(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-09
(45)【発行日】2024-10-18
(54)【発明の名称】オンザフライ散乱計測オーバーレイ計測ターゲット
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20241010BHJP
H01L 21/66 20060101ALI20241010BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 521
G03F7/20 501
H01L21/66 J
【請求項の数】
24
(21)【出願番号】P 2023534382
(86)(22)【出願日】2021-11-30
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2023-12-20
(86)【国際出願番号】 US2021061296
(87)【国際公開番号】W WO2022125340
(87)【国際公開日】2022-06-16
【審査請求日】2024-09-05
(31)【優先権主張番号】17/119,536
(32)【優先日】2020-12-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】500049141
【氏名又は名称】ケーエルエー コーポレイション
(74)【代理人】
【識別番号】110001210
【氏名又は名称】弁理士法人ＹＫＩ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】パスコバー ユリ
(72)【発明者】
【氏名】グドル イタイ
(72)【発明者】
【氏名】ルバシェフスキー ユヴァル
(72)【発明者】
【氏名】レビンスキ ウラディミール
(72)【発明者】
【氏名】ボルフマン アレクサンダー
(72)【発明者】
【氏名】ウジエル ヨラム
【審査官】藤田 健
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１６－１０５１１１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１２８７０２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１９２９４３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２００６－５０９２１９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０３Ｆ ７／２０
Ｇ０３Ｆ ９／００
Ｈ０１Ｌ ２１／６６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１セルを含む計測ターゲットであって、前記第１セルは、第１サンプル層の第１測定方向に沿って形成された第１セットのパターン要素の第１部分であって、前記第１セットのパターン要素が、第１ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、第１測定方向に沿って形成された第１セットのパターン要素の第１部分と、
第２サンプル層の前記第１測定方向に沿って形成された第２セットのパターン要素の第１部分であって、前記第２セットのパターン要素が、第２ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、前記第１測定方向に沿って形成された第２セットのパターン要素の第１部分と、
前記第１サンプル層の前記第１測定方向に沿って形成された第３セットのパターン要素の第１部分であって、前記第３セットのパターン要素が、第３ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含み、サンプルが移動する間の前記第１、第２、及び第３セットのパターン要素の前記第１部分により入射する照射ビームの回折次数の強度または位相変動の少なくとも一つは、前記第１測定方向に沿った前記第１及び第２サンプル層の間のオーバーレイに相関する、前記第１測定方向に沿って形成された第３セットのパターン要素の第１部分と、
を含む、第１セルを含む計測ターゲット。
【請求項2】
第２セルを更に含み、前記第２セルは、前記第１サンプル層の前記第１セットのパターン要素の第２部分であって、前記第１セットのパターン要素の前記第２部分が、第２測定方向に沿って形成されている、前記第１セットのパターン要素の第２部分と、
前記第２サンプル層の前記第２セットのパターン要素の第２部分であって、前記第２セットのパターン要素の前記第２部分が、前記第２測定方向に沿って形成されている、前記第２セットのパターン要素の第２部分と、
前記第１サンプル層の前記第３セットのパターン要素の第２部分であって、前記第３セットのパターン要素の前記第２部分が、前記第２測定方向に沿って形成され、前記サンプルが移動する間の、前記第１、第２、及び第３セットのパターン要素の前記第２部分により入射する照射ビームの回折次数の強度または位相変動の少なくとも一つは、前記第２測定方向に沿った前記第１及び第２サンプル層の間のオーバーレイに相関する、前記第３セットのパターン要素の第２部分と、
を含む、請求項１に記載の計測ターゲット。
【請求項3】
前記計測ターゲットは、散乱計測ベースのオーバーレイ（ＳＣＯＬ）計測モードと互換性がある、請求項２に記載の計測ターゲット。
【請求項4】
前記計測ターゲットは、１つ又は複数のオンザフライ計測モードと互換性がある、請求項３に記載の計測ターゲット。
【請求項5】
前記サンプルが移動する間の前記第１、第２、及び前記第３セットのパターン要素の前記第２部分により入射する照射ビームの回折次数の強度または位相変動の少なくとも一つは、前記第２測定方向に沿った前記第１及び第２サンプル層の間のオーバーレイに相関し、前記回折次数は、＋１回折次数または－１次回折次数の少なくともいずれかを含む、請求項２に記載の計測ターゲット。
【請求項6】
前記サンプルは半導体ウェーハを含む、請求項１に記載の計測ターゲット。
【請求項7】
前記サンプルが移動する間の前記第１、第２、及び前記第３セットのパターン要素の前記第１部分により入射する照射ビームの回折次数の強度または位相変動の少なくとも一つは、前記第１測定方向に沿った前記第１及び第２サンプル層の間のオーバーレイに相関し、前記回折次数は、＋１回折次数または－１次回折次数の少なくともいずれかを含む、請求項１に記載の計測ターゲット。
【請求項8】
システムであって、１つ又は複数の計測サブシステムに通信可能に結合された１つ又は複数のプロセッサを有する１つ又は複数のコントローラであって、前記１つ又は複数のプロセッサは、メモリに保持されたプログラム命令のセットを実行するように構成され、前記プログラム命令のセットは、前記１つ又は複数のプロセッサに、
前記１つ又は複数の計測サブシステムの１つ又は複数の瞳面の１つ又は複数の検出器から、サンプルの１つ又は複数の計測ターゲット上の照明ビームの回折次数に関係する強度又は位相変動の少なくとも１つを示す１つ又は複数の信号を受信するステップであって、前記サンプルの前記１つ又は複数の計測ターゲットは、第１セルを含み、前記第１セルは、第１サンプル層の第１測定方向に沿って形成された第１セットのパターン要素の第１部分であって、前記第１セットのパターン要素が、第１ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、第１測定方向に沿って形成された第１セットのパターン要素の第１部分と、第２サンプル層の前記第１測定方向に沿って形成された第２セットのパターン要素の第１部分であって、前記第２セットのパターン要素が、第２ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、前記第１測定方向に沿って形成された第２セットのパターン要素の第１部分と、前記第１サンプル層の前記第１測定方向に沿って形成された第３セットのパターン要素の第１部分であって、前記第３セットのパターン要素が、第３ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、前記第１測定方向に沿って形成された第３セットのパターン要素の第１部分と、を含む、ステップと、
前記１つ又は複数の計測サブシステムから受信し、前記サンプルが移動する間の前記第１、第２、及び前記第３セットのパターン要素の前記第１部分により入射する照射ビームの回折次数の強度または位相変動の少なくとも一つに関係する前記信号に基づき、前記第１測定方向に沿った前記第１及び第２サンプル層の間のオーバーレイ誤差測定を生成するステップと、
を行わせるように構成されている１つ又は複数のコントローラを含む、システム。
【請求項9】
前記サンプルの前記１つ又は複数の計測ターゲットは、第２セルを更に含み、前記第２セルは、前記第１サンプル層の前記第１セットのパターン要素の第２部分であって、前記第１セットのパターン要素の前記第２部分は、第２測定方向に沿って形成されている、前記第１セットのパターン要素の第２部分と、
前記第２サンプル層の前記第２セットのパターン要素の第２部分であって、前記第２セットのパターン要素の前記第２部分は、前記第２測定方向に沿って形成されている、前記第２セットのパターン要素の第２部分と、
前記第１サンプル層の前記第３セットのパターン要素の第２部分であって、前記第３セットのパターン要素の前記第２部分は、前記第２測定方向に沿って形成されている、前記第３セットのパターン要素の第２部分と、
を含み、前記プログラム命令のセットは、前記１つ又は複数のプロセッサに、更に、
前記１つ又は複数の計測サブシステムから受信し、前記サンプルが移動する間の前記第１、第２、及び前記第３セットのパターン要素の前記第２部分により入射する照射ビームの回折次数の強度または位相変動の少なくとも一つに関係する前記信号に基づき、前記第２測定方向に沿った前記第１及び第２サンプル層の間のオーバーレイ誤差測定を生成するステップと、
を行わせる請求項８に記載のシステム。
【請求項10】
前記サンプルが移動する間の前記第１、第２、及び前記第３セットのパターン要素の前記第２部分により入射する照射ビームの回折次数の強度または位相変動の少なくとも一つは、前記第２測定方向に沿った前記第１及び第２サンプル層の間のオーバーレイに相関し、前記回折次数は、＋１回折次数または－１次回折次数の少なくともいずれかを含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項11】
前記１つ又は複数の計測サブシステムは、前記照明ビームを生成するように構成された照明源と、
前記照明源からの前記照明ビームを前記サンプル上に誘導するように構成された１つ又は複数の照明要素と、
