、０～１０質量％が好ましく、０～５質量％がより好ましく、０～１質量％が特に好ましい。
【0112】
［物品］
本発明の物品は、基材と、基材上に上記組成物（１）または上記組成物（２）から形成されてなる表面層と、を有する。
本発明の物品は、基材と、基材上に上記組成物（１）または上記組成物（２）から形成されてなる表面層と、を有する。
【0113】
表面層には、化合物（１）および化合物（２）の加水分解反応および縮合反応によって得られる化合物が含まれる。
表面層の厚みは、１～１００ｎｍが好ましく、１～５０ｎｍが特に好ましい。表面層の厚みが下限値以上であれば、表面層による効果が充分に得られる。表面層の厚みが上記上限値以下であれば、利用効率が高い。
表面層の厚みは、薄膜解析用Ｘ線回折計を用いて、Ｘ線反射率法（ＸＲＲ）によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、この干渉パターンの振動周期から算出できる。
表面層の厚みは、１～１００ｎｍが好ましく、１～５０ｎｍが特に好ましい。表面層の厚みが下限値以上であれば、表面層による効果が充分に得られる。表面層の厚みが上記上限値以下であれば、利用効率が高い。
表面層の厚みは、薄膜解析用Ｘ線回折計を用いて、Ｘ線反射率法（ＸＲＲ）によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、この干渉パターンの振動周期から算出できる。
【0114】
基材は、他の物品（たとえば、スタイラス）や人の手指を接触させて使用することがある基材、操作時に人の手指で持つことがある基材、および／または、他の物品（たとえば、載置台）の上に置くことがある基材であって、撥水撥油性の付与が求められている基材であれば特に限定されない。基材の材料の具体例としては、金属、樹脂、ガラス、サファイア、セラミック、石、および、これらの複合材料が挙げられる。ガラスは化学強化されていてもよい。
基材としては、タッチパネル用基材およびディスプレイ基材が好ましく、タッチパネル用基材が特に好ましい。タッチパネル用基材は、透光性を有するのが好ましい。「透光性を有する」とは、ＪＩＳ Ｒ３１０６：１９９８（ＩＳＯ ９０５０：１９９０）に準じた垂直入射型可視光透過率が２５％以上であるのを意味する。タッチパネル用基材の材料としては、ガラスまたは透明樹脂が好ましい。
また、基材としては、携帯電話（たとえば、スマートフォン）、携帯情報端末、ゲーム機、リモコン等の機器における外装部分（表示部を除く）に使用する、ガラスおよび樹脂フィルムも好ましい。
基材としては、タッチパネル用基材およびディスプレイ基材が好ましく、タッチパネル用基材が特に好ましい。タッチパネル用基材は、透光性を有するのが好ましい。「透光性を有する」とは、ＪＩＳ Ｒ３１０６：１９９８（ＩＳＯ ９０５０：１９９０）に準じた垂直入射型可視光透過率が２５％以上であるのを意味する。タッチパネル用基材の材料としては、ガラスまたは透明樹脂が好ましい。
また、基材としては、携帯電話（たとえば、スマートフォン）、携帯情報端末、ゲーム機、リモコン等の機器における外装部分（表示部を除く）に使用する、ガラスおよび樹脂フィルムも好ましい。
【0115】
表面層は、基材の表面上に直接形成されてもよいし、基材の表面に形成された他の膜を介して基材上に形成されてもよい。上記他の膜の具体例としては、国際公開第２０１１／０１６４５８号の段落００８９～００９５に記載の化合物やＳｉＯ２等で基材を下地処理して、基材の表面に形成される下地膜が挙げられる。
【0116】
上記物品は、たとえば、下記の方法で製造できる。
・組成物（１）または組成物（２）を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、上記物品を得る方法。
・ウェットコーティング法によって液状媒体を含む組成物（１）または液状媒体を含む組成物（２）を基材の表面に塗布し、乾燥させて、上記物品を得る方法。
なお、ウェットコーティング法においては、化合物（１）および化合物（２）を酸触媒や塩基性触媒等を用いて予め加水分解しておき、加水分解した化合物と液状媒体とを含む組成物を使用することもできる。
・組成物（１）または組成物（２）を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、上記物品を得る方法。
・ウェットコーティング法によって液状媒体を含む組成物（１）または液状媒体を含む組成物（２）を基材の表面に塗布し、乾燥させて、上記物品を得る方法。
なお、ウェットコーティング法においては、化合物（１）および化合物（２）を酸触媒や塩基性触媒等を用いて予め加水分解しておき、加水分解した化合物と液状媒体とを含む組成物を使用することもできる。
【0117】
ドライコーティング法の具体例としては、真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法が挙げられる。これらの中でも、化合物（１）～（３）の分解を抑える点、および、装置の簡便さの点から、真空蒸着法が好適である。真空蒸着時には、鉄や鋼等の金属多孔体に組成物（１）または組成物（２）を含浸させたペレット状物質を使用してもよい。
ウェットコーティング法の具体例としては、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法が挙げられる。
ウェットコーティング法の具体例としては、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法が挙げられる。
【実施例】
【0118】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明する。ただし本発明はこれらの実施例に限定されない。なお、各成分の配合量は、質量基準を示す。例１～例３６のうち、例２～４、１０～１２、２３、２４、２６、２７、２９、３２は実施例であり、例１、５、６、９、１３、１７、２１、２２、２５、２８、３０、３１および３３は比較例である。また、例７、８、１４～１６、１８～２０、３４～３６は参考例である。
【0119】
〔評価方法〕
（比）
組成物を１９Ｆ－ＮＭＲによって分析して、組成物に含まれる含フッ素エーテル化合物についての上述した比１または比２を求めた。
（比）
組成物を１９Ｆ－ＮＭＲによって分析して、組成物に含まれる含フッ素エーテル化合物についての上述した比１または比２を求めた。
【0120】
（水接触角の測定方法）
表面層の表面に置いた約２μＬの蒸留水の接触角（水接触角）を、接触角測定装置（ＤＭ－５００：製品名、協和界面科学社製）を用いて測定した。表面層の表面における異なる５箇所で測定し、その平均値を算出して、初期接触角とした。接触角の算出には２θ法を用いた。判定基準を以下に示す。
○（良） ：初期接触角が１００度以上である。
×（不良）：初期接触角が１００度未満である。
表面層の表面に置いた約２μＬの蒸留水の接触角（水接触角）を、接触角測定装置（ＤＭ－５００：製品名、協和界面科学社製）を用いて測定した。表面層の表面における異なる５箇所で測定し、その平均値を算出して、初期接触角とした。接触角の算出には２θ法を用いた。判定基準を以下に示す。
○（良） ：初期接触角が１００度以上である。
×（不良）：初期接触角が１００度未満である。
【0121】
（耐摩擦性の試験方法）
表面層について、ＪＩＳ Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ １０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、セルロース製不織布（ベンコットＭ－３：製品名、旭化成社製）を荷重：１ｋｇ、速度：３２０ｃｍ／分で１万回往復させた後、水接触角を測定した。判定基準を以下に示す。なお、摩擦後の水接触角の低下が小さいほど摩擦による性能の低下が小さく、耐摩擦性に優れる。
◎（優） ：１万回往復後の水接触角の低下が１０度以下である。
○（良） ：１万回往復後の水接触角の低下が１０度超１５度以下である。
×（不良）：１万回往復後の水接触角の低下が１５度超である。
表面層について、ＪＩＳ Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ １０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、セルロース製不織布（ベンコットＭ－３：製品名、旭化成社製）を荷重：１ｋｇ、速度：３２０ｃｍ／分で１万回往復させた後、水接触角を測定した。判定基準を以下に示す。なお、摩擦後の水接触角の低下が小さいほど摩擦による性能の低下が小さく、耐摩擦性に優れる。
◎（優） ：１万回往復後の水接触角の低下が１０度以下である。
○（良） ：１万回往復後の水接触角の低下が１０度超１５度以下である。
×（不良）：１万回往復後の水接触角の低下が１５度超である。
【0122】
（耐滑り性の試験方法）
表面が水平に保持された全自動接触角計（ＤＭｏ－７０１：製品名、協和界面化学社製）を準備した。ポリエチレンシート（硬質ポリエチレンシート（高密度ポリエチレン）：製品名、株式会社ハギテック社製）の表面（水平面）上に、表面層の表面が接するように物品（表面層付き基材）を載置した後、全自動接触角計を用いて徐々に傾けて、物品が滑落し始めたときの表面層の表面と、水平面と、のなす角度（滑落角）を測定した。判定基準を以下に示す。なお、物品とポリエチレンシートのとの接触面積は６ｃｍ×６ｃｍ、物品には荷重を０．９８Ｎ与えた条件で測定を行った。
◎（良） ：滑落角が５度以上である。
○（可） ：滑落角が２度以上５度未満である。
×（不良）：滑落角が２度未満である。
表面が水平に保持された全自動接触角計（ＤＭｏ－７０１：製品名、協和界面化学社製）を準備した。ポリエチレンシート（硬質ポリエチレンシート（高密度ポリエチレン）：製品名、株式会社ハギテック社製）の表面（水平面）上に、表面層の表面が接するように物品（表面層付き基材）を載置した後、全自動接触角計を用いて徐々に傾けて、物品が滑落し始めたときの表面層の表面と、水平面と、のなす角度（滑落角）を測定した。判定基準を以下に示す。なお、物品とポリエチレンシートのとの接触面積は６ｃｍ×６ｃｍ、物品には荷重を０．９８Ｎ与えた条件で測定を行った。
◎（良） ：滑落角が５度以上である。
○（可） ：滑落角が２度以上５度未満である。
×（不良）：滑落角が２度未満である。
【0123】
［合成例１］
化合物（１－Ａ）および化合物（２－Ａ）を含む混合物ＣＢ－１ａ、ＣＢ－１ｂ、ＣＢ－１ｃ、ＣＢ－１ｄを以下の手順にて合成した。
化合物（１－Ａ）および化合物（２－Ａ）を含む混合物ＣＢ－１ａ、ＣＢ－１ｂ、ＣＢ－１ｃ、ＣＢ－１ｄを以下の手順にて合成した。
【0124】
（合成例１－１）
国際公開第２０１３－１２１９８４号の実施例の例１－１に記載の方法にしたがって化合物（Ｘ１－１）を得た。
ＣＦ２＝ＣＦＯ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ （Ｘ１－１）
国際公開第２０１３－１２１９８４号の実施例の例１－１に記載の方法にしたがって化合物（Ｘ１－１）を得た。
ＣＦ２＝ＣＦＯ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ （Ｘ１－１）
【0125】
（合成例１－２）
１００ｍＬのステンレス製反応器に、合成例１－１で得た化合物（Ｘ１－１）の１０ｇを入れ、１７５℃で２００時間攪拌した。得られた有機相を濃縮し、化合物（Ｘ１－２）の６ｇを得た。
１００ｍＬのステンレス製反応器に、合成例１－１で得た化合物（Ｘ１－１）の１０ｇを入れ、１７５℃で２００時間攪拌した。得られた有機相を濃縮し、化合物（Ｘ１－２）の６ｇを得た。
【0126】
【化9】
【0127】
