特許7568417IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

圧電積層体、圧電積層体の製造方法、および圧電素子

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の目的は、高性能な超音波センサを提供可能な圧電積層体等を得ることにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様によれば、 基板と、 前記基板上に設けられる出力側下部電極膜と、 前記出力側下部電極膜上に設けられ、酸化膜である出力側圧電膜と、 前記出力側圧電膜上に設けられる出力側上部電極膜と、 前記基板上に設けられる入力側下部電極膜と、 前記入力側下部電極膜上に設けられ、窒化膜である入力側圧電膜と、 前記入力側圧電膜上に設けられる入力側上部電極膜と、を備え、 ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、高性能な超音波センサを提供可能な圧電積層体、圧電素子を得ることが可能となる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の一実施形態にかかる圧電積層体の断面構造の一例を示す図である。
【図2】 本発明の一実施形態にかかる圧電積層体の断面構造の変形例を示す図である。
【図3】 本発明の一実施形態にかかる超音波センサの概略構成の一例を示す図である。
【図4】 （ａ）は出力側圧電膜を製膜する前の積層体１０ａの断面構造の一例を示す図であり、（ｂ）は出力側圧電膜を製膜した後の積層体１０ｂの断面構造の一例を示す図であり、（ｃ）は出力側圧電膜を所定形状に成形した後の積層体１０ｃの断面構造の一例を示す図であり、（ｄ）は保護膜を製膜した後の積層体１０ｄの断面構造の一例を示す図であり、（ｅ）は入力側圧電膜を製膜した後の積層体１０ｅの断面構造の一例を示す図であり、（ｆ）は保護膜を除去した後の積層体１０ｆの断面構造の一例を示す図である。
【図5】 本発明の一実施形態の変形例にかかる圧電積層体の断面構造を示す図である。
【図6】 （ａ）は出力側圧電膜を製膜する前の積層体４０ａの断面構造の一例を示す図であり、（ｂ）は出力側圧電膜を製膜し、所定形状に成形した後の積層体４０ｂの断面構造の一例を示す図であり、（ｃ）は保護膜を製膜した後の積層体４０ｃの断面構造の一例を示す図であり、（ｄ）は入力側下部電極膜を製膜した後の積層体４０ｄの断面構造の一例を示す図であり、（ｅ）は入力側圧電膜を製膜した後の積層体４０ｅの断面構造の一例を示す図であり、（ｆ）は保護膜を除去した後の積層体４０ｆの断面構造の一例を示す図である。
【図7】 本発明の一実施形態の変形例にかかる圧電積層体の断面構造を示す図である。
【図8】 本発明の一実施形態の変形例にかかる圧電積層体の断面構造を示す図である。
【図9】 （ａ）は出力側圧電膜を製膜する前の積層体４２ａの断面構造の一例を示す図であり、（ｂ）は出力側圧電膜を製膜した後の積層体４２ｂの断面構造の一例を示す図であり、（ｃ）は保護膜を製膜した後の積層体４２ｃの断面構造の一例を示す図であり、（ｄ）は入力側圧電膜を製膜した後の積層体４２ｄの断面構造の一例を示す図であり、（ｅ）は保護膜を除去した後の積層体４２ｅの断面構造の一例を示す図である。
【図10】 本発明の一実施形態の変形例にかかる圧電積層体の断面構造を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 基板 ２Ａ 出力側下部電極膜 ２Ｂ 入力側下部電極膜 ３Ａ 出力側圧電膜（ＫＮＮ膜） ３Ｂ 入力側圧電膜（ＡｌＮ膜） ４Ａ 出力側上部電極膜 ４Ｂ 入力側上部電極膜 １０，４０～４３ 圧電積層体

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