前記サンプルから発する照明を収集して、前記信号を生成するために前記照明を前記１つ又は複数の検出器に誘導するように構成された１つ又は複数の投影要素と、
を含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項12】
前記１つ又は複数の計測サブシステムは、１つ又は複数の散乱計測ベースのオーバーレイ（ＳＣＯＬ）計測サブシステムを含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項13】
前記第１オーバーレイ測定値、前記第２オーバーレイ測定値、及び前記第３オーバーレイ測定値は、オンザフライで取得される、請求項１２に記載のシステム。
【請求項14】
前記サンプルは半導体ウェーハを含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項15】
前記サンプルが移動する間の前記第１、第２、及び前記第３セットのパターン要素の前記第１部分により入射する照射ビームの回折次数の強度または位相変動の少なくとも一つは、前記第１測定方向に沿った前記第１及び第２サンプル層の間のオーバーレイに相関し、前記回折次数は、＋１回折次数または－１次回折次数の少なくともいずれかを含む、 請求項８に記載のシステム。
【請求項16】
オーバーレイを測定する方法であって、１つ又は複数の計測ターゲットを有するサンプルを照明するステップと、
前記サンプルの前記１つ又は複数の計測ターゲットの１つ又は複数の瞳面の１つ又は複数の検出器から、サンプルの１つ又は複数の計測ターゲット上の照明ビームの回折次数に関係する強度又は位相変動の少なくとも１つを示す１つ又は複数の信号を検出するステップであって、前記サンプルの前記１つ又は複数の計測ターゲットは、第１セルを含み、前記第１セルは、
第１サンプル層の第１測定方向に沿って形成された第１セットのパターン要素の第１部分であって、前記第１セットのパターン要素が、第１ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、第１測定方向に沿って形成された第１セットのパターン要素の第１部分と、
第２サンプル層の前記第１測定方向に沿って形成された第２セットのパターン要素の第１部分であって、前記第２セットのパターン要素が、第２ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、前記第１測定方向に沿って形成された第２セットのパターン要素の第１部分と、
前記第１サンプル層の前記第１測定方向に沿って形成された第３セットのパターン要素の第１部分であって、前記第３セットのパターン要素が、第３ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、前記第１測定方向に沿って形成された第３セットのパターン要素の第１部分と、を含む、ステップと、
前記１つ又は複数の計測サブシステムから受信し、前記サンプルが移動する間の前記第１、第２、及び前記第３セットのパターン要素の前記第１部分により入射する照射ビームの回折次数の強度または位相変動の少なくとも一つに関係する前記信号に基づき、前記第１測定方向に沿った前記第１及び第２サンプル層の間のオーバーレイ誤差測定を生成するステップと、
を含む、方法。
【請求項17】
前記サンプルの前記１つ又は複数の計測ターゲットは、第２セルを更に含み、前記第２セルは、前記第１サンプル層の前記第１セットのパターン要素の第２部分であって、前記第１セットのパターン要素の前記第２部分が、第２測定方向に沿って形成されている、前記第１セットのパターン要素の第２部分と、
前記第２サンプル層の前記第２セットのパターン要素の第２部分であって、前記第２セットのパターン要素の前記第２部分が、前記第２測定方向に沿って形成されている、前記第２セットのパターン要素の第２部分と、
前記第１サンプル層の前記第３セットのパターン要素の第２部分であって、前記第３セットのパターン要素の前記第２部分は、前記第２測定方向に沿って形成されている、前記第３セットのパターン要素の第２部分と、を含み、
更に、
前記１つ又は複数の計測サブシステムから受信し、前記サンプルが移動する間の前記第１、第２、及び前記第３セットのパターン要素の前記第２部分により入射する照射ビームの回折次数の強度または位相変動の少なくとも一つに関係する前記信号に基づき、前記第２測定方向に沿った前記第１及び第２サンプル層の間のオーバーレイ誤差測定を生成するステップと、
を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項18】
前記１つ又は複数の計測ターゲットは、散乱計測ベースのオーバーレイ（ＳＣＯＬ）計測モードと互換性がある、請求項１７に記載の方法。
【請求項19】
前記第１オーバーレイ測定値、前記第２オーバーレイ測定値、及び前記第３オーバーレイ測定値は、オンザフライで取得される、請求項１８に記載の方法。
【請求項20】
前記サンプルが移動する間の前記第１、第２、及び前記第３セットのパターン要素の前記第２部分により入射する照射ビームの回折次数の強度または位相変動の少なくとも一つは、前記第２測定方向に沿った前記第１及び第２サンプル層の間のオーバーレイに相関し、前記回折次数は、＋１回折次数または－１次回折次数の少なくともいずれかを含む、
請求項１７に記載の方法。
【請求項21】
前記サンプルは、半導体ウェーハを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項22】
前記サンプルが移動する間の前記第１、第２、及び前記第３セットのパターン要素の前記第１部分により入射する照射ビームの回折次数の強度または位相変動の少なくとも一つは、前記第１測定方向に沿った前記第１及び第２サンプル層の間のオーバーレイに相関し、前記回折次数は、＋１回折次数または－１次回折次数の少なくともいずれかを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項23】
計測ターゲットを形成する方法であって、第１セルを形成するステップであって、前記第１セルは、
第１サンプル層の第１測定方向に沿って形成された第１セットのパターン要素の第１部分であって、前記第１セットのパターン要素が、第１ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、第１測定方向に沿って形成された第１セットのパターン要素の第１部分と、
第２サンプル層の前記第１測定方向に沿って形成された第２セットのパターン要素の第１部分であって、前記第２セットのパターン要素が、第２ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、前記第１測定方向に沿って形成された第２セットのパターン要素の第１部分と、
前記第１サンプル層の前記第１測定方向に沿って形成された第３セットのパターン要素の第１部分であって、前記第３セットのパターン要素が、第３ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、前記第１測定方向に沿って形成された第３セットのパターン要素の第１部分と、を含み、サンプルが移動する間の前記第１、第２、及び第３セットのパターン要素の前記第１部分により入射する照射ビームの回折次数の強度または位相変動の少なくとも一つは、前記第１測定方向に沿った前記第１及び第２サンプル層の間のオーバーレイに相関する、ステップを含む、方法。
【請求項24】
第２セルを形成するステップであって、前記第２セルは、前記第１セットのパターン要素の第２部分であって、前記第１セットのパターン要素の前記第２部分が、前記第１サンプル層の第２測定方向に沿って形成されている、前記第１セットのパターン要素の第２部分と、
前記第２セットのパターン要素の第２部分であって、前記第２セットのパターン要素の前記第２部分が、前記第２サンプル層の前記第２測定方向に沿って形成されている、前記第２セットのパターン要素の第２部分と、
前記第３セットのパターン要素の第２部分であって、前記第３セットのパターン要素の前記第２部分が、前記第１サンプル層の前記第２測定方向に沿って形成されている、前記第３セットのパターン要素の第２部分と、を含み、サンプルが移動する間の前記第１、第２、及び第３セットのパターン要素の前記第２部分により入射する照射ビームの回折次数の強度または位相変動の少なくとも一つは、前記第２測定方向に沿った前記第１及び第２サンプル層の間のオーバーレイに相関する、ステップを更に含む、請求項２３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、概してオーバーレイ計測学に関し、より具体的には、オンザフライ散乱計測オーバーレイ計測に関する。
【背景技術】
【0002】
オーバーレイ計測ターゲットは通常、対象のサンプル層上に位置するターゲット特徴を有するオーバーレイターゲットを特性評価することによって、サンプルの複数の層の位置合わせに関する診断情報を提供するように設計されている。更に、複数の層のオーバーレイ位置合わせは通常、サンプルにわたる様々な位置での複数のオーバーレイターゲットのオーバーレイ測定値を集計することによって決定される。いくつかのオーバーレイ計測ターゲット（例えば、散乱計測オーバーレイ（ＳＣＯＬ）計測ターゲット）は、計測測定を決定するために分析され得る回折パターンを生成するように構成された周期構造を含む。回折パターンは、周期構造をその測定方向に沿って（例えば、格子の要素に垂直に）照明することによって生成される。典型的なＳＣＯＬ計測ターゲットは、複数のセル内に包含された周期構造を含み、周期構造は、少なくとも２つの測定方向に沿った照明用に構成される。しかしながら、複数のセルを包含する典型的なＳＣＯＬ計測ターゲットがサンプルのより大きい表面積を占め、それで、そのようなターゲットを用いる計測測定は、単一の測定方向に沿った計測測定用に構成されたセルを有するＳＣＯＬ計測ターゲットと比較されるとき、より多くの時間を必要とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】米国特許出願公開第２０１５／０１７７１３５号
【文献】米国特許出願公開第２０１６／００９３５７４号
【文献】米国特許出願公開第２０１６／０１４６７４０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