化合物（Ｘ１－２）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：４．１（４Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８０（２Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－１２３（４Ｆ）、－１２６（４Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３７（１Ｆ）、－１３９（１Ｆ）
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：４．１（４Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８０（２Ｆ）、－８５（２Ｆ）、－１２３（４Ｆ）、－１２６（４Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３７（１Ｆ）、－１３９（１Ｆ）
【0128】
（合成例１－３）
２００ｍＬのナスフラスコに、合成例１－２で得た化合物（Ｘ１－２）の５ｇ、炭酸カリウムの１．２ｇを入れ、１２０℃で攪拌し、化合物（Ｘ１－１）を２５ｇ加えて１２０℃で２時間攪拌した。２５℃に戻し、ＡＣ－２０００（製品名、ＡＧＣ社製、Ｃ６Ｆ１３Ｈ）および塩酸をそれぞれ３０ｇ入れ、分液し、有機相を濃縮した。得られた反応粗液をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物（Ｘ１－３）の２１ｇ（収率７０％）を得た。
２００ｍＬのナスフラスコに、合成例１－２で得た化合物（Ｘ１－２）の５ｇ、炭酸カリウムの１．２ｇを入れ、１２０℃で攪拌し、化合物（Ｘ１－１）を２５ｇ加えて１２０℃で２時間攪拌した。２５℃に戻し、ＡＣ－２０００（製品名、ＡＧＣ社製、Ｃ６Ｆ１３Ｈ）および塩酸をそれぞれ３０ｇ入れ、分液し、有機相を濃縮した。得られた反応粗液をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物（Ｘ１－３）の２１ｇ（収率７０％）を得た。
【0129】
【化10】
【0130】
化合物（Ｘ１－３）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：６．０（１０Ｈ）、４．６（２０Ｈ）、４．１（４Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８０（２Ｆ）、－８５（２２Ｆ）、－９１（２０Ｆ）、－１２０（２０Ｆ）、－１２３（４Ｆ）、－１２６（２４Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３７（１Ｆ）、－１３９（１Ｆ）、－１４４（１０Ｆ）
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：６．０（１０Ｈ）、４．６（２０Ｈ）、４．１（４Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８０（２Ｆ）、－８５（２２Ｆ）、－９１（２０Ｆ）、－１２０（２０Ｆ）、－１２３（４Ｆ）、－１２６（２４Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３７（１Ｆ）、－１３９（１Ｆ）、－１４４（１０Ｆ）
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
【0131】
（合成例１－４）
還流冷却器を接続した５０ｍＬのナスフラスコに、合成例１－３で得た化合物（Ｘ１－３）の２０ｇ、フッ化ナトリウムの粉末７．１ｇ、ＡＣ－２０００の２０ｇ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＦの２０ｇを加えた。窒素雰囲気下、５０℃で２４時間攪拌した。室温に冷却した後、加圧ろ過機でフッ化ナトリウム粉末を除去した後、過剰のＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＦとＡＣ－２０００を減圧留去し、化合物（Ｘ１－４）の２４ｇ（収率１００％）を得た。
還流冷却器を接続した５０ｍＬのナスフラスコに、合成例１－３で得た化合物（Ｘ１－３）の２０ｇ、フッ化ナトリウムの粉末７．１ｇ、ＡＣ－２０００の２０ｇ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＦの２０ｇを加えた。窒素雰囲気下、５０℃で２４時間攪拌した。室温に冷却した後、加圧ろ過機でフッ化ナトリウム粉末を除去した後、過剰のＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＦとＡＣ－２０００を減圧留去し、化合物（Ｘ１－４）の２４ｇ（収率１００％）を得た。
【0132】
【化11】
【0133】
化合物（Ｘ１－４）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：６．０（１０Ｈ）、５．０（４Ｈ）、４．６（２０Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－７９（４Ｆ）、－８０（２Ｆ）、－８１（６Ｆ）、－８２（６Ｆ）、－８５（２２Ｆ）、－９１（２０Ｆ）、－１１９（４Ｆ）、－１２０（２０Ｆ）、－１２６（２４Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１２９（４Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３７（１Ｆ）、－１３９（１Ｆ）、－１４４（１０Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：６．０（１０Ｈ）、５．０（４Ｈ）、４．６（２０Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－７９（４Ｆ）、－８０（２Ｆ）、－８１（６Ｆ）、－８２（６Ｆ）、－８５（２２Ｆ）、－９１（２０Ｆ）、－１１９（４Ｆ）、－１２０（２０Ｆ）、－１２６（２４Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１２９（４Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３７（１Ｆ）、－１３９（１Ｆ）、－１４４（１０Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
【0134】
（合成例１－５）
５００ｍＬのニッケル製反応器に、ＣｌＣＦ２ＣＦＣｌＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｃｌ（以下、「ＣＦＥ－４１９」と記す。）の２５０ｍＬを入れ、窒素ガスをバブリングした。酸素ガス濃度が充分に下がった後、窒素ガスで希釈された２０体積％のフッ素ガスを１時間バブリングした。合成例１－４で得た化合物（Ｘ１－４）のＣＦＥ－４１９溶液（濃度：１０％、化合物（Ｘ１－４）：２０ｇ）を３時間かけて投入した。フッ素ガスの導入速度（ｍｏｌ／時間）と化合物（Ｘ１－４）中の水素原子の導入速度（ｍｏｌ／時間）との比は２：１になるように制御した。化合物（Ｘ１－４）の投入が終わった後、ベンゼンのＣＦＥ－４１９溶液（濃度：０．１％、ベンゼン：０．１ｇ）を断続的に投入した。ベンゼンの投入が終わった後、フッ素ガスを１時間バブリングし、最後に窒素ガスで反応器内を充分に置換した。溶媒を留去し、化合物（Ｘ１－５）を主成分とする混合物の２１ｇ（収率９０％）を得た。
５００ｍＬのニッケル製反応器に、ＣｌＣＦ２ＣＦＣｌＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｃｌ（以下、「ＣＦＥ－４１９」と記す。）の２５０ｍＬを入れ、窒素ガスをバブリングした。酸素ガス濃度が充分に下がった後、窒素ガスで希釈された２０体積％のフッ素ガスを１時間バブリングした。合成例１－４で得た化合物（Ｘ１－４）のＣＦＥ－４１９溶液（濃度：１０％、化合物（Ｘ１－４）：２０ｇ）を３時間かけて投入した。フッ素ガスの導入速度（ｍｏｌ／時間）と化合物（Ｘ１－４）中の水素原子の導入速度（ｍｏｌ／時間）との比は２：１になるように制御した。化合物（Ｘ１－４）の投入が終わった後、ベンゼンのＣＦＥ－４１９溶液（濃度：０．１％、ベンゼン：０．１ｇ）を断続的に投入した。ベンゼンの投入が終わった後、フッ素ガスを１時間バブリングし、最後に窒素ガスで反応器内を充分に置換した。溶媒を留去し、化合物（Ｘ１－５）を主成分とする混合物の２１ｇ（収率９０％）を得た。
【0135】
【化12】
【0136】
化合物（Ｘ１－５）のＮＭＲスペクトル；
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－７９（４Ｆ）、－８０（２Ｆ）、－８１（６Ｆ）、－８２（６Ｆ）、－８３（４６Ｆ）、－８７（４０Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１２９（４Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３７（１Ｆ）、－１３９（１Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－７９（４Ｆ）、－８０（２Ｆ）、－８１（６Ｆ）、－８２（６Ｆ）、－８３（４６Ｆ）、－８７（４０Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１２９（４Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３７（１Ｆ）、－１３９（１Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
【0137】
（合成例１－６）
５０ｍＬのナスフラスコに、合成例１－５で得た化合物（Ｘ１－５）を主成分とする混合物の２０ｇ、フッ化ナトリウムの１．８ｇ、ＡＣ－２０００の２０ｍＬを入れ、氷浴中で撹拌した。メタノールの１．４ｇを入れ、２５℃で１時間撹拌した。ろ過した後、ろ液をカラムクロマトグラフィにて精製した。化合物（Ｘ１－６）を主成分とする混合物の１４ｇ（収率８０％）を得た。
５０ｍＬのナスフラスコに、合成例１－５で得た化合物（Ｘ１－５）を主成分とする混合物の２０ｇ、フッ化ナトリウムの１．８ｇ、ＡＣ－２０００の２０ｍＬを入れ、氷浴中で撹拌した。メタノールの１．４ｇを入れ、２５℃で１時間撹拌した。ろ過した後、ろ液をカラムクロマトグラフィにて精製した。化合物（Ｘ１－６）を主成分とする混合物の１４ｇ（収率８０％）を得た。
【0138】
【化13】
【0139】
化合物（Ｘ１－６）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：４．２（６Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８０（２Ｆ）、－８３（４２Ｆ）、－８７（４０Ｆ）、－１１９（４Ｆ）、－１２４（４４Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３７（１Ｆ）、－１３９（１Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：４．２（６Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８０（２Ｆ）、－８３（４２Ｆ）、－８７（４０Ｆ）、－１１９（４Ｆ）、－１２４（４４Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３７（１Ｆ）、－１３９（１Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
【0140】
（合成例１－７）
