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特許7571618原料融液の表面の状態の検出方法、単結晶の製造方法、及びＣＺ単結晶製造装置
発明の名称 原料融液の表面の状態の検出方法、単結晶の製造方法、及びＣＺ単結晶製造装置
出願人 信越半導体株式会社 （識別番号 190149）
特許公開件数ランキング 517 位（17件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 498 位（16件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-7571618
公報発行日 2024年10月23
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7571618
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