そのため、単一の測定方向に沿った計測測定を行うように構成されたセルを有するＳＣＯＬ計測ターゲットを有することが有益であろう。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の１つ又は複数の実施形態に従う、計測ターゲットが開示される。一実施形態では、計測ターゲットは第１セルを含む。別の一実施形態では、第１セルは、第１測定方向に沿って形成された第１セットのパターン要素の第１部分を含み、第１セットのパターン要素は、第１ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む。別の一実施形態では、計測ターゲットは、第１測定方向に沿って形成された第２セットのパターン要素の第１部分を含み、第２セットのパターン要素は、第２ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む。別の一実施形態では、計測ターゲットは、第１測定方向に沿って形成された第３セットのパターン要素の第１部分を含み、第３セットのパターン要素は、第３ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む。
【0006】
本開示の１つ又は複数の実施形態に従うシステムが開示される。一実施形態では、システムは、１つ又は複数の計測サブシステムに通信可能に結合された１つ又は複数のプロセッサを有する１つ又は複数のコントローラを含み、１つ又は複数のプロセッサは、メモリ内に保持されたプログラム命令のセットを実行するように構成され、プログラム命令のセットは、１つ又は複数のプロセッサに、１つ又は複数の計測サブシステムから、サンプルの１つ又は複数の計測ターゲットの第１セットのパターン要素、第２セットのパターン要素、及び第３セットのパターン要素から発する照明を示す１つ又は複数の信号を受信するステップであって、サンプルの１つ又は複数の計測ターゲットは、第１セルを含み、第１セルは、第１測定方向に沿って形成された第１セットのパターン要素の第１部分であって、第１セットのパターン要素が、第１ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、第１測定方向に沿って形成された第１セットのパターン要素の第１部分と、第１測定方向に沿って形成された第２セットのパターン要素の第１部分であって、第２セットのパターン要素が、第２ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、第１測定方向に沿って形成された第２セットのパターン要素の第１部分と、第１測定方向に沿って形成された第３セットのパターン要素の第１部分であって、第３セットのパターン要素が、第３ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、第１測定方向に沿って形成された第３セットのパターン要素の第１部分と、を含む、ステップと、第１セットのパターン要素に基づいて第１オーバーレイ測定値を取得するステップと、第２セットのパターン要素に基づいて第２オーバーレイ測定値を取得するステップと、第３セットのパターン要素に基づいて第３オーバーレイ測定値を取得するステップと、第１オーバーレイ測定値、第２オーバーレイ測定値、又は第３オーバーレイ測定値のうちの少なくとも２つに基づいてオーバーレイ誤差を決定するステップと、を行わせるように構成されている。
【0007】
本開示の１つ又は複数の実施形態に従う、オーバーレイを測定する方法が開示される。一実施形態では、方法は、１つ又は複数の計測ターゲットを有するサンプルを照明することを含む。別の一実施形態では、方法は、サンプルの１つ又は複数の計測ターゲットの第１セットのパターン要素、第２セットのパターン要素、及び第３セットのパターン要素から発する照明を示す１つ又は複数の信号を検出することを含み、サンプルの１つ又は複数の計測ターゲットは、第１セルを含み、第１セルは、第１測定方向に沿って形成された第１セットのパターン要素の第１部分であって、第１セットのパターン要素が、第１ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、第１セットのパターン要素の第１部分と、第１測定方向に沿って形成された第２セットのパターン要素の第１部分であって、第２セットのパターン要素が、第２ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、第２セットのパターン要素の第１部分と、第１測定方向に沿って形成された第３セットのパターン要素の第１部分であって、第３セットのパターン要素が、第３ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、第３セットのパターン要素の第１部分と、を含む。別の一実施形態では、方法は、第１セットのパターン要素から発する照明を示す１つ又は複数の信号に基づいて第１オーバーレイ測定値を取得することを含む。別の一実施形態では、方法は、第２セットのパターン要素から発する照明を示す１つ又は複数の信号に基づいて第２オーバーレイ測定値を取得することを含む。別の一実施形態では、方法は、第３セットのパターン要素から発する照明を示す１つ又は複数の信号に基づいて第３オーバーレイ測定値を取得することを含む。別の一実施形態では、方法は、第１オーバーレイ測定値、第２オーバーレイ測定値、又は第３オーバーレイ測定値のうちの少なくとも１つに基づいてオーバーレイ誤差を決定することを含む。
【0008】
本開示の１つ又は複数の実施形態に従う、計測ターゲットを形成する方法が開示される。一実施形態では、方法は、第１セルを形成することを含み、第１セルは、第１測定方向に沿って形成された第１セットのパターン要素の第１部分であって、第１セットのパターン要素が、第１ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、第１セットのパターン要素の第１部分と、第１測定方向に沿って形成された第２セットのパターン要素の第１部分であって、第２セットのパターン要素が、第２ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、第２セットのパターン要素の第１部分と、第１測定方向に沿って形成された第３セットのパターン要素の第１部分であって、第３セットのパターン要素が、第３ピッチを有するセグメント化されたパターン要素を含む、第３セットのパターン要素の第１部分と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【0009】
本開示についての多数の利点は、添付の図面を参照することによって当業者によってよりよく理解されるであろう。
【図1A】本開示の１つ又は複数の実施形態に従う計測ターゲットについての上面図である。
【図1B】本開示の１つ又は複数の実施形態に従う計測ターゲットについての上面図である。
【図1C】本開示の１つ又は複数の実施形態に従う計測ターゲットについての上面図である。
【図1D】本開示の１つ又は複数の実施形態に従う計測ターゲットについての側面図である。
【図2】本開示の１つ又は複数の実施形態に従う計測システムについての概念図である。
【図3】本開示の１つ又は複数の実施形態に従う計測サブシステムについての概念図である。
【図4】本開示の１つ又は複数の実施形態に従う、サンプルのオーバーレイを測定する方法のステップを示すプロセスフロー図である。
【図5】本開示の１つ又は複数の実施形態に従う、計測ターゲットを形成する方法のステップを示すプロセスフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
半導体デバイスが、パターン化された材料の複数のプリント層として基板上に形成され得る。各プリント層は、１つ又は複数の材料堆積ステップ、１つ又は複数のリソグラフィステップ、或いは１つ又は複数のエッチングステップ等であって、それらに限定されない一連のプロセスステップによって製造され得る。いくつかの製造プロセスでは、プリント層は、１つ又は複数のフォトレジスト材料を使用して形成され得る。例えば、フォトレジスト材料は、基板上に堆積され得る。フォトレジスト材料は次いで、照明に露光され得て、照明がフォトレジスト材料上に潜在ターゲットパターンを生成する。潜在ターゲットパターン（又は潜在ターゲットパターンから形成された現像されたターゲットパターン）は次いで、オーバーレイ及び／又は計測アプリケーションでの使用のための最終ターゲットパターンを基板上に形成するように構成された１つ又は複数のリソグラフィステップ及び／又は１つ又は複数のエッチングステップのためのパターンとして使用され得る。別の製造プロセスでは、フォトレジスト材料が照明に露光されて、フォトレジスト材料上に潜在ターゲットパターンを生成し、潜在ターゲットパターン（又は潜在ターゲットパターンから形成された現像されたターゲットパターン）をオーバーレイ及び／又は計測アプリケーションにおいて使用される。
【0011】
製造中に、各プリント層が、通常、選択された公差内で製造されることにより、最終デバイスを適切に作成しなければならない。例えば、各層内にプリントされた要素の相対的配置（例えば、オーバーレイ又はオーバーレイパラメータ）は、前に製造された層に対してうまく特性評価され、制御されなければならない。したがって、計測ターゲットが１つ又は複数のプリントされた層上に製造されることにより、層のオーバーレイについての効率的な特性評価を可能にし得る。プリントされた層上でのオーバーレイターゲット特徴の偏差はそれで、その層上にプリントされたデバイス特徴のプリント特性の偏差を表し得る。更に、１つの製造ステップにおいて（例えば、１つ又は複数のサンプル層の製造後に）測定されたオーバーレイが使用されて、後続の製造ステップにおいて追加のサンプル層を製造するためのプロセスツール（例えば、リソグラフィツール等）を正確に位置合わせするための修正可能物を生成してもよい。
【0012】
計測ターゲットは通常、１つ又は複数のプリント特性についての正確な表現を提供するように設計された明確にプリントされた要素を含んでもよい。この点に関して、（例えば、計測ツールによる）計測ターゲットのプリント要素の測定された特性は、製造されているデバイスに関連するプリントデバイス要素を表すことがある。更に、計測ターゲットは通常、１つ又は複数の測定セルを有するように特性評価され、この場合、各セルは、サンプル上の１つ又は複数の層内にプリントされた要素を含む。計測測定はそれで、単一のセル内で又は複数のセル間にプリントされた要素のサイズ、向き、又は位置（例えば、パターン配置）の測定の任意の組み合わせに基づいてもよい。例えば、オーバーレイ計測ターゲットの１つ又は複数のセルは、各層の要素の相対位置が、特定の層内のオフセット誤差（例えば、パターン配置誤差（ＰＰＥ））又はサンプル層間の位置決め誤差に関連するオーバーレイ誤差を示してもよいように配列された２つ以上のサンプル層上に印刷された要素を含んでもよい。別の一例として、プロセス感受性のある計測ターゲットは、単一のサンプル層上にプリントされた要素を含んでもよく、この場合、プリント要素の１つ又は複数の特性（例えば、幅又は臨界寸法（ＣＤ）、側壁角度、位置等）が、リソグラフィステップ中の照明の線量、又はリソグラフィステップ中のリソグラフィツール内のサンプルの焦点位置を含むがこれらに限定されない１つ又は複数のプロセス測定基準を示す。