５０ｍＬのナスフラスコに、合成例１－６で得た化合物（Ｘ１－６）を主成分とする混合物の１２ｇ、Ｈ２ＮＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３の１．５ｇ、ＡＣ－２０００の１２ｍＬを入れ、０℃で２４時間撹拌した。反応粗液をカラムクロマトグラフィにて精製し、目的物が含まれる留分３種にわけた。そのうち化合物（Ｘ１－７）は合わせて９ｇ（収率７０％）得た。３種のそれぞれの留分を（Ｃ１－７ａ）、（Ｃ１－７ｂ）、（Ｃ１－７ｃ）とし、（Ｃ１－７ｃ）の留分の一部をさらにカラムクロマトグラフィにて精製し（Ｃ１－７ｄ）を得た。
留分（Ｃ１－７ａ）～（Ｃ１－７ｄ）には、化合物（Ｘ１－７）および化合物（Ｘ１－８）が含まれていた。そして、各留分を用いて１９Ｆ－ＮＭＲによって、上記比１に相当する比（ＣＦ３／ＣＦ２）を求めた。なお、比におけるＣＦ３は、化合物（Ｘ１－８）の一方の末端にある－ＣＦ３基（式中の点線枠内の－ＣＦ３基）のモル数を意味し、１９Ｆ-ＮＭＲでは－８５～－８７ｐｐｍに観測される。また、比におけるＣＦ２は、化合物（Ｘ１－８）の一方の末端近傍にある－ＣＦ２－基（式中の点線枠内の－ＣＦ２－基）と、化合物（Ｘ１－７）の両末端の近傍にある－ＣＦ２－基（式中の点線枠内の－ＣＦ２－基）と、の合計モル数を意味し、１９Ｆ-ＮＭＲでは－１２０ｐｐｍに観測される。
留分（Ｃ１－７ａ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．１２
留分（Ｃ１－７ｂ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．０８
留分（Ｃ１－７ｃ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．０６
留分（Ｃ１－７ｄ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．００２
５０ｍＬのナスフラスコに、合成例１－６で得た化合物（Ｘ１－６）を主成分とする混合物の１２ｇ、Ｈ２ＮＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３の１．５ｇ、ＡＣ－２０００の１２ｍＬを入れ、０℃で２４時間撹拌した。反応粗液をカラムクロマトグラフィにて精製し、目的物が含まれる留分３種にわけた。そのうち化合物（Ｘ１－７）は合わせて９ｇ（収率７０％）得た。３種のそれぞれの留分を（Ｃ１－７ａ）、（Ｃ１－７ｂ）、（Ｃ１－７ｃ）とし、（Ｃ１－７ｃ）の留分の一部をさらにカラムクロマトグラフィにて精製し（Ｃ１－７ｄ）を得た。
留分（Ｃ１－７ａ）～（Ｃ１－７ｄ）には、化合物（Ｘ１－７）および化合物（Ｘ１－８）が含まれていた。そして、各留分を用いて１９Ｆ－ＮＭＲによって、上記比１に相当する比（ＣＦ３／ＣＦ２）を求めた。なお、比におけるＣＦ３は、化合物（Ｘ１－８）の一方の末端にある－ＣＦ３基（式中の点線枠内の－ＣＦ３基）のモル数を意味し、１９Ｆ-ＮＭＲでは－８５～－８７ｐｐｍに観測される。また、比におけるＣＦ２は、化合物（Ｘ１－８）の一方の末端近傍にある－ＣＦ２－基（式中の点線枠内の－ＣＦ２－基）と、化合物（Ｘ１－７）の両末端の近傍にある－ＣＦ２－基（式中の点線枠内の－ＣＦ２－基）と、の合計モル数を意味し、１９Ｆ-ＮＭＲでは－１２０ｐｐｍに観測される。
留分（Ｃ１－７ａ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．１２
留分（Ｃ１－７ｂ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．０８
留分（Ｃ１－７ｃ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．０６
留分（Ｃ１－７ｄ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．００２
【0141】
【化14】
【0142】
化合物（Ｘ１－７）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：６．１（６Ｈ）、５．２（１２Ｈ）、３．４（４Ｈ）、２．１（１２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８０（２Ｆ）、－８３（４２Ｆ）、－８７（４０Ｆ）、－１２０（４Ｆ）、－１２４（４４Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３７（１Ｆ）、－１３９（１Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：６．１（６Ｈ）、５．２（１２Ｈ）、３．４（４Ｈ）、２．１（１２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８０（２Ｆ）、－８３（４２Ｆ）、－８７（４０Ｆ）、－１２０（４Ｆ）、－１２４（４４Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３７（１Ｆ）、－１３９（１Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
【0143】
【化15】
【0144】
（合成例１－８）
５０ｍＬのナスフラスコに、合成例１－７で得た留分（Ｃ１－７ａ）の１ｇ、トリメトキシシランの０．２１ｇ、アニリンの０．００１ｇ、ＡＣ－６０００（製品名、ＡＧＣ社製、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ５）の１．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．００３３ｇを入れ、２５℃で一晩攪拌した。溶媒等を減圧留去し、化合物（２－Ａ）を含む混合物（ＣＢ－１ａ）の１．２ｇ（収率１００％）を得た。
また、留分（Ｃ１－７ａ）の代わりに、留分（Ｃ１－７ｂ）、（Ｃ１－７ｃ）または（Ｃ１－７ｄ）を用いた以外は、混合物（ＣＢ－１ａ）の製造と同様にして、混合物（ＣＢ－１ｂ）、（ＣＢ－１ｃ）および（ＣＢ－１ｄ）を得た。
なお、各混合物には、化合物（１－Ａ）および化合物（２－Ａ）が含まれていた。
各混合物を用いて、１９Ｆ－ＮＭＲによって合成例１－７と同様の手法で比１を求めた。式中の点線枠内の基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基である。
混合物（ＣＢ－１ａ）における比１＝０．１２
混合物（ＣＢ－１ｂ）における比１＝０．０８
混合物（ＣＢ－１ｃ）における比１＝０．０６
混合物（ＣＢ－１ｄ）における比１＝０．００２
５０ｍＬのナスフラスコに、合成例１－７で得た留分（Ｃ１－７ａ）の１ｇ、トリメトキシシランの０．２１ｇ、アニリンの０．００１ｇ、ＡＣ－６０００（製品名、ＡＧＣ社製、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ５）の１．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．００３３ｇを入れ、２５℃で一晩攪拌した。溶媒等を減圧留去し、化合物（２－Ａ）を含む混合物（ＣＢ－１ａ）の１．２ｇ（収率１００％）を得た。
また、留分（Ｃ１－７ａ）の代わりに、留分（Ｃ１－７ｂ）、（Ｃ１－７ｃ）または（Ｃ１－７ｄ）を用いた以外は、混合物（ＣＢ－１ａ）の製造と同様にして、混合物（ＣＢ－１ｂ）、（ＣＢ－１ｃ）および（ＣＢ－１ｄ）を得た。
なお、各混合物には、化合物（１－Ａ）および化合物（２－Ａ）が含まれていた。
各混合物を用いて、１９Ｆ－ＮＭＲによって合成例１－７と同様の手法で比１を求めた。式中の点線枠内の基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基である。
混合物（ＣＢ－１ａ）における比１＝０．１２
混合物（ＣＢ－１ｂ）における比１＝０．０８
混合物（ＣＢ－１ｃ）における比１＝０．０６
混合物（ＣＢ－１ｄ）における比１＝０．００２
【0145】
【化16】
【0146】
【化17】
【0147】
化合物（２－Ａ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：３．６（５４Ｈ）、３．４（４Ｈ）、１．３（２４Ｈ）、０．９（１２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８０（２Ｆ）、－８３（４２Ｆ）、－８７（４０Ｆ）、－１２０（４Ｆ）、－１２４（４４Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３７（１Ｆ）、－１３９（１Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：３．６（５４Ｈ）、３．４（４Ｈ）、１．３（２４Ｈ）、０．９（１２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８０（２Ｆ）、－８３（４２Ｆ）、－８７（４０Ｆ）、－１２０（４Ｆ）、－１２４（４４Ｆ）、－１２８（２Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１３７（１Ｆ）、－１３９（１Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
【0148】
［合成例２］
合成例１－７で使用したＨ２ＮＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３をＨ２ＮＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）２に変更した以外は、合成例１－１～１－８と同様にして、混合物（ＣＢ－２ａ）～（ＣＢ－２ｄ）を得た。
なお、各混合物には、化合物（１－Ｂ）および化合物（２－Ｂ）が含まれていた。各混合物を用いて、１９Ｆ－ＮＭＲによって合成例１－７と同様の手法で比１を求めた。式中の点線枠内の基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基である。
混合物（ＣＢ－２ａ）における比１＝０．１７
混合物（ＣＢ－２ｂ）における比１＝０．１１
混合物（ＣＢ－２ｃ）における比１＝０．０４
混合物（ＣＢ－２ｄ）における比１＝０．００１
合成例１－７で使用したＨ２ＮＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３をＨ２ＮＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）２に変更した以外は、合成例１－１～１－８と同様にして、混合物（ＣＢ－２ａ）～（ＣＢ－２ｄ）を得た。
なお、各混合物には、化合物（１－Ｂ）および化合物（２－Ｂ）が含まれていた。各混合物を用いて、１９Ｆ－ＮＭＲによって合成例１－７と同様の手法で比１を求めた。式中の点線枠内の基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基である。
混合物（ＣＢ－２ａ）における比１＝０．１７
混合物（ＣＢ－２ｂ）における比１＝０．１１
混合物（ＣＢ－２ｃ）における比１＝０．０４
混合物（ＣＢ－２ｄ）における比１＝０．００１
【0149】
【化18】
【0150】
【化19】
【0151】
［合成例３］
化合物（１－Ｃ）および化合物（２－Ｃ）を含む混合物（ＣＣ－１ａ）、（ＣＣ－１ｂ）、（ＣＣ－１ｃ）、（ＣＣ－１ｄ）を以下の手順にて合成した。
化合物（１－Ｃ）および化合物（２－Ｃ）を含む混合物（ＣＣ－１ａ）、（ＣＣ－１ｂ）、（ＣＣ－１ｃ）、（ＣＣ－１ｄ）を以下の手順にて合成した。
【0152】
（合成例３－１）