【0013】
オーバーレイ計測は通常、サンプルにわたって１つ又は複数のオーバーレイターゲットを製造することによって実行され、この場合、各オーバーレイターゲットは、対象となるサンプル層内に特徴を含み、これらの特徴は、製造されているデバイス又は構成要素と関連した特徴と同時に製造される。この点に関して、オーバーレイターゲットの位置で測定されたオーバーレイ誤差が、デバイス特徴のオーバーレイ誤差を表すことがある。したがって、オーバーレイ測定値が使用されて任意の数の製造ツールを監視及び／又は制御することにより、指定された公差に従ってデバイスの製造を維持してもよい。例えば、１つのサンプルにおける前の層に対する現在の層のオーバーレイ測定値は、ロット内の追加のサンプルにおける現在の層の製造の偏差を監視及び／又は軽減するためのフィードバックデータとして利用され得る。別の一例として、１つのサンプルにおける前の層に対する現在の層のオーバーレイ測定値が、フィードフォワードデータとして利用されることにより、既存の層の位置合せを考慮に入れる方法で、同じサンプル上に後続の層を製造してもよい。
【0014】
オーバーレイターゲットは通常、対象のサンプル層間のオーバーレイ誤差に敏感であるように具体的に設計された機能を含む。オーバーレイ測定がそれで、オーバーレイ計測ツールを使用し、アルゴリズムを適用してオーバーレイターゲットを特性評価することによって実行されることにより、計測ツールの出力に基づいてサンプルにおけるオーバーレイ誤差を決定してもよい。
【0015】
オーバーレイ測定技術に関係なく、オーバーレイ計測ツールは通常、オーバーレイ信号の生成に利用される測定パラメータのセットを含むレシピに従って構成可能である。例えば、オーバーレイ計測ツールのレシピは、照明波長、サンプルから発する放射線の検出波長、サンプル上の照明のスポットサイズ、入射照明の角度、入射照明の偏光、オーバーレイターゲット上の入射照明のビームの位置、オーバーレイ計測ツールの焦点容積内のオーバーレイターゲットの位置等を含んでもよいがこれらに限定されない。したがって、オーバーレイレシピは、２つ以上のサンプル層のオーバーレイを決定するのに適したオーバーレイ信号を生成するための測定パラメータのセットを含んでもよい。
【0016】
オーバーレイ計測ツールが、様々な技術を利用して、サンプル層のオーバーレイを決定し得る。例えば、画像ベースのオーバーレイ計測ツールは、オーバーレイターゲット（例えば、アドバンストイメージング計測（ＡＩＭ）ターゲット、ボックスインボックス計測ターゲット等）を照明して、異なるサンプル層上にあるオーバーレイターゲット特徴の画像を含むオーバーレイ信号を捕捉し得る。したがって、オーバーレイは、オーバーレイターゲット特徴の相対的位置を測定することによって決定され得る。別の一例として、散乱計測ベースのオーバーレイ計測ツールは、オーバーレイターゲット（例えば、グレーティングオーバーグレーティング計測ターゲット等）を照明して、照明ビームの回折、散乱、及び／又は反射と関連する、オーバーレイターゲットから発する放射線の角度分布を含むオーバーレイ信号を捕捉してもよい。したがって、オーバーレイは、照明ビームとのオーバーレイターゲットとの相互作用についてのモデルに基づいて決定されてもよい。
【0017】
様々なオーバーレイ計測ツールが使用されてオーバーレイを測定し得ることが、本明細書において認識される。例えば、光学計測ツール（例えば、照明及び／又は検出のために電磁放射を使用する光ベースの計測ツール）が、画像内の複数の層上の空間分離された特徴の相対位置を決定すること、複数層上のＰＰＥを直接測定すること、或いはオーバーレイが複数の層上の回折格子から散乱及び／又は回折させられた光に基づいて決定されるスキャトロメトリ等であってこれらに限定されない多数の技術を用いて高処理能力オーバーレイ測定を提供し得る。本開示の目的のために、「光学計測ツール」、「光学計測技術」等の用語は、Ｘ線波長、極紫外（ＥＵＶ）波長、真空紫外（ＶＵＶ）波長、深紫外（ＤＵＶ）波長、紫外（ＵＶ）波長、可視波長、又は赤外（ＩＲ）波長等であってこれらに限定されない任意波長の電磁放射を用いる計測ツール及び技術を示す。オーバーレイ測定に関連するシステム、方法、及び装置が、「ＯＶＥＲＬＡＹ ＭＡＲＫＳ，ＭＥＴＨＯＤＳ ＯＦ ＯＶＥＲＬＡＹ ＭＡＲＫ ＤＥＳＩＧＮ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＯＦ ＯＶＥＲＬＡＹ ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴＳ」という名称の、２０１２年１２月１１日に発行された米国特許第８，３３０，２８１号、「ＰＥＲＩＯＤＩＣ ＰＡＴＴＥＲＮＳ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＴＯ ＣＯＮＴＲＯＬ ＭＩＳＡＬＩＧＮＭＥＮＴ ＢＥＴＷＥＥＮ ＴＷＯ ＬＡＹＥＲＳ」という名称の、２０１６年１０月２５日に発行された米国特許第９，４７６，６９８号、「ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＦＯＲ ＤＥＴＥＲＭＩＮＩＮＧ ＯＶＥＲＬＡＹ ＯＦ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ ＨＡＶＩＮＧ ＲＯＴＡＴＩＯＮＡＬ ＯＲ ＭＩＲＲＯＲ ＳＹＭＭＥＴＲＹ」という名称の、２００９年６月２日に発行された米国特許第７，５４１，２０１号、「ＭＥＴＨＯＤ ＡＮＤ ＳＹＳＴＥＭ ＦＯＲ ＰＲＯＶＩＤＩＮＧ Ａ ＱＵＡＬＩＴＹ ＭＥＴＲＩＣ ＦＯＲ ＩＭＰＲＯＶＥＤ ＰＲＯＣＥＳＳ ＣＯＮＴＲＯＬ」という名称の、２０１３年２月７日に公開された米国特許出願公開第２０１３／００３５８８８号、「ＳＹＳＴＥＭ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤ ＯＦ ＳＥＭ ＯＶＥＲＬＡＹ ＭＥＴＲＯＬＯＧＹ」という名称の、２０１５年１２月１５日に発行された米国特許第９，２１４，３１７号、「ＣＯＭＰＯＵＮＤ ＩＭＡＧＩＮＧ ＭＥＴＲＯＬＯＧＹ ＴＡＲＧＥＴＳ」という名称の、２０２０年１月７日に発行された米国特許第１０，５２７，９５１Ｂ２号、「ＭＥＴＲＯＬＯＧＹ ＩＭＡＧＩＮＧ ＴＡＲＧＥＴＳ ＨＡＶＩＮＧ ＲＥＦＬＥＣＴＩＯＮ－ＳＹＭＭＥＴＲＩＣ ＰＡＩＲＳ ＯＦ ＲＥＦＬＥＣＴＩＯＮ－ＡＳＹＭＭＥＴＲＩＣ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ」という名称の、２０１９年１月２９日に発行された米国特許第１０，１９０，９７９ Ｂ２号、及び「ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＴＨＥ ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴ ＯＦ ＰＡＴＴＥＲＮ ＰＬＡＣＥＭＥＮＴ ＡＮＤ ＳＩＺＥ ＯＦ ＰＡＴＴＥＲＮ ＡＮＤ ＣＯＭＰＵＴＥＲ ＰＲＯＧＲＡＭ ＴＨＥＲＥＦＯＲ」という名称の、２０１６年６月２７日に出願された国際出願ＰＣＴ／ＵＳ２０１６／０３９５３１号に概して記載されており、それらのすべては、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【0018】
本開示全体にわたって使用されるとき、「サンプル」という用語は通常、半導体又は非半導体材料で形成された基板（例えば、ウェーハ等）を指す。例えば、半導体又は非半導体材料は、単結晶シリコン、ガリウムヒ素、及びリン化インジウムを含むが、これらに限定されない。サンプルは１つ又は複数の層を含んでもよい。例えば、そのような層は、レジスト（フォトレジストを含む）、誘電体材料、導電性材料、及び半導体材料を含んでもよいがこれらに限定されない。多くの異なるタイプのそのような層が当該技術分野で公知であり、本明細書で使用されるようなサンプルという用語は、その上にすべてのタイプの層が形成され得るサンプルを包含することが意図されている。サンプル上に形成された１つ又は複数の層は、パターン付きであっても、パターン無しであってもよい。例えば、サンプルは、それぞれが繰返し性のパターン付き特徴を有する複数のダイを含む場合がある。そのような材料層の成形及び処理が、完成されたデバイスを最終的にもたらす場合がある。多くの異なるタイプのデバイスがサンプル上に形成され得、本明細書で使用されるようなサンプルという用語は、当該技術分野で公知の任意のタイプのデバイスがその上に製造されるサンプルを包含することが意図されている。更に、本開示目的に関して、サンプル及びウェーハという用語は交換可能であると解釈されるべきである。更に、本開示目的に関して、パターニングデバイス、マスク、及びレチクルという用語は交換可能であると解釈されるべきである。
【0019】
図１Ａは、本開示の１つ又は複数の実施形態に従う計測ターゲット１００についての上面図である。計測ターゲット１００は、第１セル１０１を含んでもよい。第１セル１０１は、第１セットのパターン要素１０２の第１部分１０２ａを含んでもよい。第１セットのパターン要素１０２は、任意の散乱計測ベースのオーバーレイ（ＳＣＯＬ）計測モードを非限定的に含む、当該技術分野で公知の任意の計測モードと互換性があってもよい。この点に関して、第１セットのパターン要素１０２は、ＳＣＯＬベースの計測方法を使用する計測用の周期性構造及び／又はセグメント化構造（例えば、グレーティングオーバーグレーティング構造、又は照明ビームを回折、散乱、及び／又は反射するのに適していることが当技術分野で公知の任意の構造）を含むように構成されてもよい。第１セットのパターン要素１０２は、第１ピッチ（例えば、第１セットのパターン要素１０２の繰返し型基準特徴間の周期的距離）を有し得る。別の例として、第１セットのパターン要素１０２は、アドバンストイメージング計測（ＡＩＭ）モード、ボックスインボックス計測モード、又はオーバーレイ信号（例えば、異なるサンプル層上に位置するオーバーレイターゲット特徴の画像）を捕捉するのに適していることが当該技術分野で公知の別の計測モードを含むがこれらに限定されない、任意の画像ベースのオーバーレイ計測モードと互換性があってもよい。第１セットのパターン要素１０２の第１部分１０２ａは、第１測定方向に沿った計測用に構成されてもよい。例えば、第１セットのパターン要素１０２の第１部分１０２ａは、ｙ方向に沿った測定用に構成されてもよい。
【0020】