２００ｍＬのナスフラスコに、ＨＯ－ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－ＯＨの１６．２ｇ、炭酸カリウムの１３．８ｇを入れ、１２０℃で攪拌し、化合物（Ｘ１－１）の２７８ｇを加えて１２０℃で２時間攪拌した。２５℃に戻し、ＡＣ－２０００および塩酸をそれぞれ５０ｇ入れ、分液し、有機相を濃縮した。得られた反応粗液をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物（Ｘ３－１）の１１７．７ｇ（収率４０％）を得た。
２００ｍＬのナスフラスコに、ＨＯ－ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２－ＯＨの１６．２ｇ、炭酸カリウムの１３．８ｇを入れ、１２０℃で攪拌し、化合物（Ｘ１－１）の２７８ｇを加えて１２０℃で２時間攪拌した。２５℃に戻し、ＡＣ－２０００および塩酸をそれぞれ５０ｇ入れ、分液し、有機相を濃縮した。得られた反応粗液をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物（Ｘ３－１）の１１７．７ｇ（収率４０％）を得た。
【0153】
【化20】
【0154】
化合物（Ｘ３－１）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：６．０（１２Ｈ）、４．６（２０Ｈ）、４．２（４Ｈ）、４．１（４Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８５（２４Ｆ）、－９０（２４Ｆ）、－１２０（２０Ｆ）、－１２２（４Ｆ）、－１２３（４Ｆ）、－１２６（２４Ｆ）、－１４４（１２Ｆ）
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：６．０（１２Ｈ）、４．６（２０Ｈ）、４．２（４Ｈ）、４．１（４Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８５（２４Ｆ）、－９０（２４Ｆ）、－１２０（２０Ｆ）、－１２２（４Ｆ）、－１２３（４Ｆ）、－１２６（２４Ｆ）、－１４４（１２Ｆ）
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
【0155】
（合成例３－２）
還流冷却器を接続した５０ｍＬのナスフラスコに、合成例３－１で得た化合物（Ｘ３－１）の２０ｇ、フッ化ナトリウムの粉末２．４ｇ、ＡＣ－２０００の２０ｇ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＦの１８．８ｇを加えた。窒素雰囲気下、５０℃で２４時間攪拌した。室温に冷却した後、加圧ろ過機でフッ化ナトリウム粉末を除去した後、過剰のＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＦとＡＣ－２０００を減圧留去し、化合物（Ｘ３－２）の２４ｇ（収率１００％）を得た。
還流冷却器を接続した５０ｍＬのナスフラスコに、合成例３－１で得た化合物（Ｘ３－１）の２０ｇ、フッ化ナトリウムの粉末２．４ｇ、ＡＣ－２０００の２０ｇ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＦの１８．８ｇを加えた。窒素雰囲気下、５０℃で２４時間攪拌した。室温に冷却した後、加圧ろ過機でフッ化ナトリウム粉末を除去した後、過剰のＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＦとＡＣ－２０００を減圧留去し、化合物（Ｘ３－２）の２４ｇ（収率１００％）を得た。
【0156】
【化21】
【0157】
化合物（Ｘ３－２）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：６．０（１２Ｈ）、５．０（４Ｈ）、４．６（２０Ｈ）、４．２（４Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－７９（４Ｆ）、－８１（６Ｆ）、－８２（６Ｆ）、－８５（２４Ｆ）、－９０（２４Ｆ）、－１１９（４Ｆ）、－１２０（２０Ｆ）、－１２２（４Ｆ）、－１２６（２４Ｆ）、－１２９（４Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１４４（１２Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：６．０（１２Ｈ）、５．０（４Ｈ）、４．６（２０Ｈ）、４．２（４Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－７９（４Ｆ）、－８１（６Ｆ）、－８２（６Ｆ）、－８５（２４Ｆ）、－９０（２４Ｆ）、－１１９（４Ｆ）、－１２０（２０Ｆ）、－１２２（４Ｆ）、－１２６（２４Ｆ）、－１２９（４Ｆ）、－１３１（２Ｆ）、－１４４（１２Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
【0158】
（合成例３－３）
５００ｍＬのニッケル製反応器に、ＣＦＥ－４１９の２５０ｍＬを入れ、窒素ガスをバブリングした。酸素ガス濃度が充分に下がった後、窒素ガスで希釈された２０体積％のフッ素ガスを１時間バブリングした。合成例３－２で得た化合物（Ｘ３－２）のＣＦＥ－４１９溶液（濃度：１０質量％、化合物（Ｘ３－２）：２４ｇ）を６時間かけて投入した。フッ素ガスの導入速度（ｍｏｌ／時間）と化合物（Ｘ３－２）中の水素原子の導入速度（ｍｏｌ／時間）との比は２：１になるように制御した。化合物（Ｘ３－２）の投入が終わった後、ベンゼンのＣＦＥ－４１９溶液（濃度：０．１質量％、ベンゼン：０．１ｇ）を断続的に投入した。ベンゼンの投入が終わった後、フッ素ガスを１時間バブリングし、最後に窒素ガスで反応器内を充分に置換した。溶媒を留去し、化合物（Ｘ３－３）を主成分とする混合物の２５．３ｇ（収率９０％）を得た。
５００ｍＬのニッケル製反応器に、ＣＦＥ－４１９の２５０ｍＬを入れ、窒素ガスをバブリングした。酸素ガス濃度が充分に下がった後、窒素ガスで希釈された２０体積％のフッ素ガスを１時間バブリングした。合成例３－２で得た化合物（Ｘ３－２）のＣＦＥ－４１９溶液（濃度：１０質量％、化合物（Ｘ３－２）：２４ｇ）を６時間かけて投入した。フッ素ガスの導入速度（ｍｏｌ／時間）と化合物（Ｘ３－２）中の水素原子の導入速度（ｍｏｌ／時間）との比は２：１になるように制御した。化合物（Ｘ３－２）の投入が終わった後、ベンゼンのＣＦＥ－４１９溶液（濃度：０．１質量％、ベンゼン：０．１ｇ）を断続的に投入した。ベンゼンの投入が終わった後、フッ素ガスを１時間バブリングし、最後に窒素ガスで反応器内を充分に置換した。溶媒を留去し、化合物（Ｘ３－３）を主成分とする混合物の２５．３ｇ（収率９０％）を得た。
【0159】
【化22】
【0160】
化合物（Ｘ３－３）のＮＭＲスペクトル；
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－７９（４Ｆ）、－８１（６Ｆ）、－８２（６Ｆ）、－８３（５２Ｆ）、－８７（５２Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）、－１２９（４Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－７９（４Ｆ）、－８１（６Ｆ）、－８２（６Ｆ）、－８３（５２Ｆ）、－８７（５２Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）、－１２９（４Ｆ）、－１３１（２Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
【0161】
（合成例３－４）
５０ｍＬのナスフラスコに、合成例３－３で得た化合物（Ｘ３－３を主成分とする混合物）の２５．３ｇ、フッ化ナトリウムの２．２ｇ、ＡＣ－２０００の２５ｍＬを入れ、氷浴中で撹拌した。メタノールの１．７ｇを入れ、２５℃で１時間撹拌した。ろ過した後、ろ液をカラムクロマトグラフィにて精製した。化合物（Ｘ３－４）を主成分とする混合物の１５ｇ（収率８０％）を得た。
５０ｍＬのナスフラスコに、合成例３－３で得た化合物（Ｘ３－３を主成分とする混合物）の２５．３ｇ、フッ化ナトリウムの２．２ｇ、ＡＣ－２０００の２５ｍＬを入れ、氷浴中で撹拌した。メタノールの１．７ｇを入れ、２５℃で１時間撹拌した。ろ過した後、ろ液をカラムクロマトグラフィにて精製した。化合物（Ｘ３－４）を主成分とする混合物の１５ｇ（収率８０％）を得た。
【0162】
【化23】
【0163】
化合物（Ｘ３－４）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：４．２（６Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８３（４８Ｆ）、－８７（４８F）、－１１９（４Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：４．２（６Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８３（４８Ｆ）、－８７（４８F）、－１１９（４Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
【0164】
（合成例３－５）
５０ｍＬのナスフラスコに、合成例３－４で得た化合物（Ｘ３－４）を主成分とする混合物の１５ｇ、Ｈ２ＮＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３の３．２ｇ、ＡＣ－２０００の１５ｍＬを入れ、０℃で２４時間撹拌した。反応粗液をカラムクロマトグラフィにて精製し、目的物が含まれる留分３種にわけた。そのうち化合物（Ｘ３－５）は合わせて１１．２ｇ（収率７０％）を得た。３種のそれぞれの留分を（Ｃ３－５ａ）、（Ｃ３－５ｂ）、（Ｃ３－５ｃ）とし、（Ｃ３－５ｃ）の留分の一部をさらにカラムクロマトグラフィにて精製し（Ｃ３－５ｄ）を得た。
留分（Ｃ３－５ａ）～（Ｃ３－５ｄ）には、化合物（Ｘ３－５）および化合物（Ｘ３－６）が含まれていた。そして、各留分を用いて１９Ｆ－ＮＭＲによって、上記比１に相当する比（ＣＦ３／ＣＦ２）を求めた。なお、比におけるＣＦ３は、化合物（Ｘ３－６）の一方の末端にある－ＣＦ３基（式中の点線枠内の－ＣＦ３基）のモル数を意味し、１９Ｆ-ＮＭＲでは－８５～－８７ｐｐｍに観測される。また、比におけるＣＦ２は、化合物（Ｘ３－６）の一方の末端近傍にある－ＣＦ２－基（式中の点線枠内の－ＣＦ２－基）と、化合物（Ｘ３－５）の両末端の近傍にある－ＣＦ２－基（式中の点線枠内の－ＣＦ２－基）と、の合計モル数を意味し、１９Ｆ-ＮＭＲでは－１２０ｐｐｍに観測される。
留分（Ｃ３－５ａ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．１１
留分（Ｃ３－５ｂ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．０６
留分（Ｃ３－５ｃ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．０５
留分（Ｃ３－５ｄ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．００３
５０ｍＬのナスフラスコに、合成例３－４で得た化合物（Ｘ３－４）を主成分とする混合物の１５ｇ、Ｈ２ＮＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３の３．２ｇ、ＡＣ－２０００の１５ｍＬを入れ、０℃で２４時間撹拌した。反応粗液をカラムクロマトグラフィにて精製し、目的物が含まれる留分３種にわけた。そのうち化合物（Ｘ３－５）は合わせて１１．２ｇ（収率７０％）を得た。３種のそれぞれの留分を（Ｃ３－５ａ）、（Ｃ３－５ｂ）、（Ｃ３－５ｃ）とし、（Ｃ３－５ｃ）の留分の一部をさらにカラムクロマトグラフィにて精製し（Ｃ３－５ｄ）を得た。