第１セル１０１は、第２セットのパターン要素１０４の第１部分１０４ａを含んでもよい。第２セットのパターン要素１０４は、第１測定方向に沿って、任意の散乱計測ベースのオーバーレイ（ＳＣＯＬ）計測モードを含むがこれに限定されない、当該技術分野で公知の任意の計測モードと互換性があってもよい。この点に関して、第２セットのパターン要素１０４は、ＳＣＯＬベースの計測方法を使用する計測用の周期的構造及び／又はセグメント化構造（例えば、グレーティングオーバーグレーティング構造、又は照明ビームを回折、散乱、及び／又は反射するのに適していることが当技術分野で公知の任意の構造）を含むように構成されてもよい。第２セットのパターン要素１０４は、第２ピッチ（例えば、第２セットのパターン要素１０４の繰返し型基準特徴間の周期的距離）を有してもよい。別の一例として、第２セットのパターン要素１０４は、アドバンストイメージング計測（ＡＩＭ）モード、ボックスインボックス計測モード、又はオーバーレイ信号（例えば、異なるサンプル層上に位置するオーバーレイターゲット特徴の画像）を捕捉するのに適していることが当技術分野で公知の任意の別の計測モードを含むがこれらに限定されない、任意の画像ベースのオーバーレイ計測モードと互換性があってもよい。いくつかの実施形態では、第２ピッチが第１ピッチと等価でなくてもよいことに特に留意されたい。
【0021】
第１セル１０１は、第３セットのパターン要素１０６の第１部分１０６ａを含んでもよい。第３セットのパターン要素１０６は、第１測定方向に沿って、任意の散乱計測ベースのオーバーレイ（ＳＣＯＬ）計測モードを含むがこれに限定されない、当該技術分野で公知の任意の計測モードと互換性があってもよい。この点に関して、第３セットのパターン要素１０６は、ＳＣＯＬベースの計測方法を使用する計測用の周期性構造及び／又はセグメント化構造（例えば、グレーティングオーバーグレーティング構造、又は照明ビームを回折、散乱、及び／又は反射するのに適していることが当技術分野で公知の任意の構造）を含むように構成されてもよい。第３セットのパターン要素１０６は、第３ピッチ（例えば、第３セットのパターン要素１０６の繰返し型基準特徴間の周期的距離）を有してもよい。別の一例として、第３セットのパターン要素１０６は、アドバンストイメージング計測（ＡＩＭ）モード、ボックスインボックス計測モード、又はオーバーレイ信号（例えば、異なるサンプル層上に位置するオーバーレイターゲット特徴の画像）を捕捉するのに適していることが当該技術分野で公知の任意の別の計測モードを含むがこれらに限定されない、任意の画像ベースのオーバーレイ計測モードと互換性があってもよい。第３セットのパターン要素１０６は、第３ピッチを有してもよい。いくつかの実施形態では、第３ピッチは、第１ピッチ又は第２ピッチのいずれにも等価でなくてもよいことに特に留意されたい。
【0022】
図１Ｂは、本開示の１つ又は複数の実施形態に従う計測ターゲット１００についての上面図である。計測ターゲット１００は、第２セル１０３を含んでもよい。第２セル１０３は、第１セットのパターン要素１０２の第２部分１０２ｂを含んでもよい。第１セットのパターン要素１０２の第２部分１０２ｂは、第２測定方向に沿った計測用に構成されてもよい。例えば、第１セットのパターン要素１０２の第２部分１０２ｂは、ｘ方向に沿った測定用に構成されてもよい。第２セル１０３は、第２セットのパターン要素１０４の第２部分１０４ｂを含んでもよい。第２セットのパターン要素１０４の第２部分１０４ｂは、第２測定方向に沿った計測用に構成されてもよい。第２セル１０３は、第３セットのパターン要素１０６の第２部分１０６ｂを含んでもよい。第３セットのパターン要素１０６の第２部分１０６ｂは、第２測定方向に沿った計測用に構成されてもよい。
【0023】
第１セル１０１と第２セル１０３とは、第１セル１０１と第２セル１０３とが互いに隣接するように形成されてもよい。例えば、図１Ｂに示すように、第２セル１０３は、第１セル１０１の側に形成されてもよい。第１セル１０１と第２セル１０３の各々は、第１測定方向及び第２測定方向のそれぞれが互いに垂直であるように構成されてもよい。この点に関して、第１セル１０１と第２セル１０３とは、四回回転対称であってもよい。別の一実施形態では、第１セル１０１と第２セル１０３とは、２回回転対称であってもよい。いくつかの実施形態では、第１セル１０１及び／又は第２セル１０３のサイズは、計測ターゲット１００をサンプルの小さい領域内で使用することを可能にし得る。例えば、いくつかの実施形態では、計測ターゲット１００は、サンプルに関する空間考慮事項に従うために、第１セル１０１のみを含むように構成されてもよい。別の実施形態では、計測ターゲット１００は、サンプルに関する空間考慮事項に従うために、第２セル１０３のみを含むように構成されてもよい。別の実施形態では、計測ターゲット１００は、サンプルに関する空間考慮事項に従うために、第１セル１０１及び第２セル１０３の両方を含むように構成されてもよい。
【0024】
いくつかの実施形態では、図１Ｃ及び１Ｄに示すように、計測ターゲット１００は、サンプル上のより小さい表面積を占めるように構成されてもよい。例えば、計測ターゲット１００は、第１セル１０１及び第２セル１０３が「グレーティングオーバーグレーティング」構造を形成するように構成されてもよい。別の一例として、第１セル１０１は、計測ターゲット１００の第１層内に形成されてもよく、第２セル１０３は、計測ターゲット１００の第２層内に形成されてもよい。この点に関して、第２セル１０３は、第１セットのパターン要素の第１部分１０２ａ、第２セットのパターン要素の第１部分１０４ａ、及び第３セットのパターン要素の第１部分１０６ａのそれぞれが、サンプル上のより小さい表面積を占める「グレーティングオーバーグレーティング」構造を形成するように、第１セル１０１の最上部に（例えば、ｚ方向に沿って）形成されてもよい。
【0025】
計測ターゲット１００のパターン要素（例えば、第１セル１０１及び／又は第２セル１０３）は、第１セルパターン要素１０８及び／又は第２セルパターン要素１１２のうちの１つ又は複数の部分に誘導される入射放射線が、第１セットのパターン要素１０２、第２セットのパターン要素１０４、及び／又は第３セットのパターン要素１０６の１つ又は複数の部分によって回折されてもよく、そして、回折された放射線が、（例えば、１つ又は複数の計測サブシステムによって）検出及び分析されることにより、回折放射線に基づく１つ又は複数のオーバーレイ測定値及び／又は回折放射線を示す１つ又は複数の信号を決定するように構成されてもよいことに留意されたい。
【0026】
計測ターゲット１００の構成要素（例えば、第１セル１０１、第２セル１０３、第１セットのパターン要素１０２、第２セットのパターン要素１０４、及び／又は第３セットのパターン要素１０６）を含むがこれらに限定されない本開示の実施形態は、オーバーレイ測定を実行するのに必要な時間を低減するように構成され得ることに留意されたい。例えば、第１セットのパターン要素１０２ａの第１部分、第２セットのパターン要素の第１部分１０４ａ、及び第３セットのパターン要素の第１部分１０６ａのそれぞれが第１測定方向に沿った測定用に構成されている第１セル１０１の構成は、計測サブシステムの１つ又は複数の部分が第１セル１０１のパターン要素のそれぞれからの信号を捕捉するのに必要な時間を低減し得る。この点に関して、第１セル１０１のパターン要素の部分のそれぞれを第１測定方向に沿って形成することによって、計測サブシステムは、測定方向に関連する１つ又は複数の測定パラメータを調整することなく、そのようなパターン要素からの信号を捕捉し得る（すなわち、計測サブシステムは、所与のセルに関して１つの測定方向のみに沿った計測ターゲット１００から信号を受信し得る）。
【0027】
図２は、本開示の１つ又は複数の実施形態に従う計測システム２００についての簡略化されたブロック図を示す。一実施形態では、計測システム２００は、１つ又は複数の計測サブシステム２０２を含む。１つ又は複数の計測サブシステム２０２は、画像化モード又は非画像化モードのいずれかで動作するように構成され得る。例えば、画像化モードでは、個々のオーバーレイターゲット要素は、サンプル上の照明されたスポット内で（例えば、明視野画像、暗視野画像、位相コントラスト画像等の一部分として）解像可能であり得る。別の一例として、１つ又は複数の計測サブシステム２０２は、（例えば、サンプルによる放射線の散乱及び／又は回折に関連する）サンプルからの放射線が、瞳面で分析されてサンプルからの放射線の角度分布を特性評価する散乱計測ベースのオーバーレイ（ＳＣＯＬ）計測ツールとして動作し得る。
【0028】
１つ又は複数の計測サブシステム２０２は、照明をサンプルに誘導し得て、更にサンプルから発する放射線を収集することにより、２つ以上のサンプル層のオーバーレイの決定に適したオーバーレイ信号を生成し得る。１つ又は複数の計測サブシステムは、任意の光学計測ツール（例えば、アドバンストイメージング計測（ＡＩＭ）ツール、アドバンストイメージング計測インダイ（ＡＩＭｉｄ）ツール、トリプルアドバンストイメージング計測（Ｔｒｉｐｌｅ ＡＩＭ）ツール等）、任意の粒子ベースの計測ツール（例えば、電子ビーム計測ツール）、又は散乱計測ベースのオーバーレイ（ＳＣＯＬ）計測ツールを含むがこれに限定されない、サンプル上のオーバーレイターゲットと関連するオーバーレイを決定するのに適したオーバーレイ信号を生成するのに適している当該技術分野で公知の任意のタイプのオーバーレイ計測ツールを含んでもよい。本開示の実施形態は、１つの計測サブシステム２０２のみを有する計測システム２００に限定されないこと、及び計測システム２００は、少なくとも２つの計測サブシステムを含み得ることに留意されたい。例えば、計測システム２００は、光学計測ツール及び散乱計測ベースのオーバーレイ（ＳＣＯＬ）計測ツールを含んでもよい。
【0029】
１つ又は複数の計測サブシステム２０２は、オーバーレイターゲットのオーバーレイを決定するのに適したオーバーレイ信号の取得のための測定パラメータを規定する任意の数のレシピに基づいてオーバーレイ信号を生成するように構成可能であり得る。例えば、１つ又は複数の計測サブシステム２０２についてのレシピは、照明波長、サンプルから発する放射線の検出波長、サンプル上の照明のスポットサイズ、入射照明の角度、入射照明の偏光、入射ビームの波面、オーバーレイターゲット上の入射照明ビームの位置、オーバーレイ計測ツールの焦点体積内のオーバーレイターゲットの位置等を含んでもよいがこれらに限定されない。
【0030】
別の一実施形態では、オーバーレイ計測システム２００は、１つ又は複数の計測サブシステム２０２に通信可能に結合されたコントローラ２０４を含む。コントローラ２０４は、１つ又は複数の計測サブシステム２０２に、１つ又は複数の選択されたレシピに基づいてオーバーレイ信号を生成するよう誘導するように構成され得る。コントローラ２０４は、１つ又は複数の計測サブシステム２０２からのオーバーレイ信号を含むがこれに限定されないデータを受信するように更に構成され得る。更に、コントローラ２０４は、取得されたオーバーレイ信号に基づいて、オーバーレイターゲットと関連するオーバーレイを決定するように構成され得る。
【0031】
別の一実施形態では、コントローラ２０４は、１つ又は複数のプロセッサ２０６を含む。例えば、１つ又は複数のプロセッサ２０６は、メモリデバイス２０８又はメモリに保持されたプログラム命令のセットを実行するように構成され得る。コントローラ２０４の１つ又は複数のプロセッサ２０６は、当該技術分野で公知の任意の処理要素を含んでもよい。この意味で、１つ又は複数のプロセッサ２０６は、アルゴリズム及び／又は命令を実行するように構成された任意のマイクロプロセッサ型デバイスを含み得る。更に、メモリデバイス２０８は、関連する１つ又は複数のプロセッサ２０６によって実行可能なプログラム命令を記憶するのに適した、当技術分野で公知の任意の記憶媒体を含み得る。例えば、メモリデバイス２０８は、非一時的メモリ媒体を含み得る。更なる例として、メモリデバイス２０８は、読み出し専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、磁気又は光学メモリデバイス（例えば、ディスク）、磁気テープ、ソリッドステートドライブ等を含んでもよいが、これらに限定されない。メモリデバイス２０８は、１つ又は複数のプロセッサ２０６と共通のコントローラハウジング内に収容され得ることに更に留意されたい。
【0032】
一実施形態では、計測サブシステム２０２は、サンプルに照明を誘導し、更にサンプルから発する放射線を収集することにより、２つ以上のサンプル層のオーバーレイについての決定に適したオーバーレイ信号を生成し得る。計測サブシステム２０２は、オーバーレイターゲットのオーバーレイを決定するのに適したオーバーレイ信号の取得のための測定パラメータを規定する任意の数のレシピに基づいてオーバーレイ信号を生成するように構成可能であり得る。例えば、計測サブシステム２０２についてのレシピは、照明波長、サンプルから発する放射線の検出波長、サンプル上の照明のスポットサイズ、入射照明の角度、入射照明の偏光、オーバーレイターゲット上の入射照明のビームの位置、オーバーレイ計測ツールの焦点容積内のオーバーレイターゲットの位置等を含んでもよいがこれらに限定されない。
【0033】
一実施形態では、図３に示すように、１つ又は複数の計測サブシステム２０２は、光学計測ツールを含む計測サブシステム等の光学計測サブシステム２０２を含んでもよい。光学計測サブシステム２０２は、Ｘ線、紫外（ＵＶ）、赤外（ＩＲ）、又は可視光波長を有する光学照明ビームを生成及び／又は検出するように構成された光学計測ツールを含むがこれらに限定されない、サンプルの計測データを生成するのに適した当該技術分野で公知の任意のタイプの光学計測ツールを含んでもよい。別の一例として、１つ又は複数の計測サブシステム２０２は、アドバンストイメージング計測（ＡＩＭ）ツール、アドバンストイメージング計測インダイ（ＡＩＭｉｄ）ツール、又はトリプルアドバンストイメージング計測（Ｔｒｉｐｌｅ ＡＩＭ）ツールを含んでもよい。
【0034】
一実施形態では、１つ又は複数の計測サブシステム２０２は、光学照明ビーム３２６を生成するように構成された光学照明源３２４を含んでもよい。光学照明ビーム３２６は、Ｘ線、紫外（ＵＶ）光、可視光、又は赤外（ＩＲ）光を含むがこれらに限定されない、１つ又は複数の選択された放射線の波長を含んでもよい。
【0035】
光学照明源３２４は、光学照明ビーム３２６を提供するのに適した任意のタイプの照明源を含んでもよい。一実施形態では、光学照明源３２４は、レーザ源である。例えば、光学照明源３２４は、１つ又は複数の狭帯域レーザ源、広帯域レーザ源、スーパーコンティニュームレーザ源、白色光レーザ源等を含んでもよいがこれらに限定されない。この点に関して、光学照明源３２４は、高いコヒーレンス（例えば、高い空間的コヒーレンス及び／又は時間的コヒーレンス）を有する光学照明ビーム３２６を提供してもよい。別の一実施形態では、光学照明源３２４は、レーザ維持プラズマ（ＬＳＰ）源を含む。例えば、光学照明源３２４は、ＬＳＰランプ、ＬＳＰ電球、又はレーザ源によってプラズマ状態に励起されると、広帯域照明を放出し得る１つ又は複数の要素を包含するのに適したＬＳＰチャンバを含んでもよいがこれらに限定されない。別の一実施形態では、光学照明源３２４は、ランプ光源を含む。例えば、光学照明源３２４は、アークランプ、放電ランプ、無電極ランプ等を含んでもよいがこれらに限定されない。この点に関して、光学照明源３２４は、低いコヒーレンス（例えば、低い空間的コヒーレンス及び／又は時間的コヒーレンス）を有する光学照明ビーム３２６を提供してもよい。
【0036】
別の一実施形態では、光学照明源３２４は、照明経路３２８を経由して光学照明ビーム３２６をサンプル３１６に誘導する。照明経路３２８は、光学照明ビーム３２６を修正及び／又は調整するのに適した１つ又は複数の照明経路レンズ３３４或いは追加の光学部品３３２を含んでもよい。例えば、１つ又は複数の光学部品３３２は、１つ又は複数の偏光子、１つ又は複数のフィルタ、１つ又は複数のビームスプリッタ、１つ又は複数のディフューザ、１つ又は複数のホモジナイザ、１つ又は複数のアポダイザ、又は１つ又は複数のビームシェイパを含んでもよいがこれらに限定されない。照明経路３２６は、光学照明ビーム３２６をサンプル３１６に誘導するように構成された対物レンズ３３８を更に含んでもよい。
【0037】
別の一実施形態では、サンプル３１６は、サンプルステージ３１８上に配設される。サンプルステージ３１８は、１つ又は複数の計測サブシステム２０２ｂ内でサンプル３１８を位置決め及び／又は走査するのに適した任意のデバイスを含んでもよい。例えば、サンプルステージ３１６は、線形並進ステージ、回転ステージ、チップ／チルトステージ等の任意の組み合わせを含んでもよい。
【0038】
別の一実施形態では、１つ又は複数の計測サブシステム２０２は、収集経路３３０を通る、サンプル３１６から発する光を捕捉するように構成された１つ又は複数の検出器３２２を含む。収集経路３３０は、サンプル３１６からの光を収集するための１つ又は複数の収集経路レンズ３２６、３４０を含んでもよいがこれらに限定されない。例えば、１つ又は複数の検出器３２２は、１つ又は複数の収集経路レンズ３２６、３４０を経由してサンプル３１６から（例えば、鏡面反射、拡散反射等を介して）反射又は散乱された光を受け取ってもよい。別の一例として、１つ又は複数の検出器３２２は、サンプル３１６によって生成された光（例えば、光学照明ビーム３２６の吸収と関連する発光等）を受け取ってもよい。別の一例として、１つ又は複数の検出器３２２は、サンプル３１６からの１つ又は複数の回折次数の光（例えば、０次回折、±１次回折、±２次回折等）を受け取ってもよい。
【0039】
１つ又は複数の検出器３２２は、第１セットのパターン要素１０２、第２セットのパターン要素１０４、及び／又は第３セットのパターン要素１０６等の、サンプル３１６の複数の部分から発する光を同時に捕捉するように構成されてもよいことに留意されたい。このように、計測システム２００は、計測システム２００の動作が「オンザフライ」で実行されてもよく、また、動作が個々のオーバーレイ測定の間で中断される必要がないので、オーバーレイ誤差を決定するのに必要な時間が短縮されるように構成され得る。
【0040】
１つ又は複数の検出器３２２は、サンプル３１６から受け取られた照明を測定するのに適した当該技術分野で公知の任意のタイプの検出器を含んでもよい。例えば、検出器３２２は、ＣＣＤ検出器、ＴＤＩ検出器、光電子増倍管（ＰＭＴ）、アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）センサー等を含んでもよいがこれらに限定されない。別の一実施形態では、検出器３２２は、サンプル３１６から発する光の波長を識別するのに適した分光検出器を含んでもよい。
【0041】
一実施形態では、１つ又は複数の検出器３２２は、サンプル３１６の表面に対してほぼ垂直に配置される。別の一実施形態では、１つ又は複数の計測サブシステム２０２は、対物レンズ３３８が光学照明ビーム３２６をサンプル３１６に誘導することと、サンプル３１６から発する光を収集することと、を同時に行い得るように指向させられるビームスプリッタを含む。更に、照明経路３２６と収集経路３３０とは、１つ又は複数の追加要素（例えば、対物レンズ３３８、開口部、フィルタ等）を共有してもよい。
【0042】
前述したように、１つ又は複数の計測サブシステム２０２は、１つ又は複数の計測サブシステム２０２に通信可能に結合されたコントローラ２０４を含んでもよい。コントローラ２０４は、１つ又は複数の選択されたレシピに基づいてオーバーレイ信号を生成するために、１つ又は複数の計測サブシステム２０４を誘導するように構成されてもよい。コントローラ２０４は、１つ又は複数の計測サブシステム２０２からのオーバーレイ信号を含むがこれに限定されないデータを受信するように更に構成されてもよい。更に、コントローラ２０４は、取得されたオーバーレイ信号に基づいて、オーバーレイターゲットと関連するオーバーレイを決定するように構成され得る。
【0043】
コントローラ２０４は、サンプルの１つ又は複数のオーバーレイ測定に基づいてサンプル３１６のオーバーレイ値を決定するように構成されてもよい。例えば、コントローラ２０４は、サンプル３１６の１つ又は複数の部分（例えば、第１セットのパターン要素１０２、第２セットのパターン要素１０４、及び／又は第３セットのパターン要素１０６）から発する照明を示す１つ又は複数の信号に基づいてサンプル３１６の１つ又は複数のオーバーレイ測定値を生成するように構成されてもよい。サンプル２０２の１つ又は複数のオーバーレイ測定値は、サンプル３１６の１つ又は複数の層のオーバーレイ位置に対応してもよい。
【0044】
サンプル３１６についての１つ又は複数のオーバーレイ測定値は、第１セットのパターン要素１０２、第２セットのパターン要素１０４、及び／又は第３セットのパターン要素１０６から発する照明の強度についての１つ又は複数の測定値を含んでもよい。例えば、コントローラ２０４は、１つ又は複数の検出器３２２（及び／又は粒子検出器３２０）によって収集された照明の強度を決定するように構成されてもよい。別の一例として、コントローラ２０４は、式１に従って、サンプル３１６が（例えば、ステージ３１８の並進移動等によって）速度ｖで動かされるとき、（ピッチＰ１を有する）第１セットのパターン要素１０２、（ピッチＰ２を有する）第２セットのパターン要素１０４、及び／又は（ピッチＰ３を有する）第３セットのパターン要素１０６から発する照明の強度を決定するように構成されてもよい。
【数1】
【0045】