留分（Ｃ３－５ａ）～（Ｃ３－５ｄ）には、化合物（Ｘ３－５）および化合物（Ｘ３－６）が含まれていた。そして、各留分を用いて１９Ｆ－ＮＭＲによって、上記比１に相当する比（ＣＦ３／ＣＦ２）を求めた。なお、比におけるＣＦ３は、化合物（Ｘ３－６）の一方の末端にある－ＣＦ３基（式中の点線枠内の－ＣＦ３基）のモル数を意味し、１９Ｆ-ＮＭＲでは－８５～－８７ｐｐｍに観測される。また、比におけるＣＦ２は、化合物（Ｘ３－６）の一方の末端近傍にある－ＣＦ２－基（式中の点線枠内の－ＣＦ２－基）と、化合物（Ｘ３－５）の両末端の近傍にある－ＣＦ２－基（式中の点線枠内の－ＣＦ２－基）と、の合計モル数を意味し、１９Ｆ-ＮＭＲでは－１２０ｐｐｍに観測される。
留分（Ｃ３－５ａ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．１１
留分（Ｃ３－５ｂ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．０６
留分（Ｃ３－５ｃ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．０５
留分（Ｃ３－５ｄ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．００３
【0165】
【化24】
【0166】
化合物（Ｘ３－５）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：６．１（６Ｈ）、５．２（１２Ｈ）、３．４（４Ｈ）、２．１（１２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８３（４８Ｆ）、－８７（４８Ｆ）、－１２０（４Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：６．１（６Ｈ）、５．２（１２Ｈ）、３．４（４Ｈ）、２．１（１２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８３（４８Ｆ）、－８７（４８Ｆ）、－１２０（４Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
【0167】
【化25】
【0168】
（合成例３－６）
５０ｍＬのナスフラスコに、合成例３－５で得た留分（Ｃ３－５ａ）の１ｇ、トリメトキシシランの０．２１ｇ、アニリンの０．００１ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．００３３ｇを入れ、２５℃で一晩攪拌した。溶媒等を減圧留去し、混合物（ＣＣ－１ａ）の１．２ｇ（収率１００％）を得た。
また、留分（Ｃ３－５ａ）の代わりに、留分（Ｃ３－５ｂ）、（Ｃ３－５ｃ）または（Ｃ３－５ｄ）を用いた以外は、混合物（ＣＣ－１ａ）の製造と同様にして、混合物（ＣＣ－１ｂ）、（ＣＣ－１ｃ）および（ＣＣ－１ｄ）を得た。
なお、各混合物には、化合物（１－Ｃ）および化合物（２－Ｃ）が含まれていた。
各混合物を用いて、１９Ｆ－ＮＭＲによって合成例３－５と同様の手法で比１を求めた。式中の点線枠内の基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基である。
混合物（ＣＣ－１ａ）における比１＝０．１１
混合物（ＣＣ－１ｂ）における比１＝０．０６
混合物（ＣＣ－１ｃ）における比１＝０．０５
混合物（ＣＣ－１ｄ）における比１＝０．００３
５０ｍＬのナスフラスコに、合成例３－５で得た留分（Ｃ３－５ａ）の１ｇ、トリメトキシシランの０．２１ｇ、アニリンの０．００１ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体の０．００３３ｇを入れ、２５℃で一晩攪拌した。溶媒等を減圧留去し、混合物（ＣＣ－１ａ）の１．２ｇ（収率１００％）を得た。
また、留分（Ｃ３－５ａ）の代わりに、留分（Ｃ３－５ｂ）、（Ｃ３－５ｃ）または（Ｃ３－５ｄ）を用いた以外は、混合物（ＣＣ－１ａ）の製造と同様にして、混合物（ＣＣ－１ｂ）、（ＣＣ－１ｃ）および（ＣＣ－１ｄ）を得た。
なお、各混合物には、化合物（１－Ｃ）および化合物（２－Ｃ）が含まれていた。
各混合物を用いて、１９Ｆ－ＮＭＲによって合成例３－５と同様の手法で比１を求めた。式中の点線枠内の基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基である。
混合物（ＣＣ－１ａ）における比１＝０．１１
混合物（ＣＣ－１ｂ）における比１＝０．０６
混合物（ＣＣ－１ｃ）における比１＝０．０５
混合物（ＣＣ－１ｄ）における比１＝０．００３
【0169】
【化26】
【0170】
【化27】
【0171】
化合物（２－Ｃ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：３．６（５４Ｈ）、３．４（４Ｈ）、１．３（２４Ｈ）、０．９（１２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８３（４８Ｆ）、－８７（４８Ｆ）、－１２０（４Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
１Ｈ－ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）：３．６（５４Ｈ）、３．４（４Ｈ）、１．３（２４Ｈ）、０．９（１２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３） δ（ｐｐｍ）：－８３（４８Ｆ）、－８７（４８Ｆ）、－１２０（４Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）。
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
【0172】
［合成例４］
合成例３－５で使用したＨ２ＮＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３をＨ２ＮＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）２に変更した以外は、合成例３－１～３－６と同様にして、混合物（ＣＣ－２ａ）～（ＣＣ－２ｄ）を得た。
なお、各混合物には、化合物（１－Ｄ）および化合物（２－Ｄ）が含まれていた。各混合物を用いて、１９Ｆ－ＮＭＲによって合成例３－５と同様の手法で比１を求めた。式中の点線枠内の基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基である。
混合物（ＣＣ－２ａ）における比１＝０．１３
混合物（ＣＣ－２ｂ）における比１＝０．０９
混合物（ＣＣ－２ｃ）における比１＝０．０６
混合物（ＣＣ－２ｄ）における比１＝０．００５
合成例３－５で使用したＨ２ＮＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３をＨ２ＮＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）２に変更した以外は、合成例３－１～３－６と同様にして、混合物（ＣＣ－２ａ）～（ＣＣ－２ｄ）を得た。
なお、各混合物には、化合物（１－Ｄ）および化合物（２－Ｄ）が含まれていた。各混合物を用いて、１９Ｆ－ＮＭＲによって合成例３－５と同様の手法で比１を求めた。式中の点線枠内の基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基である。
混合物（ＣＣ－２ａ）における比１＝０．１３
混合物（ＣＣ－２ｂ）における比１＝０．０９
混合物（ＣＣ－２ｃ）における比１＝０．０６
混合物（ＣＣ－２ｄ）における比１＝０．００５
【0173】
【化28】
【0174】
【化29】
【0175】
［合成例５］
国際公開第２０１７／０３８８３０号の実施例１１に記載の方法にしたがって化合物（１－Ｅ）を得た。１９Ｆ－ＮＭＲによって、化合物（１－Ｅ）の一方の末端にある－ＣＦ３基は－５５～－５６ｐｐｍ、化合物（１－Ｅ）の他方の末端部分である－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－Ｃ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３と結合する－ＣＦ２－基は－１１８～－１２２ｐｐｍに観測された。
ＣＦ３－（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｎＯＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－Ｃ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３ （１－Ｅ）
国際公開第２０１７／０３８８３０号の実施例１１に記載の方法にしたがって化合物（１－Ｅ）を得た。１９Ｆ－ＮＭＲによって、化合物（１－Ｅ）の一方の末端にある－ＣＦ３基は－５５～－５６ｐｐｍ、化合物（１－Ｅ）の他方の末端部分である－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－Ｃ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３と結合する－ＣＦ２－基は－１１８～－１２２ｐｐｍに観測された。
ＣＦ３－（ＯＣＦ２ＣＦ２－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｎＯＣＦ２ＣＦ２－Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ２－Ｃ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３ （１－Ｅ）
【0176】
［合成例６］
特開２０１５－１９９９０６の実施例に記載の方法にしたがって、化合物（２－Ｅ）および化合物（１－Ｆ）を得た。１９Ｆ－ＮＭＲによって、式中の点線枠内で示した－ＣＦ３基は－５７～－６０ｐｐｍ、式中の点線枠内で示した－ＣＦ２－基は－７８～－８５ｐｐｍに観測された。
特開２０１５－１９９９０６の実施例に記載の方法にしたがって、化合物（２－Ｅ）および化合物（１－Ｆ）を得た。１９Ｆ－ＮＭＲによって、式中の点線枠内で示した－ＣＦ３基は－５７～－６０ｐｐｍ、式中の点線枠内で示した－ＣＦ２－基は－７８～－８５ｐｐｍに観測された。
【0177】
【化30】
【0178】
【化31】
【0179】
［合成例７］
特許第６２９６２００号の実施例に記載の方法にしたがって化合物（１－Ｇ）を得た。１９Ｆ－ＮＭＲによって、化合物（１－Ｇ）の一方の末端にある－ＣＦ３基は－５７～－６０ｐｐｍ、化合物（１－Ｇ）の他方の末端部分である－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３と結合する－ＣＦ２－基は－７８～－８５ｐｐｍに観測された。
ＣＦ３（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ（ＯＣＦ２）ｎＯＣＦ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３ （１－Ｇ）
（ｍ：ｎ≒１：１、ｍ＋ｎ≒４０）
特許第６２９６２００号の実施例に記載の方法にしたがって化合物（１－Ｇ）を得た。１９Ｆ－ＮＭＲによって、化合物（１－Ｇ）の一方の末端にある－ＣＦ３基は－５７～－６０ｐｐｍ、化合物（１－Ｇ）の他方の末端部分である－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３と結合する－ＣＦ２－基は－７８～－８５ｐｐｍに観測された。