式１を用いてコントローラ２０４によって決定された強度は、＋１回折次数を有する照明との関係で示されることに留意されたい。本開示の実施形態は、そのような関係に限定されないこと、及びコントローラ２０４は、様々な回折次数（例えば、－１回折次数）を有するサンプル３１６から発する照明の強度を決定するように構成されてもよいことが、明確に考えられている。
【0046】
コントローラ２０４は、サンプル３１６の様々な部分から発する照明の強度の相対的な変動（例えば、第１セットのパターン要素１０２、第２セットのパターン要素１０４及び／又は第３セットのパターン要素１０６から発する照明の間の強度の差）を更に決定するように構成されてもよい。例えば、コントローラ２０４は、式２に従って、第１セットのパターン要素１０２、第２セットのパターン要素１０４、及び／又は第３セットのパターン要素１０６から発する照明の間の強度変動を決定してもよい。
【数2】
【0047】
式２を用いてコントローラ２０４によって決定された強度が、＋１回折次数を有する照明に関係して示されることに留意されたい。本開示の実施形態は、そのような関係に限定されないことと、コントローラ１０４は、様々な回折次数（例えば、－１回折次数）を有するサンプル３１６から発する照明の強度を決定するように構成されてもよいこととが、明確に考えられている。
【0048】
コントローラ２０４は、第１セットのパターン要素１０２、第２セットのパターン要素１０４及び／又は第３セットのパターン要素１０６から発する照明に関する位相差を決定するように更に構成されてもよい。例えば、コントローラ１０４は、式３に従って、第１セットのパターン要素１０２から発する照明と第２セットのパターン要素１０４から発する照明との間の位相差（そのような位相差はδ１２で示される）、第２セットのパターン要素１０４から発する照明と第３セットのパターン要素１０６から発する照明との間の位相差（そのような位相差はδ２３で示される）、及び／又は第１セットのパターン要素１０２から発する照明と第３セットのパターン要素１０６から発する照明との間の位相差（そのような位相差はδ１３で示される）を決定し得る。
【数3】
【0049】
コントローラ１０４は、式３に従って計算された位相差に基づいて、サンプル３１６の２つの層の間のオーバーレイ値（例えば、オーバーレイ誤差）を決定するように更に構成されてもよい。例えば、コントローラ２０４は、式４に従って、サンプル３１６の第１層とサンプル３１６の第２層との間のオーバーレイ誤差（例えば、ＯＶＬ１－２）を決定するように構成されてもよい。
【数4】
【0050】
コントローラ２０４の１つ又は複数のプロセッサ２０６は、当該技術分野で公知の任意のプロセッサ又は処理要素を含んでもよい。本開示の目的に関して、「プロセッサ」又は「処理要素」という用語は、１つ又は複数の処理要素又は論理要素（例えば、１つ又は複数のマイクロプロセッサデバイス、１つ又は複数の特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）デバイス、１つ又は複数のフィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、或いは１つ又は複数のデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）)を有する任意のデバイスを包含するように広義に定義され得る。この意味で、１つ又は複数のプロセッサ２０６は、アルゴリズム及び／又は命令（例えば、メモリ内に記憶されたプログラム命令）を実行するように構成された任意のデバイスを含んでもよい。一実施形態では、本開示全体を通じて説明されるとき、１つ又は複数のプロセッサ２０６は、デスクトップコンピュータ、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、画像コンピュータ、並列プロセッサ、ネットワークコンピュータ、又は動作する若しくは計測システム２００と連携して動作するように構成されたプログラムを実行するように構成された任意の別のコンピュータシステムとして実現されてもよい。更に、本開示全体を通じて説明されるステップは、単一のコントローラ２０４、又はその代替として複数のコントローラによって実行されてもよい。更に、コントローラ２０４は、共通のハウジング内又は複数のハウジング内に収容された１つ又は複数のコントローラを含んでもよい。このようにして、任意のコントローラ又はコントローラの組合せが、計測システム２００への統合に適したモジュールとして個別にパッケージ化されてもよい。更に、コントローラ２０４は、１つ又は複数の計測サブシステム２０２から受信されたデータを分析して、そのデータを計測システム２００内の又は計測システム２００の外部の追加の構成要素に供給してもよい。
【0051】
メモリ媒体２０８は、関連する１つ又は複数のプロセッサ２０４によって実行可能なプログラム命令を格納するのに適した、当技術分野で公知の任意の記憶媒体を含んでもよい。例えば、メモリ媒体２０８は、非一時的メモリ媒体を含んでもよい。別の一例として、メモリ媒体２０８は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気又は光学メモリデバイス（例えば、ディスク）、磁気テープ、ソリッドステートドライブ等を含んでもよいがこれらに限定されない。メモリ媒体２０８は、１つ又は複数のプロセッサ２０６と共通のコントローラハウジング内に収容され得ることに更に留意されたい。一実施形態では、メモリ媒体２０８は、１つ又は複数のプロセッサ２０６及びコントローラ２０４の物理的位置に対して遠隔に位置してもよい。例えば、コントローラ２０４の１つ又は複数のプロセッサ２０６は、ネットワーク（例えば、インターネット、イントラネット等）を介してアクセス可能なリモートメモリ（例えば、サーバ）にアクセスしてもよい。
【0052】
一実施形態では、ユーザインターフェース（図示せず）がコントローラ２０４に通信可能に結合される。ユーザインターフェースは、１つ又は複数のデスクトップ、ラップトップ、タブレット等を含んでもよいがこれらに限定されない。別の一実施形態では、ユーザインターフェースは、計測システム２００のデータをユーザに表示するために使用されるディスプレイを含む。ユーザインターフェースのディスプレイは、当該技術分野で公知の任意のディスプレイを含んでもよい。例えば、ディスプレイは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ベースのディスプレイ、又はＣＲＴディスプレイを含んでもよいがこれらに限定されない。当業者であれば、ユーザインターフェースと統合可能な任意の表示装置が本開示の実装に適していることを認識するはずである。別の一実施形態では、ユーザは、ユーザインターフェースのユーザ入力装置を介してユーザに表示されたデータに応じた選択及び／又は指示を入力してもよい。
【0053】
別の一実施形態では、コントローラ２０４は、計測システム２００の１つ又は複数の要素に通信可能に結合される。これに関して、コントローラ２０４は、計測システム２００の任意の構成要素からデータを送信及び／又は受信してもよい。例えば、コントローラ２０４は、検出器３２０、３２２に通信可能に結合されることにより、検出器３２０、３２２から１つ又は複数の画像を受信してもよい。更に、コントローラ２０４は、関連する構成要素に対する１つ又は複数の制御信号を生成することによって、計測システム２００の任意の構成要素を誘導又は別途制御してもよい。
【0054】
図４は、本開示の１つ又は複数の実施形態に従う、サンプルのオーバーレイを測定する方法４００のステップを示すプロセスフロー図を示す。
【0055】
ステップ４０２では、１つ又は複数の計測ターゲット１００を含むサンプルが照明される。例えば、計測システム２００は、照明ビームをサンプル３１６上に誘導してもよい。本明細書で用いられる場合、用語「照明ビーム」は、光学照明ビーム３２６を含むがこれに限定されない任意の放射ビームを指すことがある。
【0056】
ステップ４０４では、計測ターゲット１００の第１セットのパターン要素１０２、第２セットのパターン要素１０４、及び第３セットのパターン要素１０６から発する照明が検出される。例えば、光学照明ビーム３２６が検出されてもよい。
【0057】
ステップ４０６では、１つ又は複数の第１オーバーレイ測定値が生成される。例えば、コントローラ２０４は、第１セットのパターン要素１０２の１つ又は複数の部分から発する照明を示す１つ又は複数の信号に基づいて、サンプル３１６の１つ又は複数の第１オーバーレイ測定値を生成するように構成されてもよい。サンプル３１６の１つ又は複数の第１オーバーレイ測定値は、１つ又は複数の強度測定値を含んでもよい（例えば、コントローラ２０４は、式１～３に従って１つ又は複数の強度及び／又は位相差を決定してもよい）。
【0058】
ステップ４０８では、１つ又は複数の第２オーバーレイ測定値が生成される。例えば、コントローラ２０４は、第２セットのパターン要素１０４の１つ又は複数の部分から発する照明を示す１つ又は複数の信号に基づいて、サンプル３１６の１つ又は複数の第２オーバーレイ測定値を生成するように構成されてもよい。サンプル３１６の１つ又は複数の第２オーバーレイ測定値は、１つ又は複数の強度測定値を含んでもよい（例えば、コントローラ２０４は、式１～３に従って１つ又は複数の強度及び／又は位相差を決定してもよい）。
【0059】
ステップ４１０では、１つ又は複数の第３オーバーレイ測定値が生成される。例えば、コントローラ２０４は、第３セットのパターン要素１０６の１つ又は複数の部分から発する照明を示す１つ又は複数の信号に基づいて、サンプル３１６の１つ又は複数の第３オーバーレイ測定値を生成するように構成されてもよい。サンプル３１６の１つ又は複数の第３オーバーレイ測定値は、１つ又は複数の強度測定値を含んでもよい（例えば、コントローラ２０４は、式１～３に従って１つ又は複数の強度及び／又は位相差を決定してもよい）。
【0060】
ステップ４１２では、１つ又は複数の第１オーバーレイ測定値、１つ又は複数の第２オーバーレイ測定値、及び／又は１つ又は複数の第３オーバーレイ測定値に基づいて、オーバーレイ誤差が決定される。例えば、コントローラ２０４は、式４を用いて、サンプル３１６の第１層とサンプル３１６の第２層との間のオーバーレイ誤差を生成するように構成されてもよい。
【0061】