ＣＦ３（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ（ＯＣＦ２）ｎＯＣＦ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３ （１－Ｇ）
（ｍ：ｎ≒１：１、ｍ＋ｎ≒４０）
【0180】
［合成例８］
出発原料をＣＦ３（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ（ＯＣＦ２）ｎＯＣＦ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２からＣＨ２＝ＣＨＣＨ２ＣＦ２（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ（ＯＣＦ２）ｎＯＣＦ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２変更した以外は、合成例７と同様の方法で化合物（２－Ｆ）を得た。１９Ｆ－ＮＭＲによって、化合物（２－Ｆ）の両末端部分である［（ＣＨ３Ｏ）３ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２］３ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－と結合する－ＣＦ２－基は、－７８～－８５ｐｐｍに観測された。
［（ＣＨ３Ｏ）３ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２］３ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ２（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ（ＯＣＦ２）ｎＯＣＦ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３ （２－Ｆ）
（ｍ：ｎ≒１：１、ｍ＋ｎ≒４０）
出発原料をＣＦ３（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ（ＯＣＦ２）ｎＯＣＦ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２からＣＨ２＝ＣＨＣＨ２ＣＦ２（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ（ＯＣＦ２）ｎＯＣＦ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２変更した以外は、合成例７と同様の方法で化合物（２－Ｆ）を得た。１９Ｆ－ＮＭＲによって、化合物（２－Ｆ）の両末端部分である［（ＣＨ３Ｏ）３ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２］３ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－と結合する－ＣＦ２－基は、－７８～－８５ｐｐｍに観測された。
［（ＣＨ３Ｏ）３ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２］３ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ２（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ（ＯＣＦ２）ｎＯＣＦ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３ （２－Ｆ）
（ｍ：ｎ≒１：１、ｍ＋ｎ≒４０）
【0181】
［合成例９］
化合物（２－Ｇ）を以下の手順にて合成した。
化合物（２－Ｇ）を以下の手順にて合成した。
【0182】
（合成例９－１）
１０００ｍＬのナスフラスコに６％臭化カリウム水溶液の１３．３ｇとアセトニトリルの２５０．２ｇ、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン１－オキシルの０．２７ｇ、ＦｏｍｂｌｉｎＤ４０００（Ｓｏｌｖａｙ製）の２５０．２ｇ加え、亜塩素酸ナトリウムの２２０．０ｇと炭酸水素ナトリウムの２３．６ｇを加え常温で４時間攪拌した。その後、ＡＣ－２０００の５８０ｇと１０％硫酸を３００ｇそれぞれ加え、分液し、有機層を濃縮した。化合物（Ｘ９－１）の２３７．５６ｇ（収率９４％）を得た。
１０００ｍＬのナスフラスコに６％臭化カリウム水溶液の１３．３ｇとアセトニトリルの２５０．２ｇ、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン１－オキシルの０．２７ｇ、ＦｏｍｂｌｉｎＤ４０００（Ｓｏｌｖａｙ製）の２５０．２ｇ加え、亜塩素酸ナトリウムの２２０．０ｇと炭酸水素ナトリウムの２３．６ｇを加え常温で４時間攪拌した。その後、ＡＣ－２０００の５８０ｇと１０％硫酸を３００ｇそれぞれ加え、分液し、有機層を濃縮した。化合物（Ｘ９－１）の２３７．５６ｇ（収率９４％）を得た。
【0183】
【化32】
【0184】
化合物（Ｘ９－１）のＮＭＲスペクトル；
１９Ｆ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：－５３（４２Ｆ）、－７８（２Ｆ）、－７９（２Ｆ）、－８９（９２Ｆ）。
ｍの平均値：２１、ｎの平均値：２３。
１９Ｆ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：－５３（４２Ｆ）、－７８（２Ｆ）、－７９（２Ｆ）、－８９（９２Ｆ）。
ｍの平均値：２１、ｎの平均値：２３。
【0185】
（合成例９－２）
還流冷却器を接続した５００ｍＬのナスフラスコに化合物（Ｘ９－１）の１３０．７ｇとメタノールの３８．４ｇを加え、溶媒としてＡＣ－２０００の１３０．５ｇを加えたのち、還流条件下で４８時間攪拌した。濃縮後、化合物（Ｘ９－２）の１３０．６６ｇ（収率１００％）を得た。
還流冷却器を接続した５００ｍＬのナスフラスコに化合物（Ｘ９－１）の１３０．７ｇとメタノールの３８．４ｇを加え、溶媒としてＡＣ－２０００の１３０．５ｇを加えたのち、還流条件下で４８時間攪拌した。濃縮後、化合物（Ｘ９－２）の１３０．６６ｇ（収率１００％）を得た。
【0186】
【化33】
【0187】
化合物（Ｘ９－２）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：３．９（６Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：－５３（４２Ｆ）、－７７（２Ｆ）、－７９（２Ｆ）、－８９（９２Ｆ）。
ｍの平均値：２１、ｎの平均値：２３。
１Ｈ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：３．９（６Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：－５３（４２Ｆ）、－７７（２Ｆ）、－７９（２Ｆ）、－８９（９２Ｆ）。
ｍの平均値：２１、ｎの平均値：２３。
【0188】
（合成例９－３）
１００ｍＬのナスフラスコ内に、化合物（Ｘ９－２）の４０．６ｇ、Ｈ２ＮＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３３．７２ｇ、溶媒としてＡＣ－２０００の４５．７ｇを入れ、室温で１時間撹拌した。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（Ｘ９－３）を２３．４ｇ得た。
１００ｍＬのナスフラスコ内に、化合物（Ｘ９－２）の４０．６ｇ、Ｈ２ＮＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３３．７２ｇ、溶媒としてＡＣ－２０００の４５．７ｇを入れ、室温で１時間撹拌した。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（Ｘ９－３）を２３．４ｇ得た。
【0189】
【化34】
【0190】
化合物（Ｘ９－３）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：６．０（６Ｈ）、５．２（１２Ｈ）、３．４（４Ｈ）、２．２（１２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：－５３（４２Ｆ）、－７８（２Ｆ）、－７９（２Ｆ）、－８９（９２Ｆ）。
ｍの平均値：２１、ｎの平均値：２３。
１Ｈ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：６．０（６Ｈ）、５．２（１２Ｈ）、３．４（４Ｈ）、２．２（１２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：－５３（４２Ｆ）、－７８（２Ｆ）、－７９（２Ｆ）、－８９（９２Ｆ）。
ｍの平均値：２１、ｎの平均値：２３。
【0191】
（合成例９－４）
１０ｍＬのナスフラスコに、合成例９－３で得られた化合物（Ｘ９－３）の１．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量：３質量％）の０．０３ｇ、トリメトキシシランの０．２５ｇ、アニリンの０．００２ｇおよびＡＣ－６０００の３．２ｇを入れ、４０℃で３時間撹拌した。溶媒等を減圧留去することにより、化合物（２－Ｇ）の１．０ｇを得た。式中の点線枠内の－ＣＦ２－基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基であり、－７８～－８０ｐｐｍ付近に観測された。
１０ｍＬのナスフラスコに、合成例９－３で得られた化合物（Ｘ９－３）の１．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量：３質量％）の０．０３ｇ、トリメトキシシランの０．２５ｇ、アニリンの０．００２ｇおよびＡＣ－６０００の３．２ｇを入れ、４０℃で３時間撹拌した。溶媒等を減圧留去することにより、化合物（２－Ｇ）の１．０ｇを得た。式中の点線枠内の－ＣＦ２－基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基であり、－７８～－８０ｐｐｍ付近に観測された。
【0192】
【化35】
【0193】
化合物（２－Ｇ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：３．５（５４Ｈ）、３．２（４Ｈ）、１．３（２４Ｈ）、０．６（１２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：－５３（４２Ｆ）、－７８（２Ｆ）、－７９（２Ｆ）、－８９（９２Ｆ）。
ｍの平均値：２１、ｎの平均値：２３。
１Ｈ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：３．５（５４Ｈ）、３．２（４Ｈ）、１．３（２４Ｈ）、０．６（１２Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：－５３（４２Ｆ）、－７８（２Ｆ）、－７９（２Ｆ）、－８９（９２Ｆ）。
ｍの平均値：２１、ｎの平均値：２３。
【0194】
［合成例１０］
合成例９－３で使用したアミンをＨ２ＮＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３からＨ２ＮＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）２に変更した以外は、合成例９－１～９－４と同様にして、化合物（２－Ｈ）を１．０ｇ得た。式中の点線枠内の－ＣＦ２－基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基であり、－８０ｐｐｍ付近に観測された。