いくつかの実施形態では、方法４００は、少なくともステップ４１２で決定された１つ又は複数のオーバーレイ値に基づいて１つ又は複数のオーバーレイ修正可能物が提供される１つ又は複数の追加のステップ（例えば、任意選択のステップ４１４）を含んでもよい。例えば、１つ又は複数の追加のステップは、１つ又は複数のプロセスツール（例えば、リソグラフィツール）の１つ又は複数のパラメータ（例えば、製造設定、構成等）を調整するための１つ又は複数の制御信号（又は制御信号に対する補正）を生成するコントローラ２０４を含んでもよい。制御信号（又は制御信号に対する補正）は、フィードバック及び／又はフィードフォワード制御ループの部分としてコントローラ２０４によって提供されてもよい。コントローラ２０４は、１つ又は複数のプロセスツールに、１つ又は複数の制御信号（又は制御信号に対する補正）に基づいて、１つ又は複数のプロセスツールの１つ又は複数のパラメータに対する１つ又は複数の調整を実行させ得る。いくつかの実施形態では、コントローラ２０４は、１つ又は複数の調整を行うようにユーザに警告してもよい。この意味において、１つ又は複数の制御信号は、１つ又は複数のプロセスツールの１つ又は複数の製造プロセスの誤差を補償してもよく、それで、１つ又は複数のプロセスツールが、同じ又は異なるロット内の後続のサンプルでの複数の露光にわたって選択された許容誤差内にオーバーレイを維持することを可能にし得る。
【0062】
図５は、本開示の１つ又は複数の実施形態に従う、計測ターゲット１００を形成する方法５００のステップを示すプロセスフロー図である。
【0063】
ステップ５０２では、第１セットのパターン要素１０２が、サンプルの第１セル１０１及び第２セル１０３内に形成される。例えば、第１セットのパターン要素１０２の第１部分は、第１セル１０１内に形成されてもよく、第１セットのパターン要素１０２の第２部分は、第２セル１０３内に形成されてもよい。第１セットのパターン要素１０２は、１つ又は複数の堆積、リソグラフィ、又はエッチングステップ等であってこれらに限定されない１つ又は複数のプロセスステップを通じて製造され得る。第１セットのパターン要素１０２は、１つ又は複数のプロセスツール（例えば、リソグラフィツール）を用いて形成されてもよい。
【0064】
ステップ５０４では、第２セットのパターン要素１０４が、サンプルの第１セル１０１及び第２セル１０３内に形成される。例えば、第２セットのパターン要素１０４の第１部分は、第１セル１０１内に形成されてもよく、第２セットのパターン要素１０４の第２部分は、第２セル１０３内に形成されてもよい。第２セットのパターン要素１０４は、１つ又は複数の堆積、リソグラフィ、又はエッチングステップ等であってこれらに限定されない１つ又は複数のプロセスステップを通じて製造されてもよい。第２セットのパターン要素１０４は、１つ又は複数のプロセスツール（例えば、リソグラフィツール）を用いて形成されてもよい。
【0065】
ステップ５０６では、第３セットのパターン要素１０６が、サンプルの第１セル１０１及び第２セル１０３内に形成される。例えば、第３セットのパターン要素１０６の第１部分は、第１セル１０１内に形成されてもよく、第３セットのパターン要素１０６の第２部分は、第２セル１０３内に形成されてもよい。第３セットのパターン要素１０６は、１つ又は複数の堆積、リソグラフィ、又はエッチングステップ等であってこれらに限定されない１つ又は複数のプロセスステップを通じて製造されてもよい。第３セットのパターン要素１０６は、１つ又は複数のプロセスツール（例えば、リソグラフィツール）を用いて形成されてもよい。
【0066】
本明細書に記載されたすべての方法は、方法の実施形態の１つ又は複数のステップの結果をメモリに記憶することを含んでもよい。結果は、本明細書に記載された結果のうちのいずれかを含んでもよく、当該技術分野で公知の任意の方法で記憶されてもよい。メモリは、本明細書に記載された任意のメモリ、又は当技術分野で公知の任意の別の適した記憶媒体を含んでもよい。結果が記憶された後に、結果はメモリ内でアクセスされ、本明細書に記載された方法又はシステムの実施形態のうちのいずれかによって使用され、ユーザへの表示のためにフォーマットされ、別のソフトウェアモジュール、方法、又はシステム等によって使用され得る。更に、結果は、「永久に」、「半永久に」、「一時的に」、又は一定期間記憶されてもよい。例えば、メモリは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）であってもよく、結果は、必ずしもメモリ内に無期限に記憶されなくてもよい。
【0067】
上記の方法の実施形態のそれぞれは、本明細書に記載の任意の別の方法の任意の別のステップを含んでもよいことが更に考えられる。更に、上記の方法の実施形態のそれぞれは、本明細書に記載されたシステムのうちのいずれかによって実行されてもよい。
【0068】
当業者であれば、本明細書に記載された構成要素の動作、デバイス、オブジェクト、及びそれらに付随する議論が、概念的な明瞭さのための例として使用され、様々な構成の変更が考えられることを認識するであろう。したがって、本明細書で使用される場合、述べられた特定の例及び付随する説明が、それらのより一般的なクラスを代表することが意図される。一般に、なんらかの特定の例の使用は、そのクラスを代表することが意図されており、特定の構成要素、操作、デバイス、及びオブジェクトが含まれないことは限定として解釈されるべきではない。
【0069】
本明細書で使用される場合、「最上部」、「底部」、「上に」、「下に」、「上側の」、「上方に」、「下側の」、「下へ」、及び「下方に」等の方向を示す用語は、説明のための相対的な位置を提供するように意図されており、これらは、絶対的な基準枠を指定することを意図したものではない。記載された実施形態に対する様々な修正が、当業者には明らかであり、本明細書で規定された一般原理が、別の実施形態に適用され得る。
【0070】
本明細書における実質的に任意の複数形及び／又は単数形の用語の使用に関して、当業者であれば、状況及び／又は用途に応じて、複数形から単数形へ、及び／又は単数形から複数形に変換し得る。様々な単数形／複数形の置換は、明瞭にするために、本明細書では明示的には述べられない。
【0071】
本明細書に記載された主題は時には、別の構成要素内に含まれた、又は別の構成要素と接続された異なる構成要素を示す場合がある。そのような図示されたアーキテクチャは、単なる例示であり、実際には、同じ機能を達成する多くの別のアーキテクチャが実装され得ることが理解されるべきである。概念的な意味では、同じ機能を達成するための構成要素の配列は、所望の機能が達成されるように効果的に「関連付け」られる。したがって、特定の機能を達成するために組み合わされた本明細書の任意の２つの構成要素は、アーキテクチャ又は中間構成要素に関係なく、所望の機能が達成されるように互いに「関連付けられる」とみなされ得る。同様に、そのように関連付けられた任意の２つの構成要素はまた、所望の機能を達成するために互いに「接続」又は「結合」されているとみなされ得、そして、そのように関連付けられ得る任意の２つの構成要素がまた、所望の機能を達成するために互いに「結合可能」であるとみなされ得る。結合可能であることの特定の例として、物理的に嵌合可能である及び／又は物理的に相互作用する構成要素、並びに／或いは無線で相互作用可能である及び／又は無線で相互作用する構成要素、並びに／或いは論理的に相互作用する及び／又は論理的に相互作用可能である構成要素が挙げられるが、これらに限定されない。
【0072】
更に、本発明は、添付の特許請求の範囲によって規定されることを理解されたい。一般に、本明細書、特に添付の特許請求の範囲（例えば、添付の請求項の本文）内に使用される用語が概して、「開放」用語（例えば、「を含む」という用語は、「を含むがそれに限定されない」と解釈されるべきであり、「を有する」という用語は、「を少なくとも有する」と解釈されるべきであり、「を含む」という用語は、「を含むがそれに限定されない」と解釈されるべきである等）として意図されていることが当業者には理解されるであろう。特定の数の従属請求項の記載が意図されている場合、そのような意図は請求項に明示的に記載され、そのような記載がない場合、そのような意図が存在しないことが当業者に更に理解されるであろう。例えば、理解への助けとして、以下の添付の特許請求の範囲は、特許請求の範囲の記載を導入するために、「少なくとも１つの」及び「１つ又は複数の」という導入句の使用を含む場合がある。しかしながら、そのような語句の使用は、不定冠詞「ａ」又は「ａｎ」による請求項記載の導入が、同じ請求項が、「１つ又は複数の」或いは「少なくとも１つの」という導入句及び「ａ」又は「ａｎ」等の不定冠詞を含む（例えば、「ａ」及び／又は「ａｎ」は通常、「少なくとも１つの」又は「１つ又は複数の」を意味すると解釈されるべきである）ときでさえ、そのような導入請求項記載を含む任意の特定の請求項を、唯１つのそのような記載を含む発明に限定することを意味するものと解釈されるべきではなく、同じことが、請求項記載を導入するために使用される定冠詞の使用にも当てはまる。更に、特定の数の導入請求項が明示的に記載されている場合でさえ、当業者であれば、そのような記載は通常、少なくとも導入数を意味すると解釈されるべきであることを認識するであろう（例えば、別の修飾語を伴わない「２つの記載」という生の記載は、通常は少なくとも２つの記載、又は２つ以上の記載を意味する）。更に、「Ａ、Ｂ、及びＣ等のうちの少なくとも１つ」に類似した記法が使用される場合、一般にそのような構成は、当業者がその記法を理解する意味（例えば、「Ａ、Ｂ、及びＣのうちの少なくとも１つを有するシステム」とは、Ａのみを、Ｂのみを、Ｃのみを、ＡとＢとを一緒に、ＡとＣとを一緒に、ＢとＣとを一緒に、及び／又はＡ、Ｂ、及びＣを一緒に等を有するシステムを含むがこれらに限定されない）に意図される。「Ａ、Ｂ、又はＣ等のうちの少なくとも１つ」に類似した記法が使用される場合、一般にそのような構成は、当業者がその記法を理解する意味（例えば、「Ａ、Ｂ、又はＣのうちの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみを、Ｂのみを、Ｃのみを、ＡとＢとを一緒に、ＡとＣとを一緒に、ＢとＣとを一緒に、及び／又はＡとＢとＣとを一緒に等を有するシステムを含むが、これらに限定されない）に意図される。明細書、特許請求の範囲、又は図面のいずれにおいても、２つ以上の代替用語を提示する事実上あらゆる選言的な単語及び／又は語句は、用語のうちの１つ、用語のうちのどちらか、又は両方の用語を含む可能性を考慮するものと理解されるべきであることが、当業者によって更に理解されるであろう。例えば、「Ａ又はＢ」という語句は、「Ａ」若しくは「Ｂ」、又は「Ａ及びＢ」の可能性を含むと理解される。
【0073】
本開示及びその付随する利点の多くは、前述の記載によって理解されるものと考えられ、開示された主題から逸脱することなく、又はその具体的な利点のすべてを犠牲にすることなく、構成要素の形式、構造及び配列に様々な変更が加えられ得ることが明らかであろう。記載された形式は、単に説明的であり、そのような変更を包含し、含むことが以下の特許請求の範囲の意図である。更に、本発明は添付の特許請求の範囲によって規定されることを理解されたい。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