合成例９－３で使用したアミンをＨ２ＮＣＨ２Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３からＨ２ＮＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）２に変更した以外は、合成例９－１～９－４と同様にして、化合物（２－Ｈ）を１．０ｇ得た。式中の点線枠内の－ＣＦ２－基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基であり、－８０ｐｐｍ付近に観測された。
【0195】
【化36】
【0196】
化合物（２－Ｈ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：３．４（３６Ｈ）、３．２（４Ｈ）、１．６（２Ｈ）、１．４（１６Ｈ）、０．６（８Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：－５３（４２Ｆ）、－７８（２Ｆ）、－７９（２Ｆ）、－８９（９２Ｆ）。
ｍの平均値：２１、ｎの平均値：２３。
１Ｈ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：３．４（３６Ｈ）、３．２（４Ｈ）、１．６（２Ｈ）、１．４（１６Ｈ）、０．６（８Ｈ）。
１９Ｆ－ＮＭＲ（ｐｐｍ）：－５３（４２Ｆ）、－７８（２Ｆ）、－７９（２Ｆ）、－８９（９２Ｆ）。
ｍの平均値：２１、ｎの平均値：２３。
【0197】
［合成例１１］
ＦｏｍｂｌｉｎＭ０３（製品名、ソルベイ社製）を購入し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物（３－Ａ）を得た。化合物（３－Ａ）の数平均分子量は約４０００であった。式中の点線枠内の－ＣＦ３基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基であり、－５７～－６０ｐｐｍに観測された。
ＦｏｍｂｌｉｎＭ０３（製品名、ソルベイ社製）を購入し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物（３－Ａ）を得た。化合物（３－Ａ）の数平均分子量は約４０００であった。式中の点線枠内の－ＣＦ３基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基であり、－５７～－６０ｐｐｍに観測された。
【0198】
【化37】
【0199】
［合成例１２］
（合成例１２－１）
合成例３と同様の方法で得た化合物（Ｘ３－４）を１００ｍＬの耐圧反応器に１５ｇ、ＡＫ－２２５を５０ｇ、２．０Ｍアンモニア－メタノール溶液を７．５ｇ入れ、室温で６時間攪拌した。その後、溶媒を留去し、目的の化合物（Ｘ１２－１）を１５．０ｇ（収率１００％）得た。
（合成例１２－１）
合成例３と同様の方法で得た化合物（Ｘ３－４）を１００ｍＬの耐圧反応器に１５ｇ、ＡＫ－２２５を５０ｇ、２．０Ｍアンモニア－メタノール溶液を７．５ｇ入れ、室温で６時間攪拌した。その後、溶媒を留去し、目的の化合物（Ｘ１２－１）を１５．０ｇ（収率１００％）得た。
【化38】
【0200】
化合物（Ｘ１２－１）のＮＭＲスペクトル；
１９Ｆ－ＮＭＲ：－８３（４８Ｆ）、－８７（４８Ｆ）、－１２０（４Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
１９Ｆ－ＮＭＲ：－８３（４８Ｆ）、－８７（４８Ｆ）、－１２０（４Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
【0201】
（合成例１２－２）
３００ｍＬのナスフラスコに化合物（Ｘ１２－１）を１５ｇ、ＡＫ－２２５を７５ｇ、ジエチルエーテルを３０ｇ加え、氷浴下で攪拌した。その後、水素化リチウムアルミニウムを０．７０ｇゆっくり加え、室温で２０時間攪拌した。その後硫酸ナトリウム飽和水溶液を０．３ｍＬ加え析出した固体をセライト濾過で取り除いた。得られた濾液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的の化合物（Ｘ１２－２）を９．８ｇ（収率６５%）で得た。
３００ｍＬのナスフラスコに化合物（Ｘ１２－１）を１５ｇ、ＡＫ－２２５を７５ｇ、ジエチルエーテルを３０ｇ加え、氷浴下で攪拌した。その後、水素化リチウムアルミニウムを０．７０ｇゆっくり加え、室温で２０時間攪拌した。その後硫酸ナトリウム飽和水溶液を０．３ｍＬ加え析出した固体をセライト濾過で取り除いた。得られた濾液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的の化合物（Ｘ１２－２）を９．８ｇ（収率６５%）で得た。
【化39】
【0202】
化合物（Ｘ１２－２）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ：３．２（４Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ：－８３（４８Ｆ）、－８７（４８Ｆ）、－１２２（４Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．２（４Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ：－８３（４８Ｆ）、－８７（４８Ｆ）、－１２２（４Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
【0203】
（合成例１２－３）
５０ｍＬのナスフラスコにＨＯ（Ｃ＝Ｏ）Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３の１．５ｇ、ジクロロメタンの６０ｍＬ、オキサリルクロリドの１．５ｍＬを加え氷冷下で攪拌し、その後ＤＭＦの０．０１ｇを添加した。その後室温で３時間攪拌後、濃縮し、Ｃｌ（Ｃ＝Ｏ）Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３の１．４ｇを得た。
別途５０ｍＬｃｃのナスフラスコに化合物（Ｘ１２－２）の９．０ｇ、トリエチルアミンの２．１ｍＬを加え、上記Ｃｌ（Ｃ＝Ｏ）Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３と１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン６ｍｌを添加した。１時間攪拌し、溶媒を留去した。得られた粗体を目的物が含まれる留分３種にわけた。そのうち化合物（Ｘ１２－３）は合わせて６．６ｇ（収率７０％）を得た。３種のそれぞれの留分を（Ｃ１２－３ａ）、（Ｃ１２－３ｂ）、（Ｃ１２－３ｃ）とし、（Ｃ１２－３ｃ）の留分の一部をさらにカラムクロマトグラフィにて精製し（Ｃ１２－３ｄ）を得た。
留分（Ｃ１２－３ａ）～（Ｃ１２－３ｄ）には、化合物（Ｘ１２－３）および化合物（Ｘ１２－４）が含まれていた。そして、各留分を用いて１９Ｆ－ＮＭＲによって、上記比１に相当する比（ＣＦ３／ＣＦ２）を求めた。なお、比におけるＣＦ３は、化合物（Ｘ１２－４）の一方の末端にある－ＣＦ３基（式中の下線の－ＣＦ３基）のモル数を意味し、１９Ｆ-ＮＭＲでは－８５～－８７ｐｐｍに観測される。また、比におけるＣＦ２は、化合物（Ｘ１２－４）の一方の末端近傍にある－ＣＦ２－基（式中の下線の－ＣＦ２－基）と、化合物（Ｘ１２－３）の両末端の近傍にある－ＣＦ２－基（式中の下線の－ＣＦ２－基）と、の合計モル数を意味し、１９Ｆ-ＮＭＲでは－１２０ｐｐｍに観測される。
留分（Ｃ１２－３ａ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．１８
留分（Ｃ１２－３ｂ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．０９
留分（Ｃ１２－３ｃ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．０４
留分（Ｃ１２－３ｄ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．００４
ＣＦ
３
ＣＦ２Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｏ－ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２
ＣＦ
２
ＣＨ２ＮＨ（Ｃ＝Ｏ）Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３ （Ｘ１２－４）
５０ｍＬのナスフラスコにＨＯ（Ｃ＝Ｏ）Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３の１．５ｇ、ジクロロメタンの６０ｍＬ、オキサリルクロリドの１．５ｍＬを加え氷冷下で攪拌し、その後ＤＭＦの０．０１ｇを添加した。その後室温で３時間攪拌後、濃縮し、Ｃｌ（Ｃ＝Ｏ）Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３の１．４ｇを得た。
別途５０ｍＬｃｃのナスフラスコに化合物（Ｘ１２－２）の９．０ｇ、トリエチルアミンの２．１ｍＬを加え、上記Ｃｌ（Ｃ＝Ｏ）Ｃ（ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）３と１，３－ビストリフルオロメチルベンゼン６ｍｌを添加した。１時間攪拌し、溶媒を留去した。得られた粗体を目的物が含まれる留分３種にわけた。そのうち化合物（Ｘ１２－３）は合わせて６．６ｇ（収率７０％）を得た。３種のそれぞれの留分を（Ｃ１２－３ａ）、（Ｃ１２－３ｂ）、（Ｃ１２－３ｃ）とし、（Ｃ１２－３ｃ）の留分の一部をさらにカラムクロマトグラフィにて精製し（Ｃ１２－３ｄ）を得た。
留分（Ｃ１２－３ａ）～（Ｃ１２－３ｄ）には、化合物（Ｘ１２－３）および化合物（Ｘ１２－４）が含まれていた。そして、各留分を用いて１９Ｆ－ＮＭＲによって、上記比１に相当する比（ＣＦ３／ＣＦ２）を求めた。なお、比におけるＣＦ３は、化合物（Ｘ１２－４）の一方の末端にある－ＣＦ３基（式中の下線の－ＣＦ３基）のモル数を意味し、１９Ｆ-ＮＭＲでは－８５～－８７ｐｐｍに観測される。また、比におけるＣＦ２は、化合物（Ｘ１２－４）の一方の末端近傍にある－ＣＦ２－基（式中の下線の－ＣＦ２－基）と、化合物（Ｘ１２－３）の両末端の近傍にある－ＣＦ２－基（式中の下線の－ＣＦ２－基）と、の合計モル数を意味し、１９Ｆ-ＮＭＲでは－１２０ｐｐｍに観測される。
留分（Ｃ１２－３ａ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．１８
留分（Ｃ１２－３ｂ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．０９
留分（Ｃ１２－３ｃ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．０４
留分（Ｃ１２－３ｄ）におけるＣＦ３／ＣＦ２＝０．００４
【化40】
【0204】
化合物（Ｘ１２－３）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ：６．１（２Ｈ）、５．８（６Ｈ）、５．２（１２Ｈ）、４．１（４Ｈ）、２．４（１２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ：－８３（４８Ｆ）、－８７（４８Ｆ）、－１２０（４Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
１Ｈ－ＮＭＲ：６．１（２Ｈ）、５．８（６Ｈ）、５．２（１２Ｈ）、４．１（４Ｈ）、２．４（１２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ：－８３（４８Ｆ）、－８７（４８Ｆ）、－１２０（４Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）
単位数ｍ＋ｎの平均値：１０。
【0205】
（合成例１２－４）
窒素置換した５０ｍＬのナスフラスコに合成例１２－３で得た留分（Ｃ１２－３ａ）の１．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量：３質量％）の０．００３ｇ、アニリンの０．００１ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇを加えた後、トリメトキシシランの０．２１ｇを加え４０℃で一晩攪拌した。その後、溶媒を留去し、混合物（ＣＫ－１ａ）の１．２ｇ（収率１００％）で得た。
また、留分（Ｃ１２－３ａ）の代わりに、留分（Ｃ１２－３ｂ）、（Ｃ１２－３ｃ）または（Ｃ１２－３ｄ）を用いた以外は、混合物（ＣＫ－１ａ）の製造と同様にして、混合物（ＣＫ－１ｂ）、（ＣＫ－１ｃ）および（ＣＫ－１ｄ）を得た。
なお、各混合物には、化合物（１－Ｋ）および化合物（２－Ｋ）が含まれていた。
各混合物を用いて、１９Ｆ－ＮＭＲによって合成例１２－３と同様の手法で比１を求めた。式中の下線の基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基である。
混合物（ＣＫ－１ａ）における比１＝０．１８
混合物（ＣＫ－１ｂ）における比１＝０．０９
混合物（ＣＫ－１ｃ）における比１＝０．０４
混合物（ＣＫ－１ｄ）における比１＝０．００４
ＣＦ
３
ＣＦ２Ｏ－（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｏ－ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－ＣＦ２ＣＦ２
ＣＦ
２
ＣＨ２ＮＨ（Ｃ＝Ｏ）Ｃ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３）３ （２－Ｋ）
窒素置換した５０ｍＬのナスフラスコに合成例１２－３で得た留分（Ｃ１２－３ａ）の１．０ｇ、白金／１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金含有量：３質量％）の０．００３ｇ、アニリンの０．００１ｇ、ＡＣ－６０００の１．０ｇを加えた後、トリメトキシシランの０．２１ｇを加え４０℃で一晩攪拌した。その後、溶媒を留去し、混合物（ＣＫ－１ａ）の１．２ｇ（収率１００％）で得た。
また、留分（Ｃ１２－３ａ）の代わりに、留分（Ｃ１２－３ｂ）、（Ｃ１２－３ｃ）または（Ｃ１２－３ｄ）を用いた以外は、混合物（ＣＫ－１ａ）の製造と同様にして、混合物（ＣＫ－１ｂ）、（ＣＫ－１ｃ）および（ＣＫ－１ｄ）を得た。
なお、各混合物には、化合物（１－Ｋ）および化合物（２－Ｋ）が含まれていた。
各混合物を用いて、１９Ｆ－ＮＭＲによって合成例１２－３と同様の手法で比１を求めた。式中の下線の基は、１９Ｆ－ＮＭＲの測定対象とした基である。
混合物（ＣＫ－１ａ）における比１＝０．１８
混合物（ＣＫ－１ｂ）における比１＝０．０９
混合物（ＣＫ－１ｃ）における比１＝０．０４
混合物（ＣＫ－１ｄ）における比１＝０．００４
【化41】
【0206】
化合物（１－Ｋ）のＮＭＲスペクトル；
１Ｈ－ＮＭＲ：６．０（２Ｈ）、４．１（４Ｈ）、３．６（５４Ｈ）、１．７（１２Ｈ）、１．４（１２Ｈ）、０．７（１２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ：－８３（４８Ｆ）、－８７（４８Ｆ）、－１２０（４Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）
単位数ｍ＋ｎの平均値は１０であった。
１Ｈ－ＮＭＲ：６．０（２Ｈ）、４．１（４Ｈ）、３．６（５４Ｈ）、１．７（１２Ｈ）、１．４（１２Ｈ）、０．７（１２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ：－８３（４８Ｆ）、－８７（４８Ｆ）、－１２０（４Ｆ）、－１２４（４８Ｆ）
単位数ｍ＋ｎの平均値は１０であった。
【0207】
［例１～１６］
各合成例で得た混合物と、有機溶媒としてノベック－７２００（製品名、３Ｍ社製、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５、沸点７６℃）と、を表１の混合割合で混合して、例１～１６の組成物を得た。
各合成例で得た混合物と、有機溶媒としてノベック－７２００（製品名、３Ｍ社製、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５、沸点７６℃）と、を表１の混合割合で混合して、例１～１６の組成物を得た。
【0208】
［例１７～２４］
各合成例で得た化合物と、有機溶媒としてノベック－７２００と、を表２の混合割合で混合して、例１７～２４の組成物を得た。
各合成例で得た化合物と、有機溶媒としてノベック－７２００と、を表２の混合割合で混合して、例１７～２４の組成物を得た。
【0209】
［例２５－３２］
各合成例で得た化合物と、有機溶媒としてノベック－７２００と、を表３の混合割合で混合して、例２５～３０の組成物を得た。
また、各合成例で得た混合物と、各合成例で得た化合物と、有機溶媒としてノベック－７２００と、を表３の混合割合で混合して、例３１および３２の組成物を得た。
［例３３～３６］
合成例１２で得た混合物と、有機溶媒としてノベック－７２００（製品名、３Ｍ社製、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５、沸点７６℃）と、を表４の混合割合で混合して、例３３～３６の組成物を得た。
各合成例で得た化合物と、有機溶媒としてノベック－７２００と、を表３の混合割合で混合して、例２５～３０の組成物を得た。
また、各合成例で得た混合物と、各合成例で得た化合物と、有機溶媒としてノベック－７２００と、を表３の混合割合で混合して、例３１および３２の組成物を得た。
［例３３～３６］
合成例１２で得た混合物と、有機溶媒としてノベック－７２００（製品名、３Ｍ社製、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５、沸点７６℃）と、を表４の混合割合で混合して、例３３～３６の組成物を得た。
【0210】
［評価サンプルの作製］
得られた各組成物を用いて、以下のドライコーティング法またはウェットコーティング法にて基材の表面処理を行い、基材（化学強化ガラス）の表面に表面層が形成されてなる評価サンプル（物品）を得た。
得られた各組成物を用いて、以下のドライコーティング法またはウェットコーティング法にて基材の表面処理を行い、基材（化学強化ガラス）の表面に表面層が形成されてなる評価サンプル（物品）を得た。
【0211】
（ドライコーティング法）
基材に対するドライコーティングは、真空蒸着装置（ＵＬＶＡＣ社製、ＶＴＲ－３５０Ｍ）を用いて行った。具体的には、まず、各例により得られた組成物の０．５ｇを真空蒸着装置内のモリブデン性ボートに充填し、真空蒸着装置内を１×１０－３Ｐａ以下に排気した。組成物を配置したボートを昇温速度１０℃／分以下の速度で加熱し、水晶発振式膜厚計による蒸着速度が１ｎｍ／秒を超えた時点でシャッターを開けて基材の表面への成膜を開始した。膜厚が約５０ｎｍとなった時点でシャッターを閉じて基材表面への成膜を終了した。組成物中の化合物が堆積した基材を、２００℃で３０分間加熱処理した後、アサヒクリンＡＫ－２２５（製品名、ＡＧＣ社製）にて洗浄して、基材の表面に表面層を有する評価サンプル（物品）を得た。
基材に対するドライコーティングは、真空蒸着装置（ＵＬＶＡＣ社製、ＶＴＲ－３５０Ｍ）を用いて行った。具体的には、まず、各例により得られた組成物の０．５ｇを真空蒸着装置内のモリブデン性ボートに充填し、真空蒸着装置内を１×１０－３Ｐａ以下に排気した。組成物を配置したボートを昇温速度１０℃／分以下の速度で加熱し、水晶発振式膜厚計による蒸着速度が１ｎｍ／秒を超えた時点でシャッターを開けて基材の表面への成膜を開始した。膜厚が約５０ｎｍとなった時点でシャッターを閉じて基材表面への成膜を終了した。組成物中の化合物が堆積した基材を、２００℃で３０分間加熱処理した後、アサヒクリンＡＫ－２２５（製品名、ＡＧＣ社製）にて洗浄して、基材の表面に表面層を有する評価サンプル（物品）を得た。
【0212】
（ウェットコーティング法）
各組成物に基材をディッピングし、３０分間放置後、基材を引き上げた（ディップコート法）。塗膜を２００℃で３０分間乾燥させ、ＡＫ－２２５にて洗浄することによって、基材の表面に表面層を有する評価サンプル（物品）を得た。
各組成物に基材をディッピングし、３０分間放置後、基材を引き上げた（ディップコート法）。塗膜を２００℃で３０分間乾燥させ、ＡＫ－２２５にて洗浄することによって、基材の表面に表面層を有する評価サンプル（物品）を得た。
【0213】
各組成物の評価結果を表１～４に示す。
【表1】
【0214】
【表2】
【0215】
【表3】
【0216】
【表4】
【0217】
表１～４に示す通り、比１または比２を満たす組成物を用いれば、耐摩擦性および耐滑り性に優れた表面層を形成できることがわかった（例２～４、７、８、１０～１２、１４～１６、１８～２０、２３、２４、２６、２７、２９、３２、３４～３６）。
これに対して、比１および比２をいずれも満たさない組成物を用いた場合、得られる表面層の耐摩擦性または耐滑り性が劣ることがわかった（例１、５、６、９、１３、１７、２１、２２、２５、２８、３０、３１、３３）。
これに対して、比１および比２をいずれも満たさない組成物を用いた場合、得られる表面層の耐摩擦性または耐滑り性が劣ることがわかった（例１、５、６、９、１３、１７、２１、２２、２５、２８、３０、３１、３３）。
【産業上の利用可能性】
【0218】
本発明の組成物は、撥水撥油性の付与が求められている各種の用途に用いることができる。たとえば、タッチパネル等の表示入力装置、透明なガラス製または透明なプラスチック製部材、メガネ用等のレンズ、キッチン用防汚部材、電子機器、熱交換器、電池等の撥水防湿部材や防汚部材、トイレタリー用防汚部材、導通しながら撥液が必要な部材、熱交換機の撥水・防水・滑水用部材、振動ふるいやシリンダ内部等の表面低摩擦用部材等に用いることができる。より具体的な使用例としては、ディスプレイの前面保護板、反射防止板、偏光板、アンチグレア板、またはそれらの表面に反射防止膜処理を施したもの、携帯電話（たとえば、スマートフォン）、携帯情報端末、ゲーム機、リモコン等の機器のタッチパネルシートやタッチパネルディスプレイ等の人の指または手のひらで画面上の操作を行う表示入力装置を有する各種機器（たとえば、表示部等に使用するガラスまたはフィルム、ならびに、表示部以外の外装部分に使用するガラスまたはフィルム）が挙げられる。上記以外にも、トイレ、風呂、洗面所、キッチン等の水周りの装飾建材、配線板用防水部材、熱交換機の撥水・防水・滑水用部材、太陽電池の撥水部材、プリント配線板の防水・撥水用部材、電子機器筐体や電子部品用の防水・撥水用部材、送電線の絶縁性向上用部材、各種フィルタの防水・撥水用部材、電波吸収材や吸音材の防水用部材、風呂、厨房機器、トイレタリー用の防汚部材、振動ふるいやシリンダ内部等の表面低摩擦用部材、機械部品、真空機器部品、ベアリング部品、自動車等の輸送機器用部品、工具等の表面保護用部材が挙げられる。
なお、２０１９年０２月１３日に出願された日本特許出願２０１９－０２３６９０号の明細書、特許請求の範囲および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
なお、２０１９年０２月１３日に出願された日本特許出願２０１９－０２３６９０号の明細書、特許請求の範囲および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。